Estudo Comparativo de Superfícies Seletivas para Coletores Solares PDF

UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEAR
CENTRO DE TECNOLOGIA
DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA MECNICA E PRODUO
PROGRAMA DE MESTRADO EM ENGENHARIA E CINCIAS DE MATERIAIS
ESTUDO COMPARATIVO DE SUPERFCIES SELETIVAS PARA

COLETORES SOLARES
CARLOS ANTONIO SILVA GOMES
FORTALEZA 2001
UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEAR

CENTRO DE TECNOLOGIA
DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA MECNICA E PRODUO
PROGRAMA DE MESTRADO EM ENGENHARIA E CINCIAS DE MATERIAIS
Estudo Comparativo de Superfcies Seletivas para Coletores Solares

Carlos Antonio Silva Gomes
Dissertao apresentada ao Departamento de

Engenharia
Mecnica
Produo
da
Universidade Federal do Cear como parte

dos requisitos para obteno do ttulo de
Mestre em Engenharia e Cincias de
Materiais
Orientador: Prof. Dr. Vicente Walmick Almeida Vieira

Co-Orientadora: Prof a. Dra. Maria Eugnia Vieira da Silva
Fortaleza - 2001
SUMRIO
LISTA DE FIGURAS............................................................................................................xi
LISTA DE TABELAS...........................................................................................................xii
NOMENCLATURA.............................................................................................................xiii
RESUMO...........................................................................................................................xvi
ABSTRACT......................................................................................................................xviii
1. INDRODUO...............................................................................................................1
2. PROPRIEDADES PTICAS..........................................................................................5
2.1 Absortividade e Emissividade.................................................................................5
2.2 Refletividade...........................................................................................................9
2.3 Relao entre a Refletividade, a Emissividade, e a Absortividade.....................10
2.4 Medies de Absortividade Solar e Emissividade Trmica...................................11
3. SUPERFCIES SELETIVAS.........................................................................................12
3.1 Superfcies Absorvedoras Seletivas Solares.........................................................12
3.1.1 Absorvedores Intrnsecos...............................................................................13
3.1.2 Absorvedor Refletor Acoplados...................................................................14
3.1.2.1 Nquel Preto.....................................................................................14
3.1.2.2 Cromo Preto.....................................................................................15
3.1.2.3 Cobre Preto......................................................................................15
3.1.2.4 Ferro Preto.......................................................................................15
3.1.2.5 xido de Cobalto.............................................................................16
3.1.3 Revestimentos de Converso Qumica.........................................................16
3.1.3.1 Ao Inoxidvel Colorido....................... ...........................................16
3.1.3.2 Revestimento de Zinco Preto..........................................................17
3.1.4 Semicondutores Puros..................................................................................17

3.1.4.1 Silcio e Germnio...........................................................................17
3.1.4.2 Sulfeto de Chumbo..........................................................................18
3.1.5 Combinao Refletor-Semicondutor Pulverizado.........................................18
3.1.6 Multi-Camadas Empilhadas..........................................................................19
3.1.7 Sistemas de Armadilhas pticas...................................................................20
3.1.8 Revestimentos de Materiais Compsitos......................................................22
3.1.9 Efeitos de Tamanho Quntico.......................................................................23
4. MATERIAL E MTODOS ............................................................................................24
4.1 Medies Experimentais.........................................................................................24
4.1.1 Seleo, Preparao e Descrio das Superfcies Seletivas Estudadas......25
Material A (esmalte preto)......................................................................................25
Material B (INTERPANE)........................................................................................25
Material C (black chrome).......................................................................................26
Material D (Solkote).................................................................................................26
Material E (solar lack)..............................................................................................26
Material F (TINOX)..................................................................................................27
4.1.2 Determinao da transmissividade e refletividade de vidros
transparentes.................................................................................................27
4.1.3 Composio Qumica das amostras de Vidro...............................................28
4.1.4 Estrutura Microscpica das Superfcies........................................................29
4.1.5 Sistema de Medio das Temperaturas de Operao..................................29
4.2 Determinaes Numricas.....................................................................................30
5.
RESULTADOS............................................................................................................34
5.1 Transmissividade do Vidro.....................................................................................34
5.1.2 Composio das Amostras............................................................................36

5.2 Temperatura nas Placas Absorvedoras................................................................37
5.3 Grficos de EDX e Fotos.......................................................................................41
6. CONCLUSES............................................................................................................48
7. SUGESTES...............................................................................................................49
8. REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS.............................................................................50
APNDICES
APNDICE A [PISTOLA A AR COMPRIMIDO(SPRAY)]..................................................55

APNDICE B [SPUTTERING]...........................................................................................57
APNDICE C [ELETRODEPOSIO]..............................................................................59
APNDICE D [BAND GAP]................................................................................................63
APNDICE E [INSTRUMENTOS]......................................................................................64
Aos
Raimunda,
que
meus
pais,
iniciaram
Antonio
esta
minha
caminhada, e em especial a minha me

que sempre me incentivou na busca do
conhecimento e na escolha dos melhores
caminhos para o meu progresso.
Minhas homenagens especiais:

- professora Eugnia, pela pacincia,
dedicao,
interesse,
sinceridade
estmulo no decorrer da orientao deste

trabalho.
AGRADECIMENTOS
Expresso meu especial agradecimento:
Deus, que sempre me ampara nas horas mais difceis;
FUNCAP, pelo apoio referente a bolsa de estudos;
Ao Laboratrio de Energia Solar, pelos instrumentos de medio utilizados na realizao
do trabalho;
Ao Professor Vicente Walmick Almeida Vieira, do departamento de Fsica da UFC, pelo
apoio durante o desenvolvimento do trabalho;
Ao Professor Schwarzer, do Solar-Institut Jlich, pelo interesse, dedicao e apoio na
realizao desse trabalho;
ao Bonfim, por sua disponibilidade na montagem do prottipo experimental;
aos colegas do Laboratrio de Energia Solar, pela ajuda e estmulo;
aos meus irmos, Marcos e Camila, e minha prima Luciene, pelo companheirismo de
sempre;
minha namorada, Carla, que sempre acreditou no meu potencial;
e a todos os demais, que de alguma forma contriburam para a concretizao deste
trabalho.
SUMRIO
LISTA DE FIGURAS............................................................................................................xi
LISTA DE TABELAS...........................................................................................................xii
NOMENCLATURA.............................................................................................................xiii
RESUMO...........................................................................................................................xvi
ABSTRACT......................................................................................................................xviii
1. INDRODUO...............................................................................................................1
2. PROPRIEDADES PTICAS..........................................................................................5
2.1 Absortividade e Emissividade.................................................................................5
2.2 Refletividade...........................................................................................................9
2.3 Relao entre a Refletividade, a Emissividade, e a Absortividade.....................10
2.4 Medies de Absortividade Solar e Emissividade Trmica...................................11
3. SUPERFCIES SELETIVAS.........................................................................................12
3.1 Superfcies Absorvedoras Seletivas Solares.........................................................12
3.1.1 Absorvedores Intrnsecos...............................................................................13
3.1.2 Absorvedor Refletor Acoplados...................................................................14
3.1.2.1 Nquel Preto.....................................................................................14
3.1.2.2 Cromo Preto.....................................................................................15
3.1.2.3 Cobre Preto......................................................................................15
3.1.2.4 Ferro Preto.......................................................................................15
3.1.2.5 xido de Cobalto.............................................................................16
3.1.3 Revestimentos de Converso Qumica.........................................................16
3.1.3.1 Ao Inoxidvel Colorido....................... ...........................................16
3.1.3.2 Revestimento de Zinco Preto..........................................................17
3.1.4 Semicondutores Puros..................................................................................17

3.1.4.1 Silcio e Germnio...........................................................................17
3.1.4.2 Sulfeto de Chumbo..........................................................................18
3.1.5 Combinao Refletor-Semicondutor Pulverizado.........................................18
3.1.6 Multi-Camadas Empilhadas..........................................................................19
3.1.7 Sistemas de Armadilhas pticas...................................................................20
3.1.8 Revestimentos de Materiais Compsitos......................................................22
3.1.9 Efeitos de Tamanho Quntico.......................................................................23
4. MATERIAL E MTODOS ............................................................................................24
4.1 Medies Experimentais.........................................................................................24
4.1.1 Seleo, Preparao e Descrio das Superfcies Seletivas Estudadas......25
Material A (esmalte preto)......................................................................................25
Material B (INTERPANE)........................................................................................25
Material C (black chrome).......................................................................................26
Material D (Solkote).................................................................................................26
Material E (solar lack)..............................................................................................26
Material F (TINOX)..................................................................................................27
4.1.2 Determinao da transmissividade e refletividade de vidros
transparentes.................................................................................................27
4.1.3 Composio Qumica das amostras de Vidro...............................................28
4.1.4 Estrutura Microscpica das Superfcies........................................................29
4.1.5 Sistema de Medio das Temperaturas de Operao..................................29
4.2 Determinaes Numricas.....................................................................................30
5.
RESULTADOS............................................................................................................34
5.1 Transmissividade do Vidro.....................................................................................34
5.1.2 Composio das Amostras............................................................................36

5.2 Temperatura nas Placas Absorvedoras................................................................37
5.3 Grficos de EDX e Fotos.......................................................................................41
6. CONCLUSES............................................................................................................48
7. SUGESTES...............................................................................................................49
8. REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS.............................................................................50
APNDICES
APNDICE A [PISTOLA A AR COMPRIMIDO(SPRAY)]..................................................55

APNDICE B [SPUTTERING]...........................................................................................57
APNDICE C [ELETRODEPOSIO]..............................................................................59
APNDICE D [BAND GAP]................................................................................................63
APNDICE E [INSTRUMENTOS]......................................................................................64
LISTA DE FIGURAS
Figura 1.1. Esquema em perspectiva de um coletor solar com superfcie seletiva............. 2

Figura 1.2. Esquema bsico da radiao solar incidindo sobre uma superfcie seletivacoletor................................................................................................................3
Figura 2.1 Representao geomtrica da energia radiante absorvida. (a) absortividade
direcional; (b) absortividade hemisfrica............................................................6
Figura 2.2 Representao geomtrica da radiao direcional e hemisferica.emissividade
direcional; (b) emissividade hemisfrica.............................................................8
Figura 2.3. Formas de reflexo de uma superfcie............................................................10
Figura 2.4 Distribuio espectral da radiao solar emitida por um corpo negro
em 100C, 300C e 700C...............................................................................11
Figura 3.1 Mecanismos de absoro de energia fototrmica.............................................13
Figura 3.2 Camadas empilhadas no substrato de ao.......................................................19
Figura 3.3 Refletividade espectral para quatro camadas empilhadas adicionadas
sucessivamente.................................................................................................20
Figura 3.4 Absoro da radiao solar devido sucessivas reflexes em superfcies
corugadas-V.....................................................................................................20
Figura 3.5 Representao esquemtica da floresta de dendritos.....................................21
Figura 4.1 Composio de camadas no processo de fabricao do material F.................27
Figura 4.2 Esquema do sistema de medio da transmissividade de vidros radiao
solar...................................................................................................................28
Figura 4.3 Aparato experimental para determinao da emissividade de superfcies.......30
Figura 5.1 Grfico da Transmissividade versus Espessura do vidro..................................34
Figura 5.2 Composio qumica das amostras de vidro.....................................................36
Figura 5.3 Temperatura das superfcies seletivas da coberta de vidro e da radiao

global ao longo do dia ( 14 de fevereiro de 2001)...........................................38
Figura 5.4 EDX do material A.............................................................................................41
Figura 5.5 Micrografia do material A, com um aumento de 3500X.....................................42
Figura 5.6.EDX do material B.............................................................................................42
Figura 5.7 Micrografia do material B com aumento de 3500X............................................43
Figura 5.8 EDX do material C.............................................................................................43
Figura 5.9. Micrografia do material C com um aumento de 3500X....................................44
Figura 5.10 EDX do material D...........................................................................................44
Figura 5.11 Micrografia do material D com aumento de 3500X.........................................45
Figura 5.12 EDX do material E...........................................................................................45
Figura 5.13 Micrografia do material E com aumento de 3500X.........................................46
Figura 5.14 EDX do material F...........................................................................................46
Figura 5.15 Micrografia do material F com aumento de 3500X.........................................47
xii
LISTA DE TABELAS
Tabela 1. Valores de emissividades das superfcies seletivas...........................................39

Tabela 2. Valores do coeficiente de perda total e da temperatura de estagnao............40
Tabela 3. Valores de temperatura mdia das placas, coeficiente de perda total e da
temperatura de estagnao................................................................................40
xiii
NOMENCLATURA
A
rea, [m2]
Acelerao gravitacional, [9,8 m/s]
Coeficiente de transferncia de calor, [W/m2K]
Radiao espectral, [W/m2]
Condutividade trmica do material, [W/m K]
Distncia entre as placas, [m]
Nmero das chapas de vidro
Nu
Nmero de Nusset, [adimencional]
&
Q
Taxa de transferncia de calor, [W]
Radiao solar, [W/m2]
Temperatura, [K]
UL
Coeficiente global de perdas no coletor solar, [W/m2K]
Fluxo de radiao, [W/m2]
gregas:
Absortividade da placa absorvedora, [adimencional]
Refletividade, [adimencional]
Emissividade, [adimencional]
Constante de Stefan-Boltzmann, [W/m2K4]
Transmissividade do vidro
Coeficiente de dilatao volumtrica, [T-1]
xiv
ngulo azimutal, [rad]
ngulo polar, [rad]
Diferena
Viscosidade cinemtica
Comprimento de onda
subscritos:
a
Absorvida
amb
Ambiente
Isolamento
Chega
cu
Cu
conv
Conveco
eff
Efetivo
Incidente
Placa
Reflexo
rad
Radiao
sol
Solar
stag
Estagnao
Topo
Vidro
xv
ESTUDO COMPARATIVO DE SUPERFCIES SELETIVAS PARA COLETORES

