MEF Aplcados A Solucao de Problemas de Aterramento Eletrico - Tese de Livre Docencia PDF

VIVIANE CRISTINE SILVA
Engenheira Eletricista, EPUSP, 1985

Mestre em Engenharia, EPUSP, 1991
Docteur de lInstitut National Polytechnique de Grenoble, Frana, 1994

MTODO DE ELEMENTOS FINITOS APLICADO SOLUO
DE PROBLEMAS DE ATERRAMENTO ELTRICO

Tese apresentada Escola Politcnica da
Universidade de So Paulo para obteno
do ttulo de Professora Livre Docente.

rea de Concentrao:
Engenharia Eltrica

So Paulo

2006

VIVIANE CRISTINE SILVA

Engenheira Eletricista, EPUSP, 1985
Mestre em Engenharia, EPUSP, 1991
Docteur de lInstitut National Polytechnique de Grenoble, Frana, 1994

MTODO DE ELEMENTOS FINITOS APLICADO SOLUO
DE PROBLEMAS DE ATERRAMENTO ELTRICO

Tese apresentada Escola Politcnica da
Universidade de So Paulo para obteno
do ttulo de Professora Livre Docente
junto ao Departamento de Engenharia de
Energia e Automao Eltricas.

So Paulo

2006

A Hernn, Gustavo e Rodrigo

Agradecimentos

Gostaria de dirigir meus sinceros agradecimentos s pessoas a seguir.

Em primeiro lugar ao Prof. Dr. J os Roberto Cardoso, pioneiro da aplicao do Mtodo de
Elementos Finitos em Sistemas de Aterramento, pelo incentivo, apoio e amizade ao longo de toda
minha carreira acadmica e pela motivao para prosseguir com este trabalho.

Aos colegas do LMAG, Prof. Silvio Nabeta e Prof. Luiz Lebensztajn pelo companheirismo e
amizade ao longo de tantos anos que temos trabalhado juntos.

Aos doutorandos do PEA/EPUSP Marcelo Facio Palin e Fbio Henrique Pereira e ao Dr. Srgio L.
L. Verardi pela inestimvel contribuio e ajuda nos aspectos computacionais.

E por fim minha famlia, pelo apoio incondicional e tolerncia nos prolongados momentos de
ausncia.

RESUMO

SILVA, V. C. Mtodo de Elementos Finitos aplicado soluo de problemas de aterramento
eltrico. So Paulo, 2006. 89p. Tese (Livre Docncia) Escola Politcnica da Universidade de So
Paulo.

Este trabalho apresenta uma contribuio ao estudo de sistemas de aterramento utilizando o Mtodo
de Elementos Finitos no regime estacionrio e no regime harmnico. No primeiro caso, adequado
modelagem em baixas freqncias, adota-se uma representao dos eletrodos baseada em
formulao especial de elementos unidimensionais com salto de potencial. A modelagem para o
regime harmnico, adequada a condies de operao em altas freqncias, utiliza formulao
hbrida, de aresta e nodal, em dois potenciais: potencial vetor magntico e potencial escalar eltrico,
sem imposio de condio de Coulomb. Os eletrodos so modelados como condutores perfeitos e
despreza-se a corrente de deslocamento no ar, limitando o domnio de estudo ao meio condutor. Nas
duas situaes o sistema alimentado em corrente, sendo que a excitao contemplada atravs de
uma condio de Neumann no homognea, e o semi espao condutor, relativo ao solo, truncado
por absorvedores anisotrpicos fictcios, PML, de parmetros reais e perfil polinomial, terminados
por fronteiras perfeitamente condutoras. Os resultados de impedncia e distribuio de potenciais na
superfcie em configuraes tpicas so comparados com valores de referncia, experimentais,
analticos e numricos, disponveis na literatura.

ABSTRACT

SILVA, V. C. Finite element analysis applied to the modeling of earthing systems. So Paulo,
2006. 89p. Thesis (Livre Docncia) Escola Politcnica da Universidade de So Paulo.

A full 3D finite elements analysis is presented to compute the characteristics of grounding systems
in steady state and time-harmonic domain. In the first case, an electrokinetic formulation is applied
which includes the use of special 1D elements with potential jump to model grounding electrodes.
In the second case the full set of Maxwell equations governing the phenomenon in the time-
harmonic domain is solved by applying the edge finite element approach. The field variables are
written in terms of potential functions, namely magnetic vector potential and electric scalar
potential, yielding a hybrid edge-nodal ungauged A-V formulation. The grounding electrodes are
modeled as perfect electric conductors and displacement currents in free space are neglected. In
both cases the current-feeding of the grounding systems are implemented through a non
homogeneous Neumann condition. The domain is truncated with the aid of PEC-backed perfectly
matched layers with real parameter and polynomial profile. The methodology has been applied in
several configurations of grounding systems presented in the literature. The results are compared
with both analytical and experimental data reported by other authors, as well as with other
numerical methods, with overall good agreement.

SIMBOLOGIA

E campo eltrico real ou complexo (V/m)
J densidade de corrente eltrica real ou complexa (A/m
2
)
H campo magntico real ou complexo (A/m)
B densidade de fluxo magntico real ou complexo (T)
D densidade de fluxo eltrico real ou complexo (C/ m
2
)
A potencial vetor magntico (Wb/m)
J
i
densidade de corrente induzida real ou complexa
J
0
densidade de corrente impressa real ou complexa (de excitao ou devido a fontes externas)
J
d
densidade de corrente de deslocamento real ou complexa
Js densidade de corrente eltrica superficial real ou complexa (A/m)
J
PD
densidade de corrente impressa real ou complexa no ponto de defeito
t
E componente tangencial do campo eltrico
t
H componente tangencial do campo magntico
J
0
, J
1
funes de Bessel
R resistncia eltrica () ou resduo do Mtodo Residual de Galerkin
P potncia dissipada (W)
L indutncia (H)
C capacitncia (F)
impedncia complexa ()
U tenso, diferena de potencial (V)
I corrente eltrica (A)
V potencial escalar eltrico (V)
D espessura do PML
UI* potncia aparente complexa (VA)
LI
2
dobro da energia magntica armazenada
2
1
I
C
dobro da potncia reativa capacitiva
S seo transversal de condutor
G condutncia (S)
Z
r
impedncia superficial ()
N funo de forma nodal escalar
w funo de forma vetorial de aresta
x, y, z coordenadas de sistemas de coordenadas cartesiano
r, , z coordenadas de sistemas de coordenadas cilndrico
a integral de linha de A sobre aresta de elemento finito ou parmetro do PML
a
max
valor mximo do parmetro do PML
e integral de linha do campo eltrico sobre aresta de elemento finito
v integral no tempo do potencial escalar eltrico V
j 1
r raio de condutor, resduo ou componente radial de sistema de coordenadas cilndrico
f freqncia (Hz)
t varivel tempo (s) e componente tangencial de vetor
nn nmero de ns de um elemento
na nmero de arestas de um elemento
NE nmero total de elementos finitos
l comprimento de eletrodo ou de elemento unidimensional (m)
n
PML
nmero de camadas do PML
h dimenso linear um elemento finito
n vetor unitrio normal
t vetor unitrio tangencial

u vetor unitrio de sistema de coordenadas ortogonal
volume do domnio, subdomnio ou de um elemento finito
fronteira de domnio, subdomnio ou de um elemento finito
[] tensor de parmetros do PML
permissividade (F/m)
0
permissividade do vcuo
permeabilidade magntica (H/m)
relutividade magntica (m/H)
resistividade eltrica (.m) ou densidade volumtrica de carga eltrica (C/m
3
)
s
densidade superficial de carga eltrica (C/m
2
)
condutividade eltrica (S/m)
freqncia angular (rd/s)
L
,
C
constantes de tempo indutiva e capacitva (s)

Subscritos e Sobrescritos

e relativo a um elemento finito
i, j ns e arestas genricos da malha de elementos finitos
S solo
E eletrodo
E/S interface eletrodo/solo
1/2 interface entre dois meios 1 e 2
PD ponto de defeito
n, t componentes vetoriais normal a uma superfcie e tangencial a um percurso
r, , z componentes radial, azimutal e axial de um vetor em sistemas de coordenadas cilndricas

Abreviaturas

MEF Mtodo de Elementos Finitos
MDF Mtodo de Diferenas Finitas
MEC Mtodo de Elementos de Fronteira ou Contorno
ICCG Incomplete Cholesky Conjugate Gradient
SICCG Shifted ICCG
FFT Fast Fourier Transform
PEC Perfect Electric Conductor
PML Perfectly Matched Layers
MEF1 MEF com elementos unidimensionais
MEF2 MEF com elementos unidimensionais com salto de potencial
H32 Caso teste de haste vertical de 32 m
GS4, 16, 36, 60 Casos teste de sistemas de aterramento com 4, 16, 36 e 60 malhas

MTODO DE ELEMENTOS FINITOS APLICADO SOLUO DE
PROBLEMAS DE ATERRAMENTO ELTRICO

ndice

Resumo

Abstract

Simbologia

1. Introduo................................................................................................................................. 1
1.1 Apresentao do problema................................................................................................1
1.2 Objetivos...........................................................................................................................5
1.3 Organizao do documento...............................................................................................5

2. Estado da Arte .......................................................................................................................... 6
2.1 Introduo.........................................................................................................................6
2.2 Reviso bibliogrfica........................................................................................................6
2.3 Resumo............................................................................................................................11

3. Regime Estacionrio............................................................................................................... 12
3.1 Introduo.......................................................................................................................12
3.2 Conduo de correntes estacionrias ou Eletrocintica..................................................12
3.3 Formulao do Mtodo de Elementos Finitos na Eletrocintica....................................15
3.4 Soluo do sistema linear de equaes algbricas..........................................................20
3.5 Clculo de grandezas globais..........................................................................................20
3.6 Resumo............................................................................................................................22

4. Regime Harmnico................................................................................................................. 23
4.1 Introduo.......................................................................................................................23
4.2 Equaes de Maxwell no regime harmnico e equao da onda vetorial.......................24
4.3 Formulao em dois potenciais: potencial vetor magntico A e
potencial escalar eltrico V....................................................................................26
4.4 Soluo do sistema linear de equaes algbricas..........................................................31
4.5 Clculo de grandezas globais..........................................................................................32
4.6 Resumo............................................................................................................................34

5. Aspectos de Implementao do Mtodo de Elementos Finitos para o
Problema de Aterramento .................................................................................. 35
5.1 Introduo.......................................................................................................................35

i
ndice
5.2 Modelagem dos eletrodos elementos filiformes em regime estacionrio e
harmnico..............................................................................................................35
5.2.1 Elemento unidimensional na Eletrocintica........................................................36
5.2.2 Elemento unidimensional com salto de potencial (Eletrocintica).....................38
5.2.3 Formulao A-V de aresta com Impedncia Superficial unidimensional ...........42
5.2.4 Eletrodos como condutores perfeitos Regime Harmnico...............................45
5.3 Truncamento do domnio usando Absorvedores Anisotrpicos Fictcios (PML) ..........46
5.4 Modelo do sistema de aterramento no regime estacionrio............................................48
5.5 Modelo do sistema de aterramento no regime harmnico..............................................49
5.6 Discretizao e parmetros do PML ...............................................................................51
5.7 Resumo............................................................................................................................53

6. Aplicao e Resultados...........................................................................................................54
6.1 Introduo.......................................................................................................................54
6.2 Regime estacionrio........................................................................................................54
6.3 Regime harmnico..........................................................................................................60
6.4 Resumo............................................................................................................................66

7. Concluses ...............................................................................................................................67
7.1 Observaes gerais e concluses....................................................................................67
7.2 Principais contribuies do trabalho...............................................................................71
7.3 Tpicos para desenvolvimento posterior ........................................................................72

Referncias Bibliogrficas...............................................................................................................73

