ASSUNTO

4- IMPERFEIES CRISTALINAS

- Defeitos pontuais
- Defeitos de linha (discordncias)
- Defeitos de interface (gro e
maclas)
- Defeitos volumtricos (incluses,
precipitados)

1
 O QUE UM DEFEITO?
uma imperfeio ou um "erro" no arranjo
peridico regular dos tomos em um cristal.
Podem envolver uma irregularidade
na posio dos tomos
no tipo de tomos

O tipo e o nmero de defeitos dependem do

material, do meio ambiente, e das
circunstncias sob as quais o cristal
processado.

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IMPERFEIES ESTRUTURAIS

Apenas uma pequena frao dos stios

atmicos so imperfeitos
Menos de 1 em 1 milho
Menos sendo poucos eles influenciam
muito nas propriedades dos materiais e
nem sempre de forma negativa

3
IMPERFEIES ESTRUTURAIS
- IMPORTNCIA-

DEFEITOS

INTRODUO CONTROLE
ARRANJO
SELETIVA DO NMERO

Permite desenhar e criar novos materiais

com a combinao desejada de propriedades
4
 IMPERFEIES ESTRUTURAIS
Exemplos de efeitos da presena
de imperfeies
o O processo de dopagem em semicondutores visa
criar imperfeies para mudar o tipo de
condutividade em determinadas regies do material
o A deformao mecnica dos materiais promove a
formao de imperfeies que geram um aumento
na resistncia mecnica (processo conhecido como
encruamento)
o Wiskers de ferro (sem imperfeies do tipo
discordncias) apresentam resistncia maior que
70GPa, enquanto o ferro comum rompe-se a
aproximadamente 270MPa.
5
IMPERFEIES ESTRUTURAIS

So classificados de acordo com sua

geometria ou dimenses

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IMPERFEIES ESTRUTURAIS
Defeitos Pontuais associados c/ 1 ou 2
posies atmicas

Defeitos lineares uma dimenso

Defeitos planos ou interfaciais (fronteiras) duas

dimenses

Defeitos volumtricos trs dimenses

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 1- DEFEITOS PONTUAIS

Vacncias ou vazios
tomos Intersticiais
Schottky
Ocorrem em slidos inicos
Frenkel

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 VACNCIAS OU VAZIOS
Envolve a falta de um
tomo
So formados durante
a solidificao do
cristal ou como
resultado das vibraes
atmicas (os tomos
deslocam-se de suas
posies normais)

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 VACNCIAS OU VAZIOS
O nmero de vacncias aumenta
exponencialmente com a temperatura

Nv= N exp (-Qv/KT)

Nv= nmero de vacncias
N= nmero total de stios atmicos
Qv= energia requerida para formao de
vacncias
K= constante de Boltzman = 1,38x1023J/at.K ou
8,62x10-5 eV/ at.K
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 INTERSTICIAIS
Envolve um tomo extra no
interstcio (do prprio
cristal)
Produz uma distoro no
reticulado, j que o tomo
geralmente maior que o
espao do interstcio
A formao de um defeito
intersticial implica na
criao de uma vacncia,
por isso este defeito
menos provvel que uma
vacncia

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 INTERSTICIAIS

tomo intersticial grande

tomo intersticial pequeno
Gera maior distoro na rede

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 FRENKEL

Ocorre em slidos
inicos
Ocorre quando um
on sai de sua
posio normal e vai
para um interstcio

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 SCHOTTKY

Presentes em
compostos que tem
que manter o
balano de cargas
Envolve a falta de
um nion e/ou um
ction

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CONSIDERAES GERAIS
Vazios e Schottky favorecem a difuso
Estruturas de empacotamento fechado tem
um menor nmero intersticiais e Frenkel
que de vazios e Schottky

