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Apostila Fundamentos de Eletrônica-Senai PDF
Apostila Fundamentos de Eletrônica-Senai PDF
Eletrnica
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ndice
NDICE.................................................................................................................................................................................... 2
RESISTORES ......................................................................................................................................................................... 5
GENERALIDADES ................................................................................................................................................................... 5
RESISTNCIAS FIXAS.............................................................................................................................................................. 5
RESISTNCIAS VARIVEIS ...................................................................................................................................................... 7
EXEMPLOS DE VALORES ........................................................................................................................................................ 8
CDIGO DE CORES PARA RESISTORES .................................................................................................................................. 11
RESISTORES ESPECIAIS ................................................................................................................................................. 12
GENERALIDADES ................................................................................................................................................................. 12
RESISTORES SENSVEIS TEMPERATURA ............................................................................................................................. 13
RESISTORES SENSVEIS A VARIAES DE TENSO ................................................................................................................ 14
RESISTORES SENSVEIS A VARIAES DO CAMPO MAGNTICO ............................................................................................. 14
RESISTORES SENSVEIS S SOLICITAES MECNICAS ........................................................................................................ 15
RESISTORES SENSVEIS INTENSIDADE LUMINOSA (FOTO-RESISTORES) ............................................................................. 15
TESTES DE VERIFICAO..................................................................................................................................................... 17
CAPACITORES ................................................................................................................................................................... 18
GENERALIDADES ................................................................................................................................................................. 18
CAPACITORES DE PAPEL OU POLISTER ............................................................................................................................... 20
CAPACITORES DE MICA ........................................................................................................................................................ 20
CAPACITORES DE CERMICA ............................................................................................................................................... 21
CAPACITORES ELETROLTICOS DE ALUMNIO ....................................................................................................................... 22
CAPACITORES ELETROLTICOS DE TNTALO ........................................................................................................................ 23
CAPACITORES VARIVEIS ................................................................................................................................................... 24
CAPACITORES OU TRIMMER CAPACITOR........................................................................................................................... 25
CDIGOS DE CORES PARA OS CAPACITORES ......................................................................................................................... 26
TESTES DE VERIFICAO..................................................................................................................................................... 27
INDUTORES ........................................................................................................................................................................ 28
GENERALIDADES ................................................................................................................................................................. 28
INDUTORES A AR.................................................................................................................................................................. 29
INDUTORES COM NCLEO MAGNTICO ................................................................................................................................ 31
TESTES DE VERIFICAO..................................................................................................................................................... 32
SEMICONDUTORES .......................................................................................................................................................... 34
GENERALIDADES ................................................................................................................................................................. 34
JUNES .............................................................................................................................................................................. 34
DIFUSO DAS CARGAS ......................................................................................................................................................... 35
POLARIZAO ..................................................................................................................................................................... 35
EFEITO CAPACITIVO DA JUNO .......................................................................................................................................... 37
TESTES DE VERIFICAO..................................................................................................................................................... 38
O DIODO SEMICONDUTOR ............................................................................................................................................ 39
GENERALIDADES ................................................................................................................................................................. 39
O DIODO .............................................................................................................................................................................. 40
Polarizao do diodo ...................................................................................................................................................... 40
Curvas caractersticas do diodo ..................................................................................................................................... 41
CRITRIOS PARA ESCOLHA DOS DIODOS A SEMI-CONDUTORES ............................................................................................ 43
EXEMPLOS DE APLICAES DOS DIODOS.............................................................................................................................. 45
TIPOS DE INVLUCROS PARA DIODOS A SEMI-CONDUTORES ................................................................................................ 46
TESTE DE EFICINCIA COM HMMETRO .............................................................................................................................. 47
TESTES DE VERIFICAO..................................................................................................................................................... 48
RETIFICAO DE MEIA ONDA E ONDA COMPLETA............................................................................................. 49
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INTRODUO ....................................................................................................................................................................... 49
RETIFICAO MONOFSICA DE MEIA-ONDA ........................................................................................................................ 50
TESTES DE VERIFICAO..................................................................................................................................................... 55
RETIFICAO EM PONTE .............................................................................................................................................. 56
GENERALIDADES ................................................................................................................................................................. 56
PONTE DE GRAETZ............................................................................................................................................................... 56
RETIFICAO MONOFSICA DE ONDA COMPLETA COM PONTE DE GRAETZ .......................................................................... 57
Consideraes de clculo ............................................................................................................................................... 58
TESTES DE VERIFICAO..................................................................................................................................................... 59
FILTROS CAPACITIVOS .................................................................................................................................................. 60
INTRODUO ....................................................................................................................................................................... 60
FENMENOS RELATIVOS CARGA DO CAPACITOR ............................................................................................................... 61
FENMENOS RELATIVOS DESCARGA DO CAPACITOR ......................................................................................................... 62
TENSO NA CARGA DO CIRCUITO FILTRADO ........................................................................................................................ 64
TESTES DE VERIFICAO..................................................................................................................................................... 65
TRABALHO EM GRUPO. ........................................................................................................................................................ 66
FILTROS INDUTIVOS ....................................................................................................................................................... 67
GENERALIDADES ................................................................................................................................................................. 67
DIODO DE RECIRCULAO ................................................................................................................................................... 69
TESTES DE VERIFICAO..................................................................................................................................................... 71
FILTRO LC .......................................................................................................................................................................... 72
FILTRAGEM COM CIRCUITO L-C .......................................................................................................................................... 72
FILTRO EM .................................................................................................................................................................... 73
Exemplos de aplicaes do filtro de ............................................................................................................................ 74
TESTES DE VERIFICAO..................................................................................................................................................... 76
TRANSISTORES ................................................................................................................................................................. 77
GENERALIDADES ................................................................................................................................................................. 77
INTRODUO AOS TRANSISTORES BIPOLARES (B J T) ....................................................................................................... 78
EFEITO TRANSISTOR ............................................................................................................................................................ 79
POLARIZAO ..................................................................................................................................................................... 80
CORRENTES DE PERDA DO TRANSISTOR ............................................................................................................................... 81
TESTES DE VERIFICAO..................................................................................................................................................... 82
PARMETROS FUNDAMENTAIS DO TRANSISTOR BIPOLAR.............................................................................. 83
PARMETROS FUNDAMENTAIS EM CORRENTE CONTNUA. ................................................................................................... 83
CORRENTES DE PERDA DO TRANSISTOR ............................................................................................................................... 84
EXEMPLO PRTICO .............................................................................................................................................................. 85
CURVAS CARACTERSTICAS DO B.J.T. COM EMISSOR COMUM ............................................................................................. 87
CARACTERSTICA DE COLETOR OU DE SADA ....................................................................................................................... 88
CARACTERSTICA TRANSFERNCIA OU AMPLIFICAO DIRETA DE CORRENTE..................................................................... 89
CARACTERSTICA V I DE ENTRADA ................................................................................................................................. 89
TRANS-CARACTERSTICA OU CARACTERSTICA DE TRANSFERNCIA.................................................................................... 90
RETA DE CARGA ESTTICA E PONTO QUIESCENTE ................................................................................................................ 92
Reta de carga esttica .................................................................................................................................................... 93
Corrente de Curto-circuito ( Ic C ). ......................................................................................................................... 94
Ponto quiescente ou ponto de trabalho .......................................................................................................................... 94
Estabilidade Trnica ....................................................................................................................................................... 95
ESQUEMAS DE POLARIZAO .............................................................................................................................................. 96
EQUAES FUNDAMENTAIS ................................................................................................................................................ 97
CONEXES DARLINGTON .................................................................................................................................................... 99
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO (FET) ....................................................................................................... 101
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APLICAES E ESQUEMA COM TRANSISTORES FETS ........................................................................................................ 108
TRANSISTORES MOSFETS .......................................................................................................................................... 110
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Resistores
Generalidades
O circuito eltrico (U) deve funcionar com uma tenso de 50 V; necessrio ento disparar um
elemento que provoque uma queda de tenso.
a fio
de massa
fixas a depsito de carbono
ou metlico
Resistncias
variveis a depsito de carbono
a fio
Resistncias fixas
As resistncias a fio so constitudo por um suporte de cermica sobre o qual enrolado um fio
resistivo.
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Resistor esmaltado. A. Terminal estanhado; B. Revestimento em tinta vidrosa; C. Enrolamento; D.
Plaquinha terminal, soldada eletricamente; E. Tubo de material de cermica; F. Solda eltrica do
extremo do fio da resistncia.
R = L
S
L o comprimento do fio
S a seo do fio
Resistores esmaltados
a fio S.E.C.I.
Dissipao: 100 W
Tolerncia: + 1%
Tenso mxima de
Trabalho: 2000 V
As resistncias de massa so constitudas por uma massa qumica de xidos metlicos, carvo em p
ou grafite misturados com substncias adesivas apropriadas.
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Terminais
So de pouca preciso (tolerncia 10-20%) e so construdas para dissipar uma potncia de at 3W.
Pode-se construir com grande preciso (tolerncia 1-2%) e com potncia dissipvel at 3W.
