Cur So Fontes

Universidade Federal de Santa Catarina Departamento de Engenharia Eltrica Instituto de Eletrnica de Potncia
Projeto de Fontes Chaveadas
Prof. Alexandre Ferrari de Souza, Dr.
Programa
1a Semana:
Introduo Captulo I Retificador e Filtro de Entrada Captulo II Fontes Chaveadas do Tipo Flyback Captulo III Fontes Chaveadas do Tipo Forward Captulo IV Fontes Chaveadas do Tipo Half-Bridge, Full Bridge e Push-Pull Captulo V Transistores de Potncia
Programa
2a Semana:
Captulo VI Circuitos de Comando para Transistores de Potncia Captulo VII Circuitos de Comando para Fontes Chaveadas Captulo VIII Resposta Transitria e Estabilidade Captulo IX Interferncia Eletromagntica em Fontes Chaveadas Captulo X Consideraes de Projeto
Introduo a Fontes Chaveadas

- Computadores e microcomputadores; - Perifricos (impressoras, terminais, ...); Rede CA Fonte de Alimentao - Avies e satlites; - Fontes de alimentao para circuitos de comando de conversores. CC - Telecomunicaes; - Equipamentos mdicos e militares;
Fonte de Alimentao: - Linear - Chaveada

Fonte Linear: Transformador de baixa freqncia, ponte retificadora, filtro capacitivo e regulador linear srie. Elevada robustez e confiabilidade. Baixo custo. Simplicidade de projeto e operao. Elevado peso e volume. Baixo rendimento (reguladores lineares). Limitao na regulao. Gerao de componentes harmnicas na corrente de entrada, resultando um baixo fator de potncia. Atualmente limitam-se aplicaes de baixa potncia (simplicidade e baixo custo).

Fontes Chaveadas : Utilizam interruptores de potncia na regio de saturao (chave com estados aberto e fechado).
Incio
do desenvolvimento: dcada de 60 em programas
espaciais. Avano da microeletrnica e a necessidade de compactao dos equipamentos aliado a baixo consumo difundiu o uso das fontes chaveadas. Substituiu as Fontes Lineares.

Caractersticas das Fontes Chaveadas:
- Maior rendimento;
! ! ! ! " "
- Elevada densidade de potncia: menor volume e peso; - Grande capacidade de regulao;
- Possibilidade de operar com fator de potncia unitrio; - Menos robusta e resposta transitria lenta; - Ondulao na tenso de sada;
"
- Interferncia radioeltrica e eletromagntica;
" - Componentes mais sofisticados. "

- Maior nmero de componentes;

Esforos dos pesquisadores para diminuir as desvantagens das Fontes Chaveadas:
- Nvel terico (topologias, comutao, controle, modulao, ...); - Otimizao dos projetos; - Fabricantes de componentes (circuitos integrados dedicados, semicondutores, ...).
Avano dos semicondutores:

- Dcada de 70: Transistor Bipolar com freqncias de at 20kHz; - Dcada de 80: MOSFET (baixa potncia) e diodo ultra-rpido com freqncias de at 100kHz; - Recentemente: Fontes com comutao suave podendo operar na faixa dos MHz, rendimento prximo a 90%, e pouco rudo radioeltrico.

Configurao usual de uma Fonte Chaveada:
Rede AC
- Retificador Filtro de Rdio Freqncia - Filtro - Protees
Interruptor IGBT/ MOSFET
Transformador de Isolamento
- Retificadores - Filtros
- Comando - Proteo - Fonte Auxiliar
Circuitos de Controle

Desenvolvimento de uma Fonte Chaveada:
- Tcnicas p/ reduo da interferncia eletromagntica gerada; - Mtodos p/ a correo do fator de potncia; - Conversores CC-CC; - Teoria de controle e modelagem de conversores estticos; - Projeto de indutores e transformadores de alta freqncia; - Semicondutores de potncia e circuitos integrados dedicados; - Projeto trmico; - Circuitos de comando e proteo; - Simulao de conversores estticos.

Etapas de Projeto
1. Especificar: - Tenso de entrada e sada; - Freqncia da rede; - Tenses nominais, mxima e mnima da rede; - Ondulao de 120Hz na sada; - Ondulao da sada na freqncia de comutao; - Hold-Up time; - Temperatura ambiente; - Protees exigidas; - Rendimento; - Regulao de carga; - Regulao de linha; - Resposta transitria; - Tenso de isolamento; - Nvel de interferncia radioeltrica e eletromagntica; - Normas aplicveis (IEC 61000-3-2, CISPR 22, IEC950).

Etapas de Projeto
2. Definir: - Topologia do conversor; - Freqncia de comutao; - Interruptor principal (IGBT, MOSFET, etc.); - Isolamento (transformador de comando de base/gatilho, isolador tico ou sensor hall no lao de realimentao); 3. Clculo de Estgio de Entrada: - Retificador; - Capacitor de filtragem; - Limitao de corrente de pr-carga do capacitor de filtragem. 4. Projeto do Conversor 5. Clculo do Transformador de Isolamento de Alta Freqncia 6. Clculo de Estgio de Sada

Etapas de Projeto
7. Circuito de comando de base ou gate 8. Projeto do circuito de compensao (estabilidade e resposta transitria) 9. Escolha do CI-PWM e clculo dos componentes externos 10. Projeto dos circuitos de proteo 11. Clculo da fonte auxiliar 12. Clculo do filtro de rdio freqncia

1. Retificadores no Controlados (baixo FP)
1.1 Monofsico
vC
vC Vpk
i
D1 vAC D2
220V
i2 1 2
110V
i
C1
Conversor
0 t1
VCmin
t2 tc Ip 2
S D3 D4
C2
t
92.5% 83.2% 74.0% 64.7% 55.5% 46.2% 37.0% 27.7% 18.5% 9.2% 0.0% 3 5 7 9 11 13 15 17 19 21 23 25 27 29 31 33 35 37 39 41 43 45 47 49 51
TDH = 148% o Desl. = 1,48 FP = 0,553

1. Retificadores no Controlados (baixo FP)
1.2 Trifsico
V C
V1 V2 V 3
-
D1
D2
D3 +
V 1
C VC _ R
i1
D4
D5
D6

2. Retificadores Controlados (FP elevado)
2.1 Monofsicos: BOOST, BUCK, ...
retificador Vs CONVERSOR carga
controle
Captulo I Estgio Retificador com Filtro de Entrada

Retificador Monofsico com Filtro Capacitivo
vC i
D1 vAC D2
220V
i2 1 2
110V
C1
Conversor
S D3 D4
C2
Operao em 220 V e 110 V (dobrador de tenso) 220 V
C1 C 2 C= C1 + C 2
Win 1 2 2 = C Vpk VC min 2 2
Pin Win = f

Vpk vC
VC min = Vpk cos( 2f t c )

VCmin
t1 0
t2
tc Ip
tc =
t
arccos VC min Vpk 2f
tc = intervalo de conduo dos diodos ou tempo de recarga de C (equivalente) Carga transferida para C
Q = I p tc = C V
C.V C(V pk VC min ) = Ip = tc tc
Pin 2 2 C ( Vpk VC min ) = f
C=
Pin f ( Vpk 2 VC min 2 )
Seja IC1ef - valor eficaz da componente alternada da corrente i Imed - valor mdio da corrente i Ief -valor eficaz da corrente i
I ef = I med + I C1ef
2 2
I C1ef = I ef I med
2
2t c I med = I p T
I ef = I p
2tc T
I C1ef = I p
2tc 2 2t c Ip T T
I C1ef = I p 2tc f (2tc f ) 2

