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Eletrônica Aplicada
Eletrônica Aplicada
Eletrônica Aplicada
1
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Eletrônica Aplicada
Eduardo Cesar Alves Cruz
Salomão Choueri Júnior
Eletrônica Aplicada
2ª Edição
São Paulo
Editora Érica Ltda.
3
Dados Internacionais de Catalogação na Publicação (CIP)
(Câmara Brasileira do Livro, SP, Brasil)
Bibliografia.
ISBN 978-85-365-1163-4
1. Eletrônica 2. Eletrônica - Problemas, exercícios etc. I. Choueri Júnior, Salomão, 1961 - . II. Título.
Os Autores e a Editora acreditam que todas as informações aqui apresentadas estão corretas e podem ser utilizadas para qualquer fim
legal. Entretanto, não existe qualquer garantia, explícita ou implícita, de que o uso de tais informações conduzirá sempre ao resultado
desejado. Os nomes de sites e empresas, porventura mencionados, foram utilizados apenas para ilustrar os exemplos, não tendo vínculo
nenhum com o livro, não garantindo a sua existência nem divulgação. Eventuais erratas estarão disponíveis para download no site da
Editora Érica.
Conteúdo adaptado ao Novo Acordo Ortográfico da Língua Portuguesa, em execução desde 1º de janeiro de 2009.
A Ilustração de capa e algumas imagens de miolo foram retiradas de <www.shutterstock.com>, empresa com a qual se mantém contrato
ativo na data de publicação do livro. Outras foram obtidas da Coleção MasterClips/MasterPhotos© da IMSI, 100 Rowland Way, 3rd floor
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omissões de crédito e copyright não são intencionais e serão devidamente solucionadas nas próximas edições, bastando que seus
proprietários contatem os editores.
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Eletrônica Aplicada
Dedicatória
Provérbios - Pr 21, 3
5
Agradecimentos
Eduardo e Salomão
6
Eletrônica Aplicada
Sumário
7
2.2.1. Princípios Básicos.............................................................................................38
2.2.2. Configurações dos Transformadores................................................................39
2.3. Circuitos Retificadores ..................................................................................................42
2.3.1. Retificador de Meia Onda.................................................................................42
2.3.2. Retificador de Onda Completa com Ponto Neutro ..........................................44
2.3.3. Retificador de Onda Completa em Ponte.........................................................48
2.4. Comparação entre os Circuitos Retificadores...............................................................50
2.4.1. Fator de Ripple (γ).............................................................................................51
2.4.2. Análise dos Circuitos Retificadores com Relação ao Fator
de Ripple............................................................................................................51
2.4.3. Fator de Transformação (λ)..............................................................................52
2.4.4. Análise dos Circuitos Retificadores com Relação ao Fator de
Transformação ..................................................................................................52
2.5. Retificadores com Filtro ................................................................................................58
2.5.1. Retificador de Meia Onda com Filtro Capacitivo............................................58
2.5.2. Retificadores de Onda Completa com Filtro Capacitivo.................................64
2.6. Dobrador de Tensão.......................................................................................................68
2.7. Exercícios Propostos......................................................................................................69
8
Eletrônica Aplicada
4.2. Diodo Zener................................................................................................................. 105
4.2.1. Funcionamento e Curva Característica .......................................................... 105
4.2.2. Diodo Zener em Fontes de Tensão Estabilizadas .......................................... 107
4.3. Regulador de Tensão a Diodo Zener .......................................................................... 107
4.3.1. Funcionamento................................................................................................ 107
4.4. Reguladores de Tensão a Transistor........................................................................... 113
4.4.1. Regulador Série a Transistor .......................................................................... 114
4.4.2. Configuração Darlington ................................................................................ 119
4.4.3. Regulador Série com Transistor Darlington .................................................. 120
4.4.4. Fonte de Alimentação Simétrica .................................................................... 123
4.5. Regulador de Tensão em Circuito Integrado.............................................................. 124
4.5.1. Fonte de Alimentação com Tensão de Saída Fixa......................................... 125
4.5.2. Fonte de Alimentação Simétrica .................................................................... 126
4.5.3. Fonte de Alimentação Ajustável .................................................................... 127
4.6. Exercícios Propostos ................................................................................................... 130
9
Capítulo 7 - Análise de Amplificadores..........................................................................159
7.1. Análise por Modelo de Amplificador .........................................................................159
7.1.1. Modelo de um Amplificador Genérico...........................................................159
7.1.2. Comportamento do Amplificador...................................................................160
7.1.3. Ganhos em Decibel .........................................................................................162
7.2. Medida dos Parâmetros e Especificações de um Amplificador .................................168
7.2.1. Sistema de Áudio I ..........................................................................................168
7.2.2. Sistema de Áudio II.........................................................................................169
7.2.3. Sistema de Áudio III........................................................................................170
7.2.4. Sistema de Áudio IV .......................................................................................173
7.3. Amplificadores a Transistor Bipolar...........................................................................174
7.3.1. Amplificador de Pequenos Sinais ...................................................................174
7.3.2. Amplificador Seguidor de Emissor.................................................................178
7.3.3. Amplificador Push-Pull ..................................................................................179
7.4. Controles de Volume e Tonalidade.............................................................................184
7.4.1. Controle de Volume ........................................................................................184
7.4.2. Controle de Tonalidade ...................................................................................184
7.5. Outros Amplificadores a Transistor Bipolar...............................................................185
7.5.1. Amplificador com Realimentação ..................................................................185
7.5.2. Amplificador em Ponte ...................................................................................186
7.6. Amplificadores a Transistor de Efeito de Campo.......................................................187
7.6.1. Amplificador de Pequenos Sinais com JFET .................................................188
7.6.2. Amplificador de Pequenos Sinais com MOSFET..........................................189
7.7. Amplificadores com Circuitos Integrados ..................................................................190
7.7.1. Amplificador de Áudio com o Circuito Integrado LM386 ............................190
7.7.2. Amplificador de Áudio com o Circuito Integrado TDA2002........................192
7.8. Exercícios Propostos....................................................................................................196
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Eletrônica Aplicada
8.2. Aplicações Básicas...................................................................................................... 202
8.2.1. Amplificador Inversor..................................................................................... 202
8.2.2. Amplificador Não Inversor............................................................................. 206
8.2.3. Somador de Tensão......................................................................................... 207
8.2.4. Subtrator de Tensão ........................................................................................ 208
8.2.5. Comparadores de Tensão................................................................................ 211
8.2.6. Diferenciador e Integrador Ativos.................................................................. 219
8.3. Exercícios Propostos ................................................................................................... 221
11
10.3.2. Circuito de Disparo por DIAC......................................................................257
10.3.3. Circuito de Disparo por Diodo Schockley ....................................................259
10.3.4. Circuito de Disparo por SUS ........................................................................259
10.3.5. Circuito de Disparo por SBS.........................................................................261
10.3.6. Circuito de Disparo por UJT.........................................................................262
10.4. Exercícios Propostos..................................................................................................271
Bibliografia ........................................................................................................................291
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Eletrônica Aplicada
Prefácio
Este livro foi elaborado para atender a cursos técnicos, tecnológicos e de engenharia
da área industrial, como eletrônica, eletromecânica, eletroeletrônica, automação
industrial, mecatrônica e telecomunicações.
O diferencial é o seu conteúdo abrangente. Quanto aos dispositivos eletrônicos, ele
aborda diodos (retificador, LED, Zener e Schockley), transistores (bipolar, JFET,
MOSFET e UJT), tiristores (SCR, TRIAC, DIAC, SUS e SBS), termistores (NTC e
PTC), optoeletrônicos (LDR, fototransistor e optoacoplador) e circuitos integrados
lineares (amplificador operacional, temporizador, regulador de tensão e amplificador
de áudio). Quanto aos sistemas, ele aborda fontes de alimentação, amplificadores,
circuitos de acionamento, aplicações de amplificador operacional, circuitos de controle
de potência, multivibradores, circuitos de sensores e de isolação.
Alguns tópicos tiveram como referência três livros da Editora Érica, dos quais os
autores, direta ou indiretamente, participaram, como autores ou colaboradores.
Do ponto de vista metodológico, o livro trata os assuntos de forma conceitual, estru-
tural, aplicativa, matematicamente objetiva com exercícios resolvidos e propostos,
além de exemplos de projetos.
Os autores
13
Sobre os Autores
14
Eletrônica Aplicada
1
DIODO SEMICONDUTOR
1.1.1. Átomo
Átomo é o elemento químico que compõe a molécula, formado por partículas
denominadas elétrons, prótons e nêutrons.
Os prótons e nêutrons constituem o núcleo; os prótons têm carga elétrica positiva e os
nêutrons não têm carga elétrica.
Os elétrons têm carga elétrica negativa e giram ao redor do núcleo em órbitas
concêntricas, como mostra a Figura 1.2.
15
Diodo Semicondutor
Figura 1.3 - Total de órbitas de um átomo.
Cada órbita pode conter um número máximo de elétrons, conforme a tabela seguinte:
Número Máximo
Órbita
de Elétrons
K 2
L 8
M 18
N 32
O 32
P 18
Q 8
16
Eletrônica Aplicada
(a) Argônio - 18 elétrons (b) Criptônio - 36 elétrons
1.1.3. Eletrovalência
Existe eletrovalência quando um dos átomos de uma molécula doa, definitivamente,
elétrons ao átomo vizinho, que o recebe definitivamente, visando à estabilidade.
A Figura 1.5 mostra a ligação eletrovalente entre os átomos de sódio (Na) e cloro (Cl),
formando a molécula de NaCl (cloreto de sódio).
17
Diodo Semicondutor
Nessa molécula, o sódio (Na), com M = 1, cede um elétron ao cloro (Cl), com M = 7,
de modo que ambos passam a ter oito elétrons na órbita de valência. Assim, os dois
átomos tornam-se estáveis.
1.1.4. Covalência
Existe covalência quando os átomos compartilham elétrons para atingir a estabilidade.
A Figura 1.6 mostra a ligação covalente entre dois átomos de oxigênio (O) e um de
carbono (C), formando a molécula de CO2 (dióxido de carbono).
1.2.1. Condutores
Os materiais condutores são formados por átomos cujos elétrons da órbita de valência
estão fracamente ligados ao núcleo, de modo que a temperatura ambiente tem energia
suficiente para arrancá-los da órbita, tornando-os livres.
Assim, sob a ação de uma diferença de
potencial, os elétrons livres passam a se
locomover facilmente no interior do
material condutor, conforme ilustra a
Figura 1.7.
Como exemplo de condutores podemos
citar o ouro, a prata, o cobre, o alumínio
e outros metais. Figura 1.7 - Condutor elétrico.
18
Eletrônica Aplicada
Quanto maior o número de elétrons livres, maior é a condutividade do material. Em
relação à ação da temperatura sobre a condutividade, é importante observar que o
aumento da energia térmica provoca um movimento desordenado nos elétrons livres,
causando choques entre eles, o que dificulta a condução.
1.2.2. Isolantes
Os materiais isolantes são formados por átomos cujos elétrons da órbita de valência
estão fortemente ligados ao núcleo, de modo que a temperatura ambiente não tem
energia suficiente para arrancá-los da órbita. Portanto, há pouquíssimos elétrons livres.
Assim, a ação de uma diferença de
potencial não provoca fluxo de elé-
trons no interior do material isolante,
conforme ilustra a Figura 1.8.
Como exemplo de isolantes podemos
citar a borracha, a mica e a porcelana.
Figura 1.8 - Isolante elétrico.
1.3. Semicondutores
Como a estabilidade é atingida com oito elétrons na última órbita, cada átomo desses
materiais faz quatro ligações covalentes com quatro átomos vizinhos, tornando-se
19
Diodo Semicondutor
estáveis e dando origem à estrutura cristalina, conforme a representação na Figura
1.10.
Da forma como se apresenta esse semicondutor em uma temperatura muito baixa, ao
aplicarmos uma tensão, não há corrente, pois os elétrons acham-se presos às ligações
de valência, ou seja, não há elétrons livres para a condução.
Essa figura mostra que quem realmente tem mobilidade são os elétrons livres. Ao se
deslocarem em direção ao potencial positivo da fonte, eles ocupam sucessivas lacunas.
Assim, as lacunas vão surgindo no sentido oposto ao deslocamento dos elétrons, ou
seja, é como se elas se deslocassem em sentido contrário, isto é, em direção ao poten-
cial negativo da fonte.
20
Eletrônica Aplicada
Quando os elétrons se movimentam, há possibilidade de o elétron e a lacuna se recom-
binarem, eliminando, dessa maneira, um par elétron-lacuna. Desta forma, nem as lacu-
nas nem os elétrons conservam-se livres indefinidamente.
Como conclusão podemos afirmar que o material semicondutor possui dois tipos de
correntes ou portadores de cargas: as lacunas são os portadores positivos e os elétrons
são os portadores negativos.
Na realidade, a própria temperatura ambiente é responsável por fornecer energia
suficiente para a geração de alguns poucos pares elétron-lacuna, fazendo com que esse
semicondutor puro tenha uma pequena condutividade.
21
Diodo Semicondutor
1.4.2. Formação do Semicondutor N
Para a formação do semicondutor N são adicionados ao silício ou germânio átomos
pentavalentes. São pentavalentes os átomos que possuem cinco elétrons em suas
órbitas de valência, como, por exemplo, o antimônio, o fósforo e o arsênico.
Se introduzirmos no silício, que é tetravalente,
uma pequena quantidade de material pentava-
lente, os elétrons dessa impureza farão ligações
covalentes com os elétrons do silício. A Figura
1.13 representa a dopagem do silício por
átomos de fósforo.
No entanto, há a sobra de um elétron livre do
átomo pentavalente, pois ele não faz ligação
covalente com nenhum elétron dos átomos de Figura 1.13 - Geração de elétron livre
por dopagem pentavalente.
silício.
De um modo artificial, consegue-se gerar elétrons livres sem gerar lacunas. Esse
semicondutor com excesso de elétrons livres é denominado N.
O semicondutor N também possui lacunas geradas à temperatura ambiente, mas elas
são em menor número.
Dizemos que no semicondutor N os portadores majoritários são os elétrons e os
portadores minoritários são as lacunas. O mesmo processo ocorre com o germânio,
que é tetravalente, quando nele são introduzidas impurezas pentavalentes.
22
Eletrônica Aplicada
No momento em que a junção desses semicondutores é feita, inicia-se um processo de
difusão de cargas, isto é, o deslocamento de cargas de regiões de elevada concentração
para regiões de baixa concentração. Vejamos como esse processo se desenvolve por
meio da Figura 1.14, em que está representada uma junção PN não polarizada.
23
Diodo Semicondutor
1.6. Polarização do Diodo
Para analisarmos o comportamento do
diodo quando ele é polarizado por uma
fonte de tensão externa, tomemos como
referência a estrutura da junção PN sem
polarização apresentada na Figura 1.16.
Nela, no entorno da junção aparece em
destaque a camada de depleção que
Figura 1.16 - Junção PN sem polarização externa.
produz a barreira de potencial.
Essa corrente é denominada corrente reversa. Seu valor aumenta com a ampliação da
tensão externa até um limite máximo, cujo nome é corrente de saturação reversa.
Mesmo esse valor máximo é muito baixo, da ordem de microampères, de modo que,
na maioria das aplicações, a corrente reversa pode ser desprezada.
O diodo polarizado reversamente comporta-se como uma resistência muito elevada,
da ordem de centenas de megaohm, ou seja, é equivalente a um circuito aberto.
24
Eletrônica Aplicada
1.6.2. Diodo Diretamente Polarizado
A polarização direta do diodo consiste em ligar o polo positivo da fonte de tensão
externa no lado P (terminal anodo) e o polo negativo no lado N (terminal catodo),
conforme indica a Figura 1.19.
A corrente direta máxima IFmáx (do inglês farward current) dos diodos pode ser obtida
nos manuais de seus fabricantes (data sheet) ou via Internet.
Se o diodo fosse de germânio, o aspecto da curva característica seria o mesmo, com
exceção da barreira de potencial que seria de aproximadamente 0,3V.
25
Diodo Semicondutor
Os diodos de silício são utilizados na maioria das aplicações, ficando os diodos de
germânio praticamente restritos a alguns sistemas de modulação, na área de
telecomunicações.
No terceiro quadrante, em que a corrente e a tensão são negativas, vemos a curva do
diodo na polarização reversa.
A corrente reversa é muito pequena e cresce muito pouco com o aumento da tensão
reversa. No entanto, há um valor de tensão denominado tensão de ruptura (break
down voltage) que faz com que o diodo inicie um processo de condução reversa, tendo
como resultado a sua ruptura.
A tensão reversa de ruptura VRmáx (do inglês reverse voltage ou break down voltage)
dos diodos também pode ser obtida nos manuais de seus fabricantes (data sheet) ou
via Internet.
A curva característica do diodo pode ser fornecida pelo fabricante ou esboçada a partir
do conhecimento da natureza do seu material (silício ou germânio) e das suas
especificações IFmáx e VRmáx.
Exercício Resolvido
Esboce a curva característica do diodo 1N4004, sabendo que ele é de silício e que
suas principais especificações, obtidas em um manual, são:
IFmáx = 1A
VRmáx = 400V
A tensão de condução vale aproximadamente 0,6V, pois o diodo é de silício. A
corrente IFmáx corresponde à corrente direta máxima e vale 1A e VRmáx é a tensão
reversa máxima e vale 400V. O esboço da curva característica desse diodo está na
Figura 1.21.
26
Eletrônica Aplicada
1.8. Reta de Carga do Diodo
Sendo a tensão V da bateria maior do que a barreira de potencial do diodo (V > 0,6V
para diodo de silício), garante-se a sua condução, de modo que a corrente IF circula
com o sentido indicado.
Uma parte da tensão da bateria fica sobre o diodo, cujo valor é VF ≅ 0,6V, e a outra
parte fica sobre o resistor R de polarização, e seu valor é:
VR = V − V F
A corrente que atravessa o diodo, que é a mesma que atravessa o resistor, pode ser
determinada pela aplicação da lei de Ohm no resistor, ou seja:
VR
IF =
R
V
Portanto, I'F = (diodo em curto)
R
27
Diodo Semicondutor
Do mesmo circuito determinamos a tensão V'F , que é a tensão máxima sobre o diodo
quando a corrente que o atravessa é nula, isto é, quando o diodo é considerado um
circuito aberto e VR=0.
Exercício Resolvido
Considere o circuito da Figura 1.24 e a curva característica do diodo mostrada na
Figura 1.25.
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Eletrônica Aplicada
a) Determine o ponto de operação do diodo de forma analítica.
A tensão de operação do diodo vale aproximadamente VF = 0,6V
VR 4,4
A corrente de operação do diodo vale I F = = ⇒I F = 13,33mA
R 330
b) Determine o ponto de operação do diodo de forma gráfica.
Primeiramente, calcule os dois pontos para traçar a reta de carga:
V 5
Corrente máxima no diodo: I 'F = = ⇒ I'F ≅ 15mA
R 330
Tensão máxima no diodo: V 'F = V ⇒ V 'F = 5 V
De posse desses valores, trace a reta de carga do circuito sobre a curva
característica do diodo, obtendo o gráfico da Figura 1.26:
29
Diodo Semicondutor
1.9. Efeito da Temperatura no Diodo
A junção PN, como já comentamos anterior-
mente, sofre influência da temperatura. A
temperatura máxima do silício está por volta
de 150ºC, enquanto a do germânio acha-se
por volta de 100ºC.
Para cada aumento de 1ºC na temperatura, a
tensão direta no diodo diminui cerca de
2,5mV, ou seja, a taxa de variação da tensão
em função da temperatura é de aproxima-
damente −2,5mV/ºC.
A Figura 1.27 apresenta diversas curvas
características de um diodo em polarização
Figura 1.27 - Efeito da temperatura no diodo.
direta para diferentes temperaturas.
Exercício Resolvido
Um diodo de silício apresenta, à temperatura de 25ºC, uma queda de tensão no
sentido direto de VF1 = 0,6V com uma corrente de 12mA. Se a corrente se mantiver
constante, qual será a tensão direta resultante na temperatura 115ºC?
A variação da temperatura do diodo é:
ΔT = T2 − T1 = 115 − 25 ⇒ ΔT = 90°C
Por meio da regra de três calcule a variação na tensão do diodo:
1ºC → −2,5mV
90ºC → ΔV
ΔV = 90 x (−2,5.10−3) = −225mV
Portanto, a tensão direta VF2 no diodo em 115ºC vale:
VF2 = VF1 + ΔV = 0,6 − 0,225 ⇒ VF2 = 0,375V
30
Eletrônica Aplicada
1.10. Diodo Emissor de Luz - LED
LED é a sigla de Light Emitting Diode, que em português significa Diodo Emissor de
Luz. Trata-se de um dispositivo optoeletrônico, pois ele emite luz quando é polarizado
diretamente.
O princípio de funcionamento baseia-se na irradiação de energia que há quando
elétrons do lado N cruzam a junção e se recombinam com lacunas do lado P.
Nos diodos comuns, a energia irradiada é térmica, produzindo calor. Nos LEDs, por
utilizarem elementos como o gálio (Ga), arsênico (As) e o fósforo (P) em sua
fabricação, a energia irradiada é eletromagnética, produzindo luz, conforme ilustra a
Figura 1.28.
(c) Símbolo
31
Diodo Semicondutor
Comercialmente, são encontrados LEDs de diversos aspectos e modelos internos.
Os LEDs mais comuns têm um aspecto similar ao apresentado na Figura 1.28(b) com
diâmetros de 3, 5 e 10 mm, nas cores vermelha, verde e amarela.
Há também LEDs com esse mesmo aspecto, encapsulamento transparente, mas
emitindo nas cores vermelha, verde, azul e branca com alto brilho.
Finalmente, há os LEDs infravermelhos, cujo comprimento de onda não é visível a
olho nu, sendo muito utilizados, por exemplo, como transmissores de sinais de dados
em fibras ópticas em barreiras ópticas.
Um outro modelo de LED é o bicolor. Ele é fabricado com dois e três terminais,
conforme mostra a Figura 1.29.
A aplicação básica do LED é como dispositivo de sinalização. Nesse caso, ele deve
ser ligado a uma fonte de alimentação VCC em série com um resistor limitador de
corrente R, como mostra a Figura 1.30.
32
Eletrônica Aplicada
Exercício Resolvido
Determine o resistor R para polarizar o LED, conforme o circuito em seguida.
Especificações do LED:
Cor: vermelha
Diâmetro: 5 mm
Operação: VF = 1,7 V @ IF = 10 mA
IFmáx = 50 mA
Figura 1.31 - Polarização do LED.
VRmáx = 5 V
VCC − VF 12 − 1,7
R= ⇒R= ⇒ R = 1030Ω
IF 10.10−3
Valor comercial adotado: R = 1kΩ
I II III IV
Semicondutor Dopagem com Impureza Portadores Majoritários Portadores Minoritários
a) N a) trivalente a) elétrons a) elétrons
b) P b) pentavalente b) lacunas b) lacunas
I II
Lado da Junção Nome do Terminal
a) N a) anodo
b) P b) catodo
1.3) Esboce a curva característica dos diodos 1N4002 e 1N4148 a partir das
especificações:
⎧Silício ⎧Silício
⎪ ⎪
1N 4002⎨I Fmáx = 1A 1N 4148⎨I Fmáx = 75mA
⎪V Rmáx = 100V ⎪V Rmáx = 100V
⎩ ⎩
33
Diodo Semicondutor
1.4) Considere o circuito da Figura 1.32 e a curva característica do diodo mostrada
na Figura 1.33.
34
Eletrônica Aplicada
2
CIRCUITOS RETIFICADORES
2.1. Introdução
Os circuitos retificadores são conversores estáticos de energia elétrica. Há dois tipos
básicos de conversão, conforme indicam as Figuras 2.1(a) e 2.1(b).
(a) AC em AC (b) AC em DC
Figura 2.1 - Tipos de conversão de energia elétrica.
A conversão da corrente alternada (AC) em corrente alternada (AC) é feita por meio
de transformadores. Essa conversão é útil quando se deseja aumentar ou reduzir a
tensão da rede de alimentação.
A conversão da corrente alternada (AC) em corrente contínua (DC) pode ser realizada
por meio de um ou mais diodos retificadores.
Os circuitos retificadores constituem a primeira etapa de uma fonte de alimentação.
São compostos basicamente por diodos retificadores, que geralmente são alimentados
por um transformador.
35
Circuitos Retificadores
(a) Função periódica (b) Gráfico do valor médio equivalente
Matematicamente, o valor médio de uma função periódica (tensão e corrente) pode ser
obtido pelas expressões matemáticas seguintes:
1 t1 1 t1
Vdc =
T ∫ to v( t ) dt e I dc =
T ∫t 0
i( t ) dt
Tensões Médias
Vmáx 2.Vmáx
Vdc = 0 Vdc = Vdc =
π π
Correntes Médias
I máx 2.I máx
I dc = 0 I dc = I dc =
π π
36
Eletrônica Aplicada
2.1.2. Valor Eficaz de Sinal Periódico
Antes de apresentar as fórmulas dos valores eficazes de tensão e corrente, é interes-
sante conceituar esse tipo de medida.
A Figura 2.6 apresenta a forma de onda de uma corrente periódica senoidal i(t) de
período T. Essa corrente atravessa uma resistência R durante um intervalo de tempo
conforme a Figura 2.7.
1 t2 1 t2
Vef =
T ∫t 0
v( t ) 2 dt e I ef =
T ∫t 0
i( t ) 2 dt
Da mesma forma que fizemos para a análise de valor médio, nos restringimos a
apresentar as fórmulas de tensão e corrente eficazes referentes às três formas de onda
que nos interessam, de acordo com a tabela seguinte.
37
Circuitos Retificadores
Sinal Retificado Sinal Retificado
Sinal Senoidal
Meia Onda Onda Completa
Tensões Eficazes
Vmáx Vmáx Vmáx
Vef = Vef = Vef =
2 2 2
Correntes Eficazes
I máx I máx I máx
Ief = Ief = Ief =
2 2 2
2.2. Transformadores
2.2.1. Princípios Básicos
Como já é de nosso conhecimento, a rede
elétrica fornece um valor fixo de tensão
eficaz.
O aumento ou a redução desse valor para
adequá-lo às necessidades de um projeto é
feito por intermédio de um transformador,
como o exibido na Figura 2.12. Figura 2.12 - Transformador.
38
Eletrônica Aplicada
O princípio de funcionamento é relativamente simples. Ao aplicar ao primário do
transformador uma tensão variável no tempo, ela produz também uma corrente
variável e um fluxo magnético variável. Esse fluxo induz uma tensão no secundário,
cuja amplitude pode ser maior, menor ou igual à amplitude da tensão do primário,
dependendo unicamente da relação de espiras (para o caso do transformador ideal).
