Curso de Eletrnica

Eletrnica Bsica 1
Parte 1

Prof. Kobori
Prof. Antonio Carlos Kobori
carloskobori@bol.com.br
www.kobori.tk

Apostila de EB1 verso 2006.1

todos direitos reservados

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MLTIPLOS E SUBMLTIPLOS
Para representar as grandezas eltricas,
utilizamos como em outras
grandezas os mltiplos e submltiplos . A utilizao se faz necessrio pois, em
algumas grandezas suas representatividades so muito altas ou muito baixas, alem
de facilitar os clculos .
Giga
Mega
Kilo
Unidade
mili
micro
nano
pico

109
106
103
100
10-3
10-6
10-9
10-12

G
M
K
m

n
p

1000000000
1000000
1000
1
,001
,000001
,000000001
,000000000001

A potncia de dez um recurso matemtico utilizado para representar de

forma simplificado quantidades muito grandes ou muito pequenas por meio da
multiplicao do algarismo significativo pela base de dez elevada a um expoente
positivo ou negativo.
Em eletricidade e eletrnica, muito importante que o expoente seja um
mltiplo de trs, possibilitando a substituio da potncia de dez pelo prefixo mtrico
correspondente.
REGRAS MATEMTICAS
Transformao de expoentes da base dez
Para a transformao em potncia de dez usaremos uma regra simples, se
aumentar o valor do expoente dever diminuir na mesma proporo o algarismo
significativo e, se diminuir o expoente dever aumentar na mesma proporo o
algarismo significativo.
Exemplo: 12 10 2 1,2 10 3

) (

Adio e subtrao com potncias de dez

Ajustar a potncias de dez das bases a um mesmo expoente e somar ou
subtrair os seus algarismos significativos de acordo com a operao desejada.
Exemplo: 12 10 2 + 8 10 3 1,2 10 3 + 8 10 3 = 9,2 10 3

) (

) (

) (

Multiplicao e diviso com potncias de dez

Multiplicar ou dividir os algarismos significativos e, respectivamente, somar ou
subtrair os expoentes das potncias de dez, conforme a operao desejada.
Exemplo: 12 10 3 2 10 2 = 24 10 5

) (

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EXERCCIOS
1. Transformao
a) 10 x 103 =..........................x101
b) 3,5 x 10-6 = ........................x10-2
c) 5,25 M = ...................K
d) 15,25 mA = ................. A
e) 0,125 F = ................. p F
f) 12 KpF = ............................. F

2. Calcule
a) (12 A ) + (120 n A) =
b) (125 p F) + (0,18 n F) =
c) (12 M ) - (6 K ) =
d) (45 A) x ( 35 n A) =
e) (30 n A) / (15 A) =
f) (425x103 ) + (250x10-1) =

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TENSO, CORRENTE E RESISTNCIA ELTRICA.

Se observarmos, veremos que estamos cercados de equipamentos
eletro-eletrnicos, em nossa casa , no trabalho , diverso , ou seja, so produtos
que sem eles nossa vida sofreria uma grande transformao , ou at mesmo um
caos.
Todos esses equipamentos traz intrnseco as trs grandezas
fundamentais para o estudo da eletroeletrnica, so elas a Tenso , a Corrente e a
Resistncia eltrica.
Recorremos a estrutura bsica do tomo para incio de nossa anlise e
estudos. O tomo e formado por um ncleo onde esto as cargas positiva (prtons)
e as carga neutras (nutrons); em rbita nas camadas orbitais se localizam os
eltrons com carga negativa . Sero estes eltrons responsveis pela corrente
eltrica que estudaremos.

Eltrons

Ncleo
Prtons (+)
Nutrons (neutras)

Carga Eltrica
Um corpo tem carga negativa se nele h um excesso de eltrons e positiva se
h falta de eltrons em relao ao nmero de prtons.
A quantidade de carga eltrica de um corpo determinada pela diferena entre o
nmero de prtons e o nmero de eltrons que um corpo contm. O smbolo da
carga eltrica de um corpo Q, expresso pela unidade Coulomb (C). A carga de um
Coulomb negativo significa que o corpo contm uma carga de 6,24 x 1018 mais
eltrons do que prtons.
Diferena de Potencial - Tenso Eltrica
Graas fora do seu campo eletrosttico, uma carga pode realizar trabalho
ao deslocar outra carga por atrao ou repulso. Essa capacidade de realizar
trabalho chamada potencial. Quando uma carga for diferente da outra, haver
entre elas uma diferena de potencial (E).
A soma das diferenas de potencial de todas as cargas de um campo
eletrosttico conhecida como fora eletromotriz.
A diferena de potencial (ou tenso) tem como unidade fundamental o
volt(V).

