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Eletrnica
Transistores.
Transistor (transference resistor) um componente constitudo de uma pastilha monocristalina de material semicondutor (Germnio ou Silcio) com regies dopadas com impurezas do tipo N e do Tipo P. Os transistores dependendo do fim a que se destina, pode funcionar como: a) Amplificador de corrente; b) Amplificador de sinal; c) Chave eletrnica.. Tradicionalmente os transistores se dividem em dois(2) grupos: a saber: 1.Bipolares; 2.Unipolares ou de efeito de campo.

1o-Bipolares so aqueles formados por trs (3) regies semicondutoras de polaridades


alternadas existindo entre elas duas junes.As regies recebem os nomes de emissor (E), Base (B), e coletor (C). Baseiam o seu funcionamento com alimentao de corrente na base. Smbolo: Aspecto:

Podemos obter a estrutura indicada de duas formas diferentes, o que leva a dividir os transistores bipolares, quanto a sua estrutura em dois tipos: Tipo NPN e o tipo PNP. Veja as figuras na seqncia:

Esquema interno dos tipos NPN e PNP.

1.1 Base , Coletor e Emissor. Vamos agora entender o que Base , coletor e emissor. Base- a parte que controla a passagem da corrente;quando a base est energizada, h passagem de corrente do emissor para o coletor, quando no h sinal no existe essa conduo. A base esquematicamente o centro do transistor. Coletor uma das extremidades do transistor; nele que entra a corrente a ser controlada. A relao existente entre o coletor e a base um parmetro ou propriedade do transistor conhecido como (beta) e diferente em cada modelo de transistor. Emissor- a outra extremidade; por onde sai a corrente que foi controlada. 1.2 Consideraes gerais e Polarizao de transistores. 1.2.1Consideraes gerais. Para efeito de um estudo inicial vamos tomar como exemplo uma estrutura NPN, ou seja, um transistor NPN.. Cada uma das junes do transistor se comporta como um diodo, mas quando aplicamos tenses no dispositivo de determinada maneira e as duas junes podem entrar em ao ao mesmo tempo, o comportamento da estrutura passa a ser mais complexo do que simplesmente dois diodos ligados juntos.Para que tenhamos a ao diferenciada destas junes, vamos partir da situao em que o transistor seja alimentado com fontes externas de determinadas polaridades e caractersticas. Em suma, para que o transistor funcione, precisamos polariza-lo convenientemente. 1.2.2Polarizao de transistores. Inicialmente vamos fazer uma polarizao que nos permite apenas estudar o seu funcionamento. Na prtica existem outras maneiras de polarizar os transistores. Tomando o nosso transistor NPN como exemplo, para polariza-lo ligamos uma bateria de tenso maior ( B2) entre o coletor e o emissor e uma bateria de tenso menor( B1) atravs de um potencimetro na base do transistor. Veja a figura, na seqncia:

3 Vejamos o que acontece: partimos inicialmente da condio em que o cursor do potencimetro est todo para o lado negativo da bateria B1, ou seja, a tenso aplicada base do transistor Zero (0).Nestas condies, a juno que existe entre a base e o emissor, que seria o percurso para uma corrente da bateria B1, no tem polarizao alguma e nenhuma corrente pode fluir.A corrente de base ( Ib) do transistor zero(0). Da mesma forma , nestas condies a corrente entre o coletor e o emissor do transistor, percurso natural para a corrente da bateria B2 nula. Veja a figura a seguir:

Movimentando gradualmente o cursor do potencimetro no sentido de aumentar a tenso aplicada base do transistor, vemos que nada ocorre de anormal at atingirmos o ponto em que a barreira de potencial da juno emissor-base do transistor vencida.(0,2 V para o germnio e aproximadamente 0,7V para o silcio).Com uma tenso desta ordem, comea a circular uma pequena corrente entre a base e o emissor. Esta corrente entretanto tem um efeito interessante sobre o transistor: uma corrente tambm comea a circular entre o coletor e o emissor e esta corrente varia proporcionalmente com a corrente de base. Veja a figura, na seqncia:

medida que movimentamos mais o potencimetro no sentido de aumentar a corrente de base, observamos que a corrente do coletor do transistor aumenta na mesma proporo.