SOLARES
Autor: CARLOS ANTONIO SILVA GOMES

Orientador: PROF. Dr. VICENTE WALMICK ALMEIDA VIEIRA
Co-Orientador: PROF. Dr. MARIA EUGNIA VIEIRA DA SILVA
RESUMO
Em aplicaes prticas de energia solar ativa e passiva, ou para outros fins

construtivos, o revestimento superficial do material que absorve a radiao solar tem um
papel importante no que concerne absoro e emisso de radiao solar e trmica,
influenciando diretamente na relao custo-benefcio do equipamento. Revestimentos
superficiais para as placas absorvedoras de radiao solar, ou superfcies seletivas, alteram
as relaes de ganho e perda de energia do equipamento e, por isso, o desempenho dos
diferentes revestimentos disponveis, seus tipos e custos, alm de reas potenciais de
aplicao devem ser conhecidos. Em geral, coletores de placa plana sem superfcies
seletivas operam em temperaturas inferiores a 100C, sendo utilizados no aquecimento de
gua, em processos de secagem, etc. Existem aplicaes prticas como foges solares,
sistemas de refrigerao, dessalinizadores solares onde so necessrias temperaturas muito
elevadas que so alcanadas pelo uso de superfcies seletivas. Para alta eficincia, os
coletores solares devem possuir um mximo de absorbncia no espectro solar, enquanto
mantm um mnimo de emitncia no infravermelho. Este trabalho apresenta um estudo
comparativo de superfcies seletivas para coletores solares utilizadas nos maiores centros
industrializados
que
utilizam
energias
renovveis.
So
apresentadas
medies
experimentais da temperatura em seis amostras de placas absorvedoras e da radiao solar

global e direta incidente sobre as placas em funo do tempo. As amostras foram testadas
nas condies ambientais de Fortaleza e os valores experimentais usados na determinao
da emissividades, aps a realizao de um balao de energia em regime permanente nessas
amostras. As temperaturas de estagnao foram calculadas, e usadas na determinao do

desempenho desses materiais. So apresentadas anlises microscpicas (microscpico
eletrnico de varredura) das diferentes superfcies. Os resultados ou o desempenho das
amostras quando expostas radiao solar e que o procedimento desenvolvido para esse
trabalho pode ser utilizado na determinao de um valor mdio para a emissividade solar a
partir de medies mais simples.
COMPARATIVE
COLLECTORS
STUDY
OF
SELECTIVE
SURFACES
FOR
SOLAR
Author: CARLOS ANTONIO SILVA GOMES

Advisor: PROF. Dr. MARIA EUGNIA VIEIRA DA SILVA
Co-Advisor: PROF. Dr. VICENTE WALMICK ALMEIDA VIEIRA
ABSTRACT
In practical application of solar energy systems, either active or passive, or for

others constructive uses, the selective coating that absorbs solar radiation has an important
hole in the absorption and emission of solar and thermal energy, with a direct influence in
the equipment cost-benefit relation. Surface coating for solar radiation absorber plates, or
simply selective surfaces, change the equipment energy gain and loss relations;
consequently, the performance of the different coatings available, their types and costs, and
their potential applications should be known. In general, solar collectors without selective
coating operate in temperature under 100oC and are used in hot water systems, in drying
processes, etc. There are practical applications such as, solar cookers, refrigeration systems,
and thermal desalination units among others, where high temperatures can only be reached
by the use of selective surfaces. To present high efficiency, solar collectors should have
maximum absorbance in the solar spectrum while maintaining minimum emittance in the
infrared region. This work presents a comparative study of the selective surfaces for solar
collectors currently used in the big centers of renewable energy utilization. The work
presents experimental the measurements for the absorber plate temperature, and the global
and direct solar radiation on the absorber plane as function of time. Samples of the different
selective absorber plates were tested in the ambient conditions in Fortaleza. Using the
experimental data and steady state energy balance equations for the absorber plates,
emissivity values were determined. The sample stagnation temperatures and the collector
top heat transfer loss coefficient were also calculated to show the selective coating
performances. The microscope analysis (scanning electron microscope) for the different
coatings is also presented. The results clearly show the sample performances when exposed
to solar radiation and also that the procedure developed for this study can be used to
determine the thermal emissivity average values using simple experimental measurements.
COMPARATIVE
COLLECTORS
STUDY
OF
SELECTIVE
SURFACES
FOR
SOLAR
Author: CARLOS ANTONIO SILVA GOMES

Advisor: PROF. Dr. MARIA EUGNIA VIEIRA DA SILVA
Co-Advisor: PROF. Dr. VICENTE WALMICK ALMEIDA VIEIRA
ABSTRACT
In practical application of solar energy systems, either active or passive, or for

others constructive uses, the selective coating that absorbs solar radiation has an important
hole in the absorption and emission of solar and thermal energy, with a direct influence in
the equipment cost-benefit relation. Surface coating for solar radiation absorber plates, or
simply selective surfaces, change the equipment energy gain and loss relations;
consequently, the performance of the different coatings available, their types and costs, and
their potential applications should be known. In general, solar collectors without selective
coating operate in temperature under 100oC and are used in hot water systems, in drying
processes, etc. There are practical applications such as, solar cookers, refrigeration systems,
and thermal desalination units among others, where high temperatures can only be reached
by the use of selective surfaces. To present high efficiency, solar collectors should have
maximum absorbance in the solar spectrum while maintaining minimum emittance in the
infrared region. This work presents a comparative study of the selective surfaces for solar
collectors currently used in the big centers of renewable energy utilization. The work
presents experimental the measurements for the absorber plate temperature, and the global
and direct solar radiation on the absorber plane as function of time. Samples of the different
selective absorber plates were tested in the ambient conditions in Fortaleza. Using the
experimental data and steady state energy balance equations for the absorber plates,
emissivity values were determined. The sample stagnation temperatures and the collector
top heat transfer loss coefficient were also calculated to show the selective coating
XVIII
performances. The microscope analysis (scanning electron microscope) for the different
coatings is also presented. The results clearly show the sample performances when exposed
to solar radiation and also that the procedure developed for this study can be used to
determine the thermal emissivity average values using simple experimental measurements.
XIX
1. INTRODUO
Em aplicaes prticas de energia solar ativa e passiva, ou para outros fins
construtivos, o revestimento superficial do material que absorve a radiao solar tem
um papel importante no que concerne absoro e emisso de radiao solar e
radiao
trmica,
influenciando
diretamente
na
relao
custo-benefcio
do
equipamento. Superfcies seletivas para as placas absorvedoras da radiao solar

alteram as relaes de ganho e perda de energia do equipamento e, por isso, o estudo
do desempenho dos diferentes revestimentos disponveis, seus tipos e custos, alm
de reas potenciais de aplicao, indispensvel no projeto de coletores solares.
Embora superfcies seletivas sejam utilizadas pelos fabricantes de
coletores solares em vrios pases, o mesmo no ocorre no Brasil. Uma empresa
fabricante nacional de coletores solares planos (que colabora com o nosso trabalho),
tem mostrado interesse na utilizao dessas superfcies, a fim de poder aumentar a
eficincia dos seus equipamentos, e possibilitar uma temperatura de operao mais
elevada na sada no equipamento, aumentando assim o horizonte de novas
aplicaes.
Quando placas absorvedoras de radiao solar so pintadas com tinta
preta fosca, de alta absortividade no comprimento de onda da radiao incidente, o
objetivo aumentar a coleta de radiao solar incidente. Para as superfcies cinzentas
e difusas, a absortividade, a emissividade direcional espectral e a emissividade total
hemisfrica possuem os mesmos valores (Lei de Kirchhoff). Assim, as tintas pretas
foscas com alta absortividade, apresentam tambm alta emissividade, provocando alta
perda por radiao trmica para o ambiente. O propsito da utilizao do revestimento
seletivo est em diminuir sensivelmente a emisso de radiao trmica, mas de forma
que o ganho lquido de energia seja aumentado. O esquema bsico do sistema em
estudo (superfcie seletiva-coletor) mostrado nas Figuras 1.1 e 2.1. A Figura 1.1
apresenta um desenho em perspectiva de um coletor solar. A Figura 2.1 apresenta o
esquema do caminho traado pela radiao solar ao incidir numa superfcie seletiva.
INDRODUO
_____________________________________________________________________________________
Coberta de Vidro
Superfcie Seletiva
Chapa de Cobre
Tubos do Coletor
Figura 1.1. Perspectiva de um coletor solar (SOLCHROME SYSTEMS INDIA LIMITED).
O coletor solar de placa plana um tipo especial de trocador de calor que

transforma a radiao solar em energia trmica. O coletor possui cinco componentes
bsicos:
1. Uma placa absorvedora composta de uma superfcie de cobre com
superfcie seletiva, ou somente pintada de preto que absorve a radiao solar
incidente aquecendo-se. Devido a sua elevada temperatura, calor flui por conduo
atravs das superfcies do metal at as paredes internas dos tubos dessa placa, onde
transfere energia por conveco para o fluido que escoa atravs dos tubos.
2. Uma coberta de vidro que permite a transmisso da radiao solar (de
pequeno comprimento de onda) e evita parcialmente a reflexo da radiao trmica
proveniente da placa (de maior comprimento de onda), reduzindo as perdas de
energia para o ambiente;
3. Isolamento lateral e inferior que reduz as perdas de calor por conduo
atravs das paredes que no so expostas radiao solar;
INDRODUO
_____________________________________________________________________________________
4. Canais de escoamento em cujas paredes o fluido de trabalho aquecido

por conveco;
5. Uma estrutura de suporte dos componentes.
A Figura 2 mostra a superfcie de um coletor solar com superfcie seletiva.
No processo de captao de energia, o sistema superfcie seletiva-coletor absorve a
radiao solar de curto comprimento de onda, emitindo radiao trmica de maior
comprimento de onda.
Figura 1.2. Esquema da radiao solar na superfcie seletiva-coletor

(AGNIHOTRI, O.P. & GUPTA, B. K., 1981).
Em geral, coletores de placa plana sem superfcies seletivas operam em

temperaturas menores que 100C, sendo utilizados nos processos de aquecimento de
gua, de secagem, etc. Existem aplicaes prticas como foges solares, sistemas de
refrigerao, dessalinizadores solares, onde temperaturas elevadas so desejadas,
tornando essencial o uso de superfcies seletivas.
A seletividade ptica de uma superfcie absorvedora varia em funo do
comprimento de onda, , da radiao incidente. A superfcie seletiva deve apresentar
alta absortividade na regio do visvel (0,2m<<0,7m) e no infravermelho prximo
(0,7m< <3,0m). A absortividade deve ser fraca na regio do infravermelho em que
>3,0m. Geralmente, coletores solares eficientes so aqueles que possuem um
mximo de absortividade no centro do espectro solar e um mnimo de emissividade no
infravermelho.
O objetivo deste trabalho a realizao de um estudo comparativo entre
as diferentes superfcies seletivas utilizadas nos maiores centros que utilizam energia
solar, como Alemanha e EUA. A realizao de estudo experimental do desempenho
INDRODUO
_____________________________________________________________________________________
trmico de placas absorvedoras nas condies ambientais de Fortaleza auxiliar na

deciso de quais materiais e para qual aplicao eles podero ser usados.
A realizao deste trabalho, envolveu as seguintes etapas:
1. Estudo experimental do desempenho das superfcies seletivas quando
expostas radiao solar ambiental;
2. Determinao da transmissividade e da refletividade de vidros
nacionais;
3. Anlise experimental microscpica da superfcie seletiva das placas;
4. Estudo numrico da determinao da emissividade das placas;
5. Clculo das temperaturas de estagnao de coletores para as diversas
superfcies seletivas;
2. PROPRIEDADES PTICAS
Neste captulo esto apresentadas as definies das propriedades pticas
das superfcies seletivas.
As propriedades pticas so utilizadas na caracterizao das superfcies
seletivas e na determinao da eficincia trmica dos coletores solares. Essas
propriedades so a absortividade, a emissividade e a refletividade das superfcies, que
podem ser opacas, especulares e difusas. A absortividade solar e a emissividade da
radiao so as propriedades bsicas para a caracterizao de coberturas seletivas.
2.1 Absortividade e Emissividade
A absortividade, , de uma superfcie a frao da radiao incidente que
absorvida pela superfcie. Se a superfcie for opaca, a soma da absortividade e da
refletividade igual unidade. A refletividade e a absortividade so funes do
comprimento de onda da radiao e do ngulo de incidncia. A absortividade
direcional monocromtica definida como a frao da radiao incidente de
comprimento de onda e na direo ( , ), onde o ngulo polar e o ngulo
azimutal do feixe com o plano da superfcie, como mostra a Figura 2.1. A energia
radiante que alcana o elemento de rea dA na direo ( , ) est mostrada na
Figura 2.1 e a expresso para a absortividade espectral dada por,
(, ) =
J,a (, )
J,i (, )
J (, )
( , ) = ,a
J,i (, )
(2.1)
onde os subscritos a e i referem-se radiao absorvida e incidente. J,i (, )