O transformador ideal é aquele cuja potência transferida para o secundário é igual à
potência desenvolvida no primário, ou seja, P1 = P2. Esse transformador obedece às
seguintes leis:
V1 I 2 N1
= = P1 = V1 . I1 P2 = V2 . I 2
V2 I1 N 2
39
Circuitos Retificadores
Exercício Resolvido
Considere o transformador da Figura 2.13 ideal e determine:
a) a potência máxima que ele pode fornecer a uma carga.
P2 = V2 . I 2 = 12 . 0,6 ⇒ P2 = 7,2W
A Figura 2.14(b) mostra como uma chave de três polos e duas posições pode ser
ligada para permitir a mudança da tensão de alimentação do transformador.
40
Eletrônica Aplicada
Transformador com Primários Independentes
A Figura 2.15(a) apresenta um exemplo de transformador com primários indepen-
dentes e ligados em série para que a tensão de alimentação possa ser de 220V.
41
Circuitos Retificadores
Figura 2.17 - Transformador com derivação no secundário.
VL = VS − 0,6
A tensão no diodo pode ser desprezada quando o seu valor for muito menor do que
Vmáx.
42
Eletrônica Aplicada
Formas de Onda
A Figura 2.19 mostra as formas de onda no
circuito retificador de meia onda, no qual é
desprezada a queda de tensão no diodo.
No semiciclo negativo da tensão do secun-
dário, o diodo não conduz por estar reversa-
mente polarizado, pois o seu anodo encontra-se
com potencial negativo em relação ao do
catodo.
Nesse caso não há tensão na carga nem cor-
rente circulando por ela, de modo que a tensão
do secundário do transformador fica aplicada
reversamente aos terminais do diodo, que deve
suportá-la, conforme vemos no gráfico de VF
da Figura 2.19 nos intervalos de t1 a t2, t3 a t4
etc.
Vmáx
Tensão média na carga: Vdc =
π
I máx
Corrente média na carga e no diodo: I dc =
π
Vmáx
Tensão eficaz na carga: Vef =
2
I máx
Corrente eficaz na carga e no diodo: I ef =
2
I máx
I Fmáx > e VRmáx > Vmáx
π
43
Circuitos Retificadores
2.3.2. Retificador de Onda Completa com Ponto Neutro
A Figura 2.20 apresenta um circuito retificador de onda completa com ponto neutro e
carga resistiva.
Inicialmente vejamos como se comporta o secundário de um transformador com
derivação central em ponto neutro.
Logo, podemos concluir que as formas de onda de VS1 e VS2 têm o mesmo valor
eficaz, mas estão sempre defasadas de 180º entre si, como mostram os gráficos da
Figura 2.23.
44
Eletrônica Aplicada
Figura 2.23 - Formas de onda no secundário do transformador com ponto neutro.
Na carga RL, novamente a corrente circula no sentido de cima para baixo, mas a
tensão é igual a VS2, com a polaridade igual à situação anterior, isto é, com potencial
positivo no seu terminal superior.
45
Circuitos Retificadores
Nesse circuito, a tensão na carga também é 0,6V menor que a do secundário do
transformador, portanto a tensão real na carga é:
Se a tensão no diodo for muito menor do que Vmáx, ela pode ser desprezada.
Nesse circuito, cada diodo conduz somente meio ciclo de onda, exatamente como no
retificador de meia onda. A carga conduz corrente nos dois semiciclos e no mesmo
sentido de modo que, nela, a tensão e a corrente são contínuas, e não mais alternadas,
porém pulsantes.
Suponhamos que as tensões de pico de VS1 e VS2 sejam 100V. Nesse intervalo de
tempo, a tensão de pico na carga é também igual a 100V.
Como o diodo D1 está conduzindo, ou seja, comporta-se como um curto-circuito, os
pontos 1 e 3 têm o mesmo potencial de +100V no instante de pico, sendo esse
potencial aplicado ao catodo do diodo D2.
Nesse mesmo instante, o potencial de pico
do ponto 2 e, portanto, do anodo de D2,
vale −100V. A diferença de potencial
reversa sobre esse diodo é igual a 200V,
Figura 2.27 - Tensão reversa em D2. conforme ilustra a Figura 2.27.
Formas de Onda
A Figura 2.28 mostra as formas de onda no circuito retificador de onda completa com
ponto neutro.
46
Eletrônica Aplicada
IF1 e IF2 são as correntes que circulam,
respectivamente, nos diodos D1 e D2.
A tensão de saída VL sobre a carga RL tem
a forma de onda composta pelos dois semi-
ciclos, sendo denominada tensão contínua
pulsante. O seu valor de pico é Vmáx, que se
refere à tensão da metade do secundário.
Assim, no circuito retificador de onda
completa com ponto neutro, temos:
2.Vmáx
Tensão média na carga: Vdc =
π
2.Imáx
Corrente média na carga: Idc =
π
Vmáx
Tensão eficaz na carga: Vef =
2
I máx
Corrente eficaz na carga: Ief =
2
I máx
Corrente média nos diodos: Idc =
π
Observe que como cada diodo conduz ape-
nas em um semiciclo, a sua corrente média
é a metade da corrente média na carga.
As especificações dos diodos para assegurar o seu correto funcionamento devem ser:
I máx
I Fmáx > e VRmáx > 2.Vmáx
π
47
Circuitos Retificadores
2.3.3. Retificador de Onda Completa em Ponte
A Figura 2.29 apresenta um circuito
retificador de onda completa em ponte
com carga resistiva.
Nesse circuito, a polaridade da tensão
do secundário do transformador acom-
panha a polaridade da tensão do pri-
Figura 2.29 - Retificador de
mário. onda completa em ponte.
Na carga RL, a corrente circula no sentido de cima para baixo e a tensão é VL com a
polaridade indicada na Figura 2.30, isto é, com potencial positivo no seu terminal
superior.
Na carga RL, novamente a corrente circula no sentido de cima para baixo e a tensão é
VL com a mesma polaridade da situação anterior, isto é, com potencial positivo no seu
terminal superior.
Nesse circuito, como há sempre dois diodos em série, a tensão na carga é 1,2V menor
que a do secundário do transformador. Portanto, a tensão real na carga é:
VL = VS − 1,2
48
Eletrônica Aplicada
A queda de tensão nos diodos pode ser desprezada nos casos em que ela for muito
menor do que Vmáx.
Nesse circuito, cada par de diodos conduz somente meio ciclo de onda, mas a carga
conduz corrente nos dois semiciclos e no mesmo sentido. Nela, a tensão e a corrente
são contínuas pulsantes.
Fica fácil observar que a tensão reversa sobre os diodos D1 e D3 é igual à tensão do
secundário do transformador.
O mesmo ocorre com D2 e D4 no semiciclo negativo. Pode-se concluir que a tensão de
pico reversa sobre os diodos é igual à tensão máxima fornecida pelo secundário do
transformador.
Formas de Onda
A Figura 2.34 mostra as formas de onda no circuito retificador de onda completa em
ponte.
49
Circuitos Retificadores
No circuito retificador de onda completa em
ponte, temos:
2.Vmáx
Tensão média na carga: Vdc =
π
2.Imáx
Corrente média na carga: Idc =
π
Vmáx
Tensão eficaz na carga: Vef =
2
I máx
Corrente eficaz na carga: Ief =
2
I máx
Corrente média nos diodos: Idc =
π
Nesse retificador, a corrente média nos
diodos é a metade da corrente média na
carga.
As especificações dos diodos para assegurar
o seu correto funcionamento devem ser:
I máx
I Fmáx > e VRmáx > Vmáx
π
Figura 2.34 - Formas de onda no retificador
de onda completa em ponte.
50
Eletrônica Aplicada
2.4.1. Fator de Ripple (γ)
O fator de ripple de uma tensão é o percentual do valor eficaz da tensão de ripple
(Vac) presente no nível de tensão contínua do sinal (Vdc). Matematicamente:
Vac
γ= .100
Vdc
Vmáx
A tensão média na carga vale Vdc = ⇒V dc = 0,3183.Vmáx
π
Demonstra-se que a tensão eficaz do ripple vale Vac = 0,3856.Vmáx
Logo, o fator de ripple da meia onda vale:
Vac 0,3856.Vmáx
γ= .100 = .100 ⇒ γ = 120%
Vdc 0,3183.V máx
51
Circuitos Retificadores
2.Vmáx
A tensão média na carga: Vdc = ⇒V dc = 0,6366.V máx
π
Demonstra-se que a tensão eficaz do ripple vale Vac = 0,3078.Vmáx
P tr
λ=
P dc
Esse fator é útil para o dimensionamento do transformador no projeto de fontes de
alimentação.
52
Eletrônica Aplicada
As tensões no primário e no secundário são senoidais, sendo elas solicitadas ou não.
No entanto, a corrente que o transformador fornece depende do circuito; para o
retificador de meia onda ela possui somente meio ciclo.
Logo, temos que a potência no secundário do transformador é:
Vmáx I máx
Pdc = Vdc .Idc = . ⇒ Pdc = 0,1013.Vmáx .I máx
π π
53
Circuitos Retificadores
Por facilidade determinamos primeiramente a potência da metade do secundário do
transformador e em seguida a multiplicamos por dois para obtermos a sua potência
total.
Figura 2.41 - Tensão e corrente na carga no retificador de onda completa com ponto neutro.
2.Vmáx 2.Imáx
Pdc = Vdc .Idc = . ⇒ Pdc = 0,4053.Vmáx .Imáx
π π
54
Eletrônica Aplicada
Logo, a potência no secundário do transformador é:
2.Vmáx 2.Imáx
Pdc = Vdc .Idc = . ⇒ Pdc = 0,4053.Vmáx .Imáx
π π
Logo, o fator de transformação do retificador de onda completa em ponte vale:
Considerando que o retificador ideal seria aquele cuja potência do transformador fosse
totalmente transformada em potência contínua na carga (Ptr = Pdc), concluímos que,
dos três retificadores analisados, o que melhor aproveita a capacidade de armaze-
namento de energia do transformador é o retificador em ponte, pois para uma potência
contínua Pdc na carga, é necessário que a potência do transformador seja apenas 1,23
vezes maior do que Pdc. Já no retificador com ponto neutro, a potência do
transformador deve ser 1,74 vezes maior do que Pdc e no retificador de meia onda, que
possui o menor desempenho, a potência do transformador deve ser 3,49 vezes maior
do que Pdc.
55
Circuitos Retificadores
Tabela Comparativa
A tabela seguinte resume comparativamente o comportamento dos três tipos de
retificador:
Exercícios Resolvidos
1) Dado o retificador em ponte, calcule a máxima potência contínua (Pdc) que pode
ser extraída da ponte, quando ela estiver sendo alimentada diretamente pela
tensão de rede de 220V.
Especificações dos diodos:
IFmáx = 5A
VRmáx = 1000V
56
Eletrônica Aplicada
O valor máximo da corrente média na
carga (Idcmáx) deve ser o dobro da
corrente máxima que os diodos
podem suportar (IFmáx).
I dcmáx = 2.I Fmáx = 2.5 ⇒
Idcmáx = 10A
57
Circuitos Retificadores
b) Determine a tensão média e a corrente média máxima na carga:
A tensão de pico do secundário do transformador vale:
2.Vmáx 2.20
Vdc = = = 12,7 V
π π
58
Eletrônica Aplicada
Conforme já vimos, essa forma de onda
possui um fator de ripple de 120%, ou seja,
há mais componente alternada do que
contínua.
Quando se coloca um capacitor em paralelo
com a carga, a forma de onda passa a ser a
Figura 2.49 - Formas de onda na carga.
apresentada em linha cheia na Figura 2.49(b).
Observe que essa tensão também não é constante, mas ela varia entre um valor míni-
mo, que não é mais zero, e um valor máximo, que é igual ao valor de pico da onda
senoidal.
Para entender como essa forma de onda é gerada, vamos supor que o capacitor esteja
inicialmente descarregado. Assim, o primeiro ciclo de tensão senoidal carrega-o até o
valor de pico.
A partir daí, ele se descarrega e se carrega na mesma frequência da tensão retificada
(60Hz), conforme apresenta detalhadamente a Figura 2.50.
59
Circuitos Retificadores
Primeiramente analisemos a tensão na
carga VL. No instante em que se inicia o
intervalo de tempo de carga do capacitor
(tc), a tensão no secundário do transfor-
mador (linha pontilhada) passa a ser
maior que a tensão no capacitor (linha
cheia), como indica a Figura 2.51. Figura 2.51 - Polarização do diodo.
60
Eletrônica Aplicada
I Lmáx
Vrpp ≅ em que: f = 60Hz
f .C
Esta fórmula é aproximada e pode ser usada para um ripple máximo de 20% em torno
da tensão média na carga (VL).
Para a determinação do capacitor de filtro, deve-se lembrar que, além da escolha de
um valor comercial mais próximo do valor calculado, a sua tensão de isolação deve
ser superior à tensão de pico do secundário do transformador.
Observando a Figura 2.52, podemos tirar também uma fórmula aproximada que
relaciona a tensão média na carga (VL) com o ripple:
Vrpp
VL = Vdc ≅ Vmáx − em que: Vmáx = VSmáx − 0,6
2
Especificações do Diodo
Para especificar o diodo, é preciso calcular a corrente média máxima, a corrente de
surto e a tensão reversa máxima.
A corrente média no diodo é a soma das correntes médias no capacitor (IC) e na carga
(IL).
No circuito, o capacitor trabalha carregando e descarregando, ou seja, a corrente ora é
positiva ora é negativa, de modo que o seu valor médio pode ser desconsiderado.
O seu valor de pico deve ser observado, análise que faremos mais adiante.
Podemos considerar como referência para especificar a corrente média máxima no
diodo o valor da corrente média máxima na carga.
Corrente de Surto
Na Figura 2.50 vimos que o intervalo de tempo de condução do diodo é pequeno,
correspondente apenas ao tempo de carga do capacitor do valor mínimo ao máximo do
ripple.
61
Circuitos Retificadores
A corrente de carga do capacitor pode atingir valores de pico um tanto elevados, de
modo que não se deve escolher diodos que operem muito próximos de sua máxima
capacidade de corrente.
Há, no entanto, no retificador com filtro capacitivo, um outro problema que, se não for
levado em conta, pode danificar o diodo. Trata-se da corrente direta de surto (surge
peak forward current), cuja nomenclatura mais comum encontrada nos manuais é IFSM.
A corrente de surto tem uma duração muito pequena e é produzida apenas no
momento em que o circuito é ligado.
Consideremos que, ao ligarmos o circuito, o capacitor de filtro esteja completamente
descarregado.
Nesse estado, no início do processo de carga o
capacitor comporta-se como um curto-
-circuito. As únicas resistências que atuam
como limitadoras da corrente de carga são a
resistência do enrolamento do secundário do
transformador (rtr) e a resistência direta do
diodo (rd), ambas de valores muito baixos, Figura 2.54 - Corrente de surto
ao ligar o circuito.
conforme a Figura 2.54.
Isso faz com que essa corrente inicial, denominada corrente de surto do circuito (IS),
possa atingir um valor de pico muitíssimo elevado. O pior caso (ISmáx) ocorre quando
o circuito é ligado no instante em que a tensão do secundário do transformador
encontra-se no seu valor de pico (Vmáx).
Normalmente, se o capacitor de filtro é menor do que 1000μF, o impacto da corrente
de surto é muito pequeno; caso contrário, é preciso considerá-lo.
Nesse caso, deve-se medir a resistência do secundário do transformador com um
ohmímetro (rtr) e calcular o valor aproximado da resistência direta do diodo (rd) por
meio de suas especificações IFmáx e VFmáx e pela seguinte fórmula:
VFmáx − 0,6
rd ≅
I Fmáx
Vmáx
A corrente de surto máxima vale: ISmáx =
rd + rtr
62
Eletrônica Aplicada
Exercício Resolvido
Projete uma fonte de alimentação com tensão de saída VL = 12V, capacidade de
corrente ILmáx = 500mA e ripple máximo de ± 10%.
Vrpp VL Vrpp 12
= ⇒ = ⇒ Vrpp = 2,4V
2 10 2 10
A tensão de isolação do capacitor adotado deve ser maior do que 13,2V. Portanto,
adote um capacitor com valor nominal C = 3300μF, com tensão de isolação de, no
mínimo, 25V.
O transformador deve ter uma tensão de secundário dada por:
Vmáx 13,2
VS = ⇒ VS = ⇒ VS = 9,3V
2 2
Para o retificador de meia onda, a potência do transformador deve ser 3,49 vezes a
potência na carga (consulte o tópico 2.4.4). Assim:
63
Circuitos Retificadores
Use um transformador comercial com especificação de secundário de 9V x 3A.
Observe que a potência é de 27W, bem maior do que 21W.
Esse transformador, normalmente, tem uma resistência de enrolamento do
secundário em torno de 0,2Ω.
O diodo a ser usado deve atender às seguintes exigências do circuito:
64
Eletrônica Aplicada
Nesses dois circuitos, a tensão retificada na carga sofre a ação do capacitor nos dois
semiciclos, conforme a Figura 2.57.
Em relação à tensão reversa máxima nos diodos, no retificador com ponto neutro ela é
2.Vmáx, enquanto no retificador em ponte ela é Vmáx.
A frequência da tensão na carga é o dobro da frequência da rede, em função da
retificação de onda completa, de modo que o valor pico a pico da tensão de ripple
(Vrpp) é:
I Lmáx
Vrpp ≅ em que f = 120Hz
f .C
Vrpp
VL ≅ Vmáx −
2
Especificações do Diodo
Nos dois circuitos, a corrente média nos diodos é a metade da corrente média na carga,
já que cada um deles conduz apenas em um semiciclo. Assim:
I Lmáx
I Fmáx >
2
65
Circuitos Retificadores
A corrente de surto, no pior caso, é:
Vmáx
ISmáx = (retificador com ponto neutro)
rd + rtr
Vmáx
ISmáx = (retificador em ponte)
2.rd + rtr
Exercício Resolvido
Projete uma fonte de alimentação com as mesmas características da projetada
anteriormente (12V x 500mA com ± 10% de ripple), utilizando um retificador de
onda completa em ponte.
Vrpp VL Vrpp 12
= ⇒ = ⇒ Vrpp = 2,4V
2 10 2 10
A tensão de isolação do capacitor adotado deve ser maior do que 13,2V. Portanto,
adote um capacitor com valor nominal C = 2200μF (valor comercial facilmente
encontrado) com tensão de isolação de, no mínimo, 25V. Note que, adotando esse
66
Eletrônica Aplicada
valor de capacitor sensivelmente maior que o calculado, o ripple é menor que ± 10%,
melhorando a performance da fonte.
O transformador deve ter uma tensão de secundário dada por:
Vmáx 13,2
VS = ⇒ VS = ⇒ VS = 9,3V
2 2
I Lmáx
I Fmáx > ⇒ I Fmáx > 250mA
2
VRmáx > Vmáx ⇒ VRmáx > 13,2V
Da mesma forma, adote, por exemplo, o diodo 1N4002, cujas especificações são:
VRmáx = 100V ; IFmáx = 1A @ VFmáx = 1,1V ; IFSM = 30A
Para calcular a corrente de surto máxima desse circuito (ISmáx), primeiramente deve-
-se determinar a resistência direta do diodo:
67
Circuitos Retificadores
2.6. Dobrador de Tensão
Uma outra aplicação do diodo é o circuito dobrador de tensão mostrado na Figura
2.59.
Quando a tensão de entrada está no semi-
ciclo positivo, o diodo D1 conduz e car-
rega o capacitor C1 com o valor de pico da
tensão em relação à terra, que tem a pola-
ridade indicada na Figura 2.59.
Ainda nesse semiciclo, o diodo D2 está
cortado, pois o seu catodo está polarizado
positivamente. Figura 2.59 - Dobrador de tensão.
Em relação à terra, C1 fica carregado com Vmáx e C2 com −Vmáx, totalizando na saída
a tensão 2.Vmáx, como podemos notar no gráfico de VL.
Caso o valor de RL seja muito grande, praticamente não há consumo de corrente.
Desta forma a tensão contínua de saída pode ser considerada 2.Vmáx.
Caso o valor de RL seja muito pequeno, há um ripple na tensão de saída.
Nesse circuito, a corrente de surto pode comprometer muito o comportamento do
diodo, de modo que, se necessário, deve-se acrescentar uma resistência limitadora RS,
conforme aparece no circuito da Figura 2.59. O seu valor, no entanto, deve ser no
máximo 10 % do valor de RL.
68
Eletrônica Aplicada
2.7. Exercícios Propostos
2.1) Considere um transformador simples especificado para operar com tensão de
110V no primário, com relação de espiras N1/N2 = 18 e determine:
a) Tensão eficaz no secundário (Vef);
b) Tensão máxima no secundário (Vmáx).
2.2) Associe as informações das colunas I, II, III e IV referentes aos circuitos retifica-
dores mostrados nas Figuras 2.61 e 2.62.
I II III IV
Tensão média na Tensão eficaz na Tensão reversa de pico
Retificador
carga (Vdc) carga (Vef) sobre os diodos (Vrmáx)
a) Meia Onda a) 5,2V a) 11,6V a) 34V
b) Onda Completa
b) 10,4V b) 8,2V b) 17V
(ponto neutro)
2.3) Considere o circuito da Figura 2.63 e calcule Vmáx, Vdc e Vef na carga RL e Idc na
carga e nos diodos.
Dados:
VP = 110V
VS = 15V
RL = 1kΩ
69
Circuitos Retificadores
2.4) Considere o circuito da Figura 2.64 e calcule o ripple Vrpp e a tensão média VL na
carga RL.
Dados:
VP = 110V
VS1 = VS2 = 15V
RL = 100Ω
Figura 2.64 - Retificador com ponto C = 1000μF
neutro e filtro capacitivo.
70
Eletrônica Aplicada
3
TRANSISTOR BIPOLAR
3.1. Funcionamento
Consideremos as duas junções PN polarizadas exibidas na Figura 3.1:
Nos transistores, a região intermediária é denominada base (B) que deve ser estreita e
pouco dopada, para evitar a recombinação dos pares elétron-lacuna. As outras duas
regiões são denominadas emissor (E) e coletor (C). O emissor é fortemente dopado,
enquanto o coletor possui uma dopagem intermediária, mas tem uma área maior, pois
é nele que a potência atinge o maior valor no transistor.
71
Transistor Bipolar
O comportamento mais importante do transistor ocorre quando a junção base-emissor
é polarizada diretamente e a junção coletor-base reversamente, conforme mostra a
Figura 3.3, para o transistor NPN.
E = emissor
B = base
C = coletor
IE = corrente de emissor
Figura 3.3 - Estrutura do transistor NPN.
IB = corrente de base
IC = corrente de coletor
A polarização direta da junção base-emissor provoca uma pequena redução em sua
barreira de potencial (0,6V para transistores de silício e 0,3V para transistores de
germânio), criando uma resistência de pequeno valor.
A polarização reversa da junção coletor-base
provoca o aumento da barreira de potencial e
forma uma resistência de elevado valor. A
ilustração ao lado mostra claramente o
exposto para o transistor NPN.
Façamos a análise do transistor considerando
o sentido convencional de corrente, isto é, no
mesmo sentido do fluxo de lacunas e no
sentido contrário do fluxo de elétrons, como
mostra a Figura 3.4. Figura 3.4 - Transistor NPN polarizado.
72
Eletrônica Aplicada
No emissor, as correntes de base e de coletor juntam-se formando a corrente de
emissor IE.
O principal efeito da corrente de base é que, além de possibilitar a condução de
corrente de coletor para emissor, IB controla o valor de IC. Como IC é muito maior do
que IB, devido ao nível de dopagem do coletor e do emissor, podemos dizer que a
corrente IC é uma amplificação da corrente IB, propriedade que torna o transistor um
dos dispositivos mais versáteis da eletrônica.
No transistor há três correntes diferentes, sendo a corrente de base IB, cujo valor é
muito baixo; a corrente de coletor IC, com ordem de grandeza muito maior do que IB e
a corrente de emissor IE, que é a soma das correntes IB e IC.
Em relação às tensões nos terminais do transistor, tem-se que VBE e VCB somadas
produzem VCE.
Assim, para o transistor NPN tem-se:
IE = corrente de emissor
Figura 3.5 - Estrutura do transistor PNP.
IB = corrente de base
IC = corrente de coletor
Nesse caso, para o transistor PNP têm-se:
Os símbolos dos transistores NPN e PNP estão na Figura 3.6. Observe que o detalhe
que os diferencia é o sentido da seta que representa o emissor, cuja orientação
coincide com o sentido da corrente convencional do emissor.
73
Transistor Bipolar
Figura 3.6 - Símbolos dos transistores.
IC
β=
IB
Nos manuais de fabricantes, essa especificação é denominada hFE e que será usada
preferencialmente neste livro.
PC = VCE .IC
74
Eletrônica Aplicada
De forma simplificada, essas configurações estão apresentadas nas Figuras 3.7 e 3.8:
Ganho de corrente - Ai
Ganho de tensão - Av
Impedância de entrada - Zi (i≡ input≡entrada)
Impedância de saída - Zo (o≡ output≡saída)
Configuração Características
Ai Av Zi Zo
EC alto alto média alta
BC ≅1 alto baixa alta
CC alto ≅1 alta baixa
75
Transistor Bipolar
Conforme veremos no decorrer do livro, a principal configuração é a emissor comum,
pois ela concentra a maioria das aplicações práticas de circuitos transistorizados em
todas as áreas. Em seguida vem a configuração coletor comum, cujas aplicações
principais estão nas áreas de controle e áudio. Já a configuração base comum é muito
pouco utilizada.
76
Eletrônica Aplicada
Essa corrente é maior para transistores de germânio e menor para transistores de
silício. Por exemplo, um transistor de baixa potência de silício à temperatura ambiente
(25ºC) tem uma corrente ICBO em torno de 0,01μA, enquanto se ele for de germânio,
ela vale aproximadamente 10μA.
A corrente ICBO dobra de valor a cada 10ºC de aumento na temperatura, de forma
que a variação da temperatura é um fator importante para os transistores. Ela deve
ser controlada com o uso de dissipadores de calor, assunto que trataremos mais
adiante.
O valor máximo de ICEO, caso não seja fornecido pelo manual do fabricante, pode ser
determinado por meio de hFE e ICBO com a fórmula:
I CEO = I CBO .(h FE +1)
77
Transistor Bipolar
Tensão de Ruptura entre Coletor e Emissor com Base Aberta - BVCEO
78
Eletrônica Aplicada
Observe que se trata de um transistor de silício, de forma que a corrente de base IB só
é significativa quando a tensão VBE atinge aproximadamente 0,6V.
79
Transistor Bipolar
Figura 3.16 - Ponto quiescente do transistor.
