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Análise de Curto Circuito Simetricos P 50 Importante PDF
Análise de Curto Circuito Simetricos P 50 Importante PDF
Carlos Moreira
Curto-Circuitos
Conceitos gerais
R L
k 2 2
'' ''
Z c Rc j Lc
L'' X ''
tg ´´ ''
Esfasamento da tensão R R
relativamente ao instante do CC
R´´
t
i(t ) i 0 2 I sen( ) e
''
k
L´´
2 I k'' sen(t )
i(0) Pode desprezar-se
Corrente inicial muito componente estacionária da
pequena, por ser Z’’ << Zc corrente de CC, é uma componente
periódica simétrica
iDC componente contínua da
corrente de CC, tende para
zero ao fim de t=5L’’/R’’ (s) Existe um instante mais desfavorável para
ocorrer o CC, em que a corrente i(t) é máxima
Curto-Circuitos
Correntes de Curto-circuito: Definições e Características
i(t)
Situação mais desfavorável:
onda de tensão passa por zero no
momento de ocorrência do cc
(valor máximo da componente
contínua) possível duplicação
da corrente de pico em relação à
corrente de CC inicial simétrica
u(t)
i(t)
Situação mais favorável:
onda de tensão passa pelo valor de pico
(max. ou min.) no momento de ocorrência
do cc (componente contínua é nula).
A corrente de CC não apresenta
componente contínua.
u(t)
Curto-Circuitos
Correntes de Curto-circuito: Definições e Características
Período sub-transitório: período inicial durante o qual a corrente de cc diminui rapidamente de valor;
Período transitório: período seguinte, correspondendo a uma diminuição mais lenta da corrente de cc,
até ser atingido o valor permanente desta corrente;
Período permanente: período em que a corrente de curto-circuito apresenta o seu valor estacionário.
Obviamente, este período não será atingido, dado que o tempo total de isolamento do defeito é muito
inferior.
Curto-Circuitos
Correntes de Curto-circuito: Definições e Características
2 2 Ik
Ik – Corrente de CC permanente
Valor eficaz da corrente de cc simétrica que permanece após
o desaparecimento da fase trânsitória do fenómeno
Curto-Circuitos
Correntes de Curto-circuito: Definições e Características
CC próximo do alternador
A componente alternada simétrica da corrente de CC vai diminuindo desde a corrente
inicial simétrica de cc até à corrente de cc permanente. Este decrescimento deve-se à
variação no tempo da reactância das máquinas síncronas e sua influência na
variação da impedância vista do local de defeito.
CC afastado do alternador
A corrente de CC inicial simétrica I’’k é praticamente constante durante o cc. Tal
deve-se ao pequeno peso relativo que as máquinas síncronas têm no valor da
impedância equivalente.
Curto-Circuitos
Variação no tempo da Corrente de CC
i p 2 I k''
Este factor traduz a maior ou menor rapidez de decaimento da componente
contínua e é função da razão R/X vista do local de defeito:
R''
3
1, 02 0,98 e X ''
Curto-Circuitos Simétricos
Modelo dos componentes do sistema
Modelos de cargas
V
P jQ
S V I VY *V * V 2 Y Y
* *
V2
S P jQ Z
1
Y
E i =V i Z I
0
c Vnk
Z '' I k'' (SI)
k 3 Zk ''
Dividindo
c por Ib Valores iniciais da tensão
k I k'' '' (pu) a considerar (parâmetro c)
Zk
c Icc_max Icc_min
Z k'' '' (pu) BT (<1 kV) 1,0 0,95
Sk MT (< 35 kV) 1,1 1,0
Alguns comentários: AT e MAT 1,1 1,0
• Consiste no equivalente de Thévenin que representa a rede para montante
• Caracterizado por uma potência de curto circuito Scc ou corrente de cc Icc
• Scc máximo da rede quando: as cargas são máximas (pontas; Zcarga mínimo), as contribuições de
produção são máximas, tensões iniciais mais elevadas, configurações de rede mais emalhadas
• Scc mínima da rede quando : as cargas são mínimas (vazio; Zcarga máximo), o número de grupos
ligados é menor, tensões iniciais mais baixas, configurações de rede pouco emalhadas
Curto-Circuitos Simétricos
Modelo dos componentes do sistema
1
1 Y 12 2
R12 jX 12
Linhas, Cabos e transformadores
jC12
Y sh _12 Y sh _12
2
• Nas linhas aéreas de MT AT e MAT pode desprezar-se R e Ysh, com erros inferiores a 1%
(obtêm-se +1% que com os modelos completos). Em BT ou em redes com cabos já tem
importância (fundamental se R>>X, que é o caso da BT).
