Circuitos e Eletronica 2006-07 Completo Portugal

Notas de apoio s aulas de Introduo Electrnica, licenciatura em Fsica e Qumica, 3 ano, 1 semestre, UALG 2006-2007
Introduo Electrnica
Universidade do Algarve
Faculdade de Cincias e Tecnologia
Departamento de Fsica
Notas de apoio s aulas tericas de
Introduo Electrnica
(http://w3.ualg.pt/~jlongras/ie.html)
Curso de Fsica e Qumica

3 ano, 1 semestre
Jos Figueiredo
(gab. C2-3.11, jlongras@ualg.pt)
18-Sep-06
Jos Figueiredo 1
Introduo Electrnica
Electrnica:
cincia e tecnologia que estuda os aspectos fsicos fundamentais da emisso electrnica, dinmica electrnica e fenmenos correlacionados,
bem como bem como as suas aplicaes; que estuda o comportamento dos electres sob a aco de campos elctricos, ou campos
magnticos, ou de campos electromagnticos; que tm por objecto o desenvolvimento, o comportamento e as aplicaes de dispositivos e
circuitos electrnicos.
Fotnica:
cincia e tecnologia da gerao e controlo de luz e outras formas de energia radiante cuja unidade quntica o foto. Inclui a emisso,
transmisso, deflexo, amplificao e deteco de luz por componentes e instrumentos, lasers e outras fontes de luz, fibras pticas,
instrumentao electro-ptica, equipamento e electrnica relacionados, e outros sistemas sofisticados. As aplicaes estendem-se a gerao e
deteco de energia, comunicaes e processamento de informao.
Bioelectrnica:
parte da electrnica que trata da interaco dos electres e sinais elctricos com a matria orgnica. Inclui a gerao, modificao, deteco
de sinais elctricos por todas as formas de vida e materiais orgnicos. A bioelectrnica tem aplicaes nos campos da medicina, gentica,
biologia, agricultura, etc.
Biofotnica:
parte da fotnica que trata das interaces da luz e de outras formas de radiao, cuja entidade elementar o foto, com matria orgnica.
Inclui a emisso, deteco, absoro, deflexo, refraco, seleco, modificao e criao de radiao por todas as formas de vida e materiais
orgnicos. A biofotnica tem muitas aplicaes nos campos da medicina, gentica, biologia, agricultura, e cincia ambiental.
Nanoelectrnica:
Nota prvia
Este conjunto de textos poder (e tem com certeza) erros involuntrios. Agradece-se a comunicao dos mesmos, bem como o envio de
comentrios para jlongras@ualg.pt. Estas notas no dispensam (e alis aconselham) a consulta de outras fontes, nomeadamente, as citadas na
bibliografia. O docente sugere que estas notas sejam usadas para acompanhar as aulas tericas e prticas.
Bom trabalho!
Setembro de 2006
18-Sep-06
Jos Figueiredo 2
Programa resumido da disciplina

Introduo
Circuitos de Corrente Contnua e de Corrente Alternada
Amplificador Operacional e Aplicaes
Dodos e Aplicaes
Transstores e Aplicaes
Elementos de Electrnica Digital
18-Sep-06
Trabalhos de Laboratrio previstos

(ver Guias de Apoio Componente Laboratorial da
Disciplina Introduo Electrnica)
Circuitos de Corrente Contnua: Medio de Grandezas Elctricas
Circuitos de Corrente Alternada: Circuitos RC e RLC, Filtros
Amplificador Operacional: montagens inversora e no-inversora
Amplificador Operacional: Circuitos Operativos
Caracterstica Corrente-tenso do Dodo
Circuitos de Rectificao e de Deteco de Pico
Traado das Curvas Caractersticas de um Transstor Bipolar
Circuito Amplificador com um Transstor Bipolar
Circuito Inversor usando um Transstor Bipolar

Jos Figueiredo 3
Bibliografia
Electronics Fundamentals: Circuits, Devices, and Applications, T. L. Floyd.
Electric Circuits, J. W. Nilsson, S. A. Riedel, Prentice-Hall International, Inc., 2000 (Biblioteca 621.3 NIL*Ele).
Microelectronics Circuits, A. S. Sedra & K. C. Smith, Saunders College Publishing, capitulos 1-4.
Modern Electronic Instrumentation and Measurement Technics, A. Helftiick e W. Cooper, Prentice-Hall, 1990.
The Art of Electronics, P. Horowitz e W. Hill, Cambridge University Press, 1990.
Electrnica Analgica, Antnio J. G. Padilla, Editora McGraw-Hill de Portugal, 1993.
Instrumentos de Medio Elctrica, R. P. Torreira, Biblioteca cota 621.317 Tor*Ins
Anlise de Circuitos em Engenharia, W. H. Hayt et al, Biblioteca cota 621.3 Hay*Ana
Electricidade Bsica, M. Gussow, Biblioteca cota 621.3 Gus*Ele
Recomenda-se a reviso dos conceitos associados electricidade, electrotecnia e corrente elctrica tratados nos ensinos
bsico e secundrio, assim como nos 1 e 2 anos da licenciatura.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 4
ndice da Notas
18-Sep-06
Introduo
Corrente Contnua
18
Corrente Alternada
43
Amplificador Operacional e Aplicaes
59
Dodos e Aplicaes
75
97
Circuitos no lineares
125
Introduo Electrnica Digital
133
Frequncias e exames dos anos anteriores
150
Bibliografia
182
Jos Figueiredo 5
Introduo
O objectivo da disciplina de Introduo Electrnica familiarizar os alunos com os princpios bsicos da Electrnica, porventura a
tecnologia mais marcante da sociedade em que vivemos, atravs da medio e caracterizao de grandezas elctricas fundamentais,
da anlise de circuitos elctricos/electrnicos simples, do estudo dos princpios de funcionamento de dispositivos como dodo,
transstores, etc., e do desenvolvimento de montagens incorporando estes componentes quer na forma discreta e quer na verso
integrada.
CIRCUITOS
DISPOSITIVOS
APLICAES
PRINCPIO DE OPERAO
18-Sep-06
Jos Figueiredo 6
as origens e o futuro
Alguns dos pioneiros da Electrnica

Tales de Mileto (Sc. V a.C), William Gilbert Ohm (1544-1603), Otto von Guericke (1602-1686), Stephan Gray (16661736), Dufy (1698-1739), Benjamin Franklin (1706-1790), Nollet (), Coulomb (1736-1806), Luigi Galvani (1737-1798),
Alessandro Volta (1745-1827), Oersted (1777-1851), Ampre (1775-1836), Ohm (1789-1854), Faraday (1791-1867),
Desenvolvimentos/descobertas que levaram tecnologia electrnica actual
Estudos de corrente elctrica em tubos de vcuo (Heinrich Geissler, William Crookes, Edison, )
Descoberta do Electro (sir Joseph Thompson, 1856-1940)
Inveno da vlvula amplificadora (John A. Fleming, Lee de Forest)
Rdio (1920) (usando detectores de cristal), televiso (1927), computadores (1939),
Osciladores de microondas: Magnetro (1939), Clistro
Primeiro programa de computador (John Von Neumann, 1946)
Electrnica do Estado Slido
1947: inveno do transstor; placas de circuito impresso
1951: fabricao comercial do transstor
1958: primeiro circuito integrado (primeiro chip); corrida miniaturizao
1965: primeiro amp-op (mA709)
1971: primeiro microprocessador (chip 4004, Intel)
1975: primeiro computador pessoal; primeira calculadora de bolso;
1982: Disco Compacto
Anos 90: Internet 130 web sites em 1993, milhes em 2000 !!!
Vocbulos
como Bioelectrnica, Nanoelectrnica, Fotnica, circuitos integrados optoelectrnicos, fotnicos,

biofotnica, etc., so cada vez mais comuns na linguagem corrente.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 7
Materiais comuns em electrnica
Condutores (prata, cobre, alumnio, ouro, )

Semicondutores (silcio, germnio, arsenieto de glio, )
Isoladores (madeira, slica, plstico, )
Caractersticas importantes: estrutura atmica, estrutura cristalina, nmero de electres livres, bandas de
energia, condutividade elctrica, condutividade trmica, emisso e deteco de luz, etc.
Alguns componentes bsicos de um circuitos elctricos/electrnicos
Resistncias (R)
Condensadores (C)
Indutncias
(L)
Fusveis
18-Sep-06
Dodos
(D)
Transstores
(T)
Amplificadores
Operacionais
(AmpOps)
Fusveis
Jos Figueiredo 8
Circuito Elctrico
Um circuito elctrico um conjunto de condutores (incluindo resistncias, condensadores, bobines, geradores,
receptores, etc.) onde h pelo menos um percurso fechado para fluxo de carga.
Circuito Simples
Esquema do Circuito
Sentido real da corrente

(fluxo de electres)
Placa de circuito impresso
Esquema do circuito
220 V ac
18-Sep-06
Jos Figueiredo 9
Alguns smbolos elctricos correntemente usados*
Terra/comum/massa
V +Fonte de tenso
independente
I
Fonte de corrente
independente
V=nX
Fonte de tenso dependente

controlada por X (tenso/corrente)
I=mY
Fonte de corrente dependente
controlada por Y (tenso/corrente)
*Ver recomendaes da Comisso Electrotcnica Internacional (CEI) e as normas portuguesas.

18-Sep-06
Jos Figueiredo 10
Fontes e geradores funes/sinais

Fonte cc (dc)
Gerador de sinais/funes
Placa de teste
18-Sep-06
Jos Figueiredo 11
Instrumentos de medida fundamentais em Electrnica
multmetros
osciloscpio
Usado para medir resistncias,

tenso e intensidade de corrente
Usado para observar formas de onda, medir

directamente tenses (V) e tempos (t)
*Ver http//www.drdaq.com.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 12
Medio de Tenses
Medio de Correntes
Medio de Resistncias
Ver guias de apoio s aulas prticas

18-Sep-06
Jos Figueiredo 13
Convenes
A utilizao de caracteres na representao de grandezas, constantes, parmetros, coeficientes e unidades elctricas e magnticas rege-se pelas
seguintes convenes:
caracteres maisculos em itlico para grandezas escalares constantes no tempo, mas tambm para o valor mdio ou a amplitude das
grandezas variveis no tempo. Por exemplo, U, V, Q, I, Imsin(t).
caracteres minsculos em itlico para valores instantneos das grandezas escalares. Por exemplo, i(t), v(t). No entanto, e com o intuito de
simplificar a representao das equaes, por vezes representa-se apenas i e v em vez de i(t) e v(t).
r
E
caracteres rmaisculos em estilo romano para grandezas vectoriais, como, por exemplo, o vector campo elctrico
, e o vector fora
elctrica, F . As grandezas e as funes complexas, como a impedncia, os fasores da tenso e da corrente, a funo resposta em frequncia
e a funo de transferncia, tambm se representam em estilo romano (Z, V, I, ). No entanto, o mdulo e a fase das grandezas complexas,
como, por exemplo, da impedncia e da resposta em frequncia, so representados em itlico.
as constantes, parmetros e coeficientes so representados com caracteres gregos ou latinos, minsculos ou maisculos em itlico, de acordo
com as convenes internacionais. Por exemplo, a resistncia elctrica, R, a capacidade elctrica, C, a indutncia electromagntica, L, a
mobilidade dos electres, , a permitividade do vazio, 0, etc.
IMPORTANTE
Em Electrnica, e nestas notas, um sinal v(t) pode conter uma componente independente do tempo (a componente contnua ou dc) e uma
componente que uma funo peridica com valor mdio nulo. As componentes dc representam-se por caracteres maisculos em itlico com
ndices maisculos (VIN). As componentes puramente alternadas representam-se por caracteres minsculos em itlico com ndices minsculos
(vin). Assim, um dado sinal v(t) em geral representado como v(t)=vIN=VIN+vin, onde o sinal v(t) representado por caracteres minsculos em
itlico com ndices maisculos vIN. O valor mdio (ou componente contnua) de um um sinal v(t) <v(t)>=<vIN>=VIN; o valor mdio de um
sinal puramente alternado nulo. No caso caso de um sinal de corrente i(t) escreve-se iIN=IIN+iin.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 14
Smbolos e Unidades elctricas SI

diferena de potencial ou tenso constantes: U, U, V, V; unidade: volt, V
diferena de potencial ou tenso varivel no tempo: v, v; unidade: volt, V)
quantidade de carga elctrica constante no tempo: Q; unidade: coulomb, C
quantidade de carga elctrica varivel no tempo: q; unidade: coulomb, C
intensidade de corrente elctrica constante: I; unidade: ampere, A
intensidade de corrente elctrica varivel no tempo: i; unidade: ampere, A
resistncia elctrica: R; unidade: ohm;
condutncia (inverso da resistncia): G; unidade: siemens, S

capacidade: C; unidade: farad, F (no confundir com faraday)
indutncia: L; unidade: henry, H
impedncia: Z; unidade: ohm,
reactncia: X; unidade: ohm, .
18-Sep-06
Jos Figueiredo 15
Efeitos da Corrente Elctrica no Corpo Humano

Choque elctrico
a corrente e no a tenso que causa o choque. A severidade do choque depende, claro, do valor da
diferena de potencial e do caminho percorrido pela corrente no corpo.
A resistncia tpica do corpo humano da ordem de 10 k 50 k; 220 V/10 k=22 mA.
Efeitos no corpo humano
2 mA, comeo da percepo
10 mA, choque sem dor e sem perda de controlo muscular
20 mA, choque com dor
30 mA, choque com dor severa, contraco muscular, dificuldades de respirao
75 mA, fibrilao fibrilao

250 mA, fibrilao ventricular, usualmente fatal aps 5 s
4000 mA, paragem cardaca
5000 mA, queimadura dos tecidos
Temperaturas elevadas
Os componentes electrnicos em operao, em geral, atingem elevadas temperaturas para o ser humano
(~373 K), o que pode originar queimaduras e causar incndios se no estiverem correctamente
acondicionados.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 16
Regras/Comportamentos de Segurana
Evitar contacto com os terminais das fontes;
Desligar as fontes antes de trabalhar no circuito;
Descarregar os condensadores antes de tocar no circuito;
No trabalhar em equipamentos sem conhecer os procedimentos e os cuidados a ter;
No manusear instrumentos com as mos molhadas; no trabalhar em piso molhado;
Conhecer os locais onde se encontram os interruptores de segurana e as sadas de emergncia;

No usar valores de corrente superiores s necessidades do circuito;
Fazer em ltimo lugar a conexo ao ponto de maior tenso do circuito;
18-Sep-06
Jos Figueiredo 17
Corrente Contnua
(Recomenda-se a reviso dos conceitos associados que forma abordados no ensino secundrio e em Fsica Geral II)
(Rever Smbolos e Unidades Elctricas SI).
Resistividade de algumas substncias:

Condutores:
prata (1,4710-8 m), cobre (1,7210-8 m), ouro (2,4410-8 m), alumnio (2,7510-8 m), tungstnio (5,2510-8 m), ao
(2010-8 m), chumbo (2210-8 m), mercrio (9510-8 m).
Semicondutores:
grafite pura (3,510-5 m), germnio puro (0,6 m), silcio puro (2300 m).
Isoladores:
mbar (51014 m), vidro (1010-1014 m), quartzo fundido (751016 m), mica (1011-1015 m), madeira (108-1011 m).
18-Sep-06
Jos Figueiredo 18
Circuito Elctrico
Um circuito elctrico um conjunto de condutores (incluindo resistncias, condensadores, bobines, geradores,
receptores, etc.) onde h pelo menos um percurso fechado para fluxo de carga elctrica. a tenso elctrica entre dois
pontos de um circuito que determina a maior ou menor rapidez com que as cargas elctricas so arrastadas atravs do
condutor; a intensidade de corrente elctrica depende da rapidez de arrastamento dos portadores de carga elctrica. Por
sua vez este arrastamento tanto menor quanto maior for a resistncia ao movimento dos portadores de carga elctrica.
Circuito Simples
Esquema do Circuito
(fluxo de electres)
(ver http://w3.ualg.pt/~jlongras/WaterAnalogy.swf)
Circuito em placa de circuito impresso
Esquema do circuito
220 V ca
18-Sep-06
Jos Figueiredo 19
Diferena de Potencial ou Tenso

A diferena de potencial (ddp) ou tenso entre dois pontos corresponde energia potencial elctrica por unidade de carga elctrica capaz
de se transformar noutra forma de energia: U=V=Ep/Q. Uma vez que a energia potencial definida a menos de uma constante, o valor da
tenso refere-se, sempre, diferena de potencial relativamente a um ponto de referncia, i.e., dizer que a tenso ou a ddp num ponto 1
volt (V), corresponde a afirmar que o valor da tenso nesse ponto, quando comparado com o do ponto de referncia, superior ao valor da
tenso no ponto de referncia em 1 V, ou seja, que a ddp entres os dois pontos 1 V: 1 V corresponde, portanto, ddp/tenso entre dois pontos
quando para se mover a carga de 1 coulomb (C) de um ponto ao outro necessrio realizar o trabalho de 1 joule (J).
A corrente elctrica, fluxo de carga elctrica atravs de uma seco de um condutor por unidade de tempo, num circuito tem, por
conveno, o sentido dos potenciais decrescentes, i.e., o sentido das cargas positivas ou na ausncia destas o sentido contrrio ao das cargas
negativas. Assim, o sentido da corrente normalmente indicado corresponde ao sentido convencional (que contrrio ao dos electres).
Contudo, ter em ateno que alguns dos esquemas nestas notas adoptam o sentido real do movimento dos portadores de carga.
Intensidade de Corrente Elctrica

Define-se corrente elctrica como o movimento ordenado de cargas elctricas. Ao sentido de arrastamento dos electres num material
usual chamar-se sentido real ou sentido electrnico da corrente (sentido em que fluem os portadores de carga negativa). Por conveno, o
sentido da corrente elctrica contrrio ao sentido electrnico, ou seja do polo positivo para o polo negativo. Este sentido (convencional)
foi utilizado pela primeira vez por Ampre, que desconhecia a natureza corpuscular da corrente elctrica.
Define-se intensidade de corrente elctrica, atravs de uma seco de um condutor, como a taxa de variao temporal do fluxo de carga
elctrica nessa seco: I=dQ/dt. A unidade SI de intensidade de corrente o ampere, A: 1 A a intensidade de corrente elctrica quando o
nmero de portadores de carga correspondentes carga de 1 C, atravessa, por segundo, uma dada seco de um condutor.
A Corrente directa (dc, direct current) corresponde a um fluxo de carga elctrica que tm sempre o mesmo sentido; o termo alternativo
corrente contnua (cc), pode dar origem a alguma confuso, j que as grandezas que caracterizam a ca so, em geral, do ponto de vista fsico,
grandezas contnuas no sentido matemtico. Contudo, quando aplicada em Introduo Electrnica, a designao contnua significa constante.
A Corrente alternada (ac, alternating currente) a corrente cujo sentido varia no tempo.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 20
Resistncia Elctrica e Lei de Ohm

A intensidade de corrente num condutor depende do campo elctrico, E, das propriedades do material de que feito e da sua forma. Em geral
esta dependncia no campo elctrico e nas propriedades do material caracterizada por uma grandeza tensorial (o tensor condutividade
elctrica). Contudo, para alguns materiais, especialmente para os metais, a uma dada temperatura, a corrente praticamente directamente
proporcional magnitude do campo elctrico. Esta regra conhecida como lei de Ohm (descoberta em 1826 por George Ohm). O termo lei
est entre aspas, porque na verdade, e como acontece com a equao dos gases ideais e a lei de Hooke, esta regra corresponde a um modelo
idealizado que apenas descreve o comportamento de alguns materiais. Num elemento puramente resistivo a tenso, V, e a corrente, I, a uma
dada temperatura T, segundo a lei de Ohm, so proporcionais: V=R.I. A constante de proporcionalidade R a resistncia do elemento: a
resistncia elctrica corresponde oposio ao fluxo de cargas elctricas. A unidade SI de resistncia elctrica o ohm, smbolo . (O inverso
da resistncia a condutncia a unidade SI de condutncia o siemens, smbolo S): 1 a resistncia elctrica de um condutor quando uma
tenso de 1 V aplicada s extremidades do condutor, origina uma corrente elctrica de intensidade 1 A.
Em termos microscpicos a lei de Ohm toma a forma J=E, onde J representa a densidade de corrente (corrente por unidade de rea), E a
magnitude do campo elctrico, e a condutividade do material. A condutividade elctrica de um material, , caracteriza a facilidade com que
se estabelece o fluxo de carga elctrica. A resistividade elctrica, , corresponde ao inverso da condutividade. Quanto maior a resistividade de
um material maior ser a magnitude do campo elctrico necessrio para causar uma dada densidade de corrente. Em geral, a resistividade varia
com a temperatura: TT0[1+(T-T0)], onde o coeficiente de variao da resistividade com a temperatura. A resistividade dos metais
aumenta e a dos semicondutores diminui com a temperatura. A resistncia de um fio condutor, R, depende da resistividade do material, , do
comprimento, l, da rea da seco recta do fio, A, e da temperatura, T. Assumindo T constante, R dada por: R=l/A.
Resistncias variveis: potencimetro (componente com 3 terminais, usado para dividir tenso); restato (componente com 2 terminais,
usado para limitar a intensidade de corrente); termstor (o valor da resistncia depende da temperatura); clula fotocondutora (o valor da
resistncia depende da intensidade luminosa incidente).
18-Sep-06
Jos Figueiredo 21
Fontes de corrente e fontes de tenso

Em electrnica designa-se por fonte um circuito de dois terminais susceptvel de fornecer energia elctrica ao(s) circuito(s) que a ele se
liga(m) (muitas vezes referidos como carga(s), do ingls load(s)).
Uma fonte de tenso ideal mantm aos seus terminais uma dada tenso, independentemente da corrente que a atravessa. Uma fonte de
corrente ideal fornece uma dada intensidade de corrente, independentemente da tenso aos seus terminais. Ambas podem ser fontes
independentes ou dependentes. As primeiras tm caractersticas independentes dos valores de tenso e de corrente em quaisquer pontos do
circuito a que estejam ligadas; nas segundas as caractersticas so controladas pelo valor da corrente ou da tenso algures no circuito de que
faam parte. As fontes de tenso dc usadas no laboratrio convertem a tenso alternada da rede de distribuio em tenso contnua.
Queda de Tenso
Como conhecido, a energia representa a capacidade de realizar trabalho. Como
acontece com as partculas materiais na presena de um campo gravtico, os portadores

de carga na presena de um campo elctrico tm tendncia a deslocarem-se para as
regies de menor energia potencial elctrica. Quando se movem no interior de meios
condutores (bons condutores, resistncias, etc.) perdem energia medida que avanam,
em consequncia de colises com os cernes ou os ncleos dos tomos. No diagrama
os electres esquerda de R1 tm mais energia, em mdulo, do que os electres
direita. Tendo em conta que a tenso a energia potencial elctrica a dividir pela carga
(que neste caso constante), conclui-se que o potencial direita de R1 superior ao
potencial esquerda de R1: h, portanto, uma diminuio de potencial ou uma queda
de tenso atravs de R1. O mesmo vlido para R2.
18-Sep-06
Sentido real da corrente (fluxo dos electres)

Jos Figueiredo 22
Potncia elctrica

(fluxo dos electres)
A potncia instantnea define-se como: P=dE/dt, e a unidade SI o watt (W).

A potncia fornecida ou dissipada num elemento de um circuito elctrico dada
por:
P=V .I
No caso de uma resistncia (V=R.I): Pd=R.I2, onde Pd representa a potncia
dissipada na resistncia R.
A expresso Pd= R .I2 s valida para a parte resistiva dos componentes. Os condensadores e as bobines ideais no dissipam energia.
Contudo, como se ver mais tarde, as implementaes fsicas destes componentes apresentam sempre uma parte resistiva, assim como
uma resistncia pode apresentar tambm caractersticas indutivas ou capacitivas.
H um limite para a quantidade de calor que uma resistncia/condutor pode dissipar. Em electrnica de pequenos sinais so comuns resistncias
capazes de dissipar de 1/8 W at 1 W. Em aplicaes de electrnica de potncia h resistncia de potncia com capacidades de dissipao bem
mais elevadas.
Efeito de Joule
Os portadores de carga livres no seu movimento sofrem colises com os
tomos da rede cristalina dos materiais, dissipando energia na forma de
energia trmica, de que resulta o aumento de temperatura dos componentes e
condutores. O aumento de temperatura traduz-se num fluxo de energia
trmica do componente/condutor para a sua vizinhana: efeito de Joule.
possvel, tambm, que parte da energia elctrica seja convertida noutras
formas de energia, por exemplo energia luminosa.
18-Sep-06

Jos Figueiredo 23
Circuitos e Redes Elctricas

O estudo de uma rede elctrica ou circuito elctrico inicia-se com a arbitragem de um sentido geral para a circulao, marcando em
seguida o sentido da intensidade de corrente nos diferentes ramos (arbitrariamente): quando os valores numricos obtidos para as
intensidades de corrente so negativos, correntes correspondentes tm o sentido contrrio ao arbitrado.
Sentido geral da circulao
Sentido geral da circulao adoptado:

Um circuito elctrico um conjunto de condutores, resistncias,
condensadores, bobines, geradores, receptores, etc., onde h pelo
menos um percurso fechado para fluxo de carga.
Uma rede elctrica um conjunto de condutores (incluindo
resistncias, geradores, receptores, etc.) onde h mais de um percurso
para a intensidade de corrente, estando os condutores ligados
arbitrariamente.
Ramos: pontos da rede onde passa corrente elctrica.

Os nodos correspondem a pontos onde a corrente se bifurca.
Qualquer conjunto de ramos que constitua um
percurso fechado chama-se malha.
Nodo
z
Ponto de um circuito onde concorrem trs ou mais condutores
Malha
Percurso (fechado) para a corrente
18-Sep-06
Importante
Nestas notas , muitas vezes, indicado o sentido real da
corrente. Contudo, o sentido usado aquando da resoluo de
problemas ser o sentido convencional (contrrio ao fluxo
de electres).
Jos Figueiredo 24
Lei de Kirchhoff dos Nodos

(consequncia do princpio de conservao da carga elctrica)
nula a soma algbrica das intensidades de corrente que concorrem num nodo. Por conveno, so consideradas positivas as
intensidades de corrente que convergem no nodo e negativas as intensidades de corrente que divergem do nodo.

18-Sep-06
Jos Figueiredo 25
Lei de Kirchhoff das Malhas

(consequncia do princpio de conservao da energia)
O estudo de uma rede elctrica ou circuito elctrico inicia-se sempre com a arbitragem do sentido geral para a circulao, marcando
em seguida o sentido da intensidade de corrente nos diferentes ramos (arbitrariamente): quando os valores numricos obtidos para as
intensidades de corrente so negativos, os respectivos sentidos so contrrios aos arbitrados.
Sentido da circulao adoptado
R1
R2
Vs=10 V
Sentido da circulao adoptado
I
Vs=R1I+R2I
A soma algbrica das quedas de tenso ao longo de uma malha fechada zero, i.e., numa malha qualquer, a soma algbrica das
f.e.ms. igual soma algbrica das quedas de tenso nos vrios ramos que constituem a malha. Para aplicar esta lei comea-se por
arbitrar o seguinte: i) s correntes que, na malha, tm o mesmo sentido da circulao atribui-se o sinal +, e o sinal s que tm o sentido
oposto; ii) as f.e.ms. que tendem a debitar corrente que, na malha, tm o sentido da circulao vm afectadas do sinal +, e do sinal no
caso contrrio.
Exerccios do livro Fsica (exerccios resolvidos e propostos, 9 edio, F. J. Bueche e E. Hetcht, McGrawHill, 2001: captulos 25 a 29), ou
outro equivalente (pesquisar nas seces de Fsica e Electrnica da Biblioteca).
18-Sep-06
Jos Figueiredo 26
Associao de Resistncias em Srie
(Rever Lei de Ohm)
Num circuito srie a mesma corrente I percorre todos os

elementos do circuito.
Como VAB=VR1+...+VR5, usando a Lei de Ohm obtm-se:

VAB=ReqI=R1I+R2I+R3I+R4I+R5I.
A resistncia equivalente de uma associao de resistncias em srie corresponde soma das
VAB: diferena de potencial ou queda
resistncias: Req= R1 + R2 + + Rn.
de tenso entre os terminais A e B;
Notao para resistncias em srie: +. Exemplo: R1 em srie com R2: R1+R2.
VRi: queda de tenso em Ri.
Associao de Resistncias em Paralelo

Num circuito paralelo a tenso V num dado ramo do circuito

igual tenso em qualquer outro ramo do circuito paralelo.
I1
I2
I
I3
I4
I5
Como I=I1+...+I5, aplicando da Lei de Ohm a cada ramo obtm-se:

I=V/Req=V/R1+V/R2+V/R3+V/R4+V/R5.
A resistncia equivalente de uma associao de resistncias em paralelo dada por: Req=(1/R1 + 1/R2 + + 1/ Rn)-1. Caso particular de duas
resistncia em paralelo: Req=R1.R2/(R1+R2). Notao para resistncias em paralelo: //; exemplo R1//R2.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 27
Exerccios
Exemplo 1: calcule a resistncia equivalente do circuito e
determine a corrente que percorre R5. (Sol.: 148.4 ; ).
Exemplo 2: sabendo que a tenso Vab=Va-Vb=50 V, determine a

corrente atravs da resistncia R4. (Sol.: 34.5 mA).
b
VS=100 V
Vab=50 V
a
Exemplo 3: calcule a tenso aos terminais de cada

resistncia (Sol.: VAB=4.69 V; VBC=2.18 V; VCD=1.13 V;
VR5=718 mV; VR6=412 mV).
Exemplo 4: Determine a tenso aos terminais de R2 na ausncia

de carga. Se RL=10 k, qual a tenso aos terminais de R2. E
para RL=100 k. (Sol.: 3.4 V; 2.58 V; 3.30 V).
VS=8 V
18-Sep-06
Jos Figueiredo 28
Exerccios de Reviso
(adaptados de um livro do 11 ano de Fsica)
Exemplo 1: Nas figuras abaixo mostra-se uma bateria com f.e.m.
Exemplo 2: Na figura abaixo mostra-se uma bateria com f.e.m. de 12 V
de 12 V e resistncia interna de 2 . No primeiro caso a bateria
e resistncia interna de 2 , ligada aos terminais de uma resistncia de 4
no est liga a qualquer circuito (circuito aberto). No segundo
. Determine os valores indicados pelos voltmetro e ampermetro
ideais. Calcule as potncias: da fonte e dissipada na bateria e na carga de
caso est ligada a um condutor com resistncia de 0 (curto
circuito). Determine, em ambos os casos, os valores indicados
4 . Repita o calculo das potncias para o segundo circuito.
(Sol: Vab=8 V, I=-2 A; qual o valor de Vab=?; 24 W, 8 W, 16 W; 72 W,
pelos voltmetro e ampermetro ideais. (Sol: Vab=12 V, I=0 A;
Vab=0 V, I=-6 A; qual o valor de Vab=?)
72 W, 0 W)
V
V
a
2 , 12 V
2 , 12 V
a
b
b
Cuidado!! Nunca deve curto-circuitar os terminais de uma

fonte. Ela pode explodir .... O valor da resistncia interna da
bateria de um carro da ordem de alguns m, o que faz com
que a corrente possa atingir valores muito elevados.
2 , 12 V
a
2 , 12 V
a
Exemplo 4: Um conjunto de geradores associados em srie tem f.e.m.

igual a 48 V e resistncia interna 2,4 . Determine os valores das
intensidades de corrente nos trs ramos do circuito.
Exemplo 3: Quantas malhas e quantos

I1
nodos h no circuito ao lado? Determine as
B
R2
equaes das malhas ABCEA, AECDA e
R1
I1
I1
E1 (48 V; 2.4 )
I3
ABCDA. (Sol.: Se o sentido de circulao
E1
R5
E2
adoptado for o sentido horrio, obtm-se
I2
E2 (40 V; 0.5 )
R=80
A
C
E1+E2=(R1+R2)I1+R5I2,
E I2
I3 (Sol.: sentido de circulao sentido horrio; I =2.8 A, I =-2.3 A, e
I3
-E2=(R3+R4)I3-R5I2
1
2
R4
I
=0.5
A.
O
sentido
de
I
,
pois,
contrrio
ao
assinalado
na figura, o
e E1=(R1+R2)I1+ (R3+R4)I3,
R3
3
2
que alis, neste caso simples, era de prever. Porqu?)
respectivamente.
D
18-Sep-06
Jos Figueiredo 29
Queda de Tenso numa Associao de Resistncias em Srie: Divisor de Tenso

Num circuito srie simples a razo entre as diferentes quedas de tenso nas resistncias individuais e a queda de tenso na srie
constante, isto , a tenso aplicada srie dividida nas diferentes resistncias em pores fraccionadas de razo constante.
I=VS/Ri
Vi=RiI
Vi=(Ri /Req)VS
Req=Ri
Vi/VS=Ri /Req
i=1,2, , n

Num divisor de tenso a razo entre a resistncia individual e a resistncia total igual razo entre a queda de tenso nessa resistncia e a
queda de tenso em toda a srie. Esta regra permite determinar a queda de tenso numa dada resistncia de uma srie, conhecida a tenso
aplicada srie, sem determinar a corrente.
Potencimetro como divisor de tenso
Aplicao:
18-Sep-06
Jos Figueiredo 30
Divisores de Tenso com Carga
Efeito de carga do voltmetro
RM: Resistncia do voltmetro

18-Sep-06
Fontes de tenso bipolares

(Divisores de Tenso Bipolares)
O que aconteceria
se tambm se ligasse a terra no ponto E?
Jos Figueiredo 31
Corrente numa Associao de Resistncias em Paralelo: Divisor de Corrente

Num circuito paralelo simples a razo entre a intensidade de corrente nas resistncias individuais e a intensidade de corrente total no
paralelo constante, isto , a corrente total no paralelo dividida entre as diferentes resistncias em pores fraccionadas de razo constante.
IT=VS/(R1//R2//R3//...//Rn-1//Rn//)
IT=VS/Req), (Req)-1=(Ri)-1 , i=1, 2, , n
VS
Ii=(Req /Ri)IT ,
VS
Ii/IT=Req /Ri.
Sentido real da corrente (fluxo de electres)
Num divisor de corrente a razo entre a resistncia total (resistncia equivalente do paralelo) e cada resistncia individual igual razo
entre a corrente que percorre essa resistncia e a corrente total que percorre o paralelo. Esta regra permite determinar a corrente numa dada
resistncia do paralelo, conhecida a corrente total que percorre o paralelo, sem conhecer a tenso aplicada ao paralelo. Os circuitos paralelo
dividem a corrente total entre os diferentes ramos em propores dependentes apenas dos valores das resistncias do paralelo.
Exemplo: n=2 (caso particular)

IT=VS/(R1//R2)
I1=R2 /(R1+R2) IT
(fluxo de electres)
18-Sep-06
I2=R1 /(R1+R2) IT
VS=0.909 V
Jos Figueiredo 32
Resistncias, condensadores e indutores

Consideremos um circuito contendo uma fonte de tenso cc, com uma f.e.m. E, e uma resistncia/condensador/bobine (ver figuras).
Indutor
E
R
+
q -q i
a
b
C
i
a
Condensador
E
R
S
+
-
Resistncia
E
+
S: interruptor
i
a
A ddp aos terminais dos componentes dada, respectivamente, por:
vba (t ) = vR (t ) = R i (t )
vba (t ) = vC (t ) = Cq = C1 i(t )dt
vba (t ) = vL (t ) = L
di (t )
dt
Um condensador em corrente continua (cc) corresponde a um aberto, enquanto que um indutor comporta-se como um curto.
A energia acumulada/cedida por um condensador/bobine durante a carga/descarga dada por: W=1/2 Cvab2 e W=1/2 Li2.
Idealmente um condensador/bobine no dissipa energia. Uma resistncia dissipa sempre energia, taxa de Ri2.
Associao de condensadores/bobines
Numa associao de j condensadores em srie, Cj, todos os condensadores armazenam a mesma quantidade de carga, e a capacidade da
srie dada por: 1/C+=1/Cj.
Na associao em paralelo, cada condensador Cj armazena a carga Qj, e a capacidade do paralelo dada por: C//=Cj.
A associao srie/paralelo de indutncias, Lj, obedece s mesmas relaes que a associao srie/paralelo de resistncias, i.e., L+=Lj e
1/L//=1/Lj, respectivamente.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 33
Regimes Transitrio e Estacionrio em Circuitos Puramente Resistivos, Capacitivos e Indutivos

Circuito com condensador
Circuito com resistncia
Carga
(E0)
Descarga
(E=0)
=0
Constante de
tempo do circuito
vC(V)
t0
vR(V)
E
i
a
Constante de
tempo do
circuito
= L/R
E/R
t0
vC(V)
t0
i (A)
= RC
q -q
a
Circuito com indutor

-
Constante de
tempo do
circuito
E
-
vR(V)
S: interruptor
i (A)
t0
t0
E/R
t0
No caso de circuitos com condensadores e bobines, a tenso/corrente sofre uma variao de, aproximadamente, 63% ao fim de t= s (uma
constante de tempo). Para t>5 s, praticamente no h variao. O intervalo [0, t=5 s] designa-se perodo transitrio do circuito.
Um condensador comporta-se como um curto para variaes instantneas de corrente e como um circuito aberto em cc. A tenso
aos terminais de um condensador no pode variar instantaneamente: varia exponencialmente.
Uma bobine comporta-se como um aberto para variaes instantneas de corrente e como um curto-circuito em cc. A corrente num
indutor no pode variar instantaneamente: varia exponencialmente.
Carga
v R (t ) = E e i (t ) =
Descarga
vR (t )
(E=0)
18-Sep-06
E
,
R
= 0 e i(t ) = 0
v C ( t ) = E 1 e
v C (t ) = V C e
E
e i(t ) =
e
, = RC
v L ( t ) = Ee
V
i ( t ) = C e , = RC
R
v L (t ) = V L e
E
R
1 e
L
, =
i (t ) =
V
L
i (t ) = L e , =
R
R
Jos Figueiredo 34
Exerccios
Exemplo 1: determine as correntes IRL1, IRL2 e I3 . (Sol.: 113 A;
55 A; 887 A)
(fluxo de electres)
Exemplo 3: determine a queda de tenso e a corrente na

resistncia R3. (Sol.: 2 V e 910 A)
Exemplo 2: calcule o valor de RX quando a ponte est balanceada, i.e.,

quando VAB=0 V. (Sol.: 1800 )
O circuito ao lado conhecido como
ponte de Wheatstone, e, como
veremos mais tarde, usado para
medir resistncias (de 1 at 1 M)
com grande preciso.
Exemplo 4: Tendo em conta a tenso indicada nos voltmetros, diga se

h, e onde, algum curto-circuito e/ou circuito-aberto na rede.
(Sol.: curto-circuito atravs de R7)
i1
R1=4 k
Exemplo 5: O condensador fica carregado ao fim de 5C segundos aps se ter fechado o interruptor.
i2
C
a) Qual a constante de tempo de carga do condensador, C?
E
R2=6 k
100 F
b) Calcule a ddp aos terminais do condensador em t=0 s.
30 V
No instante t=0 s abre-se o interruptor.
c) Qual a constante de tempo de descarga do condensador, D?
Sol: C=(R1//R2)C=0,24 s; 18 V; D=R2C=0,6 s; i1=0 A, i2=3 mA;
d) Determine as correntes i1 e i2 em t=0+ s, t=0,5D s e t= s.
i1=0 A, i2= 1,82 mA; i1=0 A, i2=0 A.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 35
Princpio da Sobreposio
Como j verificou, alguns circuitos possuem mais que uma fonte de tenso. Por exemplo, certo tipo de amplificadores requerem para
operao fontes de tenso com ambas as polaridades (fontes bipolares).
O teorema da sobreposio permite determinar correntes e tenses em circuitos lineares com vrias fontes de tenso, considerando
uma fonte de cada vez. As outras fontes so substitudas pelas respectivas resistncias/impedncias internas.
A corrente em qualquer ramo de um circuito linear com vrias fontes pode ser obtida determinando a corrente em cada ramo
produzida por cada fonte actuando isoladamente, com todas as outras fontes substitudas pelas suas resistncias/impedncias internas.
A corrente em cada ramo a soma algbrica das correntes nesse ramo devidas s fontes individuais.
Metodologia:
- considerar uma fonte de tenso/corrente de cada vez, substituindo as outras fontes de tenso por curto-circuitos e pelas respectivas
resistncias/impedncias internas, e as outras fontes de corrente substitudas por circuitos-abertos em paralelo com as respectivas
resistncias/impedncias internas;
- determinar cada corrente e tenso particular (para cada fonte considerada);
- considerar nova fonte e repetir os passos anteriores;
- adicionar ou subtrair as componentes das correntes em cada ramo devidas a cada fonte individual;
- uma vez conhecida a corrente obtm-se a tenso, usando a lei de Ohm.
Exemplo:
Circuito com duas fontes
Efeito de Vs
I2(S1)
Efeito de Vs
(S2)
I2
Por exemplo, a corrente no ramo com a R2 dada por I2=I2(S2)+I2(S2)