ii

Captulo 1

Introduo

1.1 Apresentao do problema

O principal objetivo de um sistema de aterramento garantir a segurana de humanos e prevenir
danos a instalaes. O objetivo secundrio servir de referncia para todo o sistema eltrico e
eletrnico interligados.
A anlise de sistemas de aterramento de redes eltricas de transmisso e distribuio
importante por razes de segurana e proteo de equipamentos. Em sistemas tpicos, a diferena de
potencial entre diferentes pontos pode fazer com que circule corrente em seres humanos ou
equipamentos susceptveis a altas tenses. Ento essencial determinar essa diferena de potencial
sob condies normais ou na ocorrncia de um defeito, como um surto de manobra ou descarga
atmosfrica.
Em condies normais suficiente adotar a aproximao esttica, para baixas freqncias, ou
regime estacionrio. Nesse caso assume-se que o campo eltrico e a corrente no solo podem ser
derivados a partir de um potencial escalar eltrico que obedece a Equao de Laplace. Se o
problema envolver sistemas de aterramento de configuraes complexas, mtodos numricos de
soluo podem ser necessrios.
Solues baseadas na equao de Laplace so limitadas no sentido de que so vlidas at um
determinado valor de freqncia, dependendo portanto do tamanho dos eletrodos da malha de
aterramento e das caratersticas eltricas do solo. Basicamente, os eletrodos devem ser muito
menores que o comprimento de onda no solo para que essa aproximao seja correta. Uma condio
suficiente para a validade dessa aproximao foi quantitativamente estabelecida em [46] e diz que
os comprimentos dos eletrodos de uma malha de aterramento devem ser menores que um dcimo do
comprimento de onda no solo para que as hipteses de regime esttico ou quase esttico sejam
1
1. Introduo
vlidas.
Entretanto, h situaes como, por exemplo, surtos de manobra e descargas atmosfricas, para
as quais as correntes de alta freqncia podem se tornar importantes. Nesse casos, os riscos de
danificar equipamentos so maiores que os de eletrocuo em humanos [46].
Um sistema de aterramento equipotencial um conceito terico aplicvel somente no caso
esttico. Na prtica a induo eletromagntica faz com que a tenso entre dois pontos seja maior
que zero. Essas desigualdades locais de tenso de referncia so causas de distrbios que podem
ocasionar mal funcionamento e destruio de componentes em sistemas eletrnicos conectados ao
sistema de aterramento. Sendo assim, estudos de compatibilidade eletromagntica exigem o
conhecimento dessa distribuio espacial e temporal de tenses ao longo do sistema no caso de
surtos nos sistemas eletrnicos e descargas atmosfricas.
A determinao de respostas transitrias e harmnicas devido a descargas atmosfricas e surtos
de manobra consiste, portanto, numa etapa primordial para o projeto de sistemas de aterramento
mais eficientes. Em geral determina-se primeiro a resposta harmnica, ou no domnio da freqncia,
e as respostas transitrias so obtidas usando transformadas de Fourier [38].
Primeiramente a corrente transitria deve ser decomposta em componentes harmnicos atravs
de uma Transformada de Fourier (FFT Fast Fourier Transform). Em seguida seleciona-se um
nmero finito de componentes que configurem uma amostra representativa do espectro. Ento se
determina a resposta harmnica do sistema de aterramento para cada uma das correntes
selecionadas. De posse dessas solues o comportamento no domnio do tempo em qualquer ponto
no espao pode ser obtido pela FFT inversa de todas as respostas naquele ponto. De acordo com
[58], esse procedimento o mais adequado, visto que as caractersticas eltricas do solo
(condutividade e constante dieltrica) em geral dependem da freqncia e seria difcil levar em
conta essa dependncia com uma anlise no domnio do tempo.
Entretanto, esse procedimento, a rigor, s aplicvel a problemas lineares, o que em princpio
impediria a sua utilizao em sistemas de aterramento cujo solo est sujeito ao fenmeno de
ionizao [34,51,54], mas ele tem sido usado mesmo nessas condies.
O fenmeno de ionizao do solo [58,59] ocorre quando o campo eltrico ultrapassa o gradiente
de ionizao do solo (tipicamente 300 a 1000 kV/m [49, 58]) e h ruptura dieltrica desse meio,
provocando uma diminuio da sua resistividade. Isso acontece quando os sistemas de aterramento
tm de drenar correntes impulsivas de altssima intensidade, como aquelas oriundas de descargas
atmosfricas ou curto fase-terra, por exemplo, tornando a resposta ao impulso tipicamente no
linear. Entretanto, esse fenmeno no tem influncia dominante durante a subida da corrente
impulsiva (e, portanto, nas freqncias mais altas), quando ocorrem os mximos de tenso e
2
1. Introduo
impedncia transitrias, pois necessrio um tempo maior para que esse fenmeno se desenvolva
no solo [49,58].
Basicamente trs abordagens tm sido usadas para a determinao de campos eletromagnticos
e distribuio de correntes em sistemas de aterramento, seja em regime estacionrio, seja em altas
freqncias, e compreendem abordagens baseadas em:
1) Teoria de circuitos
2) Teoria eletromagntica
3) Acoplamento entre as teorias de circuitos e eletromagntica
A primeira baseada na substituio de todos os elementos condutores por uma rede eltrica
equivalente. A anlise conduz diretamente a resultados em termos de correntes e tenses nos pontos
de interesse.
A segunda baseia-se na soluo direta das equaes eletromagnticas de Maxwell aplicadas a
condutores energizados e outras estruturas metlicas prximas, diretamente energizadas ou no. o
que oferece mais vantagens em termos de preciso, flexibilidade e capacidade de modelagem,
porm mais complicado que o precedente e geralmente seu uso s vivel atravs de mtodos
numricos de soluo.
Os aplicativos baseados na terceira abordagem buscam explorar as vantagens das duas
primeiras.
Quando o problema exige a aplicao da teoria eletromagntica com soluo por mtodos
numricos, abre-se outro leque de opes. Os mtodos numricos para soluo de equaes
diferenciais a derivadas parciais, ou problemas de contorno, dividem-se em duas categorias:
mtodos ditos integrais ou de fronteira, onde se inclui, por exemplo, o Mtodo dos Momentos e o
Mtodo de Elementos de Contorno (ou elementos de Fronteira); e os mtodos ditos diferenciais
ou mtodos de domnio, como, por exemplo, Mtodo de Diferenas Finitas (MDF) e Mtodo de
Elementos Finitos (MEF).
Os mtodos integrais so mtodos adequados para problemas a fronteiras abertas, como
problemas de propagao de ondas, antenas e espalhamento, sendo que sua implementao e
aplicao tornam-se complicadas em casos de configuraes geomtricas complexas e com meios
heterogneos, no lineares ou anisotrpicos. Alm disso, conduzem a sistemas de equaes cuja
matriz cheia, o que torna alto o custo computacional da sua soluo.
J os mtodos diferenciais conduzem a sistemas de matrizes esparsas possibilitando melhores
caractersticas de desempenho computacional. Mesmo com um alto grau de refinamento na
discretizao de um problema, o que resulta num sistema de ordem elevada, a esparsidade da matriz
permite o uso de algoritmos iterativos de soluo de alto desempenho.
3
1. Introduo
Comparando MDF ao MEF, o primeiro leva a desvantagem de a implementao no ser
genrica, apesar de mais simples, ou seja, cada equao diferencial necessita uma implementao
especfica. Alm disso, ele exige uma discretizao estruturada (uma grade, ou reticulado) o que
complica a sua aplicao em dispositivos com geometria irregular.
O MEF no possui essas limitaes; os elementos finitos podem ter qualquer formato, o que
permite a utilizao de malhas no estruturadas e a modelagem de dispositivos de formas
irregulares com facilidade.
A desvantagem dos mtodos diferenciais, como o MEF, a de que, para tratar problemas a
fronteiras abertas, deve-se efetuar um truncamento do domnio, o que pode ter impacto na soluo
se este no for feito de forma adequada. No entanto, existem inmeras tcnicas para tratar essa
questo, o que torna vivel a aplicao do mtodo em problemas com essa caracterstica. Exemplo
de uma tcnica interessante o uso de absorvedores anisotrpicos fictcios, PML, aplicvel tanto
em altas quanto em baixas freqncias.
Com relao a problemas de altas freqncias, ou propagao de ondas, a utilizao do MEF
clssico, baseado em interpolao nodal, at alguns anos atrs oferecia dificuldades. Como exemplo
pode-se citar o aparecimento de solues esprias, tanto em problemas de autovalores como em
problemas determinsticos, a dificuldade de se impor condies de contorno, sobretudo quando as
fronteiras no so paralelas aos eixos do sistema de coordenadas, e finalmente a dificuldade de se
tratar singularidades dos campos em cantos e extremidades. Essas dificuldades surgem em parte
porque o MEF nodal fora a continuidade da varivel de estado.
A tcnica dos elementos finitos de aresta elimina essas dificuldades. Nessa abordagem se
atribuem graus de liberdade s arestas dos elementos e no aos ns como na variante nodal. Ao
contrrio do MEF nodal, o MEF de aresta impe continuidade tangencial apenas, o que o torna mais
adequado para problemas de eletromagnetismo, visto que os campos E e H conservam apenas seus
componentes tangenciais em interfaces entre materiais e as condies de contorno tambm se do
em termos de seus componentes tangenciais.
Por essa razo o MEF de aresta foi o mtodo numrico escolhido para o desenvolvimento deste
trabalho. Para freqncias suficientemente baixas, em que as dimenses eltricas do problema so
suficientemente grandes de acordo com os critrios estabelecidos em [46], diz-se que a natureza do
problema quase esttica, com caractersticas de difuso, ou ainda esttica, quando se recai num
problema de Eletrocintica. No ltimo caso a variante nodal do MEF a mais indicada, uma vez
que a varivel de estado escalar (potencial escalar eltrico). J no caso do regime harmnico para
altas freqncias adota-se o MEF de aresta.
4
1. Introduo

1.2 Objetivos

Este trabalho busca apresentar uma contribuio ao estudo e modelagem de sistemas de
aterramento utilizando a tcnica de elementos finitos atravs do desenvolvimento de aplicativos
especficos para esse tipo de problema de modo a contemplar todas as suas caractersticas e
proporcionar uma ferramenta de anlise robusta e com bom desempenho numrico.
Os aplicativos desenvolvidos permitem a simulao de sistemas de aterramento no regime
estacionrio e no regime harmnico. No ltimo caso no ser considerado o fenmeno de ionizao
do solo.

1.3 Organizao do documento

O Captulo 2 apresenta o estado da arte relacionado anlise de sistemas de aterramento em
regimes estacionrio, harmnico e transitrio, concentrando-se principalmente nos trabalhos
baseados na teoria eletromagntica e no MEF.
O Captulo 3 apresenta a formulao do mtodo de elementos finitos no domnio da
Eletrocintica para a modelagem de sistemas de aterramento no regime estacionrio.
No Captulo 4 apresentada a formulao em dois potenciais (A-V) do mtodo de elementos
finitos de aresta no regime harmnico, bem como o clculo da impedncia complexa.
O Captulo 5 aborda aspectos especficos da implementao adaptados modelagem dos
sistemas de aterramento, sobretudo no que concerne ao truncamento do domnio atravs de PML,
modelagem dos eletrodos, seja no regime estacionrio atravs de elementos unidimensionais com
salto de potencial, seja no regime harmnico como condutores perfeitos.
No Captulo 6 so apresentadas as aplicaes das metodologias dos captulos 3, 4 e 5 a sistemas
de aterramento tpicos, extrados da literatura pertinente. Os resultados so comparados a valores
experimentais, analticos e a resultados obtidos por outros autores.
Finalmente, o Captulo 7 sintetiza os principais resultados com concluses, destaca as principais
contribuies do mesmo e aponta algumas propostas para desenvolvimento posterior.
5

Captulo 2

Estado da Arte

2.1 Introduo

Este Captulo relata os principais trabalhos publicados sobre o problema de aterramento de
sistemas eltricos, sobretudo aqueles baseados na teoria eletromagntica. Ser visto que o problema
vem sendo estudado atravs de diversas tcnicas nos ltimos anos, o que o caracteriza como um
problema clssico.
Ao fim do Captulo so apresentados um resumo da pesquisa bibliogrfica realizada e uma
avaliao em perspectiva da metodologia desenvolvida no presente trabalho, em relao aos demais
trabalhos j publicados.

2.2 Reviso bibliogrfica

O estudo de sistemas de aterramento em sistemas eltricos de potncia importante por razes
de segurana humana e na proteo de equipamentos. No primeiro caso interessa o estudo desses
sistemas sob condies estacionrias, a baixas freqncias, enquanto que no segundo o risco de
dano a equipamentos surge na presena de correntes impulsivas, como surtos de manobra e
atmosfricos.
Os trabalhos disponveis na literatura tratam independentemente as duas condies, sendo que a
primeira corresponde a um caso particular da segunda.
A modelagem de sistemas de aterramento em altas freqncias e no regime transitrio tem sido
tratada por um grande nmero de abordagens e o seu interesse se fundamenta na sua importncia
em numerosos problemas de engenharia, como por exemplo: proteo contra descargas
6
2. Estado da Arte
atmosfricas em edifcios residenciais, linhas telefnicas, de transmisso, de distribuio; qualidade
de energia, compatibilidade eletromagntica em subestaes, etc.
Os problemas so normalmente formulados no domnio da freqncia e quando uma resposta
transitria necessria aplicam-se tcnicas de transformada de Fourier ou Laplace. Isso limita a
aplicao dos mtodos a problemas lineares, ou seja, o fenmeno de ionizao do solo quando
sujeito a elevados impulsos de corrente em princpio no poderia ser considerado, embora ele tenha
sido contemplado em alguns casos [50,51,54] atravs de um aumento na seo dos eletrodos.
Os trabalhos disponveis, abordando mtodos de clculo analtico e simulao numrica, (seja
no regime esttico ou dinmico) so classificados em trs grupos [43]:
1. Mtodos baseados no clculo de campos eletromagnticos;
2. Mtodos baseados na teoria de circuitos e linhas de transmisso (TLM);
3. Mtodos hbridos.
Os modelos baseados na teoria de circuitos podem ser a parmetros concentrados ou
distribudos [49]. Em todos os casos, so limitados a solos homogneos e superestimam a
impedncia em altas freqncias. No entanto, dependendo das dimenses eltricas do sistema [46],
essa abordagem pode ser utilizada com vantagens pela sua simplicidade e facilidade de interface
com mtodos de anlise de sistemas eltricos de potncia, os quais tambm se baseiam nessa
abordagem.
Os modelos baseados na teoria eletromagntica so muito robustos quando comparados com os
modelos baseados na teoria de circuitos, pois pressupem menos hipteses aproximadoras. Dessa
maneira, sero mencionados aqui apenas os trabalhos baseados em modelos eletromagnticos e que
de alguma forma influenciaram as escolhas feitas durante a realizao do presente trabalho.
Os primeiros trabalhos usam a Teoria de Antenas baseada numa formulao integral, o Mtodo
dos Momentos [37, 38, 45, 46, 54, 57]. Os clculos geralmente incluem duas etapas: clculo da
distribuio de corrente nos condutores e em seguida clculo dos campos. O mtodo , portanto,
restrito a configuraes com eletrodos horizontais ou verticais e a meios homogneos e lineares.
Trabalhos baseados no Mtodo dos Elementos de Fronteira (ou Contorno) so mais recentes e
limitados a aplicaes estticas [53].
Com a perspectiva de reduzir essas restries, sobretudo com relao s caractersticas fsicas
do solo, apareceram os primeiros trabalhos utilizando mtodos de domnio, em particular o MEF
nodal no regime esttico, que so creditados a Cardoso [30,31], seguidos posteriormente por Trlep
[32,33,34].
Nekhoul utiliza em [34,35] o MEF com formulao nodal A-V para o regime quase esttico,
assim como Passaro em [55].
7
2. Estado da Arte
Em [39], [40] e [56] apresentada a modelagem baseada no MEF de aresta para o clculo da
impedncia do problema no regime harmnico, utilizando truncamento simples do domnio.
Com relao aos trabalhos de cunho experimental, verifica-se uma carncia de publicaes, o
que oferece uma dificuldade quando se busca validar os mtodos numricos e analtico-numricos
existentes. Grcev lista em [43] os poucos resultados experimentais existentes, sendo o trabalho de
Bourg et al. [36] muito relevante, j que apresenta ensaios no domnio da freqncia, alm da
metodologia analtica de clculo para sistemas de aterramento cannicos, ou seja, compostos por
uma nica haste vertical enterrada.
A aplicao do MEF a problemas de domnio aberto encontra vrias abordagens na literatura,
uma vez que o domnio aberto precisa ser limitado para a construo da malha de elementos finitos.
Os mtodos integrais levam vantagem nesse quesito, contemplando de maneira natural essa
caracterstica. No entanto, so menos versteis no tratamento de domnios com caractersticas no
homogneas e no lineares, alm de produzirem sistemas de equaes algbricas com matrizes no
esparsas.
Nos dois ltimos quesitos citados acima, o MEF leva vantagens, apesar de oferecer um desafio
para a modelagem de problemas a domnio aberto. Essa caracterstica geralmente tratada com uso
de transformaes de domnio.
Existem vrias tcnicas possveis para o tratamento da questo quando se utiliza o MEF [2],
como por exemplo, as tcnicas que utilizam transformaes espaciais, as que utilizam elementos
infinitos, o truncamento simples do domnio, etc.
Nekhoul utiliza como tcnica de truncamento em [34,35] transformaes espaciais do domnio.
Cardoso [30,31], assim como Passaro [55], divide as regies mais externas do domnio e aplica
transformaes lineares sobre as coordenadas dos ns nessas regies. O primeiro utiliza domnio
cilndrico, enquanto que o segundo um domnio hexadrico. So tambm abordagens baseadas em
transformaes espaciais.
Nenhum dos trabalhos precedentes baseados em transformaes espaciais analisa a adequao
dessa metodologia a casos em que a freqncia suficientemente elevada de modo que os efeitos de
propagao sejam importantes.
Nessas condies os mtodos baseados no uso de condies de contorno absorventes so mais
indicados. J in [1] apresenta os principais, dando particular destaque tcnica baseada em PML
perfectly matched layers. Essa tcnica proposta originalmente por Brenger [19] tem se mostrado
extremamente verstil para essa finalidade, sobretudo a sua verso sob a forma de materiais
absorvedores anisotrpicos fictcios [27], pois no exige praticamente nenhuma alterao nos
cdigos de elementos finitos; basta que estes admitam materiais anisotrpicos em sua
8
2. Estado da Arte
implementao. Outra vantagem sua validade inclusive no regime estacionrio e quase esttico
[21, 22, 23, 24, 29].
Os primeiros trabalhos aplicando essa tcnica em domnios abertos contendo dois semi espaos
infinitos, um condutor (solo) e outro isolante (ar), so creditados a Chen et al. [64] no regime quase
esttico, em que utiliza o MDF, e mais recentemente Caorsi et al. [25] que utiliza o mtodo de
elementos finitos de aresta em altas freqncias. Sua aplicao a sistemas de aterramento aparece
em trabalhos baseados no MDF no domnio do tempo [52,47] (FDTD finite difference time
domain).
Com relao ao MEF, Br e Preis trazem em [61] uma reviso detalhada da formulao nodal
utilizando o potencial vetor magntico A e o potencial escalar eltrico V para problemas quase
estticos (correntes induzidas). Descreve as condies de contorno apropriadas para cada caso e
prope inclusive a mudana de varivel V= j v como forma de se estabelecer a simetria do sistema
de equaes algbricas final.
Morweiser [9] utiliza essa formulao A-V nodal na modelagem de circuitos integrados em alta
freqncia contemplando correntes de deslocamento, com o intuito de determinar os parmetros de
circuito equivalente R, L e C.
A utilizao do MEF em sistemas de aterramento iniciou-se na dcada de 90 com o trabalho de
Cardoso [30,31] e mais adiante de seus colaboradores, incluindo a autora deste documento,
abordando a modelagem dos eletrodos por elementos unidimensionais especiais [62, 63, 55],
seguidos pelos trabalhos de Trlep et al. [32,33]. Essas referncias contemplam apenas o regime
estacionrio.
Os primeiros trabalhos utilizando o MEF nodal no regime harmnico so creditados a Nekhoul
[34,35] que utiliza acoplamento de formulaes AV-A- (AV no solo e A e potencial escalar
magntico no ar) com condio de Coulomb (div A =0) conforme [61]. Embora considere
correntes de deslocamento no solo, utiliza potencial escalar magntico no ar e transformaes
geomtricas para o truncamento. Os eletrodos so modelados por elemento unidimensional
convencional e em [35] tenta contemplar o efeito de ionizao do solo conforme procedimento
clssico, ou seja, aumentando-se a seo do eletrodo e utilizando discretizao volumtrica nos
mesmos. A metodologia aplicada a um sistema de haste nica.
Passaro [55] utiliza tambm o MEF nodal e formulao A-V nodal, mas com impedncia
superficial nos eletrodos. Realiza primeiro simulao eletrocintica para determinar a distribuio
de J no solo e usa esse valor como excitao da simulao dinmica. Apresenta tambm um estudo
comparativo para o caso esttico entre os elementos unidimensionais com discretizao de primeira
9
2. Estado da Arte
ordem e de segunda ordem e com elementos unidimensionais especiais (propostos em [62,63]) e
discretizao de primeira ordem, ressaltando as vantagens do ltimo.
Os primeiros trabalhos que se utilizam do MEF de aresta em sistemas de aterramento usando a
formulao A-V so devidos autora e colaboradores [39,40,41,56,60] e sero detalhados ao longo
deste documento.
A utilizao do MEF de aresta teve incio na dcada de 80 e veio ganhando aceitao com o
passar do tempo por conta dos bons resultados obtidos na modelagem de problemas de alta
freqncia e propagao de ondas [1,2,3].
Em [4] so revisadas uma srie de formulaes para o clculo de campos eletromagnticos
utilizando os potenciais escalares e vetoriais concomitantemente com a utilizao do MEF de aresta.
Uma anlise comparativa das formulaes propostas, aplicadas ao MEF de aresta e ao MEF nodal,
mostra que elementos de aresta so bem adaptados s equaes vetoriais que regem os fenmenos
eletromagnticos. As funes de forma dos elementos de aresta foram apenas a continuidade
tangencial das grandezas calculadas, permitindo descontinuidade no componente normal. Alm
disso, condies de contorno so de fcil atribuio, uma vez que nos fenmenos eletromagnticos
elas se exprimem em termos de componentes tangenciais dos campos.
Em particular, na formulao A-V de aresta no h necessidade de se especificar a divergncia
de A, sendo que o sistema de equaes algbricas resulta singular (embora positivo semi definido
[4]).
A utilizao do ICCG para a soluo do sistema linear oriundo dessa formulao foi
investigada por Fujiwara et al. [11] e um estudo comparativo foi feito sobre a validade de aplicao
do mtodo, demostrando bons resultados e a rpida convergncia da soluo quando utilizados
elementos de aresta, sem a necessidade de se impor a divergncia de A. Para isso deve-se garantir a
divergncia da densidade de corrente impressa devido a fontes externas [4]. Tal condio
automaticamente satisfeita quando a excitao dada atravs de uma diferena de potencial
aplicada aos terminais do condutor.
Ida e Bastos [3] apresentam o MEF de aresta, descrevendo em detalhes a sua aplicao ea
deduo das funes de forma vetoriais do elemento hexadrico de primeira ordem.
Dular et al. [5] apresentam a formulao A-V com uma metodologia em que o condutor pode
ser alimentado, seja por tenso, seja por corrente, sendo esta ltima equivalente a uma condio de
Neumann no homognea. Inicialmente ele resolve para V no condutor e utiliza essa soluo como
excitao numa segunda simulao em A. A excitao via condio de Neumann no homognea
foi utilizada com resultados positivos em [39, 40, 41, 56, 60], na simulao de um sistema de
10
2. Estado da Arte
aterramento em regime harmnico, utilizando o MEF de aresta e a formulao A-V. Nesse caso no
se utilizou diretamente a abordagem de [5], mas resolveu-se simultaneamente para A e V.