representa a irradiao espectral.
PROPRIEDADES PTICAS
_____________________________________________________________________________________
Figura 2.1 Representao geomtrica da energia radiante absorvida. (a) absortividade

direcional; (b) absortividade hemisfrica (AGNIHOTRI, O. P. & GUPTA, B. K.).
A absortividade direcional definida como a frao de toda a radiao

absorvida pela superfcie de direes (, ) e definida pela expresso,
(, ) J ,i (, )d
(, ) = 0
0 J ,i (, )d
(2.2)
A absortividade hemisfrica monocromtica obtida pela integrao da

expresso (2.2) em todo o hemisfrio. Essa expresso escrita como,
2
0
, (, , )J ,i (, , ) cos sendd
2
2
0
J ,i (, , ) cos sendd
(2.3)
PROPRIEDADES PTICAS
_____________________________________________________________________________________
A absortividade total hemisfrica pode ser obtida pela integrao da

expresso (2.3) sobre todos os comprimentos de onda.
( )J d
= 0
0 J ( )d
(2.4)
Se a superfcie no for plana, ela ter uma absortividade solar efetiva dada
pela razo entre a potncia solar absorvida e a potncia solar incidente no plano da
superfcie.
A emissividade de uma superfcie est relacionada como a capacidade
dessa superfcie de emitir radiao trmica. A emissividade a medida da energia que
uma superfcie emite em comparao com a que um corpo negro emitiria na mesma
temperatura. A emisso trmica depende de fatores como a temperatura do corpo, o
comprimento de onda e o ngulo sob o qual a energia emitida. A representao
geomtrica da emissividade direcional e hemisfrica mostrada na Figura 2.2. A
emissividade espectral a razo entre a emisso espectral (ou emisso
monocromtica em um dado comprimento de onda) de uma superfcie e a de um
corpo negro na mesma temperatura, sendo expressa por,
J
Jb,
(2.5)
onde Jb, a radiao espectral do corpo negro.
A emissividade direcional espectral de uma superfcie definida como a

razo entre a radiao monocromtica emitida por uma superfcie em uma direo
particular e a radiao monocromtica emitida por um corpo negro na mesma
temperatura e pode ser expressa por:
(, ) =
J (, )
Jb, (, )
(2.6)
A emissividade total t (, ) definida como a razo entre a emisso de

radiao de uma superfcie e a de um corpo negro na mesma temperatura incluindo
todos os comprimentos de onda de zero a infinito:
PROPRIEDADES PTICAS
_____________________________________________________________________________________
(, ) Jb, d
t (, ) = 0
0 Jb, d
(2.7)
A emissividade hemisfrica h, refere-se a emisso em todas as direes

possveis, 2 estereoradianos, dada por:
h, =
2
0
(, ) Jb, cossend d
2J
0 b,
(2.8)
cossend d
A emissividade hemisfrica total encontrada pela integrao da Eq. (2.8)

em todas as direes:
h =
2
0
0 0
(, ) Jb, cossend d
2
0
0 0
(2.9)
Jb, cossend d
Figura 2.2 Representao geomtrica da radiao direcional e hemisfrica. (a) emissividade

direcional; (b) emissividade hemisferica (AGNIHOTRI, O. P. & GUPTA, B.K.)
PROPRIEDADES PTICAS
_____________________________________________________________________________________
2.2 Refletividade
A determinao da refletividade de uma superfcie mais complexa do que
a da emissividade e a da absortividade. A superfcie pode ser atingida por radiao
com diferentes intensidades espectrais para os vrios ngulos de incidncia. Algumas
vezes, a refletividade espectral dada por apenas um ngulo de incidncia pode ser
suficiente, mas muitas vezes a refletividade espectral espacial da radiao
requerida. Quando a radiao incidente se distribui por um pequeno ngulo slido,
duas distribuies limitantes da radiao refletida existem: a especular e a difusa. A
Figura 2.3 mostra diferentes formas de reflexo de uma superfcie. No caso da
reflexo especular, o ngulo de incidncia igual ao ngulo polar refletido e o ngulo
azimutal difere de 180o. No caso da refletividade difusa, a reflexo ocorre igualmente
em todas as direes. A razo entre radiao refletida na direo ( r , r ) e a radiao
incidente na direo
(i , i ) ,
no comprimento de onda , denominada de
refletividade espectral bidirecional e pode ser definida como,
(r , r , i , i ) =
J,r (r , r , i , i )
J,i (r , r , i , i )
(2.10)
A refletividade espectral bidirecional pode ser integrada sobre todos

comprimentos de onda, obtendo-se assim a refletividade total. A refletividade espectral
bidirecional pode ser somada sobre todo ngulo slido refletido, sobre todo o ngulo
slido incidente, e sobre os ngulos slidos, incidente e refletido, para dar vrias
combinaes de refletividade direcional e hemisfrica. Siegel e Howell (1972)
apresentam uma anlise compreensiva do problema (Figura 2.3).
Figura 2.3. Formas de reflexo de uma superfcie (AGNIHOTRI, O. P. & GUPTA, B. K.)
PROPRIEDADES PTICAS
10
_____________________________________________________________________________________
A refletividade espectral hemisfrica, ( ) , definida como a frao da

radiao espectral refletida pela superfcie, ou seja,
( )
J,ref ( )
(2.11)
J ( )
que equivalente a
2
( ) = 0 0
, (, , )J,i (, , ) cos sen d d

2
2
0
(2.12)
J,i (, , ) cos sen d d
A refletividade total hemisfrica, , determinada por,
( ) J ( ) d
= 0
0 J ( ) d
(2.13)
2.3 Relao entre a Refletividade, a Emissividade e a Absortividade

Consideremos a troca de energia radiante entre um pequeno corpo opaco
e sua vizinhana, sob condio de equilbrio trmico (ou quase no equilbrio)
temperatura T (K). Realizando-se um balano de energia, obtm-se a absortividade
espectral deve ser igual emissividade espectral.
(, ) = (, ) = 1 (, )
(2.14)
Pela integrao em todos os comprimentos de onda, encontra-se a

relao:
= = 1
(2.15)
A emissividade espectral e a absortividade espectral podem ser calculadas

do valor da refletividade espectral hemisfrica.
PROPRIEDADES PTICAS
11
_____________________________________________________________________________________
2.4 Medies de Absortividade Solar e Emissividade Trmica

Vrias tcnicas so usadas em energia solar e na indstria aeroespacial
para medir a absortividade solar e a emissividade trmica de superfcies seletivas. As
medidas so usadas para implementar as equaes de balano de energia,
determinar os valores das temperaturas das superfcies absorvedoras. A absortividade
solar e emissividade trmica de superfcies podem ser medidas diretamente ou
indiretamente. A Figura 2.4 mostra a distribuio espectral da radiao solar e a
distribuio espectral do corpo negro em diferentes temperaturas W m 2 . m
em
funo do comprimento de onda [m] . Aproximadamente 97% do fluxo solar est

contido na regio espectral de 0,3m a 3,0m, o que corresponde distribuio de
radiao de um corpo negro na temperatura de 300K no intervalo de 4m a 60m. a
distribuio de radiao de um corpo negro contm quantidades significantes de fluxo
de radiao na regio de comprimentos de onda alm de 20m. Para uma perfeita
medida de emissividade, e refletividade medidas acima de 60m so necessrias.
Figura 2.4. Distribuio espectral da radiao solar direta (AMO) e inclinada (AM2), e a
radiao emitida por um corpo negro em 100C, 300C e 700C (Agnihotri & Gupta, 1981).
3. SUPERFCIES SELETIVAS
A rea de estudos em superfcies seletivas para aplicaes em coletores
solares extremamente vasta. Muitos trabalhos tm sido realizados por diferentes
pesquisadores, particularmente nos pases mais desenvolvidos. Este captulo no tem
por finalidade descrever todos os materiais e processos existentes, visto que para isso
seria necessria a elaborao de um ou mais livros. Contudo, esta reviso apresenta
um resumo das superfcies seletivas mais utilizadas e os resultados alcanados.
A exigncia principal de um excelente revestimento para absoro solar
a seletividade espectral. Uma superfcie cujas propriedades pticas de absortividade,
refletividade e emissividade variam nas regies da radiao solar e da radiao
infravermelha trmica chamada de superfcie seletiva espectral.
Para aplicaes em energia solar, uma superfcie seletiva espectral deve
ter alta absortividade radiao solar na regio visvel de alta intensidade e na regio
espectral do infravermelho prximo (at 3,0m) e deve ter baixa emissividade para a
radiao trmica infravermelha (> 3,0m). Uma superfcie seletiva ideal deve ter uma
transio abrupta entre as regies de alta e baixa refletividade, em torno de 2 m, que
aproximadamente o limite superior do espectro solar. Alm da seletividade espectral,
uma superfcie seletiva prtica deve ser estvel na temperatura de operao, possuir
vida longa e custo de fabricao baixo.
3.1 Superfcies Absorvedoras Seletivas Solares
As superfcies seletivas pretas so geralmente aplicadas sob uma base
metlica, que proporciona uma baixa emissividade radiao trmica e que apresenta
boas caractersticas de transferncia de calor para aplicaes trmicas solares. A
radiao solar pode ser captada como mostra a Figura 3.1(a) onde a maior parte da
energia absorvida e uma pequena parte refletida e emitida pela superfcie. Se a
superfcie particular no tiver boa seletividade, um ou mais filtros podem ser
adicionados. Isso permite que a radiao solar incidente atinja a superfcie
absorvedora, mas evita que a energia radiada pela superfcie escape. De maneira
similar, um refletor pode ser adicionado superfcie para refletir a energia na direo
da superfcie absorvedora, evitando que escape.
SUPERFCIES SELETIVAS
13
_____________________________________________________________________________________
Figura 3.1 Mecanismos de absoro de energia fototrmica (AGNIHOTRI & GUPTA.)
Os tipos de superfcies absorvedoras podem ser classificados como:

1. Absorvedor Intrnseco;
2. Absorvedor-Refletor Acoplado;
3. Multicamadas Empilhadas;
4. Combinao Refletor Semicondutor Pulverizado;
5. Sistemas de Armadilhas pticas;
6. Filmes de Materiais Compsitos;
7. Efeitos de Tamanho Quntico;
3.1.1 Absorvedores Intrnsecos
Nenhum material conhecido da natureza apresenta propriedades seletivas
solares ideais. Existem, contudo, materiais que apresentam propriedades seletivas
aproximadas s ideais. As propriedades seletivas solares intrnsecas podem ser
encontradas em dois tipos de materiais:
1. Metais de transio,
2. Semicondutores.
Para que cada um desses materiais possa servir como um absorvedor
intrnseco, grandes modificaes seriam necessrias. Em geral, os metais exibem
reflexo de plasma em torno de 0,3 m, que pode ser afastada na direo da radiao
infravermelha pela criao de centros de espalhamento internos. O Tungstnio um
dos metais que possui maior seletividade ao comprimento de onda. Por outro lado,
fazendo que um semicondutor seja altamente degenerado, possvel diminuir sua
freqncia de plasma na regio de radiao infravermelha.
Trs xidos metlicos de transio (trixido de dieurpio, cristal simples de
trixido de rnio e pentaxido de divandio) apresentam propriedades seletivas em
funo do comprimento de onda. Esses xidos exibem transies pticas de baixa
refletividade para alta refletividade muito cedo no espectro solar. Ions metlicos com
14
_____________________________________________________________________________________
camada d incompleta constituem uma caracterstica comum a todos esses xidos.

