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1) Objetivo:
* Obter características de CC de um transistor bipolar de junção NPN.
* Fazer um projeto de polarização.
2) Trabalho Preparatório:
A) Descreva sucintamente o funcionamento do BJT NPN e seu modelamento
matemático para CC, em particular IC como função de VBE e VCE e IC como função de
I B.
VCC
R RC
1
E Figura 1
R2
RE
1
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3) Trabalho Prático:
Obs.: As correntes podem ser medidas indiretamente pelas quedas de tensão sobre os
respectivos reistores.
* Identifique os terminais de base (B), emissor (E) e coletor (C) do BJT recebido.
* Monte o circuito da Fig, 2.
C
220 Ω P2 12V
P1 B 5kΩ
10kΩ
270k Ω E
Figura 2
* Tendo ajustado cada IB através da variação de P1, ajuste VCE através da variação
de P2 e meça IC, completando a tabela abaixo:
IC (mA)
IB (µA) \ VCE(V) 0 1 2 3 4 5
0
5
10
15
20
2
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1) Objetivos:
* Projetar um amplificador de tensão em emissor-comum com especificações da-
das.
* Comparar as características de CA das 3 configurações básicas.
2) Trabalho Preparatório:
A) A partir de um esboço das curvas características de entrada e saída (iB x vBE e
iC x vCE @ iB), mostre a operação do BJT em emissor-comum como amplificador de
tensão (isto é, mostre as variações dos sinais sobre os gráficos). Em seguida, descreva o
modelamento matemático do transistor para pequenos sinais (através de gm ou β, rπ e ro),
apresentando um circuito equivalente e expressões para cálculo dos parâmetros, onde
for o caso.
VCC
R RC
1
CC
CB C Z
B
X
E Y
R2 CE
RE
Figura 1
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3) Trabalho Prático:
* Monte o circuito da Fig, 1 com os componentes calculados no item B) do
preparatório.
* Meça a polarização (VBE, IC e VCE).
* Compare com os valores teóricos e comente.
* Com o circuito na configuração emissor-comum e senóide em 1kHz, em
operação linear:
* Meça o ganho de tensão.
* Compare com os valores teóricos e comente.
* Varie a amplitude da entrada até obter a máxima excursão de sinal na
saída.
* Compare com os limites esperados e comente.
* Retorne com o circuito à operação linear.
* Meça a impedância de entrada.
* Meça a impedância de saída.
* Compare com os valores teóricos e comente.
]
* Com o circuito na configuração base-comum e senóide em 1kHz, em operação
linear:
* Meça o ganho de tensão.
* Meça a impedância de entrada.
* Meça a impedância de saída.
* Compare com os valores teóricos e comente.
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1) Objetivo:
* Obter características de CC de um transistor de efeito de campo de junção
canal-n.
* Fazer um projeto de polarização.
2) Trabalho Preparatório:
A) Descreva sucintamente o funcionamento do JFET e seu modelamento matemá-
tico para CC, em particular ID como função de VGS e VDS.
B) No circuito da Fig. 1 com VDD = 15V, RG = 1MΩ e o JFET canal-n MPF 102,
calcule RD e RS para que VD = 10V e ID = 1mA, usando parâmetros CC médios
especificados pelo fabricante. (Não se esqueça de verificar antes se o JFET operará na
região de triodo ou na região de saturação; despreze a modulação do comprimento do
canal.)
VDD
RD
G
S
RG RS
Figura 1
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3) Trabalho Prático:
* Identifique os terminais de porta (“gate” G), fonte (“source” S) e dreno (“drain”
D) do JFET recebido.
* Monte o circuito da Fig, 2.
VB
A
G
S
VA
Figura 2
* Fixando VDS = 15V, eleve VA partindo de zero até que ID ≈ 1µA; nesse ponto,
meça VGS e tome-a como VP.
* Fixando VGS = 0, eleve VB partindo de zero até que VDS - VGS = -VP; nesse pon-
to, meça ID e tome-a como IDSS.
* Compare com as especificações do fabricante e comente.
