Cermica 50 (2004) 138-144

138

Fotoluminescncia em materiais com desordem estrutural

(Photoluminescence in disordered materials)
P. R. de Lucena1, F. M. Pontes2, C. D. Pinheiro3, E. Longo2, P. S. Pizani4, S. L.zaro2,
A. G. Souza1, I. M. G. dos Santos1
1
LTM, Departamento de Qumica, CCEN, UFPB, Campus I, Cidade Universitria
J. Pessoa, PB, 58059-900.
2
LIEC,CMDMC, Departamento de Qumica, UFSCar
Rod. Washington Luiz, km 235, C.P. 676,
S. Carlos, SP, 13565-905.
3
DCEN, CFP, UFCG, Campus de Cajazeiras
Cajazeiras, PB, 58.900-000.
potylucena@hotmail.com

Resumo
A grande maioria dos estudos fotoluminescentes foram realizados com materiais cristalinos, cuja emisso ocorre em
temperaturas criognicas, limitando a aplicao destes materiais. Por sua vez, determinados slidos com alta densidade
de defeitos (amorfos), como titanatos, tungstatos, zirconatos, entre outros, apresentam fotoluminescncia temperatura
ambiente, semelhante do silcio amorfo. Essa descoberta levou necessidade de se desenvolver novos modelos para
explicar o comportamento desses materiais, mais adequados ao estudo desses materiais. Esta reviso tem como objetivo
explicar os resultados de fotoluminescncia, utilizando uma abordagem terico-experimental, com base nas recentes
pesquisas desta propriedade em xidos amorfos.
Palavras-chave: fotoluminescncia, titanato, xidos amorfos, gap de energia.
Abstract
The majority of the studies about photoluminescence had been carried out with crystalline materials, whose emission
occurs at cryogenic temperatures, limiting the application of these materials. In turn, some amorphous solids, as titanates,
tungstates, zirconates, among others, present photoluminescence at room temperature, seemed with silicon. This discovery
led to the necessity of developing new models to explain the behavior of these materials. This revision intends to
elucidate the results on photoluminescence, using a theoretical-experimental treatment, on the basis of the recent
researches of this property in amorphous oxides.
Keywords: photoluminescence, titanate, amorphous oxides, energy gap.

INTRODUO
Da luz verde dos vaga-lumes aos tubos catdicos da
televiso, passando pelas placas de sinalizao e pela
identificao de manchas de sangue, a luminescncia
amplamente utilizada em diversas reas do nosso cotidiano.
O termo luminescncia utilizado como uma generalizao
do fenmeno. H vrios tipos de luminescncia, que diferem
entre si pela energia utilizada para a excitao [1], como, por
exemplo, a eletroluminescncia, a catodoluminescncia, a
bioluminescncia, a luminescncia qumica, e a
fotoluminescncia.
As emisses luminescentes envolvem transies
eletrnicas entre os estados eletrnicos caractersticos da

substncia emissora. O espectro de emisso, para muitas

substncias, independe da natureza da fonte de excitao. O
fenmeno luminescente essencialmente uma emisso
espectroscpica [1].
De um modo geral, a fotoluminescncia um fenmeno
tico produzido quando um material excitado e exibe uma
emisso de onda eletromagntica na forma de ftons. A onda
eletromagntica irradiada por fotoluminescncia tem, em
regra, um comprimento de onda maior do que a onda
eletromagntica que causou esta luminescncia.
Os primeiros estudos fotoluminescentes foram realizados
com materiais cristalinos, cuja emisso ocorre em
temperaturas criognicas, limitando a aplicao destes
materiais [2]. O interesse em propriedades fotoluminescentes

