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UNIVERSIDADE DO VALE DO RIO DOS SINOS

ENGENHARIA ELÉTRICA/ELETRÔNICA
FUNDAMENTOS DE ELETRÔNICA

MARCELO RAYMANN JÚNIOR


PÂMELA STEPHANIE AMARO SCHULLER

SIMULAÇÕES COM TRANSISTOR

SÃO LEOPOLDO
2020
1. TRANSISTOR INTRODUÇÃO
Transistor é um dispositivo semicondutor que tem como suas utilizações a
amplificação de sinais eletrônicos, como sinais de rádio ou televisão, ou como
dispositivo de chaveamento, conduzindo a máxima corrente (saturação). É um
dispositivo que possui três terminais, sendo eles: emissor, base e coletor.
Pode ser polarizado ou não polarizado, também se utiliza transistor em duas
junções, sendo elas as junções: NPN e PNP.
1.1 CIRCUITO DE CHAVEAMENTO COM SATURAÇÃO FORTE
Para o circuito abaixo, será utilizado um transistor modelo 2N3904 de junção
NPN operando em saturação forte.

Figura 1 – Circuito proposto

➢ Cálculos realizados para dimensionamento dos resistores:


𝑉𝐿𝐸𝐷 = 2𝑉
𝐼𝐿𝐸𝐷 = 20𝑚𝐴
𝐼𝑐 = 𝐼𝐿𝐸𝐷 = 20𝑚𝐴
𝑉 = 4𝑉
➢ Parâmetro Beta ou HFE:
o Informa quantas vezes a corrente de saída (coletor) é maior do que
a corrente de entrada (base).
𝐼𝑐 𝐼𝑐 20 × 10−3
𝛽 → 𝐼𝑏 = = = 0,1𝑚𝐴 𝑜𝑢 100µ𝐴
𝐼𝑏 𝛽 200
➢ A corrente de saturação (ibsat) é aproximadamente 10x a corrente de
base, sendo assim:
𝐼𝑏𝑠𝑎𝑡 = 10 × 𝐼𝑏 → 10 × 100µ = 1𝑚𝐴
➢ Para o circuito divisor de tensão, a corrente escolhida é de 30x maior que
a corrente “Ibsat”.
𝐼 = 30 × 𝐼𝑏𝑠𝑎𝑡 → 30 × 1𝑚 = 30𝑚𝐴
➢ Dimensionamento dos resistores:
𝑉𝑐𝑐 − 𝑉 12 − 4
𝑅1 = → = 266,6Ω
𝐼 30𝑚
𝑉 4
𝑅2 = → = 133,3
𝐼 30𝑚
𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐿𝐸𝐷 12 − 2
𝑅3 = → = 500Ω
𝐼𝑐 20𝑚
𝑉 − 𝑉𝑏𝑒 4 − 0,7
𝑅4 = → = 3300Ω
𝐼𝑏𝑠𝑎𝑡 1𝑚
Abaixo pode-se verificar o esquemático do circuito com transistor NPN.

Figura 2 – Esquemático do circuito com transistor NPN

O mesmo processo de cálculos e dimensionamento de resistores


acontece para o circuito com transistor de junção PNP BC328.
➢ Cálculos realizados para dimensionamento dos resistores:
𝑉𝐿𝐸𝐷 = 2𝑉
𝐼𝐿𝐸𝐷 = 20𝑚𝐴
𝐼𝑐 = 𝐼𝐿𝐸𝐷 = 20𝑚𝐴
𝑉 = 4𝑉
➢ Parâmetro Beta ou HFE:
o Informa quantas vezes a corrente de saída (coletor) é maior do que
a corrente de entrada (base).
𝐼𝑐 𝐼𝑐 20 × 10−3
𝛽 → 𝐼𝑏 = = = 0,1𝑚𝐴 𝑜𝑢 100µ𝐴
𝐼𝑏 𝛽 200
➢ A corrente de saturação é aproximadamente 10x a corrente de base,
sendo assim:
𝐼𝑏𝑠𝑎𝑡 = 10 × 𝐼𝑏 → 10 × 100µ = 1𝑚𝐴
➢ Para o circuito divisor de tensão, a corrente escolhida é de 30x maior que
a corrente “Ibsat”.