4 Se uma corrente de base de 0,1mA provoca uma corrente no coletor de 10mA, dizemos que o ganho de corrente ou Fator de amplificao do transistor 100vezes, ou seja a corrente de coletor 100 vezes maior que a corrente de base A proporcionalidade entre a corrente de base e a corrente de coletor entretanto no se mantm em toda a faixa possvel de valores. Existe um ponto em que um aumento de corrente de base no provoca mais um aumento na corrente de coletor que ento se estabiliza. Dizemos que chegamos ao ponto de saturao, ou seja, o transistor satura Abaixo o grfico que mostra este fenmeno.

Observe ento que existe um trecho linear deste grfico que denominado de Curva caracterstica do transistor. Na figura a seguir temos o funcionamento de um transistor PNP. Observa-se que a nica diferena se o mesmo fosse utilizado no exemplo dado acima, est no sentido de circulao das correntes e portanto na polaridade das baterias usadas. Observe nas figuras a seguir essas orientaes das correntes em um transistor NPN e PNP.

No NPN: Corrente de base-= Ib>> sentido horrio. Corrente de coletor=Ic>Sentido anti-horrio. No PNP: Corrente de base=Ib>>sentido anti-horrio. Corrente de coletor.=Ic.sentido horrio.

5 Para finalizarmos o assunto, observamos o seguinte: a) Quando Ib = 0 Ic = 0 . O transistor no funciona, e neste caso se diz que ele funciona como uma chave aberta ou representa-se por: b) Ib =Cresce Ic= cresce na mesma proporo. d)Ib = atinge um determinado valor, (ponto de saturao) e a partir dai mesmo que aumentemos Ib Ic= se mantm constante

2o Transistores na Prtica.
Os primeiros transistores eram dispositivos simples destinados a operar apenas corrente de baixa intensidade, sendo por isso quase todos iguais nas principais caractersticas. No entanto, com o passar do tempo ocorreram muitos avanos nos processos de fabricao, que levaram os fabricantes a produzirem uma enorme quantidade de tipos ,capazes de operar com pequenas intensidades de corrente mas tambm com correntes altas; o mesmo ocorreu com as tenses e at mesmo com a velocidade. Existem hoje, em termos de tipos de transistores mais de um milho, o que requer manuais de consultas volumosos quando se quer escolher um determinado tipo. Assim para facilitar o estudo de transistor na prtica necessrio que se divida estes dispositivos em famlias em que as caractersticas principais se mantm. Para outras caractersticas, as diferenas so normalmente fornecidas pelos fabricantes em forma de folhas de dados chamadas de datasheets. Abaixo um desses tipos de datasheets da Motorola.

Constam desses datasheets o aspecto fsico da famlia, cdigos de identificao, dados de corrente , tenses coletor-emissor, freqncias, material de que so feitos , curvas caractersticas, identificao dos terminais etc

6 De uma forma geral, na prtica apenas algumas centenas podem ser considerados principaise possudo-se um bom manual e um bom conhecimento se consegue encontrar sempre um capaz de substituir tipos considerados difceis. 2.1- Transistores de uso geral.-so transistores destinados a gerar ou amplificar sinais de pequena intensidade e de freqncia relativamente baixa.

Especificao Material

Definio Pequenas pastilhas

Descrio Silcio Germnio

Observaes A maioria dos transistores atuais de silcio.

Aspecto externo Envlucros Tipo do semicondutor Tipos de terminais contedo

Plsticos Metais NPN e PNP

Base(B) Identificao deve Coletor(C) ser feita pelo tipo Emissor(E) e varia bastante Ic- corrente de Icmax=corrente Varia entre: coletor . de coletor 20mA e 500mA mxima. VCEO- tenso VCEOmx Varia entre: entre o coletor e tenses 10V e 80V. o emissor com a mximas de base desligada operao . fT freqncia FTmxVaria entre 1 e mxima ou freqncia 200Mhz freqncia de mxima que o transio transistor pode operar. Aplicaes Uso geral ou udio

3 terminais

7 Os tipos mais comuns desses transistores so:BC548, BC558, BC107, 2SB75, OC74,

2N2222, 2N107 etc.


2.2-Transistores de Potncia- so transistores destinados a operar com correntes intensas mais ainda com sinais de baixas freqncias.

Especificaes Material

Definies

Descrio Silcio

Observaes

Pastilhas de diversos tamanhos Aspecto externo Envlucros

Plsticos Metais

Tendem a aquecer(altas correntes) usam envlucros que permitem a montagem em um dissipador(radiador) de calor.(figura acima)

Tipo do semicondutor Tipos de terminais Ic- corrente de coletor .

Contedo

NPN e PNP

Geralmente 3 terminais

Base(B) Coletor(C) Emissor(E) Icmax=corrente Mxima = de coletor 15A mxima.

