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INTRODUÇÃO Á

CIÊNCIA DOS
MATERIAIS
Kaori
Departamento de Engenharia de Materiais
Professora Kaori

Lagartixa possuem patas aderentes que se


grudam virtualmente a qualquer superfície
Podem suportar a massa do corpo com um
único dedo

Os pêlos microscópicos estabelecem uma


pequena força de atração quando são
Estrutura atômica aproximados a uma superfície (forças de
van der Waals)
e ligação atômica
Inspiração para adesivos
sintéticos ultrafortes para
procedimentos cirúrgicos

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Estrutura atômica
e ligação atômica

Fita dupla-face cujo adesivo é baseado em ácido


poliacrílico adicionado a ésteres NHS.

O adesivo absor ve a umidade excessiva no local e forma ligações


for tes com as proteínas na superfície do tecido ao qual foi
aplicado, como o tecido conjuntivo que reveste os órgãos.

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O tipo de ligação permite explicar as


propriedades de um material

Estrutura atômica
e ligação atômica

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Propriedades
Magnéticas

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Dúvidas? Vídeo Indústria 4.0

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Propriedades
Elétricas

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É o comportamento dos materiais, em


resposta à aplicação de um CAMPO
ELÉTRICO externo.

Definições
As propriedades elétricas dependem:

• do tipo de ligação química

• dos tipos de estrutura

• da microestrutura.

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Corrente elétrica: movimento de portadores


de carga dentro dos materiais, em resposta à
um campo elétrico externo.
Definições
Portadores de carga: elétrons, buracos
eletrônicos, cátions e ânions.

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Um fio de cobre conectado a uma bateria.

Se uma diferença de potencial for aplicada


ao fio, circulará por ele uma corrente i
proporcional a resistência R do fio

1ª Lei de Ohm

Resistência: PROPRIEDADE DO CORPO

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A resistência elétrica é diretamente


proporcional ao comprimento do fio, e
inversamente proporcional a sua área.

2ª Lei de Ohm

Resistividade: PROPRIEDADE DO MATERIAL

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Passagem de corrente elétrica, para isso


utiliza-se o conceito de condutividade
elétrica σ:

Condutividade
Elétrica
Condutividade elétrica (σ): medida da
facilidade com que um material é capaz de
conduzir uma corrente elétrica.

σ: é o inverso da resistividade (ρ)

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Condutividade
Elétrica

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Intensidade de Campo Elétrico (E)

Campo Elétrico e 𝑉
𝑬 = (V/m)
𝐿
Densidade de
Densidade de Corrente (J)
Corrente Diretamente proporcional ao campo elétrico (E)

𝑱 = 𝜎. 𝑬 (A/m²)
𝑱 = 𝐼/𝐴 (A/m²)

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Gráf ic o es q uem ático: energ ia eletrô nic a x s ep aração


interatô m ic a p ara um ag reg ad o d e 1 2 áto m o s.

C ad a es tad o d e energ ia p o d e ac o m odar 2 elétro ns d e

Bandas de s p ins o p o s tos

energia nos
sólidos

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Banda de energia para um material sólido de N átomos.

Energia eletrônica em
função da separação
interatômica para N átomos
Bandas de
energia nos
sólidos

Representação convencional
da estrutura da banda de
energia eletrônica para um
material sólido na separação
interatômica de equilíbrio.
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Ef: Energia de Fermi – estado energético


preenchido de maior energia

Bandas de
energia nos
sólidos

(a) Metais (Ex: Cu Z = 29, … 3d10 4s1)


(b) Metais (Ex: Mg Z = 12, 2p6 3s2)
(c) Isolantes: GAP >2 ev
(d) Semicondutores: GAP <2 eV.•

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S o m ente elétro ns c o m energ ia m aio r q ue Ef p o d em


s er ac elerad os na p resenç a d e um c am p o elétric o.

Bandas de O b urac o em sem ic o ndutores e iso lantes tem


energ ia m eno r q ue a energ ia d e Ferm i, e p ar tic ip am
energia nos p ar tic ip a d a c o nd uç ão elétric a.

sólidos
A energia de Fermi
está localizada dentro
do espaçamento (gap
de energia).

