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ASSUNTO

4- IMPERFEIES CRISTALINAS

- Defeitos pontuais
- Defeitos de linha (discordncias)
- Defeitos de interface (gro e
maclas)
- Defeitos volumtricos (incluses,
precipitados)

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O QUE UM DEFEITO?
uma imperfeio ou um "erro" no arranjo
peridico regular dos tomos em um cristal.
Podem envolver uma irregularidade
na posio dos tomos
no tipo de tomos

O tipo e o nmero de defeitos dependem do


material, do meio ambiente, e das
circunstncias sob as quais o cristal
processado.

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IMPERFEIES ESTRUTURAIS

Apenas uma pequena frao dos stios


atmicos so imperfeitos
Menos de 1 em 1 milho
Menos sendo poucos eles influenciam
muito nas propriedades dos materiais e
nem sempre de forma negativa

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IMPERFEIES ESTRUTURAIS
- IMPORTNCIA-

DEFEITOS

INTRODUO CONTROLE
ARRANJO
SELETIVA DO NMERO

Permite desenhar e criar novos materiais


com a combinao desejada de propriedades
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IMPERFEIES ESTRUTURAIS
Exemplos de efeitos da presena
de imperfeies
o O processo de dopagem em semicondutores visa
criar imperfeies para mudar o tipo de
condutividade em determinadas regies do material
o A deformao mecnica dos materiais promove a
formao de imperfeies que geram um aumento
na resistncia mecnica (processo conhecido como
encruamento)
o Wiskers de ferro (sem imperfeies do tipo
discordncias) apresentam resistncia maior que
70GPa, enquanto o ferro comum rompe-se a
aproximadamente 270MPa.
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IMPERFEIES ESTRUTURAIS

So classificados de acordo com sua


geometria ou dimenses

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IMPERFEIES ESTRUTURAIS
Defeitos Pontuais associados c/ 1 ou 2
posies atmicas

Defeitos lineares uma dimenso

Defeitos planos ou interfaciais (fronteiras) duas


dimenses

Defeitos volumtricos trs dimenses

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1- DEFEITOS PONTUAIS

Vacncias ou vazios
tomos Intersticiais
Schottky
Ocorrem em slidos inicos
Frenkel

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VACNCIAS OU VAZIOS
Envolve a falta de um
tomo
So formados durante
a solidificao do
cristal ou como
resultado das vibraes
atmicas (os tomos
deslocam-se de suas
posies normais)

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VACNCIAS OU VAZIOS
O nmero de vacncias aumenta
exponencialmente com a temperatura

Nv= N exp (-Qv/KT)


Nv= nmero de vacncias
N= nmero total de stios atmicos
Qv= energia requerida para formao de
vacncias
K= constante de Boltzman = 1,38x1023J/at.K ou
8,62x10-5 eV/ at.K
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INTERSTICIAIS
Envolve um tomo extra no
interstcio (do prprio
cristal)
Produz uma distoro no
reticulado, j que o tomo
geralmente maior que o
espao do interstcio
A formao de um defeito
intersticial implica na
criao de uma vacncia,
por isso este defeito
menos provvel que uma
vacncia

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INTERSTICIAIS

tomo intersticial grande


tomo intersticial pequeno
Gera maior distoro na rede

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FRENKEL

Ocorre em slidos
inicos
Ocorre quando um
on sai de sua
posio normal e vai
para um interstcio

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SCHOTTKY

Presentes em
compostos que tem
que manter o
balano de cargas
Envolve a falta de
um nion e/ou um
ction

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CONSIDERAES GERAIS
Vazios e Schottky favorecem a difuso
Estruturas de empacotamento fechado tem
um menor nmero intersticiais e Frenkel
que de vazios e Schottky

Porque necessria energia adicional para


forar os tomos para novas posies

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IMPUREZAS NOS SLIDOS
Um metal considerado puro sempre tem
impurezas (tomos estranhos)
presentes

