Eletrônica Aplicada – Circuitos Transistorizados

Aluno (a): Gerlene Sousa Lima Data: .07/03/24

Avaliação Pratica
INSTRUÇÕES:
 Esta Avaliação contém 2 (duas) questões, totalizando 10 (dez) pontos;
 Baixe o arquivo disponível com a Atividade Pratica;
 Você deve preencher dos dados no Cabeçalho para sua identificação:
o Nome / Data de entrega.
 As respostas devem ser digitadas abaixo de cada pergunta;
 Ao terminar grave o arquivo com o nome Atividade Prática;
o Quando solicitado
 Envio o arquivo pelo sistema no local indicado;
 Em caso de dúvidas consulte o seu Tutor.

Questão 1 – Determine a corrente IB,IC e IE, além do valor de VC.

R - Correntes de base, emissor e coletor e tensão de

coletor
Para determinar as correntes , e , bem como a tensão ,
em um circuito emissor comum, podemos usar as seguintes
relações:
Corrente da Base :
Podemos aplicar a segunda lei de Kirchhoff na malha de entrada:
2. Corrente do Coletor :

3. Corrente do Emissor :

4. Tensão do Coletor :

Onde:
- é a fonte de alimentação da base,
- é a queda de tensão base-emissor (geralmente em torno de
0,7 V para transistores de silício),
- é a resistência de base,
- é a resistência de coletor,
- é a resistência de emissor,
- é o ganho de corrente do transistor,
- é a fonte de alimentação do coletor.
Dadas as informações, podemos começar a calcular:
1. Corrente da Base :

2. Corrente do Coletor :

3. Corrente do Emissor :

4. Tensão do Coletor :

Questão 2 – Fale sobre os materiais da junção NPN.

R - Os materiais da junção de um transistor bipolar NPN são

geralmente semicondutores. Os semicondutores mais comuns
usados na fabricação de transistores são o silício e o germânio. O
silício é o material mais amplamente utilizado devido à sua maior
estabilidade térmica, melhor tolerância a altas temperaturas e
menores níveis de ruído em comparação com o germânio. O
coletor é usualmente o substrato do transistor, é um semicondutor
tipo N com dopagem normal, a base é um semicondutor tipo P com
dopagem fraca e o emissor é um semicondutor tipo N com
dopagem forte.