Identificao deve ser feita pelo tipo e varia bastante

VCEO- tenso entre o coletor e o emissor com a base desligada. fT freqncia mxima ou freqncia de transio Aplicao

VCEOmx tenses mximas de operao

Varia entre: 20V e 100V.

fTmxVaria freqncia entre100khz mxima que o 40Mhz transistor pode operar. Amplificadores de udio

Os tipos mais comuns desses transistores so:TIP31, TIP32, 2N3055. BD135, BD136, AD142, BU205 etc. 2.3 Transistores de RF (Radiofreqncia)-so transistores destinados a amplificar ou gerar sinais de freqncias elevadas, mais com pequenas intensidades de correntes.

Especificaes Material

Definies Pastilhas de pequenos tamanhos

Descrio Silcio Germnio *Arseneto de Glio(GaAS)

Observaes Em sua maioria. Pouco usados. *Os GaAs j esto sendo usados para fabricao de transistores e so capazes de gerar (amplificar) sinais em milhares de Mhz.

Aspecto externo Tipo do semicondutor Tipos de terminais

Envlucros Contedo

Plsticos Metais NPN e PNP

Ic- corrente de coletor . VCEO- tenso entre o coletor e o emissor com a base desligada.

Geralmente 3 terminais.Alguns apresentam 4 terminais. O 4o terminal ligado prpria carcaa do transistor, de metal, e que serve de blindagem*( ver figura acima) Icmax=corrente de coletor mxima. VCEOmx tenses mximas de operao

Base(B) Coletor(C) Emissor(E) *Blindagem

Identificao deve ser feita pelo tipo e varia bastante

Mxima = 200mA Varia entre: 10V e 30V.

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fT freqncia mxima ou freqncia de transio Aplicao

fTmxfreqncia mxima que o transistor pode operar.

Chegam at a 1500Mhz

Seletores de TV de UHF e outras aplicaes semelhantes.

Os tipos mais comuns desses transistores so: os BD494, BF254, 2N2218 etc. 2.4 Classificao quanto potncia de Dissipao Ainda se costuma classificar os transistores quanto a sua potencia de dissipao; nessa classificao os transistores podem ser: a) Baixa potencia-ex: BC548; b) Mdia potencia-ex: BD137, BD135, BD139 c) Alta potencia-ex TIP120 , TIP121, TIP122, ZN3055, BU205 etc

3o Cdigos, Tipos e Identificaes de terminais.


Para usar um transistor fundamental que saibamos para que serve um determinado tipo e tambm como identificar os seus terminais. 3.1-Procedncia Americana- usam na sua codificao a sigla 2N para diferenciar dos diodos que usam 1N..Esta sigla 2N vem seguida de um numero que corresponde ao modelo, porm no serve para informar que tipo de transistor temos; se de uso geral ou udio, de potencia ou RF, se NPN ou PNP, se de silcio ou germnio.Para os transistores, com indicao 2N necessrio consultar um manual, disquetes CD Rom fornecidos pelos fabricantes; ou ainda tentar encontrar essas informaes na Internet.Na figura abaixo temos alguns exemplos com indicaes dos terminais:

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3.2Procedncia Europia -para esses transistores, o prprio tipo do transistor j fornece muitas informaes sobre o que ele . Assim, para a primeira letra j temos informaes do material usado em sua fabricao: A = Germnio; B = Silcio. Para a segunda letra temos informaes se o transistor de uso geral (udio),Potencia ou RF: C = Uso geral ou udio; D = Potncia; F = RF. Os transistores para aplicaes profissionais possuem uma terceira letra indicativa.Para os comuns temos um numero.Damos a seguir alguns exemplos: BC548 Transistor NPN de uso geral, de baixa potencia ou udio. BD136 - Transistor PNP de potncia; BF254 - Transistor NPN de RF. Veja que esta maneira de indicar os tipos ainda no diz se ele NPN ou PNP. O manual ainda necessrio para identificar os terminais.

Na figura a seguir, mostramos alguns transistores de procedncia europia com a identificao dos terminais.

3.3Procedncia Japonesa- Utilizam a sigla 1S o restante das informaes idntica ao Americano, ou seja, tem que consultar o manual.