Exercício Resolvido
Dadas as curvas características de entrada e de saída de um transistor e
considerando que ele se encontra polarizado com VBEQ = 0,6V e VCEQ = 20V,
determine as correntes IBQ, ICQ, IEQ e o ganho de corrente hFE.
80
Eletrônica Aplicada
Na Figura 3.17(a), a intersecção da perpendicular à tensão VBEQ = 0,6V com a
curva característica de entrada define o ponto Q de entrada, cujo traçado horizontal
identifica a corrente IBQ = 100μA.
Transferindo a corrente IBQ = 100μA para a Figura 3.17(b), a intersecção da
perpendicular à tensão VCEQ = 20V com a curva característica de saída para a
corrente IBQ = 100μA define o ponto Q de saída, cujo traçado horizontal identifica
a corrente ICQ = 15mA.
Desses valores quiescentes obtêm-se os demais:
I CQ 15.10 −3
h FE = = ⇒ h FE = 150
I BQ 100.10 −6
81
Transistor Bipolar
Na figura anterior, as áreas hachuradas destacam as regiões em que o transistor não
pode operar, isto é, além da hipérbole de potência máxima ( PC > PCmáx), abaixo do
limite da região de corte (IB < 0) e à esquerda do limite da região de saturação.
A área clara na mesma figura identifica a região em que o transistor pode operar, isto
é, na região ativa ou nos limites de corte e de saturação.
82
Eletrônica Aplicada
O cálculo dos resistores de polarização RB e RC deve ser feito a partir das condições
desejadas de operação do transistor, das suas especificações e da tensão da fonte de
alimentação VCC.
A partir da malha externa do circuito, obtemos:
VCC − VBE
R B .I B + VBE = VCC ⇒ RB =
IB
VCC − VCE
R C .IC + VCE = VCC ⇒ RC =
IC
ICcorte ≅ 0
R C .ICcorte + VCEcorte = VCC ⇒ R C .0 + VCEcorte = VCC ⇒ VCEcorte = VCC
Ponto de saturação:
VCEsat ≅ 0
VCC
R C .ICsat + VCEsat = VCC ⇒ R C .ICsat + 0 = VCC ⇒ ICsat =
RC
A Figura 3.20 mostra a curva característica do transistor com a reta de carga.
83
Transistor Bipolar
O significado da reta de carga é que o ponto quiescente do transistor só pode estar
sobre ela.
O problema desse tipo de polarização é a sua instabilidade em relação à temperatura.
Suponhamos que o transistor esteja polarizado na região ativa, isto é, aproxima-
damente no centro da reta de carga.
A própria potência dissipada pelo transistor faz com que a sua temperatura interna
aumente. Esse aumento de temperatura produz um aumento na corrente de coletor IC,
de modo que a tensão em RC aumenta e VCE diminui, produzindo um novo aumento
de IC e assim por diante. Essa realimentação positiva leva o ponto quiescente à
saturação.
Por isso, a aplicação desse circuito restringe-se à operação do transistor como uma
chave eletrônica, ou seja, apenas nos pontos de corte e saturação. Essa aplicação será
analisada no capítulo 5.
84
Eletrônica Aplicada
Esse tipo de circuito, por ser termicamente estável, é bastante utilizado como
amplificador.
Como vimos, o resistor RE tem a função de estabilizar termicamente o transistor. Para
isso, a tensão sobre ele não precisa ser elevada. Geralmente se utiliza 10% da tensão
VCC para polarizar o emissor, de modo que:
0,1 .VCC
VRE = 0,1 .VCC ⇒ R E .IE = 0,1 .VCC ⇒ RE =
IE
Como hFE > 20 para praticamente todos os transistores, pode-se considerar IE ≅ IC.
Essa aproximação é válida porque o erro que ela insere é de no máximo 5% no valor
da corrente, que é o mesmo valor da tolerância dos resistores comerciais usados para a
polarização.
Para o cálculo de RB e RC, devem ser consideradas as condições desejadas de operação
do transistor, das suas especificações e da tensão da fonte de alimentação VCC.
A partir da malha externa do circuito, obtemos:
0,9.VCC − VBE
R B .I B + VBE + 0,1.VCC = VCC ⇒ RB =
IB
0,9.VCC − VCE
R C .IC + VCE + 0,1.VCC = VCC ⇒ RC =
IC
VCC
Ponto de saturação: VCEsat ≅ 0 e ICsat =
RC + RE
A Figura 3.22 mostra a curva característica do transistor com a reta de carga e o ponto
quiescente Q para o caso em que se deseja que ele esteja fixado no centro da reta de
carga, isto é, considerando VCEQ = VCC / 2.
85
Transistor Bipolar
Figura 3.22 - Reta de carga do transistor.
Exercícios Resolvidos
1) Polarize o transistor BC547 com corrente de emissor constante, na região ativa,
sendo IC = 2mA. Use uma fonte de alimentação de 12V.
Especificações do transistor:
Código: BC547 - silício
VBE = 0,6V
hFEmín = 110
Dados:
VCC = 12V
IC = 2mA
Figura 3.23 - Polarização do BC547.
VCE = VCC / 2
a) Cálculo de RE
b) Cálculo de RB
IC 2.10 −3
IB = = ⇒ I B = 18μA
hFE 110
86
Eletrônica Aplicada
0,9.VCC − VBE 0,9.12 − 0,6
RB = = ⇒ R B = 567 kΩ
IB 18.10−6
c) Cálculo de RC:
VCC 12
VCE = = ⇒ VCE = 6V
2 2
0,9.VCC − VCE 0,9.12 − 6
RC = = ⇒ R C = 2400Ω
IC 2.10 −3
VCC 12
ICsat = = ⇒ ICsat = 4,3mA
R C + R E 2,2.103 + 560
87
Transistor Bipolar
3) Dado o circuito da Figura 3.25 e considerando VRE = 0,1.VCC, determine IB, IC, e
VCE quiescentes.
Especificações do transistor:
Código: BC550B - silício
VBE = 0,6V
hFEmín = 200
Dados:
VCC = 5V
RB = 100kΩ
Figura 3.25 - Circuito polarizado. RC = 220Ω
a) Cálculo de IB:
0,9 .VCC − VBE 0,9 .VCC − VBE 0,9.5 − 0,6
RB = ⇒ IB = = ⇒ I B = 39μA
IB RB 100.103
b) Cálculo de IC:
c) Cálculo de VCE:
0,9.VCC − VCE
RC = ⇒ VCE = 0,9.VCC − R C .I C ⇒
IC
Dados:
VCC = 15V
IC = 10mA
Figura 3.26 - Polarização do BC557A. VEC = VCC / 2
88
Eletrônica Aplicada
a) Cálculo de RE:
Como hFEmín = 125, pode-se considerar IE = IC = 10mA
0,1 .VCC 0,1 .15
RE = = ⇒ R E = 150Ω
IE 10.10 −3
Valor comercial adotado R E = 150Ω
b) Cálculo de RB:
I C 10.10 −3
IB = = ⇒ I B = 80μA
hFE 125
0,9.VCC − VEB 0,9.15 − 0,6
RB = = ⇒ R B = 161kΩ
IB 80.10 −6
Valor comercial adotado R B = 150kΩ
c) Cálculo de RC:
Para polarizar o transistor no centro da região ativa, pode-se usar:
VCC 15
VEC = = ⇒ VEC = 7,5V
2 2
0,9.VCC − VEC 0,9.15 − 7,5
RC = = ⇒ R C = 600Ω
IC 10.10 −3
Valor comercial adotado R C = 560Ω
89
Transistor Bipolar
A ideia básica é dividir a tensão VCC em dois valores extremamente estáveis, de modo
que a tensão em RB2 seja constante. Isso é conseguido fazendo com que a corrente I
que atravessa RB1 seja bem maior que IB, tornando esta última desprezível. Assim, a
corrente em RB2 será também I.
Já vimos que o aumento da temperatura provoca aumento em IC e IE, tendendo a
deslocar o ponto quiescente à região de saturação. O aumento de IE provoca aumento
da tensão em RE que força uma diminuição de VBE, já que a tensão em RB2 é
constante. A redução de VBE reduz IB e, consequentemente, IC.
Para o cálculo de RB1 e RB2 é preciso, então, definir o valor da corrente I em função
das características do transistor. Vimos que I precisa ser bem maior do que IB. Uma
relação prática muito utilizada é considerar I igual a 10% da corrente de coletor IC, já
que esta é, em geral, maior que cem vezes IB, pois IC = hFE.IB. Assim, I = 0,1.IC.
Novamente, a tensão VRE é 10% de VCC para que o resistor RE possa servir como
sensor da variação de temperatura, isto é, VRE = 0,1.VCC.
A partir da malha externa do circuito, obtemos:
VBE + 0,1.VCC
R B2 .I = VBE + VRE ⇒ R B2 .0,1.IC = VBE + 0,1.VCC ⇒ R B2 =
0,1.IC
VCC
( R B1 + R B2 ) .I = VCC ⇒ ( R B1 + R B2 ) .0,1.IC = VCC ⇒ R B1 = − R B2
0,1.IC
0,1 .VCC
VRE = 0,1 .VCC ⇒ R E .IE = 0,1 .VCC ⇒ RE =
IE
0,9.VCC − VCE
R C .IC + VCE + 0,1.VCC = VCC ⇒ RC =
IC
A Figura 3.28 mostra a curva característica do transistor com a reta de carga e o ponto
quiescente Q em seu centro, isto é, considerando VCEQ = VCC / 2.
90
Eletrônica Aplicada
Figura 3.28 - Reta de carga do transistor.
Exercícios Resolvidos
1) Polarize o transistor 2N3904 com divisor de tensão na base, na região ativa,
sendo IC = 10mA e usando uma fonte de alimentação de 12V.
Especificações do transistor:
Código: 2N3904 - silício
VBE = 0,6V
hFEmín = 100
Dados:
VCC = 12V
IC = 10mA
Figura 3.29 - Polarização do 2N3904. VCE = VCC / 2
a) Cálculo de RE:
Como hFEmín = 100, pode-se considerar: IE = IC = 10mA
0,1 .VCC 0,1 .12
RE = = ⇒ R E = 120Ω
IE 10.10 −3
Valor comercial adotado R E = 120Ω
b) Cálculo de RB2:
VBE + 0,1.VCC 0,6 + 0,1.12
R B2 = ⇒ R B2 = ⇒ R B2 = 1,8kΩ
0,1.I C 0,1.10.10 − 3
Valor comercial adotado R B2 = 1,8kΩ
91
Transistor Bipolar
c) Cálculo de RB1:
VCC 12
R B1 = − R B2 ⇒ R B1 = − 1800 ⇒ R B1 = 10,2kΩ
0,1.I C 0,1.10.10 − 3
Valor comercial adotado R B1 = 10kΩ
d) Cálculo de RC:
VCC 12
VCE = = ⇒ VCE = 6V
2 2
0,9.VCC − VCE 0,9.12 − 6
RC = ⇒ RC = ⇒ R C = 480Ω
IC 10.10 − 3
Valor comercial adotado R C = 470Ω
2) Considere o circuito da Figura 3.30 e determine os valores de VCE, IC e IB
quiescentes.
Especificações do transistor:
Código BC547B - silício
VBE = 0,6V
hFEmín = 200
Dados:
VCC = 9V VRE = 0,1.VCC
RC = 330Ω RE = 180Ω
RB1= 15kΩ RB2 = 3,3kΩ
Figura 3.30 - Polarização do BC547B.
I = 0,1.IC
a) Cálculo de IC:
b) Cálculo de VCE:
0,9.VCC − VCE
RC = ⇒ VCE = 0,9.VCC − R C .I C ⇒
IC
92
Eletrônica Aplicada
c) Cálculo de IB:
hFE = 200
IC 5.10−3
IB = = ⇒ I B = 25μA
h FE 200
3) Considere o circuito da Figura 3.31 e determine os valores de VCE e IC
quiescentes pelo traçado da reta de carga, sabendo-se que IB = 20μA.
Dados:
VCC = 30V
RC = 2,2kΩ
RE = 800Ω
IB = 20μA
93
Transistor Bipolar
Ponto de saturação:
VCC 30 30
I Csat = = = ⇒ I Csat = 10mA
R C + R E 2,2 ⋅10 + 800 3 ⋅103
3
b) Localização do ponto Q:
Conhecido o valor de IB, e como o ponto Q localiza-se sobre a reta de carga, o
encontro da curva referente a IB = 20μA com a reta de carga define o ponto Q.
c) Determinação de IC quiescente:
Pelo ponto Q trace uma perpendicular ao eixo IC, determinando o valor de
IC = 5mA.
d) Determinação de VCE quiescente:
Pelo ponto Q trace uma perpendicular ao eixo VCE, determinando o valor de
VCE = 15V.
94
Eletrônica Aplicada
Um dos recursos é garantir uma boa ventilação dentro do equipamento onde se
encontra o circuito que contém transistores e demais dispositivos semicondutores. Isso
pode ser feito por meio de aberturas que permitam a circulação de ar ou por
ventiladores internos (cooler).
Há um outro recurso técnico que também é muito comum para facilitar a troca de
calor do transistor com o ambiente. Trata-se do dissipador de calor ou radiador de
calor, como o da Figura 3.34.
95
Transistor Bipolar
Já com a conexão de um dissipador de calor adequado, o transistor pode operar com
PCmáx = 350mW e nas mesmas condições elétricas que produziriam na junção a
temperatura de 75°C, sem que ela seja atingida.
Tj − Ta
R th =
P
O objetivo desse cálculo é garantir que a temperatura da junção não ultrapasse o valor
máximo especificado pelo fabricante, o que acarretaria a destruição do componente.
Sem a colocação de um dissipador de calor, a resistência térmica (Rth) de um transistor
equivale à resistência entre a junção e o ar (Rthj-a). Esta é a soma das resistências
térmicas entre junção e encapsulamento (case), denominada Rthj-c e entre encapsula-
mento e ar, denominada Rthc-a.
Rthj-a = Rthj-c + Rthc-a
Esquematicamente:
96
Eletrônica Aplicada
Exercício Resolvido
Calcule a Tj de operação de um transistor nas condições dadas a seguir e verifique se
há necessidade de colocação de dissipador de calor.
Dados do transistor: Dados de operação:
Rthj-c = 10ºC/W PC = 2W
Rthc-a = 90ºC/W Ta = 25ºC
Tjmáx = 120ºC
Rthj-a = 10 + 90 = 100ºC/W
Considerando que não seja possível reduzir a potência dissipada e que a temperatura
ambiente não pode ser reduzida significativamente, a alternativa para a proteção do
semicondutor é colocar um dispositivo de baixa resistência térmica entre o
encapsulamento e o ar. A Figura 3.37 mostra a "associação paralela" de resistências
térmicas que permite reduzir a resistência equivalente entre o encapsulamento e o ar e,
assim, reduzir as temperaturas do encapsulamento e, consequentemente, da junção.
Em que:
Rthj-c - Resistência térmica junção-encapsulamento (junction-case)
Rthc-a - Resistência térmica encapsulamento-ar (case-air)
Rthc-r - Resistência térmica encapsulamento-dissipador (case-radiator)
Rthr-a - Resistência térmica dissipador-ar (radiator-air)
97
Transistor Bipolar
A resistência térmica total, desde a junção até o ar (Rthj-a), é o equivalente entre as
resistências térmicas da estrutura, ou seja:
O calor produzido pela alta temperatura da junção do transistor é irradiado para o seu
encapsulamento, passando para o dissipador (radiador) e finalmente para o ar.
A resistência térmica encapsulamento-dissipador (Rthc-r) assume pequenos valores,
ainda mais se acoplarmos o dissipador ao transistor utilizando pasta térmica, que é um
ótimo condutor de calor.
A montagem sem dissipador só é viável quando a potência dissipada no semicondutor
for pequena, pois como vimos, a resistência térmica junção-ar (Rthj-a) é relativamente
grande.
98
Eletrônica Aplicada
Exercícios Resolvidos
1) Calcule a Tj de operação de um transistor nas mesmas condições indicadas no
exercício anterior com a colocação de dissipador de calor.
Dados do transistor: Dados de operação: Dados do dissipador:
Rthj-c = 10ºC/W PC = 2W Rthc-r = 1ºC/W
Rthc-a = 90ºC/W Ta = 25ºC Rthr-a = 10ºC/W
Tjmáx = 120ºC
Sabendo-se que Rthj-a = Rthj-c + Rthc-r + Rthr-a, tem-se:
Rthj-a = 10 + 1 + 10 = 21ºC/W
Nas condições dadas, a temperatura da junção é:
Tj = Ta + Rthj-a.PC = 25 + 21.2 = 67ºC
Verifica-se, portanto, que o componente nessas condições de operação
funcionaria perfeitamente, pois a Tj << Tjmáx.
2) Calcule o valor de PCmáx para a temperatura ambiente de 40ºC utilizando ainda o
dissipador de calor.
Sabendo-se que PCmáx é atingido com Tjmáx, tem-se:
99
Transistor Bipolar
Montagem com pasta Montagem com
Montagem a seco
Encapsulamento térmica mica e pasta térmica
Rthc-r [ºC/W]
Rthc-r [ºC/W] Rthc-r [ºC/W]
TO3 0,5 a 0,7 0,3 a 0,5 0,4 a 0,6
TO220 1,0 a 1,3 0,6 a 0,8 0,8 a 1,1
TO202 1,5 a 2,0 0,9 a 1,2 1,2 a 1,7
Cálculo do Dissipador
Quando a potência dissipada por um semicondutor aproxima-se de 1W ou excede a
transmissão direta de calor do encapsulamento ao ar livre, ela não assegura uma
temperatura tolerável na junção. A montagem de um semicondutor sobre um
dissipador aumenta a superfície de irradiação, reduzindo a resistência térmica junção-
-ar.
Até agora, mencionamos apenas as propriedades dos dissipadores, porém gostaríamos
de lembrar que existe uma infinidade de modelos diferentes.
É em função do número de aletas, de suas dimensões e do material utilizado que
determinamos o dissipador a ser empregado.
De posse do valor de Rthr-a necessário, basta entrar em uma tabela de dissipadores para
escolher o desejado.
Na Figura 3.39 fornecemos uma série de curvas para o cálculo da área de dissipadores
de calor, utilizando chapas planas de alumínio brancas e enegrecidas (entende-se por
branca a que não for enegrecida).
Em cada figura encontramos uma série de curvas, em que os respectivos dissipadores
operam livremente ou por meio de ventilação forçada.
100
Eletrônica Aplicada
Exercício Resolvido
Dada a potência a ser dissipada pelo transistor, PCmáx = 10W, a resistência térmica
necessária entre o dissipador e o ar, Rthr-a = 5ºC/W, e utilizando ventilação natural,
determine as áreas dos radiadores para chapas de alumínio branca e enegrecida.
Entre com os dados na tabela da Figura 3.39(a) e obtenha o resultado:
Dados do circuito:
VCC = 15V
Figura 3.40 - Transistor polarizado IC = 10mA
por corrente de emissor constante. VCE = VCC / 2
101
Transistor Bipolar
3.3) Polarize o transistor BC547 na região ativa, com divisor de tensão na base,
determinando os valores comerciais dos resistores RB1, RB2, RE e RC.
Especificações do transistor:
Código - BC547 - silício
VBE = 0,6V
hFEmín = 110
Dados do circuito:
VCC = 10V
IC = 5mA
Figura 3.41 - Transistor polarizado por VCE = VCC / 2
divisão de tensão na base.
3.5) Calcule o valor de PCmáx para um transistor com dissipador de calor nas
condições dadas a seguir:
Dados do transistor: Dados de operação: Dados do dissipador:
Rthj-c = 10ºC/W Ta = 35ºC Rthc-r = 0,8ºC/W
Rthc-a = 90ºC/W Rthr-a = 1,8ºC/W
Tjmáx = 150ºC
102
Eletrônica Aplicada
4
4.1. Conceitos
A curva característica da fonte ideal mostra que para qualquer valor da corrente IL na
carga, a tensão VL é igual a V.
Na prática, vamos nos deparar com fontes não ideais de tensão, cuja resistência interna
é diferente de zero.
103
Fonte de Tensão Estabilizada
(a) Fonte com carga RL (b) Curva característica
Δ VL
O coeficiente de regulação é dado por: = R i = tgα
Δ IL
Δ VL
% regulação = × 100
V
104
Eletrônica Aplicada
4.2. Diodo Zener
105
Fonte de Tensão Estabilizada
Na polarização direta, o diodo Zener comporta-se de forma muito semelhante ao diodo
retificador.
Mas, como vimos, é na polarização reversa que ele tem um comportamento
importante.
Para valores de IZ < IZmín, a corrente é extremamente baixa e a tensão sofre grandes
variações, não estando, portanto, estabilizada. A corrente IZmín é também denominada
corrente de joelho IZk, em que k significa knee, que é joelho, em inglês.
Caso IZk não seja fornecida pelo fabricante, IZmín pode ser estimada como sendo 10%
da corrente máxima IZmáx, ou seja:
A corrente IZmáx não pode ser ultrapassada; caso contrário, a potência PZmáx é atingida,
o que causa a ruptura da junção do diodo.
106
Eletrônica Aplicada
4.2.2. Diodo Zener em Fontes de Tensão Estabilizadas
A Figura 4.7 mostra o diagrama em blocos de uma fonte de alimentação estabilizada.
4.3.1. Funcionamento
A Figura 4.8 mostra o circuito regulador de tensão mais simples usando diodo Zener,
bem como a curva característica reversa desse dispositivo.
107
Fonte de Tensão Estabilizada
crítico, denominamos o seu ripple pelos valores mínimo (Vimín) e máximo (Vimáx) que
a tensão de entrada pode ter.
Em relação à carga, ela também pode ser constante, caso em que a corrente IL também
é, mas pode sofrer mudanças, de modo que a corrente na carga pode variar entre ILmín
e ILmáx. No caso mais crítico, ILmín = 0, o que corresponde ao circuito funcionando
sem carga.
Assim, o projeto do circuito regulador consiste na escolha correta do diodo Zener e na
determinação do resistor R de polarização. É necessário considerar os casos mais
críticos da tensão de entrada e da corrente na carga, a fim de garantir que a corrente no
diodo Zener esteja sempre na região em que mantém estável a tensão VZ, que é igual à
tensão na carga VL. Portanto, IZ não pode ser menor do que IZmín, pois sai de
regulação, nem maior do que IZmáx, pois danifica o diodo Zener.
Matematicamente, as relações entre as correntes e entre as tensões do circuito da
Figura 4.8(a) são:
I = IZ + IL e Vi = VR + VZ
Da relação entre as correntes, obtemos o princípio que norteia o projeto do circuito
regulador:
Considerando I constante, se IL aumenta, IZ diminui, e vice-versa. Se as variações
de IZ se mantêm dentro da região de estabilização de tensão, VZ se mantém
constante. Logo, a tensão na carga VL permanece estabilizada.
Da relação entre as tensões, podemos aplicar o princípio descrito anteriormente,
considerando as condições críticas de funcionamento do circuito.
Vimín − VZ
I Zmín + I Lmáx = (1)
R
108
Eletrônica Aplicada
PZmáx
I Zmáx =
VZ
Considerando o caso crítico em que o circuito está aberto, tem-se RL = ∞ e, portanto,
ILmín = 0. Assim:
Vimáx − VZ
Vimáx = R .I Zmáx + VZ ⇒ I Zmáx = (2)
R
Esta fórmula deve ser usada para testar se o diodo Zener escolhido atende às
limitações do projeto.
Dimensionamento do Resistor R
Após a escolha do diodo Zener, deve-se dimensionar o resistor de polarização R
usando as mesmas condições críticas do circuito para garantir a estabilização da
tensão.
Da expressão (1) obtemos o valor máximo de R:
Vimín − VZ Vimín − VZ
I Zmín + I Lmáx = ⇒ R<
R I Zmín + I Lmáx
Vimáx − VZ Vimáx − VZ
I Zmáx = ⇒ R>
R I Zmáx
Nesta última fórmula, deve-se usar o IZmáx nominal do diodo Zener, e não o IZmáx
calculado, para resultar uma faixa de valores possíveis de R mais ampla.
109
Fonte de Tensão Estabilizada
O resistor R escolhido deve ter uma potência nominal maior do que a maior potência
que ele dissipa no circuito. No caso mais crítico, tem-se:
(Vimáx − VZ ) 2
P>
R
Exercícios Resolvidos
1) Projete um circuito regulador de
tensão a diodo Zener com as seguin-
tes características:
VL = 10V
ILmáx = 20mA
Vi = 15V ± 10% Figura 4.9 - Regulador de tensão.
PZmáx 400.10−3
I Zmáx = = ⇒ I Zmáx = 40mA
VZ 10
I Zmáx = 44,6mA
110
Eletrônica Aplicada
Como o IZmáx calculado (44,6mA) é maior do que o IZmáx nominal (40mA),
conclui-se que o diodo escolhido não é adequado a esse projeto.
Escolha um diodo Zener com potência maior que o anterior, como o 1N4740,
cujas especificações são as seguintes:
VZ = 10V
PZmáx = 1000mW
Portanto:
PZmáx 1000.10−3
I Zmáx = = ⇒ I Zmáx = 100mA
VZ 10
I Zmáx = 55,7 mA
Adote R = 100Ω.
Cálculo da potência máxima dissipada pelo resistor no circuito:
111
Fonte de Tensão Estabilizada
2) Considere o regulador de tensão a
diodo Zener ao lado. Determine as
condições mínima e máxima da cor-
rente de carga que garantam a esta-
bilidade da tensão VL. As carac-
terísticas do diodo Zener usado são:
⎧VZ = 5,1V
BZX79C5V1: ⎨ Figura 4.10 - Regulador de tensão.
⎩PZmáx = 400mW
Cálculo de IZmáx e IZmín:
PZmáx 400.10−3
I Zmáx = = ⇒ I Zmáx = 78,4mA
VZ 5,1
112
Eletrônica Aplicada
Como se vê, se a carga for tirada do circuito, a corrente máxima no diodo Zener
(102mA) ultrapassa a sua corrente máxima nominal (78,4mA), danificando-o.
Portanto, sobre esse circuito há duas considerações a serem feitas:
I - O circuito não pode ser ligado sem carga, de modo que ILmín ≠ 0. De fato, a
corrente mínima na carga é exatamente a diferença entre IZmáx do circuito
sem carga e IZmáx nominal, ou seja:
113
Fonte de Tensão Estabilizada
4.4.1. Regulador Série a Transistor
O circuito regulador de tensão a transistor que analisaremos denomina-se regulador
série a transistor, pois os terminais coletor e emissor do transistor estão em série com
a carga, uma vez que por eles passa a corrente que segue para a carga.
O princípio de funcionamento é simples. O diodo Zener tem a função de criar uma
referência de tensão estabilizada (VZ), mas em vez de controlar diretamente a corrente
na carga, ele gera uma corrente de base muito menor (IB) que controla a corrente de
coletor (IC), cuja ordem de grandeza é muito maior. Como IC ≅ IE, a corrente de
coletor corresponde à corrente na carga (IL).