18-Sep-06
Jos Figueiredo 36
Exemplo de Aplicao do Princpio da Sobreposio
Exerccios do livro Electric Circuits, J. W. Nilsson, S. A. Riedel, Prentice-Hall International, Inc., 2000 (Biblioteca 621.3
NIL*Ele): captulos 1-4.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 37
Teorema de Thvenin
A forma equivalente de Thvenin de qualquer circuito relativamente a dois pontos (terminais) do circuito consiste numa fonte de tenso
(equivalente), VTH, em srie com uma resistncia/impedncia (equivalente), RTH/ZTH.
A tenso equivalente de Thvenin, VTH, a tenso em circuito aberto (sem carga) entre os dois pontos especificados (terminais) do
circuito.
A resistncia/impedncia equivalente de Thvenin, RTH/ZTH, a resistncia/impedncia vista dos dois terminais especificados,
quando as fontes existentes no circuito so substitudas pelas respectivas resistncias/impedncias internas (zero no caso de fontes ideais de
tenso, e infinito no caso de fontes ideais de corrente).
Esta equivalncia s vlida relativamente aos pontos em causa.
O teorema de Thvenin permite transformar um circuito complexo num circuito bastante mais simples.
Exemplo:
R,ZTH
VTH
18-Sep-06
Circuito
original
Jos Figueiredo 38
Teorema de Norton
A forma equivalente de Norton de qualquer circuito consiste numa fonte de corrente (equivalente), IN, em paralelo com uma
resistncia/impedncia (equivalente), R,ZN. A corrente equivalente de Norton, IN, a corrente em curto circuito (sem carga) entre os dois
pontos especificados (terminais) do circuito. A resistncia/impedncia equivalente de Norton, R,ZN, a resistncia vista dos dois terminais
especificados, e que se obtm, da mesma forma que para o circuito equivalente de Thvenin, quando as fontes no circuito so substitudas
pelas respectivas resistncias/impedncias internas (zero no caso de fontes ideais de tenso, e infinito no caso de fontes ideais de corrente).
Novamente, esta equivalncia s vlida relativamente aos pontos em causa.
Aplicao do Teorema de Thvenin: Equivalente de Thvenin da ponte de Wheatstone.
Exemplo de aplicao: Ponte de Wheatstone
Voltmetro/galvanmetro ou uma resistncia RL
Aplicao da ponte de Wheatstone

(R1+R1)
Se R1=R2=R3=R4
R1=0: VAB=0 V;
Condio de balanceamento da ponte (quando VAB=0 V):

R1/R3=R2/R4 ou R1R4=R2R3
18-Sep-06
Se R1=R3=R2=R4=R e
R10: VAB=R1(Vs /4R)
Jos Figueiredo 39
Teorema da mxima transferncias de Potncia da Fonte para a Carga
Seja uma fonte (ou circuito equivalente) caracterizada por VTH e RTH, qual se liga uma carga RL. Seja a carga uma
resistncia varivel RL (por exemplo um restato), ver figura. Qual o valor de RL que maximiza a potncia transmitida
pela fonte carga?
P=V.I
PL=VL. IL=[RL/(RTH+RL)] VTH . IL=[RL/(RTH+RL)2](VTH)2
Se RL=0, temos P=0; se RL=infinito, P=0.
O valor de PL mximo quando dPL/dRL=0, donde resulta RL=RTH.
PL max =(VTH)2/4RTH.
Ver mais tarde a adaptao de impedncias em corrente alternada.
18-Sep-06
Exerccio:
Determine a potncia fornecida pela
fonte ideal VTH e a potncia dissipada
na resistncia de carga quando esta
toma os seguintes valores: 25 , 70 ,
75 , 80 e 120 .
Jos Figueiredo 40
Transformao de um circuito em tringulo num circuito em estrela

1
O valor das resistncias equivalentes medidas entre os pontos 1 e 2, 2 e 3, e 1 e 3, devero ser

iguais nas duas ligaes:
r3
R1
r2
R2
2
R1 + R2 = r3 (r1 + r2)/(r1 + r2 + r3)
R2 + R3 = r1 (r2 + r3)/(r1 + r2 + r3)
R1 + R3 = r2 (r1 + r3)/(r1 + r2 + r3)
Para calcular R1, soma-se * e + e subtrai-se #; obtendo-se:
R3
R1= r2r3/(r1 + r2 + r3); de forma anloga se obtm
r1
R2= r1r3/(r1 + r2 + r3) e R3= r1r2/(r1 + r2 + r3).
Da mesma maneira pode resolver-se o problema inverso e calcular os valores de r1, r2, e r3 em funo das conhecidas R1, R2, e R3:
r1=(R1R2+ R2R3 + R1R3)/R1;
r2=(R1R2+ R2R3 + R1R3)/R2;
r3=(R1R2+ R2R3 + R1R3)/R3.
Exerccio de aplicao:
Calcule a resistncia equivalente s 5 resistncias do circuito (Ponte de Wheatstone - ver adiante) e a corrente I4.
IS
IS
I1
VS=20 V
2
I4
2
1
I3
I2
VS=20 V
I5
1
I1
2
I2
1
I4
I3
I5
IS=14,29 A
0,5
IS
0,25
0,5
1,4
VS=20 V
1
I4
VS=20 V
I4=5,71 A
18-Sep-06
Jos Figueiredo 41
Exerccios
Exemplo 1: Usando o princpio de sobreposio, determine a
intensidade de corrente que percorre R3. Usando o teorema de
Thvenin determine a tenso aos terminais da resistncia R2.
(Sol.: ver pgs. 42-43)
Exemplo 2: Determine o equivalente de Thvenin dos circuitos das

Figuras. Usando o princpio de sobreposio determine a tenso aos
terminais em aberto.
10
10 V
15
5V
I2
5V
Exemplo 3: Usando o teorema de Thvenin, determine a

tenso aos terminais de R4. Calcule a corrente atravs de R6.
Determine a resistncia equivalente do circuito, vista dos
terminais de R4.
R5
R2
15 10 V
10
3V
30
2 3V
30
Exemplo 4: Usando o principio da sobreposio determine a intensidade

de corrente atravs de RX. Calcular o equivalente de Thvenin do circuito
entre os pontos a e b, e a corrente atravs de RX. Determine a potncia
dissipada em RX.
R2=30
a
3.3 k
R3=20
R1=20
R1
1 k
3.3 k
R3
4.7 k
50 V
R4
10 k
RX=15
R6
V2=10 V
V1=6 V
R4=30
4.7 k
b
18-Sep-06
Jos Figueiredo 42
Corrente Alternada
(Revises: rever Fsica Geral II, Electromagnetismo e eventualmente o Ensino Secundrio)
IMPORTANTE
Em Electrnica, e nestas notas, um sinal v(t) pode conter uma componente independente do tempo (a componente contnua, cc, ou directa, dc) e
uma componente que uma funo peridica com valor mdio nulo. A componente dc representa-se por caracteres maisculos em itlico com
ndices maisculos (VIN). A componente puramente alternada representa-se por caracteres minsculos em itlico com ndices minsculos
(vin). Assim, um dado sinal v(t) , em geral, representado como v(t)vIN=VIN+vin, onde o sinal v(t) representado por caracteres minsculos em
itlico com ndices maisculos vIN. O valor mdio (ou componente directa) do sinal v(t) <v(t)>=<vIN>=VIN (o valor mdio de um sinal
puramente alternado nulo). No caso de um sinal em corrente, i(t) escreve-se iIN=IIN+iin.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 43
Corrente e Tenso Alternadas

Os valores instantneos das correntes e das tenses alternadas variam no tempo. As correntes e as tenses alteram periodicamente a
direco/polaridade de acordo com uma dada funo denominada forma de onda. As formas de onda mais comuns so: a onda sinusoidal, a
onda quadrada, a onda triangular e a onda dente de serra. (Rever guio do trabalho prtico n 2.)
A forma de onda sinusoidal o tipo de corrente/tenso alternada fundamental. Todas as outras formas de onda peridicas podem ser
obtidas a partir da combinao de vrias ondas sinusoidais (a onda sinusoidal fundamental mais os seus harmnicos). A forma de onda
sinusoidal fica completamente caracterizada conhecendo-se o seu perodo/frequncia, a fase, e o mximos e o mnimo.
H cinco valores caractersticos de uma forma de onda sinusoidal: o valor instantneo (v, i), o valor de pico (Vp, Ip), o valor de pico-a-pico
(Vpp, Ipp), o valor eficaz (Vef, Ief) e o valor mdio (Vm, Im).
A fase da onda uma medida angular que especifica o valor da onda relativamente a uma referncia, num dado instante de tempo. (Rever
guio do trabalho prtico n 2.) Rever Smbolos e Unidades Elctricas SI.
Leis dos circuitos em corrente alternada (ca)

Em corrente directa (dc), os componentes elctricos/electrnicos so caracterizados apenas pela respectiva resistncia elctrica, R, e o
carcter capacitivo e/ou indutivo dos componentes s se revela durante o estabelecimento do regime estacionrio, i.e., quando t<5 s. Em
corrente alternada (ca) os componentes so caracterizados por uma nova grandeza designada impedncia, Z, que o equivalente da
resistncia em corrente alternada.
As leis dos circuitos dc no so vlidas para os circuitos de ca se forem referidas aos valores instantneos da corrente e da tenso.
Contudo, so validos se forem referidos, por exemplo, aos valores mximos ou aos valores eficaz. Para assegurar a sua correcta aplicao, a
tenso e a corrente devem ser expressas de forma consistente, i.e., ambas referidas ou aos valores de pico, ou aos valores eficazes, etc.
Exemplo de aplicao: lei de Ohm, como veremos, toma a forma Vp=ZIp ou Vef=ZIef; leis de Kirchhoff, Ief1 + Ief2 + + Iefn=0 e Vef1 + +
Vefn=0 ou Ip1 + Ip2 + + Ipn=0 e Vp1 + + Vpn=0. Os teoremas de Thvenin e Norton, e o princpio de sobreposio tambm so vlidos em
ca (assegurando-se a regra da consistncia). Nestes casos, as impedncias tomam o lugar das resistncias.
Expresses idnticas s da situao dc so obtidas para os divisores de corrente e tenso em ac. A transformao de uma configurao de
impedncias em tringulo num circuito em estrela (e vice-versa) obedece s mesmas relaes que as obtidas para a rede com resistncias.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 44
Resistncias, Condensadores e Indutores em Corrente Alternada

Em corrente alternada a lei de Ohm toma a forma: V=ZI.
Consideremos um circuito alimentado por uma fonte de tenso ac, debitando uma corrente i(t)=Ipcos(t+) ou i(t)=Ipej(t+)=Ipejejt=Ipejt, em
srie com uma resistncia/condensador/indutor (ver figuras).
Condensador
Resistncia
i
a
vR (t ) = R i (t )
vR(t)=RIpcos(t+)
=Vpcos(t+ ),
VR=ZR.IR: VRp=R.Ip,
Indutor
v C (t ) =
q
C
i
a
1
C
i (t ) dt
vC(t)=(1/C)Ipsin(t + ),
=(1/C)Ipcos(t + - /2),
VC=ZC.IC: VCp=(1/jC)Ip,
vR e i so proporcionais a cos(t): numa a tenso aos terminais do condensador est

resistncia vR e i esto sempre em fase. atrasada de /2 relativamente corrente: o
pico da tenso ocorre um quarto de ciclo aps o
pico da corrente.
vL (t ) = L
di (t )
dt
vL(t)= -L Ipsin(t + ),
= L Ipcos(t + + /2),
VL=ZL.IL: VLp=jLIp,
a tenso aos terminais do indutor est
adiantada de /2 relativamente corrente: o
pico da tenso ocorre um quarto de ciclo antes
do pico da corrente.
ZR=VR/IR=R
ZC=VC/IC=-jXC=1/jC
ZL=VL/IL=jXL=jL
R: resistncia
XC: reactncia capacitiva
XL: reactncia indutiva
Quer no caso de um indutor quer no de um condensador existe uma proporcionalidade entre as amplitudes da corrente e da tenso. O mesmo
no ocorre para os valores instantneos, porque v e i no so proporcionais (existe uma diferena de fase (d.d.f.), de /2 entre eles). S no caso
de uma resistncia existe proporcionalidade entre os valores instantneos da tenso e da corrente. Das expresses das reactncias pode-se
concluir que a resistncia (impedncia) de um condensador aumenta medida que diminui a frequncia angular da corrente, ; no caso do
indutor, a impedncia aumenta medida que aumenta a frequncia da corrente.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 45
Representao Complexa e Notao Fasorial

comum em corrente alternada tratar as correntes/tenses sinusoidais, f(t)=Apcos(t+), como grandezas
complexas, representando-as usando, quer a notao exponencial, f(t)=Apej(.t+), quer a notao fasorial, f=Apej(.t+). O
fasor f corresponde a um vector no plano complexo, com origem na origem do referencial, cujo comprimento igual
amplitude do sinal sinusoidal (Ap), e rodado de um ngulo t+ (fase) relativamente ao eixo horizontal:
f(t)=Apcos(t+)
Im
f=Aej(t),
Ap
ej.
O valor instantneo da grandeza sinusoidal dado

onde A representa o complexo Ap
pela projeco do vector no eixo horizontal:
f(t)=Apcos(t +).
t+
Re
f=Apcos(t + )
A unidade SI de ngulo plano o radiano (rad).

Uma vez que a dependncia temporal da tenso e da corrente conhecida e a mesma em qualquer ponto de um
circuito linear, comum, para simplificar a escrita, representar a grandeza unicamente pela sua amplitude e fase
inicial, i.e., pelo fasor:
f(t)= Apcos(.t+) A=Apej [fasor da tenso V=Vpej; fasor da corrente I=Ipej, representando:
v(t)=Vpcos(t+) e i(t)=Ipcos(t+), respectivamente].
18-Sep-06
Jos Figueiredo 46
Impedncia
(Rever guies do 1 e do 2 trabalhos laboratoriais)
Em corrente alternada (ca) os componentes lineares passivos so caracterizados por uma nova grandeza designada impedncia, Z, que o
equivalente da resistncia em corrente alternada. Assim, em corrente alternada a lei de Ohm toma a forma: V=ZI. A grandeza Z representa a
impedncia do componente e, em geral, uma grandeza complexa. Esta relao a generalizao da expresso R=V/I.
Na representao complexa temos: Z=V.ejt/I.ejt = Vpej/Ipej=|Z|ej, onde = representa a diferena de fase entre a tenso e a corrente.
Na representao algbrica Z toma a forma: Z=R+jX, j2=-1, onde R e X representam as partes resistiva e reactiva da impedncia do elemento
ou parte do circuito em anlise: R designa-se por resistncia hmica (unidade SI: ) e X por reactncia (unidade SI: ). Se X for negativo dizse que a reactncia capacitiva X= XC; se X for positivo diz-se que a reactncia indutiva X=XL.
O modulo e a fase de Z so dados, respectivamente, por: Z =
R2 + X 2
X
e = tan 1
R
(rever operaes bsicas com complexos).
Ao inverso da impedncia chama-se admitncia complexa, Y, ou simplesmente admitncia: Y=1/Z=G+jB. G denomina-se condutncia
(unidade SI: S) e B susceptncia (unidade SI: S).
Associao de impedncias em srie: Zeq=Z1+ Z2+ + Zn-1+ Zn.

Associao de impedncias em paralelo: 1/Zeq= 1/Z1+ 1/Z2+ + 1/Zn-1+ 1/Zn.
Exerccio
Resolver exerccio n 9 da pgina 66 do livro Electrnica Analgica, Antnio Padilha, 1993: Calcular a corrente na auto-induo L2 do
circuito abaixo, substituindo primeiro o resto do circuito pelo seu equivalente de Thvenin. (Sol: 1,45-j1,36 A).
ZTHab=1,34-j4,5
a
a
a
VIN=20 V
R=10
L1
L1
X L2 =
R
R
V
1,45-j1,36
A
X
=8
THab
VIN
VIN
1
L2 L1
VTHab=-2,8-j6,9 V
C
C
XL2=1
b
XC=4
b
b
18-Sep-06
Jos Figueiredo 47
Potncia em Corrente Alternada

Seja um elemento de um circuito percorrido por uma corrente i(t)=Ipcos(t), e aos terminais do qual se aplica uma tenso v(t)=Vpcos(t+). A
potncia instantnea fornecida ao componente dada por:
p=v.i=[Vpcos(t+)][Ipcos(t)].
Valores positivos de potncia indicam que o elemento est a dissipar/armazenar energia; valores negativos indicam que o componente est a
gerar/devolver energia ao circuito.
Potncia Aparente, pZ, a potncia que transferida pela fonte ao circuito: pZ=i2Z (unidade: volt-ampere, VA)
Potncia Reactiva, pX, a potncia fornecida aos elementos reactivos: pX=i2X (unidade: volt-ampere reactivo, VAr)
Potncia Real (verdadeira), pR, a parte da potncia dissipada no circuito: pR=i2R (unidade: watt, W)
A potncia mdia dada por: P=<p>=1/2VpIpcos()=VEfIEfcos().
O factor cos() designado factor de potncia. Em circuitos elctricos ou electrnicos de potncia desejvel que cos() seja prximo de 1.
Caso contrrio, para uma dada tenso e potncia, necessrio uma elevada corrente, o que origina perdas elevadas nas linhas de transmisso.
Potncia mdia:
Resistncias
PR=VpIp/2=R.IEf2=VEf2/R>0
R
VIN C
L1
18-Sep-06
Condensadores
Indutores
PC=0
PL=0
Exerccio 1: Seja o circuito RLC srie, com R=300 , L=60

mH, C=0,5 uF, Vin=50 V e =10 krad/s. Determine: XL, XC,
|Z|, |I0|, , o factor de potncia, a potncia mdia dissipada
em cada elemento, |VR|, |VL|, |VC|. Verifique que VIN
VR+VL+VC (Porqu?) Sol: 600 , 200 , 500 , 0,10 A, 530
(a tenso est adiantada relativamente corrente), 0,6; 1,5
W, 0 W, 0 W; 30 V, 60 V, 20 V; VIN=[VR+(VL-VC)2]1/2.
Exerccio 2: Num secador de cabelo est indicado 1500 W a

220 V. Determine a resistncia, a corrente eficaz e a
potncia instantnea mxima. Assuma que o secador uma
resistncia pura. Sol: 32,3 , 6,8 A, 3000 W. (Alguns
vendedores de equipamentos de udio, e no s, anunciam
valores de potncia que correspondem aos valores mximos
de potncia como sendo a potncia mdia, o que irregular).
Jos Figueiredo 48
Resposta em Frequncia de um Circuito

(Ver Microelectronics Circuits, A. S. Sedra & K. C. Smith, Saunders College Publishing, captulo 1)
(Estudar guia do 2 trab. Prtico.)
Considere o circuito linear abaixo, ao qual aplicada uma tenso vin(t)=VINcos(t), representada no esquema pela amplitude VIN().
Pretende-se estudar o comportamento do sinal de sada, vout(t), em funo da frequncia do sinal de entrada, i.e., caracterizar a
resposta em frequncia do circuito. A resposta em frequncia de um circuito caracterizada pela funo de transferncia do
circuito, H(), definida como a razo entre a tenso de sada, VOUT(), e a tenso de entrada, VIN(), com a sada em aberto
(IOUT=0). Em geral, H() uma grandeza complexa:
H()=|H()|ej , onde |H()|=|VOUT/VIN| e a ddf entre a tenso de entrada e a tenso de sada.
IOUT
IIN
VIN()
( ,f)
H(,f)
1,0
0,7
Pontos 3 dB
VOUT
+
,f
Largura de banda
,f
(,f )ci
(,f )cs
c(i,s): frequncia de corte, c, (i: inferior; s: superior)
Define-se largura de banda de um circuito, LB, como o intervalo de frequncia, f, no qual o mdulo da funo de transferncia maior ou
igual a 1/2, ver grfico H(,f). (Ter presente que f=/2.) Quando ci=0, diz-se que o circuito um passa-baixo; se cs=, o circuito actua
como um passa-alto. Se 0<ci<cs<, o circuito actua como passa-banda, permitindo apenas a passagem de sinais de frequncia angular na
banda [cs, ci]. H ainda circuitos cuja resposta em frequncia pode ser representada como a combinao de um passa-alto (pa) com um passabaixo (pb), em que c-pb<c-pa: circuitos rejeita-banda. Estes no permitem a passagem de sinais de frequncia angular [c-pb, c-pa].
Decibel:
18-Sep-06
V
dB = 20 log OUT
V
IN
3 dB
VOUT (ci ) VOUT (cs )

1
=
=
VIN (ci )
VIN (cs )
2
1 / 2 ( 0.707)
Jos Figueiredo 49
Funo de Transferncia de Circuitos RC

Circuito RC Passa-Baixo
IOUT=0
i
R
VIN
Circuito RC Passa-Alto
H () = H () e j =
H () = H () =
VOUT
ZC
=
VIN
Z R + ZC
H () = H () e j =
1
1 + ( RC ) 2
VOUT
VOUT
ZR
=
VIN
Z R + ZC
RC
H () = H () =
1 + (RC ) 2
= tan 1 (1 / RC )
= tan ( RC )
VIN
VOUT
IOUT=0
A amplitude da tenso aos terminais do condensador (tenso de
Nesta montagem, a amplitude da tenso aos terminais da
sada VOUT), decresce medida que a frequncia do sinal de entrada,
resistncia (tenso de sada VOUT), decresce medida que a frequncia
VIN, aumenta.
do sinal de entrada, VIN, diminui.
frequncia
de
corte
deste
circuito,
c,
frequncia
de
corte
deste
circuito,
c,
|H(c)|=|VOUT/VIN|=1/2: =c=1/RC. A frequncia ci=0 e
|H(c)|=|VOUT/VIN|=1/2: =c=1/RC. A frequncia ci=1/RC e
cs=1/RC. A largura de banda LB=cs/2 - ci/2 =1/(2RC).
cs=. A largura de banda LB= , com fci=1/2RC.
O circuito se comporta como um filtro passa-baixo: s os sinais

de entrada de frequncia inferior a c so transferidos para a sada.
18-Sep-06
O circuito se comporta como um filtro passa-alto: s os sinais de

entrada com frequncia superior a c so transferidos para a sada.
Jos Figueiredo 50
Circuitos RLC Srie: Frequncia de Ressonncia

I
I=
L
VIN
V
,
Z
Z( ) =
1
1
X = L
= 0 L =
C
C
1
R =
LC
|Z()|
IOUT=0 V
OUT
ou
VIN
VIN
Vout
A largura de banda do filtro LB=fcs-fci, centrada em fR=1/(2LC).
/2
Filtro Ressonante Srie Rejeita-Banda
VIN ou IMax
ci R cs
18-Sep-06
I
R
/2
ZC
Filtro Ressonante Srie Passa-Banda

I
()
ZL
|Z()|
R: frequncia de ressonncia Srie

V
1
1
j
= R + j L +
= R + j L
= Z( ) e
I
j C
C
2
L
2
1
C
R + L
( ) = tan
,
C
R
Z=
IOUT=0 VOUT
VIN
R
L
C
Vout
ci R cs
A largura de banda do filtro LB=fcs-fci, centrada em fR=1 /(2LC).

Jos Figueiredo 51
Circuitos RLC: Filtros Ressonantes Paralelos

I
I=
VIN
V
,
Z
Z=
j L
j C
V
= Z R + Z L // Z C = R +
I
j L +
VOUT
2
Z () =
R2 +
,
2
1 LC
L
2
X =
= LC = 1
2
1 LC
1
R =
LC
R: frequncia de ressonncia Paralelo
|Z()|=|R+ZL//ZC|
2
( ) = tan 1 1 LC
R
|Z()|
ZC
VIN
VIN
VOUT
ci R cs
18-Sep-06
Filtro Ressonante Paralelo Passa-Banda
IOUT=0 VOUT
Filtro Ressonante Paralelo Rejeita-Banda

I
()
ZL
1
j C
j
= R + j
= Z () e
2
LC + 1
R
C
IOUT=0
VOUT
L V
OUT
ci R cs
Jos Figueiredo 52
Exerccio: Filtros RLC passa-baixo e passa-alto

(ver guio do 2 trabalho prtico)
Circuito RLC Passa-Baixo

i
R
VIN
H() =
L
C
IOUT=0 VOUT
VIN
VIN/2
1
C
R cs
R + j L
Factor de Qualidade
IOUT=0
VOUT
VOUT
ZC
=
=
VIN
Z R + ZC + Z L
Q(R ) =
Circuito RLC Passa-Alto
= Z() e j
VIN
VOUT
VIN
VIN/2
VOUT
ci R
H() =
VOUT
ZL
=
=
VIN ZR + ZC + ZL
energia armazenada I (R ) X L,C (R ) X L (R ) X C (R )

=
=
=
2
I (R ) R
R
R
energia dissipada
jL
1
R + j L
C
= Z() e j
Largura de banda
LB = f c, s f c,i =
fR
Q
a) Determine o mdulo e a fase da funo de transferencia dos circuitos representados. Represente graficamente em funo da
frequncia, o modulo e a fase da funo de transferncia.
b) Calcule o Q de cada circuito.
c) Os circuitos acima no so filtros passa-baixo e passa-alto verdadeiros, como pode concluir da anlise dos grficos acima.
Determine em que condies estes circuitos apresentam as funes de transferncia tpicas de filtros passa-alto e passa-baixo.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 53
Exerccio
Funo de Transferncia de Circuitos RL
Circuito RL Passa-Baixo
IOUT=0
VIN
VOUT
H () = H () e j =
H () = H () =
VOUT
ZR
=
VIN
ZR + ZL
R
R 2 + (L ) 2
= tan 1 ( L / R )
Circuito RL Passa-Alto
IOUT=0
VIN
H ( ) = H ( ) e j =
H ( ) = H ( ) =
VOUT
VOUT
ZL
=
VIN
ZR + ZL
L
R 2 + (L ) 2
= tan 1 ( R / L )
A amplitude da tenso aos terminais do resistncia (tenso de
Nesta montagem, a amplitude da tenso aos terminais da bobine
sada), decresce medida que a frequncia do sinal de entrada
(tenso de sada), decresce medida que a frequncia do sinal de
aumenta. O circuito comporta-se como um filtro passa-baixo: s os
entrada diminui. Nesta configurao, o circuito comporta-se como
sinais de entrada de baixa frequncia so transferidos para a sada.
um filtro passa-alto: s os sinais de entrada de alta frequncia so

transferidos para a sada.
A frequncia de corte deste circuito, c, :

|H()|=|VOUT/VIN|= 1/2 : =cs= c= R/L.
18-Sep-06
A frequncia de corte desta montagem, c, :

|H()|=|VOUT/VIN|= 1/2 : =ci= c= R/L.
Jos Figueiredo 54
Resposta Temporal em Circuitos RC

(Ver guia do 2 trab. Prtico.)
Um condensador comporta-se como um curto para variaes instantneas de corrente e como um circuito aberto para cc.
A tenso aos terminais de um condensador no pode variar instantaneamente. S pode variar exponencialmente.
Em termos de resposta temporal, um circuito srie RC com a tenso de sada tomada aos terminais do condensador, conhecido
como integrador. Este circuito, em determinadas circunstncias, realiza, de forma aproximada, a operao matemtica integrao.
Resposta do Circuito RC Integrador a um Impulso

R
VIN
VOUT
VIN
0
tL
C
tL>5
VIN
0
Tenso de carga
VIN
tL
VIN
Tenso de descarga
tL>5
O condensador s carrega/descarrega completamente se a largura/durao do impulso, tL, for igual ou superior a 5.
Resposta do Circuito RC Integrador a um Trem de Impulsos

R
VIN
0
Tenso de descarga
tL
T
C
tL>5
VIN
0
Tenso de carga
Tenso de descarga
tL
T
C
tL<5
Tenso de carga
A forma de onda na sada depende da relao entre a constante de tempo do circuito, , e o perodo do trem de impulsos aplicado, T.
A tenso de sada demora, aproximadamente 5 a atingir um valor mdio, independentemente do nmero de pulsos que ocorram no
intervalo 5 (perodo transitrio do circuito). Uma vez atingido o valor mdio da tenso de entrada, este mantm-se enquanto a onda
peridica de entrada de mantiver.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 55
Em termos de resposta temporal, um circuito srie RC em que a tenso de sada corresponde tenso aos terminais da resistncia
designado por diferenciador. Este circuito, em determinadas circunstncias, realiza, de forma aproximada, a operao matemtica
diferenciao.
Resposta do Circuito RC Diferenciador a um Impulso

C
VIN
VIN
VC
VIN
VC
VOUT
VIN
VIN
VIN
VIN
5
-VIN
Resposta do Circuito RC Diferenciador a um Trem de Impulsos

C
C
VIN
0
VIN
tL
R
T
tL>5
5
0
VIN
0
tL
R
T
tL<5
O mesmo tipo de anlise aplica-se aos circuitos RL e LR, tendo em conta que:
Uma bobine comporta-se como um aberto para variaes instantneas de corrente e como um curto-circuito para cc.
A corrente num indutor no pode variar instantaneamente. S pode variar exponencialmente.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 56
Exerccios
Exemplo 1: Determine IL,p, IL,ef, VR,p, VR,ef, VL,p, VL,ef e VC,p na
ressonncia. (Sol: 2.27 mA, 1.6 mA, 50 mV, 35.36 mV, 227 mV,
160.5 mV, 227 mV.) (Rever guio do 2 trabalho prtico).
RL
VS
10 V
22 100 100
VS
50 mV
Floyd 5Ed,
13-15
Exemplo 3: desprezando a resistncia da bobine, RB, determine a

frequncia de ressonncia do circuito e a correspondente tenso
aos terminais de RL. Repita os clculos considerando, agora, RB.
Este circuito passa- ou rejeita-banda ? (Sol: 277 Hz, 0 V; 249
Hz, 5.19 V.)
1 F
Na ressonncia e com RB=0:
Q=XL/RB=, fR=277 Hz
e VRL=12 V.
RB=250
VS
12 V
330 mH 1 k
Na ressonncia e com RB0:
XL=2fRL=516 ,
Q=XL/RB=2.06,
1 RB2C / L
1
Q2
ZR=RB(Q2+1)=1.31 k,
=
fR =
2
2 LC
2 LC Q +1
QuandoQ =
XL
1
>10, fR
RB
2 LC
RL
VS = 5.19 V
VRL =
RL + ZR
75 k
XC
XL
25 k
Floyd 5Ed, 13-7

60 k
Exemplo 4: Determine as formas de onda de sada e os valores de I, VR,
VL, para os circuitos da Figura. (Sol.: ver Floyd, pp. 704-720).
10 V
vIN
0
L=5 mH
tL
20 s
R
1.5 k
R=10 k
Floyd 5Ed, 13-58

18-Sep-06
Exemplo 2: Determine a tenso aos terminais de cada elemento, e

atravs do conjunto formado por L e C. (Sol: VR=9.08 V, VL=3.03
V, VC=7.26 V, VCL=4.23 V.)
R
5V
vIN
tL
10 s
L
200 mH
Floyd 5Ed, 15-36: =L/R=3.33ns;

tL=5=16.7 s: a corrente ir atingir o
seu mximo mantendo este valor at
ao fim do pulso. No incio do pulso:
V0 i=0 A, vR=0 V, vL=10 V (o indutor
actua como um aberto). Durante o
pulso: i, vR, e vL, variam
exponencialmente para 6.67 mA, 10
V e 0 V (o indutor actua como um
aberto), respectivamente. No fim do
pulso, todas as grandezas decaem
para zero.
Floyd 5Ed, 15-43*: =L/R=2 ns. Vin
comea por saltar de 0 para 5 V,
decaindo exponencialmente para 0.
V0 Como tL=5, a sada decai para 0 ao
fim de 10 ms. Neste, Vin cai de 5 V
para 0, o que implica que V0 salta de
0 para 5 V, decaindo novamente
para zero.
Jos Figueiredo 57
Resoluo
Exemplo 1: Determine IL,p, IL,ef, VR,p, VR,ef, VL,p, VL,ef e VC,p na ressonncia. (Sol: 2.27 mA, 1.6 mA, 50 mV, 35.36 mV, 227 mV,
160.5 mV, 227 mV.) (Rever guio do 2 trabalho prtico).
Res: Como XL=XC, a frequncia do sinal VS igual frequncia de ressonncia do circuito. Neste caso Z=R, donde resulta que a
corrente que percorre o circuito RLC srie mxima e igual a VS/R, i.e., IP=VS/R=2.27 mA. Aplicando a lei de Ohm: Vp,R=IpR=50
mV; VL,p= IpXL=227 mV; VC,p=IpXC=227 mV; correspondentes valores eficazes so dados por Vef=Vp/2, Ief=Ip/2. Toda a tenso
da fonte aparece aos terminais da resistncia. (Na ressonncia as tenses VL,p e VC,p, so iguais, mas esto oposio de fase, i.e., a
tenso reactiva total igual a zero.)
Exemplo 2: Determine a tenso aos terminais de cada elemento, e atravs do conjunto formado por L e C. (Sol: VR=9.08 V, VL=3.03
V, VC=7.26 V, VCL=4.23 V.)
Res: A reactncia total Xtotal=|XL-XC|=35 k. A impedncia total da srie 82.8 k. Aplicando a lei de Ohm, IP=VS/Z+=121 A;
VR,p=IpR=9.08 V; VL,p= IpXL=3.03 V; VC,p=IpXC=7.26 V; VC,L=IpXtotal=4.23 V. A ddfase entre VS e I dada por =arctan(Xtotal/R)=0.436 (-250); a ddfase entre I e VS +250. Como o circuito capacitivo (XC>XL) a corrente no circuito est adiantada relativamente
tenso VS em 250.
Mtodo alternativo: A impedncia da srie Z=R+j(XL-XC)=75 k-j35 k. Aplicando a lei de Ohm: I=VS/Z=10/(75 k-j35
k)=(10 V)(75 k+j35 k)/(82.8 k)2=0.11 mA+j0.05 mA; IP(1102 +502) A121 A; fase I=arctan(50/110)250. VC=(-j60
k)I=-j6.6 V +3 V=3 Vj6.6 V; VCp7.26 V, fase Vc=arctan(-6.6/3)-650. VL=(+j25 k)I=j2.75 V -1.25 V=-1.25 V+j2.75 V;
VLp3.02 V, fase VL=arctan(2.75/-1.25)1150. VCL=(-j35 k)I=-j3.85 V +1.75 V=1.75 V-j3.85 V; VCLp4.23 V, fase VL=arctan(3.85/1.75)-650.
Ver mais exemplos, por exemplo, em Electrnica Analgica, Antnio Padilla, pags. 61 a 72.
Exemplo 3: ver exemplos Floyd, captulo RLC Circuits and Resonance
Exemplo 4: ver exemplos Floyd, captulo Pulse Response of reactive Circuits
18-Sep-06
Jos Figueiredo 58
Amplificador Operacional
Microelectronics Circuits, A. S. Sedra & K. C. Smith, Saunders College Publishing,

captulos 1-2:
18-Sep-06
Jos Figueiredo 59
Amplificador Operacional
O Amplificador Operacional (AMPOP) um dos componentes mais usados em electrnica. A simplicidade conceptual e a
versatilidade so a chave da sua vasta e diversificada utilizao. Inicialmente, os amplificadores operacionais eram implementados
sobretudo em circuitos de componentes discretos (em conjuno com resistncias e condensadores) para implementar filtros ou
montagens amplificadoras. Actualmente, so apresentados em circuitos integrados, formando um blocos bsico facilmente integrvel
em sistemas bastante complexos, como conversores analgico-digital e digital-analgico, osciladores, sintetizadores, filtros
analgicos, circuitos optoelectrnicos e perifricos de comunicao (e.g. placas de rede, placas de som, portas de comunicao). So
tambm muito empregues em aparelhos de medida e em diversos electrodomsticos e em automveis. Isto , a sua utilizao quase
universal.
O AMPOP pode ser analisado como um componente com trs zonas de operao distintas: a zona de saturao negativa, a zona
linear e a zona de saturao positiva (ver figura abaixo). suposto o amp-op detectar apenas a diferena de tenso entre os
terminas de entrada, v+-v-, multiplicando-a por uma quantidade A, de forma que sada aparece uma tenso v0=A(v+-v-). Esta a zona
de funcionamento linear, em que a tenso no terminal de sada do AMPOP v0 proporcional ddp entre os terminais de entrada, + e
-. A constante de proporcionalidade (ganho esttico) - aqui identificada como A , em geral, um valor muito elevado (100 000). A
maioria dos amp-ops integrados so alimentados usando fontes de tenso bipolares VCC (os dois terminais de alimentao esto
representados na segunda figura abaixo como V+ e V-). Notar que a tenso de sada nunca pode ser superior tenso de alimentao.
Do ponto de vista de sinais, o AMPOP apresenta trs terminais (ver figura abaixo): dois terminais de entrada (terminal inversor,
1) e + (terminal no-inversor, 2), e um terminal de sada (3).
AMPOP Ideal
AMPOP Real
V+VCC
I+
v0 = A(v+ v ), v0 < VCC
18-Sep-06
I-
V --VCC
V0
RL
Rout = 0
~-VCC/A
A = (v + = v )
Rin = ( I + = I = 0)
se A >> 1, v+ v
i0
3
1
_
V1 +- i 0
A(v -v )
1
Rin 2+ 1
2
+
Rout
V2 +- i 0
2
V +VCC
+
~+VCC/A
(v+-v-)
v0 = A(v+ v ), v0 < VCC
V --VCC
Jos Figueiredo 60
Ter em ateno que o valor mximo do mdulo da tenso de sada v0 sempre menor ou igual a VCC, de acordo com o
princpio de conservao da energia. Na zona de funcionamento linear, a diferena das tenses nos terminais de entrada, v+ e v-,
muito pequena, por ser inversamente proporcional a A. Uma vez que o valor mximo do mdulo da tenso de sada v0 sempre
inferior a VCC, e, em geral A>>1, na regio de funcionamento linear verifica-se que v+v-. Esta condio permite simplificar,
significativamente, a anlise de circuitos contendo amp-ops em funcionamento no regime linear.
As zonas de saturao negativa e positiva correspondem s situaes em que a tenso no terminal de sada limitada pelas tenses
de alimentao inferior (-VCC) e superior (+VCC) do AMPOP. Esta situao pode dever-se: a) ao facto de o amplificador no estar realimentado ou estar re-alimentado positivamente; b) na consequncia de a tenso de sada tentar superar os extremos de alimentao
do circuito (aqui definidos com VCC e +VCC), saindo portanto da zona de operao linear. Nestas duas zonas vlida uma das
seguintes expresses: v0 VCC, v+>v- e v0 -VCC, v->v+.
A resistncia de entrada, Rin, de um amp-op ideal infinita, donde resulta que i+=0 e i-=0. suposto o terminal de sada de um
amp-op ideal actuar como uma fonte ideal de tenso, i.e., a tenso entre ao terminal de sada e o comum (terra) deve ser sempre A(v+v-) e independente da corrente no terminal de sada i0. Em resumo, a resistncia de sada do ampop ideal R0 nula, R0=0.
A sada do amp-op v0 est em fase com v+ e em oposio de fase com v-: o terminal de entrada + designado terminal no-inversor e
o terminal referido como terminal inversor. O amp-op ideal s responde ao sinal diferena (v+-v-), i.e., o amp-op apresenta
rejeio de modo comum infinita. O amplificador operacional um amplificador de entrada diferencial e de sada nica. O parmetro
A designa-se ganho diferencial, tambm referido como como ganho em malha/circuito aberto do amp-op. Idealmente, a largura de
banda do ampop ideal infinita, i.e., o ganho A independente da frequncia do sinal de entrada. Idealmente, A=. A condio
v+v- s vlida na zona linear. Em qualquer das zonas de funcionamento verifica-se que i+i-0, assumindo Rin>>1.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 61
O Amplificador u741
(ver guias dos trabalhos 3 e 4)
O primeiro circuito-integrado amplificador operacional, o A 709, surgiu em meados dos anos 60 e compreendia um nmero
considervel de transstores e resistncias (todos implementados na mesma bolacha de silcio). Embora, a sua qualidade fosse baixa
(para os padres actuais) e o seu preo ainda fosse elevado, o seu aparecimento significou o nascimento de uma nova era no projecto
de circuitos electrnicos analgicos. Em poucos anos, o uso do amp-op generalizou-se, e o seu preo caiu em flecha. De ento para
c, os fabricantes de semicondutores, respondendo demanda, quer em quantidade quer em qualidade, fornecem circuitos de elevada
qualidade e a preos baixssimos (alguns cntimos). A figura abaixo apresenta de forma esquemtica o circuito interno do
amplificador u741 (introduzido pela primeira vez em 1968 pela Fairchild Semicondutor, E.U.A). O amp-op 741 um dos mais
populares e profcuos modelos jamais fabricados e ser utilizado neste trabalho.
A figura abaixo mostra o u741 de encapsulamento dual
in line de 8 e 14 pinos (DIL-8 e DIL-14). No diagrama
da figura esto tambm representadas as ligaes
internas (que dependem do fabricante, do modelo e da
caixa; indicadas nas folhas de caractersticas do
componente data sheets).
18-Sep-06
Jos Figueiredo 62
Principais Limitaes dos Amplificadores Operacionais

O AMPOP um componente com duas entradas e uma sada. Idealmente, os terminais de entrada tm uma impedncia muito
elevada (que pode considerar-se como infinita) semelhantes impedncia de entrada de um voltmetro. Esta caracterstica torna-o
escolha obvia na construo de circuitos de interface, pois no altera significativamente o funcionamento do circuito que est a
monitorizar. Geralmente, as entradas do AMPOP so transstores MOS, o que lhe confere correntes de entrada desprezveis e
impedncias de entrada muito elevadas, que deste modo no carregam a sada do bloco precedente. O terminal de sada do AMPOP
desenhado de forma a poder fornecer, facilmente, corrente sendo, tipicamente, dimensionado de modo a conseguir atacar os andares
seguintes com o menor dispndio de energia possvel. A capacidade de fornecer corrente sem degradar os valores da tenso de sada
traduz-se numa baixa impedncia de sada.
Tenso de offset
Em geral, quando v+=v-, a sada no zero. A tenso de offset a diferena de potencial aplicada s entradas do AMPOP (entre o
terminal v+ e v-) de modo a obter uma tenso de sada igual a zero. Esta no idealidade do AMPOP deve-se essencialmente ao
desemparelhamento do par diferencial de entrada do AMPOP (ver pgina anterior).
Limitao de ganho
O valor do ganho esttico (ganho frequncia zero, i.e., ganho DC) do AMPOP no infinito, tipicamente varia entre 40 dB (100) e
100 dB (100000). O desvio na tenso de sada associado a esta limitao inversamente proporcional ao valor do ganho. Como
mostra a figura abaixo, o ganho dinmico do AMPOP diminui com a frequncia.
fb
18-Sep-06
ft
Largura de banda finita e produto ganho-largura de banda

