Apostila Eletronica v31

Apostila de Eletrônica 1
José Gabriel R. C. Gomes
Victor Raposo R. de Oliveira
v3.1
Conteúdo
1 Física Básica de Semicondutores 3

1.1 Materiais Semicondutores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.1.1 Portadores de Carga . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.1.2 Dopagem . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.1.3 Transporte de Portadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.1.4 Exercícios Resolvidos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.2 Junção pn (Diodo) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.2.1 Junção pn em Equilíbrio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.2.2 Junção pn em Polarização Reversa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
1.2.3 Junção pn em polarização direta . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.2.4 Características I/V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
1.3 Voltagem de Breakdown . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
2 Diodos 18
2.1 Modelos para Polarização Direta . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
2.1.1 Modelo Ideal: Curto Circuito . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
2.1.2 Modelo com Bateria . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
2.1.3 Modelo Bateria em Série com Resistência . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
2.1.4 Modelo Exponencial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
2.1.5 Simulação (OrCAD) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
2.1.6 Solução Gráfica (Experimental) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
2.2 Modelos para Polarização Reversa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
2.2.5 Simulação (OrCAD) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
2.2.6 Fotodiodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
2.2.7 Coeficiente de Temperatura . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.3 Diodo Zener - Polarização Direta . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.4 Diodo Zener - Polarização Reversa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.4.3 Modelo Bateria VZ0 em Série com Resistência rz . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
2.4.5 Simulação (OrCAD) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
2.5 Exemplos com Diodo Comum e Diodo Zener . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
2.5.1 Diodo Comum - Modelo Bateria . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
2.5.2 Diodo Zener - Modelo Bateria . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
3 Cálculo de Valores DC e RMS 35

3.1 Valor Médio (VDC ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
3.1.1 Forma de Onda Genérica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
3.1.2 Forma de Onda Senoidal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
3.1.3 Senóide Retificada em Meia Onda . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
2
CONTEÚDO 3
3.1.4 Senoide Retificada em Onda Completa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

3.1.5 Onda Dente de Serra . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
3.2 Valor RMS ("Root Mean Square") ou Valor Eficaz (VRM S ) . . . . . . . . . . . . . . . 38
3.2.1 Forma de Onda Genérica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
3.2.2 Forma de Onda Senoidal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
3.2.3 Senoide Retificada em Meia Onda . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
3.2.4 Senoide Retificada em Onda Completa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
3.2.5 Onda Dente de Serra . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
3.2.6 Resumo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
3.3 Potência Instantânea e Potência Eficaz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
4 Fonte RC com Filtro Capacitivo 47

4.1 Fator de Ripple (Fator de Ondulação) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
4.2 T2 = T2 − T1 (eliminando T1 e T2 na figura) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
5 Fonte RC com Filtro Capacitivo Regulada a Zener 51

5.1 Características do Diodo Zener . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
5.2 Exemplo de Projeto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
5.3 Análise do Circuito Projetado na Seção 5.2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
5.4 Exercícios . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
6 Limitadores de Tensão ("Limiters", "Clippers"ou "Diode Clipping Circuits") 57

6.1 Limitador Negativo em Paralelo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
6.2 Limitador Negativo em Série . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
6.3 Limitador Positivo em Paralelo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
6.4 Limitador Positivo em Série . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
6.5 Limitadores Duplos e Outros . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
7 Grampeadores de Tensão("Clampers"ou "DC Level Changing Circuits"ou "Diode

Clamping Circuits") 64
7.1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
7.2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
7.3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
7.4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
8 Multiplicadores de Tensão ("Voltage Multipliers") 67

8.1 Duplicador de Tensão . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
8.2 Outro Duplicador de Tensão . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
8.3 Triplicador de Tensão Combinando 8.1 e 8.2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
8.4 Multiplicador de Tensão Genérico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
8.5 Triplicador de Tensão (a partir de Topologia Genérica) . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
8.6 Exercícios . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
9 Amplificador Operacional 73
9.1 Amplificador Operacional Ideal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75
9.1.1 Realimentação Negativa - Configuração Inversora . . . . . . . . . . . . . . . . . 75
9.1.2 Realimentação Negativa - Configuração Não-Inversora . . . . . . . . . . . . . . 76
9.1.3 Realimentação Negativa - Configuração Somadora Inversora . . . . . . . . . . . 77
9.1.4 Realimentação Negativa - Configuração Diferencial . . . . . . . . . . . . . . . . 77
9.2 Amp Op Não-Ideal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
9.3 Exercícios . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
A Revisão Circuitos Elétricos 82
A.1 Propriedades . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82
A.1.1 Corrente e Tensão . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82
A.1.2 Malhas e Nós . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82
A.1.3 Série e Paralelo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82
A.2 Componentes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
A.2.1 Resistores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
A.2.2 Fontes de Tensão . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84
A.2.3 Fontes de Corrente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84
A.2.4 Capacitores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
A.3 Circuitos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86
A.3.1 Lei de Kirchhoff para tensão . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86
A.3.2 Lei de Kirchhoff para corrente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86
B Resolução dos Exercícios Resolvidos 87

B.1 Resolução Capítulo 1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87
Índice Remissivo 145
4
1 | Física Básica de Semicondutores
1.1 Materiais Semicondutores
III IV V
B C
Al Si P
Ga Ge As
1.1.1 Portadores de Carga

Lacunas: Geração de pares elétron-
Cristais de silício com ligações covalentes lacunas, recombinação de elétrons e lacunas.
onde ocorre o compartilhamento dos quatro
elétrons da camada de valência do átomo de
silício.
Elétron em movimento da direita pra es-

querda. Lacuna em movimento da esquerda
para direita.
"Gap"de energia (ou "Energia de Band-
gap"): energia mínima para desalojar um elé-
tron de uma ligação covalente.
Para o silício:
e− (elétron livre): O elétron adquire ener-
gia térmica (em temperatura maior que 0 K), Eg = 1.12 eV
ocasionalmente escapando das ligações e fun-
cionando como portador de carga. Para o diamante:
5
Sec. 1.1 Materiais Semicondutores
Eg = 5.47 eV Ex:
Eg = 1.5 eV
Onde: Se:
1 eV = 1.6 × 10−19 J T = 300 K

Então:
Semicondutores em geral:
ni = 6.97 × 106 elétrons/cm3
1 eV ≤ Eg ≤ 1.5 eV
Se:
Quantidade de elétrons livres, por uni- T = 600 K

dade de volume, à temperatura T :
Então:
3 −Eg
ni = 5.2 × 1015 · T 2 · e 2kT elétrons/cm3
Onde ”k” é a constante de Boltzman e

vale: 1.1.2 Dopagem
Alteração das densidades dos portadores de
k = 1.38 × 10−23 J/K carga.
Semicondutor Intrínseco (sem dopagem):
o cristal de silício puro tem resistência muito
E ”e” é o número de Euler. alta.
Ex: np = n2i (1.1)

Para o semicondutor intrínseco:
Eg = 1.12 eV
Se: n = p = ni
O átomo de fósforo contém 5 elétrons de

T = 300 K
valência. Inserção de fósforo no cristal de si-
Então: lício:
Se:
T = 600 K
Então:

O fósforo é "doador"de elétrons. Ao ser
dopado, um semicondutor se torna extrín-
O silício tem: seco. Como fósforo é do tipo "n", quando
dopamos com ele o número de portadores de
5 × 1022 átomos/cm3 carga (elétrons) aumenta muito.
6
Cap. 1 Física Básica de Semicondutores
Ex, adicionado 1016 átomos/cm3 , temos:
n = 1016 átomos/cm3
Logo, por (B.5):
n2i
p= = 1.17 × 104 lacunas/cm3
n
Dopagens típicas são de 1015 átomos/cm3

a 1018 átomos/cm3 .
Ex, adicionado 1016 átomos/cm3 , temos:
n = 1016 átomos/cm3 Velocidade de corrente:
n2i
p= = 1.17 × 107 lacunas/cm3
n
v = µE
Semicondutores tipo n: elétrons são por-

tadores majoritários e lacunas são portado- Mobilidade dos elétrons no silício:
res minoritários. O átomo de boro contém
3 elétrons de valência. Inserção do boro no
cristal de silício:
µn = 1350cm2 /(V s)
Mobilidade das lacunas no silício:
µp = 480cm2 /(V s)
O boro é "aceitador"de elétron. Tem-se

aqui um semicondutor "tipo p". As lacunas
são as portadoras majoritárias de carga. Ex:
1 V aplicado a 1 µm de silício tipo n.
Então:
Tipo P. Majoritários P. Minoritários
V
E= = 10000V/cm
n2i L
n n ' ND >> ni p' ND
n2i
p p ' NA >> ni n' NA v = µn E = 1.35 × 107 cm/s
∆t = 1µm · 1.35 × 107 cm/s = 7.4 ps

1.1.3 Transporte de Portadores
Deriva: campo elétrico aplicado a um mate- Cálculo da corrente a partir da velocidade

rial → corrente. dos portadores:
7
Ex:
µn n = µp p
n µp
=
p µn
np = n2i
µn
r
p= ni
µp
µp
r
n= ni
µn
µp
= 2.81
µn
p = 1.68ni
n = 0.596ni
Uma dopagem muito leve...
Ex, para que:

Fluxo de corrente em termos da densidade
de carga: µn n = 2µp p
I = −vwhnq Então:
p=
n=
q = 1.6 × 10−19 C
Saturação de velocidade: µ depende de E.
v
I
Jn = A/cm2
wh
Vsat
E
Jn = µn Enq ← densidade de carga
"Corrente": µ0
µ=
1 + bE

µ0
lim v= E = vsat
E→∞ 1 + bE
(velocidade de carga)×(densidade de corrente) µ0
= vsat
b
µ0
b=
vsat
Jtot = µn Enq + µp Epq
v= µ0 E
µ0
Jtot = q(µn n + µp p)E 1+ vsat
E
8
Ex: Dp = 12cm2 /s
L = 0.2 µm
A densidade de corrente para elétrons:
V = 1V
dn
Vsat = 107 cm/s Jn = qDn
dx
µ0 = 1250cm2 s/V Para lacunas:
Então: dp
Jp = −qDp
dx
µ0 µ0 Logo:
µ= µ0 E
= = 174cm2 s/V
1+ 7.75
vsat dn dp
Jtot = q Dn dx − Dp dx
Ex, para que µ = 0.9µ0 :

Ex:
µ0
0.9µ0 = µ0 E
1+ vsat
1 vsat
E= · = 823V/cm
9 µ0
V = EL = 823V/cm × 0.2 × 10−4 cm
V = 16.5 mV
N
Dispositivos modernos (200 nm) operam Jn = −qDn
L
com saturação de velocidade considerável!
E para buracos?
Ex, para que:
Ex:
µ = 0.8µ0
Então: V =
Difusão: fluxo de corrente sem a aplicação

(ou na ausência) de um campo elétrico. Os
portadores criam uma corrente elétrica, desde
que a não-uniformidade (da concentração de
portadores) seja mantida. A corrente diminui ao longo do eixo
x. Elétrons desaparecem ao viajar de
x = 0 para x = L.
−x
n(x) = N e Ld
Então:
−qDn N −x
Jn = e Ld
Ld
Relação de Einstein:
dn D kT
I = AqDn µ = q
dx
Onde A é a área da Seção transversal do
Para T = 300 K:
semicondutor e Dn é a constante de difusão.
No silício intrínseco: D kT
= ' 26 mV
µ q
Dn = 34cm2 /s
9
1.1.4 Exercícios Resolvidos

ER 1) A concentração de portadores intrín-
secos do germânio (Ge) é dada por:
3 −Eg
ni = 1.66 × 1015 · T 2 · e 2kT elétrons/cm3
Sendo que:
Eg = 0.66 eV
a) Calcule ni à 300 K e à 600 K e com-
pare os resultados com aqueles obtidos para
o silício (calcule as proporções).
b) Determine a concentração de elétrons
e lacunas se o Ge for dopado com P à densi-
dade de 5 × 1016 cm−3
ER 2) Um volume de silício com compri-

mento 0.1 µm e Seção transversal de 0.05 µm
por 0.05 µm está sob a diferença de potencial
de 1 V.
a) Se o nível de dopagem for 1017 cm−3 ,
com fósforo, calcule a corrente total que atra-
vessa o dispositivo à 300 K.
b) Repita a) para T = 400 K, assumindo
que a mobilidade mão muda com a tempera-
tura, por simplicidade (é uma simplificação
ruim).
ER 3) Repetir a questão ER 2) para

o Ge, usando os dados da questão ER 1) .
Assuma:
µn = 3900 cm2 /(V s)
µp = 1900 cm2 /(V s)
10
1.2 Junção pn (Diodo)
Aplicação geral em microeletrônica. Esta en-

tre os dispositivos semicondutores mais sim-
ples. É um bloco básico do transistor.
Catodo Anodo
O campo elétrico é criado por causa

da presença de partículas com carga "lí-
1.2.1 Junção pn em Equilíbrio quida"diferente de zero, que são justamente
Sem voltagem aplicada: os íons.
Equilíbrio: o campo elétrico é forte o su-
ficiente para interromper completamente as
correntes de difusão.
Condição de Equilíbrio entre as correntes
de deriva e difusão, para cada portador:
|Idrif t,p | = |Idif f,p |

|Idrif t,n | = |Idif f,n |
Potencial "Built in"(Barreira de Po-
tencial):
Cálculo do valor (voltagem) da barreira
de potencial:
Onde:
dp dV dp
qµp pE = qDp → − µp p = Dp
nn = Elétrons no lado n dx dx dx
pn = Lacunas no lado n dp
Z x2 Z pp
dp
−µp dV = Dp → −µp dV = Dp
np = Elétrons no lado p p x1 pn p
pp = Lacunas no lado p
1o )Correntes de difusão elevadas!
2o ) As correntes de difusão param. Por
quê? Concentrações iguais? Não . Forma-
ção de íons? Sim .
t → ∞:
11
Sec. 1.2 Junção pn (Diodo)
A voltagem reversa torna o lado n mais

Dp

pp positivo do que o lado p.
V (x2 ) − V (x1 ) = − ln
µp pn A voltagem de polarização reversa (VR )
reforça o campo elétrico interno ("built in
kT pp
|Vo | = ln electric field") A barreira de potencial se
q pn
torna mais forte do que em equilíbrio. Mais
|Vo |: diferença de voltagem entre as extre- íons (aceitador(B) ou doador (P)) focam ex-
midades da região de depleção. postos. A região de depleção e torna mais
larga. (Podemos pensar nas partes onde
kT
Vo = q ln NA ND ainda há portadores (n ou p) como sendo as
n2 i
placas de um capacitor). À medida em
que as placas se afastam entre si, a capacitân-
cia da junção pn diminui. A junção pn pos-
Ex: sui, portanto, capacitância (não linear) de-
pendente de VR :
NA = 2 × 1016 /cm3
ND = 4 × 1016 /cm3
T = 300 K
C
Cj = r j0
Então: V
1− VR
0
Vo ' 26 mV · ln(6.84 × 1012 ) = 768 mV
Ex:
Multiplicando NA ou ND por 10, a
variação de V0 é de somente 60 mV: q
si q NA ND 1
Cj0 = 2 NA +ND V0

kT 10NA ND kT NA ND
∆V0 = ln − ln
q n2i q n2i

kT
∆V0 = ln(10) ' 60 mV
q
Voltagem "térmica": Cj
kT
VT , q
VR
1.2.2 Junção pn em Polarização Re-

versa
Constante dielétrica no silício:
si = 11.7 × 8.85 × 10−14 F/cm
12
Ex: Ex:
NA = 2 × 1016 /cm3
VR
ND = 9 × 1015 /cm3
VR = 0 C L
Então:

NA ND
V0 = VT ln = 0.73 V
n2i
O circuito opera a 2GHz se VR = 0 e
s
si q NA ND 1
a área da junção é 2000 µm2 ?
Cj0 = = 2.65 × 10−8 F/cm2 Vamos ver qual é a variação da
2 NA + ND V0
"frequência de ressonância", obtida ao
Ou: variarmos VR de 0V até 2V. (A junção
é a mesma do exemplo anterior).
Cj0 = 0.265fF/µm2
Resolvendo:
Com:
1
f0 = √ = 2 GHz
VR = 1 V LC
C = 0.265 × 2000 = 530 fF
Então:
Então:
Cj0
Cj = q = 0.172fF/µm2 L = 11.9 nH
VR
1− V0 530
VR = 2 V → C = q = 274 fF
2
1 + 0.73
f0 = 2.79 GHz
Obs.: Oscilador controlado por vol-
tagem (VCO) é um bloco básico de ce-
lulares, processadores, e computadores.
O capacitor dependente de voltagem é
também chamado de "varactor".
Obs.: Outro uso muito importante
da junção pn reversamente polarizada se
dá no fotodiodo.
13
1.2.3 Junção pn em polarização di-

reta
Por causa de VF . as concentrações np e

pn aumentam muito. No caso de pn :
V
Se VF 6= 0, então a barreira de potencial NA F
∆pn ∼= V0 · e VT
− 1
é reduzida de V0 para V0 − VF : e VT

pp E no caso dos elétrons do lado p:
V0 = VT ln
pn ND
V
F

∼
∆np = V0 · e − 1 VT
Onde:
e VT
VT = 26 mV Os aumentos nas concentrações de por-
tadores minoritários indicam que as corren-
Para:
tes de difusão devem aumentar, proporcional-
mente, muito:
T = 300 K
Em "equilíbrio": Itot ∝ (∆pn + ∆np )
pp,e Pode-se mostrar que:
pn,e = V0
e VT V
F
Em "forward": Itot = Is · e − 1
VT
pp,f
pn,f = V0 −VF
e VT
Onde:
Nesse caso:
Dn Dp
IS = Aqn2i NA Ln + ND Lp
pp,f ' pp,e ' NA → pn,f >> pn,e
(Isso não é provado aqui) Se chama "corrente de saturação reversa.
Ln e Lp (dezenas de µm) se chamam "com-
A concentração de portadores minoritá- primentos de difusão"de elétrons e lacunas.
rios aumenta muito com VF , enquanto que a
concentração de portadores majoritários fica
praticamente constante. Isso também vale
para np,f e nn,f .
(∆pn = pn,f − pn,e )
14
Ex:
NA = 2 × 1016 /cm3
ND = 4 × 1016 /cm3
T = 300 K
A = 100 µm2
Ln = 20 µm
Lp = 30 µm
Então:
IS = 1.77 × 10−17 A
Concentrações de portadores minoritários

ao longo do eixo x: elas variam, conforme é
mostrado na figura, de modo que as correntes
de difusão possam ocorrer fora da região de
depleção:
Se a concentração de portadores minoritá-

rios varia ao longo do eixo x (recombinação)
e a corrente Itot é constante, então, nas vi-
zinhanças imediatas da região de depleção a
corrente é composta por portadores minori-
tários. Perto dos contatos, é composta por
portadores majoritários.
15
1.2.4 Características I/V
Ex, se:
VF
Itot = Is · e VT
−1 VD

ID ' Is · e VT
VD
Então são necessários cerca de 60 mV
ID = Is · e VT
−1 para multiplicar por 10 a corrente:

ID
VD = VT ln
IS
ID e VD → corrente e voltagem no diodo.
10ID
VD1 = VT ln = VD + VT ln(10)
IS
"60 mV por década de variação em ID "
Ex:
Se a área do diodo (Seção transver-
sal) for aumentada por um fator de 10,
então a mesma corrente é obtida com um
VD 60 mV menor:

ID
VD1 = VT ln
10IS
Ex: Modelo simplificado: voltagem

Dois diodos em paralelo com: constante
Com níveis típicos de corrente ID , temos

IS = 1.77 × 10−17 A 600 mV < VD < 800 mV. (A voltagem do di-
T = 300 K odo é uma função da corrente e da área). A
corrente de saturação reversa ("vazamento")
Se:
é desprezada. Então:
VD = 300 mV
Então:
V
D
ID = 2IS e − 1 = 3.63 pA
VT
Se:
VD = 800 mV
Então:
ID = 82 µA
16
Para polarização reversa: Se V = 1 V, temos:
VD,on VD = 750 mV(chute inicial)
+
−
V − VD 1 − 0.75
ID = = = 0.25 mA
R 1000
Para polarização direta:

ID
VD = VT ln = 742 mV
IS
VD,on
+
−
1 − 0.742
ID = = 0.258 mA
1000
Com o modelo de voltagem constante
VD = 0.8 V, obtemos:
Ex:
ID = 2.2 mA, seV = 3 V
R ID = 0.2 mA, seV = 1 V
+ V ID Obs.: neste exemplo, o modelo de
− + voltagem constante com VD,on = 0.8 V(e
VD não 0.7 V é adequado, especialmente,
porque o valor de IS é extremamente
−
baixo.
V = RID + VD

ID
VD = VT ln
IS
Se V = 3 V:
VD = 750 mV(chute inicial)
V − VD 3 − 0.75
ID = = = 2.25 mA
R 1000

ID
VD = VT ln = 799 mV
IS
3 − 0.799
ID = = 2.201 mA
1000
17

ER 4) Devido a um erro de fabricação, o lado
p de uma junção pn ficou sem dopagem. Se
ND = 3 × 1016 /cm3 , calcule a voltagem da
barreira de potencial a 300 K.
ER 5) Uma junção pn é fabricada com
ND = 5 × 1017 /cm3 e NA = 4 × 1016 /cm3 .
a) Determine as concentrações de porta-
dores majoritários e minoritários dos dois la-
dos.
b) Calcule a voltagem da barreira de po-
tencia as temperaturas de 250 K, 300 K e
350 K.
ER 6) Considere uma junção pn em pola-
rização direta.
a) Para obter uma corrente de 1 mA com
uma voltagem de 750 mV, qual deveria ser o
valore de IS ?
b) Se a Seção transversal do diodo tiver
a sua área duplicada, qual voltagem dará a
corrente de 1 mA?
ER 7) O circuito a seguir mostra dois dio-
dos com corrente de saturação reversas iguais
a IS1 e IS2 colocados em série. Calcule IB ,
VD1 e VD 2 em função de VB , IS1 e IS2 .
VD1 VD2
+ − + −
IB
+
−
+ −
VB
18
1.3 Voltagem de Breakdown
Breakdown reveso por efeito avalanche.

Níveis de dopagem moderados ou baixos (in-
feriores a 101 5/cm3 ); "ionização de impacto",
dentro da região de depleção; TC (coeficiente
de temperatura positivo).
Os TCs (zener e avalanche) se cancelam
para voltagem de breakdown ' 3.5 V.
Se a corrente for mantida em níveis ade-
quados, o "breakdown"não danifica o diodo.
Breakdown reverso por efeito Zener.

106 V/cm; região de depleção mais estreita;
níveis mais altos de dopagem, nos dois lados
da junção. Voltagem reversa na faixa de 3 V
a 8 V; TC negativo.
19
2 | Diodos
Neste Capítulo veremos o diodo como componente de um circuito que pode ser modelado de diversas
maneiras dependendo da necessidade de precisão dos resultados. Como vimos no Capítulo 1, o diodo
em polarização direta é modelado por uma função exponencial em caso de polarização direta (corrente
fluindo do anodo para o catodo positivamente ou do catodo para o anodo negativamente) e por um
circuito aberto (aproximadamente) em caso de polarização reversa (corrente fluindo do catodo para o
anodo positivamente ou do anodo para o catodo negativamente). Os modelos estudados nas Seções
seguintes tem como objetivo aproximar o comportamento do diodo de forma que os circuitos possam
ser equacionados de forma mais simples e rápida manualmente ou computacionalmente.
2.1 Modelos para Polarização Di-

reta
Tomemos como exemplo o seguinte circuito:
2.2 kΩ
+
R
+
20V − VD
ID −
Substituímos o diodo por um curto cir-

cuito em caso de polarização direta. Para o
mesmo circuito da Seção 2.1:
Para sabermos se o diodo está em pola-
rização direta ou reversa, primeiro substituí- 2.2 kΩ
mos o diodo por um de seus modelos para
polarização direta (vistos a seguir) e em se- +
R
guida equacionamos o circuito com o obje- +
tivo de calcular a corrente que passa por ele. 20V − ID VD
Caso ele esteja diretamente polarizado após a
−
substituição pelo respectivo modelo, implica
que o comportamento assumido está corrento.
Caso ele esteja reversamente polarizado isso
implica que o comportamento assumido está
errado e o diodo deve se comportar como um
circuito aberto nesse caso. VD = 0 V
2.1.1 Modelo Ideal: Curto Circuito 20

ID =
2200
Aproximamos a curva do diodo da seguinte
maneira: ID = 9.01 mA
20
Cap. 2 Diodos
A corrente calculada tem sentido positivo ID = 0

fluindo do catodo para o anodo, ou seja, o
comportamento assumido está correto. Se a
Como a corrente que passa pelo resistor
corrente fosse negativa, ou positiva com o sen-
é nula, a queda de tensão nele também é
tido contrário, deveríamos ter considerado o
(A.2.1). Logo:
diodo como um circuito aberto. Por exemplo,
o circuito a seguir:
VD = −20 V
2.2 kΩ
+
R
− 2.1.2 Modelo com Bateria
20V + VD
Aproximamos a curva do diodo da seguinte
ID − maneira:
Se substituirmos o diodo por um circuito

aberto:
2.2 kΩ
+
R
−
20V + ID VD
Substituímos o diodo por uma bateria

(caso nada tenha sido especificado, VD =
Se equacionarmos o circuito: 0.7 V) em caso de polarização direta.
VD = 0 V 2.2 kΩ
+
R
−20 + +
ID = 20V − 0.7V − VD
2200
ID −
ID = −9.01 mA
A corrente que passa pelo diodo está ne-

gativa para o sentido que o polarizaria direta-
mente, o que indica que comportamento cor- VD = 0.7 V
reto deveria ser circuito aberto, e neste caso:
2.2 kΩ
20 − 0.7
+ ID =
R 2200
−
20V + VD ID = 8.77 mA
ID
−
Caso a corrente calculada fosse negativa
(no sentido especificado na figura acima), te-
ríamos de ter utilizado um circuito aberto
O circuito está aberto, logo: como visto na subSeção anterior.
21
Sec. 2.1 Modelos para Polarização Direta
2.1.3 Modelo Bateria em Série com VD = 0.688 V

Resistência
Aproximamos a curva do diodo (vermelho) Há duas maneiras de calcular aproxima-
por uam reta (azul) que vai de um ponto A damente os valores para a bateria VD0 e o
até um ponto B: resistor rd .
Método Sem Tabela
Primeiro, substituímos o diodo por uma

bateria (sem resistor) de um valor arbitrário
como na Seção 2.1.2. Foi calculado o seguinte
valor de corrente:
ID = 8.77 mA
Agora, em torno deste ponto, seleciona-
mos dois pontos próximos, arbitrariamente,
como:
ID1 = 2 mA
Para isto, modelamos o diodo em polari-
zação direta como uma bateria em série com
ID2 = 10 mA
um resistor. A bateria representa o ponto
onde a reta (azul) cruza o eixo horizontal e Depois, na equação que descreve a curva
o resistor a inclinação desta reta. exponencial:
Substituindo diodo por uma bateria VD0
VD
em série com uma resistor rd em caso de po- ID = IS e nVT
larização direta:
Se manipularmos para que VD apareça em
2.2 kΩ evidência:
R + ID
VD = nVT ln (2.1)
+ + Is
20V − VD0 −
Temos dois pontos de corrente, se substi-
ID tuirmos ID em (2.1), obtemos dois valores de
VD tensão, VD1 e VD2 . A equação que descreve a
reta da aproximação é a seguinte:
rd
VD = VD0 + rd · ID
−
Com os valores que obtivemos temos duas
equações que representam dois pontos da
mesma reta:
Usando VD0 = 0.6 V e rd = 10 Ω (valores
arbitrários que condizem com os pontos A e VD1 = VD0 + rd · ID1
B apresentados):
20 − 0.6 VD2 = VD0 + rd · ID2