2.3 Resumo

Os principais trabalhos publicados sobre sistemas de aterramento mostram que o problema tem
sido objeto de anlise atravs de vrias tcnicas diferentes, sejam elas baseadas na Teoria de
Circuitos, sejam baseadas na teoria eletromagntica; em baixas ou altas freqncias. Isso demonstra
o grau de dificuldade do problema e procurou-se destacar aqui os trabalhos que se utilizam da
tcnica de elementos finitos.
No prximo Captulo ser apresentada a formulao do problema no regime estacionrio
Eletrocintica regido pela equao de Laplace. Ser destacada a utilizao de excitao por fonte
de corrente, diferentemente do proposto em trabalhos prvios, alimentados em fonte de tenso.
11

Captulo 3

Regime Estacionrio

3.1 Introduo

Este Captulo apresenta a formulao esttica do Mtodo de Elementos Finitos que ser
aplicada no estudo de sistemas de aterramento no regime estacionrio Eletrocintica. Aspectos
particulares da aplicao que exigiro tratamento especfico, como o truncamento do domnio, a
representao dos eletrodos da malha de aterramento e a excitao em corrente, sero abordados no
Captulo 5. As unidades adotadas ao longo deste documento so aquelas do Sistema Internacional.

3.2 Conduo de correntes estacionrias ou Eletrocintica

A dissipao de correntes de surto na terra pode ser modelada pelas Equaes de Maxwell
da Teoria Eletromagntica [2][3]. Limitando a anlise ao campo de correntes estacionrias, o
problema tridimensional associado distribuio de corrente eltrica num meio condutor de volume
semi-infinito pode ser formulado como:

E =0, (3.1)
J =0, (3.2)
J =[] E, (3.3)

sendo [] o tensor de condutividade desse meio, J o campo vetorial densidade de corrente eltrica,
que descreve o movimento de cargas eltricas nas vizinhanas de um ponto x =(x,y,z) de , e E o
campo eltrico.
12
3. Regime Estacionrio
No regime estacionrio, por definio, a quantidade de carga no varia em cada ponto. Ento a
(3.2) representa uma lei de equilbrio em , conhecida como equao da continuidade, ou seja, uma
lei de conservao que expressa a indestrutibilidade de carga.
A relao constitutiva (3.3) a forma generalizada da Lei de Ohm e estabelece uma relao
entre a densidade de corrente e o campo eltrico a cada ponto x em termos do tensor de
condutividade []. Se o meio em questo for homogneo, o tensor de condutividade constante. Se
o meio isotrpico, o tensor substitudo por uma condutividade escalar .
A equao de Maxwell (3.1) prev um campo eltrico irrotacional para o regime estacionrio,
de modo que deve existir um potencial escalar eltrico V, tal que:

E =V. (3.4)

Aps substituio de (3.4) em (3.3) e (3.2), chega-se ao seguinte problema de contorno na
regio condutora:

([]V) =0 em , (3.5)
V =V
0
em
D
, (3.6)
J =0, ou V =0, em n n
N
, (3.7)

em que
D

N
= = corresponde fronteira fechada que delimita . A situao pode ser
ilustrada pela Fig. 3.1.
N

x
y
z
n
Fig. 3.1 Problema de contorno regido pela Equao de Laplace (3.5) exibindo fronteiras de Dirichlet e Neumann.

A equao diferencial a derivadas parciais (3.5) que rege o fenmeno corresponde Equao de
Laplace, sujeita s condies de contorno de Dirichlet (3.6) em
D
, que so fronteiras onde o
13
potencial V imposto, e condio de Neumann homognea (3.7) em
N
, que no caso do aterramento
corresponde superfcie do solo, ou seja, onde J tangencial. Isso implica assumir que o semi-
espao relativo ao ar um isolante perfeito. O produto escalar (3.7) fornece o fluxo de carga
eltrica, isto , a quantidade de carga fluindo por unidade de rea e por unidade de tempo na direo
do vetor , vetor unitrio normal externo fronteira n
N
.
Ao problema de contorno dado por (3.5) a (3.7) deve-se ainda acrescentar as condies de
passagem entre dois meios, 1 e 2, de propriedades distintas, como segue (Fig. 3.2):

E
1
= E
1
n
2
e (3.8)
2
n
J
1
=J
1
n
2
em
2
n
1/2
. (3.9)

2

2
n
1
n
1/2

Fig. 3.2 Interface entre dois meios a condutividades diferentes.

De (3.9) se conclui que o componente do campo eltrico normal superfcie de interface entre
dois meios a propriedades distintas sofre uma descontinuidade, ou seja:

1
E
1
=
1
n
2
E
2
, (3.10)
2
n
ou
1
2
2
1
n
n
E
E
. (3.11)
A soluo do problema formulado por (3.5) a (3.7) fornece o potencial escalar eltrico V(x,y,z)
em qualquer ponto arbitrrio em , quando o mesmo submetido uma elevao de potencial V
0

0 relativa ao terra remoto (infinito), onde V =0.
Esse tipo de problema j foi extensiva e rigorosamente estudado e sua soluo pode ser obtida,
por exemplo, pelo Mtodo de Elementos Finitos (MEF). Para se chegar formulao do MEF para
a Eletrocintica pode-se aplicar o Mtodo Variacional ou o Mtodo Residual de Galerkin [2][3]. A
seguir apresentaremos a segunda abordagem.
14

3.3 Formulao do Mtodo de Elementos Finitos na Eletrocintica

Nesta seo o mtodo de elementos finitos ser aplicado soluo do problema de contorno
definido por (3.5) a (3.7). O sistema de equaes algbricas resultante ser obtido atravs da
aplicao do Mtodo Residual de Galerkin [1][2].
O primeiro passo na aplicao do MEF a discretizao do domnio de interesse. Nesse caso
deve-se subdividir o volume em um nmero de pequenos elementos volumtricos; neste trabalho
usaremos hexaedros ou prismas triangulares. Dessa forma a superfcie que delimita o domnio ser
discretizada em tringulos ou quadrilteros.
Fica evidente aqui a necessidade, para a aplicao do MEF ou de qualquer outro mtodo
diferencial, de se efetuar um truncamento do domnio a fim de se poder efetuar a discretizao, pois
o problema de aterramento um problema a fronteiras abertas, ou seja, se estende ao infinito.
Assumir-se- ento que o domnio foi devidamente truncado para que se possa prosseguir com a
anlise. Detalhes acerca das tcnicas utilizadas para esse truncamento sero abordados no Captulo
5.
Uma vez discretizado o volume, aproxima-se a funo incgnita no interior do elemento V por
uma funo V que dever ser escrita na forma:

(
1
( , , ) ( , , ) , ,
nn
e e e e
j j
j
V x y z V x y z V N x y z
=
=

, (3.12)

sendo nn o nmero de ns do elemento, N
j
e
(x,y,z) a funo de forma do elemento e associada ao n j
e V
j
e
a funo no n j. Quando se substitui a funo aproximadora dada por (3.12) em (3.5), o erro
residual associado se escreve como:

r =([]V ) , (3.13)

e a integral do resduo ponderado, ou equao residual de Galerkin, para um n de um elemento
genrico e de volume
e
fica:

e
e e
i i
R N r d
=

, i =1, 2, ...,nn. (3.14)
15

Substituindo (3.13) em (3.14) resulta:

[ ]
(
e
e e e
i i
R N V d
)
d
g
. (3.15)

O til foi omitido da funo aproximadora de (3.12) por simplificao, j que no se utilizar
mais, a partir de agora, a funo original V. Aplicando a regra da cadeia, teorema da divergncia e
teorema de Green, chega-se a:

[ ] [ ]
e e
e e e e e e
i i i
R N V d N V n

=

, (3.16)

sendo que
e
a superfcie que delimita
e
e , o seu vetor unitrio normal externo. A
substituio de V
e
n
e
por (3.12) conduz equao:

[ ] [ ]
1
e e
nn
e e e e e e e
i j i j i
j
R V N N d N V n d
=

=

, (3.17)

que pode ser escrita na forma matricial como:

{R
e
} = [K
e
]{V
e
} {g
e
}.

Somam-se ento a contribuio dos resduos de todos os elementos do domnio (processo
comumente chamado de assemblagem), originando:

{ } { } [ ]{ } { }
1
NE
e
e
R R K V
=
= =
, (3.18)

em que NE o nmero total de elementos, {V} o vetor com o potencial nos ns da malha de
elementos finitos.
Igualando-se a zero os resduos para cada n da malha de elementos finitos, a equao residual
de Galerkin para a Eletrocintica fica:

16
[ ] [ ] 0
i i
N V d N V nd

=

, (3.19)

e chega-se ao seguinte sistema de equaes algbricas:

[K] {V} = {g}, (3.20)

em que os termos genricos de [K] e {g} so dados por:

[ ]
e
e e
ij i j
K N N
(3.21)
e
[ ]
e
e e e
i i
g N V n d
. (3.22)

No interior do domnio os termos relativos a g
i
se anulam, dois a dois, a cada interface entre
dois elementos [1][2], restando apenas a fronteira externa do domnio, =
D

N
. Em
N
esse
termo nulo de acordo com (3.7) e
D
uma fronteira de Dirichlet, onde a funo conhecida,
portanto o resduo j nulo e no necessita ser minimizado; nessas condies a funo peso, N
i
,
pode ser considerada nula nessa fronteira. Assim, o sistema de equaes algbricas se escreve:

[K] {V} = {0}. (3.23)

Esse sistema singular; sua soluo s possvel aps a aplicao das condies de contorno de
Dirichlet, ou seja, a imposio de um potencial conhecido V
0
0 em ao menos um ponto do
domnio.
Num sistema de aterramento isso corresponde a se atribuir um potencial diferente de zero no
ponto de defeito, ou seja, no ponto onde a corrente de surto injetada, e zero nas fronteiras remotas
do domnio, onde o mesmo foi truncado. Esse ponto coincide sempre com a extremidade de um dos
eletrodos da malha de terra. Isso corresponde a um sistema alimentado por fonte de tenso. No
entanto, esse valor em geral desconhecido; o que se conhece o valor da corrente I que entra pelo
ponto de defeito, ou seja, o sistema alimentado por fonte de corrente. A situao ilustrada na
Fig. 3.3.
17

Os trabalhos apresentados at ento, relativos aplicao do MEF para o problema de
aterramento, utilizam-se dessa abordagem, ou seja, resolvem a (3.23) impondo-se uma tenso
qualquer U diferente de zero ao domnio [30 a 33], no ponto de defeito indicado na Fig. 3.3. Em
seguida calculam a corrente total I do domnio e fazem uma correo da soluo, {V} para a
corrente real de defeito I, para se obter a soluo real corrigida {V}, como segue:

{ } { } '
'
I
V V
I
= . (3.24)

Essa abordagem no ser adotada neste trabalho, que ser alimentado em corrente diretamente,
o que elimina duas etapas: o clculo de I e a correo (3.24). Com isso espera-se, alm de
simplificar a implementao eliminando essas duas etapas, conseguir um ganho em preciso, j que
em [32] a corrente I calculada via integral de superfcie, ou seja:

nd I
. (3.25)

Para isso necessrio escolher uma superfcie para se efetuar a integrao, o que
numericamente compromete a preciso no clculo da corrente, que fica dependente da escolha dessa
superfcie [9][13].
Para que o sistema de aterramento seja alimentado por uma fonte de corrente, ao invs de uma
fonte de tenso, no se pode utilizar o sistema de equaes (3.23). Deve-se retomar (3.20).
Reescrevendo o termo genrico (3.22) do vetor {g} como:

ponto de defeito
U
I
eletrodo
(a) (b)
Fig. 3.3 Modelo de sistema de aterramento alimentado em tenso (a) e em corrente (b).
18

[ ]
e e
e e e e e e
i i i
g N V n d N n d

= =

J
I =
, (3.26)

sendo que J a densidade de corrente, observa-se que a superfcie
e
, onde deve ser aplicada a
corrente de surto, no corresponde a uma superfcie do tipo
D
, nem
N
. No caso do sistema de
aterramento essa superfcie
e
corresponde seo do eletrodo de passagem da corrente I de
defeito, conforme ilustrado na Fig. 3.4. Trata-se de uma superfcie com condio de Neumann no
homognea. No caso da seo
e
da Fig. 3.4,
e
=
PD
e a integral de (3.25) numericamente igual
corrente eltrica I que atravessa essa seo [5].

PD
I
Fig. 3.4 Seo (
PD
, Ponto de Defeito) de eletrodo de terra onde injetada corrente I.

No caso especfico do problema estudado, quando o mesmo resolvido pelo MEF ou qualquer
mtodo numrico, comum, e at desejvel, modelar os eletrodos por elementos unidimensionais,
pois em geral seu dimetro desprezvel face ao seu comprimento. Este trabalho adotar essa
aproximao que ser melhor detalhada no Captulo 5. Nessas condies a seo do eletrodo se
reduz a um ponto, ou n da malha de elementos finitos que corresponde ao ponto de defeito, como
segue:

e PD
e e e
i i
g N n d
=
=
J . (3.27)

A (3.27) ser diferente de zero somente para i igual ao ponto, ou n, de injeo de corrente, ou
ponto de defeito. O sistema de equaes algbricas nessas condies fica:

[K] {V} = {I}. (3.28)
19
A soluo desse sistema fornece o valor do potencial eltrico a cada n da malha de elementos
finitos. Para obter o potencial em outros pontos que no os ns, utiliza-se a (3.12).
Pode-se notar que a matriz [K] para a Eletrocintica tem dimenso de condutncia, G (), e como
conseqncia o produto [K]{V} tem dimenso de corrente, I (A), conforme verificado em (3.27).

