Serie 6 - Resolucao

Cap.
3 – Transístor Bipolar de Junções 1
O transístor bipolar de junções (TBJ) é constituído por um cristal semicondutor com duas
junções p-n suficientemente próximas para poderem interactuar. A zona intermédia designa-se
por base (B) e as zonas das extremidades designam-se por emissor (E) e por colector (C).
Conforme o tipo de impurezas de substituição de cada uma das zonas, os transístores
designam-se por p-n-p ou n-p-n. Devido às dimensões em jogo, a baixa resistência apresentada
por uma junção polarizada directamente pode ser transferida para a outra junção. Assim, uma
junção inversamente polarizada pode estar associada a uma corrente elevada mesmo sem estar
em disrupção, se a outra junção estiver polarizada directamente. É esta transferência de
resistência, resultante da interacção entre duas junções muito próximas, que está na base do
funcionamento do transístor bipolar e que é referida no acrónimo transístor (TRANSfer
resISTOR).
O transístor bipolar de junções foi o primeiro transístor a ser produzido (Laboratórios da Bell,
1947) e constitui o único exemplo de um dispositivo de engenharia a que foi atribuído um
Nobel (1956, a W. Brattain, J. Bardeen e W. Schockley). A possibilidade de integração do TBJ
levou à sua disseminação em larga escala, conduzindo a uma verdadeira revolução na área dos
componentes electrónicos e nos computadores, e tornando-se para muitos uma das maiores
inovações tecnológicas da história moderna. Preço e facilidades de fabrico e de integração
foram a chave do sucesso.
Na lista de problemas propostos e resolvidos é sempre calculado o ponto de funcionamento em

repouso (PFR) do transístor, que define o seu funcionamento em regime estacionário. Neste
Cap. 3 – Transístor Bipolar de Junções 2
contexto, apresentam-se exemplos diversos de circuitos de polarização de transístores

envolvendo uma ou mais fontes de alimentação (Problemas TB1, TB2, TB3 e TB4). Na
maioria dos problemas é estudada a influência da variação do sinal de entrada nas tensões e/ou
correntes em vários pontos do circuito. Nuns casos (Problemas TB10, TB11), a análise é feita
em regime quase-estacionário, interpretando-se a variação como uma perturbação ( ∆U I ) ao
sistema, que se pretende pequena , e com efeitos desprezáveis nos diferentes pontos do circuito
( ∆U X / ∆U I → 0 ) . Baixos valores desta relação são indicadores de grande estabilidade do
circuito. Noutros casos (Problemas TB7, TB8, TB9), a análise é feita em regime alternado
sinusoidal incremental, em que a variação corresponde a um sinal alternado sinusoidal de
baixa amplitude colocado à entrada ( ui (t ) ) , e com efeitos importantes definidos, por exemplo
à saída, através do ganho do circuito amplificador ( uo (t ) = Av × ui (t ) ) . As influências da
escolha dos diversos dispositivos (resistências, fontes) ou dos parâmetros do transístor

(β, VA , g m ) , nas diversas zonas de funcionamento do transístor (Zona Activa Directa, Corte,
Saturação, Disrupção) são analisadas em alguns exemplos (Problemas TB1, TB2, TB3,
TB12 e TB13) . Noutros casos é feita uma escolha adequada dos diversos elementos de modo
a que o transístor funcione de acordo com as especificidades definidas pelo fabricante
(Problema TB5). São analisadas as montagens básicas com este dispositivo: montagem de
Emissor Comum (EC) (Problema TB7), de Colector Comum (CC) (Problema TB8) e de Base
Comum (BC) (Problema TB9). Finalmente, dão-se exemplos envolvendo o foto-transístor
((Problema TB14) e os transístores bipolares de heterojunção (Problema TB15).
• Amplificador
• Foto-transístor
• Montagem de base comum
• Montagem de colector comum
• Montagem de emissor comum
• Regime estacionário
• Regime incremental
• Regime quase-estacionário
• Transístor Bipolar de Heterojunções
Nota importante: Na resolução dos problemas consideraram-se as equações de Ebers-Moll ou

derivadas dadas por:
 UE   UC 
I E = I ES  e − 1 − α R I CS  e UT − 1
U T (TB.1)
   
   
 UE   UC 
I C = α F I ES  e − 1 − I CS  e UT − 1
U T (TB.2)
   
   
 UC 
I C = β F I B − I CE 0  e UT − 1 (TB.3)
 
 
 UC 
I C = α F I E − I CB 0 e − 1
 UT
(TB.4)
 
 
 UC 
I E = −β R I B + I EC 0  e UT − 1 (TB.5)
 
 
 UC 
I E = α R IC + I EB 0  e UT − 1 , (TB.6)
 
 
onde os sentidos das correntes e tensões tomados como positivos são os representados nas
figuras seguintes:
UC IC UB IC
IB
IB
UE IE UE IE
(p-n-p) (n-p-n)
A norma seguida é comum aos 2 tipos de transístor. Em relação às tensões:
As tensões das junções colectora (UC) e emissora (UE) são sempre

marcadas do lado p para o lado n. Deste modo, quando a junção
estiver polarizada directamente (inversamente), a respectiva tensão
é positiva (negativa).
Em relação às correntes:
Considera-se a corrente de emissor positiva quando concordante

com o sentido da seta no símbolo, ou seja da zona p para a zona
n. Se a corrente de emissor (IE) sair pelo terminal, as correntes de
colector (IC) e de base (IB) tomam-se como positivas quando
entram. Inversamente, se a corrente de emissor entrar, as
correntes de colector e de base tomam-se positivas quando saem.
De acordo com esta norma:
A potência posta em jogo no transístor é dada por IE ×UE –IC ×UC.

Se o transístor estiver na zona activa directa (ZAD) a potência
posta em jogo no transístor é aproximadamente igual a –IC ×UC,
dado que UE é desprezável e IC é aproximadamente igual a IE.
As equações TB1 a TB6 pressupõem que nenhuma das junções se encontre na disrupção.
Problema TB1
(Polarização de um transístor. Utilização de duas fontes.)
Considerar a montagem da Fig.TB1. Verificar a influência de cada elemento do circuito na

polarização do transístor. Como valores de referência considerar:
Para o TBJ: β F = 100; I CE 0 = 1 µA
Para o circuito: EB = 4 V; EC = 10 V; RC = 220 Ω; RB = 20 kΩ .
IC
RC
UC
IB RB
UCE
EC
EB
UE
Fig. TB1
IE
►◄►◄►◄
Resolução
Os transístores têm como um dos grandes domínios de aplicação a área da Electrónica

Analógica, sendo usados como amplificadores. Nessas condições exige-se que o transístor
esteja a funcionar numa zona linear, de modo que o sinal de saída seja uma réplica amplificada
do sinal de entrada. O transístor tem de estar a funcionar na Zona Activa Directa (ZAD).
Na ZAD o TBJ tem a junção emissora directamente polarizada e a

junção colectora inversamente polarizada. De acordo com a norma
atrás estabelecida:
UE > 0 e UC < 0.
Na ZAD a potência posta em jogo no transístor pode ser
apreciável.
Caso o transístor entre na zona de corte ou de saturação, o sinal aparece distorcido.
Na saturação ambas as junções estão directamente polarizadas,

isto é:
UE > 0 e UC > 0.
No corte ambas as junções estão inversamente polarizadas:

UE < 0 e UC < 0.
A potência posta em jogo no corte é desprezável, porque as

correntes são desprezáveis; na saturação a potência posta em
jogo é baixa, porque as tensões nas junções têm um baixo valor.
Por inspeção, verifica-se que a junção emissora está polarizada directamente (UE > 0).
Admita-se que a junção colectora está polarizada inversamente e não está em disrupção, isto é:
U Cdisr ≤ U C ≤ 0 (TB1.1)
Da análise da malha de entrada, desprezando a queda de tensão na junção emissora, uma vez
que está polarizada directamente, tem-se:
EB
IB ≅ ≅ 200 µA (TB1.2)
RB
Tendo em conta a ZAD e (TB.3) tem-se:
I C ≅ β F I B + I CE 0 ≅ β F I B ≅ 20 mA (TB1.3)
Por circulação na malha de saída tem-se:
EC = RC I C + U CE ⇒ U CE = EC − RC I C = 5, 6 V (TB1.4)
Atendendo a que:
U CE = U E − U C ≅ −U C ⇒ U C ≅ − 5, 6 V, (TB1.5)
o que confirma a ZAD (TB1.1). O ponto Q de funcionamento em repouso (PFR) é pois

definido por :
U CE = 5, 6 V ; I C ≅ 20 mA; I B ≅ 200 µA; I E ≅ 20,2 mA

IC (mA)
EB=4 V
50
Q
IB=200 µA
5
UCE (V)
Se se subir o valor de EB, por exemplo, EB = 8 V:
IC (mA)
EB=8 V
50
Q
IB=400 µA
5
UCE (V)
A influência de EB na polarização do TBJ está representada na figura seguinte:
IC (mA)
saturação
50
Q3 IB=400 µA
Q2 IB=300 µA
Q1
IB=200 µA
Corte IC=ICE0
5 10 UCE (V)
Aumentar o valor da tensão da bateria de entrada EB leva o PFR

para a saturação. Pelo contrário, diminuir EB ou, eventualmente,
trocar a sua polaridade, conduz o TBJ para o corte.
Considere-se agora a influência da bateria EC na polarização do transístor. Se EB se mantiver

