Você está na página 1de 14

_______________________ UFRJ/POLI/DEL - Laboratório de Eletrônica

II_______________________

1a AULA PRÁTICA - ESTUDO DE BJT (NPN)

1) Objetivo:
* Obter características de CC de um transistor bipolar de junção NPN.
* Fazer um projeto de polarização.

2) Trabalho Preparatório:
A) Descreva sucintamente o funcionamento do BJT NPN e seu modelamento
matemático para CC, em particular IC como função de VBE e VCE e IC como função de
I B.

B) No circuito da Fig. 1, com VCC = 12V e o BJT NPN BC 546/7/89 A/B/C/-,


calcule R1, R2, RE e RC para que VC = 7V, VE = 2V e IC = 2mA, usando parâmetros CC
médios especificados pelo fabricante. (Faça R1//R2 << βRE)

VCC
R RC
1

E Figura 1
R2
RE

1
_______________________ UFRJ/POLI/DEL - Laboratório de Eletrônica
II_______________________

3) Trabalho Prático:
Obs.: As correntes podem ser medidas indiretamente pelas quedas de tensão sobre os
respectivos reistores.
* Identifique os terminais de base (B), emissor (E) e coletor (C) do BJT recebido.
* Monte o circuito da Fig, 2.

C
220 Ω P2 12V
P1 B 5kΩ
10kΩ
270k Ω E

Figura 2

* Mantendo fixo VCE = 5V, ajuste IB através da variação de P1 e meça VBE,


completando a tabela abaixo:

IB (µA) 0,5 2,5 5 7,5 10 12,5 15 17, 5 20


VBE (V)

* Tendo ajustado cada IB através da variação de P1, ajuste VCE através da variação
de P2 e meça IC, completando a tabela abaixo:

IC (mA)
IB (µA) \ VCE(V) 0 1 2 3 4 5
0
5
10
15
20

* Tabele β x IC @ VCE = 5V e determine um β médio para a faixa de IC observada.

* Monte o circuito projetado no item B) do preparatório.


* Meça VBE, IC e VCE.
* Compare com os valores previstos e comente.

2
_______________________ UFRJ/POLI/DEL - Laboratório de Eletrônica
II_______________________

2a AULA PRÁTICA - O BJT COMO AMPLIFICADOR

1) Objetivos:
* Projetar um amplificador de tensão em emissor-comum com especificações da-
das.
* Comparar as características de CA das 3 configurações básicas.

2) Trabalho Preparatório:
A) A partir de um esboço das curvas características de entrada e saída (iB x vBE e
iC x vCE @ iB), mostre a operação do BJT em emissor-comum como amplificador de
tensão (isto é, mostre as variações dos sinais sobre os gráficos). Em seguida, descreva o
modelamento matemático do transistor para pequenos sinais (através de gm ou β, rπ e ro),
apresentando um circuito equivalente e expressões para cálculo dos parâmetros, onde
for o caso.

B) No circuito da Fig. 1 em emissor-comum (isto é, Y em terra, entrada em X e


saída em Z), com VCC = 12V e o BJT BC 546/7/8 A/B/C/-, usando parâmetros médios
do fabricante:
* Calcule os resistores para que IC = 2mA, VCE = 7V e |AV| ≈ 120. (Faça
R1//R2 << βRE.) Atribua valores comerciais aos resistores.
* Calcule os capacitores por CB(R1//R2//rπ) = 30ms, CE(RE// g1 ) = 3ms e
m

CC(RC//ro) = 30ms. Atribua valores comerciais aos capacitores.

VCC
R RC
1
CC
CB C Z
B
X

E Y
R2 CE
RE

Figura 1

C) Considerando o circuito da Fig. 1 calculado, obtenha valores teóricos para o


ganho de tensão, a impedância de entrada e a impedância de saída na configuração:
* base-comum (isto é, X em terra, entrada em Y e saída em Z);
* emissor-comum (isto é, Y em terra, entrada em X e saída em Z);
* colector-comum (isto é, Z em terra, entrada em X e saída em Y).