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4o Exemplos de siglas de alguns fabricantes .


a) Siemmes-BC, BCX,BCU, BD, BF, BFN, BFR, BS, BU, BUW, BCY. b) Texas- 2N, 3N(MOSFETT), TIS, IN, MN, NP. c)Motorola- 2N, NJ, MIE, MTN, TIP. d) Philco- AO, BO, BD, PA, PB, PC, PE. e) Hitachi-2SA, 2SD. 5o Invlucros dos transistores bipolares caractersticas identificadoras. Certos transistores de germnio, utilizados em circuitos de radio freqncia- R.F., possuem um quarto terminal, identificado pela letra S de shield (blindagem).Esse terminal encontra-se conectado internamente ao invlucro metlico(TO-7) e, quando ligado massa, atua como proteo contra campos eletro magnticos. Exemplos deste tipo so: TO-71, TO 72, AF116, AF117.Veja a figura a seguir:

Para identificar o terminal S, na ausncia de informaes, basta verificar via teste de continuidade, qual dos quatro terminais tem R= 0 em relao carcaa metlica. Nos transistores de potncia com invlucro plstico,TO126 por exemplo, o coletor normalmente o terminal do centro. Para o BD139, BD140 etc., o coletor est ligado eletricamente uma lmina metlica que existe em uma de suas faces. Veja a figura a seguir:

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BD 135 J no SOT-93, TIP 30, tip31 etc., existe uma ala metlica a qual tambm est conectado o coletor.Figura acima. Em ambos os casos, a identificao do coletor feita verificando-se qual dos terminais apresenta uma resistncia nula( R=0) em relao a lmina ou ala metlica, via teste de continuidade. Os transistores de potncia com invlucro metlico (TO-3, TO-66 por exemplo), possuem apenas dois terminais tpicos: emissor (E) e base (B), como indicador. O terceiro terminal (coletor) o prprio invlucro metlico.Veja figura abaixo:

6o Configurao de transistores em circuitos. 6.1- Emissor comum.

14 Nesse caso o sinal entra, entre a base e o emissor e sai entre, o emissor e o coletor. Como o emissor o elemento comum na entrada e na sada este tipo de configurao chamada de Emissor comum.

No esquema emissor comum a fase do sinal de sada invertida em relao fase do sinal de entrada , tem como caractersticas principais elevados ganhos de tenso e de corrente. a mais comum e tambm a que produz maior ganho de potncia. 6.2- Coletor comum. Nesta configurao o sinal aplicado entre a base e o coletor e retirado entre o emissor e o coletor.O coletor ento o elemento comum entrada e sada do sinal e a configurao por isso recebe o nome de coletor comum.

A fase do sinal de sada, nesta configurao a mesma do sinal de entrada, ou seja , no h inverso de fase.Tem como caractersticas um ganho de corrente muito alto, o que quer dizer que pequenas variaes da corrente de base provocam variaes muito maiores da corrente do coletor, e ainda um ganho de tenso no to elevado como no emissor comum. Apresenta tambm, um ganho de potncia no muito alto. Obs.: Esta configurao tambm chamada de seguidor de emissor. 6.3-Base comum. Nesta configurao o sinal aplicado entre o emissor e a base e retirado entre a base e o coletor. Como vemos , a base o elemento comum, o que acarreta a denominao dada configurao de base comum

No h inverso de fase para o sinal amplificado.Como caractersticas temos que nesta configurao temos um bom ganho de tenso, mas o ganho de corrente

15 inferior unidade..No geral obtemos ento um ganho de potncia menor que o da configurao de emissor comum, porm maior do que o da configurao de coletor comum. 7o-Transistores Darlington. um tipo de estrutura de transistor, constitudo por dois transistores (T1 e T2), dois resistores (R1 e R2) e um diodo (D1), contidos em uma nica pastilha de silcio e interligados de modo a formar um transistor de potncia com elevado ganho de corrente contnua C.C. Os invlucros dos transistores Darlington podem ser do tipo metlico (TO-3 por exemplo) ou do tipo plstico (TO126). Como ocorre com os transistores bipolares. 7.1-Estrutura interna, smbolo e aspecto de um Darlington NPN. Estrutura Interna.

Smbolo e Aspecto.

Neste tipo de Darlington NPN (ver figura acima) T1 e T2 so NPN e o anodo de D1 est conectado ao emissor de T2.

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7.2-Estrutura interna, smbolo e aspecto de um Darlington PNP. Estrutura Interna.

Smbolo e Aspecto.

