Lista_2 de problemas FDS

1. Uma amostra de silício possui ND = 5,02x1016 cm-3 e NA = 5,01x1016 cm-3 (T=300 K). Dados
μn = 1200 cm2V-1s-1 e μp = 400 cm2V-1s-1 , determine a condutividade desta amostra.

2. Calcular “built-in voltage” Vbi para um diodo de junção p-n de silício com concentrações NA
= 1,0x1016 cm-3 e ND = 1,0x1015 cm-3 (T = 300 K).

3. Região p de um diodo com junção abrupta de certo semicondutor possui resistividade de 0,1
Ω.cm e a região n - resistividade de 1,0 Ω.cm. Calcular “built-in voltage” Vbi deste diodo,
considerando μp = 1.700 cm2V-1s-1, μn = 3.600 cm2V-1s-1 e ni = 2,5x1013 cm-3 (T = 300 K).

4. Um diodo de junção p-n de certo semicondutor possui as seguintes características: NA =

1,0x1018 cm-3, ND = 1,0x1016 cm-3, A = 1,0x10-2 cm2, μp = 2.000 cm2V-1s-1, μn = 4.000 cm2V-1s-1,
Lp = 2x10-2 cm e Ln = 3x10-2 cm. Sabendo, que concentração dos portadores intrínsecos ni =
1,0x1013 cm-3 calcular: (T = 300 K)
a) As condutividades nas regiões p e n.
b) “Built-in voltage” Vbi.
c) A corrente reversa de saturação deste diodo.
d) A corrente do diodo para polarização direta de 0,2 V.

5. Um diodo de junção p+-n de certo semicondutor possui tensão de ruptura de 500 V. O campo
elétrico crítico é de 2x105 V/cm e a constante dielétrica relativa εr = 8. Para T = 300 K calcular:
a) ND.
b) A espessura da camada de depleção para a polarização de ruptura.