Porque necessria energia adicional para

forar os tomos para novas posies

15
IMPUREZAS NOS SLIDOS
Um metal considerado puro sempre tem
impurezas (tomos estranhos)
presentes

99,9999% = 1022-1023 impurezas por cm3

A presena de impurezas promove a

formao de defeitos pontuais
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 LIGAS METLICAS
As impurezas (chamadas elementos
de liga) so adicionadas
intencionalmente com a finalidade:
- aumentar a resistncia mecnica
- aumentar a resistncia corroso
- Aumentar a condutividade eltrica
- Etc.
17
A ADIO DE IMPUREZAS
PODE FORMAR
Solues slidas < limite de
solubilidade
Segunda fase > limite de
solubilidade

A solubilidade depende :
Temperatura
Tipo de impureza
Concentrao da impureza
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 Termos usados

Elemento de liga ou Impureza

soluto (< quantidade)

Matriz ou solvente
Hospedeiro (>quantidade)
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 SOLUES SLIDAS
A estrutura cristalina do material que
atua como matriz mantida e no
formam-se novas estruturas
As solues slidas formam-se mais
facilmente quando o elemento de liga
(impureza) e matriz apresentam
estrutura cristalina e dimenses
eletrnicas semelhantes
20
 SOLUES SLIDAS
Nas solues slidas as impurezas
podem ser:

- Intersticial
Ordenada
- Substitucional
Desordenada

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 INTERSTICIAL
SOLUES SLIDAS
INTERSTICIAIS
Os tomos de impurezas ou os elementos de
liga ocupam os espaos dos interstcios
Ocorre quando a impureza apresenta raio
atmico bem menor que o hospedeiro
Como os materiais metlicos tem geralmente
fator de empacotamento alto as posies
intersticiais so relativamente pequenas
Geralmente, no mximo 10% de impurezas
so incorporadas nos interstcios
22
 EXEMPLO DE SOLUO
SLIDA INTERSTICIAL
Fe + C solubilidade mxima do C no
Fe 2,1% a 910 C (Fe CFC)
O C tem raio atmico bastante pequeno
se comparado com o Fe

rC= 0,071 nm= 0,71 A

rFe= 0,124 nm= 1,24 A

23
 Solubilidade do Carbono no
Ferro
O carbono mais
solvel no Ferro
ccc
CCC ou CFC,
considerando a
temperatura
prxima da
transformao
alotrpica?
cfc

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TIPOS DE SOLUES SLIDAS
SUBSTITUCIONAIS
SUBSTITUCIONAL
ORDENADA SUBSTITUCIONAL
DESORDENADA

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FATORES QUE INFLUEM NA FORMAO DE
SOLUES SLIDAS SUBSTITUCIONAIS
REGRA DE HOME-ROTHERY
Raio atmico deve ter uma
diferena de no mximo 15%, caso
contrrio pode promover distores na
rede e assim formao de nova fase
Estrutura cristalina mesma
Eletronegatividade prximas
Valncia mesma ou maior que a do
hospedeiro
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EXEMPLO DE SOLUO SLIDA
SUBSTICIONAL
Cu + Ni so solveis em todas as
propores
Cu Ni

Raio atmico 0,128nm=1,28 A 0,125 nm=1,25A

Estrutura CFC CFC

Eletronegatividade 1,9 1,8

Valncia +1 (as vezes +2) +2

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 2- DEFEITOS LINEARES:
DISCORDNCIAS
As discordncias esto associadas com a
cristalizao e a deformao (origem: trmica,
mecnica e supersaturao de defeitos
pontuais)

A presena deste defeito a responsvel pela

deformao, falha e ruptura dos materiais

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2- DEFEITOS LINEARES:
DISCORDNCIAS
Podem ser:

- Cunha
- Hlice
- Mista

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 VETOR DE BURGER (b)
D a magnitude e a direo de
distoro da rede

Corresponde distncia de
deslocamento dos tomos ao redor da
discordncia

30
 2.1- DISCORDNCIA EM
CUNHA
Envolve um SEMI-
plano extra de
tomos
O vetor de Burger
perpendicular
direo da linha da
discordncia
Envolve zonas de
trao e
compresso
31
DISCORDNCIAS EM
CUNHA