1
_______________________ UFRJ/POLI/DEL - Laboratório de Eletrônica
II_______________________

3) Trabalho Prático:
* Monte o circuito da Fig, 1 com os componentes calculados no item B) do
preparatório.
* Meça a polarização (VBE, IC e VCE).
* Compare com os valores teóricos e comente.
* Com o circuito na configuração emissor-comum e senóide em 1kHz, em
operação linear:
* Meça o ganho de tensão.
* Compare com os valores teóricos e comente.
* Varie a amplitude da entrada até obter a máxima excursão de sinal na
saída.
* Compare com os limites esperados e comente.
* Retorne com o circuito à operação linear.
* Meça a impedância de entrada.
* Meça a impedância de saída.
* Compare com os valores teóricos e comente.
]
* Com o circuito na configuração base-comum e senóide em 1kHz, em operação
linear:
* Meça o ganho de tensão.
* Meça a impedância de entrada.
* Meça a impedância de saída.
* Compare com os valores teóricos e comente.

* Com o circuito na configuração coletor-comum e senóide em 1kHz, em


operação linear:
* Meça o ganho de tensão.
* Meça a impedância de entrada.
* Meça a impedância de saída.
* Compare com os valores teóricos e comente.

2
_______________________ UFRJ/POLI/DEL - Laboratório de Eletrônica
II_______________________

3a AULA PRÁTICA - ESTUDO DE JFET (CANAL-N)

1) Objetivo:
* Obter características de CC de um transistor de efeito de campo de junção
canal-n.
* Fazer um projeto de polarização.

2) Trabalho Preparatório:
A) Descreva sucintamente o funcionamento do JFET e seu modelamento matemá-
tico para CC, em particular ID como função de VGS e VDS.

B) No circuito da Fig. 1 com VDD = 15V, RG = 1MΩ e o JFET canal-n MPF 102,
calcule RD e RS para que VD = 10V e ID = 1mA, usando parâmetros CC médios
especificados pelo fabricante. (Não se esqueça de verificar antes se o JFET operará na
região de triodo ou na região de saturação; despreze a modulação do comprimento do
canal.)

VDD
RD

G
S

RG RS

Figura 1

1
_______________________ UFRJ/POLI/DEL - Laboratório de Eletrônica
II_______________________

3) Trabalho Prático:
* Identifique os terminais de porta (“gate” G), fonte (“source” S) e dreno (“drain”
D) do JFET recebido.
* Monte o circuito da Fig, 2.

VB
A

G
S

VA
Figura 2

* Fixando VDS = 15V, eleve VA partindo de zero até que ID ≈ 1µA; nesse ponto,
meça VGS e tome-a como VP.
* Fixando VGS = 0, eleve VB partindo de zero até que VDS - VGS = -VP; nesse pon-
to, meça ID e tome-a como IDSS.
* Compare com as especificações do fabricante e comente.
* Meça ID nas condições indicadas e preencha a tabela:

ID (mA)
VGS (V) \ VDS (V) 0 -0,2xVP -0,4xVP -0,6xVP -0,8xVP - VP -1,4xVP -1,8xVP -2,0xVP -2,4xVP -3xVP
0
0,2xVP
0,4xVP
0,6xVP
0,8xVP
VP

* Identifique na tabela as regiões de triodo e de saturação.


* Para um dado VGS, por que ID não é, de fato, fixo na região de saturação?
* Com os pontos onde VDS - VGS = -VP, monte uma tabela de ID x VGS.
⎛ V ⎞
2

* Monte outra tabela de acordo com I D = I DSS ⎜⎜1 − GS ⎟⎟ para os parâmetros obtidos
⎝ VP ⎠
e compare com a anterior.

* Monte o circuito projetado no item B) do preparatório.


* Meça VD e ID.
* Compare com os valores previstos e comente.