• Usualmente os cabos limitam menos as CC que as linhas, por terem reactância X mais baixa
(mas depende do tipo de montagem dos cabos)
• Nos transformadores existem componentes longitudinais que são uma componente de
reactância de fugas Xf e uma resistência pequena que pode ser desprezada. As componentes
transversais são a resistências de perdas no ferro (desprezável) e reactância de magnetização
que é na maior parte dos transformadores muito elevada.
• Para CC assimétricos é necessário ter em conta a configuração de enrolamentos do
transformador, como veremos mais tarde.
Curto-Circuitos Simétricos
Modelo dos componentes do sistema
jX ''
Objectivo:
Cálculo da corrente de CC inicial simétrica no nó de defeito
Pressupostos:
A rede é equilibrada e simétrica, antes e após o defeito, as fontes
geram sistemas trifásicos equilibrados de f.e.m., e os defeito é
também simétrico, pelo que se pode fazer uma análise por fase
Os parâmetros dos componentes são constantes, correspondendo ao
período sub-transitório
A simulação de defeito consiste na introdução de uma impedância de
defeito Zd entre o nó de CC e a referência do circuito
Sb 50 MVA V2 150 kV
Exemplo ilustrativo VbG 10 kV
Vb Re de 150 kV
50 MVA
~ X '' 20%
10 kV
CC trifásico simétrico
x f 10% franco no barramento 2
1 j 45 2 V 2 1 p.u.
10 MVA 30 MVA
cos 0,8 ind cos 0,8 ind
~
I G 0,79/ 36.2º
0
V 2 1,000/ 0º
0
1 j 0,1 2
V 1 1,037/ 2,7º
0
I C 2 0,60/ 36.9º
0
I C1 0,19/ 34.2º
0
I 12 0,60/ 36.9º
0
Curto-Circuitos Simétricos
Metodologia geral cálculo
EG ~
jX '' j 0, 2
jX f j 0,1
1 j 0,1 2
PC1 jQC1
Curto-Circuitos Simétricos
Metodologia geral cálculo
3
jX '' j 0, 2
Z C1 Z C2
jX f j 0,1
1 j 0,1 2
jX ''
I C 2 0,60/143,1º
T
0,14/142.4º I 2, 48/ 269.3º ZC 2
T T
I C1 Z C1 G
jX f
V 2 ET Z d I 2
T ''
1 j 0,1
V 1 0,743/179,3º
T
~ ET V 2 1,000/ 0º
0
I 12 2,56/ 88,7º
T
~ I I I
f 0 T
V V V
f 0 T
I 3,01/ 78,3º
f
G
V 2 0,000/ 0º
f
1 j 0,1
V 1 0, 298/11º
f
I 2 2,97/ 79,6º
''
I 12 2,97/ 79,6º
f
I C1 0,06/ 25,6º
f
Z C1 Z C2
I C 2 0,0/ 0,0º
f Zd
Curto-Circuitos Simétricos
Metodologia geral cálculo
k: nó de defeito
Curto-Circuitos Simétricos
Metodologia sistemática para cálculo computacional
Vectores (dimensão: n) referentes aos valores das tensões nodais:
Vector das tensões nodais pré-defeito: obtido mediante a resolução de um problema
de trânsito de potências para as condições de exploração do sistema antes da
ocorrência do defeito 0
V
1
0 0
V V k
V 0
n
Vector das variações das tensões nodais (tensões de Thévenin): calculado por
aplicação do Teorema de Thévenin. Para tal considera-se o esquema unifilar da
rede, utilizando os modelos dos diversos componentes referentes aos estudos de
cc, com todas as fontes de tensão curto-circuitadas e substituidas pelas respectivas
impedâncias internas.