Resistncias variveis
So resistores que tm um cursor de acordo com a posio determinam o valor da resistncia inserida.
O deslocamento do cursor pode ser do tipo retilneo ou angular.
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Potencimetros a
curso National
Com tomada 50%
Sem interruptor
Com sinal duplo
Dissipao mxima:
0,25 W
tenso mxima de
trabalho: 150 Vcc.
Variao: linear
Montagem:
Com parafuso Exemplos de valores
Comprimento percurso: 20 k + 20 k
45mm 50 k + 50 k
100 k + 100 k
500 k + 500 k
1M + 1M
As resistncias variveis a fio so as mais precisas e podem dissipar potncias maiores (exemplo, os
reostatos de partida para os motores).
Reostatos
A fio profissionais
Dissipao nominal: 100W
Exemplos de valores
Tolerncia: 0 + 20%
4,7 Tenso limite: 1000V
47 Coeficiente de temperatura:
100 De 0, 00008 a 0, 00014
1 k Binrio de rotao
do eixo acionador
0,15 + 0.25 kg / cm
ngulo de rotao: 300
As resistncias a fio podem ser tambm do tipo semi-fixo, quando no lugar do cursor tem-se um anel
fixado com um parafuso.
As resistncias variveis a depsito so constitudas por um suporte isolante (baquelite) sobre o qual
depositada a substncia resistiva. Podem ser rotativas ou retilneas (slides). As potncias dissipadas so
da ordem do watt.
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Existem potencimetros semi-fixos de potncia muito pequena chamados Trimmer potenciomtricos
para serem fixados sobre circuito impresso.
Potencimetros semi-fixos
Dissipao mxima:
0,05 W a 40C
tenso mxima de trabalho:
250 Vc.c
Variao: linear
Montagem: vertical com
circuito impresso
Comando: com chave de
. parafuso
Em alguns casos para uma maior regulagem so usados potencimetros multi-giros (Elipot). A
potncia mxima dissipada de cerca 5 W.
Potencimetros
Multi-giros a fio
Dissipao mxima : 5 W
Tolerncia: + 3%
Variao: linear
Tolerncia de linearidade: + 25%
Nmeros de giros: 10
Nmeros de revolues: 10
Durao : 10 giros
20 HP10S
Uma resistncia varivel dita linear quando, durante todo o percurso, para os deslocamentos iguais
do cursor, tem-se variaes iguais da resistncia. Os potencimetros lineares so marcados com a letra
A, estampada no invlucro.
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POTENCIMETRO LINEAR (1 M A)
Uma resistncia varivel dita logartmica quando o deslocamento do cursor faz variar o valor da
resistncia segundo uma escala logartmica. Tais potencimetros so marcados com a letra B impressa
ou estampada no invlucro.
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Cdigo de cores para resistores
A maioria dos resistores no comrcio no tm o valor escrito sob forma de nmero mas sim sob a
forma de faixas coloridas. Cada faixa assume, segundo sua posio, um certo valor.
CDIGO DE CORES
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Resistores Especiais
Generalidades
Para estes controles pode-se usar resistncias especiais em que o valor se modifica em funo da
variao da grandeza examinada.
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Resistores sensveis temperatura
So componentes obtidos atravs de material semicondutor; a resistncia deles diminui com o aumento
da temperatura.
Termistores NTC
de compensao
com invlucro com
rosca para contato
trmico
Resist. a 20C: 1k
Variao R/C: 41%
Constante de dissipao:
30 mW/C
Tolerncia: + 20%
Dimenses: 10x4
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Termitores PTC
com coeficiente positivo para
medida e regulagem
Resist. a 180C: 100
Constante de dissipao:
4 mW/C
Temperatura final:
200C [Tf]
Resistncia final a Tf:
5 k
tenso mxima a 25C:
30V
tolerncia: + 5%
Dimenso: 4
Varistores VDR
Tenso para 200 A:
De 340 a 400 V
Tenso para 500 A:
De 410 a 480 V
Dissipao: 0.7 W nom.
Dimenses: 5.5x13
So chamadas M.D.R. (Magnetic Dependent Resistor) e o valor resistivo delas aumenta quando se
aumenta a intensidade do campo magntico.
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Resistores sensveis s solicitaes mecnicas
So chamadas normalmente de extensmetros (Strain- gage). So constitudas por um fio com alta
resistividade colado sobre um suporte isolante, para ter uma sensibilidade elevada o fio moldado
como na figura.
O suporte com o extensmetro colado sobre o mecanismo especial onde se deseja evidenciar a
deformao.
As deformaes mecnicas (tores, flexes, traes, etc. determinam a trao ou a compresso do fio
resistivo com conseqente variao de sua resistncia, fio em trao = alongamento e reduo da seo
reta, ento tem-se um aumento da resistncia fio em compresso = diminuio do comprimento e
aumento da seo reta, tem-se ento uma diminuio da resistncia.
1- fio condutor
2- suporte de papel
3- conexes
4- pontos de solda
Chama-se foto-resistncia aqueles elementos que variam os seus valores resistivos quando se varia a
luminosidade qual o elemento exposto. A variao resistiva quase linear.
Caracterstica foto-
resistncia
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Os tipos mais comuns so os de forma cilndrica e podem ser a iluminao frontal ou a iluminao
lateral. O envoltrio pode ser metlico, estanque, plstico, de resina, de vidro, etc.
FOTO-RESISTORES
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Testes de Verificao
__Temperatura
__ luminosidade
__ tenso
__ campo magntico
2) 0 smbolo da fotoresistor :
__termistor
__varistor
__strain-gages (transparentes)
__fotoresistncias
__temperatura
__luminosidade
__tenso
__freqncia
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Capacitores
Generalidades
1) O CAPACITOR SE CARREGA
3) O CAPACITOR SE DESCARREGA
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O capacitor um elemento capaz de acumular cargas eltricas e de devolv-las em um segundo tempo
Os capacitores podem ser assim classificados:
CAPACITORES
CAPACITOR FIXO
CAPACITOR VARIVEL
CAPACITOR ELETROLTICO
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Capacitores de papel ou polister
As armaes so constitudas por folhas de estanho ou alumnio finssimas e o dieltrico de uma folha
de papel embebida em um lquido isolante que impede a absoro de umidade.
Existem capacitores de papel metalizado que so mais prticos de manusear.
Os capacitores de polister diferenciam-se daqueles de papel pela diferente constituio do dieltrico.
CAPACITOR DE POLISTER
CAPACITOR DE PAPEL
Capacitncia ___ de l nF a
Nominal dezenas de F
Capacitores de mica
Os capacitores de mica so constitudos por camadas superpostas de mica e lminas de alumnio muito
finas, ou ento de folhas de mica prateadas.
So particularmente usados nos circuitos a alta freqncia.
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Capacitncia ____ de 5 pF
Nominal a 10 nF
Temperatura mx ____ ~ 60
de trabalho
Capacitores de cermica
Para altssimas freqncias de trabalho (HF, VHF) usa-se capacitores de cermica devido menor
perda de energia em relao aos outros tipos como os de papel, de polister, etc.
Estes so constitudos por um suporte de cermica (dieltricos) sobre o qual se deposita a fogo uma
camada de prata.
Os capacitores de cermica encontram-se no comrcio essencialmente nas trs seguintes formas:
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CONSTITUIO DE UM CAPACITOR DE CERMICA
Os capacitores eletrolticos de alumnio distinguem-se dos capacitores comuns pela natureza do seu
dieltrico; este constitudo por uma camada de xido depositada sobre uma das armaes do
capacitor, ativado por um lquido dito eletrlito contido entre as prprias armaes.
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Invlucro de
alumnio
A maior qualidade deste tipo de capacitor consiste no fato de acumular em pequeno volume uma
elevada capacitncia. A uma mesma capacitncia, ter dimenses maiores aquele que tiver a tenso de
trabalho mais elevada.
Valores de ~ 1 F at 20000 F
capacitncia
Tenso de 6 V 500 V
CARACTERSTICAS trabalho
ELTRICAS
PRINCIPAIS Tolerncia muito varivel,
Dependendo do tipo
Temperatura
de uso -10 ~ + 65C
So capacitores menores em relao queles de alumnio, com igual capacitncia, e tm uma preciso
maior, todavia no so construdos para grandes capacitncias e para tenses de trabalho elevadas.
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PARA OS CAPACITORES ELETROLTICOS:
ATENO S POLARIDADES!!!
E TENSO DE TRABALHO
Capacitores variveis
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CAPACITOR VARIVEL
So capacitores de ar ou de mica, aqueles cuja variao da capacitncia se obtm usando uma chave de
fenda numa sede apropriada.
