Resumo do Conteúdo

Integrantes: João Braga , Kennedy Ribeiro, Sergio Murilo , Tielles Pinheiro

Histórico das principais memórias

1- MRAM "Magneto-resistive Random Access Memory- É uma memória não volátil,
considerada chave para a criação das novas gerações de equipamentos móveis de alto
desempenho." Este tipo de RAM era usado em máquinas fotográficas digitais antigas, telemóveis
digitais antigos etc. Esta foi criada em 1955 e os primeiros dispositivos em 1984.

2- SIPP- "Single In Line Pin Package - Encapsulamento usando Pinos Simples em Linha.
Primeiro tipo de módulo de memória a ser lançado. É um módulo de 8 bits contendo 30 pinos."
Esta foi lançada em 1960.

3- DRAM- "Dynamic random access memory - É um tipo de memória de acesso direto que
armazena cada bit de dados num condensador ou capacitor. Memória de acesso aleatório
dinâmico para computadores pessoais e estações de trabalho." Esta foi criada em 1966 e
lançada em 1970.

4- SIMM- "Single In-line Memory Module- É um tipo de módulo de memória contendo RAM
usada em computadores do início da década de 1980 até fins da década de 1990." Há 3 tipos
de memórias SIMM, de 30 pinos, 68 pinos e 72 pinos. Esta foi lançada em 1980

SIMM de 30 PINOS- Os tamanhos padrão: 256 KB, 1 MB, 4 MB, 16 MB

SIMM de 72 PINOS- Os tamanhos padrão: 1 MB, 2 MB, 4 MB, 8 MB, 16 MB, 32 MB, 64 MB, 128
MB

5- SRAM "Static Random Access Memory - É um tipo de memória de acesso aleatório que
mantém os dados armazenados desde que seja mantida sua alimentação, não precisando que
as células que armazenam os bits sejam atualizadas." Esta foi lançada em 1997

6- RIMM – "Rambus In Line Memory Module- É um tipo de módulo de memória usada pelas
memorias com tecnologia Rambus." Esta tecnologia consiste na transmissão de poucos bits
porém com um clock muito elevado. Esta foi lançada em 2001.

7- DIMM e SO-DIMM - "Possuem contatos em ambos os lados do módulo, o que justifica seu
nome, Double In Line Memory Module ou módulo de memória com dupla linha de contato." A
DIMM é uma memora para computadores fixos e a SO-DIMM é para portáteis.

7.1- DDR - "A sigla DDR vem de Double-Data-Rate (Taxa Dupla de Transferência)." A memória
DDR permite que dois dados sejam transferidos ao mesmo tempo.

7.1.1- DDR-1 "Com a DDR ou DDR1, foi possível transferir 2 dados ao invés de um, e deste
modo, dobrando a frequência de 200Mhz para 400Mhz."
Esta atinge uma maior largura de banda do que a taxa de dados SDRAM. Esta foi lançada em
2002.

7.1.2 - DDR2 - "A DDR2 abre uma grande vantagem em relação a DDR 1 no que diz respeito ao
gerenciamento de energia." Pois ao contrário da DDR1, a DDR 2 consome menos energia. Sua
principal vantagem é a capacidade de operar o barramento externo de dados duas vezes mais
rápido que SDRAM DDR1. Esta foi lançada em 2003.

7.1.3 - DDR3 - "A DDR3 consome menos energia que a sua antecedera e aumentou a
capacidade se comunicação 8 vezes." DDR3 também adiciona duas funções, tais como ASR
(Automatic Self-Refresh) e SRT (Self-Refresh Temperatura). Eles podem fazer a memória
controlar a taxa de atualização de acordo com a variação da temperatura. Esta foi lançada em
2006.

7.1.4 - DDR4 - "Lançado no mercado em 2014, é uma das mais recentes variantes de memória
dinâmica de acesso aleatório . A principal vantagem é: Maior densidade de módulo e os
requisitos de tensão mais baixas, juntamente com mais elevadas taxas de transferência de dados
de velocidades em relação á DDR3 . O padrão DDR4 permite DIMMs de até 128 GiB em
capacidade, em comparação com máxima do DDR3 de 16 GiB por DIMM.Lançado em 2014 ."

O que é ?
MRAM (acrônimo para Magneto-resistive Random Access Memory) é uma memória de
computador não volátil, considerada chave para a criação das novas gerações de equipamentos
móveis de alto desempenho.

Com o crescimento da tecnologia nos últimos anos tem realçado a necessidade de memórias
que satisfaçam os requisitos da informática atual. Alguns dos modelos atualmente utilizados para
isto são a Memória Estática de Acesso Aleatório (SRAM), Memória Dinâmica de Acesso Aleatório
(DRAM), Memória Programável de Leitura Eletronicamente Apagável (EEPROM) e memória
flash.

No entanto, cada uma destas tecnologias tem barreiras em diferentes áreas, de modo que não
estão à altura do estado da arte da computação. É aqui que entra a Memória Magnetoresistiva
de Acesso Aleatório (MRAM), uma solução inovadora com baixa latência, baixa potência,
resistência intemporal, volatilidade zero e escalabilidade.

