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Critrio de avaliao:
O aproveitamento escolar ser aferido por 2 avaliaes semestrais: A1 - Nota da 1 avaliao; A2 - Nota da 2 avaliao; MF: Mdia final onde MF =(A1 + A2)/2 Critrio de nota: Se MF 6,0 o aluno est aprovado. Se MF < 6,0 o aluno est reprovado.
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Freqncia:
Total de horas-aula no semestre: 40h Quantidade mnima de horas para aprovao por presena: 75% Quantidade mxima de horas para aprovao por presena: 25% Total de horas de ausncia para aprovao por presena: 10h (equivalente a 5 dias de aula).
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Questes conceituais:
Que tipos de defeitos aparecem nos slidos? O nmero e o tipo de defeitos podem ser variados e controlados? Como os defeitos afetam as propriedades dos materiais? Os defeitos so indesejveis?
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1. Introduo:
Por que estudar imperfeies em slidos? Propriedades so influenciadas profundamente pela presena de imperfeies. O que um defeito cristalino? uma irregularidade na rede cristalina com uma ou mais das suas dimenses na ordem de um dimetro atmico.
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A classificao de imperfeies cristalinas feita frequentemente de acordo com a geometria ou dimensionalidade do defeito.
2. Imperfeies pontuais:
As imperfeies pontuais podem ser: a) b) c) d) Vazios ou lacunas; Defeitos de Schottky; Defeitos intersticiais; Defeitos de Frenkel.
Vazios: o defeito pontual mais simples. Envolve a falta de um tomo dentro de um metal. Resultam de empacotamento imperfeito durante a cristalizao ou das vibraes trmicas dos tomos em temperaturas elevadas. Podem ser simples, ou com dois ou mais deles condensando para formar vazios duplos ou triplos. Facilitam a difuso atmica.
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Vazio Vacancy
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Defeitos de Schottky: esto intimamente relacionados com vazios, mas so encontrados em compostos que devem manter um balano de carga. Envolvem vazios de par de ons de cargas opostas. Facilitam a difuso atmica.
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Defeitos de Frenkel: Quando um tomo deslocado de sua posio no reticulado para um interstcio. As estruturas de empacotamento fechado tm menor nmero de defeitos intersticiais e defeitos de Frenkel do que de vazios e defeitos de Shocttky, porque necessria uma energia adicional a fim de forar os tomos para novas posies.
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Defeito de Schottky
Defeito de Frenkel
Figura 2 Exemplos de defeitos Schottky e de Frenkel.
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Defeitos intersticiais: Quando um tomo extra se aloja em uma estrutura cristalina, particularmente quando o fator de empacotamento atmico for baixo. Produz uma distoro no reticulado, a no ser que o tomo intersticial seja menor que os tomos restantes do cristal.
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3. Impureza em slidos:
Um metal puro que consista em apenas um tipo de tomo simplesmente impossvel; impurezas ou tomos estranhos estaro sempre presentes, e alguns iro existir como defeitos cristalinos pontuais. Na realidade, difcil refinar metais at uma pureza que seja superior a 99,9999%.
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Os metais mais familiares no so altamente puros; ao contrrio, eles so ligas, nas quais os tomos de impureza foram adicionados intencionalmente para conferir caractersticas especficas ao material. Exemplos: Ao liga Fe-C Bronze Liga Cu-Sn Lato Liga Cu-Zn
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Soluo slida: a mistura completa de tomos de dois ou mais metais, que ocorre durante a fase lquida, e que continua quando eles passam para o estado slido. As solues slidas podem ser: substitucionais ou intersticiais.
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Com relao s ligas, comum usar os termos soluto e solvente. Solvente: representa o elemento ou composto que est presente em maior quantidade (tambm chamados de tomos hospedeiros); Soluto: representa um elemento ou composto que est presente em menor concentrao.
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Existem vrias caractersticas dos tomos do soluto e do solvente que determinam o grau segundo o primeiro se dissolve no segundo. So estas:
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1. Fator do tamanho atmico: Quantidades apreciveis de um soluto podem ser acomodadas neste tipo de soluo slida somente quando a diferena entre os raios atmicos dos dois tipos de tomos menor do que aproximadamente 15%. De outra forma, os tomos iro criar distores substanciais na rede cristalina e uma nova fase ir se formar;
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2. Estrutura cristalina: Para que a solubilidade dos slidos seja aprecivel, as estruturas cristalinas para os metais de ambos os tipos de tomos devem ser as mesmas; 3. Eletronegatividade: Quanto mais eletropositivo for um elemento e mais eletronegativo for o outro, maior a tendncia de que eles venham a formar um composto intermetlico em lugar de uma soluo slida substitucional;
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4. Valncias: Sendo iguais todos os demais fatores, um metal ter uma maior tendncia de dissolver um outro metal de maior valncia do que um de menor valncia.