A existncia de capacidades parasitas nos terminais do AMPOP e nos
seus ns internos faz com que, a partir de determinada frequncia
(representada na figura ao lado como fb, tipicamente entre 10 kHz e 10
MHz), o ganho do amplificador diminui consideravelmente at se tornar
inferior a um, i.e., menor que 0 dB. Define-se a largura de banda do
AMPOP como o intervalo de frequncias para o qual o ganho superior
unidade, ou seja 0 dB, que na figura corresponde a [0, ft], sendo neste
caso a largura de banda igual a ft.
Um parmetro importante o produto ganho-largura de banda.
Jos Figueiredo 63
Slew-rate
Esta uma caracterstica no linear do AMPOP que est relacionada com a corrente mxima que o
AMPOP consegue fornecer na sada. Esta limitao traduz-se na existncia de um mximo para
dv0/dt, ou seja por um declive mximo da tenso de sada do AMPOP. Os valores tpicos so da
ordem dos 10 V/ms a 1000 V/ms. A forma mais comum de medir a slew-rate observando a resposta
do AMPOP em montagem seguidora a uma tenso em degrau. A mxima derivada da tenso de
sada na figura assinalada como SR corresponde slew-rate.
Impedncia de sada
Apesar de ser desejvel que os AMPOPs apresentem baixa impedncia de sada, isso implica um elevado consumo de potncia.
Desta forma o dimensionamento , geralmente, um compromisso entre o valor da impedncia de sada e o consumo. Assim, os
AMPOP comuns tm, frequentemente, impedncias de sada relativamente elevadas (da ordem de 1 k a 100 k). Contudo, em cada
aplicao, a escolha do AMPOP deve ter em conta a impedncia da carga que o AMPOP vai atacar, de forma a que a sua operao
no seja prejudicada por uma impedncia de carga demasiado baixa (quando comparada com a impedncia de sada do AMPOP).
Efeito das limitaes do AMPOP em circuitos prticos
Quando usados na construo de conversores, filtros activos, montagens de ganho, o efeito destas no idealidades, relativamente ao
modelo ideal do AMPOP, frequentemente determinante no desempenho destes sistemas. O efeito da tenso de offset e da limitao
de ganho na generalidade das montagens re-alimentadas, faz-se sentir num erro na tenso de sada da ordem de grandeza da tenso de
offset (tipicamente entre 1 mV e 100 mV), e/ou da ordem de grandeza do inverso do ganho esttico do AMPOP. Esta limitao
determina frequentemente a resoluo mxima que se pode obter (e.g., no caso dos conversores A/D ou D/A). Por sua vez, a limitao
na largura de banda (e ocasionalmente a slew-rate) determinam a velocidade mxima de operao do AMPOP, i.e., a frequncia
mxima dos sinais de entrada e sada ou a velocidade de comutao do amplificador. Esta no idealidade determina, geralmente, a
velocidade mxima na implementao de conversores A/D e D/A ou a frequncia mxima de operao no caso de filtros activos e
montagens de ganho.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 64
O AMPOP como Detector de Zero

(ver guia do trabalho 3)
A aplicao mais simples do AMPOP na realizao de um circuito detector de zero como o apresentado
na figura ao lado. Consiste em ligar um dos terminais ao comum do circuito e o sinal a analisar ao outro
terminal de entrada. Neste exemplo o terminal v- do AMPOP ligado massa e o terminal v+ a uma fonte de
sinal sinusoidal. Como acontece nos demais circuitos no-realimentados, o AMPOP opera na zona no-linear
(saturao).
Neste caso, para valores de vi inferiores a 0 V a diferena de potencial (v+-v-) negativa, pelo que o dispositivo satura
negativamente, i.e., v0=-VCC. Reciprocamente, para valores de vi superiores a 0 V, a ddp entrada (v+-v-) positiva e o dispositivo
satura positivamente, i.e., v0=-VCC. Este circuito usado para detectar a alterao de polaridade (passagem por zero) do sinal de
entrada e gerar um bit com a informao correspondente passagem por zero do sinal de entrada [e.g. 1 (um) quando o sinal passa
de negativo a positivo; 0 (zero) quando o sinal passa de positivo a negativo].
Vref
O AMPOP como Comparador
Outra aplicao simples do AMPOP na implementao de um circuito comparador como o apresentado

na figura ao lado. Consiste em ligar um dos terminais a uma tenso de referncia e o outro terminal ao sinal a
analisar. Neste exemplo uma fonte de tenso Vref ligada ao terminal v- do AMPOP e o terminal v+ a uma
fonte de sinal sinusoidal. Como acontece no circuito anterior, este tambm um circuito no-realimentados,
com o AMPOP operando na zona no-linear (saturao).
Neste caso, para valores de vi inferiores a Vref, a diferena de potencial (v+-v-) negativa, pelo que o dispositivo satura negativamente.
Reciprocamente, para valores de vi superiores a Vref, a ddp entrada (v+-v-) positiva e o dispositivo satura positivamente.
Tipicamente, este circuito usado para comparar dois sinais (ou nveis de tenso) e gerar um bit com a informao correspondente
ordem relativa dos valores de tenso dos sinais (e.g. Alto A maior que B, Baixo - A menor que B). Geralmente um dos nveis de
tenso a comparar uma tenso constante (e.g., conversores A/D e D/A). A presena de rudo em qualquer dos terminais pode
provocar erros na determinao do valor lgico do nvel de sada do AMPOP, pelo que existem vantagens em introduzir algumas
alteraes ao circuito de modo a realizar um comparador Schmitt-trigger, que ser analisado mais adiante.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 65
Montagens em Malha Aberta na Placa de Teste

(Montagens sem re-alimentao: detector de zero )
UA741
vout
vout
vin +
-
+
- vin
sinal de sada
canal 2
osciloscpio
sinal de sada
canal 2
osciloscpio
Placa de teste
VCC+
+15 V
UA741
sinal do
gerador
canal 1
osciloscpio
VCC-15 V
18-Sep-06
terra do
gerador
osciloscpio
VCC+
+15 V
UA741
sinal do
gerador
canal 1
osciloscpio
VCC-15 V
terra do
gerador
osciloscpio
Jos Figueiredo 66
O AMPOP com Re-alimentao
vout
+
- vin
vin +
-
vout
As montagens com amplificador operacional da figura ao lado, montagens em malha aberta, s

so utilizveis para amplificao linear quando a amplitude do sinal de entrada extremamente
pequena: (v+-v-)<|VCC|/A, porque, em geral, |VCC|<20 V e A>>1. Tipicamente, (v+-v-) mxima da
ordem de dezenas de microvolt. A aplicao do amplificador operacional em malha aberta seria
muito maior se o respectivo ganho fosse bastante menor.
Contudo, possvel, atravs da adio de uma malha externa s montagens anteriores, controlar o ganho efectivo do circuito
global (amp-op em malha aberta + malha externa) e, simultaneamente, outras caractersticas do amplificador. Pode-se obter um ganho
efectivo, praticamente, independente do ganho do amp-op em malha aberta, utilizando o conceito de re-alimentao negativa
(negative feedback). A independncia do ganho efectivo tanto maior quanto maior for o ganho em malha aberta.
v0/vi=-R2/R1
Diz-se que um ampop est re-alimentado quando h a injeco de parte do sinal de sada numa
das entradas, tipicamente atravs de uma resistncia ou de um condensador (ver exemplo na figura
ao lado, onde R2 actua como elemento de re-alimentao). A re-alimentao negativa se a
fraco do sinal de sada for aplicada entrada inversora. As montagens amplificadoras com realimentao negativa so estveis e, geralmente, operam na zona linear. Estas montagens so
as mais comuns. A re-alimentao negativa altera significativamente o ganho, a largura de banda,
e as impedncias de entrada e de sada das montagens. Por exemplo, o ganho efectivo final da
montagem tanto mais independente do ganho em malha aberta quanto maior for este.
Algumas montagens com funes lineares genricas como somar, subtrair e escalar (i.e. multiplicar por um ganho) podem ser
realizadas custa de circuitos simples com um AMPOP e algumas resistncias: circuitos lineares. A generalidade das montagens
com AMPOPs esto dentro deste grupo, nomeadamente as montagens de ganho, filtros activos, somador, e subtractor, entre outros.
Nas montagens amplificadoras com re-alimentao positiva uma fraco do sinal de sada aplicada entrada no-inversora.
Em geral, estas montagens so instveis, podendo oscilar entre as duas zonas de saturao do amplificador. Os exemplos mais
comuns de aplicaes que tiram partido deste comportamento so os circuitos osciladores multivibradores, como o oscilador de Wien
ou o aestvel. Outro exemplo o comparador Schmitt-trigger (este circuito tem dois estados estveis e uma zona de histerese, sendo
por vezes referido como circuito bi-estvel).
18-Sep-06
Jos Figueiredo 67
O AMPOP com Re-alimentao Negativa: Circuitos Lineares
Em montagens com re-alimentao negativa, desde que a tenso de sada seja inferior s tenses de alimentao, o AMPOP est na
zona linear, e so vlidas as seguintes relaes: v+v-, i-=i+=0. Em circuitos em que o sinal a amplificar aplicado entrada
inversora (circuitos no diferenciais), usual o terminal v+ estar ligado massa, directamente ou atravs de uma resistncia, pelo que,
devido ao ganho elevado do AMPOP, v- est ao potencial da massa: isto , v-v+~0 V. Nesta situao comum designar o terminal vcomo massa virtual, dado que, embora no esteja ligado massa (como acontece com v+) a sua tenso aproximadamente 0 V.
Na anlise dos circuitos com ampops consideram-se os ampops ideais, i.e., em malha aberta os ampops apresentam as
seguintes caractersticas: resistncia de entrada infinita, ganho infinito e resistncia de sada nula.
Montagem Inversora
Esta montagem usada para escalar um sinal. O sinal de entrada multiplicado por um ganho
negativo, pelo que a polaridade invertida. O circuito composto por um ampop em que a sada
est ligada ao terminal v- atravs da resistncia de re-alimentao R2. Facilmente se deduz que a
tenso de sada igual tenso de entrada multiplicada pela razo -R2/R1. O terminal v- tem uma
tenso muito baixa (tipicamente desprezvel) cujo valor ser -vo/A, e pode ser considerada uma
massa virtual. Desde que a tenso de sada no atinja as tenses de alimentao, o ampop est na
zona linear, e so vlidas as relaes:
v0/vi=-R2/R1
Av,amp=, v-v+=0 V, ii=i1=(vi-v-)/R1, i2=-v0/R2, Ri,amp=, ii=i1=i2, vi/R1=-v0/R2,

obtendo-se: v0=-iiR2=-(vi/R1)R2=-(R2/R1)vi.
A resistncia de entrada desta montagem ~R1 (geralmente, muito inferior resistncia de entrada do ampop em malha aberta).
A resistncia de sada da montagem , em geral, muito inferior resistncia de sada do ampop em malha aberta. A resistncia de realimentao R2 est alimentada por uma fonte de corrente ii=vi/R1. A montagem comporta-se como um amplificador de
transresistncia/transimpedncia: v0ii. O ganho de transresistncia : Atr=v0/ii=-R2.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 68
Montagem No-Inversora
Esta montagem semelhante montagem anterior. No entanto, o sinal de entrada , neste caso,
multiplicado por um ganho positivo, pelo que a polaridade no invertida. O terminal vacompanha a tenso de entrada v+=vi, pelo que facilmente se deduz que a tenso de sada igual
tenso de entrada multiplicada pela razo (R2+R1)/R1. Assim, desde que a tenso de sada no atinja
as tenses de alimentao, so vlidas as relaes:
v0/vi=1+R2/R1
Av,amp=, v-v+=vi, Ri,amp=, i-=i+=0, v-=v0R1/(R1+R2), i1=-v-/R1=-vi/R1, i1=i2=(vi-v0)/R2,

obtendo-se: v0=(1+R2/R1)vi.
A resistncia de entrada desta montagem , geralmente, muito superior resistncia de entrada do ampop em malha aberta.
A resistncia de sada da montagem , em geral, inferior resistncia de sada do ampop em malha aberta.
Montagem Seguidora com AMPOP
O circuito seguidor representado na figura ao lado um circuito to simples quanto prtico. composto
apenas por um ampop em que a sada est ligada ao terminal v-. Facilmente se deduz que a tenso de sada,
que igual a v-, acompanha a tenso no terminal v+ desde que no sejam atingidas as tenses de
v0/vi=1
alimentao do ampop (caso em que o dispositivo entra na zona de saturao):

v0=v-=v+=vi, isto , Av 1.
A montagem seguidora comporta-se como um amplificador de corrente.

Esta montagem tem como principal funo tirar partido da elevada impedncia de entrada e da pequena impedncia de sada do
ampop de modo a isolar electricamente dois blocos de circuitos independentes ligados em cascata. muitas vezes usada como bloco
de sada de variados circuitos elctricos ou como circuito tampo/interface entre dois circuitos.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 69
Montagens com Re-alimentao na Placa de Teste

Montagem Inversora
UA741
vin
R2
741
+
R1
Montagem No-Inversora
vin
vout
R3
R3
+
741
-
vout
R2
R1
sinal de sada
canal 2
osciloscpio
sinal de sada
canal 2
osciloscpio
Placa de teste
VCC+
+15 V
UA741
R3
R2
R1
18-Sep-06
VCC+
+15 V
VCC-15 V
sinal do
gerador
canal 1
osciloscpio
terra do
gerador
osciloscpio
UA741
R3
R2
R1
VCC-15 V
sinal do
gerador
canal 1
osciloscpio
terra do
gerador
osciloscpio
Jos Figueiredo 70
Circuitos Operativos com AMPOPs
possvel usando circuitos com amp-ops realizar operaes matemticas, de diferentes nveis de complexidade, sobre sinais. Estes
circuitos constituam a base dos antigos computadores analgicos (completamente ultrapassados pelos computadores digitais). As
operaes incluem a soma, a subtraco, o produto, a diviso, a diferenciao, a integrao de funes, e a resoluo de sistemas de
equaes diferenciais com vrias incgnitas.
Circuito Somador com AMPOP
Nesta montagem a tenso de sada proporcional soma dos sinais aplicados s entradas (neste
caso duas). Considerem-se v1 e v2 como os dois sinais genricos aplicados entrada inversora do
circuito. Tendo em conta a lei dos ns, verifica-se que as correntes i1 e i2, proporcionais s entradas
v1 e v2, respectivamente, so somadas no n v-, dando origem corrente i, que impe a tenso de
sada atravs da resistncia de re-alimentao Rf.
Como o terminal v+ est ligado massa, o terminal v- pode ser considerado uma massa virtual: v-v+=0 V. Assim, e desde que a
tenso de sada seja inferior s tenses de alimentao, so vlidas as seguintes equaes: v-v+=0 V, i1=v1/R1, i2=v2/R2, v0=-iRf,
if=i1+i2, obtendo-se: v0=-Rf(v1/R1+v2/R2). O comportamento muito semelhante ao da montagem inversora. Como se verifica, a sada
a soma ponderada das tenses de entrada (embora com polaridade invertida). Tipicamente so utilizados valores de R1, R2 e Rf
iguais de modo que vo seja igual soma de v1 com v2.
Circuito Subtractor com AMPOP
Este circuito com duas entradas semelhante ao somador e usado para subtrair dois sinais v1 e v2. A
resoluo deste circuito bastante facilitada se se usar o princpio de sobreposio, tendo em ateno
que a tenso no terminal v+ imposta pelo divisor resistivo R3 e R4, e que a tenso no terminal v- igual
tenso em v+ desde que o amp-op no entre na zona de saturao. Assim so vlidas as relaes v+v=[R4/(R3+R4)]v2, i1=(v1-v-)/R1, i1=i2=(v--v0)/R2, donde resulta:
v0=-(R2/R1)v1+[R4/(R3+R4)][(R1+R2)/R1]v2.
A tenso de sada a subtraco ponderada das tenses de entrada. Se os valores das resistncias utilizadas forem todos iguais (i.e.,
R1=R2=R3=R4=R), a sada v0 igual a v2v1, i.e., a subtraco entre os dois sinais de entrada.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 71
Exerccios
1. Considerando que o ganho e a resistncia interna do amplificador so muito elevados, determine a tenso de sada para o circuito
abaixo. Justifique todas as aproximaes que realize.
9 k
1 k
V3
V1
V2
i1k
V3
2 k
V0
3 k
i9k
i-
1 k
2 k
9 k
v-
i+
V0
v+
3 k
9 k
i-
1 k
2 k
V1
v-
i+
V0
v+
3 k
A resoluo simples se se aplicar o princpio da sobreposio. Tendo em conta que a resistncia de

entrada e o ganho em malha aberta so muito elevados e admitindo o funcionamento do amp-op no regime
linear, verifica-se que v+ v- e i+= i-0.
Comeando por considerar primeiro o efeito da tenso v3 (curto-circuitando as outras duas fontes) desenhar o circuito na folha de respostas - obtm-se a montagem amplificadora inversora: v+=0 V v+0 V
(terra virtual). Assim: i1k=v3/1k e v03=v-9ki1k=-9v3, v03=-9v3.
Efeito da tenso v1 (curto-circuitando as outras duas fontes - desenhar o circuito na folha de respostas):
tendo em conta as propriedades do amp-op referidas atrs, a tenso na entrada no-inversora dada por:
v+=v13k/(2k+3k)=3/5 v1 (divisor de tenso). Como v+=v- e v-=v011k/(1k+9k) [divisor de tenso], obtm-se
v01=(1k+9k)/1k 3/5 v1=6v1 (ver amplificador no-inversor).
Efeito da tenso v2 (curto-circuitando as outras duas fontes - desenhar o circuito na folha de respostas):
tendo em conta as propriedades do amp-op referidas atrs, a tenso na entrada no-inversora dada por:
v+=v22k/(2k+3k)=2/5 v2 (divisor de tenso), como v+=v- e v-=v021k/(1k+9k) [divisor de tenso], obtm-se
Da soma de todos os efeitos resulta v0= 6v1+4v2-9v3.
Sempre que o circuito seja significativamente simplificado/alterado deve ser redesenhado na folha de
respostas do exame.
2. Determine a tenso de sada para os circuitos abaixo. Justifique todas as aproximaes que realize.
i9k
i1k 1 k i
V1
i+
1 k
V0= - 10V1
18-Sep-06
9 k
10 k
V1
V0
V2
V1
V2
1 k
2 k
3 k
V0=+6V2 - 9V1
V0
V3
2 k
9 k
V1
V2
2 k
3 k
V0= +10V3 - 5V1 - 5V2
V0
V3
2 k
2 k
3 k
9 k
10 k
10 k
V00
3 k
V0
V0= -V00= -10V3 + 5V1 + 5V2.

Jos Figueiredo 72
Montagem Integradora com AMPOP

O circuito integrador um bloco fundamental na implementao de filtros RC
v0=-vC =-q/C
activos. Esta montagem pode ser analisada de um modo muito simples se for
comparada com a montagem inversora. Assim, substituindo R2 pela impedncia
equivalente do condensador C, so vlidas as relaes v-v+=0 V, i1=vi/R, i1=i2=-v0/ZC,
onde s=j
obtendo-se: v0=-(1/jCR) vi.

O ganho da montagem : |v0/vi|=(1/CR).
A tenso de sada proporcional ao integral do sinal de tenso aplicado entrada. O ganho do integrador 1/RC, pelo que a sada
ser simtrica ao sinal de entrada integrado no tempo.
Montagem Diferenciadora com AMPOP

v0=-iR=-Cdq/dt
O circuito diferenciador tambm usado na implementao de filtros RC-activos. O

circuito pode igualmente ser analisado como uma montagem inversora em que R1
substituindo pela impedncia equivalente do condensador C, pelo que se tem v-v+=0 V,

onde s=j
i1=vi/ZC=jCvi, i=i1=i2, i.e., vi/ZC=-v0/R, obtendo-se: v0=-jCRvi.

O ganho da montagem : |v0/vi|=CR.
Deste modo, a tenso de sada proporcional derivada do sinal de tenso de entrada em ordem ao tempo. O ganho RC, pelo
que tambm neste caso a sada ser simtrica derivada temporal do sinal de entrada. Ter em ateno, como foi referido
anteriormente, que os circuitos integradores e diferenciadores RC simples s executam bem a respectiva funo para sinais com
frequncia num intervalo de frequncias finito.
As montagens integradora e amplificadora com amp-ops seriam integradores e diferenciadores perfeitos se o ganho de
tenso em malha aberta e a largura de banda fossem infinitos. Outra limitao imposta pela tenso de alimentao, que ,
em geral, 15 V.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 73
Exerccios
1. Considerando que o ganho e a resistncia interna do amplificador so muito elevados, determine as amplitudes da tenso de entrada Vin, da
tenso aos terminais da resistncia de carga V0, e das correntes indicadas, assumindo Vg=100 mV. Repita o exerccio considerando que a
resistncia do gerador Rg zero. Justifique todas as aproximaes que realize.
Vg
R2=50 k I
2
Rg=1 k
I1
II3 I4
R1=4 k I
+
Vin
R
R3=1 k
100
V
0
2. Determine a tenso de sada para os circuitos abaixo. Indique as vantagens do segundo circuito em relao ao primeiro.
Justifique todas as aproximaes que realize.
9 k
Vin
i1 k
R3
R2
R2
R4 R3
v
R
R
Vin 1
Vin 1
i+
R1 R4
2 k
v1
Vout
v
V0
V0
3. No circuito da Figura o sinal sinusoidal do gerador tem valor

eficaz 100 mV e frequncia 10 kHz. a) Calcule a tenso Vout. b)
Esboce, com algum rigor, as tenses de sada e de entrada em
funo do tempo. Justifique todas as aproximaes que realize.
C1
R1=10 k
18-Sep-06
10 k
RL=1 k
R2
Vout
R2=10 k I2
I1
Vout
R5
4. No circuito da Figura o sinal sinusoidal do gerador tem

amplitude 100 mV e frequncia 10 kHz. a) Calcule a tenso Vout. b)
Determine as correntes I1, I2, I3, e I4. c) Qual ser a tenso
diferencial se o ganho em malha aberta do amp-op for A=100 000?
2 nF
Vin
R2
3 k
Vin
C1
0,1 uF
I3
I4
RL=1 k
Vout
Jos Figueiredo 74
Dodos e Aplicaes
Microelectronics Circuits, A. S. Sedra & K. C. Smith, Saunders College Publishing,

captulo 3
Dodo (do grego, duas vias): vlvula terminica muito usada como rectificador de corrente, constituda por dois
elctrodos (ctodo e nodo) em gs nobre muito rarefeito; dispositivo semicondutor substituto da vlvula
terminica; vlvula terminica constituda por um tubo de vcuo de vidro com dois elctrodos (ctodo e nodo),
utilizada sobretudo para rectificar corrente alternada.
Rectificar v. tr. tornar recto; alinhar; tornar exacto; achar o comprimento de (uma curva); (fig.) corrigir; emendar; purificar (lquidos);
converter (uma corrente alternada) em contnua. (Do fr. rectifier, id.) Vd. ratificar.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 75
Dodo de Juno Ideal

(Estudar guias dos 5 e 6 trab. Prticos.)
At agora foram estudados circuitos lineares. Contudo, h vrias funes que s podem ser desempenhadas por elementos/circuitos nolineares. Os exemplos incluem a gerao de uma corrente directa a partir de uma corrente alternada, bem como de outras formas de onda. Claro
est que os circuitos digitais so, tambm, circuitos no-lineares.
O elemento no-linear mais simples e fundamental de um circuito no linear o dodo rectificador. Tal como uma resistncia, um dodo
tem dois terminais. Porm, e ao contrrio de uma resistncia que apresenta uma relao corrente-tenso linear, o dodo apresenta uma
caracterstica I-V no-linear.
Um dodo rectificador consiste numa juno semicondutora p-n. Para alm de poder funcionar como um dodo rectificador, a juno p-n
a base de muitos outros componentes electrnicos e optoelectrnicos de estado slido, incluindo os transstores bipolares e os dodos laser.
Dodo IDEAL
nodo
(emissor)
VD
ID
+
=0:
ID>0, VD
+10 V
R=1 k
Ctodo
(colector)
polarizao
inversa
polarizao
directa
ID=10
mA
V
Vp
Vp
t vi
D
R
vo
VD
resistncia
elevadssima
VD<0, ID=0:
Vp
R=1 k
ID=0 mA
+ VD=10 V
t vi
-10 V
+
- VD=0
18-Sep-06
vo
vi
ID
Vp
t vi
vo
Vp
t
Vp
D
R
vo
Jos Figueiredo 76
Caracterstica Corrente-Tenso de uma Juno p-n de Si

ID
zona de franca
conduo
30 mA
Tangente
20 mA
-100 VR
-50
zona de bloqueio
-1A
-3 A
zona de avalanche
=1/rD(V)
10 mA
-100 mA
0.5 V
D0
1.0
1.5
VD (V)
No 3 quadrante da
curva I-V, tm-se I=-IS,
enquanto V|<|VR|
(IS,Si=1 nA; IS,Ge=1 A).
Modelo aproximado de um dodo de juno p-n

dodo ideal
A curva caracterstica tpica de um dodo de juno p-n

apresenta trs regies distintas:
- regio de polarizao directa (V>0)
- regio de polarizao inversa (V<0)
- regio de ruptura ou avalanche (V-VR)
VR: Tenso de ruptura
No 1 quadrante da caracterstica I-V, a corrente
dada, aproximadamente, por:
eV
eV
1, com I S exp D0
I (V ) I S exp
2k BT
2k BT
Exemplo:
VD0
VD0~0.7 V
VD0
5V
ID
ID
1 k
8V
1 k
5V
VD0
~0.7 V
dodo
ideal
8V
Modelo de pequeno sinal de um dodo de juno p-n
ID(5+8-07)/1k=12,3 mA
I
dodo ideal
rD=(2kBT/e)/ID
dodo rD2VT/ID
1/r
VD0
D
VD0
=56 mV/12,3 mA
ideal
1 k
rD ID
=(2VT)/ID
5V
5V
~0.7 V
=4,6 .
rD
8V
I (5+8-0,7)/(1k+4,6)
ID
V
8V D
VD0
VD0~0.7 V
=12,2 mA
No que se segue, admiti-se que, quando em conduo, o dodo apresenta aos seus terminais uma queda de tenso
constante e igual a 0,7 V, podendo ou no ter-se em conta a sua resistncia dinmica.
Exemplo:
18-Sep-06
ID
1 k
Jos Figueiredo 77
Dodo de Juno como Elemento Rectificador

Rectificao de Meia Onda
vi,v0
dodo real
Vp
v0
R
=
vi R + rD
V0,p=Vp-VD
D
vi
v0
VD
v0
Modelo de pequeno
sinal de um dodo
v0
t
vi
VD
dodo ideal
VD0
vi
rD
VD0~0.7 V
rD=(2kBT/e)/ID=(2VT)/ID
A representao grfica da funo v0(vin) chama-se caracterstica de transferncia do circuito; rD indica a

resistncia do dodo, VD representa a tenso aos terminais do elemento. (Ver procedimento experimental do
3 trab. Prtico.)
Rectificao de Onda completa

vi,v0
dodos reais
Vi,p
V0,p=Vi,p-2VD
vi
D1 D3
D4
RL
v0
v0
t
D2
vi
18-Sep-06
Jos Figueiredo 78
Outros Circuitos com Dodos

Rectificao com Filtragem Desmodulador
Detector de Pico
vC
vC
v i, v o
vi
vo
Dodo ideal
Dodo ideal
vi
vo
vi
R=
Vp
vr=Vp-Vcmin
vo
vo
t
vi
vi
Vp
v0
Onda sinusoidal de alta

frequncia modulada por um
sinal de udio
Vp
Sinal de udio sada do detector

de pico
v i, v o
vi
Vp
Dodo ideal
vo
-Vp
-2Vp
18-Sep-06
vi
R
Vcc
vi, vo
VCC+VD
VD
vo
vi
vo
VCC=0 V
t
vo
VD
VCC+VD
vi
VDVCC+VD
Duplicador e Multiplicador de Tenso
Circuito Fixador de Nvel

C
Circuito Limitador
vi
t
vo
vi
Vp
C1
D1
D2
C2
Da combinao dos circuitos

fixador de nvel e detector de pico,
obtm-se um circuito que duplica
Vo=2Vp da tenso de pico. Se o conjunto,
com as devidas adaptaes, for
colocado em cascata, a tenso
sucessivamente aumentada.
Jos Figueiredo 79
Dodo Zener como Elemento Estabilizador/Regulador
Regio de ruptura
ou de zener
VZ V
I
Z0
VZK
IZK VD0
IZ,max
IZT
IZM
+ VCC
R
VZ
V0
RL
Modelo do Circuito
+ VCC
R
VZ0
rZ
18-Sep-06
VZV0
RL
Os dodos zener so junes p-n especialmente fabricadas para operarem na regio de ruptura (ou de
zener), i.e., na zona de polarizao inversa onde a tenso se mantm praticamente constante, mesmo que a
corrente varie significativamente. [Rever curva corrente-tenso de uma juno p-n.]
Considere o circuito da figura ao lado.
Se a carga estiver desligada, flui no dodo uma corrente inversa IZT=(VCC-VZT)/R.
Nestas condies dissipa-se no dodo uma potncia P=VZ.IZT (o conhecimento deste valor fundamental
para a escolha do dodo.) E se a tenso de alimentao se alterar? Da anlise da caracterstica na regio de
zener, verifica-se que variaes significativas de corrente no dodo pouco influem no valor da tenso aos
seus terminais. A resistncia dinmica (incremental, diferencial ou de zener) na regio de zener, rZ, :
rZ=VZ/IZ.
A resistncia R e a resistncia de zener formam um divisor de tenso, e como rZ , em geral, muito
pequena, quando comparada com R, as flutuaes de tenso no dodo, devidas s variaes da tenso de
alimentao, so bastante atenuadas (admitindo, claro, que o dodo continua a operar na regio de ruptura ou
de avalanche, i.e., IZIZK): VZ=rZ/(rZ+R)VCC; VZ=rZIZ; VR(IZ)=VCC-VZ ; VCC=IZR + V0.
Ligando a carga RL, a corrente no dodo vai diminuir. Para que o dodo zener continue a desempenhar a
sua funo, essencial que a corrente que percorre o dodo seja suficiente para manter o dodo na regio de
ruptura ou avalanche, i.e., IZIZK. Assumindo que VZVZK, em RL vai circular a corrente IL=VZ/RL:
VCC=IRR + RLIL com IZ=IR-IL.
IMPORTANTE
O raciocnio s vlido se o valor de IZ(=IZT-IL) assegurar a manuteno do dodo na zona de avalanche,
i.e., se IZIZK. Assim, qualquer alterao da resistncia de carga que no desvie o ponto de funcionamento
do zener da regio (IZK, IZM), no altera o bom funcionamento do regulador, i.e., no varia
significativamente V0. conveniente, antes de usar um zener, verificar a respectiva caracterstica I-V.
Jos Figueiredo 80
VCC=10 V 10% E se a tenso a regular for baixa? Os dodos zener apresentam transies pouco abruptas, e no so,
portanto, a escolha mais favorvel. Neste caso, a situao pode ser melhorada usando um nmero
R=1 k conveniente de dodos normais associados em srie, polarizados directamente. No caso da Figura ao
lado tem-se V0=VD1+VD2+VD1.
VD3
VD2
VD1
Exerccios: Reguladores de Tenso
V0
RL Exerccio 1: Considere o circuito ao lado. Os trs dodos, quando em franca conduo, garantem que
V02.1 V. Determine a variao percentual da tenso regulada, em aberto e com uma carga de 1 k,
quando a tenso de alimentao varia 10%. Tome rD=6.3 . Sol: V0(VCC=2 V)=-37.1 mV e V0=-39.7 mV.
Exerccio 2: O dodo zener no circuito abaixo apresenta as

seguintes caractersticas: VZT=6.8 V para IZT=5 mA, rZ=20 e
IZK=0.2 mA. A tenso VCC com +10 V nominais, pode apresentar
uma variao de 1 V.
Determine V0 com VCC tenso
R=500
nominal, e a variao de V0
V0 RL
VCC
resultante da variao 1 V de VCC.
Calcule a variao em V0 resultante
da ligao de RL=2 k.
Sedra & Smith 3Ed, 3.25
Sol: IZ=I=(VCC-VZT)/R=6,4 mA; V0=VZT+(IZ-IZT)rZ=6.83 V;
V0=1rZ/(R+rZ)=38.5 mV. Quando a carga ligada a corrente
na carga 3,4 mA, e a variao da corrente no dodo -3,4 mA,
originando um decrscimo de V0=-68 mV na tenso da carga.
Sedra & Smith 3Ed, 3.21

Exerccio 3: Determine as tenses Vcc mnima e mxima que podem
ser reguladas pelo dodo zener com IZK=1 mA; IZM=15 mA; VZT=5.1 V
@ IZT=7 mA, e ZZ=10 .
Floyd 5Ed, 17-48
R=680
VCC
V0
Sol: Para IZ=IZK=1 mA, a tenso de sada

V0,min(IZK)=VZT-ZZIZ=VZTZZ(IZTIZK)
=5.1-0.06=5.04 V;
a tenso VCC mnima VCC,mn=RIZK+V0,mn=5.72 V;
Para IZ=IZK=15 mA, a tenso de sada
V0,Mx(IZM)=VZT+ZZ(IZMIZT)=5.18 V;
VCC,Mx=RIZM+V0,Mx=15.38 V.
Reguladores de Tenso Integrados
Os reguladores de tenso integrados so circuitos integrados capazes de proporcionar uma tenso constante e regulvel entre o terminal de
sada e o terminal comum entrada e sada, dependendo da interaco com o circuito exterior. As caractersticas destes dispositivos podem
ser consultadas em catlogos de electrnica linear (assim como as de outros elementos lineares). Um conjunto de reguladores de uso geral a
srie de reguladores 78XX, onde XX representa os valores da tenso de sada (XX volt). Por exemplo, o regulador 7815 apresenta na sua sada
uma tenso de 15 V. Em geral, a atenuao da ondulao bastante elevada, vrias dezenas de dB. Estes dispositivos esto protegidos
internamente contra curto-circuitos e sobrecargas. Nos catlogos so fornecidas, pelos fabricantes, sugestes de circuitos de aplicao.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 81
Exerccios: Circuitos com Dodos

Ex. 1: Determine se os dodos esto polarizados directa ou inversamente, e calcule a
tenso aos seus terminais. Use rD=0 .
5V
10 k
10
8V
1.0 k 1.5 k
30 V
4.7 k
10 k
4.7 k
20 V
10 V
Inversamente polarizados, -3 V
Floyd 5Ed, Fig. 16-35
Directa/ polarizado, 0.7 V.
Directa/ polarizado, 0.7 V.
Ex. 3: Explique o funcionamento do circuito. Determine a tenso aos

terminais de RL. Assuma VD0=0.7 V e rD=0 . Sol: V0=23.6 V.
Vin
25 V
0
-25 V

Ex. 5: Explique como
pode obter a caracterstica
corrente-tenso de um
dodo correspondente
polarizao directa.
Floyd 5Ed, Fig. 16-7 (13)
18-Sep-06
D1 D3
vo
RL
Ex. 4: Considere o circuito abaixo. O que que espera observar no

osciloscpio? Assuma que a base de tempo permite visualizar um
ciclo e meio. Tome VD0=0.7 V e rD=0 . Sol:
VRL
RS=100
9.09 V
10 V
Considere VD0=0.7 V e rD=0 .
R=4.3 k
R=1 k
A
D2
D1
D1
D2
3.3 V
B
-0.7 V
RL
1 k
Ex. 6: Qual a tenso em A e em B, e em Z?
5.7 V
VDD
5V
Sedra & Smith 3Ed, Fig. 3.10, 3.14
D4 D2
5V
Ex. 2: Determine a corrente ID e a tenso aos

terminais do dodo VD? Tome VD0=0.65 V,
rD=20 , e R=1 k.
R
V VD 0
= 4.26 mA
I D = DD
R + rD
ID
VD VD = VD 0 + rD I D = 0.735 V
Ex. 7: Determine as correntes mnima e a mxima na

resistncia de carga que asseguram que o zener actua
como regulador. Qual o valor mnimo de RL que pode
ser usado? IZK=3 mA; IZM=90 mA; Assuma que
VZ=12 V e RZ=0 em todo o intervalo de correntes.
R =1 k
24 V R=470
Sol:
IL=0 A, 22.5 mA, RL=533 .
V0
RL

Jos Figueiredo 82
Res. Ex. 1: Para cada dodo determine VD.
-3.010pA
DC A
+
-
VD=-3 V
Vs3
5V
D3
DIODE
+
-
6.115mA
DC A
Vs4
30V
R5
4.7k
1.065mA
DC A
+
R3
1.5k
Vs1
10V
R1
10k
Vs5
8V
2.985mA
DC A
-1.713pA
DC A
Vs7
5.7V
+
Vs6
3.3V
-
D5
DIODE
VZ=5,0 V
VD=0,7 V
1.935mA
DC A
D1
DIODE
VD=0,7 V
R2
4.3k D1
1N4001
+
Z
R8
1k
Vs2 R1
5V 1k
ID1=1 mA
927.4uA
DC A
100.6uA
DC A
1N4001
D2
ID2=0 A
VD1=0,7 V
VA=0,7 V
VB=0 V
VD2=VA=0,7 V, porque apenas o dodo 1 pode estar em franca conduo.
Ex. 7: Determine as correntes mnima e a mxima na resistncia de carga que

asseguram que o zener actua como regulador. Qual o valor mnimo de RL que
pode ser usado? IZK=3 mA; IZM=90 mA. Para simplificar, assuma que VZ=12 V
e RZ=0 em todo o intervalo de correntes.
24 V R=470
Vs2
-20V
-
Anlise do ltimo circuito: da equao das malhas

para a malha da esquerda 10=RI1+0,7 (admitindo
que o dodo est em conduo), resulta I1=0,93
mA; da equao das malhas para a malha da direita
20=RI2+0,7 (admitindo que o dodo est em
conduo), resulta I2=1,93 mA; da lei nos nodos
obtm-se ID=1 mA. Nota: Os valores determinados
analiticamente diferem dos apresentados acima,
uma vez que o simulador considera os dodos reais.
18-Sep-06
D4
DIODE
D2
DIODE
R6
4.7k
R2
10k
5.003mA
DC A
+
R4
1k
869.7uA
DC A
Ex. 6: Qual a tenso em A e em B, e em Z? Considere VD0=0.7 V e rD=0 .
R7
10k
V0
Sol: A corrente mnima (menor possvel) na carga 0

A. Neste caso a corrente no zener igual a 25,5 mA
RL ([24-12]/470), que inferior a IZM=90 mA; O valor
mximo da corrente na carga permitido ocorre quando
IZ=IZK=3 mA, obtendo-se ILMx=25,5-3=22,5 mA. O
valor mnimo de RL igual a 12 V/ILMx=533 .
VCC=10 V 10% Ex1 pag 69: O conjunto dos trs dodos garante uma tenso de 2.1 V.
R=1 k
VD3
VD2
VD1
V0
RL
Determine RD, a variao percentual da tenso regulada, em aberto e

com uma carga de 1 k, quando a tenso de alimentao varia 10%.
Sol: I=(VCC-2.1)/R=7,9 mA, RD=VT(293 K)/I=6,3 ; R3D=18,9 . A
resistncia dos 3 dodos e R formam um divisor de tenso. A variao
da tenso V0 devido a VCC 118,9/(1000+18,9)=18,5 mV (0,9%).
Quando se liga a carga, a corrente atravs dos dodos decresce de 2,1
mA, resultando num decrscimo da tenso aos terminais dos 3 dodos
V0=-2,1 mA18,9=-39.7 mV, ou 13,2 mV por dodo.
Jos Figueiredo 83
Semicondutores
18-Sep-06
Jos Figueiredo 84
Metais, Semicondutores, e Isoladores

Num sistema constitudo por vrios tomos idnticos e suficientemente afastados, de forma que a
interaco mutua desprezvel, todos os tomos possuem nveis de energia (discretos) semelhantes.
medida que a separao entre tomos diminui, as funes de onda, especialmente as associadas aos
electres mais afastados do ncleo (electres de valncia), comeam a sobrepor-se (devido interaco
electromagntica) e os nveis de energia correspondentes alteram-se. Os estados de valncia (estados dos
electres de valncia), que anteriormente formavam um conjunto de nveis de energia discretos, formam
agora bandas de energia contendo nveis muito pouco espaados. Num slido, o numero de tomos por
unidade de volume, N, da ordem do nmero de Avogadro, o que permite tratar as bandas de energia
como distribuies continuas de nveis de energia. Este efeito s significativo para os estados possveis
dos electres de valncia. Os estados associados aos electres mais interiores so pouco afectados e os
seus nveis de energia permanecem discretos (ver Figura).
A natureza da estrutura de bandas de energia determina se um material bom ou mau condutor de
corrente elctrica. Nos isoladores e semicondutores, a zero absoluto, os electres de valncia preenchem
por completo a ltima banda ocupada, que se designa por banda de valncia (BV). A banda
imediatamente superior chama-se banda de conduo e est completamente vazia a 0 K. Uma vez que na
BV no h estados desocupados, no pode ocorrer deslocamento efectivo de carga elctrica, mesmo sob a
aco de um campo elctrico aplicado, i.e., a 0 K nula a corrente associada aos electres na BV. Um
electro de valncia para contribuir para o fluxo de carga elctrica (corrente) tem de abandonar a BV e
transitar para a BC. Isto s possvel se absorver uma quantidade de energia da ordem de 1 eV (valor
relativamente grande - e raramente disponvel quando comparado com a energia trmica que a 293 K
~25 meV). Nos condutores, a banda de maior energia no est totalmente preenchida e os electres nesta
banda, que se designa banda de conduo (BC) podem transitar entre diferentes nveis de energia (o que
requer quantidades nfimas de energia), contribuindo para um fluxo de carga no nulo, sob a aco de um
campo elctrico externo.
18-Sep-06
3p
3s
Separao dos
tomos no cristal
2p
0
r0
Condutor
Isolador
Bandas
proibidas
Semicondutor
Banda de
conduo
Bandas
proibidas
Banda de
valncia
Jos Figueiredo 85
Semicondutores Intrnsecos
temperatura do zero absoluto, os materiais semicondutores puros comportam-se como isoladores perfeitos (todos os electres de valncia
tomam parte na ligao covalente) e, portanto, no h electres livre para contriburem para a corrente elctrica. Contudo, medida que a
temperatura aumenta, parte dos electres de valncia adquirem energia suficiente para escaparem aos respectivos tomos e tornam-se electres
livres, deixando um buraco na correspondente ligao covalente. A vaga deixada na banda de valncia (BV) designa-se por vazio ou lacuna.
Por cada electro (n) transferido da BV para a banda de conduo (BC), cria-se na primeira (BV) um vazio (p); num semicondutor puro, por
cada electro livre na BC existe um vazio na BV, i.e., sempre que um electro deixa a banda de valncia gera-se um par electro-vazio.
Entretanto, um electro livre na BC pode perder a sua energia e regressar BV: este processo designa-se por recombinao. Num
semicondutor intrnseco em equilbrio, o n de electres livres (n) iguala o n de vazios (p); temperatura T, tem-se: ni=piexp(-Eg/2kBT); para
o silcio e para o germnio (a 300 K), ni=pi=1.451010 cm-3 e 2.41013 cm-3, respectivamente.
Quer o electro, quer o vazio, na ausncia de um campo elctrico, deslocam-se aleatoriamente entre os tomos do semicondutor (SC), e a
corrente elctrica efectiva nula. Contudo, quando uma diferena de potencial elctrico (tenso) aplicada entre dois pontos do material SC, os
electres livres (na BC) movem-se, agora, ordenadamente, na direco do polo positivo, dando origem a uma corrente elctrica: corrente de
electres. Por seu lado, um estado desocupado na BV (que pode ser preenchido por electres de valncia de outros tomos, transferindo-se o
vazio para outro tomo, sem significativa variao de energia), sob a aco de um campo elctrico, comporta-se como um portador de carga
positiva, deslocando-se na direco do polo negativo da fonte de tenso: corrente de vazios/lacunas. A corrente total no sc , pois, a soma destas
duas componentes.
E
Banda desocupada
EF
Banda
proibida
E
Banda de
conduo
(BC)
Eg~1 eV
Banda de
valncia
(BV)
Semicondutor intrnseco a 0 K
18-Sep-06
A probabilidade de um electro ocupar um nvel de energia

E, dada pela distribuio de Fermi-Dirac: f ( E ) =
1
e
( E EF )
k BT
+1
Eg
Electro de conduo
Banda
proibida
lacuna
onde F identifica o nvel de energia com probabilidade de
meio da banda proibida (ver figuras).
EF
Banda de
valncia
(BV)
ocupao igual a (50%), que se designa por nvel de Fermi.