Estgio de entrada ligado ao conversor CC-CC operando em alta freqncia
i2 I 2pk t Ton Ts
Pin = I 2 pk VC min D
Onde:
Ton D= T
I 2 pk =
Pin VC min D
Para Dmax=0,5
I 2 pk
2Pin = VC min
Logo:
I 2 ef
P = = in 2 VC min
I 2 pk
Pout Pin =
I Cef =
I 2 ef + I C1ef
2

Grandezas Eltricas nos Diodos das Pontes Retificadoras
Pin I Dmed = 2 VC min
I Def = I p
tc T
VD max = V pk

Exemplo Numrico VAC = 117V ; VACmin = 99V ; VACmax = 135V f = 60Hz ; VCmin = 100V ; = 0,7 ; Pout = 70W
Pout 70 = = 100W a) Pin = 0,7

b)
C=
Pin f ( Vpk VC min

2 2)
C=
100 60 (135 100 )

2 2
203F
Vpk = 2 VAC min = 2 99 = 140V
V pk = 135V
V = Vpk VC min = 135 100 = 35V
C1 = C2 = 406F

c) d)
arc cos VC min Vpk arc cos (100 135) = = 1,954ms tc = 2 f 2 60

C V 203 10 6 35 = = 3,64A Ip = 3 tc 1,954 10
3 e) 2t c f = 2 1,954 10 60 = 0,2345
I C1ef = I p 2tc f (2tc f ) 2 = 3,64 0,2345 0,23452 = 1,54 A

f)
I 2ef =
Pin 100 = 1A VC min 100

I 2 ef + I C1ef = 12 + 1,54 2 = 1,84 A
2 2
g) I Cef =
h) I Def = I p
tc 1,954 10 3 = 3,64 = 1,25A 3 T 16,666 10

i) j) k)
I Dmed =
Pin 100 = = 0,5A 2 VC min 2 100
VD max = Vpk max = 2 VAC max = 2 135 191V
I Dp = I p = 3,64A
UFA !!

Simulao Numrica
vC D1 D2 i iC C D3 D4 iR R
v AC ( t ) = 2 99 sen (377t )
R = 100 C = 203F
vAC
140V
vC
Vpk
Vpk 140V VCmin 102V tc = 2,1ms Ipico 8,0A

VCmin
t
130V
120V
110V
100V
Imed 1,0A

Corrente Capacitor + Carga
10A
1,4A
Corrente de Carga
iR
i
8A
1,3A
6A
4A
1,2A
2A
1,1A
0A
tc
-2A
1,0A
Corrente no Capacitor
10A 10A
Corrente de Entrada
iv
AC
iC
8A
5A 6A
4A
0A
2A -5A 0A
-2A
-10A

VCmin, Vpk, tc, Q e Imed possuem praticamente os mesmos valores;
I pico 2 I p
VC () = Vpk sen
V Cmn V pk
Anlise Detalhada
V C S1 S3 3 2 2 S2 1 3 2 t iC
i C () = C
dVC () d
V 1
i C () = CVpk cos
i C ( 2 ) = i R ( 2 )
i R ( 2 ) = Vpk R sen 2
CVpk cos 2 =
Vpk R
sen 2
tg 2 = RC
2 = tg 1 (RC )
Anlise Detalhada
V C

VC min sen (1 ) = Vpk
t iC
VC min = Vpk sen (1 )
V Cmn V 1 3 S1 S3 2 2 S2 1 3 2
V pk
VC min 1 = + sen Vpk

1
3 = 1 2
= 2
S1 = S 2 + S3
S1 =
2 2
i C () d
VC ( ) d S2 = R
VC () = Vpk (cos )
1 2
++ =
e RC
S3 =
S3 =
i C ( 2 ) 2
2R
S1 = CVpk (1 cos )
1 2 RC Vpk cos RC S2 = 1 e R
Vpk cos
Anlise Detalhada
V C

V Cmn V pk
V 1 3
S1 S3 2
80 72 64 56 48
S2 2 1 3 2 t iC
S1 = S 2 + S3
RC
40 32 24 16 8 0
0.2
0.28
0.36
0.44
0.52
0.6
0.68
0.76
0.84
0.92
V Cmin / Vp k
Anlise Detalhada
V C

V Cmn V pk
V 1 3
S1 S3 2 2 S2 1 3 2
S1 = S 2 + S3
t iC
R . I Cef V pk
4 3.6 3.2 2.8 2.4 2 1.6 1.2 0.8 0.4 0
10
20
30
40
50
60
70
R C

Dobrador de Tenso (110 V)
i D1 + D3 vAC D2 _ + vC1 + D4 vC2 C2 C1 + Conversor vC D1 _ vAC + D3 D2 i + vC1 + vC2 + Conversor vC D4 C2 -
C1
vAC
VC min = VC1min +
VC 2min + VC 2pk 2
VC1pk = VC 2pk
VC1min = VC 2min
vC VCpk VCmin
VC1pk
vC2
VC2 pk
VC1min =
2VC min VC1pk 3
C1 = C2 =
Pin 2 2 f (VC1 pk VC1min )
VC1min vC1
VC2 min
t 0 2

Dobrador de Tenso (110 V)
VC1min = VC1pk cos( 2f t c )

C1 V1 C1 ( VC1pk VC1min ) = = tc tc
tc =
arccos VC1min VC1pk 2f
I p1
I med1 = I p1 t c f
Ief1 = valor eficaz da corrente i
I ef 1
1 2 2 tc = I p1 dt = I p1 T0 T
tc
I ef 1 = I p1 t c f
ICef1 = valor eficaz da corrente (alternada) em um capacitor
I C1ef = I ef 1 I med1
2
I C1ef = I p1 t c f ( t c f ) 2
2 2 I Cef = I Cief 1 + I 2ef

Dobrador de Tenso (110 V) - Projeto VAC = 117V ; VACmin = 99V ; VACmax = 135V f = 60Hz ; VCmin = 100V ; = 0,7 ; Pout = 70W
a) VC1pk min = 2 99 = 140V
VC1pk min = 135V

b) Win =
VC1min =
2VC min VC1pk 3
2 200 135 = 88,33V 3

= 1,667 160F 2 2 135 88,33
Pin 100 = = 1,667J f 60 C 80F

arccos VC1min VC1pk 2f
C1 = C 2 =
Pin f (VC1pk VC1min )

2 2
c) t c =
) = arccos(88,33 135) = 2,275ms

2 60
d) I p1 =
C1 ( VC1pk VC1min ) tc
160 10 6 (135 88,33) = = 3,28A 3 2,275 10

Dobrador de Tenso (110 V) - Projeto
e)
t c f = 2,275 10 3 60 = 0,1365
I C1ef = I p1 t c f ( t c f ) 2 = 3,28 0,1365 (0,1365) 2 = 1,126A f) g) h)

I 2ef = Pin 100 = = 0,5A VC min 200
2 2 I Cef = I C1ef + I 2ef = 1,126 2 + 0,5 2 = 1,23A
VDp max = 2 2 VCA max = 2 2 135 382 V

Resultados Experimentais
Tenso e Corrente de Entrada Transitrio de Partida
100V/div e 500mA/div
100V/div e 10 A/div
100V/div e 5 A/div - com resistor de 22 em srie.