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Corrente
Corrente (I) simplesmente o fluxo de eltrons. Essa corrente produzida
pelo deslocamento de eltrons atravs de uma ddp em um condutor. A unidade
fundamental de corrente o Ampre (A). 1 A o deslocamento de 1 C atravs de
um ponto qualquer de um condutor durante 1 s, sendo portanto 6,24x10 18 eltrons
por segundo.
I=Q/t
O fluxo real de eltrons do potencial negativo para o positivo. No entanto,
conveno representar a corrente como indo do positivo para o negativo.
Resistncia Eltrica
Resistncia a oposio passagem de corrente eltrica. medida em
ohms (). Quanto maior a resistncia, menor a corrente que passa.
Os resistores so elementos que apresentam resistncia conhecida bem
definida. Podem ter uma resistncia fixa ou varivel.
Circuito Eltrico
Neste circuito eltrico fundamental, notamos a
representao destas grandezas eltricas:
Fonte de tenso
Chaves ou interruptores
Carga e Resistncia
importante observar que para que haja
corrente eltrica preciso uma fonte de
tenso e o circuito fechado.
Potncia Eltrica
De uma maneira geral, os aparelhos eltricos so dispositivos que
transformam energia eltrica em outras formas de energia. Por exemplo: em um
motor eltrico, a energia transformada em energia mecnica de rotao do motor;
em um aquecedor, a energia eltrica transformada em calor; em uma lmpada
incandescente, a energia eltrica transformada em energia luminosa, etc.
Uma corrente eltrica realiza trabalho fazendo funcionar um motor, aquecendo um
fio e de outras maneiras.
A potncia de uma corrente, ou o trabalho que ela realiza por segundo,
depende de sua intensidade e da tenso. Um watt a potncia de uma corrente de
1 Ampre, quando a diferena de potencial 1 volt. Para calcular a potncia eltrica
podemos usar a equao P

=VxI

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EXERCCIOS
1. Conceitue Tenso eltrica.

2. Conceitue Corrente eltrica.

3. Conceitue Resistncia eltrica.

4. Conceitue Potncia eltrica.

5. Calcule a quantidade de eltrons que circula por uma seo de um condutor ,

por segundo , quando temos uma intensidade de corrente eltrica de :
a)1,25 A
b)250 mA
c)700 A
6. Pode haver tenso eltrica sem a necessidade de corrente eltrica, no
entanto no poder haver corrente eltrica sem uma tenso eltrica e um circuito
fechado.
Comente a afirmao acima, conceituando as grandezas eltricas.

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RESISTORES E CDIGOS DE CORES

Resistores so componentes que tm por finalidade oferecer uma oposio
passagem de corrente eltrica, atravs de seu material. A essa oposio damos o
nome de resistncia eltrica, que possui como unidade o ohm (), onde
encontramos como mltiplos mais usuais:
Kilo - ohm (K)
Mega - ohm (M)

Os resistores fixos so comumente especificados por trs parmetros:

O valor nominal da resistncia eltrica;

A tolerncia, ou seja, a mxima variao em porcentagem do valor nominal;

Mxima potncia eltrica dissipada

Exemplo: Tomemos um resistor de 1000 +/- 5% - O,33W, isso significa que

possui um valor nominal de 1000 , uma tolerncia sobre esse valor de
mais ou menos 5% e pode dissipar uma potncia de no mximo
0,33 watts.
Dentre os tipos de resistores fixos, destacamos os de:

Fio

Filme de carbono

Filme metlico.

Resistor de fio: Consiste basicamente em um tubo cermico, que servir de

suporte para enrolarmos um determinado comprimento de fio, de liga especial para
obter-se o valor de resistncia desejado. Os terminais desse fio so conectados s
braadeiras presas ao tubo.

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Os resistores de fio so encontrados com valores de

resistncia de alguns ohms at alguns Kilo-ohms, e
so aplicados onde se exige altos valores de
potncia, acima de 5W, sendo suas especificaes
impressas no prprio corpo.

Resistor de filme de Carbono:

Consiste em um cilindro de porcelana recoberto por um filme (pelcula) de carbono.
O valor da resistncia obtido mediante a formao de um sulco, transformando a
pelcula em uma fita helicoidal. Esse valor pode variar conforme a espessura do
filme ou a largura da fita. Como revestimento, encontramos uma resina protetora
sobre a qual ser impresso um cdigo de cores, identificando seu valor nominal e
tolerncia.

Os resistores de filme de carbono so destinados ao uso geral e suas dimenses

fsicas determinam a mxima potncia que pode dissipar.

Resistor de filme metlico:

Sua estrutura idntica ao de filme de carbono, somente que, utilizamos uma liga
metlica (nquel-cromo) para formarmos a pelcula, obtendo valores mais precisos
de resistncia com tolerncias de 1 % e 2%.