Quando um desses ons combinado com o oxignio, os eltrons da camada d se
tornam localizados, resultando numa transio da refletividade.
O lantnio hexaboro (LaB6) um outro material que apresenta alta
refletividade na regio infravermelha do espectro trmico e, simultaneamente, alta
transmitncia no espectro solar. Esse material se comporta como uma janela seletiva
ou espelho de calor transparente devido a sua alta transmissividade (0,85) no espectro
solar.
3.1.2
Absorvedor Refletor Acoplados

Nos absorvedores-refletores acoplados, um revestimento com alta
absortividade radiao solar depositado em um substrato metlico de alta

refletividade na regio infravermelha (por exemplo, cobre, alumnio, etc.). Dessa
forma, o sistema possui alta absortividade devido deposio exterior preta e
apresenta baixa emissividade devido ao substrato refletor metlico. A alta
absortividade do revestimento exterior pode ser ou de natureza intrnseca ou por
melhorias na geometria, ou pode ser uma combinao desses dois mecanismos.
Geralmente esses revestimentos pretos so semicondutores por natureza e sua
absortividade o resultado da interao dos ftons que possuem energias maiores do
que a da band gap (Apndice D). Por isso, o revestimento absorve os ftons como
resultado da elevao dos eltrons de valncia do material para a banda de conduo
e os ftons de menor energia do que a do band gap so transmitidos atravs do
material sem sofrer qualquer alterao.
3.1.2.1 Nquel Preto
O revestimento de nquel preto (ligas de Ni-Zn-S) em superfcies metlicas
de alta refletividade como superfcies seletivas solares foi descrito por Tabor (1967).
As superfcies pretas, que so produzidas por eletrodeposio, tm sido utilizadas em
coletores solares. O revestimento de nquel preto obtido pela imerso do substrato
como um ctodo em um banho eletroltico aquoso.
15
_____________________________________________________________________________________
3.1.2.2 Cromo Preto

Os revestimentos de cromo preto (Cr-Cr2O3) foram intensamente
investigados por McDonalds e colaboradores (1977) e empresas particulares.
Estudou-se o tempo de revestimento necessrio que produz a seletividade solar tima
para o cromo preto galvanizado sobre o nquel sem brilho e para o ao galvanizado
com estanho. O revestimento de cromo preto est disponvel no mercado como um
produto de propriedade industrial dessas empresas.
3.1.2.3 Cobre Preto
O revestimento seletivo mais utilizado em coletores solares o de xido de
cobre preto. Muitos autores investigaram as propriedades seletivas do revestimento
de CuO preparado por vrios processos: Spraying, converso qumica, polimento
qumico, lixvia custica, etc. Hottel e Unger (1959) produziram camadas de xido de
cobre pelo spraying (Apndice A) de uma soluo diluda de nitrato de cobre em chapa
aquecida de alumnio. Nessas circunstncias, uma camada verde clara se formava no
substrato de alumnio que, aps aquecida at uma temperatura superior a 170C, se
transformava em uma camada de xido de cobre preto. A absortividade solar desses
revestimentos era dependente da quantidade de massa por unidade de rea do filme.
A emissividade trmica diminua com a diminuio da concentrao da soluo e com
o tamanho da gota de spray. O valores timos para a absortividade solar e
emissividade trmica foram de 0,93 e 0,11, respectivamente.
3.1.2.4 Ferro Preto
Diversas pesquisas tm apresentado uma variedade de processos
trmicos e qumicos para a produo do revestimento de xido de ferro. Esses
processos so fceis e baratos, mas com resultados inferiores para a absortividade
solar e emissividade trmica, quando comparados s outras superfcies seletivas
como o cobre preto. Empresas comerciais tm desenvolvido seus processos como
propriedades industriais. Alguns resultados esto parcialmente disponveis, como o
trabalho de Chirstie (1970) que produziu esses revestimentos a partir de um banho
comercial chamado de Coberta Preta MR, que contm uma forte soluo alcalina.
Aps a imerso do substrato de ao no banho, por alguns segundos na temperatura
de ebulio de 140C, um revestimento liso, uniforme e preto alcanado. Os valores
16
_____________________________________________________________________________________
timos para a absortividade solar e emissividade trmica so de 0,85 e 0,10,

respectivamente.
3.1.2.5 xido de Cobalto
Tcnicas de eletrogalvanizao so utilizadas para preparar superfcies
seletivas de xido de cobalto em placas de ao revestidas de nquel. O banho
eletroltico foi investigado por Srivastava e Kumar (1973). Esses pesquisadores
tambm realizaram extensos estudos na porosidade, microestrutura e adeso dos
depsitos de cobalto sob diferentes condies de eletrodeposio (Apndice C).
Foram sugeridas vrias concentraes para banhos. Considerando seus resultados,
Vander
Liej
(1978)
sugeriu
que
dopagem
de
Fe3+
em
CoO
reduzia
consideravelmente o pico da refletividade para 1,2 m na curva de refletividade

espectral. Foi adicionada uma pequena quantidade de Fe2(SO4)3 ao banho de sulfato
de cobalto. Valores para a absortividade solar de 0,87 a 0,92 e de 0,07 e 0,08 para a
emissividade trmica foram observados em revestimentos seletivos de CoO e de CoO
dopados com Fe, respectivamente, depositados em substrato de ao com nquel.
3.1.3 Revestimentos de Converso Qumica
Revestimentos de converso qumica so de fcil fabricao, de baixo
custo e possuem vrias aplicaes. Entre os materiais mais encontrados, podem ser
citados: ao inoxidvel colorido, zinco preto, etc. As converses qumicas so
geralmente feitas a partir de solues disponveis no mercado.
3.1.3.1 Ao Inoxidvel Colorido
Inicialmente, a cor nos aos era usada somente com propsitos
decorativos. Apareceram os pesquisadores Karlsson e Ribbing (1978) e Smith, (1977),
que estudaram as propriedades seletivas das superfcies dos aos inoxidveis
coloridos. O processo de colorizao realizado por imerso em uma soluo quente,
que contm concentraes apropriadas de cromo e de cido sulfrico, formando assim
um filme. Contudo, esse filme suave e possui limitadas aplicaes devido a sua
suavidade. Para se remover essa desvantagem, um processo de endurecimento
realizado por tratamento catdico. A superfcie colorida apresenta boa resistncia
corroso e ao desgaste. O ao azul apresenta a melhor seletividade.
17
_____________________________________________________________________________________
3.1.3.2 Revestimento de Zinco Preto

O Lewis Research Center - NASA (1975), investigou as propriedades
seletivas solares do revestimento de zinco preto eletrogalvanizado e revestido
quimicamente. O zinco eletrorevestido pode ser produzido por converso de cromato e
de cloreto a partir de soluo comercial de cromato preto. As propriedades seletivas
solares foram estudadas em funo do tempo de tratamento. Com o aumento do
tempo, a aparncia das amostras variou de vermelha passando por violeta at preta.
Os valores timos da absortividade solar e da emissividade trmica para o zinco
convertido por cromato e por cloreto foram 0,79 e 0,07; e 0,93 e 0,08,
respectivamente. A converso de cromato produz revestimentos aderentes duros
enquanto que a converso por cloreto produz revestimentos suaves.
3.1.4 Semicondutores Puros
A seletividade espectral pode ser alcanada a partir de um absorvedorrefletor tandem pelo revestimento de um metal opaco que possua alta reflectividade
infravermelha trmica com um filme espesso de semicondutor, que possua um band
gap (Apndice D) de energia de 0,5 eV (2,5 m) at 1,26 eV (1,0 m) que absorve a
radiao solar, mas transparente radiao infravermelha. Entre esses materiais,
pode-se incluir o Si (1,1 eV), o Ge (0,7 eV) e o PbS (0,4 eV). Os materiais
semicondutores possuem altos ndices de refletividade na interface ar-semicondutor. O
coeficiente de reflexo pode ser reduzido por controle de espessura apropriado para
se obter interferncia destrutiva no pico da radiao solar. O coeficiente de reflexo
pode tambm ser reduzido fazendo-se um filme fino de alta porosidade ou pela
aplicao de um revestimento de anti-reflexo.
3.1.4.1 Silcio e Germnio
Para o silcio e o germnio, os filmes podem ser preparados por
evaporao a vcuo ou por tcnicas de evaporao de gs. Os filmes apresentam
uma mudana na fronteira da absortividade para os comprimentos de onda mais
curtos quando comparados aos de filme mais espessos. A absortividade solar
aumenta de 0,56 para 0,61 em filmes de germnio de evaporao a vcuo e de 0,91
para 0,98 em evaporao de gs, tendo espessuras de 0,5 e 1,0 m, respectivamente.
Comportamento similar observado para os filmes de silcio.
18
_____________________________________________________________________________________
3.1.4.2 Sulfeto de Chumbo

O sulfeto de chumbo um outro semicondutor que possui uma band gap
de 0,4 eV (2,5m), o que o faz um absorvedor-refletor tandem de alta seletividade. Alta
absortividade na regio solar pode ser alcanada com um filme de sulfeto de chumbo,
fino quando comparado aos filmes de silcio e germnio. A reduo da espessura do
filme devida ao alto coeficiente de absortividade pois se trata de um semicondutor
direto de band gap enquanto que o silcio e o germnio so semicondutores indiretos.
Williams et al. (1972) mostraram, teoricamente, que uma alta absoro na regio solar
e baixa emissividade trmica podem ser alcanadas em revestimentos no
homogneos de PbS que possuam uma alta frao de espaos vazios no
semicondutor, isto , baixo ndice de reflexo.
3.1.5 Combinao de Refletor-Semicondutor Pulverizado
Esse revestimento um exemplo de absorvedor-refletor acoplado. Nesse
caso, o revestimento de semicondutor em partculas disperso ou depositado em um
substrato de alta refletividade. As vantagens desse revestimento so: a facilidade de
aplicao e de fabricao, baixo custo e durabilidade. Empresas privadas tm
investigado
vrias
tintas
seletivas
solares,
como
tintas
pigmentadas
de
semicondutores, de xidos metlicos inorgnicos, de materiais pretos orgnicos e de

poeiras metlicas. As propriedades espectrais desse revestimento dependem das
propriedades pticas dos pigmentos, do tamanho das partculas, e dos efeitos do
espalhamento mltiplo entre o pigmento e o solvente. Alguns resultados foram obtidos
recentemente por Orel (2000) utilizando pigmentos de FeMnCuOX em solues de
resina de silicone com alguns aditivos, e os valores de emissividade encontrados
esto na faixa de 0,2-0,36 e de absortividade entre 0,8-0,93.
3.1.6 Multi-Camadas Empilhadas
No absorvedor-refletor acoplado, o efeito seletivo causado por um nico
passo atravs do meio ptico ativo, ou um passo de retorno aps a reflexo em uma
superfcie especular na camada inferior. No caso de pilhas de interfaces de
multicamadas, o efeito seletivo o resultado de uma multiplicidade de passes da
radiao
atravs
de
uma
camada
dieltrica
da
pilha
entre
superfcie
semitransparente e a superfcie totalmente refletora, como mostrado por Seraphin
19
_____________________________________________________________________________________
(1976), Figuras 3.2 e 3.3. A Figura 3.2 mostra um empilhamento de interfaces de

quatro camadas, composto de camadas de material dieltrico, separadas por um filme
semitransparente fino. Nesse caso, no necessrio que a camada dieltrica tenha
absoro intrnseca para que o empilhamento seja um absorvedor efetivo.
Figura 3.2 Camadas empilhadas no substrato de Ao (Seraphin, 1976)
As caractersticas gerais do empilhamento de interface de quatro camadas

podem ser vistas com a ajuda da Figura 3.3. A primeira curva corresponde
refletividade da camada de metal que tem alta refletividade na regio infravermelha e
uma menor refletividade na regio visvel. Pela adio de uma segunda camada de
material dieltrico, a refletividade na regio visvel diminuda, e a forma e posio da
curva dependem da espessura do material dieltrico. A adio de uma terceira
camada de metal semitransparente reduz a refletividade na regio visvel, como
mostra a curva 3. A quarta camada de dieltrico aumenta a absoro na regio visvel
e aumenta a regio de alta absortividade.
20
_____________________________________________________________________________________
Figura 3.3 Refletividade espectral para quatro camadas empilhadas adicionadas

sucessivamente (Seraphin, 1976).
3.1.7 Sistemas de Armadilhas pticas

O tratamento na textura da superfcie uma tcnica comumente usada na
obteno de armadilhas pticas capazes de estabelecer discriminao entre
comprimentos de ondas diferentes. Superfcies, adequadamente trabalhadas, parecem
rugosas e absorvedoras radiao solar (menores valores de ) enquanto parecem
espelhadas e refletoras radiao trmica (maiores valores de ).
Tabor (1967)
props um mtodo de melhoria da absortividade para valores prximos da unidade

corrugando-se a superfcie em uma srie de V. Empresas particulares tambm
adotaram esse mtodo e produziram superfcies seletivas solares. As tcnicas mais
utilizadas para melhorar a absortividade solar atravs da textura das superfcies so:
1. Ranhuras;
2. Revestimento por deposio eltrica (eletrodepositado) em superfcies
rugosas por processos mecnicos;
3. Semicondutores evaporados em vcuo parcial;
4. Rugosidade produzida por Sputtering (Apndice B);
5. CVD (deposio qumica de vapor);
21
_____________________________________________________________________________________
Cuomo et al. (1975) sugeriram uma superfcie formada por uma densa
floresta de agulhas alinhadas com dimetros da mesma ordem de grandeza do
comprimento de onda da luz visvel e com espaamento da ordem de vrios
comprimentos de onda. A superfcie absorveria com alta eficincia devido s mltiplas
reflexes medida que os ftons penetram o labirinto de agulhas.
A Figura 3.4 mostra uma superfcie corrugada em forma de V. A radiao
que incide normal s superfcies dobradas sofre vrias inter-reflexes. Mas, medida
que o ngulo de incidncia aumenta, a radiao incidente sofre menos reflexes. A
radiao cujo ngulo de incidncia de 90o no ocorre reflexo.
Figura 3.4 Absoro da Radiao Solar devido sucessivas reflexes em superfcies

corrugadas -V (Cuomo, 1975).
As Florestas de dendritos, Figura 3.5, absorvem radiao solar fazendo

uso da geometria de mltiplas absores e reflexes. Na regio trmica, os
comprimentos de onda da radiao so maiores do que os espaos entre os dendritos;
a superfcie parece polida e age como uma superfcie de alta refletividade e pobre
emissividade.
22
_____________________________________________________________________________________
Figura 3.5 Representao Esquemtica da floresta de dendritos (Cuomo, 1975).
3.1.8 Revestimentos de Materiais Compsitos