constante no circuito a corrente de base não varia. Admitindo ZAD a corrente de colector
mantêm-se constante de valor:
E
IC ≅ β F I B − ICE 0 ≅ β F I B ≅ β F B , (TB1.6)
RB
desde que se verifique a condição:
0 ≤ U CE = EC − RC IC ≤ −U Cdisr (TB1.7)
Com efeito, diminuir EC leva o TBJ para a saturação, dado que a junção colectora, por
influência de EB, fica polarizada directamente. Por outro lado, aumentar EC leva o transístor
para a disrupção da junção colectora.
IC (mA)
EC=10 V
50
Q
IB=200 µA
5
UCE (V)
Se se descer o valor de EC, por exemplo EC = 5 V:
IC (mA)
EC=5 V
50
Q
IB=200 µA
5
UCE (V)
o PFR aproxima-se da saturação, mas uma vez que ainda se mantém na ZAD, a corrente de
colector praticamente não varia (na aproximação de se desprezar o efeito de Early).
A influência de EC na polarização do TBJ está representada na figura seguinte, onde o PFR

evolui de Q1 para Q4 à medida que EC aumenta.
IC (mA)
Disrupção UCE= -UCdisr

50
Q4
IB=200 µA
Q2 Q3
UCE (V)
Q1
5 10 -UCdisr
Diminuir o valor da tensão da bateria de saída EC leva o PFR

para a saturação. Pelo contrário, aumentar EC, conduz o TBJ
para a disrupção da junção colectora.
Finalmente, analisam-se as influências de RB e de RC na polarização. Da expressão (TB1.2)

pode verificar-se que a diminuição de RB provoca um aumento da corrente IB e, portanto, da
corrente IC na ZAD: a curva característica correspondente a IB constante passará mais acima
na ZAD (ver figura). Mantendo-se todos os outros parâmetros constantes, a subida de RB
afasta o TBJ da saturação ou, de forma equivalente, reforça a condição de ZAD.
IC (mA)
Saturação
50
Q3 IB=400 µA; (RB= 10 kΩ)
Q2 IB=300 µA; (RB= 16,7 kΩ)
Q1 IB=200 µA; (RB= 20 kΩ)
Corte IC=ICE0
5 10 UCE (V)
Por outro lado, de acordo com (TB1.4), a subida de RC provoca uma diminuição de UCE e,
portanto, aproxima o TBJ da saturação (ver figura). O PFR evolui de Q1 para Q3 à medida que
RC aumenta. Em Q1 tomou-se RC =220 Ω, em Q2, RC = 500 Ω e em Q3, RC =1 kΩ.
IC (mA)
50
IB=200 µA
Q1
Q2
UCE (V)
Q3
5 10 -UCdisr
Ao aplicar um sinal à entrada, para que o funcionamento seja linear o transístor não deve
atingir em caso algum a saturação ou o corte, caso contrário existirá distorção do sinal à saída,
como se mostra de forma esquemática na figura seguinte.
IC (mA)
saturação
EC/RC
ICQ
Q
UCE (V)
EC
corte
saturação
corte
UCEQ
Problema TB2
(Polarização de um transístor. Utilização de uma fonte única.)
+EC
RC
IC
UC
RB
UCE
IB
UE
IE Fig.TB2
Considerar a montagem da Fig.TB2. Verificar a influência de cada elemento do circuito na

polarização do transístor. Como valores de referência considerar:
Para o TBJ: β F = 100; I CE 0 = 1 µA. Para o circuito: EC = 10 V; RC = 100 Ω; RB = 20 kΩ .
►◄►◄►◄
Resolução
Para que o TBJ esteja na ZAD, tem-se, de acordo com (TB1.1):
0 ≤ U CE ≤ − U Cdisr (TB2.1)
Por análise da malha de entrada obtém-se:
E
EC − RB I B ≅ 0 ⇒ I B ≃ C (TB2.2)
RB
Por análise da malha de saída, admitindo a ZAD, tem-se:
EC
EC − RC β F I B = U CE ⇒ 0 ≤ EC − RC β F ≤ − U Cdisr , (TB2.3)
RB
o que conduz a :
RB ≥ β F RC , (TB2.4)
desde que:
−U Cdisr
EC ≤ . (TB2.5)
R β
1− C F
RB
A não verificação de (TB2.4) conduz o TBJ para a saturação; a não verificação de (TB2.5)
conduz à disrupção da junção colectora.
Para que a junção colectora atinja a disrupção é necessário que a

tensão da bateria seja superior a –UCdisr.
No caso dos dados do problema as condições (TB2.4) e (TB2.5) são satisfeitas, logo o PFR
(IB = 0,2 mA; IC = 20mA; UCE = 8 V) está na ZAD.
A diminuição de RB ou o aumento de RC conduzem o TBJ à

saturação.
Tal como o circuito do problema TB1, este circuito apresenta como desvantagem, quando
utilizado como amplificador, o facto do funcionamento ser sensível às variações com a
temperatura dos parâmetros do transístor, nomeadamente de βF.
Uma das suas principais aplicações é a sua utilização como interruptor, onde o TBJ funciona
ou no corte ou na saturação. Se neste circuito se substituir a bateria por uma onda rectangular
que oscile entre ± EC quando RB ≤ β F RC , o transístor estará na saturação e no corte,
respectivamente, no meio ciclo positivo e no meio ciclo negativo da tensão no oscilador.
Durante o meio ciclo, em que a tensão é positiva, as duas junções do TBJ estão polarizadas
directamente e, portanto, U CE = U E − U C ≅ 0 . Durante o meio ciclo negativo, as duas junções
estão inversamente polarizadas, as correntes são desprezáveis e, portanto, U CE = − EC .
No circuito, quando a tensão à entrada varia entre ± EC , a saída
varia entre 0 e EC . É o circuito inversor e constitui um dos
elementos básicos dos circuitos em Electrónica Digital.

EC
- EC
RC
RB EC
UCE
Consegue-se um funcionamento similar com o circuito do problema TB1 (duas fontes),

quando na entrada se substitui a bateria EB por um oscilador de uma onda quadrada que oscila
entre ± EB , de tal modo que:
R B EC
EB ≥ (TB2.6)
RC β F
RC
RB
EC
UCE
EC
EC
- EC
Problema TB3
(Polarização de um transístor. Utilização de uma fonte. Degenerescência de emissor.)
Considerar a montagem da Fig.TB3. Estudar a influência da resistência RE na polarização do

transístor. Como valores de referência considerar:
Para o TBJ: β F = 100; I CE 0 = 1 µA;
Para o circuito: EC = 10 V; RC = 100 Ω; RE = 100 Ω; RB = 20 k Ω .

+EC
RC
IC
RB UC
UCE
IB
UE
IE Fig.TB3
RE
►◄►◄►◄
Resolução
O circuito da Fig.TB3 é semelhante ao da Fig.TB2, mas onde se incluiu uma resistência RE no

terminal de emissor. Esta resistência pertence simultaneamente a duas malhas do circuito,
fazendo de certa forma uma ligação entre a malha da base e a malha do colector. No caso do
circuito cuja entrada do sinal se faz pela base e a saída pelo colector, designado por montagem
de emissor comum (EC), essa resistência retira parte do sinal da saída e recoloca-o à entrada,
ou seja, faz a retroacção (feedback, na designação anglo-saxónica). Como o sinal de saída está
em oposição à entrada, a retroacção diz-se degenerativa ou negativa (caso contrário, dir-se-ia
regenerativa ou positiva). Vai analisar-se de seguida qual o efeito dessa resistência na
polarização. Da malha de entrada tem-se a equação:
EC = RB I B + U E + RE I E ≅ RB I B + RE I E (TB3.1)
de onde se obtém, quando o transístor está polarizado na ZAD:
EC
IB ≅ (TB3.2)
RB + (1+β F ) RE
β F EC
IC ≅ (TB3.3)
RB + (1+β F ) RE
O circuito do problema TB2 impõe praticamente a corrente de base como constante e torna a
corrente de colector na ZAD muito dependente do parâmetro β F e, portanto, da temperatura.
Nas condições do presente problema, o efeito do ganho em corrente β F na corrente de

colector pode ser muito menor, como se evidencia em (TB3.3), graças à inclusão da resistência
RE, tornando este circuito muito mais estável com a temperatura. Está ainda pressuposto que
UE seja desprezável face a EC. No presente caso tem-se IB ≅ 0,332 mA, IC ≅ 33,2 mA,
UCE ≅ 3,36 V. Considere-se, por exemplo, um aumento de 10% em βF. No circuito da Fig. TB2
o resultado seria um aumento na corrente de colector de 10%. No entanto, no circuito da
Fig.TB3, a corrente de colector tomará o valor 35,37 mA, ou seja um aumento de 6,5%. A
insensibilidade à variação com a temperatura, ou seja, a estabilidade do circuito aumenta com
o valor de RE. No entanto, como se verá num dos problemas seguintes, o ganho em tensão do
amplificador vem reduzido com o aumento do valor óhmico de RE.
Os circuitos com degenerescência de emissor são mais estáveis

com a temperatura. A estabilidade aumenta com o valor óhmico
da resistência colocada no emissor.
Problema TB4
(Polarização de um transístor. Utilização de uma fonte de tensão: divisor de tensão)
Considerar a montagem da Fig.TB4.

a) Estudar a influência das resistências RB1 e RB 2 na polarização do transístor quando RE = 0.
b) Comparar as variações relativas de corrente IC para uma variação de 10% do ganho de
corrente βF com a temperatura, para os circuitos com RE = 0 e com RE = RC.
A
IC RC
RB1
C
UBC
IB +
B E
UCE −
UBE E
RB2
RE
Fig. TB4
A’
Como valores de referência considerar:

• Para o TBJ: β F = 100; I CE 0 = 1 µA;
• Para o circuito: EC = 20 V; RC = 100 Ω; RB1 = 80 k Ω; RB 2 = 20 k Ω .
►◄►◄►◄
Resolução
Trata-se de uma das polarizações mais utilizadas quando o transístor opera na ZAD. A tensão
em RB 2 é responsável pela polarização directa da junção emissor-base. Para analisar o circuito
aplicamos o esquema equivalente de Thevenin ao circuito que se encontra à esquerda de AA’
A
IC RC
C
UBC
IB +
B E
UCE −
RTh
UBE E
ETh
RE
Fig. TB4a
A’
R R
RTh = RB1 / / RB 2 = B1 B 2 (TB4.1)
RB1 + RB 2
RB 2
ETh = E (TB4.2)
RB1 + RB 2
O circuito da Fig.TB4a é idêntico ao circuito analisado no problema TB1.
a) O TBJ estará na ZAD com RE=0 se:
E
U CE ≅ E − RC Th β F ≥ 0 (TB4.3)
RTh
A condição (TB4.3) é equivalente a:
RB1 ≥ RC β F (TB4.4)
Se a condição (TB4.4) não se verificar, o TBJ entra na saturação. Atenção: existe um valor
mínimo para RB1, que garante que a junção emissora não ultrapassa a potência máxima,
dado que ETh ⇒ E e RTh ⇒ RB1 quando RB1 ⇒ 0. Quanto a RB 2 , se o seu valor tender
para zero, o transístor tende para o corte, uma vez que ETh ⇒ 0. Se o seu valor tender para
infinito, o transístor mantem-se na ZAD, dado que ETh ⇒ E , RTh ⇒ RB1 e a condição
(TB4.4) é satisfeita. Nas condições presentes (TB4.4) é válida, logo o transístor está na
ZAD. Usando (TB4.1) e (TB4.2) obtém-se RTh = 16 kΩ e ETh = 4 V. O PFR é definido por:
I B ≅ 0, 25 mA ; IC ≅ 25 mA ; U CE ≅ 17, 5 V
b) Para um circuito com degenerescência de emissor ( RE ≠ 0 ) , por circulação na malha de
entrada do circuito (TB4.a) e admitindo a ZAD, é-se conduzido a:
ETh
IB ≅ (TB4.5)
RTh + RE (1+β F )
β F ETh
IC ≅ (TB4.6)
RTh + RE (1+β F )
 β F RC (1+β F ) RE  β (R +R )
U CE ≅ E − ETh  +  ≅ E − ETh F C E (TB4.7)
 Th E ( F )
R + R 1+β RTh E (
+ R 1 +β F ) RTh + RE (1+β F )
De (TB4.5) a (TB4.7) obtém-se para βF = 100: I B ≅ 0,15 mA ; IC ≅ 15,3 mA ; U CE ≅ 15 V .
• Para βF = 110 e RE = 0 tem-se: I B ≅ 0, 25 mA ; IC ≅ 27, 5 mA ; U CE ≅ 17, 25 V, ou
seja, uma variação de 10% na corrente de colector.

• Para βF = 110 e RE = 0,1kΩ tem-se: I B ≅ 0,147 mA ; IC ≅ 16, 24 mA ;
U CE ≅ 16, 75 V, ou seja, uma variação de 6% na corrente de colector.
Em resumo, e tal como referido no problema TB3, o circuito com degenerescência de

emissor é mais estável.
Problema TB5
(Potência posta em jogo no transístor)
Considerar o circuito da Fig. TB5, onde T é um transístor bipolar de junções de germânio com
os seguintes parâmetros a 300 K: β F = 100; I CE 0 = 1 µA; Pmax = 50 mW. Para o circuito:
U E = 0,3 V para I E = 10 mA e U C = −10 V

UC
IC RC
IB
UCE
UE EC
RB
IE
EB Fig TB5
RB = 100 kΩ ; RC = 3 kΩ ; EC = 10 V
a) Calcular o valor das correntes e tensões indicadas e a potência posta em jogo no transístor
quando: a1) EB = 10 V; a2) EB = 0 V.
b) Determinar, para EB = 10 V , o valor mínimo de RC para que não seja excedida a potência
máxima no transístor.
►◄►◄►◄
Resolução
a) Com EB = 10 V, a junção emissora está polarizada directamente. Nessas condições:
I B = ( EB − U E ) RB ≅ EB RB = 0,1 mA
Duas situações são possíveis nas condições do problema: o transístor na ZAD (U C < 0 ) ou
na saturação (U C > 0 ) . Considerar por hipótese o 1º caso. Da equação (TB3) do transístor:
I C = β F I B − I CE 0 exp (U C U T ) − 1 ≅ β F I B + I CE 0 ⇒ I C ≅ 10 mA
Da análise do circuito:
U C = −U CE + U E ≅ −U CE = − EC + RC IC = 20 V
o que não confirma a hipótese. Logo, o transístor está na saturação. Nessas condições:
U CE ≅ 0 ⇒ I C ≅ EC RC = 3,33 mA
Da equação (TB3), obtém-se U C = 0, 288 V . A partir da equação de Ebers-Moll (TB1) e
dos dados do problema (U E = 0,3 V para I E = 10 mA e U C = −10 V ) obtém-se:
I E = I ES exp (U E U T ) − 1 + α R ICS ≅ I ES exp (U E U T ) ⇒ I ES ≅ 97 nA
βF
Como α R I CS = α F I ES = I ES ≅ I ES e I E = I B + I C = 3, 43 mA , tem-se de (TB1):
1 + βF
3, 43 × 10−3 ≅ I Es  exp (U E U T ) − 1 − exp (U C UT ) + 1 ,
ou, atendendo a que U C ≅ 0, 228 V, obtém-se U E ≅ 0, 28 V . Nessas condições:
Ptr = I EU E − I CU C ≅ 0, 201 mW
Nota: Os valores determinados para U E e U C permitiriam inicializar um processo

iterativo que conduziria a valores mais aproximados para as coordenadas do PFR do
transístor.
Admita-se agora que EB = 0 V.
Atendendo à característica estacionária de entrada de uma montagem de emissor-comum

I B = I B (U E )U , o PFR corresponde ao ponto P da figura seguinte.
CE
IB
U CE >> 0
Recta de declive
−1 RB
UE
Corte
Zona activa directa
O transístor está a funcionar na ZAD (U E > 0 e U CE > 0 ) , mas muito próximo da
fronteira com a região de corte (representada na figura pela parte tracejada da

característica). No corte seria necessário aplicar uma tensão EB < 0 . Na zona de
funcionamento considerada as correntes são obtidas das equações de Ebers Moll (TB1) e
(TB2) e da lei dos nós:
I E = I ES δ (U EP ) − α R ICS δ (U CP ) ≅ I ES δ (U EP ) + α R ICS (TB5.1)
I C = − I CS δ (U CP ) + α F I ES δ (U EP ) ≅ I CS + α F I ES δ (U EP ) (TB5.2)
I B = − IC + I E ≅ I ES (1 − α F ) δ (U EP ) + I CS ( α R − 1) (TB5.3)
sendo δ (U ) = exp (U UT ) − 1 . As correntes são todas desprezáveis. Com U BEP muito
próximo de zero, como se vê pela figura, tem-se:
U CE ≅ EC = 10 V
A potência posta em jogo no transístor é desprezável, uma vez que as correntes I E , I C e
I B o são também.
b) Para que a potência posta em jogo no transístor ultrapasse a potência máxima, o transístor
ou se encontra na zona activa directa (ZAD) ou na situação de disrupção do colector. Com
efeito, no corte as correntes são praticamente nulas e na saturação as tensões são
desprezáveis. Admitamos que o transístor está na ZAD. Nessas condições:
U CE = EC − RC I C > 0 ⇒ RC < EC I C (TB5.4)
I C ≅ β F I B = β F EB RB (TB5.5)
De (TB5.4) e (TB5.5) obtém-se:
EC RB
RC < = 1 kΩ
β F EB
O valor óhmico de 1 kΩ representa o valor máximo da resistência de colector para que o

transístor esteja na ZAD.
Para que a potência posta em jogo no transístor seja inferior a Pmax deve verificar-se:
50 × 50−3
I CU CE < 50 ×10−3 e U CE = EC − RC I C ⇒ EC − RC I C < ⇒ RC > 500 Ω
IC
O valor óhmico de 500 Ω representa o valor mínimo da resistência de colector de modo a

garantir que a potência máxima do transístor não seja excedida.
Zona para a qual Zona Activa Saturação

P > Pmax Directa
0 500 1000 RC ( Ω )
Problema TB6
(Zonas de funcionamento do TBJ)
Considere um transístor n-p-n com as seguintes características a 300 K:

β F = 200; ICE 0 = 1µA; U Cdisr = −60V.
Indicar, justificadamente, em que zona de funcionamento se encontra o TBJ se:
a) IC = 10 mA; I E = 10, 05 mA.
b) IC = 20 mA; I B = 0, 05 mA, U CE = 60 V.
c) I B = 0, 05 mA; I E = 3 mA,
Tomar como sentidos positivos das tensões e correntes os referenciados na Fig.TB6.
UC IC
IB
Fig. TB6 UE IE
(n-p-n)
►◄►◄►◄
Resolução
A figura mostra a característica IC (IB,UCE), onde se pode ver que para uma corrente de base
constante de valor IB, se tem uma corrente de colector aproximadamente igual a βFIB na zona
activa directa, uma corrente inferior a βFIB na saturação e uma corrente superior a βFIB na
disrupção de colector. Está a admitir-se que o efeito de Early é desprezável.
IC (mA)
Disrupção UCE= -UCdisr