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Multiplicador

1 e 2 faixas
1 e 2 dgitos

3 faixa
Multiplicador

4 faixa
Tolerncia

Cor

Dgito

Cor

Multiplicador Cor

Tolerncia

Preto

Preto

Prata

10%

Marrom

Marrom

10

Ouro

5%

Vermelho

Vermelho

100

Sem faixa

20%

Laranja

Laranja

1000

Amarelo

Amarelo

10000

Verde

Verde

100000

Azul

Azul

1000000

Violeta

Prata

0,01

Cinza

Ouro

0,1

Branco

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Exerccios
1. Coloque o valor nominal dos resistores abaixo:

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10

marrom
vermelho
verde
marrom
marrom
vermelho
vermelho
Laranja
verde
azul

preto
vermelho
azul
cinza
cinza
vermelho
violeta
laranja
azul
cinza

Cores /faixas
ouro
prata
prata
preto
vermelho
vermelho
vermelho
vermelho
laranja
vermelho

Valor nominal

ouro
ouro
prata
ouro
marrom
Ouro
Ouro
Ouro
Ouro
laranja

S/faixa

S/faixa

2. Complete as cores para os resistores abaixo:

Cores /faixas
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10

Valor nominal

OURO
OURO
OURO
OURO
OURO
OURO
OURO
OURO
OURO
OURO

120R
180R
270R
1K
1K2
270K
1M2
2M7
3M3
470K

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Experimento: Cdigo de cores e medidas de Resistores.

1) Preencha a tabela abaixo:

Resistor

Cores

Valor

Valor Medido

Nominal (Vn)

(Vm)

1
2
3
4
5
6
7
8
R% = Vn Vm

Vn

100

2) Concluses e comentrios.

10

Tolerncia

%V

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Lei de OHM
Consideremos uma resistncia (R) ao qual foi aplicada uma certa tenso (V).
Esta tenso estabelecer, na resistncia, uma corrente (I). Variando o valor da
tenso aplicada na resistncia, verificamos que a corrente que passa por ele
tambm se modifica. O cientista alemo George Ohm realizou vrias experincias,
medindo estas tenses (e as correntes correspondentes) quando aplicadas em
diversos valores de resistncias diferentes. Verificou ento que, para muitos
materiais, a relao entre a tenso e a corrente mantinha-se constante, isto ,
V / I= constante. Mas V / I representa o valor da resistncia R. Este resultado
conhecido como lei de Ohm (V = R.I).
A representao grfica cartesiana em um biplo ohmico uma resultante
reta como mostra abaixo, sendo a resultante tg=v/I que equivale ao valor de R.

V=RxI

I = V/ R
R = V/ I

I
Atividades:
1.

Em um experimento foram constatados valores

como mostra as tabelas abaixo, construa um
grfico cartesiano com os dados e, obtenha o
valor das resistncias.

Ra

Rb

2v

8mA

5mA

4v
6v
12v

16mA
24mA
48mA

10mA
15mA
30mA

2. Calcule:
R
A
B
C
D
E
F

11

1,5 K
10 M
1K
1,5 M

V
24 V
15V
10 V
20 V

I
6 mA
3 mA
3 mA
5 uA

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Aplicaes
Para os circuitos abaixo, calcule o que se pede, de acordo com o quadro
correspondente a cada circuito.
1.
R2

R1

R3

50R
R1
R2
R3 15v 300R
25R
R4

R4

150mA

Vtt
+

2.
R1

R4

30V
R2

Vtt

R5

R3

V
R1
R2 10V
R3 15V

10ma
2K
1K
5

R4
R5
3.
V

R3

R1

R1
R2
R3
R4

R4
R2

Vtt
+

3V

I
1mA

15K
6V

10V

4. Para o circuito (3), caso o R3 abra, qual ser a P em R4?

5. Para o circuito (3), caso R3 entre em curto, qual ser a P em R4?

12

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Atividades
1. Calcule o valor da queda de tenso em R2, para o circuito abaixo:
R1
1k

+ Vt
10V

Resp:VR2=...........

R2
15k

2. Calcule o valor da queda de tenso em R2, para o circuito abaixo:

R1
1k

+ Vt
10V

R2
2,5k

R4
3k

R3
500R

Resp:VR2=...........

3. Calcule o valor de R1, e a queda de tenso em R1, para o circuito abaixo:

R2
1,5k

Itotal=10mA

Resp:
R1=.......................

R1

+ Vt
75V

R3
1,5k
R4
1,5k

13

VR1=....................

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Exerccios
01- Sendo o circuito abaixo:
R1
3k3

R2
820 R

R3
680 R

R4
1k5

V1

R5
2k7

13,5V

Preencha a tabela abaixo, calculando os valores; (no esquecer as unidades)

V

R1
R2
R3
R4
R5

02) Calcule o valor da potncia dissipada no Resistor R5, caso o resistor R3 entre
em curto.