* Meça ID nas condições indicadas e preencha a tabela:
ID (mA)
VGS (V) \ VDS (V) 0 -0,2xVP -0,4xVP -0,6xVP -0,8xVP - VP -1,4xVP -1,8xVP -2,0xVP -2,4xVP -3xVP
0
0,2xVP
0,4xVP
0,6xVP
0,8xVP
VP
* Monte outra tabela de acordo com I D = I DSS ⎜⎜1 − GS ⎟⎟ para os parâmetros obtidos
⎝ VP ⎠
e compare com a anterior.
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1) Objetivo:
* Projetar e testar um amplificador de tensão em fonte-comum com especifica-
ções dadas.
* Comparar as características de CA das 3 configurações básicas.
2) Trabalho Preparatório:
A) A partir de um esboço das curvas características de saída, mostre a operação
do JFET em fonte-comum como amplificador de tensão e descreva seu modelamento
matemático para pequenos sinais (através de gm e ro).
RD VDD
CD
Z
CG
X
Y
RG CS
RS Figura 1
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3) Trabalho Prático:
* Monte o circuito da Fig, 1 com os componentes calculados no item B) do
preparatório.
* Meça a polarização (VGS, ID e VDS).
* Compare com os valores teóricos e comente.
* Com o circuito na configuração fonte-comum e uma senóide em 1kHz como
entrada:
* Meça a impedância de entrada.
* Meça a impedância de saída.
* Meça o ganho de tensão.
* Compare com os valores teóricos e comente.
* Varie a amplitude da entrada até obter a máxima excursão de sinal na
saída.
* Compare com os limites esperados e comente
* Com o circuito na configuração porta-comum e uma senóide em 1kHz como
entrada:
* Meça a impedância de entrada.
* Meça a impedância de saída.
* Meça o ganho de tensão.
* Compare com os valores teóricos e comente.
* Com o circuito na configuração dreno-comum e uma senóide em 1kHz como
entrada:
* Meça a impedância de entrada.
* Meça a impedância de saída.
* Meça o ganho de tensão.
* Compare com os valores teóricos e comente.
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a
5 AULA PRÁTICA - AMPLIFICADOR DE TENSÃO COM
ENTRADA DIFERENCIAL
I) Objetivos:
Analisar e verificar o funcionamento de um amplificador de tensão sem realimentação
com entrada diferencial.
10 V
10 V 10 V
3,3 k Ω
8,2 k Ω 4,7 nF
10 V
BC 556 B ou A
v- 2xBC 546B v+ vo
ou A
io
fig. 1
(15+1,5) k Ω
15 kΩ
-10 V
-10 V
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* o ganho de tensão Av ;
* a impedância de entrada Z id (use dois resistores fixos auxiliares).
* Comparar todos os resultados obtidos com os previstos teoricamente e comentar.
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a
6 AULA PRÁTICA - AMPLIFICADOR DIFERENCIAL
I) Objetivos:
Projetar um amplificador diferencial de tensão com características especificadas,
considerando, em particular, seus parâmetros diferenciais e de modo comum.
II) Especificações:
* Circuitos da fig. 1, sendo VCC = 10 V, Q1 = Q2 = Q3 = Q4 = BC 546/7/8 A/B/C/- e os
resistores de 5 % (sendo R1 = R2 , nominalmente).
Obs.: O circuito da fig. 1b corresponde ao circuito da fig. 1a, apenas substituindo R E por uma
fonte de corrente “equivalente”.
VCC V CC VCC V CC
Rc 1 Rc
Rc 1 Rc 2
2
vo vo
+ -
vo vo
+ vi +
- Q1 Q2 vi
-
vi Q1 Q2 vi -
+
R e1 Re2
RA
Re1 Re2
Q3 Q4
fig. 1a RE RB RB
1 fig. 1b 2
-V -V -V
CC CC CC
∆ v o+ − v o−
* Módulo do ganho diferencial de tensão Avd = ≥ 50 .
v i+ − v i−
* Excursão de sinal diferencial na saída ≥ 1 V pico.
* Impedância de entrada diferencial Z id ≥ 20 kΩ.
III) Projeto:
* Obtenha as expressões para:
* I C e VCE para cada transistor;
* A vd ;
* Z id ;
* VCE mínimo para não ocorrer saturação e I C mínimo para não ocorrrer corte para
cada transistor (onde aplicáveis);
* Calcular os componentes para que os circuitos atendam integralmente às especificações,
apresentando detalhadamente os passos do projeto.