Neste tipo de Darlington PNP (ver figura), T1 eT2 so PNP e o anodo de D1 est ligado ao coletor de T2. Para as duas estruturas NPN e PNP o valor de R2 praticamente insensvel s variaes de temperatura e das tenses aplicadas ao componente. Dependendo do fabricante, o seu valor est compreendido entre 50-200. Por outro lado, o valor de R1 varia tanto com a temperatura como com as tenses aplicadas no transistor. Os valores especificados pelos fabricantes vo desde alguns quiloohms at dezenas de quiloohms.

17 7.3-Aplicaes dos transistores Darlington. So inmeras as aplicaes desses componentes. Entre elas, destacamos as seguintes: Amplificadores de potncia de udio; Ignies eletrnicas; Reguladores de tenso para fontes de alimentao; Controle de motores C.C.; Controle de solenides. 8o-Polarizao, sentido da corrente e nomenclatura de transistores bipolares.

Ib Sentido horrio; Ic = sentido anti-horrio; Ie = Sentido anti-horrio

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Ib Sentido anti- horrio; Ic = sentido horrio; Ie = Sentido horrio 8.1-Nomenclaturas: Ib = Corrente de base; Ic = Corrente de coletor; Ie = Corrente de emissor; Rb = Resistor de base; Rc = Resistor de coletor; Re = Resistor de emissor; Vbe = tenso base/emissor. Vce = Tenso coletor/emissor; Vcb = Tenso coletor/base.

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1 - A Revoluo Com o passar dos anos, a indstria dos dispositivos semicondutores foi crescendo e desenvolvendo componentes e circuitos cada vez mais complexos, a base de diodos. Em 1948, na Bell Telephone, um grupo de pesquisadores, liderados por Shockley, apresentou um dispositivo formado por trs camadas de material semicondutor com tipos alternados, ou seja, um dispositivo com duas junes. O dispositivo recebeu o nome de TRANSSTOR. O impacto do transstor, na electrnica, foi grande, j que a sua capacidade de amplificar sinais elctricos permitiu que em pouco tempo este dispositivo, muito menor e consumindo muito menos energia, substitusse as vlvulas na maioria das aplicaes electrnicas. O transstor contribuiu para todas as invenes relacionadas, como os circuitos integrados, componentes opto-eletrnicos e microprocessadores. Praticamente todos os equipamentos electrnicos projectados hoje em dia usam componentes semicondutores. As vantagens sobre as difundidas vlvulas eram bastantes significativas, tais como: Menor tamanho Muito mais leve No precisava de filamento Mais resistente Mais eficiente, pois dissipa menos potncia No necessita de tempo de aquecimento Menores tenses de alimentao.

Hoje em dia as vlvulas ainda sobrevivem em alguns nichos de aplicaes e devido ao romantismo de alguns usurios. 2. O Transstor Bipolar O principio do transstor poder controlar a corrente. Ele montado numa estrutura de cristais semicondutores, de modo a formar duas camadas de cristais do mesmo tipo intercaladas por uma camada de cristal do tipo oposto, que controla a passagem de corrente entre as outras duas. Cada uma dessas camadas recebe um nome em relao sua funo na operao do transstor, As extremidades so chamadas de emissor e colector, e a camada central chamada de base. Os aspectos construtivos simplificados e os smbolos elctricos dos transstores so mostrados na figura abaixo. Observe que h duas possibilidade de implementao.

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O transstor da esquerda chamado de NPN e o outro de PNP. O transstor hermeticamente fechado em um encapsulamento plstico ou metlico de acordo com as suas propriedades elctricas.

2.1 - Caractersticas Construtivas O emissor fortemente dopado, com grande nmero de portadores de carga. O nome emissor vem da propriedade de emitir portadores de carga. A base tem uma dopagem mdia e muito fina, no conseguindo absorver todos os portadores emitidos pelo emissor O colector tem uma dopagem leve e a maior das camadas, sendo o responsvel pela colecta dos portadores vindos do emissor. Da mesma forma que nos diodos, so formadas barreiras de potencial nas junes das camadas P e N. O comportamento bsico dos transstores em circuitos electrnicos fazer o controle da passagem de corrente entre o emissor e o colector atravs da base. Para isto necessrio polarizar correctamente as junes do transstor.

3. Funcionamento Polarizando directamente a juno base-emissor e inversamente a juno base-coletor, a corrente de colector IC passa a ser controlada pela corrente de base IB.

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Um aumento na corrente de base IB provoca um aumento na corrente de colector IC e viceversa. A corrente de base sendo bem menor que a corrente de colector, uma pequena variao de IB provoca uma grande variao de IC, Isto significa que a variao de corrente de colector um reflexo amplificado da variao da corrente na base. O fato do transstor possibilitar a amplificao de um sinal faz com que ele seja considerado um dispositivo dativo.