ZAD
βFIB
IB=const
Saturação
UCE (V)
5 10 -UCdisr
a) Tendo em conta que I E = I C + I B ⇒ I B = 0, 05 mA. Como I B ≅ I C / β F ≅ 0, 05 mA, o

transístor está na ZAD.
b) Como I C > β F I B , o transístor está na disrupção de colector. A tensão de disrupção do
colector é UCdisr = - 60 V.
c) Tendo em conta que I E = I C + I B ⇒ IC = 2,95 mA. Como I C < β F I B , o transístor está
na saturação.
Problema TB7
(Montagem de Emissor Comum. Modelo Incremental.)
Considerar o circuito da Fig.TB7. Neste circuito o sinal de entrada é aplicado à base e a saída
faz-se pelo terminal de colector. A montagem é designada por montagem de emissor comum
(EC) e tem como principal aplicação o circuito amplificador. Determinar o ganho em tensão
Av , a resistência de entrada Ri e a resistência de saída Ro para uma frequência para a qual se
pode desprezar a impedância dos condensadores CB ,CC e CE, quando:
a) O interruptor S está em aberto e RE = 0. Analisar neste caso qual seria o efeito sobre o
ganho de tensão se diminuir o valor de RB1.
b) O interruptor S está em fechado e RE = 100 Ω .
c) O interruptor S está aberto e RE = 100 Ω .

IC RC
Fig.TB7 RB1
C
UC
CB +
IB B CC
E
UCE −
RL
UE S
E u0
RB2
ui ~ CE
RE
Como valores de referência considerar, para o transístor: β F = β = 100 ; I CE 0 = 1µA e no
circuito: RB1 = 80kΩ ; RB 2 = 20kΩ ; RC = 330 Ω ; RL = 2,5 kΩ ; E = 20V.
►◄►◄►◄
Resolução
a) De acordo com (TB4.4) do problema TB4, o TBJ está na ZAD. O PFR é dado por:
I C = 25 mA; I B = 0, 25 mA; U CE = 11, 75 V.
O circuito para componentes incrementais está representado na figura seguinte:/
ii ib ic
C
B
rπ β ib = g m vπ RC / / RL vo
~ vi
E
RTh = RB1 / / R B 2
E
A condutância incremental é dada por:

UC
 ∂I  ICS UT I
gm =  C  = e = C (TB7.1)
 ∂U C  P UT UT
Tendo em conta que:
β
vπ = rπib = ib , (TB7.2)
gm
obtém-se:
β U
rπ = = T (TB7.3)
gm IB
vo = −β ib ( RC / / RL ) = − g mvπ ( RC / / RL ) , (TB7.4)
vπ = rπib = vi (TB7.5)
O ganho em tensão é então dado por:
v
Av = o = − g m ( RC / / RL ) (TB7.6)
vi
Para uma polarização adequada da montagem de emissor comum

(funcionamento na ZAD) o sinal de saída é uma réplica
amplificada do sinal de entrada (Circuito amplificador).
Esta montagem corresponde a um inversor: a tensão de saída
está em oposição de fase à tensão de entrada.
A resistência de entrada da montagem de emissor comum é:
v
Ri = i = RTh / / rπ (TB7.7)
ii
Atendendo a que rπ é a resistência incremental de uma junção polarizada directamente, a

resistência de entrada da montagem de emissor comum será de baixo valor. Por outro lado,
a resistência de saída é dada por:
v 
Ro =  o  = ( RC / / RL ) (TB7.8)
 io vi = 0
O efeito de Early pode ser modelado considerando uma resistência r0 entre os terminais de
colector e emissor no modelo incremental do TBJ na ZAD. As expressões para o ganho em
tensão e a resistência de saída vêm alteradas, sendo dadas, respectivamente, por:
v
Av = o = − g m ( RC / / RL / / r0 ) (TB7.6a)
vi
v 
Ro =  o  = ( RC / / RL / / r0 ) (TB7.8a)
 io vi = 0
Para os dados do problema tem-se: Av ≅ −280; Ri ≅ 99 Ω ; Ro ≅ 292 Ω.
Ao diminuir o valor de RB1, poder-se-á chegar à situação em que a condição (TB4.4) não
se verifique, ou seja, que RB1 < RC β F . Nessas condições o transístor fica saturado e,
portanto, a tensão de saída tende para zero assim como ao ganho de tensão.
b) Com RE = 100 Ω , o circuito para componentes contínuas vem alterado. De acordo com o
problema TB4 e as equações (TB4.5), (TB4.6) e (TB4.7) o TBJ está na ZAD com:
I C = 15,32 mA; I B = 0,153 mA; U CE = 13, 4 V.
Trata-se do circuito com degenerescência de emissor, que corresponde, como se viu, a um

circuito mais estável do que o da alínea a). A alteração do PFR conduz a uma alteração dos
parâmetros incrementais, onde a transcondutância dada por (TB7.1) assume um valor
distinto do assumido em a). As expressões do ganho em tensão, da resistência de entrada e
da resistência de saída são as mesmas, uma vez que o circuito para componentes
incrementais é o mesmo. Com efeito, com o interruptor fechado, a resistência RE encontra-
se curto-circuitada e não aparece no circuito para componentes variáveis. De acordo com
as expressões (TB7.4), (TB7.5) e (TB7.6), obtém-se: Av ≅ −172; Ri ≅ 162 Ω; Ro ≅ 292 Ω.
c) Neste caso, o circuito para componentes contínuas é o mesmo de b). O PFR está na ZAD e
é dado por: I C = 15,32 mA; I B = 0,153 mA; U CE = 13, 4 V.
ii ib ic
C
rπ β ib RC / / RL vo
~ vi
RTh = RB1 / / R B 2 E
RE
Os parâmetros incrementais gm e rπ têm os mesmos valores do que em b), uma vez que o
PFR é o mesmo. No entanto, o circuito para componentes incrementais é agora distinto,
uma vez que a resistência RE faz parte do circuito. A tensão de saída é dada por (TB7.4). A
tensão de entrada é agora dada por:
vi = ib  rπ + (1 + β ) RE  (TB7.9)
O ganho em tensão é, então, dado por:
v β ( RC / / RL )
Av = o = − (TB7.10)
vi rπ + (1 + β ) RE
De notar que (TB7.10) se converte em (TB7.6) para RE = 0.
O ganho em tensão diminui acentuadamente com a resistência de

emissor. Para valores de resistência de emissor para os quais se
tem (1+β)RE ≫ rπ, o ganho em tensão é aproximadamente dado
por –RC / RE, salientando o facto de ser praticamente
independente dos parâmetros do transístor e, portanto, muito
estável com a temperatura.
A resistência de entrada da montagem de emissor comum é:
v
Ri = i = RTh / /  rπ + (1 + β ) RE  (TB7.11)
ii
Na montagem com degenerescência de emissor, a resistência de

entrada pode vir bastante aumentada.
Por outro lado, a resistência de saída é dada por:
v 
R0 =  o  = ( RC / / RL ) (TB7.11)
 io vi = 0
De acordo com as expressões (TB7.9), (TB7.10) e (TB7.11) obtém-se:
Av = −2,84; Ri = 6, 25 kΩ; Ro = 292 Ω.

Em resumo:
T=300 (K) UT =0,026 (V) RE = 0 RE , C E RE
Transcondutância, gm (S) 1 0,613 0,613
Resistência rπ (Ω) 100 163 163
Ganho em tensão Av -280 -172 -2,84
Resistência de entrada Ri (kΩ) 0,099 0,162 6,25
Resistência de saída Ro (kΩ) 0,292 0,292 0,292
O circuito com degenerescência de emissor é mais estável, mas

tem um ganho de tensão mais reduzido. De modo a aumentar o
ganho de tensão na montagem de emissor comum com
degenerescência coloca-se um condensador de valor adequado
em paralelo (bypass, na designação anglo-saxónica) com a
resistência de emissor, tal como analisado em b).
Problema TB8
(Montagem de Colector Comum. Modelo Incremental.)
Considerar o circuito da Fig.TB8. Determinar o ganho em tensão Av , a resistência de entrada

Ri e a resistência de saída Ro para uma frequência para a qual se podem desprezar as
impedâncias dos condensadores CB ,CC e CE. Comparar os resultados com os obtidos no
problema TB7. Como valores de referência considerar:
• Para o transístor: β F = β = 100; I CE 0 = 1µA;
• No circuito: RB1 = 80kΩ; RB 2 = 20kΩ; RC = 330 Ω; RE = 100 Ω; E = 20V.