Proteo de In-rush
S R1 vAC vC i iC C iR Carga
Ip <
+
Vpk R1
= 25ms 1 = R1 C = 10100010-6 = 10ms = 31 = 3R1C
A = 5. 15.R1 .C
400V
vC
200V
0V 100A
R = 2
iC
50A
0A
0ms
10ms
20ms
30ms
40ms
50ms
60ms

Circuito de disparo para um Triac
R1
vAC
vC
NT
Captulo II - Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK

Vce + + S iL L C + is D1 RL Vout +
BUCK-BOOST
+ Vin -
V + CE + iP T NP
TR
D1 iD 1 C NS
+
R
+
Vout
FLYBACK
Vin -
iC
Funes do Transformador: - isolamento entre a fonte e a carga - acumulao de energia quando T est fechada - adaptar a tenso necessria no secundrio
Captulo II - Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK

Conversor CC-CC do Tipo Buck-Boost
Etapas de Funcionamento e Formas de Onda Bsicas para Conduo Descontnua:
1 Etapa
Vce + + Vin is S iL + L C + D1 RL Vout
T1 T2 T V CE To ( Vout )
V L
( Vin ) ( Ip ) iL
( Vin+Vout )
2 Etapa
Vce + + Vin is S iL + L C + RL Vout +
i D is
( Vin )
D1
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK

Equacionamento
a) Corrente de Pico na entrada
To V L ( Vin ) ( Ip ) iL
di VL = L dt
Vin Ip = DT L
T1 D= T Vin Ip = D f .L
T1 T V CE
T2
( Vout )
( Vin+Vout ) ( Vin )
is
Ip max
Vin = Dmax f .L
Dmax = 0,45
i D

b) Tenso de Carga
P1 = Vin .I1md = Vin .
Ip .T1 2T
2 2 2 .T1 Vout Vin = P2 = P1 = 2.L.T RL 2 2 .T1 RL .Vin RL .f = = Vin .T1. 2.L.T 2.L
Vout
Vout
Vin .D RL .f RL .f . = = Vin .D. f 2.L 2.L

c) Indutor
Pout 1 2 = .L.Ip .f Pin = PL = 2

2 2 .D max Pout 1 Vin = .L.f . 2 2 2 f .L 2 2 .D max . 1 Vin L= . 2 Pout .f

Conversor CC-CC do Tipo Flyback
Etapas de Funcionamento e Formas de Onda Bsicas para Conduo Descontnua:
V P ( Vin )
1 Etapa
V + CE + Vin iP iT T LP + VS D1 + V S T1 N Vout . N N Vin . N P S
Vout
S P
To V CE N ( Vin+Vout ) . N ( Vout ) P S ( Vin ) ( Vin )
V + CE + Vin T
2 Etapa
-
T1
To
D1 iD iS VC
iP = i T T2 Ip
+ C R L Vout
iS = i D N P IP . N S
VP +
LS
T1
To

Flyback com Mltiplas Sadas
D1 V 1
C1 S1
L1
+ Vin N P N
D2
C2 S2
L2
D3 T C3
N S3
L3

Caractersticas gerais: - baixo custo - sadas mltiplas - aceita grande variao da resistncia de carga - isolamento entre a entrada e a sada - boa regulao cruzada - dispensa indutor de filtragem - permite uso de diodos lentos na sada (cond. desc.) - resposta rpida - fcil de ser estabilizada

Equacionamento
a) Corrente de Pico no Primrio
VL Vin
di VL = L dt
V Ip = in D T L
Ip = 2 Pout Vin Dmax
-Vo T1=DT iL Ip T2
t T

Equacionamento
b) Tenso na Carga
Vin Ip
T1
I1md
1 = Ts
Ip T1 t Ip dt = T1 2 Ts
T1 Ts
P1 = Vin I1md =
Vin T12 2 L Ts
Vout 2 P1 = Po = RL
RL Vout = Vin D 2 L fs

Equacionamento
c) Clculo da Indutncia
Pout dw w 1 2 = = L Ip fs = PL = t 2 dt
d) Razo Cclica Crtica
1 Vin2 Dmax 2 L= Pout fs 2
D crit =
1 + (Vout Vin )
Vout Vin
para DCM D Dcrit

Equacionamento
e) Esforos nos Semicondutores
Dmax 1 Vce = VD = Vin + Vo = Vin + 1 Dmax

Ief T = 1 T
Ip T 1
Vin t dt = fL
D3 3
Vin 2 D2 IDmd = 2 f L Vout

Equacionamento
f) Capacitor de Sada
Io Vo
+ VC C RL Vo
+ iS VC C RL
ic = C
dVc dt
I D C = o max fs Vc
Is To T IC ef = Isef 2 Io = Is 2 o 3 Ts 2 Ts
2
Vc R SE < Is

Equacionamento
g) Transformador
Aw Ae
1,1 Pout 10 4 Ae A w = k p k w J B fs
Kp - fator de utilizao do primrio (0,5) kw - fator de utilizao da rea do enrolamento (0,4 ) J - densidade de corrente ( 250 - 400A/cm2) B - variao de fluxo eletromagntico (0,2-0,3T)

Equacionamento
g) Transformador
2 o W B 2 A e
- entreferro (metros) o - 4 10-7 Ae - rea da seco transversal do ncleo (metros2) W - energia (joule) B - variao de fluxo eletromagntico (0,2-0,3T) Np - nmero de espiras do primrio - entreferro (centmetros) B - variao de fluxo eletromagntico (Gauss=104T)
B Np = 0,4 Ip
Nsn = Np
(Vout n + VF ) (1 - Dnom )
Vin Dnom
Ns - nmero de espiras do secundrio VF - queda de tenso no diodo

Caracterstica de Sada em CCM e DCM
Conduo Descontnua
4
Vout RL D =D = Vin 2 L fs I o
Vin
3 0.7 Vout ____ 2
Conduo Contnua
0.6 1 0.4 D=0.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
Vout D = Vin 1 - D
Io

Procedimento de Projeto para o Buck-Boost em Cond. Desc.
1. Especificar: Vin, Vout, Pout, fs, Vo, .
2. Calcular a razo cclica crtica e definir a nominal.
D crit =
1 + (Vout Vin )
Vout Vin
para DCM Dnom Dcrit tempo de conduo chave =Dnom Ts
3. Calcular a indutncia.
1 Vin 2 Dmax 2 L= 2 Pout fs

Procedimento de Projeto para o Buck-Boost em Cond. Desc.
4. Calcular a corrente de pico mxima.
Vin Ip = Dnom fs L
5. Calcular a resistncia de carga.
Vout 2 Ro = Pout
6. Calcular a capacitncia.
I D C = o max fs Vc

Procedimento de Projeto para o Flyback em Cond. Desc.
1. Especificar: Vin, Vout, Pout, fs, Vo, . 2. Calcular o produto AeAw e definir o ncleo.
1,1 Pout 10 4 Ae A w = k p k w J B fs
3. Calcular a corrente de pico no primrio.
Ip =
2 Pout Vin Dmax
4. Calcular a energia acumulada no transformador.
P W = out fs

5. Calcular o entreferro.
2 o W = B 2 A e
6. Calcular o nmero de espiras do primrio e secundrio (s).
Np =
B 0,4 Ip
Nsn = Np
(Vout n + VF ) (1 - Dnom )
Vin Dnom
7. Calcular a indutncia magnetizante do primrio e secundrio.
1 Vin2 Dmax 2 L= 2 Pout fs

8. Calcular a(s) corrente(s) de pico no(s) secundrio(s).
Isn = Ip an
9. Calcular a(s) resistncia(s) de carga(s).
R on =
10. Calcular a(s) capacitncia(s).
Vout n 2 Pout n
Con =
Iout n Dnom fs Vout n
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD

V + E T iT + Vo iD L iL VC + C RL iC iR VR
BUCK
in
V ND
S + NS
D1 V F
out
+ V
NP
D2
RL
FORWARD
in -
DD
NP - enrolamento primrio NS - enrolamento secundrio ND - enrolamento de desmagnetizao