3.4 Soluo do sistema linear de equaes algbricas

A matriz [K] de (3.28) real, simtrica, esparsa (com elevado grau de esparsidade), de ordem
elevada para problemas tridimensionais, podendo apresentar mal-condicionamento numrico
dependendo das caractersticas fsicas e geomtricas do problema, bem como da qualidade da
malha. A soluo do sistema (3.28) eficientemente realizada atravs de mtodos de soluo
iterativos, como por exemplo, o ICCG: Incomplete Cholesky Conjugate Gradient, ou seja, Mtodo
de Gradientes Conjugados pr-condicionado por decomposio incompleta de Cholesky [11], que
ser utilizado neste trabalho e foi implementado na biblioteca LMAGLIB [7]. Considera-se que a
convergncia foi atingida quando o resduo menor que 10
-4
.

3.5 Clculo de grandezas globais

A partir da soluo de (3.28), isto , do potencial escalar eltrico, possvel determinar o campo
eltrico em cada elemento do domnio, a densidade de corrente, a potncia dissipada por efeito
J oule como o somatrio das potncias dissipadas em cada elemento e por fim uma resistncia
equivalente do dispositivo.
O campo eltrico em cada elemento obtido a partir do potencial escalar eltrico por (3.4),
sendo que V dado em funo dos potenciais nos ns do elemento conforme (3.12), resultando em:

[ ]{ }
1 1
nn nn
e e e
j j j j
j j
V N V N V N
= =

= = = =

E
e e
V . (3.29)

A densidade de corrente obtida por:

[ ] [ ]
[ ]{ }
e
V N = = J
e e
V . (3.30)
20

A potncia dissipada em cada elemento pode ser calculada na sua forma contnua como
[17][9][30]:

e
e T
P
E J d
e
e
, (3.31)
ou
[ ]
[ ]
[ ] { } { }
e
T
e e T e e
P V N N d V
, (3.32)
ou ainda

{ } [ ]{ }
e e T e
P V K V = .

A potncia dissipada total no domnio se calcula como:

1
NE
e
e
P P
=
=

,

em que NE o nmero total de elementos do domnio. A resistncia equivalente pode ento ser
calculada por:

2
U
R
P
= , (3.33)

sendo que U a diferena de potencial qual o dispositivo est submetido, ou seja,

U = V
a
V
b
,

em que V
a
e V
b
so potenciais conhecidos, impostos ao domnio (condies de Dirichlet), para o
caso de alimentao em tenso. No caso do sistema ser alimentado em corrente de valor I, tem-se:

2
P
R
I
= . (3.34)
21

3.6 Resumo

Neste Captulo foi apresentada a formulao em potencial escalar eltrico do mtodo de
elementos finitos nodal para o problema de conduo eltrica no regime estacionrio
Eletrocintica que regido pela equao de Laplace. Uma vez que o problema alimentado em
corrente, I (corrente de surto), a excitao introduzida na formulao atravs de uma condio de
Neumann no homognea. Foi apresentado tambm o clculo da resistncia equivalente de
aterramento.
No Captulo 4 ser abordada a formulao AV (potencial vetor magntico/potencial escalar
eltrico) do MEF de aresta no domnio da freqncia.

22

Captulo 4

Regime Harmnico

4.1 Introduo

Este Captulo apresenta a formulao matemtica utilizada na resoluo do problema de
aterramento no regime harmnico, ou regime permanente senoidal.
A soluo desse problema de interesse para a determinao da resposta transitria dos
sistemas de aterramento a correntes de excitao impulsivas, como por exemplo, surtos de manobra,
descargas atmosfricas, curto fase-terra. A excitao impulsiva deve ento ser decomposta em seus
componentes harmnicos de Fourier por uma FFT. Em seguida determina-se a resposta a cada um
dos componentes harmnicos do espectro e, de posse desses valores, efetua-se a FFT inversa para
achar a resposta transitria. Este trabalho se limitar a determinao da resposta aos componentes
harmnicos, ou seja, o regime senoidal.
Ser apresentada a formulao hbrida nodal-aresta em dois potenciais: potencial vetor
magntico A e potencial escalar eltrico V, sem imposio da divergncia de A. Esta formulao
tem se mostrado muito robusta e tem sido aplicada a uma vasta gama de problemas em
eletromagnetismo, seja em baixas, seja em altas freqncias. Suas vantagens sobre a formulao A-
V nodal pura j foram exaustivamente relatadas na literatura [1 a 4].
O espectro de freqncias de um surto de corrente chega a algumas dezenas de MHz. Na grande
maioria dos casos, e para a maior parte das freqncias do espectro, o problema tem natureza
predominantemente difusiva [48]. Entretanto, para correntes impulsivas com tempo de subida muito
curto, e dependendo das dimenses eltricas e caractersticas fsicas do domnio, pode ser
necessrio resolver a equao de onda no homognea, ainda que a atenuao no solo seja elevada.
Nesta seo ser ento apresentada a formulao A-V para a equao de onda, configurando um
problema determinstico. Detalhes relacionados s particularidades do problema de aterramento,
23
4. Regime Harmnico
como o truncamento do domnio e a modelagem dos eletrodos, bem como as hipteses adotadas,
sero abordados no Captulo 5.

4.2 Equaes de Maxwell no regime harmnico e equao da onda
vetorial

As equaes de Maxwell no regime harmnico se aplicam quando os campos possuem variao
senoidal no tempo, de freqncia angular . Nessas condies, pode-se adotar a notao complexa
fasorial, e as equaes so dadas por [1]:

= J (Lei de Ampre), (4.1)
E = jB (Lei de Faraday), (4.2)
D = (Lei de Gauss eltrica), (4.3)
B =0 (Lei de Gauss magntica), (4.4)
J =0 (Equao da continuidade), (4.5)

em que se omitiu por simplicidade o termo e
jt
. A notao para os campos de valor complexo no
se distinguir daquela usada para os campos estacionrios do Captulo 3, j que no sero usados ao
mesmo tempo.
Os campos vetoriais H e E representam, respectivamente, os campos magntico e eltrico e B e
D, as densidades de fluxo magntico e eltrico; representa uma densidade volumtrica de cargas e
J corresponde ao campo vetorial densidade de corrente eltrica total que compreende trs parcelas:
densidade de corrente eltrica impressa, devido a fontes de corrente externas, J
0
, densidade de
correntes parasitas, ou induzidas, em meios condutores, J
i
, e densidade de correntes de
deslocamento, J
d
, ou seja:

J = J
0
+ J
i
+ J
d
, (4.6)
em que
J
d
=jD (4.7)
e assume-se que
J
0
=0. (4.8)
Ento
24
4. Regime Harmnico
(J
i
+ J
d
)=0. (4.9)

s equaes acima se somam as relaes constitutivas:

H = [] B, (4.10)
J
i
= [] E, (4.11)
D

=[] E. (4.12)

em que [] um tensor de relutividade magntica, igual a []
-1
(tensor de permeabilidade
magntica), [] um tensor de condutividade eltrica e [] um tensor de permissividade eltrica.
Aps manipulao de (4.6), (4.9) e (4.10) chega-se a:

J = J
0
+ [ ] E. (4.13)

Em (4.11) se definiu um tensor complexo com dimenso de condutividade, [ , como sendo: ]
[ ] =[]+j[]. (4.14)

Aps um rearranjo das equaes (4.1) a (4.14) chega-se seguinte equao diferencial a
derivadas parciais, correspondente equao de onda vetorial no homognea em termos de E:

[ ]
[ ]
0
j + = E E j J . (4.15)

Para que (4.15) tenha soluo nica, necessrio impor as condies de contorno associadas ao
problema, alm das condies de interface entre dois meios distintos. No ltimo caso, os campos
vetoriais devem satisfazer s seguintes condies de continuidade entre dois meios com interface
12
, de vetor normal unitrio : n

n (E
1
E
2
) =0 (4.16)
n (D
1
D
2
) =
s
(4.17)
n (H
1
H
2
) =J
s
(4.18)
n (BB
1
B
2
) =0, (4.19)

25
4. Regime Harmnico
em que
s
e J
s
representam, respectivamente, uma densidade superficial de carga e uma densidade
de corrente superficial, presentes na interface
12
.
Alm das condies acima, quando o domnio a fronteiras abertas, ou seja, suas dimenses se
estendem ao infinito, deve-se ainda especificar alguma condio de contorno adequada de modo
que o problema apresente soluo nica. Tal condio normalmente do tipo de radiao ou
absorvente. Neste trabalho se adotar uma abordagem que utiliza o conceito de materiais
absorvedores fictcios (PML), o que ser detalhado no Captulo 5. De maneira genrica,
considerando que o domnio de estudo, , foi devidamente truncado (o que necessrio para a
aplicao do MEF), e sua superfcie externa , deve-se, adicionalmente, para garantir a unicidade
da soluo, impor:

E = n
t
em
E
(4.20)
e
H = n
t
H em
H
, (4.21)
em que
E

H
=,

e
t
e
t
H representam os componentes tangenciais de E em
E
e H em
H
, respectivamente.

4.3 Formulao em dois potenciais: potencial vetor magntico A e
potencial escalar eltrico V

Na seo anterior apresentou-se sucintamente o equacionamento para se chegar ao problema de
contorno regido pela equao de onda vetorial no homognea (4.15), que foi expressa em termos
do vetor campo eltrico E.
Devido s caractersticas do campo vetorial E (assim como dos demais vetores de campo), o
MEF de aresta, ou MEF vetorial, parece ser ideal em problemas onde esse vetor a incgnita.
Em problemas de autovalores (quando se procura determinar os modos de propagao), caso do
problema regido pela equao de onda homognea, o MEF de aresta de fato muito eficiente.
Entretanto, quando o problema no homogneo, a aplicao do MEF de aresta ao problema
formulado em termos de E (ou H) conduz a sistemas matriciais indefinidos e mal-condicionados,
26
4. Regime Harmnico
resultando em convergncia lenta, ou mesmo no convergncia, ao se usar mtodos iterativos de
soluo, como o ICCG, por exemplo, que em geral o mais utilizado.
Quando a ordem do sistema de equaes no muito elevada pode-se utilizar mtodos diretos
de soluo como alternativa. Nesses casos a formulao em campo eltrico, E, apresenta excelente
desempenho. No entanto, pode haver certas configuraes em aplicaes prticas que envolvem
estruturas eletricamente grandes, com caractersticas no homogneas ou geometria complicada que
podem exigir discretizao refinada, o que conduz inevitavelmente a sistemas de ordem elevada,
podendo tornar proibitivo o custo computacional de mtodos diretos. Nessas situaes os mtodos
iterativos comeam a ficar atrativos, seno indispensveis, mas a convergncia lenta desses
mtodos, quando aplicado ao problema formulado em termos de E, torna-se tambm um entrave.
Como alternativa formulao em campo eltrico pode-se usar ento a formulao em dois
potenciais, A-V (potencial vetor magntico e potencial escalar eltrico), que reduz substancialmente
o nmero de iteraes do ICCG na soluo do sistema de equaes, mantendo o mesmo nvel de
preciso. Como efeito colateral tem-se o aumento da ordem do sistema pelo acrscimo da incgnita
adicional referente ao potencial escalar. No entanto, essa formulao com elementos finitos de
aresta tem se mostrado extremamente robusta em uma vasta gama de problemas eletromagnticos,
em vrios nveis de freqncia, tanto de autovalores quanto determinsticos.
Ser apresentada ento a formulao A-V ungauged, ou seja, sem imposio de condio sobre
a divergncia de A [4][6].
Escrevem-se ento os vetores de campo em termos dos potenciais A e V, como segue:

B = A (4.22)
e
E = jAV, (4.23)

conduzindo ao problema de contorno transformado [6], dado por:

[ ]
[ ]( )
0
j V + + = A A J (4.24)
em ,
A =( n
t
)/j (4.25) n
e
V = V
0
(4.26)
em
E
,
27
4. Regime Harmnico
([]A) = n
t
H (4.27) n
em
H
.

O problema discreto, correspondente a (4.24) a (4.27), consiste em achar a soluo A-V para a
seguinte Equao Residual de Galerkin:

[ ]
[ ]( )
( )
0
H
i i i t
i
d j V d = n
d

+ + +

w A w A w H
w J
d
, (4.28)

em que w
i
representa uma funo peso vetorial do mtodo de resduos ponderados, que escolhida
no mtodo de Galerkin como sendo igual funo de forma vetorial do mtodo de elementos finitos
de aresta [1][2].
A condio (4.26) permite a imposio de uma tenso a um condutor, por exemplo. Entretanto,
nas equaes acima no possvel se determinar de forma nica o potencial vetor A, embora B e E
sejam nicos. Para tanto, seria necessria a imposio da sua divergncia, por exemplo, atravs da
condio de Coulomb:

A =0. (4.29)

Como o objetivo o clculo de E, em princpio (4.28) no seria necessria, mas o fato de A no
ter soluo nica faz com que a matriz do sistema de equaes algbricas seja singular. No entanto,
ela definida positiva, o que torna possvel a soluo do sistema via mtodos iterativos, desde que o
lado direito de (4.28) seja consistente (a divergncia de J
0
, bem como a de
t
H , seja
numericamente nula). Alm disso, a formulao sem a condio (4.29) conduz a uma melhor
preciso numrica do que quando se impe essa condio [4].
n
De modo a se obter um sistema de equaes simtrico, reescreve-se (4.28), mas desta vez para
um conjunto restrito de funes de ponderao N
i
em que as N
i
so escolhidas como sendo as
funes de forma escalares do MEF nodal. Adicionalmente faz-se a seguinte mudana de varivel:

V =j v, (4.30)

28
4. Regime Harmnico
resultando em
[ ]
[ ]( )
( )
0
H
i i i t
i
d j v d = n
d

+ + +

w A w A w H
w J
d
, (4.31)
[ ]( )
( )
H
i
N j v d = N n d

+

A
i t
H
dS
. (4.32)

J foi mencionado no captulo anterior que no problema de aterramento a excitao dificilmente
dada em termos de uma densidade de corrente. O que se conhece a corrente total I qual est
submetido o sistema. Isso possibilita a eliminao da segunda integral do lado direito da equao
vetorial (4.31), mas a excitao precisa ento ser contemplada de alguma maneira.
Adota-se aqui a mesma abordagem utilizada no Captulo 3, ou seja, a excitao introduzida
atravs de uma condio de Neumann no homognea na equao escalar (4.32). Para tanto,
necessrio alguma manipulao na (4.32) a fim de se introduzir uma condio do tipo:

S
I n =
J . (4.33)

Tomando-se a integral de superfcie em
H
do lado direito de (4.32), pode-se desmembr-la em
duas parcelas, como segue:

( ) ( ) ( )
PD PD
H H
i t k t i t
N n d N n d N n

= +

H H d H
nd
, (4.34)

sendo
PD
a seo do eletrodo correspondente ao ponto de defeito, ou ponto de injeo de corrente
I. Denominando J
PD
a densidade de corrente que atravessa a seo transversal do eletrodo
PD
, tem-
se que,

PD
PD
I J , (4.35)

e aps manipulao algbrica da primeira integral do lado direito de (4.34) (fazendo uso de (4.1) e
identidades vetoriais), chega-se a:

29
4. Regime Harmnico
( )
PD PD
k t k PD
N n d N J n d H

= =

I , (4.36)

pois se admitiu que a seo
PD
do eletrodo se reduz a um n da malha de elementos finitos, quando
se adota a mesma hiptese apresentada no Captulo 3 para a modelagem dos eletrodos. Tem-se
assim:

[ ]
[ ]( )
( )
H
i i i
d j v d = n

+ +

w A w A w H
t
d , (4.37)
[ ]( )
( )
PD
H
i
N j v d = I N n d

+ +

A
i t
H
)
d
)
. (4.38)

Substituem-se ento os potencias A e v por suas formas aproximadas, como segue:

( ) (
1
, , , ,
na
e e
i i
i
x y z a x y z
=
A w , (4.39)

em que os w
i
s representam as funes de forma vetoriais do MEF de aresta, na o nmero total de
arestas de um elemento e o parmetro a
i
a integral de linha de A sobre a aresta i do elemento, ou
seja,

i
i
a =
A . (4.40)

O potencial escalar v (integral no tempo de V) expandido em funes de forma escalares
nodais, como:

( ) (
1
, , , ,
nn
e e
i i
i
v x y z v N x y z
=
, (4.41)

em que o parmetro v
i
valor do potencial v no n i do elemento.
Substituindo (4.39) e (4.41) nas equaes residuais de Galerkin referente a cada elemento e aps
efetuar a assemblagem, resulta o seguinte sistema matricial complexo e simtrico:
30
4. Regime Harmnico
0
A Av A
T
v
Av v
M M a r
v
M M

= +

I
r
n
j d
n
D
, (4.42)

cujos termos so dados por

[ ]
[ ]
[ ] [ ] [ ][ ]
mn
T T
A m n m
M
= +
w w w w , (4.43)
[ ] [ ][ ]
mn
t
Av m n
M j N d
w , (4.44)
[ ] [ ][ ]
mn
t
v m
M j N N d
, (4.45)
para
para
0
m
m PD
=
I m P
=
= =
I , (4.46)
( )
m
H
A m t
r = n d
w H , (4.47)
( )
m
PD
H
v i t
r = N n d

H . (4.48)

Como j mencionado, o sistema (4.42) singular, porm definido semi-positivo; portanto sua
soluo possvel via ICCG desde que o seu lado direito seja consistente, o que conseguido
atravs da adequada atribuio de condies de contorno. Este tpico ser tratado em detalhes no
Captulo 5.
A soluo desse sistema fornece o valor do potencial eltrico a cada n da malha de elementos
finitos a partir de v, aps se efetuar a correo (4.30). Para obter o potencial em outros pontos que
no os ns, utiliza-se a (4.41). J o potencial vetor A se obtm a partir da soluo {a} por (4.39).