A Figura 4.11 mostra o circuito do regulador série.
Note que a carga não mais se encontra em paralelo com o diodo Zener, mas em série
com o elemento de controle, ou seja, o transistor.
Na malha de saída do circuito, temos: VL = VZ − VBE (1)
Como VBE é praticamente constante (VBE ≅ 0,6V), o mesmo ocorrendo com VZ, a
tensão na carga VL também é praticamente constante, só que 0,6V menor que VZ.
Na malha de entrada do circuito, temos: Vi = VR + VZ (2)
Mas VR = VCB, logo: Vi = VCB + VZ (3)
Ainda no transistor, temos: VCE = VCB + VBE (4)
Finalmente, na malha externa obtemos: VL = Vi − VCE (5)
Vamos agora analisar o comportamento do circuito regulador por meio dessas
expressões.
Se a tensão de entrada Vi aumentar, VCB também aumenta, pois VZ é constante,
conforme a expressão (3). Pela expressão (4), sendo VBE constante, o aumento de VCB
causa o aumento em VCE. Agora, pela expressão (5), o aumento de Vi é acompanhado
do aumento de VCE, de modo que a diferença entre eles, que é a tensão na carga VL,
permanece constante.
114
Eletrônica Aplicada
O mesmo raciocínio se aplica no caso de a tensão de entrada Vi diminuir, ou seja, a
tensão na carga VL permanece constante.
115
Fonte de Tensão Estabilizada
Dimensionamento do Transistor
O transistor a ser escolhido deve apresentar as seguintes características:
BVCBO > Vimáx
ICmáx > ILmáx
PCmáx > (Vimáx – VL).ICmáx
Dimensionamento do Resistor R
Após a escolha do transistor e do diodo Zener, deve-se dimensionar o resistor de
polarização R usando as mesmas condições críticas do circuito para garantir a
estabilização da tensão.
Da expressão (6) obtemos o valor máximo de R para a tensão mínima de entrada:
Vimín − VZ Vimín − VZ
I Zmín + I Bmáx = ⇒ R<
R I Zmín + I Bmáx
Da expressão (7) obtemos o valor mínimo de R para a tensão máxima de entrada,
considerando a pior condição de carga, isto é, RL = ∞ (circuito aberto):
Vimáx − VZ Vimáx − VZ
I Zmáx = ⇒ R>
R I Zmáx
Nesta última fórmula, deve-se usar o IZmáx nominal do diodo Zener, e não o IZmáx
calculado, para resultar uma faixa de valores possíveis de R mais ampla.
O resistor R escolhido deve ter uma potência nominal maior do que a maior potência
que ele dissipa no circuito. No caso mais crítico, tem-se:
(Vimáx − VZ ) 2
P>
R
Exercício Resolvido
Projete um circuito regulador série
a transistor com as seguintes carac-
terísticas:
VL = 5V
ILmáx = 2A
Vi = 12V ± 10%
Figura 4.12 - Regulador série a transistor.
116
Eletrônica Aplicada
As tensões mínima e máxima na entrada são:
Vimín = 0,9.Vi = 0,9.12 ⇒ Vimín = 10,8V
I Cmáx 2
I Bmáx = = ⇒ I Bmáx = 66,7 mA
hFE mín 30
PZmáx 400.10−3
I Zmáx = = ⇒ I Zmáx = 71,4mA
VZ 5,6
117
Fonte de Tensão Estabilizada
I Zmín = 0,1.I Zmáx = 0,1.71,4.10−3 ⇒ I Zmín = 7,14mA
I Zmáx = 107,8mA
Como se vê, o diodo Zener escolhido não pode ser utilizado, pois a sua máxima
corrente (71,4mA) é inferior à máxima corrente que ele pode conduzir no circuito
(107,8mA).
Veja, então, como se comporta o diodo 1N4734, cujas especificações são as
seguintes:
VZ = 5,6V
PZmáx = 1000mW
Neste caso, IZmáx e IZmín do diodo Zener valem:
PZmáx 1000.10−3
I Zmáx = = ⇒ I Zmáx = 178,6mA
VZ 5,6
I Zmáx = 123,4mA
Assim, o diodo 1N4754 pode ser utilizado, pois 123,4mA < 178,6mA.
Por fim, calcule a faixa de valores para o resistor R.
Vimín − VZ 10,8 − 5,6
R< ⇒R< ⇒ R < 61,5Ω
I Zmín + I Bmáx 17,86.10 −3 + 66,7.10 −3
118
Eletrônica Aplicada
Vimáx − VZ 13,2 − 5,6
R> ⇒R> ⇒ R > 42,6Ω
I Zmáx 178,6.10 −3
Adote R = 47Ω.
Calcule agora a potência máxima dissipada pelo resistor no circuito:
Como hFE > 20 para praticamente todos os transistores, pode-se considerar IE ≅ IC.
No transistor Q1, temos:
I C1 = hFE1.I B1 ⇒ I C1 = hFE1.I B
No transistor Q2, temos:
I C 2 = hFE 2 .I B2 ⇒ I C 2 = hFE 2 .I E1 ⇒ I C 2 = hFE 2 .I C1 ⇒ I C 2 = hFE 2 .hFE1.I B (8)
Pelo circuito vemos que IC = IC1 + IC2, porém como IC1 ≅ IE1 ≅ IB2 e IB2 << IC2,
concluímos que IC ≅ IC2.
119
Fonte de Tensão Estabilizada
IC
Voltando à expressão (8), obtemos I C = hFE 2 .hFE1.I B ⇒ hFE T = hFE 2 .hFE1 =
IB
Como podemos verificar, o ganho de corrente total hFET = hFE1.hFE2 é muito alto para
transistores ligados na configuração Darlington.
Como exemplo, suponhamos que os valores mínimos de hFE para os dois transistores
sejam hFE1 = 50 e hFE2 = 30. Nesse caso, o ganho total é:
hFET = hFE1.hFE2 = 50.30 = 1500
Ao realizar a conexão Darlington entre dois transistores, deve-se tomar o cuidado de
garantir que o transistor Q2 não opere acima de suas limitações, pois ele dissipa maior
potência do que Q1. Para tanto, é comum utilizar como Q2 um transistor de potência
maior do que a potência de Q1.
A configuração Darlington pode ser encontrada em um único encapsulamento,
apresentando apenas os três terminais externos: base, coletor e emissor, como se fosse
um único transistor de ganho elevado.
Além disso, deve-se considerar que VBE = VBE1 + VBE2. Nesse caso, como a maioria
dos transistores é de silício, para a configuração Darlington tem-se VBE = 1,2V.
Como exemplo, veja as especificações do transistor TIP122 retiradas do manual:
hFEmín = 1000
PCmáx = 65W
ICmáx = 5A
120
Eletrônica Aplicada
O que diferencia esse circuito do analisado anteriormente é a sua capacidade de
corrente que é bem superior devido ao alto ganho proporcionado pela configuração
Darlington. Do ponto de vista prático, isso faz com que seja necessário um Zener de
potência inferior.
Do ponto de vista esquemático, o cir-
cuito do regulador série pode ser repre-
sentado conforme a Figura 4.15, na qual
o transistor Darlington produzido em
um único encapsulamento ou dois tran-
sistores conectados em Darlington são
representados por um único transistor.
Exercício Resolvido
Projete um circuito regulador série
com transistor Darlington dadas as
seguintes características:
VL = 5V
ILmáx = 2A
Vi = 12V ± 10%
Figura 4.16 - Regulador série com transistor Darlington.
121
Fonte de Tensão Estabilizada
hFEmín = 1000
VBE = 1,2V
Verifique a potência a ser dissipada pelo transistor em função das condições
impostas pelo projeto.
PCmáx = (Vimáx − VL ) . I Cmáx ⇒ PCmáx = (13,2 − 5) .2 ⇒ PCmáx = 16,4W
122
Eletrônica Aplicada
Por fim, calculamos a faixa de valores para o resistor R.
Vimín − VZ 10,8 − 6,2
R< ⇒R< ⇒ R < 544Ω
I Zmín + I Bmáx 6,45.10 −3 + 2.10 −3
Vimáx − VZ 13,2 − 6,2
R> ⇒R> ⇒ R > 108,5Ω
I Zmáx 64,5.10 −3
Adote R = 330Ω.
Calcule, agora, a potência máxima dissipada pelo resistor no circuito:
(Vimáx − VZ ) 2 (13,2 − 6,2) 2
P> ⇒P> ⇒ P > 21mW
R 330
Portanto, R escolhido é R = 330Ω x ¼W
Assim como no exercício anterior, para a implementação prática desse circuito, é
preciso verificar a necessidade de colocação de dissipador de calor no transistor
(veja o capítulo 3, tópico 3.6).
123
Fonte de Tensão Estabilizada
4.5. Regulador de Tensão em Circuito Integrado
Existem diversos tipos de reguladores de tensão fabricados em circuito integrado. A
maioria possui internamente um circuito limitador de corrente. Outros possuem
também um circuito de proteção contra sobrecarga térmica ou sobrecarga de potência,
desligando o circuito quando a temperatura interna atinge o seu limite.
Destacam-se como vantagens dos CIs reguladores de tensão: menor tamanho, menor
custo, alta confiabilidade e alta durabilidade.
O CI regulador de tensão fornece na saída uma tensão fixa a partir de uma tensão de
entrada não regulada, que pode ser positiva ou negativa. Existe também o regulador
cuja tensão de saída pode ser ajustada por um circuito externo.
Os CIs reguladores de tensão mais simples têm apenas três terminais. A tabela
seguinte mostra as principais especificações desses CIs.
Io corrente de
output current
(máx) saída
124
Eletrônica Aplicada
A tabela seguinte mostra alguns tipos de CIs reguladores de tensão comerciais, bem
como as suas principais características e especificações.
125
Fonte de Tensão Estabilizada
Caso o regulador de tensão esteja distante do capacitor de filtro C1, os fabricantes
aconselham a ligação de um outro capacitor próximo ao terminal de entrada do
circuito integrado (C2), para evitar que ondulações surgidas nos condutores
prejudiquem o seu desempenho.
O capacitor C3 tem a função de filtro, sendo exigido em alguns CIs, dependendo da
aplicação e do tipo de carga que é alimentada.
Os valores desses capacitores são fornecidos nos manuais dos fabricantes em função
da aplicação, estando entre 1μF e 2,2μF para a maioria dos CIs.
126
Eletrônica Aplicada
4.5.3. Fonte de Alimentação Ajustável
Uma fonte de alimentação com tensão de saída ajustável, feita com regulador de
tensão integrado de três terminais, é extremamente simples e segura.
O circuito da Figura 4.21 mostra um exemplo que utiliza o regulador de tensão
LM317.
O primeiro ponto a ser considerado no projeto é que esse circuito integrado só mantém
a tensão de saída regulada se a tensão diferencial for maior ou igual à especificada
pelo manual do fabricante, por exemplo, Vi − Vo ≥ 3,0 V, para o LM317M.
Os manuais de circuitos integrados lineares fornecem, para cada tipo de regulador de
tensão ajustável, as expressões necessárias para o projeto de fontes de alimentação.
No caso do LM317, a principal expressão é a que relaciona a tensão de saída em
função dos resistores externos, conforme segue:
⎛ R2 ⎞
Vo = 1,25.⎜1 + ⎟ + I adj .R 2
⎝ R1 ⎠
O termo Iadj.R2 nesta expressão pode ser desprezado quando desejamos projetar uma
fonte de alimentação ajustável por um controle externo (fonte para laboratório), já que
R2 é substituído por um potenciômetro.
Quando utilizamos o regulador de tensão ajustável para projetar uma fonte de
alimentação fixa e de precisão, este termo deve ser considerado, pois ele define a
tolerância da tensão de saída.
127
Fonte de Tensão Estabilizada
Exercício Resolvido
Projete uma fonte de alimentação variável usando o LM317M com as seguintes
especificações:
Tensão de entrada: 20V 10%
Tensão de saída: 2 a 15 V - estabilizada e ajustável
Corrente de saída: 500mA - máxima
128
Eletrônica Aplicada
Cálculo de R1 e R2
Como R2 é formado por um potenciômetro para ajuste da tensão de saída mínima e
máxima, adote um valor para R1 e calcule o valor mínimo e máximo de R2, utilizando
a fórmula simplificada de Vo.
⎛ R2 ⎞ ⎛ Vo ⎞
Vo = 1,25.⎜1 + ⎟ ⇒ R 2 = ⎜⎜ − 1⎟⎟.R 1
⎝ R1 ⎠ ⎝ 1,25 ⎠
⎛ 2 ⎞
R2 = ⎜ − 1⎟.10.103 ⇒ R 2 = 6kΩ
⎝ 1, 25 ⎠
⎛ 15 ⎞
R2 = ⎜ − 1⎟.10.103 ⇒ R 2 = 110kΩ
⎝ 1,25 ⎠
129
Fonte de Tensão Estabilizada
4.6. Exercícios Propostos
4.1) Calcule a faixa de valores de R para o circuito regulador de tensão a diodo
Zener dado na Figura 4.24.
Características do circuito:
VL = 15V
RL = 1kΩ
Vi = 20V ± 5%
4.2) Calcule a faixa de valores de R para o circuito regulador série a transistor dado
na Figura 4.25.
Características do circuito:
VL = 5V
ILmáx = 500mA
Vi = 10V
130
Eletrônica Aplicada
Especificações do transistor:
Código: 2N3055 - silício
BVCBO = 100V
ICmáx = 15A
PCmáx = 115W
hFEmín = 20
4.3) Analise o circuito do regulador série com transistor Darlington dado na Figura
4.26 e especifique a sua capacidade máxima de corrente na carga a partir das
características dos seus dispositivos.
Características do circuito:
VL = 7V
Vi = 12V ± 10%
Especificações do transistor:
Código: TIP122 - silício
BVCBO = 100V
131
Fonte de Tensão Estabilizada
ICmáx = 5A
PCmáx = 65W
hFEmín = 1000
VBE = 1,2V
4.4) Calcule Vomín e Vomáx para a fonte de alimentação variável mostrada na Figura
4.27, considerando-se Vi = 18V ± 10%.
132
Eletrônica Aplicada
5
CIRCUITOS DE ACIONAMENTO A
TRANSISTOR
133
Circuitos de Acionamento a Transistor
Na posição LIGA, a tensão VCC e o resistor RB impõem valores de VBE e de IB
suficientes para levar o transistor à saturação, isto é:
VCEsat ≅ 0 e IL = ICsat
Portanto, VRL ≅ VCC e a carga encontra-se ligada.
Dessa rápida análise, concluímos que o corte do transistor é garantido pela condição
VBE = 0 e IB = 0, porém sua saturação depende do transistor, da carga, da alimentação
e de RB, de modo que o projeto de um circuito de acionamento a transistor consiste na
sua polarização no estado de saturação.
Para a escolha do transistor deve-se ter em conta que:
BVCEO > VCC e ICmáx > ICsat
É importante ainda colocar que a chave LIGA / DESLIGA apenas está simulando um
controle que pode ser feito por sensores, circuitos digitais etc.
134
Eletrônica Aplicada
Figura 5.4 - Acionamento direto com VL < VCC.
Observe nesse circuito que um diodo é conectado em paralelo com a bobina do relé, mas
reversamente polarizado. A desenergização do relé faz surgir na sua bobina uma tensão
reversa induzida cujo pico pode ser muito elevado, podendo danificar o transistor. O
diodo assim conectado faz a proteção do transistor.
Nas três situações descritas anteriormente, a tensão de entrada Vi usada para comandar
o acionamento deve ser DC e pode ter um valor igual ou diferente de VCC.
Quanto ao transistor, ele pode ser comum ou Darlington, em função das características
do sinal de acionamento e da corrente de coletor usada para a carga ou a bobina do relé.
135
Circuitos de Acionamento a Transistor
5.3. Projeto de Circuitos de Acionamento
Para o projeto de circuitos de acionamento, alguns parâmetros dos transistores são
necessários, como hFEsat, VCEsat e VBEsat, no entanto nem todos os manuais fornecem
esses parâmetros e quando o fazem, eles valem para condições predeterminadas de IC, IB
e VCE.
Assim, caso esses valores não sejam fornecidos pelos manuais ou as condições de
operação não sejam compatíveis com as previstas nos projetos, podemos usar alguns
critérios técnicos que garantam a saturação do transistor, conforme a tabela seguinte.
Resistor de Base - RB
Qualquer que seja o tipo de circuito de acionamento, o resistor de polarização da base
RB deve garantir a saturação do transistor quando a tensão de entrada Vi estiver em
nível alto.
Assim, pela malha de entrada dos circuitos das Figuras 5.3, 5.4 ou 5.5, temos:
Vi − VBEsat I Csat
Vi = R B .I Bsat + VBEsat ⇒ RB = em que I Bsat =
I Bsat hFE sat
Se houver necessidade de um resistor de coletor RC para dividir a tensão VCC entre ele
e a carga, o seu valor deve ser obtido pela malha de saída do circuito da Figura 5.4:
VCC − VL − VCEsat
VCC = R C .ICsat + VL + VCEsat ⇒ RC =
ICsat
136
Eletrônica Aplicada
Exercícios Resolvidos
1) Um sistema digital TTL deve acionar um LED azul de alto brilho quando sua
saída estiver em nível alto, conforme a Figura 5.6. As especificações da saída
digital estão indicadas sob o circuito. Projete esse circuito de acionamento.
Especificações do LED:
VF = 2V
IF = 2mA
Transistor: BC 547B
hFEmín = 200
ICmáx = 100mA
VCEsat = 0,25V
Dados do circuito:
Vimín = 2,4V (nível alto)
VCC = 5V
a) Cálculo de RC:
137
Circuitos de Acionamento a Transistor
b) Cálculo de RB:
Especificações do relé:
contato NA = 10A / 127VAC
bobina = 12V/30mA
Transistor: BD137
hFEmín = 40
ICmáx = 1A
VCEsat = 0,5V
138
Eletrônica Aplicada
Dados do circuito:
Vimín = 10V (nível alto)
VCC = 12V
Cálculo de RB:
Para calcular RB é necessário conhecer IBsat. Para tal, adota-se:
h FEmín 40
hFE sat = ⇒ hFE sat = ⇒ hFE sat = 20
2 2
Considerando que ICsat = IL = 30mA, tem-se:
I Csat 30.10 −3
I Bsat = ⇒ I Bsat = ⇒ I Bsat = 1,5mA
hFE sat 20
Como VBEsat não é fornecido, adota-se VBEsat = 0,7V. Portanto:
Vi − VBEsat 10 − 0,7
RB = ⇒ RB = ⇒ R B = 6200Ω
I Bsat 1,5.10 − 3
Valor comercial adotado RB = 5,6kΩ
O diodo pode ser 1N4004.
Especificações do LED:
VF = 1,7V
IF = 10mA
Transistor: 2N2222
hFEmín = 75
ICmáx = 800mA
VCEsat = 0,4V
Figura 5.8 - Acionamento de um LED.
139
Circuitos de Acionamento a Transistor
5.2) O circuito da Figura 5.9 foi montado para acionar a lâmpada por meio de um
sinal digital TTL. Projete esse circuito calculando RB.
Especificações da lâmpada:
L1 = 12V/2,5W
Transistor: TIP29
hFEmín = 40
ICmáx = 1A
VCEsat = 0,7V
Figura 5.9 - Acionamento de uma lâmpada DC.
140
Eletrônica Aplicada
6
TRANSISTOR DE EFEITO
DE CAMPO - FET
O transistor de efeito de campo é conhecido como FET por causa do seu nome em
inglês Field Efect Transistor. Há três tipos de FET que se diferenciam em alguns
aspectos construtivos e por algumas características elétricas: JFET, MOSFET do tipo
indução e MOSFET do tipo depleção.
141
Transistor de Efeito de Campo - FET
tensão de condução das junções, quando polarizadas diretamente, é de aproximada-
mente 0,6V.
A maioria dos JFETs comerciais é do tipo canal N com as duas portas interligadas. A
Figura 6.2 mostra os símbolos dos JFETs canais N e P.
Aplicando-se uma tensão VGS negativa, a polarização reversa nas junções aumenta as
respectivas camadas de depleção e estreitam o canal, reduzindo o fluxo de corrente
entre dreno e fonte. Observe que a camada de depleção é mais acentuada nas proxi-
midades do terminal de dreno porque ele tem um potencial maior que o terminal de
fonte.
142
Eletrônica Aplicada
A corrente que flui pelo canal N é formada unicamente por elétrons e por isso o JFET
é considerado um transistor unipolar, diferenciando-se do transistor bipolar estudado
anteriormente, cujas correntes são formadas por elétrons e lacunas.
Os elétrons se deslocam da fonte em direção ao dreno, mas convencionalmente o sentido
da corrente é contrário ao movimento dos elétrons, como indica a Figura 6.3.
Uma das características fundamentais do JFET é a sua elevadíssima impedância de
entrada, da ordem de gigaohms, pois como a junção porta-fonte é polarizada
reversamente, qualquer tensão VGS produz uma corrente de porta praticamente
nula (IG ≅ 0). Como consequência, a corrente de dreno é igual à corrente de fonte,
isto é, ID = IS.
O comportamento do JFET fica bem claro se analisarmos a sua curva característica
de saída, que relaciona a corrente de dreno (ID) com a tensão entre dreno e fonte (VDS)
para diversos valores de tensão entre porta e fonte (VGS), conforme a Figura 6.4.
Para VGS = 0 a corrente de dreno ID é função apenas de VDS e atinge o valor máximo,
conforme vemos na curva superior.
Para valores de VGS diferentes de zero e negativos, a corrente de dreno ID depende
tanto de VGS quanto de VDS, e quanto maior o valor negativo de VGS menor é a
corrente ID.
Como se pode observar, essa curva característica lembra a do transistor bipolar, mas
com duas diferenças fundamentais: a primeira, e principal, é que no JFET o controle da
corrente de saída (ID) é feito pela tensão de entrada (VGS), enquanto no transistor
bipolar a corrente de saída (IC) é controlada pela corrente de entrada (IB); a segunda é
que o JFET é muito mais linear que o transistor bipolar, já que as curvas de corrente,
após o seu aumento acentuado, ficam praticamente paralelas com o eixo de VDS.
143
Transistor de Efeito de Campo - FET
Essa linearidade pode ser facilmente explicada analisando a Figura 6.5.
VP = VGS( off )
144
Eletrônica Aplicada
A potência dissipada (PD) pelo JFET é dada por:
PD = VDS .I D
Essa curva é muito prática, pois informa diretamente as especificações IDSS e VGS(off).
Indiretamente, ela fornece o valor de VP, pois é igual ao módulo de VGS(off), além da
relação entre ID e VGS quiescentes, que correspondem às condições de operação do
JFET dadas pela sua polarização, conforme veremos no próximo subtópico.
A curva de transcondutância segue a mesma relação matemática para qualquer JFET,
que é:
2
⎛ VGS ⎞
I D = I DSS .⎜1 − ⎟
⎝ VGS( off ) ⎠
145
Transistor de Efeito de Campo - FET
Exercício Resolvido
Considere as especificações do JFET BF245A com os seguintes valores típicos:
IDSS = 4mA ; VP = 2V ; VGS(off) = −2V e VDSmáx = 20V.
a) Esboce a curva de transcondutância para esse JFET.
Dado que IDSS = 4mA e VGS(off) = 2V, tem-se a seguinte curva de transcondutância:
146
Eletrônica Aplicada
Esta é a forma mais simples e mais usada de polarização do JFET e é denominada
autopolarização.
Observação: Muitos livros adotam a denominação VDD, e não VCC, para a fonte de
alimentação de circuito com FET.
VGS(off ) VP
RS = ou R S =
I DSS I DSS
Por fim, o valor do resistor RG pode ser adotado em função da impedância de entrada
desejada para o circuito. Isso acontece porque essa impedância do circuito é o
equivalente paralelo entre RG e a impedância de entrada do JFET. Mas como esta
última é muitíssimo elevada, a impedância de entrada do circuito é exatamente igual a
RG.
Normalmente, adota-se um RG elevado, da ordem de unidades de megaohms, para
manter a impedância de entrada elevada.
Reta de Carga
A partir da expressão da malha de saída, é possível determinar os pontos de corte e
saturação do JFET.
R S .ID + VDS + R D .ID = VCC
147
Transistor de Efeito de Campo - FET
Ponto de corte: IDcorte ≅ 0 e VDScorte = VCC
VCC
Ponto de saturação: VDSsat ≅ 0 e I Dsat =
R D + RS
A Figura 6.10 mostra a curva característica do JFET com a reta de carga e o ponto
quiescente Q indicando a condição de operação do dispositivo, isto é, ID, VDS e VGS.
Exercícios Resolvidos
1) Polarize o transistor MPF102 com corrente de dreno ID = 2mA e VDS = 6V usando
uma fonte de alimentação de 12V.
Especificações do MPF102:
PDmáx = 200mW
IDSS = 6mA
VP = 8V
VP 8
RS = ⇒ RS = ⇒ RS = 1333Ω
I DSS 6.10 − 3
148
Eletrônica Aplicada
Valor comercial adotado R S = 1,2kΩ
VCC 12
I Dsat = = ⇒ I Dsat = 4mA
R D + R S 1,8.10 + 1,2.103
3
149
Transistor de Efeito de Campo - FET
Nesse caso, o valor quiescente da tensão na entrada do JFET é VGS ≅ − 3V.
Matematicamente, esse valor pode ser determinado por:
2 2
⎛ VGS ⎞ ⎛ VGS ⎞
I D = I DSS .⎜1 − ⎟ ⇒ 2.10 − 3 = 6.10 − 3.⎜1 − ⎟ ⇒
⎝ VGS( off ) ⎠ ⎝ −8 ⎠
2 2
2.10 −3 ⎛ VGS ⎞ 1 ⎛ VGS ⎞
−3
= ⎜1 + ⎟ ⇒ = ⎜1 + ⎟ ⇒
6.10 ⎝ 8 ⎠ 3 ⎝ 8 ⎠
2
1 ⎛ VGS ⎞ ⎛ VGS ⎞
= ⎜1 + ⎟ ⇒ 0,58 = ⎜1 + ⎟⇒
3 ⎝ 8 ⎠ ⎝ 8 ⎠
VGS VGS
0,58 − 1 = ⇒ −0,42 = ⇒ VGS = −3,36V
8 8
150
Eletrônica Aplicada
O substrato consiste em um cristal de silício do tipo P de elevada resistividade no qual
são difundidas duas camadas N de baixa resistividade.
Sobre esse conjunto é depositada uma fina camada de SiO2 com dois orifícios para a
conexão dos terminais fonte (S) e dreno (D) diretamente nas regiões N. O terminal da
porta (G) é conectado ao substrato por meio de uma fina camada de material isolante.