ID =
2210 Os valores de VD1 , VD2 , ID1 e ID2 são co-
nhecidos, restam duas equações e as duas in-
ID = 8.78 mA cógnitas VD0 e rd . Basta resolver um sistema
linear para obter os valores VD0 e rd .
VD = 0.6 + 10 × 8.78 × 10−3 Método Com Tabela
22
Cap. 2 Diodos
Para o diodo D1N4001 temos os seguintes Obs.: Note IS 10−17 A da Seção 1.2.4
dados:
IS = 14.1 nA n = 2 → Fator de não idealidade do diodo
n = 1.98 Obs.: Comumente o diodo não se-

gue, na pratica, exatamente o comporta-
A seguinte tabela caracteriza a curva ex-
mento de 60 mV/década ID teoricamente pre-
ponencial em polarização direta:
visto na Seção 1.2.4. Normalmente usamos
ID ( A) VD ( mV) n = 2 para representar aproximadamente
2µ 255 120 mV/década ID .
5µ 301
10 µ 337 Ainda com o mesmo circuito:
20 µ 372 2.2 kΩ
50 µ 419
0.1 m 455 +
R
0.2 m 490 +
0.5 m 538 20V − VD
1m 573 ID −
2m 609
5m 656
10 m 692
20 m 727 A solução pelo método "iterativo", con-
siste em alternarmos entre a equação que des-
Analogamente ao método anterior, es- creve o circuito a ser analisado e a equação
colhemos dois pontos de corrente próximos exponencial do diodo.
(acima e abaixo) ao ponto calculado com o
modelo bateria, mas não é necessário calcu- 1) Chute inicial:
lar a tensão utilizando (2.1) pois os valores
são apresentados na tabela. Tendo os valo- VD1 = 0.7 V
res de tensão e corrente relacionados a dois 2) Equacionamos a malha substituindo o
pontos podemos resolver um sistema linear e primeiro valor de VD :
obter VD0 e rd .
20 − VD1
ID1 = = 8.77 mA
2.1.4 Modelo Exponencial 2200
3) Substituímos o valor obtido na equação
Este método tem a maior precisão mas é o exponencial:
mais demorado. Tendo em mãos a equação
da curva do diodo na forma exponencial:
8.77 × 10−3

−3
VD2 = 52 × 10 ln = 0.712 V
VD 10−8
ID = IS e nVT
4) Com um novo valor, substituímos no-

Ou na forma logarítmica: vamente na equação de malha:

VD = nVT ln ID 20 − 0.712
IS ID2 = = 8.77 mA
2200
5) Repetimos o processo:
E usando os seguintes valores para as
constantes:
8.77 × 10−3

−3
VD3 = 52 × 10 ln = 0.712 V
VT = 26 mV@300 K 10−8
Após a primeira iteração (passo 4), houve
IS = 10 nA convergência entre os valores de corrente.
23
Sec. 2.1 Modelos para Polarização Direta
Caso contrário, repetimos o processo ate atin- Exemplos de dados experimen-

gir a precisão desejada. Note que o passo 2) tais(Experiência#3), D1N400X :
varia de circuito para circuito, uma vez que
depende do equacionamento do mesmo. VD ( mV) ID ( A)
250 2 × 10−6
O exemplo apresentado utiliza a equação 300 5 × 10−6
do diodo em sua forma logarítmica mas não é 340 1 × 10−5
sempre que ela irá convergir. Em caso de não 370 2 × 10−5
convergência, mesmo após diversas iterações, 420 5 × 10−5
é necessário utilizarmos a forma exponencial, 455 1 × 10−4
de modo que a equação de malha irá eviden- 490 2 × 10−4
ciar a tensão (no exemplo a corrente é evi- 535 5 × 10−4
denciada). Em geral, para valores próximos 575 1 × 10−3
ou menores que 0.5 V tentando polarizar o 610 2 × 10−3
diodo, utilizamos a forma exponencial e para 655 5 × 10−3
valores maiores, utilizamos a forma logarít- 690 1 × 10−2
mica.
Gráfico:
2.1.5 Simulação (OrCAD)
Utilizando um simulador de circuitos Spice
com um perfil de simulação "Bias Point":
0.684 V
2.2 kΩ 8.78 mA
+
R
+
20V − VD
ID −
Com maior precisão:

D1N4001
Obs.: Use "diode.olb"e "diode.lib"para

simular no OrCAD.
2.1.6 Solução Gráfica (Experimen-

tal)
2.2 kΩ
+
R
+
20V − VD
ID −
Então a solução experimental deve ser:
VD = 0.68 V
O diodo é representado por dados tabe-
lados obtidos experimentalmente, e a partir
deles é fazemos uma aproximação. ID = 8.78 mA
24
Cap. 2 Diodos
Assumindo que a resposta real é a solução

experimental, podemos comparar os erros dos
diversos modelos considerados:
Modelo Erro VD Erro ID

2.1.1 Ideal 100% 2.6%
?? Bateria 2.9% 0.1%
2.1.3 VD0 + rd 1.2% 0
2.1.4 Exponencial 4.7% 0.1%
2.1.5 Simulador 0.6% 0
Repare na combinação entre simplicidade

e precisão do "modelo bateria"!
25
Sec. 2.2 Modelos para Polarização Reversa
2.2 Modelos para Polarização Re- 2.2.5 Simulação (OrCAD)

versa
Circuito simulado:
Em polarização reversa o diodo não se com-
porta exatamente como circuito aberto. A se- 19.93 V
guir veremos alguns modelos para este caso. 5 MΩ 14.13 nA
Iremos pular as seções 2.2.1 , 2.2.2 e 2.2.3
pois o modelo ideal, o modelo da bateria de +
R
0.7 V e o modelo da bateria VD0 + em série +
com a resistência rd usam o mesmo modelo 20V − VD
de circuito aberto: ID −
+
R
+ D1N4001
E − VD
ID −
Use "diode.olb"e "diode.lib".
2.2.6 Fotodiodo
Um exemplo de um diodo operando em po-
2.2.4 Modelo Exponencial larização reversa propositalmente. Ao rece-
Para este modelo, consideramos o diodo como ber luz o diodo pode ser modelado como uma
uma fonte de corrente: fonte de corrente em paralelo com um capa-
citor. Com uma chave analógica fech inicial-
mente fechada:
+
R
+ S1 +
E − IS VD
V1 + VD
ID − −
−
Equacionando o circuito:
Chave analógica aberta:

ID ' IS
+
VD = E − RIS ' E S1
V1 + C VD
−
Ex:
IS = 10 nA −
ID = IS
ID = 10 nA
Utilizamos este comportamento para me-
dir a intensidade de luz que incide no fotodi-
R = 5 × 106 Ω
odo uma vez que a corrente é proporcional a
VD = 20 − 5 × 106 × 10 × 10−9 ela.
Um exemplo de um circuito mais com-
VD = 19.95 V
plexo é o "Pixel 3T"que tem uma saída de
interesse representada pelo seguinte gráfico:
26
Cap. 2 Diodos
2.3 Diodo Zener - Polarização Di-

reta
Em polarização direta, o diodo Zener se com-

porta de maneira similar ao diodo comum, e
por isso, modelamos seu comportamento da
mesma maneira. Os modelos são todos iguais
aos vistos na Seção ??, com possíveis ajustes
(correções) nos parâmetros dos modelos.
2.2 kΩ
+
∆VD (t) R
= C · Iph +
∆t 20V VD
−
ID −
"Pixel 3T"
Considerando o diodo zener D1N756,
podemos assumir VB = 0.75 V no mo-
A tensão no fotodido começa em um de-
delo com bateria:
terminado ponto e em seguida decai com
o tempo conforme o capacitor descarrega, 2.2 kΩ
quando a tensão chega a um determinado
ponto o circuito se reinicia, a tensão no fo- +
R
todiodo retorna ao patamar inicial e volta a + +
decair. Como a inclinação da reta VD (t) de- 20V − 0.75V − VD
pende da corrente e consequentemente da in- ID −
tensidade de luz, é possível medi-la a partir
da frequência dos pulsos. Isso é interessante
pois o circuito funciona de forma assíncrona
(não depende de um tempo fixo). Obs.: O potencial de barreira é um
pouco mais alto que o do D1N4001, por
2.2.7 Coeficiente de Temperatura causa da dopagem mais forte, mas este
ajuste não é muito importante e, na pra-
Podemos modelar o valor da corrente de po- tica, costumamos usar VB = 0.7 V (sa-
larização reversa se levarmos em conta que a bendo que VB = 0.75V seria um pouco
corrente de polarização reversa dobra, apro- mais preciso).
ximadamente para cada 10 ◦C de variação de
temperatura:
Ex:
27 ◦C → IDi = 14.13 nA
2.4 Diodo Zener - Polarização Re-
versa
47 ◦C → IDf = 60.10 nA
Em polarização reversa o diodo Zener se com-

Ou de forma mais geral: porta de forma similar ao diodo comum até
certo ponto. Conforme a tensão que o po-
Ex: lariza aumenta ele pode ser modelado como
um circuito aberto e depois como uma bate-
IDf
∆T = 10 · log2 ria. Consideremos o circuito a seguir para as
IDi próximas Seções:
27
Sec. 2.4 Diodo Zener - Polarização Reversa
2.2 kΩ
Ex:
2.2 kΩ
R
+ +
20V − R
IZ + +
20V − 8.2V − VZ
IZ −
IZ = 5.36 mA
VZ = 8.2 V
D1N756 Neste caso, a corrente IZ é positiva

mesmo considerando o Zener como bate-
ria. O modelo é válido.
Para uma fonte com tensão menor:
O diodo D1N756 apresenta corrente de 2.2 kΩ

condução reversa a partir de 8.2 V, ou seja, +
quando polarizado reversamente por uma ba- R
teria menor que 8.2 V, consideramos que não 7V
+
8.2V
+ VZ
− −
flui corrente (aproximadamente) e quando
polarizado por baterias maiores, considera- IZ −
mos que flui corrente como veremos nos mo-
delos a seguir. As aplicações mais importan-
tes dos diodos Zener se dão no regime de po-
larização reversa.
IZ = −550 µA
VZ = 8.2 V
2.4.1 e 2.4.2 Modelo com Bateria Neste caso a corrente é negativa e por
isso a conclusão não é válida. Devemos
considera o diodo como circuito aberto:
Substituímos o diodo Zener por uma bateria
VZk = 8.2 V em caso de polarização reversa 2.2 kΩ
(de forma similar a polarização direta). Assu- +
mindo o sentido da corrente fluindo do catodo R
para o anodo, se ela for positiva o suficiente +
7V − VZ
para que o diodo não se encontre em polari-
zação reversa mas não o suficiente para que IZ
−
após a substituição pela bateria, o diodo deve
ser considerado como circuito aberto. Vamos
estudar o seguinte circuito:
Note que, em polarização direta o Ze-
ner ainda pode ser considerado como cir-
cuito aberto dependendo da tensão que
o polariza, desta forma, modelamos seu
28 comportamento de três maneiras, mu-
dando o modelo em sequência, depen-
dendo a polarização. Para tensões muito
Cap. 2 Diodos
2.4.3 Modelo Bateria VZ0 em Série Normalmente, são utilizados os mesmos

com Resistência rz valores apresentados no circuito da figura
para a resistência e a bateria, no entanto, por
Considere o seguinte circuito (modelo já subs-
vezes necessitamos de uma precisão maior em
tituído):
que calculamos estes valores. Analogamente
2.2 kΩ ao diodo comum em polarização direta, dois
métodos podem ser usados:
R + Método Sem Tabela
+ VZ0 +
20V − − 8.1V
Primeiro, substituímos o Zener por uma
IZ bateria (sem resistor) de um valor arbitrário
VZ como na Seção 2.4. Foi calculado o seguinte
valor de corrente:
rz 10 Ω
IZ = 5.36 mA
−
Agora, em torno deste ponto, seleciona-
mos dois pontos próximos, arbitrariamente,
como:
De maneira similar ao diodo comum, uti- IZ1 = 2 mA

lizamos uma bateria para representar o ponto
onde a reta cruza o eixo horizontal e uma
resistência para representar a inclinação da IZ2 = 10 mA
reta. Desta forma conseguimos aproximar Depois, na equação que descreve a curva
mais fielmente seu comportamento em pola- exponencial:
rização reversa: VZ −VZK
IZ = IS e nVT
Se manipularmos para que VZ apareça em

evidência:
IZ
VZ = VZK + nVT ln (2.2)
Is
Temos dois pontos de corrente, se subs-
tituirmos IZ em (2.2) e VZK = 8 V (valor
dado), obtemos dois valores de tensão, VZ1 e
VZ2 . A equação que descreve a reta da apro-
ximação é a seguinte:
VZ = VZ0 + rz · IZ
Com os valores que obtivemos temos duas
20 − 8.1 equações que representam dois pontos da
IZ = mesma reta:
2210
5.38 mA VZ1 = VZ0 + rz · IZ1
VZ2 = VZ0 + rz · IZ2

VZ = 8.1 + 10 × 5.38 × 10−3
Os valores de VZ1 , VZ2 , IZ1 e IZ2 são co-
nhecidos, restam duas equações e as duas in-
8.15 V
cógnitas VZ0 e rz . Basta resolver um sistema
linear para obter os valores VZ0 e rz .
Obs.: Se você calcular VZ < VZ0 , então
use circuito aberto. Método Com Tabela
29
Sec. 2.4 Diodo Zener - Polarização Reversa
Para o diodo D1N756 em polarização re- 2.4.5 Simulação (OrCAD)

versa temos os seguintes dados:
8.14 V
VZK = 8 V 5 MΩ 5.39 µA
+
A seguinte tabela caracteriza a curva ex- R
ponencial em polarização reversa: +
20V − VZ
IZ
ID ( A) VZ − VZK ( mV) −
2µ 20
5µ 32
10 µ 41 D1N756
20 µ 50
50 µ 63
0.1 m 72
("Bias Point", diode.olb e diode.lib) Ou-
0.2 m 81
tros diodos Zener são: D1N753, D1N754,
0.5 m 94
D1N755, D1N757,D1N758 etc. O diodo Ze-
1m 105
ner D1N756 tem Zk = 6.8 V.
2m 117
5m 138
10 m 161
20 m 200 2.4.6 Exercícios Resolvidos
ER 8) Considere o circuito a seguir, assu-

Primeiro, vamos interpretar a tabela. Os mindo, IS = 2 × 10−15 A, use n = 1 se neces-
valores de tensão são atribuídos à VZ − VZK sário. Calcule VD1 e Ix , para Vx = 0.5 V,
e como VZK = 8 V, para obter VZ , simples- 0.8 V, 1.0 V e 1.2 V. Note que VD1 muda
mente somamos 8 V aos valores da tabela. pouco se Vx ≥ 0.8 V.
Em seguida, sabemos que a reta que aproxima
a curva exponencial tem o seguinte formato:
Ix
VZ = VZ0 + rz · IZ
Escolhemos dois valores de corrente na ta- 2 kΩ

bela, um acima e um abaixo, relacionados ao
valor de referencia do modelo bateria (arbi- Vx +
− +
trariamente, geralmente os dois mais próxi-
mos). Com os valores de corrente, obtemos D1 VD1
seus respectivos valores de tensão (lembrar −
de somar 8 V para obter VZ ) e assim temos
dois pares para substituir na equação da reta
e resolver o sistema assim como no método
anterior. ER 9) No circuito abaixo, calcule VD1
para Ix = 1 mA, 2 mA e 4 mA. Assuma
2.4.4 Modelo Exponencial IS = 3 × 10−16 A (e, se necesário, n = 1).
VZ −VZk
IZ = IS e nVT
+
Ix 1 kΩ D1 VD1
Não é usado comummente, mas, quando é
usado, aplicamos o mesmo procedimento ite-
−
rativo da Seção 2.1.4.
30
Cap. 2 Diodos
ER 10) Refaça os cálculos das se-

ções 2.1.3(diodo comum), 2.4.3(diodo ze-
ner), 2.1.4(diodo comum) e 2.4.4(diodo zener,
usando 20 V e 2200 Ω como na Seção 2.4.3),
assumindo IS = 10−15 A e n = 1. Para o
diodo zener, assuma Vzk = 8.2 V. Escolha
valores de VD0 e rd , ou de VZ0 e rz , qe lhe
pareçam adequadas.
Uma sugestão é adotar VD0 ou VZ0 igual
à voltagem para qual a corrente é cerca de
1 mA, e calcular rd e rz com base na volta-
gem para qual a corrente é 10 mA.
31
Sec. 2.5 Exemplos com Diodo Comum e Diodo Zener
2.5 Exemplos com Diodo Comum e

20 V − 0.7 V
Diodo Zener I1 =
1 kΩ
2.5.1 Diodo Comum - Modelo Bate-
ria I1 = 19.3 mA
Para I2 :
Circuito:
V (B) − 0 = R2 I2
0.7 V
V1 +
− 20V 1 kΩ I2 = = 0.7 mA
1 kΩ
No nó B, a soma das correntes que entram
é a soma das correntes que saem (KCL), com
isso podemos calcular I3 :
1 kΩ D1
I1 = I2 + I3
I3 = 19.3 mA − 0.7 mA = 18.6 mA
Se observarmos I3 , ela é positiva para o

Inicialmente assumiremos que o diodo se sentido assumido, o que indica que a corrente
comporta como bateria: está fluindo do catodo para o anodo do diodo,
mostrando que a conclusão é valida e o diodo
se comporta como fonte de tensão .
A
I1
Mudando o valor da fonte:
+
V1 − 20V R1 1 kΩ A
I1
B
V1 +
− 0.5V R1 1 kΩ
R2 1 kΩ D1 +
− 0.7V
B
I2 I3
R2 1 kΩ D1 +
− 0.7V
I2 I3
A a diferença de tensão entre o nó A e o

terra é a própria fonte de tensão V1 :
V (A) = V1 = 20 V
V (A) = V1 = 0.5 V
Para o nó B, será a própria fonte D1 :
Para o nó B, será a própria fonte D1 :
V (B) = D1 = 0.7 V
V (B) = D1 = 0.7 V
Agora, calculando as correntes, pela lei de Agora, calculando as correntes, pela lei de
Ohm: Ohm:
V = RI V = RI
V (A) − V (B) = R1 I1 V (A) − V (B) = R1 I1
32
Cap. 2 Diodos
A
0.5 V − 0.7 V I1
I1 =
1 kΩ
V1 +
− 20V R1 1 kΩ
I1 = −0.2 mA
B
Para I2 :
R2 1 kΩ Z1 +
− 8.2v
V (B) − 0 = R2 I2
I2
0.7 V
I2 = = 0.7 mA
1 kΩ
Por KCL:
Calculando as correntes:
I1 = I2 + I3 V (A) − V (B)
I1 =
R1
20 − 8.2
I1 = = 11.8 mA
I3 = −0.2 mA − 0.7 mA = −0.9 mA 1000
V (B) − 0
O sinal negativo em I3 mostra que a cor- I2 =
R2
rente flui no sentido oposto do assumido, e
neste caso a conclusão é inválida pois o diodo 8.2
I2 = = 8.2 mA
deveria se comportar como circuito aberto . 1000
Por KCL no nó B:
2.5.2 Diodo Zener - Modelo Bateria I1 = I2 + I3
Circuito:
I3 = 11.8 − 8.2 = 3.6 mA
Como a corrente I3 é positiva para o sen-
tido assumido, mesmo considerando o zener
V1 + 20V 1 kΩ
− como uma bateria na polarização reversa , a
conclusão está correta.
Para questão de esclarecimento, assumi-
remos as outras possibilidades para mostrar
as impossibilidades.
1 kΩ
Assumindo polarização direta:
A
I1
V1 +
− 20V R1 1 kΩ
O diodo zener pode ser comportar de três
maneiras diferentes para este modelo, em po- B
larização direta, se comporta como curto cir-
cuito, em polarização reversa, se comporta
R2 1 kΩ Z1
como circuito aberto ou fonte de tensão se
a corrente reversa for muito alta. Chutando I2
inicialmente que o diodo se comportará como
fonte em polarização reversa:
33
O nó B está ligado diretamente ao terra A

e por isso: I1
V1 +
− 10V R1 1 kΩ
V (B) = 0
B
Logo:
R2 1 kΩ Z1 +
− 8.2v
V (A) − V (B)
I1 =
R1 I2
20
I1 = = 20 mA
1000
Calculando as correntes:
No entanto, como o diodo se comporta V (A) − V (B)
como curto, toda corrente passa por ele I1 =
R1
quando chega no nó B, e por isso:
10 − 8.2
I1 = = 1.8 mA
1000
I2 = 0
V (B) − 0
I2 =
R2
8.2
I3 = I1 = 20 mA I2 = = 8.2 mA
1000
Por KCL no nó B:
Como a corrente I3 é positiva, ou seja,
indo do catodo para o anodo, o diodo está em I1 = I2 + I3
polarização reversa e a conclusão é inválida.
A ultima possibilidade acontece quando
I3 = 1.8 − 8.2 = −6.4 mA
nenhuma das anteriores for válida, nesse caso
o diodo se comporta como circuito aberto. Como a corrente é negativa para o sentido
assumido, isso indica que a conclusão está er-
Mudando o valor da fonte de tensão: rada.
Assumindo polarização direta:
A
I1
+
V1 10V 1 kΩ
− V1 +
− 10V R1 1 kΩ
1 kΩ
R2 1 kΩ Z1
I2
Testando a possibilidade de fonte em po- V (A) − V (B)

larização reversa: I1 =
R1
34
Cap. 2 Diodos
ER 13) Considere o seguinte circuito:

10 − 0
I1 = = 10 mA
1000
I2 = 0
ID1
I3 = I1 = 10 mA
D1
A corrente I3 é positiva para o sentido as- D2 3.3 kΩ R1
sumido, então esta conclusão também está ID2 IR1
errada. Logo o diodo se comporta como V1 +
− 20V
circuito aberto .
5.6 kΩ R2

2.2 kΩ D1
R1 I1
Calcule ID1 , ID2 e IR1 , assumindo modelo
V1 +
− 20V D2 4V
+ V
− 2
de bateria de 0.7 V para os diodos.
Calcule a corrente I1 , usando os modelos

de diodo a seguir:
a) Bateria de 0.7 V R1 I1
b) Bateria de 0.5 V em série com resistor
de 20 Ω. 20 Ω
+
V1 +
− 20V D1 VD1
VR1
+ −
−
R1 I1 D1
4.7 kΩ
+
2.2 kΩ R2 VR2
V1 +
− 10V
I1 −
Calcule a corrente I, usando os modelos
V2 +
-5V de diodo a seguir:
−
a) Bateria de 0.7 V.
b) Método iterativo, com modelo expo-
nencial da Seção 2.1.4.
Calcule as voltagens VR1 e VR2 , usando os
Extra: Use o modelo bateria + resistor,
modelos de diodo a seguir:
como na questão ER 12) .
a) Bateria de 0.7 V
b) Método iterativo, com modelo expo-
nencial da Seção 2.1.4 ER 15) Faça um gráfico Vout × Vin para o
Extra: resolva também usando o modelo circuito a seguir, utilizando para D1 o modelo
bateria + resistor com VD0 e rd de sua pre- da bateria de 0.7 V. Assuma VB = 2 V inici-
ferência (sugestão: VD0 = 0.65 V(ou VD0 = almente (para facilitar), mas depois desenhe
0.6 V. o gráfico assumindo que VB pode variar.
35
D1
Vin R1 Vout
R2
+ V
− B
Dica: também para facilitar o raciocínio,

você pode começar assumindo que R1 = R2 =
1 kΩ.
ER 16) Faça um gráfico da relação Ix × Vx

da figura a seguir. Para o diodo, use o modelo
ideal.
Ix
R1 1 kΩ
Vx +
−
D1
ER 17) Faça um gráfico da relação Ix × Vx

da figura a seguir. Para o diodo zener, use o
modelo com baterias constantes:
Ix
ZD1
Vx +
−
R1 1 kΩ
36
3 | Cálculo de Valores DC e RMS
Forma de onda genérica:
v(t) = VDC + VAC (t)

VDC → "direct current"(corrente direta), é a parte da forma de onda que tem valor constante.
VAC (t) → "alternating current"(corrente alternada), é a parte da onda que que varia com o tempo
de modo que o nível médio de VAC (t) é zero.
Para uma forma de onda senoidal:
v(t) = VDC + A · sin(ωt + θ)

Onde:
ω = 2πf → Frequência Angular

1
f= → Frequência
T
T → Período
3.1 Valor Médio (VDC )

T T
1 1
Z Z
RT
VDC = 1
v(t)dt VDC = VDC · dt + VAC (t) · dt
T 0 T 0 T 0
Por definição o nivel médio de VAC é zero,

Obs.: Osciloscópio: Coloque em modo logo:
CC e peça "average".
T
1
Z
VDC = VDC · dt
No simulador a definição de valor médio é T 0
um pouco diferente: Como VDC não varia com o tempo:
1
Z t 1
VDC = v(τ )dτ VDC =· VDC · T = VDC
t T
0
Vimos previamente que uma onda é com-
Onde "t"é o instante de tempo atual. posta de VDC e VAC , a conclusão é que o valor
Para formas de oonda periódicas, as defini- médio de uma onda genérica é o próprio valor
ções coincidem sempre que t é múltiplo de T . VDC que compõe a onda.
Vamos considerar, a seguir, algumas situ- 3.1.2 Forma de Onda Senoidal

ações interessantes.
T
1
Z
VDC = (VDC + A · sin(ωt + θ)) · dt
T 0
3.1.1 Forma de Onda Genérica
T T T
1 1 A
Z Z Z
VDC = (VDC + VAC (t)) · dt VDC = VDC ·dt+ · sin(ωt+θ)·dt
T 0 T 0 T 0
37
Sec. 3.1 Valor Médio (VDC )
VDC T A 1 T
A · sin(ωt) 0 < t < T2
VDC = · t − · cos(ωt + θ)

T 0 T ω 0 v(t) = T
−A · sin(ωt) 2 <t<T
1
VDC = VDC − A · (cos(2π + θ) − cos(θ)) T
T
A A
Z Z
2π 2
VDC = sin(ωt) · dt − sin(ωt) · dt
T 0 T T
2
VDC = VDC
A A T
VDC = + cos(ωt) T

π ωT 2
3.1.3 Senóide Retificada em Meia

Onda A A A A
VDC = + (cos(2π) − cos(π)) = +
π 2π π π
A
2A
VDC = π
t
T T
2
0 < t < T2

A · sin(ωt)
v(t) = T
0 2 <0<T
T
A
Z
2
VDC = sin(ωt) · dt
T 0
A T
2
VDC = (− cos(ωt))
ωT 0
A ωT
VDC = (− cos( ) + cos(0))
2π 2
A
VDC = (− cos(π) + cos(0))
2π
A
VDC = π
3.1.4 Senoide Retificada em Onda

Completa
A
t
T T
2
38
Cap. 3 Cálculo de Valores DC e RMS
3.1.5 Onda Dente de Serra
V1
VDC
t
V2
T 2T
v(t) pode ser descrita por:

t
v(t) = V1 − (V1 − V2 )
T
Pode ser obtida de forma aproximada, por
exemplo, colocando-se um capacitor em para-
lelo com o resistor de 1 kΩ nos circuitos das
seções 3.1.3 e 3.1.4. Veremos detalhes na Se-
ção 4.
t
v(t) = V1 − (V1 − V2 )
T
Se:
0<t<T
1
Z T 1
Z T
VDC = V1 · dt − (V1 − V2 )t · dt
T 0 T2 0
2
1 t T
VDC = V1 − 2
V 1 − V 2
T 2 0

(V1 − V2 )
VDC = V1 −
2
V1 +V2
VDC = 2
39
Sec. 3.2 Valor RMS ("Root Mean Square") ou Valor Eficaz (VRM S )
3.2 Valor RMS ("Root Mean

Square") ou Valor Eficaz (VRM S )
q R
1 T
VRM S = T 0 v 2 (t) · dt
Ou, de forma equivalente:
2 1
RT
VRM S = T 0 v 2 (t) 3.2.2 Forma de Onda Senoidal
Obs.: No osciloscópio, coloque em modo 1 T

Z
2 2
VRM = VDC + A2 sin2 (ωt) · dt
CC e peça "RMS". S
T 0
No simulador, a definição de valor efi-
caz("RMS(.)") é um pouco diferente:
A2

1 T 2
Z
2 2 t sin(2ωt) T
2
VRM S = v (τ ) · dτ VRM S = VDC + −
T 2 4ω

t 0 0
Sendo t o instante atual. Para firmas de Obs.:

onda periódicas, as definições coincidem sem- R T Prove o resoltado da integral inde-
finida 0 sin2 (ωt) · dt, usando:
pre que t é múltiplo de T . Vamos repetir, a
seguir, as mesmas situações interessantes da
Seção 3.1.
sin(a ± b) = sin(a) cos(b) ± cos(a) sin(b)
3.2.1 Forma de Onda Genérica
T cos(a ± b) = cos(a) cos(b) ∓ sin(a) sin(b)
1
Z
2 2
VRM S = (VDC + VAC (t)) · dt
T 0 Continuando:
T
1
Z
2 2
VRM S = VDC · dt
T 0
A2