4.4 Soluo do sistema linear de equaes algbricas

A matriz (4.42) a coeficientes complexos, simtrica, esparsa e de ordem elevada, podendo
apresentar mal-condicionamento numrico dependendo das caractersticas fsicas e geomtricas do
problema, da qualidade da malha e da freqncia. A soluo do sistema eficientemente realizada
atravs de mtodos de soluo iterativos, como por exemplo, o algoritmo SICCG (Shifted ICCG) na
31
4. Regime Harmnico
sua verso complexa [11], que a utilizada neste trabalho e foi implementado na biblioteca
LMAGLIB [7]. Considera-se que a convergncia foi atingida quando a norma do resduo inferior
a 10
-4
. O fator de acelerao, ou shift , utilizado foi de 1,1.

4.5 Clculo de grandezas globais

A partir da soluo de (4.42), possvel determinar o campo eltrico em cada elemento do
domnio, a densidade de corrente, a potncia complexa, energias eltrica e magntica armazenadas e
finalmente uma impedncia equivalente do dispositivo.
O mtodo usado para se construir a aproximao de A e V em cada elemento atravs de
interpolao usando funes de forma de aresta vetoriais e escalares nodais, respectivamente,
permite a obteno do campo eltrico E no elemento sem diferenciao numrica, como mostrado a
seguir. Expande-se o campo eltrico em funes de forma vetoriais associadas s arestas do
elemento, como em (4.39):

( ) (
1
, , , ,
na
e e
i i
i
x y z e x y z E w
=
)
d
)
m
, (4.49)

sendo que e
i
a integral de linha de E ao longo da aresta i, ou seja,

i
i
e d =
E . (4.50)

Substituindo (4.23) e (4.30) em (4.50), chega-se a:

i
i i i
e dl j v d j = =

E A ,
ou
(
i i n
e j a v v = + , (4.51)

em que a aresta i delimitada pelos ns m e n e tem a direo mn.
A potncia complexa UI* em pode ser calculada na sua forma contnua como [17][9]:

32
4. Regime Harmnico
*
( )
T
UI V d
*
J
. (4.52)

O termo V corresponde a um campo eltrico externo aplicado ao volume do dispositivo, ,
calculado por:

(
1
na
i n m
i
V j v j v v w
=
= =
)
e
, (4.53)
desde que a condio
B =0 (4.54) n
se verifique em , fronteira externa de [17].
A densidade de corrente em cada elemento pode ser calculada a partir de (4.13) e (4.49) como
segue:

[ ] [ ] [ ]
[ ]{ }
1
na
e e e
i i
i
e J E w w
=

= = =
, (4.55)
e
[ ]
[ ]
{ } * *
e
e J w = *
*
. (4.56)

Substituindo (4.56) e (4.53) em (4.52) chega-se a:

{ }
[ ]
[ ]
[ ]
{ }
1 1
* * *
e
NE NE
T
e
T
n m
e e
UI UI j v v d e
= =

= =

w w . (4.57)

As energias magntica e eltrica armazenadas em cada elemento se calculam a partir de [9]:

2
Re *
e
T
LI d
A J , (4.58)
ou
{ } [ ]
[ ]
[ ]
{ }
2
1
Re * *
e
NE
T T
e
LI a d e
=
w w , (4.59)
e
33
4. Regime Harmnico
2
1
Im *
e
T
I
C
E J d
, (4.60)
ou
{ } [ ]
[ ]
[ ]
{ }
2
1
1
Im * *
e
NE
T T
e
I e d
C
=
w w e

. (4.61)

De (4.57), (4.59) e (4.61) pode-se enfim calcular a impedncia complexa equivalente do
dispositivo, , e os parmetros R, L e C do circuito srie equivalente alimentado em corrente I,
como:

*
*
UI
Z
I I
=
, (4.62)

R =Re{}, (4.63)

2
*
LI
L
I I
=
(4.64)
e
2
*
1
I I
C
I
C

. (4.65)

4.6 Resumo

Neste Captulo foi apresentada em linhas gerais a formulao do mtodo de elementos finitos de
aresta em dois potenciais, A-V, sem imposio de divergncia de A, para a soluo da equao de
onda no homognea no regime harmnico. A excitao foi na forma de uma condio de Neumann
no homognea. Essa formulao ser usada na simulao do sistema de aterramento quando este
est sujeito a uma corrente de surto, cujo espectro de freqncias pode atingir a faixa de dezenas ou
centenas de MHz. Foi apresentado tambm o clculo da impedncia equivalente complexa do
sistema de aterramento a partir da soluo numrica do MEF. O Captulo 5 abordar aspectos
particulares da aplicao das formulaes esttica (Captulo 3) e dinmica do MEF ao problema de
aterramento eltrico.
34

Captulo 5

Aspectos de Implementao do Mtodo de Elementos
Finitos para o Problema de Aterramento

5.1 Introduo

Neste captulo sero abordados aspectos particulares da implementao do mtodo de elementos
finitos, nodal e de aresta, que foram aplicados para o problema especfico do aterramento eltrico.
Tais aspectos esto relacionados representao dos eletrodos da malha de aterramento, onde se
encontra uma das contribuies originais deste trabalho; ao truncamento do domnio e s hipteses
adotadas para as condies de contorno do problema com vistas a se reduzir o custo computacional
da ferramenta pelo enxugamento do tamanho do sistema.

5.2 Modelagem dos eletrodos elementos filiformes em regime
estacionrio e harmnico

A aplicao MEF prev a subdiviso do domnio de estudo em subdomnios, os elementos
finitos, sendo que essa discretizao deve respeitar as interfaces entre regies a materiais distintos.
Alm disso, ela deve ser to densa quanto maior for a variao esperada da grandeza incgnita:
potencial, campo ou ambos. Entretanto, quando o domnio ou parte dele apresenta contrastes muito
grandes entre uma dimenso e as demais, a quantidade de elementos e, portanto, a ordem do sistema
de equaes, podem tornar o custo computacional da soluo proibitivo, quando no invivel.
Esse caso, por exemplo, do problema de aterramento em que os eletrodos, que so partes
integrantes do domnio, possuem geometrias com imenso contraste entre suas dimenses. So
35
5. Aspectos de Implementao do Mtodo de Elementos Finitos para o Problema de Aterramento
constitudos, em geral de barras condutoras cilndricas cujo comprimento da ordem de metros,
enquanto seu dimetro da ordem de milmetros, ou seja, a relao comprimento/dimetro quase
sempre excede a cifra de 10
4
. A discretizao em volume de tal estrutura conduziria a um nmero
proibitivo de ns, alm de produzir uma quantidade considervel de elementos de m qualidade.
J untando-se a isso o fato de existir ainda um contraste enorme entre as propriedades fsicas dos
eletrodos e do meio circundante, o solo, o sistema originado apresentaria pssimo condicionamento
numrico, a sua soluo invariavelmente se tornaria invivel do ponto de vista prtico. Tal
empreitada foi tentada em [35] e encerrou-se a, uma vez que no h outro registro similar na
literatura pertinente.
O ideal ento seria poder representar os eletrodos como segmentos de reta, cuja rea se
degeneraria em um n da malha de elementos finitos, viabilizando assim a discretizao e a
modelagem desse problema pelo MEF. o que tem sido feito desde a primeira vez em que se
props a aplicao dessa tcnica [30 a 34].

5.2.1 Elemento unidimensional na Eletrocintica

Para se modelar os eletrodos como elementos filiformes unidimensionais (1D) algumas
condies devem ser satisfeitas. De acordo com [57], essa hiptese aplicvel desde que r
E
<<l ,
ou mais especificamente, 10
E
l
r
> . Alm disso, assume-se que a corrente eltrica I circula apenas
na direo tangencial ao comprimento do eletrodo. Dessa maneira, parte-se da equao residual de
Galerkin para a Eletrocintica (3.19):

[ ] [ ] 0
i i
N V d N V nd

=

,

e desmembram-se as integrais em duas partes distintas, uma relativa regio definida pelos
eletrodos e outra definida pelo solo. A (3.19) fica ento:

[ ] [ ] [ ] [ ]
/
0
S E PD E S
i i i i
N V d N V d N V nd N V nd

+ =

, (5.1)

em que ,
S E
=
PD
a seo com o ponto de defeito (onde a corrente injetada) e
E/S
a
interface entre eletrodo e solo.
36
Nas formulaes convencionais de elemento 1D [34], anula-se a integral de superfcie
E/S
em
(5.1), uma vez que, como mencionado acima, para se permitir a adoo dessa hiptese a corrente
deve fluir unicamente na direo paralela ao comprimento do eletrodo. Isso implica desprezar a
corrente radial que sai do condutor, pois se considera que ela desprezvel face corrente axial, j
que a condutividade da ordem de 10
8
-10
9
maior que a do solo. Nessas condies, (5.1) fica:

[ ] [ ] [ ]
S E PD
i i i
N V d N V d N V nd

+ = =

I
i S
dz
, (5.2)

em que se preservou apenas o termo de superfcie relativo ao ponto de defeito, para permitir a
excitao em corrente, I, como descrito no Captulo 3.
Assumindo-se ento as hipteses S >>l para o volume dos eletrodos
E
e corrente somente na
direo axial, a segunda integral do lado direito de (5.2) fica:

[ ]
0
E
z l
i
z
N V d S N V
=
=
=

, (5.3)

em que o tensor de condutividade foi substitudo pela condutividade escalar do eletrodo; S a seo
do eletrodo, l seu comprimento e N
i
, nesse caso representa a funo de forma do elemento
unidimensional. Quando o domnio subdividido em elementos finitos, l representa na realidade o
comprimento dos elementos 1D.
A (5.3) possui soluo analtica simples que, para elementos de primeira ordem corresponde a:

[ ]{ }
=
=

= =

0
z l
z z m
i E
z z n
z
G G V
S N V dz G V
G G V
. (5.4)

Na (5.3) o coeficientes G
z
representam a condutncia de um elemento 1D, cujo valor dado
por:
z E
S
G
l
= . (5.5)

A formulao (5.2) em que os elementos 1D so representados como em (5.4) ser denominada
MEF1, a fim de distingui-la daquela que ser apresentada a seguir, denominada MEF2.
37

5.2.2 Elemento unidimensional com salto de potencial (Eletrocintica)

A formulao do item 5.2.1 despreza o componente radial da corrente que flui do condutor. No
entanto, esse componente o que domina o fenmeno, uma vez que a resistncia de aterramento e,
portanto, a elevao de potencial mxima dos sistemas, determinada pela resistncia de contato
entre eletrodo e solo. Tanto verdade que tem sido comum adicionar substncias ao solo,
envolvendo os eletrodos a fim de se reduzir essa resistncia de contato, e em conseqncia o
gradiente de potencial [35][36].
A formulao (5.2) despreza esse fenmeno, o que compromete sobremaneira a sua preciso,
exigindo uma discretizao extremamente refinada para se conseguir resultados satisfatrios. Na
nossa experincia ela tem conduzido a resultados insatisfatrios, mesmo com malhas extremamente
densas, e em conseqncia sistemas de ordem elevada. De acordo com [32], o uso de elementos de
2 ordem seria suficiente para eliminar esse efeito. Entretanto, o seu uso conduz a matrizes mais
densas, o que afeta o tempo para a resoluo do sistema, mesmo para sistemas de ordem mais baixa.
A formulao apresentada a seguir, alm de eliminar as hipteses da anterior, conduz a
resultados de excelente preciso, mesmo com elementos de primeira ordem. Isso torna atrativo o
seu custo computacional, j que a esparsidade da matriz preservada e o grau de refinamento
exigido menor que o da abordagem anterior, o que tem impacto positivo no desempenho da
resoluo.
Outra vantagem que a aproximao unidimensional mantida, ou seja, os eletrodos ainda so
discretizados somente ao longo do comprimento.
Retomando ento a formulao completa (5.1) e preservando o termo em
E/S
, possvel se
levar em conta a corrente radial que flui do eletrodo para o solo. Isso conseguido atravs da
definio de um elemento 1D radial. A integral de superfcie
E/S
, reescrita como:

/ / /
E S E S E S
E E
E S
i E i E i S r
r r r r
V V
N V nd N d N d I
n n
= =

= = =

, (5.4)

em que se utilizou a condio de interface (3.10);
E
e
S
so as condutividades do eletrodo e solo,
respectivamente. Assumindo que o eletrodo tem seo transversal cilndrica, a superfcie
E/S
uma
superfcie cilndrica de um elemento do eletrodo de raio r
E
e comprimento l, conforme
38
esquematizado na Fig. 5.1. I
r
a corrente radial que flui pela interface entre eletrodo e solo de um
elemento 1D.
1 2 3
r
E
z
r
E/S

solo
eletrodo
l
m
m
n
n
G
z

G
r

G
r

(a) (b)
r
E r
E
I

Fig. 5.1 Interface entre eletrodo e solo (a) e esquema da discretizao mostrando elementos 1D radiais, G
r
, e axiais, G
z
(b).

A terceira integral de (5.4) possvel de ser avaliada analiticamente como segue:

/ /
(I)
2
1
, ,
1
E S E S
E E E
E
S S S n
i S S i S E i
r r r r r r
m
S
S E
r r
V V V
N d N d r N dz
n n n
V
r l i m n
n
= = =

=

= =

=

=
, (5.5)

com m, n dados na Fig. 5.1. Resta avaliar o termo (I) de (5.5) que corresponde ao componente
normal da densidade de corrente em
E/S
, o que feito a seguir:

/
E
S
r
S
E S
r r
V
n J
n
=

= = =

J
r
I
. (5.6)

Alternativamente, (I) em (5.5) pode ser escrito como:

E E
S S
S S S
r r r r
V V
n r
= =

=

S
V
r
, (5.7)

39
para Dr suficientemente pequeno, sendo que a direo de n
E/S
paralela direo r do sistema de
coordenadas cilndricos da Fig. 5.1, definido no eixo do eletrodo. Substituindo em (5.5) tem-se:
1 1
1
E
S S
S E S
r r
V V
r l r l
n r
=

=

1
E
. (5.8)

A corrente radial I
r
pode ser expressa como:

r S
r
V
I
R
= = l V , (5.9)

em que R
r
representa uma resistncia no sentido radial, cujo comprimento

Dr =(r
m
r
m
) =(r
n
r
n
), (5.10)

o mesmo de (5.8). Como Dr deve ser suficientemente pequeno, escolhe-se, por exemplo,

Dr =r
E
, (5.11)

pois r
E
deve tender a zero para se permitir o uso da formulao 1D de (5.3). Por outro lado, a
superfcie
E/S
se calcula por:

/
2
E S
E
r l = . (5.12)

Substituindo (5.12) e (5.9) em (5.6), chega-se a:

/
2 2
E
S E
r S S
S S r
E S
r r
E E
V V I l V
n J
r r r l
=

= = = = = =

J
V
r
. (5.13)

Aps substituio de (5.13) em (5.8), tem-se finalmente o termo da integral de superfcie em
E/S
:
1 1
1 1
2
E
S
S
S E
r r
V
r l V
n
=

=

l
, (5.14)
40
onde aparece uma nova incgnita no sistema, V, referente ao salto de potencial naquela interface.
Esses termos, que devem ser somados s linhas m e n do sistema destroem a simetria do mesmo.
Expressa-se ento V, referente ao n m, como:

DV =V
m
V
m
, (5.15)

em que m torna-se um n virtual, suficientemente prximo do novo n criado m, como definido em
(5.10) e (5.11), que passa a ser o n real. O n m denominado virtual porque no aparecer na
malha de elementos finitos; coincidir com o n m.
Como a corrente I
r
sai de m (=I
r
) e entra em m (=I
r
), escreve-se (5.13) para cada um desses
ns (pois o resduo deve ser minimizado na formulao de Galerkin para cada n do domnio),
substituindo-se (5.15) em (5.14), como segue:

( )
( )
2
2
S
m m
S
m m
l
V V
l
V V
. (5.16)

A (5.16) pode ser expressa em forma matricial como:

1 1
1 1
2
m r r
S
m r r
V G G V
l
V G G V

=

m
m
, (5.17)

e dessa maneira a simetria do sistema restabelecida.
Em (5.14), G
r
representa a condutncia do elemento 1D definido pelos ns m e m da Fig.
5.1(b). Como foi mencionado, o n m o n real, enquanto m um n virtual. Dessa forma, os
elementos 1D, definidos pelos ns virtuais m e n e ns reais me n, so elementos com salto de
potencial.
A formulao acima conduzir a um sistema de equaes com nmero maior de linhas que
aquele oriundo da formulao de 5.2.1, mas esse acrscimo ser pequeno, j que o nmero de ns
sobre os eletrodos uma pequena frao do nmero total de ns. Ela ser referenciada no Captulo
6, de Resultados, como MEF2, quando for comparada do item 5.2.1, MEF1.
41

5.2.3 Formulao A-V de aresta com Impedncia Superficial unidimensional

A impedncia superficial de um condutor cilndrico, definida como a relao entre os
componentes tangenciais dos campos E e H apresentada em [18]. Usando um sistema de
coordenadas cilndricas (r,,z) os campos se exprimem como:

( ) ( ) , ,
r r z
E r z u E r z u E = +
z
(5.18)
e
H u

= H , (5.19)

em que se considerou desprezvel o componente azimutal do campo eltrico E
. A impedncia
superficial Z
r
dada por:

z r
E Z H
= , (5.20)

sendo que para r =r
E
, Z
r
vale

( )
( )
0
1
E S
E E
r r r
E E
J r
Z Z Z
J r

= = =

E
E
. (5.21)

Em (5.21) J
0
e J
1
so funes de Bessel, em que J
0
(x)/J
1
(x) j quando x;
E
dado por:

( )
2
E E
j =
S
. (5.22)

A possibilidade de se definir uma impedncia superficial de um meio condutor pressupe a
hiptese de variao unidimensional dos campos nesse meio e, portanto, soluo analtica para
esses campos. No contexto do MEF, a adoo dessa hiptese permite a excluso dessa poro do
domnio de estudo da simulao atravs da sua substituio pela impedncia superficial equivalente.
A seguir ser apresentada a formulao de Galerkin com a incluso da hiptese de impedncia
superficial para os eletrodos, anloga a apresentada em [15,16] para placas condutoras. Retoma-se
ento a (4.37) a (4.38) acrescentando-se o termo de integral de superfcie para a interface
E/S
:

42
[ ]
[ ]( ) ( )
( )
/
E S
H
i i i
i t
d j v d n d
n d

+ +

w A w A w H
w H
=
(5.23)
e
[ ]( ) ( )
( )
/
E S
PD
H
i i
i t
N j v d N n d = I
N n

+ +

A H
H
d
. (5.24)

As integrais em
E/S
foram retomadas a fim se introduzir a contribuio dos eletrodos, sendo
que as integrais de volume (em ) se restringiro ao solo. Em (5.23) e (5.24), se os campos tm
variao unidimensional nos eletrodos, as integrais em
E/S
tem soluo analtica; pode-se
identificar os termos em H como: n

z
t
r
E
n n H H
Z
= = = = H H , (5.25)

de acordo com (5.20) . Substituindo nos termos de superfcie correspondentes, tem-se que:

( )
/ / /
E S E S E S
z
i i
r
E
n d = H d d
Z

=

w H w w
i
(5.26)
e
( )
/ /
E S E S
z
i
r
E
N n d = N
Z

H
i
d . (5.27)

O componente E
z
paralelo ao comprimento do eletrodo, ou seja:

z
E t = E . (5.28)

Expandindo E em funes de forma vetoriais de aresta, tem-se que:

1
na
j j
j
e
=
=

E w . (5.29)
43
Substituindo em (5.28) e considerando que os eletrodos so representados na malha de
elementos finitos como arestas dos elementos volumtricos, pode-se escrever:

1

na
z j j
j
E t e t
=

= = =
E w
k k
e w , (5.30)

em que k a aresta paralela ao comprimento do eletrodo. Substitui-se ento (5.30) em (5.26) e
(5.27) e integra-se ao longo a superfcie cilndrica
E/S
, conduzindo a:

/
2
E S
z E
i k
r r
l
E r
d
Z Z

w w
k k
dz e w (5.31)
e
/
2
,
E S
z E
i i k
r r
l
E r
N d N dz e i m
Z Z

= =

w ,
k
n , (5.32)

em que m e n so os ns que delimitam a aresta k, com direo mn. Para discretizao em
elementos de primeira ordem as integrais de (5.31) e (5.32) tem soluo analtica, como segue:

1
k k
l
dz
l

=
w w (5.31)
e
,
1
1
1
i k
i m n
l
N dz
l =

, (5.32)

e escrevendo e
k
em termos das incgnitas do problema, ou seja, e
k
=j( a
k
+v
n
v
m
), chega-se a:

( )
/
2 2 2
E S
E E
i k m
r r
r r
n d = j a j v j v
lZ lZ lZ
w H
E
n
r
r
(5.33)
e
( )
/
,
1 1
2 2
1 1
E S
k m
E E
i
k n i m n
r r
a v
r r
N n d = j j
a
lZ lZ =
H
v
. (5.34)
44
Pode-se observar que os termos adicionais de (5.33) e (5.34) preservam a simetria do sistema de
equaes.

5.2.4 Eletrodos como condutores perfeitos Regime Harmnico

A formulao acima pode no ser necessria num amplo espectro de freqncias do fenmeno
estudado. De acordo com [14], a hiptese de se adotar os eletrodos como condutores perfeitos (PEC
Perfect Electric Conductor) deve ser avaliada quantitativamente, o que proposto nessa
referncia, e simplifica sobremaneira a formulao.
De fato, para os exemplos tratados neste trabalho e de acordo com [14] essa hiptese aplicvel
para freqncias a partir de algumas dezenas de kHz. Nesse caso, deve-se impor as seguintes
condies de contorno s arestas que definem os eletrodos (
E/S
):

E =0 (5.35) n
em
E/S
.
A condio de condutor eltrico perfeito, PEC, dada por (5.35), escrita em termos dos
potenciais A-V, como em (4.25) e (4.26), ou:

A =0 (5.36) n
e
V = V
0
=cte. (5.37)

A condio (5.36) do tipo Dirichlet homognea para o componente tangencial do potencial
vetor. De acordo com (4.40) basta impor a
i
=0 s arestas correspondentes aos eletrodos. J a (5.37)
representa uma condio de contorno do tipo flutuante para o potencial escalar, uma vez que o
mesmo deve ser constante na superfcie de um condutor perfeito. Esse valor, no entanto,
desconhecido, pois o sistema alimentado em corrente.
45

5.3 Truncamento do domnio usando Absorvedores Anisotrpicos
Fictcios (PML)

Ao se resolver um problema eletromagntico a fronteiras abertas pelo MEF, a regio mais
externa regio de interesse, que se estende ao infinito, deve ser truncada por uma fronteira
artificial a fim de se limitar o tamanho do domnio computacional. Deve-se ento impor uma
condio de contorno essa fronteira artificial de modo a garantir a unicidade da soluo. Essa
condio de contorno deve tornar a fronteira o mais transparente possvel, ou seja, deve minimizar
reflexes numricas.
No contexto dos sistemas de aterramento, vrias alternativas foram adotadas para se truncar o
domnio numrico discretizado em elementos finitos e baseiam-se, seja na adoo de
transformaes de domnio, em que se mapeia uma regio de dimenses infinitas em outra de
dimenses finitas [30,31,34,35], seja na adoo de formulaes hbridas MEF-MEC (Mtodo de
Elementos de Contorno, ou de Fronteira) [33]. Ambas envolvem formulaes especficas, que
exigiriam alteraes nas formulaes apresentadas at o momento, alm de apresentarem
desvantagens. A primeira se limita a problemas de natureza esttica ou quase esttica, no sendo
adequada em casos onde h efeitos de propagao. A segunda tem a desvantagem de reduzir
substancialmente a esparsidade do sistema de equaes, pois as matrizes geradas pelo MEC so
cheias. A soluo desse sistema hbrido exigiria mtodos de resoluo especficos, aumentando o
custo computacional.
Uma alternativa interessante para o truncamento de problemas regidos a derivadas parciais foi
proposta por Brenger em 1994 [19], que a de truncar o domnio por camadas de materiais
anisotrpicos fictcios absorvedores, denominados PML perfectly matched layers (ou camadas
perfeitamente casadas) [1,26,27].
Uma interface perfeitamente casada uma interface entre dois semi-espaos, sendo que um
deles ao menos tem perdas elevadas, permitindo uma atenuao rpida dos campos incidentes na
direo normal a essa interface. Alm disso, deve garantir a absoro completa desses campos, ou
seja, reflexo nula, para qualquer freqncia, ngulo de incidncia ou polarizao. Com essas
caractersticas um meio ou material como o PML pode ser usado para truncar o domnio
computacional para a soluo numrica de equaes diferenciais parciais.
A formulao original de [19] baseada numa modificao nas Equaes de Maxwell. O
modelo de PML baseado em absorvedores anisotrpicos proposto em [27] torna a sua aplicao
46
extremamente simples no MEF. Trabalha-se com as equaes de Maxwell na sua forma original
dada por (4.1) a (4.12) e nenhuma alterao formulao A-V apresentada no Captulo 4 se faz
necessria.
A grande vantagem dessa abordagem que se aplica tanto a problemas estticos e quase
estticos [22 a 24], quanto queles que envolvem propagao. O inconveniente desse mtodo uma
piora no condicionamento do sistema pela introduo de um material anisotrpico, resultando num
maior nmero de iteraes na resoluo do sistema linear pelo ICCG.
Um meio do tipo PML possui como propriedades fsicas tensores diagonais dados por:

[ ] [ ] = (5.38)
e
[ ] [ ] = , (5.39)
sendo
[ ]
0 0
0 0
0 0
x
y
z
a
a
a

=

(5.40)

e e so as propriedades do meio que compartilha a interface com o PML. Os parmetros a
x
, a
y
e
a
z
, para um PML perpendicular direo z, por exemplo, so dados por:

a
x
=a
y
= a, a
z
=1/a, (5.41)

sendo que a uma funo da posio e da freqncia [21] para altas freqncias, e seu valor
geralmente um nmero complexo do tipo j. Entretanto, para freqncias que no so
suficientemente altas ele depende apenas da posio [20, 21], reduzindo-se a um nmero real. Isso
porque nessas condies a adoo de um valor complexo com parte real negativa pode violar o
princpio da causalidade de Kramers-Kronig, ou seja, o material deixaria de ser passivo (seria sede
de fontes ativas) [21].
No caso dos sistemas de aterramento, o espectro de freqncias das correntes de surto mais
usuais (como o caso dos surtos atmosfricos) certamente no ultrapassa o limite de algumas
dezenas de MHz, e a adoo de um parmetro a real geralmente suficiente para proporcionar uma
atenuao rpida dos campos. Para um PML normal direo z, por exemplo, adota-se a seguinte
variao espacial para o parmetro a [20,22]:
47
( )
max
1 1
m
z
a a
D
= +

, (5.42)

sendo D a espessura total do PML na direo z, m a ordem do polinmio da aproximao (que pode
variar de 0 a 5), z a distncia dentro do PML, variando de 0 a D e a
max
um nmero real que o valor
mximo do parmetro a para z =D.
A Fig. 5.2 abaixo ilustra esquematicamente um domnio genrico truncado por PML. Este, por
sua vez, limitado nas suas fronteiras exteriores por um condutor perfeito, o que equivale a impor a
essa fronteira a condio de contorno (5.35). Em termos dos potenciais essas condies de contorno
so dadas por:

A =0 (5.43) n
e
V = 0, (5.44)

garantindo assim a unicidade da soluo do sistema de equaes algbricas resultante.

PEC
x
y
z
P
M
L
P
M
L
PML
PML D

Fig. 5.2 Domnio truncado por material absorvedor anisotrpico, PML, de fronteira externa perfeitamente condutora (PEC).

5.4 Modelo do sistema de aterramento no regime estacionrio

A seguir ser apresentado o modelo do sistema de aterramento com as condies de contorno
adotadas para a simulao por elementos finitos. A Fig. 5.3 apresenta uma representao
48
esquemtica de um sistema composto de haste nica enterrada verticalmente em solo homogneo,
em que aparecem as hipteses e condies de contorno adotadas no modelo.
Todos os exemplos tratados foram discretizados em elementos prismticos de primeira ordem,
com altura paralela direo z. Adotou-se um PML de espessura D =40 m com 8 a 10 camadas e
uma folga, ou buffer, definida como a mxima distncia ente a extremidade da malha de terra e o
PML, de no mximo 5 vezes a dimenso mxima da mesma.
A escolha dos parmetros do PML foi baseada em critrios empricos detalhados em [23,24].
Nas regies onde h cruzamento entre dois PMLs de direes distintas adotou-se a =1 [24].

PML
PML
superfcie do solo:
V/n=0 V livre
PEC
I
PML
: V =0

eletrodo:
elemento 1D
com salto de
potencial
a
max
=10
m=0
l
buffer 5l
z
x
y

Fig. 5.3 Modelo do sistema de aterramento para simulao pelo mtodo de elementos finitos em regime estacionrio (Eletrocintica),
exibindo alguns parmetros fsicos e dimensionais.

5.5 Modelo do sistema de aterramento no regime harmnico

A seguir so apresentadas as hipteses adotadas no modelo do sistema de aterramento no
regime harmnico [39, 40, 41]. A Fig. 5.4 exibe esquematicamente as dimenses principais e
hipteses assumidas.
Como mencionado no Captulo 4, o fenmeno eletromagntico relativo ao sistema de
aterramento sujeito a um surto de corrente com elevado contedo harmnico regido pela equao
de onda tridimensional (4.15), cujo domnio constitudo de dois semi-espaos infinitos: ar e solo.
Entretanto, para a faixa de freqncias abrangida pelo fenmeno, o comprimento de onda no solo,
bem como a sua impedncia caracterstica, bem menor que no ar. Em conseqncia, pode-se
considerar que a densidade de corrente no ar, composta unicamente da corrente de deslocamento,
49
desprezvel. Nessas condies, se J
d
0 no ar, pode-se assumir ento que na superfcie do solo,
S
,
tem-se:

0 n = J , (5.45)

exceto no ponto de defeito e, em conseqncia,

0 n = B . (5.46)

De fato, de acordo com [17], a definio de impedncia de um dispositivo, apresentada no
Captulo 4, s tem sentido se for possvel definir uma tenso nica entre seus terminais, o que
equivale a dizer que a condio (5.46) deve ser satisfeita nas fronteiras externas de seu domnio.
Ento a adoo das hipteses (5.45) e (5.46) no problema de aterramento no regime harmnico
permite a eliminao do semi-espao relativo ao ar no domnio, o que possibilita uma reduo
significativa do nmero de incgnitas e, portanto da ordem do sistema de equaes, alm de
melhorar o condicionamento do sistema. Alm disso, ser possvel tambm definir uma impedncia
equivalente.
As dimenses e hipteses principais para a modelagem por elementos finitos de sistemas de
aterramento no regime harmnico podem ser vistas Fig. 5.4. Essas hipteses, aparentemente
restritivas, no afetaram significativamente os resultados, pelo menos no que diz respeito ao clculo
da impedncia, como ser mostrado no Captulo 6. Alm disso, conduziram a um modelo compacto
e de bom desempenho computacional.
50

PML
PML
PML
superfcie do solo:
v/n=0 v livre;
Bn = 0 An = 0 (jD 0 no ar)
PEC
PEC :
An = 0, v = 0

eletrodo PEC:
An = 0, v cte.
a
max
=30
m=2
buffer
l
x
y
z
D

Fig. 5.4 Modelo do sistema de aterramento para simulao pelo mtodo de elementos finitos em regime harmnico, exibindo
algumas condies de contorno, bem como parmetros fsicos e dimensionais; estes ltimos so funes da freqncia.

