UFPI - UNIVERSIDADE FEDERAL DO PIAUÍ

CENTRO DE TECNOLOGIA
DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS – Prof. MARCOS ZURITA – Março / 2012

Semicondutores – Exercícios

1ª PARTE – TEORIA

1.1) O que são materiais semicondutores?

1.2) Com base na teoria de bandas de energia, quais são as exigências essenciais para um
sólido ser um metal, um isolante ou um semicondutor?
1.3) Na temperatura ambiente, um certo campo elétrico aplicado gera uma velocidade de deriva
para os elétrons de condução do silício que é cerca de 40 vezes maior que a velocidade de
deriva dos elétrons de condução do cobre. Por que o silício não é melhor condutor que o
cobre?
1.4) Por que a resistividade dos metais aumenta com a temperatura enquanto que a dos
semicondutores diminui?
1.5) As energias de ionização do silício e do germânio são 1,1 e 0,67 eV, respectivamente. Qual
dos dois semicondutores você acredita ter maior densidade de portadores de carga à
temperatura ambiente? E à zero Kelvin?
1.6) Explique o significado físico da concentração intrínseca de portadores e refira a influência da
temperatura e da energia de ionização na sua variação.
1.7) O que é um semicondutor extrínseco e o que o diferencia de um intrínseco?
1.8) Qual o interesse em se adicionar impurezas a um semicondutor puro (dopagem)?
1.9) Defina o que são SC tipo n e tipo p e esboce os arranjos atômicos para cada um deles.
1.10) O que são portadores majoritários e minoritários em um semicondutor?
1.11) Por que a indústria de microeletrônica necessita de semicondutores de elevado grau de
pureza para a produção de componentes?
1.12) Que tipo de semicondutor (p ou n) é gerado pela dopagem de um cristal de Si com o
Arsênio?
1.13) Que mecanismos governam a condução de corrente nos materiais semicondutores?
1.14) Qual a influência da concentração de impurezas sob a mobilidade dos portadores num SC?

2ª PARTE – CÁLCULOS

2.1) Determine a concentração intrínseca de portadores (ni) para o silício a 250K, 300K e 350K.
2.2) Considere o silício dopado com ND = 1017/cm3 e NA = 0. Determine:
a) o tipo de semicondutor extrínseco gerado.
b) as concentrações de elétrons e lacunas a 300K.
c) a temperatura para qual a concentração de portadores minoritários iguala-se a ND.
2.3) Determine a resistividade do silício intrínseco a 300K.
2.4) Determine a resistividade do silício dopado com NA = 1016/cm3 (assuma para o silicio dopado:
µn =1100 cm2/Vs e µp = 400 cm2/Vs).
2.5) Para um substrato de silício dopado com NA = 2 x1014/cm3, demonstre matematicamente que
contribuição dos portadores minoritários para a condutividade total é desprezível em relação
a contribuição dos portadores majoritários.
2.6) Um cristal de silício tem 1016 átomos de arsênio por centímetro cúbico e 7,4 x10 15 átomos de
boro por centímetro cúbico. Calcule a densidade de lacunas e elétrons livres desse cristal e
compare-os com as concentrações do silício intrínseco à temperatura ambiente (300K).
2.7) Dado um semicondutor tipo-n com um perfil de impurezas representado na Figura 1,
determine o valor da corrente de difusão em x = 0. Assuma pn0 como a concentração lacunas
no cristal em equilíbrio com ND = 1016/cm3 (à 300K) e W = 5 µm.

pn (x)
1000 pn 0

pn 0
x
W

Figura 1
2.8) Calcule a velocidade de deriva dos elétrons e das lacunas num substrato de silício de 10 µm
com uma tensão de 1V aplicada às suas extremidades.
2.9) Determine os valores das constantes de difusão correspondentes a cada concentração de
impurezas, conforme a Tabela 1.

Tabela 1
Concentração
µn (cm2/Vs) µp (cm2/Vs) Dn (cm2/Vs) Dp (cm2/Vs)
de impurezas
Si Intrínseco 1350 480
1018 360 150

2.10) Ao medir a condutividade de um semicondutor de Silício tipo n você constatou que a mesma
correspondia a 100 (Ω-cm)-1. Com base no resultado de seus ensaios, estime a
concentração de átomos doadores utilizada na dopagem desse semicondutor.
2.11) Determine o fluxo de corrente numa barra de silício de comprimento 10 µm e com uma
secção transversal de 5 µm x 5 µm, para uma tensão aplicada de 1V com uma densidade de
elétrons de 105/cm3 e de lacunas de 1015/cm3 (assuma as mobilidades do Si intrínseco).
2.12) Numa barra de Silício de 10 µm de comprimento, dopada com fósforo, determine qual deve
ser a concentração de dadores de forma a obter-se uma densidade de corrente de 1 mA/µm 2
em resposta a um campo aplicado de 0,5V. (assuma as mobilidades do Si intrínseco).

Valores de base para resolução das questões de cálculo.

Tabela 2 - Propriedades de alguns semicondutores à 300K

Material Intrínseco B (K-3cm-6) Eg (eV) ni (cm-3) µn (cm2/Vs) µp (cm2/Vs) εr
31 10
Silício 2,48 x10 1,1 1,5 x10 1350 480 11,9
Germânio 4,136 x1030 0,66 2,4 x1013 3900 1900 16,0
Arseneto de Gálio - 1,42 2,15 x106 8500 400 13,1

ε0 = 8,85 × 10-14 F/cm.

q = 1,6 × 10-19 C
k = 1,3807 × 10-23 J/K = 8,62 × 10-5 eV/K