Escolar Documentos
Profissional Documentos
Cultura Documentos
A condutividade eltrica de um slido uma funo direta do seu nmero
de buracos e de eltrons livres.
o - condutividade eltrica
n nmero de eltrons livres ou de conduo por unidade de volume
|e| - magnitude absoluta da carga eltrica (1,6 x 10
-19
C)
e
mobilidade eletrnica (dependente do campo eltrico aplicado)
Conduo e Bandas de Energia - METAIS
Pouca energia necessria para que ocorra a conduo !!!
A energia fornecida por um campo eltrico suficiente para excitar um grande
nmero de eltrons.
Conduo e Bandas de Energia
ISOLANTES e SEMICONDUTORES
Para que ocorra a conduo, o e- deve ser excitado
por uma energia > Ee, para vencer a barreira
energtica do espaamento entre as bandas de
valncia e a de conduo
Geralmente essa energia de
excitao de fonte no-
eltrica (calor)
A distino entre
isolantes e
semicondutores est no
tamanho do
espaamento entre as
bandas
SEMICONDUTIVIDADE
A condutividade eltrica do materiais semicondutores no to
elevada quanto a dos metais.
A PROPRIEDADE ELTRICA dos SEMICONDUTORES fortemente
influenciada pela presena de impurezas.
Tipos:
SEMICONDUTORES INTRNSECOS
aqueles nos quais o comportamento eltrico baseado na estrutura eletrnica
inerente ao metal puro.
SEMICONDUTORES EXTRNSECOS
aqueles em que as caractersticas eltricas do ditadas pelos tomos de impureza.
Semiconduo Intrnseca
Os semicondutores intrnsecos so caracterizados pela
estrutura da banda eletrnica.
Semicondutores bsicos:
Silcio (Si) e Germnio (Ge) Grupo IVA da T.P.
Semicondutores compostos:
Arseneto de glio (GaAs)
Antimoneto de ndio (InSb)
Sulfeto de cdmio (CdS)
Telureto de zinco (ZnTe)
Grupo IIIA e VA
Grupo IIB e VIA
Semiconduo Intrnseca
BURACOS espao vazio
deixado pelo eltron que foi
excitado e pulou da banda de
valncia para a banda de conduo.
Conseqentemente outros e-
iram ocupar os buracos, gerando
outros, e assim promovendo um
movimento de buracos.
A ausncia de um eltron na banda
de valncia pode ser tratada como
uma partcula carregada
positivamente - buraco
O buraco tem uma carga de 1,6 x 10
-19
C.
Na presena de um campo eltrico,
os e- excitados e os buracos se
movem em direes opostas.
Semiconduo Intrnseca
Condutividade intrnseca
o - condutividade eltrica
n nmero de eltrons livres ou de conduo por unidade de volume
p nmero de buracos por unidade de volume
|e| - magnitude absoluta da carga eltrica (1,6 x 10
-19
C)
e
mobilidade eletrnica (dependente do campo eltrico aplicado)
p
mobilidade do buraco (dependente do campo eltrico aplicado)
p
<<<
e
Semiconduo Extrnseca
Os semicondutores extrnsecos so caracterizados pela presena de
impurezas.
A maioria dos semicondutores comerciais so extrnsecos.
Mesmo as impurezas estando presentes e quantidades mnimas,
fornecem um excesso de buracos ou de e-.
Exemplo:
uma concentrao de apenas 10
12
tomos de impurezas
presentes no Ge so suficientes para torn-lo extrnseco
T=amb !
Semiconduo Extrnseca do Tipo n
Tomando-se como base um semicondutor bsico como o Si, que possui 4
eltrons de valncia, e faz 4 ligaes covalentes com outros 4 Si vizinhos.
Ao ser adicionada uma impureza com valncia 5 (grupo VA da T.P., por ex,: P,
As, Sb), apenas 4 eltrons participaram das ligaes, sobrando 1 eltrons, que
por sua vez se torna eltron livre ou eltron de conduo.
Impureza do tipo doadora fornece eltrons extras
Semiconduo Extrnseca do Tipo p
O efeito contrrio observado quando adiciona-se por exemplo o Ge (valncia
3 Grupo IIIA ex.: Al, B, Ga)
Apenas 3 eltrons participaram das ligaes, faltando 1 eltron, o que gera
um BURACO, que por sua vez tende a ser preenchido pelos eltrons vizinhos,
promovendo movimento de e-.
Impureza do tipo receptora fornece buracos extras
Semiconduo
Extrnseca do
Tipo n
Semiconduo
Extrnseca do
Tipo p
CONDUO ELTRICA EM CERMICAS
INICAS E EM POLMEROS
Isolantes = Polmeros e maioria das cermicas
Espaamento entre bandas grande
Barreira da condutividade (T=amb.)
Aplicao como materiais de isolamento
Com T = isolantes apresentam da condutividade !!!
podendo ser semicondutores
Conduo em materiais inicos
Em materiais inicos, o movimento dos ons carregados gera uma
corrente eltrica adicional quela devida ao fluxo de e-.
Condutividade total de um material inico ser:
A contribuio inica aumenta com a T, mas mesmo com as duas
contribuies (inica e eletrnica), a maioria dos materiais inicos
permanece isolante.
Mobilidade das espcies inicas:
Qualquer uma dessas contribuies pode ser
predominante, dependendo do material, de sua
pureza e da T.
- mobilidade
n valncia
e carga eltrica
D coef. de difuso
k condutividade
T - temperatura
Propriedade eltrica dos polmeros
A maioria isolante devido falta de e- para a conduo.
Nos ltimos anos tm sido fabricados polmeros condutores.
Ex.: Poliacetileno, Poli-parafenileno, polipirrol e a aramida.
Adicionadas impurezas como o ido e compostos com flor (AsF
5
e
SbF
5
)
e- extras fornecidos pelas impurezas so compartilhados com os e-
associados ligaes = e
Promovendo fluxo e e- conduo semicondutores
EXERCCIO
1. Para o cobre, a capacidade calorfica a volume constante, Cv,
a 20K de 0,38 J/mol-K e a temperatura de Debye de
340K. Estime o calor especfico a (a) 40K e (b) 400K.
2. Um fio de cobre com 15m de comprimento resfriado desde
40C at -9C. Qual a variao de comprimento desse fio?
Dado o
l
= 17 x 10
-6
(C)
-1
.
3. Um basto de lato deve ser usado em uma aplicao que
requer que suas extremidades sejam mantidas rgidas. Se
Temperatura ambiente (20C) o basto est livre de tenses,
qual a temperatura mxima at a qual esse basto pode ser
aquecido sem que uma tenso de compresso de 172MPa
seja exercida? Considere o mdulo de elasticidade de 100GPa
para o lato. Dado o
l
= 20 x 10
-6
(C)
-1
.
EXERCCIO
4. tomos de arsnio na proporo de 10
23
m
-3
so adicionados
ao silcio de alta pureza.
(a) Esse material do tipo n ou p?
(b) Calcule a condutividade eltrica desse material na
temperatura ambiente, sabendo que a mobilidade dos
eltrons nessa temperatura de 0,07 m
2
/V-s.