Em série com a impedância de defeito Zd ligada entre o nó k e o nó de referência,
considera-se uma fonte de tensão com f.e.m ET=V k0
k
V T
1
~ ET=V k0
V V Tk
T
Zd
V T
n
Curto-Circuitos Simétricos
Metodologia sistemática para cálculo computacional
Vectores (dimensão: n) referentes aos valores das tensões nodais:
Vector das tensões nodais pós-defeito: por aplicação do teorema da sobreposição,
pode calcular-se o vector das tensões nodais pós-defeito
V f
1
V f V kf
V f
n
V f
V V 0 T
Curto-Circuitos Simétricos
Metodologia sistemática para cálculo computacional
k
V T Z n1 Z nk Z nn 0
n
Na diagonal i: Z kk V Tk Z kk I ''k
Impedância equivalente Zeq a montante do nó i
V Tk ~ ET=V k0
V Tk Z kk I ''k Z kk
I ''k
I ''k
Fora da diagonal ik: Zd
I ''k
Impedância que relaciona o efeito da corrente
injectada no nó k com a variação da tensão no nó i
V Ti
V Ti Z ik I ''k Z ik
I ''k
Curto-Circuitos Simétricos
Metodologia sistemática para cálculo computacional
V f V 0 V T V 0 Z 1k 0 V 1 Z 1k I k
0 ''
1 1 1 1
f 0 T 0 I '' V 0 Z I ''
V k V k V k V k Z kk
k k kk k
0 0
V f V 0 V T V 0 Z nk V n Z nk I k
''
n n n n
Só a coluna do
nó de defeito
V kf Z d I ''k
Tensões
Tensões pré-defeito Corrente de CC k
pós-defeito Inicial simétrica
I ''k
Tensões de Thévenin V 0k
(variações das tensões nodais) I ''k Zd
Z kk Z d
Curto-Circuitos Simétricos
Metodologia sistemática para cálculo computacional
Exemplo
~ X g '' Scc
CC trifásico simétrico
x fT franco no barramento 2
~
0
Ig 0
IR
0 0
V 1
V2
0 0
I C1 I
0
I
0 I C2
12 21
Curto-Circuitos Simétricos
Metodologia sistemática para cálculo computacional
EG ~ ~ 1,1 (p.u.)
j B j
x
1
QC 2
x
y
r122 x122 X R'' V 0 2 sh _12
r122 x122
2
r x
y12 j
r12 2 x12 2 r12 2 jx12 2
jX g''
PC1 jQC1 PC 2 jQC 2
Y C1
jC12 jC12 Y C2
y sh _12
2 2
V10 y sh _12 V20
jX fT 2 2
jX R''
Curto-Circuitos Simétricos
Metodologia sistemática para cálculo computacional
desprezar [G]
PC 2
r (erros inferiores a 1%)
r x 2 2
V10
2
r122 x122
12 12
r x
y12 j
r12 2 x12 2 r12 2 jx12 2
jX g'' PC 2 jQC 2
PC1 jQC1
Y C1 Y C2
V10
2
jC12 jC12 2
y sh _12 y sh _12 V20
jX fT 2 2
jX R''
Curto-Circuitos Simétricos
Metodologia sistemática para cálculo computacional
G B
1
Re Z Im Z
Y G j B
G
B Im
Z Re
Z
V 0k V f V 0 Z 1k 0 V 1 Z 1k I k
0 ''
I ''k 1 1
Z kk Z d
f 0 I '' V 0 Z I ''
~ V k V k Z kk
k k kk k
0 0
V f V 0 Z nk V n Z nk I k
''
n n
f
V1
f V2
I 2''
Z C1 Z C2
Zd
Curto-Circuitos Simétricos
Metodologia sistemática para cálculo computacional