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Experimento: Comprovao da Lei de Ohm

1. Circuito

Vtt

RA
RB

2. Com o circuito montado, utilizando o multmetro, efetue as medidas e

preencha o quadro abaixo.
V
3v
5v
7v
9v
10v
12v
15v

I (RA)

I (RB)

3. Com os valores obtidos, construa o grfico cartesiano e calcule o valor das

resistncias.

4. Elabore um comentrio conclusivo.

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Experimento: Aplicao da Lei de Ohm

1. Circuito

R2
680R
R4
1K

R1
390R
R3
470R

R5
1,5k

+
Vtt
12V

2. Montar o circuito e preencher a tabela abaixo:

Terico
V

Experimento
V
I

R1
R2
R3
R4
R5
3. Elabore um comentrio conclusivo do experimento.

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Potencimetro
Quando estudamos os resistores, vimos que estes podem ser divididos em fixos
e variveis. Os resistores variveis so conhecidos como potencimetros, devido
suas aplicaes como divisores da tenso em circuitos eletrnicos.
Um potencimetro, conforme mostra a figura, consiste basicamente em uma
pelcula de carbono, ou em um fio que percorrido por um cursor mvel, atravs de
um sistema rotativo ou deslizante, altera o valor da resistncia entre seus terminais.
Comercialmente, os potencimetros so especificados pelo valor nominal da
resistncia mxima, impresso em seu corpo.

Terminal do
CURSOR
Terminal
EXTREMO
PELCULA RESISTlVA ou
ENROLAMENTO DE FIO
CURSOR MVEL

Na prtica, encontramos vrios modelos

de potencimetros, que em funo do tipo
de

aplicao,

possuem

caractersticas

mecnicas diversas. Abaixo, visto um

potencimetro de fio, alguns tipos de
potencimetros de pelcula de carbono.

17

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Exerccio
1) No circuito, R1 uma resistncia hmica de valor nominal de 1K, o
potencimetro utilizado para calibrar o circuito de tal forma que, circule pela R1
uma corrente de 10 mA. Qual ser o valor de resistncia que deve ter P1 no ajuste,
para tal ocorrncia?

R2
820R

R3
470R

R1
1k

Vt
25V

R4
470R

P1

2) Para o circuito do exerccio acima, qual (is) potencimetros poderemos utilizar?

Justifique sua resposta.
a)
b)
c)
d)

470 R
1k
270 R
370 R

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CAPACITOR
O capacitor um componente, que tem como finalidade, armazenar energia
eltrica. formado por duas placas condutoras, tambm denominadas de armaduras, separadas por um material Isolante ou
dieltrico, ligados a estas placas condutoras,
DITRICO

esto os terminais para conexo deste com

outros componentes.

Capacitncia e a caracterstica que o capacitor apresenta de armazenar cargas

eltricas por unidade de tenso.
Portanto, podemos escrever a relao:

C =Q

Onde:

C = capacitncia
Q = carga eltrica
V = tenso

Quando aplicarmos uma tenso igual a 1 volt (V) e o capacitor armazenar

1Coulomb(C), teremos ento uma capacitncia Igual a 1 Farad (F).
Devido s dificuldades construtivas, os capacitores encontram-se situados em
faixa de valores submltiplos do Farad como micro Farad (F), nano Farad (nF) e o
pico Farad (pF).
Alm do valor da capacitncia, preciso especificar o valor limite da tenso a
ser aplicada entre seus terminais, Esse valor denominado tenso de isolao e
varia conforme o tipo de capacitor.
Na prtica, encontramos vrios tipos de capacitores, com aplicaes
especficas, dependendo de aspectos construtivos, tais como, material utilizado
como dieltrico, tipo de armaduras e encapsulamento. Dentro dos diversos tipos,
destacamos:
1 - Capacitores plsticos (poliestireno, polister):
consistem em duas folhas de alumnio separadas pelo
dieltrico de material plstico, Sendo os terminais ligados s
folhas de alumnio, o conjunto bobinado e encapsulado,
formando um sistema compacto.
Uma outra tcnica construtiva a de vaporizar alumnio em ambas as faces do
19

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dieltrico, formando o capacitar. Essa tcnica denominada de metalizao e traz

como vantagem, maior capacidade em comparao com os de mesmas dimenses
dos no metalizados.
2 - Capacitores eletrolticos de alumnio:

Consistem em uma folha de alumnio anodizada como armadura positiva, onde

por um processo eletroltico, forma-se uma camada de xido de alumnio que serve
como dieltrico, e um fluido condutor, o eletrlito que impregnado em um papel
poroso, colocado em contato com outra folha de alumnio de maneira a formar a
armadura negativa. O conjunto bobinado, sendo a folha de alumnio anodizada,
ligado ao terminal positivo e a outra ligada a uma caneca tubular, encapsulamento
do conjunto, e ao terminal negativo.
Os capacitores eletrolticos, por apresentarem o dieltrico como uma fina
camada de xido de alumnio e em uma das armaduras um fluido, constituem uma
srie de altos valores de capacitncia, mas com valores limitados de tenso de
isolao e terminais polarizados.