IC RC
Fig.TB8 RB1
C
UC
CB +
IB B E
UCE −
UE E
RB2
ui ~ CE
RE u0
►◄►◄►◄
Resolução
Trata-se de uma montagem em que a saída é agora feita pelo emissor. A entrada, tal como no
caso anterior é feita pela base. É a montagem de colector comum (CC).
O circuito para componentes contínuas é idêntico ao do problema TB7, casos b) ou c). O PFR
é dado por:
I C = 15,32 mA; I B = 0,153 mA; U CE = 13, 4 V.
Os parâmetros incrementais gm e rπ têm, por isso, os mesmos valores do que em TB7, casos b)
ou c). O circuito para componentes incrementais para as frequências médias, para as quais se
desprezam as impedâncias de CE e CB, está representado na figura seguinte.
ii ib ic
C
B
rπ β ib RC
~ vi
E
RTh = RB1 / / R B 2
vo
RE
A tensão de entrada é dada por:
vi = ib  rπ + (1 + β ) RE  (TB8.1)
A tensão de saída é dada por:
vo = ib (1 + β ) RE (TB8.2)
O ganho em tensão vem assim dado por:
v
Av = o =
(1 + β ) RE (TB8.3)
vi rπ + (1 + β ) RE
Para valores de resistência de emissor para os quais se tem

(1+β)RE ≫ rπ, o ganho em tensão é aproximadamente unitário. O
circuito é conhecido por seguidor de emissor.
A resistência de entrada da montagem CC é normalmente elevada. É dada por:
v
Ri = i = RTh / /  rπ + (1 + β ) RE  (TB8.4)
ii
Para o cálculo da resistência de saída aplica-se um sinal vo à saída, quando se curto-circuita a

entrada (vi = 0). Determina-se a corrente io.
ib rπ = −vo (TB8.5)
ie RE = vo (TB8.6)
ie = ib (1 + β ) + io (TB8.7)
De (TB8.5) (TB8.6) e (TB8.7) obtém-se a resistência de saída, que é dada por:
v  RE rπ RE −1 U T
R0 =  o  = ≅ ≅ gm ≅ (TB8.8)
 io vi = 0 (1 + β ) RE + rπ g m RE + 1 IC
ib ic
C
rπ β ib RC
E
io vo
RE
ie
De acordo com as expressões (TB8.3), (TB8.4) e (TB8.8) obtém-se:
Av = 0, 98; Ri = 6, 25 kΩ; Ro ≅ 1, 59 Ω.
O circuito seguidor de emissor é não inversor (a saída está em

fase com a entrada). Apresenta uma elevada resistência de
entrada e uma baixa resistência de saída. Tem como principal
aplicação uma adaptação de impedâncias. Designa-se por buffer
de tensão.
Problema TB9
(Montagem de Base Comum. Modelo Incremental.)
Considerar o circuito da Fig.TB9. Determinar o ganho em tensão Av , a resistência de entrada

Ri e a resistência de saída Ro para uma frequência para a qual se podem desprezar as
impedâncias dos condensadores C1 , C2 e C3. Comparar os resultados com os obtidos no
problema TB7 e TB8.
Como valores de referência considerar:

• Transístor: β F = β = 100; I CE 0 = 1µA;
• Circuito: RB1 = 80kΩ ; RB 2 = 20kΩ ; RC = 330 Ω ; RE = 100 Ω ; RL = 1k Ω ; E = 20V.

+E
Fig TB9
RC
RB1
C2
C
B v0 RL
C1
E
C3 RS
RB 2 RE
∼ vS
►◄►◄►◄
Resolução
Trata-se de uma montagem em que a saída é agora feita pelo colector e a entrada é feita pelo
emissor. É a montagem de base comum (BC).
Mais uma vez o circuito para componentes contínuas é idêntico ao dos problemas TB7, casos
b) ou c), e TB8. O PFR é assim dado por:
I C = 15,32 mA; I B = 0,153 mA; U CE = 13, 4 V.
Os parâmetros incrementais gm e rπ têm, por isso, os mesmos valores do que em TB7, casos b)
ou c) ou TB8. O circuito para componentes incrementais para as frequências intermédias está
representado na figura seguinte:
Ri E ie R0
C
RS αie
RE vi rE RC RL v0
vS ∼
B
A resistência de entrada é dada por
Ri = RE / / rE (TB9.1)
Atendendo a que a resistência incremental de emissor é, normalmente, muito baixa quando o

UT
PFR está na ZAD, verifica-se que RE >> rE , pelo que Ri ≅ rE = =1,68 Ω .
IE
A resistência de saída é dada por :
Ro = RC / / RL = 248 Ω . (TB9.2)
O ganho em tensão é dado por:
α ( RC / / RL )
Av = (TB9.3)
rE
A expressão (TB9.3) pode tomar a forma:
Av = g m ( RC / / RL ) (TB9.4)
o que para os dados do problema dá um ganho de tensão de 146. Por sua vez o ganho de
corrente, que é definido com a saída em curto-circuito, é aproximadamente unitário
Ai = α (TB9.4)
De salientar que esta montagem apresenta um ganho de corrente muito inferior à montagem
EC, onde o valor obtido para o ganho é muito superior a 1 e dado por β = α/(1-α).
O circuito de base comum é não inversor (sinal à saída em

fase com a entrada). Apresenta uma baixa resistência de
entrada, uma resistência de saída que pode ser elevada,
um ganho de corrente unitário (α) e um ganho de tensão
elevado.
O andar BC não se utiliza geralmente isoladamente mas em andares amplificadores múltiplos à

saída de um andar EC, numa montagem geralmente designada por par cascode EC-BC. Esta
montagem permite um ganho de tensão para o par cerca de β vezes superior ao ganho de
tensão da montagem de EC.
Problema TB10
(Regime quase-estacionário. Disrupção do Colector)
Considerar o circuito da Fig.TB10, com um TBJ caracterizado pelos parâmetros seguintes:
U C disr = − 30 V; PC max = 5 W ; β F = 50. No circuito tem-se: R = 100 Ω ; EC = 40 V ; EB = 20 V.
UC
IC
IB
UCE
Fig.TB10
UE
EC
EB
R
U
IE
a) Calcular os valores das correntes e tensões indicadas. Desprezar o valor de I CE 0 e supor que
U E << EB . Calcular as potências postas em jogo nos diferentes elementos do circuito e a

relação entre elas.
b) Calcular o mínimo valor que pode tomar R, explicando quais as razões físicas associadas à
limitação considerada.
c) Para o caso indicado no esquema, haverá algum perigo para o transístor ao se interromper o
circuito de base?
d) Admitindo que EB sofre uma variação ∆EB << EB e EC se mantém constante, calcular o
valor de ∆U ∆EB .
►◄►◄►◄
Resolução
a) Da análise das malhas do circuito obtém-se:
EB − U E = RE I E (TB10.1)
I E = ( I B + IC ) (TB10.2)
U C = EB − EC (TB10.3)
U CE = U C − U E (TB10.4)
U = − RE I E (TB10.5)
Da equação do transístor (TB3):
I C = β F I B − I CE 0 exp (U C U T ) − 1 (TB10.6)
De (TB10.1), desprezando U E face a EB , tem-se: I E = 200 mA . De (TB10.3) tem-se
U C = −20 V . O TBJ está a funcionar ZAD. De (TB10.6) tem-se I C ≅ β F I B . De (TB10.2) e
(TB10.6) obtém-se I C = 196 mA e I B = 4 mA e de (TB10.5) tem-se U = −20 V .
PEB = − EB I B = −0, 08 W PEC = − EC I C = −7,84 W
PR = − I EU = 4 W Ptr = U E I E − I CU C ≅ − I CU C = 3,92 W
Pfor = − PEB − PEC = 7,92 W Pdis = PRE + Ptr = 7,92 W
Os resultados salientam o balanço energético, já que Pfor = Pdis = 7, 92 W.
a) As limitações a impor no dimensionamento de um circuito têm a ver com a máxima

potência posta em jogo nos dispositivos.
− U C I C ≤ 5 W ⇒ I C ≤ 250 mA
U C = −20 V e I E = I C + I B ≅ I C ⇒ I E ≤ 250 mA
I E RE = EC + U CE = 20 V ⇒ RE ≥ 80 Ω ⇒ REmin = 80 Ω
A limitação está associada ao facto de a potência máxima posta em jogo no TBJ ser de 5W.
Ultrapassar este valor pode conduzir, a uma migração dos átomos de impurezas dadoras
(aceitadoras) para a zona de tipo p (n), com consequências irreparáveis para o dispositivo.
b) Quando se interrompe o circuito de base tem-se:
I B = 0 ⇒ I C = I CE 0 ⇒ I E = I CE 0
U CE = − EC + RE I E ≅ − EC ⇒ U CE > U CEdisr
Assim ao se interromper o circuito de base a junção colectora entra em disrupção. A

equação (TB10.6) deixa de ser válida, sendo a corrente de colector limitada pelo circuito
exterior. Nestas condições:
U CE = U Cdisr ⇒ I E RE = U CE + EC = 10 V ⇒ I E = 100 mA e I C = 100 mA

A potência posta em jogo no transistor é neste caso:
Ptr ≅ −U C I C = 3 W < PC max

Conclui-se que a interrupção do circuito de base não envolve perigo para o transistor.
c) Nestas condições é possível a linearização em torno do PFR, tomando apenas os termos de

1ª ordem do desenvolvimento em série, sendo conduzidos a:
EB + ∆EB − (U E + ∆U E ) − RE ( I E + ∆I E ) = 0 ⇒ ∆EB − ∆U E − RE ∆I E = 0
U + ∆U = − RE ( I E + ∆I E ) ⇒ ∆U = − RE ∆I E
Desprezando ∆U E obtém-se: ∆EB = −∆U ⇒ ∆U ∆EB ≅ −1.
Problema TB11
(Regime quase-estacionário. Disrupção do Colector)
O circuito da Fig.TB11 contém um transístor n-p-n de germânio com as seguintes
características a 300 K:
β F = 200; ICE 0 = 1 µA; U Cdisr = −30 V; PC max = 100 mW; U E = 0,3 V para I E = 10 mA.
IC RC
UC
IB RB
EC
EB
UE
UCE
IE
FIG.TB11
EC = 40 V ; EB = 20 V ; RC = 5 kΩ ; RB = 1,3 MΩ
a) Determinar as correntes e tensões indicadas.