Num SC intrnseco, o nvel de Fermi situa-se sensivelmente a
Banda de
conduo
(BC)
Campo elctrico
r
E
Semicondutor intrnseco (T >0 K)

Jos Figueiredo 86
Semicondutores Directos e Indirectos
As funes de onda associadas aos estados nas bandas de conduo e de valncia so caracterizadas pelos valores prprios de energia e
pelos respectivos vectores de onda, kn e kp (as quantidades de movimento dos portadores de carga so pn=hkn e pp=hkp, respectivamente).
A transio de electres entre as bandas de conduo e de valncia, como qualquer outro processo fsico, tem de satisfazer duas leis
fundamentais: i) conservao da energia e ii) conservao da quantidade de movimento.
Nos semicondutores de banda proibida directa, o mximo de energia da banda de valncia e o mnimo de
energia da banda de conduo ocorrem ao mesmo valor do vector de onda, i.e., kn=kp (a quantidade de movimento
dos portadores nos mximos/mnimos das respectivas bandas a mesma). Num semicondutor de banda proibida
directa, as transies entre estados de energias prximos do mximo de energia da banda de valncia (EV) e estados
de energia prximos do mnimo de energia da banda de conduo (EC) induzidas por absoro de um foto
verificam a conservao da quantidade de movimento, dado que a quantidade de movimento do foto muito menor
dos que a de qualquer dos portadores de carga.
Nos SCs directos, a recombinao no-radiativa significativamente inferior componente radiativa,
permitindo obter fontes pticas de elevada eficincia; os emissores pticos mais eficientes so baseados em ligas
semicondutoras de banda proibida directa (GaAs, InP, InGaAs, InGaAlAs, InGaAsP, ).
No caso de semicondutores de banda proibida indirecta, o mximo da banda de valncia e o mnimo da banda
de conduo ocorrem a diferentes valores do vector de onda dos portadores nas respectivas bandas, i.e., knkp (a
quantidade de movimento dos portadores nos mximos/mnimos das respectivas bandas diferente), pelo que a
conservao de quantidade de movimento exige a interveno de uma terceira partcula (fono) nos processos de
gerao e recombinao de portadores (a quantidade de movimento associada ao foto, p=hk, muito menor quando
comparada com a variao de momento linear necessria).
Os semicondutores de banda indirecta so os semicondutores muito utilizados em dispositivos electrnicos. Em
optoelectrnica, os semicondutores indirectos so usados, essencialmente, como detectores (fotodetectores): o Si
usado para deteco de radiao de c.d.o. at 1.1 m, e o germnio para radiao de c.d.o. superior a 1.3 m.
As ligas SCs de banda proibida directa so, tambm, muito usadas em fotodetectores, maioritariamente na
regio espectral 1.3 1.6 m (regio onde as fibras pticas apresentam baixas perdas e disperso). Fotodetectores
rpidos operando a comprimentos de onda iguais ou superiores a 1.3 m, empregam InGaAs (ou outros materiais
III-V) e no silcio ou germnio (ver na prxima aula: coeficiente de absoro).
18-Sep-06
Semicondutor directo
E
BC
EC
E=Eg
p~0
EV
k
BV
Semicondutor indirecto
E
BC
EC
EV
BV
p E=Eg
k
A transio de um electro da
BV para a BC num SCI requer,
para alm de uma quantidade
de energia (Eg), uma
alterao da quantidade de
movimento do electro de
p=h(knkp).
Jos Figueiredo 87
Electroluminescncia, Absoro, Emisso Espontnea e Emisso Estimulada

Designa-se genericamente por luminescncia, a emisso de luz por um corpo, motivada por qualquer causa que no seja elevao de
temperatura. H vrias formas de luminescncia, dependendo da fonte de excitao: electroluminescncia, fotoluminescncia, luminescncia
catdica, fluorescncia, fosforescncia.
Electroluminescncia: emisso de luz por certas substancias quando sob a aco de um campo elctrico.
Processos de Absoro, de Emisso Espontnea e de Emisso Estimulada em Semicondutores
Absoro
BC
Rec. no-radiativa
BC
foto
foto
Rec. Radiativa
Emisso estimulada
foto
BV
fono
Rec. Radiativa
Emisso Espontnea
BV
Emisso Espontnea: fenmeno de recombinao radiativa com caractersticas aleatrias, i.e., a direco e a fase dos fotes gerados
incoerente (Dodos Emissores de Luz, LEDs).
Emisso Estimulada: fenmeno de recombinao radiativa induzido pela densidade de potncia luminosa de c.d.o. ~hc/Eg existente num dado
ponto do cristal, num processo em que cada foto incidente d origem a um segundo foto, sem que o primeiro seja absorvido ou as suas
propriedades alteradas, resultando em amplificao da radiao incidente (Lasers, Dodos Lasers, amplificadores pticos).
Num laser, a radiao excitadora e a radiao produzida por emisso estimulada tm:
- a mesma energia (i.e., o mesmo comprimento de onda)
- a mesma direco de propagao
- a mesma fase
- e a mesma polarizao (os campos elctricos dos dois fotes oscilam no mesmo plano)
Porque a radiao excitadora e a estimulada tm as mesmas caractersticas, a radiao produzida diz-se coerente.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 88
Condutibilidade Elctrica dos Semicondutores
A dopagem de um semicondutor no s aumenta a sua condutibilidade, como permite criar um material em que os portadores de carga so,
maioritariamente, electres (n) ou lacunas (p), de acordo com o tipo de impureza. A concentrao de dopantes necessria para alterar de forma
significativa a condutividade de um semicondutor, quando comparada com a concentrao dos tomos nativos do semicondutor, muito
pequena. Por exemplo, a condutibilidade do germnio, a 30 C, aumenta cerca de 12 vezes, se substituirmos 1 em cada 108 tomos de Ge por um
tomo de As (elemento com cinco electres de valncia).
Mobilidade elctrica
Em primeira aproximao, a velocidade de arrastamento v dos portadores de carga num material directamente proporcional ao campo
elctrico aplicado E. A constante de proporcionalidade chama-se mobilidade elctrica do portador de carga, . Num semicondutor tem-se:
vn=-nE, para os electres, e vp=-pE, para os vazios. Em geral, os valores das mobilidades n e p so muito diferentes.
A densidade de corrente J (=I/A [A/m2]) num semicondutor, em resultado da aplicao de um campo elctrico, dada por:
J=Jn+Jp=e(nn + pp)E=E,
onde =e(nn + pp) representa a condutividade elctrica do semicondutor. Num semicondutor intrnseco temos nn=pp=ni; num semicondutor
extrnseco tipo n (p), a concentrao de electres (vazios) na BC (BV) superior concentrao de vazios (electres) na BV (BC). Num
semicondutor tipo n, os electres so os portadores majoritrios (os vazios so minoritrios); num semicondutor tipo p, os vazios so os
portadores majoritrios (e os electres so os portadoras minoritrios).
A concentrao de portadores tambm pode ser alterada, fazendo incidir no material radiao electromagntica e/ou variando a temperatura
do material. A radiao incidente altera a condutibilidade elctrica do material, pois os fotes absorvidos geram pares electro-lacuna. O
processo inverso, recombinao radiativa, em que electro e lacuna se aniquilam dando origem a um foto, tem como efeito a diminuio do n
de portadores de carga livres.
Contudo, nem todas as recombinaes electro-lacuna so radiativas, isto , do origem emisso de luz: recombinaes no-radiativas.
As recombinaes no-radiativas traduzem-se numa variao da temperatura do cristal devidos gerao/aniquilao de modos de vibrao da
rede cristalina (fones). O fono corresponde ao quantum de energia trmica da rede cristalina.
Estas alteraes da condutibilidade podem ser monitorada atravs de elctrodos ligados amostra, detectando a variao da resistncia do
material: ambos os fenmenos de recombinao so empregues em detectores pticos e/ou trmicos.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 89
ndice de Refraco e Coeficiente de Absoro

Do ponte de vista electromagntico um material completamente caracterizado pelas respectivas permitividade elctrica, , e
permeabilidade magntica, . (Rever equaes de Maxwell.)
As propriedades pticas de um material so definidas pelo ndice de refraco, nr, e pelo coeficiente de absoro, .
O ndice de refraco, nr, definido como a razo entre a velocidade da radiao no vcuo, c, e a velocidade de fase da radiao no
material, vf: nr=c/vf; (nos semicondutores com mais interesse em optoelectrnica nr=3-4). de referir que o ndice de refraco , em geral,
funo do comprimento de onda da radiao: fenmeno da disperso.
O coeficiente de absoro, , est relacionado com a taxa de variao espacial da intensidade da radiao no material, dI/dx=-I(x), onde
I(x) representa a intensidade da radiao na regio de coordenada x, i.e., I(x)=I0e-x (I0 representa a intensidade de radiao incidente na
superfcie no material). Em geral, depende, fortemente, do comprimento de onda (c.d.o., ). Os materiais SCs cujo coeficiente de absoro
diminui bruscamente para comprimentos de onda superiores a g=hc/Eg dizem-se semicondutores de banda proibida directa (exemplos:
GaAs, InP, InGaAs, InGaAlAs, InGaAsP). Isto , nos semicondutores de banda proibida directa a transio de electres da BV para a BC em
resultado da absoro de radiao electromagntica s permitida se a energia do foto correspondente for Eg: se EgEfoto o foto no
absorvido.
comprimento de onda (ver figura). Contudo, tambm nestes SCs a absoro s ocorre se EfotoEg.
A Figura ao lado mostra a dependncia do coeficiente de absoro no comprimento
de onda de radiao correspondente poro ptica do espectro electromagntica (0.4
1.6 m) para alguns semicondutores usados em electrnica e optoelectrnica; representase tambm o coeficiente de penetrao, , que corresponde ao inverso do coeficiente de
absoro, =1/: numericamente igual espessura de material necessria para
absorver aproximadamente 63% da radiao incidente perpendicularmente na superfcie
do material: I(x=)=I0e-1.
18-Sep-06
10 -1
Ge
InGaAsP
10 4
GaAs
10 3
10 2
10
0.4
10
10 2
Si
0.6
0.8
1.0
(m)
(m)
10 5
(cm-1)
O germnio e o silcio so semicondutores de banda proibida indirecta: os seus coeficientes de absoro variam gradualmente com o
1.2
1.4
1.6
Jos Figueiredo 90
Semicondutores Extrnsecos
Os materiais semicondutores no so bons condutores de corrente elctrica, devido ao n reduzido de electres livres na banda de
conduo e de vazios na banda de valncia. Para terem interesse comercial os materiais SCs devem ser modificados de forma a aumentar o
nmero de portadores livres (electres na BC e vazios na BV), de modo a alterar a sua condutibilidade, e permitir a construo de diferentes
dispositivos electrnicos e optoelectrnicos. Tal efeito conseguido substituindo alguns tomos do material SC original por elementos de
valncia inferior ou superior e de tamanho semelhante ao do constituinte base. Este processo designado por dopagem, e o material SC tornase extrnseco (impuro). Quando os tomos so substitudos por elementos de valncia inferior ao do elemento base, o semicondutor obtido
diz-se de tipo p; quando a impureza possui uma valncia superior, o SC designa-se de tipo n.
temperatura ambiente, a presena no SC de impurezas de valncia inferior, impurezas aceitadoras/receptoras (em geral, elementos do
3 grupo da tabela peridica), aumenta o n de vazios na BV, tornando a componente da corrente devida s lacunas maior; elementos de
valncia superior, impurezas dadoras (geralmente, elementos do 5 grupo da tabela peridica), do origem a semicondutores em que o n de
electres livres na BC substancialmente maior que o n de lacunas na BV, fazendo, neste caso, com que a componente da corrente devida aos
electres livres seja superior componente devida s lacunas. Deste modo, a condutibilidade de um sc intrnseco significativamente alterada
pela substituio de uma pequena fraco de tomos base por elementos do 3 ou do 5 grupos da tabela peridica, tornando os sc muito mais
interessantes do ponto de vista tecnolgico.
Semicondutores tipo-n
Semicondutores tipo-p
BC
Eg~1 eV
EF
BV
18-Sep-06
BC
Banda de
conduo
EF
Nveis aceitadores
Ea 0.01 eV
Banda de
valncia
Eg~1 eV
Banda de
conduo
Nveis dadores
Ed 0.01 eV
Banda de
valncia
BV
Jos Figueiredo 91
Homojunes e Heterojunes Semicondutoras

Uma juno p-n obtida dopando, de forma selectiva, o cristal semicondutor (normalmente referido como substrato), criando, neste
substrato, regies com caractersticas de conduo elctrica muito diferentes. Pode-se afirmar que a dopagem selectiva a base de toda a
microelectrnica/electrnica-integrada. Quase todos os componentes electrnicos e optoelectrnicos incorporam uma ou mais junes p-n.
Uma homojuno corresponde regio de confluncia de duas pores de um mesmo cristal semicondutor com propriedades elctricas
distintas. O exemplo clssico a zona fronteira entre regies do tipo p e do tipo n num mesmo cristal semicondutor, designada por juno p-n.
Notar que o cristal semicondutor, a menos das impurezas, o mesmo. Quando a juno entre dois cristais semicondutores diferentes, por
exemplo o Ge e o Si, diz-se que se trata de uma heterojuno.
Impurezas aceitadoras
Fabricao de homojunes p+-n: Mtodo Planar
metal
camada oxido SiO2
cristal semicondutor tipo n
Partindo de um substrato do tipo n cuja superfcie foi oxidada (face com uma fina camada de slica, SiO2), no
metal
qual seleccionada uma regio a ser dopada com impurezas aceitadoras atravs de um processo fotolitogrfico
juno
io
p+-n
seguido da remoo de slica na zona seleccionada. medida que prossegue a dopagem com impurezas do tipo
aceitador
p (elemento que origina uma concentrao elevada de lacunas quase-livres), na regio localizada no material n
(onde existe uma concentrao elevada de electres quase-livres), ocorre forte difuso e recombinao dos p+
lacuna
portadores livres na zona da juno. A figura ao lado representa, de forma esquemtica, a juno p+-n (o sinal +
indica que a concentrao de tomos aceitadores no lado p superior concentrao de tomos dadores no lado
n). Na figura, so identificados, apenas, os ies dopantes (aceitadores ou p; dadores ou n) e os resultantes
portadores quase-livres (lacunas; electres). Os tomos das impurezas (fixos na rede cristalina) do lado p e do
lado n na vizinhana de juno perdem, respectivamente, lacunas (que se difundem para o lado n) e electres
(que se difundem para o lado p), originando uma regio localizada de densidade de carga no nula: regio
espacial de carga ou zona de depleco. Desta distribuio de carga resulta uma barreira de potencial e, portanto,
io
um campo elctrico (ver equao de Poisson da Electrosttica). O campo elctrico assim criado provoca, por sua
dador
vez, o deslocamento de electres (minoritrios) do lado p para o lado n e de vazios (minoritrios) do lado n para n
electro
o lado p. Em equilbrio, as correntes devidas difuso dos portadores livres majoritrios so anuladas pelas
correntes de arrastamento dos portadores minoritrios induzidas pelo campo elctrico. O nvel de Fermi constante ao longo da juno em
equilbrio, sendo a corrente efectiva atravs da juno nula. Se tal no acontecesse, os electres de um lado da juno teriam uma energia mdia
superior aos electres do outro lado, havendo transferncia de electres at se igualarem os nveis de Fermi.
zona de carga
espacial
p+
18-Sep-06
Jos Figueiredo 92
Juno p-n
Uma juno p-n obtida dopando, de forma selectiva, um cristal semicondutor nico tipo p (n), normalmente referido como substrato, com impurezas de
substituio do tipo n - tomos dadores (tipo p - tomos aceitadores), criando regies com caractersticas de conduo elctrica muito diferentes.
ND
Densidade de carga
x
Barreira de potencial (para as lacunas)
VD0 VD 0 = k BT ln N A 2N D
x
Barreira de potencial (para os electres)
VD0
W0 =
W0
ni
2 VD 0 1
1
+
e N A N D
A ddp criada pela difuso de lacunas e de electres

das regies p e n, respectivamente, actua como uma
barreira de potencial para os portadores majoritrios
(vazios no lado p e electres no lado n). A
probabilidade destes atravessarem a barreira
proporcional ao factor de Boltzmann (exp[eVD0/kBT]), i.e., a intensidade de corrente ID devida
difuso dos portadores majoritrios proporcional a
exp[-eVD0/kBT]). Contudo, a mesma ddp actua como
uma queda de potencial para os portadores
minoritrios, promovendo a sua passagem atravs da
barreira (vazios do lado n para o lado p e electres da
regio p para a regio n), dando origem corrente de
arrastamento, IA. Em equilbrio, ID+IA=0.
18-Sep-06
Se a juno p-n for polarizada directamente, i.e., se

p
n
se aplicar uma diferena de potencial entre as regies p e
n, em que o lado p corresponde regio de maior
potencial, h injeco, atravs da juno, de lacunas do
lado p para o lado n e de electres do lado n para o lado
p. A concentrao pn de lacunas no lado n sobe
relativamente ao valor de equilbrio trmico pn0. De
forma anloga, a concentrao np de electres no lado p Densidade de carga
+
sobe relativamente ao valor de equilbrio trmico np0.
x
Como consequncia, a densidade espacial de carga
diminui, reduzindo a ddp (e do campo elctrico) entre os Barreira de potencial (lacunas)
VD0-V
lados p e n da juno, o que corresponde a um
x
decrscimo da barreira de potencial. Como resultado
desta transferncia de portadores atravs da juno Barreira de potencial (electres)
VD0-V
(vazios do lado p para o lado n, e electres da regio n
x
para a regio p), a intensidade de corrente devida
n BC
En p
difuso torna-se dominante (ID>>IA).
Diagrama de bandas de energia de uma juno p-n:
(En representa a energia dos electres e Ep indica a energia dos
vazios. Notar que no existem vazios na BC.)
NA
Juno p-n Polarizada Directamente
Juno p-n em equilbrio

p
n
Eg
BV
Ep
x
A corrente de arrastamento (devida ao campo elctrico) mantm-se praticamente inaltervel. A

corrente de difuso proporcional a exp[-e(VD0-V)/kBT], onde e representa a carga do electro, e V a
tenso aplicada. Para junes em silcio, VD0~0.7 V; para o germnio, VD0~0.3 V. Quando a tenso
aplicada V contrabalanar a barreira de potencial VD0, a corrente total atravs da juno limitada
pelos outros elementos do circuito. Na prtica, quando V=VD0, considera-se que a corrente na juno
independente da tenso aplicada, sendo limitada pelos outros elementos do circuito em que esta se
insere (no caso da figura, a resistncia R), e que a ddp entre os terminais da juno mantm-se VD0.
Jos Figueiredo 93
Se a juno p-n for polarizada inversamente, i.e., se se aplicar uma ddp entre as regies p e n, em que o
lado p corresponde regio de menor potencial, os electres livres do lado n so atrados para o polo positivo
da fonte, deixando lacunas no seu lugar, o que levar expanso da regio espacial de carga positiva no lado
n. Ao mesmo tempo, os vazios do lado p so atrados para o polo negativo da fonte, originando o aumento da
regio espacial de carga negativa no lado p. A concentrao de lacunas no lado n, pn, desce, relativamente ao
valor de equilbrio trmico pn0 e, de forma anloga, a concentrao de electres no lado p, np, diminui
relativamente ao valor de equilbrio trmico np0. O que tambm faz com que o volume da regio espacial de
carga cresa, originado o aumento da barreira de potencial entre os lados p e n da juno (e do campo
elctrico), o que diminui o nmero de portadores livres na vizinhana da juno e a corrente devida difuso
dos portadores livres atravs da juno, rompendo-se o equilbrio entre a corrente de difuso e a corrente de
arrastamento: ID<IA. A corrente na juno , quase exclusivamente, devida corrente de arrastamento, que
proporcional concentrao dos portadores minoritrios e, portanto, no varia com a tenso aplicada. (O
nmero de portadores minoritrios , praticamente, independente da tenso aplicada.) O valor da corrente
atravs da juno polarizada inversamente designa-se por corrente inversa ou corrente de fuga (IS). Em
junes de silcio, IS~nA; para o germnio, IS~mA. H, contudo, um valor de tenso, tenso de ruptura da
juno, a partir do qual a intensidade da corrente inversa limitada, apenas, pelos outros elementos do
Juno p-n Polarizada Inversamente
Densidade de carga
+
x
Barreira de potencial (lacunas)
VD0+V
x
Barreira de potencial (electres)
VD0+V
x
circuito em que a juno se insere, sendo, praticamente, independente da tenso inversa aplicada. A ruptura pode ocorrer devido ao processo de
avalanche ou ao efeito de Zener (ver pgina 8).
Caracterstica Corrente-Tenso (I-V) de uma Juno p-n

zona de franca
conduo
30 mA
-100
VR
-50
20 mA
10 mA
zona de bloqueio -1A
-3 A
zona de avalanche
18-Sep-06
-50 mA
-100 mA
0.5 V
1.0
D0
1.5
No 1 quadrante da caracterstica
I-V, a corrente dada por:
V (V)
eV
1
I (V ) = I S exp
k BT
eV
com I S exp D0
k BT
No 3 quadrante da curva I-V, tm-se I=-IS,

enquanto |V|<|VR| (IS,Si=1 nA; IS,Ge=1 A).
O dispositivo mais simples baseado numa juno p-n o

dodo semicondutor rectificador, cujo smbolo :* A
C
onde A representa o terminal nodo (correspondente ao lado
p da juno) e C indica o ctodo (regio n da juno). A seta
indica o sentido da corrente directa. Em conduo um dodo
apresenta uma queda de tenso entre os seus terminais, que
no caso de dodos de silcio VD~0.7 V.
* No guio do 3 trabalho prtico so apresentados outros
dispositivos baseados em junes p-n e a respectiva simbologia.
Jos Figueiredo 94
Efeitos de Avalanche e de Zener

Para cada juno, h um valor de tenso inversa a partir do qual a intensidade da corrente inversa aumenta rapidamente, tornando-se,
praticamente, independente da tenso aplicada: tenso de ruptura da juno. A ruptura pode ocorrer devido ao processo de avalanche ou ao
efeito de Zener. Efeito de avalanche: medida que a tenso inversa cresce, embora o nmero de portadores minoritrios no varie de forma
significativa sob a aco do campo elctrico crescente, a energia dos portadores aumenta e pode tornar-se suficiente para produzir na zona de
depleco novos pares electro-vazio os quais vo aumentar o valor da corrente. O processo de multiplicao de portadores semelhante ao
efeito de uma avalanche. Atingido o valor da tenso que desencadeia o efeito de avalanche, a tenso mantm-se praticamente constante,
mesmo que a corrente varie significativamente. Efeito de Zener: h junes p-n em que o campo elctrico na regio de depleco
suficientemente intenso para provocar a transio de electres da banda de valncia para a banda de conduo. (O efeito uma demonstrao
prtica do efeito quntico efeito de tnel.) O efeito de Zener dominante nos dodos cuja tenso de ruptura inferior a seis volts, e o efeito de
avalanche naqueles em que a ruptura se verifica acima de seis volts. Os dodos especialmente fabricados para operar na regio de ruptura,
independentemente do efeito usado, so designados de dodos zener. Nos dodos zener baseados no efeito de avalanche, a zona de transio
mais gradual do que nos dodos empregando o efeito de Zener.
Regio de resistncia
Dodo de Efeito de Tnel
Numa juno p-n com concentrao de aceitadores e dadores muito elevada (NA, ND~1020 cm-3 ), a espessura da
zona de depleco da ordem de ~10 nm. Neste caso, outro mecanismo de conduo entra em jogo: o efeito de tnel.
Os electres tm, agora, elevada probabilidade de transitar directamente da banda de conduo do lado n para a
banda de valncia do lado p. Nos dodos tnel a corrente directa comea por crescer com a tenso, at atingir um
mximo local, decrescendo em seguida at atingir um mnimo local, a partir do qual aumenta exponencialmente e de
forma idntica da juno p-n moderadamente dopada; a corrente inversa aumenta linearmente com a tenso.
diferencial negativa
Ip
Iv
Vp Vv
Junes Metal-Semicondutor: Barreiras de Schottky e Contactos hmicos
Em geral, o contacto entre um metal e um semicondutor no hmico, exibindo um comportamento semelhante ao de

schottky
uma juno p-n (ver figura ao lado). Neste caso o contacto designa-se por contacto ou barreira de Schottky e o dispositivo
baseado neste efeito designa-se por dodo schottky. A queda de tenso, em conduo, nestes dodos cerca de metade da de
V
uma juno p-n. Estes dispositivos so muito mais rpidos do que o dodo rectificador porque no processo de conduo s
intervm os portadores maioritrios (no h lugar recombinao dos portadores minoritrios).
I
Para a juno p-n ter aplicao prtica, necessrio fazer a sua ligao com um circuito exterior, i.e., obter duas junes
hmico
metal-semicondutor (uma no lado n e outra no lado p). Estas junes no devem alterar ou mascarar as propriedades do
V
dispositivo SC em apreo. Por outras palavras, o contacto (juno) metal-semicondutor deve ter uma caracterstica correntetenso linear, i.e., o contacto deve ser hmico. Claro que o metal a usar depende do material SC de que feito o dispositivo.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 95
Outros dispositivos baseados em Junes p-n
Formao de pares BV
electro-vazio
Dodo Laser
BC
+
+
+
Luz
Dodo Emissor de Luz (LED)

V
hv
p+
+
+
Recombinao +
electro-vazio
BV
n+
Dodos Laser para leitores de CD
hv~Eg
hv
BV:
banda de valncia p+
BC:
banda de Conduo hv +
Luz incidente
+ -
Fotododo
BC
+
n+
Aplicaes em Optoelectrnica
Dodos Laser para Telecomunicaes por fibra ptica Circuitos Integrados Optoelectrnicos
Perdas nas fibras pticas em funo do c.d.o
18-Sep-06
Jos Figueiredo 96
Microelectronics Circuits,
S. Sedra & K. C. Smith,
Saunders College Publishing,
Captulo 4
18-Sep-06
Jos Figueiredo 97
Transstores
O transstor bipolar o transstor mais importante do ponto de vista histrico e, tambm, o de utilizao mais corrente. No entanto, convm
tambm, desde j, referir os transstores de efeito de campo (FET, Field Effect Transistor), nomeadamente, os transstores FET de juno
unipolar, os transstores MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), e os CMOS (complementary MOSFET), os quais
so muito usados na electrnica integrada de alta densidade.
O transstor bipolar foi inventado em 1947 por John Bardeen, Walter Brattain e William Shockley, todos na altura investigadores nos Bell
Telephone Laboratories, EUA (ver pgina seguinte). Pela sua inveno estes investigadores receberam o prmio Nobel da Fsica em 1956.
Cedo se percebeu que o transstor revolucionaria a Electrnica e, por arrastamento, toda a tecnologia, essencialmente porque possibilitava
realizar as operaes electrnica bsicas de amplificao e de comutao de uma forma fivel e barata. Alm disso, o facto de o transstor poder
ter dimenses muito reduzidas (hoje em dia a tecnologia de fabrico permite construir transstores com uma rea inferior ao micrmetro
quadrado) possibilita a integrao de milhes de unidades numa nica pastilha de silcio, sendo assim possvel construir circuitos integrados de
grande complexidade e capazes de efectuarem operaes elaboradas como no caso dos microprocessadores.
O material semicondutor mais usado na fabricao de transstores o silcio. Contudo, o primeiro transstor foi fabricado em germnio. O
silcio prefervel, essencialmente, porque possibilita o funcionamento a temperaturas mais elevadas (175 0C, quando comparado com os ~75
0
C dos transstores de germnio) e tambm porque apresenta correntes de fuga menores. O transstor bipolar formado por duas junes p-n em
srie, podendo apresentar as configuraes p-n-p e n-p-n (ver pgina seguinte). Os transstores n-p-n so os mais comuns, basicamente, porque a
mobilidade dos electres muito superior das lacunas, isto , os electres movem-se mais facilmente ao longo da estrutura cristalina, o que
traz vantagens significativas no processamento de sinais de alta frequncia. E so, tambm, mais adequados produo em massa. No entanto,
deve-se referir que, em vrias situaes, muito til ter os dois tipos de transstores num circuito.
O transstor de juno bipolar um dos componentes mais importantes na Electrnica. um dispositivo com trs terminais. Num
elemento com trs terminais possvel usar a tenso entre dois dos terminais para controlar o fluxo de corrente no terceiro terminal, i.e., obter
uma fonte controlvel. O transstor permite a amplificao e comutao de sinais, tendo substitudo as vlvulas termo-inicas na maior parte das
aplicaes. A figura da pgina seguinte mostra, de forma esquemtica, um transstor bipolar p-n-p. Este transstor formado por duas junes pn que partilham a regio do tipo n (muito fina e no representada escala). Neste aspecto, o dispositivo corresponde sanduche de um material
do tipo n, entre duas regies do tipo p. Existe tambm a estrutura complementar (npn). Dependendo da polarizao de cada junes (directa ou
inversa), o transstor pode operar no modo activo/linear, estar em corte ou em saturao.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 98
O transstor e o circuito integrado

Primeiro transstor
Circuito integrado
Antes do transstor
Vlvula de vcuo
Dopar
semicondutores
1947
Esquema do transstor
18-Sep-06
Jos Figueiredo 99
... e nasceu o microprocessador!
18-Sep-06
Jos Figueiredo 100
O Primeiro Transstor, 1947
Smbolo do transstor n-p-n
Base (B)
IB
IC
IC Colector
(C)
Colector
n
Base (B)
(C)
p
IE=IC+IB
IB n
Emissor
(E)
IE Emissor
IE
(E)
Smbolo do transstor p-n-p

IE
Base (B)
IB
IE
Emissor
(E)
Emissor
(E)
Base (B) p
IE=IC+IB
n
p
Colector
IB
(C)
IC Colector
(C)
IC
Esquema simplificado da estrutura de

um transstor bipolar pnp moderno
Contacto colector
Contacto base
Contacto emissor
p
n
Junes
p
Regio do tipo p
18-Sep-06
zona de carga
espacial
Regio do tipo n
Jos Figueiredo 101
Modos e Configuraes de Operao de Transstores Bipolares n-p-n
O transstor bipolar um componente semicondutor activo com trs terminais (base, emissor e colector), que pode funcionar como
um amplificador de corrente ou como comutador, de maneira anloga vlvula electrnica termo-inica. O transstor , em geral,
usado em trs configuraes bsicas, designadas de emissor comum, base comum e colector comum. O vocbulo comum significa
aqui que o emissor, a base ou o colector esto ligados ao comum do circuito, respectivamente (directamente ou via outro componente
passivo, normalmente uma resistncia). A configurao emissor comum a mais frequentemente utilizada e ser analisada com
detalhe.
Smbolo do transstor n-p-n
Colector (C)
Base (B)
Emissor (E)
Modo de operao
Activo
Saturao
Corte
Activo inverso
Juno base-emissor
Polarizao directa
Polarizao directa
Polarizao inversa
Polarizao inversa
Juno base-colector
Polarizao inversa
Polarizao directa
Polarizao inversa
Polarizao directa
Anlise dc de Circuitos com Transstores de Juno Bipolares (BJTs)
Analisam-se agora circuitos com BJTs aos quais so aplicadas, apenas, tenses contnuas. No estudo considera-se o modelo
simples em que VBE constante e igual a 0.7 V, independentemente do valor da corrente.
Para o circuito abaixo determine a tenso em todos os nodos e a corrente em cada ramo. Tome =100.
Res: No se sabe, partida, se o transstor est no modo activo ou no. ComeaVCC=10 V
se por admitir que o BJT est no modo activo, prosseguindo at se chegar
RC=4.7 k
RC=4.7 k
soluo. Verificando-se, em seguida, se o BJT est de facto no modo activo. Se
se confirmar, o trabalho est concludo. Caso contrrio o transstor est noutro
C I
C I
C
+4 V
C
modo de operao, e deve resolver-se novamente o problema.
B
B
+10 V
VE=VB-VBE=4-0.7 V=3.3 V, IE=(VE-0)/RE=3.3 V/3.3 A=1 mA, IC=IE=0.99 mA,

IB=IC/=IC/(+1)=0.01 mA, VC=VCC-RCIC=100.0994.7=+5.3 V.
+4 V
E IE
VB E IE
Como VBC=-1.3 V<0 V e VCE=2.0 V>0,2 V, o BJT est, de facto, no modo
RC=3.3 k
RC=3.3 k
activo.
Recomenda-se a anlise da resoluo dos exerccios do Sedra e Smith.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 102
Curvas Caractersticas Tpicas do Transstor Bipolar (BJT)
As equaes que descrevem as correntes no transstor de juno bipolar (BJT), equaes de Ebers-Moll (ver P. Horowitz e W. Hill,
The Art of Electronics), permitem concluir que o BJT pode ser caracterizado por, apenas, quatro parmetros. Estes so, em geral,
fornecidos pelo fabricante, podendo, contudo, ser facilmente determinados em laboratrio. As caractersticas corrente-tenso (que no
so mais do que representaes grficas das eqs. de Ebers-Moll) so, em geral, fornecidas pelo fabricante.
A curva IC-VBE uma relao exponencial, idntica do dodo (IC a corrente de colector e VBE representa a ddp entre os
terminais base e emissor). Para tenso VBE inferior a cerca de 0.5 V, a corrente IC bastante pequena. Contudo, quando a juno baseemissor est em franca conduo a tenso VBE mantm-se em torno de 0.7 V: em anlises de primeira ordem assume-se, em geral,
VBE=0.7 V (como no dodo). As caractersticas IE-VBE e IB-VBE so, tambm, exponenciais, embora em diferentes escalas (IE da
ordem de mA, enquanto que IB da ordem de alguns A). Quando o transstor usado na configurao emissor comum (a descrever
mais tarde), importante conhecer-se as caractersticas IC-VCE (VCE representa a ddp entre os terminais colector e emissor), tendo a
corrente de base IB como parmetro.
O circuito ao lado permite traar as curvas
IC
Saturao
(mA)
caractersticas IC(VCE; IB) de um BJT. Para se obter
IC
RC
30
IB=0.15 mA
estas curvas, comea-se por escolher um valor de IB
VCC
C
(determinado por VBB e RB), e aumenta-se
Regio IB=0.10 mA
20
RB IB
continuamente VCC, partindo de zero. O valor de RC,
Activa
V VCE A IC
imposto pelo mximo valor permitido para a corrente IC
IB=0.05 mA
10
B
e por VCC mximo. Alterando RB ou VBB obtm-se
Corte
VBB
E IE
outros valores de IB, podendo traar-se novas curvas
0 1 2 3 4 5 6
VCE (V)
IC(VCE; IB), actuando novamente em VCC.
Excepto para valores pequenos de VCE(<0.2 V), para os quais o BJT j no est no modo activo, as caractersticas so linhas quase
horizontais, o que indica uma fraca dependncia de IC na tenso VCE. Esta regio (VCE>0.2 V) designada zona activa, onde se
verifica, aproximadamente, a relao IC=IB, com entre 50 e 1000. designa-se por ganho em corrente do transstor: =IC/IB.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 103
Configurao Simples do Transstor n-p-n como Comutador

O funcionamento do transstor como elemento amplificador requer que o seu ponto de funcionamento permanea, sempre, na
regio activa. Contudo, possvel operar o transstor entre os dois modos de operao extremos, a saturao e o corte. Este modo de
funcionamento do BJT usado para implementar circuitos lgicos digitais.
RC
VCC
Considere-se o circuito ao lado e analise-se a sada vC para diferentes valores da tenso de
vC
C
entrada vIN. Se vIN inferior a 0.7 V, a corrente atravs da juno BE ser muito pequena,
iC
RB iB
podendo dizer-se que a juno no est polarizada directamente, estando o transstor em corte:
B
iB=0, iE=0, iC=0, e, portanto, vC=VCC. Notar que a juno BC est inversamente polarizada.
vIN ~
Para retirar o transstor do corte, vIN deve ser superior a 0.7 V.
E iE
Quando vIN>0.7 V, iB=(vIN-VBE)/RB(vIN-0.7)/RB. Se o BJT estiver no modo activo, tem-se:
Caracterstica de transferncia
iC=iB e vC=VCC-RCiC. Se vCE for inferior a VCE,sat=0.2 V o BJT est em saturao e iC=iC,sat.
do circuito acima
(Note que se vC=0 V e vB=0.7 V, a juno BC fica polarizada directamente!) A saturao vC
corte
acorre quando iC, obtida por iC=iB, superior corrente que o circuito do colector pode (V)
activo
saturao
suportar mantendo o BJT na regio activa, i.e., quando iC=iB>IC,sat=(VCC-VCE,sat)/RC. Em
V
Ponto ideal de
saturao vC=VCC-RCiC=VCE=0.2 V, o que corresponde a ter iC=IC,max=IC,sat=(VCC-0.2)/RC. CC
polarizao para
operao como
Neste caso, continuar a aumentar iB (atravs de vIN) no altera significativamente IC,sat. Para
amplificador*
X
assegurar a saturao do BJT iB>IB,sat=IC,sat/ (ou vIN>vIN,sat).
Num circuito comutador baseado no BJT, vIN toma dois valores possveis, ~0 e >vIN,sat, vC,sat
activo
fazendo com que o ponto de operao do BJT comute entre os modos de corte e de saturao, ~0.2
~0.5
vIN,sat v (V)
com vCE a permutar entre vCE,sat~0.2 V e ~VCC. Na prtica e neste caso, os valores possveis de
IN
vIN pertencem aos intervalos zero[0, 0.9] V e um[2.5, 5.0] V.
Exerccio: determine a sada vC quando vIN=0 e vIN=5 V. Considere =100, VCC=5 V, RC= 5 k e RB=100 k.
*O ganho em tenso no caso de operao como amplificador igual ao declive da funo de transferncia no ponto de polarizao.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 104
Exemplos de Funes Lgicas Implementadas com BJTs

Porta lgica NO (NOT) em tecnologia RTL
(RTL, Resistance Transistor Logic)
Caracterstica vo(vi) de uma Porta Lgica NO (NOT)
Entrada:
1~5 V
0~0 V
Sada:
0~[0, 0.9] V
1~[2.5, 5] V
0
0
Porta lgica NO-E (NAND) em tecnologia DTL
Porta lgica NO-E (NAND) em tecnologia RTL

(RTL, Resistance Transistor Logic)
(DTL, Diode Transistor Logic)
18-Sep-06
Jos Figueiredo 105
Configurao Simples do Transstor n-p-n como Amplificador de Tenso

RC
vOUT
O circuito ao lado ilustra a configurao do transstor bipolar em emissor comum. A juno baseC
emissor est polarizada directamente atravs da tenso de polarizao VIN. A juno base-colector est
iC
R B iB
polarizada inversamente (a base est a potencial inferior ao colector) por via da tenso de polarizao,
B
VCC. O sinal de tenso vIN (=VIN+vin) pode, por exemplo, ser gerado por um circuito a montante do vin ~
E
transstor. O sinal amplificado poder actuar em circuitos ou interfaces a jusante do transstor.
VIN
iE
No modo activo iC=iB e iE=(+1)i
+1)iB e, para trans
transstores de Si, a ddp VBE ~0.7 V.
Aplicando a lei de Kirchhoff das malhas, }a malha contendo vIN, tem-se:

Aplicando, novamente, a lei de malhas malha contendo VCC, obtm se:
iB
vIN VBE
, e
RB
iC
VCC
vIN 0.7
v
0 .7
= IN
RB
RB
RB
Em alguns manuais e nas informaes fornecidas

pelos fabricantes, o ganho dc em corrente
vOUT = vCE
representado pelo smbolo hFE, em vez de .
A tenso no colector (vOUT) tem, pois, um termo que proporcional a vin, -RC/RB, que representa o ganho em tenso proporcionado pelo
circuito, i.e., AV=vout/vin=-RC/RB. Este ganho em tenso , portanto, ajustvel por intermdio das resistncias RC e RB. Notar que os sinais
R
R
R
R
R
= VCC iC RC = VCC C (VIN + vin ) + 0.7 C = VCC C VIN + 0.7 C C vin
RB
RB
RB
RB
RB
de entrada (a amplificar) e de sada (amplificado) esto em oposio de fase, o que muitas vezes indicado por um ganho negativo.
A Resistncia de entrada da montagem (resistncia vista do terminal B), RIN, dada pela razo entre vb e ib. Desprezando
a ddp entre a base e o emissor, VBE, vBiere. Como ie ic, tem-se ie ib, obtendo-se: RIN=rE, onde rE a resistncia da juno baseemissor (no indicada na montagem: rEVT/IE 26 mV/IE rever resistncia dinmica do dodo).
Par de Darlington
O do transstor limita o valor mximo da resistncia de entrada de algumas montagens, como por exemplo na
configurao emissor-seguidor. Uma forma de aumentar a resistncia de entrada usar dois transstores na
configurao conhecida como par de Darlington. No par de Darlington os colectores dos transstores formam um
nodo que liga tenso de polarizao VCC e o emissor do primeiro alimenta a base do segundo. Esta configurao
tem =21: a corrente emissor do primeiro transstor IE1=1IB1, que a corrente base do segundo, produzindo a
corrente emissor do segundo ie2=21ib1. A resistncia de entrada do par Ri21rE.
18-Sep-06
+VCC
1,2>>1
i B1
ib2ie11ib1
ie221ib1
Jos Figueiredo 106
Circuito de Polarizao Universal de um BJT

possvel usar apenas uma fonte de tenso dc para polarizao do transstor, i.e., definir os valores dc IB, IC e IE, e, claro, VB, VC
e VE, atravs do circuito conhecido como configurao de polarizao universal.
VB
VCC
Resistncia de entrada (resistncia vista do terminal B), RIN: razo entre VIN=VB e a IIN=IB. RIN =
IB
I1
R1
IB B
I2
R2 VB E
RC
IC
IE
RE
Desprezando a ddp entre a base e o emissor, VBE, VBVE=IERE. Como IE IC, tem-se IE IB. Substituindo
I B RE
obtm-se:
RIN
IB
= RE .
R2 //RIN
Tenso de Base: VB =
R1 + R2 //RIN
R2
VCC .
VB
R
+
R
1
2
VCC . Assumindo IB<< I1 e I2, VB , aproximadamente, dada por:
Conhecida VB, obtm-se: VE=VB-0.7 V. A tenso no colector VC=VCC-RCIC.

