NOVA MODELAGEM DO SIMULADOR DIDÁTICO DE POLARIZAÇÃO DE

UM BJT NPN NA REGIÃO DE SATURAÇÃO

Carlos Renato Borges dos Santos
Instituto Federal de Minas Gerais - IFMG
Departamento de Engenharia Elétrica
Campus Formiga – MG
carlos.renato@ifmg.edu.br

Resumo - O objetivo deste documento é apresentar
uma nova versão de um software de polarização do BJT
(bipolar junction transistor). Nessa nova versão há uma
remodelagem matemática na região de saturação,
levando-se em consideração a queda de tensão provocada
pela corrente da base no resistor do emissor.
Palavras-Chave – BJT, Polarização, Simulador,
Software, Transistor.
NEW MODELLING OF TEACHING OF
POLARIZATION SIMULATOR OF BJT-NPN
IN THE SATURATION REGION
Abstract - The aim of this paper is to present a new
version of a software BJT (bipolar junction transistor)
polarization. In this new version there is a mathematical
remodeling in the saturation region, taking into account
of the voltage drop caused by the base current at the
emitter resistor.
1 saturação, onde a versão anterior não abrangia a queda de
Keywords – BJT, Polarization, Simulator, Software,
Transistor.
NOMENCLATURA
BJT Transistor de Junção Bipolar.
VBE Tensão entre base e emissor do BJT.
VCE Tensão entre coletor e emissor do BJT.
VCB Tensão entre coletor e base do BJT.
I. INTRODUÇÃO
Este trabalho apresenta uma versão melhorada do software
desenvolvido que trata de um circuito com o transistor de
junção bipolar NPN (BJT-NPN), cuja versão anterior pode
ser vista em [1].
A ferramenta computacional é de simples manuseio e
poderá ser facilmente utilizada por estudantes de Engenharia
Elétrica e Eletrônica, principalmente ao nível de graduação,
com o objetivo de compreender melhor o funcionamento do
BJT – NPN. Existem, ainda, outras siglas para o BJT, que
podem ser: TBJ, TJB. Nesse artigo foi adotada a sigla BJT
por ser a sigla do inglês: “Bipolar Junction Transistor”.
A interface do software facilita ao usuário visualizar os
efeitos de cada parâmetro do circuito e permite, ainda,
visualizar os efeitos da mudança desses parâmetros durante a
simulação. Outra característica interessante é conhecer os
valores de todas as tensões e de todas as correntes do
circuito.
Além disso, o software mostra informações importantes
sobre a região de polarização do transistor (ativa, corte e
saturação) através de uma mensagem que aparece na tela.
Como complemento, são mostradas, graficamente, as
relações entre as tensões dos terminais do transistor (VBE,
VCE e VCB), em conjunto com as informações entre o
ganho (beta do transistor) e a relação entre as correntes de
coletor e base; facilitando o estudo do transistor.
Para efeitos didáticos, este software pode simular um BJT
em diversas configurações. Sua plataforma, extremamente
simples e com o circuito montado, reduz o tempo necessário
para o usuário preparar o circuito para simulação.
A melhoria nesta versão é, principalmente, na região de
tensão no resistor de emissor provocada pela corrente da
base. Além disso, a nova versão pode inserir a tensão de
saturação VCEsat , que pode ser de 0,0 a 0,2 V, segundo a
referência [2]. Outra melhoria é a inserção da tensão VEE no
resistor do emissor. Essas melhorias serão descritas a seguir.
O simulador BJT-NPN, versão 5.0, é freeware, ou seja,
gratuito, e está disponível para download na página
www.santoscrb.com.
II. MODELAGEM MATEMÁTICA
As equações que regem o Transistor de Junção Bipolar
são:
1) Relação entre corrente de coletor e corrente de base,
mostrada em (1). Deve-se ressaltar que essa equação somente
é válida apenas na região ativa ou na região de corte, não
sendo, portanto, válida na região de saturação do BJT.
IC = b × I B (1)
Onde:

IC - Corrente do coletor.
b - Ganho de corrente do transistor.
IB - Corrente da base.
 2) Relação entre as correntes do transistor, mostrada em
(2)
I E = I B + IC
Onde:
IE - Corrente do emissor.
3) Tensão entre base e emissor, mostrada em (3). Deve-se
ressaltar que essa expressão não é válida na região de corte
do BJT.
VBE = 0,7V
Onde:
VBE - Tensão entre base e emissor do transistor.
A partir dessas equações e de um conhecimento em
circuitos elétricos, pode-se encontrar as soluções dos
circuitos mostrados a seguir.
B. Circuito na região ativa
Como objetivo deste trabalho, será mostrada a formulação
mais abrangente, com equações mais completas do que as
apresentadas em livros de eletrônica (que as simplificam,
desconsiderando a corrente da base). O circuito básico com o
BJT-NPN, o qual o simulador é capaz de simular pode ser
visto na Figura 1.
Fig. 1. Circuito com transistor.
O circuito elétrico equivalente da Figura 1 pode ser visto
na Figura 2.
Fig. 2. Modelagem do transistor como fonte corrente dependente.
As equações aplicadas que regem o circuito com o BJT da
Figura 2 na região ativa são mostradas em (4) e em (5).
VBB - VBE
(2) IB =
RB + RE × (b + 1)
(4)
IC = b × I B (5)
Onde:
VBB - Fonte de tensão que incide em RB .
RB - Resistor conectado entre a base do transistor e a
(3) fonte VBB.
RE - Resistor ligado ao emissor do transistor.
Estas equações são contempladas desde a primeira versão
do software TBJ_NPN.
C. Circuito na região de saturação
O transistor estará na região ativa desde que a corrente do
coletor não assuma um valor máximo, cuja fórmula é
mostrada em (6), obtida de [2].
VCC - VCE
I C ( sat ) = (6)
RC + RE
Onde VCE pode variar de 0 a 0,2 V.
No entanto, esta equação não contempla a queda de tensão
no resistor do emissor provocada pela corrente da base. Esta
desconsideração é feita quando a corrente da base é
desprezível em relação à corrente do coletor. Dessa forma, a
equação (6) é utilizada quando a relação entre a corrente de
coletor e a corrente de base do transistor é maior do que 50
[2], servindo para que se determine a corrente de saturação
do coletor. Logo, calcula-se a corrente mínima da base para
que o circuito entre em saturação, através de (7).
I CSsat
I B (min sat ) = (7)
b
Logo, quando a corrente da base é muito maior do que a
corrente calculada por (7), invalida-se a equação (6). Para
que se formule adequadamente o circuito na região de
saturação, devem-se formular as equações do circuito da
Figura 3.
Fig. 3. Circuito equivalente do BJT na região de saturação.
Dessa forma, as equações mais completas, que
contemplam a corrente da base, a queda VCE, utilizadas na
nova versão do BJT_NPN vistas em (8) e em (9).
 A Figura 4 mostra as opções que podem aparecer seus
RB (Vx ) + RE (Vy ) valores na janela principal do programa.
I C ( sat ) = Outras configurações mais avançadas para o estudo do
Rx
transistor na região de saturação são mostradas na Figura 5,
onde : que pode definir o modelo de circuito na região de saturação.
Vx = VCC - VCE (8) O modelo mostrado na Figura 5 é obtido de [2].
Vy = VBE - VBB + VCC - VCE
Rx = RB × RC + RC × RE + RB × RE
Onde a corrente da base é dada por (9).
V - VBE - RE × I C
I B ( min sat ) = CC (9)
RB + RE

Essas equações são mais completas do que as expressas

em livros de eletrônica. Diante disso, vê-se as melhorias
através da comparação entre as duas versões, que serão vistas
adiante.
Outra melhoria é a possibilidade de considerar VCE
diferente de zero, permitindo o cálculo da potência do BJT
na saturação, uma vez que se VCE for igual a zero, a Fig. 5. Janela de configuração de modelagem da saturação do
potência dissipada no BJT pela corrente de coletor é zero. transistor.
Logo, ao se considerar a tensão de saturação de VCE
diferente de zero, há a inclusão do cálculo da potência Através das modificações apresentadas, a seguir são
dissipada pela corrente de coletor. mostradas algumas simulações.

III. MELHORIAS DA NOVA VERSÃO IV. SIMULAÇÕES

A nova versão inclui ferramentas que facilitam ao usuário
interagir e entender melhor o funcionamento do transistor.
Estão, entre as ferramentas:
1) o cálculo da potência dissipada nos resistores e no
transistor;
2) a configuração de VCE na saturação (0 a 0,2 V),
visualização opcional de tensões;
3) correntes do circuito e a visualização opcional das
correntes de saturação (valores das correntes de base e de
coletor suficientes para que o transistor entre em saturação;
As simulações a seguir mostrarão as melhorias do novo
BJT_NPN.
A. Saturação com IB desprezível
Serão comparadas as duas versões, mostrando que,
quando a corrente da base é muito menor do que a corrente
do coletor, onde (4), (5) e (6) podem ser utilizadas no
circuito. Na Figura 6 e na Figura 7, abaixo, são mostradas
simulações de um circuito saturado, onde a corrente de base
é muito menor do que a do coletor.
A Figura 6 mostra uma janela da versão anterior
(TBJ_NPN).

4) Tensão VEE que pode ser diferente de zero.

As janelas de configurações são mostradas a seguir.

Fig. 6. Janela de simulação (Versão 4.0).