Filmes de compsitos de pequenas partculas metlicas mergulhadas em
dieltricos, tambm conhecidos como filmes granulares e de cimentos, possuem
propriedades pticas apropriadas para bons absorvedores solares. Esses filmes
absorvem fortemente na regio solar (0,2 m at 3,0m) devido s transies internas
entre bandas nos metais e a pequena ressonncia de partculas, enquanto so
transparentes na regio do infravermelho. Quando esses filmes de cimento so
depositados em espelhos metlicos de alta refletividade, o acoplamento (tandem)
forma uma superfcie de alta seletividade radiao solar e baixa emissividade. O
espalhamento de ressonncia depende tanto das propriedades pticas e dos
tamanhos das partculas, quanto do meio.
Vrios autores tm apresentado extensas investigaes sobre o estudo de
compsitos de metal-isolante e de semicondutor-isolante produzidos por sputtering
(Apndice B), eletrodeposio (Apndice C) e vrias formas de deposio de vapor.
Nos filmes compsitos de metal-isolante, a disperso das partculas metlicas em uma
matriz dieltrica ou condutiva fornece a seletividade espectral atravs do fenmeno do
espalhamento de ressonncia.
O cromo preto eletrodepositado consiste de um compsito dosado de
xido de cromo, e uma das superfcies seletivas mais utilizadas. Os revestimentos
23
_____________________________________________________________________________________
de cromo preto produzidos por processos de eletrodeposio (galvanizao) possuem

a vantagem do baixo custo, mas no so muito estveis em altas temperaturas
(> 300oC).
3.1.9 Efeitos de Tamanho Quntico
Os efeitos de tamanho quntico (QSE) ocorrem em filmes ultrafinos de
semicondutores degenerativos e resultam em alta absortividade radiao solar e
simultaneamente alta refletividade trmica. A combinao de um material de QSE com
um substrato de alta refletividade pode fazer um bom absorvedor solar para converso
foto-trmica.
Esses efeitos podem ser observados na deposio a vcuo do antimnio
ndio (InSb) sobre o substrato na prata ou alumnio.
O QSE importante em absorvedores seletivos de multicamadas.
Freqentemente, finas camadas metlicas so usadas entre camadas dieltricas.
Essas camadas so responsveis pela alta absoro de energia solar.
A maior desvantagem no uso de superfcies seletivas base de QSE sua
instabilidade frente s variaes de temperaturas e exposio atmosfricas.
4. MATERIAL E MTODOS
A primeira etapa dos trabalhos experimentais foi referente a construo do
arranjo com base mvel para colocao das amostras de superfcies seletivas,
imitando um coletor solar, e a realizao de medies experimentais (temperatura e
radiao solar). Em uma segunda etapa, essas medies experimentais utilizados em
modelos tericos para determinar: a emissividade das superfcies seletivas, o
coeficiente de perda de calor e a temperatura das placas absorvedoras, quando
operando em regime permanente.
A primeira etapa de medies experimentais inclui:
Seleo e preparao das superfcies a serem estudadas;
Determinao
da
transmissividade
refletividade
de
vidros
transparentes encontrado no mercado nacional;

Realizao de medies de temperatura dessas superfcies, quando

expostas radiao solar, e da temperatura da coberta de vidro;
Visualizao das superfcies atravs de fotos utilizando-se um

microscpio eletrnico de varredura (MEV);
Estudo da composio qumica das coberturas seletivas.
Na segunda etapa do trabalho, foram usados os resultados das medies

experimentais nas equaes de balano de energia nas superfcies, a fim de que
fossem determinadas as seguintes propriedades:
Transmissividade e refletividade de vidros transparentes;
Emissividade das superfcies seletivas;
Coeficiente global de perdas de calor da placa absorvedora para o

meio ambiente;
Temperatura de estagnao (maior temperatura alcanada pelo

coletor) das superfcies seletivas.
4.1 Medies Experimentais

Os trabalhos experimentais foram iniciados com a seleo dos materiais a
serem usados. Essa seleo representa as superfcies seletivas mais utilizadas.
MATERIAL E MTODOS
25
_____________________________________________________________________________________
Foram tambm testadas superfcies (tintas) semi-seletivas e no seletivas, sendo essa

ltima disponvel no mercado nacional.
4.1.1 Seleo, Preparao e Descrio das Superfcies Seletivas Estudadas
Cada material selecionado foi identificado por uma letra, evitando-se assim
o uso do nome comercial. A relao abaixo identifica e descreve as amostras:
Material A tinta preta, no seletiva.
Material B superfcie seletiva, (sputtering)
Material C superfcie seletiva, (black chrome).
Material D tinta seletiva.
Material E tinta semi-seletiva.
Material F superfcie seletiva, (sputtering).
Material A
O material A um esmalte preto no seletivo que pode ser adquirido em
casas de tintas no mercado nacional. a tinta usada em coletores para operao em
baixa temperatura para o aquecimento de gua. O fabricante no informa os valores
de absortividade nem da emissividade. Esses valores foram determinados neste
trabalho e esto apresentados no Captulo 5.
O esmalte foi aplicado chapa de cobre de 2mm de espessura seguindo
os seguintes procedimentos:
a) Abraso da superfcie da folha de cobre com uma lixa 400X e uma
posterior de 600X;
b) Remoo de gorduras da superfcie com cido ntrico de baixa
concentrao (1Molar);
c) Aplicao da tinta com o uso de Spray (Apndice A) a uma presso de
30psi;
d) Secagem e cura da tinta, temperatura ambiente, durante uma hora.
Material B
A superfcie seletiva (Material B) possui absortividade de 0,95 e
emissividade de 0,05, conforme dados apresentado pelo fabricante. O processo de
MATERIAL E MTODOS
26
_____________________________________________________________________________________
fabricao do Material B o sputtering (Apndice B) no qual o xido de cromo

depositado no substrato de cobre com uma posterior cobertura de xido de antimnio.
Material C (Black Chrome)
A superfcie seletiva (Material C) possui uma absortividade de 0,96 + 0,02
e emissividade de 0,12 + 0,02, como apresentado pelo fabricante. O processo de
fabricao do Material C foi iniciado com uma limpeza qumica da chapa de cobre,
posterior eletrodeposio de nquel (Apndice C) e, aps essa etapa, o xido de
Cromo foi depositado por meio eletroqumico.
Esse material est disponvel no mercado internacional em rolos, podendo
ser adquirido por kg.
Material D (Tinta Seletiva)
A tinta seletiva (Material D) proveniente do mercado norte-americano. Foi
aplicada na realizao deste trabalho, seguindo os seguintes procedimentos,
indicados pelo fabricante:
a) abraso da superfcie da folha de cobre com uma lixa 400X e uma
posterior de 600X;
b) desengorduramento da superfcie com cido ntrico de baixa
concentrao (1 Molar);
c) aplicao da tinta com o uso de Spray a uma presso de 30p.s.i;
d) secagem e cura da tinta temperatura ambiente em intervalo de 1hora.
O fabricante estima uma emissividade para a tinta de 0,28-0,49, e a
absortividade de 0,88 a 0,94, dependendo da espessura do filme aplicado.
Material E (semi-seletiva)
A tinta semi-seletiva, material E, apresenta absortividade de 0,95 e
emissividade de 0,86, em temperatura de uso entre -60C e 250C, segundo dados
apresentados pelo fabricante.
MATERIAL E MTODOS
27
_____________________________________________________________________________________
A tinta semi-seletiva foi aplicada seguindo os seguintes procedimentos,

indicados pelo fabricante:
a) abraso da superfcie da folha de cobre com uma lixa 400X e uma
posterior de 600X;
b) desengorduramento da superfcie com cido ntrico de baixa
concentrao (1Molar);
c) aplicao da tinta com o uso de Spray a uma presso de 30p.s.i ;
d) secagem e cura da tinta, temperatura ambiente, durante uma hora.
Material F (superfcie seletiva)
A superfcie seletiva, material F, aplicada por sputtering (Apndice B), e
possui absortividade acima de 0,92 e emissividade inferior a 0,06 (das coberturas
seletivas estudadas) conforme dados do fabricante. A superfcie seletiva fabricada por
sputtering resistente condensao do vapor, alta corrosividade do bixido de
enxofre e alta temperatura de operao. A resistncia efetiva medida em teste
realizado pelo fabricante equivalente a um tempo de vida de 30 anos.
O sputtering um processo fsico que envolve a cobertura de um metal
(substrato) com partculas de um outro metal. O processo de produo do material F
realizado levando-se a placa ao alto vcuo e realizando a cobertura em trs estgios:
O primeiro a aplicao de uma camada estabilizadora, o segundo uma camada
com um semicondutor (camada absorvedora de radiao) e por ltimo uma camada
anti-reflexo, como mostrado na Figura 4.1.
Figura 4.1 Composio de camadas no processo de fabricao do material F.

(Thermomax Technologies )
MATERIAL E MTODOS
28
_____________________________________________________________________________________
4.1.2
Determinao
da
Transmissividade
Refletividade
de
Vidros
Transparentes
Na avaliao das superfcies seletivas foi necessria a determinao
experimental da transmissividade do vidro utilizado no sistema de captao de energia
solar. Esses valores foram usados para se estimar as perdas de energia trmica para
o meio ambiente.
Na determinao da transmissividade do vidro, cada amostra foi exposta
radiao solar global. Dois sensores de radiao foram utilizados para medir a
radiao incidente. Nas medies, o arranjo foi inclinado na direo do ngulo zenital,
possibilitando a incidncia da radiao direta (normal superfcie). Foi desenvolvido
um aparato experimental composto de:
Dois piranmetros;
Um coletor de dados (data logger);
Um suporte para a amostra de vidro;
Amostras de dimenses de 15cm x 10cm;
Espessuras variveis de 2mm, 4mm, 5mm, 6mm, 8mm, 10milmetros.
O aparato era exposto diretamente radiao ambiental. Medies da radiao solar

global incidente foram realizadas sobre e sob a amostra de vidro, como mostrado na
Figura 4.2.
Figura 4.2. Esquema do sistema de medio da transmissividade de vidros radiao solar

em vidros.
MATERIAL E MTODOS
29
_____________________________________________________________________________________
As medies foram realizadas em intervalos de tempo de dois segundos

durante duas horas. Os sensores de radiao registravam os valores a cada dois
segundos e as mdias eram armazenadas a cada minuto.
4.1.3 Composio Qumica das Amostras de Vidro
Na determinao da composio qumica das amostras utilizou-se a sonda
de EDX (Energy Dispersive X-ray) que faz parte do microscpio eletrnico de
varredura (MEV) onde uma amostra representativa de vidro foi utilizada para
determinar o percentual de ferro (mais ferro, menor transmissividade) existente no
vidro.
4.1.4 Estrutura microscpica das Superfcies
Foram realizadas verificaes e caracterizao da superfcie seletiva de
natureza microscpica, utilizando-se o microscpio eletrnico de varredura (Modelo
XL-30 PHILIPS) do Curso de Mestrado em Engenharia e Cincias dos Materiais da
UFC. Esses resultados esto apresentados no Captulo 5.
As verificaes e caracterizaes foram feitas para determinar a forma
superficial, a orientao e a composio de cada superfcie, como tambm a
existncia de algum fator relevante capaz de contribuir para o aumento da seletividade
do material.
4.1.5 Sistema de Medio das Temperaturas de Operao
Para a determinao da emissividade trmica da placa absorvedora
(superfcie seletiva), torna-se necessria a realizao de balanos de energia onde a
energia trmica acumulada no sistema igual a taxa lquida de energia que flui
somada a transformao de outras formas de energia trmica. Foram realizadas
medies de temperatura do ambiente, das placas e da coberta de vidro, e medies
de radiao solar global (entrada de energia). A equao do balano de energia
permitiu a determinao da emissividade usando-se as medies experimentais.
Um aparato experimental desenvolvido est apresentado na Figura 4.3. O
arranjo experimental composto de:
MATERIAL E MTODOS
30
_____________________________________________________________________________________
Cavidades nas quais as superfcies seletivas de 12cmx12cm foram

colocadas;
Cobertura de vidro;
Isolamento trmico de l de vidro;
Sistema construdo de madeira;
Termopares tipo K (dois em cada placa);
Piranmetro de radiao global;
Sistema de inclinao para acompanhamento da direo da radiao

solar;
Coletor de dados.
Figura 4.3. Aparato experimental para determinao da emissividade de superfcies seletivas.
4.2 Modelos Numricos