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Cdigos de cores para os capacitores
I II III IV V
Tolerncia
Cor Coef. De 1 n. C em 2 n. C em Multip. De C > 10 pF C 10pF
temperat. pF pF C
Preto NPO 0 0 1 20%
Marron N/30 1 1 10 1%
Vermelho N/80 2 2 100 2%
Laranja N/150 3 3 1000 20%
Amarelo N/220 4 4 10000 -
Verde N/330 5 5 - 5%
Azul N/470 6 6 - -
Violeta N/750 7 7 -
Cinza - 8 8 0,01
Branco P/100. 9 9 0,1
Quando no corpo do capacitor existem somente quatro faixas de cores, a leitura a seguinte:
I - valor da capacitncia: 1 nmero
II - valor da capacitncia: 2 nmero
III multiplicador
IV tolerncia
Neste caso no indicado o coeficiente de temperatura do capacitor. No caso em que se tem somente
trs faixas de cores a leitura a seguinte:
EXEMPLO:
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Testes de Verificao
__dimenses e tolerncia
__tipo e coeficiente de temperatura
__capacitncia e tenso de trabalho
__dimenses e capacidade
__alguns volts
__dezenas de volts
__centenas de volts
__milhares de volts
__cermicos ou plsticos
__eletrolticos de tntalo
__de ar e cermicos
__de ar e de mica
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Indutores
Generalidades
Existem
INDUTORES INDUTORES
e
A AR COM NCLEO MAGNTICO
Indutores a ar
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Indutores a ar
Bobinas
As bobinas com enrolamento do tipo espiral ou retangular plano so usadas nos casos em que se requer
preciso e rigidez mecnica. Todavia, este sistema no permite a realizao de bobinas com indutncia
elevada.
As bobinas com enrolamento solenoidal com uma ou mais camadas de pequenas dimenses so
utilizadas em circuitos oscilatrios e transmissores de baixa potncia.
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So constitudos por um condutor de cobre de
seo no relevante, montado sobre um suporte
isolante.
Para grandes potncias, tais bobinas so feitas do mesmo modo e podem ser resfriadas mediante
circulao de gua destilada no interior do tubo de cobre que forma o solenide.
As bobinas com enrolamento em colmeia so mais usadas pois permitem obter indutncia de boa
qualidade e pequenas dimenses
So formadas por um fio unipolar esmaltado ou recoberto por uma camada de algodo ou seda. O
enrolamento, dado o especial processo de fabricao, apresenta uma estrutura hexagonal da qual deriva
o termo colmeia.
As bobinas com enrolamento toroidal so empregadas quando se requer que o campo magntico
gerado por estas no altere o funcionamento de outras indutncias ou quando se deseja uma proteo
das mesmas contra campos parasitas externos.
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Indutores com ncleo magntico
Os indutores com ncleo magntico fixo so empregados com circuitos de nivelamento, como
impedncias de modulao, etc.
Diferentemente das bobinas a ar, as bobinas com ncleo magntico de mesma indutncia assumem
dimenses inferiores. So enroladas em ncleos ferromagnticos laminados ( baixa freqncias ) ou
sobre ncleos de ferrita ( altas freqncias )
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Indutores com ncleo magntico varivel
Ncleo ferromagntico
So formadas do mesmo modo que as bobinas a ar, mas invs de serem enroladas em suportes
isolantes ou no ar, so enroladas sobre ncleos de ferrita e ferroxcube
Testes de Verificao
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2) Os indutores com enrolamento toroidal so:
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Semicondutores
Generalidades
Junes
Na tecnologia eletrnica, encontra-se vrias aplicaes aos acoplamentos com materiais semi-
condutores de diversas caractersticas (dopagem do tipo pou do tipo n). Tal operao de difuso
com dopagens diferentes sobre uma nica barra de semi-condutor define-se genericamente:
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JUNO P-N
No cristal chama-se PORTADORES
DE MAIORIA as cargas livres
presentes em maior nmero;
PORTADORES DE MINORIA
aqueles do sinal oposto.
As cargas livres de maioria prximas zona de juno so de sinal oposto (negativas para o cristal
do tipo N e positivas para aqueles do tipo P), ento, por atrao recprocas , as cargas deslocam-se
na zona de sinal oposto criando a chamada BARREIRA DE POTENCIAL. Este , portanto, um
obstculo do tipo energtico devido ao progressivo acmulo de cargas de sinal oposto.
Polarizao
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Distinguem-se dois casos:
POLARIZAO INVERSA
Na figura evidenciado o fluxo dos
portadores minoritrios.
Com poucos volts as cargas de maioria param, visto que o campo eltrico inverso impede o
atravessamento da juno.
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A tenso reduz a barreira de potencial, fornecendo aos portadores majoritrios a energia necessria
para superar a zona de esvaziamento; ento, no interior da barra e no circuito externo, tem-se um fluxo
de corrente mesmo para tenses bem baixas.
Se a tenso se eleva alm de um certo limite ( = 1v~ ) a barreira se anula provocando uma livre
circulao de corrente na barra, isto pode tambm revelar-se perigoso para a juno.
Do que foi dito acima, deduz-se a propriedade fundamental da juno P-N, isto :
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Testes de Verificao
1) Uma juno :
3) Polarizar significa:
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O Diodo Semicondutor
Generalidades
Dependendo do lado em que foi feita a conexo de entrada para alimentao se obtm ou no a
passagem do fluido, ento a vlvula determina o sentido da circulao do fluido.
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O diodo
A = anodo = zona P
K = catodo = zona N
O diodo essencialmente uma juno P-N cuja zona dopada P constitui o anodo, enquanto a zona
dopada N constitui o catodo.
Polarizao do diodo
O diodo conserva todas as propriedades originais da juno da qual constitudo, por isso:
A BARREIRA DE
POTENCIAL DIMINUI...
POLARIZAO DIRETA
E O DIODO CONDUZ,
PERMITINDO CIRCULAR A
CORRENTE
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A BARREIRA DE
POTENCIAL AUMENTA...
POLARIZAO INVERSA
E BLOQUEIA A PASSAGEM
DE CORRENTE
CARACTERSTICA DIRETA
O diodo polarizado diretamente conduz somente quando a tenso que chega a ele supera um certo
limite, que para os componentes de slicio vale 0,6-0,8 volt, para os componentes de germanio este
limite em torno de 0,2 volt.
Tais valores so susceptveis a variaes para mais ou para menos, ligadas a diversos fatores como tipo
do diodo, temperatura, luz, etc.
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Da caracterstica inversa deduz-se que:
O diodo polarizado inversamente no conduz, com exceo a uma pequena corrente inversa que flui
atravs da juno.
se a tenso inversa supera um certo valor (v (br) r), a corrente aumenta rapidamente provocando a
destruio da juno, tal valor de tenso inversa pode atingir milhares de volt em alguns diodos de
silcio e centenas de volt nos diodos de germanio.
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Critrios para escolha dos diodos a semi-condutores
Caracteristics @ Tj = 25
Forward voltage @ I F = 100 mA VF 0.8 (< 1) V Queda de tenso direta
Leakege current
BAY 17 @ VR =12V IR 10 (<100) nA
@ VR =12 V1 tj = 100C IR < 15 A
BAY 18 @ VR =50V, IR 10 (<100) nA
@ VR =50 V, tj = 100C IR < 15 A
BAY 19 @ VR =100V IR 20 (<100) nA
@ VR =100 V, tj = 100C IR < 15 A
BAY 20 @ VR =150V IR 30 (<100) nA
@ VR =150 V, tj = 100C IR < 25 A
BAY 21 @ VR =300V IR 30 (<100) nA
@ VR =300 V, tj = 100C IR < 25 A
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Em todo o caso, para o uso de um diodo, os dados principais a serem considerados so:
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Exemplos de aplicaes dos diodos
Na segunda figura, a funo do diodo impedir a descarga da bateria no gerador, quando este no est
em funo.
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Tipos de invlucros para diodos a semi-condutores
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Teste de eficincia com hmmetro
Polarizao direta:
O diodo polarizado diretamente conduz
apresentando uma baixa resistncia
(R = 300). Para este teste no aconselhvel
usar uma escala de pequena potncia.
Polarizao inversa:
O diodo polarizado inversamente no
conduz, a resistncia medida com o
hmmetro muito alta, 200 k para os
diodos de germnio, e 1M para os diodos
de silcio.
N.B.: Caso uma das medidas efetuadas no corresponda aos testes anteriores, o diodo ineficaz.
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Testes de Verificao
1) O smbolo do diodo :
__ polarizado inversamente
__a tenso aplicada supera a tenso inversa max
__a tenso aplicada supera um certo limite
__a corrente inversa mxima
4) Para a escolha de um diodo, os valores mais importantes que se deve levar em considerao so:
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Retificao de meia onda e onda completa
Introduo
No passado, para obter a corrente contnua, eram utilizados sistemas muito caros e de grandes
dimenses (vlvulas termo-inicas, grupos conversores, etc.).
Hoje em dia pode-se dispor de sistemas economicamente e praticamente mais vantajosos, tais como:
Lembre-se que:
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O diodo conduz no caso em que O diodo no conduz no caso em
o anodo positivo relativamente que o anodo negativo
ao catodo relativamente ao catodo
No caso de ser submetido a uma tenso alternada como que se comporta o diodo?
A corrente que atravessa o diodo tem sempre o mesmo sentido e a conduo realiza-se apenas e
exclusivamente quando o anodo assume potenciais positivos relativamente ao catodo.
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Pelo diagrama esquemtico, pode-se deduzir o funcionamento do circuito.