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Item 1: Fator do tamanho atmico RCu = 0,1278 nm e RZn = 0,1332 nm Solvente: Cobre e Soluto: Zinco Limite inferior = RCu 0,15. RCu Limite inferior = 0,1086 nm
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Limite superior = RCu + 0,15. RCu Limite superior = 0,1469 nm Intervalo: 0,1086 a 0,1469 nm Raio do zinco: 0,1332 nm (ok!) Item 2: Estrutura do Cu = CFC Estrutura do Zn = HC CFC nmero de coordenao = 12 e FEA = 0,74 HC nmero de coordenao = 12 e FEA = 0,74 (ok!)
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Item 3: Cu Famlia 1B; linha (Eletronegatividade = 1,9) Zn Famlia 2B, linha (Eletronegatividade = 1,65) Ambos eletropositivos (ok!) Item 4: Valncia mais comum Cu = +1 Valncia mais comum Zn = +2 Valncias prximas; Cu dissolve Zn (ok!) Concluso: Soluo slida substitucional.
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Conseqentemente, o dimetro atmico de uma impureza intersticial deve ser substancialmente menor do que o dimetro dos tomos hospedeiros. Normalmente, a concentrao permissvel para os tomos de intersticial baixa (inferior a 10%). mxima impureza
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Mesmo os tomos de impurezas muito pequenos so geralmente maiores do que os stios intersticiais, e como conseqncia eles introduzem alguma deformao na rede cristalina sobre os tomos hospedeiros adjacentes.
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Raio Fe (nm)
Raio do vo Octadrico (nm) Raio do vo Tetradrico (nm) 0,036 0,029 Raio do Fe ( 15%) (nm) 0,105 0,143 0,110 0,148
500 1000
CCC CFC
0,1241 0,129
0,019 0,053
0,071
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No ferro, a estrutura cbica de faces centradas (CFC) mais compacta que a estrutura cbica de corpo centrado (CCC).
A estrutura CFC apresenta vos maiores, para o alojamento do carbono intersticial do que a estrutura CCC.
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CFC
CCC
4. Imperfeies de linha:
O tipo mais comum de defeito de linha no interior de um cristal uma discordncia (dislocation). As discordncias podem ser: Em cunha (aresta); Helicoidal (espiral); Mista.
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Discordncias em cunha (aresta): So descritas como a aresta de um plano atmico extra na estrutura cristalina. Zonas de compresso e de trao acompanham uma discordncia em cunha, de forma que h um aumento de energia ao longo da discordncia. A distncia de deslocamento dos tomos em torno da discordncia denominada vetor de burgers, e perpendicular linha da discordncia em cunha.
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Discordncias helicoidais (espirais): tem seu deslocamento (vetor e burgers) paralelo ao defeito de linha.
Discordncias mistas: so aquelas que exibem componentes caractersticos das discordncias em cunha e helicoidais.
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Discordncias em hlice na superfcie de um monocristal de SiC. As linhas escuras so degraus de escorregamento superficiais. Discordncias vistas atravs de microscopia eletrnica de transmisso (liga de titnio).
5. Defeitos interfaciais:
So contornos que possuem duas dimenses e normalmente separam as regies dos materiais que possuem diferentes estruturas cristalinas e/ou orientaes cristalogrficas. Entre elas, podemos citar: as superfcies externas, os contornos de gros, contornos de macla, falhas de empilhamento e os contornos de fases.
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Para reduzir esta energia, os materiais tendem a minimizar, se isto for de todo possvel, a rea total da superfcie.
Exemplo: os lquidos assumem uma forma que possui rea mnima (gotculas esfricas), o que no possvel nos slidos, que so mecanicamente rgidos.
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Figura 13 Diagrama esquemtico mostrando contornos de gro de baixo e de alto ngulo, assim como as posies atmicas adjacentes.
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Figura 15 Diagrama esquemtico mostrando um plano ou contorno de macla e as posies atmicas adjacentes (crculos).
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Questes conceituais:
Que tipos de defeitos aparecem nos slidos? O nmero e o tipo de defeitos podem ser variados e controlados? Como os defeitos afetam as propriedades dos materiais? Os defeitos so indesejveis?
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Referncias bibliogrficas:
Callister Jr., W. D. Cincia e Engenharia de Materias Uma Introduo 5 edio. Rio de Janeiro, RJ: LTC Livros Tcnicos e Cientficos Editora S. A., 2002, 589 p., pp. 45 55. Van Vlack, L. H. Princpios de Cincia dos Materiais 3 edio. So Paulo, SP: Editora Edgard Blucher Ltda., 1977, 427p., pp. 79 91.
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