Essa etapa do trabalho apresenta um modelo analtico baseado nas
equaes de conservao de energia. Os ganho de energia pela radiao solar
incidente e as perdas de energia so por conveco, reflexo, e conduo, para o
isolamento e o ambiente.
A energia que chega placa por radiao solar expressa por,
MATERIAL E MTODOS
31
_____________________________________________________________________________________
Qc = opt R sol A P
(4.1)
onde, opt , R sol e A P so respectivamente a eficincia ptica, a intensidade de

radiao solar em [W/m2 ] e a rea da placa.
O produto da absortividade da placa pela transmissividade do vidro a
eficincia ptica do coletor solar, opt .
(4.2)
opt = V p
Para se calcular a energia que sai da placa, necessrio o conhecimento

dos modos de transferncia de calor para o ambiente atravs da face superior (vidro) e
das faces laterais e inferior (isoladas termicamente).
A placa troca calor com o vidro por conveco e radiao. A taxa de perda
de energia por conveco expressa por,
.
Qconv = hconv A P (TP TV )
(4.3)
onde hconv , TP e TV , so respectivamente o coeficiente de transferncia de calor por
conveco em W m2K e as temperaturas da placa e do vidro. Para se calcular o

coeficiente de conveco foi utilizado o nmero de Nusset, onde L o comprimento
caracterstico do problema (distncia entre a placa e o vidro), k a condutividade
trmica do ar e Nu o nmero de Nusselt,
h = Nu
k
L
(4.4)
Na conveco natural, o nmero de Nusselt calculado em funo do

nmero de Rayleigh, Ra. De acordo com Hollands et al. (1976):
1708
Nu = 1 + 1,44 1
Ra cos
(sen1,8 )1,6 .1708 Ra cos 3

1
+
1
5830
Ra cos
(4.5)
MATERIAL E MTODOS
32
_____________________________________________________________________________________
Ra =
g TL3
(4.6)
onde g a acelerao gravitacional, o coeficiente de dilatao volumtrica que tem

dimenso de 1/T, T a diferena de temperatura entre as placas, a viscosidade
cinemtica do ar e a difusividade trmica do ar.
A energia perdida por reflexo o resultado da reflexo da radiao solar
na superfcie da placa, e expressa por:
.
Q R = (1 P ) R sol A P
(4.7)
A perda de energia pelas faces lateral e inferior da placa absorvedora

ocorre atravs do isolamento trmico por conduo. Essa perda de energia
proporcional rea da placa, condutividade trmica e ao inverso da espessura do
isolamento, podendo ser expressa por:
.
Q=
k
A p (Tp Tb )
L
(4.8)
A energia perdida por radiao trmica da placa para o meio ambiente,

que inclui a emissividade de cada superfcie seletiva, expressa por:
4
4
&
Q
rad = P A P TP TV
(4.9)
onde P , , e TV , so, respectivamente, a emissividade da placa, a constante de

Stefan-Boltzmann, e a temperatura do vidro. O vidro perde ento calor por conveco
a radiao para o ambiente. No clculo da energia perdida por radiao, usa-se o
valor da temperatura do cu no lugar da temperatura ambiente. O cu pode ser
considerado como um corpo negro, e a expresso para o clculo de sua temperatura
foi apresentada por Swinbank (1963), como:
1,5
Tcu = 0,0552Tamb
(4.10)
MATERIAL E MTODOS
33
_____________________________________________________________________________________
A equao utilizada na realizao do balano de energia da placa, pode

ser escrita da seguinte maneira,
&
&
&
&
Q
acumulada = Q entra Q sai + Q transformada
(4.11)
&
onde Q
acumulada representa a taxa de energia acumulada (sensvel ou latente) na placa,
&
&
Q
entra a taxa da radiao solar incidente, Q sai a soma da taxa de energia perdida
&
por conveco, reflexo, isolamento e para o ambiente, e Q
transformada nula pois no
ocorre gerao de energia.

Em regime permanente, quando a temperatura da placa no est variando
com o tempo, o balano de energia pode ser expresso por:
V PR sol A P = P A P TP4 TV4 + h conv A P (TP TV ) + (1 P )R sol A P
(4.12)
Utilizando-se essa expresso e as medies experimentais (temperaturas

e radiao solar), a emissividade trmica das amostras pode ser determinada.
Com os valores determinados para a emissividade Eq.(4.12) e os dados
construtivos de um coletor solar, a temperatura pode ser calculada. Por exemplo:
utilizou-se um coletor de 4m2 de um sistema fogo solar, a fim de calcular a
temperatura de estagnao, ou seja, temperatura alcanada quando a vazo de fludo
no coletor praticamente zero, sendo est temperatura a mxima atingida no coletor.
A temperatura de estagnao foi calculada por:
Tstag (t ) = Tamb (t ) +
( )eff A c qs (t )
UL A eff
(4.13)
onde Tamb, , , qs, UL, Ac e Aeff, so respectivamente a temperatura ambiente, a

transmissividade do vidro, a absortividade da placa, a radiao solar mdia, o
coeficiente de perda total no coletor, e as reas do coletor e efetiva.
Para calcular o coeficiente de perda total no coletor, necessrio calcular
o coeficiente de perda de topo, Ut, e o coeficiente de perda para o isolamento de
fundo, Ub, e o coeficiente de perda para o isolamento lateral, Ue. A equao para o
clculo das perdas de topo foi desenvolvida por Klein [13], para a placa do coletor
operando entre 40<Te< 130C.
MATERIAL E MTODOS
34
_____________________________________________________________________________________
n
1
Ut =
+
0,31
h w
(344 Te )[(Te Tamb ) (n + f )]
2
(Te + Tamb ) Te2 + Tamb
+ 0,0425n(1 p )
+ [(2n + f 1) v ] n
(4.14)
onde n, Te, e hw, so, respectivamente, o nmero de chapas de vidros, a temperatura

mdia da placa e o coeficiente de transferncia convectiva de calor devido ao vento.
5. RESULTADOS E DISCUSSES
Neste captulo so apresentados e discutidos os resultados do trabalho.
Inicialmente, os valores de transmissividade de vidro transparente comum e os
grficos resultantes das medies experimentais ao longo do dia para os valores das
temperaturas das placas absorvedoras e do vidro so apresentados. As tabelas com
os valores das emissividades e das temperaturas de estagnao de coletores
simulados a partir dos valores de emissividade encontrados so tambm mostradas.
Na seo seguinte esto os grficos de EDX (Energy Dispersive X-Ray) e as
micrografias (fotos) obtidas no microscpio eletrnico de varredura com um aumento
de 3500X para cada amostra, demonstrando sua composio e seu formato
superficial.
5.1 Transmissividade do Vidro
Com os valores medidos da radiao solar global, a transmissividade do
vidro foi determinada para diferentes amostras de vidro transparente com espessuras
de: 2mm, 4mm, 5mm, 8mm, 10 mm. Os valores esto apresentados na Figura 5.1.
100
98
96
Transmissividade%
94
92
90
88
86
84
82
80
78
76
0
10
espessura(mm)
Figura 5.1. Grfico da Transmissividade versus Espessura do Vidro.
Os valores medidos foram usados na aproximao linear da curva

(com R2 = 0,943). A Equao (5.1) foi escrita como,
RESULTADOS
36
_____________________________________________________________________________________
V = 91 1,5 * x
(5.1)
onde V a transmissividade percentual e x a espessura em milmetros.

O valor da refletividade do vidro pode ser obtido utilizando a Equao (5.1).
Quando a absortividade do vidro, V , for zero. Isto ocorre para x = 0, a
transmissividade de = 91%, usando a relao entre a refletividade,
transmissividade e absortividade (Captulo 2), a refletividade do vidro pode ser
estimada por:
V + V + V = 1
(5.2)
onde V a refletividade do vidro. Neste caso, o valor encontrado da refletividade do

vidro foi de 9%.
Esses resultados so utilizados na determinao da eficincia ptica de
um sistema coletor solar (placa absorvedora-vidro).
5.1.2 Composio das Amostras
O percentual de ferro (Fe2O3) no vidro influencia suas propriedades
pticas. Quanto maior o percentual de ferro, menor ser a transmissividade. Desta
forma, o teor de ferro aumenta a absoro de radiao pelo vidro, Dietz (1963). O teor
de ferro do vidro foi determinado por EDX (energy dispersive x-ray) que forneceu o
valor de 0,49% em massa.
Os resultados esto apresentados na Figura 5.2.
Figura 5.2. Composio qumica das amostras de vidro.
RESULTADOS
37
_____________________________________________________________________________________
5.2 Temperatura nas Placas Absorvedoras

A Figura 5.3 apresenta as medies de temperatura, no conjunto placa
seletiva com cobertura de vidro, realizados no dia 14 de fevereiro de 2001, em
Fortaleza. Entre 10:17h e 18:00h, os valores apresentados so os das temperaturas
nas placas, na coberta de vidro e da temperatura ambiente. Paralelamente, foram
medidos valores das radiaes incidente e global. No incio das medidas, at 10:51,
observamos um comportamento transiente em todas as placas. No intervalo de tempo
que vai de 10:51h at 15:57h o comportamento foi de regime permanente, que pode
ser observado no grfico, tendo sido os valores utilizados nas determinaes
numricas.
Os valores de temperatura e radiao foram coletados a cada dois
segundos e armazenados a cada minuto no coletor de dados, e posteriormente
transferidos para o computador para serem filtrados e analisados.
Todos os resultados encontrados foram valores mdios para o intervalo de
armazenamento no qual as placas foram consideradas em estado estacionrio,
quando havia pouca variao na sua temperatura. A coleta de dados foi realizada
durante muitos dias e os valores da Figura 5.3 foram medidos em um bom dia de
radiao solar.
140
1200
120
1000
100
Temperatura [C]
80
600
60
400
Radiacao Solar Global [W/m2]
vidro
800
es malte
i nterpane
black chrome
solkote
solar lac k
tinox
ambiente
radia o global
40
200
20
18:06
17:48
17:30
17:12
16:54
16:36
16:18
16:00
15:42
15:24
15:06
14:48
14:30
14:12
13:54
13:36
13:18
13:00
12:42
12:24
12:06
11:48
11:30
11:12
10:54
10:36
10:18
0
10:00
T empo [h]
Figura 5.3. Temperatura das superfcies seletivas, da coberta de vidro e da radiao global ao longo do dia (14 de Fevereiro de 2001).
RESULTADOS
39
_____________________________________________________________________________________
Conforme a Figura 5.3, o material F apresentou a maior temperatura ao

longo do dia, 130C, enquanto o material A apresentou o menor valor, 97C.
Esses dados medidos foram usados na Equao (4.12) (equao do
balano de energia) para a determinao da emissividade de cada material.
Na
primeira iterao do processo, o valor mdio da absortividade das placas de 0,90 foi
utilizado. A emissividade das placas foi calculada usando-se esse valor mdio da
absortividade e os valores das temperaturas, radiao solar e velocidade do vento
medidos experimentalmente. Novos valores da absortividade foram calculados usando
os valores da emissividade e usados na comparao com os valores iniciais. O
processo iterativo convergiu em poucas iteraes. Para auxiliar os clculos foi
desenvolvido um programa em linguagem Fortran.
A Tabela 1 apresenta os valores de emissividade encontrados e os valores
fornecidos por fabricantes. Os resultados representam a mdia das medies no
perodo de regime permanente, isto , de 10:51h at 15:57h.
Tabela 1. Valores da emissividade das superfcies seletivas.
Material
Emissividade determinada
0,3
0,12
0,11
0,14
0,22
0,05
Emissividade fornecida pelo

fabricante
----
0,05
0,12 2
0,28-0,49
0,20 5
0,05
O material F apresentou a menor emissividade. Esses resultados

confirmam os valores das temperaturas alcanadas pela placas. O material A
apresentou a maior emissividade, embora o fabricante no tenha informado o valor.
Os valores de emissividade dos materiais C, E, e F encontrados esto dentro da faixa
determinada pelo fabricante.
As temperaturas de estagnao, apresentadas na Equao (4.12), foram
calculadas com os valores das emissividades apresentadas na Tabela 1. A
determinao da temperatura de estagnao requer conhecimento prvio do
coeficiente global de transferncia UL (Equao (4.14)), que depende diretamente das
caractersticas construtivas (materiais e dimenses do coletor). Os dados construtivos
de um coletor solar (4m2) que est sendo testado em um sistema de fogo solar no
Laboratrio de Energia Solar e Gs Natural da UFC foram utilizados. Essa escolha
permitiu uma verificao de ordem de grandeza dos valores medidos no experimento
com os valores encontrados para os diferentes materiais.
RESULTADOS
40
_____________________________________________________________________________________
Os valores para o coeficiente global de transferncia de calor e de

temperatura de estagnao esto apresentados na Tabela 2. Esses valores foram
encontrados nas mesmas condies de temperatura das placas, pressupondo-se uma
temperatura de 100C para as placas e 40 C para o ambiente.
Tabela 2. Valores do coeficiente de perda total e da temperatura de estagnao.
Materiais
Coeficiente de
Perda total UL
5,59
4,48
4,40
4,62
5,13
3,96
145,6
171,8
174,2
167,8
155,1
189,0
[W/m2 C]
Temperatura de
Estagnao [C]
Atravs da Tabela 2, pode-se notar a importncia do valor da emissividade