𝐼 = 30 × 𝐼𝑏𝑠𝑎𝑡 → 30 × 1𝑚 = 30𝑚𝐴
➢ Dimensionamento dos resistores:
𝑉𝑐𝑐 − 𝑉 12 − 4
𝑅1 = → = 266,6Ω
𝐼 30𝑚
𝑉 4
𝑅2 = → = 133,3
𝐼 30𝑚
𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐿𝐸𝐷 12 − 2
𝑅3 = → = 500Ω
𝐼𝑐 20𝑚
𝑉 − 𝑉𝑏𝑒 4 − 0,7
𝑅4 = → = 3300Ω
𝐼𝑏𝑠𝑎𝑡 1𝑚
Abaixo pode-se verificar o esquemático do circuito com transistor PNP.

Figura 3 – Esquemático do circuito com transistor PNP

2. CIRCUITO CHAVEAMENTO COM RELÉ


O circuito abaixo representa um circuito de chaveamento com relé, neste será
utilizado um transistor NPN.
Figura 4 – Circuito chaveamento com relé

➢ Cálculos realizados para dimensionamento dos resistores.


𝑉𝐿𝐸𝐷 = 2𝑉
𝐼𝐿𝐸𝐷 = 20𝑚𝐴
𝐼𝑐 = 100𝑚𝐴
𝑉 = 4𝑉
𝐷𝑖𝑜𝑑𝑜 𝑧𝑒𝑛𝑒𝑟: 6,2𝑉 − 1𝑊
➢ Parâmetro Beta ou HFE:
o Informa quantas vezes a corrente de saída (coletor) é maior do que
a corrente de entrada (base).
𝐼𝑐 𝐼𝑐 100 × 10−3
𝛽 → 𝐼𝑏 = = = 500µ𝐴
𝐼𝑏 𝛽 200
➢ A corrente de saturação é aproximadamente 10x a corrente de base,
sendo assim:
𝐼𝑏𝑠𝑎𝑡 = 10 × 𝐼𝑏 → 10 × 500µ = 5𝑚𝐴
➢ Dimensionamento dos resistores:
𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐿𝐸𝐷 12 − 2
𝑅3 = → = 500Ω
𝐼𝑐 20𝑚
𝑉𝑧 − 𝑉𝑏𝑒 6,2 − 0,7
𝑅4 = → = 1100Ω
𝐼𝑏𝑠𝑎𝑡 5𝑚
Para dimensionar R1, o método de cálculo deve ser baseado em um circuito
regulador de tensão com Zener.
𝑃𝑧𝑒𝑛𝑒𝑟 1
𝐼𝑧𝑚𝑥 = → = 0,1612𝐴 𝑜𝑢 161,29𝑚𝐴
𝑉𝑧𝑒𝑛𝑒𝑟 6,2
𝐼𝑧𝑚𝑖𝑛 = 0,1 × 𝐼𝑧𝑚𝑥 → 0,1 × 161,29𝑚 = 16,13𝑚𝐴
𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑧 12 − 6,2
𝑅1𝑚𝑥 = → = 274,4912Ω
𝐼𝑧𝑚𝑖𝑛 + 𝐼𝑏𝑠𝑎𝑡 16,13𝑚 + 5𝑚
𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑧 12 − 6,2
𝑅1𝑚𝑖𝑛 = → = 34,8788Ω
𝐼𝑧𝑚𝑥 + 𝐼𝑏𝑠𝑎𝑡 161,29𝑚 + 5𝑚
34,87Ω≤R1≤274,49Ω
R1 = 150Ω
(𝑉𝑐𝑐 − 𝑉)2 (12 − 6,2)2
𝑃𝑅1 = 2 × → 2× = 0,2242𝑊
𝑅1 150