Conversor CC-CC do Tipo Buck
1 Etapa
L + E in iT D iL + C V CE (E in ) iL T1 T iL iT iD iT T2 V D (E in )
RL
2 Etapa
V + + E in T D C CE L iL + RL
V D (E in )
V C
V C
T1

a) Tenso Mdia na Carga
VL md = 0 Vout = VDmd
T1 = Vin D Vout = Vin T
b) Corrente no Indutor e Clculo da Indutncia
V (1 - D ) D iL = in fs L
iL max D = 0,5
Vin 4 fs iL max
Vin iL max = 4 fs L
L=

c) Corrente de Pico
Ip = Io +
d) Tenso no Capacitor
iL Vout Vin (1 - D ) D = + 2 RL 2 fs L
iL iC sen(2f .t ) 2
VC iL = 2 4 fs C
iL 1 cos (2 fs t ) VCA = iC .dt = 2 fs 2 C C

C= iL 2 fs Vc
VRSE = R SE iL

e) Esforos nos Semicondutores
VCE = Vin
VD = Vin
V V (1 D )D ITp = IDP = out + in 2 fs L RL

Conversor CC-CC do Tipo Buck Procedimento de Projeto p/ o Buck em Cond. Contnua:
1. Especificar: Vin, Vout, Pout, fs, Vo, iL . 2. Calcular a razo cclica nominal.
Vout Dnom = Vin

3. Calcular a indutncia.
L=
Vin 4 fs iL max

Conversor CC-CC do Tipo Buck Procedimento de Projeto p/ o Buck em Cond. Contnua:
4. Definir o capacitor.
iL C= 2 fs Vc
V RSE = iL

Conversor CC-CC do Tipo Forward
1 Etapa
V P V ND S D1 1 L iL NS D2 C RL V out
V D
(IM )
+ V in -
NP
iM T1 TD T2 T iT IM + i L
iT T DD
2 Etapa
D1 L iL + V in iT T + V CE NP ND iM DD NS D2 C RL
iT
V CE
N V in + V in. P N D (V in )

a) Tenso Mdia na Carga
VLmd = 0 Vout = VDmd
Vout = Vin
Ns T1 N = Vin s D Np T Np
b) Corrente no Indutor e Clculo da Indutncia
iL
( Vin a )(1 - D ) D =
fs L
iL max D = 0,5
Vin L= 4 fs iLmax a
V a iLmax = in 4 fs L
a=
Np Ns

c) Corrente de Pico no Secundrio e Primrio
iL ISp = Io + 2
d) Clculo da Capacitncia
IPp =
i 1 Io + L a 2
iL C= 2 fs Vc
VRSE = R SE iL

e) Transformador
Aw Ae
2 Pout 10 4 Ae A w = k p k w J B fs
Kp - fator de utilizao do primrio (0,5) kw - fator de utilizao da rea do enrolamento (0,4 ) J - densidade de corrente ( 250 - 400A/cm2) B - variao de fluxo eletromagntico (0,2-0,3T)

e) Transformador
Vin Np = 2 A e B fs
Np - nmero de espiras do primrio Ae rea efetiva da perna central do ncleo (metros) B - variao de fluxo eletromagntico (Tesla)
Nsn = Np 1,1
(Voutn + VF Dnom )
Vin Dnom
Ns - nmero de espiras do secundrio VF - queda de tenso no diodo

Conversor CC-CC do Tipo Forward Procedimento de Projeto p/ o Forward em Cond. Contnua:
1. Especificar: Vin, Vout, Pout, fs, Vo, iL, . 2. Definir a razo cclica nominal, lembrando que Dmx=0,5. 3. Calcular a(s) corrente(s) de carga, a(s) corrente(s) de pico no(s) secundrio(s) e a(s) resistncia(s) de carga.
Ion =
Po Voutn
Isp = Ion + n
Ion 2
R on =
Voutn Ioutn

Conversor CC-CC do Tipo Forward Procedimento de Projeto p/ o Forward em Cond. Contnua:
4. Calcular a(s) capacitncia(s).
iL C= 2 fs Vc
V R SE = iL
5. Calcular o produto AeAw e definir o ncleo do transformador.
2 Pout 10 4 Ae A w = k p k w J B fs

6. Calcular o nmero de espiras do primrio e secundrio(s).
Vin Np = 2 A e B fs
Nsn = Np 1,1
(Vout n + VF Dnom )
Vin Dnom
7. Calcular as relaes de transformao.
an =
Np Nsn
8. Calcular a(s) indutncia(s).
Ln =
Vin 4 fs iL max an
Conversores Half Bridge, Bridge e Push-Pull

+ Vin/2 TR1 D1 VS NS VP NP NS D2 TR2 + VCE2 D3 V1 L iL C RL
D3
Va
L i
Vout
L C RL
iT R1
Half Bridge (Meia Ponte)
+ Vin/2 -
D4
N P N S N S
Push Pull
Vin T R1 D1 T R3 D3
Vin T R1 D1 T R2 D2
D 4
D5 C
RL
Full Bridge (Ponte Completa)

T R2 D2 T R4 D6 D4
Conversor Half Bridge, Bridge e Push-Pull

VP
Conversor Half Bridge (Meia Ponte)

+ Vin/2 TR1 D1
Vin/2 TR 1 T1
1 Etapa
+ + Vin -
D3 iL
TR 2
T 2T
+ Va iT N Vin . S NP
iL iL
D3
L iL C RL
D4
Vout
2 Etapa
i TR1
VC
NP
D3
L iL C RL
D4
+ -
T1 D= T
VCE Vin
Vin/2
+ Vin/2 TR2 D2
+ D4
3 Etapa
T = perodo da tenso de entrada do filtro de sada TS = 2T = perodo de funcionamento do conversor

Conversor Half Bridge (Meia Ponte)
Vin NS Vout = D 2 NP
Pin =
E T1 Pout i . TR = 2 T
P T 1 iTR = out . . T1 Vin
VCEmx = Vin
Capacitor srie: impede a circulao de corrente contnua no trafo

N I0 . S N P V C T 0 T S 4 T S 2 S
4 NP 2 2 fs L NS
2
I0 N C P NS 2 fS VC

Conversor Full Bridge (Ponte Completa)
Vin T R1 D1 T R3 D3 D5 C L
RL
T R2
D2
T R4
D6 D4
VCEmx = Vin

Conversor Push-Pull
D3 NP NS N S Vin T R1 D1 T R2 D2
TR 1 T1 T TR 2
V1
L iL C RL
D4
T3
V 1
VCEmx = 2 Vin
(2V in ) V CE1 (V in )

Transformador
1.5 Pout 10 Ae A w = k w k p J fs B
Vin Np = 2 A e B fs
an =
Np Nsn
Nsn = Np
onde: kw=0.4 e kp=0.41
( Vout n + VF Dnom ) 1,1

Vin Dnom
para as mesmas condies, o transformador menor que o do conversor Forward.
Filtro de Sada
Ln = Vin 4 fs iL max an
Cn =
iL 2 fs Vc
R SEn =
V iL
Aspectos de Comutao
MOSFET Tempos de comutao curtos, Alta impedncia de entrada entre GS (potncia de comando baixa), Fcil de ser associado em paralelo (coef. de temperatura positivo).
D
Caractersticas em Conduo: RDSon, ID e IDM, VGS, VGS(th), VDS(on)=RDSon x ID.