Este efeito amplificao, denominado ganho de corrente pode ser expresso matematicamente pela relao entre a variao de corrente do colector e a variao da corrente de base , isto :

3.1 - Tenses e Correntes nos Transstores NPN e PNP

Aplicando as leis de Kirchoff obtemos: IE = IC + IB NPN: VCE = VBE + VCB PNP: VEC = VEB + VBC

4 - Classificao dos Transstores Os primeiros transstores eram dispositivos simples destinados a operarem apenas com correntes de baixa intensidade, sendo, portanto, quase todos iguais nas principais caractersticas. Com o passar dos anos, ocorreram muitos aperfeioamentos nos processos de fabricao que levaram os fabricantes a produzirem transstores capazes de operar no s com pequenas correntes mas tambm com correntes elevadas, o mesmo acontecendo com s tenses e at mesmo com a velocidade. O estudo das caractersticas principais efectuado por famlias (grupo de transstores com caractersticas semelhantes), que so:

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Pequenos Sinais Baixas Frequncias Uso Geral Correntes IC entre 20 e 500mA Tenso mxima entre 10 e 80 V Frequncia de transio entre 1 Hz e 200 MHz Correntes elevadas Potncia Baixas frequncias Correntes IC inferior a 15
A

Frequncia de transio entre 100 kHz e 40 MHz Uso de radiadores de calor Pequenos sinais RF Frequncia elevada Correntes IC inferior a 200mA Tenso mxima entre 10 e 30V; Frequncia de transio em 1,5 GHz

5 - Configuraes Bsicas Os transstores podem ser utilizados em trs configuraes bsicas: Base Comum (BC), Emissor comum (EC), e Coletor comum (CC). O termo comum significa que o terminal comum a entrada e a sada do circuito.

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5.1 - Configurao BC Ganho de tenso elevado Ganho de corrente menor que 1 Ganho de potncia intermedirio Impedncia de entrada baixa Impedncia de sada alta No ocorre inverso de fase

5.2 - Configurao CC Ganho de tenso menor que 1 Ganho de corrente elevado; Ganho de potncia intermedirio Impedncia de entrada alta Impedncia de sada baixa No ocorre a inverso de fase.

5.3 Configurao EC Ganho de tenso elevado Ganho de corrente elevado Ganho de potncia elevado Impedncia de entrada baixa Impedncia de sada alta Ocorre a inverso de fase.

Esta configurao a mais utilizada em circuitos transistorizados. Por isso, os diversos parmetros dos transistores fornecidos pelos manuais tcnicos tm como referncia a configurao emissor comum. Podemos trabalhar com a chamada curva caracterstica de entrada. Nesta curva, para cada valor constante de VCE, variando-se a tenso de entrada VBE, obtm-se uma corrente de entrada IB, resultando num grfico com o seguinte aspecto.

Observa-se que possvel controlar a corrente de base, variando-se a tenso entre a base e o emissor.

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Para cada constante de corrente de entrada IB, variando-se a tenso de sada VCE, obtm-se uma corrente de sada IC, cujo grfico tem o seguinte aspecto.

Atravs desta curva, podemos definir trs estados do transstor, o CORTE, a SATURAO e a DATIVA CORTE: IC = 0 SATURAO: VCE = 0 ACTIVA: Regio entre o corte e a saturao.

Para a configurao EC a relao entre a corrente de sada e a corrente de entrada determina o ganho de corrente denominado de b ou hFE (forward current transfer ratio)

O ganho de corrente b no constante, valores tpicos so de 50 a 900. Exemplo 1 - Dadas as curvas caractersticas de entrada e sada de um transstor NPN, determine: a) A corrente na base para VBE=0,8 b) O ganho de corrente b c) Um novo ganho de corrente b , caso a corrente IB dobre de valor.