2 2 T sin(4π) sin(0)
T VRM S = VDC + − − 0 + 8π
1
Z 8π
T 2
+ 2VDC VAC (t)2 · dt T T
T 0
T
1
Z
+ VAC (t)2 · dt 2 2 A2
T 0 VRM S = VDC +
2
Mas sabemos que:
Z T VAC,RM S= √A
VAC (t)2 · = 0 2
0
Sendo que:
T
1
Z
2 2
VDC · dt = VDC
T 0 Se VDC = 0, então VRM S = A
√
2
Vamos chamar a última parcela de
VAC,RM S . É o valor eficaz só da parte al-
ternada da forma de onda.
Obs.: No osciloscópio, coloque em modo
CA e peça "RMS".
Finalmente:
2
VRM 2 2
S = VDC + VAC,RM S
40
3.2.3 Senoide Retificada em Meia Continuando:

Onda
T
1 A2
Z
A 2
VRM = A2 sin2 (ωt) =
S
T 0 2
A
VRM S = √
2
t
T T
2
T
1
Z
2
2
VRM S = A2 sin2 (ωt) · dt
T 0
A2 sin(2ωt) T2

2 t
VRM S = −
T 2 4ω

0
3.2.5 Onda Dente de Serra
2 A2
VRM S =
4 VR,P
A
VDC
VRM S = 2 −VR,P
t
T 2T
Onde:
VR,P P = V1 − V2
T
1 t 2 2
Z
2 2
VRM S = VDC + (1 − ) VR,P · dt
T 0 T
3.2.4 Senoide Retificada em Onda 2
Completa 2 2
VR,P
VRM S = VDC +
3
A Integral:
2
VR,P
Z T 2
VR,P
(T − t)2 · dt =
T3 0 3
t
T T Z T
t3 T T3
2 (T 2 + 2T t + t2 ) · dt = (T 2 t − T t2 + ) =
0 3 0 3
Z T Z T
2 1 2 1
VRM S = A2 sin2 (ωt)·dt+ A2 sin2 (ωt)·dt
T 0 T T
2
Como exercício, mostre que:

T
1 A2
Z
A2 sin2 (ωt) · dt =
T T 4
2
41
Sec. 3.3 Valor RMS ("Root Mean Square") ou Valor Eficaz (VRM S )
V
(*) A definição de tensão de "ripple"(ondulação) facilita o cálculo de VAC,RM S = √
R,P
3
no caso da
forma de onda "dente de serra", mas é possível fazer também o cálculo "direto"(mais trabalhoso):
2 1
RT t
VRM S = T 0 (V1 − T (V1 − V2 ))2 · dt

1
RT t2 2tV12 2tV1 V2
= T 0 V12 + T2
(V12 − 2V1 V2 + V22 ) − T + T · dt
T
t2 V12 T
T
t2 2

1 t3 t2 V1 V2
= T V12 + (V12 − 2V1 V2 + V22 ) − V 1T − +

T 3T 2 0 T 0 T
0

1 2 T 2 2 2
= T V1 + 3 (V1 − 2V1 V2 + V2 ) −
T V1 + T V1 V2

T
= 13 (V12 + V1 V2 + V22 )
Então:
2 V12 V1 V2 V22
VRM S = 3 + 3 + 3
(−)
2 V12 2V1 V2 V22

VDC = 4 + 4 + 4
(=)
2
VR,P
2 V12 V1 V2 V22 (V1 −V2 )2
VAC,RM S = 12 − 6 + 12 = 4×3 = 3
3.2.6 Resumo
RT q R
1 T
Forma de onda 1
T 0 v(t) · dt T 0 v 2 (t) · dt VAC,RM S
3.1.1 e 3.2.1 Forma de Onda Genérica VDC VRM S
3.1.2 e 3.2.2 Senoide com nível médio VDC e amplitude A VDC A

√
2
3.1.3 e 3.2.3 Senoide retificada (meia onda) A

π
A
2
3.1.4 e 3.2.4 Senoide retificada (onda completa) 2A

π
A
√
2
V1 +V2 VR,P
3.1.5 e 3.2.5 "Dente de Serra" 2
√
3
42
3.3 Potência Instantânea e Potência Ex:

Eficaz v(t) = senoide retificada em meia
donda com A = 2 V
IDC A
+ V VRM S = = 1V
− DC R 2
R = 1 kΩ
P = 1 mW
Potência instantânea:
VDC 2 Com relação à potência media dissipada

P = VDC · IDC = sobre um resistor, VDC (com VAC (t) = 0)
R
e v(t) com VRM S = VDC são equivalen-
tes.
Ex:
VDC = 1 V Leituras interessantes:

Wikipedia: root mean sqaure
R = 1 kΩ Wikipedia: electric power (resisive)
P = 1 mW
i(t)
v(t) R
Potência "média"ou potência "eficaz":
p(t) = v(t)i(t)
1
RT
PAV G = T 0 v(t)i(t) · dt
T
1 v 2 (t) · dt
Z
PAV G =
T 0 R
T
1 1
Z
2
PAV G = · v (t) · dt
R T 0
2
VRM
PAV G = R
S
43
Sec. 3.3 Potência Instantânea e Potência Eficaz

Parte I: Para cada uma das questões a seguir (questões ER 18) até ER 26) ), desenhe a forma de
onda v0 (t) sobre o resistor RL e calcule o valor eficaz desta mesma forma de onda. Use, onde houver
diodos, o modelo ideal. Observações:
i): Nas questões ER 20) e ER 21) , resolva também v0 (t) e seu valor eficaz usando outros
três modelos mais detalhados (bateria de 0.7 V, bateria de 0.6 V em série com resistência de 10 Ω, e o
modelo exponencial da Seção 2.1.4), além do modelo ideal.
Dica:
Resolva:
+
−
Usando três ou quatro valores para a fonte de tensão (0 V,1 V,2 V e 19 V por exemplo) para ter
uma ideia do formato da saída.
ER 18) ER 20)
+
+
19V 60Hz V1 1 kΩ RL V0 (t)
−
D1
−
+
+
19V 60Hz V1 1 kΩ RL V0 (t)
−
ER 19) −
+
+ V
13.5V − 1 1 kΩ RL V0 (t)
ER 21)
44
V1 D1
− +
19V 60Hz
1 kΩ
A
− RL +
V0 (t)
19V
+ 60Hz
− D2
V2
45
ER 22)
D2
1
D
+ RL
V1 19V 60Hz B C
−
1 kΩ
+ −
V0 (t)
D3
4
D
D
ER 23)
A
D2
1
D
+ R1 RL
V1 19V 60Hz B C
−
1 kΩ 1 kΩ
− +
V0 (t)
D3
4
D
46
ER 24)
D2
1
D
+ RL A
V1 19V 60Hz B C
−
1 kΩ
− +
V0 (t)
Ω
1k
1k
Ω
R1
2
R
D
ER 25)
1 kΩ R2
+
R1 1 kΩ
+
V1 19V 60Hz D1 1 kΩ RL V0 (t)
−
−
ER 26)
A
D2
1
D
+ RL
V1 19V 60Hz B C
−
1 kΩ
− +
V0 (t)
1
D
Z
6V
D3
D
100 Ω
47
Parte II:
ER 27) Considere a aplicação de uma voltagem com forma de onda quadrada e VP = 13.5 V a um
resistor de 1 kΩ. Qual é a potencia dissipada no resistor?
ER 28) Considere o circuito desenhado a seguir. Calcule os valores VRM S , VDC e VAC,RM S asso-
ciados a v0 (t). Compare estes valores com os valores respectivos (VRM S , VDC e VAC,RM S ) que seriam
obtidos se o capacitor C fosse removido do circuito.
D1
+
+
19V 60Hz V1 1 kΩ R C V0 (t)
−
−
18.3 V
11.7 V
t
1
T = 60 seg
48
4 | Fonte RC com Filtro Capacitivo
Neste capítulo e no próximo estudaremos fontes, em especial como projeta-las, que tem como o objetivo
converter uma tensão alternada, geralmente de alta amplitude, para uma tensão constante, geralmente
de baixa amplitude. A primeira fonte que estudaremos consiste de um retificador, de meia onda ou
onda completa (vistos no capítulo anterior), e um capacitor em paralelo com a carga (dispositivo a ser
alimentado, representado por um resistor). Exemplo de circuito:
V (t)
+
19.6 V 60Hz C RL
−
+
19.6 V 60Hz
−
A seguir um gráfico do formato da onda na saída do retificador de onda completa (vermelho) e

deste mesmo retificador acompanhado de um capacitor (verde):
49
Sec. 4.1 Fator de Ripple (Fator de Ondulação)
4.1 Fator de Ripple (Fator de On- Ex:

dulação)
Vm = 18.9 V
O Fator de Ripple mensura a proporção en-
tre as componentes constantes e oscilatórias VDC = 15 V
de uma função. Por definição: Então:
VAC,RM S
r= VDC VR,P = 3.9 V
Como temos interesse em converter uma V1 = 18.9 V

tensão alternada para uma tensão constante,
quanto menor o fator de ripple melhor o de-
V2 = 11.1 V
sempenho da fonte. Exemplos de alguns for-
matos de onda conhecidos:
a) Retificador de meia onda: (V1 + V2 )
VDC =
2
q
A2 4A2
2 − π2
r
π 1
r= 2A
= 0.25 − = 1.21
π
2 π2
b) Retificador de onda completa:
q
A2 A2
4 − π2
r
π 4
r= 2A
= 0.5 − = 0.48
π
2 π2
Para uma dente de serra (em verde na fi-

gura anterior) vamos definir alguns termos de
interesse:
V1 ouVm → pico positivo (maior valor)
V2 → pico negativo (menor valor) VR,P →
ripple de pico (diferença entre o valor médio

e o valor de pico) VR,P P → ripple pico a pico
(diferença entre os picos)
Como a dente de serra é simétrica, para

conseguirmos VR,P basta equacionar a dife-
rença entre os picos e dela, a metade:
V1 − V2
VR,P =
2
Para a dente de serra:
VR,P
VAC,RM S = √
3
V
r= √ R,P
3VDC
Note também que, na onda dente de serra

temos VDC + VR,P = Vm .
50
Cap. 4 Fonte RC com Filtro Capacitivo
4.2 T2 = T2 − T1 (eliminando T1 e T2 Ex:

na figura)
Tendo:
Com algumas aproximações podemos anali-
sar a forma de onda no capacitor para que
R = 820 Ω
assim possamos calcular qual o capacitor que
permitirá obtermos os parâmetros desejados. Calcule C para que:
r < 5%
Além disso:
Vp = 19.6 V
f = 60 Hz
Uma solução boa é obtida pelo mé-
a) Primeiro, observe o triangulo com T1 . todo iterativo:
Vamos eliminar T1 :
VR,P P Vm i)
= T
T1 4
r = 5%
T T VR,P P
T2 = − Devido a queda de tensão causada
2 4Vm
pelo diodo retificador:
T VR,P P
T2 = Vm −
2Vm 2 Vm = Vp − 0.7 V
Truque: colocar 2VTm em evidência, procu- Logo:
rando com isso isolar VDC . Então:
√
T VDC (1 + 3r)VDC = Vm
T2 =
2Vm
b) Agora, obtemos T2 a partir do segundo VDC = 17.4 V
triângulo:
VR,P P I VR,P P C VDC 17.4

= → T2 = I= = = 21.2 mA
T2 C I R 820
(Obs.: Referir ao Apendice A para expli- Usando r = 5% e I = 21.2 mA, pode-

cação do comportamento da carga e corrente mos calcular C. Alternativamente, po-
no capacitor) demos verificar algum valor de C direta-
E então: mente:
VR,P P C T VDC
= 21.2 × 10−3
I 2Vm r=
4 × 1.7 × 60 × 18.9 × 100 × 10−6
= 0.027
IVDC
C= r = 2.7%
2f Vm VR,P P
Lembre que: Faço a substituição C = 100 µF di-
reto, porque sei que funciona. Caso con-
√
VR,P = 3rVDC trário eu primeiro resolveria:
√
Isso equivale a VR,P P = 2 3rVDC
Então: 21.2 × 10−3
0.05 =
4 × 1.7 × 60 × 18.9 × C
I
C= √ (4.1)
4f 3rVm
51
T
Sec. 4.2 T2 = 2 − T1 (eliminando T1 e T2 na figura)
Em busca de C, e depois utilizaria um

valor comercial para C.
(Obs.: isso daria C = 54 µF)
ii)
√
r = 2.7% → (1 + 3 × 0.027)VDC = 18.9 V
VDC = 18.1 V
VDC
I= = 22 mA
R
22 × 10−3
r= = 2.8%
4 × 1.7 × 60 × 18.9 × 100 × 10−6
(Fim das iterações)
No simulador, usando C = 100 µF, obte-

mos:
RL ( Ω) Vm ( V) VDC ( V) V2 ( V) r(%)
820 18.8 18.1 17.3 2.6
1640 18.8 18.5 18.0 1.3
8200 18.9 18.8 18.7 0.27
52
5 | Fonte RC com Filtro Capacitivo Regulada a
Zener
Com o intuito de diminuir ainda mais o fator de ripple, adicionamos um diodo Zener em paralelo com
a carga, que em polarização reversa, pode ser considerado como uma bateria praticamente constante.
Também adicionamos o resistor RS que regula a corrente fluindo pelo Zener de forma a não danificar
o componente e garantir seu funcionamento.
RS V (t)
+
19.6 V 60Hz C Dz RL
−
+
19.6 V 60Hz
−
53
Sec. 5.2 Características do Diodo Zener
5.1 Características do Diodo Zener Queremos:
Para que o diodo Zener funcione correta- ILmin < IL < ILmax
mente, ou seja, tanto não queime quanto te-
nha corrente o suficiente pra entrar em po-
larização reversa, necessitamos de atender os
seguintes parâmetros: 5.2 Exemplo de Projeto
IZmin : Com menos corrente IZ do que
Ainda não sabemos qual será o fator de ripple.
IZmin , o diodo Zener não funciona.
Vamos assumir, para começar, que r = 0.1
IZmax : Com mais corrente IZ do que IZmax , (ou seja, 10%).
o diodo Zener pode queimar.
Então:
Queremos:
VDC + VR,P = Vm
√
IZmin < IZ < IZmax VR,P = 3rVDC
Logo:
Ex:
√
Quanto a IZmin : (1 + 3 × 0.1)VDC = 18.9
Os dados sobre o diodo Zener (obti- VDC = 16.1 V

dos de simulação) indicam VZ = 6.2 V
com IZ = 20 mA e VZ = 6.15 V com Portanto:
IZ ∼
= 1 mA ou 2 mA. Então, deixando
alguns miliampères de "folga", escolhe- VR,P = 18.9 − 16.1 = 2.8 V
mos IZmin = 5 mA . Conhecemos então V1 e V2 :
Quanto a IZmax : V1 = 18.9 V

Os dados obtidos do "data-sheet"do
diodo Zener (pode-se obter este data-
V2 = Vmin = VDC − VR,P = 16.1 − 2.8
sheet com Google "D1N753") indicam
que a potencia maxima suportada pelo
diodo Zener é 0.5 W. Então Pmax = V2 = 13.3 V
6.2·IZmax e portanto IZmax seria 80 mA.
Agora, vamos analisar os dois casos extre-
Para deixar uma "folga"de cerca de
mos da corrente que passa pelo Zener:
20% em relação a IZmax , escolhemos
V2 :
IZmax = 65 mA .
RS V (t)
A carga a ser alimentada, por sua vez,
também deve obedecer a duas especificações
de corrente.
Características da Carga Resistiva: Vzmin +
− Dz RL
Izmin
ILmax : Corrente máxima a ser solicitada ILmax
pela carga resistiva. Se a carga solicitar mais
corrente que ILmax . o diodo Zener pode não
funcionar.
ILmin : Corrente mínima que a carga resis-

tiva pode solicitar. Se a carga solicitar cor- 13.3 − 6.2
= IZmin + ILmax = 30 × 10−3
rente menor que ILmin , o diodo Zener pode RS
queimar. Usualmente acontece ILmin = 0
7.1
(ausência de RL , então é recomendável saber RS = = 237 Ω
30 × 10−3
o que acontece com IZ nesse caso.
54
Cap. 5 Fonte RC com Filtro Capacitivo Regulada a Zener
V1 : 1) Valor próximo de 57 µF que está dispo-

nível no laboratório.
RS V (t) 2)Proporciona-se uma "folga extra"em re-
lação ao limite de 57 µF.
Atualizando a nossa informação sobre o

Vzmax +
− Dz RL
fator de ripple no capacitor:
Izmax ILmin
45 × 10−3 45
r= =
4 × 1.732 × 60 × 18.9 × 100 × 10−6 785.6
r = 5.7%
18.9 − 6.2
= IZmax + ILmin = 70 × 10−3 5.3 Análise do Circuito Projetado
RS
na Seção 5.2
12.7 Objetivos:
RS = = 181 Ω
70 × 10−3
Como: • fatores de ripple - no capacitor e na
carga
181 Ω < RS < 237 Ω
• regulação de tensão
Escolhemos o seguinte valor comercial:
• corrente máxima (disponível para
RS = 220 Ω carga)
Obs.: no capacitor, temos r = 5.7%. En-

tão:
Escolha do capacitor:
√
VDC = 16.1 (1 + 3 × 0.057)VDC = Vm = 18.9 V
E portanto:
16.1 − 6.2
IDC = = 45 mA
220 VDC = 17.2 V
I
C= √
4 3f rVm V1 = 18.9 V
45 × 10−3 VR,P = 1.7 V

C= √
4× 3 × 60 × 0.1 × 18.9
V2 = 15.5 V
C = 57 µF
Obs.: Corrente máxima ("pico"de cor- VAC,RM S = 1 V
rente drenada de C. Ocorre em (V1 ))
Obs.2: vamos considerar RL variando
de 1200 Ω (IL = 5.2 mA) até 220 Ω (IL =
70 × 10−3 28 mA) e vamos considerar também IL = 0
C= √ = 89 µF (condição não-prevista, já que ILmin = 5 mA)
4× 3 × 60 × 0.1 × 18.9
Não é necessário escolher C = 100 µF com
base neste limite (89 µF). Poderíamos esco-
lher C = 68 µF sem problemas. Mas vamos
escolher C = 100 µF por dois motivos:
55
Sec. 5.3 Análise do Circuito Projetado na Seção 5.2
a)RL → ∞
58 mA 6.272 V 50 mA 6.257 V 42 mA 6.243 V

+ + +
RS RS RS
18.9 V +
− Dz +
6.2 V 17.2 V − Dz +
6.2 V 15.5 V − Dz 6.2 V
58 mA − 50 mA − 42 mA −
b)RL = 1.2 kΩ
58 mA 6.263 V 50 mA 6.248 V 42 mA 6.233 V

+ + +
RS RS RS
18.9 V +
− Dz 6.2 V 17.2 V +
− Dz 6.2 V 15.5 V +
− Dz 6.2 V
52.8 mA − 5.2 mA 44.8 mA − 5.2 mA 36.8 mA − 5.2 mA
b)RL = 220 Ω
58 mA 6.220 V 50 mA 6.204 V 42 mA 6.187 V

+ + +
RS RS RS
18.9 V +
− Dz 6.2 V 17.2 V +
− Dz 6.2 V 15.5 V +
− Dz 6.2 V
30 mA − 28 mA 22 mA − 28 mA 14 mA − 28 mA
b)RL = RLmin (ocorre perda de regulação)
58 mA 6.190 V 50 mA 6.171 V 42.8 mA 6.094 V

+ + +
RS RS RS
18.9 V +
− Dz 6.2 V 17.2 V +
− Dz 6.2 V 15.5 V +
− Dz 6.2 V
15.2 mA − 42.8 mA 7.2 mA − 42.8 mA 1 µA − 42.8 mA
Então:
6.094
RLmin = = 142 Ω
0.0428
Valores de voltagem obtidos a partir do simulador, através de aplicação das respectivas correntes
ao diodo Zener. Os valores também poderiam ser calculados com VZ0 e rZ .
56
Cap. 5 Fonte RC com Filtro Capacitivo Regulada a Zener
Para obter um modelo linear por partes

(VZ0 e rZ ), considere por exemplo:
VZ (220 × 1200 + 220 × 1.9 + 1.9 × 1200) =
6.187 V → 14 mA 17.2 × 1.9 × 1200 + 6.16 × 220 × 1200
6.272 V → 58 mA
1665456
VZ =
266698
∆V 85 mV
= = 1.9 Ω VZ = 6.246 V
∆I 44 mA
+ (Simulador: 6.248 V)
1.9 Ω
14 mA Ou ainda, mais diretamente, sabendo que

6.2 V IZ ' 44.8 mA:
VZ0 +
−
VZ = 6.16 + 1.9 × 0.0448
− VZ = 6.245 V
Obs.: do capacitor até a carga resistiva, o

fator de ripple é reduzido através
da multipli-
Então:

rZ VDC,capacitor
cação pelo fator: (rZ +RS ) × VZ
VZ0 = 6.187 − 1.9 × 0.014 = 6.16 V Ou seja:
Exemplo de aplicação do modelo (com

VZ0 = 6.16 V e rZ = 1.9 Ω) ao caso RL = rRL = rcapacitor × rZ
×
VDC,capacitor
rZ +rS VZ
1200 Ω e VDC = 17.2 V nas figuras da página
anterior:
Isso acontece porque, do ponto de vista
da tensão alternada (VAC,RM S ), a transmis-
220 Ω são até RL se dá como se a fonte VZ0 = 6.16 V
17.2 V + 1.9 Ω 1200 Ω fosse um "terra de tensão alternada":
−
rS VAC,RM S,RL
220 Ω
+ VAC,RM S 1.9 Ω rZ
− 6.16V
Ex.:
17.2 − VZ VZ − 6.16 VZ
= + 1.9 17.2
220 1.9 1200 rRL = 0.057 × × = 0.14%
221.9 6.2
O que está corrento, e não depende
17.2 × 1.9 × 1200 − 1.9 × 1200 × VZ = de RL , desde que a regulação não se
perca.
220×1200×VZ −6.16×220×1200+220×1.9×VZ
57
Sec. 5.4 Exercícios
Fator de Regulação: ER 30) Usando um transformador que

tem Vp = 17 V em seu enrolamento secundá-
Sem carga ("no load"ou "NL"): rio (que é duplo - duas fontes senoidais com Vp
e acesso central comum), projete uma fonte
VDC = 6.257 V regulada a diodo Zener capaz de fornecer ten-
são DC de 12 V a uma carga resistiva que
Carga máxima ("full load"ou "FL"): pode consumir até 50 mA. Calcule os compo-
nentes da fonte, sabendo que o diodo Zener
VDC = 6.204 V a ser utilizado tem potência máxima igual a
2 W e IZmin = 3 mA. Para a escolha de do di-
odo Zener com VZ adequado, pesquise diodos
VN L − VF L Zener comercialmente disponíveis.
VREG(%) = × 100%
VN L
ER 31) Considerando um transformador
que tem duas fontes senoidais com Vp = 8.5 V
6.257 − 6.204 e terminal central comum em seu enrolamento
VREG(%) = = 0.85%
6.257 secundário, projete uma fonte DC de 5 V para
Fatores de Ripple: uma carga resistiva que consome até 30 mA.
No capacitor: Dados do diodo Zener: VZ = 5 V, IZmin =
3 mA e potencia máxima igual a 1 W.
r = 5.7%
ER 32) Considere o circuito a seguir, de-
Na carga RL = 1.2 kΩ: termine o valor do capacitor da fora que o
fator de ripple no filtro capacitivo seja 5% ou
V1 = 6.257 V menos. Assuma Vp = 13 V, Vz = 9 V e po-
tencia máxima no Zener igual a 1 W.
V2 = 6.233 V
8.7 × 10−3
r= = 0.14% RS V (t)
6.248
Na carga RL = 220 Ω: 33 Ω
C Dz RL 470 Ω
V1 = 6.220 V
+ −
V2 = 6.187 V VP
9.5 × 10−3
r= = 0.15%
6.204
Ex.:
E qual é o fator de ripple sobre a ER 33) Nas questões ER 30) , ER
carga quando RL = RLmin ? E quando 31) e ER 32) , assumindo rZ = 3 Ω, cal-
RL → ∞? cule o fator de regulação da fonte e o fator de
ripple sobre a carga resistiva. (Para VZ0 , es-
colha valores que você considerar adequados,
5.4 Exercícios
sempre justificando as escolhas).
ER 29) Projete uma fonte DC não-

regulada (somente com filtro capacitivo) ca-
paz de fornecer 20 V a uma carga resistiva que
utiliza 500 mA. O maior fator de ripple acei-
tável é 1.5%. Você também deve escolher o
valor da tensão de pico (Vp ) no enrolamento
secundário do transformador utilizado.
58
6 | Limitadores de Tensão ("Limiters", "Clip-
pers"ou "Diode Clipping Circuits")
Limitadores de tensão são circuitos que, dada uma entrada variável, apresentam uma saída que varia
somente até um determinado ponto, positivo ou negativo.
Nas seções 6.1 e 6.2 veremos limitadores (ou ceifadores) negativos. Eles eliminam a parte negativa
(inferior) da forma de onda.
6.1 Limitador Negativo em Paralelo Que é a lei de Ohm aplicada ao resistor.

Podemos concluir que, para valores de Vin
Considere o seguinte circuito: menores que -3 V, o diodo se encontra em
polarização direta e para valores maiores, po-
Vout larização reversa.
− Agora que temos o comportamento da
1 kΩ saída, e quando cada comportamento ocorre,
0.7 V
podemos desenhar um gráfico:
+
Vin Vin (V) Vout (V)
− -1 -1
+ 2.3 V -2 -2
-3 -3
-4 -3
-5 -3
Vamos observar o comportamento de Vout A

em relação ao comportamento de Vin . Tudo
Vout (V)
vai depender do modo de operação do diodo,

se ele estiver polarizado diretamente, pode ser −3
modelado por uma bateria e:
−A
Vout = −0.7 V − 2.3 V = −3 V t(S)
para qualquer valor de Vin que proporcione
esse comportamento. Se o diodo estiver em
polarização reversa, ele pode ser modelado Repare que Vout é igual a Vin para valores
como um circuito aberto e neste caso não pas- de amplitude maiores que -3 V e constante
sará corrente pelo resistor, finalmente, Vout para valores menores.
será igual a Vin (queda de tensão nula no re- O próximo exemplo é similar ao anterior,
sistor). Vamos inicialmente assumir que o di- tendo como única diferença a fonte ligada ao
odo se encontra diretamente polarizado. A anodo do transistor. Antes, se o diodo esti-
corrente que flui do catodo para o anodo é: vesse em polarização direta, a soma de ten-
sões entre a bateria e o diodo seria:
−2.3 V + 0.7 V − Vin
−0.7 − 2.3 = −3 V
1 kΩ
59
Sec. 6.2 Limitador Negativo em Série
E agora é: só depende de Vin no instante t atual, para

qualquer t. E não da função Vin (t).
−0.7 + 3.7 = 3 V
Note que para Vin ≥ 3 V, Vout é igual a
Isso implica que, ainda ocorrerão os mesmos Vin e para Vin < 3 V, Vout é constante e vale
dois comportamentos descritos no exemplo 3 V.
anterior mas em momentos diferentes. Para
Vin > 3 V, Vout = Vin e para Vin < 3, Vout = 6.2 Limitador Negativo em Série
3 V.
Considere o seguinte circuito:
Vout 3.7 V
− Vout
1 kΩ
−
+
0.7 V + −
0.7 V
+
Vin
+ Vin 1 kΩ
− 3.7 V
Vin (V) Vout (V) Seguindo o mesmo princípio da Seção an-

5 5 terior, vamos primeiro analisar o comporta-
4 4 mento do diodo. Suponhamos a princípio que
3 3 ele está em polarização direta, neste caso, ao
2 3 substituirmos ele por uma bateria, temos a
1 3 seguinte equação de malha:
Vin + 3.7 V − 0.7 V − ID × 1 kΩ = 0
A Como queremos a corrente que flui no di-

odo, que é a mesma que flui no resistor, vamos
Vout (V)
3 manipular a equação a fim de evidenciar ID :
Vin + 3 V
−A ID =
1 kΩ
O sentido equacionado de ID é justamente
t(S) o sentido que, se a corrente for positiva, o
diodo estará diretamente polarizado. Obser-
vando a equação de ID podemos ver que isso
Exemplo de gráfico Vout × Vin do segundo ocorre para quaisquer valores de Vin maiores
circuito: que −3 V. Já temos uma equação para ID ,
para encontrarmos Vout , basta multiplicar ID
6 pela resistência do resistor:
5 Vout (V)
4
Vout = Vin + 3 V
3
2 Para valores de Vin menores que −3 V a
1 Vin (V) corrente ID deveria ser negativa, ou seja, o
comportamento assumido (bateria) não é vá-
lido. Quando substituímos o diodo por um
Este gráfico representa uma "relação es- circuito aberto, a corrente que flui pelo resis-
tática"de transferência entre Vin e Vout . Usa- tor será nula, o mesmo ocorrerá com a tensão
mos a palavra "estática"para frisar que Vout no resistor e consequentemente Vout .
60
Cap. 6 Limitadores de Tensão ("Limiters", "Clippers"ou "Diode Clipping Circuits")
Vin (V) Vout (V)

-1 2 A
A−3
-2 1
Vout (V)
-3 0 0
-4 0
-5 0 −A
t(S)
A+3
A Nas seções 6.3 e 6.4 veremos limitadores
(ou ceifadores) positivos. Eles eliminam a
Vout (V)
parte positiva (superior) da forma de onda.