A tenso aos terminais colector-emissor, VCE, : VCE=VC-VE. No modo activo VCE>0.2 V.
Exerccio: No circuito acima considere

RC=5 k
R1=100 k, R2=50 k, RC=5 k, RE=3
C I
k e VCC=+15 V.
C
Determine a tenso em todos os nodos e RBB=33.3 k
a corrente em cada ramo. Assuma
B
=100.
VBB
E IE
Res: O circuito ao lado equivalente
5
V
ao de cima, em que o circuito de
RE=3 k
polarizao da base foi substitudo pelo
equivalente de Thvevin visto da base.
Da anlise do circuito ao lado, resulta VBB=RBBIB+VBE+REIE (1).

Substituindo
IB=IE/(+1)
na
eq.
(1)
obtm-se
IE=(VBB-
VBE)/[RE+RBB/(+1)]=1.29 mA, IB=IE/(+1) =0.0128 mA. A tenso

VCC na base dada por VB=VBE+REIE=0.7+1.293=4.57 V. Assumindo a
15 V operao no modo activo, I =I =0.991.29=1.28 mA. A tenso no

C
E
colector VC=VCC-RCIC=15-1.285=8.6 V. Como VCB=4.03 V>0,2
V, o transstor est de facto no modo activo, como foi assumido.
Recomenda-se, novamente, a anlise da resoluo dos exerccios do
Sedra e Smith, por exemplo.
Quando o transstor est saturado VCE~0.2 V. Em saturao no vlida a relao IC=IB: as correntes obtm-se atravs
das leis dos nodos e das malhas, tomando o transstor como um nodo, i.e., IE=IC+IB.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 107
Montagem Tpica de um Amplificador em Emissor Comum

Nesta montagem a polarizao da base feita usando um divisor de tenso. Os

condensadores CB e CC so usados para acoplar os sinais entrada e sada do
amplificador de forma que o gerador de sinal e a carga no afectam a polarizao do
transstor. Assume-se que todos os condensadores apresentam reactncia prxima de
zero frequncia do sinal. O condensador CE curto-circuita terra o sinal de tenso no
emissor, sem perturbar a tenso dc no emissor. Devido ao CE, o emissor est terra ac
(mas no dc), o que faz com que o ganho desta montagem seja bastante mais elevado que
o da montagem sem CE, i.e., a presena de CE traduz-se num aumento do ganho em
tenso do amplificador.
+VCC
RC
R1
Rs
~ vs
ii CB
+
vi R2
Ri,total
CC
i0
C
B
RE
RL
CE
+
v0
-
R0
Considere-se a montagem amplificadora sem o CE:

O ganho em tenso do amplificador v0/vi. A tenso de sada dada por: v0=RCic. O sinal na base , aproximadamente, igual a
vbvi(RE+rE)ie, onde rE a resistncia da juno base-emissor, no indicada na montagem (rEVT/IE 26 mV/IE rever resistncia
dinmica do dodo). O ganho em tenso, Av, pode ser expresso como Av=v0/vi=RCic/[ie(RE+rE)]. Dado que ieic, obtm-se:
Av=v0/vi=RC/(RE+rE). Em geral RE>>rE, resultando Av=v0/viRC/RE.
Montagem com o condensador CE ligado em paralelo com a resistncia RE:
Agora a resistncia remanescente entre a base e o emissor apenas rE. O ganho em tenso da montagem com o condensador CE de
curto-circuito , portanto, igual a Av=v0/vi=RC/rE. Ter em ateno que o sinal amplificado est em oposio de fase com o sinal a
amplificar, o que muitas vezes indicado com um ganho em tenso negativo.
A resistncia de entrada da montagem com o condensador CE, vista pelo sinal ac, dada por: RirE. A resistncia de
entrada total da montagem, vista pela fonte ac, : Ri,totalR1//R2//Ri. (A resistncia RC no tem qualquer efeito dado a juno basecolector estar inversamente polarizada.)
O ganho em corrente da montagem Ai=i0/ii, onde ii=vi/Ri,total. O ganho em potncia o produto dos ganhos em tenso e em
corrente: Ap=AvAi.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 108
Montagem Tpica de um Amplificador em Colector Comum
Esta montagem tambm conhecida como montagem emissor seguidor. A entrada

aplicada na base e a sada retirada no emissor. No h resistncia ligada ao colector.
O ganho em tenso da montagem colector comum (CC) , aproximadamente, 1.
Tambm nesta montagem a polarizao da base feita usando um divisor de tenso. O
condensador CB usados para acoplar o sinal de entrada ao amplificador de forma que o
gerador de sinal no afecte a polarizao do transstor. Assume-se que CB apresenta
reactncia prxima de zero frequncia do sinal.
+VCC
R1
Rs
~ vs
is CB
+
vi
-
R2
C
B
RE
v0
Como em todos os amplificadores, o ganho em tenso do amplificador em CC Av=v0/vi.

Para o emissor seguidor v0=REie e vi =(RE+rE)ie. O ganho em tenso Av=v0/vi=REie/[ie(RE+rE)]=RE/(RE+rE). Note que o ganho
neste caso sempre inferior a 1. Como, em geral, RE>>rE, Av=v0/vi1.
Dado que a tenso no emissor a tenso de sada do amplificador, esta est em fase com a tenso da base ou tenso de entrada.
Como resultado, e porque o ganho 1, a tenso de sada segue a tenso de entrada, da a montagem em CC ser tambm conhecida
como emissor-seguidor.
A resistncia de entrada do emissor-seguidor dada por Rivb/ib=(RE+rE)ie/ib(RE+rE)RE. A resistncia de entrada total da
montagem, vista pela fonte ac, dada por Ri,totalR1//R2//Ri. Como Ri pode ser bastante elevada escolhendo devidamente RE, a
configurao CC pode apresentar uma resistncia de entrada muito superior montagem EC.
A montagem emissor-seguidor , portanto, caracterizada por apresentar elevada resistncia de entrada, o que a torna bastante til.
Devido a esta elevada resistncia de entrada, o circuito emissor-seguidor pode ser usado para minimizar efeitos de carga quando um
circuito ligado a outro.
O ganho em corrente da montagem emissor-seguidor Ai=ie/is, onde is o sinal de corrente, que obtido a partir de isvs/Ri,total.
Se as resistncias de polarizao forem suficientemente elevadas tem-se isib. Pode concluir-se, ento, que o ganho em corrente da
montagem igual ao ganho em corrente do transstor, . O ganho em corrente da montagem pode ser expresso como:
Ai=ie/isRi,total/RE.
O ganho em potncia o produto dos ganhos em tenso e em corrente. Para esta montagem Ap Ai.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 109
+VCC
Configurao Universal de um Amplificador com BJT npn

O circuito ao lado conhecido como a configurao amplificadora universal. A partir deste arranjo
possvel obter as configuraes amplificadoras emissor comum, base comum e colector comum. O vocbulo
comum refere-se ao facto de o emissor, a base ou o colector estarem, respectivamente, ligados ao comum do
circuito (terra), directamente ou via outro componente passivo, normalmente uma resistncia ou um
condensador. Como indicado, so usadas duas fontes dc para a polarizao do circuito. , portanto, necessrio
apenas uma resistncia ligada base para estabelecer a tenso na base. Os condensadores permitem o
acoplamento ac de sinais. Os condensadores (de elevada capacidade, idealmente infinita) so usados para
conectar os correspondentes terminais do transstor a uma fonte de sinal, a uma carga ou ao comum. Como os
condensadores bloqueiam os sinais dc, estas ligaes no afectam a polarizao do transstor (tenses e
correntes dc). A desvantagem a necessidade de usar condensadores de capacidade elevada.
RC
C
X, CB B
vb
Amplificador em Montagem Emissor Comum
A montagem em emissor comum obtida a partir da configurao universal, ligando o

terminal Y terra, o terminal X fonte de sinal, e o terminal Z resistncia de carga. O
condensador CE assegura que, para sinais ac, o terminal emissor est ligado terra do
circuito, e , por isso, um terminal comum entre a entrada e a sada (dai o nome amplificador
em emissor comum). Enquanto CB e CC servem para acoplar os sinais de entrada e de sada,
respectivamente, o condensador CE serve para curto-circuitar o emissor terra (para sinais
ac): CE designado condensador de curto-circuito. A fonte de sinal representada pelo seu
equivalente de Thvenin (vs e Rs). O circuito de carga representado pela resistncia RL.
RB
E
RE
+VCC
RC
CC
CE
~ vs
ii CB=
B
+
vi RB
Ri
Ri=vi/ii
Montagem Tpica de um Amplificador em Base Comum
Y,
ve
-VEE
CC= i0
Rs
Z,
vc
RL
CE=
RE
-VEE
+
v0
-
R0
R0=v0/i0
A montagem base comum (BC) proporciona elevado ganho em tenso, com ganho em corrente unitrio.
CE
CC
Como apresenta baixa resistncia de entrada esta montagem a mais apropriada para certas aplicaes de vi
v0
elevada de frequncia, onde as fontes tendem a ter baixa impedncia interna, tipicamente 50 . A base
R1 RC
RE R2
est ligada terra do sinal (ac), e a entrada aplicada ao emissor. A sada retirada do terminal colector e
CE
est em fase com o sinal de entrada. O ganho em tenso Av=v0/vi=vc/ve=RCic/rEieRCie/rEie=RC/rE.
+VCC
A expresso do ganho a mesma que a da montagem em emissor comum com condensador de curto-circuito: Av=RC/rE. A resistncia vista
pelo emissor aparece ao sinal de entrada como: Rivi/ii=ve/ie=rEie/ierE. Vista da fonte RE est em paralelo com Ri. Como, em geral, rE<<RE,
Ri,totalrE. O ganho em corrente a corrente de sada ic dividida pela corrente de entrada ie. Como icie, o ganho em corrente do sinal ,
aproximadamente, igual a 1, i.e., Ai1. O ganho em potncia o produto dos ganhos em tenso e em corrente. Neste caso Ap Av.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 110
Exerccios
1. Considere o circuito da figura, onde RC=100 , RB=2 k, e EC=30 V. O ou hFE do transstor 50, a tenso colectoremissor em saturao 0.2 V e a tenso base-emissor em conduo vale 0.7 V. Calcular as correntes e as tenses no
transstor para os dois estados do interruptor S (aberto e fechado).
Res: S fechado
RB
Como VB=0 V e VE=0 V, resulta que VBE=0 V. Em consequncia IB=IC=IE=0 A e VCE=EC=30 V.
RC
S aberto
EC
Quando S est aberto: IB=(EC-VBE)/RB=14.65 mA, IC=IB=0.7325 A e IC=(+1)IB=0.7472 A. Ser que o

transstor est em saturao? Verificao: a corrente mxima possvel no ramo do colector dada por:
IC,sat=(EC-VCE,sat)/RC=0.298 A, donde se conclui que IC=IB>IC,sat, i.e., o transstor est claramente em corte.
Assim: IB=14.65 mA, IC=298 mA e IE=IB+IC=312.65 mA. VE=0 V, VB=0.7 V, VC=EC-RCIC=0.2 V.

2. Para o circuito da figura, determine as correntes de base, no emissor e no colector e as tenses de base, de emissor e de
colector para =100 e infinito. Use VBE=0.7 V para transstores em conduo, e VCE,sat=0.2 V para transstores em
saturao.
Res: Admitindo que o transstor est em conduo e na zona linear, VBE=0.7 V. Em consequncia
I2=VBE/R2=0.07 mA. Aplicando a lei das malhas malha formada por R1, R2 e R3, tem-se: 10
+10 V
V=R1I1+R2I2+R3I3 ou 10-0.7 V=R1(IB+I2)+R3[(+1)IB+I2], (foram usadas as seguintes igualdades: I1=IB+I2,
R4
3.3
k
R1
I3=IE+I2=(+1)IB+I2). Obtm-se: IB=(9.3-7.0-0.231)/[R1+R3(+1)]=2.069/[R1+R3(+1)].
I1
100 k
Para =100, obtm-se: IB=4.812 uA, IC=0.481 mA e IE=0.486 mA; VE=R3(IE+I2)=1.835 V,
VB=VE+VBE=2.535 V, e VC=VCC-RCIC=8.413 V. Como VCE=VC-VE>VCE,sat=0.2 V, pode concluir-se que o
R2
I2
10 k
transstor est de facto na regio activa.
R3
Para =, obtm-se: IB=0 A, I1=I2=0.07 mA, resultando VB=VCC-R1I1=3 V, VE=VB-VBE=2.3 V,
I3
3.3 k
IE=VE/R3=0.697 mA e IC=IE=0.697 mA. VC=VCC-R4IC=7.7 V. Claramente, VCE=VC-VE>VCE,sat=0.2 V e,
portanto, pode concluir-se que o transstor est de facto na regio linear.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 111
3. Considere o circuito ao lado. Calcule as tenses aos terminais base, emissor e colector dos transstores, e as
correntes em todos os ramos. Assuma, para ambos os transstores, =100 e |VBE|=0.7 V.
Res: Para resolver o exerccio, comeasse por assumir que
ambos os transstores esto no modo activo, i.e., que vlida a
R4=9.1 k R =5 k relao i =i (a confirmar). Admitindo que a corrente de
C
B
5
base do segundo transstor muito menor que a corrente
Q1
de colector do primeiro transstor, pode-se assumir que a
Q2
R2=
corrente na resistncia R3 praticamente igual corrente de 100 k
R3=9.1 k R6=4.3 k
colector do primeiro transstor IC1, i..e., o segundo andar no
VCC-=-10 V
afecta de forma significativa a polarizao do primeiro andar.
VCC+=+10 V
R2=
95 k
Vcc+=+10 V
R4=9.1 k
Q1
VC1
R3=9.1 k
VCC-=-10 V
A resoluo deste tipo de circuitos , em geral, aproximada, o que na maior parte das situaes mais do que suficiente
(Ver comentrio no Sedra e Smith)
Considera-se primeiro o primeiro andar figura direita, acima (redesenhe sempre, e as vezes que for necessrio, o circuito na
folha de respostas):
Analisando a malha VccR4VEBR4comum: 10=R4IE+0.7+R2IB. Tendo em conta que se assumiu que iE=(+1)iB: 100.7=R2IB1+(+1)R4IB1, IB1=9.3/(1014.1)=9.17 A. IE1=(+1)IB1=0.926 mA, IC1=IB1=0.917 mA. VB1=R2IB1=0.871 V, VE1=VCC+R4IE1=1.57 V, VC1=R3IC1+VCC-=-1.66 V. Como VEC1>0.2 V, pode-se concluir que o transstor Q1 est no modo activo, como se
assumiu anteriormente.
VCC+=+10 V
Anlise do segundo andar (desenhar o circuito na folha de respostas): Tendo em conta a introduo
R5=5 k
acima, VB2=VC1= -1.66 V, podendo concluir-se que VE2=VB2VBE2=-2.36 V. IE2=(VE2-VCC-)/R6=1.78 mA,

IC2=IE2=1.76 mA, IB2=IC2/=17.6 A. VC2=VCC+ -R5IC2=1.20 V. Como VCE2>0.2 V, pode-se concluir que VC1
tambm o transstor Q2 est no modo activo. Repare que IC1=917 A >> IB2=17.6 A, como se tinha
admitido, e, portanto, a aproximao feita uma boa aproximao.
18-Sep-06
Q2
R6=4.3 k
VCC-=-10 V
Jos Figueiredo 112
Princpio de Funcionamento
do Transstor Bipolar pnp
18-Sep-06
Jos Figueiredo 113
Princpio de Funcionamento do Transstor Bipolar pnp

Tendo em conta que a estrutura de um transstor bipolar corresponde a duas junes pn em srie, com a regio n em comum.
(Aconselha-se a consulta das notas sobre junes pn e do guia do 3 trabalho.) Uma vez que o transstor npn tratado no guia do 5
trabalho, analisa-se aqui, apenas, o funcionamento do transstor pnp. No entanto, todas as consideraes so vlidas para transstores
npn, trocando, apenas, o papel dos electres e das lacunas, e invertendo as polaridades das ddp e os sentidos de corrente.
A regio de material SC comum s duas junes p-n chamada base. As outras duas regies so designadas emissor e colector.
Embora estas duas ltimas regies tenham condutividade do mesmo tipo, tm, normalmente, propriedades fsicas e elctricas
diferentes, resultantes de graus de dopagem diferentes. As dimenses so, tambm, geralmente diferentes. A juno entre o emissor e
a base designada por juno emissor-base (JEB); a outra designada juno colector-base (JCB).
Quando o transstor pnp utilizado como elemento de controlo ou como amplificador, a juno emissor-base est polarizada
directamente, e a juno colector-base est polarizada inversamente. Nestas circunstncias, diz-se que o transstor est a operar na
regio activa/linear ou modo activo/linear.
No modo activo, a operao do transstor pnp pode ser entendido em termos do fluxo
I
de portadores minoritrios (na base) atravs da fina zona da base entre as duas junes.
E
IE Emissor VEB
E Quando a juno EB est polarizada directamente (ver figura), so injectadas lacunas na
(E)
IB
p
base (onde so portadores minoritrios) vindas do emissor (onde so portadores
Base (B) n
B
maioritrios) - corrente do emissor - tal como num dodo de juno pn polarizado
VBC
C
IB p
IC
directamente. Ao contrrio do que acontece no dodo, onde a grande maioria destas
IC Colector
(C)
lacunas se recombinam com os electres existentes na regio n, no transstor a quase
IE=IC+IB
totalidade das lacunas vindas do emissor consegue atingir a juno CB, que em operao
zona de carga espacial
normal est polarizada inversamente (ver figura).
da juno emissor-base
A corrente do emissor depende fortemente da ddp na juno emissor-base pelas mesmas
emissor
base
colector
razes que a corrente directa de um dodo depende fortemente da sua ddp; redues
fluxo de
pequenas da altura da barreira de potencial da juno fazem com que um nmero elevado
lacunas
de portadores maioritrios esteja disponvel para injeco, de forma que a concentrao
tipo p
tipo n
tipo p
de portadores nos extremos da zona de carga espacial cresce exponencialmente com a
x
0
W
zona de carga espacial
ddp directa na juno.
da juno colector-base
18-Sep-06
Jos Figueiredo 114
tipo p
recombinao
no emissor
electres injectados
no emissor
Ao atingirem a zona espacial de carga da juno colector-base (CB), as lacunas so

arrastadas, pelo campo elctrico existente na juno CB, para o colector, que est a um
fluxo de potencial inferior ao da base: corrente do colector. Como no modo activo a juno
lacunas
colector-base est polarizada inversamente no h injeco de portadores negativos da
base para o emissor e de lacunas do emissor para a base, e as lacunas provenientes da
base dominam a corrente do colector. A pequena fraco de lacunas vindas do emissor
que no chega juno colector-base, recombinam-se com os electres de conduo
recombinao
(majoritrios) da base, que so repostos pela fonte de polarizao da juno emissor-base:
na base
corrente da base.
tipo n
tipo p
Normalmente, a corrente de base muito inferior corrente do colector, que , portanto, praticamente igual corrente do emissor. A corrente
de base necessria para compensar a recombinao que ocorre na base e para manter a injeco dos portadores majoritrios da base em
direco ao emissor. A corrente de base , em geral, muito pequena, dado a base ser uma regio muito estreita e o tempo de vida dos portadores
ser longo devido pouca dopagem. Acresce ainda que o emissor bastante mais dopado que a base, minimizando assim a injeco inversa para
o emissor. A corrente que flui no trajecto emissor-colector (normal s junes) est sob o controlo directo da ddp na juno EB e ,
praticamente, independente da ddp na juno CB.
A corrente no colector independente da ddp na juno CB, pelas mesmas razes que a corrente inversa de um dodo independente da
ddp inversa (desde que seja algumas vezes superior a kBT/e). A barreira de potencial na juno CB suficientemente elevada para bloquear
inteiramente o fluxo de portadores das regies em que so maioritrios para as regies em que so minoritrios, enquanto o campo elctrico
associado varre os portadores para fora das regies em que esto em minoria. A taxa a que os portadores minoritrios so varridos depende
apenas da taxa com que os portadores minoritrios chegam ao limite da regio da base do lado do colector, e independente da intensidade do
campo. Assim, no existe dependncia da corrente na ddp inversa.
Verifica-se, como no caso do dodo polarizado directamente, que a corrente no colector controlada, directamente, pela polarizao da
juno emissor-base, i.e., pela ddp entre o emissor e a base. Contudo, a falta de acoplamento entre a corrente de colector e a ddp colector-base ,
apenas, uma aproximao. Os modelos fsicos mais completos incluem a dependncia da largura da base na ddp colector-base, j que a largura
da zona de carga espacial da juno CB depende da sua ddp. medida que a zona de carga espacial aumenta, com o aumento da ddp inversa, a
largura da base diminui.
A designao transstor bipolar resulta da presena simultnea dos dois tipos de portadores de carga.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 115
Na descrio que se segue apenas ser considerado o fluxo de carga devido difuso de portadores. As correntes de arrastamento
devido aos portadores gerados termicamente so, geralmente, pequenas e no so consideradas nesta anlise. Nos transstores pnp a
corrente devida quase exclusivamente a lacunas do emissor injectadas na base, como resultado da polarizao directa da JEB.
juno emissor-base fabricada de forma assimtrica (o emissor tem uma dopagem muito superior da base). Tendo em conta que a
base bastante estreita, em equilbrio, a concentrao dos portadores minoritrios (lacunas) na base diminui linearmente do emissor
para o colector. A concentrao ser mxima no emissor [pB(0)] e mnima no colector, i.e., os gradientes das concentraes dos
portadores minoritrios e majoritrios na regio da base so, praticamente, independente da posio. Como em qualquer juno pn
polarizada directamente, pB(0) proporcional a eVEB/VT. Dado que a difuso de lacunas proporcional a eVEB/VT e que a corrente
proporcional concentrao de portadores livres (lacunas), a corrente no colector proporcional a eVEB/VT, i.e., IC=ISeVEB/VT, onde IS
a corrente de saturao, que directamente proporcional rea da juno EB e inversamente proporcional espessura da base.
A corrente de base composta por duas componentes. A parte dominante resulta da injeco de electres da base no emissor.
Esta corrente proporcional a eVEB/VT e concentrao de dopantes na base. A segunda componente devida aos electres que tm
que ser fornecidos pelo circuito externo de forma a compensar os electres perdidos nos processos de recombinao que ocorrem na
base. O nmero de lacunas (e o nmero de electres) que tomam parte no processo de recombinao proporcional concentrao
pB(0) e largura da base. Portanto, ambas as componentes da corrente de base so proporcionais a eVEB/VT. A componente da corrente
no emissor devida aos electres injectados no emissor, vindos da base, pequena porque a base muito menos dopada que o
emissor. A corrente de portadores minoritrios injectados, que flui perpendicularmente ao plano das junes, , aproximadamente, a
mesma no colector e no emissor, pois a recombinao na base extremamente reduzida. A corrente de base , portanto, uma fraco
da corrente de colector: IB=IC/ ou IB=(IS/)eVEB/VT, onde representa o ganho de corrente em emissor-comum.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 116
O parmetro varia de transstor para transstor. Em geral, est compreendido entre 50 e 1000. O valor de depende
fortemente da largura da base e dos graus de dopagem do emissor e da base. Para obter um elevado (o que bastante
desejvel uma vez que representa um parmetro de ganho) a base deve ser estreita e pouco dopada e o emissor fortemente
dopado.
Dado que a corrente que entra no transstor deve ser igual que sai, a corrente no emissor igual a soma das correntes
do colector e da base: IE=IC+IB. Assim, IE=(+1)IB ou IC=IE, onde =/(+1). O parmetro corresponde ao ganho de
corrente em base comum.
Ter em ateno que as relaes IE=(+1)IB e IC=IE s so validas para a operao no regime linear ou modo
activo.
Em alguns manuais e nas informaes fornecidas pelos fabricantes, o ganho em corrente dc representado pelo
smbolo hFE em vez de .
Modelos Equivalentes de Grande Sinal de um Transstor pnp

A discusso apresentada do transstor corresponde ao modelo de primeira ordem. A figura abaixo apresenta dois
circuitos equivalentes de grande sinal de um transstor pnp operando no modo activo.
E
IE
+
(IS/)eVEB/VT
IB VEB
B
IE
ISeVEB/VT
C
IB
VEB
(IC/)
ISeVEB/VT
IC
C
IC
De forma anloga se obtm os modelos para transstores npn.

18-Sep-06
Jos Figueiredo 117
Regimes No-Lineares
A anlise realizada at aqui baseada nos pressupostos seguintes: a juno emissor-base est directamente polarizada e a juno colectorbase est inversamente polarizada (ambas com um valor bastante superior a kBT/e). Estas condies definem os limites da regio de
comportamento linear (entre a corrente de colector e a corrente de base: IE=IB).
Uma das formas de sair do regime de funcionamento linear tornar a juno emissor-base inversamente polarizada. Nesta condio, diz-se
que o transstor est em corte (cut off). Em corte no h injeco de portadores do emissor na base, e todas as correntes nos terminais so
pequenas (<< mA) e independentes das ddp nas junes.
O transstor tambm pode sair da regio activa se a juno colector-base se tornar directamente polarizada. O dispositivo diz-se ento
saturado. Em saturao h injeco atravs das duas junes, e as ddp atravs das duas junes directamente polarizadas so pequenas e
relativamente independentes das correntes. claro que entre as diferentes regies de funcionamento existe uma transio contnua.
Outra regio de funcionamento possvel corresponde situao em que a juno emissor-base esta polarizada inversamente, e juno
colector-base polarizada directamente. Esta regio equivalente a trocarmos o emissor com o colector na anlise que fizemos da regio activa, a
nica diferena corresponde ao facto de os transstores no serem, em geral, simtricos na estrutura fsica e nas dopagens, donde os parmetros
e serem diferentes para esta situao. As caractersticas terminais so, assim, obviamente diferentes e piores que no caso linear.
Transstor Bipolar npn

A verso dual do transstor pnp o transstor npn cuja configurao e smbolo esto
representados na figura ao lado. A sua operao anloga descrita para o transstor pnp,
invertendo todas as tenses e os sentidos das correntes. No modo activo/linear a JBE est
polarizada directamente, enquanto que a JBC est inversamente polarizada.
Colector
(C)
IC
Base (B)
IB
IE
n
p
VCB
IC
IB
C
Emissor
(E)
VBE
IE
IE=IC+IB
18-Sep-06
Jos Figueiredo 118
Transstores de Efeito de Campo
18-Sep-06
Jos Figueiredo 119
Transstores de Efeito de Campo
Transstores de Efeito de Campo Unipolares de Juno
JFET canal p
Dreno (D)
grelha
p
G
grelha
n
G
Fonte (S)
18-Sep-06
Os transstores de efeito de campo de juno (JFETs) so um tipo de FET que usa uma
Dreno (D) juno p-n polarizada inversamente para controlar a corrente no canal do dispositivo. Os
JFETs podem ser de canal n ou de canal p. O JFET de canal n (p) obtido dopando duas
regies de um cristal semicondutor tipo n (p) com impurezas aceitadoras (dadoras). As
n
regies tipo p (n) no JFET de canal n (p) formam o terminal grelha do FET (G, de gate).
No esquema ao lado, apenas uma ligao gelha indicada.
canal p
JFET canal n
canal n
O transstor bipolar um dispositivo controlado por corrente, i.e., a corrente de base controla a quantidade de corrente no
colector. Os transstores de efeito de campo (FETs) so componentes controlados por tenso, i.e., a ddp entre os terminais grelha e
fonte determina a magnitude da corrente atravs do dispositivo. Na verdade, o campo elctrico estabelecido pela fonte de tenso
aplicada a estes terminais que controla a corrente entre os terminais dreno e a fonte. Nos FETs a corrente devida a um s tipo de
portadores (electres ou lacunas), sendo estes transstores tambm conhecidos como unipolares. Quando comparados com os BJTs,
os FETs apresentam resistncias de entrada muito mais elevadas (~ M - G), o que vantajoso em certas aplicaes.
O conceito de FET foi apresentado nos anos trinta do sculo passado, sendo, contudo, apenas demonstrado nos anos sessenta. O
FET mais popular o metal-oxide semiconductor FET (MOSFET). Os MOSFETs podem ter dimenses muito inferiores s dos
JBTs, e so mais fceis de fabricar. Uma das grandes vantagens dos MOSFETs prende-se com o facto de as funes lgicas digitais e
as memrias poderem ser implementadas exclusivamente com MOSFETs (i.e., no sendo necessrio nem resistncias nem dodos).
Por esta razo a maioria dos circuitos de elevada escala de integrao [very large scale integrated (VLSI) circuits] so feitos
usando a tecnologia MOS. Exemplos so os microprocessadores e os chips de memria.
O FET mais comum o MOSFET de enriquecimento. Os FETs unipolares de juno so tambm populares como componentes
discretos (estes apresentam resistncias de entrada menores que os MOSFETs).
Fonte (S)
Jos Figueiredo 120
Os smbolos dos JFETs canal n e canal p esto indicados nas figuras ao lado.
JFET canal n G
Princpio de Funcionamento do JFET canal n
JFET canal n
ID
D
G
VGG
VDD
pp
D
S
JFET canal p G
D
S
A figura ao lado ilustra a operao de um FET do tipo n. O terminal positivo da fonte de tenso VDD ligado
ao terminal dreno (D) e o negativo ao terminal fonte (S). O terminal negativo da fonte VGG conectado
grelha (G) do FET, e o terminal positivo ao dreno (D) do transstor. Notar que VGG polariza inversamente a
juno pn. As reas a branco em torno das regies p representam as zonas de depleco criada pela
polarizao inversa. Est regio mais extensa entre a grelha e o dreno porque a tenso inversa entre estes
terminais maior do que entre a grelha e a fonte. O JFET sempre operado com a juno pn polarizada
inversamente.
A polarizao inversa da juno GS produz a depleco do canal n, o que aumenta a sua resistncia. A largura
efectiva do canal controlada variando a tenso aplicada grelha e, portanto, a quantidade de corrente no dreno ID.
Caractersticas I-V do JFET Canal n
Considere o circuito abaixo. Comece por assumir que a tenso VGG=0 V. Aumentando VDD (e portanto VDS) a partir de zero,
RD
ID cresce proporcionalmente at atingir um valor mximo (saturao), aps o que permanece

praticamente constante (saturao), mesmo continuando a aumentar VDD. O valor de VDS, com VGS=0 V,
ID
para o qual ID satura chamado tenso de estrangulamento (pinch-off), VP (valor caracterstico de cada
VDD
FET, que no caso de FETs canal n negativo). ID aumenta at que VDS=VP, porque a resistncia do canal
VGG
varia muito pouco, dado que a regio de depleco pouco extensa para produzir um efeito significativo:
No estrangulamento: zona hmica (nesta regio VDS e ID esto relacionadas pela lei de Ohm). No intervalo em que ID ~
2
V constante, a zona de depleco alarga-se, aumentado a resistncia, o que anula o efeito do aumento de VDS.
I D I DSS 1 GS
VP
18-Sep-06
Jos Figueiredo 121
O JFET canal n opera na regio de estrangulamento se: VDSVGS-VP, onde VP negativo. ID

O valor da corrente correspondente tenso de estrangulamento IDSS (corrente dreno-fonte IDSS
com a grelha curto-circuitada). O valor IDSS a corrente mxima que um FET pode
produzir, e vem sempre especificado para VGS=0 V. Contudo, existe um valor de VDS a
partir do qual a corrente recomea a crescer rapidamente, ocorrendo a destruio do
dispositivo. Claro est, que o componente deve ser operado com valores de VDS inferiores ao
valor de ruptura e na regio ID-VDS
VGS=0 V
VGS=-1 V
VP
VGS=-2 V
VGS=-3 V
VGS=-4 V
VGS,C=-5 V
VP(VGS=0)
VDS
em que ID ~constante. Considere-se agora que VGG diferente de zero e que a grelha (G) est a um potencial inferior ao da fonte (S),
i.e., VGS <0. As junes GD e GS ficam mais inversamente polarizadas. Para um mesmo valor de VDD, verifica-se que, agora, ID
decresce medida que VGS se torna mais negativa e que o JFET atinge o estrangulamento (regio de corrente constante) para valores
de VDS inferiores a VP, i.e., a corrente ID controlada por VGS. O valor de VGS que torna ID~0 designado tenso de corte,
VDS,corte. O decrscimo de ID resulta do alargamento da regio de depleco, que chega mesmo a ocupar toda a regio do canal entre
a regio das grelhas. O JFET deve ser operado entre VGS=0 e VGS,corte. Neste intervalo de tenso GS, ID varia entre o mximo IDSS e
um mnimo (quase zero). Em resumo, para um JFET canal n, quanto mais negativa for VGS menor ser o valor de ID na regio de
corrente constante. O JFET canal p opera da mesma maneira, apenas requerendo VDD <0 e VGS>0: na regio de estrangulamento
VDS}VGS-VP, onde VP positivo.
dreno
fonte
MOSFET de Enriquecimento
(S)
grelha
(G)
(D)
As figuras ao lado mostram de forma esquemtica a estrutura fsica de um MOSFET de

p
enriquecimento canal n. O transstor fabricado num substrato tipo p, que um cristal de silcio. Duas
(B)
regies tipo n, dreno e fonte, so criadas no substrato. Uma camada fina (~0.1 um) de SiO2, excelente
n+ corpo SiO metal
2
isolador elctrico, crescida na superfcie do substrato, cobrindo as reas entre as regies dreno e fonte. fonte grelha
dreno
(G)
De seguida depositado metal no xido, formando o terminal grelha do dispositivo. Contactos (S)
(D)
metlicos so tambm depositados nas regies do dreno, da fonte e na superfcie do substrato oposta ao
+
+
n canal
n
L
xido, designada corpo. Assim, so formados quatro terminais: a grelha (G), o dreno (D), a fonte (S) e
do substrato ou corpo (B). Como costume, o nome metal-oxide semiconductor FET deriva da substrato tipo p (corpo)
(B)
estruturas fsica do dispositivo.
corpo
18-Sep-06
metal
Jos Figueiredo 122
Princpio de Funcionamento do MOSFET de Enriquecimento

O MOSFET de Enriquecimento no tem um canal estrutural. Notar que o substrato estende-se at camada de slica. Num
dispositivo de canal n, quando a grelha polarizada positivamente acima de um valor mnimo, VGS,min, induz-se um canal por
formao de uma camada estreita de cargas negativas na regio do substracto adjacente regio de SiO2. A condutividade do canal
aumentada, aumentando a ddp entre a grelha e a fonte, porque atrai mais electres para a regio do canal (zona entre as regies de
tipo n). Para tenses VGS inferiores a VGS,min, no h formao do canal.
Dreno (D)
-
Corpo
(B)
VDD
Cuidados no Manuseamento de MOSFETs e Circuitos com MOSFETs
Fonte
Dado que a grelha est isolada do canal (pela camada de slica), a resistncia de entrada
(S)
extremamente elevada (idealmente infinita). A corrente de fuga na grelha, IGSS, para um
dispositivo tpico da ordem de pA, enquanto que num JFET nA. Como a grelha, a camada
de slica e o canal formam um condensador, pode acumular-se carga devido combinao de
uma capacidade e de uma resistncia muito elevada. A corrente provocada por uma descarga MOSFET de enriquecimento
canal n
canal p
electrosttica (ESD, Electrostatic discharge) pode danificar o MOSFET.
D
n+
substrato tipo p (corpo)
+
grelha (G) ++
+
+
VGG
+
Canal
induzido
n+
Os smbolos dos MOSFETs de enriquecimento de canal n e de canal p esto indicados na

figura abaixo, direita. As linhas quebradas denotam a ausncia de canal estrutural.
G
S
Para evitar a descarga electrosttica e a destruio de componentes com MOSFETs deve-se: 1) embalar os componentes numa
esponja condutora; 2) todos os instrumentos usados na embalagem, teste ou montagem devem estar ligados terra; 3) o pulso do
manipulador deve estar conectado terra atravs de um pulseira condutora e um fio em srie com uma resistncia elevada; 4) nunca
se deve retirar um MOSFET de um circuito enquanto este estiver energizado; 5) nunca aplicar sinais a um MOSFET enquanto o
circuito no estiver ligado.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 123
Polarizao de JFETs e MOSFETs
O JFET deve ser operado de forma que a juno GS est sempre polarizada inversamente. Esta condio requer que uma VGS
negativa para JFETs de canal n e uma VGS positiva para JFETs de canal p. Isto pode ser conseguido atravs de uma configurao de
auto-polarizao: ver exemplos para JFETs canal n e MOSFETs de enriquecimento.
+VDD
ID
RD
VG#0 VG D
RG
IGSS
RS
Notar que a grelha polarizada atravs da resistncia RG ligada terra, em ~0 V. A corrente inversa de fuga,
IGSS, produz uma tenso pequena atravs de RG, que pode ser desprezada na maior parte das situaes. IS produz
uma queda de tenso atravs de RS e torna a fonte positiva relativamente grelha. Como IS=ID e VG=0, VS=IDRS.
A tenso VGS=VG-VS=0-IDRS. Assim, VGS=-IDRS. A tenso no dreno, relativamente terra, VD=VDD-IDRD. Dado
que VS=IDRS, VDS=VD-VS=VDD-ID(RD+RS).
IS
+VDD
+VDD
RD
D
S
R2
IS
IS
Amplificadores FET
+VDD
C1
vin ~ R
G
18-Sep-06
RD
G
RS
ID
RD
R1
RG
ID
Ter em ateno que no MOSFET de enriquecimento, a tenso VGS deve ser superior ao valor
limite VGS,lim. O divisor de tenso no circuito ao lado deve assegurar que a grelha est mais positiva
que a fonte, excedendo VGS,lim: VGS=[R2/(R1+R2)]VDD e VDS=VDD-IDRD.
Exerccios:
1) Considere no circuito de cima ID#5 mA, VDD=15 V, RD=1 k, RS=220 , RS=10 M.
Determine VGS e VDS. Sol: VDS=8.9 V e VGS=-1.1 V.
2) No circuito da esquerda, considere VGS=8.5 V, RG=10 M, RD=4.7 k, VDD=15 V e
VGS,lim=3 V. Determine ID. Sol: ID=1.38 mA.
C2 v
d
C3
O circuito ao lado corresponde ao amplificador JFET de fonte comum. A resistncia RD serve para
manter a grelha a ~0 V e o seu elevado valor (vrios M) evita a carga da fonte de sinal. Como RD
muito grande, o condensador assegura que a grelha est ligada terra ac. O sinal de entrada provoca a
variao da tenso VGS, o que induz a variao da corrente de dreno. A alterao de ID traduz-se numa
variao da tenso no dreno com respeito terra. Novamente, os sinais vin e vd esto em oposio de
fase.
Jos Figueiredo 124
Circuitos no lineares com

amplificadores operacionais
18-Sep-06
Jos Figueiredo 125
Realimentao Positiva. Circuitos No-Lineares com AMPOPs
A realimentao positiva refora a aco do sinal de entrada em vez de a contrariar. A tenso de sada vai tender mais rapidamente
para a saturao, em VCC ou em +VCC, conforme a polaridade do sinal de entrada e o terminal em que aplicada. Nos circuitos nolineares o sinal de sada um sinal que no uma transformao linear do(s) sinal(is) aplicados nas entradas.
Quando o ampop usado numa montagem em que no h realimentao, tipicamente satura pelo que geralmente se reduz a um
simples comparador. No entanto, existem diversas aplicaes que utilizam comparadores, como, por exemplo, na implementao de
ADCs Flash, onde so usados para comparar a tenso de entrada com um nvel de referncia. As montagens em que os ampops so
realimentados positivamente, i.e., montagens em que h uma realimentao entre a sada e o terminal no-inversor do ampop, so,
geralmente, instveis. Nestas, o ampop opera nas zonas de saturao e, possivelmente, oscila.
Os exemplos mais comuns de aplicaes que tiram partido deste comportamento so os circuitos osciladores multivibrador e o
aestvel. Outro exemplo de realimentao positiva o comparador Schmitt-trigger, a apresentar em seguida. Este circuito tem dois
estados estveis e uma zona de histerese sendo por vezes referido como circuito bi-estvel. O pormenor curioso de funcionamento do
Schmitt trigger que a tenso de entrada no fixa univocamente a tenso de sada. O Schmitt trigger funciona como um comparador
mais rpido devido aco da realimentao positiva.
Comparador de Tenso e Gerador de Onda Quadrada