139

P. R. de Lucena et al. / Cermica 50 (2004) 138-144

em materiais amorfos se deu a partir dos anos 90, devido

descoberta de luz sintonizvel em silcio poroso [3]. No
entanto, a origem do estudo sistemtico de fotoluminescncia
tornou-se um tpico polmico, pois surgiram muitos modelos
baseados nas observaes especficas da microestrutura do
material e da natureza espectroscpica do processo de
emisso de luz [4].
Recentemente, xidos amorfos, com propriedades
fotoluminescentes temperatura ambiente, foram obtidos
utilizando-se o mtodo Pechini [5, 6]. Este mtodo
proporciona a obteno de materiais nanomtricos, com
elevada homogeneidade qumica. Nestes xidos, a
fotoluminescncia um fenmeno intimamente associado
s transies eletrnicas entre as bandas de valncia e de
conduo. A estrutura de bandas definida pelo acoplamento
entre as funes de onda que definem as energias dos estados
eletrnicos dos tomos de uma rede. Estes estados possuem
energias muito prximas e so limitados pela banda de
valncia e pela banda de conduo, que na teoria dos orbitais
moleculares, correspondem ao estado fundamental e
excitado, respectivamente [7].
Embora o potencial de redes cristalinas ocupe um lugar
dominante no desvio da estrutura de bandas, existem
evidncias experimentais e bases tericas para estruturas
eletrnicas em semicondutores amorfos [6] e vidros [8]. O
transporte de eltrons no muda drasticamente quando a
ordem a longo alcance destruda [9].
Papel dos dopantes nos estados de energia.
1. Mecanismos de excitao e emisso
Na Fig. 1, esto ilustrados os processos de excitao e de
emisso para um material hipottico, com a representao
esquemtica dos nveis de energia. E0 o estado fundamental
e de E1 a E5, esto representados os estados excitados.
baixas temperaturas, na ausncia de uma energia de excitao,

Figura 1: Processo de excitao e emisso para um material hipottico [10].

[Figure 1: Process of excitation and emission for a hypothetical
material [10].]

s o nvel E0 ocupado. Aps a excitao, eltrons so ativados

para o nvel E5. Os intervalos de energia entre os nveis
adjacentes de E2 ao E5 so pequenos, enquanto que o intervalo
entre E2 e E1 grande. Se o intervalo entre um nvel excitado e
o mais prximo adjacente pequeno, o material excitado tende
a apresentar um decaimento no radiativo pela emisso de fnon,
liberando energia na forma de calor. A radiao eletromagntica,
que resultante de um decaimento radiativo de um nvel
eletrnico superior para o estado fundamental, pela emisso de
um fton, s ocorre quando o intervalo para o nvel adjacente
mais baixo est acima de um valor crtico. Quando o eltron
excitado para o nvel E5, este perde energia at atingir o nvel 2.
Como o intervalo dos nveis 2 e 1 est acima do valor crtico,
ento o material decai radiativamente do nvel 2, emitindo um
fton, alcanando o nvel 1 ou 0. Se o material decai
radiativamente para o nvel 1, este ento, decai no
radiativamente por intermdio do pequeno intervalo para o
estado fundamental [10].
2. Efeito das impurezas
A fotoluminescncia, na maioria dos slidos inorgnicos,
envolve impurezas (denominadas dopantes) ou defeitos
estruturais (vacncias). Estas imperfeies so do tipo
atmica e/ou molecular, sendo que suas caractersticas
dependem da natureza e estrutura da imperfeio e dos
estados eletrnicos do slido [2].
O fenmeno fotoluminescente pode ser potencializado
pelo efeito de dopantes [6], que podem criar, dependendo da
energia do seu campo ligante, novos estados eletrnicos, que
podem facilitar a transio de eltrons de um nvel mais
energtico para um menos energtico, emitindo energia na
forma de ftons, ou seja, um decaimento radioativo. Por outro
lado, os dopantes podem diminuir a emisso de ftons,
criando estados eletrnicos responsveis pelo decaimento
no-radioativo, provocando o que conhecido como
envenenamento [7]. Um outro importante fator que influencia
as propriedades ticas de muitos slidos inorgnicos o
tamanho dos raios dos ctions da rede.
Os estados eletrnicos, responsveis pelas transies
eletrnicas, so criados entre a banda de valncia e a de
conduo, a partir do desdobramento de orbitais do tomo
dopante mantido em um campo ligante. Com base nesta
teoria, foram desenvolvidos os diagramas de energias dos
desdobramentos do estado fundamental de metais de
transio, considerando as interaes dos seus orbitais e sua
relao com o campo ligante octadrico e tetradico a que
esto submetidos [11]. Estes diagramas so conhecidos como
diagramas configuracionais de Tanabe e Sugano.
As impurezas que ocasionam defeitos na estrutura
cristalina de semicondutores podem ser classificadas em trs
categorias: doadoras, aceptoras e isoeletrnicas. Doadoras
so substncias que podem doar um de seus eltrons para a
banda de conduo de um semicondutor. A energia necessria
para esta transio do nvel doador para a banda de conduo
(ED) est representada esquematicamente na Fig. 2. Se as
impurezas presentes so capazes de retirar um eltron da