Correntes Cálculo da
f
V 1
f
V 2f V f ysh _ 12 f V f
2 V 1f V f ysh _ 12
Pós-defeito 1
corrente I 12 I 21 2
nos ramos: z12 2 z12 2
V 1f V 10 V 1T
Cálculo das correntes I Cf 1 0
I C1 0
IC 1
nas cargas Z C1 Z C1
f
I G
f
V2
f 1 z12 r12 jx12
V1
''
I
f
12
I
f
12
I2 IR
f
I C1
f
Z C1 Z C2
f
I C2 Zd
Curto-Circuitos Simétricos
Construção da matriz das impedâncias
1
V1
I1
Z1
V2 2 Z3 Z5
I2
Z4
Z2
V3
I3
3
Curto-Circuitos Simétricos
Construção da matriz das impedâncias
V 1 Z 5 I 1 V 1 Z 5 0 I1
Z 4 I 2
V2 2
Z3
2 V 2 0
Z5
I2 V Z I
4 2
Z4 Z
Z2 Regra: identificados os k ramos do
sistema estabelecidos entre qualquer um
dos seus nós e o nó de referência,
V3 construir matriz diagonal de dimensão
I3
3 (kxk), tendo em cada posição da
respectiva diagonal principal a
impedância de cada um dos ramos
Curto-Circuitos Simétricos
Construção da matriz das impedâncias
V3
V 1 Z 5 I 1 V 1 Z 5 0 0 I1
I3 3
V 2 Z 4 I 2 I 3 V 2 0 Z4 Z 4 I 2
V V Z I V 3 0 Z4 Z 2 Z 4 I 3
3 2 2 3
Curto-Circuitos Simétricos
Construção da matriz das impedâncias
Genericamente
Z jj Zr
V j Z j1 I 1 ... Z jj I j ... Z jk I k I k 1
V k 1
V j
Equivalente de Thévenin no nó j
Substituindo na equação anterior:
V k 1 Z j1 I 1 ... Z jj I j ... Z jk I k Z r Z jj I k 1
Curto-Circuitos Simétricos
Construção da matriz das impedâncias
SEE j
V 1 Z 11 Z 1i Z1j Z 1k I 1
i
V i Z i1 Z ii Z ij Z ik I i
V j Z j1 Z ji Z jj Z jk I j I k 1
V Z k 1
Z kk I k
k Z ki Z kj
Curto-Circuitos Simétricos
Construção da matriz das impedâncias
Zr
SEE j k+1
I k 1
V1 Z1j I1
Z old
Vk Z kj I k
k 1 Z j1
V Z jk Z r Z jj I k 1
Curto-Circuitos Simétricos
Construção da matriz das impedâncias
1
V1
I1
IL
Z1
V2 2 Z3 Z5
I2
Z4
Z2
V3
I3
3
Curto-Circuitos Simétricos
Construção da matriz das impedâncias
i
SEE
IL
V i V j Z r I L 0
Zr
V 1 I 1 V 1 I 1 Z 1i Z 1 j
V i I I V Ii Z ii Z ij
I I V I Z Z I L
i L i
Z old Z old
V j j L j j ji jj
Z Z
V k
k I V k I k ki kj
A
V Z old I A I L
Curto-Circuitos Simétricos
Construção da matriz das impedâncias
V i Z i1 Z ik I Z ii Z ij I L
V j Z j1 Z jk I Z ji Z jj I L
Z i1 Z ik I Z ii Z ij I L Z j1 Z jk I Z ji Z jj I L Z r I L 0
Z i1 Z j1 Z ik Z jk I 2Z ij Z ii Z jj Z r I L 0
1
IL Z i1 Z j1 Z ik Z jk I
2Z ij Z ii Z jj Z r
B
Curto-Circuitos Simétricos
Construção da matriz das impedâncias
V Z old I A I L
1
V Z old I A B I
2Z ij Z ii Z jj Z r
1
old
V Z A B I
2Z ij Z ii Z jj Z r
Z 1i Z 1 j
Z ii Z ij
A k 1 Z Z
A B Z i1 Z j1 Z ik Z jk
ji jj
B 1 k
A B k k ki
Z Z kj