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O silcio foi preparado pela primeira vez por Berzelius, em 1823, que
colocou tetraflureto de silcio na presena de potssio aquecido. Pensa-se,
contudo, que Gay-Lussac e Thenard j haviam tentado obter o silcio amorfo
pelo mesmo mtodo, em 1809. O que Berzelius conseguiu foi um produto
mais puro, resultante de filtragens prolongadas. Tambm preparou silcio a
partir da reao de fluorsilicatos de potssio com o prprio potssio.
Na sua forma cristalina, o silcio s viria a ser preparado por Deville, em
1854, atravs da eletrlise de cloreto de sdio-alumnio impuro com cerca de
10 % de silcio. J no princpio deste sculo (1907), Potter estudou a interao
da slica com o carbono, que serviu de base ao processo de obteno de silcio
para fins comerciais durante quase todo o sculo XX.
O silcio elementar preparado comercialmente pelo aquecimento de
dixido de silcio com carvo de coque em fornalhas elctricas. Para obter
silcio monocristalino recorre-se ao mtodo de Czochralski que consiste em
introduzir uma semente cristalina em silcio fundido, baixando ento
lentamente a temperatura para que se d a cristalizao.
HISTRIA
O silcio obtido por este mtodo e por outros similares apresenta uma frao de
impurezas de 0,001 ppm ou menos e denominado silcio policristalino .
O mtodo Dupont consiste em reagir tetracloreto de silcio a 950 C com vapores
de zinco muito puros:
d)
CLULAS FOTOVOLTAICAS DE SILCIO
Silcio policristalino
Processo qumico
Existem vrios tipos de reatores que utilizam o processo CVD, mas o mais
usado na produo de Si policristalino o reator de baixa presso (LPCVD). A
Figura 2 mostra dois tipos de reatores LPCVD, um de parede fria e outro de
parede quente.
Figura 5. Reatores LPCVD de parede quente e fria. (DEMAR, 2011)
IPT. Rota metalrgica para produo de Silcio Grau Solar. Disponvel em:
<http://www.ipt.br>. Acesso em: 30 de setembro de 2011.