UEA/EST

Organização e Arquitetura de Computadores

Nome: Níckolas Javier Santos Livero

Matrícula: 2115310042

ATIVIDADE 5.1 - QUESTÕES DE REVISÃO

5.1. Quais são as principais propriedades da memória semicondutora?

RESPOSTA: Possuir acesso aleatório, ter dois estados de informação (0 ou 1), capa-
cidade de ser escrita (no mínimo uma vez) e de permitir a leitura de dados.

5.2. Quais são as duas interpretações do termo memória de acesso aleatório?

RESPOSTA: DRAM (dinâmico, pelo uso de capacitores, necessita de constante atua-
lização periódica) e SRAM (estático, pelo uso de portas lógicas, não necessita de atu-
alização periódica).

5.3. Qual é a diferença entre DRAM e SRAM em termos de aplicação?

RESPOSTA: Enquanto a DRAM é utilizada como memória principal, a SRAM é uti-
lizada como memória cache de processador

5.4. Qual é a diferença entre DRAM e SRAM em termos das características como ve-
locidade, tamanho e custo?
RESPOSTA: As DRAM possuem relativamente mais capacidade de memória por
ocupar um menor espaço físico por célula em relação às SRAM, além de utilizar um
mecanismo de capacitores que é mais simples que as correspondentes estáticas, tor-
nando-a mais barata. Todavia, pela própria constituição de capacitores tenderem a se
descarregar com o tempo, é necessário circuitos de refresh constante para manipular
dados na DRAM, o que torna o processo menos vantajoso. Além disso, as SRAM, por
utilizarem mecanismos mais refinados e complexos, conseguem relativamente maior
velocidade para transitar dados, porém com um custo bem mais elevado.

5.5. Explique por que um tipo de RAM é considerado como analógico e o outro digi-
tal.
RESPOSTA: A DRAM é considerada analógica por armazenar dados (informação)
tendo como analogia física a carga de um capacitor, que corresponde aos bits. A
SRAM é considerada digital pelo uso de portas lógicas de um flip-flop tradicional, se-
melhante ao que ocorre com elementos lógicos de um processador.
5.6. Quais são algumas aplicações para a ROM?
RESPOSTA: A Read Only Memory tem sua aplicação quando não há a necessidade
de alterar os dados e instruções, sendo útil apenas a leitura da informação. A exemplo
de um CD-ROM ou o arquivo de BIOS de uma placa-mãe.

5.7. Quais são as diferenças entre EPROM, EEPROM e memória flash?

RESPOSTA: Ambas são memórias não voláteis;
EPROM: (Erasable Probrammable Read Only Memory) é possível modificar os da-
dos, apagando e reprogramando-os utilizando radiação ultravioleta na parte física de-
sejada.
EEPROM: (Electrically Erasable Probrammable Read Only Memory) possui as mes-
mas características de uma EPROM, com a diferença que os dados são manipulados
eletricamente, aumentando subitamente a velocidade de gravação de dados.
Memória Flash: É uma EEPROM evoluída e refinada, sendo seu mecanismo para
apagar dados em nível de bloco, e não em byte.

5.8. Explique a função de cada pino na Figura 5.4b.

RESPOSTA:
Vcc: tensão do chip
Vss: terra
WE: habilitação de escrita
OE: habilitação de saída
D0 – D3: dados a serem lidos, em 4 linhas
A0 – A10: linhas de endereços de byte
RAS: seleção de linhas
CAS: seleção de colunas
NC: nenhuma conexão (para haver número par de pinos)
5.9. O que é bit de paridade?
RESPOSTA: É um bit de verificação adicionada ao dado para verificar se houve erro
ou sucesso na passagem início/fim da mensagem, baseado no código de correção de
erro de Hamming.

5.10. Como a síndroma para o código de Hamming é interpretada?

RESPOSTA: É interpretada como função de descobrir algum possível erro de leitura
de um byte armazenada na memória e corrigir um único erro de bit existente, se o va-
lor for 0, não houve erro, se for 1, houve.

5.11. Como a SDRAM difere de uma DRAM comum?

RESPOSTA: A Synchronous DRAM trabalha a partir do clock em que a memória
está configurada, a partir configuração da própria placa-mãe e diminuindo de forma
significativa os possíveis erros de leitura, gravação etc., diferente de uma DRAM co-
mum onde não existe essa sincronia.

5.12. O que é DDR-RAM?

RESPOSTA: DDR (Double Data Rate), surgiu-se com a necessidade de atender a de-
manda de evolução dos processadores, transferindo dois dados por ciclo de clock, di-
ferente da tecnologia anterior dos SDR (Single Data Rate), que transferia apenas um
dado por clock. Uma DDR-RAM é uma SDRAM no padrão DIMM onde o acesso ao
endereço de memória é feito numa mesma linha duas vezes mais rápido por clock.

5.13. Qual a diferença entre memória flash NAND e NOR?

RESPOSTA:

A memória flash NOR proporciona acesso aleatório de alta velocidade, podendo ler e
escrever dados para locais específicos e recuperar um único byte.

A NAND lê e escreve em pequenos blocos. Ela fornece densidade de bits mais alta e
maior velocidade de gravação, não oferecendo barramento de endereço externo de
acesso aleatório, de modo que os dados devem ser lidos em um bloco básico/ acesso
de página, em que cada bloco mantém centenas a milhares de bits.

Para a memória interna nos sistemas embarcados, a memória flash NOR é preferível.,
pois é idealmente adequado para microcontroladores em que a quantidade de código
de programa é relativamente pequena e uma certa quantidade de dados de aplicações
não varia. Já a memória NAND é mais bem adequada para a memória externa, como
drives flash USB, cartões de memória e SSDs tendo em vista sua maior velocidade de
escrita.
5.14. Liste e defina brevemente as três mais novas tecnologias de estado sólido não
voláteis.
RESPOSTA:
STT-RAM: (torque de transferência de rotação), é um novo tipo de MRAM (magnetic
RAM) utilizando a comutação de magnetização induzida pela polarização da corrente,
sendo boa candidata para memória principal ou cache.
PCRAM: (mudança de fase), utiliza uma liga de calcogeneto, similar ao armazena-
mento óptico (CDs), mudando o estado do material de acordo com um pulso elétrico,
sendo boa candidata para substituir a DRAM.
ReRAM: (resistiva), mede a informação a partir da resistência ao invés de uma carga
direta, sendo boa candidata a substituir o armazenamento secundário ou memória
principal.