G
ID + VDS -
+ VGS -
Di
Caractersticas Estticas
MOSFET
A = Regio de resistncia constante B = Regio de corrente constante
Caractersticas Estticas
MOSFET
a) b) c) d) e) f) g)
Parmetros importantes
RDson O MOSFET saturado comporta-se como uma resistncia; ID mxima corrente contnua que o componente pode conduzir; IDM mxima corrente pulsada de dreno que o MOSFET pode conduzir; VGS mxima tenso entre gate e source que pode ser aplicada (positiva ou negativa); VGS(th) a tenso de gate suficiente para iniciar a conduo ( 4,0 V); VDC(on) = RDS(on).ID tenso dreno-source com o MOSFET conduzindo; O MOSFET bloqueado caracterizado pela tenso de avalanche entre dreno e source V(BR)DS
Aspectos de Comutao
MOSFET Caractersticas Dinmicas: Ciss=Cgd+Cgs (carregado e descarregado pelo circ. gatilho), Coss=Cgd+Cds (capacitncia de sada), Crss=Cgd (capacitncia de transferncia).
Cgd G Cgs
C ds
Aspectos de Comutao
MOSFET Comutao com Carga Indutiva:
R G I
VDD
DRL
50
td(on) = 30 ns tr(on) = 50 ns td(off) = 10 ns tf = 50 ns
Perdas em um MOSFET
P = Pcond + Pcom
Pcond
Pcom
t on 2 2 2 .rds(on) .id(on) = rds(on) .id(on) .D = rds(on) .id( ef ) = T

f = .( t r + t f ).id(on ) .Vds (off ) 2
t f t on
t r t off
Perdas na Comutao
a) Conversor Flyback
Entrada em conduo
E D
+ Vout -
VL + E
VCE iC ( Ip )
L!
L!
N Vout ( P ) = E NS
+ VCE iC
Perdas na Comutao
Conversor Flyback - Bloqueio Ll = 0
E + I E I iC + VCE (0 < t < t 1 ) iC + VCE ( t1 < t < t 2 ) E E
ES1
1 = I.E .t f 2
t f = t rv + t fI
P1 = ES1 .f
P1 = 0,5.I.E.t f .f
(a)
(b)
iC = I 0 VCE < E
VCE = E I < iC 0 (E)
(I)
iC
t1 t rv tf (c) tfI
t2
Perdas na Comutao
Conversor Flyback - Bloqueio Ll 0
VL + E
L! + VCE -
Aspectos de Comutao
Snubber RCD
Comutao com carga indutiva e com Snubber.
E
1 v off (t ) = CS
t fI
iCS ( t )dt
I.t iC (t ) = S t fI
I.t Voff = fI 2CS
L! IC DS I CS CS RS
Q5
t iC ( t ) = I 1 t fI
1 2 1 2 Ll .I = CS .VCEmx 2 2
I2 .t 2 fI .f P1 = 24C
VCEmx = Ll .I CS
Aspectos de Comutao
Snubber RCD
I t Flyback (Cond. Desc.): Cs = P fi 2 Voff
Rs
t onmin 3 Cs
Rs
Vin ICsp
PR =
1 CS .E 2 .f 2
tfi tempo de decrescimento da corrente (fabricante), trv tempo de crescimento da tenso (fabricante), Voff arbitrado, tonmin tempo mnimo de conduo da chave.
Aspectos de Comutao
Snubber RCD Forward (Cond. Contnua):
ES2
1 = I.E 2
1 P2 = I.E.t r .f 2
t onmin 3 Cs
P = 0,5.VinI.f .(t r + t f )
IP (t fi + t rv ) = Cs V1n
1 2 .f P = .C.Vin 2
Rs
Rs
Vin ICsp
Perdas em um Diodo
Perdas de Conduo:
P = Pcond + Pcom
Pcond = r.i2 ef + VF .iFmd
Pcond = VF .iF .t on .f
Perdas de Comutao:
E com
1 = VRM .iRM .t b 2
Pcom = 0,5 VRM .iRM .t b .f
Perdas em um Diodo
Efeito da Recuperao Reversa do Diodo no Transistor
VCE (E) I RM
iT
t rI
ta
W = 0,5.t a .IRM .E
2.t rr ta = 3
P = 0,5.t a .IRM .E.f
t rr .IRM .E.f P= 3
Clculo Trmico
Tj RjC
Tj temperatura da juno (C) TC temperatura do encapsulamento (C) TD temperatura do dissipador (C) Rjc resistncia trmica juno-cpsula (C/W) RCD resistncia trmica de contato entre o componente e o dissipador (C/W) = 0,2 C/W. RDa resistncia trmica dissipador ambiente Ta temperatura ambiente (C)
TC RCD
TD RDa
Ta
Tj Ta = P.(R jc + Rcd + R da )
RDa =
Tj Ta P
R jc RCD
Circuitos de Comando de MOSFETs

Princpio Bsico
D S1 Rg G
Ig + VC S2 S C iss
Ciss = 700 pF VC = 15 V t = 40 ns
V Ig = Ciss . t
Ig = 700 x10 .15 = 0,26 A 9 40 x10
12
t f = t r = 2,2R g .Ciss
40 x10 9 tf = Rg = 2,2.Ciss 2,2.700 x10 12
R g 25

Circuitos de Comando no-isolado
+VC
+VC
D
T1 Rg D G
R1 T2 Rg Tp T1 T3 R2
T2 R2
R3
D = 1N914 T2 = MPS 2907
R2 = 4,8 k R3 = 10 k
Rg = 50

Circuito de Comando Isolado
+VC R1=100 D2 G D
D1 V P V S
TR
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas

A questo do isolamento
T1 Rede RETIFICADOR E FILTRO DE ENTRADA RETIFICADORES CONVERSOR E FILTRO DE SADA VSADA
T2 T3 FONTE AUXILIAR CIRCUITOS DE COMANDO
Massa de alta tenso (chaves) e massa de baixa tenso (sada, comando, fonte auxiliar). Isolamento: T1 (transformado principal), T2 (transformador p/ comando), T3 (transformador da fonte auxiliar).

A questo do isolamento
T1 Rede RETIFICADOR E FILTRO DE ENTRADA RETIFICADOR CONVERSOR E FILTRO DE SADA VSADA
FONTE AUXILIAR
CIRCUITOS DE COMANDO
ISOLAMENTO TICO
CIRCUITO DE CONTROLE
Massa de alta tenso (chaves, comando, fonte auxiliar) e massa de baixa tenso (sada, controle). Isolamento: T1 (transformado principal) e isolador tico.

Fonte Auxiliar
Carga
+ Rede
Fonte Convencional com Isolamento

Fonte Auxiliar
Rede C1
R1 T1 Z D1 D2 D3 Carga + C2 Circuito de Comando NS C3
Conversor Flyback com Fonte Auxiliar sem Isolamento

Circuitos Integrados PWM Dedicados
VRef
S1 + Verro
A
VReal VT
Comparador + Q VC S2
F/F
OSC. Q
Conversores CC-CC: UC3524

VT Verro
VC
S1
S2
T1 T

TP R5 + V in C1 R3 15 16 R1 R4 1 2 9 + A1 COMP 4 5 RSh 10 14 7 6 CT RT 8 OSC UC3524 3 + A2 FF S2 13 + 11 12 S1 R6 DRC L C RL
R2

Controlador de tenso
Z2
Vin
Z1
2 + A1 9 Vout
VRef
Vout
Z2 = .(V inVREF ) Z1

Soft-Start (Partida Progressiva) se energiza a fonte chaveada a razo cclica deve progredir lentamente, evitando a destruio do interruptor, saturao do transformador e overshoot de sada.
Z2 Z1
Quando
Vout
A1 + 9
V9
VRef +V
COMP +
D2
R1
OSC.
+ C -
D1

Circuitos para Limitao de Corrente na carga: desativar a fonte e reativar aps o desligamento e religamento do equipamento.
+10V +5V 9 UC3524 TR1
Curto-circuito
R4 T2 R6
10
R5
TP Th R2 IE
C1
R3
R1