De forma idntica, encontramos os capacitores eletrolticos de tntalo, onde o

dieltrico formado por xido de tntalo, cuja constante dieltrica faz obter-se um
capacitor de pequenas dimenses, porm com valores de tenso de isolao, mais
limitados.
3 - Capacitores cermicos:
Apresentam como dieltrico um material cermico, que
revestido por uma camada de tinta, que contm elemento condutor,
formando as armaduras. O conjunto recebe um revestimento
isolante. So capacitores de baixos valores de capacitncia e altas
tenses de isolao.
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4 Capacitores variveis:
Um conjunto de placas fixas intercaladas com
um de placas mveis que podem girar em
torno de um eixo comum. assim, a rea
efetiva do capacitor varia e, por conseqncia,
a

capacitncia.

Foi bastante empregado na sintonia dos receptores de rdio com vlvulas

Com o advento dos transistores, surgiu a necessidade de reduzir o
tamanho, o que foi obtido pelo uso de filme plstico como dieltrico e no
ar.
Na atualidade, sintonia feita com diodos de capacitncia varivel
(varicap) e capacitores variveis deste tipo s devem ser encontrados em
alguns equipamentos de radiofreqncia de aplicao
industrial.
Construo similar (mas com apenas duas placas) pode
ser usada em pequenos capacitores ajustveis (trimmer,
padder).
Existem outras construes como, por exemplo, para tenses muito altas,
para montagem superficial (SMD), etc.
Leitura de capacitores
O valor do capacitor, "B", de 3300 pF
(picofarad = 10-12 F) ou 3,3 nF (nanofarad
= 10-9 F) ou 0,0033 F (microfarad = 10-6
F). No capacitor "A", devemos acrescentar
mais 4 zeros aps os dois primeiros
algarismos. O valor do capacitor, que se l
104, de 100000 pF ou 100 nF ou 0,1F.

O desenho ao lado, mostra capacitores que tem os seus

valores, impressos em nanofarad (nF) = 10-9F. Quando aparece
no capacitor uma letra "n" minscula, como um dos tipos
apresentados ao lado por exemplo: 3n3, significa que este
capacitor de 3,3nF. No exemplo, o "n" minsculo colocado
ao meio dos nmeros, apenas para economizar uma vrgula e
evitar erro de interpretao de seu valor.

21

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Note nos capacitores acima, envolvidos com um crculo azul, o aparecimento de

uma letra maiscula ao lado dos nmeros. Esta letra refere-se a tolerncia do
capacitor, ou seja, o quanto que o capacitor pode variar de seu valor em uma
temperatura padro de 25 C. A letra "J" significa que este capacitor pode variar at
5% de seu valor, a letra "K" = 10% ou "M" = 20%. Segue na tabela abaixo, os
cdigos de tolerncias de capacitncia.
At 10pF

Cdigo

Acima de 10pF

0,1pF

0,25pF

0,5pF

1,0pF

1%

2%

3%

5%

10%

20%

-50% -20%

+80% -20%
ou
+100% -20%

+100% -0%

Capacitores de Polister Metalizado usando cdigo de cores

A tabela abaixo, mostra como interpretar o cdigo de cores dos capacitores abaixo.
No capacitor "A", as 3 primeiras cores so, laranja, laranja e laranja, correspondem a
33000, equivalendo a 33 nF. A cor branca, logo adiante, referente a 10% de
tolerncia. E o vermelho, representa a tenso nominal, que de 250 volts.

22

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1
Algarismo

2
Algarismo

PRETO

MARROM

VERMELHO

3 N
de zeros

4
Tolerncia

5
Tenso

20%

00

250V

LARANJA

000

AMARELO

0000

400V

VERDE

00000

AZUL

630V

VIOLETA

CINZA

BRANCO

10%

ASSOCIAO DE CAPACITORES
Em geral, os circuitos eltricos e eletrnicos so constitudos de vrios
componentes, associados de diferentes maneiras. Uma forma simples de abordar
esse tipo de problema considerar a associao dos componentes de um mesmo
tipo. Veremos agora como tratar a associao de capacitores.

A associao em paralelo ilustrada ao lado, para o caso

de dois capacitores. O que caracteriza esse tipo de
associao a igualdade de potencial entre as placas dos
capacitores. Na ilustrao, as placas superiores esto com
o mesmo potencial, dado pelo plo positivo da bateria. Da
Capacitncia
mesma forma, as placas inferiores esto com o mesmo
equivalente de uma
potencial negativo. Portanto, as diferenas de potencial
associao em paralelo so iguais, i.e., V1=V2=V.

