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Inversor
Os inversores chaveados trabalham nos quatro quadrantes do plano ,
permitindo um fluxo de potncia instantnea em ambos os sentidos.
Inversor
Para gerar uma tenso senoidal na sada, preciso comparar um sinal de
controle senoidal
Inversor de um brao.
Inversor de um brao
Inversor de um brao
Inversor de um brao
Inversor de um brao
Tabela normalizada da amplitude de harmnicos
ndice de modulao ma, assumindo mf 9
como funo do
Inversor de um brao
Exemplo: Considere Vd = 300V, ma = 0.8, mf = 39 e f1 = 47Hz. Determinar o
valor RMS da fundamental e dos harmnicos
dominantes em vAO .
Da tabela anterior, a tenso RMS de qualquer
harmnica dada por:
Ento:
Inversor de um brao
Consideraes sobre o ndice mf
a)mf 21 PWM Sncrono: Para valores de mf menores que 21 o sinal
modulante deve ser sincronizado com a portadora triangular. Isso requer que mf
seja um inteiro mpar. PWM assncronos geram sub-harmnicos da frequncia
da modulate, indesejados em muitas aplicaes;
b)mf 21 A amplitude dos sub-harmnicos so pequenos para grandes mf.
Nesse caso, o PWM assncrono pode ser usado, sendo mantida constante a
frequncia da portadora triangular, mesmo com a frequncia da modulante
variando. Se o inversor aciona motores CA, os sub-harmnicos em frequncias
zero ou prximas a zero, mesmo para pequenas amplitudes de tenso,
resultaro em altas correntes indesejadas.
Inversor de um brao
Consideraes sobre o ndice ma
a)ma > 1.0 Para ma 1 o PWM opera na regio linear, sendo a amplitude da
tenso na frequncia fundamental uma funo linear de ma. Para aumentar a
tenso da tenso fundamental gerada necessrio aplicar a sobre-modulao
(overmodulation, ma > 1.0).
b)Com a aplicao da sobre-modulao h a gerao de um maior nmero de
componentes harmnicas, como pode ser observado no grfico abaixo.
Inversor de um brao
Consideraes sobre o ndice ma
c)Com a sobre-modulao a amplitude da componente fundamental no varia
linearmente em funo de ma, como pode ser observado no grfico abaixo.
d) Para valores de ma suficientemente
elevados, a forma de onda da tenso
passa de uma forma de onda
modulada em lagrura de pulso, para
uma onda quadrada.
como funo do
Ento:
Chaveamento Bipolar
Inversor Trifsico
Inversor Trifsico
Inversor Trifsico
Inversor Trifsico
Inversor Trifsico
Inversor Trifsico
Inversor Trifsico
A amplitude das componentes harmnicas da tenso de linha podem ser
determinadas a partir dos fatores de multiplicao indicados na tabela abaixo:
Inversor Trifsico
Inversor Trifsico
Sobremodulao, ma > 1.0
Nessa condio de operao a amplitude da
tenso na frequncia fundamental no cresce
proporcionalmente com ma;
Para valores de ma muito grandes, o sinal
PWM se converte em uma onda quadrada.
Isso resulta em mximo valor de VLL1 igual a
0.78Vd;
Na regio de sobremodulao so gerados
mais componentes harmnicas em bandas
laterais em torno da frequncia dos
harmnicos de mf e seus multplus;
Apesar do aumento no nmero de
componentes
harmnicas
geradas
na
condio de sobremodulao, dependendo da
natureza da carga e da frequncia de
chaveamento, as perdas devidas a esses
harmnicos podem ser menores que as perdas
na regio linear do PWM.
Inversor Trifsico
Modo onda quadrada, ma >> 1.0
Inversor Trifsico
Modo onda quadrada, ma >> 1.0
Inversor Trifsico
Ondulao na tenso de sada
Inversor Trifsico
Ondulao na tenso de sada
Inversor Trifsico
Ondulao na tenso de sada
Inversor Trifsico
Ondulao na tenso de sada Modo PWM
Inversor Trifsico
Ondulao na tenso de sada Modo onda quadrada
Inversor Trifsico
Ondulao na tenso de sada Modo onda quadrada
Inversor Trifsico
Comportamento da corrente do lado CC
Assume-se uma tenso Vd CC sem ripple.
Inversor Trifsico
Comportamento da corrente do lado CC
Em uma operao em regime balanceado as grandezas trifsicas estaro
deslocadas entre si de 120 , ento:
A corrente id* uma grandeza CC. A corrente id, contudo, possui componentes
harmnicas na frequncia de cheveamento. As componentes de corrente de
alta frequncia tem efeito desprezvel na tenso do capacitor do barramento
CC.
Inversor Trifsico
MOSFET de Potncia
O MOSFET uma chave ativa com camadas semicondutoras N e P, cujo
controle de conduo feito por um terminal isolado chamado de gate (porta)
um semicondutor totalmente controlado, atravs de uma tenso aplicada entre
o gate e o source
Quando uma tenso VGS adequada aplicada, o MOSFET entra em conduo e
conduz correntes positivas (i > 0)
Com a remoo da tenso VGS, o MOSFET bloqueia tenses positivas (VDS) > 0
MOSFET de Potncia
Possui um DIODO INTRNSECO EM ANTI-PARALELO, tambm conduzindo
correntes negativas
O diodo intrnseco possui tempo de comutao maiores do que o MOSFET
A resistncia de conduo RDSon possui coeficiente de temperatura positivo,
facilitando a operao em paralelo
MOSFET de Potncia
Diodo intrnseco em anti-paralelo A juno p-n - resulta em um diodo em antiparalelo (body diode) com sentido de conduo dreno-source
Uma tenso negativa dreno-source polariza diretamente este diodo, com
capacidade de conduzir a corrente nominal do MOSFET
Os tempos de recuperao deste diodo so normalmente significativos
As elevadas correntes que fluem durante a recuperao reversa do diodo podem
causar danos ao componente
MOSFET de Potncia
Circuito para prevenir a conduo do diodo intrnseco