0
−A
6.3 Limitador Positivo em Paralelo
t(S)
Vout
+
Considere o seguinte circuito: 1 kΩ
0.7 V
−
2.3 V Vin
Vout
+
+
−
+ − − 2.3 V
0.7 V
Vin 1 kΩ
O circuito é semelhante aos vistos na Se-

ção 6.1 mas o sentido do diodo está invertido.
A diferença em Vout será no limite da onda,
que agora será no semi-ciclo positivo.
Vin (V) Vout (V)
5 3
O princípio é o mesmo do exemplo ante- 4 3
rior, mas como a fonte está invertida, ocorre 3 3
uma queda no pico de Vout e um aumento no 2 2
ponto onde o diodo troca de comportamento. 1 1
Vin (V) Vout (V)

5 2 A
Vout (V)
4 1 3
3 0
2 0
1 0 −A
t(S)
61
Sec. 6.5 Limitador Positivo em Série
Um exemplo com o ponto de mudança do Vin (V) Vout (V)

comportamento do diodo deslocado: 5 0
4 0
Vout 3 0
2 -1
+
1 kΩ 1 -2
0.7 V
−
Vin
−
+ 3.7 V A
Vout (V)
0
−A
−A − 3
Vin (V) Vout (V) t(S)

-1 -3
-2 -3
-3 -3
-4 -4 2.3 V
Vout
-5 -5
−
+
− +
0.7 V
Vin 1 kΩ
A
Vout (V)
−3
−A
t(S)
Vin (V) Vout (V)
-1 0
-2 0
6.4 Limitador Positivo em Série -3 0
-4 -1
Outros exemplos: -5 -2
3.7 V
Vout
+
−
− +
0.7 V A
Vout (V)
Vin 1 kΩ 0
−A + 3
−A
t(S)
62
6.5 Limitadores Duplos e Outros Ou seja, para que ID seja negativa, Vin
tem de ser menor que −3 V. Quando isso
Considere o seguinte circuito: acontecer:
ID Vout = −0.7 V − 2.3 = −3 V

Vout
+ −
1 kΩ Falta ainda analisarmos o momento em
0.7 V 0.7 V que nenhum desses modelos é válido. Repare
− + que nas nossas equações Vin tem de ser maior
Vin que 3 V ou menor que −3 V, mas e se ele esti-
+
− ver entre eles? Neste caso a corrente não será
2.3 V −
+ 2.3 suficiente para polarizar diretamente nenhum
dos diodos, e neste caso, ambos serão consi-
derados como circuito aberto. Equacionando
Vout para este caso:
Vout = Vin
Assim como nas Seções anteriores, o com-
portamento de Vout vai ser definido pelos mo- Repare que se ambos os diodos forem cir-
dos de operação dos diodos. Note que, como cuitos abertos, a corrente não terá por onde
os diodos estão em paralelo e tem o sentido fluir e, por isso, a queda de tensão no resistor
contrário, ID irá polariza-los de forma in- será nula.
versa. Se ID for positiva (sentido demons- Finalmente, temos 3 modos de operação
trado na figura), o diodo da esquerda vai es- diferentes demonstrados a seguir:
tar em polarização direta e o da direita em
polarização reversa. Vamos assumir então, Vin (V) Vout (V)
inicialmente, que o diodo da esquerda pode 4 3
ser considerado uma bateria e o da direita 3 3
circuito aberto. Tensão em Vout : 2 2
1 1
Vout = 0.7 V + 2.3 V = 3 V 0 0
-1 -1
Equacionando a malha para este caso: -2 -2
-3 -3
-4 -3
Vin − ID × 1 kΩ − 0.7 V − 2.3 V = 0
Evidenciando ID :
A
Vin − 3 V
ID =
1 kΩ
3
Vout (V)
Podemos ver que este par de modos de

operação só é válido para Vin > 3 V. 0
Vamos agora assumir o contrário, o diodo −3
da esquerda se comportando como circuito
aberto e o da direita como bateria, isso só
−A
pode acontecer se a corrente ID for negativa.
Equacionando a malha:
t(S)
Vin − ID × 1 kΩ + 0.7 V + 2.3 V = 0
Evidenciando ID :
O próximo circuito funciona de forma bas-
Vin + 3 V tante semelhante ao anterior, onde os diodos
ID = Zener alternam seu modo de operação, indo
1 kΩ
63
Sec. 6.5 Limitadores Duplos e Outros
de bateria de 0.7 V para circuito aberto e de-

pois uma bateria de 6.8 V. A
Semi-ciclo positivo: 7.5
Vout (V)
Vout 0
+
1 kΩ
6.8 V
− −7.5
Vin −A
+
0.7 V
−
t(S)
Quando a corrente é positiva e grande o

O próximo circuito (ou um circuito seme-
suficiente ela polariza o Zener de cima rever-
lhante) é muito utilizado para proteção contra
samente e o de baixo diretamente. E se ela
altas tensões em circuitos integrados. Circui-
for negativa e grande o suficiente, ela polariza
tos integrados são muito sensíveis a picos de
o de cima diretamente e o de baixo reversa-
tensão e para evitar danos, cada diodo limita
mente.
um sentido de corrente. Se a tensão em Vout
Semi-ciclo negativo: for muito alta, o diodo de cima entra em po-
larização direta limitando a tensão para perto
de 3.3 V e se a tensão for muito baixa o diodo
Vout
− de baixo limita a tensão que fica perto de 0 V.
1 kΩ
0.7 V
+
Vin
−
3.3 V
6.8 V
+
Vin Vout
Se a corrente não for grande o suficiente,

ambos os Zeners se comportarão como cir-
cuito aberto e neste caso:
Vout = Vin
Vin (V) Vout (V)

9 7.5
7.5 7.5
6 6
... ...
-6 -6 Vin (V) Vout (V)
-7.5 -7.5 12 4
-9 -7.5 -12 -0.7
64
20
10
Vout (V)
−10
t(S)
65
7 | Grampeadores de Tensão("Clampers"ou "DC
Level Changing Circuits"ou "Diode Clam-
ping Circuits")
Neste capítulo veremos circuitos que combinam capacitores e diodos para deslocar o nível médio da
onda.
Obs.: Google "image search": diode DC level changing e diode clamping circuit.
7.1 Vin polariza diretamente o diodo que se

comporta como bateria e o capacitor se car-
Considere o seguinte circuito: rega. A tensão no capacitor pode ser obtida
100 nF equacionando a malha da esquerda:
Vin Vout
+ −
VC Vin − VC − 0.7 V − 1.3 V = 0
+
0.7 V
VC = Vin − 2 V
− 100 kΩ
Como Vout é justamente a tensão sobre a
+ série das duas baterias:
1.3 V −
Vout = 2 V
Semi-ciclo negativo
Vamos analisar o comportamento para 100 nF

dois momentos específicos de Vin , o semi-ciclo Vin Vout
positivo e o semi-ciclo negativo: + −
VC
Semi-ciclo positivo
100 nF
Vin Vout 100 kΩ
+ −
VC
+
1.3 V −
+
0.7 V −
100 kΩ
+ Vin polariza reversamente o diodo que se

1.3 V −
comporta como circuito aberto, e o capaci-
tor continua carregado (ele continua com a
mesma tensão do semi-ciclo anterior VC =
66
Cap. 7 Grampeadores de Tensão("Clampers"ou "DC Level Changing Circuits"ou "Diode Clamping
Circuits")
Vin − 2 V), deste modo, equacionando a ma- que o capacitor é carregado com uma tensão
lha: diferente:
Vin − VC − Vout = 0
Vin − VC − 0.7 V + 2.7 V = 0
Vout = Vin − VC
Suponhamos os seguintes parâmetros VC = Vin + 2 V

para uma onda quadrada:
Exemplo:
Vin (V) Vout (V) VC
4 2 2
Vin (V) Vout (V) VC
-4 -6 2
4 -2 6
4 2 2
-4 -10 6
-4 -6 2
4 -2 6
8 -4 -10 6
6
12
4
10
2 8
Vout (V)
6
0
4
−2
Vout (V)
2
0
−4
−2
−6 −4
−6
−8
−8
t(S) −10
−12
t(S)
7.2

100 nF
Vin Vout
7.3
+ −
VC
+
100 nF
0.7 V Vin Vout
− 100 kΩ
+ −
VC
−
−
2.7 V +
0.7 V
+ 100 kΩ
−
1.3 V +
Seu comportamento é semelhante ao apre-
sentado Seção anterior mas, no semi-ciclo po-
sitivo, se equacionarmos a malha podemos ver
67
Sec. 7.4
Analogamente aos circuitos das seções an- Semelhante ao anterior, equacionando a

teriores, o capacitor se carrega no semi-ciclo malha esquerda no semi-ciclo negativo:
negativo, com o diodo polarizado diretamente
podemos equacionar a malha da esquerda:
Vin − VC + 0.7 V − 2.7 V = 0
Vin − VC + 0.7 V + 1.3 V
VC = Vin − 2 V
VC = Vin + 2 V Exemplo:
Vout também irá mudar:
Vin (V) Vout (V) VC
Vout = −0.7 V − 1.3 = −2 V
-4 2 -6
Exemplo: 4 10 -6
-4 2 -6
Vin (V) Vout (V) VC 4 10 -6
-4 -2 -2
4 6 -2 12
10
-4 -2 -2 8
4 6 -2 6
4
Vout (V)
2
8 0
6 −2
−4
4 −6
2 −8
Vout (V)
−10
0 −12
−2 t(S)
−4
−6
−8
t(S)
7.4
100 nF
Vin Vout
+ −
VC
−
0.7 V
+ 100 kΩ
+
2.7 V −
68
8 | Multiplicadores de Tensão ("Voltage Multi-
pliers")
Geram, a partir de uma voltagem alternada com amplitude de pico igual a A, uma voltagem DC com
um valor múltiplo de A.
8.1 Duplicador de Tensão A

2
+ −
+
+ + A +
−
A
2
Vin −
−
RL Vout
+
No primero pico positivo da entrada.
− −
b) No primeiro pico negativo da entrada,
temos:
A
Onde: − +
VP (Vin ) = A
−A +
−
VP (Vout ) = 2A
(e isso vale para todos os picos negativos

8.2 Outro Duplicador de Tensão da entrada, na verdade).
c) No segundo pico positivo da entrada:

− + + A
Vin RL − +
Vx
− +
A +
−
C1 C2 A
2
−
Onde:
VP (Vin ) = A Descarga do capacitor C1 :

De V1 = A para V1 = Vx − A. Então
VP (Vout ) = 2A ∆q1 = CA − C(Vx − C A ).
Análise: Carga do capacitor C2 :

a) Começando com os capacitores descar- De V2 = A2 para V2 = Vx . Então ∆q2 =
regados, temos: CVx − C A2
69
Sec. 8.2 Outro Duplicador de Tensão
Toda a carga que sai de C1 vai para C2

(porque C1 e C2 estão em série).
Então:
A
∆q1 = ∆q2 ⇒ CA − C(Vx − A) = CVx − C
2
A 5A
A − Vx + A = Vx − → 2Vx =
2 2
5A
Vx = 4
d) No terceiro pico positivo da entrada:
A
− +
Vx
+
A +
−
C1 C2 5A
4
−
O capacitor C1 se descarrega de V1 = A
para V1 = Vx − A:
∆q1 = CA − C(Vx − A)
O capacitor C2 se carrega de V2 = 5A
4 para
V2 = Vx :
5A
∆q2 = CVx − C
4
Então:
5A
CA − C(Vx − A) = CVx − C
4
5A
A − Vx + A = Vx −
4
5A 13A
2Vx = 2A + =
4 4
13A
Vx = 8
70
Cap. 8 Multiplicadores de Tensão ("Voltage Multipliers")
8.3 Triplicador de Tensão Combinando 8.1 e 8.2
− +
+ +
A
Vin 2A
−
RL Vout
+
A
− −
Onde:
VP (Vin ) = A
Vout = 3A
8.4 Multiplicador de Tensão Genérico
− + − +
A 2A
Vin
2A
− +
− +
2A
Desenho alternativo (apenas uma forma diferente de desenhar o diagrama esquemático. É o mesmo
circuito):
A 2A 2A
− + − + − +
Vin
2A 2A
− + − +
8.5 Triplicador de Tensão (a partir de Topologia Genérica)
71
RL
Vout
− + − +
A 2A
Vin
− +
2A
Onde:
VP (Vin ) = A
Vout = 3A
Uma explicação mais detalhada desse circuito encontra-se disponível nas notas de aula correspon-
dentes.
8.6 Exercícios R1
Vin Vout
1 kΩ
D1 D2
ER 34) Desenhe a forma de onda Vout

gerada pelo circuito a seguir: +
R2 − 10v
−
R1
5V + 1 kΩ R3
+
10 kΩ +
+
Vin 10V 60Hz VZ Z1 10 kΩ R2 Vout
−
− ER 36) Faça a mesma coisa (da questão
− ER 35) ) para os circuitos a seguir:
a):
VZ = 6 V R1
1 kΩ +
D1 Z1
ER 35) Desenhe o gráfico da relação de
transferência estática Vout × Vin para o cir-
+ V Vout
cuito a seguir. Para os diodos, considere − in
o modelo de bateria com tensão constante
0.7 V: + +
− 4v − 10v
−
72
Cap. 8 Multiplicadores de Tensão ("Voltage Multipliers")
b):
4v
+
−
+
D1
Vin +
− 1 kΩ R1 R2 1 kΩ Vout
73
ER 37) Esboce a forma de onda Vout dos circuitos a seguir:
a):
C1
+
100nF
D1
+
V pp = 6 V 10kHz Vin 100 kΩ R1 Vout
−
−
2v +
−
b):
C1
+
100nF
D2
+
Vin 10v 1kHz 100 kΩ R1 Vout
−
D1
−
ER 38) Explique o funcionamento do triplicador de tensão da Seção 8.5.
74
9 | Amplificador Operacional
Neste capítulo veremos aplicações para o amplificador operacional, componente que tem como ideia
principal a de, a partir de uma aritmética de tensões, fornecer uma saída com alto ganho.
Amplificador de tensão comum tem como

entrada uma tensão de referência e como
saída esta mesma tensão amplificada: Vin (t)
Vout
A
Vout
A
RL
vin (t) RL
LNA("low-noise-amplifier")
Este ainda não é, ainda, o amplificador

operacional. Ele será visto na próxima Seção. Audio
A: Ganho de tensão
Vout
A
Ex.:
vin (t)
Vin (t) = sin(ωt) RL (81 Ω)
A = 10
PA(”power amplifier”)
Vout (t) = 10 · sin(ωt)
Sensor de imagens CMOS:

10
Reset ”Row Select”

T enso(V)
A
−10
0 2 4 6 8 10
t(S)
Algumas aplicações:
Receptor de rádio Pixel ”3T” ”Column Bus”
75
Sec. 9.0
No pixel temos usualmente A < 1, mas o

amplificador permite uma leitura de amostra
que em caso contrário seria impossível.
Tipos de amplificadores: (Classificação Ro

Vout
quanto aos tipos de entradas e saídas) iin R · iin
+
IS RS Rin RL
Amplificador de Tensão: −
CCVS: Spice H
R: transimpedância
Amplificador de Corrente:
RS Ro
Vout
+
A · Vin
+
VS Vin Rin RL
−
−
Ro
iin B · iin
VCVS: Spice E
+
A: ganho de tensão IS RS Rin RL
−
iout
Amplificador de Transcondutância:
CCCS: Spice F
B: ganho de corrente
Na Eletrônica 1, vamos nos concentrar no

amplificador de tensão.
Considere, agora, um amplificador com

RS Ro um ganho muito alto (exemplo A = 106 ):
+
Sm · Vin
12V
VS Vin Rin RL
Vin (t) Vout (t)
− iout
RL
-12V
VCCS: Spice G
Sm: ganho de transcondutância
Linhas de alimentação do amplificador,

Amplificador de Transimpedância:
76
Cap. 9 Amplificador Operacional
Ex.:
Vin (t) = sin(ωt) +

A = 106 VS
Vout (t) = 10 · sin(ωt) Vout
+
15 A · Vin RL
−
12
9 -
6
Tensão(V)
3
0
−3 9.1.1 Realimentação Negativa -
−6 Configuração Inversora
−9
−12
−15 Muito importante!
0 2 4 6 8 10
t(S)
I2
Note que a saída é limitada em
I1 R2
±12 V −
Vx
que é justamente a alimentação do am- R1 Ix Vout
+
plificador, uma vez que o ganho muito Vin
grande satura a saída para qualquer en-
trada que não seja infinitesimal. Assim:
0 < t < T2

12
Vout (t) = T
−12 2 <t<T
Vout = A(0 − Vx )
9.1 Amplificador Operacional Ideal
Então:
V2 − Vout
0 − Vx =
Vout A
V1 + Vout
Vx = −
A
Assumindo que o valor de Vout é finito,
temos:
Vin = V1 − V2 Vout
lim Vx = lim − =0
Vout = A(V1 − V2 ) A→∞ A→∞ A
Então:
Os parâmetros que caracterizam um am-
plificador operacional são:
Vx ' 0
Rin → ∞ Terra virtual!!
Rout → 0
Usando o terra virtual Vx , podemos cal-
A→∞ cular I1 facilmente:
77
Sec. 9.1 Amplificador Operacional Ideal
Vin Ex.:
I1 =
R1
R1 = R2
E a corrente Ix (de Vx para dentro do ter-
minal -"do amp op) é igual a zero, porque
Rin → ∞. Então: Vin = 2 V
Vin R1 Vin + R1 Vout Vin + Vout

Vout = Vx − R2 I1 = 0 − R2 Vx = =
R1 R1 + R1 2
Vout
= −R2 Supondo Vout = 12 V, temos Vx =
Vin R1
7 V (ok).
Supondo Vout = −12 V, temos Vx =
Para encontrarmos alguns amplificadores −5 V (ok).
operacionais (e seus diagramas esquemáticos) -Em geral no caso Vout = 12 V, te-
usando o Google: LM741 e LM4136 "schema- mos Vx = V2in + 6. Se Vx < 0, ou seja,
tic diagram". se Vin < −12 V, então Vout muda para
−12 V.
Obs.: Realimentação Positiva(não faça; -Em geral no caso Vout = −12 V, te-
menos que você queira implementar uma fun- mos Vx = V2in − 6. Se Vx > 0, ou seja, se
ção diferente da amplificação - no caso da fi- Vin > 12 V, então Vout muda para +12 V.
gura a seguir, temos um comparador "Sch-
mitt trigger"implementado a partir de um Função de transferência do compara-
comparador não inversor): dor Schmitt trigger, ele apresenta histe-
rese:
Realimentação Positiva!
I2 20
(-12, 12) Vout (v) (12, 12)
10
I1 R2 Vin (v)
+
Vx −15 −10 −5 5 10 15
R1 Ix Vout −10
−
Vin (-12, -12) (12, -12)
−20
Simbolo do comparador Schmitt trig-

ger:
Vin Vout
I1 = I2
Vin − Vx Vx − Vout
=
R1 R2

1 1 Vin Vout
Vx = +
R1 R2 R1 R2
R2 Vin + R1 Vout 9.1.2 Realimentação Negativa -
Vx =
R1 + R2 Configuração Não-Inversora
Este circuito funciona de forma completa-
mente diferente do amplificador:
78
I
R2
Vout = Vin
R2 R1
I
− Vout R2
Vx =
R1 Vout Vin R1
+
Vin 9.1.3 Realimentação Negativa -

Configuração Somadora In-
versora
A
IA
R1 R2
Vx = Vin
VinA
−
Vin IB
I= R1 Vout
R1
+
VinB
R2
Vout = Vin + R2 I = Vin + Vin
R1
Vout R2
Vin =1+ R1
Obs.:
Vx ' 0
Considere:
I Vout = −R2 IA − R2 IB
R2
Vout = − R
R1 (VinA + VinB )
2
R1
−
I Vx
Vout
+
9.1.4 Realimentação Negativa -
R1 Configuração Diferencial
Vin R2
I
R2
R1
VinB −
I Vx
R2 Vout
Vx = Vin · VinA +
R1 + R2
R1
R2 1
I = Vin · · R2
R1 + R2 R1
R2 R2 1
Vout = Vin + R2 · Vin ·
R1 + R2 R1 + R2 R1
79
Sec. 9.3 Amp Op Não-Ideal
R2 Vout = Vx − R2 I
VX = VinA ·
R1 + R2
Então:
Vx − VinB
I=
R1
Vout
R2 Vin + A
Vout = Vx + R2 I Vout
Vout = − −
A R1

R2
VinA R1 +R2 − VinB

R2 1 R2 1 R2
Vout = VinA · +R2 Vout 1 + + · = − Vin
R1 + R2 R1 A R1 A R1
R
Vout − R2
VinA · R1 R2 + VinA R2 R2 − VinB R2 (R1 + R2 ) Vin = 1
R2
(1+ )
Vout = 1+
R1
R1 (R1 + R2 ) A
Se A → ∞ temos:
VinA R2 (R1 + R2 ) − VinB R2 (R1 + R2 )
Vout = Vout R2
R1 R1 + R2 =−
Vin R1
R2
R1 (VinA − VinB ) Exemplo 2: Ganho finito A e impedância
de entrada finita.
9.2 Amp Op Não-Ideal I − Ix
Exemplo 1: Ganho finito A, sendo usado em R2

configuração inversora.
Vin
I V−
I R1
Rin Vout
I R2
+
− Ix A(V + − V − )
−
Vx
R1 Vout V+
+
Vin
Vout = Vx − R2 (I − Ix )
Onde:
Ganho: A
Vout
Ix = −
Vout = −AVx A · Rin
Logo:
Vout
Vx = −
A
Vin − Vout

Vout A Vout
Então: Vout = − − R2 +
A R1 ARin
Vin + Vout
A
I=
R1
1 R2 R2

R2
E também temos sabemos que: Vout 1 + + + = − Vin
A AR1 ARin R1
80
R
Vout − R2 d)
Vin = R
1
R
(1+ 2 )+ 2
R1 Rin
1+ A
1 kΩ 4.7 kΩ
A
2v
Se A → ∞ temos:
R2 R3
Vout R2
=− 1 kΩ
Vin R1
1v −
R1 Vout
0.5v +
9.3 Exercícios
ER 39) Calcule o valor de Vout nos cir- e)

cuitos a seguir, assumindo que o amp op é
ideal: 10 kΩ
a)
R3
4.7 kΩ 18v
10 kΩ
4v −
10 kΩ R2
R1 Vout
− +
Vx
R1 Vout
-18v
+ +
V1 − 2v 50 kΩ R2 20 kΩ R4
7v
b)
−
Vout
5v +
c)
1 kΩ 4.7 kΩ
A
2v
R2 R3
1 kΩ
1v −
R1 Vout
+
81
Vout
ER 40) Determine a relação Vin dos circuitos a seguir (realimentação negativa):
10 kΩ
R2
1 kΩ 12v
Vin −
R1 Vout
+
-12v
10 kΩ
R4
1 kΩ 1 kΩ 15v
Vin −
R1 R3 Vout
+
1 kΩ R2
-15v
ER 41) Determine a relação VVout dos cir- 1 kΩ

in
cuitos a seguir (realimentação positiva):
R2
a)
1 kΩ 15v
+
R1 Vout
−
Vin -15v
5R1
R2
12v
+
Vin
R1 Vout
−
-12v
ER 42) (Desafio) Como funciona o cir-

cuito a seguir?
b) Dica: é um oscilador.
82
1 kΩ
R2
1 kΩ 10v
+
R1 Vout
−
-10v
1 kΩ
”Vin ”
R3
100 nF C1
ER 43) Calcule o valor de Vout nos circui-

tos a seguir, assumindo que o ganho do amp
op é A = 100:
4.7 kΩ
R2
10 kΩ
2v −
R1 Vout
+
−
Vout
5v +
ER 44) Repita a Questão ER 43) ,

considerando A = 100 e Rin = 10 kΩ.
83
A | Revisão Circuitos Elétricos
A.1 Propriedades sua vez, é a ligação entre pontos, fios ou com-

ponentes em que a diferença de potencial en-
A.1.1 Corrente e Tensão tre eles é nula e podem ser desenhados como
A corrente elétrica, um mesmo ponto.
∂q
I=
∂(t) A.1.3 Série e Paralelo
,descreve o movimento de carga elétrica. Em
circuitos elétricos esse movimento é represen- Ao analisarmos o comportamento de circuitos
tado pelo fluxo de elétrons através dos fios e elétricos, seus componentes podem ser descri-
componentes. A tensão elétrica, voltagem ou tos com estando em série ou paralelo.
diferença de potencial (ddp),
∂W
V =
∂q
, descreve a diferença de cargas entre dois

pontos e a dificuldade de deslocar uma quan-
tidade de carga de um ponto a outro. Quanto M1
maior a diferença de potencial, maior a ten-
dencia da corrente circular entre eles. Em
um fio, seu tamanho é desprezível e todos
seus pontos tem a mesma tensão. A voltagem
nunca pode ser descrita por um único ponto
e sempre representa uma relação entre dois
Componentes estão em série quando:
pontos geralmente tomando como referencia
o terra, onde o potencial é 0.
1. Possuem somente um terminal em co-
A.1.2 Malhas e Nós mum (isto é, um terminal de um está
conectado somente a um terminal de
A A B outro).
2. O ponto comum entre os dois compo-

nentes está conectado a outro compo-
M1 M2 nente percorrido por corrente.
A corrente percorrida por elementos em

série é sempre a mesma. No circuito acima,
D D C se analisarmos o fluxo de corrente de M1 , é
possível notar que como nenhum nó se divide,
Em um circuito, malha representa um a corrente é sempre a mesma em todos os pon-
possível caminho fechado da corrente. Nó por tos do circuito.
84
Cap. A Revisão Circuitos Elétricos
A A A
100
V V = RI
50
I
−10 −5 5 10
B B B
−50
Componentes ou associação deles estão em

paralelo quando tem dois pontos em comum −100
e nesse caso, a tensão é a mesma para o o
conjunto de componentes.
No circuito acima, ao medir a tensão entre
seus terminais é observada a diferença de po- Resistores em Série
tencial entre o nó A e o nó B. Como ambos
os nós são compartilhados, para os três ca- R2
sos a tensão vai ser V (A) − V (B), ou seja, a
mesma.
C2 R1 R3
C1 C3 C4
Resistores em série podem ser associados
de modo que possam ser substituídos por um
único resistor de resistência equivalente que
pode ser calculada por:
Um circuito pode apresentar também as
duas configurações, no circuito acima, C1 está m
X
em série com C2 já C3 e C4 estão em paralelo, Rn
mas olhando os dois conjuntos, C1 e C2 estão n=1
em série com a associação de C3 e C4 .
O circuito acima pode ser redesenhado desta
A.2 Componentes forma:
A.2.1 Resistores Rx
Relação entre Tensão e Corrente
Pela Lei de Ohm:
V = RI
Resistores geram uma diferença de poten-

cial entre seus terminais linearmente relacio-
nada com a corrente que passa pelo compo-
nente.
Onde Rx = R1 + R2 + R3 .
85
Sec. A.2 Componentes
Resistores em Paralelo Fontes de Tensão em Série
A A A V2
+
−
R1 R2 R3 − −
V1 + V3 +
B B B
Analogamente a resistores, fontes de ten-

m
1 X 1 são em série podem ser associadas somando
= as tensões em cada uma e substituindo por
Req Rn
n=1
uma equivalente. No entanto, deve-se prestar
atenção aos seus sentidos. O circuito acima
A.2.2 Fontes de Tensão pode ser redesenhado desta forma:
Vx
Em uma fonte de tensão, a diferença de po-
+
−
tencial entre seus terminais é constante e in-
dependente da corrente que passa por ela.
20
V V = cte
15
10 Onde Vx = V1 +V2 −V3 já que V1 eV2 estão

no mesmo sentido de Vx e V3 está no sentido
contrário.
5
I Fontes de Tensão em Paralelo