Obs.: Guarde o JFET utilizado nesta aula para a próxima.

2
_______________________ UFRJ/POLI/DEL - Laboratório de Eletrônica
II_______________________

4a AULA PRÁTICA - O JFET COMO AMPLIFICADOR

1) Objetivo:
* Projetar e testar um amplificador de tensão em fonte-comum com especifica-
ções dadas.
* Comparar as características de CA das 3 configurações básicas.

2) Trabalho Preparatório:
A) A partir de um esboço das curvas características de saída, mostre a operação
do JFET em fonte-comum como amplificador de tensão e descreva seu modelamento
matemático para pequenos sinais (através de gm e ro).

B) No circuito da Fig. 1 em fonte-comum (isto é, Y em terra, entrada em X e


saída em Z), com VDD = 15V, RG = 1MΩ e o JFET da aula anterior, usando os
parâmetros de CC encontrados experimentalmente.
* Calcule RD e RS para que ID = 1mA e |AV| > 5. (Não se esqueça de que o
JFET deverá operar na região de saturação.)
* Calcule os capacitores por CGRG = 30ms, CSRS = 3ms e CD(RD//ro) =
30ms.

RD VDD

CD
Z

CG
X

Y
RG CS
RS Figura 1

C) Considerando o circuito da Fig. 1, obtenha valores teóricos para o ganho de


tensão, a impedância de entrada e a impedância de saída na configuração:
* porta-comum (isto é, X em terra, entrada em Y e saída em Z);
* fonte-comum (isto é, Y em terra, entrada em X e saída em Z);
* dreno-comum (isto é, Z em terra, entrada em X e saída em Y).

1
_______________________ UFRJ/POLI/DEL - Laboratório de Eletrônica
II_______________________

3) Trabalho Prático:
* Monte o circuito da Fig, 1 com os componentes calculados no item B) do
preparatório.
* Meça a polarização (VGS, ID e VDS).
* Compare com os valores teóricos e comente.
* Com o circuito na configuração fonte-comum e uma senóide em 1kHz como
entrada:
* Meça a impedância de entrada.
* Meça a impedância de saída.
* Meça o ganho de tensão.
* Compare com os valores teóricos e comente.
* Varie a amplitude da entrada até obter a máxima excursão de sinal na
saída.
* Compare com os limites esperados e comente
* Com o circuito na configuração porta-comum e uma senóide em 1kHz como
entrada:
* Meça a impedância de entrada.
* Meça a impedância de saída.
* Meça o ganho de tensão.
* Compare com os valores teóricos e comente.
* Com o circuito na configuração dreno-comum e uma senóide em 1kHz como
entrada:
* Meça a impedância de entrada.
* Meça a impedância de saída.
* Meça o ganho de tensão.
* Compare com os valores teóricos e comente.

2
_______________________ UFRJ/POLI/DEL - Laboratório de Eletrônica
II_______________________

a
5 AULA PRÁTICA - AMPLIFICADOR DE TENSÃO COM
ENTRADA DIFERENCIAL

I) Objetivos:
Analisar e verificar o funcionamento de um amplificador de tensão sem realimentação
com entrada diferencial.

II) Trabalho Preparatório:


* Considerar o circuito da fig. 1 com resistores de 5%. (Os transistores podem ser
similares: BC 546/7/8 A/B/C- e BC 556/7/8 A/B/C/-)

10 V
10 V 10 V

3,3 k Ω
8,2 k Ω 4,7 nF
10 V
BC 556 B ou A

v- 2xBC 546B v+ vo
ou A
io
fig. 1
(15+1,5) k Ω
15 kΩ

-10 V
-10 V

* Com valores nominais e médios:


* calcule IC e VCE para cada transistor (considere as entradas em nível DC zero);
∆ vo
* calcule o ganho de tensão Av = ;
v+ − v−
* calcule a impedância de entrada diferencial Z id ;
* estime a excursão máxima na saída.
* No pior caso, tente mostrar que:
* Av > 180 ;
* Z id > 15kΩ ;