P. R. de Lucena et al. / Cermica 50 (2004) 138-144

140

slidos cristalinos, como a sheelita (CaWO 4), que foi

largamente utilizada em lmpadas perdendo a sua posio
de lder no mercado para os materiais dopados com terras
raras, mais atrativos s indstrias da poca. A explorao de
novas propriedades em materiais cristalinos, sobretudo as
ticas, ficou limitada pelas baixas temperaturas requeridas
(-5 a -70 C), o que de certa forma inviabiliza a utilizao
destes materiais em muitos dispositivos que atuam em
temperatura ambiente.

Figura 2: Representao dos nveis de energia gerados por impurezas

doadoras e receptoras em semicondutor. Eg a energia do gap de
banda [10].
[Figure 2: Representation of the energy levels generated by donor and
acceptor impurities in semiconductor. Eg is the energy of band gap [10].]

banda de valncia de um semicondutor e deixar um buraco

na mesma, so denominadas aceptoras. A energia necessria
para a remoo (EA) est ilustrada na Fig. 2. Impurezas
isoeletrnicas so substncias que no contribuem para a
condutividade eltrica de um semicondutor, mas podem
influenciar nas propriedades luminescentes do material,
atuando como centros de recombinao de eltrons excitados
e buracos [10].
De um modo geral, as transies eletrnicas so regidas
por regras de seleo de Laporte e de Spins que, por sua vez,
so regidas pelas regras de Hund e so classificadas como
transies permitidas ou proibidas, sendo que esta ltima
ocorre muito raramente e possui uma intensidade muito
menor que as transies permitidas [12].
As reaes de substituio de ctions muitas vezes no
consideram a polarizao de cargas ao longo da rede. Esta
polarizao forma defeitos eletrnicos na estrutura. A
presena desses defeitos indesejvel, mesmo em baixas
concentraes, pois pode diminuir a emisso
fotoluminescente de muitos materiais. Este problema pode
ser contornado pela compensao de cargas. Em um estudo
comparativo [13], foi concluido que os xidos preparados
pelo mtodo sol-gel com a compensao de cargas
apresentaram um ganho de aproximadamente 250% na
intensidade da emisso fotoluminescente. Foi mostrado que
o desempenho ptico de titanatos de clcio dopados com
praseodmio depende dessa compensao de cargas.
Cabe ressaltar que as emisses fotoluminescentes
produzem informaes estruturais de caractersticas
completamente diferentes das obtidas por difrao de raios
X ou de nutrons. Esta ltima detecta ordem a longo alcance,
isto , a estrutura cristalina total. A fotoluminescncia produz
somente informaes do on em relao a sua vizinhana, e
pode, dessa forma investigar a ordem a curto alcance [7].

Figura 3: Processo de emisso de um material cristalino.

[Figure 3: Process of emission of a crystalline material.]

Analisando a Fig. 3 que ilustra a estrutura de um slido

cristalino. Quando se incide um certo tipo de radiao
eletromagntica (radiao de excitao) no material
cristalino, a radiao absorvida pelo centro luminescente
ou ativador produzindo o estado excitado. O estado excitado
retorna ao estado fundamental perdendo energia. Em que
parte desta energia dissipada e se converte em calor
(processo no radioativo) e, porm a outra parte aproveitada
no processo de emisso de luz. Em alguns slidos (Fig. 4) a
energia incidente absorvida por um sensitizador e
transferida para o ativador que ento atingir o estado
excitado produzindo, no retorno ao estado fundamental,
radiao eletromagntica. o que acontece quando se incide
radiao ultravioleta no Ca5(PO4)3F:Sb3+, Mn2+, um material
utilizado em lmpadas. O on Mn 2+ no excitado
diretamente, a energia de excitao transferida do Sb3+
(sensitizador) para o Mn2+ (ativador).

Fotoluminescncia em xidos cristalinos

Os materiais cristalinos possuem uma estrutura
organizada longo alcance com uma repetio peridica.
No princpio todo estudo fotoluminescente era baseado em

Figura 4: Processo de emisso de um material utilizando um

sensitizador.
[Figure 4: Process of emission of a material using a sensitizer.]