99,9999% = 1022-1023 impurezas por cm3

A presena de impurezas promove a


formao de defeitos pontuais
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LIGAS METLICAS
As impurezas (chamadas elementos
de liga) so adicionadas
intencionalmente com a finalidade:
- aumentar a resistncia mecnica
- aumentar a resistncia corroso
- Aumentar a condutividade eltrica
- Etc.
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A ADIO DE IMPUREZAS
PODE FORMAR
Solues slidas < limite de
solubilidade
Segunda fase > limite de
solubilidade

A solubilidade depende :
Temperatura
Tipo de impureza
Concentrao da impureza
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Termos usados

Elemento de liga ou Impureza


soluto (< quantidade)

Matriz ou solvente
Hospedeiro (>quantidade)
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SOLUES SLIDAS
A estrutura cristalina do material que
atua como matriz mantida e no
formam-se novas estruturas
As solues slidas formam-se mais
facilmente quando o elemento de liga
(impureza) e matriz apresentam
estrutura cristalina e dimenses
eletrnicas semelhantes
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SOLUES SLIDAS
Nas solues slidas as impurezas
podem ser:

- Intersticial
Ordenada
- Substitucional
Desordenada

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INTERSTICIAL
SOLUES SLIDAS
INTERSTICIAIS
Os tomos de impurezas ou os elementos de
liga ocupam os espaos dos interstcios
Ocorre quando a impureza apresenta raio
atmico bem menor que o hospedeiro
Como os materiais metlicos tem geralmente
fator de empacotamento alto as posies
intersticiais so relativamente pequenas
Geralmente, no mximo 10% de impurezas
so incorporadas nos interstcios
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EXEMPLO DE SOLUO
SLIDA INTERSTICIAL
Fe + C solubilidade mxima do C no
Fe 2,1% a 910 C (Fe CFC)
O C tem raio atmico bastante pequeno
se comparado com o Fe

rC= 0,071 nm= 0,71 A


rFe= 0,124 nm= 1,24 A

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Solubilidade do Carbono no
Ferro
O carbono mais
solvel no Ferro
ccc
CCC ou CFC,
considerando a
temperatura
prxima da
transformao
alotrpica?
cfc

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TIPOS DE SOLUES SLIDAS
SUBSTITUCIONAIS
SUBSTITUCIONAL
ORDENADA SUBSTITUCIONAL
DESORDENADA

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FATORES QUE INFLUEM NA FORMAO DE
SOLUES SLIDAS SUBSTITUCIONAIS
REGRA DE HOME-ROTHERY
Raio atmico deve ter uma
diferena de no mximo 15%, caso
contrrio pode promover distores na
rede e assim formao de nova fase
Estrutura cristalina mesma
Eletronegatividade prximas
Valncia mesma ou maior que a do
hospedeiro
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EXEMPLO DE SOLUO SLIDA
SUBSTICIONAL
Cu + Ni so solveis em todas as
propores
Cu Ni

Raio atmico 0,128nm=1,28 A 0,125 nm=1,25A

Estrutura CFC CFC

Eletronegatividade 1,9 1,8

Valncia +1 (as vezes +2) +2

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2- DEFEITOS LINEARES:
DISCORDNCIAS
As discordncias esto associadas com a
cristalizao e a deformao (origem: trmica,
mecnica e supersaturao de defeitos
pontuais)

A presena deste defeito a responsvel pela


deformao, falha e ruptura dos materiais

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2- DEFEITOS LINEARES:
DISCORDNCIAS
Podem ser:

- Cunha
- Hlice
- Mista

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VETOR DE BURGER (b)
D a magnitude e a direo de
distoro da rede

Corresponde distncia de
deslocamento dos tomos ao redor da
discordncia

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2.1- DISCORDNCIA EM
CUNHA
Envolve um SEMI-
plano extra de
tomos
O vetor de Burger
perpendicular
direo da linha da
discordncia
Envolve zonas de
trao e
compresso
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DISCORDNCIAS EM
CUNHA