5.6 Discretizao e parmetros do PML

A discretizao do meio (solo) no caso do regime harmnico foi realizada utilizando
elementos do tipo hexaedro de 8 ns, 12 arestas [2], com PML de 8 camadas. Sua espessura, bem
como o grau de refinamento da malha, foi baseada na dimenso linear mxima de um elemento
finito, h
max
, que deve ser estimada de acordo com um dos seguintes parmetros: profundidade
pelicular, , ou comprimento de onda no solo, , o menor deles. Estes correspondem s dimenses
eltricas do problema [29,48] que so dependentes da freqncia e dados por:

( )
1
2
2
1 1
1 1
2

= +
, (5.40)

( )
1
2
2
2 1
1 1
2

= + +
, (5.41)

que devem ser avaliadas para o mximo valor de , no caso de haver mais de uma camada.
Para / >>1, (5.40) assume a forma simplificada:
51

2
=
. (5.40)

Em geral, mesmo quando a relao / maior que 1, a atenuao suficientemente elevada,
resultando em <, mas isso sempre deve ser verificado. Considerando a hiptese de <, o
domnio do sistema de aterramento ser estimado baseado nas seguintes dimenses dos elementos
finitos, com dimenso linear h, de acordo com critrios estabelecidos em [29]:

h
max
=/5, (5.41)
h
min
=/50, (5.42)
D =n
PML
. h
max
, (5.43)
buffer 4, (5.44)

sendo n
PML
o nmero de camadas (elementos) no PML. Outra recomendao importante a
utilizao de discretizao com progresso geomtrica, com a dimenso h dos elementos
aumentando a partir dos eletrodos at o incio do PML. De acordo com [29], no contexto do MDF,
isso necessrio para de evitar reflexes numricas, mas nos exemplos testados neste trabalho
mostrou-se tambm como uma condio essencial para se atingir os resultados esperados com o
MEF, como ser mostrado no prximo captulo.
A estimativa de h
max
e h
min
conforme o critrio acima ainda requer alguns cuidados, pois, ao
contrrio do que pode parecer, a determinao de ou no to imediata. Em princpio, para o
clculo de (5.40) e (5.41) utiliza-se a maior freqncia do espectro da corrente de excitao, ou seja,
da corrente de surto. No entanto, como descrito em trabalhos recentes [43], pode acontecer da
freqncia mxima do espectro da resposta ser maior do que a da excitao. Sendo assim, um
estudo rigoroso, sobretudo para condies em que as correntes de surto apresentem tempos de
subida inferiores a 1 s, requer algumas tentativas at se descobrir qual a maior freqncia
envolvida.
Com relao aos eletrodos, deve-se ainda tomar o cuidado de no utilizar uma subdiviso
demasiadamente fina a ponto de se violar as hipteses para aproximao unidimensional (ou
filiforme) adotada para esses condutores [57], isto , garantindo que 10
E
l
r
> .
Quanto aos parmetros que foram utilizados no PML, mostrados na Fig. 5.4, estes foram
escolhidos baseando-se em critrios empricos, sugeridos em [20] [22], e mostraram-se satisfatrios
52
para os casos testados. Nas regies onde h cruzamento entre dois PMLs de direes distintas
adotou-se a conveno dada por [28], que corresponde situao ilustrada na Fig. 5.4.

5.7 Resumo

Este captulo apresentou aspectos especficos da implementao do MEF nodal e de aresta ao
problema de aterramento eltrico no regime estacionrio e harmnico. Essas particularidades se
referem modelagem dos eletrodos atravs de elementos unidimensionais.
No regime esttico foi proposto um modelo de elemento unidimensional com salto de potencial,
enquanto que no regime harmnico foi suficiente tratar os eletrodos como condutores eltricos
perfeitos, uma vez que o espectro de freqncias de interesse vai de dezenas de kHZ at dezenas de
MHz.
O truncamento do domnio foi realizado atravs da utilizao de PMLs no solo e semi espao
relativo ao ar no foi considerado no modelo, pois desprezou-se as correntes de deslocamento nesse
meio.
Na discretizao deve-se tomar o cuidado, ao se refinar a subdiviso dos eletrodos, de observar
a validade da hiptese de elemento unidimensional. No regime harmnico, alm de se observar as
dimenses eltricas do problema, deve-se adotar progresso geomtrica na discretizao.
O prximo captulo ser dedicado aplicao da metodologia apresentada nos captulos 3, 4 e 5
simulao de sistemas de aterramento tpicos disponveis na literatura e comparao com
resultados experimentais, analticos e de outros autores.
53

Captulo 6

Aplicaes e Resultados

6.1 Introduo

Neste captulo apresenta-se a aplicao do mtodo de elementos finitos a sistemas de
aterramento para os quais se conhece a soluo, seja analtica, seja experimental, a fim de
confrontar os resultados. No item 6.2 sero tratados os problemas no regime estacionrio e no item
6.3, no regime harmnico.
Todas as simulaes foram realizadas em microcomputador tipo Athlon XP 2.2 GHz RAM 1
GB e como mtodo de soluo do sistema de equaes algbricas foi utilizado o SICCG (Shifted
Incomplete Cholesky Conjugate Gradient) [11].
Toda a parte grfica correspondente ao pr e ps-processamento (gerao do modelo
geomtrico, malha de elementos finitos e visualizao grfica de resultados) foi realizada por
programa de domnio pblico: Gmsh [8]. O mdulo numrico que realiza a montagem das matrizes,
assemblagem e resoluo do sistema linear foi implementado em linguagem C++ utilizando a
biblioteca LMAGLIB [7].

6.2 Regime estacionrio

A. Caso de uma haste de cobre vertical enterrada em solo homogneo (H32)

Este representa o caso mais simples de sistema de aterramento (vide Fig. 6.1), pois apresenta
soluo analtica, tanto para o clculo da resistncia de aterramento, quanto para a elevao de
potencial.
54
6. Aplicaes e Resultados

Fig. 6.1 Sistema de aterramento composto de haste nica enterrada verticalmente em solo homogneo.

A resistncia de aterramento dessa configurao pode ser calculada pela seguinte expresso [36]
[44]:

4
ln 1
2
E
l
R
l r

=

, (6.1)

sendo a resistividade do solo e l e r
E
o comprimento e o raio da haste, respectivamente.
A elevao de potencial obtida por [35]:

2 2
( ) log
2
l y I
V y
l y
+ +
=
l
, (6.2)

sendo I a corrente injetada na haste e y a distncia at a mesma.
O exemplo analisado, extrado de [36] possui as seguintes caractersticas: l = 32 m, = 450
.m, r
E
= 0.004 mm. A Fig. 6.2 mostra o modelo tridimensional desse exemplo, com a malha de
elementos finitos, em que se representou apenas um quarto da geometria pela simetria do problema.
evidente que esta configurao de haste vertical nica prescinde de uma simulao em trs
dimenses, uma vez que possui simetria axial. No entanto, trata-se de um caso particular para o qual
se dispe de resultados experimentais, utilizado aqui para efeito de validao da ferramenta
desenvolvida.
Nas faces sobre os planos Y0Z e Z0X nenhuma condio de contorno foi imposta, pois se
tratam dos planos de simetria, sendo, portanto, superfcies com condio de Neumann homognea.
55
O mesmo vale para o plano X0Y que corresponde superfcie do solo. Nas demais superfcies
foram impostas condio de Dirichlet homognea. Para a modelagem dos eletrodos foi adotada a
formulao apresentada no Captulo 4, com elemento 1D com salto de potencial, que ser
denominada MEF2, a fim de distingui-la da formulao convencional que ser denominada MEF1.
O domnio foi truncado usando materiais absorvedores fictcios, PML, com os seguintes
parmetros: a
max
= 10, m = 0, D = 40 m.
A extremidade da haste corresponde ao ponto de injeo de corrente no sistema de aterramento.
Neste ponto a corrente ser impressa via uma condio de Neumann no homognea, igual a 1000
A, conforme detalhado no Captulo 3.
V = 0
0
V
n
Fig. 6.2 Modelo do sistema da haste vertical de 32 m (H32) mostrando malha de elementos finitos (hexaedros 8
ns) e condies de contorno relevantes. Apenas da geometria foi representada, explorando a simetria do problema.

Na Tabela 6.I a seguir apresentada comparao entre valores da resistncia de aterramento:
analtico, experimental e numrico (MEF1 e MEF2). A Fig. 6.3 mostra o valor do potencial ao
longo de uma linha radial a partir da haste. Em ambos os casos o MEF2 apresentou excelentes
resultados, ao contrrio de MEF1; em ambos os casos, utilizou-se a mesma discretizao.
A Tabela 6.II mostra uma comparao entre as caractersticas de desempenho das duas
implementaes: MEF1 e MEF2, onde se pode verificar que o acrscimo no custo computacional da
segunda desprezvel.

56
TABELA 6.I
RESISTNCIA DE ATERRAMENTO EM DO CASO H32
R () Desvio (%)
Experimental 21 -
Analtico 20,98 0,1
Numrico (MEF2) 21,42 2,0
Numrico (MEF1) 17,33 17,6

Fig. 6.3 Potencial na superfcie para o caso H32; comparao entre valor analtico e numrico.
MEF
analtico

TABELA 6.II
COMPARAO ENTRE AS FORMULAES SEM (1) E COM (2) SALTO DE POTENCIAL
MEF1 MEF2
N
o
de linhas do sistema 134 750 134 783
N
o
de iteraes do ICCG 248 249
Tempo de soluo 526 543
57

B. Grade quadrada regular 16m 16 m (GS4, GS16, GS36)

Os prximos exemplos analisados correspondem a malhas quadradas de 16 m 16 m, enterradas
horizontalmente a 0,6 m de profundidade num solo estratificado em duas camadas: a primeira com
4 m de profundidade e
1
=200 .m e a segunda de
2
= 800 .m.
As malhas so compostas de eletrodos de cobre de dimetro 0,1 m formando um reticulado,
como esquematizado na Fig. 6.4.

Fig. 6.4 Sistemas de aterramento (a) GS4, (b) GS16 e (c) GS36 (16 m 16 m) com solo de duas camadas. A linha tracejada
indica o caminho para traado do potencial na superfcie do solo.

Uma corrente de 100 A injetada no centro da malha. Os exemplos foram extrados de [45] que
apresenta resultados experimentais para elevao de potencial nessas configuraes. Os exemplos
tratados correspondem aos casos electrode II, III e IV de [45], que sero denominados GS4, GS16 e
GS36, respectivamente. O modelo tridimensional do caso GS4 com a malha de elementos finitos
mostrado na Fig. 6.5.
As Figs. 6.6 (a) e (b) apresentam o traado do potencial na superfcie para o caso GS4, a
primeira ao longo da linha indicada na Fig. 6.4 (a) e a segunda a distribuio atravs de degrad. As
58
Figs. 6.7 (a), (b), (c) e (d) mostram o traado do potencial dos casos GS16 e GS36 ao longo das
linhas indicadas nas Figs. 6.4 (b) e (c). Nessas figuras os pontos correspondem aos valores
experimentais extrados de [45].

Fig. 6.5 Caso GS4 com malha de elementos finitos (prisma 6 ns).

(a)
Fig. 6.6 Potencial eltrico na superfcie do solo para o caso GS4: (a) ao longo da linha especificada]; (b) Resultado da
simulao pelo MEF (sistema com 85000 linhas; 186 iteraes de ICCG) do potencial na superfcie.
MEF
Experimental
(b)

59

(c)
Fig. 6.7 Comparao entre resultados numrico e experimental do potencial ao longo das linhas tracejadas indicadas na Fig. 6.4:
(a) GS16; (b) GS36_1; (b) GS36_2; (c) GS36_3.
MEF
Experimental
(a)
(b)
(d)

Em todos os casos a concordncia foi excelente, com exceo dos valores nas extremidades do
caso GS16, em que o desvio com relao ao valor experimental chega a 8%. Na tentativa de se
diminuir este desvio, a discretizao foi sistematicamente refinada, sem, contudo, se conseguir uma
alterao significativa na soluo. Deve-se considerar, no entanto, que os valores experimentais
foram extrados via interpolao dos grficos apresentados em [45], tratando-se de referncia antiga
(1975), em que a resoluo est bastante prejudicada, pois h vrias curvas sobrepostas, o que
dificultou sobremaneira a sua obteno.

6.3 Regime harmnico

A. Caso de uma haste de cobre vertical enterrada em solo homogneo (H32)

Este caso o mesmo da seo anterior. O clculo analtico da impedncia complexa dessa
configurao detalhado a seguir [36]:
60

2
( ) Z R F x =
, (6.3)

sendo R dado por (6.1) e

( )
( )
2
1
tanh 1
jx
j x
F x
jx j x
+
=
+
,
em que
2
L
x f = ,
C
L
,
2
0
L
l L
R
, constante de tempo indutiva,

C
RC = =
, constante de tempo capacitiva.

Nesse exemplo a permissividade do solo vale = 10
0
. Considerando a freqncia de 1 MHz e
aplicando a expresso (6.3) tem-se o seguinte valor de impedncia:

88, 4 37, 7 Z =
.

A Fig. 6.8 mostra o modelo adotado nas simulaes, indicando as condies de contorno e a
malha de elementos finitos. Em todas as simulaes adotou-se a corrente de 1000+j0 A injetada na
extremidade da haste. O domnio foi truncado por meio de PML com os seguintes parmetros: a
max

= 30, m = 2 e D variando conforme a freqncia e determinado de acordo com a metodologia
descrita no Captulo 4.
61

v = 0, a = 0
a = 0
v cte., a = 0
Fig. 6.8 Malha de elementos finitos (hexaedros 8 ns) e condies de contono do caso H32 na freqncia de 1 MHz,
correspondendo a do domnio de modo a explorar a simetria

Na Fig. 6.9 so mostrados os diagramas de Bode com o valor da impedncia (mdulo e fase) do
caso H32. Nesses grficos a linha contnua representa os resultados experimentais extrados de [36],
os crculos vermelhos correspondem aos resultados da simulao por elementos finitos e os
losangos verdes, os valores tericos, evidenciando a eficcia do mtodo de elementos finitos. Para
esse problema o sistema de equaes algbricas possui 73872 linhas e a soluo, na freqncia de 1
MHz, convergiu em 612 iteraes do SICCG.
Na tentativa de se verificar se a validade da hiptese de se truncar o domnio na superfcie do
solo, excluindo o semi-espao relativo ao ar do domnio, foi efetuada uma simulao incluindo-se
este ltimo. Como esperado, os resultados de impedncia no se alteraram. Alm disso, foi possvel
verificar os valores do componente vertical (z) do campo magntico na superfcie do solo, exibido
na Fig. 6.10 (a), confirmando que o mesmo desprezvel, ou seja, a hiptese adotada de B
tangencial na superfcie (fluxo magntico nulo atravs da mesma) vlida. A Fig. 6.10 (b)
apresenta o valor da densidade de corrente total no domnio (conduo+deslocamento). Pode-se
verificar que seu valor virtualmente nulo no ar, o que tambm valida a hiptese adotada de que a
corrente de deslocamento no ar tambm desprezvel.
62

f (Hz)
|
Z
|

(
)
experimental
analtico

f (Hz)
F
a
s
e

(
)
numrico

Fig. 6.9 Diagramas de Bode da impedncia (mdulo e fase) do caso H32. Comparao entre os resultados.

(a) (b)
Fig. 6.10 Resultados da simulao do caso H32 a 1 MHz, considerando o ar: (a) B
z
na cota z=0 (superfcie); (b) J total. Pode-se notar
que BB
z
e J no ar so desprezveis.

Com relao hiptese de se considerar os eletrodos como condutores perfeitos, uma simulao
foi realizada a fim de verificar a validade da mesma. O resultado pode ser visto nas Fig. 6.11 (a) e
(b), que exibem o traado do potencial na superfcie para o caso H32 a 1 MHz, considerando,
63
respectivamente, a haste como condutor perfeito (condies de contorno como na Fig. 6.8), e em
segundo, considerando sua impedncia superficial. A diferena entre resultados de menos de
0.04%, confirmando-se assim que a hiptese de condutor perfeito vlida.

(a) (b)
Fig. 6.11 Traado do potencial na superfcie do caso H32 para 1 MHz atravs de dgrad: (a) haste como condutor perfeito;
(b) haste modelada por impedncia superficial.