Utilizao de Isolador tico
V2 +12V
V9 = V2 R2 .I 2
Rg 13
I2 V1 R1 I1 4N26
R2 V9 16 9 15
UC3524
14 1 2 4 5 8 6 7
V1 1 I1 = R1
I 2 = I 1
470 k
4V
0,6 V
R2 .(V1 1) V9 = V2 R2 .I 1 = V2 R1 R2 R2 .V1 + . V9 = V2 R1 R1
V9 R2 = . G= V1 R1
Se R2 = R1
G=


+VCC D1 R1 NP C1 R2 RL Vout
R4 R5 C3 R3 R6 A + VRef -
C2
Z1

Proteo contra Sobretenso na Sada
Sobretenso: a fonte colocada em curto e o circuito de proteo contra sobrecorrente acionado e desativa a fonte.
+ VZ R C + VGK -
SCR
C A R G A
+ Vout -
Isolao da tenso de sada quando o comando do transistor no isolado: Isolador tico (aps o controlador de tenso) ou sensor hall de tenso.
Resposta Transitria e Estabilidade

Estrutura Simplificada de uma Fonte Chaveada
L IL Vin .D = V1 C VC Vout S2 R1 R2
Supe-se que L seja suficientemente grande para que no ocorra variao significativa em IL, quando do fechamento de S2
VC Vout S2 IL C IC R1 R2

R1.R 2 R= R1 + R 2
Antes do transitrio Aps o transitrio Transitrio
VC0 = R1.IL
VC = IL R1e t / RC + R 1 e t / RC
VCf = R.IL
)]

Corrente no Capacitor durante o transitrio
VC0 t / RC iC = .e R2
R1 iC = .IL .e t / RC R2
Sem RSE

Com RSE
S2 R1 RSE R2
C I
Vout = VC + VRSE
VRSE R1 = RSE.iC = RSE. .IL .e t / RC R2
Vout = IL R + (R1 R ).e
t / RC
R1 RSE. .IL .e t / RC R2

I2 C RSE S2 R1 R2
H(s)
+VREF
1 A amplitude do desvio de tenso depende somente da RSE do capacitor. 2 A natureza da resposta (tipo de amortecimento e tempo de recuperao) dependem somente do tipo de controlador empregado.

Equao Caracterstica e funo de transferncia
I(s) + (s) O(s) G(s)
H(s)
O ( s ) = G ( s ). ( s )
O( s) G ( s) = = F ( s) I ( s ) 1 + G ( s ).H ( s )

Critrios de Estabilidade
I(s) + (s) O(s) G(s)
H(s)
1 + G ( s ).H ( s ) = 0
Instabilidade
G ( s ).H ( s ) = 1
(G( ).H( ))dB = 20.log[G( ).H( ) ] = 0

= 180o

Margem de fase entre 45o e 90o

Margem de fase entre 45o e 90o

Para erro esttico pequeno - Ganhos elevados em baixa freqncia Plo na origem Freqncia de cruzamento por zero o mais alta possvel
fs fc 4

Representao fonte tipo Forward
V in VST C NS NP RL V2 L Vout
( VS )
NS .D V2 md = VST .D = Vin NP T1 VC D= = T VS
VC
V2 md
T1 T
N S VC . = Vin . N P VS
V2 md Vin N S . = VC VS N P

Vout ( s) 1 = 2 V2 md ( s) s LC + 1
Vout ( s) 1 = V2 md ( s) jw 2 +1 w 0
Vout ( s ) 1 = V2 md ( s ) s 2 w 2 + 1 0
G ( w) dB = 20 log 1 + ( w / w0 ) 4

Com RSE:
Vout ( s ) V2 md ( s ) Vout ( s ) = . V2 md ( s ) VC ( s ) VC ( s )
Vout ( s) Vin N S 1 = . . 2 2 VC ( s) VS N P ( s / w0 + 1)
Vout ( s) (1 + s.C.RSE ) = 2 V2 md ( s) (1 + s 2 / w0 )
(1 + s / wZ ) Vout ( s ) = 2 V2 md ( s ) (1 + s 2 / w0 )
Vout ( s ) Vin N S (1 + s / wZ ) = . . 2 VC ( s ) VS N P (1 + s 2 / w0 )

dB 2 plos
-40 dB/dec 0
zero -20 dB/dec
fp
fz

Representao fonte tipo Flyback
V in Vout I2 C
P1md = Vin .I 1md = Vin .
I p .T1 2T
I1
I2md
2 P2 md = R2 .I 2 md
R2
P1md
2 .T12 Vin = 2 L.T
P2 md = P1md
2 2 Vin Vin T12 T12 = .T 2 = . 2 2 L.R2 T 2 L.R2 . f T
2 R2 I md
2 .T12 Vin = 2 L.T
2 2 md
I 2 md =
Vin 2 L.R2 . f
.D

Vout
I 2 md
Vin
dVout Vout =C + dt R2
IC I2md C
IR R2
dVout Vout + .D = dt R2 .C C 2 L.R2 . f
VC D= VS
A=
Vin 2 L. f .R2 .C
dVout Vout VC + = A. dt R2 C VS
A.R2 C .VC ( s) Vout ( s)[s.R2 C + 1] = VS
Vout ( s) A .VC ( s) = S .Vout ( s) + R2 C VS

Vout
A.R2 C .VC ( s) Vout ( s)[s.R2 C + 1] = VS
IC I2md C
IR R2
Vout ( s) A.R2 C 1 = . (1 + s.R2 C ) VC ( s ) VS

G (s) = 1 . 2 L.R2 . f .C (1 + s.R2 C ) Vin .R2 C
G( s) =
1 . 2 L. f (1 + s.R2 C ) R2
Vin
Sistema de 1a ordem Ganho depende da Resistncia de carga

Representao fonte tipo Flyback Com RSE:
G(s) =
(1 + s.RSE.C ) . 2 L. f (1 + s.R2 C ) R2 Vin

plo
G (jw)dB
-20 dB/dec
0 dB zero
fp
fz

Circuitos de Compensao Compensador de 1 plo
Rf Cf Ri V0 Vref Rref + A VC
-20 -90 dB
VC Z f = V0 Zi
+20 -20 dB/dec 0
+90
Z i = Ri
Zf =
R f / C f .s R f + 1 / C f .s
-40 0,1fp
fp
10fp
100fp
Rf Rf VC ( s ) 1 = = . V0 ( s ) C f .s ( R f + 1 / C f .s ) Ri Ri (1 + s.C f .R f )
Rref =
Ri . R f Ri + R f

Circuitos de Compensao Compensador de 2 plos
Ci Rfz Cf
60 (dB) 80
R ip V0 Vref
Riz + R ref A
40
VC
20 fz1 = fz2 0
fp2
1 Z f = R fz + s.C f
-20 f1 10 100
1 Riz / s.C i Riz 1 = + Rip . Z i = Rip + 1 1 s.C i ( Riz + ) Riz + s.C i s.C i
1k
10k
f2
100k
VC (s) (1 + Riz .Ci.s)(1 + Cf .R fz .s) = V0 (s) Rip .Riz Cf .s.(Rip + Riz ).1 + Cis. Riz + Rip
fz1 = fz2
C f .R fz = Ci .Riz

Mtodo prtico p/ clculo do compensador para conversor Forward
1o) Traar o diagrama G(s) em dB. 2o) Escolher a topologia do controlador. Recomenda-se o controlador de 2 plos estudado neste captulo. 3o) Definir a freqncia fc, na qual a curva da funo G(s).H(s) passa por 0 f dB. Recomenda-se f c s sendo fs a freqncia de chaveamento . 4 4o) Determinar o ganho de H(s) para f = fc. 5o) Situar os dois zeros de H(s) na freqncia f0 do filtro. 6o) Situar o 1o plo de H(s) na origem (0 Hz). Assim fp1 = 0 Hz. 7o) Situar o 2o plo de H(s), destinado a compensar o zero da RSE, numa freqncia igual a 5 vezes a freqncia de ressonncia do filtro. 8o) Calcular H1 e H2 empregando o procedimento descrito a seguir 9o) Calcular os valores dos resistores e capacitores do circuito de compensao