Ceq = C1+C2

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No caso da associao em srie, fcil concluir que so

iguais as cargas acumuladas nas placas de todos os
capacitores. Ento, se as cargas so iguais, mas as
capacitncias so diferentes, ento os potenciais tambm
Capacitncia
equivalente de uma
associao em srie

sero diferentes. Portanto,

Q1 = Q2 = Q = C1V1 = C2V2

Ceq =

C1 C 2
C1 + C 2

Atividades:
1. Faa uma leitura sobre o assunto leitura de capacitores e elabore uma
pesquisa sobre o referido assunto.
2. Calcule o valor do Ceq entre os pontos A e B dos circuitos abaixo:
a)

C1
10uF

C3
900nF

b)

C2
40uF

C1
10uF

C2
40uF

C4
10uF

C3
900nF

24

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Carga e descarga de capacitor.

Observando o circuito ao lado, nota-se que

se a chave S for posicionada na posio 1,
inicia-se o processo de carga do capacitor C,
assim a tenso Vc atingir o limite da tenso V,
onde neste ponto Vc V
O tempo deste processo definido pela equao = R C , chamada de
constante de tempo, que diretamente proporcional ao valor de capacitncia e ao
valor de resistncia.
Para calcularmos o valor de tenso no capacitor Vc em um determinado instante
T /

do processo de carga temos, Vc = V 1 e

onde:

Vc = tenso do capacitor
V = tenso da fonte
Carga

T = instante analisado

= constante de tempo RC

Descarga

e = constante matemtica Euler

Para o processo de descarga, chave S na posio 2, o preceito terico o mesmo
do processo de carga, sendo a equao que define a Vc em um determinado
instante :

Vc = V max e T / , onde Vmax a tenso existente no capacitor C.

Aproximadamente o capacitor se carrega ou descarrega na com 2/3 da tenso total

na primeira constante de tempo e, se carrega ou descarrega totalmente aps 5
constantes de tempo.

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Exerccios
1. Conforme o circuito abaixo, calcule o tempo para que o capacitor C1 atinja a
tenso de 15 V aps o fechamento de S1, supondo que o estado inicial de C1
totalmente descarregado.
S1

R1
15k

+
VT
20V

C1
1000uF

2. O circuito abaixo representa uma etapa de controle de tempo de disparo de

uma central de alarme residencial. Qual ser o valor de ajuste em P1 tal que a
tenso do capacitor atinja 44,65 V aps 15 segundos de acionamento de S1,
sabendo que o capacitor est totalmente descarregado inicialmente.
S1

R1
2,5k

R2
15k

VT
60V

P1

C1
2200uF

3. Esboce em um nico plano cartesiano Tenso x Tempo a curva de carga do

capacitor C1, do circuito, nas situaes de R1, R2 e R3. Adotar eixo T
(10s/div) e eixo V (2v/div).

R1
10k

R2
27k

+
VT
30V

C1
4700uF

26

R3
56k

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4. Sendo o circuito abaixo:

R1
15k

S1
R2
50k

+
VT
30V
C1
10uF

4.1 Supondo o C1 descarregado, aps 250ms do processo de carga, qual o

valor da tenso em C1?

4.2 Supondo C1 carregado com o valor de VT, aps 750ms do processo de

descarga qual ser a tenso em C1?

5. Construa o grfico de carga para o circuito acima.

6. Construa o grfico de descarga para o circuito acima

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Experimento: Processo de carga e descarga de capacitor

1. Sendo o circuito abixo:

S1

+
R1
22k

VT
12V

C1
1000uF

2. Preencha a tabela abaixo para o processo de carga.

Vc

0v

1v

2v

3v

4v

5v

6v

7v

8v

9v

10v

11v

12v

2v

1v

0v

medido

T
Vc
calculado

3. Preencha a tabela abaixo para o processo de descarga.

Vc

12v 11v

10v

9v

8v

7v

6v

5v

4v

medido

T
Vc
calculado

4. Construa o grfico de carga e descarga o circuito.

28

3v

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Estudo da Onda Senoidal

No estudo da tenso eltrica, vamos dividir esta grandeza em dois grupos: As
tenses continuas e as tenses no continuas ou oscilantes.
A tenso continua aquela utilizada na grande maioria dos equipamentos
eletrnicos, so as encontradas em baterias, pilhas e fontes de alimentao DC.

A tenso contnua possui o mesmo valor de tenso (amplitude), ao longo do

tempo, podendo assumir valor positivo ou negativo em relao ao referencial.
As tenses oscilantes so aquelas que no possuem um valor constante de
amplitude

ao

longo

do

tempo,

podendo existir tenses oscilantes

com valores acima ou abaixo do eixo
da

referencia,

sendo

eixo

imaginrio de diviso simtrica da

onda,

comumente

chamado

de

componente DC.
A onda senoidal alternada, encontrada principalmente na rede eltrica,
descreve uma funo senoidal, obviamente, e alternada ao eixo referencial, ou
seja, o eixo de simetria coincide
com

eixo

referencial,

implicando em uma componente

DC de valor nulo.

