ELE0582

Fundamentos de
Fernando Rangel
rangel@ieee.org

Eletrônica
Semicondutores
   
Função de Fermi
 ELE0582

MicroElectronics & Embedded Systems Laboratory

• Professor: Fernando Rangel
• Horário: 24M56
• Atendimento(μEEs – Núcleo Tecnológico): 
– Segundas das 17h00 às 18h00
– Sextas das 7h30 às 9h00
• Comunicação:
– Email: frangel@dee.ufrn.br 
– Cadastrar­se no grupo do google ele0582, 
enviando um email para
ele0582­subscribe@googlegroups.com
– Site web: 
http://www.dee.ufrn.br/~frangel/ensino/20071/ele582/ele582.html

2 ELE0582­Fundamentos de Eletrônica
 Copyright note

MicroElectronics & Embedded Systems Laboratory

• Some slides from this file were 
adapted from: Jan M. Rabaey, Anantha 
Chandrakasan, and Borivoje Nikolic; 
“Digital Integrated Circuits”, Second 
Edition. Copyright 2003 Prentice 
Hall/Pearson

3 ELE0582­Fundamentos de Eletrônica
 Bandas de energia

MicroElectronics & Embedded Systems Laboratory

• Mecânica quântica: Os níveis de energia 
permitidos para os elétrons em um átomo são 
discretos (2 elétrons com diferentes SPINS  por 
estado)
• Quando átomos são colocados em contato, os 
níveis de energia repartem­se
• Para um grande número de átomos, os níveis de 
4 energia discretos formam uma banda contínua
 Diagrama de bandas de energia

MicroElectronics & Embedded Systems Laboratory

• O intervalo entre as bandas de condução e 
de valência determinam as propriedades de 
condutividade do material

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 Nível de  Fermi (T=0) K

MicroElectronics & Embedded Systems Laboratory

• Em T = 0 K, os 
elétrons ocupam os 
estados de menor 
energia permitidos 
no cristal, de modo 
a preencher, um a 
um, todos os estados 
 até um certo nível 
de energia EF, o 
nível de Fermi.

6
 Nível de Fermi (T > 0 K)

MicroElectronics & Embedded Systems Laboratory

• Para T > 0 K, 
alguns elétrons 
podem ser 
excitados para 
estados com 
níveis de energia 
mais elevados.

7
 Nível de Fermi em 

MicroElectronics & Embedded Systems Laboratory

semicondutores
• Em semicondutores, 
apenas certos níveis 
de energia são 
permitidos. 

8
 Função de Fermi­Dirac

MicroElectronics & Embedded Systems Laboratory

• A probabilidade de 
encontrar um elétron 
em um certo nível de 
energia E, é dada 
pela função de Fermi­
Dirac

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 Concentração de elétrons nas 

MicroElectronics & Embedded Systems Laboratory

bandas de condução e de valência
 E c− E F
−
kT
n i =N c e
 E F − Ev 
−
kT
pi =N v e Concentração efetiva de 
estados  com energia no 
fundo da banda de condução

−19 −3
N c =2,8 X 10 cm
Concentração efetiva de 
−19 −3
estados  com energia no topo  N v =1,02 X 10 cm
10 da banda de valência
 Nível de Fermi para Si  dopado

MicroElectronics & Embedded Systems Laboratory

• O nível de Fermi se aproxima de onde 
encontram­se os portadores de carga.

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 Concentração de portadores para 

MicroElectronics & Embedded Systems Laboratory

Si dopado
 Ec − E F 
−
kT
n 0 =N c e O que muda é o nível 
 E F− E v de Fermi!
−
kT
p0 =N v e
 E c −E v 
−
kT 2
n 0 p0 =N c N v e =n i

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 Concentração de portadores para 

MicroElectronics & Embedded Systems Laboratory

Si dopado

 E F −E i 
kT
n 0 =ni e
 Ei − E F 
kT
p0 =ni e

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 Incluindo os doadores no cálculo 

MicroElectronics & Embedded Systems Laboratory

dos portadores de carga

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 Incluindo os doadores no cálculo 

MicroElectronics & Embedded Systems Laboratory

dos portadores de carga (cont.)

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16
Lei da ação de massa

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17
Exercícios

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