141

P. R. de Lucena et al. / Cermica 50 (2004) 138-144

Fotoluminescncia em xidos amorfos

Nos anos 90, observou-se luminescncia em titanatos
semicondutores [14]. Nestes materiais, a emisso
fotoluminescente, baixa temperatura, est associada
presena de excitons no poliedro de coordenao octadrica
TiO6. Por sua vez, o fenmeno da fotoluminescncia em
titanatos amorfos, temperatura ambiente, ainda no foi
completamente modelado. Vrias propriedades destes
titanatos amorfos tm sido descritas, inclusive o fato que as
emisses de ondas fotoluminescentes esto relacionados ao
comprimento de onda de excitao e que os fenmenos
fotoluminescentes esto relacionados ao estado amorfo
[15,16].
As propriedades ticas de semicondutores amorfos so
caracterizadas pela presena de uma cauda de absoro da
energia do fton versus a absoro tica. Nesta cauda, a
absoro tica cai a zero, em uma regio normalmente
transparente, em slidos cristalinos [9]. Esta, ento chamada
regio de Urbach, atribuda presena de estados
eletrnicos deslocalizados prximos s bandas de valncia
ou de conduo, em semicondutores amorfos [17]. Na regio
de alta energia da curva de absoro, a energia do gap tico
relacionada absorbncia pela equao abaixo. Materiais
com estas caractersticas podem apresentar propriedades
como a fotoluminescncia.

em que a absorbncia, h a constante de Planck, a freqncia

Figura 5: Espectros de fotoluminescncia para diferentes ctions

metlicos formadores de rede [10].
[Figure 5: Different photoluminescent spectra for different metallic
net former cations [10].]

de um laser, titanatos amorfos obtidos pelo mtodo Pechini

emitiram bandas na faixa de freqncia do visvel,
temperatura ambiente. Esta emisso pode estar associada
presena dosclusters de TiO6 e TiO5 que suportam uma
transferncia de carga e aumentam os novos nveis nas bandas
de valncia (oxignio) e de conduo (metal) que so
diretamente relacionados a fotoluminescncia no visvel.
O mtodo Pechini tem se mostrado um forte aliado na
pesquisa de fotoluminescncia em slidos amorfos [5-18,1519]. A sntese com homogeneidade em escala atmica,
formao de partculas nanomtricas, reprodutibilidade, entre

o gap tico da banda (gap de Tauc) [11].

A propriedade fotoluminescente observada para vrios
materiais (Fig. 5), como titanatos (PbTiO3, BaTiO3 e SrTiO3),
zirconatos (PbZrO 3 e SrZrO 3), molibdato de estrncio
(SrMoO 4) e tungstato de estrncio (SrWO 4), pode ser
explicada, considerando-se a presena de ctions formadores
e modificadores de rede no xido metlico [12].
xidos formadores de rede apresentam basicamente
ligaes com natureza covalente e podem formar redes
tridimensionais com o oxignio. O fenmeno fotoluminescente
pode ser previsto para estes formadores de rede, cuja escolha
deve ser baseada em ctions metlicos, os quais formem,
preferencialmente, complexos oxinions pelo on oxignio em
uma coordenao octadrica ou tetradica, com o tomo de
oxignio simtrico (Fig. 6). Oxinions formados por Ti, Zr,
Mo e W so bons candidatos [13].
Ctions metlicos que formem preferencialmente ligaes
inicas com o oxignio, tais como Ba, Sr e Pb, podem ser
empregados como modificadores de rede. Modificadores de
rede promovem a estabilizao e a formao de clusters
na rede tridimensional [10]. Baseado neste conceito, para a
obteno de materiais com propriedade fotoluminescente,
necessrio que estes apresentem uma estrutura similar
mostrada na Fig. 7.
Em recente artigo [18] foi observado que, aps a excitao

Figura 6: Poliedro de coordenao (a) octadrica e (b) tetradrica.

[Figure 6: Polyhedrons of (a) octahedral and (b) tetrahedral
coordination.]

P. R. de Lucena et al. / Cermica 50 (2004) 138-144

142

Figura 7: Representao 3D de um cluster de um material amorfo,

TiO5TiO6 [10]
[Figure 7: 3D amorphous cluster material representation, TiO5
TiO6 [10].]