Mtodo prtico p/ clculo do compensador para conversor Forward
dB 30 G(s) H2
-40 dB/dec -20 dB/dec
-1 +1
20
(H 2 )
10
+20 dB/dec
0 A -10
-1
-20
-30
f p1 0,1 fc f0 fc
f p2 10 f 0
H 2 = A + 20 log
f p2 fc
= 20 log A2
fc = 20 log A1 H 1 = A 20 log f0

Exemplo de Projeto Conversor Forward
Vout = 12 V I = 2 A a 20 A RSE = 25 m a) Diagrama de G(s) Pout = 240 W
N S = 1,0 NP
fs = 40 kHz T = 25 s D = 0,2 a 0,4 VS = 5,0 V
Vin = 60 V L = 60 H
R1 = 6 a 0,6 C = 4000 F
Vout Vin = =G VC VS
G=
60 = 12 = 21,6dB 5
f0 =
1 2. . L.C
= 325Hz
1 = 1590Hz fz = 2. .RSE.C

Ganho (dB)
0
20 0
(H2 )
10 20
fs fc = = 10kHz 4
Para f = 10 kHz, o ganho de G(s) de 21 dB fz1 = fz2 = f0 = 325 Hz fp1 = 0 Hz fp2 = 5.f0 = 1625 Hz H2 = 21,5 dB H2 = 20log A2
1 10 5
21,5 dB
-40 dB/dec 0 40
HdB_ ( f )
-10 60
21,5 dB
-20 dB/dec -20 80

90
100 325
1 1
10
100
1k f p2 3 1 10 1590 f
f c = 10k 4
1 10
f z1 = f z2 = f0
f (Hz) 6 1 10 6 1 .10
log A 2 =
H2 = 1,075 20
A2 = 11,9 7 ,6 20
H 1 = H 2 20 log
f p2 f0
H1 = 21,5 13,8 = 7,68 dB = 20log A1
log A1 =
A1 = 2,4

Ganho (dB)
0
20 0
(H2 )
A2 =
10 20 21,5 dB -40 dB/dec 0 40
HdB_ ( f )
R fz Rip
= 2,4
f z1 = f z 2
21,5 dB
1 = 2. .C i .Riz
= 326 Hz
-10 60
-20 dB/dec -20 80

90
100 325
1 = 326 Hz 2. .C f .R fz
1 10 5
1 1
10
100
1k f p2 3 1 10 1590 f
f c = 10k 4
1 10
f z1 = f z2 = f0
f (Hz) 6 1 10 6 1 .10
f p2 =
1 Rip .R fz 2. .Ci . R +R ip fz
= 1600 Hz
Riz = 47 k
Ci =
1 2. .Riz . f z1
C i = 0,01F

Ganho (dB)
0
20 0
(H2 )
R fz Rip
R fz
= 11,9
10 20
21,5 dB
-40 dB/dec 0 40
HdB_ ( f )
Rip + Riz
21,5 dB
= 2,4
-10 60
-20 dB/dec -20 80

90
100 325
Rip = 11,87 k
f c = 10k 4
1 1
10
100
1k f p2 3 1 10 1590 f
1 10
1 10
f z1 = f z2 = f0
f (Hz) 6 1 10 6 1 .10
Ci.Riz = Cf .Rfz
C i .Riz Cf = R fz
C f = 3,33nF
Interferncia Radioeltrica (RFI) nas Fontes Chaveadas

Interferncias por radiofreqncia podem ser transmitidas por radiao direta ou por conduo atravs dos terminais de entrada. Interferncias que a fonte produz nos terminais de entrada se propagam para outros equipamentos, podendo provocar rudos e mau funcionamento. MEDIO DA INTERFERNCIA CONDUZIDA.
L1
Rede AC
Fonte L2 Chaveada
L1 = L2 = 500 H C1 = C2 = 0,1 F R1 = R2 = 150
C1
C2
R1
R2
Faixa de medio 150 kHz a 30 MHz
LISN Line Impedance Stabilization Network

Causas da Interferncia Comutao do transistor
+ Rede E + VC Terra VC T/2 (E ) 2
E 1 2 Vn = . 2 sen n .sen(n.f . . ) 2 2 n .f . . 2
1 f = T
( -E/2 )

Se:
dB 150 dB -20 dB/dec
f = 50 kHz = 500 ns E = 150 V n = 1 a 1000 n=3 f3 = 150 kHz V3 = 31,537 V

V3dB = 20 log V3 31,537 V = 20 log 1V 1V
-40 dB/dec
0 1 10 13 100 1000
Amplitudes das tenses parasitas dependem: Da tenso E Da freqncia de comutao da fonte Dos tempos de comutao
V3dB = 150,57dB / V

Propagao das tenses parasitas:
Isolante
Espessura (mm)
C calculado (pF)
C medido (pF)
Mica Plstico Cermica
0,1 0,2 2,0
155 93 20
160 96 23
3,5 4,2 9,0
rea C = 0 . R . Espessura
0 = 8,855 pF / m

Correntes parasitas simtricas tenses de modo comum
R T

Correntes parasitas assimtricas tenses de modo diferencial
R T

Exemplo C = 150 pF f3 = 150 kHz (freqncia de harmnica) V3 = 31,537 V
1 1012 = XC = 2. . fC 2. .150 x10 3.150
1012 10 3 = = 7073 XC = 3 6 2 2. .10 .0,15.0,15 x10 2. .0,15
V 31,537 = 4,46mA i3 = 3 = 7073 XC
V3 =
150 R .i3 = .4,46mA = 334,5mV 2 2
V3dB
334,5mV = 20 log 170,5dB 1V

Medidas para reduo de rdio interferncia a) Reduo da capacitncia de acoplamento entre o encapsulamento e o dissipador b) Isolamento do dissipador em relao massa Dissipador afastado de uma distncia x em relao massa
Cx = 80 pF Cx = 4 pF
para para
x = 1 mm x = 2 cm
C = 150 pF Capacitncia entre dissipador e interruptor

Assim:
Assim, para x = 2 cm
CTC
C.C x = C + Cx
CTC
150.4 = 3,9 pF 150 + 4

Medidas para reduo de rdio interferncia b) Isolamento do dissipador em relao massa
i3 = 2. .f .CTC .V3
i3 = 2. .150 x103.3,9 x10 12.31,537 = 115,92 A
150 V3 = .115,92 A = 8694 V 2
V3dB = 78,78dB
c) Placa condutora entre o interruptor e o dissipador

F N
C1
C2 Dissipador
Placa

Medidas para reduo de rdio interferncia d) Emprego do filtro de rede d.1) para correntes simtricas
L2 a F CX N L3 b
R T
Cx baixa impedncia para as correntes simtricas

Medidas para reduo de rdio interferncia d) Emprego do filtro de rede d.1) para correntes simtricas
L2 c a R CX R d L3 b
Z cd
j 2 RX C j 2 R / C X = = j 2 R jX C 2R C X
Z cd
2R = 1 + j 2 R X C

Medidas para reduo de rdio interferncia d) Emprego do filtro de rede d.1) para correntes assimtricas
F L1 C
N R T R Cy 1 Cy

Medidas para reduo de rdio interferncia d) Emprego do filtro de rede
L2 F Cy
5mH 4,7nF
0,1 5mH
CX Cy
4,7nF
N L3