das placas em coletores solares, visto que os valores do coeficiente de perda total no
coletor tiveram grande variao: o de menor valor, o do material F, igual a
3,96 W/m2 .0C e o de maior valor, o do material A, igual a 5,59 W/m2 .0C. Como o valor
da temperatura de estagnao diretamente proporcional ao valor do coeficiente de
perda total, pela Equao (4.13), os valores apresentados para esta condio de
189,0 0C, para o material F, de melhor desempenho, e 145,6 0C para o de pior
desempenho, material A.
Clculos da temperatura de estagnao foram realizados considerando-se
as temperaturas mdias, encontradas no grfico da Figura 5.3, e os resultados
encontrados esto na Tabela 3.
Tabela 3. Valores de temperatura mdia das placas, coeficiente de perda total e da
temperatura de estagnao.
Materiais
Temperatura mdia
das placas [C]
96,0
115,0
117,0
110,0
101,0
125
Coeficiente de perda
total Ul [W/m2 C]
5,49
4,85
4,82
4,88
5,18
4,50
Temperatura de
estagnao[C]
131,15
144,36
145,07
143,67
137,14
153,18
RESULTADOS
41
_____________________________________________________________________________________
Observando-se os valores dos coeficientes de perda total (Tabela 3),

confirma-se o resultado apresentado na Tabela 2 , que classifica o material F como
sendo o de melhor desempenho, e o material A, como o de menor desempenho. A
Tabela 3 tambm mostra que os valores dos coeficientes de perda total dos materiais
B e C so bem prximos devido aos valores de suas propriedades pticas serem
prximos.
Analisando os resultados, avaliamos a importncia de superfcies seletivas
com bons valores de suas propriedades fsicas para uma melhor eficincia de
coletores solares.
5.3 Grficos de EDX e Fotos
Os grficos de EDX abaixo mostram a composio de cada superfcie
seletiva. Em todos os grficos, aparece o elemento cobre, substrato de todas as
amostras. As micrografias das superfcies dos diversos materiais possibilitam a
verificao de possvel orientao das camadas, seu grau de homogeneidade e
mtodo usado para sua deposio.
Figura 5.4. EDX do material A.
A Figura 5.4 apresenta o EDX do material A, uma tinta, mostrando que

essa tinta apresenta vrios constituintes na sua composio, mas com o material
base, o carbono e alguns xidos de alguns elementos.
RESULTADOS
42
_____________________________________________________________________________________
Figura 5.5. Micrografia do material A, com um aumento de 3500X.
A Figura 5.5 apresenta a micrografia do material A, uma tinta, mostrando

que o material A pouco homogneo, e no apresenta orientao.
Figura 5.6 EDX do material B.
A Figura 5.6 apresenta o EDX do material B que constitudo base de

xido de cromo, semicondutor, responsvel pela absoro, e uma cobertura de xido
de antimnio, responsvel pela caracterstica de anti-reflexo.
RESULTADOS
43
_____________________________________________________________________________________
Figura 5.7. Micrografia do material B com aumento de 3500X.
A Figura 5.7 apresenta a micrografia do material B com um aumento de

3500X, mostrando que sua superfcie apresenta aparente efeito do processo de
sputtering (homogeneidade) sobre um substrato previamente laminado (orientao).
Figura 5.8. EDX do material C.
A Figura 5.8 apresenta o EDX do material C que constitudo base de

xido de cromo, semicondutor, com traos de nquel e ferro resultantes do processo
de fabricao.
RESULTADOS
44
_____________________________________________________________________________________
Figura 5.9. Micrografia do material C com um aumento de 3500X.
A Figura 5.9 apresenta a micrografia do material C com um aumento de

3500X mostrando que a superfcie com orientao, devido ao substrato ter sido
previamente laminado, com boa homogeneidade, e com alguns ndulos que
provavelmente so provenientes do processo de fabricao.
Figura 5.10. EDX do material D.
A Figura 5.10 apresenta o EDX do material D que uma tinta seletiva

constituda de uma mistura de xidos de mangans, ferro, e de silcio, responsveis
por suas propriedades pticas, e com um solvente base de carbono.
RESULTADOS
45
_____________________________________________________________________________________
Figura 5.11. Micrografia do Material D com aumento de 3500X.
A Figura 5.11 acima apresenta a foto do material D, mostrando que sua

superfcie foi aplicada de forma homognea, sem orientao, e com relevo irregular
que funciona como armadilha para a radiao.
Figura 5.12. EDX do material E.
A Figura 5.12 acima apresenta o EDX do material E que uma tinta semiseletiva mostrando que esse material base de carbono, cujo solvente tambm
base de carbono, com traos de titnio e tlio.
RESULTADOS
46
_____________________________________________________________________________________
Figura 5.13. Micrografia do Material E com aumento de 3500X.
A Figura 5.13 acima apresenta a foto do material E, mostrando que sua

superfcie foi aplicada de forma homognea, sem orientao, e com relevo irregular
que funciona como armadilha para a radiao.
Figura 5.14 EDX do Material F.
A Figura 5.14 apresenta o EDX do material F, demostrando que sua

constituio de xido de titnio, um semicondutor, responsvel pela sua alta
absortividade e baixa emissividade.
RESULTADOS
47
_____________________________________________________________________________________
Figura 5.15. Micrografia do Material F com aumento de 3500X.
A Figura 5.15 apresenta a micrografia do Material F, com um aumento de

3500X, mostrando que sua aplicao muito refinada, homognea e com orientao,
evidenciando aparente efeito de sputtering sobre um substrato previamente laminado.
6. CONCLUSES
O procedimento desenvolvido para a determinao da emissividade

trmica das superfcies seletivas foi adequado. Para as superfcies cujos fabricantes
apresentam os valores, os resultados apresentados na Tabela 1 so aproximados,
mesmo partindo de medies de temperatura e radiao, ou seja, medies simples
que tornou o custo de montagem do sistema pequeno, se comparado ao custo de
compra de um equipamento especfico.
Para as superfcies cujos fabricantes no apresentam esses valores, o
valor encontrado pode ser considerado como referncia para trabalhos futuros.
A determinao da temperatura de estagnao possibilita a definio no
uso apropriado dos materiais de fabricao, pois em certas aplicaes, como foges
solares, dessalinizadores, etc, so necessrias temperaturas elevadas para se obter
uma boa eficincia, e em outros casos a necessidade so temperaturas somente para
o aquecimento dgua.
Os resultados apresentados no MEV (microscpio eletrnico de varredura),
atravs da sonda EDX (Energy Dispersive X-Ray) mostram que as superfcies
constam de elementos qumicos, ou a combinao deles, com propriedades para
absorver e diminuir a reflexo da radiao solar quando utilizados na manufatura de
superfcies seletivas.
As micrografias obtidas no MEV indicam a homogeneidade, orientao,
assim como um histrico de qual processo foi utilizado na manufatura da superfcie
seletiva.
Trabalho similar no qual esse procedimento pode ser utilizado foi proposto
pela CHESF com o ttulo de: Determinao da Constante de Emissividade Trmica e
Coeficiente de Absoro Solar dos Condutores de Alumnio, mostrando que esse
procedimento, por ter menor custo, pode ser amplamente utilizado.
7. SUGESTES
Com os resultados obtidos, algumas sugestes para trabalhos futuros
podem ser antecipadas:
Determinar a emissividade trmica em superfcies a partir de medies

experimentais simples;
Realizar o estudo econmico em superfcies seletivas;
Desenvolver tintas seletivas de baixo custo;
Fazer as curvas de refletividade das superfcies.
8. REFERNCIAS
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APNDICES
APNDICE A
PISTOLA A AR COMPRIMIDO (SPRAY)

Na pistola a ar, a tinta depositada no recipiente expulsa em direo ao
bico da pistola pela ao da presso do ar. um mtodo de aplicao de tinta muito
utilizado em pintura industrial, no s na pintura de campo como na de oficina.
Alm de ser um mtodo de aplicao de tinta que apresenta grande
produtividade, tem como caracterstica a obteno de espessura de pelcula quase
que constante ao longo de toda a superfcie pintada, o que no , em termos prticos,
possvel com mtodos da trincha e do rolo.
O mtodo de aplicao por pistola a ar comprimido apresenta como
limitao o fato de levar a excessivas perdas de tinta durante a aplicao, da ordem de
25%, e os riscos de segurana, observados quando a aplicao feita em ambientes
fechados, so significativos, devido ao excessivo acmulo de solventes.
A instalao para aplicao das tintas pelo mtodo da pistola a ar
comprimido, ilustrada na Figura A.1, consta normalmente da recipiente para depsito
da tinta (equipado com vlvula de segurana, manmetro, regulador de presso e
vlvulas de entrada de ar e sada da mistura ar e tinta), mangueiras de ar e da mistura
ar e tinta, pistola (com bico que selecionado em funo da tinta que se quer aplicar,
a partir de instrues emanadas pelo fabricante da mesma) e fonte supridora de ar,
que deve ser, seco e com presso da ordem de 0,8 MPa (8 kg/ cm2 ).
APNDICE A
55
Figura A.1. Esquema de instalao para aplicao de tintas com pistola a ar comprimido.
Na aplicao da tinta por este mtodo, uma srie de cuidados deve ser
observada. O primeiro a correta diluio da tinta, procurando-se ajustar sua
viscosidade a uma aplicao adequada. Outro a seleo do bico da pistola, que
feita em funo de propriedades tixitrocpicas da tinta. A presso e a vazo do ar que
injetado no tanque de presso tambm devem ser selecionadas em funo das
propriedades da tinta que se que aplicar. Este elenco de parmetros definir o leque
de fluido constitudo da mistura tinta e ar que sai do bico da pistola.
APNDICE B
SPUTTERING
Durante uma descarga eltrica atravs de um gs, pode acontecer a
remoo de tomos do catodo, provocada pelo bombardeio de ons positivos. Esse
processo conhecido, em ingls, como sputtering. O sputtering uma espcie de
evaporao a frio do catodo e o produto dessa evaporao pode ser utilizado na
criao de um filme que se deseje construir sobre uma superfcie a ser revestida. Para
entendermos como isso possvel, consideremos uma cmara fechada, com
atmosfera controlvel (Fig. B.1).
M-
Ar+
+
filme
vcuo
argnio
Figura B.1. Processo de cobertura seletiva por sputtering.
Dentro da cmara, h os eletrodos, A e C, entre os quais podemos criar

uma diferena de potencial, com o auxlio da fonte de alta tenso, E. Uma bomba de
vcuo retira a atmosfera inicial da cmara. A seguir injetado um gs (em geral,
argnio) at que a presso no interior da cmara atinja um valor da ordem de 10-4 bar.
Quando aplicada uma alta tenso entre os eletrodos A e C, os eltrons livres que se
encontrem no interior da cmara sero acelerados na direo do eletrodo A. No seu
APNDICE B
57
caminho, os eltrons colidiro com tomos de argnio. Eventualmente, um tomo de

argnio perde um de seus eltrons da camada externa e se torna um on positivo, Ar+.
A populao de ons Ar+ assim gerada pode ser aumentada colocando-se o m, B,
junto ao eletrodo C. O m (junto com a diferena de potencial existente entre A e C)
faz os eltrons seguirem trajetrias helicoidais, mais longas, o que aumenta a
probablidade de coliso com tomos de argnio.
Quando os ons Ar+ atingem a superfcie metlica do eletrodo C ionizam
negativamente tomos desse eletrodo. Os ons metlicos, M-, so ento atrados para
o eletrodo A. Sobre o eletrodo A deve ser colocado o material cuja superfcie
desejamos revestir com um filme feito do metal M. Os ons metlicos, liberados do
eletrodo C, continuam a colidir com as molculas do gs, e entre si, repetidas vezes,
no interior da cmara. Isso causa um amplo espalhamento de ons M- e uma nuvem
difusa deles atinge a superfcie a ser revestida. Na prtica podemos obter filmes
contnuos, de espessura uniforme e controlada.
Descrevemos aqui, em linhas gerais, um dispositivo capaz de produzir
filmes metlicos, usando o sputtering. H vrias outras montagens, adequadas para
diferentes situaes, mas todas seguem o mesmo princpio de emisso de tomos a
partir de um eletrodo.
APNDICE C
ELETRODEPOSIO
O objetivo do processo de eletrodeposio preparar um deposito que
seja bem aderente ao substrato e que possua qualidades mecnicas, qumicas e
propriedades fsicas.
A mais importante propriedade do deposito manter suas
especificaes em todas as ocasies. O processo deve ser fcil e reprodutvel. Por

outro lado, muitos metais podem (por modificaes no banho e nas condies de
deposio) ser depositados com propriedades diferentes. Por isso que no se pode
definir uma condio somente para eletrodeposio para cada metal, como: o banho,
a densidade de corrente, temperatura, etc.
importante que o banho seja estvel ao longo do perodo de tempo por
causa da importncia na reprodutibilidade do deposito. necessrio que a quantidade
de deposito seja mantida apesar de variaes nas condies de operao, como
variaes na concentrao e densidade de corrente nas quais podem acontecer
variao, particularmente quando diferentes objetos sofrero deposio.
Os principais componentes dos processos de eletrodeposio so
mostrados esquematicamente na figura 1. Os componentes essenciais so:
1. Um banho de eletrodeposio contm sais condutores e o metal a ser
depositado na forma solvel, como tambm alguns aditivos.
2. Um ctodo eletronicamente condutor, i.e. a pea de trabalho a ser
depositada.
3. Um nodo (tambm eletronicamente condutor) que pode ser solvel ou
insolvel.
4. Um vaso inerte para conter 1 a 3, tipicamente, ao, polipropileno, etc.
5. Uma
fonte
transformador/retificador.
de
corrente
contnua,
usualmente
regulada
APNDICE C
59
nodo
Banho de Eletrodeposio
Figura C.1. Princpio da Eletrodeposio
A eletrodeposio um processo tipicamente eletroltico de deposio de