O circuito comparador simples (a entrada
- est ligada directamente terra) transforma uma onda
sinusoidal em uma onda quadrada. (A amplitude da onda quadrada ligeiramente inferior tenso de
alimentao do amp-op.) No circuito ao lado, a entrada inversora ligada a uma tenso de referncia
fixa: V-=R1E/(R1+R2). Na entrada no-inversora aplicada a tenso a comparar. Enquanto vi for menor
que a tenso de referncia, a sada ser, aproximadamente, igual tenso
de alimentao VCC. Quando vi ultrapassa ligeiramente o valor aplicado entrada inversora, o comparador comuta, e v0 passa a ser,
aproximadamente, igual +VCC. (H dispositivos que realizam a operao de comparao mais eficazmente que os ampops de
aplicao geral: os comparadores de tenso.)
18-Sep-06
Jos Figueiredo 126
Fonte de Alimentao Regulvel de Baixa Potncia
+E
R1
V0
VZ
R2
R3
O circuito abaixo corresponde a um comparador em circuito fechado, podendo funcionar como uma fonte de
alimentao regulvel de baixa potncia. A corrente de sada pode ser aumentada se se colocar um transstor
sada do comparador. O circuito estabiliza e regula a tenso V0. Em condies normais de operao os valores
de tenso nas entradas positiva e negativa so os mesmos. Mas se a tenso de sada V0 diminuir, a queda de
tenso em R3 menor, e a tenso na entrada no-inversora fica superior da entrada inversora e o comparador
reage aumentando o valor da tenso de sada V0, compensando a diminuio ocorrida antes.
Se a tenso de sada aumentar a correco anloga. A tenso de sada V0 pode ser alterada variando a razo R2/R3: V0VZ(R2+R3)/R3.
vi
Rectificadores de Preciso: Super Dodo e Rectificao de Meia Onda com Ganho

v0,amp
v0
RL
Om ampop, pelo facto de poder ser realimentado, elimina as quedas de tenso nos dodos em conduo. O
circuito ao lado um rectificador de preciso capaz de rectificar sinais da ordem de um volt. Esta operao no pode
ser realizada s com dodos, j que o resultado seria uma tenso praticamente nula devido queda de tenso nos
diversos componentes. Com este circuito possvel rectificar tenses da ordem de VD0/Av, sendo VD0 a queda de
tenso no dodo e Av o o ganho em malha aberta do ampop. O circuito conhecido como super dodo.
Princpio de funcionamento: Se vi for superior a VD0/Av, a tenso sada do ampop torna-se positiva e o dodo fica polarizado
directamente, conduzindo. A realimentao negativa feita pelo dodo causa um curto-circuito virtual entre as entradas do ampop e,
portanto, a tenso no terminal inversor que v0 igual tenso no terminal no inversor vi. Quando vi inferior a VD0/Av, a sada do
ampop torna-se negativa e o dodo fica bloqueado. A corrente atravs do dodo nula e, portanto, a corrente atravs de RL nula e,
em consequncia, v0=0. Neste caso, a tenso sada do amp-op v0,amp=-VCC (tenso de alimentao).
R2
R1
vi
18-Sep-06
D2
-
D1
V0,amp
v0
O circuito ao lado um rectificador activo de meia onda que amplifica o sinal. Se vi negativa, a tenso sada
do ampop V0,amp positiva e, portanto, D1 conduz, ficando D2 bloqueado. Neste caso a sada ser: v0-viR2/R1.
Pelo contrrio, se vi positiva, a sada do ampop V0,amp ser negativa e, consequentemente, D2 conduzir e D1
fica bloqueado. A entrada inversora realimentada atravs de D2 e sua tenso ser a da entrada no-inversora,
sendo, portanto, igual a zero volt. A tenso de sada v0 ser igual tenso da entrada no-inversora, que nula.
Jos Figueiredo 127
Comparador Schmitt-Trigger Inversor

O comparador Schmitt-trigger, tambm conhecido como circuito bi-estvel, difere de um comparador
normal pelo facto de a sua caracterstica vo(vi) incluir uma zona no unvoca na vizinhana da tenso de
comutao, vulgarmente referida como zona de histerese, tal como apresentado na figura abaixo. A
caracterstica vo(vi) pode ser descrita pela sobreposio das outras
duas, sendo a primeira vlida se o ampop estiver inicialmente na zona de saturao negativa, e sendo vlida a segunda no caso de o
ampop estar inicialmente na zona de saturao positiva. A tenso de sada do comparador na zona correspondente a VTL<vi<VTH
zona de histerese - depende do seu estado anterior, tal como descrito pelo sentido das setas. Esta caracterstica pode ser usada em
sistemas de comunicao para evitar possveis problemas de comutao devido existncia de rudo sobreposto com o sinal de
entrada. A zona de histerese evita que ocorram oscilaes na sada do comparador
provocadas por rudo que afecte a zona em
que acontece a comutao porque cria uma
margem de proteco a esse rudo. Efeito
do Rudo no Limiar de Comutao: a
figura abaixo indica a zona crtica em
causa.
A primeira onda representa uma sinuside sem rudo aplicada na entrada do comparador. A
segunda onda representa a mesma entrada com rudo de alta frequncia.A sada de um
comparador normal apresentaria comutaes devidas ao rudo na passagem por zero volt. A
utilizao de um comparador Schmitt-trigger resolve este problema, dado que a comutao no
sentido ascendente s acontece quando a tenso de entrada ultrapassa VTH, ou no sentido
descendente quando a tenso de entrada for inferior a VTL. Ou seja, s h uma transio
indesejada se o mdulo do rudo for superior a VTH-VTL, esta diferena define a margem de
rudo.O dimensionamento da zona de histerese deve ter em conta a amplitude mxima de rudo
previsvel, pois uma margem muito alargada introduz um atraso considervel na comutao. Este
atraso devido ao facto de a comutao no se dar durante a passagem pela tenso de
comparao, e tanto maior quanto maiores forem as margens VTL e VTH .
18-Sep-06
Jos Figueiredo 128
Anlise de Funcionamento do Schmitt-Trigger Inversor

A tenso vi comparada tenso v+. A tenso no terminal no-inversor pode assumir dois valores:
v+=VTH=+VCCR2/(R1+R2) e v+=VTL=-VCCR2/(R1+R2).
Seja vi<VTL, v0=+VCC. Se vi aumentar, v0 mantm-se em +VCC, at que vi>=VTH, altura em que v0 comuta para -VCC. Se continuar a
aumentar, v0 mantm-se em -VCC. Se vi comear a diminuir, v0 mantm-se em -VCC, at que vi=<VTl, altura em que v0 comuta para
+VCC. Isto , para valores de compreendidos entre VTL=-VCCR2/(R1+R2) e VTH=+VCCR2/(R1+R2), o estado da sada deste circuito
depende do seu estado anterior, i.e, o circuito possui memria. A sada pode tomar dois estados estveis possveis: circuito biestvel.
A largura da janela de histerese, Vjh, dada por: Vjh=VTH-VTL=2VCCR2/(R1+R2).
Numa generalizao do circuito, na resistncia R2 pode estar aplicada uma tenso de referncia. Neste caso o centro da janela de
histerese, VCjh, dada por:
VCjh=VrefR1/(R1+R2).
Comparador Schmitt-Trigger No-Inversor

O circuito ao lado corresponde ao comparador Schmitt-trigger no-inversor. Para obter a funo de
transferncia do comparador comea-se por aplicar o princpio da sobreposio ao circuito linear formado
por R1 e R2. Expressando v+ em termos de vi e v0 obtm-se: v+=viR2/(R1+R2)+v0R1/(R1+R2).
Da expresso anterior, verifica-se que se a sada do circuito est no estado v0=+VCC, valores positivos de vi no tero qualquer
efeito. Para comutar o circuito para o estado v0=-VCC, vi deve ter um valor negativo suficiente para fazer com que v+ se torne inferior a
zero. Assumindo v0=+VCC e fazendo v+=0 obtm-se vi=VTL=-VCCR1/R2. Da mesma forma se verifica que o circuito comuta de v0=-VCC
para v0=+VCC quando vi=VTH=+VCCR1/R2.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 129
Osciladores
Um oscilador um circuito que produz na sada uma forma de onda peridica a partir de tenso(es) contnua(s). No necessrio
aplicar qualquer sinal peridico entrada. A sada pose ser sinusoidal ou no sinusoidal, dependendo do tipo de oscilador. Em geral, a
operao de osciladores baseada no principio de realimentao positiva. Essencialmente, um oscilador converte energia elctrica na
forma de uma corrente contnua em energia elctrica na forma de uma corrente. Consiste num amplificador (para o ganho) e numa
malha de realimentao positiva que introduz uma diferena de fase e produz atenuao. Com estes elementos formada uma malha
fechada na qual o sinal de auto-sustenta, sem ser aplicado qualquer sinal exterior, produzindo-se uma onda peridica na sada:
oscilao.
As condies de oscilao so:
a) a ddf ao longo da malha de realimentao zero; b) o ganho estacionrio ao longo da malha de realimentao deve ser igual a
um (ganho unitrio) de forma a sustentar a oscilao. Durante o perodo de estabelecimento da oscilao (regime transitrio), o ganho
em tenso da malha fechada deve ser superior a um, de forma a que a amplitude do sinal aumente at atingir o valor desejado. Em
geral, a oscilao inicia-se a partir do rudo trmico. De seguida, o ganho deve ser reduzido para um, para que a amplitude do sinal se
mantenha no nvel desejado.
O ganho em tenso da malha fechada o produto do ganho da montagem amplificadora (AMA) e da atenuao do circuito de
realimentao/atenuao (ACA): AMF=AMAACA. A seleco da frequncia de oscilao realizada pelo circuito de
realimentao/amplificao ou ambos. Se o ganho em malha fechada for superior a um, a sada saturar ao fim de alguns perodos,
produzindo a distoro da onda. Se o ganho for inferior a 1, a onda ser progressivamente atenuada, acabando por se anular. Uma vez
estabelecida a oscilao, o ganho controlado de forma que permanece exactamente igual a um. Se, por exemplo, a atenuao da
malha de realimentao for 0.01, a malha de amplificao deve ter um ganho exactamente igual a 100, para compensar a atenuao e
no criar distoro indesejada.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 130
Oscilador de Cristais de Quartzo. Circuito LC Ressonante. Oscilador de Ponte de Wien.

O quartzo e outras substncias, tais como a turmalina e os sais de Rochelle, tem propriedades piezoelctricas. O quartzo, que
conjuga a actividade piezoelctrica e a rigidez mecnica, muito usado na construo de osciladores. Quando se aplica uma tenso
alternada entre as duas faces de um cristal de quartzo, exercem-se foras no seu interior que originam uma vibrao de frequncia
igual da tenso aplicada. Osciladores baseados em cristais de quartzo so, em geral, bastante precisos e estveis, sendo muito usados
em sistemas digitais.
Circuito LC Ressonante
a
Vab
VC,t=0
+
C
-
L e C ideais
iout=0
VC,t=0
Se R1=R2 =R e X1=X2:
fR=(2RC)-1
R2 V0 e V0,max= Vin/3.
R1 C1
Vin
C2
b fR=[2(LC)]-1
Para que se cumpram as

condies de oscilao
R3
R1=2R2, R3=R4 e C2=C1.
C1
C2
R2
A frequncia de oscilao
R4
+ C
1
fR=(2RC)-1.
R3
R1 e R2 fixam a amplitude da oscilao.

18-Sep-06
R1
v0 (A = A A =3):
MF
MA CA
R2
Vin/3
ci R cs log
Oscilador de Ponte de Wien

R1
V0
Ponte de Wien
C2
R4
Quando a alimentao da montagem ligada, ambos os

zener actuam como aberto, ficando R em srie com R1 e o
ganho dado por: AMF=3+R/R3. Quando v0 atinge VZ+VD,
os zener comeam a conduzir, curto-circuitando R, e o
ganho decresce para 3. Dai em diante o ganho total
v0 igual a 1, mantendo-se a oscilao estacionria. Os zener
limitam o ganho atravs de um comportamento nolinear.
Exerccio: se R4=R5=R=10 k, C1=C2=C=0.001 uF,
R2=10 k, R1=20 k, R=10 k, e VZ=4.7 V, determine
fR, AMA inicial e AMA final.
Jos Figueiredo 131
vC
Geradores de Sinal: Oscilador de Onda Quadrada em Relaxao
VC=+VCCR2/(R1+R2) v0
t
+VCC
vC
VC=-VCCR2/
C
(R +R )
1
R
741
+
Os sinais tm perodo:
T=2RC ln(1+2R1/R2)
Neste circuito a entrada no-inversora do ampop est ligada ao divisor de

tenso constitudo pelas resistncias R1 e R2, de maneira que a tenso aplicada
t nessa entrada, v+, proporcional sada: V+=V0R2/(R1+R2).
-VCC
v0
R1
R2
A entrada inversora est ligada a uma rede constituda pela resistncia R e pelo condensador C.
Devido ao condensador, a tenso no terminal inversor no sofre variaes bruscas. Se V0=+VCC,
V+=VCCR2/(R1+R2) e V-=VCCR[1-e-t/RC]. Quando V-=VCCR2/(R1+R2), V0=-VCC, o condensador
comea a carregar para -VCC, sendo o processo invertido ao passar por: -VCCR2/(R1+R2). A tenso
no terminal inversor, na sua tentativa de atingir VCC vai, portanto, oscilar entre VCCR2/(R1+R2).
Temporizadores
A temporizao, de um modo geral, consiste em atrasar ao ligar ou ao desligar, ou ambas as coisas, a aco de um dispositivo.
Corresponde tambm ao controle de determinados intervalos de tempo.
Muitos temporizadores usam circuitos RC. Quando se aplica tenso continua E a um troo de um circuito constitudo por um
condensador e uma resistncia, o condensador demora um certo tempo a atingir a carga mxima. A tenso aos terminais do
condensador dada por vC=ER[1-e-t/RC]. O instante t dado por t=RCln[E/(E-vC)]. O processo anlogo ocorre na descarga do
condensador atravs da resistncia. Aproveitando todas as possibilidades oferecidas pelo circuito RC, podem construir-se
temporizadores.
O ampop o elemento activo de muitos temporizadores, funcionando como comparador. Os temporizadores com transstores so
tambm comuns.
Temporizador Analgico Integrado 555
O integrado 555 um circuito muito estvel que temporiza com grande preciso e que, alm disso, pode funcionar como oscilador.
A durao do intervalo de tempo ou do perodo de oscilao so definidos pelos componentes exteriores ao integrado. Muitos
circuitos temporizadores incluem para alm do 555, circuitos integrados digitais capazes de contarem impulsos.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 132

Nos sistemas analgicos, estudados at aqui, dado significado a toda e qualquer variao/alterao nos sinais. Nos
sistemas digitais os sinais apenas podem assumir uma gama de valores discretos. Nos sistemas digitais binrios, os sinais
assumem apenas um de dois valores possveis (representados por duas gamas de valores de tenso ou de corrente), designados
pelos valores binrios 0 e 1 (valores lgicos 0 e 1). A unidade de informao digital binria designada por bit (binary
information digit).
Sistemas Combinacionais: sistemas em que o estado das sadas apenas funo do estado presente das entradas.
Sistemas Sequenciais: sistemas em que o estado das sadas funo da sequncia de estados das entradas.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 133
Os circuitos/componentes analisados at aqui incluem-se na designao Electrnica Analgica. Os circuitos/componentes a estudar

pertence ao ramo da Electrnica Digital. A grande diferena reside, essencialmente, no seguinte aspecto: enquanto na Electrnica
Analgica as sinais (quer de entrada quer de sada) podem variar de um modo contnuo dentro de limites relativamente largos, em
Electrnica Digital os sinais (quer entradas quer sadas) apenas podem pertencer a duas gamas de valores. Em circuitos digitais, as
tenses assumem um nmero limitado de valores. Os sistemas digitais mais comuns empregam dois valores e so referidos como
sistemas binrios. Circuitos digitais operam com sinais de entrada binrios e produzem sinais de sada tambm binrios. costume
designar esses dois intervalos de tenso por um e zero, smbolos 1 e 0, ou alto (high) e baixo (low), ou ainda por verdadeiro e falso.
Os circuitos digitais so aplicados quase universalmente, em comunicaes, controlo, instrumentao, e, claro, em computao. A
complexidade de um circuito digital vai desde de um nmero pequeno de portas lgicas at computadores completos (um
microprocessador) ou memrias de milhes de bits.
Lgica Positiva
Em circuitos binrios, dois valores distintos de tenso podem representar os dois valores das variveis binrias. Contudo, em
virtude das inevitveis tolerncias dos componentes e efeito do rudo, que alteram por vezes os nveis de tenso, dois intervalos
distintos de tenso so usualmente definidos.
Como mostra a figura abaixo, se o valor do sinal de tenso est compreendido no intervalo [VL1, VL2], o sinal interpretado (pelo
circuito digital) como um 0 lgico. Se, por outro lado, o sinal pertence ao intervalo [VH1, VH2], interpretado como 1 lgico. As duas
regies de tenso so separadas por uma regio qual no suposto os sinais pertencerem. Esta banda proibida representa a zona
indefinida ou excluda.
Volt
VH2
VH1
VL2
VL1
Uma vez que as tenses correspondentes ao 1 lgico so superiores aquelas que representam o 0 lgico, diz que os
sistemas assim implementados usam lgica positiva. Claro que poderamos inverter as definies e obteramos
sistemas de lgica negativa. Aqui ser usada a lgica positiva, e os vocbulos alto e baixo sero equivalentes a 1
1 lgico e 0, respectivamente. O intervalo de valores de tenso correspondente ao valor lgico 1 [0, 0.9] V. O valor lgico 1
regio refere-se a tenses compreendidas entre 2.5 e 5 V. Tenses entre 0.9V e 2,5 V so proibidas, i.e., os circuitos no
indefinida "sabem" como interpret-las. Nota: Quando se diz que uma tenso de entrada zero, est-se a admitir que h
0 lgico uma ligao massa, e no uma entrada flutuante.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 134
Portas Lgicas E, Ou, e No
A caracterstica essencial de um sinal ou onda analgica a sua variao contnua no tempo. o que acontece no sinal de sada de
um microfone, num oscilador sinusoidal, no sinal de vdeo ou de imagem, na temperatura ambiente, etc. Em todos estes sistemas se
observa a variao mais ou menos rpida da grandeza em apreo, mas de uma forma contnua, sem transies bruscas.
Ao contrrio os sinais digitais tm como caracterstica fundamental a sua variao brusca, por transies muito rpidas, quase
descontnua. Tal deve-se ao facto de um sinal digital, ao contrrio do sinal analgico, pertencer a um dos vrios possveis intervalo de
valores de tenso. A sua evoluo no tempo consiste precisamente em tomar valores de tenso pertencentes a diferentes intervalos.
Em geral, so utilizados apenas dois nveis (intervalos) de tenso, bem separados e, portanto, para se efectuarem decises lgicas
binrias suficiente reconhecer e manipular apenas os sinais correspondentes a esses nveis que so vulgarmente designados por um e
zero (smbolos 1 e 0), alto (high) e baixo (low), ou ainda por verdadeiro e falso. A separao em tenso entre os dois nveis faz com
que os circuitos digitais apresentem, em geral, uma grande imunidade ao rudo e, consequentemente, quase nula probalidade de erro.
Existem trs funes lgicas bsicas: a porta OU, a porta E, e a porta NO. A operao de circuitos com portas digitais
facilmente descrita usando lgebra de Boole.
A porta OU (OR) tem vrias entradas e apenas uma sada. A sada encontra-se ao nvel lgico 1 quando pelo menos
uma das entradas se encontra ao nvel lgico 1. O smbolo ao lado representa uma porta OU de duas entradas.
OU
A porta E (AND) semelhante porta OU, mas fornece uma sada 1 apenas quando todas as entradas se encontram
igualmente ao nvel 1. O smbolo ao lado representa uma porta E de duas entradas.
A porta NO (NOT) tem uma nica entrada e uma nica sada; esta ter um valor 1 quando a entrada se encontra ao
nvel lgico 0 e vice-versa. Esta porta chamada tambm porta inversora ou, simplesmente, inversor visto que a sada se
encontra sempre no estado oposto ao da entrada.
18-Sep-06
NO
Jos Figueiredo 135
Tabelas de Verdade das Portas Lgicas E, OU e NO
Os valores lgicos 0 e 1 correspondem, por exemplo, a um interruptor estar desligado ou ligado, a um dodo no conduzir ou
conduzir, a um Trigger de Schmitt ou ter sada em +VCC ou em -VCC (embora a entrada no esteja sujeita a uma condio deste tipo).
S quando os dois interruptores esto fechados h

conduo. Isto , se UM corresponder ao estado fechado
(conduz) e ZERO ao estado aberto (no conduz), pode-se
elaborar a seguinte tabela de verdade da funo ou porta
E.
Funo E:
Sejam dois interruptores em srie
A
A
B
Funo OU:
Sejam dois interruptores
em paralelo
A
A
B
Funo No ou Inversora
Sejam um interruptor e uma
resistncia em srie com a sada
aos terminais do interruptor
VCC(=5 V)
R
18-Sep-06
VZ
S um dos interruptores est fechado h conduo.

Novamente, se UM corresponder ao estado fechado
(conduz) e ZERO ao estado aberto (no conduz), pode-se
elaborar a seguinte tabela de verdade da funo ou
porta OU.
Ao contrrio das funes anteriores, de entradas mltiplas, a funo no uma funo de

uma s entrada e uma s sada. S h corrente na resistncia e, portanto, VZ=0 V, com o
interruptor fechado. Novamente, se UM corresponder ao estado fechado (conduz) e ZERO
ao estado aberto (no conduz), pode-se elaborar a tabela de verdade da funo ou porta
NO (tabela ao lado).
Ter em ateno que qualquer das montagens apresentadas serve apenas de
ilustrao, pois so bastante lentas.
Jos Figueiredo 136
Implementao das Funes Lgicas E e OU usando Dodos e Resistncias

(rever dodos e transstores)
mais ou menos bvio que, no mundo actual, em que a rapidez um requisito quase sempre presente, a implementao das
funes E ou OU atravs dos esquemas apresentados atrs pouca ou nenhuma utilidade teria. Aquando do estudo do dodo verificouse que este tem um comportamento muito semelhante ao do de um interruptor. Assim, de esperar que seja possvel implementar as
funes lgicas E e OU usando apenas dodos e resistncias.
Consideram-se por comodidade os dodos de silcio, cujo valor da queda de tenso entre os seus terminais, quando em conduo,
0.7 V. Da anlise dos circuitos propostos para as funes lgicas E e OU, obtm-se as tabelas de valores das tenses do circuito,
das quais se obtm as tabelas de verdade com os valores lgicos, que confirmam que se tratam das portas Ou e E. Como j referido,
o intervalo de valores de tenso correspondentes ao valor lgico 0 [0, 0.9] V. Ao valor lgico 1 referem-se as tenses
compreendidas entre 2.5 e 5 V.
Funo E: VCC=5 V
Funo OU:
D1
Z
R=1 k
D2
D1
R=5 k
Z
D2
A (V)
B (V)
Z (V)
0.7
5.0
4.3
5.0
0.7
5.0
4.3
5.0
0.7
5.0
5.0
4.3
5.0
5.0
5.0
Ao contrrio das montagens OU e E, no possvel implementar a

funo NO apenas com dodos e resistncias. Pode ser bastante
instrutivo despender algum tempo a tentar faz-lo. O interruptor da
montagem NO pode ser substitudo por um rel. Contudo, o tempo
de comutao deste dispositivo da ordem de milisegundo, o que para
a rapidez do mundo moderno no de modo nenhum suficiente, at
considerado muito lento. Relembrar que os microprocessadores
apresentam frequncias de relgio superiores a 1 GHz (a que
correspondem tempos de comutao inferiores ao nanosegundo).
Nota: Quando se diz que uma tenso de entrada zero (zero lgico), est-se a admitir que h uma ligao massa, e
no uma entrada flutuante.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 137
Evoluo das Arquitecturas para Implementao de Portas Lgicas

Existem vrias tecnologias e topologias disponveis para a implementao de portas lgicas digitais. Apesar da tecnologia
dominante actualmente ser a tecnologia CMOS, devido ao seu baixo custo e grande densidade de portas lgicas que permite integrar
por unidade de rea, existem tecnologias alternativas que tambm apresentam algumas vantagens e so usadas correntemente em
circuitos comerciais. As tecnologias comuns so: Bipolar (TBJ), BiCMOS e Arsenieto de Glio (GaAs).
A tecnologia bipolar, percursora dos circuitos digitais (nomeadamente atravs das famlias RTL, resistor transistor logic, e DTL,
diode transistor logic), pode ser vantajosa em termos de velocidade face s tecnologias baseadas em transstores MOS, mas uma
soluo mais cara, mais complexa, pouco competitiva em termos de consumo de potncia e no permite a implementao de sistemas
de larga escala devido rea por porta lgica. As principais variantes actuais da tecnologia bipolar so as famlias TTL e ECL,
respectivamente vocacionados para circuitos lgicos genricos e de muito alta velocidade. A tecnologia BiCMOS combina as
vantagens dos circuitos bipolares e CMOS mas partilha tambm algumas das desvantagens da tecnologia bipolar, nomeadamente o
custo e rea. A sua utilizao bastante limitada, sendo por vezes uma boa opo em circuitos mistos (analgicos e digitais).
A tecnologia de GaAs permite a realizao de circuitos de muito alta frequncia (acima de 10 GHz), no entanto a menor densidade
e o seu levado custo de fabricao limitam a sua utilizao a circuitos muito especficos para os quais seja virtualmente impossvel
qualquer das outras tecnologias disponveis. Finalmente, a famlia CMOS tem algumas variante, nomeadamente as portas lgicas
CMOS (lgica complementar), o Pseudo-NMOS e a lgica dinmica. As portas CMOS so a escolha de eleio para a grande
generalidade dos circuitos digitais (e sempre que possvel para circuitos mistos), sendo a tecnologia base dos microprocessadores e
demais electrnica de consumo. As topologias Pseudo-NMOS so semelhantes topologia CMOS, dado que a estrutura dos
transstores NMOS idntica. No entanto, em vez de utilizar o circuito dual PMOS usa um nico transstor como carga activa. A
lgica dinmica utilizada na implementao de memrias dinmicas (DRAM) pois permite densidades de integrao muito
superiores, nomeadamente face s memrias estticas implementada com portas CMOS comuns (SRAM).
18-Sep-06
Jos Figueiredo 138
Implementao da Funo Lgica NO usando Transstores e Resistncias

(rever dodos e transstores)
Ao contrrio das montagens OU e E, no possvel implementar a funo NO apenas com dodos e resistncias. A funo NO
pode ser facilmente implementada com um transstor operando entre os modos de corte e de saturao. Seja o circuito abaixo em que
o sinal de entrada vi aplicado atravs de RB e a sada v0 corresponde ao nodo da juno colector resistncia RC.
1
+
zero
-
Vcc
+
zero
-
1
0
Se vi inferior a 0.7 V, a corrente atravs da juno baseemissor ser muito pequena. Pode mesmo considerar-se o
transstor como se estivesse polarizado inversamente. Como
iB~0, obtm-se iC=iB~0, resultando v0=VCC-RCiC~VCC.
Assumindo VCC=5 V, verifica-se que quando vi=0 V
(ZERO), a sada v0=5 V (UM).
Seja agora vi~5 V (UM). Para uma montagem tpica
vi
v0
5.0 0.2
(RB~10-100 k, RC~1-10 k, e 50), o transstor fica saturado, i.e., v0=VCE,sat~0.2 V (o

que implica que iB>iB,sat=[(VCC-VCE,sat)/(RC)]). A sada , portanto, ZERO.
Em concluso, se a entrada 0 a sada 1. A sada 0 sempre que a entrada 1. A
tabela de valores das tenses do circuito, da qual se obtm a tabela de verdade confirma
que esta montagem, inserida num circuito digital, opera como uma porta inversora.
Ter em ateno que o circuito deve desempenhar a funo para que foi desenhado mesmo nos casos mais desfavorveis, i.e.,
quando a tenso de entrada correspondente ao valor lgico 0 0.9 V e a tenso correspondente ao valor lgico 1 2.5 V. tambm
de extrema importncia que os circuitos continuem a desempenhar as suas funes quando em carga, isto , quando so ligados
a outros circuitos.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 139
Tempos de subida e descida, Tempos de Propagao e de Transio

A caracterstica essencial de um sinal ou onda analgica a sua variao contnua no tempo, observando-se a alterao mais ou
menos rpida da grandeza em apreo, mas sem transies bruscas. Ao contrrio, os sinais digitais tm como caracterstica
fundamental a sua variao brusca, por transies muito rpidas, quase descontnuas, entre os valores de tenso correspondentes aos
nveis um e zero e vice-versa. As portas lgicas devem apresentar tempos de comutao mais rpidos que as transies dos sinais
digitais, isto , a largura de banda das portas/circuitos digitais deve ser superior largura de banda dos sinais digitais.
Tempos de subida e de descida

O tempo que uma porta lgica demora a comutar est relacionado
com os tempos de subida e descida, ou seja com os tempos de
comutao de baixo para alto e de alto para baixo, respectivamente, do
sinal de sada em resposta ao sinal de entrada. O tempo de subida (tr)
rise time definido como o intervalo de tempo que a tenso na
entrada da porta lgica demora a subir entre 10% e 90% do seu valor
mximo. O tempo de descida (tf) fall time - definido de forma
anloga.
Tempos de transio na subida e na descida
Da mesma forma so definidos os tempos de transio na subida e
na descida dos sinais nas sadas, tTHL e tTLH, respectivamente.
Tempo de Propagao e de Atraso
Os tempos de propagao de baixo para alto (tPLH) e de alto para baixo (tPHL) so definidos como os intervalos tempo que a tenso
de sada demora a atingir o valor mdio entre os valores mximo e mnimo da tenso de sada, desde o momento em que a entrada
comuta. Ou seja, o tempo que decorre entre a definio do nvel lgico de entrada e a definio do nvel lgico na sada.
Naturalmente, desejvel que tPHL e tPLH sejam iguais, dado que o pior destes tempos define a frequncia mxima a que a porta lgica
pode operar. As figuras acima mostram, esquematicamente, os tempos de propagao e de comutao de baixo para alto e de alto para
baixo.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 140
Efeito da Carga nos Circuitos

(rever divisores de tenso e de corrente)
Embora no tenha sido referido explicitamente, na anlise dos circuitos E, Ou e NO assumiu-se que as sadas estavam em aberto
(ou ligados a uma resistncia muito elevada, como se se estivesse a observar a sada num osciloscpio), i.e., no se pede corrente ao
circuito lgico.Contudo, em geral, pedida corrente ao circuito lgico.
Qualquer circuito lgico (ou no) pode ser considerado como uma fonte de tenso com uma determinada resistncia
interna (equivalente de Thvenin). Em virtude dessa resistncia interna, ao pedir corrente ao circuito, a tenso aos terminais baixa.
No caso dos circuitos/portas lgicas importante que a diminuio da tenso aos terminais no altere o valor lgico. Seja o circuito
correspondente porta lgica E:
VCC=5 V
A
B
RC=1 k
Z
D1
RL
D2
+5 V
1 k
A 30 k
Z
=50
Considere-se A=B=1 (5 V). Neste caso os dodos esto polarizados inversamente e as resistncias RC e RL
ficam em srie, formando um divisor de tenso: VZ=VRL=RLVCC/(RC+RL). Se RL, VZVCC (tudo como
dantes ...). Se por outro lado RL<RL, VZ<VCC/2 e, agora, o valor lgico indefinido (VZ<2.5 V) em vez de 1,
como seria de esperar. Se, por exemplo, RL=200 , VZ<0.9 V, e agora o circuito apresenta sada um zero
lgico, i.e., o valor lgico da sada do circuito alterado. Verifica-se, portanto, que a porta no executa
sempre a funo E.
Outro aspecto importante a ter em conta o intervalo de valores de tenso correspondentes aos valores
lgicos 0 e 1: os de valores de tenso correspondente ao valor lgico 0 [0, 0.9] V; o valor lgico 1
refere-se a tenses entre 2.5 e 5 V. Considere-se o circuito NO simples ao lado. Se, por exemplo, a tenso
de entrada for VA=2.5 V (ainda um 1 lgico), verifica-se que a sada 2 V que um valor proibido (o
circuito a jusante no sabe como interpretar o valor lgico).
, portanto, necessrio ao projectar circuitos lgicos (ou no) ter em conta a carga que se lhe vai ligar, bem como os valores
de tenso correspondentes aos dois valores lgicos.
habitual considerar como caracterstica dos circuitos lgicos o chamado FAN OUT, normalmente indicado como o nmero
mximo de circuitos tipo que se lhe pode ligar sada, sem que o seu funcionamento seja afectado. De igual modo, um circuito, em
geral, uma carga para aquele ou aqueles donde provm o sinal. comum designar o nmero de circuitos que se lhe podem ligar
entrada por FAN-IN.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 141
Funes Lgicas NO-E (NAND), NO-OU (NOR), OU-EXCLUSIVO (XOR)

Se a seguir a uma porta E, se colocar uma porta NO, obtemos uma porta NO-E. Se a seguir a uma porta OU, se colocar uma
porta NO, obtemos uma porta NO-OU.
Funo NO-OU:
Funo NO-E:
A
Z
B
A
B
Tabela de verdade
Funo OU-EXCLUSIVO Ao
A
B
Tabela de verdade
Tabela de verdade
contrrio do OU
normal, que pode ter muitas
entradas e em que a sada
1 quando h pelo menos um
1 numa das entradas, o OUEXCLUSIVO s tem duas
entradas e a sada s 1 se
uma das entradas, e uma s,
for 1. Isto , a sada s 1
se as entradas forem
diferentes
Funes Lgicas Universais NO-E (NAND) e NO-OU (NOR)

O grande interesse das portas lgicas universais reside em que, com qualquer umas delas, se pode implementar qualquer funo
lgica, i.e., para realizar qualquer funo lgica basta ter na gaveta NANDs e NORs. Eis alguns exemplos (Nota: a
implementao das funes lgicas indicadas abaixo no nica):
Funo NO:
18-Sep-06
Funo OU:
Funo E:
Jos Figueiredo 142
Implementao das Funes Lgicas NO-E (NAND), NO-OU (NOR)

Para implementar estas funes lgicas NO-E (NAND) e NO-OU (NOR), basta associar aos circuitos E e OU o circuito NO
optimizado.
Funo NO-OU:
+5 V
Porta NO, Optimizada
Funo NO-E:
+5 V
1 k
A
3.9 k Base
47 k
-5 V
1 k
3.6 k Base
Z
=50
VTH
Z
=50
A
B
+5 V
D1
1 k
3.9 k Base
D2
47 k
-5 V
Z
=50
+5 V
A
B
1 k
D1
D2
1 k
3.9 k Base
Z
=50
47 k
-5 V
Visto da base do transstor o circuito esquerda pode ser substitudo pelo equiv. de Thvenin, cuja tenso de Thvenin VTH depende
do valor de VA.
Como exerccio, verifique o funcionamento das montagens acima para os casos mais desfavorveis (valores extremos da tenso de
entrada correspondentes aos valores lgicos 0 e 1, i.e., as situaes limite correspondentes a VA,VB=0.9 e 2.5 V. Ter em conta que
quando o transstor no conduz as junes base-emissor e base colector se comportam como resistncias muito elevadas (~ circuitos
abertos). O mesmo vlido para os dodos.
Considere o circuito NO. Quando VA=0 V, a tenso na base do transstor 0.38 V (o transstor no conduz) e VZ=5 V (1
lgico). Se, por outro lado, VA=0.9 V, i.e., assumindo a situao mais desfavorvel do valor lgico 0, a tenso na base do transstor
+0.45 V. De facto o transstor no conduz, caso contrrio a tenso na base seria 0.7 V e a corrente atravs da resistncia 3.9 k seria
superior a 0.121 mA (~5.7 V/ 47 k), donde se conclui que a tenso da base teria de ser inferior a 0.7 V (VBase=VA-3.90.121=0.43
V). Como a tenso na base inferior a VBE=0.7 V, o transstor est em corte, e VZ=5 V (1 lgico).
No caso de o transstor estar em conduo, o circuito a montante, visto dos terminais base-comum(terra), pode ser substitudo pelo
equivalente de Thvenin. Seja VA=2.5 V (assumindo a situao mais desfavorvel do valor lgico 1), o circuito esquerda do
transstor, visto dos terminais base-comum, substitudo pelo respectivo equivalente de Thvenin (RTH=3.6 k e VTH=1.93 V),
resultando IB=0.34 mA, e IC=IB=17 mA. Donde se conclui que o transstor est saturado (IC,sat=4.8 mA) e que, portanto, a sada
VZ~0.2 V<0.9 V (0 lgico).
18-Sep-06
Jos Figueiredo 143
Identidades Lgicas e Teorema de Morgan
As variveis lgicas binrias tomam apenas dois valores, 1 ou 0, e sobre elas podem-se realizar as operaes E, OU e NO. O
smbolo da operao E (que pode ser omitido): no caso de duas variveis A E B equivalente a AB=AB. A operao OU
representada pelo smbolo +: A+B (A OU B). A operao negao representada por uma barra acima do caracter que representa a
varivel: (NO A). A operao OU-EXCLUSIVO representa-se por : AB (ou A ou B).
Exemplos: A+1=1; A+A=A; A+0=A; AA=A; A1=A; A0=0; A(B+C)=AB+AC; A+AB=A; A=0; A+=1; A+B=A+B.
Teorema de Morgan:
Para inverter uma expresso lgica, inverte-se cada uma das variveis, e substituem-se os Es por OUs ABC... = A + B + C + ...
e vice-versa, i.e.: passa a +; + passa a ; A passa a ; passa a A, etc..
Exerccio 1: Qual a funo executada por este circuito?
como X = AA e Y = BB, obtm se :
X
A
Z
Y
A + B + C + .... = A B C...
Exerccio 2: Determine a funo equivalente deste circuito?
A
Z
Z = XY = AA BB = AA + BB = A + B
Resposta:
Resposta:
Ex. 3: Desenhe o circuito mais simples que desempenhe a mesma funo? Ex. 4: Determine a tabela de verdade do circuito?
A
B
C
Nota: o smbolo o nas entradas das portas representa uma porta NO.
Circuitos Digitais Integrados
Existem vrias tecnologias e topologias disponveis para a implementao de portas lgicas digitais. Os circuitos digitais
integrados mais simples contm algumas portas lgicas elementares, de que so exemplo os circuitos integrados da famlia lgica
TTL srie SN74XX.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 144
Sistema Binrio
Os circuitos electrnicos so usados, em geral, para realizam uma srie de decises sim/no nas quais se baseia o funcionamento
dos computadores. A quando do desenvolvimento dos primeiros computadores electrnicos tentou-se a utilizao de um sistema
decimal. Contudo, este mostrou-se difcil de implementar dado a necessidade de 10 nveis de tenso para cada ordem. O problema de
manuteno e deteco destes nveis sem erro mostrou ser to grande que o sistema decimal foi abandonado a favor do simples
sistema binrio, no qual se torna necessrio reconhecer apenas dois nveis de tenso. A realizao de decises neste sistema
relativamente simples utilizando circuitos com transstores; basta verificar se na sada existe ou no um dado valor de tenso.
A simplicidade do sistema binrio ilustrada na nossa vida de todos os dias. Abre-se ou fecha-se um interruptor, uma lmpada est
acesa ou apagada, etc.. muito fcil decidir qual dos dois estados existe. Por uma questo de convenincia, em linguagem de
computadores o primeiro estado designado 0 (zero) e o segundo 1 (um), sendo estes os nicos nmeros utilizados na unidade
aritmtica de um computador digital. Do ponto de vista humano bastante difcil e demorado realizar as familiares operaes de
adio e multiplicao utilizando apenas dois dgitos. Contudo, os circuitos digitais realizam estas operaes de modo bastante
conveniente e econmico.
No nosso familiar sistema decimal, temos 10 algarismos 0 a 9. Conta-se primeiramente as unidades at 9; em seguida na ordem
seguinte (dezenas), recomea-se novamente pelo zero, mas coloca-se um 1 na coluna de segunda ordem quando se esgota a contagem
das unidades: obtm-se assim 10. Continua-se, depois, a contar novamente as unidades at se atingir 19. Em seguida a coluna das
unidades (primeira ordem) passa novamente a 0 e a das dezenas (segunda ordem) para 2, significando que se contou todas as unidades
duas vezes, e obtendo-se, portanto, 20. Este processo repetido at se atingir 99, momento em que se volta a zero em ambas as
colunas e se coloca um 1 na coluna de terceira ordem (centenas), etc..
No sistema binrio segue-se exactamente o mesmo mtodo, usando porm apenas os algarismos 0 e 1. Comea-se pelo 0 como
normal, e passa-se em seguida ao 1. Mas ento j se utilizaram todos os algarismos, sendo portanto necessrio no passo seguinte a
voltar, na coluna das unidades, a 0 e a colocar um 1 na coluna seguinte. O nmero 2 dos sistema decimal , portanto, indicado no
sistema binrio pelo nmero 10 (que deve ler-se um-zero, e no dez). Em seguida passa-se a 1 na coluna das unidades, obtendo 11
(um-um), correspondente ao decimal 3. Tornou-se a utilizar todos os algarismos de que se dispe e, portanto, no passo seguinte ambas
as colunas passaro a zero, colocando um 1 na coluna de terceira ordem, obtendo 100 (1-0-0), ou seja, o equivalente binrio de 4.
Se se compararem os nmeros decimais mltiplos de 2 (1, 2, 4, 8, ...) com os correspondentes binrios, verifica-se que o 1 binrio
(bi) igual a 20=1 decimal, 10 bi igual a 21=2, 100 bi corresponde a 22=4, 1000 bi 23=8, 10000 bi 24=16, etc.. Cada nova ordem
do nmero binrio corresponde a uma potncia adicional de 2. Seja agora o nmero binrio 11010. Este equivalente a 24 + 23 + 0 +
21 + 0 ou seja 16 + 8 + 0 + 2 + 0, igual a 26. Do mesmo modo, um nmero decimal pode ser convertido para a base binria subtraindo
repetidamente a maior potncia possvel de 2. Considere-se o nmero 26. Pode-se primeiramente subtrair 16 (24), que na base binria
1000. Dos restantes 10 pode-se subtrair 8 (23), que em binrio 1000. Fica-se com 2, que em binrio 10. Somando todos os
nmeros binrios obtm-se 10000+1000+10, ou seja 11010.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 145
O sistema binrio obriga a utilizar maiores sequncias de algarismos do que o seu equivalente decimal, particularmente no caso de
nmeros grandes. Por exemplo, o equivalente binrio do nmero decimal 1 048 576 (220) 100 000 000 000 000 000 000. No
entanto, como o computador digital electrnico pode realizar milhes de adies simples por segundo, esta relativa complexidade dos
nmeros binrios no difcil de contrabalanar.
Os circuitos lgicos binrios, que reconhecem e manipulam apenas os dois algarismos 0 e 1, so usados para tomar decises
binrias.
Converso Analgico-Digital e Digital-Analgica
A grande maioria dos sinais fsicos, tais como aqueles se se obtm das sadas dos instrumentos, sensores, ou transdutores, so
convertidos em sinais analgicos de corrente e . Algum do necessrio processamento destes sinais muitas vezes convenientemente
realizado na forma analgica. Por exemplo, em sistemas de instrumentao bastante comum usar amplificadores diferenciais de
elevada impedncia de entrada, elevado ganho, e grande rejeio em modo comum, sada do transdutor. Este sistema usualmente
seguido por um filtro cujo objectivo eliminar interferncias. Contudo, mais processamento de sinal usualmente requerido. Por
exemplo, o processamento de sinal necessrio na transmisso de sinais para um receptor remoto. Todos estas formas de
processamento de sinal pode ser efectuado na forma analgica.
Contudo, existe uma outra alternativa: a converso, aps um processamento analgico inicial, do sinal da forma analgica para a
forma digital e, ento, usar os econmicos circuitos integrados digitais para realizarem o processamento digital de sinais. Este
processamento pode na sua forma mais simples corresponder indicao de uma medida da magnitude de um sinal, como no caso de
um voltmetro digital. Num caso mais complexo os processadores digitais podem realizar uma variedade de operaes aritmticas e
lgicas que implementam um algoritmo de filtragem. O filtro digital executa muitas das dos filtros analgicos, nomeadamente, a
eliminao de rudo e interferncia. As comunicaes digitais so outro exemplo de processamento digital. Nos sistemas de
comunicao digital os sinais so transmitidos como uma sequncia de pulsos binrios, com as vantagens obvias de a corrupo da
amplitude desses pulsos pelo rudo ser, at certo ponto, inconsequente.
Uma vez efectuado o processamento de sinal, pode ser vantajoso manter o sinal na forma digital, como por exemplo, um conjunto
de nmeros. Em alternativa, pode ser necessrio que o sinal final tome a forma analgica, isto , o sinal seja reconvertido da forma
digital para a forma analgica. Este , muitas vezes, o caso dos sistemas de telecomunicao mveis, em que a sada usualmente
voz. Os conversores analgico-digitais (A/D) convertem um sinal analgico num sinal digital. Por seu lado um conversor digitalanalgico (D/A) converte um sinal digital num sinal analgico. Os princpios em que se baseia o processamento digital de sinal so a
amostragem (sampling) e a codificao do sinal analgico.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 146
Amostragem de Sinais Analgicos. Teorema de Amostragem.