Figura 9: Representao do cluster Ca 8Ti 3O 12: (a) cluster

cristalino e (b) cluster amorfo [19].
[Figure 9: Representation of Ca8Ti3O12 cluster: (a) crystalline cluster
and (b) amorphous cluster [19].]

outras vantagens deste mtodo qumico de sntese de xidos

cermicos multicomponentes, contribuem para este sucesso.
Em recente publicao [19], foi realizado um estudo
terico-experimental do papel dos modificadores de rede nas
propriedades fotoluminescentes de titanatos amorfos e
cristalinos, obtidos pelo mtodo Pechini. Nesse trabalho, a
propriedade fotoluminescente do CaTiO3 est relacionada ao
estado amorfo deste xido (Fig. 8).
Como esta propriedade est associado desordem
estrutural da fase inorgnica, o espectro fotoluminescente
mais intenso quando o material submetido por mais tempo
ao tratamento trmico baixas temperaturas (o carbono
eliminado sem que haja cristalizao). Isto uma forte
indicao que a fase desordenada (fase amorfa) responsvel

pela fotoluminescncia [19]. Com o aumento da temperatura

de calcinao, a ordem comea a aumentar a mdio e longo
alcance, logo as transies eltron-buraco sofrem uma
diminuio, dessa forma diminuindo a intensidade do sinal
fotoluminescente.
Vrias discusses tm sido geradas na comunidade
cientfica, na definio do estado amorfo. O estado amorfo
possui uma desordem estrutural a longo alcance e uma ordem
a curto alcance. Esta ltima pode estar associada s emisses
fotoluminescentes de xidos obtidos pelo mtodo Pechini,

Figura 8: Espectros fotoluminescentes de CaTiO3 amorfo e cristalino obtidos

pelo mtodo Pechini, calcinados a 300 e 600 C, respectivamente, por
diferentes intervalos de tempo [19].
[Figure 8: Photoluminescent spectra of amorphous and crystalline CaTiO3
obtained by the Pechini method, calcinated at 300 and 600 C, respectively,
for different intervals of time [19].]

Figura 10: Espectro de absorbncia de CaTiO3 amorfo e cristalino;

(1) processo de recombinao direta da energia do gap, o que
improvvel para slidos cristalinos; (2) provvel energia de gap
para o processo de recombinao [19].
[Figure 10: Absorbance spectrum of amorphous and crystalline
CaTiO3; (1) process of direct recombination of the energy gap, that
it is improbable for crystalline solids; (2) probable energy gap for
the recombination process [19].]

143

P. R. de Lucena et al. / Cermica 50 (2004) 138-143

Figura 11: Densidade total dos estados para o CaTiO3 amorfo e cristalino [19].
[Figure 11: Total density of the states of the amorphous and
crystalline CaTiO3 [19].]

que leva a um rgido controle estequiomtrico e pode estar

criando defeitos aleatrios e homogneos, ou seja, uma ordem
de defeitos a curto alcance.
A partir de clculos tericos, utilizando simulaes do
estado cristalino e amorfo do CaTiO3 (Fig. 9), foi observado
que a formao de um cluster amorfo, pelo deslocamento
de O(7), introduz nveis eletrnicos deslocalizados no gap,
o que tambm foi evidenciado experimentalmente pela
formao de uma cauda de absoro (Fig. 10).
A partir da curva de densidade de estados (DOS), foi avaliada
a contribuio de cada tomo desta configurao, na formao
das bandas de valncia e de conduo [19] (Fig. 11).
A participao dos orbitais do oxignio bem mais efetiva
na formao da banda de valncia e a contribuio dos
orbitais do clcio e titnio mais efetiva na banda de
conduo. A participao dos orbitais do clcio - modificador
de rede - na banda de conduo mais efetiva do que a do
titnio - formador de rede [19]. O cluster cristalino
apresenta umgap maior do que o cluster amorfo, o que
est em concordncia com os dados experimentais de
absorbncia.
O diagrama dos nveis energticos e de distribuio de cargas
para o CaTiO3 revelam a energia dos orbitais de cada tomo e a
distribuio de carga nos orbitais moleculares do Ti (Fig. 12).
A banda de conduo do CaTiO3, tem a participao dos
orbitais d e s do titnio e s do clcio e a banda de valncia
dos orbitais 2p do oxignio. Estes resultados tericos indicam
que existe uma transferncia de carga entre os poliedros de
coordenao TiO6 e TiO5 [19].
Foi sugerida que a fotoluminescncia da estrutura
desordenada (amorfa) do CaTiO 3 est relacionada
recombinao radiativa entre eltrons e buracos, o que
refletido na cauda de absoro [19].
CONCLUSES
O estudo terico-experimental, aliado ao rigor
estequiomtrico e a flexibilidade do mtodo Pechini, esto