1
_______________________ UFRJ/POLI/DEL - Laboratório de Eletrônica
II_______________________

IV) Medidas: Após montar o circuito da fig. 1:


* Fazendo v+ = v− = 0 , para verificar a polarização, obter V BE , VCE e I C para cada
transistor.
* Ajustando convenientemente a amplitude do sinal na entrada (senóide em 1 kHz),
verificar as limitações na excursão de sinal na saída.
* Medir na faixa de operação, com a saída não-distorcida, utilizando o circuito auxiliar da
fig. 2 e os 2 canais do osciloscópio:
v+
4,7 kΩ
4,7 k Ω
_
+ A. O. 741 v-
vd
~ +
2_
fig. 2

* o ganho de tensão Av ;
* a impedância de entrada Z id (use dois resistores fixos auxiliares).
* Comparar todos os resultados obtidos com os previstos teoricamente e comentar.

2
_______________________ UFRJ/POLI/DEL - Laboratório de Eletrônica
II_______________________

a
6 AULA PRÁTICA - AMPLIFICADOR DIFERENCIAL

I) Objetivos:
Projetar um amplificador diferencial de tensão com características especificadas,
considerando, em particular, seus parâmetros diferenciais e de modo comum.

II) Especificações:
* Circuitos da fig. 1, sendo VCC = 10 V, Q1 = Q2 = Q3 = Q4 = BC 546/7/8 A/B/C/- e os
resistores de 5 % (sendo R1 = R2 , nominalmente).
Obs.: O circuito da fig. 1b corresponde ao circuito da fig. 1a, apenas substituindo R E por uma
fonte de corrente “equivalente”.

VCC V CC VCC V CC

Rc 1 Rc
Rc 1 Rc 2
2
vo vo
+ -
vo vo
+ vi +
- Q1 Q2 vi
-
vi Q1 Q2 vi -
+

R e1 Re2
RA
Re1 Re2

Q3 Q4

fig. 1a RE RB RB
1 fig. 1b 2

-V -V -V
CC CC CC

∆ v o+ − v o−
* Módulo do ganho diferencial de tensão Avd = ≥ 50 .
v i+ − v i−
* Excursão de sinal diferencial na saída ≥ 1 V pico.
* Impedância de entrada diferencial Z id ≥ 20 kΩ.

III) Projeto:
* Obtenha as expressões para:
* I C e VCE para cada transistor;
* A vd ;
* Z id ;
* VCE mínimo para não ocorrer saturação e I C mínimo para não ocorrrer corte para
cada transistor (onde aplicáveis);
* Calcular os componentes para que os circuitos atendam integralmente às especificações,
apresentando detalhadamente os passos do projeto.
* Com os valores finais, calcular os “piores casos” esperados.
* Simular os circuitos para confirmar seu funcionamento.

1
_______________________ UFRJ/POLI/DEL - Laboratório de Eletrônica
II_______________________

IV) Medidas:
* Após montar o circuito da fig. 1a:
* Fazendo v1+ = vi− = 0 , para verificar a polarização, medir V B , VC e V E e obter
V BE , VCE e I E para cada transistor.
* Ajustando convenientemente a amplitude do sinal na entrada (senóide em 1 kHz),
verificar as limitações na excursão de sinal na saída.
* Medir na faixa de operação, com a saída não-distorcida:
vo+ vo+ vo− vo−
* os ganhos , , e , observando
vi+ vi− vi+ vi−
vi− =0 vi+ =0 vi− =0 vi+ =0

cuidadosamente as fases relativas dos sinais;


* diretamente, utilizando o circuito auxiliar da fig. 2 e os 2 canais do
∆ v o+ − v o−
osciloscópio, o ganho diferencial Avd = .
v i+ − v i−
vi
+
4,7 kΩ
4,7 kΩ
_
+ A. O. 741 vi
vd -
~ +
2_
fig. 2

v o+
* os ganhos de tensão de modo comum definidos como Avc =
+ vi vi+ = vi − = vi

v o−
e Avc = .
− vi vi+ = vi − = vi

* Medir na faixa de operação as impedâncias de entrada Z i+ , Z i− , Z ic e Z id


* Comparar todos os resultados obtidos com os previstos teoricamente e comentar.