−10 −5 5 10 Fontes de tensão em paralelo que tenham o
mesmo valor podem ser associadas de forma
A A a descartar uma delas, o caso de valores dife-
rentes não pode ocorrer já que uma vai forçar
Ix a tensão da outra a um certo valor e prova-
+ velmente indica um mal funcionamento.
Vx +
− M1 V (R1 )
−
A.2.3 Fontes de Corrente

B B Fontes tem a mesma corrente passando por
elas independentemente da tensão entre seus
Como elementos em paralelo tem a terminais. Como quaisquer componentes em
mesma voltagem entre seus terminais, qual- serie tem a mesma corrente, a fonte vai confi-
quer componente em paralelo com uma fonte gurar sua corrente nominal para todos os ou-
de tensão terá uma mesma tensão. tro componentes em serie com ela.
86
Cap. A Revisão Circuitos Elétricos
Fontes de Corrente em Série

10
V I = cte Analogamente a fontes de tensão em paralelo,
fontes de corrente em série tentarão forçar sua
5 corrente nominal nos outros componentes e se
elas tiverem valores diferentes provavelmente
indica um mal funcionamento.
I
−10 −5 5 10
A.2.4 Capacitores
−5 Carga no capacitor
q = CV
−10
Onde:
Ix
q → carga no capacitor
+
Ix M1 V (R1 )
−
C → capacitância
V → tensão
Derivando em relação ao tempo:

Fontes de Corrente em Paralelo
dq dv
A A A =C
dt dt
Como:
dq
I1 I2 I3 → corrente
dt
Então:
dVC (t)
B B B IC (t) = C
dt
Fontes de corrente em paralelo podem ser Integrando:

associadas somando-se as correntes levando
em consideração o sentido: t
1
Z
VC (t) = IC (τ ) · dτ + VC (t0 )
A C t0
Fazendo uma aproximação:
Ix ∆V
I=C
∆t
∆V I
=
∆t C
B
(Essa aproximação é utilizada na equa-
Onde Ix = −I1 +I2 +I3 já que I2 eI3 estão ção (4.1), utilizada para calcular a capacitân-
no mesmo sentido de Ix e I1 está no sentido cia do capacitor em função do fator de "rip-
contrário. ple"em fontes com filtro capacitivo)
87
Sec. A.3 Circuitos
A.3 Circuitos
A.3.1 Lei de Kirchhoff para tensão

Em um caminho fechado (malha), a soma de
todas as tensões dos componentes levando em
conta o sentido é nula.
I1 R1
+ V
− 2
V1 +
−
R2
−V1 + R1 I1 + V2 + R2 I1 = 0
A.3.2 Lei de Kirchhoff para cor-

rente
Em um nó, a soma de todas as correntes, le-
vando em conta o sentido, saindo e chegando,
no nó é nula.
A A A
I1
R1 + V R2
− 1
I2 I3
B B B
Para o nó A:
I1 + I2 − I3
Para o nó B:
−I1 − I2 + I3
88
B | Resolução dos Exercícios Resolvidos
B.1 Resolução Capítulo 1 E com T = 600k:
ER 1) a) ni = 1.52622 × 1015
Proporções com T = 300k:
Para o Germânio
niGe 2.49438 × 1013
=
niSi 1.07761 × 1010
3 −Eg
ni = 1.66 × 1015 T 2 e 2kT (B.1) niGe
niSi ≈ 2.314 × 103
Substituindo em (B.1):
Com T = 600k:
T = 300K niGe 4.14878 × 1016
=
k = 1.38 × 10− 23J/K niSi 1.52622 × 1015
Eg = 0.66 × 1.6 × 10−19 J = 1.056 × 10−19 J niGe

≈ 2.718 × 10
niSi
Logo:
ER 1) b)
3 −1.056×10−19
ni = 1.66 × 1015 300 2 e 2×1.38×10−23 ×300 No primeiro caso, o número de elétrons in-
trínsecos (B.2) é 3 ordens de grandeza menor
que a dopagem, por isso pode ser desconside-
ni ≈ 2.49438 × 1013 (B.2) rado:
Ainda para o germânio, com T = 600k: n ≈ 5 × 1016
ni ≈ 4.14878 × 1016 (B.3) Como:

np = n2i (B.5)
Para o Silício: Utilizando (B.2) para T = 300k:
−Eg
3
ni = 5.2 × 1015 T 2 e 2kT (B.4) (2.49438 × 1013 )2
p=
5 × 1016
p ≈ 1.244 × 1010
T = 300k
Com T = 600k o número de elétrons in-
k = 1.38 × 10− 23J/K trínsecos é da mesma ordem de grandeza que
Eg = 1.12 × 1.6 × 10−19 J = 1.792 × 10−19 J a dopagem, por isso deve ser considerado, en-
tão utilizando (B.3):
Logo:
n = 5 × 1016 + 4.14878 × 1016
3 −1.792×10−19 n = 9.14878 × 1016

15
ni = 5.2 × 10 300 e 2 2×1.38×10−23 ×300
(4.14878 × 1016 )2
p=
9.14878 × 1016
ni = 1.07761 × 1010 p ≈ 1.881 × 1016
89
Sec. B.1 Resolução Capítulo 1
ER 2) a) ER 2) b)
Com T = 400k e assumindo que a mobilidade
Primeiro calcular a quantidade de elétrons não muda com a temperatura, apenas o nú-
e lacunas. Para uma dopagem negativa, o nu- mero de lacunas vai mudar:
mero de elétrons será o mesmo da dopagem,
ni será dado por (B.4) e o número de lacunas n = 1017
p será dado por (B.5): 3 −1.792×10−19
ni = 5.2 × 1015 400 2 e 2×1.38×10−23 ×400
n = 1017 ni = 3.713 × 1012
−1.792×10−19
(3.713 × 1012 )2
15 3 p=
ni = 5.2 × 10 300 e 2 2×1.38×10−23 ×300
1017
p = 1.379 × 108
ni = 1.07761 × 1010
I = (2.5 × 10−11 ) × (1.6 × 10−19 )
(1.07761 × 1010 )2
p= × (((1350) × (1017 )
1017
+ ((480) × (1.379 × 108 ))) × (105 )
3
p = 1.161 × 10
Como p ainda continua muito menor que
Como: n, o valor não altera consideravelmente:
I ≈ 5.4 × 10−5 A
E = V /l
ER 3)
Jtot = q(µn n + µp p)E
Primeiro calcular a quantidade de elétrons
I = AJtot
e lacunas. Para uma dopagem negativa, o nu-
Onde: mero de elétrons será o mesmo da dopagem,
ni será dado por (B.1) e o número de lacunas
p será dado por (B.5):
V = 1V
l = 10−5 cm n = 1017
3 −1.056×10−19
ni = 1.66 × 1015 300 2 e 2×1.38×10−23 ×300
q = 1.6 × 10−19 C
ni = 2.49438 × 1013
−6 −6 2
A = ((5 × 10 ) × (5 × 10 ))cm
(2.49438 × 1013 )2
p=
A = 2.5 × 10−11 cm2 1017
p = 6.222 × 109
µn = 1350 cm2 /(V s)
Onde a mobilidade será:
2
µp = 480 cm /(V s) µn = 3900cm2 /(V s)
Logo: µp = 1900cm2 /(V s)
1
E= V/cm Logo:
10−5
1
5 E= V/cm
E = 10 V/cm 10−5
E = 105 V/cm
I = Aq(µn n + µp p)E
I = Aq(µn n + µp p)E
I = (2.5 × 10−11 ) × (1.6 × 10−19 ) I = (2.5 × 10−11 ) × (1.6 × 10−19 )
17
× (((1350) × (10 ) × (((3900) × (1017 )
3 5
+ ((480) × (1.161 × 10 ))) × (10 ) + ((1900) × (6.222 × 109 ))) × (105 )
I ≈ 5.4 × 10−5 A I ≈ 1.56 × 10−4 A
90
Cap. B Resolução dos Exercícios Resolvidos
Analogamente a questão anterior, alte- q = 1.6 × 10−19 c

rando a temperatura o número de lacunas ND = 3 × 1016 /cm3
ainda seria muito menor que o de elétrons
(5 ordens de grandeza), resultando em uma Então:
corrente similar: 1.38 × 10−23 × 300 3 × 1016
V0 = ln( )
1.6 × 10−19 1.07761 × 1010
n = 1017
3 −1.056×10−19 V0 = 0.384 V
ni = 1.66 × 1015 400 2 e 2×1.38×10−23 ×400
ER 5) a)
ni = 9.312 × 1014
Em uma junção pn, NA ' número de acei-
(9.312 × 1014 )2 tadores no lado p e ND ' número de doa-
p=
1017 dores no lado n. Falta calcular o número de
p = 8.671 × 1012 doadores e aceitadores minoritários respecti-
vamente. Assumindo o uso de Si. Para o lado
I = (2.5 × 10−11 ) × (1.6 × 10−19 )
p:
× (((3900) × (1017 )
+ ((1900) × (8.671 × 1012 ))) × (105 ) pn = n2i (B.6)
I ≈ 1.56 × 10−4 A pp = NA = 4 × 1016
ER 4) n2i
np =
pp
Assumindo o uso de silício, sem dopagem (1.07761 × 1010 )2
aplica-se: np =
4 × 1016
n = p = ni np = 2903
Como não houve dopagem no lado p, o Para o lado n:
número de portadores de carga positiva NA
vai ser o número intrínseco ni . Para o Si: nn = ND = 5 × 1017
3 −Eg
ni = 5.2 × 1015 T 2 e 2kT n2i
pn =
Onde: nn
T = 300k (1.07761 × 1010 )2
pn =
k = 1.38 × 10−23 J/K 5 × 1017
pn = 232.2
Eg = 1.12 × 1.6 × 10−19 J = 1.792 × 10−19 J
Logo: ER 5) b)
Primeiro calcular ni para cada caso com
NA = ni = 1.07761 × 1010 (B.6):
Calcular a voltagem da barreira de poten- 3 −1.792×10−19
ni1 = 5.2 × 1015 250 2 e 2×1.38×10−23 ×250
cial utilizando:
ni1 = 1.081 × 108
kT NA ND
V0 = ln( ) −1.792×10−19
q n2i 3
ni2 = 5.2 × 1015 300 2 e 2×1.38×10−23 ×300
kT ni ND ni2 = 1.078 × 1010
V0 = ln( 2 )
q ni 3 −1.792×10−19
ni3 = 5.2 × 1015 350 2 e 2×1.38×10−23 ×350
kT ND
V0 = ln( )
q ni ni3 = 2.990 × 1011
Onde: Para os três casos, apenas ni vai mudar.
Como:
k = 1.38 × 10− 23J/K NA = 4 × 1016
91
ND = 5 × 1017 VD = 0.732 V
Como:
ER 7)
Os dois diodos juntos em série estão em pa-

ID
VD = VT ln
IS ralelo com VB , ou seja,
Então, substituindo os valores: VB = VD1 + VD2 (B.7)
E como:
1.38 × 10−23 × 250 4 × 1016 × 5 × 1017
V1 = −19
ln( )
(1.081 × 108 )2

1.6 × 10 ID
VD = VT ln (B.8)
IS
V1 = 0.905 V
Substituindo (B.8) em (B.7):
1.38 × 10−23 × 300 4× 1016
×5× 1017
V2 = ln( )
1.6 × 10−19 (1.078 × 1010 )2
IB

IB

VB = VT ln + VT ln
V2 = 0.848 V IS1 IS2
2
IB
1.38 × 10−23 × 350 4 × 1016 × 5 × 1017 VB = VT ln
V3 = ln( ) IS1 IS2
1.6 × 10−19 (2.990 × 1011 )2
Agora manipular para encontrar IB :
V3 = 0.789 V q
VB
ER 6) a) IB = IS1 IS2 e VT
Em polarização direta: √ VB
IB = IS1 IS2 e 2VT
VD
ID ≈ IS (e VT − 1)
VD1 e VD2 :
Onde:
ID = 1 mA IB
VD1 = VT ln
IS1
VD = 750 mV
√ VB
VT = 26 mV IS1 IS2 e 2VT

VD1 = VT ln
IS1
Logo: √
V
− VD IS1 IS2 VB
IS ≈ ID e T VD1 = VT ln +
750 mV
IS1 2VT
IS ≈ (10−3 A)e− 26 mV
q
IS2 VB
IS ≈ 2.97 × 10−16 A VD1 = VT ln IS1 + 2
ER 6) b)
Analogamente:
Observando a equação:
q
Dn Dp IS1 VB
IS = Aqni2
+ VD2 = VT ln IS2 + 2
NA Ln ND Lp
Podemos concluir que IS ∝ A, assim, do-

brando a área, dobramos IS . Utilizando (1):
VD
ID = 1 mA = 2 × IS e VT

ID
VD = VT ln
2IS
10−3 A

−3
VD = (26 × 10 V)ln
2 × 2.97 × 10−16 A
92
B.2 Resolução Capítulo 2 de corrente desde a primeira iteração. Vale

ressaltar que o chute inicial não deve alterar
ER 8) o valor final depois da convergência, apenas
reduzir o número de passos para tal.
No circuito em questão:
0.4 V
Ix1 = 2 × 10−15 A × e 1×26 mV
Ix +
R1 2 kΩ V (R1 ) Ix1 = 9.6047 × 10−9 A
Vx +
−
−
Calculado o primeiro valor de Ix substi-
tuir em (B.11):
+
D1 VD
−
VD1 = 0.4 V − 9.6047 × 10−9 AR
VD1 = 0.499 V
a corrente Ix passa pelo resistor R1 e pelo
Agora, substituir de volta em (B.10) para
diodo, ID = Ix , podendo ser calculada por
V (R1 ) fazer a segunda iteração:
R1 . Como a fonte V x esta em paralelo
com R1 e D1: 0.499 V
Ix2 = 2 × 10−15 A × e 1×26 mV
Vx = V (R1 ) + VD Ix2 = 4.493 × 10−7 A
V (R1 ) = Vx − VD . Repetir o processo até os valores de Ix e
VD convergirem. Por fim, para Vx = 0.5 V:
Então:
Vx − VD Ix (Vx = 0.5 V) = 4.343 × 10−7 A
Ix = (B.9)
R1
Para calcular a tensão e corrente no di- VD (Vx = 0.5 V) = 0.499 V
odo temos duas opções, através do método Para os outros casos usar a versão expo-
exponencial ou o logarítmico. No primeiro nencial fará com que os valores não convir-
caso, Vx = 0.5 V, se utilizarmos o método jam, em vez disso, usaremos a forma logarít-
logarítmico VD irá convergir para um valor mica de modo que a iteração será feita nas
maior que o da fonte Vx , algo impossível, uma seguintes equações:
vez que nesse caso o diodo estaria reversa-
mente polarizado impossibilitando a passa- ID
VD = nVT ln (B.12)
gem de corrente. Usando o étodo exponencial IS
iremos calcular VD em função de Ix manipu- Vx − VD
lando (B.9) e sabendo que: Ix = (B.13)
R1
VD
Primeiro substituir o valor do chute para
ID = IS e nVT (B.10)
VD em (B.13), depois substituir o valor de Ix
em (B.12) para calcular o novo VD e assim
VD = Vx − Ix R (B.11) suscetivamente. Após a convergência os valo-
res em função de Vx serão:
Onde:
Ix (Vx = 0.5 V) = 4.343 × 10−7 A
IS = 2 × 10−15 A
VT = 26 mV
Ix (Vx = 0.8 V) = 8.23 × 10−5 A
R1 = 2 kΩ
n=1
Para calcular o primeiro valor de Ix , Ix (Vx = 1.0 V) = 1.72 × 10−4 A
chuta-se o valor de VD . Irei chutar 0.4 V para
que a corrente flua de modo a deixar o di-
odo em polarização direta e permitir o fluxo Ix (Vx = 1.2 V) = 2.67 × 10−4 A
93
VD (Vx = 0.5 V) = 0.499 V ID (Ix = 1 mA) = 0.28 mA
VD (Vx = 0.8 V) = 0.635 V ID (Ix = 2 mA) = 1.24 mA
ID (Ix = 4 mA) = 3.22 mA

VD (Vx = 1.0 V) = 0.654 V
VD (Ix = 1 mA) = 0.717 V

VD (Vx = 1.2 V) = 0.666 V
ER 9) VD (Ix = 2 mA) = 0.755 V

Ix VD (Ix = 4 mA) = 0.780 V

A
I1 ID ER 10) a) Exercício 2.1.3

+ No circuito em questão:
Ix 1 kΩ R1 D1 VD R1
−
2.2 kΩ
ID
+
20 V +
− V1 D1 VD
Ix
−
No nó A corrente Ix se divide em I1 e ID ,
logo:
A 2.2 kΩ
Ix = I1 + ID
ID
I1 = Ix − ID R1 +
RD1
Como R1 está em paralelo com D1 :
20 V +
− V1 VD
V (R1 ) = V (D1 )
+ V
Pela lei de Ohm: − D0 −
V (R1 ) = I1 R1
Então: Considerando a diferença de potencial en-

VD = I1 R1 tre o nó A e o terra, temos dois caminhos em
VD = (Ix − ID )R1 que a tensão será a mesma, logo:
VD
ID = Ix − (B.14)
R1 V1 = V (R1 ) + V (RD1 ) + VD0
Agora, resolver iterativamente, primeiro
20 V = (R1 + RD1 )ID + VD0
chutar um valor para VD em (B.14), calculado
o primeiro valor de ID , substituir em (B.12) e 20 V − VD0
ID = (B.15)
substituir o novo valor de VD em (B.14). Re- R1 + RD1
petir até os valores de VD e ID convergirem. Analisando a curva do diodo nos pontos
Para os valores de Ix : em que ID = 1 mA e ID = 10 mA:
94
ID = 8.77 mA
ID
VD = nVT ln
IS
VD = 0.712 V
Onde:
ER 10) c) Exercício 2.4.3
IS = 10−15 A No circuito em questão:
VT = 26 mV
IZ R1
R1 = 2.2 kΩ
n=1 2.2 kΩ
Então:
V1 +
− 20V ZD1

1 mA
VD1 = 26 × 10−3 V × ln
10−15 A

−3 10 mA
VD2 = 26 × 10 V × ln
10−15 A
VD1 = 0.718 V Pelo modelo adotado, substituímos ZD1
VD2 = 0.778 V por uma bateria VZ em série com um resistor
RZ . O circuito ficará assim:
Como:
IZ R1
VD = VD0 + RD1 ID
0.718 V = VD0 + RD1 × 1 mA 2.2 kΩ + V
− Z0
0.778 V = VD0 + RD1 × 10 mA
Resolvendo o sistema: V1 +
− 20V
VD0 = 0.711 V RZ
RD1 = 6.67 Ω
20 V − 0.711 V Usando a sugestão, primeiro calcular VZ

ID = para IZ = 1 mA usando:
2200 Ω + 6.67 Ω

ID = 8.741 mA IZ
VZ = VZK + nVT ln
IS
VD será: Onde:
VZK = 8.2 V
VD = 0.711 V + 6.67 Ω × 8.741 mA n=1
VD = 0.769 V IS = 1 × 10−15 A
VT = 26 mV
ER 10) b) Exercício 2.1.4 Logo:
1 × 10−3 A

Igual ao exercício 1 onde: VZ0 = 8.2 V + 1 × 26 mV × ln
1 × 10−15 A
Vx = 20 V VZ0 = 8.918 V
R1 = 2.2 kΩ Agora, calcular o valor de RD baseado na
IS = 10 −8
A tensão em que IZ = 10 mA
n=2
1 × 10−2 A

Então: VZ = 8.2 V + 1 × 26 mV × ln
1 × 10−15 A
95
VZ = 8.978 V IZ = 5.02 mA
Como para o modelo:
VZ = VZ0 + RD IZ
VZ = 8.96 V
8.978 V = 8.918 V + RD × 1 × 10−2 A
RZ = 6 Ω
Agora equacionando o circuito, por KVL: Novamente a corrente é positiva então o
circuito é válido.
−V1 + R1 IZ + VZ0 + RZ IZ = 0 ER 11) a)
2.2 kΩ × IZ + 8.918 V + 6 Ω × IZ = 20 V
IZ = 5.02 mA
Como a corrente é positiva para o sentido

assumido, o diodo está em polarização reversa D1
2.2 kΩ
mas na região de "breakdown"por efeito ze-
ner, então o circuito é válido.
ER 10) d) Exercício 2.4.4 R1 I1
No circuito: V1 + 20V 4V
+ V
− D2 − 2
IZ R1
2.2 kΩ
V1 +
− 20V
+ V
− Z
O primeiro passo é analisar se os diodos
vão estar ou não em polarização direta. Para
isso, redesenhar o circuito para as duas possi-
bilidades. Como os diodos estão em sentidos
opostos em relação aos mesmos dois pontos,
Análogo as questões 1 e 3.2, mas desta vez
apenas um deles estará conduzindo em cada
iremos iterar entre estas duas equações:
caso.
V1 − VZ
IZ =
R1
D1 em polarização direta para o modelo
IZ
VZ = VZK + nVT ln bateria:
IS
Onde:
2.2 kΩ 0.7V
VZK = 8.2 V
+
−
n=1
R1 I1
IS = 1 × 10−15 A VD1
VT = 26 mV V1 + + V
− 20V 4V − 2
V1 = 20 V M1
R1 = 2.2 kΩ
Chutando inicialmente VZ = 8.3 V, após
a convergência:
96
Por KVL na malha M1 :

2.2 kΩ 0.5V RD
R1 I1 + VD1 + V2 − V1 = 0
+
−
R1 I1 20 Ω
2.2 kΩ × I1 + 0.7 V + 4 V = 20 V VD1
I1 = 6.95 mA V1 +
− 20V 4V
+ V
− 2
D2 em polarização direta para o modelo M1
bateria:
2.2 kΩ
R1 I1 VD2
−
+

V1 +
− 20V 0.7V 4V
+ V
− 2
R1 I1 + VD1 + RD I1 + V2 − V1 = 0
M1
2.2 kΩ × I1 + 0.5 V + 20 Ω × I1 + 4 V = 20 V
I1 = 6.98 mA
R1 I1 − VD2 + V2 − V1 = 0 ER 12) a)
2.2 kΩ × I1 − 0.7 V + 4 V = 20 V redesenhar o circuito para saber se o di-

odo está em polarização direta.
I1 = 7.59 mA
Em Ambos os casos a corrente está indo Circuito original:

de V1 para V2 , mas no segundo caso ela está
com sentido que polariza reversamente D2 e
VD1
por isso não pode acontecer (ele deveria repre- + −
sentar um circuito aberto). Esta conclusão é
valida para ambos os modelos que serão utili- R1 I1 D1
zados uma vez que a tensão entre os terminais
do diodo vai variar muito pouco em relação a 4.7 kΩ
ordem de grandeza do resto dos componentes. +
Por exemplo, apenas como demonstração, se 2.2 kΩ R2 VD1
usassmos outros valores de VD
V1 +
− 10V
I1 −
I1 (VD = −2 V) = 8.18 mA
I1 (VD = 2 V) = 6.36 mA V2 +
− -5V
Em ambos os casos a conclusão continua a

mesma já que I1 é positiva para o sentido as-
sumido.
ER 11) d)
No próximo modelo podemos substituir o D1 em polarização direta para o modelo

diodo desta forma: bateria:
97
VR1 VR1
+ − + −
0.7V VD
R1 I1 R 1 I1
+
−
+
−
4.7 kΩ 4.7 kΩ
VD1 + VD1 +
2.2 kΩ R2 VR2 2.2 kΩ R2 VR2
V1 +
− 10V M1
I1 − V1 +
− 10V M1
I1 −
V2 +
− -5V V2 +
− -5V
Onde a fonte controlada VD1 tem a ten-

Por KVL na malha M1 : são:
ID
VD = nVT ln (B.16)
R1 I1 + VD1 + R2 I1 + V2 − V1 = 0 IS
Pelo método iterativo, primeiro equacio-
nar o circuito, por KVL:
4.7 kΩ×I1 +0.7 V+2.2 kΩ×I1 +(−5 V) = 10 V
R1 I1 + VD + R2 I1 + V2 − V1 = 0
I1 = 2.07 mA 4.7 kΩ×I1 +VD +2.2 kΩ×I1 +(−5 V) = 10 V
15 V − VD
Como a corrente é positiva para o sen- ID =
tido assumido, D1 está em polarização direta 6.9 kΩ
e pode ser considerado uma bateria para esse Primeiro chutar um valor para VD e cal-
modelo. Como o outro modelo não vai ter cular o primeiro valor de ID :
uma variação grande o suficiente em VD1 para 15 V − VD
ID1 = (B.17)
que a corrente altere o sentido, essa conclusão 6.9 kΩ
é válida para o modelo exponencial também. ID1 = 2.07 mA
Continuando o primeiro modelo, pela lei
Substituir o valor de ID1 em (B.16):
de Ohm:
ID
VR1 = R1 I1 VD1 = nVT ln
IS
2.07 × 10−3 A

VR1 = 4.7 kΩ × 2.07 mA −3
VD1 = 2 × 26 × 10 V × ln
10−8 A
VR1 = 9.73 V VD1 = 0.637 V
Substituir o valor novo de VD em (B.17),
recalcular e substituir de volta em (B.16) até
VR2 = R2 I1 que os valores convirjam. Após a convergên-
cia:
VR2 = 2.2 kΩ × 2.07 mA
ID = 2.08 mA
VR2 = 4.55 V VD = 0.637 V
Calculada a corrente ID = I1 , aplicar a
ER 12) b) lei de Ohm para R1 e R2 :
VR1 = R1 I1
exponencial: VR1 = 4.7 kΩ × 2.08 mA
98
VR1 = 9.78 V 0.718 V = VD0 + RD1 × 10 mA
VR2 = R2 I1 Resolvendo o sistema:
VR2 = 2.2 kΩ × 2.08 mA VD0 = 0.586 V

VR2 = 4.58 V
RD1 = 13.2 Ω
ER 12) Extra)
Basta equacionar o circuito, por KVL:
D1 em polarização direta para o modelo ba-
teria mais resitor:
R1 I1 + VD0 + RD I1 + R2 I1 + V2 − V1 = 0
VR1 4.7 kΩ×I1 +0.586 V+13.2 Ω×I1 +2.2 kΩ×I1 +(−5 V) = 10

+ −
R1 I1 RD I1 = 2.08 mA
+
−
Como a corrente foi a mesma do exercí-

4.7 kΩ cio anterior, as tensões em R1 e R2 também
VD0 +
serão:
2.2 kΩ R2 VR2 VR1 = R1 I1
V1 +
− 10V M1 I1 −
VR1 = 4.7 kΩ × 2.08 mA
V2 +
− -5V VR1 = 9.78 V
VR2 = R2 I1
VR2 = 2.2 kΩ × 2.08 mA

Analisando a curva do diodo nos pontos
em que ID = 1 mA e ID = 10 mA: VR2 = 4.58 V

ID
VD = nVT ln Note que a diferença nos resultados foi de
IS menos de 1% mas o método de queda de ten-
Onde: são constante (bateria) é bem mais rápido.
ER 13)
IS = 10−8 A redesenhar o circuito para saber quais diodos
VT = 26 mV estão em polarização direta.
Ciruito original:
n=2
Então: ID1