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6 - Os Limites dos Transstores Os transstores, como quaisquer outros dispositivos tm suas limitaes (valores mximos de alguns parmetros) que devem ser respeitadas, para evitar que os mesmos se danifiquem. Os manuais tcnicos fornecem pelo menos quatro parmetros que possuem valores mximos: Tenso mxima de coletor - VCEMAX Corrente mxima de coletor - ICMAX Potncia mxima de coletor - PCMAX Tenso de ruptura das junes

Na configurao EC, PCMAX = VCEMAX.ICMAX

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Exemplos de parmetros de transstores comuns. Tipo Polaridade VCEMAX (V) 45 30 60 80 -30 -60 ICMAX (mA) 100 800 3000 15000 -200 -600 b

BC 548 2N2222 TIP31A 2N3055 BC559 BFX29

NPN NPN NPN NPN PNP PNP

125 a 900 100 a 300 20 a 50 20 a 50 125 a 900 50 a 125

7 - Transstor como chave A utilizao do transstor nos seus estados de SATURAO e CORTE, isto , de modo que ele ligue conduzindo totalmente a corrente entre emissor e o coletor, ou desligue sem conduzir corrente alguma conhecido como operao como chave. A figura abaixo mostra um exemplo disso, em que ligar a chave S1 e fazer circular uma corrente pela base do transstor, ele satura e acende a lmpada. a resistncia ligada a base calculado, de forma que, a corrente multiplicada pelo ganho d um valor maior do que o necessrio o circuito do coletor, no caso, a lmpada.

Veja que temos aplicada uma tenso positiva num transstor NPN, para que ele sature e uma tenso negativa, para o caso de transstores PNP, conforme mostra a figura abaixo.

8 - Exerccio

27 1. Quais as vantagens dos transstores em relao as vlvulas? 2. Quais as relaes entre as dopagens e as dimenses no emissor, coletor e base de um 3. 4. 5. 6. 7. 8.
transstor? Para o funcionamento de um transstor, como devem estar polarizadas suas junes? Quais as relaes entre as correntes e tenses num transstor NPN e PNP? Explique por que o ganho de corrente na configurao BC menor que 1. Explique por que o ganho de corrente na configurao EC muito maior que 1. Explique por que o ganho de tenso na configurao CC menor que 1. Quais os trs estados do transstor e quais so as suas caractersticas.

9 - Polarizao de Transstores 9.1 - Ponto de Operao (Quiescente) Os transstores so utilizados como elementos de amplificao de corrente e tenso, ou como elementos de controle ON-OFF. Tanto para estas como para outras aplicaes, o transstor deve estar polarizado correctamente. Polarizar um transstor fix-lo num ponto de operao em corrente contnua, dentro de suas curvas caractersticas. Tambm chamado de polarizao DC, este ponto de operao (ou quiescente) pode estar localizado nas regies de corte, saturao ou altiva da curva caracterstica de sada. Os pontos QA, QB e QC da figura a seguir caracterizam as trs regies citadas. QA: Regio activa QB: Regio de saturao QC: Regio de corte

9.2 - Recta de carga A recta de carga o lugar geomtrico de todos os pontos de operao possveis para uma determinada polarizao. Podemos defini-la a partir de dois pontos conhecidos.

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9.3 - Circuitos de Polarizao EC Nesta configurao, a juno base-emissor polarizada directamente e a juno base-coletor reversamente. Para isso, utilizam-se duas baterias e duas resistncias para limitar as correntes e fixar o ponto de operao.

Anlise da malha de entrada: RB.IB + VBE = VBB

ento, Malha de sada: RC.IC+VCE=VCC

9.3.1 - Circuito de polarizao com corrente de base constante Para eliminar a fonte de alimentao da base VBB, pode-se utilizar somente a fonte VCC.

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Para garantir as tenses correctas para o funcionamento do transstor R B deve ser maior que RC.

Equaes:

Neste circuito, como VCC e RB so valores constantes e VBE praticamente no varia, a variao da corrente de base desprezvel. Por isso este circuito chamado de polarizao EC com corrente de base constante. Exemplo 2: Dado um transstor com b =200 e uma fonte de 12V, determinar as resistncias de polarizao (valores comerciais) para o ponto de operao V CEQ=VCC/2, ICQ = 15mA e VBEQ=0,7V OBS.: Este circuito de polarizao apresentado bastante sensvel a variaes de temperatura. Por seu ponto de operao ser bastante instvel, o seu uso restrito ao funcionamento como chave electrnica. 9.3.2 - Influncia da temperatura Nos transstores a temperatura afecta basicamente os parmetros b , VBE e a corrente de fuga. A variao de VBE desprezvel, porm a corrente de fuga e o ganho b podem ter variaes acentuadas, ocasionando variaes na corrente de coletor, sem que haja variaes na corrente de base, deixando o circuito instvel.

9.3.3 - Circuito de Polarizao com corrente de Emissor constante. Neste circuito de polarizao inserido uma resistncia RE entre o emissor e a fonte de alimentao.