Fonte: Prof. Sidnei, DCMM, PUCRJ 32


DISCORDNCIAS EM
CUNHA

Fonte: Prof. Sidnei, DCMM, PUCRJ 33


2.2- DISCORDANCIA EM
HLICE

Produz distoro na
rede
O vetor de burger
paralelo direo
da linha de
discordncia

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DISCORDANCIA EM HLICE

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2.2- DISCORDANCIA EM
HLICE

DISCORDNCIA EM HLICE NA SUPERFCIE DE


UM MONOCRISTAL DE SiC. AS LINHAS ESCURAS
SO DEGRAUS DE ESCORREGAMENT SUPERFICIAIS.
(Fig. 5.3-2 in Schaffer et al.).

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OBSERVAO DAS
DISCORDANCIAS

Diretamente TEM ou HRTEM

Indiretamente SEM e
microscopia ptica (aps ataque
qumico seletivo)

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DISCORDNCIAS NO TEM

38
DISCORDNCIAS NO
HRTEM

39
DISCORDNCIAS NO
HRTEM

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FIGURA DE ATAQUE PRODUZIDA
NA DISCORDNCIA VISTA NO SEM

Plano (111) do GaSb


Plano (111) do InSb
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CONSIDERAES GERAIS
A quantidade e o movimento das discordncias
podem ser controlados pelo grau de deformao
(conformao mecnica) e/ou por tratamentos
trmicos
Com o aumento da temperatura h um aumento na
velocidade de deslocamento das discordncias
favorecendo o aniquilamento mtuo das mesmas e
formao de discordncias nicas
Impurezas tendem a difundir-se e concentrar-se em
torno das discordncias formando uma atmosfera de
impurezas

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CONSIDERAES GERAIS
O cisalhamento se d mais facilmente nos
planos de maior densidade atmica, por
isso a densidade das mesmas depende da
orientao cristalogrfica
As discordncias geram vacncias
As discordncias influem nos processos de
difuso
As discordncias contribuem para a
deformao plstica

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3- DEFEITOS PLANOS
OU INTERFACIAIS

Envolvem fronteiras (defeitos em duas


dimenses) e normalmente separam
regies dos materiais de diferentes
estruturas cristalinas ou orientaes
cristalogrficas

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3- DEFEITOS PLANOS
OU INTERFACIAIS

Superfcie externa
Contorno de gro
Fronteiras entre fases
Maclas ou Twins
Defeitos de empilhamento

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3.1- DEFEITOS NA
SUPERFCIE EXTERNA
o mais bvio
Na superfcie os tomos no esto
completamente ligados
Ento o estado energia dos tomos na
superfcie maior que no interior do cristal
Os materiais tendem a minimizar est
energia
A energia superficial expressa em
erg/cm2 ou J/m2)
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3.2- CONTORNO DE GRO

Corresponde regio que separa dois ou


mais cristais de orientao diferente
um cristal = um gro
No interior de cada gro todos os tomos esto
arranjados segundo um nico modelo e nica
orientao, caracterizada pela clula unitria 47
Monocristal e Policristal

Monocristal: Material com apenas uma orientao


cristalina, ou seja, que contm apenas um gro

Policristal: Material com mais de uma orientao


cristalina, ou seja, que contm vrios gros

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LINGOTE DE ALUMNIO
POLICRISTALINO

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GRO
A forma do gro controlada:
- pela presena dos gros circunvizinhos

O tamanho de gro controlado


- Composio qumica
- Taxa (velocidade) de cristalizao ou
solidificao
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FORMAO DOS GROS

A forma do gro controlada:


- pela presena dos gros
circunvizinhos

O tamanho de gro
controlado
- Composio
- Taxa de cristalizao ou
solidificao

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CONSIDERAES GERAIS SOBRE
CONTORNO DE GRO

H um empacotamento ATMICO menos


eficiente
H uma energia mais elevada
Favorece a nucleao de novas fases
(segregao)
favorece a difuso
O contorno de gro ancora o movimento das
discordncias

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Discordncia e Contorno de Gro
A passagem de uma discordncia atravs do
contorno de gro requer energia