−3 1 mA D1
VD1 = 2 × 26 × 10 V × ln
10−8 A D2 3.3 kΩ R1
ID2

−3 10 mA IR1
VD2 = 2 × 26 × 10 V × ln
10−8 A V1 +
− 20V
VD1 = 0.519 V
5.6 kΩ R2
VD2 = 0.718 V
Como:
VD = VD0 + RD1 ID
0.599 V = VD0 + RD1 × 1 mA D1 e D2 em polarização direta:
99
0.7 ID1 D1 em polarização direta para o modelo

A
bateria:
+
−
R1 I1
VD1
VD2 +
− 0.7 3.3 kΩ R1
20 Ω
ID2 IR1
+
V1 − 20V
V1 +
−
+
20V VD1 − 0.7V
5.6 kΩ R2
R2 está em série com VD1 e portanto, tem Por KVL:

a mesma corrente passando por ele. Por KVL
na malha esquerda: −V1 + R1 I1 + VD1 = 0
I1 = 0.965 A
−V1 + VD1 + VD2 + R2 ID1 = 0
I1 é positiva para o sentido assumido en-
ID1 = 3.32 mA tão podemos considerar D1 em polarização
direta. Como a variação do método alterará
R1 está em paralelo com VD2 então a ten- VD1 em uma escala de grandeza diferente do
são entre seus terminais vai ser a mesma. Pela circuito, podemos usar essa conclusão neles.
lei de Ohm: ER 14) b)
VD2 = R1 IR1 D1 em polarização direta para o modelo

IR1 = 0.212 mA exponencial:
R1 I1
Por KCL no nó A:
ID1 − ID2 − IR1 = 0 20 Ω

ID2 = 3.108 mA
+
V1 +
− 20VVD1 Vx
As correntes ID1 e ID2 são positivas para −
os sentidos arbitrados e por isso os diodos po-
dem ser considerados em polarização direta.
ER 14) a)
redesenhar o circuito para saber se o diodo
está em polarização direta.
Ciruito original:
Em que a fonte controlada Vx tem tensão
R1 I1 descrita por:

ID
20 Ω Vx = nVT ln (B.18)
IS
+
Onde:
V1 +
− 20V D1 VD1 n=2
− VT = 26 mV
IS = 1 × 10−8 A
ID = I1
100
Equacionado a malha por KVL: D1
−V1 + R1 I1 + Vx = 0
Vin R1 Vout
20 V − Vx
I1 = (B.19)
20 Ω R2
Chutando um valor para Vx em (??), cal-
cular o primeiro valor de ID , substituir em
(B.18), calcular o segundo valor de Vx , subs- + V
tituir de volta em (??), repetir o processo até − B
os valores convergirem. Após a convergência:
ID = I1 = 0.952 A
Levando em conta que Vin representa uma

VD1 = 0.955 V tensão de entrada variada com relação ao
terra, e que Vout representa a diferença de
ER 14) Extra)
potencial entre R2 + VB e o terra, podemos
redesenhar o circuito desta forma:
bateria mais resistor: 0.7V ID
+
−
R1 I1
VD1 I1
A
20 Ω + V +
R1
− D0 R2
+
V1 − 20V + V I2
− in Vout
RD + V
− B
−
Seguindo o mesmo raciocínio da questão Primeiro vamos calcular a corrente ID que

anterior (item extra), mas com a corrente va- passa por VD1 para sabermos em que mo-
riando de 0.1 A a 1 A, os valores de VD0 e ID mento o ele poderá ser considerado uma ba-
podem ser aproximados por: teria ou circuito aberto. Para isso, note que
a corrente I2 é a mesma que passa por Vi n,
VD0 = 0.828 V por KCL no nó A:
I2 − ID − I1 = 0 (B.20)
RD1 = 0.13 Ω
A corrente I1 pode ser calculada pela lei
Desse modo, por KVL: de Ohm, uma vez que a tensão entre os ter-
minais de R1 vai ser constante igual a VD1 =
0.7 V, logo:
−V1 + R1 I1 + VD0 + RD I1 = 0
VD1 = R1 I1
I1 = 0.952 A 0.7 V
I1 =
R1
ER 15) Agora, analisando a malha de baixo, por
Analisando o circuito em questão: KVL:
101
Vin − VB − 0.7 V 0.7 V

−Vin + VD1 + R2 I2 + VB = 0 ID = − <0
R2 R1
Vin − VB − 0.7 V
I2 =
R2 Vin − VB − 0.7 V 0.7 V
<
Calculando a corrente ID através de R2 R1
(B.20): 0.7 VR2
Vin < + VB + 0.7 V
R1
Vin − VB − 0.7 V 0.7 V
ID = − (B.21) R1 + R2
R2 R1 Vin < VB + × VB
R1
Vout nada mais é do que a tensão entre um
Disso podemos concluir que, em circuito
terminal de R2 e de VB ou a tensão entre R1
aberto Vout será dado por (B.24), e com o di-
e Vin :
odo como bateria, será dado por (B.23):
Vout = R2 I2 + VB = Vin − R1 I1 (B.22) (

−VB
Vin − VRin1 +R × R1 Vin < VB + R1R+R 2
× 0.7 V
Vout = 2 1
R1 +R2
Para valores positivos de ID , o circuito é Vin − 0.7 V Vin > VB + R1 × 0.7 V
o desenhado acima e Vout pode ser descrito (B.25)
como: Com essas informações podemos desenhar
Vout = Vin − 0.7 V (B.23) o gráfico:
Para valores negativos de ID , o circuito
ficará desta forma:
Vout (V)
I1
Coeficiente angular = 1
A
R1 +
R2
+ V I2 Vout
− in
Vin (V)
+ V R2
− B Coeficiente angular = R2 +R1 VB + R1 +R2
× 0.7 V
− R1
Nesse caso, I1 = I2 . Por KVL, Vout será

dado por: Onde as retas são descritas por (B.25).
ER 16)
No circuito a seguir:
−Vin + R1 I1 + R2 I1 + VB = 0
Ix
Vin − VB
I1 =
R1 + R2
Substituindo em (B.22): R1 1 kΩ
Vin − VB Vx +
−
Vout = Vin − × R1 (B.24)
R1 + R2
D1
Manipulando (B.21) podemos verificar a
relação entre valores de Vin e o comporta-
mento do diodo. Para circuito aberto:
102
Equacionar o circuito para saber quando Ix

D1 se comporta como circuito aberto ou
curto. R1 e Vx estão em paralelo e por isso −
a tensão entre seus terminais será a mesma. 8.2V + VZ1
Pela lei de Ohm:
Vx +
−
Vx = R1 Ix
R1 1 kΩ
Vx = 1 kΩ × Ix (B.26)
Levando em conta o sentido assumido,
para valores positivos de Ix , D1 vai estar em
polarização reversa e não vai conduzir, de
forma que não terá corrente fluindo pelo cir-
cuito (circuito está aberto), já para valores
negativos, ele se comportará como um curto Neste caso, se a corrente for negativa in-
e (B.26) será valida. Finalmente o gráfico fi- dica que o diodo ainda não entrou em "break-
cará: down"mas não necessariamente está em pola-
rização direta, por KVL:
10 −Vx + VZ1 + R1 I1 = 0
Vx (V)
5 Vx + 8.2 V
I1 = (B.27)
1 kΩ
Ix (mA)
−10 −8 −6 −4 −2 2 4 6 8 10 Ou seja, para Vx < −8.2 V, Ix > 0 e o di-
odo se encontra em polarização reversa dentro
−5 do "breakdown"e (B.27) é valida. Para valo-
res menores temos que analisar as outras duas
possibilidades. Se a corrente for negativa mas
−10 maior que esse valor, o diodo se encontrará
em polarização reversa sem condução, e nesse
ER 17) caso, o circuito fircará aberto:
Analisando o circuito a seguir:
Ix
Ix
ZD1
Vx +
− Vx +
−
R1 1 kΩ
R1 1 kΩ
O diodo zener pode ter 3 comportamen-

tos, polarização direta, polarização reversa
sem condução e polarização reversa com con- Neste caso a corrente será constante e
dução. Substituindo ZD1 por uma fonte de nula, Ix = 0. Se a corrente for positiva, o
tensão de amplitude igual a sua tensão de diodo ficará em polarização direta e se com-
"breakdown": portará como outra bateria:
103
Ix
VZ1 +
− 0.75V
Vx +
−
R1 1 kΩ
Agora equacionar o circuito para ver

quando Ix é positiva neste caso. Por KVL:
−Vx − VZ1 + R1 I1 = 0
Vx − 0.75 V
I1 = (B.28)
1 kΩ
Ou seja, para Vx > 0.75 V, Ix > 0 e vale
(B.28). Sumarizando:
Vx +8.2 V

 1 kΩ Vx < −8.2 V
Ix = 0 −8.2 V ≤ Vx ≤ 0.75 V
Vx −0.75 V
Vx > 0.75 V

1 kΩ
(B.29)
O gráfico ficará:
20
Ix (mA)
10
Vx (V)
−20 −15 −10 −5 5 10 15 20
−10
−20
Onde as retas são descritas por (B.29).
104
B.3 Resolução Capítulo 3 Ou para uma senoide pura:
ER 18) A
VRM S = √
Circuito em questão: 2
E nesse caso:
+
+ 19
VRM S = √ V
19V 60Hz V1 1 kΩ R1 V0 (t) 2
−
− ER 19)
Circuito em questão:
+
V1 tem uma tensão de pico Vp = 19 V e
uma frequência f = 60 Hz, logo a a tensão + V
13.5V − 1 1 kΩ R1 V0 (t)
pode ser descrita pela função:
−
V1 (t) = 19 × sin(2π × 60 × t) (B.30)

O valor do seno vai alterar entre -1 e 1
de modo a atingir seus máximos e mínimos,
completando um período com uma frequência
de 60 Hz. A amplitude será dada pelo valor R1 está em paralelo com V1 então a tensão en-
que multiplica o seno alternando entre −Vp e tre os seus terminais vai ser a mesma, deste
+Vp . modo:
R1 está em paralelo com V1 então a tensão V0 (t) = V1 (t)
entre os seus terminais vai ser a mesma, deste
Assim, o gráfico da tensão em R1 vai ser cons-
modo:
tante:
V0 (t) = V1 (t)
Podemos calcular o VRM S por (B.30), mas
Assim, a tensão em R1 terá o mesmo for- no caso de uma forma de onda constante:
mato que (B.30):
VRM S = A
20
V0 (V) V0 (t) = 19 × sin(2π × 60 × t) E nesse caso:
10 VRM S = 13.5 V
t(s) ER 20) a) Modelo Ideal

1 2 3 4 5 Circuito em questão:
·10−2 D1
−10 I1
−20 +
+
O Valor eficaz ou VRM S de uma função 19V 60Hz V1 1 kΩ R1 V0 (t)
−
periódica pode ser calculado por:
−
s
T
1
Z
VRM S = v 2 (t)dt (B.31)
T 0
105
Para o modelo ideal, D1 poderá se com- Nesse caso:

portar como curto ou circuito aberto, esse
comportamento será dado pelo sentido da
19
corrente I1 . Como R1 está em paralelo com VRM S = V
2
V1 a tensão entre seus terminais vai ser a
mesma. Pela lei de Ohm:
VRM S = 9.5 V
V1 = R1 I1
Podemos ver que para V1 > 0, I1 > 0 para
ER 20) b) Modelo Bateria
o sentido assumido e D1 se comportará como
Para o diodo em polarização direta:
curto e nesse caso:
V1 (t) = V0 (t) 0.7V I1

Já para V1 < 0, I1 < 0 e D1 se compor-
+
−
tará como circuito aberto e nesse caso:
VD1 +
V0 (t) = 0 +
19V 60Hz V1 1 kΩ R1 V0 (t)
Para V1 = 0, I1 = 0 e o comportamento −
de D1 é irrelevante. Levando em conta o −
comportamento original da onda descrito em
(B.30), o gráfico será dado por uma senoide
em seus valores positivos que vale 0 em seus
valores negativos:
20 Em polarização direta, ou seja, com I1 >

(V) V0 (t) 0 para o sentido assumido, D1 pode ser consi-
V1 (t) derado uma bateria. Equacionando o circuito
10 por KVL:
t(s) V1 − VD1 − R1 I1 = 0
1 2 3 4 5
·10−2 V1 − VD1
−10 = I1
R1
−20 Lembrando que essa equação é valida para

o sentido assumido para V1 de modo que va-
Podemos calcular VRM S dividindo a fun- lores positivos de tensão são representados
ção em 2 partes, uma senoide e uma constante com a polaridade positiva "para cima"e valo-
que dependem do período da onda: res negativos são representados com ela "para
baixo". Podemos notar que, para (V1 −0.7) <
19 × sin(2π × 60 × t) 0 ≤ t < T2 0, I1 < 0 e para (V1 − 0.7) > 0, I1 > 0 deste

V0 =
0 T
2 ≤t≤T
modo, levando em conta que para valores ne-
gativos de I1 , D1 irá se comportar como cir-
E depois resolver por (B.31) com 0 < t < cuito aberto e V0 = 0:
T
2 para o primeiro caso e VRM S = 0 para o se-
gundo. Resolvendo a integral, vamos encon-
19 × sin(2π × 60 × t) − 0.7 0.7 < V1
trar que para o caso de uma senoide retificada V0 =
0 V1 ≤ 0.7
em meia onda:
A
VRM S =
2
106
20
(V) V0 (t)
−V1 + VD1 + RD1 I1 + R1 I1 = 0
V1 (t)
V1 − VD1
10 I1 =
RD1 + R1
V1 − 0.6 V
I1 =
t(s) 1010 Ω
Com isso concluímos que:
1 2 3 4 5
I1 < 0 (V1 − 0.6) < 0
·10−2
I1 > 0 (V1 − 0.6) > 0
−10
Para o sentido adotado, se I1 < 0 o diodo
se comportará como circuito aberto, e nesse
caso V0 = 0. Agora, calcular o valor de V0
−20 para I1 > 0. Pela lei de Ohm:
V0 = R1 I1
A onda resultante vai ser uma senoide re-
tificada em meia onda com uma amplitude 1000 Ω × (V1 − 0.6 V)
V0 =
falureduzida. Vale notar que o comprimento 1010 Ω
de onda da parte senoidal é diferente de λ2 V0 = 0.9901 × (V1 − 0.6)
da original pois ela só vale para V1 > 0.7 e Lembrando que, se nessas condições, o o
antes valia para V1 > 0, deste modo, tería- valor de V0 for negativo, implica em I1 < 0.
mos que levar isso em conta ao usar (B.30). Finalmente:
Como a diferença entre os períodos é muito
pequena, usaremos a equação correspondente

0.9901 × (19 × sin(2π × 60 × t) − 0.6) 0.6 < V1
a uma onda retificada em meia onda com a V0 =
0 V1 ≤ 0.6
amplitude alterada:
Ou seja, uma senoide que só vale para va-
A lores positivos, deslocada por 0.7 V, e ampli-
VRM S ≈
2 tude falureduzida:
19 − 0.7
VRM S ≈ V 20
2 (V) V0 (t)
VRM S = 9.15 V V1 (t)
10
ER 20) c) Modelo Bateria e Resistor
Para o diodo em polarização direta:
t(s)
0.6V I1 1 2 3 4 5
RD1
·10−2
+
−
10 Ω −10
VD1 +
+
19V 60Hz V1 1 kΩ R1 V0 (t)
− −20
−
Analogamente ao item anterior, ao calcu-
lar usando (B.30) separara função em dois ca-
sos, senoide e constante. Usando a aproxima-
ção para onda retificada de meia onda:
A
Primeiro equacionar o circuito para iden- VRM S ≈
2
tificar o comportamento da corrente no diodo. (19 − 0.6)
Por KVL: VRM S ≈ 0.9901 × V
2
107
VRM S ≈ 9.11 V VD1 (V1 = 19 V) = 0.749 V
ER 20) d) Modelo Exponencial Analogamente a letra b) mas com VD1 =

Para o diodo em polarização direta: 0.749 V:
I1
+
−

19 × sin(2π × 60 × t) − 0.749 0.749 < V1
V0 =
0 V1 ≤ 0.749
VD1 +
+
19V 60Hz V1 1 kΩ R1 V0 (t)
− 20
(V) V0 (t)
−
V1 (t)
10
t(s)
1 2 3 4 5
descrita por:
·10−2
ID
Vx = nVT ln (B.32) −10
IS
Onde:
n=2 −20
VT = 26 mV
IS = 1 × 10−8 A
ID = I1 A
VRM S ≈
2
Equacionado a malha por KVL:
(19 − 0.749)
−V1 + VD1 + R1 I1 = 0 VRM S ≈ V
2
V1 − VD1
I1 = (B.33)
1 kΩ VRM S ≈ 9.123 V
Chutando um valor para VD1 em (B.33),
calcular o primeiro valor de ID , substituir em
ER 21) a) Modelo Ideal
(B.32), calcular o segundo valor de VD1 , subs-
tituir de volta em (B.33), repetir o processo
até os valores convergirem. Como V1 varia
em função do tempo calcularemos para valo-
V1 I1 D1
res diferentes de V1 . Após a convergência:
ID (V1 = 0 V) = I1 (V1 = 0 V) = 0 mA − +
19V 60Hz
ID (V1 = 1 V) = I1 (V1 = 1 V) = 0.444 mA
ID (V1 = 2 V) = I1 (V1 = 2 V) = 1.38 mA 1 kΩ
A
ID (V1 = 19 V) = I1 (V1 = 19 V) = 18.25 mA
− R1 +
V0 (t)
VD1 (V1 = 0 V) = 0 V 19V
+ 60Hz
− I2 D2
VD1 (V1 = 1 V) = 0.556 V

VD1 (V1 = 2 V) = 0.615 V V2
108
Levando em conta que V1 e V2 estão em será o mesmo de uma senoide comum. Para
fase e tem o mesmo valor de pico, se obser- uma senoide retificada em onda completa:
varmos as correntes nas fontes de tensão:
A

V1 < 0 I1 < 0 VRM S = √
2
V1 > 0 I1 > 0
19
VRM S = V

V2 < 0 I2 < 0 √
2
V2 > 0 I2 > 0
Deste modo, D1 só estará em polarização
ER 21) b) Modelo Bateria
direta se I1 > 0 e D2 só estará em polarização
direta se I2 < 0 para os sentidos assumidos.
Para o circuito em questão, assim como no
Como as fontes estão em fase, ambas estarão
caso anterior, apenas um diodo vai estar con-
positivas e negativas juntas, assim apenas um
duzindo de cada vez. Para D1 conduzindo:
regime vai acontecer de cada vez, alternando
entre V1 conduzindo e V2 conduzindo.
Para V1 conduzindo, V1 e R1 estarão em pa-
ralelo e: V1 0.7V
I1
V0 = V1
+
−
Para V2 conduzindo, V2 e R1 estarão em − +
19V 60Hz VD1
paralelo, mas com os sentidos alternados:
V0 = −V2 1 kΩ
A
Finalmente, a tensão em V0 pode ser des- − R1 +
crita por uma senoide positiva de amplitude V0 (t)
igual a das fontes: 19V
+ 60Hz
− I2

−V2 = 19 × sin(2π × 60 × t) V2 = V1 < 0
V0 = V2
V1 = 19 × sin(2π × 60 × t) V2 = V1 > 0
20
(V) V0 (t) Para V1 = V2 > 0:
V1 (t) = V2 (t)
10 −V1 + VD1 + R1 I1 = 0
t(s) V1 − 0.7 V
I1 =
1 kΩ
1 2 3 4 5
·10−2 Para que I1 > 0, então V1 > 0.7. Agora
calcular V0 :
−10
V0 = R1 I1
−20
V0 = V1 − 0.7 V
Para calcular VRM S podemos resolver por
(B.31) de modo que agora, o período será me- Para D2 conduzindo:
tade do original e calcular só metade da se-
noide ou podemosp notar que a nossa função
é a mesma que sin(θ), ou seja, o resultado
109
V1 I1 VRM S = 18.3
√ V
2
− +
19V 60Hz ER 21) c) Modelo Bateria e Resistor
1 kΩ Assim como no casos anteriores, apenas

A um diodo vai estar conduzindo de cada vez.
Para D1 conduzindo:
− R1 +
V0 (t)
19V
+ 60Hz
− I2 0.7V V1 0.6V
I1 RD1
+
−
+
−
V2 VD2 − + 10 Ω
19V 60Hz VD1
1 kΩ
Para V1 = V2 < 0: A
−V2 + R1 I2 − VD2 = 0 − R1 +
V0 (t)
V2 + 0.7 V 19V
I2 = + 60Hz
− I2
1 kΩ
Para que I2 < 0, então V2 < −0.7.Agora
calcular V0 : V2
−V0 = R2 I2
V0 = −V2 − 0.7 V Para V1 = V2 > 0:

Podemos concluir então que: −V1 + VD1 + RD1 I1 + R1 I1 = 0
 V1 − 0.6 V
 −V2 − 0.7 V = 19 × sin(2π × 60 × t) V2 = V1 < −0.7 I1 =
1010 Ω
V0 = 0 −0.7 V ≤ V1 = V2 ≤ 0.7 V
V1 − 0.7 V = 19 × sin(2π × 60 × t) V2 = V1Para
> 0.7que I1 > 0, então V1 > 0.6. Agora

calcular V0 :
20 V0 = R1 I1
(V) V0 (t)
V1 (t) = V2 (t)
V0 = 0.99 × (V1 − 0.6 V)
10
Para D2 conduzindo:
t(s)
I1 V1
1 2 3 4 5
·10−2
− +
−10 19V 60Hz
1 kΩ
A
−20
− R1 +
V0 (t)
A 19V
+ 60Hz
− 0.6V RD2
VRM S = √
2
+
−
19 − 0.7 I2 10 Ω
VRM S = √ V V2 VD2
2
110
Para V1 = V2 < 0:
V1 I1
−V2 + R1 I2 + RD2 I2 − VD2 = 0
+
−
− +
19V 60Hz Vx
V2 + 0.6 V
I2 =
1010 Ω 1 kΩ
Para que I2 < 0, então V2 < −0.6.Agora A
calcular V0 : − R1 +
V0 (t)
−V0 = R2 I2
19V
+ 60Hz
− I2
V0 = 0.99 × (−V2 − 0.7 V)

V2
Podemos concluir então que:
 descrita por:
 −V2 − 0.6 V = 0.99(19 × sin(2π × 60 × t)) V2 = V1 < −0.6
−0.6 V ≤ V1 = V2 ≤ 0.7 V

V0 = 0 ID
Vx = nVT ln
V1 − 0.6 V = 0.99(19 × sin(2π × 60 × t)) V2 = V1 > 0.6

IS
Onde:
n=2
20
(V) V0 (t) VT = 26 mV
V1 (t) = V2 (t) IS = 1 × 10−8 A
10 ID = I1
Para V1 = V2 > 0:
t(s) −V1 + Vx + R1 I1 = 0
1 2 3 4 5 V1 − Vx
I1 =
1 kΩ
·10−2 Para que I1 > 0, então V2 > Vx . Agora
−10 calcular V0 :
−V0 = R1 I1
−20 V0 = V1 − Vx
Como este modelo só serve para valores
constantes de entrada, iremos calcular para 4
valores diferentes:
A
VRM S = √
2
ID (V1 = 0 V) = I1 (V1 = 0 V) = 0 mA
19 − 0.6 ID (V1 = 1 V) = I1 (V1 = 1 V) = 0.444 mA
VRM S = √ V
2 ID (V1 = 2 V) = I1 (V1 = 2 V) = 1.38 mA
ID (V1 = 19 V) = I1 (V1 = 19 V) = 18.25 mA
18.4
VRM S = √
2
V
VD1 (V1 = 0 V) = 0 V
ER 21) d) Modelo Exponencial VD1 (V1 = 1 V) = 0.556 V
VD1 (V1 = 2 V) = 0.615 V
Novamente, apenas um diodo vai estar
conduzindo de cada vez. Para D1 condu- VD1 (V1 = 19 V) = 0.749 V
zindo: Para D2 conduzindo:
111
V1 I1 20
(V) V0 (t)
V1 (t) = V2 (t)
− +
19V 60Hz
10
1 kΩ
A t(s)
− R1 + 1 2 3 4 5
V0 (t)
·10−2
19V
+ 60Hz
− I2
−10
+
V2 −
Vx
−20
Para V1 = V2 < 0:
A
VRM S = √
−V2 + R1 I2 − VD2 = 0 2
19 − 0.749
V2 + Vx VRM S = √ V
I2 = 2
1 kΩ
18.251
Para que I2 < 0, então V2 < −Vx . Agora VRM S = √
2
V
calcular V0 :
−V0 = R2 I2 ER 22)
V0 = −V2 − Vx
A
ID (V2 = 0 V) = I1 (V2 = 0 V) = 0 mA
D2
1
ID (V2 = 1 V) = I1 (V2 = 1 V) = −0.444 mA

D
ID (V2 = 2 V) = I1 (V2 = 2 V) = −1.38 mA
ID (V2 = 19 V) = I1 (V2 = 19 V) = −18.25 mA I1 R1

+
V1 19V 60Hz B
−
1 kΩ
VD1 (V2 = 0 V) = 0 V + −
V0 (t)
VD1 (V2 = 1 V) = 0.556 V
D3
VD1 (V2 = 2 V) = 0.615 V

D
VD1 (V2 = 19 V) = 0.749 V
Podemos concluir então que:

D

 −V2 − Vx = 19 × sin(2π × 60 × t) V2 = V1 < −Vx
V0 = 0 Vx ≤ V1 = V2 ≤ Assumindo
Vx um valor positivo para V1 , a
V1 − Vx = 19 × sin(2π × 60 × t) V2 = V1 >corrente
Vx passa pela fonte em direcão a A e

tem dois caminhos, no entanto, D2 impede o
Para Vx = 0.749 V fluxo de corrente para C. Indo de A para B,
112
o fluxo terá de ser de B para C por causa A

de D3 . Chegando em C a corrente no no A
polariza reversamente D2 impedindo de pros-
seguir nesse sentido e indo para D e de volta
para V1 . No final, para V1 > 0 a o fluxo de
corrente sera:
I1 R1
V1 → A → B → C → D → V1 +
V1 19V 60Hz B
−
1 kΩ
+ −
Para V1 < 0 o fluxo será: V0 (t)
V1 → D → B → C → A → V1
Ja que em D, D4 estará reversamente po- D

larizado, em B D1 estará reversamente pola-
rizado e em C D4 estará reversamente pola-
rizado. Note que, como no segundo caso a tensão
Agora faluredesenhar o circuito para os dois e negativa para o sentido assumido, a corrente
casos. I1 sempre tera o mesmo sentido B → C e a
Para V1 > 0: tensão V0 pode ser descrita como:

−V1 = 19 × sin(2π × 60 × t) V1 < 0
V0 =
A V1 = 19 × sin(2π × 60 × t) V1 > 0
Deste modo, tanto o gráfico quanto VRM S

irão ficar igual ao do exercício 1.4:
20
(V) V0 (t)
V1 (t)
I1 R1
+
V1 19V 60Hz B 10C
−
1 kΩ
+ −
V0 (t) t(s)
1 2 3 4 5
·10−2
−10
D
−20
A
Para V1 < 0: VRM S =
sqrt2
19
VRM S = √
2
V
113
ER 23) V1
I1 =
Circuito em questão: 2 kΩ
A
−V1 + R1 I1 − V0 = 0
1 kΩ × V1
V0 = −V1 +
2 kΩ
D2
1
D
V1
V0 = −
2
R1 I1 R2
+ Assim, V0 pode ser descrito como:
V1 19V 60Hz B C
−
1 kΩ 1 kΩ
− +
V0 (t) (
19×sin(2π×60×t)
V1
V0 = 2 =− 2 V1 < 0
− V21 = − 19×sin(2π×60×t)
2 V1 > 0
D3
4
D
O gráfico ficará igual ao do exercício an-

terior mas negativo e com metade da ampli-
tude:
D
Analogamente ao exercício anterior, a cor- 20

rente I1 terá o mesmo sentido para todos os (V) V0 (t)
valores de V1 , no entanto, ao faluredesenhar- V1 (t)
mos o circuito para um dos casos:
10
A
t(s)
1 2 3 4 5
·10−2
−10
R1 I1 R2 −20
+
V1 19V 60Hz B C
−
1 kΩ 1 kΩ
− + Como VR M S depende apenas do módulo,
V0 (t)
seu cálculo é o mesmo de uma onda retificada
completa positiva:
A
VRM S =
sqrt2
D
9.5
VRM S = √
2
V
Calculando V0 , por KVL:

ER 24)
−V1 + R1 I1 + R2 I1 = 0 Circuito em questão:
114
Assim:
V0 = R1 I1
1 kΩ × V1 V1
V0 = =
2 kΩ 2
D2
1
D
Para V1 < 0:
R1 Ix
+ A
V1 19V 60Hz B C
−
1 kΩ
− +
V0 (t)
Ω
1k
1k
Ω
R2
3
R R1 I2
+
D V1 19V 60Hz B
−
1 kΩ
− +
V0 (t)
Pela configuração dos diodos, analoga-
Ω
1k
mente aos exercícios anteriores, apenas um
1k
Ω
deles vai estar diretamente polarizado para
R2
3
R
valores positivos e negativos de V1 .
Com V1 > 0:
Equacionando a malha de dentro por

KVL:
−V 1 − R1 I2 − R3 I2 = 0
R1 I1
+ A
V1 19V 60Hz B C V1
− I2 = −
1 kΩ 2 kΩ
− +
V0 (t)
Assim:
Ω
1k
1k
Ω
R2
V0 = R1 I2
R
1 kΩ × V1 V1
V0 = − =−
2 kΩ 2
D
Finalmente, V0 pode ser descrito como:
Equacionando a malha de dentro por (

− V21 = 19×sin(2π×60×t) V1 < 0
KVL: V0 = V1
2
19×sin(2π×60×t)
2 = 2 V1 > 0
−V 1 + R1 I1 + R2 I1 = 0
V1 O gráfico ficará o mesmo do exercício 1.6
I1 = porém positivo:
2 kΩ
115
20
(V) V0 (t) −V1 + R1 I1 + R2 I1 + R3 I1 = 0
V1 (t)
V1
10 I1 =
3 kΩ
Logo:
t(s)
1 2 3 4 5 V0 = R3 I1
·10−2 1 kΩ × V1 V1
V0 = =
3 kΩ 3
−10
Para V0 < 0:
−20 1 kΩ I1 R2
Calculando VR M S para uma senoide du- +

R1 1 kΩ
plamente retificada: +
V1 19V 60Hz 1 kΩ R3 V0
A −
VRM S =
sqrt2 −
9.5
VRM S = √
2
V
ER 25) Nesse caso, R2 e R3 estarão em paralelo

Circuito em questão: com um curto e por isso a corrente que passa
por eles será nula. Logo:
1 kΩ I1 R2
V0 = R3 I1
+
R1 1 kΩ V0 = 0 V
+
V1 19V 60Hz D1 1 kΩ R3 V0 (t) Assim, V pode ser descrito como:
− 0
−
0 V1 < 0

V0 = V1 19×sin(2π×60×t)
3 = 3 V1 > 0
Se V1 > 0 então I1 > 0 para o sentido as- O gráfico será o de um retificador de meia
sumido e nesse caso, D1 estará reversamente onda com amplitude falureduzida:
polarizado. faluredesenhando o circuito:
20
(V) V0 (t)
1 kΩ I1 R2 V1 (t)
+ 10
R1 1 kΩ
+
V1 19V 60Hz 1 kΩ R3 V0 (t) t(s)
−
1 2 3 4 5
−
·10−2
−10
Equacionando por KVL: −20
116
Calculando VR M S para uma senoide re- A

tificada em meia onda:
A
VRM S =
2
R1 Ix
+
6.5 V1 19V 60Hz B
VRM S = V −
2 1 kΩ
− +
V0 (t)
VRM S = 3.25 V
ER 26)
D
Circuito em questão: 100 Ω
Assim:
1 kΩ × V1
V0 = −
A
1.1 kΩ
V0 = −0.91 × V1
Para V1 > 0 teremos que analisar o compor-
tamento de ZD1 :
A
D2
1
D
R1 Ix
+
V1 19V 60Hz B C
−
1 kΩ
− +
V0 (t)
1
D
Z
R1 Ix
+
6V
D3
V1 19V 60Hz B
−
1 kΩ
− +
V0 (t)
1
D
D
Z
100 Ω
6V
Assim como no exercício 1.5, inicialmente 100 Ω D

haverão dois regimes. Para V1 < 0:
Inicialmente assumindo que ZD1 não está

conduzindo:
V0 = 0.91 × V1
117
Porem, se V0 > 6 V, ou seja, V1 > 6.6 V, 20

então ZD1 entrará em "breakdown"e poderá (V) V1 (t)
ser considerado uma bateria de 6 V. Quando
isso acontecer, R1 estará em paralelo com 10
uma fonte de tensão e terá tensão constante
igual a 6 V. Finalmente, podemos concluir
que V0 será definido por 3 momentos: t(s)
1 2 3 4 5
·10−2

V 19×sin(2π×60×t)
 −V1 = − 1.11 =

1.1 V1 < 0
V0 = V1
= 19×sin(2π×60×t)
0 < V1 ≤ 6.6 V −10
 61.1V
 1.1
6.6 V < V1
Deste modo o gráfico será o de uma onda −20

completamente retificada mas com amplitude
falureduzida e com máximo de 6 V em metade A potência vai ser dada por: P = V1 I1
da onda: Equacionado o circuito:
V1 = R1 I1
20 V1
(V) I1 =
V0 (t) R1
V1 (t)
V12 V2
P = = 1
10 R1 1 kΩ
Como a potência depende do quadrado da
t(s) tensão, ela sera constante:
1 2 3 4 5 P = 182.5 mW
·10−2
ER 28)
−10 Circuito em questão:
D1
−20
+
ER 27)
Circuito em questão: +
19V 60Hz V1 1 kΩ R1 C V0 (t)
−
−
I1
+
V1 13.5V R1 1 kΩ
−
Para esse circuito, foi dado o gráfico de

V0 (t), uma dente de serra com uma diferença
de máximo e mínimo:
VR.P = 18.3 V − 11.7 V = 6.6 V

Gráfico de V1 : Logo, para uma dente de serra:
Vmax + Vmin 18.3 V + 11.7 V
VDC = =
2 2
118
VDC = 15 V
VR.P VR.P
V AC, RM S = √ = √
3 3
VAC,RM S = 3.81 V
E como:
q
VRM S = 2 +V2
VDC DC
Então:
VRM S = 15.48 V
Sem o capacitor, o circuito é o mesmo do exer-

cício ?? e nesse caso, vimos que a saída será
uma o senoide retificada em meia onda. Deste
modo:
A 19 V
VDC = =
π π
VDC = 6.05 V
A 19 V
VRM S = =
2 2
VRM S = 9.5 V
q
2 2
V AC, RM S = VRM S − VDC
VAC,RM S = 7.32 V
119
B.4 Resolução Capítulo 5 Assumindo inicialmente o valor limite r =

1.5%, substituindo o valor de VDC em (B.35)
ER 28) e substituindo (B.34) em (B.35):
Dados da questão:
√
Tensão na carga = 20 V (1 + 3 × 0.015) × 20 V = Vtraf o − 1.4 V
Corrente na carga = 500 mA Vtraf o ' 21.9
Fator de ripple ≤ 1.5%
Como esta equação é para o valor limite,
utilizaremos um valor de Vtraf o tal que:
Retificador
Vtraf o = 21.9 V
Para um fator de ripple "bom"precisamos
r = 1.44%
de usar um retificador antes do filtro capaci-
tivo. Como a questão pede o uso de um trans- Vm = 20.5 V
formador único (apenas uma fonte senoidal) Agora, para calcular o valor do capacitor:
podemos projetar o seguinte retificador:
IDC
C= √ (B.36)
4 3 × f × r × Vm
D Onde:
2
C RL IDC = 0.5 A
Vp f = 60 Hz
D1
r = 1.44%
4
D Vm = 20.5 V
D Logo:
3
0.5 A
C= √
4 3 × 60 Hz × 0.0144 × 20.5 V
C = 4.07 mF
Uma análise detalhada dele é feita na Este não é um valor comercial e pela equa-
questão ER 30) . Precisamos apenas sa- ção, podemos ver que se aumentarmos o va-
ber que a tensão máxima na saída (Vm ) vai lor da capacitância, o fator de ripple diminui.
ser a mesma da entrada VP mas levando em Utilizaremos então, o menor próximo valor
conta a queda de tensão nos diodos: comercial, neste caso:
C = 4.7 mF
Vm = VP − 0.7 V − 0.7 V
Recalculando o fator de ripple para com-
Vm = Vtraf o − 1.4 V (B.34) portar o novo capacitor:
Filtro Capacitivo IDC

r= √
4 3 × f × C × Vm
A carga Rl aproveita apenas tensões e cor- 0.5 A
rentes DC, e como nesse caso a carga estará r= √
4 3 × 60 Hz × 0.0047 F × 20.5 V
ligada diretamente em paralelo com a fonte:
r = 1.2%
VDC = 20 V Recalculando Vtraf o para o novo ripple:
√
(1 + 3 × 0.012) × 20 V = Vtraf o − 1.4 V
IDC = 0.5 A
Vtraf o = 21.8 V
Para este tipo de fonte (retificação com-
pleta), o fator de ripple pode ser equacionado Poderíamos repetir as contas para o novo
desta maneira: transformador, mas como não houve muita
√ diferença, quando recalculássemos (B.36) ob-
(1 + 3r)VDC = Vm (B.35) teríamos o mesmo capacitor.
120
Para a especificação do transformador, O fator de ripple não é dado, assumiremos

usa-se VRM S , logo: 10% para começar. Levando em conta, que a
tensão média na nossa dente de serra é:
21.8 V
Vtraf o = √ = 15.4 V
2 Vm
VDC = √
1 + 3r
Como o transformador utilizado tem ape-
nas um terminal, os componetes do projeto
serão: VDC = 13.9 V
Transformador(127 V : 15.4 V) Então a tensão mínima será a tensão mé-

dia menos a amplitude:
Capacitor4.7 mF Vzmin = VDC − (Vm − VDC )
Vzmin = 11.5 V
Fator de ripple 1.2%
A tensão mínima é menor do que a re-
querida pela fonte, e isso fará a corrente fluir
ER 29) no sentido contrário, irei assumir um fator de
A questão pede uma fonte nesse formato: ripple de 5%:
Vm
RS VDC = √
V (t) 1 + 3r
+ VDC = 15 V
VP 60Hz C Dz RL
−
Vzmin = VDC − (Vm − VDC )
+ Vzmin = 13.7 V
VP 60Hz
−
Dois casos extremos de corrente no diodo
zener podem acontecer:
RS
Dados da questão:
VP = 17 V
Vzmin +
− Dz RL
VL = 12 V
Izmin ILmax
ILmax = 50 mA
PZmax = 2 W
IZmin = 3 mA
Regulador Zener
RS V (t)
Podemos considerar o circuito em dois
possíveis casos extremos de tensão, Vzmax e
Vzmin . Vzmax será o próprio valor de pico da Vzmax + Dz RL
fonte levando em conta a queda de tensão no −
diodo do retificador: Izmax ILmin
Vzmax = Vm = VP − 0.7 V = 16.3 V
121
O primeiro caso ocorre quando a resistên- O intervalo dos dois valores é muito pe-
cia na carga é tal que a corrente que passa queno e não existem um valor comercial para
por ela é máxima e o ciclo da fonte está em esse caso, no entanto, como demos uma folga
seu pico. Isso ocasiona o mínimo de corrente para Izmax , se recalcularmos removendo a
no diodo. folga:
O segundo caso ocorre quando a resistên-
cia na carga é tal que a corrente que passa por Izmax = 167 mA
ela é mínima e o ciclo da fonte está em seu Vzmax − VZ
mínimo. Isso ocasiona o máximo de corrente = Izmax + ILmin
RS
no diodo. RS = 25.75 Ω
Podemos equacionar o primeiro circuito Nesse caso há um valor comercial nesse
desta forma: intervalo:
Vzmin − VZ 25.75 Ω ≤ RS ≤ 32.2 Ω
= Izmin + ILmax
RS
Como retiramos a folga do limite inferior,
Escolheremos um diodo zener de Vz = escolherei o maior valor possível dentro deste
12 V (não encontrei um diodo zener específico intervalo:
com Pzmax = 2 W) que é a tensão requerida RS = 30 Ω
pela carga em paralelo com ele. Como a cor-
rente máxima na carga é de 50 mA e Izmin é Filtro Capacitivo
dado: A corrente DC no resistor RS pode ser ob-
13.7 V − 12 V tida equacionando a diferença de tensões DC
= 3 mA + 50 mA entre os terminais do resistor:
RS
VDC − VZ
RS = 32.1 Ω IDC =
RS
Para o segundo circuito: 15 V − 12 V
IDC =
Vzmax − VZ 30 Ω
= Izmax + ILmin IDC = 100 mA
RS
Substituindo os dados em (B.36):
Izmax pode ser obtido por:
IDC
Pzmax = Vz × Izmax C= √
4 3 × f × r × Vm
Izmax = 167 mA 0.1 A
C= √
Dando uma folga de 20% por questões de 4 3 × 60 Hz × 0.05 × 16.3 V
segurança: C = 295 µF
Este não é um valor comercial e pela equa-
Izmax = 133.6 mA ção, podemos ver que se aumentarmos o va-
lor da capacitância, o fator de ripple diminui.
ILmin é dado pelo caso em que nada está
Utilizaremos então, o menor próximo valor
ligado ao circuito e por isso não há corrente
comercial, neste caso:
na carga:
ILmin = 0 A
C = 330 µF
Assim, o valor de RS para este caso: Para comportar o novo capacitor, recal-
16.3 V − 12 V culamos o fator de ripple:
= 0.1336 A
RS
0.1 A
RS = 32.2 Ω r= √
4 3 × 60 Hz × 0.000 33 F × 16.3 V
Escolhendo um valor comercia para RS
r = 4.5%
que fique entre os dois casos extremos:
Finalmente, a fonte projetada terá as se-
32.1 Ω ≤ RS ≤ 32.2 Ω guintes especificações:
122
Capacitor 330 µF VDC = 7.17 V

Então a tensão mínima será a tensão mé-
Resistência em série 33 Ω dia menos a amplitude:
Vzmin = VDC − (Vm − VDC )

Diodo zener 12 V Vzmin = 6.54 V
Dois casos extremos de corrente no diodo
Fator de ripple 4.5% zener podem acontecer:
RS V (t)
ER 30)
A questão pede uma fonte nesse formato: Vzmin +

− Dz RL
Izmin ILmax
RS V (t)
+
VP 60Hz C Dz RL
−
RS V (t)
+
VP 60Hz
−
Vzmax +
− Dz RL
Izmax ILmin
Dados da questão:
VP = 8.5 V Podemos equacionar o primeiro circuito

VL = 5 V desta forma:
Vzmin − VZ
ILmax = 30 mA = Izmin + ILmax
RS
VZ = 5 V
Como a corrente máxima na carga é de
PZmax = 1 W 30 mA e Izmin é dado:
IZmin = 3 mA 6.54 V − 5 V
= 3 mA + 30 mA
Regulador Zener RS
RS = 46.7 Ω
Podemos considerar o circuito em dois
possíveis casos extremos de tensão, Vzmax e Para o segundo circuito:
Vzmin . Vzmax será o próprio valor de pico da Vzmax − VZ
fonte levando em conta a queda de tensão no = Izmax + ILmin
RS
diodo do retificador:
Izmax pode ser obtido por:
Vzmax = Vm = VP − 0.7 V = 7.8 V
Pzmax = Vz × Izmax
O fator de ripple não é dado, assumiremos
5% para começar. Levando em conta, que a Izmax = 200 mA
tensão média na nossa dente de serra é: Dando uma folga de 20% por questões de se-
Vm gurança:
VDC = √ Izmax = 160 mA
1 + 3r
123
ILmin é dado pelo caso em que nada está li- Capacitor 470 µF
gado ao circuito e por isso não há corrente na
carga: Resistência em série 33 Ω
ILmin = 0 A
Assim, o valor de RS para este caso:
Fator de ripple 4.3%
7.8 V − 5 V
= 0.16 A
RS
ER 31)
RS = 17.5 Ω
Escolhendo um valor comercia para RS O circuito pedido é o seguinte:
que fique entre os dois casos extremos:
RS V (t)
17.5 Ω ≤ RS ≤ 46.7 Ω
Escolherei RS = 33 Ω C Dz RL
Filtro Capacitivo
A corrente DC no resistor RS pode ser ob- + −

VP 60Hz
tida equacionando a diferença de tensões DC
entre os terminais do resistor:
VDC − VZ
IDC =
RS
7.17 V − 5 V Dados da questão:
IDC =
33 Ω
IDC = 65.8 mA VP = 13 V
Substituindo os dados em (B.36): RS = 33 Ω
IDC RL = 470 Ω
C= √
4 3 × f × r × Vm r ≤ 5%
0.0658 A VZ = 9 V
C= √
4 3 × 60 Hz × 0.05 × 7.8 V PZmax = 1 W
C = 405.9 µF
Retificador
Este não é um valor comercial e pela equa-
ção, podemos ver que se aumentarmos o va- Primeiro vamos redesenhar o retificador
lor da capacitância, o fator de ripple diminui. sozinho com um resistor qualquer para saber
Utilizaremos então, o menor próximo valor qual o tipo de onda que ele gera:
comercial, neste caso: C
C = 470 µF
Para comportar o novo capacitor, recal- D2 D3
culamos o fator de ripple: +
A B R1 VR1
0.0658 A + −
r= √ VP
4 3 × 60 Hz × 0.000 47 F × 7.8 V −
D1 D4
I1
r = 4.3%
Finalmente, a fonte projetada terá as se-
guintes especificações: D
124
Agora, analisando o semi-ciclo em que −

a fonte tem tensão positiva para esquerda + 0.7V
+
(igual no desenho). Assumindo que a corrente
sai do positivo ela fará o seguinte percurso: VP +
− 13V R1 Vm
• Saindo de VP chega no nó A e tem dois − −

caminhos, D1 e D2 . Como D1 fica re- + 0.7V I1
versamente polarizado, ela só pode pas-
sar por D2 .
• Em C ela não pode descer por D3 então

segue por R1 Equacionando este circuito podemos ver
que:
• Como a corrente que estamos seguindo
tem o mesmo sentido que I1 , a tensão −VP + 0.7 V + Vm − 0.7 V = 0
em R1 será com o positivo para cima. Vm = 11.6 V
• Chegando em D, como D1 está rever- Filtro Capacitivo
samente polarizado, ela só pode prosse-
guir para D4 Como nosso retificador é de onda com-
pleta, podemos calcular VDC pela mesma
• Em B, D3 está reversamente polarizado equação das questões anteriores. assumindo
então a corrente retorna a VP e com- inicialmente o fator de ripple máximo de 5%:
pleta o ciclo. Vm
VDC = √
1 + 3r
Para VP com o positivo para esquerda em VDC = 10.7 V
sua segunda metade de período: A corrente DC no resistor RS pode ser ob-
tida equacionando a diferença de tensões DC
• Saindo de VP chega no nó B e tem dois entre os terminais do resistor:
caminhos, D3 e D4 . Como D4 fica re-
VDC − VZ
versamente polarizado, ela só pode pas- IDC =
RS
sar por D3 .
10.7 V − 9 V
• Em C ela não pode descer por D2 então IDC =
33 Ω
segue por R1 IDC = 51.5 mA
• Como a corrente que estamos seguindo Como este é um retificador de onda com-
tem o mesmo sentido que I1 , a tensão pleta, podemos usar (B.36):
em R1 será com o positivo para cima. IDC
C= √
4 3 × f × r × Vm
• Chegando em D, como D4 está rever-
samente polarizado, ela só pode prosse- 0.0515 A
C= √
guir para D1 4 3 × 60 Hz × 0.05 × 11.6 V
C = 213.6 µF
• Em A, D2 está reversamente polarizado
então a corrente retorna a VP e com- Este não é um valor comercial, usarei:
pleta o ciclo.
C = 220 µF
Para comportar o novo capacitor, recal-
Em ambos os casos a corrente passa por culamos o fator de ripple:
dois diodos e chega no resistor com o mesmo
sentido, então a tensão de pico VP e a tensão
0.0515 A
máxima no resistor Vm podem ser represen- r= √
tadas desta maneira, levando em conta uma 4 3 × 60 Hz × 0.000 22 F × 11.6 V
queda de tensão de 0.7 V para cada diodo: r = 4.9%
125
Como r ≤ 5%, o capacitor escolhido está No nó A, por KCL:

adequado.
ER 32) IDC = Iz + IL
O fator de regulação é dado por: Não sabemos o valor máximo da resistên-

VN L − VF L cia da carga, mas é dado a corrente máxima
Vreg = (B.37)
VN L consumida:
Onde VN L e VF L representam a tensão no IL = 50 mA
diodo zener sem carga e com carga máxima
respectivamente. Como a tensão no nó A é a mesma do ze-
ner completo, Vz , podemos equacionar VF L =
Para o modelo bateria + resistor do di- Vz :
odo zener o fator de ripple na carga pode ser
calculado por: Vz − VDC VZ − VZ0
= + IL (B.39)
RS Rz
RZ VDC,capacitor
rRL = rcapacitor × ×
RZ + RS VZ
(B.38) Vz − 15 V Vz − 11.74 V
= + 0.05 A
A resistência RZ é dada em todas as ques- 33 Ω 3Ω
tões e vale:
VF L = Vz = 11.25 V
RZ = 3 Ω
Vreg e r para questão - 2 Para o caso sem carga podemos apenas re-
petir (B.39) mas levando em conta IL = 0 V:
Como não temos acesso as constantes da
curva do zener, para escolher o valor de Vz0 Vz − 15 V Vz − 11.8 V
vamos analisar os casos extremos que ele tra- =
33 Ω 3Ω
balha. Nesta questão:
Izmin = 3 mA VN L = Vz = 11.41 V
Izmax = 167 mA Substituindo os valores em (B.37):

Assumindo que na média desses valores a
tensão total do zener Vz vai ser a nominal de VN L − VF L
Vreg =
12 V, podemos calcular o valor de VZ0 : VN L
Izmax + Izmin
Vz = VZ0 + × Rz 11.41 V − 11.15 V
2 Vreg =
11.41 V
0.167 A + 0.003 A
12 V = VZ0 + × 3Ω
2 Vreg = 2.3%
Vz0 = 11.74 V
Analisando o caso em que a carga é má- Para o fator de ripple, substituindo os va-
xima, o circuito da questão pode ser repre- lores em (B.38):
sentado deste modo:
RZ VDC,capacitor
IDC RS rRL = rcapacitor × ×
A Vz RZ + RS VZ
3Ω 15 V
Rz rRL = 0.045 × ×
3 Ω + 33 Ω 12 V
VDC +
− RL
rRL = 4.6%
+ V
− Z0 IL
Iz
Vreg e r para questão - 3
126
Calculando o valor de Vz0 : Izmax + Izmin

Vz = VZ0 + × Rz
2
Izmin = 3 mA 0.1111 A + 0.003 A
9 V = VZ0 + × 3Ω
2
Izmax = 160 mA
Vz0 = 8.83 V
Izmax + Izmin
Vz = VZ0 + × Rz
2 Para um circuito análogo ao de 5.2, como
0.160 A + 0.003 A agora temos o valor da resistência da carga:
5 V = VZ0 + × 3Ω
2 Vz − VDC VZ − VZ0 Vz
Vz0 = 4.76 V = +
RS Rz RL
Para um circuito análogo ao de 5.2:
Vz − 10.7 V Vz − 8.83 V Vz
= +
Vz − VDC VZ − VZ0 33 Ω 3Ω 470 Ω
= + IL
RS Rz VF L = Vz = 8.58 V
Vz − 7.17 V Vz − 4.76 V Para VN L :
= + 0.03 A
33 Ω 3Ω
Vz − 10.7 V Vz − 8.83 V
VF L = Vz = 4.42 V =
33 Ω 3Ω
Para VN L :
VN L = Vz = 8.64 V
Vz − 7.17 V Vz − 4.76 V
= Substituindo os valores em (B.37):
33 Ω 3Ω
VN L = Vz = 4.52 V VN L − VF L
Vreg =
VN L
Substituindo os valores em (B.37):
8.64 V − 8.58 V
VN L − VF L Vreg =
Vreg = 8.64 V
VN L
Vreg = 0.69%
4.52 V − 4.42 V
Vreg = Para o fator de ripple, substituindo os va-
4.52 V lores em (B.38):
Vreg = 2.21%
RZ VDC,capacitor
Para o fator de ripple, substituindo os va- rRL = rcapacitor × ×
RZ + RS VZ
lores em (B.38):
3Ω 10.7 V
RZ VDC,capacitor rRL = 0.049 × ×
rRL = rcapacitor × × 3 Ω + 33 Ω 9V
RZ + RS VZ
3Ω 7.17 V rRL = 0.48%
rRL = 0.043 × ×
3 Ω + 33 Ω 5V
rRL = 5.1%
Vreg e r para questão - 4
Calculando o valor de Vz0 , não é dado o

valor de Izmin , mas como precisamos apenas
de uma estimativa para Vz0 e Izmin é apenas
' 3% × Izmax , assumirei:
Izmin = 3 mA
Pzmax
Izmax =
Vz
1W
Izmax = = 111.1 mA
9V
127
B.5 Resolução Capítulo 8 Desde que Iz > 0 para o sentido assu-

mido, Z1 pode ser considerado uma fonte de
tensão. Equacionando a malha da esquerda
ER 33) por KVL:
Circuito em questão: Vin − Z1 + I1 R1 = 0

6 V − Vin
I1 =
I1 R1 10 kΩ
Para malha da direita:
+
10 kΩ Iz
+ Z1 + I2 R2 = 0
Vin 10V 60Hz Z1 10 kΩ R2 Vout
−
−6 V
− I2 = = 0.6 × 10−3 A
10 kΩ
Equacionando o nó acima de Z1 :
−I1 − Iz + I2 = 0
Semi-ciclo positivo IZ = I2 − I1
−6 V 6 V − Vin
IZ = −
Redesenhando circuito para valores posi- 10 kΩ 10 kΩ
tivos de Vin : Vin − 12 V
IZ =
10 kΩ
Podemos ver que Iz só será positiva se
I1 R1
Vin > 12 V "para baixo". Como a amplitude
+ da senoide é de 10 V isso nunca acontecerá
10 kΩ
e Z1 poderá ser considerado circuito aberto
Vin + Z1 Iz 10 kΩ R2 Vout
− para todo o semi-ciclo negativo:
−
I1 R1
I1 +
10 kΩ
Nesse caso, I1 é positiva para o sentido Vin +
− Z1 10 kΩ R2 Vout
assumido e, no modelo ideal, Z se comporta
−
como um curto fazendo com que a tensão en-
tre os seus terminais seja mesma, consequen-
temente, a diferença entre elas será de 0 V.
Como Vout está em paralelo com Z1 :
Por KVL:
Vout = 0 V
−Vin + I1 R1 + I1 R2 = 0
Semi-ciclo negativo Vin
I1 =
R1 + R2
Redesenhando circuito para valores posi-
Vout = I1 R2
tivos de Vin :
Vin
Vout =
2
I1 R1
Forma de onda
I2 +
10 kΩ
− − A forma de onda Vout (t) vai ser definida
+ Vin 6v + Z1 10 kΩ R2 Vout
pelos dois momentos calculados acima:
Iz −
0 V Vin ≥ 0 V
Vout = Vin
2 Vin < 0 V
128
I1 R1
20
(V) Vout (t)
1 kΩ Vin (t) +
10 +
D1 D2 − 0.7v
t(s)
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
Vin + ·10−2+ Vout
−10 − R2 10v
−
−20
−
5v + 1 kΩ R3
−
ER 34)
Circuito em questão ] Equacionando por KVL:
−Vin + I1 R1 + D2 + 10 V + I1 R3 = 0
I1 R1
Vin − D2 − 10 V
I1 =
R1 + R3
1 kΩ +
D1 D2
Vin − 10.7 V
I1 =
2 kΩ
Vin +
− + Vout Concluímos que o desenho acima é válido
R2 − 10v para:
Vin > 10.7 V
−
5v + 1 kΩ R3
− E nesse caso:
Vout = 0.7 V + 10 V + I1 R3
Vin − 10.7 V
Vout = 10.7 V +
2
Vin
Vout = + 5.35 V
2
Semi-ciclo positivo com D1 em aberto
e D2 em curto
Semi-ciclo negativo com D1 em curto e
D2 em aberto
Redesenhando o circuito assumindo que Redesenhando o circuito assumindo que

quando I1 > 0: quando I1 < 0:
129
I1 R1 Não há malha fechada e por isso I1 = 0,

e:
1 kΩ Vout = Vin
+
−
0.7v + D1 D2 Relação de transferência
O circuito pode funcionar de três manei-

ras dependendo do valor de Vin :
Vin +
− + Vout
R2 250 Ω − 10v  Vin
 2 + 5.35 V Vin > 10.7 V
Vout = Vin −5.7 V ≤ Vin ≤ 10.7 V
Vin
− 4.56 V Vin < −5.7 V