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Condutividade elétrica dos METAIS

Metais

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Ao s e ap lic ar um c am p o elétric o : esp era -se q ue o s


elétro ns livres s ejam ac elerad os enq uanto d urar o
c am p o (c o rrente elétric a aum entaria c o m o tem p o )

Mobilidade No entanto : a c o rrente elétric a ating e um valo r


c o ns tante no ins tante em q ue o c am p o é ap lic ad o,
Eletrônica p o is exis tem f o rç as q ue c o ntrapõem es s e c am p o.

Metais

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Espalhamento: os elétrons pelos defeitos no


retículo cristalino (impurezas, lacunas, intersticiais,
discordância e vibrações térmicas), fazendo com que
Mobilidade o átomo perca energia cinética e mude de direção.

Eletrônica
Espalhamento: resistência à
passagem de corrente.
Metais
No entanto, existe um movimento
líquido dos elétrons na direção
oposta ao campo – a corrente
elétrica.

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A mobilidade eletrônica ( μ e ) indica a


frequência de eventos de espalhamentos
Mobilidade em [m² /V.s].

Eletrônica μe é proporcional à
velocidade de arraste (ve) e
Metais ao campo elétrico (e)

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Metais: alta condutividade


Propriedades elétricas: avaliação por meio da
resistividade.

Defeitos cristalinos: espalhamento.


Concentração das imperfeições: depende da
Resistividade temperatura, da composição e do grau de
deformação a frio.

Metais
A resistividade é a soma das parcelas que
contribuem para os diferentes mecanismos de
espalhamento

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A resistividade aumenta com a temperatura.


𝜌0 = resistividade à 0°C
𝛼 = coef. térmico de resistividade

E está relacionada a concentração de impurezas.

Resistividade Depende da fração volumétrica


(V) de cada fase

A resistividade aumenta com a deformação


Metais plástica: maior número de discordâncias.

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Condutividade elétrica dos semicondutores

Semicondutores

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Possuem resistividade intermediária entre a


dos materiais condutores e isolantes.

Semicondutores Principais materiais semicondutores:


Germânio (Ge) e o Silício (Si).

Camada de valência: 4 elétrons

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A condutividade elétrica dos semicondutores


intrínsecos aumenta à medida que a
temperatura aumenta.

Semicondutores
Intrínsecos

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Semicondutores extrínsecos tipo n

Dopagem com um átomo de maior nº de valência

Semicondutores
Extrínsecos

(a) O átomo de impureza (P) substitui Si: elétron a mais ligado ao


átomo de impureza.
(b) Excitação do elétron extra por um campo elétrico externo,
formando um elétron livre.
(c) Movimento do elétron livre em resposta ao campo elétrico externo.

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Semicondutores extrínsecos tipo n

Impureza doadora localizado dentro do gap de


energia, imediatamente abaixo da banda de

Semicondutores condução.

Extrínsecos

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Semicondutores extrínsecos tipo p

Dopagem com um átomo de menor nº de valência

Semicondutores
Extrínsecos

(a) O átomo de impureza (B) substitui Si: deficiência de um elétron


(buraco) ao lado do átomo de impureza.
(b) Movimento do buraco eletrônico em resposta ao campo elétrico
externo.

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Semicondutores extrínsecos tipo p

Impureza receptora localizado dentro do gap


de energia, imediatamente acima da banda de

Semicondutores valência

Extrínsecos

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Dependência da concentração de
portadores em relação à temperatura.

Semicondutores
Extrínsecos

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A invenção dos dispositivos semicondutores


possibilitou a construção de circuitos
miniaturizados propiciando o grande
desenvolvimento tecnológico que
Semicondutores conhecemos

Dispositivos
• Diodos
• Transistores
• Capacitores

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Junção p-n

Semicondutores
Dispositivos

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Junção p-n

Semicondutores
Dispositivos

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Transistor npn

Semicondutores
Dispositivos

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Transistor npn

Semicondutores
Dispositivos
E
B

C
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Capacitores ou condensadores são elementos


elétricos capazes de armazenar carga elétrica e,
consequentemente, energia potencial elétrica.

Capacitores

Dois condutores (armaduras) que, ao serem


eletrizados, num processo de indução total,
armazenam cargas elétricas de mesmo valor
absoluto e sinais contrários.