N.B.: Chama-se a ateno para o fato de que embora polarizado diretamente, o diodo introduz uma
determinada queda, sobre Vi, a qual nos exemplos a Si equivalente a ~ 0.6V.
Dado que a conduo do diodo realiza-se com meio-ciclos alternados, (para 50Hz T = 20 m.seg) o
valor significativo da tenso carga (Vu) ser representado pelo valor mdio (Vmc), pelo que:
Vu = 0.45 Vi (RMS)
Notar que a corrente mdia (Im) no diodo igual quela que passa na carga (Imc).
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Alm disso, a mxima tenso inversa qual submetido o diodo coincide com o valor de pico do
meio-ciclo negativo em Vi.
A fim de obter uma forma de onda mais semelhantes c.c. e um valor mdio mais elevado, utilizam-se
circuitos de retificao denominados de ONDA COMPLETA. Caracterstica fundamental destes
circuitos aquela de utilizarem ambos as meia-ondas da Vi, transferindo-lhe a tenso carga.
O circuito comporta-se como o conjunto de dois retificadores monofsicos, cada um dos quais tendo as
caractersticas retro examinadas.
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A referncia zero representada pela tomada central do transformador.
O diodo D1 polarizado diretamente pelo ciclo positivo de Vi1. Esta parte do circuito comporta-se
como uma retificao de meia-onda. D1 transfere portanto carga uma tenso equivalente a:
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Tambm neste caso tem significado o VALOR MDIO da tenso carga (Vu = Vmc), portanto:
ou
Imd = Imc
2
Onde Imd = corrente que passa num diodo durante o meio-ciclo de conduo.
Pelo mesmo motivo a VRM que os diodos devem suportar vale:
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Testes de Verificao
1) Retificar significa:
4) O circuito indicado:
__ retifica a meia-onda
__ no retifica a tenso
__ retifica a onda toda
__ faz curto-circuito
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Retificao em ponte
Generalidades
Ponte de Graetz
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Retificao monofsica de onda completa com ponte de Graetz
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Consideraes de clculo
Dado que a conduo de cada diodo se verifica a semi-ciclos alternados (para 60Hz - T = 16,67 ms),
o valor significativo da corrente nos diodos (Imd) :
Imd = Imc
2
Quando os diodos no conduzem devem suportar a tenso de pico entrada (Vip). A tenso inversa
max (VRM) de cada um dos diodos vale:
N.B.: Lembre-se que durante o funcionamento os diodos provocam uma queda de tenso que, para este
particular tipo de circuito vale cerca de 1,4 volts.
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Testes de Verificao
Trabalho de grupo:
Rc = 50
__aos pares
__singularmente
__todos os quatros simultaneamente
__trs durante um ciclo e um no outro
funciona normalmente
retifica o semi-ciclo
retifica o semi-ciclo
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Filtros Capacitivos
Introduo
Para tornar o mais contnua possvel uma tenso retificada, deve-se recorrer aos circuitos de
filtragem.
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Nas extremidades da carga manifesta-se a meia-onda caracterstica do circuito de retificao
apresentado.
Com o capacitor inserido, a forma da onda nas extremidades da carga modifica-se e resulta mais
semelhante corrente contnua. Pode-se ento afirmar que:
Um capacitor submetido a uma d.d.p. tende a carregar-se at atingir o valor mximo da tenso
aplicada.
Nos circuitos de retificao, o capacitor carrega-se praticamente logo, dado que a resistncia direta do
diodo em conduo desprezvel.
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------ tenso de sada da
retificao
____ carga do capacitor
circuito equivalente
na condio examinada
(diodo em conduo)
DESCARGA
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A capacidade do capacitor e a resistncia notada nas suas extremidades influem sobre o tempo de
descarga.
CONSTANTE DE TEMPO
(tau) = Rc . C [M . F = sec.]
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Para obter um bom nivelamento, necessrio que o capacitor se descarregue pouco durante o intervalo
de tempo compreendido entre as duas semi-sinusides. A sua constante de tempo deve ser muito longa
alm do tempo em que se deve realizar a descarga.
= 5 10 T
N.B.: O ciclo T, freqncia de 60Hz, vale 16,67ms. Para retificao de onda completa, tal valor ser
de 8,33ms.
Aps o nivelamento, a forma de onda da tenso que se encontra nas extremidades de carga , muito
prxima c.c.
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A tenso carga formada por um valor fixo de c.c e por uma certa flutuao por volta daquele
valor (zumbido ou Ripple). Considerando o nivelamento ideal, a tenso carga, vale:
Dado que em geral necessrio utilizar capacidade de valor elevado (50 2000 MF) so utilizados
capacitores eletrolticos. Tais capacitores devem ser escolhido com uma VI superior ao valor de pico
da tenso alternada de alimentao.
Observa-se que o tempo de conduo dos diodos de retificao tento mais breve quanto melhor o
nivelamento, ou seja, quanto maior o capacitor de filtragem. Sendo a corrente mdia na carga a
mesma corrente mdia total dos diodos, claro que a corrente de pico nos diodos ; muito elevada, at
dez vezes a corrente mdia na carga.
Testes de Verificao
3) Quanto vale a descarga da um capacitor aps constante de tempo, relativamente sua carga inicial?
mais de 90 %
menos de 10%
cerca de 60 %
100%
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Trabalho em grupo.
Calcular o circuito da figura para obter uma tenso nas extremidades da carga de 14 V.
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Filtros Indutivos
Generalidades
Em muitos casos, as cargas alimentadas pelos estabilizadores (por exemplo: motores, bobines, etc.)
no so puramente hmicas mas apresentam uma certa indutncia. Tal fato comporta a adoo de
ulteriores expediente a fim de proteger e melhorar o circuito.
A indutncia uma componente que se ope s variaes da corrente que atravessa. Num indutivo, a
corrente absorvida desfasada em atraso relativamente tenso de alimentao.
A causa destes fenmenos devida :
AUTO- INDUO
Quando a tenso de alimentao sobe ao valor mximo (devido Lei de Lenz) a bobina cria uma fora
contra-eletromotriz que se ope ao aumento da corrente.
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A CORRENTE SOBE A INDUTNCIA SE OPE CRIANDO UMA CONTRA-TENSO
Quando a tenso de alimentao desce ao valor mnimo (devido Lei de Lenz ), a bobina cria uma
tenso que tende a circulao da corrente no mesmo sentido.
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Tambm quando a tenso de rede zero gerada pela indutncia tende a fazer circular ainda corrente.
Durante este ciclo a indutncia comporta-se como um
GERADOR
A primeira parte (YI) representa a forma de onda da tenso, a Segunda (Y2) representa a forma de
onda da corrente.
A tenso nas extremidades da carga, no obstante a estabilizao, tem um andamento quase senoidal
com valor mdio muito baixo.
Diodo de recirculao
Como se viu nos exemplos precedentes a indutncia acumula energia durante a fase de aumento da
corrente. Quando a corrente descresse, a bobina, gerando a tenso induzida, restitui ao circuito a
energia acumulada.
Esta energia no toda dispersa na carga dado que o circuito se fecha sobre o gerador
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Para utilizar melhor a energia da bobina r obter um notvel aumento do valor da corrente, emprega-se
o:
Durante a conduo normal TI encontra-se fechado (conduz), T2 est aberto (no conduz ).
No mesmo da abertura de TI, gera-se uma tenso com polaridades opostas s precedentes, a qual
polariza diretamente T2 que entra em conduo limitando a amplitude.
A corrente I circula at o completo esgotamento da energia acumulada pela indutncia, a qual toda
dissipada sobre si mesma.
O diodo de recirculao consente a eliminao do arco eltrico sobre eventuais contatos situados em
srie no circuito.
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Nota-se que a contra-tenso no eliminada completamente mas reduzida ao valor de
passagem do diodo.
Se o tempo em que a tenso de entrada permanece no valor zero no muito grande (exemplo:
estabilizao com onda completa), pode-se observa um fenmeno de AUTO-NIVELAMENTO muito
acentuado.
Neste caso, mesmo sem capacitores de filtro, a corrente de circulao na carga no atinge o nvel zero.
Testes de Verificao
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Filtro LC
Filtragem com circuito L-C
O FILTRO L-C
Exemplo de circuito de
nivelamento L-C, aplicado a um
estabilizador com semi-onda
Como se sabe, a indutncia apresenta uma elevada reatncia corrente varivel proveniente do diodo o
zumbido carga, enquanto que o capacitor providencia um ulterior nivelamento da tenso de sada.
As indutncias adequadas para este fim tm um valor de alguns Henry e encontram-se envolvidas
sobre ncleos limitados.
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Com somente o capacitor so necessrias capacidade de valor elevado para obter uma forma de onda
bem nivelada; alm disso, o valor mdio de Vu baixo.
Tambm com exclusivo emprego da indutncia, a forma de onda nas extremidades da carga pouco
nivelada. O valor mdio baixo, dado que a forma de onda medida sobre a carga passa a zero.
Combinando os dois elementos (L e C), a forma da onda medida nas extremidades de carga resulta
bem nivelada. O valor mdio eleva-se. A Vu no passa mais pelo zero.