B. Grade regular 60 m 60 m (GS60)

Este exemplo bastante citado na literatura, usado por vrios autores como referncia, com a
finalidade de comparar resultados, como em [37] e [38]. Corresponde a uma grade regular como
esquematizado na Fig. 6.12, em que se pode ver tambm a discretizao desse problema. O
conjunto enterrado a 0,5 m de profundidade em solo homogneo com = 1000 .m,
r
= 9 e o
dimetro dos eletrodos vale 14 mm. A corrente de 1000+j0 A injetada ora na extremidade, ora no
centro da grade.
Na Fig. 6.13 pode-se ver a comparao entre os valores de potencial na superfcie obtido em [38]
e pelo MEF de aresta, para a freqncia de 500 kHz e injeo de corrente no canto da malha.
Embora a comparao seja qualitativa, uma vez que o grfico apresentado em [38] tridimensional,
pode-se verificar pelo valor mximo do potencial que a concordncia razovel. Para freqncia de
1 MHz e injeo de corrente no centro, o valor da impedncia complexa do sistema tambm
satisfatrio quando comparado aos valores de [37], como se pode verificar pela Tabela 6.III.

64

Fig. 6.12 Sistema de aterramento GS60 e sua discretizao em elementos finitos (hexaedros 8 ns).

Fig. 6.13 Comparao entre os resultados de [29] (a) e do MEF de aresta (b) para o potencial na superfcie do exemplo GS60
(500 kHz e corrente injetada no canto da malha).
(a) (b)

Fig. 6.14 Traado do potencial na superfcie na forma de dgrad. Resultado da simulao por elementos finitos de aresta
(500 kHz e corrente injetada no canto superior).

65

TABELA 6.III
IMPEDNCIA DO CASO GS60 (1 MHZ INJEO DE CORRENTE NO CENTRO)
Z MEF [37]
Magnitude () | Fase () 36 39 30 39

6.4 Resumo

Este captulo apresentou a aplicao das metodologias mostradas nos captulos precedentes a
sistemas de aterramento tpicos descritos na literatura, quais sejam: haste vertical e grade regular
horizontal. As resistncias e impedncias desses sistemas, bem como a elevao de potencial, foram
comparadas com resultados experimentais, analticos e resultados de outros mtodos disponveis na
literatura, exibindo excelente concordncia.
No caso do regime estacionrio, mostrou-se que o uso dos elementos unidimensionais com salto
de potencial melhora a preciso dos resultados sem aumento significativo da ordem do sistema,
dispensando assim a discretizao de segunda ordem, conforme verificado em [55].
No regime harmnico, verificou-se que a utilizao da condio de impedncia superficial nos
eletrodos foi desnecessria, ao menos nos casos tratados aqui, para os quais se dispe de resultados
para comparao. A aproximao de condutor perfeito foi suficiente e as caractersticas eltricas
dos problemas tratados mostram que essa hiptese est de acordo com os critrios estabelecidos em
[14].
O prximo captulo apresentar em detalhes um balano das metodologias e resultados obtidos
com comentrios e apontar para desenvolvimentos futuros.
66

Captulo 7

Concluses

7.1 Observaes gerais e concluses

Ao longo deste documento procurou-se sintetizar as principais formulaes que foram
implementadas ao longo dos ltimos anos em ferramentas computacionais para a simulao de
sistemas de aterramento pelo Mtodo de Elementos Finitos.
Iniciou-se pela anlise no regime estacionrio de conduo de correntes, ou Eletrocintica,
adequado a condies de operao em freqncias baixas, tipicamente 50 ou 60 Hz, e cujo principal
interesse refere-se segurana de seres humanos.
Buscou-se desenvolver um aplicativo de bom desempenho numrico e com boa preciso. Nesse
sentido, a formulao do elemento unidimensional com salto de potencial proposta para a
modelagem dos eletrodos da malha de terra mostrou-se robusta e eficiente, permitindo boa preciso
sem a necessidade de se utilizar interpolao de segunda ordem, o que diminui a esparsidade da
matriz mesmo com reduo do nmero de elementos finitos.
Foi apresentada no captulo precedente uma anlise do desempenho dessa tcnica comparada
formulao convencional do elemento unidimensional mostrando que, com a mesma discretizao e
virtualmente mesmo tempo de processamento, conseguiu-se uma preciso muito melhor, tanto no
clculo da resistncia de aterramento, quanto na distribuio de potenciais na superfcie do solo,
quando confrontados a valores experimentais. Em particular os resultados consistentes para o
potencial da superfcie so mais significativos na validao do mtodo, uma vez que a resistncia de
aterramento se obtm por integrao, o que atenua eventuais distores localizadas. A comparao
com discretizao de segunda ordem j havia sido realizada em [55], tambm apontando vantagens
na primeira.
67
7. Concluses
A excitao em corrente, realizada atravs de condio de Neumann no homognea, simplifica
a implementao, eliminando-se a necessidade de correo da soluo conforme realizado em
trabalhos anteriores.
Outro detalhe introduzido no modelo proposto que contribuiu para simplificar a implementao
foi a utilizao de PML para o truncamento do domnio, pois no exige formulao nem
implementao especfica, sendo tambm uma tcnica aplicvel ao regime harmnico. O nico
inconveniente que os parmetros do PML espessura, nmero de camadas, ordem da
interpolao, valor mximo da constante a, distncia de folga (buffer) ao objeto de interesse tm
determinao emprica e so dependentes da aplicao e caractersticas fsicas do problema.
Entretanto, isso vale tambm para as transformaes geomtricas de domnio, no o desqualificando
perante essas tcnicas.
Esses detalhes no foram abordados explicitamente neste trabalho; apenas foram encontrados
parmetros que se adaptaram bem aos exemplos analisados. A estimativa desses parmetros foi
baseada em critrios empricos sugeridos nas referncias pertinentes e se mostraram satisfatrios no
sentido de que pequenas variaes em torno dos parmetros escolhidos no produziram alterao
significativa nos resultados.
O que se pde verificar que, mais do que aos parmetros do PML ou tcnica de truncamento
adotada, os resultados so muito sensveis discretizao dos eletrodos. Nesse sentido, essa
sensibilidade foi bem reduzida com a adoo da formulao do elemento a salto de potencial, ou
seja, pequenas alteraes na segmentao dos eletrodos produzem variaes pequenas na soluo. O
mesmo no acontece com a adoo de elementos unidimensionais simples.
Nesse sentido, a segmentao dos eletrodos desempenha um fator decisivo na qualidade da
soluo e isso aparentemente independe do mtodo numrico utilizado, seja ele de fronteira ou de
domnio, pois o mesmo j foi observado em inmeros trabalhos que empregam mtodos distintos do
MEF [53,57].
O que se observa tambm que a subdiviso dos eletrodos tambm dependente das
caractersticas fsicas do problema, mais especificamente das dimenses dos mesmos e do valor de
resistividade do solo. Isso significa que o que governa o fenmeno, ou o que determina a resistncia
de aterramento, a resistncia de contato entre eletrodo e solo. De fato, essa afirmao pode ser
corroborada pela preocupao demonstrada nos ltimos anos em se melhorar esse contato eltrico
entre solo e condutor, sobretudo em solos de resistividade elevada, atravs da aplicao de bentonita
envolvendo os condutores, conforme descrito e confirmado por Bourg et al. [36] e Nekhoul [35].
Outro fator que deve ser analisado com cuidado ao se definir a segmentao dos eletrodos o
limite superior dessa subdiviso, ou seja, ela no pode ser suficientemente fina a ponto de se atingir
68
7. Concluses
o limite da hiptese de elemento unidimensional (dimetro muito menor que comprimento),
quando, ao invs de se melhorar a preciso, esta comea a se deteriorar. Esse limite, no entanto,
tambm uma conveno que depende das caractersticas fsicas do problema, mas uma condio
satisfatria como a apresentada em [57] mostra-se adequada e segura para a maioria dos casos (r <
10l).
Para a simulao de sistemas de aterramento no regime harmnico props-se a utilizao de
ferramenta computacional baseada na formulao A-V do mtodo de elementos finitos de aresta
sem imposio da divergncia de A e alimentado em corrente atravs de condio de Neumann no
homognea.
O truncamento do domnio foi realizado atravs de PML com parmetro de valor real e perfil
polinomial como em [20], e como terminao utilizou-se condies de contorno relativas a condutor
perfeito.
De acordo com [21], o parmetro do PML tem valor complexo que funo da posio e cuja
parte imaginria funo da freqncia para altas freqncias; no limite de baixas freqncias
reduz-se a um nmero real puro, dependente apenas da posio.
Embora o contedo harmnico das correntes de surto usuais de interesse para o problema de
aterramento, que pode atingir a cifra de dezenas de MHz, seja considerado como de altas
freqncias no contexto de sistemas eltricos de potncia, para efeito de determinao dos
parmetros do PML essa faixa de freqncias considerada ainda dentro do limite de baixas
freqncias. Esse limite, entretanto, no est claramente quantificado, e deve tambm ser
dependente da aplicao de alguma maneira.
Entretanto, em [21] apresentado tambm um critrio para se verificar isso, que baseado na
causalidade. Esse critrio diz que o material deve ser passivo, ou seja, possuir caractersticas que
obedeam lei da causalidade de Kramers-Kronig. Quando isso no ocorre o material torna-se
ativo, ou sede de fontes ativas no problema. Esse fenmeno foi observado neste caso ao se tentar
utilizar um parmetro complexo para o PML, provocando, quando no a divergncia na soluo do
sistema, o surgimento de resultados sem significado fsico.
De fato, para freqncias na faixa de centenas de MHz, Cucinota et al. [20] utilizam PMLs a
parmetros reais para truncamento de problemas de guias de onda e este trabalho se baseou em
parte nessa referncia para estimar aqueles parmetros nos exemplos apresentados; os mesmos se
mostraram satisfatrios para esta aplicao, principalmente pelo fato dos parmetros reais serem
independentes da freqncia. Isso pode simplificar a determinao da resposta transitria, quando as
simulaes tiverem de ser repetidas para todos os componentes do espectro da corrente de
excitao.
69
7. Concluses
Da mesma forma que no caso esttico, essa escolha de parmetros, ainda que tenha sido fcil
para os exemplos tratados, a rigor emprica e dependente do problema, mas foi pouca a
sensibilidade da soluo a pequenas variaes nesses parmetros, o que mostra que, uma vez
escolhido o parmetro, este pode se tornar adequado para uma famlia de casos.
Com relao discretizao valem as mesmas consideraes que para o regime estacionrio
acrescentando-se, porm, aquelas relacionadas s dimenses eltricas que so funes da freqncia
mxima e das propriedades fsicas dos meios (comprimento de onda no solo e profundidade
pelicular, mencionadas no Captulo 5) e a necessidade de progresso geomtrica. Deve-se lembrar
ainda que essa freqncia mxima que determinar o nvel de discretizao no necessariamente a
mxima do espectro da excitao; a resposta pode possuir contedo harmnico de ordem superior
[43, 57], o que pode requerer um breve processo iterativo por tentativas at se convergir ao
resultado.
Para a modelagem dos eletrodos optou-se pela hiptese de condutor perfeito em detrimento de
impedncia superficial unidimensional, o que se mostrou razovel para os casos analisados,
considerando os critrios quantitativos propostos em [14] e os testes realizados com as duas
abordagens, que no apontaram para diferenas significativas entre ambas.
Outra aproximao adotada no modelo foi o truncamento do domnio na interface ar-solo,
considerando-a como uma superfcie com condio de Neumann homognea para V e com campo
tangencial, o que corresponde a se desprezar as correntes de deslocamento no ar. Esse procedimento
foi adotado nas primeiras implementaes realizadas com o intuito de se reduzir ao mximo os
domnios, juntamente com o truncamento simples dos mesmos sem o uso de PML, simplesmente
impondo condies de Dirichlet homogneas nas fronteiras remotas.
Os primeiros resultados com esse modelo simplificado foram, no entanto, muito satisfatrios,
conforme relatado nos primeiros trabalhos da autora e colaboradores [39, 40, 56] e demonstrados
neste documento no Captulo 6 (desta vez com PML), confirmando a robustez da formulao A-V
de aresta e a validade do modelo proposto, ao menos para os casos analisados. Testes realizados em
modelos mais completos descritos no Captulo 6, onde se incluiu o ar, mostram que a densidade de
corrente de deslocamento desprezvel quando comparada densidade de corrente total no solo; da
mesma forma calculou-se o componente normal ao nvel do solo da induo magntica na presena
do ar, mostrando que seu valor igualmente desprezvel.
Fato equivalente foi observado por Tuma et al. [47] em trabalho recente que emprega o Mtodo
de Diferenas Finitas no domnio do tempo (FDTD) para tratar o mesmo problema. Nesse trabalho
realizada simulao transitria de um sistema de aterramento de haste nica sujeito a uma surto
70
7. Concluses
atmosfrico incluindo o ar e mostra-se que o campo eltrico nesse meio durante todo o transitrio
tem comportamento esttico.
Um ponto que merece destaque est relacionado aos casos selecionados para a validao da
metodologia. De fato, conforme j observado por Grcev [49] h uma carncia de resultados
disponveis na literatura, sobretudo experimentais, que sejam conclusivos e gerais a ponto de
poderem servir de benchmark para a aferio de resultados, sendo aqueles exemplos apresentados
no Captulo 6 os mais citados e utilizados. Ambos limitam a anlise a no mximo 2 MHz, condio
que corresponde maioria dos casos prticos encontrados [36, 37, 38, 48, 49, 57], ou seja, casos em
que a corrente impulsiva de excitao apresenta tempo se subida de no mnimo 1 s.

7.2 Principais contribuies do trabalho

Destacam-se a seguir as principais contribuies deste trabalho.
1 - Apresentao da formulao do elemento unidimensional a salto de potencial na Eletrocintica;
a metodologia j havia sido reportada em trabalhos anteriores da autora e colaboradores, mas a sua
formulao havia sido introduzida em termos de uma analogia com a anlise nodal da teoria de
circuitos. O formalismo presente neste documento s foi precedido por uma verso mais resumida
em [42].
2 - Estabelecimento das condies de aplicao e validade da aproximao unidimensional e
indicao de diretrizes para a subdiviso do domnio.
3 Excitao em corrente na formulao Eletrocintica atravs de condio de Neumann no
homognea.
4 Uso da tcnica de truncamento de domnio na Eletrocintica baseada em PML.
5 Aplicao do mtodo de elementos finitos de aresta e formulao AV sem especificao de
divergncia de A simulao de sistemas de aterramento no regime harmnico com as seguintes
caractersticas:
- truncamento do domnio condutor (solo) pelo uso de PML com parmetro real e terminado
por condutor perfeito;
- excitao em corrente atravs de condio de Neumann no homognea;
- truncamento na interface ar-solo, considerando que nessa superfcie tanto a induo
magntica como a densidade de corrente so paralelas a ela; equivalente a assumir
densidade de corrente nula no ar;
71
7. Concluses
- eletrodos da malha de aterramento como condutores perfeitos.
Essas caractersticas possibilitaram o desenvolvimento de uma ferramenta computacional mais
compacta, de bom desempenho e aplicvel grande maioria dos casos tpicos de sistemas de
aterramento, representando um avano em relao aos trabalhos anlogos precedentes.

7.3 Tpicos para desenvolvimento posterior

Sugere-se a seguir alguns tpicos para desenvolvimentos futuros com vistas a se chegar a uma
ferramenta robusta de anlise de sistemas de aterramento e com domnio de aplicao amplo.

- Pesquisa e anlise detalhadas a fim de se buscar procedimentos sistemticos para a
determinao de parmetros do PML.
- Aprimoramento da implementao no regime harmnico atravs de: eliminao das restries
adotadas (excluso do ar e eletrodos como condutores perfeitos), maior nmero de testes de
validao em maior nmero de casos e em freqncias mais elevadas, implementao de
interpolao de segunda ordem, outras formas de excitao.
- Implementao e testes com outras formulaes (potencial vetor eltrico/potencial escalar
magntico, formulao em campo eltrico).
- Desenvolvimento de interface grfica dedicada e parametrizada, para a gerao rpida dos
modelos via scripts, por exemplo (em curso).
- Implementao e testes de algoritmos alternativos de resoluo de sistemas de equaes
algbricas, como por exemplo Multigrid (desenvolvimento j em curso [60]).
- Determinao da resposta transitria pela incorporao das transformadas de Fourier direta da
excitao e inversa da resposta (FFTs).
- Desenvolvimento de aplicativo baseado no Mtodo de Elementos Finitos de Aresta no domnio
do tempo para a simulao no regime transitrio.
- Modelagem do efeito de ionizao do solo, incluindo comportamento no linear e histerese,
baseados no modelo dinmico de [59].
- Acoplamento do sistema de aterramento aos circuitos areos.

72

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VIVIANE CRISTINE SILVA

Engenheira Eletricista, EPUSP, 1985

t vetor unitrio tangencial

, constante de tempo indutiva,

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