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Para o estudo da onda senoidal alternada ter-se-o os seguintes

componentes:
Vp: indica o mximo valor de pico positivo ou negativo em relao ao
referencial.
Vpp: indica o valor entre o pico Maximo positivo e Maximo negativo,
Vpp= 2Vp
Vac: tambm chamado de Veficaz ou Vrms(root mean square, ou seja,
valor mdio da senide), o valor continuo equivalente imaginrio,
definido por: Vac = Vp x 0,707.

Exemplos:
Sendo a tenso da rede eltrica alternada de valor 127 Vac e 60Hz, esboce o
grfico com valores.

Vp = 179,63Vp

Vpp= 359,26Vpp

Vp = 179,63Vp

T = 16,6 mS

Vp = Vac/0,707 >
VP = 127/,0707>
Vp = 179,63Vp
Assim: Vpp = 2Vp>
Vpp = 359,26 Vpp
T = 1/F>
T = 1/ 60Hz>
T = 16,6 mS

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Transformador
O Transformador formado por um ncleo ferromagntico e pelos
enrolamentos primrio e secundrio. Sua funo principal elevar ou reduzir a
tenso alternada aplicada em seu primrio.

A tenso aplicada na bobina do primrio, (Vt), gera um fluxo magntico

concentrado no ncleo que ser induzido na bobina do secundrio, a qual gera uma
tenso proporcional chamada de tenso no secundrio (Vs).
Idealmente, a potencia presente no primrio do transformador totalmente
transferida para o secundrio, ou seja, Ps = Pp
A relao entre o numero de espiras Np do primrio e Ns do secundrio
determina a relao entre as tenses Vp e Vs e tambm a
relao entre as correntes Ip e Is.

Ns Vs Ip
=
=
Np Vp Is

Portanto pode-se perceber que em um trafo elevador de tenso a corrente no

secundrio menor que no primrio, isto , o dimetro do fio do secundrio pode ser
menor que a do primrio; no entanto para o trafo abaixador de tenso, a corrente no
secundrio maior que a do primrio, isto , o dimetro do fio do secundrio deve
ser maior que a do primrio.
Alguns
exemplos
de trafos:
Bobinas mltiplas
Center tap

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Exerccios:
1. Transforme:
A

127 Vp

Vpp

300 Vac

Vpp

23 Vpp

Vrms

12 Vp

Vpp

372 Vac

Vrms

18 Vac

Vp

18 Vac

Vpp

36 Vpp

Vac

2. Calcule:
A

120 Hz

T=

60 Hz

T=

1 Mhz

T=

3,2 Khz

T=

2,7 Mhz

T=

1,2 uS

F=

100 mS

F=

1,5 mS

F=

255 uS

F=

3. Sendo trafo abaixo, calcule:

R
S
T

V xy

Vac V yz

Vpp

Vxy

Vp V xz

Vac

Vxy

Vpp V xz

Vp

V yz

Vac V xz

Vpp

V yz

N RS= 15000esp
V RS= 127 Vac
N XY= 1500 esp

32

Vp

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Experimento
1. Para o transformador abaixo, desenvolva o seguintes procedimentos:

Medir Vpp (osciloscpio)

Vxy
Vyz
Vxz
Calcular Vac (teoria)
Vxy
Vyz
Vxz
Medir Vac (multmetro)
Vxy
Vyz
Vxz
2. Comentrios e concluses.

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Semicondutor
A capacidade de um tomo de se combinar com outros depende do nmero
de eltrons de valncia. A combinao s possvel quando este menor que 8.
Elementos com 8 eltrons de valncia no se combinam, pois so estveis e inertes.
Consideramos agora o silcio, que o semicondutor mais usado e tem 4
eltrons de valncia.

No estado puro cada, par de eltrons de tomos

distintos formam a chamada ligao covalente,
de forma que cada tomo fique no estado mais
estvel, isto , com 8 eltrons na camada externa.
O resultado uma estrutura cristalina homognea conforme Fig 5. Na
realidade tridimensional. Est assim mostrada por uma questo de simplicidade.
O material continua um semicondutor. Entretanto, quando certas substncias,
chamadas impurezas so adicionadas, as propriedades eltricas so radicalmente
modificadas.
Se um elemento como o antimnio, que tem 5 eltrons de valncia, for
adicionado e alguns tomos deste substiturem o silcio na estrutura cristalina, 4 dos
5 eltrons iro se comportar como se fossem os de valncia do silcio e o excedente
ser liberado para o nvel de conduo (Fig 6).