uma camada de metal numa superfcie. A pea a ser depositada o ctodo e no
banho eletrotico est contido o on metal Mn+ ento por uma simples reao no
ctodo, temos:
Mn+ + ne-
(C.1)
No caso geral, Mn+ pode ser um simples on aquoso como o Cu ou
representar um complexo como o [Au (CN)]-.
No nodo acontece uma reao de dissoluo do metal precursor na
soluo.
M ne-
Mn+
(C.2)
E, idealmente, as condies de eletrlise so controladas em cada
caminho que definem a corrente de eficincia da reao, e ento, a concentrao de
APNDICE C
60
Mn+ no banho permanece constante. Em alguns casos, o on do metal foi adicionado

como um sal slido e ento um nodo inerte empregado.
Para o sucesso do processo de eletrodeposio, o correto pr-tratamento
do ctodo, e uma seleo do material do nodo, o banho, a densidade de corrente e
outras condies de eletrlise so essenciais.
Os seguintes tipos de camadas podem ser eletrodepositadas:
1. Metais simples: os mais importantes so: Sn, Cu, Ni, Cr, Zn, Cd, Pb, Ag,
Au e Pt.
2. Ligas : Cu-Zn, Cu-Sn, Pb-Sn, Sn-Ni, Ni-Co, Ni-Cr e Ni-Fe.
3. Compsitos : metais dispersos em slidos, tais como, PtFe, Al O, WC,
diamante, SiC, Cr C e grafite.
A massa eletrodepositada de metal w pode ser expresso pela lei de
Faraday da eletrlise:
w=
Mq
nF
(C.3)
Onde M a massa molar do metal, q a carga eltrica e ( 1) a
corrente de eficincia do ctodo para a deposio do metal e F a constante de
Faraday. A maioria dos processos de eletrodeposio so realizados com uma
densidade de corrente constante I para um tempo medido t, a taxa de deposio
mdia por unidade de rea ento dado por:
w IM
=
A t nF
(C.4)
Onde o fator M / nF tradicionalmente chamado de equivalente
eletroqumico Esta expresso tambm pode ser expressa em termos da densidade de
corrente usada.
w
I M
= M
At
nF
(C.5)
APNDICE C
61
A taxa de deposio depende da massa molar do metal M, do nmero de

eltrons n por mol de Mn+ e da eficincia de corrente .
O rendimento da corrente um fator de grande importncia nos processos
reais. Os maiores banhos de eletrodeposio operam na regio de 0,9<>1,0. Mais
comum reao secundria a evoluo de Hidrognio no ctodo. A taxa mdia de
deposio pode ser estimada com base na espessura x pela considerao da Eq. 8.4
e assumida ou medida de uma densidade mssica de valor
para o metal
depositado:
x
iM
IM
=
=
t A nF nF
(C.6)
A qualidade da eletrodeposio final dependente de vrios parmetros,
incluindo a composio e a pureza do eletrlito, do nvel de agente aditivo, do pH,
temperatura, densidade de corrente, do eletrodo-nodo-geometria da clula e das
condies de fluxo. A camada eletrodepositada deve mostrar propriedades satisfatria
como brilho, ausncia de depsitos rugosos, textura uniforme.
APNDICE D
Inicialmente vamos considerar um tomo de Bohr isolado. Os eltrons da
coroa circundam o ncleo segundo leis perfeitamente determinadas. De modo
simplificado pode-se dizer que os eltrons de uma mesma camada possuem todos a
mesma energia. A Figura D.1 apresenta esquematicamente valores de nveis de
energia para as camadas de um tomo isolado, entre as quais no existem outros
nveis. Em outras palavras, no existem eltrons com valores de energia
intermedirios.
Figura D.1 Valores de energia dos eltrons no tomo de Bohr isolado e subdiviso
dos nveis eletrnicos de energia numa rede cristalina, transformando-se
em bandas de energia permitidas e proibidas.
Na composio de uma estrutura cristalina, os tomos permanecem muito

prximos entre si, resultando numa influncia mtua, e dessa interao advm uma
subdiviso dos nveis de energia.
Para cada camada eletrnica aparecem, ento, uma ou mais bandas de
energia (em lugar de um valor discreto nico), na qual ocorrem os valores de energia
permitidos para essa camada. Como num cristal existe um nmero muito grande de
tomos e consequentemente tambm h muitos eltrons para cada camada,
aparecem muitssimos valores de energia. Esses so muito prximos uns dos outros,
de maneira que se pode considerar a faixa como quase contnua, na forma de banda
de energia, isto , os eltrons de determinada camada podem assumir qualquer valor
de energia dentro dessa banda. Fala-se, nesse caso, de bandas (de energia)
permitidas. Mas, como no
APNDICE D
63
tomo isolado, existem tambm no cristal ideal, valores de energia que no so

assumidos por eltron algum. Tais valores, que s podem estar entre duas bandas
permitidas, constituem as bandas (de energia) proibidas.
A banda de energia mais alta de um cristal ideal, na qual todos os nveis
de energia so ocupados por eltrons de valncia, a T= 0 K, chamada de banda de
valncia, pertencentes s ligaes covalentes. Os nveis dos eltrons que pertencem
carcaa atmica se situam em bandas de energia abaixo da de valncia.
Quando em um semicondutor um eltron se afasta de uma ligao
covalente (tornando-se, portanto, livre) o seu nvel mnimo de energia se situa na
banda permitida imediatamente acima da banda de valncia. eSsa banda chamada
banda de conduo, pois os eltrons que a ocupam so livres, consequentemente,
eltrons mveis que podem ser utilizados para o transporte de uma carga eltrica, ou
seja, para fins de conduo.
A distncia (em termos de energia) entre a banda de valncia e a de
conduo determinada pela mnima energia que um eltron de valncia deve
receber para se libertar de uma ligao covalente da estrutura, a essa energia d-se o
nome de energia Gap.
Figura D.2. Estrutura de bandas de um semicondutor e de um isolante a T = 0K.
APNDICE E
MEDIDAS DE TEMPERATURA
Medida de temperatura de um corpo ou fluido comumente realizada nas
indstrias de processo. Dispositivos medidores de temperatura utilizam sistemas com
propriedades que variam com a temperatura, de maneira que a reprodutibilidade pode
ser calibrado com referncias conhecidas (s vezes chamados termmetros
secundrios). Os trs dispositivos de medida dominantes usados em controle
automtico so termopares, termmetros de resistncia, e piranmetros e so
aplicados em regimes de temperatura diferentes.
TERMOPARES
Nas medies de temperatura foram utilizados termopares do tipo K. Um
termopar constitudo de dois fios de metais diferentes unidos em uma das
extremidades, que fica em contato com a fonte de calor. O seu funcionamento baseiase no princpio descoberto por Thomas Seebeck (1821), que pequenas diferenas de
temperatura entre os dois metais gera uma micro-voltagem, linearmente proporcional a
essa diferena. Essa micro-voltagem determinada pela expresso,
eAB = T
(E.1)
onde a constante de proporcionalidade representa o coeficiente de Seebeck.

Os canais programados que fazem as leituras dos termopares so
calibrados antes de iniciar as medies. A calibrao feita utilizando-se um meio
termicamente estvel (banho de gelo). Aps a calibrao dos canais dos termopares
feita a programao do canal do sensor de radiao.
PIRANMETROS
O piranmetro um instrumento usado para medir o fluxo de radiao
solar incidente em uma superfcie. Os valores medidos so integrados para todos os
comprimentos de onda. O piranmetro instalado prximo ao sistema do tipo
termoeltrico. Seu princpio de funcionamento semelhante ao de uma termo-pilha,
constituda por pares termoeltricos (termopares) em srie, que medem a diferena de
APNDICE E
65
__________________________________________________________________________________________________________
temperatura entre duas superfcies, normalmente pintadas de preto e branco, e

igualmente iluminadas. A vantagem principal da termo-pilha a sua resposta uniforme
em relao ao comprimento de onda. O piranmetro utilizado neste trabalho
classificado como de preciso.
Piranmetro de Radiao Total
Em piranmetros de radiao total, a radiao trmica medida em cima de
uma grande variao de comprimentos de onda do objeto a alta temperatura. O
detetor normalmente um termopilha que construdo conectando vrios termopares
em srie para aumentar a variao de medida de temperatura. O piranmetro
calibrada para corpos negros, assim a temperatura indicada Tp poder ser convertida
para temperatura de corpos que no so negros.
Preciso de Piranmetros
A Maioria dos mtodos de estimao de temperatura para piranmetros
assume que o objeto um corpo cinzento ou possui valores de emissividade
conhecidos. O emissividade do corpo no negro depende do estado interno ou a
geometria de superfcie dos objetos. Tambm, a mdia de passagens de radiao
trmicas sempre no so transparentes. Estas incertezas inerentes dos valores de
emissividade fazem uma difcil estimao precisa da temperatura do objeto alvo. A
seleo apropriada do piranmetros e valores de emissivitdade precisos podem prover
um nvel alto de preciso.

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UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEAR

ESTUDO COMPARATIVO DE SUPERFCIES SELETIVAS PARA

CARLOS ANTONIO SILVA GOMES

UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEAR

Estudo Comparativo de Superfcies Seletivas para Coletores Solares

Dissertao apresentada ao Departamento de

Universidade Federal do Cear como parte

Orientador: Prof. Dr. Vicente Walmick Almeida Vieira

3.1.4 Semicondutores Puros..................................................................................17

5.1.2 Composio das Amostras............................................................................36

APNDICE A [PISTOLA A AR COMPRIMIDO(SPRAY)]..................................................55

caminhada, e em especial a minha me

Minhas homenagens especiais:

estmulo no decorrer da orientao deste

3.1.4 Semicondutores Puros..................................................................................17

5.1.2 Composio das Amostras............................................................................36

APNDICE A [PISTOLA A AR COMPRIMIDO(SPRAY)]..................................................55

Figura 1.1. Esquema em perspectiva de um coletor solar com superfcie seletiva............. 2

Figura 5.3 Temperatura das superfcies seletivas da coberta de vidro e da radiao

Tabela 1. Valores de emissividades das superfcies seletivas...........................................39

Acelerao gravitacional, [9,8 m/s]

Coeficiente de transferncia de calor, [W/m2K]

Radiao espectral, [W/m2]

Condutividade trmica do material, [W/m K]

Distncia entre as placas, [m]

Nmero das chapas de vidro

Nmero de Nusset, [adimencional]

Taxa de transferncia de calor, [W]

Radiao solar, [W/m2]

Coeficiente global de perdas no coletor solar, [W/m2K]

Fluxo de radiao, [W/m2]

Absortividade da placa absorvedora, [adimencional]

Constante de Stefan-Boltzmann, [W/m2K4]

Coeficiente de dilatao volumtrica, [T-1]

ngulo azimutal, [rad]

ngulo polar, [rad]

ESTUDO COMPARATIVO DE SUPERFCIES SELETIVAS PARA COLETORES

Autor: CARLOS ANTONIO SILVA GOMES

Em aplicaes prticas de energia solar ativa e passiva, ou para outros fins

experimentais da temperatura em seis amostras de placas absorvedoras e da radiao solar

amostras. As temperaturas de estagnao foram calculadas, e usadas na determinao do

Author: CARLOS ANTONIO SILVA GOMES

In practical application of solar energy systems, either active or passive, or for

Author: CARLOS ANTONIO SILVA GOMES

In practical application of solar energy systems, either active or passive, or for

equipamento. Superfcies seletivas para as placas absorvedoras da radiao solar

Figura 1.1. Perspectiva de um coletor solar (SOLCHROME SYSTEMS INDIA LIMITED).

O coletor solar de placa plana um tipo especial de trocador de calor que

4. Canais de escoamento em cujas paredes o fluido de trabalho aquecido

Figura 1.2. Esquema da radiao solar na superfcie seletiva-coletor

Em geral, coletores de placa plana sem superfcies seletivas operam em

trmico de placas absorvedoras nas condies ambientais de Fortaleza auxiliar na

onde os subscritos a e i referem-se radiao absorvida e incidente. J,i (, )

Figura 2.1 Representao geomtrica da energia radiante absorvida. (a) absortividade

A absortividade direcional definida como a frao de toda a radiao

A absortividade hemisfrica monocromtica obtida pela integrao da

A absortividade total hemisfrica pode ser obtida pela integrao da

onde Jb, a radiao espectral do corpo negro.

A emissividade direcional espectral de uma superfcie definida como a

A emissividade total t (, ) definida como a razo entre a emisso de

A emissividade hemisfrica h, refere-se a emisso em todas as direes

A emissividade hemisfrica total encontrada pela integrao da Eq. (2.8)

Figura 2.2 Representao geomtrica da radiao direcional e hemisfrica. (a) emissividade