Filtro em
Em alguns casos o rendimento fornecido por um circuito L-C no suficiente. Para melhor-lo
recorre-se ao uso de um segundo capacitor ligado antes da indutncia, formado deste modo um
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FILTRO EM
Filtro em aplicado a uma retificao monofsica com onda completa com transformador de tomada
central.
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Para ambos os casos vlida a seguinte frmula caso a resistncia hmica da indutncia seja muito
pequena:
VU = Vi . 1,41
Em alguns casos pode-se encontrar o filtro de composto por dois capacitores e uma resistncia.
Em circuito utilizado quando se deseja obter um bom nivelamento com o ,mnimo volume.
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Testes de Verificao
2) Passando de vazio a plena carga num circuito com nivelamento, a tenso mdia carga
__aumenta
__permanece constante
__diminui
__retorna alternada
4) Num circuito com filtro somente indutivo, a forma de onda nas extremidades da carga
__no nivelada
__ pouco nivelada
__ muito nivelada
__ perfeitamente contnua
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Transistores
Generalidades
Desde os mais simples eletrodomsticos s mais complexas aparelhagens industriais, os fracos sinais,
gerados ou recebidos, para poderem ser utilizados, devem ser amplificados e sofrer oportunas
elaboraes. O dispositivo a semicondutor capaz de efetuar esta operao
O TRANSISTOR
A funo principal do transistor amplificar, isto , fornecer aos terminais de sada um sinal com a
mesma forma daquele aplicado aos terminais de entrada, mas fortemente amplificado, em corrente, em
tenso e, portanto, em potncia.
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Introduo aos Transistores Bipolares (B J T)
O transistor de juno constitudo por duas junes P-N, ligadas entre si de modo alterno.
PN + NP = PNP
NP + PN = NPN
EMISSOR (Emitter) E
COLETOR (Collector) C
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O transistor BIPOLAR , fundamentalmente, um amplificador ou controlador de corrente,
pois o sinal age como comando, a corrente que passa na base:
se Ib = 0 ento Ic = 0
Ic Ib
Efeito Transistor
O fenmeno fsico que se d no interior das junes, e que determina o funcionamento como
amplificador de corrente, chamado efeito transistor.
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Para que se manifeste, necessrio que se realizam as seguintes condies:
A concentrao das impurezas maior na zona do Emissor, menor na zona da Base, ainda menor
na zona do Coletor.
Dimenso:
A espessura da zona de base deve ser muito pequena em relao s duas zonas externas.
Polarizao
O efeito transistor , portanto, o fenmeno pelo qual, mediante polarizaes apropriadas, junes
oportunamente dopadas, comprimento das vrias zonas particularmente calculados, possvel
mediante o efeito de uma pequena corrente (Ib), controlar uma corrente (Ic) muito maior.
A polarizao direta do diodo base-emissor, d origem ao movimento das cargas mveis que, pelo
emissor (muito dopado) so atiradas na zona da base, de tal maneira exguo, e a dopagem de tal
maneira baixa, que a maior parte destas cargas pelo potencial base-coletor, e acaba na camada do
coletor, determinando assim a corrente Ic. Poucas cargas se recombinam base, dando origem
pequena corrente da base.
Regulando a polarizao B-E, e portanto a corrente Ib, determina-se a emissodas cargas do emissor
e, portanto, regula-se a corrente do coletor.
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Do ponto de vista das tenses, considere-se que para obter a Ib, a E l deve, necessariamente ser
pequena (tenso de polarizao direta do diodo E-B) enquanto que no circuito do coletor, a E 2 pode
ser tambm suficientemente grande dado que a juno polarizada no sentido inverso (naturalmente
sem ultrapassar a tenso de Zener da juno).
Ie = corrente no emissor
Ieb = parte pequena da corrente de emissor, que se recombina na base; em prtica, a corrente de
comando;
Iec = parte grande da corrente de emissor, que influi no coletor; em prtica, a corrente amplificada;
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Testes de Verificao
1) A estrutura do transistor :
8) A Icbo depende:
__da temperatura e do tipo de material que constitui o transistor
__da corrente de coletor e da temperatura
__da tenso de alimentao Base-Coletor
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Parmetros fundamentais do transistor bipolar
Parmetros fundamentais em corrente contnua.
A ligao que existe entre a Ie gerada no emissor e a Iec que aflui no coletor um dado
caracterstico do transistor bipolar.
Iec = Ie
Se por exemplo: = 0,95, significa que 95% da Ie torna-se Iec e, portanto, Ic; alm disso (100 95)
= 5% correspondente Ieb.
2) Iec = Ie
3) Ieb = Ie - Iec = Ie - Ie = (l - ) Ie
Ic = . Ib + ( + 1) Icbo
1- 1 - .
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definindo: = ; pelo que se
obtm 1-
6) Ic = Ib + ( + 1) Icbo
Dado que < 1, o nmero tanto maior, quanto mais se aproxima da unidade.
Para valores de de 0,95 a 0,995, varia de 20 a cerca 200.
1) Ie = Ic + Ib
6) Ic = Ib + ( + 1) Icbo
1 a) Ie = Ic + 0 = Ic
6 a) Ic = . 0 + ( + 1) Icbo = ( + 1) Icbo.
Observa-se que a diferena das consideraes realizadas no incio do estudo do transistor, se a corrente
de base se anula, no se anula perfeitamente a Ic, mas corre ainda uma pequena corrente devida
influncia da Icbo, tal como indicado na seguinte figura:
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Tal como j foi visto precedentemente, nos transistores modernos, a Icbo muito pequena e, portanto,
tambm esta corrente de perda entre EMISSOR E COLETOR COM BASE ABERTA, muito baixa e
normalmente desprezvel.
6 a) Ic = ( + 1) Icbo = Iceo
Exemplo prtico
Dado que o seu coeficiente varia de cerca 35 a cerca 80, a sua Iceo nas piores condies torna-se
cerca:
Concluses gerais
6) Ic = Ib + ( + 1) Icbo
7) Ic = Ib + Iceo
8) = Ic Iceo
Ib
Dado que, como se notou, nos modernos transistores a silcio, o valor Iceo, no campo das temperaturas
de uso, normalmente desprezvel, os construtores fornecem geralmente um parmetro simplificado,
desprezando a corrente de perda, o qual chamado hFE; este parmetro tambm usado para
indicar o ganho em sinal alternado, que diferente de beta, que o ganho em corrente contnua ou no
ponto quiescente.
9) hFE = Ic .
Ib
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10) Ic = hFE . Ib
11) Ib = Ic / hFE
Podem-se por isso obter trs esquemas de insero e, portanto, trs tipos fundamentais de curvas.
1) Nos esquemas at agora considerados, de modo ainda elementar, o eletrodo em comum foi
normalmente a BASE:
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3) Tambm usada a conexo com Coletor comum
A conexo mais utilizada no campo industrial aquela com EMISSOR COMUM. Por este motivo os
construtores fornecem as caractersticas dos transistores, normalmente nesta configurao.
possvel convert-las nas outras configuraes.
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Caracterstica de coletor ou de sada
Ic = funo de Vce com Ib constante
Esta caracterstica, como todas as seguintes, em prtica, representada por uma famlia de curvas,
cada uma diferente ao variar de Ib; a curva fundamental do transistor.
Considere-se:
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Caracterstica transferncia ou amplificao direta de corrente
Ic = f (Ib) com Vce constante.
Caracterstica V I de entrada
Ib = f (Vbe) com Vce constante
Em prtica, a curva do diodo base-emissor, polarizado diretamente. Observa-se que no entanto a Vce
influencia a Ib, embora muito ligeiramente.
1) Caracterstica de reao ou de amplificao inversa
Vbe = f (Vce) com Ib constante
A curva, juntamente quela precedente, nos faz notar um comportamento particular de TR, que at
agora no tnhamos considerado, isto , que a variao da Vce, faz variar no sentido inverso a corrente
de base. Para manter Ib constante, necessrio aumentar a Vbe, se aumenta a Vce. Isto significa que o
transistor amplifica, embora pouqussimo, no sentido inverso, ou seja, da sada para a entrada.
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Trans-caracterstica ou caracterstica de transferncia
I sada V entrada
Ic = f (Vbe) com Vce constante
Esta curva representa o comportamento do TR. no caso seja comandado atravs da Vbe.
Conclui-se portanto que existe pouca proporcionalidade entre a Vbe e a Ic controlada e que, portanto, o
TR. Funciona melhor se considerarmos a corrente (Ib).
O uso de dois geradores desaconselhvel por motivos de custo e de volume; procuremos portanto
polarizar devidamente o transistor, utilizando apenas um.
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Observa-se que os esquemas da fig. 2 so equivalentes e que:
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Se o transistor considerado um PNP, lembramos que valem todas as consideraes feitas para o tipo
NPN, mas que:
Naturalmente, para utilizar o sinal de sada, necessrio disparar a carga ou o utilizador (resistncia de
carga Rc).
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Reta de carga esttica
1) Identifica-se no eixo das abscissas (Vce), um valor equivalente tenso de alimentao (E).