* Repetir tudo para o circuito da fig. 1b:

2
_______________________ UFRJ/POLI/DEL - Laboratório de Eletrônica
II_______________________
a
7 AULA PRÁTICA - AMPLIFICADOR DE 2 ESTÁGIOS COM
ACOPLAMENTO CAPACITIVO

I) Objetivos:
Projetar um amplificador de tensão com características especificadas, incluindo
“bootstrap”.

II) Especificações:
* Circuito da fig. 1, sendo VCC = 10 V, Q1 = Q2 = BC 546, R L = 10 kΩ nominais e
os demais resistores de 5 %.
VCC VCC

VCC VCC
R6 R8

R2 R4 vo
C3 C5 Z o
vi Q2 RL
C1 R1
Zi
Q1 R7
C2
R9 C4

R3 R5 fig. 1

∆ v c1
* Módulo do ganho de tensão do primeiro estágio Av1 = ≥ 2,5 , independente
vi
de Q1 .
* Excursão de sinal na saída ≥ 2,5 V pico.
* Impedância de entrada Z i ≥ 50 kΩ.
* Z iC1 = 300ms , ( R8 + RL )C5 = 100ms , ( R4 + R6 // R7 // rπ 2 )C3 = 30ms ,
rπ 1 rπ 2 + R4 // R6 // R7
( R1 // R2 // R3 + R5 // )C2 = 10ms e ( R9 // )C4 = 3ms
β1 + 1 β2 + 1
_______________________ UFRJ/POLI/DEL - Laboratório de Eletrônica
II_______________________

III) Projeto:
* Algumas expressões necessárias:
* I C1 em função de β 1 e VBE1 → I C1 aproximada se R1 + R2 // R3 << β 1 R5 ;
* I C2 em função de β 2 e VBE2 → I C2 aproximada se R6 // R7 << β 2 R9
* VCE1 aproximada em função de I C1 ;
* VCE2 aproximada em função de I C2 ;
* Av1 → Av1 aproximado se R1 >> R2 // R3 // R5 e rπ 1 << β 1 ( R2 // R3 // R5 ) ;
* A v2 ;
* Z i → Z i aproximada se R1 >> R2 // R3 // R5 e rπ 1 << β 1 ( R2 // R3 // R5 ) ;
* VCE1 mínimo para não ocorrer saturação e I C1 mínimo para não ocorrrer
corte;
* VCE2 mínimo para não ocorrer saturação e I C2 mínimo para não ocorrrer
corte;
* Calcular os componentes para que os circuitos atendam integralmente às
especificações, apresentando detalhadamente os passos do projeto.
* Com os valores finais, calcular os “piores casos” esperados.
* Simular o circuito para confirmar seu funcionamento.

IV) Medidas:
* Após montar o circuito da fig. 1:
* Fazendo vi = 0 , para verificar a polarização:
* medir VB1 , VC1 e VE1 e obter VBE1 , VCE1 e I C1 ;
* medir VB2 , VC2 e VE2 e obter VBE2 , VCE2 e I C 2 .
* Ajustando convenientemente a amplitude do sinal na entrada (senóide em
1 kHz), verificar as limitações na excursão de sinal na saída.
* Medir Av1 e Av2 na faixa média com a saída não distorcida.
* Medir Zi e Z o na faixa média.
* Comparar todos os resultados obtidos com os previstos teoricamente e
comentar.
* Após apenas retirar C2 do circuito original:
* Medir Av1 na faixa média com a saída não distorcida.
* Medir Zi na faixa média.
* Comparar os resultados obtidos com os previstos teoricamente e comentar.