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Aplicações na eletrônica:

Armazenar energia elétrica,


carregando-se e
descarregando-se muitas
vezes por segundo.
Capacitores Para pequenas variações de
ddp, o capacitor pode
fornecer ou absorver cargas
elétricas

Gerar campos elétricos de


diferentes intensidades ou
muito intensos em pequenos
volumes.
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Seleção de Materiais Aula 3
Engenharia Mecânica

Capacitores
• A capacitância C está relacionada à quantidade de cargas
armazenada em cada uma das placas:
C = Q/V (Coulomb/Volt ou farad)

• A capacitância pode ser calculada pela relação:

onde A é a área das placas e l é a distância entre elas. A


constante ϵ0 é a permissividade do vácuo, que vale 8,85 x 10−12
F/m.

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A c ap ac itância C es tá relac io nad a à q uantid ad e d e


c arg as arm azenad a em c ad a um a d as p lac as : C =
Q/V (C o ulo m b /Volt o u f arad )

A c ap ac itância p o d e s er c alc ulad a p ela relaç ão :

Capacitores
onde A é a área das placas e l é a
distância entre elas. A constante
ϵ0 é a permissividade do vácuo,
que vale 8,85 x 10^(−12) F/m.

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Materiais dielétricos com


polarização espontânea (na
ausência de um campo elétrico,
como nos ímãs permanentes).

É preciso que haja dipolos


Ferroeletricidade elétricos permanentes nos
materiais

Ex: titanato de bário

A polarização espontânea é uma


consequência do posicionamento
dos íons na célula unitária.

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Eletricidade por pressão.

Uma propriedade rara de algumas cerâmicas

Piezoeletricidade

Induz-se a polarização (e um campo elétrico)


por meio da aplicação de forças externas.

Força de tração para compressão: muda -se o


sentido do campo gerado.

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Convertem energia elétrica em deformações


mecânicas ou vice-versa.

Exemplos: titanato de chumbo, zirconato de


chumbo, quartzo.

Piezoeletricidade
As estruturas cristalinas são complicadas e
de baixa simetria. Pode -se aprimorar o
comportamento piezoelétrico aquecendo -se a
amostra acima de sua temperatura de Curie
e resfriando-a na presença de um forte
campo elétrico.

https://youtu.be/mpFVi3zzl1A
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Ap lic aç ões em transd uto res:

C o nver tem energ ia elétric a em energ ia m ec ânic a


e vic e -vers a.

Piezoeletricidade Exem p lo s :

• D i s p o s i t i vo s d e g e r a ç ã o d e i m a g e n s d e u l t r a s s o m .

• B a l a nç a s e l e t r ô n i c a s q u e u t i l i z a m c r i s t a i s q u e s e
polarizam ao sofrerem uma deformação

• V i o l õ e s e l é t r i c o s e o u t r o s i n s t r um e nt o s m u s i c a i s p a r a
t r a n s f o r m a r v i b ra ç õ e s m e c â n i c a s e m s i n a i s e l é t r i c o s
q u e s ã o e n t ã o a m p l i a d o s e c o nv e r t i d o s e m s o m

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À medida que resfriamos os metais até 0 K,


a resistividade elétrica diminui
gradualmente, aproximando -se de um valor
pequeno que depende de cada metal.
Supercondutores

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Em supercondutores: a resistividade cai


bruscamente a um valor virtualmente nulo,
permanecendo dessa forma para um
resfriamento adicional.

A mudança brusca de resistividade acontece em


Supercondutores temperatura crítica (T C ).

• Temperatura crítica:

• 1K a 20K para metais e ligas metálicas

• Acima de 100 K para alguns óxidos cerâmicos

https://youtu.be/BHW1YdGY-00
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Aplicações

Ímãs supercondutores capazes de gerar fortes


campos com baixo consumo de energia.

Equipamentos de ressonância magnética.

Transmissão de energia elétrica a baixas


Supercondutores tensões.

Ímãs para aceleradores de alta energia.

Chaveamento e transmissão de sinais em


computadores.

Trens de levitação magnética (repulsão gerada


por campo)

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Dúvidas?

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