A converso de sinais analgicos em sinais digitais requer a amostragem do sinal analgico, processo atravs do qual o sinal
analgico amostrado, i.e., a sua amplitude lida e memorizada em intervalos de tempo, geralmente, igualmente espaados no
tempo. Estas amostras de valores de amplitude so quantizados num conjunto finito de nveis. A cada nvel de quantizao
atribudo um cdigo (num processo designado por codificao do sinal).
Os processos de amostragem e de quantizao transformam um sinal analgico num sinal digital. A quantizao e a codificao
so, em geral, implementadas usando um mesmo circuito designado conversor analgico digital (CAD).
O processo de amostragem de um sinal analgico regulado pelas condies impostas pelo teorema de amostragem, que
estabelece as regras s quais deve obedecer a representao de um sinal analgico por um conjunto discreto de valores da sua
amplitude.
Sinais de Banda Limitada
Um sinal analgico m(t) de banda limitada se a sua transformada de Fourier M() identicamente nula para frequncias
superiores a uma dada frequncia M: seja m(t) tal que M()=0 para ||>M=2fM
(1).
No caso de um sinal de banda limitada e de valores reais m(t), satisfazendo a condio (1), o teorema de amostragem determina
que m(t) pode ser determinado de forma unvoca dos seus valores m(nTS) amostrados a intervalos de tempo regulares TS [1/(2fM)].
De facto, o sinal m(t) dado por:
m(t)=nm(nTS){sin[M(t-nTS)]/[M(t-nTS)]}, onde TS referido como o perodo ou intervalo de amostragem
perodo ou intervalo de amostragem e o seu reciproco fS=1/(2TS) a taxa de amostragem.
Assim, resulta do teorema de amostragem que um sinal de banda limitada que no tem componentes em frequncia superiores a fM
Hz pode ser completamente reconstrudo a partir do conjunto de valores amostrados obtidos taxa de fS (2fM) amostras por segundo.
O enunciado do teorema de amostragem acima , geralmente, conhecido como o teorema de amostragem uniforme para sinais passabaixo. A taxa mnima de amostragem, 2fM amostras por segundo, chamada taxa de Nyquist. O seu reciproco 1/(2fM), medido em
segundos, designado intervalo de Nyquist.
O requisito de que a taxa de amostragem deve ser igual ou superior a duas vezes a maior frequncia do sinal aplica-se a sinais
passa-baixo. Contudo, no caso de sinais passa-banda pode-se, muitas vezes, usar uma taxa inferior.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 147
A transformao da onda analgica na onda amostrada est representada de

forma esquemtica na figura ao lado: a figura ilustra de forma conceptual o
processo de obter amostras do sinal analgico.
A amostragem , em geral, realizada por circuitos rpidos. O circuito
equivalente est representado na figura abaixo.
sinal analgico
sinal de relgio
A funo amostrada v0 obtida usando o circuito acima (o circuito conhecido

como circuito de amostragem [sample-and-hold (S/H) circuit]).
O interruptor no circuito abre e fecha periodicamente sob o controlo de um sinal
impulsional peridico (sinal de relgio). O tempo de fecho do interruptor, ,
relativamente curto, e as amostras obtidas so guardadas (armazenadas) no
condensador. Entre os intervalos de amostragem, os nveis de tenso no
condensador representam os valores das amostras do sinal.
sinal amostrado
O sinal amostrado v0,nTs(t) pode ser escrito como

v0,nTs(t)=vi,(t)vS(t), onde um trem de pulsos rectangulares de perodo TS, de largura e de amplitude unitria. Este tipo de
amostragem designada de natural uma vez que o topo de cada pulso de v0,nTs(t) mantm a forma do correspondente segmento
analgico durante o intervalo do pulso. A tenso v0 est confinada ao intervalo (-V0,S, V0,S). Este intervalo dividido em L zonas, cada
uma com magnitude , dada por =2V0,S/L. O valor da amplitude do sinal amostrado aproximado pelo valor mdio do intervalo a
que pertence. Os diferentes valores de tenso assim obtidos correspondem aos nveis de quantizao referidos atrs. Cada um destes
nveis de tenso ento fornecido entrada de um conversor A/D, que fornece um nmero binrio de N-bits proporcional ao valor da
amostra do sinal.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 148
Quantizao do Sinal e Codificao
sinal analgico de entrada
Considera-se um sinal analgico cujos valores esto compreendidos entre 0 e

+10 V. Assumindo que ser deseja converter este sinal para a forma digital e que
necessrio um sinal de 4 bits. (Bit do ingls, binary digit.) Um nmero binrio de 4
bits pode representar 16 valores diferentes, de 0 a 15; neste caso pode concluir-se
que a resoluo da converso ser 10 V/15=2/3 V. Assim, um sinal analgico de 0
sinal de amostragem
V ser representado por 0000, de 2/3 V corresponder a 0001, ..., de 6 V ser

referido por 1001, ..., de 10 V ser representado por 1111.
Os nmeros da amostra indicados acima so mltiplos do valor incremental 2/3
V. E como que so representados os nmeros que no coincidem com um
mltiplo de 2/3 V (por exemplo, o caso do nvel analgico correspondente a 6.2 V)?
sinal amostrado a
fornecer ao CAD
O nvel 6.2 V fica entre 18/3 e 20/3. Contudo, como est mais prximo de 18/3
tratado como se fosse 6 V e codificado como 1001. Este processo de atribuio de
um cdigo binrio referido como codificao do sinal.

claro que este processo introduz erros. Estes erros so designados erros de
quantizao. Usando mais bits para representar (codificar o sinal) um sinal
analgico reduz os erros de quantizao, mas exige circuitos mais complexos.
No processo inverso um sinal digital convertido num sinal analgico:
vTH
converso digital analgica. O sinal binrio transformado no sinal em escada
que, por sua vez, convertido num sinal analgico atravs de uma suavizao da
onda em escada usando um filtro passa-baixo, resultando a uma onda alisada como
a mostrada na figura ao lado. Desta forma o sinal analgico formado/reconstrudo.

18-Sep-06
Jos Figueiredo 149
Frequncias e exames
dos anos anteriores
18-Sep-06
Jos Figueiredo 150
Indicaes teis para a estudar Electrnica

... Saber no equivale a ser-se muito esperto; a inteligncia mais do que informao; , simultaneamente, discernimento e capacidade de
utilizar e coordenar a informao. E, todavia, a informao a que temos acesso o ndice da nossa inteligncia. ...
in Cosmos, Carl Sagan.
errado pensar que estudar consiste exclusivamente na memorizao, apressada ou no, dos contedos transmitidos pelo professor para que se
possa passar numa prova. Estudar muito mais do que isso. De resto, convm ter em conta que o estudo cada vez mais uma realidade presente
em toda a nossa vida quotidiana.
O estudo eficaz oferece inmeras possibilidades para o desenvolvimento das nossas faculdades mentais e potencia a capacidade crtica e
reflexiva; possibilidades que no devemos negligenciar e que podemos activar sempre que sejamos suficientemente decididos a ampliar os
nossos conhecimentos e a orientar o estudo como um caminho para o saber.
Para sermos bons profissionais no basta apresentar o certificado de habilitaes. Para alm disso, necessrio confirmar esses conhecimentos
atravs da prtica laboral quotidiana. Como podemos demonstrar o que sabemos, se o esquecemos rapidamente depois de nos termos
apresentado a um exame? Quem nos respeitar, se desconhecemos reas muito importantes da matria terica da nossa profisso?
Estudar requer uma atitude positiva, e com disponibilidade para aprender e para assimilar de forma activa os contedos propostos. Se
abordarmos o ensino com o esprito de nos convertemos em pessoas formadas, com conhecimentos que nos permitam avaliar a realidade no
mbito do nosso campo profissional, podemos estar certos de que j encontrmos uma das chaves precisas e indispensveis para o nosso xito.
O objectivo final de qualquer processo de estudo dever ser o desejo profundo de saber, de ampliar os conhecimentos e de possibilitar uma
melhor compreenso de tudo o que nos rodeia. O estudo deve converter-se num instrumento efectivo de anlise da realidade e num elemento
para enriquecer a nossa formao e desenvolvimento.
A motivao e o desejo de aumentar os nossos conhecimentos so a chave do sucesso de todas as tcnicas de estudo. Se os motivos da nossa
presena numa sala de aula no correspondem a uma aspirao prpria, prefervel desistir da ideia de estudar. Estudar nunca pode constituir
uma obrigao. Embora seja indiscutvel que o estudo envolve muito esforo e altas doses de sacrifcio, apenas aceitando livremente essas
condies os objectivos propostos podero ser alcanados e ser bem sucedidos. Deve-se referir tambm que a liberdade e a respeitabilidade que
o estudo confere so factores avaliados muito positivamente pelas sociedades mais avanadas. O estudo permite participar activamente na
configurao da nossa personalidade e na construo de uma mentalidade muito mais reflexiva e critica com o ambiente que nos rodeia.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 151
Claro que isto no se v de um dia para o outro. Muitas vezes, s aps alguns anos de aprendizagem contnua sistemtica, poder ser apreciado
o grau de maturidade alcanado, e desde de que os instrumentos utilizados no processo de aprendizagem tenham sido os adequados. Por
exemplo, e como j foi mencionado, estudar no consiste em memorizar apressadamente todos os contedos da matria. O processo de
memorizar o ltimo elo da corrente e, muitas vezes, o menos importante. Embora seja certo que a memria constitui um instrumento
fundamental para reter e assimilar os contedos de uma disciplina com vista s provas, no menos importante o facto de que todo o estudante
que quiser alcanar bons resultados deve dedicar-se ao estudo, fazendo um esforo para compreender as materiais leccionadas.
Saber ler bem e rapidamente, tomar apontamentos correctamente, fazer bons resumos, concentrar-se com facilidade e ter um horrio de estudo
realista e prtico so elementos muito importantes que ajudam muito ao iniciar a sesso de estudo, mas s por si no bastam para garantir o
xito da tarefa. Se se quer assegurar de que no se esquece a matria, uma vez realizado o exame, o que pode contribuir muito negativamente,
por exemplo, para o sucesso em disciplinas mais avanadas, deve-se fazer um estudo rigoroso e estruturado de forma a permitir uma
aprendizagem completa. importante que o estudante converta a aprendizagem de qualquer matria num processo dinmico e participativo, que
o motive a continuar a avanar. Num sistema de ensino de qualidade, a grande maioria das vezes, de nada serve memorizar os contedos sem os
trabalhar, decidir estudar no ltimo momento (poucos dias antes da prova) ou optar por pedir aos colegas os seus materiais de estudo. Embora
seja possvel que o aluno consiga superar a prova com uma classificao mais ou menos aceitvel, muito provavelmente, fracassar se o seu
objectivo consistia em aprofundar o seu grau de conhecimento e a sua assimilao com alguma segurana.
Um estudo correcto no constitui uma tarefa fcil e as tcnicas utilizadas no processo so fundamentais para determinar o xito ou fracasso do
que se pretende. A chave para triunfar no estudo reside num trabalho personalizado, metdico e constante sobre as diferentes disciplinas,
permitindo a sua assimilao com maior facilidade. Contudo, nenhum factor to importante como a motivao. Estar ciente dos motivos e das
razes pelos quais decidiu estudar praticamente impossvel no ser bem sucedido. Quaisquer que sejam as motivaes, so sempre preferveis
sem razo dos que acodem s aulas com o nico objectivo de passar o tempo. Por ltimo, muito importante ter em conta que o objectivo do
estudo consiste em potenciar no aluno a curiosidade e a vontade de aprender. O aluno nunca se deve conformar com uma viso unilateral dos
contedos.
IMPORTANTE
Antes de iniciar a seco seguinte, fundamental ter conscincia que necessrio compreender razoavelmente a matria terica antes de se
dedicar resoluo de problemas de Fsica. um bom mtodo rever a matria relativa a um exerccio previamente ao incio da tentativa de
resoluo do mesmo.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 152
Guia para a resoluo de problemas

Numa situao real, a um cientista/engenheiro no ser pedido para resolver problemas que j foram anteriormente solucionados (com as
devidas adaptaes, o mesmo se aplica a um professor). (Um professor de Fsica e Qumica moderno deve tambm demonstrar, constantemente,
uma atitude cientfica.) Quer seja na tentativa de melhorar o desempenho de um sistema existente ou na implementao de um novo sistema, o
cientista/engenheiro trabalhar na resoluo de problemas nunca antes tratados. Contudo, um estudante ir dedicar grande parte da sua ateno
discusso de problemas cuja soluo conhecida. Conhecendo e discutindo a forma como esses problemas foram resolvidos, e da resoluo de
exerccios relacionados, comear a desenvolver capacidades que lhe permitiro atacar problemas nunca antes tratados que encontrar na sua
vida profissional.
Apresenta-se de seguida procedimentos gerais a ser tidos em conta na resoluo geral de problemas. Alguns deles tm a ver com a forma de
pensar e organizar a estratgia a seguir antes de iniciar quaisquer resoluo e/ou clculos.
1.- Identificar quais os dados do problema e o que se pretende conhecer. Na resoluo de um problema, deve conhecer o destino antes de
seleccionar a rota a seguir para l chegar. O que que o problema pede para ser determinado ou encontrado? s vezes o objectivo do problema
obvio; outras vezes isto no claro e pode ser mesmo necessrio elaborar tabelas de grandezas caractersticas desconhecidas e informao
ainda no conhecida, de forma a permitir visualizar o objectivo do problema. s vezes, existe mesmo informao ``enganadora" que ser
necessrio identificar antes de prosseguir. Outras vezes, a informao dada incompleta, insuficiente ou demasiado complexa para poder usar
os mtodos de resoluo mais comuns. Nestes casos, ser necessrio formular hipteses e suposies de forma a completar a informao ou
simplificar o contexto do problema. Deve estar preparado para voltar atrs ou reconsiderar informao extrnseca e/ou as suas suposies se os
clculos se tornarem pantanosos ou produzem respostas que no parecem fazer sentido.
2.- Desenhe os diagramas e as figuras, escreva as expresses ou outros modelos visuais na folha de respostas. Representar um problema com
descrio verbal num modelo visual muitas vezes uma etapa muito til no processo de resoluo. Se o diagrama, a figura, etc, j so
fornecidos, pode ter que adicionar informao, por exemplo, classificaes, valores, etc..
3.- Pense nos possveis mtodos de resoluo e decida qual deles lhe parece o mais favorvel. Alguns mtodos produzem menos equaes a
serem resolvidas do que outros, ou podem requerer apenas lgebra em vez de clculo para atingir a soluo. Os mtodos mais eficientes para um
dado problema podem reduzir os clculos de forma considervel. Ter um mtodo alternativo em mente permite continuar a resoluo se a
primeira tentativa se tornar pantanosa.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 153
4.- Calcule uma soluo. Nesta fase j dever ter identificado um bom mtodo analtico e as equaes correctas para o problema. Agora tempo
de determinar a(s) soluo(es) dessas equaes. Papel e lpis, calculadora, ou mtodos computacionais, so opes possveis para a resoluo
das equaes. A eficincia e os mtodos estudados nas aulas devero ditar as ferramentas que deve usar.
5.- Use a sua criatividade. Se suspeitar que a sua resposta no tem base ou os seus clculos parecem no ter fim sem ocorrerem simplificaes
significativas na direco da soluo, deve fazer uma pausa e considerar alternativas. Pode ter que revisitar as suas suposies/aproximaes ou
seleccionar um mtodo de soluo diferente. Ou, pode ter que usar um mtodo de anlise menos convencional, por exemplo, andando para trs a
partir da soluo, quando conhecida: em geral, no mundo real as respostas no so conhecidas, mas s vezes pode ter uma soluo em mente
para um dado problema a partir da qual pode andar para ``trs". Outras aproximaes criativas incluem a possibilidade de visualizar
paralelismos com outros tipos de problemas que resolveu anteriormente com sucesso, seguindo a sua intuio ou dicas como prosseguir, ou,
simplesmente, por o problema de lado temporariamente e regressar sua resoluo mais tarde.
6.- Teste a sua soluo. Pergunte-se se a soluo faz sentido. Ser que o valor obtido razovel? a soluo fisicamente aceitvel? Pode querer
ir mais longe e resolver o problema via outro mtodo alternativo. Isto no s permitir verificar a validade da soluo obtida, como permitir
desenvolver a sua intuio acerca dos mtodos de soluo mais eficientes para os vrios tipos de problemas. No mundo real, esquemas que
envolvem aspectos de segurana crticos so sempre verificados por mtodos independentes. Habituar-se a testar as suas respostas ser benfico
quer como estudante, quer como cientista ou engenheiro.
IMPORTANTE
Estes passos de resoluo de problemas no devem ser usados como uma receita para resolver todos os problemas. Pode ter que omitir, alterar a
ordem, ou aprofundar certos passos para resolver um problema particular. Use estas indicaes como um guia para desenvolver um estilo de
resoluo de problemas que funcione no seu caso.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 154
Algumas indicaes para o sucesso nos testes e exames

Os nervos so, a maior parte das vezes, os responsveis pelos erros que se cometem num teste ou exame, e levam o estudante a confundir o
contedo das perguntas, no as ler com clareza ou a responder quilo que no lhe perguntado. Nesse sentido, o mais aconselhvel esperar
algum tempo para se tranquilizar e ler as perguntas detidamente. Quando estiver esclarecido sobre aquilo que se pretende e o que deve responder,
pode comear a resoluo da prova.
De uma forma geral, fundamental registar na folha de respostas a informao mais relevante fornecida na pergunta, assegurando que no se
esqueceu de nada nem se omitiu algum dado importante. O passo seguinte a definio da estratgia a seguir na resposta, com a indicao,
quando necessrio, das expresses matemticas a usar, sem esquecer a identificao das grandezas e unidades respectivas.
Alm de tranquilizador, ler as perguntas detidamente, traar uma estratgia de resposta e determinar a ordem das respostas tambm se reveste de
muita importncia, alm de planificar adequadamente o tempo de que se dispe. O mais conveniente dividi-lo pelo nmero de perguntas a que
se tem de responder.
Deve ser garantido que a resoluo de uma prova se revela equilibrada e demonstra ao professor que se domina fracamente a maioria dos
assuntos propostos. pouco aconselhvel responder brilhantemente a um enunciado, consumindo praticamente todo o tempo disponvel, e deixar
de responder a outras perguntas ou faze-lo apenas superficialmente. Neste caso, de esperar que o corrector da prova ser levado a concluir que o
aluno apenas preparou alguns temas do programa e no sabe responder ao resto das perguntas da prova, pelo que, quase de certeza, o conduzir a
uma avaliao negativa.
Antes de entregar a resoluo da prova, altamente recomendvel dedicar os ltimos minutos reviso e correco do que se escreveu (se
necessrio). Em muitos casos, embora no tenha sido possvel responder a todas as perguntas propostas, mais vale deixar as coisas assim e
proceder a uma leitura rpida para ter a certeza de que no se confundiu nenhum dado ou omitiu algo de importante.
de fundamental importncia usar uma caligrafia clara e de boa apresentao. No aceitvel o uso de grafia ininteligvel ou a apresentao
de exerccios com riscos e manchas, caractersticas mais prprias de um aluno dos primeiros anos escolares do que de um estudante universitrio.
Um aluno decido a realizar uma prova brilhante e a obter uma boa classificao, que lhe permitir elevar a sua pontuao final, ter de aceitar
que nada gratuito. As boas notas e os resultados excepcionais que alguns estudantes possuem so fruto de um trabalho constante, e muitas horas
de esforo e renncia sistemtica a muitos perodos de cio. Para conseguir bons resultados escolares necessrio ... trabalhar ... muito!
Em resumo, durante a realizao de uma prova convm:
- conceder algum tempo antes de se comear a escrever at se ficar mais tranquilo e reduzir o nervosismo;
- ler atentamente e calmamente as perguntas;
- planificar e distribuir o tempo em partes iguais;
- realizar um breve esquema das partes mais importantes da pergunta antes de comear a escrever;
- cuidar da ortografia, redaco e apresentao geral da prova;
- dedicar os ltimos minutos reviso e correco da prova.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 155
Notas de apoio s aulas de Introduo Electrnica, licenciatura em Fsica e Qumica, 3 ano,

1 semestre,da
UALG
2006-2007 de 2000-2001
Resoluo
1 Frequncia
1 Pergunta
(i)
Uma fonte de tenso tanto melhor quanto mais elevada for a sua resistncia interna
(ii)
Com um osciloscpio em que o trigger no funciona impossvel determinar o perodo de uma tenso sinusoidal.
(iii)
Um dodo real entra em conduo para uma tenso directa de 1 mV.
(iv)
Um dodo ideal um elemento de circuito linear.
(v)
Se se quisesse rectificar uma tenso com 1 volt de amplitude era prefervel utilizar um dodo de Germnio a um de Silcio.
(vi)
So as propriedades do xido natural do silcio, slica (SiO2), que o tornam importante na industria electrnica.
(vii)
O dodo de efeito de tnel apresenta resistncia dinmica (ac) negativa numa poro da sua caracterstica corrente-tenso.
(viii)
Num dodo laser, a energia da radiao emitida da ordem da energia da banda proibida.
(ix)
possvel implementar um bom emissor ptico usando arsenieto de glio.
(x)
Num semicondutor tipo n, a carga total efectiva negativa.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 156

1 semestre,da
UALG
2006-2007 de 2000-2001
Resoluo
1 Frequncia
2 Pergunta
Determine o circuito equivalente de Thevenin do circuito da Figura.
10
5
15
10 V
2V
5V
Determinao da resistncia equivalente de Thevenin, RTH:

A resistncia equivalente de Thevenin, RTH, a resistncia vista dos dois terminais especificados, e que se obtm substituindo as fontes do
circuito pelas respectivas resistncias internas (zero no caso de fontes ideais de tenso, e infinito no caso de fontes ideais de corrente).
10
5
15
15
(10+5)
3.75
(15//5)
3
(15//3.75)
6
(3+3)
RTH
RTH =3+[(15//5)//(10+5)]=6
Determinao da tenso equivalente de Thevenin, VTH:
A tenso equivalente de Thevenin, VTH, a tenso em circuito aberto (sem carga) entre os dois pontos especificados (terminais) do circuito,
i.e., a tenso entre os terminais a e b do circuito abaixo, Vab.
3
15
15
V1=10 V
V3=2 V
V2=5 V
A forma mais expedita de determinar a tenso de Thevenin , neste caso, aplicar o principio de sobreposio, que afirma: a corrente/tenso
em qualquer ramo de um circuito linear com vrias fontes pode ser calculada, determinando as correntes/tenses em cada ramo particular
produzidas por cada fonte actuando isoladamente, com todas as outras fontes substitudas pelas suas resistncias internas.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 157

1 semestre,da
UALG
2006-2007 de 2000-2001
Resoluo
1 Frequncia
Determinao das correntes/tenses em cada ramo particular produzidas pela fonte V1, com todas as
outras fontes substitudas pelas suas resistncias internas (V2=0 V, V3=0 V): i
3
V1
a
a
15
15
15
V1=10 V
ia=0 => Vab=Vab
iV1
V1=10 V
ia=0
3.75
(15//5)
b
; iV1= V1/(15+3.75 )=10/18.75=0.53(3) A ; Vab1= V1- 15.iV1=2 V
Determinao das correntes/tenses em cada ramo particular produzidas pela fonte V2, com todas as outras fontes substitudas pelas suas
resistncias internas (V1=0 V, V3=0 V):
iV2
3
a
a
a
15
15
V2=5 V
V2=5 V
7.5
(15//15)
iV2
ia=0
ia=0 => Vab=Vab ; iV1= V1/(5+7.5 )=5/12.5=0.4 A ; Vab2= V2- 5.iV2= 3 V
Determinao das correntes/tenses em cada ramo particular produzidas pela fonte V3, com todas as outras fontes substitudas pelas suas
resistncias internas (V1=0 V, V2=0 V):
3
15
15
V3=2 V
15
15
V3=2 V
3
(15//15//5)
ia=0
V3=2 V
ia=0 => Vab=Vab ; Vab3=-V3- 6.ia=-V3 = -2 V

A tenso equivalente de Thevenin VTH=Vab=Vab1+Vab2+Vab3=2+3-2=3 V.
O circuito equivalente de Thevenin , portanto:
18-Sep-06
a
RTH=6
VTH=3 V
b
Jos Figueiredo 158

1 semestre,da
UALG
2006-2007 de 2000-2001
Resoluo
1 Frequncia
3 Pergunta
Considere o circuito da Figura. Determine, em funo de , a amplitude da corrente no circuito, e a potncia mdia dissipada na resistncia.
Represente graficamente ambas as grandezas em funo de . Analise os resultados.
IS
Z = R + j L +
IS =
VS
=
Z( )
1
=R+
j C
VS
PR = R I S2 = R
Vs()
Vs()
IS
j
j L
= Z( ) e
C
R + L
VS=|Z|IS Lei de Ohm generalizada
VS/R
VS2
2
2
1
R + L

C
1
= 0, i.e., = res =
Os valores mximos de I S e PR ocorrem quando L
C
V
V
I Smx = S = S
R
R2
PR mx = RI Smx =
VS2
res
res
PR
1
LC
VS2/R
R2
O circuito em apreo um circuito RLC srie, onde a mxima transferncia de potncia da fonte para a resistncia ocorre na condio de
ressonncia, i.e., quando a corrente que percorre o circuito atinge o valor mximo e a reactncia nula (=res).
18-Sep-06
Jos Figueiredo 159

1 semestre,da
UALG
2006-2007 de 2000-2001
Resoluo
1 Frequncia
4 Pergunta
Determine para o circuito abaixo, a funo de transferncia. Represente graficamente, em funo de , a amplitude e a fase da funo de
transferncia. Caracterize este filtro.
resposta em frequncia de um circuito chama-se Funo de Transferncia do circuito, H(), definida como a razo entre a tenso
de sada, Vout(), e a tenso de entrada, Vin(), com a sada em aberto (iout=0). H() , em geral, uma grandeza complexa:
H()=|H()|ej ,
|H()|=|Vout/Vin| e a ddf entre a tenso de entrada e a tenso de sada.
Determinao da funo de transferncia, H()= Vout/Vin, para circuito da Figura:
Vin
VA
C
VB
Vout
R
Vin
Vout
V = V V
out
A
B
Z R = R
1
ZC = +
j C
1 jCR
1 jCR
j C
ZC
1
VA =
V
=
V
V
=
V
V
=
V
V
=
V
V
A
in
A
in
2 in
2
A
in
1
2
2
A Z + Z in
(
)
1
+
CR
+
R
+
1
j
CR
1 + (CR )
R
R
j C
2
R
V = Z R V
V = jCR V
V = jCR (1 jCR )V
V = (CR ) + jCR V
in
in
2
2
B jCR + 1 in
VB = R + 1 Vin
B Z R + Z C in
B
B
12 + (CR )2
(
)
1
+
CR
j C
Vout
(
CR )2 + jCR
= VA VB =
Vin
Vin
12 + (CR )2
12 + (CR )2
1 jCR
V
1 (CR )2 j 2CR
=
H ( ) = out =
Vin
12 + (CR )2
18-Sep-06
[1 (CR ) ] j 2CR V
=
2
12 + (CR )2
[1 (CR ) ] + (2CR )
[1 + (CR ) ]
2 2
2 2
in
2 CR
Exp j arctan
2
1 ( CR )
2CR
j arctan
2
[
]
1
(
CR
)
= 1 e
Jos Figueiredo 160

1 semestre,da
UALG
2006-2007 de 2000-2001
Resoluo
1 Frequncia
H ( ) =
Vout
1 ( CR ) j 2CR
= H ( ) e j =
Vin
12 + (CR )2
2
2CR
j arctan
2
1 (CR )
= 1 e
|H()|
-0
-12
1/(10RC)
1/RC
10/RC
-90
1/(10RC) 1/RC
10/RC
-180
O circuito deixa passar tudo, apenas alterando a relao de fase entre o sinal de entrada e o sinal de sada, i.e, o circuito
s afecta a fase do sinal.
5 Pergunta
a) Descreva as propriedades de semicondutores tipo n e tipo p.
b) Indique a caracterstica corrente-tenso de uma juno p-n. Identifique as diferentes seces da caracterstica.
Ver bibliografia
18-Sep-06
Jos Figueiredo 161

1 semestre,da
UALG
2006-2007 de 2000-2001
Resoluo
1 Frequncia
6 Pergunta
Considere a montagem da Figura. A fonte de sinal gera uma tenso dentede-serra de frequncia 50 Hz e 5 V de pico-a-pico.
a) Represente esquematicamente o que observaria no osciloscpio em
modo XY.
b) Explique o funcionamento desta montagem.
Osciloscpio
X
Vin
Vpp=5 V
330
Y invertido
a) Represente esquematicamente o que observaria no osciloscpio em modo XY:
Osciloscpio
Vin
Vpp=5 V
VX =VD
ID
Vin =VD -VR
-VY
VD
VY =VR=-330ID
O circuito permite obter no osciloscpio a poro da caracterstica ID-VD

do dodo, correspondente polarizao directa.
Y invertido
b) Explique o funcionamento desta montagem:
O canal 1 do osciloscpio prova a tenso aos terminais do dodo, e o canal 2 regista um sinal de tenso proporcional corrente que
percorre o dodo. Como indicado na figura, as terras do gerador e do osciloscpio so diferentes, caso contrrio a corrente s percorreria
o dodo. O canal 2 est invertido de forma a que a curva aparea correctamente orientada.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 162
Notas de apoio s aulas de Introduo Electrnica, licenciatura em Fsica e Qumica,

3 ano, 1 semestre,
UALG
2006-2007
Resoluo
do Exame
de IE,
10 de Maio de 2001
R2=30
2. Calcular o equivalente de Thevenin do circuito entre os pontos a e b e a corrente atravs de RX.

(3 valores)
Sol: VTH=8 V; RTH=25 ; IRX=0.2 A
3. Para o circuito da figura considere Vin=100 mV, R=0.5 , L=0.1 mH e C=50 F. Determine a
frequncia de ressonncia, a corrente mxima no circuito e a diferena de potencial na bobine
quando o circuito est em ressonncia.
(3 valores)
Sol: R=14 142 rad/s; fR=2 250 Hz; IMax=200 mA; VLXax=282.84 mV
R1=20
R4=30
Vin()
L
C
IF
5. Considere o circuito da figura, onde RC=100 , RB=2 k, e E=30 V. O beta do transstor 50, a
tenso colector-emissor em saturao 0.2 V e a tenso base-emissor em conduo 0.7 V.
Calcular as correntes e as tenses no transstor quando o interruptor S est aberto e quando est
fechado. Indique possveis aplicaes do circuito. (3 valores)
Sol: Quando S est fechado: IB=0, IC=0; VBE=0, VBC= EC =30 V; IB=14.65 mA, IC=0.298 A. Como
IC<IB, o transstor est saturado.
18-Sep-06
V2=10 V
V1=6 V
4. Deduzir a funo VF=f(IF) do circuito ao lado. Represente-a no plano (VF, IF), conjuntamente
com a caracterstica do dodo. Assinale no mesmo plano os valores de tenso e corrente atravs
dodo em funcionamento. (3.5 valores)
Sol: E=RIF+VF; VF=E-RIF; IF=0, VF=E; VF=0, IF=E/R; a interseco da recta de carga com a
caracterstica do dodo (ponto Q) representa o ponto de funcionamento. IF0 e VF0 so a corrente e a
ddp no dodo.
6. Considere no circuito R3=4 k, Vin1=1.5 V e Vin2=2.5 V.

a)Determine a tenso de sada Vout para os seguintes valores de resistncias e tenses de entrada:
R1=1 k, R2=2 k. Calcule o valor de Vout supondo que R1=R2=4 k. Identifique o circuito obtido.
b)Sol: Vout=-11 V; Vout=-4 V; circuito somador de duas entradas.
R3=20
RX=15
RC
R
B
Vin1
R1
Vin2
R2
VF
R3
Vout
Jos Figueiredo 163
Notas de apoio s aulas de Introduo Electrnica, licenciatura em Fsica e Qumica,

3 ano, 1 semestre,
UALG
2006-2007
Resoluo
do Exame
de IE,
10 de Maio de 2001
2. Calcular o equivalente de Thevenin do circuito entre
os pontos a e b , e a corrente atravs de RX.
V1=6 V
(3 valores)
Sol: RTH=25 , VTH= VTH1+VTH2=3+5=8 V; IRX= VTH/(RTH+RX)=0.2 A
50
RTH=25
VTH1=3 V
50
VTH=8 V
RX=15
3. Para o circuito da figura considere Vin=100 mV, R=0.5 , L=0.1 mH e C=50 F. Determine a frequncia de ressonncia, a corrente mxima
no circuito e a diferena de potencial na bobine quando o circuito est em ressonncia. (3 valores)
Sol: =Res, XL(Res)=XC(Res) e, portanto, Res=(LC)-1/2=14,143 krad/s; Z(Res)=R, fRes=Res/2=2,251 kHz; IMax=Vin/Z(Res)=Vin/R=200
mA; VLX=ZLI0=282.84 mV.
I
F
4. Deduzir a funo VF=f(IF) do circuito ao lado. Represente-a no plano (VF, IF), conjuntamente com a
caracterstica do dodo. Assinale no mesmo plano os valores de tenso e corrente atravs dodo em
funcionamento. (3 valores)
Sol: E=RIF+VF; VF=E-RIF; IF=0, VF=E; VF=0, IF=E/R; a interseco da recta de carga com a caracterstica do
dodo (ponto Q) representa o ponto de funcionamento. IFQ e VFQ so a corrente e a ddp no dodo.
E/R
IFQ
Q
VFQ E
VF
5. Considere o circuito da figura, onde RC=100 , RB=2 k, e E=30 V. O beta do transstor 50, a tenso colector-emissor em saturao 0.2
V e a tenso base-emissor em conduo 0.7 V. Calcular as correntes e as tenses no transstor quando o interruptor S est aberto e quando
est fechado. Indique possveis aplicaes do circuito. (4 valores)
Sol: Quando S est fechado: VBE=0IB=0, IC=0, IE=0; VB=VE=0 V e VC=EC=30 V; Quando S est aberto IB=(EC-0.7)/RB=14.65 mA.
Assumindo que o transstor no est em saturao, temos IC=IB=0.732 A e VC=EC-RCIC=-43 V !! Donde se conclui que o transstor est
saturado. IC=(EC-VCE)/RC=0.298 A. IE=IC+IB)=0.313 A. VE=0 V, VB=0.7 V, e VC=0.2 V.
6. Considere no circuito R3=4 k, Vin1=1.5 V e Vin2=2.5 V.
a) Determine a tenso de sada Vout para os seguintes valores de resistncias e tenses de entrada: R1=1 k, R2=2 k.
b) Calcule o valor de Vout supondo que R1=R2=4 k. Identifique o circuito obtido. (4 valores)
Sol:
a) R1=1 k, R2=2 k: Vou=- R3(Vin1/R1 + Vin2/R2)=-11 V
b) R1=R2=R=4 k: Vou=- R3/R(Vin1 + Vin2)=-(Vin1 + Vin2)=-4 V

18-Sep-06
Circuito somador de duas entradas.

Jos Figueiredo 164

1 semestre,
UALG
2006-2007 de 2001-2002
Correc
o da
1 Frequncia
2 (a) Tenso aos terminais a e b:
A tenso quando S est aberto, pode ser determinada usando o princpio da sobreposio ou aplicando as leis de Kirchhoff.
O clculo ser feito usando o princpio de sobreposio. Neste caso as fontes sero substitudas alternadamente pelas suas resistncias internas:
Zero no caso de fonte ideais de tenso, e infinito no caso de fontes ideais de corrente.
Substituindo a fonte de corrente pela sua resistncia interna (infinito).
40
30 V
60
25
20
40
30 V +
-
divisor de tenso formado

pelas resistncias 40, 60 e 20
a
60
b
25
20
Vab|FT=3060/(40+60+20)=15 V

pelas resistncias 5 e 25
Substituindo a fonte de tenso pela sua resistncia interna (zero), obtm-se:

40 1.5 A
a
60
25
20
divisor de corrente formado

pela resistncia de 40 e (20 +60)
1.5 A
40
25
60
20
Iab|FC
Iab|FC=1.540/(40+60+20)=0.5 A
Vab|FC=RIab|FC=600.5=30 V
Somando o efeito das duas fontes obtm-se: Vab=Vab|FT+Vab|FC=15+30=45 V.