* Com os valores finais, calcular os “piores casos” esperados.
* Simular os circuitos para confirmar seu funcionamento.
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IV) Medidas:
* Após montar o circuito da fig. 1a:
* Fazendo v1+ = vi− = 0 , para verificar a polarização, medir V B , VC e V E e obter
V BE , VCE e I E para cada transistor.
* Ajustando convenientemente a amplitude do sinal na entrada (senóide em 1 kHz),
verificar as limitações na excursão de sinal na saída.
* Medir na faixa de operação, com a saída não-distorcida:
vo+ vo+ vo− vo−
* os ganhos , , e , observando
vi+ vi− vi+ vi−
vi− =0 vi+ =0 vi− =0 vi+ =0
v o+
* os ganhos de tensão de modo comum definidos como Avc =
+ vi vi+ = vi − = vi
v o−
e Avc = .
− vi vi+ = vi − = vi
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a
7 AULA PRÁTICA - AMPLIFICADOR DE 2 ESTÁGIOS COM
ACOPLAMENTO CAPACITIVO
I) Objetivos:
Projetar um amplificador de tensão com características especificadas, incluindo
“bootstrap”.
II) Especificações:
* Circuito da fig. 1, sendo VCC = 10 V, Q1 = Q2 = BC 546, R L = 10 kΩ nominais e
os demais resistores de 5 %.
VCC VCC
VCC VCC
R6 R8
R2 R4 vo
C3 C5 Z o
vi Q2 RL
C1 R1
Zi
Q1 R7
C2
R9 C4
R3 R5 fig. 1
∆ v c1
* Módulo do ganho de tensão do primeiro estágio Av1 = ≥ 2,5 , independente
vi
de Q1 .
* Excursão de sinal na saída ≥ 2,5 V pico.
* Impedância de entrada Z i ≥ 50 kΩ.
* Z iC1 = 300ms , ( R8 + RL )C5 = 100ms , ( R4 + R6 // R7 // rπ 2 )C3 = 30ms ,
rπ 1 rπ 2 + R4 // R6 // R7
( R1 // R2 // R3 + R5 // )C2 = 10ms e ( R9 // )C4 = 3ms
β1 + 1 β2 + 1
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III) Projeto:
* Algumas expressões necessárias:
* I C1 em função de β 1 e VBE1 → I C1 aproximada se R1 + R2 // R3 << β 1 R5 ;
* I C2 em função de β 2 e VBE2 → I C2 aproximada se R6 // R7 << β 2 R9
* VCE1 aproximada em função de I C1 ;
* VCE2 aproximada em função de I C2 ;
* Av1 → Av1 aproximado se R1 >> R2 // R3 // R5 e rπ 1 << β 1 ( R2 // R3 // R5 ) ;
* A v2 ;
* Z i → Z i aproximada se R1 >> R2 // R3 // R5 e rπ 1 << β 1 ( R2 // R3 // R5 ) ;
* VCE1 mínimo para não ocorrer saturação e I C1 mínimo para não ocorrrer
corte;
* VCE2 mínimo para não ocorrer saturação e I C2 mínimo para não ocorrrer
corte;
* Calcular os componentes para que os circuitos atendam integralmente às
especificações, apresentando detalhadamente os passos do projeto.
* Com os valores finais, calcular os “piores casos” esperados.
* Simular o circuito para confirmar seu funcionamento.
IV) Medidas:
* Após montar o circuito da fig. 1:
* Fazendo vi = 0 , para verificar a polarização:
* medir VB1 , VC1 e VE1 e obter VBE1 , VCE1 e I C1 ;
* medir VB2 , VC2 e VE2 e obter VBE2 , VCE2 e I C 2 .
* Ajustando convenientemente a amplitude do sinal na entrada (senóide em
1 kHz), verificar as limitações na excursão de sinal na saída.
* Medir Av1 e Av2 na faixa média com a saída não distorcida.
* Medir Zi e Z o na faixa média.
* Comparar todos os resultados obtidos com os previstos teoricamente e
comentar.
* Após apenas retirar C2 do circuito original:
* Medir Av1 na faixa média com a saída não distorcida.
* Medir Zi na faixa média.
* Comparar os resultados obtidos com os previstos teoricamente e comentar.