Figura 12: Diagrama dos nveis de energia e distribuio de cargas nos

orbitais moleculares dos tomos do CaTiO3; a) cristalino e b) amorfo [19].
[Figure 12: Diagram of the energy levels and orbital charge distribution
in atomic orbitals of the CaTiO3; a) crystalline and b) amorphous [19].]

contribuindo muito para o esclarecimento da origem da

propriedade fotoluminescente em materiais com estrutura
desordenada (amorfo). Deve-se ressaltar que existe uma
transferncia de carga entre os dois clusters TiO5 e TiO6,
gerando novos nveis na banda de valncia e de conduo,
diminuindo o gap na estrutura desordenada. Isto resulta
na possibilidade de haver fotoluminescncia temperatura
ambiente nos titanatos.
AGRADECIMENTOS
Os autores agradecem ao CNPq, CAPES e FAPESP/
CEPID, pelo financiamento deste trabalho.
REFERNCIAS
[1] A. R. Prss, Formas de radiao emissores de luz,
<http://www.fisicanet.terra.com.br/quantica>, acesso em
15/01/2003.
[2] G. Blasse, J. Inorg. Nucl. Chem. 41 (1979) 639.
[3] L. T. Canham, Appl. Phys. Lett. 57 (1990) 1046.
[4] D. Dimova-Malinvsca, Sol. Stat. Comm. 99 (1996) 641.
[5] E. R. Leite, N. L. V. Carreo, L. P. S. Santos, J. H. Rangel,
L. E. B. Soledade, E. Longo, C. E. M. Campos, F. Lanciotti,
P. S. Pizani, J. A. Varela, Appl. Phys. A 73 (2001) 1.
[6] C. D. Pinheiro, F. M. Pontes, R. Magnani, P. S. Pizani, T.

P. R. de Lucena et al. / Cermica 50 (2004) 138-144

M. Boshi, J. A. Varela, E. R. Leite, E. Longo, Appl. Phys. A

75 (2002) 5.
[7] G. Blasse, B. C. Grabmaier, Luminescent Materials,
Springer-Verlag, Berlin (1994).
[8] P. Goldberg, Luminescence of Inorganic Solids, Academic
Press, New York (1966).
[9] D. L. Wood, J. Tauc, Phys. Rev. B 5 (1972) 3144.
[10] Fotoluminescncia. <http//www.liec.ufscar.br>, acesso
em 15/01/2003.
[11] Y. Tanabe, S. Sugano, J. Phys. Soc. Jap. 9 (1954) 753.
[12] J. D. Lee, Qumica Inorgnica No To Concisa, Edgard
Blcher Ltda, 4 Ed., S. Paulo (1997).
[13] P. T. Diallo, K. Jeanlouis, P. Boutinaud, R. Mahiou, J.
C. Cousseins, J. Alloys & Comp. 323-324 (2001) 218.

144

[14] B. Bouma, G. Blasse, J. Phys. Chem. Sol. 56 (1995) 261.

[15] F. M. Pontes, E. R. Leite, E. Longo, J. A. Varela, P. S.
Pizani, C. E. M. Campos, F. Lanciotti, Adv. Mater. Opt.
Electr. 10 2 (2000) 81.
[16] P. S. Pizani, E. R. Leite, F. M. Pontes, E. C. Paris, J. H.
Rangel, E. Lee, E. Longo, P. Delega, J. A. Varela, Appl. Phys.
Lett. 77 (2001) 824.
[17] M. Capizzi, A. Frova, Phys. Rev. Lett. 25 (1970) 1298.
[18] E. R. Leite, F. M. Pontes, E. C. Paris, C. A. Paskocimas,
E. Lee, E. Longo, P. S. Pizani, J. A. Varela, V. Mastelaro,
Adv. Mater. Opt. Electr. 10 6 (2000) 235.
[19] F. M. Pontes, C. D. Pinheiro, E. Longo, E. R. Leite, S.
R. Lazaro, J. A. Varela, P. S. Pizani, T. M. Boschi, F. Lanciotti,
Mater. Chem. Phys. 78 (2002) 227.
(Rec. 28/08/03, Ac. 31/10/03)