O cristal ir conduzir e, devido carga negativa dos portadores (eltrons),

denominado semicondutor tipo n.
Notar que o material continua eletricamente neutro pois os tomos tm o
mesmo nmero de prtons e eltrons. Apenas a distribuio de cargas muda, de
forma a permitir a conduo.

Uma impureza com 3 eltrons de valncia (alumnio, por exemplo)

adicionada.
Alguns tomos de silcio iro transferir um eltron de valncia para completar a falta
no tomo da impureza, criando um buraco positivamente carregado no nvel de
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valncia e o cristal ser um semicondutor tipo p, devido carga positiva dos

portadores (buracos).
Se um semicondutor tipo P colocado junto a um
do tipo N, na regio de contato, chamada juno,
haver a formao de uma barreira de potencial.
Lembrar que, no estado normal, o semicondutor
eletricamente neutro pois os tomos tanto do
semicondutor quanto da impureza tm iguais
nmeros
de
eltrons
e
prtons.
Na juno, os eltrons portadores da parte N
tendem a ocupar buracos na parte P, deixando
esta com um potencial negativo e a parte N com
um potencial positivo e, assim, formando uma
barreira potencial Vo. Assim, a polaridade da
barreira de potencial mantm os eltrons na parte
N e os buracos na parte P (Fig 8 A).
Se um potencial externo V > Vo for aplicado
conforme Fig 8 B, o potencial de barreira ser
quebrado e a corrente elevada pois existem
muitos eltrons em N. Diz-se ento que a juno est diretamente polarizada.
No caso de inversamente polarizada, Fig 8 C, o potencial de barreira ser
aumentado, impedindo ainda mais a passagem de eltrons e a corrente ser
pequena.

Barreira de potencial:
Si aproximadamente 0,7v
Ge aproximadamente 0,3v

Este conjunto, chamado diodo de juno, funciona como um retificador. Na

Fig 9 uma curva tpica (no em escala) e o seu smbolo.
Notar que, acima de um pequeno valor de polarizao direta, a corrente aumenta
bastante.
A polarizao inversa tem limite. Acima de um determinado valor ocorre um
efeito de ruptura, quebrando a barreira de potencial e a corrente sobe quase na
vertical.

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Anodo

Catodo

Agora vejamos dois exemplos simples do funcionamento dos diodos:

Circuito 1:
A corrente vai ser a tenso no resistor sobre a sua resistncia, ou seja:
I = (10-0,7)/470
I = 21mA
A tenso no diodo ser a BP
Circuito 2:
Como o diodo est reversamente polarizado:
I=0
A tenso no diodo ser a VT
Observe que o Diodo Semicondutor se comporta como uma chave fechada quando
polarizado diretamente, e como uma chave aberta quando polarizado reversamente.

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Exerccios:
1. Para os circuitos abaixo, analise e indique se a lmpada est acesa ou
apagada.
a)

b)
+ V1
12V

L1
+ V2
12V
L2

c)

d)
+ V2
12V

+ V2
12V

L2

L2

L2
L2

e)

f)
+ V2
12V

+ V1
12V

+ V2
24V

+ V1
24V

2. Para o circuito abaixo, calcule a potencia dissipada em cada resistor, sendo

que todos os diodos so de Silcio e todos os resistores so de valor 2k7.

R1

+ V
36V
R2

37

R3

R4

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Experimento:
1. Monte o circuito abaixo e preencha a tabela 1
D1

Vtt

Vtt
Id
Vd

0v

0,5v

Vtt = fonte dc ajustvel

Id = corrente direta em D1
Vd = tenso direta em D1

560 R

1v

2v

3v

4v

6v

8v

10v

12v

Tabela 1
2. Monte o circuito abaixo e preencha a tabela 2
Vtt = fonte dc ajustvel
Ir = corrente reversa em D1
Vr = tenso reversa em D1

D1

Vtt

Vtt
Ir
Vr

0v

0,5v

560 R

1v

2v

3v

4v

6v

8v

10v

12v

Tabela 2
3. Com os dados obtidos construa a curva caracterstica do diodo.

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Referncias Bibliogrficas :
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1995.
MALVINO, Albert P. Eletrnica . vol.1 e 2 . Pearson Education do Brasil Ltda., 1997.
MARKUS, Otvio. Ensino Modular: Sistemas Analgicos - Circuitos com Diodos e Transistores. So
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ALBUQUERQUE, Rmulo Oliveira. Anlise de Circuitos em corrente Alternada. So Paulo: rica.
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MARKUS, Otvio. Ensino Modular: Teoria e Desenvolvimento de Circuitos Eletrnicos. So Paulo:
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GIORGINI, Marcelo. Automao Aplicada: Descrio e Implementao de Sistemas Seqenciais com
PLCs. So Paulo: rica.
BOYLESTAD, Robert L. Dispositivos eletrnicos e teoria de circuitos. So Paulo: Pearson Education
do Brasil, 2004.

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