Há também o MOSFET de indução com canal P, cuja estrutura é exatamente o inverso
desta com canal N. O mesmo ocorre com o seu funcionamento.
Voltando à Figura 6.13, notamos que as duas regiões N estão separadas pelo substrato
P, como se existissem dois diodos invertidos conectados em série, conforme a Figura
6.14.
Assim, qualquer tensão aplicada entre os terminais fonte e dreno resultaria em uma
corrente extremamente baixa.
O contato metálico da porta, o material isolante e o substrato P formam uma pequena
capacitância, cujo dielétrico é a camada de SiO2. Uma tensão VGS positiva aplicada
entre o terminal de porta e o substrato, conforme indica a Figura 6.15, induz um canal
N entre as duas regiões N. Essas cargas negativas estabelecem um contato entre a
fonte e o dreno, permitindo a circulação de corrente entre eles quando estiverem
polarizados.
151
Transistor de Efeito de Campo - FET
Figura 6.16 - Curva característica do MOSFET de indução - canal N.
Como vimos, o MOSFET possui quatro terminais: dreno, fonte, porta e substrato.
Como a maioria das aplicações utiliza o substrato conectado à fonte, o tipo mais
comum é o MOSFET de três terminais, no qual essa conexão já é feita internamente.
Os símbolos dos MOSFETs com canais N e P estão representados na Figura 6.17.
152
Eletrônica Aplicada
6.2.2. MOSFET de Depleção
A Figura 6.19 mostra a estrutura do MOSFET de depleção com canal N.
153
Transistor de Efeito de Campo - FET
Figura 6.21 - Símbolos do MOSFET.
VCC − VDS
RD =
I DSS
Observe que a corrente usada na fórmula é IDSS, e não ID quiescente, pois ela está de
acordo com a condição VGS = 0.
154
Eletrônica Aplicada
6.3.1. Chave Analógica com JFET
A Figura 6.23 mostra um JFET polarizado de modo a operar no corte e na saturação,
funcionando como uma chave analógica.
155
Transistor de Efeito de Campo - FET
das entradas A ou B ou ambas receberem tensão nula (0V), uma das chaves Q1 ou Q2
ou ambas abrirão e a saída Y ficará com o potencial positivo da fonte (Y= VCC).
Traduzindo esses valores para níveis lógicos, o resultado é a tabela verdade da porta
NAND apresentada em seguida:
A B Y
0 0 1
0 1 1
1 0 1
1 1 0
156
Eletrônica Aplicada
6.4. Exercícios Propostos
6.1) Considere as especificações típicas de um JFET dadas a seguir:
VGS(V) ID(mA)
0
−1
−2
−3
−4
b) Esboce a curva de transcondutância para esse JFET com base nos valores
obtidos no item (a).
157
Transistor de Efeito de Campo - FET
c) Determine a reta de carga e localize o ponto quiescente dada a curva
característica de saída apresentada a seguir.
6.3) Analise o circuito da Figura 6.28 e complete as lacunas com uma das opções
que estão entre parênteses.
158
Eletrônica Aplicada
7
ANÁLISE DE AMPLIFICADORES
Esse modelo é composto de três parâmetros básicos: impedância de entrada Zi, ganho
de tensão sem carga Avo e impedância de saída Zo. Observe que o modelo do
amplificador não inclui a fonte de sinal de entrada, que denominaremos genericamente
de gerador, nem a carga.
No modelo do amplificador há um gerador interno cuja tensão vale Avo.vi que
representa a tensão vi efetivamente presente na entrada do amplificador, multiplicada
pelo ganho sem carga Avo. A tensão na saída do amplificador sem carga é denominada
vLo e seu valor é igual à tensão do gerador interno, ou seja, vLo = Avo.vi.
159
Análise de Amplificadores
Observações
I- O índice "i" representa input (entrada), como em Zi e em vi.
II- O índice "o" representa output (saída), como em Zo, ou open (aberto), como em
Avo e vLo.
III- O índice "L" representa load (carga), como em ZL, vL e vLo.
Zi
vi = .v g
Z g + Zi
Se Zi >> Zg, praticamente toda a tensão do gerador é amplificada (vi ≅ vg), mas a
potência de entrada é muito baixa, pois a corrente tende a zero.
Se Zi << Zg, a tensão vi praticamente se anula, embora a corrente de entrada atinja
quase o valor máximo. Nesse caso, a potência na entrada também é muito baixa.
Se Zi = Zg, ocorre o casamento de impedâncias na entrada. Nesse caso, a tensão vi é
metade da tensão vg e a corrente de entrada é metade do seu valor máximo, mas a
potência transferida do gerador à entrada do amplificador atinge o seu valor máximo.
É o que denominamos de máxima transferência de potência.
Analisando a saída do amplificador, veremos que se nenhuma carga é ligada, a tensão
é vLo = Avo.vi. Porém, ao ligar uma carga ZL, ela forma um divisor de tensão com a
impedância de saída Zo do amplificador, de modo que a tensão vL na carga é uma
parcela de vLo.
160
Eletrônica Aplicada
Nesse caso:
ZL
vL = .v Lo
Zo + ZL
Se ZL >> Zo, praticamente toda a tensão do gerador é transferida à carga, (vL ≅ vLo),
mas a potência nela é muito baixa, pois a corrente tende a zero.
Se ZL << Zo, a tensão transferida à carga praticamente se anula, embora a corrente
atinja quase o valor máximo. Nesse caso, a potência na carga também é muito baixa.
Se ZL = Zo, ocorre um casamento de impedâncias na saída, o que garante a máxima
transferência de potência do amplificador à carga, mas com vL sendo metade do valor
máximo (vLo), o mesmo acontece com a corrente.
As relações entre Zi e Zg e entre Zo e ZL devem ser estabelecidas em função da
aplicação do amplificador e demais circuitos envolvidos num determinado sistema.
Quanto ao ganho de tensão do amplificador, observe que há dois valores, em função
de haver ou não carga conectada em sua saída.
O ganho do amplificador sem carga é dado por:
v Lo
A vo =
vi
vL
Av =
vi
161
Análise de Amplificadores
Analogamente, a potência na carga do amplificador (pL) é dada por:
VLpp 2
pL =
8.Z L
pL
Ap =
pi
2) Ganhos muito elevados são representados por valores bem menores em decibel.
Exemplo
Ap = 200000 ⇒ Ap(dB) = 10.log 200000⇒ Ap(dB) = 53dB
Exemplos
Ap = 400000 ⇒ Ap(dB) = 56dB (o ganho é o dobro de 200000 ≡ 53dB)
Ap = 100000 ⇒ Ap(dB) = 50dB (o ganho é a metade de 200000 ≡ 53dB)
O valor 3dB é muito importante em áudio, pois o ouvido humano, que tem
característica logarítmica, só percebe variação de volume quando a potência do
sinal de áudio dobra (+3dB) ou cai pela metade (−3dB).
162
Eletrônica Aplicada
4) Quando um ganho de potência dobra ou cai pela metade, o ganho de tensão é
respectivamente multiplicado ou dividido por 2 , o que, em decibel, corresponde
também, respectivamente, a somar ou subtrair 3dB.
Então:
p2
Ap = = 2 ⇒ A p (dB) = 10. log A p ⇒ A p (dB) = 10. log 2 ⇒ A p (dB) = +3dB
p1
Assim:
v22 v12 v22 v2
= 2. ⇒ v 2 2 = 2.v12 ⇒ 2 = 2 ⇒ = 2 ⇒ Av = 2
R R v1 v1
Em decibel:
A v (dB) = 20. log A v ⇒ A v (dB) = 20. log 2 ⇒ A v (dB) = +3dB
II - Se a potência cai pela metade, isto é, se p 2 = p1 / 2 :
Então:
p2 1 1
Ap = = ⇒ A p (dB) = 10. log A p ⇒ A p (dB) = 10. log ⇒ A p (dB) = −3dB
p1 2 2
Assim:
v 2 2 v12 v12 v22 1 v2 1 1
= ⇒ v22 = ⇒ 2 = ⇒ = ⇒ Av =
R 2.R 2 v1 2 v1 2 2
Em decibel:
1
A v (dB) = 20. log A v ⇒ A v (dB) = 20. log ⇒ A v (dB) = −3dB
2
5) O produto entre ganhos, em decibel corresponde à soma entre eles.
Exemplos
Av1 = 100⇒ Av1(dB) = 20.log 100⇒ Av1(dB) = 40dB e
Av2 = 200⇒ Av2(dB) = 20.log 200⇒ Av2(dB) = 46dB
Av = Av1 . Av2 = 100 . 200 = 20000⇒ Av(dB) = 20.log 20000⇒ Av(dB) = 86dB ou
Av(dB) = Av1(dB) + Av2(dB) = 40 + 46 = 86dB
163
Análise de Amplificadores
Exercícios Resolvidos
1) Considere um sistema de áudio composto de um pré-amplificador, um microfone e
um alto-falante com as especificações seguintes e ligados conforme o esquema:
Amplificador: Zi = 5kΩ
Zo = 2kΩ
Avo = 100
Microfone: Zg = 600Ω
vg = 1mVpp (aberto)
Alto-falante: ZL = 8Ω Figura 7.4 - Pré-amplificador com
microfone e alto-falante.
Vipp 2 (0,89.10 −3 ) 2
pi = ⇒ pi = ⇒ pi = 20.10 −12 W ⇒ pi = 20pW
8.Zi 8.5000
c) Determine a tensão VLopp na saída do amplificador sem o alto-falante.
VLpp 2 (0,35.10 −3 ) 2
pL = ⇒ pL = ⇒ p L = 1,9.10 − 9 W ⇒ p L = 1,9nW
8.Z L 8 .8
164
Eletrônica Aplicada
e) Determine os ganhos de tensão Av e de potência Ap do amplificador com o
alto-falante.
VLpp 0,35.10 −3
Av = ⇒ Av = ⇒ A v = 0,39 ou
Vipp 0,89.10 − 3
pL 1,9.10 −9
Ap = ⇒ Ap = ⇒ A p = 95 ou
pi 20.10 −12
Comentários
Como vimos, o pré-amplificador tem uma impedância de entrada adequada ao
microfone, pois de 1mV que ele produz, 0,89mV é efetivamente amplificado. No
entanto, a impedância de saída do pré-amplificador é completamente incompatível
com a impedância do alto-falante, pois sem o alto-falante a tensão de saída é de
89mV, mas com o alto-falante ela cai para 0,35mV, ficando menor do que a tensão de
entrada. Em relação à tensão, o sistema comportou-se como um atenuador, pois
Av = 0,39 ou Av(dB) = −8,2dB. Já, em relação à potência, o sistema comportou-se
como amplificador, embora seu ganho de potência não tenha sido elevado, pois
Ap = 95 ou Ap(dB) = 20dB.
2) Considere o amplificador de potência de áudio com as especificações seguintes:
165
Análise de Amplificadores
b) Determine a tensão Vi2pp e a potência pi2 presentes na entrada do amplificador
de potência.
Zi 2 8000
Vi 2 pp = .VLo1pp ⇒ Vi 2 pp = .89.10 − 3 ⇒ Vi 2 pp = 71mV
Zo1 + Zi 2 2000 + 8000
Vi 2 pp 2 (71.10 −3 ) 2
pi 2 = ⇒ pi 2 = ⇒ p E 2 = 78,8.10 − 9 W ⇒ pi 2 = 78,8nW
8.Zi 2 8.8000
Vi 2 pp 71.10 −3
A v1 = ⇒ A v1 = ⇒ A v1 = 80 ou
Vi1pp 0,89.10 − 3
pi 2 79.10 −9
A p1 = ⇒ A p1 = ⇒ A p1 = 3950 ou
pi1 20.10 −12
ZL 8
VLpp = .VLo 2 pp ⇒ VLpp = .14,2 ⇒ VLpp = 7,1V
Zo 2 + Z L 8+8
VLpp 2 7,12
pL = ⇒ pL = ⇒ p L = 0,79 W
8.Z L 8.8
166
Eletrônica Aplicada
f) Determine os ganhos de tensão Av2 e de potência Ap2 apenas do amplificador
de potência com o alto-falante.
VLpp 7,1
A v2 = ⇒ A v2 = ⇒ A v 2 = 100 ou
Vi 2 pp 71.10 − 3
pL 0,79
A p2 = ⇒ A p2 = ⇒ A p 2 = 10025381 ou
pi2 78,8.10 − 9
VLpp 7,1
Av = ⇒ ⇒ A v = 7978 ou
Vi1pp 0,89.10 − 3
pL 0,79
Ap = ⇒ Ap = −12
⇒ A p = 39,5.109 ou
p i1 29.10
167
Análise de Amplificadores
A Figura 7.7 mostra o resultado final da análise do sistema de áudio.
Comentários
Nessa nova configuração houve casamento de impedância entre gerador e pré-
-amplificador, entre pré-amplificador e amplificador de potência e entre am-
plificador de potência e carga. Assim, a tensão de saída do pré-amplificador
transferida para a entrada do amplificador de potência foi de 71mV, garantido um
ganho de tensão Av1 = 80 ou Av1(dB) = 38dB, que é bem maior do que no sistema
anterior. Essa boa performance repetiu-se no estágio de saída, com Av2 = 100 ou
Av2(dB) = 40dB, transferindo para a carga uma tensão de 7,1V. Com isso, o sistema
passou a ter um ganho de tensão total Av = 7978 ou Av(dB) = 78dB e um ganho de
potência total Ap = 39,6.109 ou Ap(dB) = 106dB.
168
Eletrônica Aplicada
Figura 7.8 - Sistema de áudio I.
VLopp
A vo =
Vipp
169
Análise de Amplificadores
1) Sem conectar a década resistiva na saída do amplificador, ajuste o gerador de
áudio com um sinal senoidal de 1kHz e amplitude nula.
2) Aumente a amplitude do gerador de modo a obter na saída (canal 2 do osci-
loscópio) um sinal amplificado sem distorção.
3) Meça a amplitude de pico a pico do sinal de saída sem carga (VLopp).
4) Conecte a década resistiva na saída do amplificador e ajuste o seu valor até que a
tensão de saída (VLpp) seja a metade de VLopp.
5) Determine:
Impedância de saída:
170
Eletrônica Aplicada
3) Meça, com o canal 1 do osciloscópio, a amplitude mínima de pico a pico do sinal
de entrada (Vippmín).
4) Determine:
Sensibilidade do amplificador, respectivamente, em Vpp e em Vrms:
Vippmín
Vippmín (valor medido) e vimín =
2. 2
7) Determine:
Vippmáx
Vippmáx ( valor medido) e vimáx =
2. 2
VLppmáx
VLppmáx ( valor medido) e v Lmáx =
2. 2
Ganho de tensão:
VLppmáx
Av =
Vippmáx
VLppmáx 2
p Lmáx =
8.R L
8) Ajuste o gerador de áudio com um sinal senoidal de 1kHz e uma amplitude Vipp
predeterminada entre Vippmín e Vippmáx.
171
Análise de Amplificadores
10) Reduza a frequência do gerador abaixo de 1kHz, mantendo a sua amplitude
sempre no valor Vipp ajustado no item 8, até que a amplitude da saída caia para
V' Lpp = VLpp / 2 .
Determine:
Frequência de corte inferior:
VLpp
fi = frequência em que V'Lpp =
2
Determine:
VLpp
fs = frequência em que V' 'Lpp =
2
Largura de banda:
LB = fs − fi
A largura da banda é a faixa de frequências em que o ganho do amplificador é
aproximadamente constante.
172
Eletrônica Aplicada
7.2.4. Sistema de Áudio IV
A Figura 7.12 exibe o sistema de áudio IV que inclui uma década resistiva na entrada
do amplificador em série com o gerador. O canal 1 do osciloscópio encontra-se
conectado no gerador, enquanto o canal 2 deve ser conectado na entrada do
amplificador.
A década resistiva permite medidas com maior precisão, no entanto, se ela não estiver
disponível, é possível substituí-la por um potenciômetro multivoltas ou, em último
caso, por um potenciômetro normal.
1) Com a década resistiva no valor mínimo, ajuste o gerador de áudio com um sinal
senoidal de 1kHz e amplitude Vgpp entre os valores mínimo e máximo admitidos
na entrada do amplificador, respectivamente, Vippmín e Vippmáx.
2) Aumente o valor da resistência da década até que a tensão na entrada do
amplificador Vipp (canal 2 do osciloscópio) seja a metade de Vgpp (canal 1 do
osciloscópio).
3) Determine:
Impedância de entrada:
173
Análise de Amplificadores
Ganho de potência:
p Lmáx
Ap = ou A p (dB) = 10. log A p
pimáx
VLppmáx 2 Vippmáx 2
em que p Lmáx = e pimáx = (veja o subtópico 7.2.3)
8.Z L 8.Zi
174
Eletrônica Aplicada
ocorreria caso o ponto Q estivesse posicionado próximo ao corte (Q') ou à saturação
(Q''). Nesses dois últimos casos, o sinal amplificado seria distorcido.
175
Análise de Amplificadores
Figura 7.16 - Sinais no amplificador de pequenos sinais classe A.
Finalmente, vemos que o sinal na carga está defasado de 180º em relação ao sinal do
gerador, pois no transistor, quando a corrente de base está no seu semiciclo positivo, a
tensão VCE está no semiciclo negativo, e vice-versa, conforme a Figura 7.18.
176
Eletrônica Aplicada
Figura 7.18 - Sinais AC no transistor.
Além desses parâmetros, cabe ressaltar que esse amplificador tem capacidade de
corrente alta se a carga tiver valor adequado, significando que ele pode ter um ganho
de potência elevado.
Estas características viabilizam esse circuito para a função de pré-amplificador para
fontes de sinal e cargas com impedâncias da ordem de unidades de quilo-ohms, mas o
inviabilizam como estágio de saída quando a carga é um alto-falante, já que ele tem
uma impedância muito baixa.
Como amplificador de potência esse circuito também não é viável, pois, por operar
todo o tempo na região ativa, o seu rendimento é muito baixo. Da potência total que a
fonte de alimentação fornece ao amplificador, apenas 25% dela é usada para a
amplificação do sinal, sendo o restante (75%) consumido na manutenção do ponto
quiescente do transistor no centro da reta de carga.
177
Análise de Amplificadores
No caso de alimentação a pilha ou bateria, esse amplificador em estágio de saída é
completamente antieconômico.
178
Eletrônica Aplicada
Na base do transistor, o sinal AC é acrescido do nível DC de polarização. O sinal AC
da base é praticamente transferido ao emissor, só que com outro nível DC, seguindo
para a carga ZL apenas a componente AC por meio do capacitor de acoplamento C2.
No coletor, há apenas a componente DC que corresponde a VCC, pois a fonte é um
curto para sinal AC.
Observe que nesse amplificador não há defasagem do sinal AC na carga em relação ao
sinal do gerador, pois a tensão do emissor segue a tensão da base.
Esse amplificador pode ter alta capacidade de corrente se a carga tiver valor
adequado, resultando em um ganho de potência entre médio e alto.
Estas características viabilizam esse circuito para a função de estágio de saída de um
amplificador de áudio, já que permite um bom casamento de impedância com o alto-
-falante.
A impedância de entrada entre média e alta também o viabiliza como estágio seguinte
ao pré-amplificador, pois ela casa com a impedância de saída deste último.
Apesar de o ganho de potência estar entre médio e alto, o seu rendimento é muito
baixo, pois o transistor opera todo o tempo na região ativa, dissipando potência para
manter o seu ponto quiescente.
179
Análise de Amplificadores
Figura 7.21 - Condução do sinal AC no amplificador seguidor de emissor classe B.
180
Eletrônica Aplicada
Figura 7.23 - Distorção Figura 7.24 - Polarização em classe AB com
por cross-over. eliminação da distorção por cross-over.
Esse tipo de polarização não permite que o rendimento desse amplificador chegue
próximo de 100%, mas ainda assim, ele é bem maior do que o rendimento dos
circuitos anteriores, pois pode chegar até 78,5%.
Para evitar o aquecimento excessivo dos transistores complementares, eles devem
estar instalados em dissipadores de calor, representados pelas linhas tracejadas em
torno dos transistores da Figura 7.25.
Na montagem, é importante também que os diodos sejam instalados próximos aos
dissipadores de calor, de forma que as variações das tensões VBE1 e VEB2 sejam
acompanhadas pelas variações de VD1 e VD2, tornando o circuito mais estável
termicamente.
181
Análise de Amplificadores
A vantagem desse circuito como etapa de saída de um amplificador de áudio é que,
por estarem os transistores no limite do corte, a amplitude máxima de pico a pico na
carga pode chegar a VCC e a corrente de coletor pode atingir um valor relativamente
alto, garantindo potência suficiente para excitar alto-falantes de potências também
elevadas.
182
Eletrônica Aplicada
Parâmetros do Amplificador Push-Pull com Excitação por Fonte de Corrente
As tabelas seguintes apresentam a ordem de grandeza dos três parâmetros básicos da
etapa de excitação e da etapa push-pull do amplificador de potência transistorizado.
Etapa Push-Pull
Parâmetro Ordem de Grandeza Qualificação
Impedância de entrada Zi unidades a dezenas de quilo-ohms média a alta
183
Análise de Amplificadores
7.4. Controles de Volume e Tonalidade
Os equipamentos de áudio mais modernos possuem controles de volume e de
tonalidade digitalizados, o que garante excelente qualidade e precisão, bem como a
atuação via controle remoto.
Como o objetivo deste capítulo é analisar conceitualmente esses controles, eles serão
apresentados por circuitos que utilizam potenciômetros como atuadores.
184
Eletrônica Aplicada
Figura 7.29 - Controle simples Figura 7.30 - Curva de resposta em
de tonalidade. frequência do controle de tonalidade.
185
Análise de Amplificadores
Figura 7.32 - Amplificador com realimentação.
O transistor Q2 tem a função de fonte de corrente para excitar o estágio de saída, que é
um amplificador push-pull formado por Q3 e Q4.
O resistor R5 faz a realimentação da saída do push-pull para o pré-amplificador,
causando uma pequena redução no ganho total do amplificador, mas reduzindo
também o nível de distorção. O resistor R8 tem a mesma função, mas faz a
realimentação da saída do push-pull para a sua própria entrada.
186
Eletrônica Aplicada
Figura 7.33 - Amplificador em ponte.
187
Análise de Amplificadores
7.6.1. Amplificador de Pequenos Sinais com JFET
A Figura 7.34 mostra um amplificador de pequenos sinais usando um JFET.
188
Eletrônica Aplicada
Outra vantagem é que o JFET é um dispositivo de baixo ruído, o que o torna útil em
circuitos que precisam ter grande sensibilidade de entrada, como no caso de sensores e
medidores diversos.
189
Análise de Amplificadores
7.7. Amplificadores com Circuitos Integrados
Comercialmente são encontrados diversos tipos de amplificadores de áudio integrados.
As maiores vantagens que eles oferecem são a flexibilidade, a confiabilidade e o
tamanho reduzido do circuito final.
Neste tópico, apresentamos dois exemplos de amplificadores integrados com suas
principais especificações e circuitos aplicativos sugeridos pelos manuais dos seus
fabricantes.
190
Eletrônica Aplicada
Observação
THD significa Total Harmonic Distortion, isto é, distorção harmônica total, que é um
parâmetro de avaliação da qualidade de um equipamento de áudio. Para medir a THD,
injeta-se um sinal puro (onda senoidal) na entrada do amplificador e mede-se a
composição harmônica do sinal na saída. A relação entre o somatório dos níveis dos
harmônicos e o nível do sinal original (puro) corresponde à THD do amplificador. Os
bons amplificadores de áudio possuem THD < 0,2%.
A seguir, apresentamos três circuitos aplicativos propostos pelo fabricante para o LM386.
Amplificador com Ganho = 20
Esta é a configuração mais simples para que o LM386 opere como amplificador. Nela,
os pinos 1 e 8 ficam abertos. Em contrapartida, o ganho de tensão é o menor, isto é,
Av = 20 ou 26dB.
191
Análise de Amplificadores
Amplificador com Ganho = 50
Para se obter um ganho entre 20 e 200, acrescenta-se um resistor em série com o
capacitor de 10μF conectado entre os pinos 1 e 8. No circuito da Figura 7.39, esse
resistor é de 1k2Ω, obtendo-se um ganho de tensão Av = 50 ou 34dB. Para esse
circuito recomenda-se também a ligação de um capacitor de 0,1μF entre o pino 7 e o
terra, ou simplesmente aterrar o pino 7.
192
Eletrônica Aplicada
A tabela seguinte apresenta as suas principais especificações:
Observação
THD significa Total Harmonic Distortion, isto é, distorção harmônica total, que é um
parâmetro de avaliação da qualidade de um equipamento de áudio. Para medir a THD,
injeta-se um sinal puro (onda senoidal) na entrada do amplificador e mede-se a
composição harmônica do sinal na saída. A relação entre o somatório dos níveis dos
harmônicos e o nível do sinal original (puro) corresponde à THD do amplificador. Os
bons amplificadores de áudio possuem THD < 0,2%.
A seguir, apresentamos dois circuitos aplicativos propostos pelo fabricante para o
TDA2002.
193
Análise de Amplificadores
Circuito Típico de Amplificador
A Figura 7.41 mostra o circuito típico de um amplificador com TDA2002.
Observações
R1 e R2 definem o ganho de tensão em malha fechada:
R1
Av = +1
R2
CFB e RFB podem ser usados para ajustar a largura de banda (BW) depois de
definido o ganho pela razão R1/R2:
1
C FB ≅ e R FB ≅ 20.R 2
2.π.BW.R 1
194
Eletrônica Aplicada
Figura 7.42 - Amplificador de 15W em ponte.
Exercício Resolvido
Um amplificador foi testado em laboratório e obtiveram-se as especificações dadas a
seguir:
195
Análise de Amplificadores
b) Ganho de tensão com carga (RL = 8Ω) - Av
VLppmáx 7, 2
Av = ⇒ Av = ⇒ A v = 28,8 ou
Vippmáx 250.10− 3
A v (dB) = 20. log A v = 20. log 28,8 ⇒ A vo = 29,2dB
c) Potência máxima de saída com carga - pLmáx
VLppmáx 2 7, 2 2
p Lmáx = ⇒ p Lmáx = ⇒ p Lmáx = 0,81W
8.R L 8 .8
d) Ganho de potência do amplificador - Ap
O ganho de potência pode ser dado por:
p Lmáx
Ap =
p imáx
A potência máxima na entrada (pimáx) vale:
Vippmáx 2 (250.10−3 ) 2
pimáx = ⇒ pimáx = ⇒ pimáx = 977 nW
8.Zi 8.8.103
Assim:
p Lmáx 0,81
Ap = ⇒ Ap = ⇒ A p = 829068 ou
pimáx 977.10− 9
A p (dB) = 10. log A p = 10. log 829068 ⇒ A p = 59,2dB
196
Eletrônica Aplicada
e) Ganho de tensão e de potência com carga (Av e Ap)
f) Ganho de tensão e de potência com carga em dB
7.2) Considere o amplificador de áudio da Figura 7.44 formado por dois estágios
(A1 e A2) ligados em cascata.