b) Calcular o valor de ∆U CE ∆EB supondo que ∆EB << EB e que EC é constante.
Determinar ainda entre que limites de EB é válido o resultado obtido.
c) Calcular os novos valores de a) se RB for infinito (circuito de base interrompido). Qual o
máximo valor de RB que permite manter o transístor na ZAD?
►◄►◄►◄
Resolução
a) Desprezando U E face a EB (junção emissora directamente polarizada) tem-se:
I B ≅ EB RB = 15, 4 µA
Hipótese: transístor na ZAD (U E > 0 e U C < 0 )
I C = β F I B − I CE 0 exp (U C U T ) − 1 ≅ β F I B + I CE 0 (TB11.1)
Obtendo-se sucessivamente:
I C ≅ 3,1 mA ; I E = I B + I C ≅ 3,12 mA ; U CE = EC − RC IC ≅ −U C ≅ 24, 6 V,
o que confirma a hipótese. Para o cálculo de U E pode partir-se de (TB1):
I E = I ES exp (U E U T ) − 1 − α R I CS exp (U C U T ) − 1
Uma vez que o transistor está na zona activa directa tem-se:
I E ≅ I ES exp (U E U T ) ⇔ 10−2 ≅ I ES exp ( 0,3 0, 026 ) ⇒ I ES ≅ 97 nA
Podem obter-se os valores de I E e de U E a partir do conjunto de equações:
I E ≅ I ES exp (U E U T ) = 97 exp (U E U T ) ( nA )
I E = I B + IC
U CE = EC − RC I C = −U C + U E ≅ −U C
b) Em regime quase-estacionário são aproximadamente válidas as equações do regime
estacionário. Nessas condições obtêm-se sucessivamente:
∆U CE = − RC ∆I C e ∆EB = RB ∆I B e ∆I C = β F ∆I B ⇒
∆U CE R ∆I R
⇒ = − C C = − C β F = − 0, 77
∆EB RB ∆I B RB
O resultado anterior pressupõe o transístor a funcionar na ZAD. Com efeito, desprezou-se
∆U E e considerou-se ∆I C = β F ∆I B . Para tal devem verificar-se as seguintes condições:
U E > 0 ⇒ EB > 0
RC
U C < 0 ⇒ EC + RC IC < 0 ⇒ EC < β F EB ⇒ EB < 52 V
RB
Para que o resultado seja válido deverá verificar-se 0 < EB < 52 (V) .
c) Se se interromper o circuito de base, tem-se:
I B = 0 ⇒ I C = ICE 0 = 1 µA ⇒ U CE = EC − RC IC ≅ 40 V > −U Cdisr
Por consequência, o transístor está a funcionar na zona de disrupção do colector: as

equações de Ebers-Moll ou derivadas não são válidas. Nesse caso tem-se:
U CE = −U Cdisr = 30 V ⇒ I C RC = EC − U CE = 10 ⇒ I C = 2 mA
A potência posta em jogo no transístor é P = − I CU C = 60 mW < Pmax
RB = ∞ ⇒ I B = 0 ⇒ I C = I E = 2 mA ; U CE = 30 V
Para que o transistor se mantenha na ZAD:
U CE < 30 V ⇒ I C RC = EC − U CE > 10 ⇒ I C > 2 mA ⇒ I B ≅ IC β F > 0, 01 mA
ou sendo EB ≅ RB I B , é-se conduzido à condição RB < EB I B = 2 MΩ . O valor máximo de
RB que garante o funcionamento na ZAD é 2 MΩ.
Problema TB12
(Zonas de funcionamento do transístor: Zona Activa Inversa)
Considerar o transístor bipolar n-p-n na montagem da Fig.TB12, onde:
EC = 50 V ; EB = 10 V ; RB = 10 kΩ ;
β F = 100 ; β R = 10
U Edisr = 3 V ; U Cdisr = 30 V ; Pmax = 0,5 W ; I CB 0 = 0,1 µA
URC
IC
UC RC
IB RB
EC
EB
UE UCE
IE
Fig.TB12
a) Dimensionar o intervalo de valores que RC pode tomar de forma que não seja excedida a
potência máxima do transístor. Para o valor de RC que conduz à potência máxima, calcular
o valor das correntes e tensões indicadas na Fig.TB12.
b) Representar graficamente a potência posta em jogo no transístor em função de RC quando
esta tomar os valores no intervalo definido em a). Indicar nesse gráfico as diferentes zonas
de funcionamento do transístor, bem como os valores de RC que as separam.
c) Indicar, justificadamente, como seriam alterados os resultados da alínea a) se, no circuito

da figura, se trocassem os terminais de emissor e de colector.
►◄►◄►◄
Resolução
a) Para que o transístor funcione na zona segura:
I CU CE < Pmax ⇒ I C ( EC − RC I C ) < Pmax (TB12.1)
I B ≅ EB RB ⇒ I B ≅ 1 mA
Admitindo como hipótese o funcionamento na ZAD, tem-se I C ≅ β F I B = 100 mA.
Substituindo em (TB12.1), obtém-se RC > 450 Ω. Note-se que é na ZAD ou na situação de

alguma das junções se encontrar em disrupção que a potência no transístor pode atingir o
valor máximo admissível, uma vez que as tensões no transístor são pequenas na saturação e
as correntes são desprezáveis no corte.
Para RC = 450 Ω tem-se I B = 1 mA e I C = 100 mA, pelo que:
U CE = EC − RC I C = 5 ≅ −U C
o que confirma a hipótese de região activa directa. Nessas condições:
U RC = − IC RC ≅ −45 V ; I E = I B + IC ≅ 101 mA
b) A junção colectora entra em disrupção quando U CE = 30 V , ou seja, I C RC = 20 V.
Corresponde, para I C = 100 mA, a um valor de RC = 200 Ω , ou seja, fora do intervalo

definido em a).
P
Pmax
∫∫
450 500 RC (Ω)
Zona activa Saturação

directa
Enquanto estiver na ZAD tem-se I C = 100 mA , pelo que:
P ≅ − ICU C ≅ IC ( EC − RC IC ) = A − BRC
sendo A e B duas constantes positivas. Na ZAD, a potência P tem um andamento

praticamente linear com RC .
Por outro lado, na saturação: U CE ≅ 0 ⇒ EC ≅ RC IC ⇒ RC ≅ 500 Ω e, portanto, P ≅ 0 .

c) Trocando os terminais do emissor e do colector o transístor passaria a funcionar, em
princípio, na zona activa inversa (ZAI). Vão tomar-se os seguintes sentidos de referência:
URC
IE
UE RC
IB RB
EC
EB
UC UCE
IC
De acordo com (TB5) e circulando na malha de entrada, tendo em conta que a junção
colectora está directamente polarizada e, por isso, UC é desprezável, obtém-se:
I B ≅ EB RB = 1 mA ⇒ I E ≅ −β R I B = −10 mA
A potência posta em jogo no transístor é neste caso sempre inferior ao valor máximo. Com
efeito, na região activa inversa:
( I EU E )max ≅ 10U Edisr = 0, 03 < Pmax
No entanto, atendendo a que U Edisr < U Cdisr , a disrupção (neste caso da junção emissora)
é atingida mais facilmente do que em a) (nesse caso, da junção colectora). Nestas

condições:
U CE ≅ 3 V ⇒ I E = − ( EC − U CE ) RC = −47 RC
Na fronteira da disrupção da junção emissora/região activa inversa tem-se:
I E = −10 mA e U CE = −3 V ⇒ RC = 4700 kΩ
Na disrupção para que a potência se encontre abaixo do valor máximo permitido deve
verificar-se a seguinte condição:
I EU E ≅ −3I E < Pmax ⇒ I E < 166, 7 mA ⇒ RC > 282 Ω

Por outro lado, no limiar da saturação/região activa inversa tem-se:
U CE ≅ 0 e I E ≅ −10 mA ⇒ RC ≅ − EC I E ≅ 5000 Ω
Em resumo:
• 0 < RC < 282 Ω ⇒ P > Pmax (destruição do transístor)
• 282 < RC < 4700 Ω ⇒ disrupção da junção emissora
• 4700 < RC < 5000 Ω ⇒ zona activa inversa
• RC > 5000 Ω ⇒ saturação
A evolução da variação da potência posta em jogo no transístor em função do valor óhmico da

resistência RC está representada na figura seguinte.
Pmax
∫∫
∫∫
282 4700 5000
RC (Ω)
Disrupção ZAI Saturação
do Emissor
Nos transístores bipolares convencionais, a dopagem do emissor

é maior do que a dopagem do colector. Por essa razão:
• o ganho de corrente directo é maior do que o ganho de
corrente inverso ( β R < β F )
• a junção emissora entra mais facilmente em disrupção do
que a junção colectora ( U Edis < U Cdis )

Problema TB13
(Influência dos elementos de um circuito no funcionamento do TBJ)

Admitir a montagem da Fig.TB13, onde EB = 5 V; EC = 10 V ; RE = 100 Ω ; RC = 1 kΩ. . O
TBJ possui as especificações a 300 K: β F = 100; Pmax = 500 mW; U Cdisr = −40 V.
a) Calcular RB de modo a que U CE = EC 2 . Calcular as correntes e tensões indicadas na
figura.
b) Em regime quase estacionário, calcular ∆URC/ ∆EB, admitindo ∆EB muito menor do que EB.
c) Considerar I C = β F I B . Partindo do PFR correspondente diga, justificadamente, se faria
aumentar ou diminuir E1, E2 , RC , RB , RE e β F se pretendesse por modificação de
apenas um deles de cada vez:

• levar o transístor à saturação;
• baixar a potência posta em jogo no transístor.
URC
IC
RC
UC
IB RB
UCE
EC
EB
UE
RE URE
Fig.TB13
IE
►◄►◄►◄
Resolução
a) Pretende-se que U CE = EC 2 . Circulando na malha de saída tem-se:
I C RC + I E RE + U CE = EC
Sendo U CE = 5 V o transístor está na ZAD. Deste modo I C ≅ β F I B e portanto:
I C ≅ 4,54 mA ; I B ≅ 45, 4 µA ; I E = I C + I B ≅ I C
Da análise do circuito de entrada tem-se: EB = RB I B + U E + RE I E . Desprezando U E face a
EB (junção emissora directamente polarizada) tem-se:
RB = ( EB − RE I E ) I B = 100 kΩ
U RE = I E RE ≅ 0, 454 V
U RC = RC IC = 4,54 V
b) O problema pode ser resolvido a partir do circuito para componentes incrementais, onde se
traduz a variação ∆EB por um sinal eb . Estando o transístor na ZAD a resistência rπ é
responsável pela queda de tensão incremental ube e é dada por:
βF βF
rπ = = U T = 572 Ω
g m IC
eb =  RB + rπ + (1 + β F ) RE  ib
uRE = (1 + β F ) RE ib
u RC = −β F RC ib
ib RB
B C
α F ib
rπ ube
~ eb
RC
RE
uRE
=
(1 + β F ) RE ≅ 0,09
eb  RB + rπ + (1 + β F ) RE 
u RC β F RC
= ≅ −0,9
eb  RB + rπ + (1 + β F ) RE 
O procedimento é idêntico ao adoptado em regime quase-estacionário (problemas TB10 e

TB11), desde que se considere ube = −ube = −∆U E ≅ 0 . Corresponde a desprezar rπ face a
RB + (1 + β F ) RE , o que se verifica ser uma boa aproximação.

As análises em regime quase-estacionário e usando o modelo

incremental do TBJ para frequências intermédias conduzem a
resultados idênticos, desde que os circuitos para componentes
contínuas sejam iguais. Não será esta a situação se os circuitos
tiverem condensadores de contorno (CE) ou de acoplamento (CB
ou CC), como no caso do problema TB7, por exemplo.
c) O PFR de a) está na ZAD. Com efeito, tendo em conta as condições do problema, verifica-
se que:
RB = β F RC e EB − RB I B − U C + RC I C − EC = 0 ⇒ U C = EB − EC < 0
O transístor está na zona activa directa.
U CE ≅ U CB = −U C = EC − EB = EC 2
Verifica-se que para valores constantes de EC , RC e RE o ponto de funcionamento em
repouso varia com EB e RB , sendo máxima a potência posta em jogo no transístor quando
U CE ≅ EC 2 .
P ≅ U CE IC ≅  EC − ( RC + RE ) I C  I C
 dP 
P = Pmax ⇔   = 0 ⇒ EC − 2 ( RC + RE ) I C = 0 ⇒
 dI C 
EC
⇒ IC = ⇒ U CE = EC − ( RC + RE ) I C = EC 2
2 ( RC + RE )
IC
E2
RC + RE
P I B = EC  RC + RE (1 + β F ) 
UCE
E2/2 E2
O PFR é dado pela intersecção da curva característica de saída, correspondente a um dado

valor de I B , e a recta de carga resultante da análise da malha de saída do circuito. Para
levar o transístor à saturação teremos de fazer tender U CE para zero, ou seja:
• aumentar EB
• diminuir EC
• aumentar RC
• diminuir RB
• diminuir β F .
Como UCE é praticamente independente de RE a alteração desta resistência não retira o
transístor da ZAD (UCE praticamente fixo de valor EC / 2). Uma análise gráfica parece ser
particularmente elucidativa. As figuras seguintes mostram o sentido em que se desloca o
PFR quando se faz variar cada um dos parâmetros isoladamente. A seta corresponde ao
sentido da evolução para uma variação crescente do parâmetro.
IC IC IC
P’
P P
P’
P P’
UCE UCE UCE

(EB) (EC) (RC)
IC IC IC
P’ P’
P
P P
P’
UCE UCE UCE

(RB) (βF) (RE)
Como se demonstrou atrás, para uma recta de carga fixa, a variação da corrente de base
provoca uma alteração do ponto de funcionamento em repouso e da potência posta em jogo
no transístor, sendo esta máxima quando UCE = EC /2. Assim, qualquer variação de EB, RB e
βF (aumento ou diminuição) provocará uma diminuição da potência posta em jogo no
transístor.
Os outros factores provocam uma alteração da recta de carga. A análise gráfica permite
rapidamente concluir que para diminuir a potência posta em jogo no transístor se deve
diminuir EC, aumentar RC ou aumentar RE. Neste último caso existe variação simultânea da
característica de saída e da recta de carga. No entanto, e como se viu, UCE permanece
praticamente constante. Diminuir a potência corresponderá assim a diminuir a corrente de
colector. Atendendo a que:
I C ≅ ( EC − U CE ) ( RC + RE )
a diminuição da potência é obtida à custa do aumento de RE.
Problema TB14
(Foto-transístor)
Considere o circuito da Fig.TB14 onde EC = 40V; R1 = 50 kΩ; R2 = 10 kΩ; RE = 1 kΩ. O foto-
transístor de silício apresenta a 300K: βF = 50; ICE0 = 1mA; UCdisr = - 30V.
a) Na ausência de iluminação e com o interruptor S fechado, determinar RC que faz com que
a potência posta em jogo no transístor seja igual a 100 mW.
( )
b) Admitir a incidência de luz sobre o transístor Pφ ≠ 0 , que está associada a uma corrente
de iluminação na junção colectora igual a ICilum = 5mA. Determinar a gama de valores da

resistência RC para a qual o transístor está a trabalhar na ZAD quando o interruptor S está
aberto.
c) Para a iluminação definida em b) calcular a corrente IC no transístor se o interruptor S
estiver fechado e se se interromper o circuito de emissor (IE = 0).
R1
Pφ ( I ) IC RC
UC
C
B
S EC
R2 E
UE A
RE
Fig. TB14
►◄►◄►◄
Resolução
a) Na ausência de iluminação, a corrente de colector é dada por (TB3), admitindo que
nenhuma junção está na disrupção. De acordo com o problema TB4, usando (TB4.1) e
(TB4.2), tem-se: ETh = 40/6 V e RTh = 50/6 kΩ. Usando (TB4.5) e (TB4.6), obtém-se
IC = 40/7 mA. Sendo P = ICUCE = 100 mW, obtém-se UCE = 17,5 V. Finalmente, de
(TB4.7), obtém-se RC = 4,69 kΩ. O valor de UCE obtido confirma que para aquele valor de
potência o TBJ não entra em disrupção da junção colectora. A potência mínima posta em
jogo na disrupção colectora será P = ICUCEdisr=171,43mW.
b) Para uma incidência de luz no TBJ, existe uma corrente foto gerada que deve ser tomada
em linha de conta. No foto-transístor, a equação (TB3) deve ser substituída por:
 UC 
I C = β F I B − I CE 0  e UT − 1 + I cilum (TB14.1)
 
 
Em (TB14.1) desprezou-se a corrente foto gerada na junção emissora por ser geralmente
muito inferior à corrente gerada na junção colectora. Admitindo a ZAD, tem-se de
(TB14.1):
 UC 
I C = β F I B − I CE 0  e UT − 1 + I cilum ≅ β F I B + ICE 0 + I cilum ≅ β F I B + I cilum (TB14.2)
 
 
Nas condições do problema, o interruptor está aberto, pelo que IB = 0 e, portanto:

I C ≅ I cilum (TB14.3)
A equação (TB14.3) pressupõe que o TBJ esteja a trabalhar na ZAD, ou seja que se
verifique a condição:
0 ≤ U CE = E − ( RC + RE ) ICilum ≤ −U Cdisr (TB14.4)
Obtém-se de (TB14.4) a gama de valores do valor óhmico da resistência de colector para

que o transístor esteja na ZAD: 3 ≤ RC ≤ 9 kΩ.
Ao interromper o circuito de emissor (IE = 0), obtém-se de (TB14.2), atendendo a que nessa
situação a corrente de base é igual ao simétrico da corrente de colector (IC = - IB):
 UC 
 UT 
IC = − β F IC − ICE 0  e − 1 + I cilum ≅ − β F IC + ICE 0 + I cilum (TB14.5)
 
 
o que conduz a:
I I I
IC = CE 0 + cilum = ICB 0 + cilum (TB14.6)
1 + βF 1+β F 1+β F
Atendendo a que a equação que se obtém de (TB4) ao incluir a corrente foto gerada é dada
por:
 UC 
I C = α F I E − I CB 0  e UT − 1 + I Cilum
*
, (TB14.7)
 
 
conclui-se, comparando (TB14.6) com (TB14.7), que:

* I Cilum
I Cilum = (TB14.7)
1 + βF
Pode assim concluir-se que a corrente de colector quando o emissor está em aberto é 1+βF
vezes inferior à que se obtém quando, para a mesma iluminação, se abre o circuito de base.
Nas condições do problema c), a corrente de colector é aproximadamente igual a 0,1 mA. A
razão deste facto prende-se com o facto de no caso da alínea b) o TBJ estar na ZAD e,
portanto, a junção emissora estar directamente polarizada, enquanto que nas condições de c)
o transístor tem a junção emissora inversamente polarizada. Os portadores foto gerados na
junção colectora não sofrem neste caso, como no caso b), da acção amplificadora de ter
uma junção directamente polarizada na sua vizinhança.
O foto-transístor com a base em aberto tem a junção emissora

polarizada directamente; o foto-transístor com o emissor em
aberto tem a junção emissora inversamente polarizada. O foto-
transístor com a emissor em aberto funciona como um
fotodíodo.
Problema TB15
(Transístor Bipolar de Heterojunções)

Considere um transístor bipolar de heterojunção no emissor formado por Al0,3Ga0,7As/GaAs e
que é do tipo n-p-n. Calcule a relação entre as correntes de electrões e de buracos no emissor
bem como o rendimento de injecção do transístor. Considere N A = 102 N D e b L = 1 5 .
AlxGa1-xAs: x ≤ 0, 45 ⇒ WG = 1, 424 + 1, 247 x
mn* = 0,067 + 0,083x

m*p = 0,087 + 0,063 x
( )
µ p = 370 − 970 x + 740 x 2 ⋅10−4 m 2 V −1s −1
AsGa: µ n = 0,85 m 2 V −1s −1
►◄►◄►◄
Resolução
Tratando-se de um transístor do tipo n-p-n, o rendimento de injecção do emissor é a relação

entre a corrente de emissor associada ao movimento de electrões e a corrente de emissor, que
tem também a contribuição dos buracos.
I En
γ= (TB15.1)
I En + I Ep
Tendo em conta as expressões das correntes de difusão de electrões (correspondente a um

fluxo de n para p) e de buracos (correspondente a um fluxo de p para n), obtém-se:
I En 1 1
γ= = = (TB15.2)
I En + I E p IEp D pE LnB  b’  pE 0
1+ 1+ th  
I En DnB L pE  LnB  nB 0
sendo Dn,p os coeficientes de difusão de electrões e de buracos, respectivamente, e Ln,p os
comprimentos de difusão de electrões e buracos, respectivamente. O 2º índice indica a zona do
transístor (E-emissor; B-base). As concentrações pE0 e nB0 correspondem às minorias no
emissor e na base, respectivamente, em equilíbrio termodinâmico e são dadas por:
2
niE
pE 0 = (TB15.3)
N DE
2
niB
nB 0 = , (TB15.4)
N AB
uma vez que o emissor está dopado com dadores e a base com aceitadores. Nos transístores
convencionais, as concentrações intrínsecas do emissor e da base são iguais pois trata-se do
mesmo material. Para que o rendimento de injeção seja próximo do unitário, como se pretende,
obriga a uma escolha de materiais de tal forma que a dopagem do emissor seja muito maior do
que a dopagem da base, o que trás alguns inconvenientes. Nos transístores de heterojunção
esta condição não é necessária, podendo mesmo a dopagem da base ser maior do que a do
emissor, com inúmeras vantagens, já que se pode jogar com as concentrações intrínsecas,
diferentes no emissor e na base. Para os transístores bipolares de heterojunção, o emissor
deverá ser o material com menor concentração intrínseca, ou, de maior altura da banda
proibida. Ou seja:
2 2
niB ≫ niE ⇒ WGE > WGB (TB15.5)
No exemplo dado, o emissor será o material ternário. O binário (GaAs) constituirá o material
da base. Admitindo que a base é curta e que b’ ≪ LnE , (TB15.2) pode escrever-se como:
I En 1 1
γ= = = (TB15.6)
I En + I E p IEp D pE b’ pE 0
1+ 1+
I En DnB L pE nB 0
Nos transístores bipolares de heterojunção escolhe-se para

emissor o material de maior altura da banda proibida, para que se
maximize o rendimento de injecção do emissor.
WGE > WGB
De acordo com os dados do problema:
b’ 1 p N n2 2
niE
= e E 0 = AB iE2
= 100 2
L pE 5 nB 0 N DE niB niB
Parâmetro Ternário Binário

(x = 0,3) (x = 0)
Mobilidade dos electrões (V2m-1s-1) 0.85
Mobilidade dos buracos (V2m-1s-1) 0,0146 0,37
Altura da banda proibida (eV) 1,7981 1,424
Massa relativa eficaz dos electrões 0,092 0,067
Massa relativa eficaz dos buracos 0,106 0,087

Substituindo em (TB15.6) tem-se γ ≅ 0, 9999996 . Significa que o ganho de corrente αF é

praticamente igual ao factor de transporte.
αF = γ × θ ≅ θ (TB15.6)
I Ep I Ep 1− γ
Tendo em conta (TB15.2), tem-se γ = 1− γ ⇒ = .
I En I En γ
I Ep
Obtém-se assim = 2,5 × 106.
I En

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Cap.

3 – Transístor Bipolar de Junções 1

Na lista de problemas propostos e resolvidos é sempre calculado o ponto de funcionamento em

contexto, apresentam-se exemplos diversos de circuitos de polarização de transístores

à saída, através do ganho do circuito amplificador ( uo (t ) = Av × ui (t ) ) . As influências da

escolha dos diversos dispositivos (resistências, fontes) ou dos parâmetros do transístor

Nota importante: Na resolução dos problemas consideraram-se as equações de Ebers-Moll ou

A norma seguida é comum aos 2 tipos de transístor. Em relação às tensões:

As tensões das junções colectora (UC) e emissora (UE) são sempre

Considera-se a corrente de emissor positiva quando concordante

De acordo com esta norma:

A potência posta em jogo no transístor é dada por IE ×UE –IC ×UC.

Considerar a montagem da Fig.TB1. Verificar a influência de cada elemento do circuito na

Para o circuito: EB = 4 V; EC = 10 V; RC = 220 Ω; RB = 20 kΩ .

Os transístores têm como um dos grandes domínios de aplicação a área da Electrónica

Na ZAD o TBJ tem a junção emissora directamente polarizada e a

Caso o transístor entre na zona de corte ou de saturação, o sinal aparece distorcido.

Na saturação ambas as junções estão directamente polarizadas,

No corte ambas as junções estão inversamente polarizadas:

A potência posta em jogo no corte é desprezável, porque as

Tendo em conta a ZAD e (TB.3) tem-se:

Por circulação na malha de saída tem-se:

o que confirma a ZAD (TB1.1). O ponto Q de funcionamento em repouso (PFR) é pois

U CE = 5, 6 V ; I C ≅ 20 mA; I B ≅ 200 µA; I E ≅ 20,2 mA

Se se subir o valor de EB, por exemplo, EB = 8 V:

A influência de EB na polarização do TBJ está representada na figura seguinte:

Aumentar o valor da tensão da bateria de entrada EB leva o PFR

Considere-se agora a influência da bateria EC na polarização do transístor. Se EB se mantiver

desde que se verifique a condição:

Se se descer o valor de EC, por exemplo EC = 5 V:

A influência de EC na polarização do TBJ está representada na figura seguinte, onde o PFR

Disrupção UCE= -UCdisr

Diminuir o valor da tensão da bateria de saída EC leva o PFR

Finalmente, analisam-se as influências de RB e de RC na polarização. Da expressão (TB1.2)

Considerar a montagem da Fig.TB2. Verificar a influência de cada elemento do circuito na

Para que o TBJ esteja na ZAD, tem-se, de acordo com (TB1.1):

Por análise da malha de entrada obtém-se:

Por análise da malha de saída, admitindo a ZAD, tem-se:

Para que a junção colectora atinja a disrupção é necessário que a

A diminuição de RB ou o aumento de RC conduzem o TBJ à

estão inversamente polarizadas, as correntes são desprezáveis e, portanto, U CE = − EC .

No circuito, quando a tensão à entrada varia entre ± EC , a saída

varia entre 0 e EC . É o circuito inversor e constitui um dos

elementos básicos dos circuitos em Electrónica Digital.

Consegue-se um funcionamento similar com o circuito do problema TB1 (duas fontes),

Considerar a montagem da Fig.TB3. Estudar a influência da resistência RE na polarização do

Para o circuito: EC = 10 V; RC = 100 Ω; RE = 100 Ω; RB = 20 k Ω .

O circuito da Fig.TB3 é semelhante ao da Fig.TB2, mas onde se incluiu uma resistência RE no

de onde se obtém, quando o transístor está polarizado na ZAD:

Nas condições do presente problema, o efeito do ganho em corrente β F na corrente de

Os circuitos com degenerescência de emissor são mais estáveis

Considerar a montagem da Fig.TB4.

Como valores de referência considerar:

• Para o circuito: EC = 20 V; RC = 100 Ω; RB1 = 80 k Ω; RB 2 = 20 k Ω .

O circuito da Fig.TB4a é idêntico ao circuito analisado no problema TB1.

a) O TBJ estará na ZAD com RE=0 se:

A condição (TB4.3) é equivalente a:

b) Para um circuito com degenerescência de emissor ( RE ≠ 0 ) , por circulação na malha de

entrada do circuito (TB4.a) e admitindo a ZAD, é-se conduzido a:

De (TB4.5) a (TB4.7) obtém-se para βF = 100: I B ≅ 0,15 mA ; IC ≅ 15,3 mA ; U CE ≅ 15 V .

• Para βF = 110 e RE = 0 tem-se: I B ≅ 0, 25 mA ; IC ≅ 27, 5 mA ; U CE ≅ 17, 25 V, ou

seja, uma variação de 10% na corrente de colector.

U CE ≅ 16, 75 V, ou seja, uma variação de 6% na corrente de colector.