DISCORDNCIA

O contorno de gro ancora o movimento das discordncia pois


constitui um obstculo para a passagem da mesma, LOGO
QUANTO MENOR O TAMANHO DE GRO
.........A RESISTNCIA DO MATERIAL 53
CONTORNO DE PEQUENO
NGULO
Ocorre quando a
desorientao dos
cristais pequena
formado pelo
alinhamento de
discordncias

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OBSERVAO DOS GROS
E CONTORNOS DE GRO

Por microscopia (TICA OU ELETRNICA)


utiliza ataque qumico especfico para
cada material

O contorno geralmente mais reativo

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GROS VISTOS NO
MICROSCPIO TICO

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TAMANHO DE GRO
O tamanho de gro influi nas propriedades
dos materiais
Para a determinao do tamanho de gro
utiliza-se cartas padres

ASTM
ou
ABNT
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DETERMINAO DO
TAMANHO DE GRO (ASTM)
Quanto maior o nmero menor o
Tamanho: 1-10 tamanho de gro da amostra
Aumento: 100 X

N= 2 n-1

N= nmero mdio de gros por polegada


quadrada
n= tamanho de gro

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Existem vrios softwares comerciais
de simulao e determinao do
tamanho de gro

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CRESCIMENTO DO GRO
com a temperatura

Em geral, por questes termodinmicas (energia)


os gros maiores crescem em
detrimento dos menores 60
3.3- TWINS
MACLAS OU CRISTAIS GMEOS
um tipo especial de
contorno de gro
Os tomos de um lado
do contorno so
imagens especulares
dos tomos do outro
lado do contorno
A macla ocorre num
plano definido e numa
direo especfica,
dependendo da
estrutura cristalina
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ORIGENS DOS TWINS
MACLAS OU CRISTAIS GMEOS
O seu aparecimento
est geralmente
associado com A
PRESENA DE:
- tenses trmicas e
mecnicas
- impurezas
- Etc.

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4- IMPERFEIES
VOLUMTRICAS

So introduzidas no processamento do
material e/ou na fabricao do
componente

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4- IMPERFEIES
VOLUMTRICAS
- Incluses Impurezas estranhas
- Precipitados so aglomerados de partculas
cuja composio difere da matriz
- Fases forma-se devido presena de
impurezas ou elementos de liga (ocorre quando o limite
de solubilidade ultrapassado)
- Porosidade origina-se devido a presena ou
formao de gases

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Incluses

INCLUSES DE XIDO DE COBRE (Cu2O) EM COBRE DE ALTA PUREZA (99,26%)


LAMINADO A FRIO E RECOZIDO A 800o C.

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Incluses

SULFETOS DE MANGANS (MnS) EM AO RPIDO.


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Porosidade
As figuras abaixo apresentam a superfcie de ferro puro durante o seu
processamento por metalurgia do
p. Nota-se que, embora a sinterizao tenha diminudo a quantidade
de poros bem como melhorado
sua forma (os poros esto mais arredondados), ainda permanece uma
porosidade residual.

COMPACTADO DE P DE FERRO
COMPACTADO DE P DE
FERRO,COMPACTAO APS SINTERIZAO
UNIAXIAL EM MATRIZ DE A 1150oC, POR 120min EM
DUPLO EFEITO, A 550 MPa ATMOSFERA DE HIDROGNIO
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EXEMPLO DE PARTCULAS
DE SEGUNDA FASE

A MICROESTRUTURA COMPOSTA POR VEIOS DE GRAFITA SOBRE UMA MATRIZ PERLTICA.


CADA GRO DE PERLITA, POR SUA VEZ, CONSTITUDO POR LAMELAS ALTERNADAS DE
DUAS FASES: FERRITA (OU FERRO-A) E CEMENTITA (OU CARBONETO DE FERRO).
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microestrutura da liga Al-Si-Cu + Mg mostrando diversas fases
precipitadas

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Micrografia da Liga
Al-3,5%Cu no Estado Bruto de Fuso

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