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Corrente de Curto-circuito ( Ic C ).
A reta de carga interseca as caractersticas de coletor para cada valor de Ib, pode-se determinar o ponto
de funcionamento do transistor dito:
A projeo do ponto quiescente (Po) sobre os eixos, permite identificar o valor da Vce (Vceo) e da Ic
(Ico) ao qual o transistor vai funcionar.
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Se modificamos o valor da Ib (ex. de Ibo para Ibo ) desloca-se o ponto quiescente determinado: Po,
Vceo, Ico
A escolha do ponto quiescente depende do tipo de curto-circuito em que se deseja fazer funcionar o
transistor, (como se vera mais adiante).
Estabilidade Trnica
1) AUMENTO DE Icbo
um efeito desprezvel nos modernos transistores de SILCIO porque nos mesmos a Icbo parte de
valores muito baixos; a Icbo dobre o seu valor para cada T de 9 a 11 C.
2) DIMINUIO DA Vbe
A variao de Vbe quase linear e vale cerca 2,4 V por grau centgrado.
A variao da Vbe interessa quer os transistores a GERAMNIO, quer aqueles a SILCIO.
3) VARIAO DO ()
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Esquemas de Polarizao
1)
Equaes fundamentais
Rb = E - Vbeo ;
Ib
Rc = E - Vceo ;
Ic
Ib = Ic
HFF
Este circuito termicamente pouco estvel, porque nada se ope s variaes de Icbo, Vbe, , e
portanto de Ic.
2)
o esquema mais usado, porque compensado contra a variao de Icbo, Vbeo e sobretudo de .
Para que isto se verifique necessrio calcular Ip de modo que a Ib seja desprezvel a seu respeito:
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Ip 10 Ib
Vb = Vbeo + Ve
A resistncia Re, intervm contra as variaes de Ic, qualquer que seja a causam, dado que a sua c.d.t.
Ve ope-se corrente de base. Se por exemplo Ic aumenta, m aumenta Ve que faz diminuir a Vbeo
(dado que Vb constante) e portanto Ib, que tende a reduzir Ic, contrastando o aumento inicial.
Ve = 1 1 Vceo
5 10
Equaes Fundamentais
Pelo que:
Rb = E Vb....
Ip
Ip = 10 Ib
Ib = Ic
hFE
Rb2 = Vb
Ip
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Outros processos de polarizao usados so:
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Os dois transistores devem ser idnticos e compensa-se perfeitamente a Vbe.
Conexes Darlington
Definem-se conexes Darlington dois transistores bipolares quando a corrente de emissor do primeiro
tambm a corrente de base do segundo.
Normalmente este tipo de conexo efetuado com transistores da mesma espcie; porm possvel
executar tal ligao com transistores complementares.
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Normalmente a conexo executada aproveitando como transistor T1 um transistor de pequena
potncia e com beta alto, enquanto como transistor final T2 usa-se um transistor de potncia com beta
baixo.
Como se pode observar na figura, o FET (com canal N) constitudo por uma zona com semicondutor
dopado N, com duas ligaes s extremidades e por uma parte dopada P que envolve o percurso do
canal N.
Pode-se tambm construir o transistor completamente com canal P, invertindo as dopagens das duas
zonas entre si.
Entre o source e o drain existe condutibilidade hmica, cujo valor em funo da dopagem e das
sees do canal, enquanto que i gate e o canal formam uma juno P-N.
A corrente de sada do dispositivo, feita passar entre S e D, enquanto que para comandar esta
corrente se polariza inversamente o diodo G-S.
Pode-se dizer que ao variar da tenso inversa de gate, se apertamais ou menos o canal de conduo
entre source e drain, (pense-se por analogia a um tubo de plstico no qual se pode regular a passagem
de um lquido, apertando mais ou menos o prprio tubo, variando portanto a seo til passagem do
fluxo).
importante observar que neste dispositivo, o controle realiza-se atravs de uma tenso inversa,
sobre um circuito de entrada com grande resistncia e, portanto, com corrente de entrada desprezvel.
Na ausncia de polarizao inversa no gate, o FET conduz a max corrente de drain. O mesmo
funciona, sob o ponto de vista da polarizao , como os tubos de vcuo (trodo e pntodo a vcuo).
A mais importante caracterstica do FET aquela equivalente caracterstica andica dos tubos ou
caracterstica de coletor dos transistores BJT, que chamada caracterstica de drain.
1) zona chamada hmica na qual o FET se comporta aproximadamente como resistncia varivel ao
variar da tenso drain source (esta uma aplicao importante deste transistor).
2) zona chamada hipercrtica ou de Pinch Off (concentrao total), a partir do ponto no qual
inicia o aperto no qual inicia o aperto do canal.
O inicio do fenmeno segue a curva chamada dos pontos crticos, at ao valor Vp quando a
tenso de gate nula.
3) zona chamada de rupturaquando a tenso entre gate e canal atinge a tenso de zener da juno.
A tenso de ruptura mxima quando Vgs nula ( indicada com BVdss); progressivamente
diminui ao aumentar a tenso inversa de gate ( indicada com BVdsx cada valor de tenso entre
drain e source que determina a ruptura com os vrios valores de tenso drain-source).
Como se pode observar, a curva semelhante famlia de caractersticas andicas do pntodo; o
percurso utilizado no funcionamento como amplificador a zona hipercrtica.
Ids
g max = Com Vds constante
Vgs
mA
A transcondutncia se exprime em Ou mili-Siemens (mS)
V
Vp = tenso de concentrao total (pinch off voltage)
define o inicio do regime hipercrtico, com tenso de gate nula.
Se se desejar usar apenas uma tenso de alimentao, deve-se utilizar um artifcio eltrico visvel na
figura:
O artifcio, semelhante quele utilizado para a polarizao automtica dos tubos a vcuo, consiste em
dispor uma resistncia em srie no source, que com a sua cdt, leva o source a um potencial mais
positivo da massa; ligando deste modo o gate referncia, resulta mais negativo do que o source,
exatamente como solicitado pelo transistor FET.
Dado que a resistncia de source provoca durante o funcionamento como amplificador, uma
diminuio do ganho, analogicamente aos circuitos BJT, desejando eliminar o problema, convm
dispor em paralelo um capacitor de by-pass.
A ligao do gate referncia deve ser efetuada atravs de uma resistncia g de valor grande, de modo
a no diminuir demais a elevada resistncia de entrada que apresenta o FET; no que diz respeito
polarizao, este elevado valor no provoca inconvenientes dado que o gate praticamente no absorve
corrente e, portanto noexiste cdt na Rg.
Querendo utilizar a ligao source follower semelhante anloga miter follwer para os
transistores BJT, deve-se proceder tal como indicado no seguinte esquema:
Emiter follower com transistores BJT e FET Amplificador diferencial com FET
Os transistores FET so aplicados em todos os circuitos nos quais til explorar a elevada resistncia
de entrada entre gate e source.
Os FET so usados, por exemplo, nos temporizadores, onde possvel obter tempos longos sem
utilizar capacitores grandes demais, nos amplificadores para instrumentos de medida, (nos modernos
osciloscpios a fase de entrada dos amplificadores Y em feral com freqncia nos quais a elevada
impedncia de entrada no FET permite no carregar os circuitos oscilantes L-C, obtendo resultados de
sensibilidade, amplificao e rumor muito melhores que com os transistores BJT.
Uma oportuna configurao de transistores FET permite obter dispositivos chamados FETRON,
equivalentes s caractersticas de alguns tubos a vcuo, (trodos ou pntodos), com possibilidade de
perfeita intermutao e, naturalmente, funcionamento sem filamento.
O MOS-FET equivalente a um FET com o circuito de gate constitudo por um capacitor com baixa
capacidade em srie na juno gate spource.
O smbolo MOS significa metal oxide semicondutor; de fato , o circuito de gate construdo
isolando o prprio gate, pelo canal atravs de uma camada de silcio, que se comporta como perfeito
dieltrico.
O efeito de campo manifesta-se ainda por induo eletrosttica atrdsavs da capacidade quea se forma
entre gate-xido-canal.
A ligao de gate constituda po uma metalizao sobre o xido de silcio que a separa do canal. O
transitor MOS FET, apresenta em rela o ao FET, um ulterior aumento de resistncia de entrada,
deviso ao isolamento do circuito de entrada sobre o gate; a mesma pode atingir valores de at 1015
hm.
o tipo de MOSFET que mais se parece com o FET; observe-se a sua estrutura tecnolgica:
Aplicando potencial negativo a G em relao a S, a capacidade G canal atrai por induo cargas
positivas na zona de canal e se repete o funcionamento do FET, isto , se aperta o canal devido ao
esvaziamento.
CANAL N
CANAL P
A tenso de gate dos MOSFET DEPLETION tem polaridade contrria tenso de drain, portanto, para
a polarizao automtica, preciso recorrer ao artifcio utilizado com o FET:
Obtm-se um transistor MOSFET tambm com uma disposio tecnlogica como referido na seguinte
figura:
CANAL N
CANAL P
Nos MOSFET ENHANCEMENT preciso assinalar o gate para que conduzam, ao contrrio dos FET
e dos depletion, nos quais se deve dar em gate uma tenso inversa que regula a interdio; a Vgs nos
enhancement tem o mesmo sinal da Vds, portanto, suficiente um normal partidor de tenso como nos
BJT.