Dados do gerador:
Vgpp = 0,5mV (aberto) ; Zg = 600Ω
Dados do amplificador 1:
Zi1 = 800Ω ; Zo1 = 1kΩ ; Avo1 = 80
Dados do amplificador 2:
Figura 7.44 - Amplificador de áudio
em dois estágios. Zi2 = 2kΩ ; Zo2 = 300Ω ; Avo2 = 40
Dado da carga:
ZL = 8Ω
Determine:
a) As tensões de entrada e de saída pico a pico do amplificador 1 sem carga
(Vi1pp e VLo1pp)
b) A tensão de saída pico a pico, o ganho de tensão e o ganho de potência do
amplificador 1 conectado ao amplificador 2 (VL1pp, Av1 e Ap1)
c) As tensões de entrada e de saída pico a pico do amplificador 2 sem carga
(Vi2pp e VLo2pp)
d) A tensão de saída pico a pico, o ganho de tensão e o ganho de potência do
amplificador completo (VLpp, Av e Ap)
e) O ganho de tensão e o ganho de potência do amplificador completo em dB
197
Análise de Amplificadores
7.3) Identifique a função dos capacitores C1, C2 e C3 no circuito da Figura 7.45.
7.4) Analise o circuito da Figura 7.46 e identifique a função de P1, P2 e P3 dado que
se trata de um circuito de controle de volume e tonalidade (graves e agudos).
I II
Características Configuração
a) Zi = 5MΩ Zo = 5kΩ Avo = 15 a) Amplificador de pequenos
(com inversão de fase) sinais (emissor comum)
b) Zi = 5kΩ Zo = 5kΩ Avo = 50 b) Amplificador seguidor de
(com inversão de fase) emissor (classe A)
c) Zi = 5kΩ Zo = 15Ω Avo = 1 c) Amplificador de pequenos
(sem inversão de fase) sinais (com MOSFET)
198
Eletrônica Aplicada
8
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
199
Amplificador Operacional
Alguns amplificadores operacionais só funcionam de forma adequada quando
alimentados por tensão simétrica, isto é, com potenciais positivo e negativo em
relação ao terra (GND) do circuito.
Já, outros tipos permitem que o terminal negativo (−VCC) seja o próprio GND.
O circuito equivalente do amplificador operacional é apresentado na Figura 8.2.
Vo = A o .(V + − V − ) ou Vo = A o .Ve
200
Eletrônica Aplicada
c) Ganho de Tensão em Malha Aberta - Ao
No amplificador operacional ideal, o ganho de tensão em malha aberta é infinito,
garantindo amplificação máxima de qualquer diferença entre as tensões aplicadas aos
terminais de entrada.
No amplificador operacional real, o ganho de tensão em malha aberta é muito elevado,
desde alguns milhares até centenas de milhares de vezes.
d) Largura de Banda - LB
No amplificador operacional ideal, a largura de banda é infinita, ou seja, todos os
sinais de entrada são amplificados, desde sinais DC até AC de frequência infinita.
No amplificador operacional real, a largura de banda é relativamente alta, desde DC
até AC com centenas de mega-hertz, no entanto o ganho de tensão cai com o aumento
da frequência, conforme mostra a Figura 8.3.
e) Tensão de Off-Set
No amplificador operacional ideal, a tensão de saída é nula para tensões de entrada
iguais ou nulas.
No amplificador operacional real, mesmo que as entradas estejam aterradas, há tensão
na saída, devido às imperfeições dos dispositivos que o compõem.
201
Amplificador Operacional
Há, no entanto, formas de obter tensão simétrica a partir de fonte de alimentação
simples, como mostram as Figuras 8.4(a) e 8.4(b).
202
Eletrônica Aplicada
Como vimos, o amplificador operacional possui uma impedância de entrada muito
alta, de modo que a corrente que flui por R1 é desviada diretamente para R2.
Aplicando a lei de Ohm aos dois resistores, temos:
Vi − Ve − (Vo − Ve ) R 2 Vo − Ve
= ⇒ − = (1)
R1 R2 R 1 Vi − Ve
Vo
Vo = A o ⋅ Ve ⇒ Ve =
Ao
R 2 Vo − Ve R 2 Vo − 0 R 2 Vo
− = ⇒− = ⇒− =
R1 Vi − Ve R1 Vi − 0 R1 Vi
R2
Av = −
R1
O sinal negativo na fórmula do ganho reflete a inversão de fase que ocorre no sinal de
saída em relação ao sinal de entrada.
203
Amplificador Operacional
Exercícios Resolvidos
1) Dado o circuito da Figura 8.6, determine a forma de onda da tensão de saída.
Dados:
R1 = 1kΩ
R2 = 15kΩ
RL = 10kΩ
VCC = ±12V
Vi = 200mV
Figura 8.6 - Aplicação do amplificador inversor.
R2 15.103
Av = − ⇒ Av = − ⇒ A v = −15
R1 1.103
A tensão de saída, nesse caso, vale:
Vo = A v .Vi ⇒ Vo = − 15 .200 . 10 − 3 ⇒ Vo = − 3 V
A Figura 8.7 mostra as formas de onda na entrada e na saída.
204
Eletrônica Aplicada
O sinal negativo indica que o sinal de entrada aparece na saída com uma
inversão de fase, conforme a Figura 8.8.
Como o módulo do ganho desse circuito é 15, a máxima tensão de entrada que
pode ser aplicada ao amplificador sem que ele sature vale:
Vsat Vsat ± 11,4
Av = ⇒ Vimáx = ⇒ Vimáx = ⇒ Vimáx = ±0,76V
Vimáx Av 15
205
Amplificador Operacional
8.2.2. Amplificador Não Inversor
O circuito do amplificador não inversor está na Figura 8.10.
Neste, o resistor da entrada inversora (R1) está aterrado e há também um resistor de reali-
mentação (R2) que liga a saída à entrada inversora. O sinal de entrada Vi é ligado direta-
mente ao terminal não inversor, de modo que o sinal amplificado não terá fase invertida.
Nesse amplificador, o ganho de tensão de malha fechada é dado por:
R2
Av= 1 +
R1
Exercícios Resolvidos
1) Dado o circuito da Figura 8.11, determine a forma de onda da tensão de saída.
Dados:
R1 = 1kΩ
R2 = 15kΩ
RL = 10kΩ
VCC = ±12V
Vi = 200mV
Figura 8.11 - Aplicação do amplificador não inversor.
R2 15.103
Av= 1 + ⇒A v = 1 + ⇒ A v = 16
R1 1.103
A tensão de saída, nesse caso, vale:
206
Eletrônica Aplicada
A Figura 8.12 apresenta as formas de onda na entrada e na saída.
Vo = 16.Vi ⇒ Vo = 16.500.10 −3 ⇒ Vo = 8V
vo = 8.cosωt [V]
207
Amplificador Operacional
Figura 8.14 - Somador de tensão.
R
Vo ( V1 V2 V3 ...... Vn )
Rn
Vo (V1 V2 V3 ...... Vn )
R2 R4 R2
Vo 1 V2 V1
R1 R3 R 4 R1
R4 R2
Caso , a expressão da tensão de saída é:
R 3 R1
208
Eletrônica Aplicada
R2
Vo = ⋅ (V2 − V1 )
R1
Vo = V2 − V1
Exercícios Resolvidos
1) Determinar a tensão de saída Vo dos circuitos apresentados em seguida:
a) Dados:
R1 = 10kΩ
R2 = 10kΩ
R3 = 10kΩ
VCC = ±12V
Figura 8.16 - Aplicação do somador de tensão. V1 = 1V
V2 = 3V
Como R1 = R2 = R3 = 10kΩ, a tensão de saída vale:
Vo = −( V1 + V2 ) ⇒ Vo = −(1 + 3) ⇒ Vo = −4V
b) Dados:
R1 = 2,2kΩ
R2 = 22kΩ
R3 = 1kΩ
R4 = 10kΩ
VCC = ±12V
V1 = 0,25V
Figura 8.17 - Aplicação do subtrator de tensão. V2 = 1V
209
Amplificador Operacional
2) Determine as formas de ondas das tensões de entrada e de saída do exercício
1(a), considerando-se V1 = 1V e v2 = 3.senωt [V].
Assim como no exercício 1(a), a tensão de saída vale:
v o = −( V1 + V2 ) ⇒ vo = −(1 + 3. sen ωt ) ⇒ v o = ( −1 − 3. sen ωt )V
Nesse caso, a tensão de saída tem uma componente DC dada por V1 somada a
uma componente AC dada por v2. Tanto o sinal DC como o AC aparecem na
saída invertidos (ganho negativo), conforme a Figura 8.18.
210
Eletrônica Aplicada
Cálculo de V1:
Trata-se da saída de um amplificador não inversor cuja expressão é dada por:
⎛ 3R ⎞
V1 = ⎜1 + ⎟.A ⇒ V1 = 4.A
⎝ R ⎠
Cálculo de V2:
Trata-se da saída de um somador de tensão cuja expressão é dada por:
2R
V2 = − ⋅ (B + C) ⇒ V2 = −2 ⋅ ( B + C)
R
Cálculo de Vo:
Na saída tem-se um subtrator de tensão cuja expressão é dada por:
R
Vo = ⋅ (V2 − V1 ) ⇒ Vo = 2.[− 2.(B + C ) − 4.A ] ⇒
R
2
Vo = −8.A − 4.B − 4.C
211
Amplificador Operacional
Em seguida, apresentamos alguns tipos que são suficientes para possibilitar a imple-
mentação de diversos outros comparadores.
Cada comparador possui uma curva de transferência que representa o seu compor-
tamento, ou seja, que indica a tensão da saída a partir da tensão da entrada.
Comparadores de Zero
A Figura 8.21(a) mostra o circuito do comparador de zero não inversor cuja saída é
positiva quando Vi > 0 e negativa quando Vi < 0. A Figura 8.21(b) mostra a curva de
transferência desse comparador.
212
Eletrônica Aplicada
Exercícios Resolvidos
Esboce os sinais de entrada e saída dos circuitos comparadores dados a seguir:
a) Dados:
vi = 10.senωt [V]
VCC = ±12V
Vsat = ±95% de VCC
Figura 8.23 - Circuito comparador.
b) Dados:
vi = 10.senωt [V]
VCC = ±12V
Vsat = ±95% de VCC
Figura 8.25 - Circuito comparador.
213
Amplificador Operacional
Trata-se de um comparador de zero
não inversor no qual Vo = +Vsat
quando vi > 0 e Vo = –Vsat quando
vi < 0.
Dado que Vsat = ±11,4V (como no
exercício anterior), têm-se as formas
de onda representadas na Figura
8.26.
Comparadores de Nível
A Figura 8.27(a) apresenta o circuito do comparador de nível não inversor cuja tensão
de referência VR é dada por um potenciômetro. Nesse circuito a saída é positiva
quando Vi > VR e negativa quando Vi < VR. A Figura 8.27(b) mostra a curva de
transferência desse comparador, considerando-se VR > 0.
214
Eletrônica Aplicada
Figura 8.28 - Comparador de nível inversor.
Note que, nos dois circuitos comparadores de nível, pode-se ajustar VR de +VCC a
–VCC de acordo com a necessidade.
Exercícios Resolvidos
Esboce os sinais de entrada e saída dos circuitos comparadores dados a seguir:
a) Dados:
vi = 10.senωt [V]
VCC = ±12V
Vsat = ±95% de VCC
VR = 7V
Figura 8.29 - Circuito comparador.
215
Amplificador Operacional
b) Dados:
vi = 10.senωt [V]
VCC = ±12V
Vsat = ±95% de VCC
VR = 7V
Figura 8.31 - Circuito comparador.
Trata-se de um comparador
de nível não inversor no qual
Vo = +Vsat quando vi > 7V (VR) e
Vo = –Vsat quando vi < 7V (VR).
Dado que Vsat = ±11,4V (como
no exercício anterior), têm-se as
formas de onda representadas na
Figura 8.32.
Schmitt Trigger
O comparador denominado Schimitt Trigger se diferencia dos anteriores pelo fato de
gerar a tensão de referência VR a partir da tensão de saída Vo, produzindo uma
histerese na sua curva de transferência.
A Figura 8.33(a) mostra o
circuito de um comparador
Schmitt Trigger cuja tensão de
referência VR pode ser positiva
ou negativa, dependendo da
tensão de saída Vo.
216
Eletrônica Aplicada
A tensão de referência VR é dada por:
R1
VR = ⋅ Vo em que Vo = ±Vsat
R1 + R 2
217
Amplificador Operacional
Exercício Resolvido
Esboce os sinais de entrada e saída do circuito comparador dado a seguir:
Dados:
vi = 10.senωt [V]
VCC = ±12V
Vsat = ±95% de VCC
R1 = 6,8kΩ
R2 = 10kΩ
Assim:
6,8.103
VR = .11,4 ⇒ VR = ±4,6V
6,8.103 + 10.103
218
Eletrônica Aplicada
8.2.6. Diferenciador e Integrador Ativos
Diferenciador Ativo
O diferenciador é um filtro passa-altas (FPA) cuja frequência do sinal de entrada é
bem menor do que a sua frequência de corte (f << fc).
Na Figura 8.37(a) observe o circuito do diferenciador ativo e na Figura 8.37(b) a sua
curva de resposta em frequência.
1
fc =
2.π.R.C
dv i
v o = −R.C.
dt
Na prática, caso a tensão de entrada seja uma forma de onda quadrada, a tensão de
saída será formada por impulsos positivos e negativos sincronizados com as transições
da onda quadrada, conforme indica a Figura 8.38.
219
Amplificador Operacional
Figura 8.38 - Formas de onda.
Integrador Ativo
O integrador é um filtro passa-baixas (FPB) cuja frequência do sinal de entrada é bem
maior do que a sua frequência de corte (f << fc).
A Figura 8.39(a) exibe o circuito do integrador ativo e a Figura 8.39(b) a sua curva de
resposta em frequência.
1
fc =
2.π.R.C
Para frequências menores que fc, o capacitor comporta-se como uma alta impedância,
de modo que o circuito funciona como um amplificador inversor de ganho muito
elevado, ou seja, a tensão de saída é Vsat.
220
Eletrônica Aplicada
Para frequências bem maiores que fc, o capacitor mantém a sua característica de
função diferencial envolvendo corrente e tensão, de modo que a tensão de saída vo é
proporcional à integral da tensão de entrada vi, ou seja:
1
vo = −
R.C ∫
vi .dt
Na prática, caso a tensão de entrada seja uma forma de onda quadrada, a tensão de
saída terá o aspecto de uma onda triangular, conforme mostra a Figura 8.40.
221
Amplificador Operacional
8.2) Determine Vimáx para o circuito apresentado na Figura 8.42.
Dados:
VCC = ±12V
R1 = 2,7 kΩ
R2 = 47 kΩ
Figura 8.42 - Amplificador não inversor.
Vsat = ±95% de VCC
222
Eletrônica Aplicada
9
CIRCUITOS MULTIVIBRADORES
9.1. Introdução
Os circuitos multivibradores têm a função de produzir pulsos em forma de onda
quadrada, e podem ser classificados em astável, monoestável e biestável.
O multivibrador astável caracteriza-se por gerar pulsos com os dois estados não
estáveis, isto é, a sua saída oscila continuamente entre o nível baixo e o nível alto.
O multivibrador monoestável gera pulsos com um estado estável e outro não estável,
isto é, a saída fica permanentemente no estado estável até que um pulso externo
provoca a sua mudança para o estado não estável. Após um período predeterminado,
retorna ao estado inicial.
O multivibrador biestável caracteriza-se por gerar pulsos com os dois estados estáveis,
isto é, a cada pulso externo a saída muda de um estado permanente para outro,
também permanente. Esse último pode ser implementado por meio de portas lógicas,
recebendo a denominação de flip-flop.
Desses três tipos de multivibrador interessam apenas os dois primeiros, por serem
mais úteis em sistemas eletrônicos analógicos, como os analisados no livro.
223
Circuitos Multivibradores
Figura 9.1 - Multivibrador astável.
A saída do circuito pode ser o coletor de Q1, o coletor de Q2 ou ambos, caso haja
interesse em aproveitar os dois sinais. Para efeito de análise, consideraremos como
saída apenas o coletor de Q2.
Os estados não estáveis são provocados pelos transistores que se alternam entre o
corte e a saturação, ou seja, quando Q1 está cortado, Q2 está saturado e a tensão de
saída vo está em nível baixo (tensão de saturação do transistor); quando Q1 está
saturado, Q2 está cortado e a tensão de saída está em nível alto (próxima ao valor de
VCC).
Esses estados alternam-se continuamente em intervalos de tempo que dependem dos
componentes ligados aos transistores, os quais devem ser do mesmo tipo (ambos NPN
e de mesmo código ou equivalentes).
Para chegarmos às fórmulas que possibilitam o projeto do multivibrador astável
transistorizado, fazemos, inicialmente, algumas considerações quanto a valores a
serem utilizados para os transistores nas condições de corte e saturação:
VCEsat ≅ 0,3V e VCEcorte ≅ VCC
VBEsat ≅ 0,7V e VBEcorte < 0,6V
hFEsat ≅ hFEmín / 2
Nesse circuito, R3 e R4 devem ser iguais e são dimensionados para limitar a corrente
nos transistores quando eles estiverem saturados. Uma vez adotado o valor da corrente
de coletor de saturação ICsat em função do tipo de transistor, o valor de R3 e de R4
pode ser determinado por:
VCC − VCEsat
R3 = R 4 =
I Csat
224
Eletrônica Aplicada
ou cortado, ou seja, eles são responsáveis por determinar o período da forma de onda
de saída.
A Figura 9.2 mostra as formas de onda resultantes no coletor de Q1 e de Q2.
Observe que elas são invertidas pelo fato de os transistores terem comportamentos
contrários nos mesmos intervalos de tempo.
Os resistores R1 e R2 devem também ser idênticos, pois ambos precisam garantir a
saturação dos transistores, que são iguais. Portanto:
Para o cálculo dos capacitores e as condições para a escolha dos transistores, vejamos,
de forma bem objetiva, como funciona o circuito.
Vamos considerar inicialmente que o circuito seja simétrico, isto é, além de Q1 = Q2,
R1 = R2 e R3 = R4, adotaremos também C1 = C2. Essas igualdades referem-se apenas
ao código dos transistores e aos valores nominais dos resistores e capacitores.
Sabemos que todos esses dispositivos têm tolerâncias. Pequenas diferenças
determinam um comportamento inicial dos transistores no momento em que o circuito
é alimentado, isto é, um deles fatalmente é levado à condição de corte, enquanto o
outro vai para a condição de saturação.
Para a análise vamos supor que inicialmente Q1 esteja saturado e Q2 cortado. Assim,
VCE1 ≅ 0,3V e VCE2 ≅ VCC. Nesse caso, enquanto o transistor Q1 está praticamente em
curto com o terra, o transistor Q2 está aberto.
Portanto, se C1 tinha alguma carga, ele se descarrega pelo coletor de Q1 e carrega-se
por R1, elevando gradativamente o potencial da base de Q2, de modo que, após um
intervalo de tempo, ele é levado do corte à saturação.
225
Circuitos Multivibradores
Simultaneamente, o transistor Q1, que estava saturado, é levado à condição de corte.
Esse processo repete-se indefinidamente e a forma de onda gerada tem um período T
que depende essencialmente das constantes de tempo R1.C1 e R2.C2.
O caso mais comum é adotar também C1 = C2 para que a onda quadrada seja
aproximadamente simétrica. Nesse caso, o período T pode ser calculado por:
⎡ 2.VCC − 0,4 ⎤ 1
T = 2.R1.C1. ln ⎢ ⎥ em que T =
⎣ VCC − 0,6 ⎦ f
Exercício Resolvido
Projete um multivibrador astável de 1kHz para ser utilizado como circuito de clock
de um sistema digital TTL.
Como o objetivo é aplicá-lo em um sistema digital TTL, use VCC = 5V. O transistor
escolhido é o BC547A, que opera bem nessa frequência e suporta essa tensão.
Especificações do BC547A:
hFEmín = 110
ICmáx = 100mA
BVCEO = 45 V
VCEsat = 0,3V
VBEsat = 0,7V
Dado do circuito:
Figura 9.3 - Multivibrador astável. ICsat = 10mA (<<ICmáx)
226
Eletrônica Aplicada
a) Cálculo de R1 e R2:
I Csat 10.10 −3
I Bsat = ⇒ I Bsat = ⇒ I Bsat = 182μA
hFE sat 55
VCC − VBEsat 5 − 0,7
R1 = R 2 = ⇒ R1 = R 2 = ⇒ R1 = R 2 = 23,6kΩ
I Bsat 182.10− 6
⎡ 9,6 ⎤
1.10−3 = 2.22.103.C1. ln ⎢ ⎥ ⇒ 1.10−3 = 44.103.C1.0,78 ⇒
⎣ 4,4 ⎦
1.10−3
C1 = ⇒ C1 = 29nF
44.103.0,78
227
Circuitos Multivibradores
9.2.2. Multivibrador Monoestável
A Figura 9.4 mostra o circuito do multivibrador monoestável a transistor.
Ao ligar o circuito, o capacitor C1, carregado por meio de R1, leva fatalmente o
transistor Q2 à saturação e, consequentemente, Q1 está cortado. Nesse caso, a saída vo
está em nível baixo.
A garantia do corte inicial de Q1 é que, sendo VCE2sat ≅ 0,3V, esse valor é aplicado,
por meio de R2, à base de Q1. Mas VCE2sat é menor do que VBE1 de condução, que é da
ordem de 0,6V, de modo que Q1 está cortado.
Este é o estado estável do multivibrador, ou seja, Q1 cortado e Q2 saturado, conforme
mostram os gráficos de VCE1 e VCE2 no intervalo de tempo inicial, entre t0 até t1, de
acordo com a Figura 9.5.
228
Eletrônica Aplicada
Ligado à base de Q1 há o capacitor C2 e um terminal de entrada para pulsos externos.
Aplicando um pulso externo muito estreito a esse terminal, ele leva imediatamente Q1
à condução, desencadeando o seguinte ciclo: o potencial do coletor de Q1 reduz,
diminuindo também o potencial do outro terminal de C1 que está ligado à base de Q2,
levando este ao corte.
O corte de Q2 faz com que o potencial de seu coletor atinja VCC, que é aplicado à base
de Q1 por meio de R2, levando-o à saturação.
Esse estado é não estável, pois assim permanece enquanto C1 estiver se carregando
por meio de R1 e se essa carga não for suficiente para novamente levar Q2 à saturação.
Quando isso ocorre, Q1 novamente corta e o circuito volta à condição inicial, assim
permanecendo até que outro pulso externo seja aplicado.
O estado não estável é representado por Tm na Figura 9.5 no intervalo entre t1 e t2.
Nesse circuito, o cálculo de R3 e R4 deve ser feito baseado na condição de saturação
dos transistores. Portanto:
VCC − VCEsat
R3 = R 4 =
ICsat
R1 = R 2 + R 4 ⇒ R 2 = R1 − R 4
⎡ 2.VCC − 0,4 ⎤
Tm = R1.C1. ln ⎢ ⎥
⎣ VCC − 0,6 ⎦
229
Circuitos Multivibradores
Exercício Resolvido
Projete um multivibrador monoestável para acionar um ventilador durante cinco
minutos.
Nesse caso, o monoestável é usado para acionar uma interface de potência com relé,
a qual aciona o ventilador, conforme mostra a Figura 9.6.
Considere uma interface de potência acionada por sinal de 12V e use essa tensão
para alimentar o monoestável.
O transistor escolhido pode ser o BC547A que atende às exigências desse circuito.
Especificações do BC547A:
hFEmín = 110
ICmáx = 100mA
BVCEO = 45V
VCEsat = 0,25V
VBEsat = 0,7V
Adote ICsat = 5mA.
a) Cálculo de R1:
h FE 2mín 110
hFE 2sat = ⇒ hFE 2sat = ⇒ hFE 2sat = 55
2 2
I C 2sat 5.10 −3
I B2sat = ⇒ I B2sat = ⇒ I B2sat = 91μA
hFE 2sat 55
230
Eletrônica Aplicada
VCC − VBE 2sat 12 − 0,7
R1 = ⇒ R1 = ⇒ R1 = 124kΩ
I B2sat 91.10− 6
Valor comercial adotado R1 = 120kΩ
b) Cálculo de R3 e R4:
Tm = 5 min = 300s
⎡ 23,6 ⎤
300 = 120.103.C1. ln ⎢ 3
⎥ ⇒ 300 = 120.10 .C1.0,73 ⇒
⎣ 11, 4 ⎦
300
C1 = ⇒ C1 = 3,42mF
120.103.0,73
231
Circuitos Multivibradores
Figura 9.7 - Multivibrador astável com amplificador operacional.
232
Eletrônica Aplicada
R2
Nesse caso, o valor de V2 é dado por V2 = .VCC
R2 + R3
O capacitor C1 se carrega com tensão negativa por meio de R1, tendendo a −VCC. Mas
quando V1 ultrapassa V2, sendo ambas negativas, o potencial no ponto 2 torna-se
positivo em relação ao ponto 1, fazendo com que o operacional sature em +VCC.
Então, o processo se inverte: a tensão V2 passa a ser uma parcela positiva de +VCC e o
capacitor carrega-se com polaridade invertida, até que V1 ultrapasse V2. Isso faz com
que o potencial no ponto 1 torne-se positivo em relação ao ponto 2, saturando
novamente o operacional em −VCC.
O período da tensão de saída é dado por:
⎡ 2.R 2 ⎤ 1
T = 2.R1.C1. ln ⎢1 + em que T =
⎣ R 3 ⎥⎦ f
Exercício Resolvido
Projete um multivibrador astável de 1kHz com amplificador operacional.
Note que o projeto desse circuito é extremamente simples. Conhecido o período da
forma de onda, é preciso calcular C1, R1, R2 e R3.
Nesse caso, adote valores para R2, R3 e C1 e calcule R1.
Adotando-se R2 = R3 = 10kΩ e C1 = 100nF, tem-se:
1 1
T= ⇒T= ⇒ T = 1ms
f 1.103
⎡ 2.R 2 ⎤ −3 −9 ⎡ 2.10.103 ⎤
T = 2.R1.C1. ln ⎢1 + ⇒ 1 . 10 = 2.R 1.100.10 . ln ⎢1 + ⎥⇒
⎣ R 3 ⎥⎦ ⎣⎢ 10.103 ⎦⎥
1.10 −3
R1 = ⇒ R1 = 4549Ω
2.100.10 − 9.1,099
233
Circuitos Multivibradores
9.4. Multivibradores com Temporizador 555
O temporizador (timer) 555 é um circuito integrado de oito pinos que possibilita
projetar diversos aplicativos por meio da conexão de componentes externos.
