MEMORY…DATA

S E M I N Á R I O S I S T E M A S M I C R O P R O C E S S A D O S C

MRAM
M A G N E T O R E S I S T I V E R A N D O M A C E S S

João Braga , Kennedy Ribeiro,

Sérgio Murilo e Tielles Pinheiro
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01
HISTORY

O QUE É ?
MRAM
……………………………………
A memória RAM é responsável
pelo armazenamento de
informações necessárias para a
execução de aplicativos em uso e
para o funcionamento do próprio.

A partir disso, podemos classificar

a memória RAM como um espaço
temporário de trabalho já que,
após a conclusão de uma tarefa, os
arquivos são transferidos para o
HD ou SSD .
 MRAM
……………………………………

Em termos práticos, a memória RAM

determina quantos aplicativos o usuário
pode acessar simultaneamente, bem
como a velocidade de carregamento de
páginas e arquivos. Assim, quanto mais
espaço o dispositivo possui, mais fluida
será a execução de programas.
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02
STRUCTURE

Memory
Resistive
Magneto –

Random Acess
MRAM

MRAM (acrônimo para Magneto-

resistive Random Access
Memory) é uma memória de
computador não volátil,
considerada chave para a criação
das novas gerações de
equipamentos móveis de alto
desempenho.
Armazena DADOS através de
cargas magnéticas .
#HISTORY
MRAM

IDEALIZADO: 1955
PRIMEIRA UTILIZAÇÃO : 1984
#HISTORY
MRAM

As memórias MRAM utilizam

células magnéticas para
armazenar dados, ao invés de
células que armazenam
eletricidade, como nas memórias
DRAM, SRAM ou Flash.
O layout básico lembra um pouco
um módulo de memória DRAM, onde
temos um transístor para cada bit
de dados.
STRUCTURE
MRAM

A grande diferença é que, no

lugar de um capacitor, é usada
uma célula magnética, que
pode ser gravada e lida usando
eletricidade e conserva seus
dados por longos períodos
(assim como nos HDs) sem Estrutura de células MRAM

precisar de refresh ou FONTE: Zhang, Xiaolong & Cheng, Yuanqing &

ZHAO, Weisheng & Zhang, Youguang & Todri-

alimentação elétrica.
#HISTORY
Sanial, Aida. (2014). Exploring potentials of
perpendicular magnetic anisotropy STT-MRAM for
cache design. Proceedings - 2014 IEEE 12th
International Conference on Solid-State and
Integrated Circuit Technology, ICSICT 2014.
10.1109/ICSICT.2014.7021342.
MRAM

MRAM DRAM

Estrutura de células MRRAM Estrutura de células DRAM

MRAM

As memórias MRAM são quase

tão rápidas quanto as
memórias SRAM, consomem
menos energia e suportam um
número quase ilimitado de
ciclos de leitura e gravação, ao
contrário das memórias Flash.

#HISTORY
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03
VANTAGENS

PRINCIPAIS
MEMÓRIAS
 HISTÓRICO DAS PRINCIPAIS MÉMORIAS

------------------------
MRAM SIPP DRAM SIMM

Idealizado : 1955 Idealizado : Idealizado: Idealizado:

Utilizado: 1984 1955 1966 1980
83%

PLAYBACK ERROR…
SRAM RIMM DIMM E DDR
LOADING

SO -DIMM
Idealizado: Idealizado: Idealizado : Idealizado :
1987 1990 1990 2000

DDR.2 DDR.3 DDR.4

DDR.1
Idealizado : Idealizado : Idealizado : Idealizado :
2002 2003 2006 2014
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04
FUNCIONAMENTO

MRAM
FUNCIONAMENTO
FUNCIONAMENTO MRAM

MRAM usa MTJ (Magnetic Tunnel

Junction) para armazenar bits de dados.
O MTJ é composto por duas camadas de
materiais ferromagnéticos: a camada
de referência e a camada livre.
Uma camada de isolamento é usada para
separar esses dois. O armazenamento
de um elemento lógico (0 ou 1) ocorre
alterando a resistência de um MTJ

WORKS
FUNCIONAMENTO MRAM

Aplicada corrente para

direcionar spin para escrita

WORKS
FUNCIONAMENTO MRAM

A resistência
depende das
orientações relativas
de spin de duas
camadas
ferromagnéticas e
pode ser de dois
tipos: alta
resistência ou baixa
resistência.
WORKS
FUNCIONAMENTO MRAM

WORKS
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05
VANTAGENS

VANTAGENS
 VANTAGENS MRAM

Velocidade
Mémoria
Oferece uma velocidade de
Retém dados quando gravação e leitura mais alta
83%

PLAYBACK ERROR…
desligada quando comparada com outras
tecnologias
LOADING

Dados
Não se degradam com
Energia
o tempo Consome um nível
compararivamente
baixo de energia
05
EXEMPLO DE
UTILIZAÇÃO
SAMSUNG eMRAM
Segundo o artigo “A crossbar array of magnetoresistive
memory devices for in-memory computing” publicado na
revista científica Nature em 12/01/2022 após uma parceria
entre Samsung SAIT Research Institute e Samsung
Electronics Foundry Business and Semiconductor R&D Center
foi iniciado a produção da tecnologia chamada eMram . Os
chips MRAM são ideais para operações de redes neurais, já que
essa arquitetura de computação é semelhante à rede de
neurônios do cérebro, por isso a Samsung tem explorado sua
utilização nos mercados de IoT e de IA.
Com a tecnologia MRAM, a Samsung alcançou melhorias como
maior velocidade de processamento, durabilidade e fácil
produção em massa para os chips através de uma nova
arquitetura computacional.
 PLAY

Conclusão
• Velocidade
• Utilização
• Custo
• Memória
• Comparação com outras
tecnologias
Referências
Obrigado !