A ideia compensar possveis variaes de ganho devido a mudanas de temperatura. Se houver um aumento de ganho, haver aumento de IC, com aumento de VRC e de VRE e diminuio de VCE. Mas devido ao aumento de VRE a corrente de base diminui, induzindo IC a uma estabilizao.

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Perceba que no circuito anterior esta variao de ganho levaria a um aumento de I C e diminuio de VCE tirando o transstor de seu ponto de operao original. A resposta dada por RE para o aumento de IC, chama-se de realimentao negativa e garante a estabilidade do ponto de operao.

Equaes:

Como temos trs incgnitas e apenas duas equaes temos que arbitrar um dos valores. Neste caso adoptamos VRE = VCC / 10, de modo que o resto da tenso seja utilizada pela sada do circuito. Exemplo 3: Dado um transstor com b =250 e uma fonte de 20V, determinar as resistncias de polarizao (valores comerciais) para o ponto de operao V CEQ=VCC/2, ICQ = 100mA e VBEQ=0,7V

9.3.4 - Circuito de Polarizao com Divisor de Tenso Uma outra forma de solucionar o problema da instabilidade com a temperatura o circuito de polarizao mostrado na figura abaixo.

Este circuito projectado de forma a fixar o valor de V RB2. Como VBE praticamente constante com a temperatura, VRE tambm permanece constante. Isto garante a estabilizao de IE e IC, independentemente da variao do ganho.

Equaes:

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Novamente, para conseguir resolver as equaes, temos que adoptar: IB2 = 10xIB e VRE = VCC/10 Exemplo 4: Dado um transstor com b =250 e uma fonte de 9V, determinar as resistncias de polarizao (valores comerciais) para o ponto de operao V CEQ=VCC/2, ICQ = 20mA e VBEQ=0,65V. Traar a sua recta de carga.

9.3.5 - Determinao do Ponto de Operao a Partir dos Valores das Resistncias. At agora realizamos a sntese de circuitos, isto , calculamos os valores das resistncias para os valores especificados de tenso e corrente. Podemos, tambm, a partir das resistncias determinarmos o ponto de operao analiticamente ou graficamente. Isto a anlise do circuito. Caso o circuito utiliza divisor de tenso podemos utilizar o teorema de Thvenin para reduzir para a forma abaixo.

Onde:

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Graficamente temos que ter acesso a curva caracterstica de sada do transstor. Traando a reta de carga sobre a curva encontramos o ponto de operao. Exemplo 5: Um transstor, cuja curva caracterstica de sada conhecida, foi polarizado de forma que o ponto de operao de entrada seja VBEQ=0,7V e IBQ=50m A, conforme o circuito a seguir. Determinar o ganho do transstor e os demais valores do ponto de operao: ICQ, IEQ e VCEQ.

9.3.6 - Clculo de Resistncias para uso como Chave Electrnica. O uso do transstor como chave implica em polariz-lo na regio de corte ou de saturao. Como o corte do transstor depende apenas da tenso de entrada, o clculo dos transstores efectuado baseado nos parmetros de saturao. Um transstor comum, quando saturado, apresenta um VCE de aproximadamente 0,3V e um ganho de valor mnimo (entre 10 e 50) para garantir a saturao. A corrente de coletor de saturao depende da resistncia acoplada ao coletor ou da corrente imposta pelo projecto. Exemplo 6: No circuito a seguir, deseja-se que o Led seja accionado quando a chave estiver na posio ON e desligado quando a chave estiver na posio OFF. Parmetros do transstor BC 548: VBESAT=0,7V VCESAT=0,3V ICMAX=200mA VCEMAX=30V b =20 Parmetros do LED: VD=1,5V ID=25mA Exemplo 7: Um circuito digital (TTL) foi projectado para accionar um motor de 220V/60Hz sob determinadas condies. Para tanto, necessrio que um transstor como chave atue sobre um rel, j que nem o circuito digital, nem o transstor podem accionar este motor. O circuito utilizado para este fim esta mostrado a seguir.

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Neste circuito, em srie com RC, coloca-se a bobina do rel. Esta bobina, normalmente, apresenta uma resistncia DC da ordem de algumas dezenas de ohms. Por ser to baixa, a resistncia R C, tem a funo de limitar a corrente no transstor, para no danific-lo. O diodo em paralelo com a bobina serve para evitar que o transstor se danifique devido tenso reversa gerada por ela no chaveamento do rel. Parmetros do 2N2222: VBESAT=0,7V VCESAT=0,3V b =10 ICMAX=500mA VCEMAX=100V Parmetros do rel: RR=80W IR=50mA