3. TRANSISTOR COMO FONTE DE CORRENTE


A fonte de corrente abaixo deve comportar uma tensão constante entre 5,5V
e 6,5. Deve ser realizado o dimensionamento do resistor “RE” para uma corrente
constante de 5mA no componente.
𝑅𝐿 = 1𝑘Ω
𝑉𝑐𝑐 = 15𝑉
𝛽 = 100
𝑉𝑏 = 5,5~6,5𝑉
𝐼𝑅𝐸 = 5𝑚𝐴
𝐷𝑖𝑜𝑑𝑜 𝑧𝑒𝑛𝑒𝑟 (1𝑁5995𝐵) = 6,2𝑉/1𝑊

Figura 5 – Circuito regulador de tensão

Para este circuito, deve-se assumir que Ic=Ie, portanto:


𝐼𝑐 𝐼𝑐 5 × 10−3
𝛽 → 𝐼𝑏 = = = 50µ𝐴
𝐼𝑏 𝛽 100
➢ A corrente de saturação é aproximadamente 10x a corrente de base,
sendo assim:
𝐼𝑏𝑠𝑎𝑡 = 10 × 𝐼𝑏 → 10 × 50µ = 500µ𝐴
➢ Dimensionamento dos resistores:
𝑉𝑧 − 𝑉𝑏𝑒 6,2 − 0,7
𝑅𝑒 = → = 1100Ω
𝐼𝑏𝑠𝑎𝑡 5𝑚
Para dimensionar R, o método de cálculo deve ser baseado em um circuito
regulador de tensão com Zener.
𝑃𝑧𝑒𝑛𝑒𝑟 1
𝐼𝑧𝑚𝑥 = → = 0,1612𝐴 𝑜𝑢 161,29𝑚𝐴
𝑉𝑧𝑒𝑛𝑒𝑟 6,2
𝐼𝑧𝑚𝑖𝑛 = 0,1 × 𝐼𝑧𝑚𝑥 → 0,1 × 161,29𝑚 = 16,13𝑚𝐴
𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑧 15 − 6,2
𝑅𝑚𝑥 = → = 529,1641Ω
𝐼𝑧𝑚𝑖𝑛 + 𝐼𝑏𝑠𝑎𝑡 16,13𝑚 + 500µ
𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑧 15 − 6,2
𝑅𝑚𝑖𝑛 = → = 54,391Ω
𝐼𝑧𝑚𝑥 + 𝐼𝑏𝑠𝑎𝑡 161,29𝑚 + 500µ
54,391Ω≤R≤529,1641Ω
Realizando a média entre Rmx e Rmin, obtém-se o valor de: 291,77Ω.
R=294Ω.
(𝑉𝑐𝑐 − 𝑉)2 (15 − 6,2)2
𝑃𝑅 = 2 × →2× = 0,5268𝑊
𝑅1 294

Figura 6 – Montagem do circuito

Na figura 7 pode-se observar a simulação do circuito.


Figura 7 – Simulação do circuito com RL=1kΩ

Realizando a troca do resistor RL para RL=1500Ω.

Figura 8 – Simulação com RL=1500Ω

Realizando a troca do resistor RL para RL=470Ω.


Figura 9 – Simulação com RL= 470Ω

Realizando uma análise dos valores obtidos na carga, percebe-se que os


valores das tensões de Vb e Ve se mantiveram constantes, A tensão Vb se
manteve constante pela aplicação do diodo Zener no circuito.
RL (Ω) 1kΩ 1,5kΩ 470Ω
IR (mA) 5,016 5,014 5,018
VRL(V) 5,016 7,521 2,358
VE(V) 5,551 5,55 5,552
VB(V) 6,259 6,259 6,259
VCe(V) 4,433 1,929 7,09
Tabela 1 – Comparação de valores

Ao verificar os valores obtidos na tabela 1 pode-se perceber que quando


alteramos o valor de RL para RL=1,5kΩ (RL+50%) a tensão de VCe diminui
quase que pela metade, o mesmo fenômeno pode ser observado quando a carga
RL diminui (RL-50%), a tensão VCe aumenta na mesma proporção.
Porém, o valor da corrente em ambas as cargas permanece constante.
Isso ocorre porque a corrente no resistor RE também é constante, pois a tensão
no resistor não se altera. A tensão de RE é permanente pois está diretamente
ligada à tensão na base do transistor, que nesse circuito está fixa. Cabe ao
transistor o papel de divisor de tensão com a carga para manter a corrente do
circuito.

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