O seu diagrama em blocos interno está na Figura 9.9.
234
Eletrônica Aplicada
referência para a comparação com o da entrada não inversora, denominada limiar e
ligada ao pino 6.
No comparador inferior, a entrada não inversora tem um potencial fixo de VCC/3, que
é a referência para a comparação com o da entrada inversora, denominada disparador
e ligada ao pino 2.
A seguir, mostramos como esse circuito integrado é versátil, embora nos limitemos ao
projeto dos multivibradores astável e monoestável.
235
Circuitos Multivibradores
Em primeiro lugar, vemos que o terminal de reset (pino 4) está ligado em +VCC, de
modo que ele se encontra desabilitado. O terminal de controle (pino 5) encontra-se
ligado a um capacitor C2 = 0,01μF (proposto pelo manual do fabricante), de forma que
o potencial na entrada inversora do comparador superior dependa apenas da tensão de
alimentação, pois fica fixado em 2.VCC/3.
Consideremos que o capacitor C1 esteja inicialmente descarregado. Ao ligar a
alimentação, a saída do comparador superior está em nível baixo e a do comparador
inferior em nível alto, ou seja, S = 0 e R = 1.
No flip-flop, a entrada R (reset) ativada impõe Q = 0, cortando o transistor, enquanto
Q = 1 (pino 3), de modo que a saída encontra-se inicialmente em nível alto
(Vo = +VCC) no instante t0, como vemos no gráfico da Figura 9.10(c).
Com o transistor cortado, a fonte de alimentação carrega o capacitor C1 por meio dos
resistores R1 e R2.
Quando a tensão do capacitor ultrapassa VCC/3 no instante t1, o comparador superior
ainda não muda o nível lógico de sua saída. O comparador inferior troca a sua saída,
de modo que R = 0. Nessa condição (R = S = 0), o flip-flop ainda mantém as suas
saídas (Q = 0 e Q = 1).
Quando a tensão do capacitor atinge 2.VCC/3 no instante t2, o comparador inferior é
que permanece inalterado, com R = 0. O comparador superior troca a sua saída,
ficando com S =1. Nessa condição (S = 1 e R = 0), o flip-flop muda a saída Q para
nível alto, saturando o transistor, e a saída Q , que é efetiva do circuito, para nível
baixo (Vo = 0).
Com o transistor saturado o seu coletor é aterrado, fazendo com que o capacitor se
descarregue por meio de R2, até que a sua tensão caia abaixo de VCC/3 no instante t3.
Então, o circuito volta à condição inicial e o processo se repete, gerando a onda
quadrada visualizada na Figura 9.10(c).
O semiciclo em que a saída (pino 3) se encontra em nível alto e que denominamos de T1
depende da constante de tempo C1.(R1+ R2). O semiciclo em que ela se encontra em
nível baixo e que denominamos de T2 depende da constante de tempo C1.R2, sendo:
Para que a onda quadrada gerada na saída seja aproximadamente simétrica (T1 ≅ T2),
adota-se R1 << R2.
236
Eletrônica Aplicada
Exercício Resolvido
Projete um sinalizador com dois LEDs piscando alternadamente, como mostra a
Figura 9.11. Considere que cada LED deve ficar aceso durante 1s.
Especificações dos LEDs:
VF = 1,7V
IF = 10mA
Dado do circuito:
VCC = 5V
237
Circuitos Multivibradores
9.4.2. Multivibrador Monoestável
A Figura 9.12 apresenta o circuito do multivibrador monoestável implementado a
partir do temporizador 555, bem como as formas de onda de interesse.
Nesse circuito, temos também o terminal de reset (pino 4) ligado em +VCC, de modo
que ele se encontra desabilitado. O terminal de controle (pino 5) está ligado a um
capacitor C2 = 0,01μF (proposto pelo manual do fabricante), de modo que o potencial
na entrada inversora do comparador superior fique na dependência apenas da tensão
de alimentação, pois fica fixado em 2.VCC/3.
238
Eletrônica Aplicada
Consideremos ainda que o capacitor C1 esteja inicialmente descarregado e que a
tensão externa aplicada no pino 2, ou seja, na entrada do disparador (trigger),
encontre-se em +VCC.
Nesse caso, ao ligar a alimentação, as saídas dos dois comparadores estão em nível
baixo, de modo que temos S = R = 0.
Essa condição não é suficiente para se prever o nível lógico das saídas Q e Q do
flip-flop, mas, conforme a análise mostrará, o máximo que pode ocorrer com esse
circuito é um ciclo indesejável de carga do capacitor C1.
Tm = 1,1.R1.C1
239
Circuitos Multivibradores
Exercício Resolvido
Projete um multivibrador monoestável com temporizador 555 que tenha um estado
não estável com período controlado por um potenciômetro (P1), como mostra a Figura
9.13. O tempo de ativação da saída deve variar de 1s a 10min.
Especificações do circuito:
VCC = 5V
Tmín = 1s
Tmáx = 10min
Tm = 1,1.(R1 + P1 ).C1
1
Tmín = 1,1.(R1 + 0).C1 ⇒ 1 = 1,1.R1.470.10 − 6 ⇒ R1 = ⇒ R1 = 1934Ω
1,1.470.10 − 6
600 − 931.10 −3
P1 = ⇒ P1 = 1,16MΩ
517.10 −6
240
Eletrônica Aplicada
9.5. Exercícios Propostos
9.1) Determine os valores comerciais dos resistores e capacitores do multivibrador
astável de 2kHz, com forma de onda simétrica na saída, dado na Figura 9.14.
Dados do circuito:
ICsat = 20mA
VCC = 10V
Especificações do BC548B:
hFEmín = 200
ICmáx = 100mA
BVCEO = 30V
VCEsat = 0,25V
Figura 9.14 - Multivibrador astável.
VBEsat = 0,7V
9.2) Determine a frequência de saída do multivibrador astável com amplificador
operacional dado na Figura 9.15.
Dados do circuito:
VCC = ±10V
R1 = 22kΩ
R2 = 15kΩ
R3 = 1kΩ
C1 = 100nF
241
Circuitos Multivibradores
9.3) Considere o circuito de um multivibrador astável com 555 apresentado na
Figura 9.16.
Dados do circuito:
VCC = 12V
R1 = 10kΩ
R2 = 4,7kΩ
C1 = 1μF
242
Eletrônica Aplicada
10
CIRCUITOS DE CONTROLE DE
POTÊNCIA A TIRISTOR
243
Circuitos de Controle de Potência a Tiristor
10.1.1. Funcionamento do SCR
Ao analisarmos a estrutura interna do SCR, Figura 10.1(b), vemos que ele é formado
por três junções PN, como se fosse composto por três diodos retificadores, conforme o
modelo da Figura 10.2.
244
Eletrônica Aplicada
Observe que o terminal de gatilho está conectado simultaneamente ao coletor de T1 e à
base de T2.
A Figura 10.4 mostra as diversas correntes que
circulam por essa estrutura. A corrente de anodo IA
coincide com a corrente IE1 de emissor do transistor
T1. Considerando que a corrente de gatilho é um
pequeno pulso cujo valor é desprezível em relação
a IA, temos que a corrente IE2 de emissor do
transistor T2 é também IA.
Vamos agora, de uma forma muito simples, expli-
car o que torna possível a condução do SCR
quando estiver polarizado diretamente e um pulso
for aplicado ao terminal de gatilho.
Considerando o terminal anodo (A) positivo em
relação ao catodo (K) e o terminal de gatilho em
aberto, o transistor T2 encontra-se cortado, de
modo que não circula corrente do anodo para o
catodo.
Figura 10.4 - Correntes no
modelo do SCR.
245
Circuitos de Controle de Potência a Tiristor
Podemos observar que na polarização reversa ela é igual à curva do diodo retificador,
ou seja, há apenas uma pequena corrente de portadores minoritários que, na maioria
das aplicações, pode ser considerada desprezível.
Na polarização direta, a curva do SCR é muito parecida com a do diodo retificador,
com exceção da saliência que representa as condições para o disparo do dispositivo.
246
Eletrônica Aplicada
Figura 10.6 - Especificações do SCR.
247
Circuitos de Controle de Potência a Tiristor
Parâmetro Símbolo Valor
Tensão de ruptura reversa máxima VRRM 500V
Corrente de anodo média admissível IT(AV) 7,5A
Corrente de anodo eficaz admissível IT(RMS) 12A
Corrente de manutenção IH 20mA
Corrente de retenção IL 40mA
Corrente máxima de disparo do gatilho IGT 15mA
Tensão de condução VT 1,4V
Tensão de disparo do gatilho VGT 0,6V
Ligando-se a chave S1, embora o SCR esteja polarizado diretamente, ele permanece
bloqueado e a lâmpada apagada.
Fechando-se a chave S2, a tensão VG do divisor de tensão formado por R1 e R2 é
aplicada ao terminal de gatilho do SCR. Assim, a corrente IG e a tensão VAK são
suficientes para colocá-lo em condução, desde que a corrente de anodo seja maior do
que IL. Finalmente, a lâmpada acende.
Abrindo-se a chave S2, o SCR permanece em condução e a lâmpada continua acesa.
Para bloquear o SCR, pode-se abrir a chave S1, de modo que a corrente de anodo caia
abaixo da corrente de manutenção IH. O mesmo ocorre caso a chave S3 seja fechada,
pois toda corrente é desviada para ela, anulando a corrente de anodo.
248
Eletrônica Aplicada
Nesse último caso, enquanto S3 estiver fechada, a lâmpada permanece acesa, mas o
SCR fica bloqueado. Ao abrir S3, a lâmpada apaga.
Com a chave S1 aberta, o SCR não conduz nos semiciclos positivo e negativo, pois ele
se encontra bloqueado.
Quando a chave fecha, o SCR ainda está bloqueado. Vamos supor que o fechamento
ocorra no exato momento do início do semiciclo positivo. Nesse caso, a junção
gatilho-catodo, que tem a mesma estrutura de um diodo, coloca R2 em curto, pois ela
está diretamente polarizada.
Assim, a corrente passa pelo diodo D1, por R1 e pela junção gatilho-catodo. Quando
ela atingir um determinado valor IG e a tensão da rede um determinado valor VAK, que
combinados propiciem o disparo do SCR, este entra em condução e praticamente toda
a tensão da rede é transferida para a carga, conforme mostram os gráficos da Figura
10.9.
249
Circuitos de Controle de Potência a Tiristor
Figura 10.9 - Formas de onda do circuito de acionamento da lâmpada.
O intervalo de tempo Δt depende do valor de R1. Quanto maior o valor de R1, maior
deve ser a tensão da rede para que IG atinja o valor necessário para o disparo do SCR.
Observe que no momento que a tensão da rede passa para o semiciclo negativo, o SCR
deixa de conduzir, o mesmo ocorrendo com o diodo D1. Por isso, a lâmpada apaga.
A potência dissipada pela lâmpada é, no máximo, metade de sua potência nominal, no
caso em que o disparo ocorre quase no início do semiciclo positivo (quando R1 é de
valor muito baixo).
Uma forma de aumentar a potência dissipada pela lâmpada além da metade de sua
potência nominal é usar um retificador de onda completa antes da carga, conforme
mostra a Figura 10.10.
250
Eletrônica Aplicada
Figura 10.10 - Circuito de controle com onda completa.
Nesse caso, o disparo é feito nos dois semiciclos, e a tensão na carga fica conforme a
Figura 10.11.
251
Circuitos de Controle de Potência a Tiristor
Figura 10.12 - Circuito com controle de ângulo de disparo.
Nesse caso, o ângulo de disparo pode variar desde muito próximo de zero (lâmpada
com metade da potência nominal) até no máximo 90º ou T/4 (lâmpada com um quarto
da potência nominal), como mostra a Figura 10.13.
Esse limite máximo de ângulo de disparo existe pelo fato de que a tensão da rede para
ângulos maiores do que 90º assume os mesmos níveis anteriores para ângulos menores
que 90º, quando o SCR já tinha sido disparado. Mais adiante mostramos como esse
problema pode ser resolvido.
252
Eletrônica Aplicada
O seu símbolo e a sua curva característica estão na Figura 10.14.
Para o TRIAC as denominações dos terminais são anodo 1 (A1), anodo 2 (A2) e
gatilho (G). Os terminais anodo 1 e anodo 2 são também denominados, respectiva-
mente, terminal principal 1 (MT1) e terminal principal 2 (MT2).
253
Circuitos de Controle de Potência a Tiristor
Quadrante VA2 VG
I + +
II + −
III − −
IV − +
A1 = referência
254
Eletrônica Aplicada
10.2.4. TRIAC em Corrente Alternada
A Figura 10.16 apresenta um circuito simples de controle de potência de uma lâmpada
no qual o ângulo de disparo do TRIAC é definido pelo conjunto R1 e P1.
Quando o potenciômetro estiver com resistência nula, o disparo ocorre muito próximo
do início do semiciclo, seja ele positivo ou negativo. Caso o potenciômetro esteja no
valor máximo, o disparo ocorre com um ângulo maior, de acordo com a Figura 10.17.
255
Circuitos de Controle de Potência a Tiristor
Esse circuito de disparo também limita o ângulo máximo em 90º para semiciclos
positivos e em 270º para semiciclos negativos.
256
Eletrônica Aplicada
Nesse circuito, enquanto a tensão da rede cresce no semiciclo positivo, o capacitor se
carrega com um atraso dado pela constante de tempo τ = (R1 + P1).C. Desta forma, o
disparo ocorre em θ' e pode acontecer praticamente entre 0º e 180º. Assim, a potência
da lâmpada pode variar entre zero e metade da máxima nominal.
O diodo D1 permite que os pulsos de gatilho sejam dados apenas nos semiciclos
positivos, para que não haja dissipação desnecessária de potência com pulsos de
gatilho nos semiciclos negativos, quando o SCR está bloqueado.
Nos semiciclos negativos, o capacitor carrega-se com tensão negativa, pois o diodo D2
entra em condução. Isso faz com que o capacitor inicie a carga nos semiciclos
positivos aproximadamente nas mesmas condições, garantindo uma certa estabilidade
no comportamento do circuito.
257
Circuitos de Controle de Potência a Tiristor
Figura 10.20 - Circuito de controle de potência com disparo por DIAC e célula RC.
Figura 10.21 - Circuito de controle de potência com disparo por DIAC e célula RC do tipo π..
258
Eletrônica Aplicada
10.3.3. Circuito de Disparo por Diodo Schockley
O diodo Schockley é também conhecido por diodo de quatro camadas. A Figura 10.22
apresenta o seu símbolo e a sua curva característica.
Podemos dizer que o diodo Schockley é similar a um SCR, só que sem o terminal de
gatilho, de modo que o seu disparo só ocorre por tensão, isto é, quando a tensão VAK
entre anodo e catodo atinge o valor VS, conforme mostra a curva característica.
Como o disparo só ocorre para tensões positivas, o diodo Schockley somente pode ser
utilizado para controlar o gatilho do SCR, como no circuito da Figura 10.23.
Figura 10.23 - Circuito de controle de potência com disparo por diodo Schockley.
259
Circuitos de Controle de Potência a Tiristor
A Figura 10.24 mostra o circuito equivalente, o símbolo e a curva característica.
260
Eletrônica Aplicada
Do mesmo modo que o diodo Schockley, a SUS só dispara com tensões positivas, de
modo que a sua aplicação restringe-se ao controle do gatilho do SCR, conforme indica
a Figura 10.25.
Observe que o disparo da SUS ocorre por tensão em função da carga do capacitor, e
não por pulso em seu terminal de gatilho.
O resistor R1 tem a função apenas de permitir que nos semiciclos negativos o
capacitor se descarregue por ele e pela junção anodo-gatilho, de modo a evitar o efeito
histerese que provocaria instabilidade no ângulo de disparo.
261
Circuitos de Controle de Potência a Tiristor
Pela curva característica observamos que a SBS é similar à SUS, mas pode disparar
nos dois sentidos, de modo que ela é usada no circuito de disparo do TRIAC, como
exibe a Figura 10.27.
262
Eletrônica Aplicada
Por dopagem de impurezas trivalentes, forma-se uma região do tipo P onde se localiza
o terminal do emissor. Temos, assim, uma junção PN, estando o emissor no lado P e
os dois terminais base 1 e base 2 no lado N.
A seta do emissor indica o sentido da corrente na entrada do UJT.
Para facilitar o entendimento do funcionamento do UJT, apresentamos na Figura 10.29 o
seu modelo simplificado para corrente contínua, considerando a condição inicial VE = 0.
Em que:
D1 - diodo que representa a junção PN
eD - tensão de barreira de potencial da junção PN, sendo eD ≅ 0,6V (silício)
rb1 - resistência variável entre base 1 e emissor
rb2 - resistência entre base 2 e emissor
v1 - tensão em rb1
Nesse modelo, a resistência interbase está
subdividida, de modo que rbb = rb1 + rb2.
Conforme veremos mais adiante, a resistên-
cia rb1 é variável.
Para polarizar o UJT, usamos dois resistores,
um para cada base, conforme indica a Figura
10.30.
A principal aplicação do UJT é como
oscilador de relaxação. Para essa aplicação é
importante que RB2 << rb2 e que RB1 << rb1, de
modo a minimizar a queda de tensão nos
resistores de polarização. Figura 10.30 - Polarização do UJT.
263
Circuitos de Controle de Potência a Tiristor
Normalmente se usa RB1 da ordem de dezenas de ohms e RB2 da ordem de dezenas a
centenas de ohms.
Assim, a tensão de saída v1 em rb1 vale aproximadamente:
rb1 + R B1
v1 = ⋅ VCC
rb1 + R B1 + rb 2 + R B2
rb1 rb1
v1 = ⋅ VCC ⇒ v1 = η ⋅ VCC em que η=
rb1 + rb 2 rbb
Em que:
IV - corrente de vale VP - tensão de pico
VV - tensão de vale VEsat - VE de saturação
IP - corrente de pico IEsat - IE de saturação
264
Eletrônica Aplicada
A primeira curva faz referência ao comportamento do UJT quando não há tensão
aplicada na base 2, de modo que IB2 = 0.
Nesse caso, o UJT tem o comportamento de uma junção PN, similar a um diodo.
Inclusive, essa curva corresponde à curva característica típica de um diodo. Para o
UJT os eixos são representados de forma invertida, isto é, a corrente no eixo da
abscissa e a tensão no eixo da ordenada.
A segunda curva mostra o comportamento do UJT quando a tensão VCC é aplicada aos
resistores de polarização das bases 1 e 2.
Nesse caso, tem-se que vE = eD + v1 ou ainda vE = eD + η.VCC.
Se vE < (eD + v1), o diodo que representa a junção PN encontra-se cortado e o UJT
bloqueado, porém se vE = VP = (eD + v1), a junção entra em condução e o UJT
dispara.
O disparo do UJT corresponde ao surgimento de uma corrente do emissor para as
bases, aumentando os portadores positivos de carga na região N. Isso provoca uma
variação negativa na resistência rb1, indicada na Figura 10.31 por região de resistência
negativa. Por isso, no modelo rb1 é representada por uma resistência variável.
A redução de rb1 provoca aumento na corrente iE, mas ela é limitada por IEsat, devido à
saturação da região N.
Oscilador de Relaxação
O oscilador de relaxação é a principal
aplicação do UJT. Seu objetivo é
gerar picos de tensão que atuam como
pulsos de gatilho para o disparo de
tiristores em circuitos de controle de
potência. A frequência desse sinal é
determinada por dispositivos externos.
O circuito do oscilador de relaxação
está na Figura 10.32.
265
Circuitos de Controle de Potência a Tiristor
Figura 10.33 - Formas de onda no oscilador de relaxação.
VCC .R B1
VB1mín =
rbb
266
Eletrônica Aplicada
Quando vE atinge o valor VP = eD + η.VCC, o UJT dispara, produzindo um pico de
tensão em vB1 com valor muito próximo a VP, seguido da descarga rápida do
capacitor. No instante em que vE atinge a tensão de vale, o UJT entra novamente em
corte, reiniciando novo ciclo.
O valor aproximado do período T do trem de impulsos pode ser calculado pela
fórmula:
⎛ 1 ⎞ 1
T = R E ⋅ C ⋅ ln ⎜⎜ ⎟⎟ sendo: f= (f = freqüência do sinal)
⎝1− η ⎠ T
VCC − VV VCC − VP
≤ RE ≤
I Vmín I Pmáx
Exercício Resolvido
Deseja-se gerar pulsos com frequência entre 200 e 800 Hz usando o UJT 2N2646 para
disparar o SCR BT 151, conforme o circuito mostrado na Figura 10.34.
Determine R1, P1 e C.
UJT: 2N2646
SCR: BT151
267
Circuitos de Controle de Potência a Tiristor
Em primeiro lugar, verifique se VB1mín < VGT, de modo a garantir que o SCR não
dispare sem a aplicação dos pulsos de gatilho.
O valor de η a ser usado para os cálculos pode ser a média entre os valores mínimo e
máximo fornecidos pelo manual do fabricante. Assim:
1 1
Tmín = ⇒ Tmín = ⇒ Tmín = 1,25ms
f máx 800
1 1
Tmáx = ⇒ Tmáx = ⇒ Tmáx = 5,0ms
f mín 200
Para o período mínimo, RE deve ser mínimo. Adote, por exemplo, REmín = 4,7 kΩ, que
é composto por R1 = 4,7 kΩ em série com o potenciômetro P1 ajustado em 0 Ω. Nesse
caso, o capacitor C deve valer:
⎛ 1 ⎞ ⎛ 1 ⎞
Tmín = R Emín .C. ln ⎜⎜ ⎟⎟ ⇒ 1,25.10 − 3 = 4,7.10 3.C. ln ⎜ ⎟⇒
⎝1 − η ⎠ ⎝ 1 − 0,66 ⎠
1,25.10 −3
1,25.10 −3 = 4,7.10 3.C.1,08 ⇒ C = ⇒ C = 246 nF
1,08.4,7.103
268
Eletrônica Aplicada
Adote, então, C = 220 nF.
Para o período máximo use C = 220 nF e obtenha REmáx:
⎛ 1 ⎞
Tmáx = REmáx.C. ln ⎜⎜ ⎟⎟ ⇒ 5,0.10 − 3 = REmáx.220.10 − 9.1,08 ⇒
⎝ 1 − η ⎠
5,0.10 −3
REmáx = ⇒ REmáx = 21kΩ
1,08.220.10 − 9
Figura 10.35 - Controle de potência com oscilador de relaxação sincronizado com a rede.
Nesse caso, VCC = VZ, e o primeiro pulso, com ângulo θ, dispara o SCR. Os demais
pulsos no intervalo do semiciclo não têm função.
A Figura 10.36 mostra como ficam as principais formas de onda nesse circuito.
269
Circuitos de Controle de Potência a Tiristor
Figura 10.36 - Formas de onda do circuito de aplicação.
270
Eletrônica Aplicada
10.4. Exercícios Propostos
10.1) Relacione corretamente os dispositivos apresentados na tabela a seguir com seus
respectivos símbolos.
Dispositivo Símbolo
I) SCR a)
II) TRIAC b)
III) DIAC c)
V) SUS e)
VI) SBS f)
VII) UJT g)
271
Circuitos de Controle de Potência a Tiristor
10.3) Assinale V (Verdadeiro) ou F (Falso) para as afirmações seguintes referentes ao
TRIAC.
I - ( ) Trata-se de um componente bidirecional.
II - ( ) Para que entre em condução , tanto no semiciclo positivo, como no
semiciclo negativo, deve-se aplicar um pulso positivo no gatilho.
III - ( ) Possui três terminais: anodo,catodo e gatilho.
IV - ( ) Possui como especificações, entre outras: IH (corrente de manu-
tenção) e IL (corrente de retenção), sendo IH < IL.
V - ( ) IH refere-se à corrente mínima de gatilho para se manter a condução
do TRIAC.
10.4) Considere o circuito da Figura 3.37 e complete as lacunas com as opções entre
parênteses.
272
Eletrônica Aplicada
11
DISPOSITIVOS ESPECIAIS
11.1. LDR
O LDR (Light Dependent Resistor ou Resistor Dependente da Luz) é um dispositivo
semicondutor feito à base de sulfeto de cádmio, o que o torna extremamente sensível
às radiações luminosas. Sua resistência é inversamente proporcional à intensidade da
luz. A Figura 11.1 mostra um exemplo de curva característica do LDR e seu símbolo.
273
Dispositivos Especiais
A sensibilidade do LDR à luz depende
também do seu comprimento de onda (λ),
conforme a curva de resposta mostrada na
Figura 11.2.
Nesse caso, a sensibilidade máxima ocorre
para luz com comprimento de onda em torno
de λ = 7000Å (Å = angström = 10–10m). Esse
número decresce percentualmente conforme
o comprimento de onda da luz incidente se
afasta desse valor.
274
Eletrônica Aplicada
energizando o relé. O contato do relé, nesse caso, serve para ativar uma carga
qualquer.
O potenciômetro P1 serve para ajustar a intensidade luminosa que provoca a
comutação do transistor.
11.2. Termistores
O termistor é um dispositivo semicondutor cuja resistência é extremamente sensível à
temperatura. Dependendo do seu comportamento, o termistor pode ser classificado em
NTC ou PTC.
11.2.1. NTC
O NTC (Negative Temperature Coefficient Resistor ou Resistor com Coeficiente
Negativo de Temperatura) é um termistor cuja resistência decresce com o aumento da
temperatura. Possui uma variação aproximada de 3 a 6% / ºC, conforme o exemplo de
curva característica da Figura 11.4.
⎡ 1 1⎤
K.⎢ − ⎥
R= R 0 ⋅ e ⎣ T0 T ⎦
275
Dispositivos Especiais
O valor da constante K pode ser determinado experimentalmente medindo-se a
resistência do NTC em duas temperaturas distintas e usando a expressão seguinte:
⎡ R ⎤ 1
K = ln ⎢ ⎥ ⋅
⎣ R0 ⎦ ⎡ 1 − 1 ⎤
⎢ T0 T ⎥
⎣ ⎦
Ao passar corrente pelo NTC, ele dissipa potência e produz uma quantidade de calor
que pode provocar uma queda em sua resistência. No entanto, essa variação é
desprezível diante da provocada pela temperatura externa.
O NTC é muito utilizado em sistemas que necessitam de sensores de temperatura,
como alarmes, sistemas de controle, termômetros etc.
Um circuito sensor muito comum que utiliza o NTC como elemento transdutor é
exibido na Figura 11.5.