Influncia da capacitncia entre enrolamentos
F
Primrio
CT
Secundrio
Grades condutoras

Exemplo de clculo do filtro de rede
VCA = 220 V (tenso da rede). f P = 60 Hz (freqncia de rede). = 150 W (potncia de entrada da fonte). entrada). fs C = 50 kHz (freqncia de chaveamento). = 500 ns (tempo de subida da tenso de coletor do transistor). = 50 pF (capacitncia entre o transistor e a carcaa). artificial, para 150 kHz).
E = 300 V (tenso mo estgio de corrente contnua, aps o retificador de
VRdB= 54 dB/V (nvel da tenso mxima permitida nos resistores da rede

1) Primeiro passo
f3 =150 kHz
filtro de rede.
V3 = 15,8 dB
2) Segundo passo verificao do nivel de interferncia de modo comum sem o
X C3
V3 15,8V 1 1 = = 0,752mA = = 21k iC3 = 12 3 W3 C 2. .150 x10 .50 x10 X C3 21k
Queda de tenso nos resistores da rede artificial.
VR 3
R = iC3 = 75.0,752..mA = 56,4mV 2
VR3dB
V3 56,4mV = 20 log = 20 log 1V 1V
VR3dB = 20 log 4,75 = 95dB / V
V3dB = 95 54 = 41 dB/V

3) Terceiro passo escolha dos capacitores Cy, de modo comum
Cy = 5 nF
4) Quarto passo escolha do indutor Lo para filtrar correntes de modo comum
L 2 = 4,28 mH F L1 Cx = 0,1F/250V L1 = 6,25 mH N RD= 4,5M 1/8W T L 3 = 4,28 mH Cy Cy = 5nF/250V
X C3 = 21k
X Cy =
1 1 = = 106 9 3 W3 .2.C y 2. .150 x10 .2.5 x10

4) Quarto passo escolha do indutor Lo para filtrar correntes de modo comum
Para V0dB = 54 db/V, obtm-se
V 54 = 20 log 0 1V
V0 = 500 V
i0 =
V0 500V = = 0,0067mA 75 R0
Como i0 << , a tenso V0b dada por
Vob = XCy .iC3 = 106.0,752 = 0,08V

5) Quinto passo Escolha de Cx
F L1 Cx = 0,1F/250V L1 = 6,25 mH N RD= 4,5M 1/8W T L 3 = 4,28 mH Cy Cy = 5nF/250V L 2 = 4,28 mH
P 150 = 0,68 A i= = V 220

CX = iC X 2. . f .V =
ICx= 0,001.i = 0,0068A CX = 0,1 F
0,0068 = 0,084F 2. .60.220

6) Sexto passo Escolha de L2 e L3 L
F L1 Cx = 0,1F/250V L1 = 6,25 mH N RD= 4,5M 1/8W T L 3 = 4,28 mH Cy Cy = 5nF/250V 2 = 4,28 mH
VL = 0,01% (L2 + L3).i = VL
V = 220V
VL = 2,2 V
VL 2,2 = = 8,58mH L2 + L3 = 0 .i 2. .60.0,68
L2 + L3 = 4,28mH L2 = L3 = 2

7) Stimo passo Escolha do resistor de descarga
t RD = 2,21.C X
t=1s
10 6 4,5M RD = 2,21.0,1

Ensaios de Interferncia conduzida numa fonte para telecomunicaes
ACTV DET: PEAK MEAS DET: PEAK QP AVG MKR 15.1 0 MHz V 36. 0 7 dB LOG 10 dB/ ATN 10dB PASS LIMIT REF 85. 0 dB V
WA SB SC FC CORR A
START 15 0 kHz #IF BW 9.
0 kHz
AVG BW 3
0 kHz
STOP 3 0 . 0 0 MHz SWP 1.4 0 sec

ACTV DET: PEAK MEAS DET: PEAK QP AVG MKR 15.1 0 MHz V 29.98 dB
LOG 10 dB/ ATN 10dB
REF 85.
0 dB
V PASS LIMIT
WA SB SC FC CORR A
START 15 0 kHz #IF BW 9.
0 kHz
AVG BW 3
0 kHz
STOP 3 0 . 0 0 MHz SWP 1.4 0 sec


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Universidade Federal de Santa Catarina Departamento de Engenharia Eltrica Instituto de Eletrnica de Potncia

Projeto de Fontes Chaveadas

Prof. Alexandre Ferrari de Souza, Dr.

Introduo a Fontes Chaveadas

Fonte de Alimentao: - Linear - Chaveada

Introduo a Fontes Chaveadas

Introduo a Fontes Chaveadas

do desenvolvimento: dcada de 60 em programas

Introduo a Fontes Chaveadas

- Elevada densidade de potncia: menor volume e peso; - Grande capacidade de regulao;

- Interferncia radioeltrica e eletromagntica;

" - Componentes mais sofisticados. "

Introduo a Fontes Chaveadas

Avano dos semicondutores:

Introduo a Fontes Chaveadas

- Retificador Filtro de Rdio Freqncia - Filtro - Protees

Interruptor IGBT/ MOSFET

- Comando - Proteo - Fonte Auxiliar

Introduo a Fontes Chaveadas

Introduo a Fontes Chaveadas

Introduo a Fontes Chaveadas

Introduo a Fontes Chaveadas

Introduo a Fontes Chaveadas

TDH = 148% o Desl. = 1,48 FP = 0,553

Introduo a Fontes Chaveadas

Introduo a Fontes Chaveadas

retificador Vs CONVERSOR carga

Captulo I Estgio Retificador com Filtro de Entrada

Operao em 220 V e 110 V (dobrador de tenso) 220 V

Win 1 2 2 = C Vpk VC min 2 2

Captulo I Estgio Retificador com Filtro de Entrada

VC min = Vpk cos( 2f t c )

arccos VC min Vpk 2f

C.V C(V pk VC min ) = Ip = tc tc

Captulo I Estgio Retificador com Filtro de Entrada

Pin 2 2 C ( Vpk VC min ) = f

Pin f ( Vpk 2 VC min 2 )

I C1ef = I p 2tc f (2tc f ) 2

Captulo I Estgio Retificador com Filtro de Entrada

Captulo I Estgio Retificador com Filtro de Entrada

Pin I Dmed = 2 VC min

Captulo I Estgio Retificador com Filtro de Entrada

Pout 70 = = 100W a) Pin = 0,7

Pin f ( Vpk VC min

100 60 (135 100 )

Vpk = 2 VAC min = 2 99 = 140V

Captulo I Estgio Retificador com Filtro de Entrada

arc cos VC min Vpk arc cos (100 135) = = 1,954ms tc = 2 f 2 60

I C1ef = I p 2tc f (2tc f ) 2 = 3,64 0,2345 0,23452 = 1,54 A

Pin 100 = 1A VC min 100

tc 1,954 10 3 = 3,64 = 1,25A 3 T 16,666 10

Captulo I Estgio Retificador com Filtro de Entrada

Pin 100 = = 0,5A 2 VC min 2 100

VD max = Vpk max = 2 VAC max = 2 135 191V

Captulo I Estgio Retificador com Filtro de Entrada

Vpk 140V VCmin 102V tc = 2,1ms Ipico 8,0A

Captulo I Estgio Retificador com Filtro de Entrada

Captulo I Estgio Retificador com Filtro de Entrada

VCmin, Vpk, tc, Q e Imed possuem praticamente os mesmos valores;

Captulo I Estgio Retificador com Filtro de Entrada

VC min = Vpk sen (1 )

VC min 1 = + sen Vpk

Captulo I Estgio Retificador com Filtro de Entrada

Captulo I Estgio Retificador com Filtro de Entrada