O uso de eventuais resistncias de queda em srie no gate, no possvel porque no circula cirrente
entre gate e source.
A estrutura tecnolgica do MOSFET DEPLETION tal que, aplicando tenso de gate contrria ao
normal funcionamento (por exemplo, positiva no canal N), a mesma faz aumentar a condutabilidade do
canal alargando-lhe a seo til como se fosse um enhancement.
Os MOSFET com estrutura depletion podem funcionar quer como depletion, quer como enhacement,
dependendo do sistema de polarizao utilizado
Como se nota, o dual gate mosfet, constitudo por dois canais em srie, m e cada um dos canais tem o
seu gate independente.
TIRISTORES
A) Definio:
Dispositivo semicondutor biestvel, com 3 ou mais junes, que pode ser comutado do estado de
conduo para o estado de bloqueio, ou vice e versa.
B) Estrutura bsica
Na figura abaixo ilustramos a famlia de tiristores com a sua respectiva simbologia tcnica.
Desejando alimentar e interromper uma carga em contnua, por exemplo uma embreagem, um freio,
etc., a soluo tradicional aquela de introduzir um diodo e um contato.
A eletrnica nos oferece um componente com semi-condutor capaz de controlar grandes potncias e
capaz de realizar a funo de estabilizador e interruptor sem um particular desgaste excessivo:
Aplicando tenso positiva em direo do nodo e negativa em direo do catodo o SCR polarizado
diretamente.
Nestas condies, portanto, o gate positivo relativamente ao catodo, circula uma corrente IG, o diodo
controlado entra em funo e conduz entre o nodo e o catodo.
Aps a entrada em funo o gate no controla mais o SCR. O desacionamento pode-se realizar apenas
quando se interrompe do exterior a corrente andica Ia.
Com gate positivo, o SCR entra em funo apenas durante o semi-ciclo positivo. No final do semi-
ciclo positivo, o diodo controlado obrigado a entrar em corte, dado que a corrente passa para zero.
1) A representao exata
( ) passa corrente
( ) passa corrente fechando o interruptor
( ) no pode passar corrente
CONTROLE DO GATILHO
Lembrando que o valor mdio dado pela mdia aritmtica de todos os valores
instantneos assumidos pela grandeza.
Variando o ponto de incio conduo (ngulo ), de 0 a 180 graus possvel variar o valor mdio
respectivamente do mximo at o zero.
O controle da potncia com sistema tradicional provoca um q.d.t. no reostato que, sendo percorrido
pela mesma corrente de carga dissipa em calor uma potncia.
O controle de controle do gatilho determina uma potncia perdida no SCR muito baixa:
Circuito de disparo
1) A controle do gatilho :
2) O valor mdio de uma tenso senoidal relativamente a uma tenso de controle do gatilho :
( ) maior
( ) menor
( ) igual
( ) aumenta
( ) diminui
( ) permanece constante de 0 a 180 graus
5) Para variar a potncia dissipada por uma carga em c.a. controlada por um SCR, se age:
Para disparar um SCR que deve trabalhar no sistema de disparo, necessrio um circuito de disparo
adequado.
O circuito de disparo deve fornecer ao gate uma tenso positiva quando o nodo positivo.
O ponto de disparo depende dos valores de IG e VG conforme uma curva caracterstica dada pelo
construtor.
Dada a dificuldade em realizar junes iguais, os construtores fornecem duas curvas limite, entre as
quais certamente situada aquela do SCR.
Alimentando o gate do diodo controlado com uma VG e uma IG que se encontram na zona tracejada
do grfico, o SCR certamente se insere; valores tpicos para um SCR de mdia potncia, (BTY 87)
so:
( PG = VG . IG)
Dado que para cada valor de tenso andica existe um diverso valor de IG de disparo, agindo sobre o
potencimetro possvel regular o momento de disparo do SCR.
Com potencimetro a 0, VG = 0
IG = 0, o SCR no se insere.
Variando o valor de IG possvel regular o momento de disparo do SCR, desde a metade do semi-
perodo (90 graus) ao incio (0 grau).
No possvel disparar o SCR para ngulos superiores a 90 porque a tenso senoidal repete os
valores instantneos precedentes.
Para o disparo do SCR, a corrente IG pode ser derivada diretamente da tenso de alimentao, atravs
de uma rede de estabilizao e regulao.
A fim de controlar o disparo de 0 a 180, utiliza-se um circuito que atrasa a tenso VG em relao
aV.
Examinemos agora o circuito de atraso, que constitudo pela RV, c, d2, referindo-nos ao grfico.
O gerador por impulsos um circuito capaz de fornecer a corrente de gate para um momento
(impulso), de valor suficiente para disparar o SCR.
Para que o ngulo de atraso seja constante e preciso necessrio que o circuito gerador de impulsos
inicie o ciclo cada vez que inicia um novo semi-ciclo positivo.
O gerador de impulsos deve ser sincronizado com a tenso de alimentao.
A fim de obter um disparo seguro do SCR, usa-se um impulso de amplitude suficiente para dispar-lo
com baixos valores de Va.
O impulso no deve Ter, porm, uma durao excessiva, de outro modo, a potncia mdia
dissipada sobre o gate tomaria valores perigosos para a juno.
Em alguns caso, de modo particular com cargas muito indutivas, para garantir um disparo seguro do
diodo controlado, envia-se sobre o gate uma sucesso de impulsos iguais entre si, o chamado trem de
pulsos
( ) de 0 a 90
( ) de 90 a 180
( ) de 0 a 180
( ) um circuito R-C
( ) o diodo D2 carrega C mxima tenso negativa
( ) o reostato regula a corrente do capacitor
Em uma sala cinematogrfica, se deve instalar um sistema de regulao de intensidade luminosa para
20 lmpadas que absorvem 0,6 A cada uma ; examinando-se duas solues de igual custo.
Circuito de
disparo
No que se diz respeito ao controle de potncia em alternada, pelo estudo feito at agora, parece
evidente que a nica soluo possvel seja usufruir da ligao paralela inversa dos SCR.
Dada porm, a particular configurao do circuito, so necessrias duas fontes de impulsos desfasados
entre si de 180.
Para isso, as causas construtoras tentaram simplificar tal circuito realizando um componente de
pequenas dimenses com uma nica entrada de comando mediante impulsos, boas prestaes e baixo
custo.
TRIAC
O TRIAC um componente tipo semicondutor (silcio) dotado de trs eletrodos denominados:
ANODO 1, ANODO 2 e GATE.
Caracterstica andica:
Ia = corrente andica
Va = tenso andica
Ih = corrente de holding
Analisando a caracterstica, nota-se que o triac um dispositivo bidirecional capaz de controlar toda a
sinuside. O sinal de disparo (G-A1) deve ser enviado a cada semi-perodo pois o cmponente se
desinsere espontaneamente quando a Ia passa pelo zero.
O sinal de disparo deve sert sincronizado com a tenso de alimentao; com o anodo 2 positivo em
relao ao anodo 1, a tenso G-A1 deve ser positiva; com o anodo 2 negativo em relao ao anodo 1, a
tenso G-A1 deve ser negativa. Nos triac mais modernos o sinal de disparo tambm pode estar em
oposio tenso do anodo 2, mesmo se neste caso, geralmente deve ser de intensidade maior que no
precedente.
DIAC
O DIAC, o interruptor bi-direcional de silcio, um dispositivo com quatro camadas que possuem a
peculiaridade de funcionar em corrente alternada e de possuir um limite bi-direcional.
A caracterstica do diac simtrica e tem dois valores tpicos de tenso de bloqueio (VBR).
Se aplicarmos uma tenso crescente no trecho da OV at VBR, a corrente quase nula; quando a
tenso supera o valor VBR a corrente aumenta bruscamente e a tenso nas extremidades diminui
(resistncia diferencial negativa).
Circuito de aplicao
Para obter o corte necessrio que a corrente andica desa abaixo do valor de sustentao (Ih).
O circuito R3-C1 constitui a rede de proteo do triac.
Os S.C.S. so componentes com quatro camadas, trs junes P-N-P-N como os S.C.S., porm,
dotados de quatro terminais.
O G.T.O. um interruptor esttico a semicondutor (silco), indicado para usos industriais que mais
aproxima como funcionamento a um perfeito interruptor. De fato, possui as vantagendos tiristores e
dos transitores de comutao a alta tenso.
um dispositvo em quatro camadas, trs junes PNPN com tr6es terminais: anodo, catodo e gate.
O dispositivo G.T.O. moderno disponvel nas verses: 1000 V, 1300 V; 1500 V e correntes de 5A.
O G.T.O. formado por dois transitores complementares interconexos entre si e , portanto, o seu
funcionamento quase idntico ao S.C.R.
Aplicando base do transistor NPN um sinal positivo, este instaura um fenomeno regenerativo
tendente a levar edm breve tempo, ambos os transitores ao mximo da conduo.