Observe que esse circuito é similar ao apresentado na Figura 11.3, só que o elemento
sensível é o NTC e não o LDR. Nesse caso, quando a temperatura é baixa, a sua
resistência é elevada, mantendo o transistor cortado. O aumento da temperatura
provoca uma redução na resistência do NTC, levando o transistor à saturação e
energizando o relé. Da mesma forma que na aplicação anterior, o contato do relé é
usado para ativar uma carga qualquer.
O potenciômetro P1 serve para ajustar a temperatura que causa a comutação do
transistor.
276
Eletrônica Aplicada
A Figura 11.6 apresenta um outro tipo de aplicação.
A ponte de Wheatstone produz uma tensão entre os pontos A e B cujo valor depende
do seu desequilíbrio causado pela variação do NTC com a temperatura. Essa tensão é
aplicada às entradas inversora e não inversora do amplificador operacional que, nesse
caso, está funcionando como um amplificador diferencial.
Esse circuito tem uma resposta analógica e pode ser utilizado em sistemas de medição
de temperatura.
11.2.2 - PTC
O PTC (Positive Temperature Coefficient Resistor ou Resistor com Coeficiente
Positivo de Temperatura) é um termistor cuja resistência aumenta com o aumento da
temperatura, conforme o exemplo de curva característica da Figura 11.7.
277
Dispositivos Especiais
Como podemos observar, esse termistor apresenta uma pequena faixa de temperatura
na qual a sua característica é de PTC, ou seja, entre 150ºC e 250ºC. Fora dessa faixa,
ele tem um comportamento similar ao do NTC ou tem um coeficiente de temperatura
quase nulo.
Por causa da variação de seu comportamento, torna-se muito complexo expressá-lo
por meio de uma equação, sendo mais prático utilizar medidas experimentais ou
curvas características fornecidas pelos fabricantes.
O PTC é muito utilizado em sistemas que necessitam de sensores de temperatura,
como alarmes, sistemas de controle e proteção, termômetros etc.
Como um exemplo de aplicação de PTC apresentamos na Figura 11.8 um amplifi-
cador. Nele, o PTC está conectado no emissor para funcionar como dispositivo de
estabilização.
Se o ponto de polarização do transistor varia provocando um aumento na corrente de
emissor IE, a sua temperatura aumenta, bem como a sua resistência, forçando a
redução de IE.
278
Eletrônica Aplicada
11.3. Fototransistor
O fototransistor é um dispositivo semicondutor baseado no fenômeno da fotocon-
dutividade. Trata-se de um transistor bipolar sem o terminal de base que é substituído
pela incidência de radiação luminosa. Seu símbolo é mostrado na Figura 11.9.
Se uma certa quantidade de radiação luminosa (na faixa de luz visível ou infraver-
melha) atinge a base, ocorre a geração de portadores, aumentando a corrente de base, o
que implica em uma variação na corrente de coletor hFE vezes maior e proporcional à
intensidade de luz incidente.
Sua curva característica de saída IC(mA) x VCE(V) para vários valores de intensidade
luminosa H (mW/cm2) é bem semelhante à de um transistor comum, como mostra a
Figura 11.10.
279
Dispositivos Especiais
11.4. Optoacoplador
Um fototransistor trabalhando em conjunto com um LED forma um optoacoplador.
Sua aplicação básica é de fotointerruptor, como mostra a Figura 11.11.
280
Eletrônica Aplicada
11.5. Exercícios Propostos
11.1) Considere a curva característica do LDR apresentada em seguida:
281
Dispositivos Especiais
11.3) O teste de um NTC realizado em laboratório produziu os resultados seguintes:
T0 = 25ºC ⇒ R0 = 10kΩ
T1 = 150ºC ⇒ R1 = 50Ω
Determine a constante K do NTC.
11.4) Qual é a resistência do NTC do exercício anterior quando T = 80ºC?
11.5) Considere o circuito da Figura 11.15 e complete as lacunas com uma das opções
apresentadas entre parênteses.
282
Eletrônica Aplicada
A
VALORES COMERCIAIS DE RESISTORES,
POTENCIÔMETROS E CAPACITORES
Resistores de 5%
Décadas 10 12 15 18 22 27 33 39 47 56 68 82 91
Potenciômetros
Décadas 10 22 47
283
Apêndice A - Valores Comerciais de Resistores, Potenciômetros e Capacitores
ANOTAÇÕES
284
Eletrônica Aplicada
B
Capítulo 1
1.1) I - (a) → II - (b) → III - (a) → IV - (b)
I - (b) → II - (a) → III - (b) → IV - (a)
1.2) I - (a) → II - (b)
I - (b) → II - (a)
1.3)
1.4)
a) Forma analítica: b) Forma gráfica:
VF = 0,6V ; IF = 24mA
285
Apêndice B - Respostas dos Exercícios Propostos
1.5) VF2 = 0,67V; VF3 = 0,42V
1.6) R= 1,5kΩ
Capítulo 2
2.1) a) Vef = 6,11V; b) Vmáx = 8,64V
2.2) I - (a) → II - (a) → III - (b) → IV - (b)
I - (b) → II - (b) → III - (a) → IV - (a)
2.3) Vmáx = 20V ; Vdc = 12,7V ; Vef = 14,1V ; Idc =12,7mA e Idc(diodos) = 6,4mA
2.4) Vrpp = 1,7V e VL = 19,8V
Capítulo 3
3.1) Emissor comum; alto; alto; média; alta
3.2) RB = 270kΩ ; RE = 150Ω ; RC = 560Ω ou 680Ω
3.3) RB1 = 15kΩ ou 18kΩ; RB2 = 3,3kΩ ; RE = 180Ω ou 220Ω ; RC = 820Ω
3.4) VCE = 6,5V e IC= 4mA
3.5) PCmáx = 9,13W
Capítulo 4
4.1) 90Ω < R < 184Ω
4.2) 25Ω < R < 103Ω
4.3) ILmáx = 5A (limitado por ICmáx do TIP122)
4.4) Vomín = 1,25V e Vomáx = 13,75V
286
Eletrônica Aplicada
Capítulo 5
5.1) RC = 270Ω ; RB = 5,6kΩ ou 6,8kΩ
5.2) RB = 150Ω
Capítulo 6
6.1) a) VGS = 0V → ID = 10mA ; VGS = –1V → ID = 5,6mA
VGS = –2V → ID = 2,5mA ; VGS = –3V → ID = 0,63mA ; VGS = –4V → ID = 0
b)
287
Apêndice B - Respostas dos Exercícios Propostos
Capítulo 7
7.1) a) Vipp = 3,8mV; b) VLopp = 0,76V; c) VLpp = 0,51V; d) Avo = 200
e) Av = 134 e Ap = 10250000 ; f) Av = 45,5dB e Ap = 70dB
7.2) a) Vi1pp = 286μV e VLo1pp = 22,88mV
b) VL1pp = 15,24mV, Av1 = 53,3 e Ap1 = 1094
c) Vi2pp = 15,24mV e VLo2pp = 610mV
d) VLpp = 15,84mV, Av = 55,4 e Ap = 306250 ; e) Av = 34,9dB e Ap = 54,9dB
7.3) C1 - acoplamento: transfere sinal AC do gerador ao amplificador e bloqueia
nível DC
C2 - acoplamento: transfere sinal AC do amplificador à carga e bloqueia nível
DC
C3 - desacoplamento: aterra a componente AC do emissor.
7.4) P1 - controle de agudos, P2 - controle de graves e P3 - controle de volume
7.5) I - (a) → II (c) ; I - (b) → II (a) ; I - (c) → II (b)
Capítulo 8
8.1) P1 = 1MΩ
8.2) Vimáx = 0,62V
8.3) Vo = 12.A + 12.B + 4.C – 4.D
8.4) VR = ±1,4V
Curva de transferência:
288
Eletrônica Aplicada
Capítulo 9
9.1) R1 = R2 = 47kΩ ; R3 = R4 = 470Ω ; C1 = C2 = 6,8nF ou 8,2nF
9.2) f = 66 Hz
9.3) a) f = 74 Hz
b) T1 = 10,2 ms e T2 = 3,3 ms
Capítulo 10
10.1) I - (f) ; II - (d) ; III - (e) ; IV - (g) ; V - (a) ; VI - (b) ; VII - (c)
10.2) I - (F) ; II - (V) ; III - (F) ; IV - (F) ; V - (V)
10.3) I - (V) ; II - (F) ; III - (F) ; IV - (V) ; V - (F)
10.4) acesa - cortado - acende - conduz - acesa - 0V
Capítulo 11
11.1) R1 = 1500Ω e R1 = 30Ω
11.2) LDR - diminui - abaixo - acenda
11.3) K = – 159
11.4) R = 126Ω
11.5) NTC - aumenta - acima - acenda
289
Apêndice B - Respostas dos Exercícios Propostos
ANOTAÇÕES
290
Eletrônica Aplicada
Bibliografia
291
Bibliografia
Apêndice B - Respostas dos Exercícios Propostos
Marcas Registradas
Todos os nomes registrados, marcas registradas ou direitos de uso citados neste livro
pertencem a seus respectivos proprietários.
292
Eletrônica Aplicada
Índice Remissivo
A Circuito(s)
Amplificação, 159 de acionamento, 134, 135
Amplificador(es), 144, 159, 160, 168 de disparo, 256
a transistor bipolar, 174 de polarização do MOSFET de
depleção, 154
a transistor de efeito de campo, 187
de polarização do MOSFET de
coletor comum classe A, 178
indução, 152
com circuitos integrados, 190
multivibradores, 223
com realimentação, 185
regulador de tensão, 107
de áudio, 192
retificador, 35, 42
de pequenos sinais, 174, 175, 177
retificador com filtro, 107
de pequenos sinais com JFET, 188
retificador de meia onda, 42, 43
de pequenos sinais com MOSFET, 189
retificador de onda completa com
de potência, 174 ponto neutro, 44, 47
em ponte, 186, 194 retificador de onda completa
inversor, 202 em ponte, 48, 50
não inversor, 206 Classe
operacional, 199, 200 A, 174, 179
operacional ideal, 200, 201 AB, 175, 180
push-pull, 179, 181, 182, 186 B, 175, 192
seguidor de emissor, 178, 179 Coeficiente de regulação de saída, 104
Ângulo de disparo, 251, 252 Coletor, 71, 72
Anodo, 23 comum, 74
Astável, 223 Comparadores de
Átomo, 15 nível, 214
Autopolarização, 147 tensão, 211
zero, 212
B Condutores, 18
Barreira de potencial, 23-25, 27 Configuração Darlington, 119, 120
Base, 71, 72 Controle de
comum, 74 potência, 243
Biestável, 223 tonalidade, 184, 185
volume, 184, 185
C Corrente
Camada(s) de coletor máxima, 76
de depleção, 23, 24, 141, 142 de coletor para base com emissor
Casamento de impedância, 160, 161, 179 aberto, 76
Catodo, 23 de coletor para emissor com base
Chave analógica com JFET, 155 aberta, 77
293
Índice Remissivo
de joelho, 106 E
de saturação reversa, 24
Eletrovalência, 17
de surto,61, 66, 68
Emissor, 71, 72
direta, 25
comum, 74, 78, 82
direta de surto, 62
Especificações do
direta máxima, 25, 31
diodo(s), 43, 47, 50, 61, 65
reversa, 24
SCR, 246
Covalência, 18
transistor, 76, 81
Cross-over, 180, 182
TRIAC, 254
Curva
Estabilidade, 16-19
característica, 27, 79, 80, 107, 143, 151
Estrangulamento (pinch-off), 144
característica do SCR, 245
característica de um diodo, 25
F
característica do diodo, 26, 28
característica do JFET, 148 Fator de
característica do LED, 31 ripple, 50-52, 59
característica do MOSFET transformação, 50, 52-55
de depleção, 153 FET, 141, 147
característica do MOSFET Fonte de, 141, 142, 152, 153
de indução, 152 alimentação ajustável, 127
característica do transistor, 78
alimentação simétrica, 123, 126, 201
de resposta em frequência, 172
tensão ideal, 103
de transcondutância, 145
tensão real, 103
D Fototransistor, 278
Frequência de corte
Decibel, 162, 163
inferior, 172
Diferenciador Ativo, 219
superior, 172
Dimensionamento do
diodo Zener, 109, 115 G
transistor, 116
Diodo, 22, 23, 27, 42, 45, 48, 68 Ganho de, 159
emissor de luz, 31 amplificador sem carga, 161
Schockley, 259 corrente em emissor comum, 76
Zener, 105-109, 114, 121 corrente, 74, 75
Disparo do TRIAC, 253 potência, 162, 173, 177
Dispositivo de acionamento, 133 tensão em malha aberta, 200
Dissipador de calor, 95, 98 tensão sem carga, 159, 169, 177, 179,
Distorção por cross-over, 180 183, 188, 189
Dobrador de tensão, 68 tensão, 75, 161, 171
Dopagem, 21
Dreno, 141, 142, 152, 153
H
Hipérbole de potência máxima de
coletor, 81
294
Eletrônica Aplicada
I O
Impedância de Ondulação, 50
entrada, 75, 143, 150, 159, 173, 177, Optoacoplador, 279
179, 183, 188, 189, 200 Órbita de valência, 16-19
saída, 75, 159, 170, 177, 179, 183, 188, Oscilador de relaxação, 263, 265
189, 200
Influência da temperatura, 30 P
nos transistores, 94 Par elétron-lacuna, 20, 21
Integrador Ativo, 220 Pasta térmica, 98
Isolantes, 19 Polarização
direta, 25, 72
J do diodo, 25
JFET, 141-143, 145, 147 por corrente de base constante, 82
Junção PN, 22, 23, 30, 105 por corrente de emissor constante, 84
por divisão de tensão na base, 89
L reversa, 24, 26, 72
Lacuna, 20 Ponto de
Largura de banda, 172, 201 de corte, 83, 85
LDR, 273 de saturação, 83, 85
quiescente, 28, 79, 80, 82, 90, 147, 148
LED, 31, 32
Porcentagem de regulação, 104
Ligação covalente, 19, 20
Porta, 152, 153
M NAND com MOSFET, 155
NOT com CMOS, 156
Máxima transferência de
potência, 160, 161 Portadores
Métodos de disparo do SCR, 246 de cargas, 21
Modelo de amplificador, 159 majoritários, 21, 22, 24, 25
Molécula, 15 minoritários, 22
Monoestável, 223 Potência
MOSFET, 150, 152 dissipada pelo transistor, 74
de depleção, 153 máxima, 76, 106
de indução, 150 máxima de dissipação do diodo
Zener, 108
Multivibrador
máxima na carga, 171
astável, 223, 224, 231, 235
Pré-amplificador, 174, 183-185
biestável, 223
PTC, 277, 278
monoestável, 223, 228, 238
R
N
Radiador de calor, 95
NTC, 275, 276
Realimentação, 185
Regulador(es)
de tensão, 113, 124
295
Índice Remissivo
de tensão ajustável, 127 de ruptura entre coletor e base com
de tensão em circuito integrado, 124 emissor aberto, 77
de tensão a transistor, 113 reversa, 105
de tensão fixo, 125 reversa de ruptura, 26
série a transistor, 114 reversa máxima, 31
série com transistor Darlington, 120 Zener, 105
Resistência térmica, 96, 97, 99, 100 Termistores, 275
Reta de carga, 27, 90 Tetravalentes, 19
do transistor, 83, 85 THD, 193
Retificador de Meia Onda, 51, 52 Tiristor, 243
com filtro capacitivo, 58 Transformador com, 38, 39
completa, 51 derivação central, 44
completa com filtro capacitivo, 64 derivação no primário, 40
completa com ponto neutro, 53 derivação no secundário, 41
completa em ponte, 54 primários independentes, 41
Ripple, 50-52, 58, 60, 61, 65, 68, 107, 108, Transistor, 71, 95, 133
125 como chave eletrônica, 133
Darlington, 121
S de efeito de campo, 141
SBS, 261, 262 de efeito de campo de junção, 141
Schmitt Trigger, 217 NPN, 72, 78, 79, 82
SCR, 243, 244, 247-249 PNP, 73
Semicondutor(es) , 19 unipolar, 143
tipo N, 22 TRIAC, 252, 255
tipo P, 21
Sensibilidade do amplificador, 171 U
Somador de Tensão, 207 UJT, 262, 263
Substrato, 151-153
Subtrator de tensão, 208 V
SUS, 259, 260 Valor eficaz, 37
Valor médio, 35
T
Temperatura máxima admissível, 94
Temporizador 555, 234
Tensão
de condução, 31
de off-set, 201
de ruptura, 26, 81
296
Eletrônica Aplicada
Projetos de Fontes Chaveadas - Teoria e Prática
Autor: Luiz Fernando Pereira de Mello
Código: 3370 • 288 páginas • Formato: 17,5 x 24,5 cm • ISBN: 978-85-365-0337-0 • EAN: 9788536503370
Destinado a estudantes e profissionais da área, o livro aborda os fundamentos básicos para projetos de fontes chaveadas.
Abrange o funcionamento de cada conversor para a condição de estado estável, equações para dimensionamento e projeto dos
conversores, criação de um modelo para a chave PWM, influências que perturbações externas podem causar no conversor, além
de fornecer soluções para melhorar a sua performance.
Explica conceitos de estabilidade de sistemas realimentados por meio de um projeto de circuito de controle passo a passo,
utili-zando o software MATLAB 7.0. Para verificar o funcionamento do conversor projetado, é usado o simulador eletrônico
PSIM 9.0 para cada tipo de fonte projetada.
Esclarece o funcionamento dos transistores e diodos utilizados como chave e indica como projetar os componentes
magnéticos usados em fontes chaveadas.
De forma didática a obra apresenta os conceitos básicos para saber projetar e configurar sistemas digitais simples e
complexos com processamento de sinais DSP (Digital Signal Processing), dispositivos lógicos programáveis (PLDs -
Programmable Logic Device), como FPGA (Field Programmable Gate Array), CPLD (Complex Programmable Logic Device) e
lógica programável com VHDL (VHSIC Hardware Description Language).
Aborda aspectos teóricos, tipos de dispositivos lógicos programáveis, arquiteturas, metodologias de projetos de circuitos
digitais, ferramentas de software EDA (Electronic Digital Automation), linguagens de descrição de hardware utilizadas em
projetos com lógica programável, circuitos sequenciais, contadores e registradores, simulação de circuitos e testes com os
softwares Quartus II
v.9 e Quartus II v.10/ModelSim v.10, projetos de sistemas sequenciais, processamento digital de sinais e muito mais.
v.Em modelagens, testes e simulações dos projetos com DSP foram usados Matlab 7.9, Simulink 7.4, DSP Builder v.10,
Quartus II 10 e o ModelSim v.10 na simulação do arquivo gerado em VHDL.
Para exemplificar a parte prática, foi utilizado o kit de desenvolvimento DE2 (Development and Education Board), que usa o
FPGA EP2C35F672C6 da família Cyclone II.
Eletrônica
Utilizando Eletrônica com AO, SCR, TRIAC, UJT,
PUT, CI 555, LDR, LED, FET e IGBT
Autores: Rômulo Oliveira Albuquerque e Antonio Carlos Seabra
Código: 2465 • 208 páginas • Formato: 17 x 24 cm • ISBN: 978-85-365-0246-5 • EAN: 9788536502465
Este livro é destinado a estudantes e profissionais das áreas de eletrônica, automação industrial, mecatrônica, eletroeletrônica
e aficionados da área. Descreve o amplificador operacional, dispositivo de larga aplicação em todos os campos da eletrônica,
apresenta o CI 555 e o componente UJT, os tiristores e suas aplicações, os principais dispositivos optoeletrônicos, além de dois
componentes importantes na eletrônica industrial de potência: o IGBT e o FET, e traz alguns exercícios resolvidos e propostos
com solução. É importante conhecer diodos, transistores e leis de circuito para acompanhar o estudo do livro.
Eletrônica Aplicada
Autores: Eduardo Cesar Alves Cruz e Salomão Choueri Jr.
Código: 1505 • 304 páginas • Formato: 17 x 24 cm • ISBN: 978-85-365-0150-5 • EAN: 9788536501505
Aborda diversos dispositivos eletrônicos como diodos (retificador, LED, Zener e Schockley), transistores (bipolar, JFET, MOSFET e
UJT), tiristores (SCR, TRIAC, DIAC, SUS e SBS), termistores (NTC e PTC), optoeletrônicos (LDR, fototransistor e optoacoplador) e
circuitos integrados lineares (amplificador operacional, temporizador, regulador de tensão e amplificador de áudio).
Analisa e desenvolve projetos de fontes de alimentação, amplificadores, multivibradores, aplicações de amplificado operacional e
circuitos de acionamento, de controle de potência e de sensores.
Destinado a profissionais, estudantes e professores de cursos técnicos, tecnológicos e de engenharia da área industrial.
Eletrônica
Máquinas Elétricas - Teoria e Ensaios - Edição Revisada
Autor: Geraldo Carvalho
Código: 126X • 264 páginas • Formato: 17 x 24 cm • ISBN: 978-85-365-0126-0 • EAN: 9788536501260
De forma simples e direta, esta obra apresenta a teoria de funcionamento, características, a execução de ensaios e análises
em máquinas elétricas, proporcionando aos estudantes, profissionais e alcionados de eletrotécnica, eletroeletrônica e
eletrônica uma fonte de informações práticas a respeito das máquinas mais empregadas na indústria atual, tais como
transformadores, motores e geradores.
Destaca de modo especial os motores de passo e servomotores, além de apresentar uma lista de exercícios de fixação e
ensaios para facilitar o aprendizado.
Nesta quarta edição, a apresentação de alguns temas e equações foi melhorada, com referência a normas, alguns
comentários e maior profundidade, conforme sugestões.
Gerenciamento de Energia
Ações Administrativas e Técnicas de Uso Adequado da Energia Elétrica
Autores: Benjamim Ferreira de Barros, Reinaldo Borelli e Ricardo Luis Gedra
Código: 3110 • 176 páginas • Formato: 17 x 24 cm • ISBN: 978-85-365-0311-0 • EAN: 9788536503110
Apresenta a estudantes e profissionais os aspectos essenciais para gerenciar instalações elétricas de forma eficiente e
com baixo custo.
Aborda aspectos administrativos, como as faturas de energia elétrica em baixa e alta tensão. O conhecimento das regras
do mercado livre de energia elétrica possibilita analisar a conveniência de um consumidor migrar para esse ambiente de
contratação. Esclarece aspectos técnicos, dúvidas relacionadas com o fator de potência, a eficiência energética e a certilcação
ambiental de edificações. Descreve ainda os conceitos gerais do setor elétrico e os principais números da matriz energética
brasileira.
Eletrotécnica
Acionamentos Elétricos
Autor: Claiton Moro Franchi
Código: 1499 • 256 páginas • Formato: 17 x 24 cm • ISBN: 978-85-365-0149-9 • EAN: 9788536501499
Destinado a técnicos, tecnólogos e engenheiros que atuam nas áreas de automação, mecatrônica e eletrotécnica, além de
profissionais que desejam manter-se atualizados.
Aborda motores elétricos de indução monofásicos, trifásicos e síncronos, assim como conceitos relativos à potência e fator
de potência. Apresenta descrição dos dispositivos utilizados em chaves de partida e comando: contatores, fusíveis, disjuntores,
relés de sobrecarga, inversores de frequência e soft-starters.
Traz um conjunto de exercícios para fixação do conteúdo, dois apêndices com os principais diagramas elétricos utilizados na
prática e a descrição da simbologia adotada por normas nacionais e internacionais.
Eletrotécnica
Instrumentação Industrial - Conceitos, Aplicações e Análises - Edição Revisada
Autor: Eng. Arivelto Bustamante Fialho
Código: 9220 • 280 páginas • Formato: 17 x 24 cm • ISBN: 978-85-7194-922-5 • EAN: 9788571949225
Transmite, com clareza e eficácia, conhecimentos de mecânica técnica e resistência dos materiais. Indicada para
estudantes e profissionais da área técnica que atuam nas diferentes modalidades da engenharia (mecânica,
mecatrônica, civil, hidráulica, naval, eletrotécnica, eletroeletrônica, aeronáutica, automação). O conteúdo foi
totalmente desenvolvido no SI (Sistema Internacional).
Os principais tópicos abordados são sistemas de unidades, vínculos estruturais, equilíbrio de força, tração,
compressão, treliças planas, cisalhamento, flexão, torção e flambagem. Possui exemplos e exercícios práticos.
Com a finalidade de atender às necessidades do mercado, surgiu a ideia de criar uma obra de nível técnico com
linguagem simples e prática.
Esta obra destaca os sistemas de programação de alguns comandos CNC mais utilizados no mercado, visando
contribuir com o aumento da mão de obra especializada em torneamento. Os principais tópicos são coordenadas
cartesianas e sistema de coordenadas, introdução à programação, funções preparatórias e auxiliares, trigonometria
aplicada, sistema de medidas, compensação de raio de corte, informações tecnológicas, estrutura e fluxogramas de
programação, ciclos fixos, exemplos de programação e ferramentas.
Objetivo e didático, este livro aborda assuntos essenciais nas atividades diárias do Mestre de Obras. Traz informações
técnicas e administrativas, condutas comportamentais, organização de pessoas e itens envolvidos em um canteiro de
obras, seus intervenientes, orçamentos, cronogramas, equipamentos de proteção, segurança no trabalho e
gerenciamento de resíduos.
Esclarece a administração de uma empresa, de pessoal e de material, organograma empresarial, legislação básica,
contratações, liderança e comportamento.
Ideal para mestres de obras, técnicos e engenheiros que trabalham na construção civil.
Os profissionais da área, bem como os leigos, encontram neste livro conteúdo prático para acompanhar, monitorar e
mesmo executar as instalações hidráulicas básicas de uma edificação, além de exercícios para fixação do aprendizado.
Comenta as instalações hidráulicas residenciais do dia a dia de forma didática, sem se valer de dimensionamentos e de
conhecimento específico para o projeto. Mostra as principais formas de execução das instalações de água e esgoto,
considerando os diferentes materiais e tipos de conexões. Fornece a base para uma interpretação de projetos, as novas
tecnologias utilizadas pelas empresas da área e orientações para o uso racional da água.
Descreve as principais técnicas para edificações, desde a concepção da obra por parte do cliente até a sua entrega.
Trata das fases de implantação, movimento de terra, medidas de segurança, drenagem, fundação, armaduras, formas
para concreto e sua preparação.
Aborda alvenarias, coberturas, impermeabilização, pisos e assentamento, pavimentação, esquadrias, instalações
elétricas e hidráulicas com normas e cuidados, revestimentos, sistema de pintura, verificações finais e limpeza para
entrega da obra. A segunda edição, revisada e ampliada, traz alguns complementos de instalações hidráulicas, tipos
de fios e emendas e tabelas básicas de composição de argamassas e concretos.
Conteúdo indispensável para estudantes, técnicos e profissionais da área.