A coisa revolucionária sobre a memória MRAM reside na forma como armazena dados. Deixa
para trás a ideia de utilizar cargas de corrente ou fluxos eléctricos para implementar elementos
de armazenamento magnético. São constituídos por um par de discos ferromagnéticos
espaçados por uma camada isolante. Os dados são interpretados como um dos discos é
colocado sobre um íman numa posição fixa, enquanto o segundo disco se move para
corresponder ao campo magnético do primeiro disco, passando de positivo para negativo. A
interpretação é possível porque a lógica dos números binários é seguida.

Isto significa que os dados já não são apenas armazenados em chips de memória, mas também
podem ser processados neles através de redes de memória. Desta forma, já não são necessários
diferentes processadores para levar a cabo este procedimento. Com este modelo, grandes
quantidades de dados armazenados na rede de memória podem ser processadas sem ter de ser
movidos. É por isso que a memória MRAM poderia ser utilizada para uma vasta gama de
aplicações, desde a computação do sistema até ao armazenamento.

O fabrico de DRAMs não é a fase complicada, de facto, têm estado em produção nos últimos
dois anos. A sua dificuldade técnica reside na sua implementação e funcionamento, uma vez que
a arquitetura computacional padrão atual se baseia na soma atual. A baixa resistência que
caracteriza a memória MRAM significa que o consumo de energia não pode ser reduzido quando
utilizada em dispositivos informáticos padrão.

A MRAM é ainda considerada uma tecnologia emergente e levará tempo a identificar o seu
verdadeiro potencial e impacto no mercado. Neste momento já é considerado útil em áreas que
precisam de abordar questões de tecnologia de memória, aumentando a durabilidade e o
desempenho, incluindo o aeroespacial, automóvel, defesa, robótica, saúde, IoT, computação de
ponta, gestão e automação de energia, inteligência artificial e aprendizagem de máquinas.

Globalmente, há um grande interesse na implementação da MRAM, com empresas em fase de

arranque e empresas que já a produzem, enquanto outras estão empenhadas na investigação e
no investimento para mais e melhores avanços.

Exemplo de utilização – Samsung

Em 12 de Janeiro de 2022, a Samsung Electronics emitiu um comunicado de imprensa
anunciando a demonstração da primeira computação global baseada em memória MRAM. A
empresa tem pesquisado e fundido com sucesso memória MRAM com dispositivos
semicondutores para chips avançados de inteligência artificial. Para resolver o problema da
baixa resistência, a Samsung optou por substituir a arquitetura tradicional de computação de
soma corrente por uma arquitetura de soma de resistência, resolvendo o problema da baixa
resistência na memória MRAM.

De acordo com dados fornecidos pela equipa de investigação da multinacional coreana, a

memória foi testada com sucesso através da avaliação do seu desempenho em computação de
inteligência artificial, conseguindo 98 por cento de precisão na classificação de dígitos digitados
manualmente e 93 por cento de precisão na detecção de rostos em diferentes cenas.

O grupo de investigação da Samsung também sugeriu a possibilidade de implementar memória

MRAM para a descarga de redes neurais biológicas, pelo que a sua utilização poderia ser
ainda mais abrangente do que inicialmente assumido na área da computação in-memory. O
que já é evidente é que este avanço representa um marco no desenvolvimento de chips de
inteligência artificial de baixa potência.

Vantagens MRAM
• A tecnologia de memória MRAM retém seus dados quando a energia é removida
• Oferece uma velocidade de leitura e gravação mais alta quando comparada a outras
tecnologias, incluindo Flash e EEPROM
• Consome um nível comparativamente baixo de energia
• Os dados MRAM não se degradam com o tempo

Princípio de funcionamento
MRAM usa MTJ (Magnetic Tunnel Junction) para armazenar bits de dados. O MTJ é composto
por duas camadas de materiais ferromagnéticos: a camada de referência e a camada livre.
Uma camada de isolamento é usada para separar esses dois. O armazenamento de um
elemento lógico (0 ou 1) ocorre alterando a resistência de um MTJ. A resistência depende das
orientações relativas de spin de duas camadas ferromagnéticas e pode ser de dois tipos: alta
resistência ou baixa resistência.

A camada de referência é utilizada para manter a direção magnética, enquanto a camada livre
pode ter sua direção alterada por meio de campos magnéticos ou pela aplicação de correntes
polarizadas.

• Um 0 lógico é armazenado quando ambas as camadas têm a mesma direção, portanto,

MTJ tem uma baixa resistência.
• Um 1 lógico é armazenado quando ambas as camadas têm direções diferentes,
portanto, MTJ tem uma alta resistência.

Aplicações:
Chip Co Processador - Empresa Numem. A US startup desenvolveu soluções de memória
MRAM de baixa potência. A sua solução NuRAM & SmartMem Smart Compute Memory IP
Cores fornece 20 vezes menos corrente de fuga do que a memória SRAM padrão, ocupando 2-
3 vezes menos espaço. Além disso, a sua memória garante um nível adicional de segurança
on-chip. Devido à sua elevada resistência à radiação, a solução tecnológica está localizada
dentro do chip co-processador DNN endurecido por radiação DNN da NASA.