Na Figura 7 é mostrada a simulação do mesmo circuito,

Fig. 4. Janela de configuração de visualização de parâmetros.
mas usando a nova versão.
 Fig. 7. Janela de simulação da nova versão (5.0).
Nota-se que as diferenças são muito sutis, pois a queda de
tensão provocada pela corrente da base é quase desprezível,
já que seu valor é insignificante perante o da corrente do
coletor.
B. Saturação com IB considerável
Neste caso, há um fato não contemplado na versão
anterior e nas equações simplificadas que desconsideram a
corrente da base. A Figura 8 mostra uma simulação da versão
anterior, onde não contempla a queda de tensão provocada
pela corrente da base no resistor do emissor.
Fig. 8. Janela de simulação (Versão 4.0).
Nota-se que, na versão anterior, a corrente do coletor,
calculada por (6) (onde VCE = 0 ) está correta, pois ao usar a
equação (6) tem-se a expressão (10):
12 - 0
I C ( sat ) = = 6mA (10)
1k + 1k
Entretanto, ao se calcular os demais parâmetros da Figura
8, constata-se que a tensão VBE, que deveria ser de 0,7 V,
encontra-se com mais de 3 V, o que contraria uma das
equações fundamentais do transistor (3).
Já o mesmo circuito simulado na nova versão é mostrado
na Figura 9.
Fig. 9. Janela de simulação da nova versão (5.0).
Há de se perceber que o novo simulador considera a queda
de tensão provocada pela corrente da base que passa pelo
resistor do emissor.
Na Figura 10 é mostrado o mesmo circuito, mas
configurado para que a tensão VCE de saturação seja igual a
0,2V. Também são mostrados na Figura 10: o valor mínimo
da corrente da base para que haja a saturação do transistor
(IB min sat); o valor da corrente de saturação do coletor (IC
sat) e as potências dos resistores e do transistor.
Fig. 10. Simulação do BJT em saturação.
A Figura 11 mostra a simulação do BJT em saturação,
onde foi alterada a resistência de base para que a corrente da
base seja insignificante (quando comparada à corrente do
coletor), mas que seja acima da corrente mínima de saturação
(IB min sat). O valor das tensões do coletor e do emissor são
muito próximas à mostrada na Figura 9 (circuito da versão
anterior). As equações (4) e (6) funcionam, pois a corrente da
base é desprezível quando comparada à corrente do coletor.

Fig. 11. Simulação do BJT em saturação com corrente de base
desprezível.
Ao comparar os resultados da Figura 8 com os da Figura
9, Figura 10 e Figura 11, têm-se pequenas diferenças vistas
de acordo com as devidas considerações. Na Figura 8 não há
a consideração da corrente da base. Na Figura 9 há a
consideração da corrente da base, e a tensão VCE é
considerada nula. Na Figura 10, considera-se a corrente da
base e a queda de tensão VCE igual a 0,2V. Na Figura 11, há
um acréscimo ínfimo da corrente da base (ficando, assim,
com valores próximos ao da Figura 8) devido à alta
resistência da base, e considerando-se VCE igual a 0 V.
V. CONCLUSÕES
O software de simulação computacional apresentado ajuda
o estudante de eletrônica no estudo da polarização do
transistor do tipo BJT-NPN.
Projetado para realizar análises de diversas configurações
e para informar sobre a região de trabalho em que o transistor
se encontra, o software BJT-NPN mostra, a todo instante,
informações relevantes para o estudante.
Além disso, a simplicidade em configurar os parâmetros
do circuito em qualquer momento da simulação ajuda o
usuário a perceber os efeitos das variações de cada parâmetro
em todo o circuito.
A melhoria apresentada na nova versão na região de
saturação ajuda o leitor a entender ainda mais sobre o
transistor e os seus circuitos equivalentes.
REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS
[1] C. R. B. Santos, “Simulador didático de polarização de
um transistor TBJ NPN em diversas configurações”,
Revista Eletrônica Total, vol. 140, p. 32-35, 2009.
[2] Adel S. Sedra; Kenneth C. Smith, Microeletrônica, 5a
Ed., 2007 – São Paulo.
[3] Robert Boylestad e Louis Nashelsky, Dispositivos
Eletrônicos e Teoria de Circuitos, Editora Prentice-Hall,
Brasil.
[4] Kent Reisdorph, Aprenda Delphi em 21 Dias, Editora
Campus.
DADOS BIOGRÁFICOS
Carlos Renato Borges dos Santos, graduado em Engenharia
Elétrica pela Universidade Federal de Goiás – UFG (2003) e
mestrado em Engenharia Elétrica e de Computação pela
Universidade Federal de Goiás – UFG (2005). Atualmente é
professor do Instituto Federal Minas Gerais – IFMG Campus
Formiga, atuando principalmente nos seguintes temas:
aterramento, materiais elétricos, eletrônica e
microcontroladores.