A diferena do S.C.R, e o G.T.O. estruturado em modo tal que, querendo interdir o seu
funcionamento, basta aplicar uma tenso negativa ao gate.
Graas sua paricular estrutura interna e ao processo de dopagem ouro, tem um baixo tempo de
imagazinamento.
O seu turn-off inferior ao micro segundo, de fato, aplicando uma tenso negativa de 5V ao gate, o
G.T.O. passa zona de no conduo em menos de 0,5 micro segundos.
Circuito de controle
Para obter a caracterstica de nterruptor eletrnico perfeito, como de fato o G.T.O. dado que pode
passar do estado de conduo aquele de interdio em um tempo inferior a 0,5 micro segundo,
necessrio mun-lo de um correto circuito de controle.
Aplicaes
Valores mximos:
- 5 A CC
- 30 V a 400 V
- Corrente de pico de 30 A
- IGT mximo de 200 A
Caractersticas trmicas
MX. UNIDADE
RQJC - resistncia trmica juno-encapsulamento 3,5 C/W
RQJA resistncia trmica juno-ambiente 6,25 C/W
- 8 A 12 A CC
- 50 V A 600 V
- Corrente de pico de 80 A e 100 A
- IGT mximo de 20 mA
- 8 A RMS
- 200 V A 400 V
- aplicaes em alta temperatura, alta corrente e alta
tenso
- dv/dt tpico de 500 V/s a 25C
- Valores mximos absolutos, ao longo da faixa de temperatura de encapsulamento
UNIDADE
TIC 226B 200
tenso de pico repetitiva, com o TRIAC desativado (nota 1) V
TIC 226D 400
corrente RMS de onda completa, em operao a (ou abaixo
8 A
de) 85C no encapsulamento (nota 2) IT (RMS)
corrente de pico, senide onda completa ITSM (nota 3) 70 A
corrente de pico em operao, senide meia onda ITSM (nota 80 A
Caractersticas trmicas
MAX. UNID.
RQJC resistncia trmica juno-encapsulamento
1,8 C/W
RQJA resistncia trmica juno-ambiente
62,5 C/W
SRIE TIC 236
TRIACS
- 12 A e 16 A
- 200 V e 400 V
TIRISTOR: Mecanismo semi-condutor biestvel, que pode chavear entre estado aberto ou fechado.
Este pode encontrar em 03 ou mais junes, e so unidirecionais, bidirecionais ou
condio reversa.
COMPONENTES DE POTNCIA
TAC: TRIAC: 03 terminais, multicamadas, tiristor bidirecional com capacidade de ligao com 04
quadrantes no gate (a tenso negativa ou positiva do gate relativa ao terminal
principal). Suas aplicaes incluem em comutao e controlador de fase de
circuitos de potncia A.C.
As caractersticas e classificaes mostram estas no geral para os casos de piores condies. Esta
abordagem permite ao leitor comparar e selecionar os componentes cujas caractersticas so expostas
seguir para uma mxima condio de operao. A nica exceo VDRM (mxima tenso repetitiva
em off-state) que dado sobre uma faixa de operao de temperatura.
di/dt (classificao): Crtica taxa de conduo de corrente em on-state (AMP/SEC). Mximo aumento
da taxa de corrente que o tiristor pode resistir sem ser danificado.
dv/dt (comutao): Taxa crtica de comutao de tenso. A menor taxa do aumento da tenso
principal do tiristor que garante que o tiristor ir desligar quando a tenso
dv/dt (fixo): Taxa crtica de aumento de tenso para a condio de OFF-STATE. A menor taxa de
aumento da tenso principal que ir comutar o tiristor ligado, geralmente medida a
25C.
IGO: CORRENTE TURN-OFF DE GATE (AMP): A corrente de gate negativa requerida para
comutao de TURN-OFF a gate TURN-OFF, medida especificada na corrente principal
geralmente a 25C.
IH: CORRENTE DE RETENO (AMP): A corrente requerida para manter o tiristor em ON-
STATE normalmente medida a 25C.
Ip: PONTO DE PICO DA CORRENTE (AMP); A mxima corrente andica (No PUT) at o ponto
de pico onde dVAK/dt = O
IT (RMS) @ Tref: CORRENTE RMS ON-STATE: A mxima corrente RMS (ON-STATE) que o
tiristor ir operar especificadamente a uma temperatura especfica referente.
Para bloqueio reverso ou conduo dos tiristores estes valores so
especificados para conduo de um ngulo de 180C. Para tiristores
bidirecionais, estes valores so especificados para 360C.
Para o gatilho dos tiristores estes valores so medidos em um pulso retangular veloz
especificado.
IV: CORRENTE NO PONTO DE VALE (AMP): A corrente andica (no Put) no ponto de vale
onde dvak/dt = O
tq: TEMPO PARA O CIRCUITO CHAVEAR PARA OFF. Tempo requerido para desligamento
do tiristor medido uma corrente especificada, de um tempo de reduo da tenso a zero para o
tempo em que o tiristor capaz de suportar a tenso principal sem disparar-se, geralmente medida
a 25C. porque os testes necessitam de condies extensivas durante a medio, os valores tpicos
so geralmente especificados.
VcT: TENSO DE GATILHO N-GATE. a tenso negativa que o comutador de silcio controlado
(SCS) necessita para o disparo do tiristor, geralmente medida a 25C esta tenso referenciada
no anodo.
VD: TENSO CONTNUA DE BLOQUEIO. a mxima tenso contnua que o tiristor ir operar.
VGQ: TENSO DE GATE PARA TURN-OFF: A tenso negativa do gate, referenciada no catodo
requerida de Turn-off do gate para Turn-off comutao, medida especificada por uma
corrente principal; geralmente a 25C.
Um circuito integrado constitudo por uma chapa, chamada chip, de cristal de silcio, com cerca
1mm2 de seo, que comtm elementos ativos e passivos e respectivas ligaes.
Estes circuitos so realizados mediante os mesmos processos utilizados para produzir dodos e
transistores.
Isso permite uma excelente repetio e se adapta produo de um grande nmero de peas a baixo
custo. As principais vantagens que derivam desta tecnologia so o enorme grau de confiabilidade, a
reduo das dimenses e o baixo custo, comparvel ao preo que custaria o circuito se tivesse sido
realizado mediante elementos discretos interligados segundo as tcnicas tradicionais.
Observa-se na figura que a pequena chapa de silcio do suporte contm diversas zonas dopadas N eP,
portanto, muitas junes NP. Utilizando as junes se obtm diodos, transistores e capacitores de
pequena capacidade, utilizando a capacidade apresentada pela juno quando polarizada
inversamente.
A tcnica dos circuitos integrados permite realizar mais convenientemente os transistores do que as
resistncias ou capacitores, e por este motivo que os circuitos eletrnicos integrados so projetados
com critrios diferentes daqueles adotados para os componentes discretos.
Tipos e famlias
No comrcio existe uma grande variedade de circuitos integrados; na tabela seguinte indicada a
subdiviso dos componentes mais frequentemente empregados:
Os digitais so circuitos lgicos que trabalham com apenas dois nveis de sinal, um alto e um baixo.
Os lineares ou analgicos so aqueles nos quais existe em geral uma relao de proporcionalidades
entre o sinal de entrada e o de sada.
Os SSI (Short Scale Integration pequena escala de integrao) contm algumas dezenas de portas
lgicas equivalentes.
Os MSI (Medium Scale Integration) contm algumas centenas de portas lgicas equivalentes.
Os LSI (Large Ecale Integration laga escala de integrao) contm milhares de portas lgicas
equivalentes e, portanto, inteiros circuitos complexos, por exemplo: um micro-processador.
Os circuitos integrados digitais so ainda subdividos em famlias, em relao aos componentes que
utilizam e s particularidades que distingue: os determinados grupos.
Nos circuitos integrados lineares encontramos o grupo dos amplificadores, que podem ser de tipo
operacional ou estudados para baixas frequncias e tambm pr-amplificadores e finais de potncia
(at algumas dezenas de W).
Ainda entre os lineares, existe uma gama de circuitos integrados especiais que so mdulos com
funes muito variadas:
Observe-se a verso integrada de um j-k flip-flop da famlia RTL; pelo exame do modo bastante
difcil reconhecer os componentes.
O estudo deste circuito relativamente simples (SSI), resulta j em dificuldade, pois mais evidente a
interpretao do esquema lgico; o mesmo esquema simplificado pelo smbolo do J-K flip-flop.
Invlucros
Para os circuitos integrados usam-se invlucros em resina, de cermica ou metlicos, geralmente com
muitos contatos.
2) com a tecnologia utilizada para realizar os circuitos integrados mais fcil obter:
( ) Transistores
( ) Resistncias
( ) Capacitores
( ) Bobinas
( ) TTL
( ) SSI
( ) MSI
( ) LSI
( ) Da famlia TTL
( ) Da famlia MOS
( ) Digitais
( ) Lineares
( ) Amplificadores de potncia
( ) Amplificadores operacionais
( ) Mdulos para TV
( ) Circuitos lgicos