PiezoMagnetic RAM (PMRAM) – Empresa LoMaRe) - A tecnologia é uma plataforma versátil

de dois terminais que permite até 25.000 vezes menos consumo de energia por bit em
comparação com a memória tradicional e suporta o funcionamento a temperaturas superiores a
125 graus Celsius . uma memória PMRAM bidimensional de baixa capacidade, construída para
substituir o flash e a SRAM nas indústrias automóvel, IoT e informática. Espera-se que no
futuro também possa ser utilizada como memória para computadores e dispositivos móveis.
Arquiteturas MRAM - Empresa Blueshift A solução proposta neste caso centra-se na
arquitectura, de modo que, independentemente do tipo de memória utilizada, proporciona
velocidades consideravelmente mais elevadas do que os sistemas convencionais. A sua
tecnologia é capaz de acelerar a MRAM e outras células de dados de memória.

IA E IOT – Em 12 de Janeiro de 2022, a Samsung Electronics emitiu um comunicado de

imprensa anunciando a demonstração da primeira computação global baseada em memória
MRAM. A empresa tem pesquisado e fundido com sucesso memória MRAM com dispositivos
semicondutores para chips avançados de inteligência artificial. Para resolver o problema da
baixa resistência, a Samsung optou por substituir a arquitectura tradicional de
computação de soma corrente por uma arquitectura de soma de resistência, resolvendo o
problema da baixa resistência na memória MRAM.

De acordo com dados fornecidos pela equipa de investigação da multinacional coreana, a

memória foi testada com sucesso através da avaliação do seu desempenho em computação de
inteligência artificial, conseguindo 98 por cento de precisão na classificação de dígitos digitados
manualmente e 93 por cento de precisão na detecção de rostos em diferentes cenas.

O grupo de investigação da Samsung também sugeriu a possibilidade de implementar memória

MRAM para a descarga de redes neurais biológicas, pelo que a sua utilização poderia ser
ainda mais abrangente do que inicialmente assumido na área da computação in-memory. O
que já é evidente é que este avanço representa um marco no desenvolvimento de chips de
inteligência artificial de baixa potência.

Os chips MRAM são ideais para operações de redes neurais, já que essa arquitetura de
computação é semelhante à rede de neurônios do cérebro, por isso a Samsung tem explorado
sua utilização nos mercados de IoT e de IA.

Conclusões
Em conclusão, a memória MRAM representa um avanço significativo no desenvolvimento da
tecnologia de armazenamento de dados para sistemas informáticos, uma vez que oferece
soluções para os problemas que a memória convencional tem. Tem maior desempenho de
escrita e leitura, maior resistência, menor consumo de energia e volatilidade zero.

O problema com a MRAM não está na sua produção, pois é um marco que foi alcançado há
vários anos. No entanto, o seu problema reside na sua implementação, uma vez que as
características dos atuais dispositivos informáticos tornam impossível que a memória tenha um
baixo consumo de energia.
 Referências
https://semiconductor.samsung.com/us/newsroom/news/samsung-electronics-starts-commercial-
shipment-of-emram-product-based-on-28nm-fd-soi-process/

https://www.researchgate.net/profile/Liu-
Zhenglin/publication/263586301/figure/fig1/AS:296605287763980@1447727619912/DRAM-cells-
structure.png

https://www.researchgate.net/publication/271589727_Exploring_potentials_of_perpendicular_magnet
ic_anisotropy_STT-MRAM_for_cache_design/citation/download

https://www.mramdeveloperday.com/English/Collaterals/Proceedings/2018/20180806_FinalPanel_MR
AM_in_2024_and_How_We_Got_There_Araki.pdf

https://plu7.com/30474/tecnologia/as-memorias-mram-estao-aqui-samsung-constroi-o-primeiro-
sistema-com-memorias-que-retem-informacoes-mesmo-se-o-dispositivo-estiver-desligado/

www.hostmidia.com.br

www.hardware.com.br

https://www.nature.com/articles/s41586-021-04196-6

https://www.youtube.com/watch?v=fTneqC_iS2c

https://www.youtube.com/watch?v=DlKRpXRudL8

https://www.youtube.com/watch?v=VRJ7xYPMfGA

https://www.hardware.com.br/termos/mram/

https://softtek.eu/pt-pt/tech-magazine-pt/innovation-trends-pt-pt/memoria-mram-do-
armazenamento-ao-processamento-de-dados/

https://www.pcguia.pt/2022/01/samsung-anuncia-avanco-na-tecnologia-mram-que-pode-facilitar-a-
criacao-sistemas-com-inteligencia-
artificial/#:~:text=Mas%20o%20que%20%C3%A9%20a,quantidades%20h%C3%A1%20quase%203%20an
os

https://olhardigital.com.br/2022/01/14/reviews/samsung-testa-computadores-memoria-mram/

https://www.raisa.com.br/o-que-e-a-tecnologia-de-memoria-mram

https://www.youtube.com/watch?v=VRJ7xYPMfGA