− 5
5v + 1 kΩ R3
− 20
Vout (
15
10
Por KVL:
5
−Vin + I1 R1 − 0.7 V + I1 R2 − 5 V = 0
Vin + 5.7 V
I1 =
1250 Ω −20 −18 −16 −14 −12 −10 −8 −6 −4 −2 2
Como I1 tem de ser negativa, concluímos
que para o desenho anterior ser válido: −5
(-5.7,-5.7)
Vin < −5.7 V
−10
E nesse caso:
Vout = −0.7 V + I1 R2 − 5 V −15
Vin + 5.7 V
Vout = −5.7 V +
5 −20
Vin
Vout = − 4.56 V
5
Ambos os diodos em aberto Uma dica, uma maneira de descobrir se
houve erro em alguma das equações é checar
Caso −5.7 V ≤ Vin ≤ 10.7 V, nenhum dos
descontinuidades no gráfico.
diodos vai conduzir, e neste caso o circuito
pode ser desenhado desta forma:
ER 35) a)
I1 R1
1 kΩ + I1 R1
D1 D2
1 kΩ I2 I3 +
D1 Z1
Vin + Vout
− +
R2 250 Ω 10v
− Vin +
− Vout
− + +
− 4v − 10v
5v + 1 kΩ R3
− −
130
Por equacionamento Semi-ciclo D1 em curto e Z1 em aberto

negativo com Z1 em breakdown
I1 R1
I1 R1
1 kΩ I2 I3 +
1 kΩ I2 I3 + D1 +
− 0.7v Z1
−
D1 8.2v + Z1
Vin +
− Vout
Vin +
− Vout
+ +
− 4v − 10v
+ +
− 4v − 10v −
Neste caso:
No semi-ciclo negativo, I1 < 0 e D1 pode I1 = I2

ser considerado circuito aberto. Para que Z1 E por KVL:
entre em breakdown e o desenho acima seja
válido, I3 tem de ser negativa. Como há ape- −Vin + I1 R1 + 0.7 V + 4 V = 0
nas uma malha, e I1 tem o mesmo sentido de
Vin − 4.7 V
I3 : I1 =
1 kΩ
I1 = I3
Como I1 tem de ser positiva, podemos
Por KVL: concluir que o desenho acima é valido para:
Vin > 4.7 V

−Vin + I1 R1 − 8.2 V + 10 V = 0
D1 em aberto e Z1 em curto
Vin − 1.8
I1 = I1 R1
1 kΩ
Portanto, para este caso:
1 kΩ I2 I3 +
Vin < 1.8 V D1 Z1 +
− 0.7v
E Vout será dado por:
Vin +
− Vout
Vout = −8.2 V + 10 V
+ +
Vout = 1.8 V − 4v − 10v
−
Semi-ciclo positivo
No semi-ciclo positivo, I1 > 0, e o com-

portamento dos diodos vai ser determinado
por I2 e I3 . Se Observarmos a topologia, po- Neste caso:
demos ver que, a partir do momento que um
dos diodos puder ser considerado um curto, I1 = I3
toda corrente I1 passará por ele, e a corrente E por KVL:
que vai para o outro diodo proveniente de I1
tende a 0, e nesse caso sobra apenas a cor- −Vin + I1 R1 + 0.7 V + 10 V = 0
rente proveniente da fonte de tensão abaixo, Vin − 10.7 V
podendo ser considerado circuito aberto. I1 =
1 kΩ
131
Como I1 tem de ser positiva, podemos 10

concluir que o desenho acima é valido para: Vout (
8
Vin > 10.7 V 6
Como vimos anteriormente, a primeira 4

condição é atingida primeiro, então para
2
Vin > 4.7 V:
(
Vout = 4.7 V −10 −8 −6 −4 −2

−2
Ambos diodos em aberto −4
−6
No intervalo em que:
−8
1.8 V ≤ Vin ≤ 4.7 V
−10
Ambos os diodos podem ser considerados

circuito aberto:
Por superposição
I1 R1
Se analisarmos separadamente os conjun-
1 kΩ I2 I3 + tos dos dois diodos temos:
D1 Z1 I1 R1
Vin +
− Vout 1 kΩ I2 +
D1
+ +
− 4v − 10v
− Vin +
− Vout
+
− 4v
−
Como não há malha fechada, I1 = 0 e:

I1 R1
Vout = Vin
1 kΩ I3 +
Relação de transferência
Z1
O circuito pode funcionar de três manei-
ras dependendo do valor de Vin : Vin +
− Vout
+

− 10v
 4.7 V Vin > 4.7 V
Vout = Vin −1.8 V ≤ Vin ≤ 4.7 V −
1.8 V Vin < 1.8 V


132
O primeiro circuito é um limitador de ten- D1 em aberto

são que limita tensões (primeiro circuito Se-
ção 6.3) maiores que VD + 4 V, já o segundo Para que D1 seja considerado um curto
é um circuito que limita tensões maiores que I1 < 0 e nesse caso:
VD + 10 V e menores que 10 V − VZ . Como a
limitação de 4.7 V ocorre antes da de 10.7 V,
o resultado é um circuito que limita tensões 4v
maiores que 4.7 V e menores que 1.8 V. D1
+
−
ER 35) b)
+
I1
Circuito em questão
Vin +
4v
+
−
+ −
D1 I1
Vin +
Nesse caso, não há corrente passando por

−
R2 e: Vout = 0 V
Relação de transferência
Por equacionamento D1 em curto O circuito pode funcionar de duas manei-

Para que D1 seja considerado uma bate- ras dependendo do valor de Vin :
ria, I1 > 0 e nesse caso:

Vin − 3.3 V Vin < 3.3 V
D1 4v Vout =
0V Vin ≥ 3.3 V
−
+
+
−
+
0.7 I1 10
Vout (
8
Vin +
6
− 4
Por KVL na malha externa: −10 −8 −6 −4 −2

−2
−Vin − 0.7 V + 4 V − I1 R2 = 0
3.3 V − Vin −4
I1 =
1 kΩ
Logo, para que o diodo esteja em curto: −6
Vin < 3.3 V −8

E nesse caso: −10
Vout = −I1 R2
Vout = Vin − 3.3 V
133
Método alternativo C1
100nF
D1
R1 está em paralelo com uma fonte de ten-
são e pode ser desconsiderado: +
3Vp 10kHz Vin 100 kΩ R1
−
−
2v +
4v
+
−
+
D1 I1
Vin +
− R2 1 kΩ Vout
Por análise
−
Assumindo que o capacitor vai entrar em

regime permanente nos primeiros semi-ciclos.
No primeiro semi-ciclo positivo:
O circuito resultante é um limitador em

C1
série (primeiro circuito da Seção 6.4) que li-
mita tensões máximas de 0 V e desloca a onda − +
de VD − 4 V. +
0v
D1
ER 36)
Vin +
− 3v 100 kΩ R1 Vout
Para todos os circuitos á seguir, os efei-
tos da carga e descarga no capacitor referen- −
2v +
tes a frequência são desconsiderados de modo
que a a frequência é alta o suficiente para que −
a tensão entre os terminais de um capacitor

carregado seja aproximadamente constante.
Vale ressaltar que a resposta final não leva
em conta o tempo necessário para o circuito
entrar em estado permanente e assume o es-
A tensão no capacitor não pode ser facil-
tado permanente, sendo que, na realidade, se-
mente alterada, uma vez que depende da cor-
riam necessários mais ciclos passando por um
rente ao longo do tempo. No primeiro semi-
estado transitório. É assumido também que
ciclo positivo o capacitor ainda está descarre-
todos os capacitores estão inicialmente des-
gado e D1 se comporta como circuito aberto.
carregados.
Logo:
Vout = Vin
No primeiro semi-ciclo negativo:
134
C1 (V)
4
− +
+
0.3v −
0.7 + D1 2
Vin +
− -3v 100 kΩ R1 Vout
0.5 1 1.5 2 2.5 3
−
2v + −2
−
−4
Desta vez a associação de fontes e C1 o

obrigam a se carregar (não depende da cor-
rente) de forma que: Método alternativo
−Vin − V (C1 ) − 0.7 V − 2 V = 0

Podemos ver que o circuito tem a mesma
topologia de um grampeador da Seção 7.3 e
V (C1 ) = 0.3 V
portanto grampeia a tensão positivamente em
Logo: Vin − (VD + 2 V).
Vout = −2.7 V
ER 37)
No segundo semi-ciclo positivo:
Por análise
C1
− + Circuito em questão:
+
0.3v
D1
C1
Vin +
− 3v 100 kΩ R1 Vout
+
− 100nF
2v + D2
−
+
−
D1
C1 vai estar carregado do semi-ciclo ante- −
rior e por isso:
Vout = 3.3 V
Esse processo vai se repetir para os próxi- Os dois diodos estão em série e por isso
mos semi-ciclos: a corrente que determina o comportamento
deles é a mesma. No primeiro semi-ciclo po-
sitivo:
135
C1 C1
− + − +
+ +
0v 8.6v
D2 D2
+ +
Vin 10v 1kHz 100 kΩ R1 Vout Vin 10v 1kHz 100 kΩ R1 Vout
− −
D1 D1
− −
Podemos considerar que a fonte em série Vout = Vin + 8.6 V

não carrega o capacitor e:
Esse comportamento se repete nos próxi-
Vout = Vin mos ciclos:
No primeiro semi-ciclo negativo:

20
(V)
C1
10
− +
+
8.6v −
0.7 + D2
0.5 1 1.5 2 2.5
+
− −10
−
0.7 + D1
−
−20
Método alternativo
Nesse caso, o capacitor está em paralelo
com fontes de tensão e por isso obrigatoria- Se considerarmos um dos diodos uma
mente é carregado, no pico: fonte de tensão de amplitude VD1 , a topo-
logia do circuito é a de um grampeador de
V (C1 ) = Vin − 0.7 V − 0.7 V tensão da Seção 7.3, que grampeia a tensão
positivamente em Vin (pico) − VD1 − VD2
V (C1 ) = 8.6 V
Logo:
Vout = Vin + 8.6 V
No segundo semi-ciclo positivo:
136
ER 38)
Triplicador de tensão:
Vout
− +
C1 RL C3
+
Vin A D1 D2 D3
−
C2
Onde:
C1 = C2 = C3
Assumindo diodos ideais, eles se comportarão do seguinte modo para os semi-ciclos positivos e
negativos:

 D1 Aberto
P ositivos : D2 Curto
D3 Aberto


 D1 Curto
N egativos : D2 Aberto
D3 Curto

Analisaremos os valores de pico positivo e negativo da fonte Vin
Primeiro semi-ciclo positivo
Com todos os capacitores descarregados inicialmente

Vout
− +
C1 RL C3
+ − + −
A 0
Vin +
− A D1 D2 D3
C2
+ −
0
C1 é o único capacitor em paralelo com Vin :

Vin + V (C2 ) = V (C1 )
V (C1 ) = A
137
Primeiro semi-ciclo negativo
C1 estava carregado do semi-ciclo anterior:

Vout
− +
C1 RL C3
+ − + −
−A 0
−
A + Vin D1 D2 D3
C2
+ −
0
C1 esta novamente em paralelo com Vin e por isso terá a carga alterada:
V (C1 ) = −A
C2 e C3 estão em paralelo mas suas cargas já estavam iguais.
Segundo semi-ciclo positivo

Vout
− +
C1 RL C3
+ − + −
−A 0
Vin +
− A D1 D2 D3
C2
+ −
−2A
Repetindo a relação de antes:

Vin + V (C2 ) = V (C1 )
Mas desta vez C1 está carregado e C2 vai se carregar:
V (C1 ) = −A
V (C2 ) = −2A
Segundo semi-ciclo negativo
C1 e C2 estavam carregados do semi-ciclo anterior:
138
Vout
− +
C1 RL C3
+ − + −
−A −2A
−
A + Vin D1 D2 D3
C2
+ −
−2A
Agora C3 vai ter sua carga alterada por C2 :

V (C3 ) = −2A
A partir da análise dos valores de pico podemos concluir que para o semi-ciclo negativo:
Vout = −V (C1 ) − V (C3 )
Vout = −(−A) − (−2A)
Vout = 3A
Terceiro semi-ciclo positivo

Vout
− +
C1 RL C3
+ − + −
−A −2A
Vin +
− A D1 D2 D3
C2
+ −
−2A
Mesmo comportamento do semi-ciclo positivo anterior mas desta vez C3 está carregado. A partir
da análise dos valores de pico podemos concluir que para o semi-ciclo positivo:
Vout = −V (C1 ) − V (C3 )
Vout = −(−A) − (−2A)
Vout = 3A
Como o comportamento vai se repetir, podemos concluir que a tensão Vout irá ser constante e
dependente apenas da tensão de pico de Vin
Como curiosidade, o resultado obtido do simulador usando uma fonte senoidal de Vp = 10 V:
Podemos ver que são necessários muitos semi-ciclos para que a tensão em Vout estabilize.
139
30
Saída
Entrada
20
Tensão (V)
10
-10
0 0.05 0.1 0.15 0.2
Tempo (S)
B.6 Resolução Capítulo 9 I2 4.7 kΩ
ER 39) a)
I1 10 kΩ R2
Amplificador operacional: −
Vx
R1 Vout
− − + +
V V1 2v
−
Vout
V+ +
Todos os circuitos desta questão contém

amplificadores operacionais ideiais tais que: V + está ligado diretamente ao terra e por
isso:
Rin → ∞ V + = 0V
Rout → ∞ Logo:
A→∞ Vx = V + = 0 V
Como todos os amp ops tem realimenta- A diferença de tensão entre os terminais
ção negativa: de R1 , seguindo o sentido de I1 , será:
Vout = A × (V + − V − ) I1 R1 = V1 − Vx
Vout
lim = (V + − V − ) 2V
A→∞ A I1 = = 0.2 mA
10 kΩ
V+ =V−
A corrente I1 chega em Vx e tem dois ca-
Vale ressaltar que todos os referenciais minhos, para dentro do amp op ou em direção
pontuais se referem a diferença de tensão en- a R2 . Como a resistência interna Rin = ∞,
tre eles e o terra uma vez que não existe ten- toda corrente vai para R2 e por isso:
são pontual, apenas diferença de potencial.
Circuito em questão: I1 = I2
140
Note que, como Vx = 0 V, a diferença de Vout = −14.1 V

potencial entre ele e o terra é de 0 V e por isso
podemos equacionar Vout seguindo o caminho ER 39) d)
por cima ate Vx :
Vout = −I1 R2
1 kΩ 4.7 kΩ
Vout = −0.2 mA × 4.7 kΩ A I3
2v
I2
Vout = −0.94 V R2 R3
ER 39) b) 1 kΩ
Circuito em questão: 1v −
I1
R1 Vout
0.5v +
−
Vout
5v +
V − = V + = 0.5 V
Equacionando as correntes I1 , I2 e I3 :
V + = V − = Vout = 5 V 1 V − 0.5 V = R1 I1
ER 39) c) I1 = 0.5 mA
2 V − 0.5 V = R2 I2
1 kΩ 4.7 kΩ I2 = 1.5 mA
A I3
2v 0.5 V − Vout = R3 I3
I2
R2 R3 0.5 V − Vout
I3 =
4.7 kΩ
1 kΩ
Por KCL no nó A:
1v −
I1
R1 Vout
−I1 − I2 + I3 = 0
+
0.5 V − Vout
= 2 mA
4.7 kΩ
Vout = −8.9 V
ER 39) e)
V − = V + = 0V
Equacionando as correntes I1 , I2 e I3 : Circuito em questão:
1 V − 0 V = R1 I1
10 kΩ
I1 = 1 mA I3
2 V − 0 V = R2 I2 R3
I2 = 2 mA 18v
10 kΩ
0 V − Vout = R3 I3 4v −
−Vout 50 kΩ I1
R1 Vout
I3 =
4.7 kΩ 7v +
Por KCL no nó A: I2
R2 -18v
20 kΩ R4
−I1 − I2 + I3 = 0
I4
−Vout
= 3 mA
4.7 kΩ
141
Como Rin = ∞: 20
Vout (v)
I2 = I4
10
(-1.2,12)
I1 = I3
Vin (v)
Equacionando V + :
−4 −2 2 4
7V − V + V + − 0V
= −10 (1.2, -12)
R2 R4
7 V = V + × (1 + 2.5) −20
+
V = 2V
ER 40) b)
Equacionando Vout :
4V − V − V − − Vout Circuito em questão:
=
R1 R3
2 V = 2 V − Vout 10 kΩ
I4
Vout = 0 V
R4
Como a tensão na saída está dentro do
1 kΩ 1 kΩ 15v
limite criado pelas fontes de alimentação, a A
conclusão é válida: Vin −
I1 I2 I3
R1 R3 Vout
−18 V ≤ Vout ≤ 18 V +
1 kΩ R2
-15v
ER 40) a)
10 kΩ
I1
R2 V + = 0V = V −
1 kΩ 12v I3 = I4
Vin −
I1 Por KCL no nó A:
R1 Vout
+ I1 + I2 = I3
-12v
Calculando a tensão no nó A, VA :
Vin − VA 0 V − VA VA − 0 V
+ =
R1 R2 R3
V + = 0V = V − Como R1 = R2 = R3 :
Equacionando I1 :
Vin − VA − VA = VA
Vin − 0 V 0 V − Vout
= Vin
R1 R2 VA =
3
Vout = −10 × Vin
Calculando Vout de (B.40):
Lembrando que Vout é limitada pelas ten-
sões de alimentação: VA − 0 V
I3 =
R3

 −12 V Vin > 1.2 V 1 Vin
I3 = ×
Vout = −10 × Vin −1.2 V ≤ Vin ≤ 1.2 V 3 1 kΩ

12 V Vin < −1.2 V Vout = −I3 R4
142
10 Por definição:
Vout = − × Vin
3
Lembrando que Vout é limitada pelas ten- Vout = A(V + − V − )
sões de alimentação: Vout = A(VA − 0 V)
lim Vout = A × VA (B.42)
 A→∞
 −15 V Vin > 4.5 V
Vout = 10
− 3 × Vin −4.5 V ≤ Vin ≤ 4.5 V Se em (B.40):
15 V Vin < −4.5 V

5
× Vin < −2 V
6
20 Então:
Vout (v)
VA < 0 V
(-4.5,15)
10
E por (B.42) Vout satura em −12 V. Em
Vin (v) seguida, se em (B.41):
−4 −2 2 4 5
× Vin > 2 V
6
−10 (4.5,-15) Então:
VA > 0 V
−20
E por (B.42) Vout satura em 12 V. As duas
equações, (B.40) e (B.41) são válidas para:
ER 41) a)
−2.4 V < Vin < 2.4 V
Para Vin > 2.4 V apenas (B.40) é válida e
5R1 Vout satura em 12 V e para Vin < −2.4 V, ape-
I1
nas (B.41) é válida e Vout satura em −12 V:
R2
20
12v Vout (v)
+ (-2.4, 12)
(2.4, 12)
Vin
A 10
R1 Vout
−
-12v Vin (v)

−15 −10 −5 5 10 15
−10
Calculando a tensão no nó A através da
corrente que passa por R1 e R2 : (-2.4, -12)
(2.4, -12)
Vin − VA VA − Vout −20

=
R1 5R1
ER 41) b)
VA − Vout
Vin − VA =
5 Circuito em questão:
5Vin + Vout 1 kΩ
VA = I1
6
Se Vout estiver saturado em 12 V: R2
5Vin 1 kΩ 15v
VA = + 2V (B.40) +
6
A
Se Vout estiver saturado em −12 V: R1 Vout
−
5Vin
VA = − 2V (B.41) Vin -15v
6
143
Calculando VA : 1 kΩ
I2
0 V − VA VA − Vout R2
=
R1 R2
1 kΩ 10v
+
Vout
VA = I1
2 R1 Vout
−
Por definição:
-10v
Vout = A(V + − V − )
1 kΩ
I3
”Vin ”
Vout = A(VA − Vin )
R3
Vout 100 nF C1
lim Vout = A( − Vin )
A→∞ 2
Se Vout estiver saturado em 15 V:
lim Vout = A(7.5 V − Vin ) (B.43) Se Vout estiver saturado em 10 V, V − =

A→∞ 5 volt e a tensão no capacitor é forçada a au-
mentar. Como:
Se Vout estiver saturado em −15 V:
lim Vout = A(V + − V − )
A→∞
lim Vout = A(−7.5 V − Vin ) (B.44) Então:
A→∞
Se observarmos (B.43) e (B.44), para lim Vout = A(5 V − ”Vin ”)

A→∞
qualquer valor de Vin tal que: Se a tensão no capacitor subir demais,
Vout satura em −10 V e assim é válida:
−7.5 V < Vin < 7.5 V
Ambas as equações são válidas nesse caso. lim Vout = A(−5 V − ”Vin ”)
A→∞
Para outros valores negativos de Vin , (B.43) é
Vout força a tensão no capacitor a dimi-
válida e para outros valores positivos, (B.44)
nuir, até que ”Vin « − 5 saturando em 10 V
é valida:
novamente.
O tempo que leva para o capacitor se car-
20
(-7.5, 15) Vout
(7.5,
(v) 15) regar e descarregar é dado pelo produto R3 ·C:
10 RC = 103 × 10− 7 = 10− 4

Assim a frequência é em torno de 1 kHz:
Vin (v)
−20 −10 10 20 20
Vout (v)
−10
10
(-7.5, -15) (7.5, -15) t(s)

−20
1 2 3 4 5
ER 42) ·10−4
O circuito á seguir é apenas uma curiosidade, −10
de uma possível utilização do amp-op com re-
alimentação negativa, e ”Vin ” não é uma en-
trada: −20
144
ER 43) a)
4.7 kΩ
I2
R2
4.7 kΩ
I1
10 kΩ
R2 2v
I1V −
R1
10 kΩ
10 kΩ Rin Vout
2v −
I1VA
R1 Vout +
I3 A(V + − V − )
+ −
V+
Calculando VA : Por KCL no nó de V − :
2 V − VA VA − Vout − I1 + I2 + I3 = 0 (B.45)
=
R1 R2 Agora equacionando cada corrente base-
ado nas diferenças de tensões de cada resis-
Vin + 0.94 V
VA = tor:
1.47
2V − V −
+ − I1 =
Vout = A(V −V ) R1
−
V − Vout
Vout = 100(0 V − VA ) I2 =
R2
Vout + 0.94 V −
Vout = 100 × − V −V+
1.47 I3 =
Rin
Vout = −0.926 V Substituindo em (B.45):
2 V − V − V − − Vout V − − V +
ER 43) b) − + + =0
R1 R2 Rin
Circuito em questão: (B.46)
Como V + está ligado no terra:
V + = 0V
−
Como Vout é justamente a tensão na fonte
Vout
controlada:
5v +
Vout = A(V + − V − )
Vout = A(0 V − V − )
Como Vout está em curto com V − : Vout = −A × V −
Vout
Vout = V − V− =−
A
Por definição: Substituindo os valores de V + e V − em
(B.46):
Vout = A(V + − V − )
2 V − (− Vout Vout Vout
A ) − A − Vout − A − 0 V
Vout = 100(5 V − Vout ) − + + =0
R1 R2 Rin
Vout = 4.95 V Substituindo os valores para as resistên-
cias e para A temos:
ER 44) a) 2 V − (− V100
out
) − V100
out
− Vout − V100
out
− 0V
Circuito em questão: − + + =0
10 kΩ 4.7 kΩ 10 kΩ
145
Vout = −0.922 V
ER 44) b)
V− I1
10 kΩ Rin Vout
+
A(V + − V − )
−
V+
5v
Vo ut está diretamente ligado a V − e a

fonte controlada, logo:
Vout = V − = A(V + − V − )
Vout = 100 · (5 V − Vout )
Vout = 4.95 V
Para esse circuito a resistência de Rin não
afeta Vout .
146
Índice Remissivo
Constante de Boltzman, 6 Lacunas, 5

Corrente, 8
Portadores Majoritários, 7
Deriva, 7 Relação de Einstein, 9
Difusão, 9
Saturação de Velocidade, 8
Elétron, 5 Semicondutor Extrínseco, 6
Energia de Bandgap, 5 Semicondutor Intrínseco, 6
147

Apostila Eletronica v31

Enviado por

Dados do documento

Título original

Direitos autorais

Formatos disponíveis

Compartilhar este documento

Compartilhar ou incorporar documento

Opções de compartilhamento

Você considera este documento útil?

Este conteúdo é inapropriado?

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

Apostila Eletronica v31

Enviado por

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

Apostila de Eletrônica 1

José Gabriel R. C. Gomes

Victor Raposo R. de Oliveira

1 Física Básica de Semicondutores 3

3 Cálculo de Valores DC e RMS 35

3.1.4 Senoide Retificada em Onda Completa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

4 Fonte RC com Filtro Capacitivo 47

5 Fonte RC com Filtro Capacitivo Regulada a Zener 51

6 Limitadores de Tensão ("Limiters", "Clippers"ou "Diode Clipping Circuits") 57

7 Grampeadores de Tensão("Clampers"ou "DC Level Changing Circuits"ou "Diode

8 Multiplicadores de Tensão ("Voltage Multipliers") 67

B Resolução dos Exercícios Resolvidos 87

Índice Remissivo 145

1.1 Materiais Semicondutores

1.1.1 Portadores de Carga

Elétron em movimento da direita pra es-

1 eV = 1.6 × 10−19 J T = 300 K

Quantidade de elétrons livres, por uni- T = 600 K

Onde ”k” é a constante de Boltzman e

Ex: np = n2i (1.1)

O átomo de fósforo contém 5 elétrons de

ni = 1.08 × 1010 elétrons/cm3

ni = 1.54 × 1015 elétrons/cm3

Ex, adicionado 1016 átomos/cm3 , temos:

Logo, por (B.5):

Dopagens típicas são de 1015 átomos/cm3

Ex, adicionado 1016 átomos/cm3 , temos:

n = 1016 átomos/cm3 Velocidade de corrente:

Semicondutores tipo n: elétrons são por-

Mobilidade das lacunas no silício:

O boro é "aceitador"de elétron. Tem-se

∆t = 1µm · 1.35 × 107 cm/s = 7.4 ps

Deriva: campo elétrico aplicado a um mate- Cálculo da corrente a partir da velocidade

Ex, para que:

Ex, para que µ = 0.9µ0 :

Difusão: fluxo de corrente sem a aplicação

1.1.4 Exercícios Resolvidos

ER 2) Um volume de silício com compri-

ER 3) Repetir a questão ER 2) para

µn = 3900 cm2 /(V s)

µp = 1900 cm2 /(V s)

1.2 Junção pn (Diodo)

Aplicação geral em microeletrônica. Esta en-

O campo elétrico é criado por causa

|Idrif t,p | = |Idif f,p |

A voltagem reversa torna o lado n mais

Vo ' 26 mV · ln(6.84 × 1012 ) = 768 mV

1.2.2 Junção pn em Polarização Re-

si = 11.7 × 8.85 × 10−14 F/cm

1.2.3 Junção pn em polarização di-

Por causa de VF . as concentrações np e

(∆pn = pn,f − pn,e )

Concentrações de portadores minoritários

Se a concentração de portadores minoritá-

1.2.4 Características I/V

Ex: Modelo simplificado: voltagem

Com níveis típicos de corrente ID , temos

Para polarização reversa: Se V = 1 V, temos:

VD,on VD = 750 mV(chute inicial)

Para polarização direta:

VD = 750 mV(chute inicial)

1.2.5 Exercícios Resolvidos

1.3 Voltagem de Breakdown

si = 11.7 × 8.85 × 10−14 F/cm