2 (b) Corrente de curto-circuito, i.e., quando S est fechado:
Pode ser determinada usando o equivalente de Thvenin. A tenso do gerador de Thvenin foi calculada na alnea anterior e Vab=VTH=45 V.
A resistncia de Thvenin obtida substituindo simultaneamente todas fontes pelas respectivas resistncias internas:
a
40
40
a
5
60
25
20
5
60
25
20
40
60
20
RTH=Rab
= 60//60=30
Equivalente de Thvenin
visto dos terminais a e b
a
45 V
30
45 V
30
b
b
18-Sep-06
Fechando S, a corrente
45/30=1.5 A
Jos Figueiredo 165

1 semestre,
UALG
2006-2007 de 2001-2002
Correc
o da
1 Frequncia
A corrente de curto-circuito pode, tambm, ser determinada usando o princpio da sobreposio ao circuito quando S est fechado:
40 1.5 A
40 1.5 A
a
30 V
5
60
25
20
a
30 V
25
20
Iab
S
b
Seguindo o mesmo procedimento da alnea a), obtm-se:

Iab|FT=30/(40+20)=0.5 A
Iab|FC=1.540/(40+20)=1 A
Iab=0.5+1.0=1.5 A
3 Equivalente de Thvenin aos terminais a e b:

Para determinar a impedncia equivalente de Thvenin, substituem as fontes de tenso pelas suas impedncias internas (zero na fontes ideais
de tenso, e infinito para as fontes ideais de corrente):
C1
L1
14
6
C2
10
L1
14C
1
6
C2
10
A impedncia equivalente dada por:

ZTH=Zab=ZC1//ZC2+ZL1=-j5.8(3)+j6=j0.1(6)j0.2
onde ZC1=-j14 , ZC2=-j10 e ZL1=j6
A tenso equivalente de Thvenin aos terminais a e b corresponde ao valor da tenso aos terminais do condensador C2.
E +
110 V
50 Hz
C1
L1
14
6
C2
10
Como a corrente na indutncia nula, o circuito formado pela fonte mais os condensadores actua
como um divisor de tenso e a tenso aos terminais do condensador e, portanto, aos terminais a e b
: VTH=Vab=VC2=EZC2//(ZC1+ZC2)=45.8(3) 45.83 V, a frequncia a mesma.
A corrente na resistncia R dada por:
IR=VTH/(40+j0.2); mdulo IR=VTH/|40+j0.2|1.146 A; fase 00 17 11
4 (a) Frequncia de ressonncia,

frequncia qual a reactncia capacitiva iguala a reactncia indutiva: XC(R)=XL(R), donde resulta que 2R=1/LC.
fR=R/220 000/6.2833.183 kHz.
4 (b) Funo de transferncia: (temos, novamente um divisor de tenso)
H()=Vout()/Xin()= ZC()/[ZR()+ZL()+ZC()]= 1/[jCR (2LC-1)]=[(1-2LC)-jCR]/[(1-2LC)2 +(CR)2]
Mdulo: H ( ) = 1 / (1 2 LC )2 + (CR )2 ; fase =arctan[-CR/(1-2LC)].
18-Sep-06
Jos Figueiredo 166

1 semestre,
UALG
2006-2007 de 2001-2002
Correc
o da
1 Frequncia
5 (a) Forma de onda aos terminais de R:
C1
vin
2Vm-VD
+Vm
+Vm
-Vm
D1
vout
-VD
-Vm
5 (b) Funcionamento do circuito:

Quando a tenso de entrada passa de zero a +Vm, a tenso no ctodo do dodo, sobe de zero para +Vm, porque a tenso no condensador no
pode variar instantaneamente, fazendo com que a subida de tenso na armadura esquerda ocorra tambm na armadura direita. Assim, estando
a armadura direita ao potencial +Vm, o dodo no conduz, e a tenso aos tenso na sada igual tenso da entrada. Quando a tenso vin
diminui de +Vm para -Vm, pelas razes j expostas, a tenso no ctodo do dodo passa para -Vm. Agora, o dodo est polarizado directamente
e se -Vm for inferior a -VD, o dodo entra em conduo, permitindo que o condensador carregue, com a constante de tempo =RDC. (onde RD
representa a resistncia do dodo em conduo), que , em geral, muito pequena quando comparada com o perodo do sinal de entrada. A
tenso no condensador ser VC= Vm-VD, em que a armadura da direita est a um potencial superior da esquerda, igual a VD .(o potencial na
armadura da esquerda -Vm). Quando o sinal de entrada, passa de -Vm para +Vm, o potencial na armadura da esquerda sobe 2Vm, e como a
ddp aos terminais do condensador no pode variar instantaneamente, a tenso na armadura da direita sobe de VD para 2VmVD, o que
polariza inversamente o dodo. A tenso de sada mantm-se igual a 2VmVD at que a tenso de entrada comute novamente para -Vm, o que
faz com a tenso no ctodo do dodo desa para VD. (= 2VmVD-2Vm), mantendo-se em VD, at que a tenso de entrada comute novamente.
6 (a) Correntes mnima e mxima no dodo de Zener, com a carga (RL) sempre ligada:
IRL=VZ/RL=0.05 A, qualquer que seja E, desde de que o dodo esteja em franca conduo.
Seja E=22 V, IRp=(E-VZ)/Rp=0.14 A, aplicando a lei dos ns, IZ= IRp- IRL= 0.14-0.05=0.09 A=90 mA.
Rp=50
E
202 V
IZ
IL
VZ=15 V
RL
300
Seja E=18 V, IRp=(E-VZ)/Rp=0.06 A, aplicando a lei dos ns, IZ= IRp- IRL= 0.06-0.05=0.01 A=10 mA.
6 (b) Potncia dissipada no dodo quando a carga RL est desligada e E=20 V:
Quando E=20 V, IRp=(E-VZ)/Rp=0.1 A. Como a carga est desligada, RL=infinito, e, portanto, IZ= IRp= 0.1 A,
a potncia dissipada no dodo de Zener PZ= VZIZ=1.5 W.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 167
Notas de apoio s aulas de Introduo Electrnica, licenciatura em Fsica e Qumica, 3 ano, 1

semestre,
2006-2007
Correc
oUALG
do Exame
de IE 2001-2002
2. Desenhar o circuito na folha de respostas!
Tenso aos terminais a e b:
A ddp entre a e b pode ser determinada aplicando o princpio da sobreposio ou as leis de Kirchhoff.
O clculo ser feito usando o princpio de sobreposio. Considera-se a contribuio de uma fonte de cada vez, substituindo as outras fontes
presentes pelas respectivas resistncias internas: zero no caso de fonte ideais de tenso e infinito no caso de fontes ideais de corrente.
Efeito de E1: substitui-se a fonte de corrente pela sua resistncia interna (infinito, i.e., circuito-aberto) e a fonte de tenso E2 por um curto.
a
6
20
10 V
10

pelas resistncias 10 e 10//20
10
Iab|FT1
10 V
10 //20
Vab|FT1=10[(10//20)/(10+10//20)]=4 V
Efeito de E2: substitui-se a fonte de corrente pela sua resistncia interna (infinito, i.e., circuito-aberto) e a fonte de tenso E1 por um curto.
a
6
5V
20
10
Iab|FT2
10 //20
10
Vab|FT2=-5[(10//20)/(10+10//20)]=-2 V

pelas resistncias 10 e 10//20
5V
Efeito da fonte de corrente

de 2 A: substitui-se as fontes de tenso, E1 e E2, pelas suas resistncias internas (zero, i.e., curto-circuito).
a
a
R1=6
2A
R3=10
R2=4
R4=5
b
R5=
20
2A
(6+4)//10//20
2A
b
R4=5
Vab|FC=2 A [(6+4)//10//20]=8 V
IFC=2 A
b
Tenso aos terminais a e b: Vab= Vab|FT1 + Vab|FT2 + Vab|FC=4-2+8=10 V

Tenso aos terminais da fonte de corrente: VFC=Vab-Vbb= 10 ( 2 5)=20 V
18-Sep-06
(queda de tenso na resistncia: Vbb=-IFCR4=-10 V)

Jos Figueiredo 168

semestre,
2006-2007
Correc
oUALG
do Exame
de IE 2001-2002
3 Desenhar o circuito na folha de respostas!
(a) A resistncia vista dos terminais do condensador corresponde ao paralelo de R1 e R2, i..e., R//=2.4 k .
A constante de tempo do circuito =R//C=0.24 s.
(b) O regime estacionrio corresponde ao perodo de tempo t>5, isto , aps o condensador ter carregado completamente (ver notas do
segundo trabalho prtico e sumrios das aulas tericas). Para t>5, o condensador comporta-se como um circuito aberto. Neste caso as correntes
i1 e i2 so iguais e a corrente no condensador nula. O circuito actua, portanto, como um divisor de tenso: VR2=VC=306/(4+6)=18 V.
(c) Assumindo que o circuito ligado fonte de tenso em t=0 s, VC=0 V (a tenso aos terminais de um condensador no pode variar
instantaneamente), e, portanto, i2=VC/6000=0/6000=0 A e i2=(E - VC)/4000=30/4000= 7.5 mA.
Para t= s: ver b). i1=i2, VC=18 V, i2=VC/6000=18/6000=3 mA e i2=(12)/4000=3 mA.
Para t=0.48 s=2: a tenso aos terminais do condensador (na carga) varia segundo a expresso VC(t)=VC(t=)[1-e-t/].
VC(t=0.48 s)=18[1-e-2]=15.56 V. i2=VC/6000=15.56/6000=2.6 mA e i2=14.44/4000=3.61 mA.
Tenses aos terminais da base, emissor e colector dos transstores, e as correntes em todos os ramos:
O circuito corresponde a uma montagem de dois andares.
Para resolver deve-se comear por assumir que ambos os transstores esto no modo activo, i.e., que vlida a relao iC=iB (a verificar).
Admitindo que a corrente de base do segundo transstor muito menor que a corrente de colector do primeiro transstor, pode-se assumir
que a corrente na resistncia R3 praticamente igual corrente de colector do primeiro transstor IC1, i..e., o segundo andar no afecta de
forma significativa a polarizao do primeiro andar. Considera-se primeiro o primeiro andar (Desenhar o circuito na folha de respostas!).
Vcc+=+10 V
R4=9.1 k
Q1
R2=
100 k
R3=9.1 k
VCC-=-10 V
18-Sep-06
VC1
Analisando a malha Vcc R4 VEB R4 comum: 10= R4IE + 0.7 + R2IB. Tendo em conta que se
assumiu que iE=( +1)iB: 10 - 0.7=R2IB1 + ( +1)R4IB1, IB1=9.3/(1019.1)=9.13 A. IE1=( +1)IB1=9.22 mA,
IC1=IB1=9.13 mA. VB1=R2IB1=0.913 mA, VE1=VCC+ - R4IE1=1.61 V, VC1=R3IC1 + VCC-=-1.69 V.
Como VEC1>0.2 V pode-se concluir que o transstor Q1 est no modo activo, como se assumiu anteriormente.
Anlise do segundo andar (Desenhar o circuito na folha de respostas!):
Tendo em conta a introduo acima, VB2=VC1= -1.69 V, podendo concluir-se que VE2=VB2 VBE2=-2.39 V.
IE2=(VE2 - VCC-)/R6=1.77 mA, IC2=IE2=1.75 mA, IB2=IC2/=17.5 A. VC2=VCC+ - R5IC2=1.075 V.
Como VCE2>0.2 V pode-se concluir que tambm o transstor Q2 est no modo activo.
Embora no exactos, os valores obtidos so uma boa aproximao a estes (ver comentrio no Sedra e Smith).
Jos Figueiredo 169

semestre,
2006-2007
Correc
oUALG
do Exame
de IE 2001-2002
9 k
v3
v1
v2
i1k
v3
2 k
v0
3 k
i9k
9 k
i-
1 k
2 k
v-
i+
v0
v+
3 k
9 k
i-
1 k
v1
A resoluo simples se se aplicar o princpio da sobreposio (ver resoluo do problema 3).

Na resoluo assume-se que o amp-op ideal, i.e., a resistncia de entrada e o ganho em malha aberta so
infinitos, o que implica, admitindo-se o funcionamento do amp-op no regime linear, que v+=v- e i+= i-=0.
1 k
2 k
v-
i+
v+
Comeando por considerar primeiro o efeito da tenso v3 (curto-circuitando as outras duas fontes), obtm-se a
montagem amplificadora inversora: v+=0 V v+0 V (terra virtual). Assim: i1k=v3/1k e v03=v-9ki1k=-9v3.
v03=-9v3.
Efeito da tenso v1 (curto-circuitando as outras duas fontes - Desenhar o circuito na folha de respostas!):
Tendo em conta as propriedades do amp-op referidas atrs, a tenso na entrada no-inversora dada por:
v+=v13k/(2k+3k)=3/5 v1 (divisor de tenso)como v+=v- e v-=v011k/(1k+9k) [divisor de tenso], obtm-se
Efeito da tenso v2 (curto-circuitando as outras duas fontes - Desenhar o circuito na folha de respostas!):
Tendo em conta as propriedades do amp-op referidas atrs, a tenso na entrada no-inversora dada por:
v+=v22k/(2k+3k)=2/5 v2 (divisor de tenso)como v+=v- e v-=v021k/(1k+9k) [divisor de tenso], obtm-se
Da soma de todos os efeitos resulta v0= 6v1+4v2-9v3.
3 k
Dados importantes:
Dodos reais: VD=0.7 V, quando em conduo.
Lgica positiva: um lgico 1 2.5 V; zero lgico 0 0.9 V.
Casos possveis:
A=B=0 V
A=5 V, B=0 V
A=0 V, B=5 V
A=B=5 V
18-Sep-06
Tabela de verdade
0
1
0
1
0
0
1
1
0
1
1
1
Funo lgica: OU.

(Ver resoluo completa
do exerccio nas notas
sobre electrnica digital.)
Jos Figueiredo 170

semestre,
Correc
oUALG
da 1 2006-2007
Frequncia, 2002-2003
3. Determine o equivalente de Thvenin do circuito entre os pontos a e
b. Desenhar o circuito na folha de respostas!
Aplicando o princpio da sobreposio:
+ V3
10V
R1
100
66.67mA
DC A
IR3,V3=66.67 mA
R12
15
R13
5
R5
100
-16.67mA
DC A
IR3,V1= -16.67 mA
R15
15
R21
10
R23
3
R20
15
R19
5
R3
100
0.000 A
DC A
RTH=6
Vab,10 V=2 V
0.000 A
DC A
R22
5
V7
2V
Vab,2 V=2 V
R2
100
R17
5
+ V5
10V
+ V1
5V
RTH=3+(10+5)//15//5
R18
3
R14
5
R2
100
50.00mA
DC A
R10
5
R16
10
R3
100
+ V2
5V
R4
5
R8
3
R5
15
+ V3
10V
R7
5
V4
2V
IR3=IR3,V3+IR3,V1=66.67 mA + (-16.67 mA)=50 mA

18-Sep-06
DC V
4.000 V
R6
10
V1
10V
R1
100
DC A
50.00mA
R1
100
DC V
2.000 V
R4
100
R9
3
OHMS
6.000
R11
10
DC V
2.000 V
2. Usando o princpio de sobreposio, determine a

intensidade de corrente que percorre R1.
Desenhar o circuito na folha de respostas!
VTH=4 V
RTH=6
VTH
4V
b
Jos Figueiredo 171

semestre,
Correc
oUALG
da 1 2006-2007
4. a) Desprezando a resistncia da bobine, RB, determine a 4. b) Repita os clculos considerando, agora, RB.
frequncia de ressonncia do circuito e a correspondente tenso V0. Desenhar o circuito na folha de respostas!
R
RB + jL
Desenhar o circuito na folha de respostas!
I
RB
jL
I
jC
Vin
Vout Z = Z + Z
R L
L C
V
V
jC
R
RB + ZL // ZC = R +
L
Vin
Vout
C
1
= R+ j 2
I = , Z= =ZR +ZL //ZC = R+
RB + jL +
1
Z
I
1
+
LC
jL+
jC
jC
V
L
L
Z= = Z() ej, Z() = R2 + 2 , X = 2 =2LC=1
I
1 LC
1 LC
1
R =
876 Hz
LC
Z
V0 = C//L Vin =Vin, porque ZC//L(R) =
ZC//L+ZR
H()
R B + j L
= Z Re + jZ Im
Z= R+
j CR 2 CL + 1
B
Z Im =
R 570 Hz
V0 =
(ver figura abaixo)
Z C//L
Vin 2.5 V (ver figura abaixo)
Z C//L + Z R
H()
1.2
0.24
0.20
800m
0.16
600m
0.12
400m
0.08
200m
0.04
834
1.67k 2.5k
f(Hz)
3.33k 4.17k
5k
834
1.67k 2.5k
f(Hz)
3.33k 4.17k
5k
4. c) Da alnea a) e da anlise do comportamento da bobine e do condensador a baixas e altas frequncias, relativamente frequncia
de ressonncia, conclui-se que se trata de um circuito passa-banda (ver 20 aula terica ).
18-Sep-06
Jos Figueiredo 172

semestre,
Correc
oUALG
da 1 2006-2007
5. Determine a forma de onda de sada v0 e os valores da corrente
na resistncia do circuito, quando aplicado o pulso indicado.
Desenhar o circuito e as formas de onda na folha de respostas!
R=10 k
10 V
vin
10 s
Ver 5 aula, pgina 3.

No degrau de subida (passagem de zero a 10 V), a tenso
aos terminais da bobine sobe imediatamente de zero para 10 V,
L
20 mH
tL
Funcionamento do circuito:
isto , v0=vL=10 V. Como a largura do pulso igual a 10 us e

v0
cinco constantes de tempo correspondem a 10 us, a bobine ir

carregar completamente, isto , ao fim de 10 us vL=0 V (a
bobine
Constante de tempo do circuito: =L/R=2 us e 5=10 us.
carrega
exponencialmente).
sada
decai
exponencialmente para zero, isto , no fim do pulso v0=0 V.
Verifica-se, portanto, que a largura do pulso tL igual a 5.
Segue-se de imediato o degrau de descida. A tenso de
v0(V)vL(V)
sada, v0(=vL), desce imediatamente de zero para 10 V (devido
15
transio de vin de 10 V para 0 V). A bobine descarrega agora
10
de 10 V para 0 V.
A corrente na resistncia no incio do degrau igual a zero
(recordar que a bobine opem-se a variaes instantneas de

corrente). A corrente aumenta exponencialmente at atingir o
-5
valor iR=10 V/10 k=1 mA.
-10
-15
A corrente na resistncia no fim do degrau igual a 1 mA

-5u
5u
10u
t(ms)
18-Sep-06
15u
20u
25u
(recordar que a bobine opem-se a variaes instantneas de

corrente). A corrente diminui exponencialmente at zero.
Jos Figueiredo 173

semestre,
Correc
oUALG
da 1 2006-2007
Funcionamento do circuito:
Quando a tenso de entrada passa de zero a +Vm a tenso no ctodo
do dodo sobe de zero para +Vm, porque a tenso no condensador
no pode variar instantaneamente, fazendo com que a subida de
tenso na armadura esquerda ocorra tambm na armadura direita.
Assim, estando a armadura direita ao potencial +Vm, o dodo no
conduz e a tenso na sada igual tenso de entrada. Quando a
tenso vin decresce de +Vm para -Vm, pelas razes j expostas, a
tenso no ctodo do dodo passa para -Vm. Agora, o dodo est
polarizado directamente e, se -Vm for inferior a -VD, o dodo entra
em conduo, permitindo que o condensador carregue com a
constante de tempo =rDC=1 us (onde rD representa a resistncia do
dodo em conduo). A tenso no condensador ser VC= Vm-VD, em
que a armadura da direita est a um potencial superior da
esquerda, igual a VD (o potencial na armadura da esquerda -Vm).
Quando o sinal de entrada, passa de -Vm para +Vm, o potencial na
armadura da esquerda sobe 2Vm e, como a ddp aos terminais do
condensador no pode variar instantaneamente, a tenso na
armadura da direita sobe de VD para 2VmVD, o que polariza
inversamente o dodo. A tenso de sada mantm-se igual a 2VmVD
at que a tenso de entrada comute novamente para -Vm, o que faz
30u
com a tenso no ctodo do dodo desa para VD. (= 2VmVD-2Vm),
mantendo-se em VD, at que a tenso de entrada comute
novamente e assim sucessivamente (ver figura).
6. Considere o circuito com um dodo real (ver figura).

Assumindo que a constante de tempo RLC muito maior que o
perodo da onda de entrada, esboce a tenso v0. Justifique.
Desenhar o circuito e as formas de onda na folha de respostas!
C=1 uF
vin
Vm
t
-Vm
D
rD=1
v0
10 us
v0vR(V)
15
2Vm=10
5
0
Vm=-5
-10
-15
18-Sep-06
5u
10u
15u
t(ms)
20u
25u
Jos Figueiredo 174

1 semestre,da
UALG
2006-2007 de 2003-2004
Resoluo
1 Frequncia
1 Pergunta
(i)
Um condensador ideal, em corrente contnua comporta-se como um aberto.
(ii)
A ponte de Wheatstone pode ser usada para determinar o valor de resistncias.
(iii)
Um filtro RC passa-banda um bom integrador a baixa frequncia.
(iv)
A frequncia de ressonncia de um circuito RLC srie corresponde situao em que ZC+ZL=0.
(v)
Os dodos so componentes baseados em materiais bons condutores.
(vi)
temperatura de 20 0C, um dodo percorrido por uma corrente de 1 mA apresenta uma resistncia diferencial de cerca de 50 .
(vii)
A tenso aos terminais de um de dodo polarizado inversamente determinada pelos outros elementos dos circuitos.
(viii)
A rectificao de onda completa energeticamente mais vantajosa do que a rectificao de onda meia onda.
(ix)
possvel usando apenas dodos e bobines obter tenses contnuas muito elevadas.
(x)
Para regular uma tenso contnua de 3 V deve ser usado um dodo zener com tenso de ruptura de 3 V.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 175

1 semestre,da
UALG
2006-2007 de 2003-2004
Resoluo
1 Frequncia
(i)
Uma bobine ideal, em corrente contnua comporta-se como um aberto.
(ii)
A ponte de Wheatstone pode ser usada para determinar o valor de uma impedncia.
(iii)
Um filtro RC passa-banda um bom diferenciador a baixa frequncia.
(iv)
A frequncia de ressonncia de um circuito RLC paralelo corresponde situao em que ZC+ZL=0.
(v)
Os dodos so componentes baseados em materiais isoladores.
(vi)
temperatura de 20 0C, um dodo percorrido por uma corrente de 50 mA apresenta uma resistncia diferencial de cerca de 1 .
(vii)
A tenso aos terminais de um de dodo polarizado directamente determinada pelos outros elementos dos circuitos.
(viii)
A rectificao de meia onda energeticamente mais vantajosa do que a rectificao de onda completa.
(ix)
possvel usando apenas dodos e resistncias obter tenses contnuas muito elevadas.
(x)
Para regular uma tenso contnua de 30 V devem ser usados dodos normais polarizados inversamente.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 176

1 semestre,da
UALG
2006-2007 de 2003-2004
Resoluo
1 Frequncia
2. Determine a potncia dissipada no circuito / Determine a potncia fornecida pela fonte ao
circuito. (3 valores)
Sol: Como o circuito alimentado pela fonte de tenso independente VS puramente resistivo, a
potncia dissipada nas cinco resistncias igual potncia fornecida pela fonte ao circuito.
As resistncias R1, R2, e R3, formam um tringulo. A rede de resistncias pode ser simplificada
usando as equaes da transformao tringulo estrela (relaes de Kennelly).
Segue-se a resoluo da frequncia b (para a freq. a, ver a resoluo nas notas das aulas tericas).
IS
VS=30 V
IS
I1
I4
I3
I2
IS
2
I5
2
1
VS
1
IS
VS
1
0,8
0,4
0,4
1,5
A potncia fornecida pela fonte VS ao circuito dada pelo produto da tenso aos terminais da
fonte e da intensidade de corrente IS debitada pela fonte: PS=VSIS.
1 ohm
+ V3
20 V
1 ohm
2.857 A
DC A
2 ohm
1 ohm
2 ohm
20.00 A
DC A
IS=20 A
VS=30 V
14.29 A
DC A
30.00 V
DC V
+ V1
30 V
2 ohm
2 ohm
1 ohm
1 ohm
-269.3pA
DC A
1 ohm
No caso da frequncia b, e tendo em conta o exposto acima, a potncia dissipada no circuito igual potncia fornecida pela fonte:
PS=VSIS=30 V 20 A=600 W ou PS=VS2/REq=600 W.
No caso da frequncia a, e tendo em conta o exposto acima, a potncia dissipada no circuito igual potncia fornecida pela fonte:
PS=VSIS=20 V 14,29 A=285,8 W ou PS=VS2/REq=202/1,4=285,8 W.
Resoluo alternativa do circuito da frequncia b
O circuito da frequncia b simtrico relativamente aos terminais da resistncia R3, i.e., R1=R2 e R4=R5 so iguais, i.e., a corrente IS ao
chegar ao nodo v dois caminhos exactamente iguais, e, portanto, I1=I2=IS/2; do mesmo modo I4=I5=IS/2. Do exposto resulta que I3=0.
Assim, o circuito pode ser visto como o paralelo de dois divisores de tenso, R1+R4 e R2+R5. A resistncia equivalente ao circuito resistivo ,
ento,
REq=(R1+R4)//(R2+R5)=3 //3 =1,5 .
A corrente debitada pela fonte VS , portanto, VS/REq=20 A e a potncia dissipada PS=VSIS=30 V 20 A=600 W ou PS=VS2/REq=600 W.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 177

1 semestre,da
UALG
2006-2007 de 2003-2004
Resoluo
1 Frequncia
3. Calcule a corrente na bobine/resistncia. (3 valores)
Sol: Os circuitos das duas frequncias so idnticos, apenas diferindo nos valores dos componentes. As disposies das bobines e das
resistncias esto invertidas.
A forma mais simples de determinar a corrente que percorre a sria resistncia + bobine, atravs do teorema de Thvenin. Assim retira-se do
circuito a bobine/resistncia (dependendo da frequncia) e determina-se o equivalente de Thvenin visto dos terminais que ficaram em aberto:
Frequncia a
C1
E +
110 V
50 Hz
E=110 V
R=40
1,4 mF
C2
2 mF
L1
120 mH
E +
110 V
50 Hz
ZC1=-j2,3
E +
220 V
50 Hz
ZC2=-j1,6
b
C1
C1
ZR= 40
1,4 mF
C2
2 mF
ZTH
VTH +
E +
220 V
50 Hz
L1
120 mH
50 Hz
2 mF
C2
1 mF
100 mH
E=220 V
ZC1=-j1,6
ZC2=-j3,2
R=40
ZR= 40
ZL1=j37,7
R=40
a
Frequncia b
L1
C1
L1
2 mF
C2
1 mF
100 mH
ZL1=j31,4
ZTH
VTH +
b
50 Hz
R=40
VTH=Vab=ZC2/(ZC1+ZC2)E=45,3 V
VTH=Vab=ZC2/(ZC1+ZC2)E=146,6 V
ZTH=ZC1//ZC1+ZR= 40 -j0,94
ZTH=ZC1//ZC1+ZL1=-j1,1 +j31,4 =j30,3
IL1=VTH /(ZTH+ZL1)=45,3/[40-j(37,7-0,94)]=45,3[40-j36,8]/[402+36,82]
IR=VTH /(ZTH+ZR)=146,6/[j30,3+40]=146,6[40-j30,3]/[402+30,32]=2,3-j1,8 A
=0,61-j0,56 A
E3
-110/110V
50 Hz
18-Sep-06
19.89 A
AC A
C7
1.4mF
R1
40ohm
C8
2mF
591.8mA
AC A
E
-220/220V
L3
120mH
50 Hz
31.67 A
AC A
C1
2mF
L1
100mH
C2
1mF
2.069 A
AC A
R
40ohm
Jos Figueiredo 178

1 semestre,da
UALG
2006-2007 de 2003-2004
Resoluo
1 Frequncia
I
4. (a) Determine o mdulo da funo de transferncia do circuito. (b) Que funo de filtragem executa este
circuito? Justifique. (c) Calcule a frequncia de ressonncia e a largura de banda do circuito, assumindo
Vin=20 V, L=1 mH, R=10 , e C=1 uF. (4 valores)
Vin
j L
Sol:
V
L
V
V
j C
I=
= Z =
= Z ( ) e j = Z R + Z L // Z C = R +
= R + j
,
Z =
2
1
Z
I
I
LC + 1
j L +
j C
2
Z ( ) =
R2 + X
L
L
2
R2 +
= LC = 1 R =
, X =
2
2
1 LC
1 LC
V
ZR
Z
= R =
H ( ) = out =
V in
Z
Z C // Z L + Z R
R + j
2
1 LC
R 1 2 LC
H ( ) =
errado escrever
(1
LC
R 1 2 LC + j L
H ( ) =
1
LC
Iout=0
Vout
31623 Hz
R 2 1 2 LC
R 2 1 2 LC
+ ( L )2
. Porqu?
+ ( L )
R 1 2 LC
Da alnea a) e da anlise do comportamento da bobine e do condensador a baixas e altas frequncias, relativamente frequncia de
ressonncia, conclui-se que se trata de um circuito rejeita-banda (ver aula terica).
H( 0) =
R2 12LC
R 1 LC +(L)
2
Largura de banda
H( =ci,cs) =
1, H( R) =
R2 12LC
2
) ( )
2
R 1 LC + L
1
2
R2 12LC
R 1 LC +(L)
2
. A equao tem duas solues

: cs e ci.
A Largura de banda dada por LB=cs ci ou LB= c,s c,i = R

Q
Largura de banda LB=10 krad/s ou 1591, 5 Hz

18-Sep-06
0, H( ) =
R2 12LC
|H()|
R 1 LC +(L)
2
1
0,7
ci R
cs
Factor de Qualidade
2
energia armazenada I X L,C X L (R ) X C (R )
Q(R ) =
=
=
=
energia dissipada
R
R
I2 R
Jos Figueiredo 179

1 semestre,da
UALG
2006-2007 de 2003-2004
Resoluo
1 Frequncia
5. Calcule a tenso aos terminais do dodo. Considere rD=0 . (4 valores)
Sol:
Para determinar a tenso aos terminais do dodo, necessrio calcular os valores algbricos das
intensidades de corrente nos diferentes ramos.
Arbitra-se um sentido de circulao e assume-se que o dodo est em conduo e, portanto, VD=0,7 V.
Aplica-se a lei das malhas e a lei dos nodos ao circuito. Existem 1 nodos e duas malhas independentes.
IT
6.115mA
DC A
ID
A
I2
R2
4700
1.5 k
30 V
2.985mA
DC A
D1
DIODE
DC V
683.4mV
R1
4700
DC V
14.71 V
R5
1500
IT
+ V3
30
1.0 k
DC A
3.130mA
R4
1000
SC
I2
ID
4.7 k
4.7 k
30 V
1,0 k 4,7 k
1,5 k
4,7 k
Lei das malhas

- malha sem dodo (A) : 30 = 2 , 5 I T + 4 ,7 I 2
- malha com o dodo (B) : 4 ,7 I D + V D 4 ,7 I 2 = 0
Lei dos nodos

IT = I 2 + I D
Simplificando obtm - se : I 2 = I D + 0,7 / 4,7.

30 = 2,5I D + 2,5I 2 + 4,7 I 2 = 2,5I D + 7,3I 2 = 2,5I D + 7,3( I D + 0,7 / 4,7) = 9,8I D + 1,087
I D = (30 1,087) / 9,8 = 2,95 mA
I 2 = I D + 0,7 / 4,7 = 3,099 mA
I T = I 2 + I D = 6,049 mA.
Como no os valores algbricos das intensidades de corrente so todos positivos, pode concluir-se que o dodo est polarizado
directamente e, portanto, a tenso aos terminais do dodo VD=0,7 V.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 180

1 semestre,da
UALG
2006-2007 de 2003-2004
Resoluo
1 Frequncia
6. Esboce a forma do sinal aos terminais da resistncia R. Considere que o condensador no descarrega pela resistncia acoplada sada e
que o dodo real (freq. b)/ideal (freq. b). (3 valores)
Freq. b
C1
Sol:
vout
vi
Freq. a
C1
vi
vout
Vm n
-Vm
-2Vm
D1
vout
-Vm
Vm
-Vm
Vm n
Funcionamento do circuito (dodo ideal):

Quando a tenso de entrada passa de zero a +Vm, a tenso na armadura
direita passa tambm de zero para +Vm, porque a tenso no C no pode variar
instantaneamente. Assim, a tenso no ctodo do D sobe de zero para +Vm,
polarizando o D inversamente (o dodo no conduz) e a tenso na sada
igual a +Vm (tenso de entrada). Quando a tenso vin decresce de +Vm para Vm, a tenso na armadura da direita do C comuta de +Vm para -Vm, porque a
tenso no C no pode variar instantaneamente. Assim, o ctodo do D passa
para -Vm. Agora, o D fica polarizado directamente e, se Vm for maior que VD,
entra em conduo, permitindo que o C carregue com a constante de tempo
=rDC<<T/2 (onde rD representa a resistncia do dodo em conduo). No
caso de um dodo ideal, =rDC=0 e VD=0. A tenso aos terminais do C passa
instantaneamente de zero para VC=Vm-VD, em que a armadura da direita est
ao potencial -VD=0 e a da esquerda a -Vm. Quando o sinal de entrada, passa
de -Vm para +Vm, o potencial na armadura da esquerda do C sobe em 2Vm e,
como a ddp aos seus terminais no pode variar instantaneamente, a tenso na
armadura da direita sobe de VD=0 para 2VmVD, o que polariza
inversamente o D. Agora a tenso de sada igual a 2VmVD, at que a
tenso de entrada comute novamente para -Vm, o que faz com a tenso no
ctodo do D desa para VD (=2VmVD-2Vm), mantendo-se em VD, at que a
tenso de entrada comute novamente e assim sucessivamente (ver figura).
18-Sep-06
Vm
D1
vout
-Vm
-2Vm+VD
Funcionamento do circuito (dodo ideal):

Quando a tenso de entrada passa de zero a +Vm, a tenso na armadura
direita do C passa tambm de zero para +Vm, porque a tenso aos terminais
do C no pode variar instantaneamente. Ento, a tenso no ctodo do D sobe
de zero para +Vm. Se Vm for maior que VD, o D entra em conduo,
carregando o C com a constante de tempo =rDC<<T/2 (onde rD representa a
resistncia do D em conduo). Uma vez em conduo o D assegura que a
tenso na sada igual a VD=0,7 V, enquanto o D conduzir. A tenso no
condensador ser VC=Vm-VD, em que a armadura da direita est a VD=0,7 V e
a da esquerda, que est a +Vm. Quando a tenso vin decresce de +Vm para -Vm,
a tenso na armadura da direita sofre a mesma variao de tenso que a
esquerda (-2Vm), passando de +VD para -2Vm+VD. O dodo fica polarizado
inversamente, impedindo que o condensador descarregue com a constante de
tempo =rDC<<T/2. O C praticamente no descarrega atravs da R porque
=RC>>T/2. Quando o sinal de entrada, passa de -Vm para +Vm, o potencial
na armadura da esquerda do C sobe 2Vm e, como a ddp aos seus terminais
no pode variar instantaneamente, a tenso na armadura da direita sobe 2Vm+VD para +VD, o que polariza directamente o D. Agora a tenso de sada
igual a VD, at que a tenso de entrada comute novamente para -Vm, o que
faz com a tenso no ctodo do dodo desa para -2Vm+VD, mantendo-se em 2Vm+VD, at que a tenso de entrada comute novamente e assim
sucessivamente (ver figura).
Jos Figueiredo 181
Bibliografia
18-Sep-06
Jos Figueiredo 182
Bibliografia
Electrnica Analgica, Antnio J. G. Padilla, Editora McGraw-Hill de Portugal, 1993.
Electronics Fundamentals: Circuits, Devices, and Applications, T. L. Floyd, Biblioteca cota 621.3 Flo*Ele.
Microelectronics Circuits, A. S. Sedra & K. C. Smith, Saunders College Publishing, capitulos 1-4
Electric Circuits, J. W. Nilsson, S. A. Riedel, Prentice-Hall International, Inc., 2000 (Biblioteca 621.3 NIL*Ele).
Instrumentos de Medio Elctrica, R. P. Torreira, Biblioteca cota 621.317 Tor*Ins

Anlise de Circuitos em Engenharia, W. H. Hayt et al, Biblioteca cota 621.3 Hay*Ana
Electricidade Bsica, M. Gussow, Biblioteca cota 621.3 Gus*Ele
The Art of Electronics, P. Horowitz e W. Hill, Cambridge University Press, 1990.
Modern Electronic Instrumentation and Measurement Technics, A. Helftiick e W. Cooper, Prentice-Hall, 1990.
18-Sep-06
Jos Figueiredo 183
Em 1820, rsted fez umas experincias
e descobriu que a electricidade cria magnetismo!

18-Sep-06
Jos Figueiredo 184
Logo a seguir, em 1921, Faraday inventou

o primeiro motor elctrico
N
S
Tina com mercrio

18-Sep-06
Jos Figueiredo 185
Um pouco mais tarde, em 1931, Faraday descobriu que
o magnetismo cria electricidade!
E nasceu o electromagnetismo
18-Sep-06
Jos Figueiredo 186
Estas descobertas deram incio produo de electricidade em grande escala
18-Sep-06
Jos Figueiredo 187
iluminao elctrica
18-Sep-06
Jos Figueiredo 188
s comunicaes com e sem fios (telefone, rdio, TV,

internet, )
18-Sep-06
Jos Figueiredo 189
... o electromagnetismo nas nossas vidas
18-Sep-06
Jos Figueiredo 190
18-Sep-06
Jos Figueiredo 191
18-Sep-06
Jos Figueiredo 192
18-Sep-06
Jos Figueiredo 193
18-Sep-06
Jos Figueiredo 194
18-Sep-06
Jos Figueiredo 195
18-Sep-06
Jos Figueiredo 196
18-Sep-06
Jos Figueiredo 197
18-Sep-06
Jos Figueiredo 198

Circuitos e Eletronica 2006-07 Completo Portugal

Enviado por

Dados do documento

Direitos autorais

Formatos disponíveis

Compartilhar este documento

Compartilhar ou incorporar documento

Opções de compartilhamento

Você considera este documento útil?

Este conteúdo é inapropriado?

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

Circuitos e Eletronica 2006-07 Completo Portugal

Enviado por

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

Notas de apoio s aulas de Introduo Electrnica, licenciatura em Fsica e Qumica, 3 ano, 1 semestre, UALG 2006-2007

Curso de Fsica e Qumica

Programa resumido da disciplina

Trabalhos de Laboratrio previstos

Circuitos de Corrente Contnua: Medio de Grandezas Elctricas

Circuitos de Corrente Alternada: Circuitos RC e RLC, Filtros

Amplificador Operacional: montagens inversora e no-inversora

Amplificador Operacional: Circuitos Operativos

Caracterstica Corrente-tenso do Dodo

Circuitos de Rectificao e de Deteco de Pico

Traado das Curvas Caractersticas de um Transstor Bipolar

Circuito Amplificador com um Transstor Bipolar

Circuito Inversor usando um Transstor Bipolar

Electronics Fundamentals: Circuits, Devices, and Applications, T. L. Floyd.

The Art of Electronics, P. Horowitz e W. Hill, Cambridge University Press, 1990.

Electrnica Analgica, Antnio J. G. Padilla, Editora McGraw-Hill de Portugal, 1993.

Instrumentos de Medio Elctrica, R. P. Torreira, Biblioteca cota 621.317 Tor*Ins

Anlise de Circuitos em Engenharia, W. H. Hayt et al, Biblioteca cota 621.3 Hay*Ana

Electricidade Bsica, M. Gussow, Biblioteca cota 621.3 Gus*Ele

Amplificador Operacional e Aplicaes

Introduo Electrnica Digital

Frequncias e exames dos anos anteriores

Alguns dos pioneiros da Electrnica

como Bioelectrnica, Nanoelectrnica, Fotnica, circuitos integrados optoelectrnicos, fotnicos,

Materiais comuns em electrnica

Condutores (prata, cobre, alumnio, ouro, )

Alguns componentes bsicos de um circuitos elctricos/electrnicos

Sentido real da corrente

Placa de circuito impresso

Alguns smbolos elctricos correntemente usados*

Fonte de tenso dependente

*Ver recomendaes da Comisso Electrotcnica Internacional (CEI) e as normas portuguesas.

Fontes e geradores funes/sinais

Instrumentos de medida fundamentais em Electrnica

Usado para medir resistncias,

Usado para observar formas de onda, medir

Ver guias de apoio s aulas prticas

mobilidade dos electres, , a permitividade do vazio, 0, etc.

Smbolos e Unidades elctricas SI

condutncia (inverso da resistncia): G; unidade: siemens, S

Efeitos da Corrente Elctrica no Corpo Humano

75 mA, fibrilao fibrilao

Conhecer os locais onde se encontram os interruptores de segurana e as sadas de emergncia;

Resistividade de algumas substncias:

Sentido real da corrente

Circuito em placa de circuito impresso

Diferena de Potencial ou Tenso

Intensidade de Corrente Elctrica

Resistncia Elctrica e Lei de Ohm

Fontes de corrente e fontes de tenso

acontece com as partculas materiais na presena de um campo gravtico, os portadores

Sentido real da corrente (fluxo dos electres)

Sentido real da corrente

A potncia instantnea define-se como: P=dE/dt, e a unidade SI o watt (W).

Sentido real da corrente

Circuitos e Redes Elctricas

Sentido geral da circulao adoptado:

Ramos: pontos da rede onde passa corrente elctrica.

Lei de Kirchhoff dos Nodos

Sentido real da corrente

Lei de Kirchhoff das Malhas

Sentido da circulao adoptado

Associao de Resistncias em Srie

(Rever Lei de Ohm)