Fonte: Prof. Sidnei, DCMM, PUCRJ 32

DISCORDNCIAS EM
CUNHA

Fonte: Prof. Sidnei, DCMM, PUCRJ 33

 2.2- DISCORDANCIA EM
HLICE

Produz distoro na
rede
O vetor de burger
paralelo direo
da linha de
discordncia

34
DISCORDANCIA EM HLICE

35
2.2- DISCORDANCIA EM
HLICE

DISCORDNCIA EM HLICE NA SUPERFCIE DE

UM MONOCRISTAL DE SiC. AS LINHAS ESCURAS
SO DEGRAUS DE ESCORREGAMENT SUPERFICIAIS.
(Fig. 5.3-2 in Schaffer et al.).

36
 OBSERVAO DAS
DISCORDANCIAS

Diretamente TEM ou HRTEM

Indiretamente SEM e
microscopia ptica (aps ataque
qumico seletivo)

37
DISCORDNCIAS NO TEM

38
DISCORDNCIAS NO
HRTEM

39
DISCORDNCIAS NO
HRTEM

40
 FIGURA DE ATAQUE PRODUZIDA
NA DISCORDNCIA VISTA NO SEM

Plano (111) do GaSb

Plano (111) do InSb
41
CONSIDERAES GERAIS
A quantidade e o movimento das discordncias
podem ser controlados pelo grau de deformao
(conformao mecnica) e/ou por tratamentos
trmicos
Com o aumento da temperatura h um aumento na
velocidade de deslocamento das discordncias
favorecendo o aniquilamento mtuo das mesmas e
formao de discordncias nicas
Impurezas tendem a difundir-se e concentrar-se em
torno das discordncias formando uma atmosfera de
impurezas

42
CONSIDERAES GERAIS
O cisalhamento se d mais facilmente nos
planos de maior densidade atmica, por
isso a densidade das mesmas depende da
orientao cristalogrfica
As discordncias geram vacncias
As discordncias influem nos processos de
difuso
As discordncias contribuem para a
deformao plstica

43
 3- DEFEITOS PLANOS
OU INTERFACIAIS

Envolvem fronteiras (defeitos em duas

dimenses) e normalmente separam
regies dos materiais de diferentes
estruturas cristalinas ou orientaes
cristalogrficas

44
 3- DEFEITOS PLANOS
OU INTERFACIAIS

Superfcie externa
Contorno de gro
Fronteiras entre fases
Maclas ou Twins
Defeitos de empilhamento

45
 3.1- DEFEITOS NA
SUPERFCIE EXTERNA
o mais bvio
Na superfcie os tomos no esto
completamente ligados
Ento o estado energia dos tomos na
superfcie maior que no interior do cristal
Os materiais tendem a minimizar est
energia
A energia superficial expressa em
erg/cm2 ou J/m2)
46
3.2- CONTORNO DE GRO

Corresponde regio que separa dois ou

mais cristais de orientao diferente
um cristal = um gro
No interior de cada gro todos os tomos esto
arranjados segundo um nico modelo e nica
orientao, caracterizada pela clula unitria 47
 Monocristal e Policristal

Monocristal: Material com apenas uma orientao

cristalina, ou seja, que contm apenas um gro

Policristal: Material com mais de uma orientao

cristalina, ou seja, que contm vrios gros

48
LINGOTE DE ALUMNIO
POLICRISTALINO

49
 GRO
A forma do gro controlada:
- pela presena dos gros circunvizinhos

O tamanho de gro controlado

- Composio qumica
- Taxa (velocidade) de cristalizao ou
solidificao
50
 FORMAO DOS GROS

A forma do gro controlada:

- pela presena dos gros
circunvizinhos

O tamanho de gro
controlado
- Composio
- Taxa de cristalizao ou
solidificao

51
CONSIDERAES GERAIS SOBRE
CONTORNO DE GRO

H um empacotamento ATMICO menos

eficiente
H uma energia mais elevada
Favorece a nucleao de novas fases
(segregao)
favorece a difuso
O contorno de gro ancora o movimento das
discordncias

52
Discordncia e Contorno de Gro
A passagem de uma discordncia atravs do
contorno de gro requer energia

DISCORDNCIA

O contorno de gro ancora o movimento das discordncia pois

constitui um obstculo para a passagem da mesma, LOGO
QUANTO MENOR O TAMANHO DE GRO
.........A RESISTNCIA DO MATERIAL 53
CONTORNO DE PEQUENO
NGULO
Ocorre quando a
desorientao dos
cristais pequena
formado pelo
alinhamento de
discordncias

54
OBSERVAO DOS GROS
E CONTORNOS DE GRO

Por microscopia (TICA OU ELETRNICA)

utiliza ataque qumico especfico para
cada material

O contorno geralmente mais reativo

55
 GROS VISTOS NO
MICROSCPIO TICO

56
 TAMANHO DE GRO
O tamanho de gro influi nas propriedades
dos materiais
Para a determinao do tamanho de gro
utiliza-se cartas padres

ASTM
ou
ABNT
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 DETERMINAO DO
TAMANHO DE GRO (ASTM)
Quanto maior o nmero menor o
Tamanho: 1-10 tamanho de gro da amostra
Aumento: 100 X

N= 2 n-1

N= nmero mdio de gros por polegada

quadrada
n= tamanho de gro

58
Existem vrios softwares comerciais
de simulao e determinao do
tamanho de gro

59
CRESCIMENTO DO GRO
com a temperatura

Em geral, por questes termodinmicas (energia)

os gros maiores crescem em
detrimento dos menores 60
 3.3- TWINS
MACLAS OU CRISTAIS GMEOS
um tipo especial de
contorno de gro
Os tomos de um lado
do contorno so
imagens especulares
dos tomos do outro
lado do contorno
A macla ocorre num
plano definido e numa
direo especfica,
dependendo da
estrutura cristalina
61
 ORIGENS DOS TWINS
MACLAS OU CRISTAIS GMEOS
O seu aparecimento
est geralmente
associado com A
PRESENA DE:
- tenses trmicas e
mecnicas
- impurezas
- Etc.

62
 4- IMPERFEIES
VOLUMTRICAS

So introduzidas no processamento do
material e/ou na fabricao do
componente

63
 4- IMPERFEIES
VOLUMTRICAS
- Incluses Impurezas estranhas
- Precipitados so aglomerados de partculas
cuja composio difere da matriz
- Fases forma-se devido presena de
impurezas ou elementos de liga (ocorre quando o limite
de solubilidade ultrapassado)
- Porosidade origina-se devido a presena ou
formao de gases

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 Incluses

INCLUSES DE XIDO DE COBRE (Cu2O) EM COBRE DE ALTA PUREZA (99,26%)

LAMINADO A FRIO E RECOZIDO A 800o C.

65
 Incluses

SULFETOS DE MANGANS (MnS) EM AO RPIDO.

66
 Porosidade
As figuras abaixo apresentam a superfcie de ferro puro durante o seu
processamento por metalurgia do
p. Nota-se que, embora a sinterizao tenha diminudo a quantidade
de poros bem como melhorado
sua forma (os poros esto mais arredondados), ainda permanece uma
porosidade residual.

COMPACTADO DE P DE FERRO
COMPACTADO DE P DE
FERRO,COMPACTAO APS SINTERIZAO
UNIAXIAL EM MATRIZ DE A 1150oC, POR 120min EM
DUPLO EFEITO, A 550 MPa ATMOSFERA DE HIDROGNIO
67
 EXEMPLO DE PARTCULAS
DE SEGUNDA FASE

A MICROESTRUTURA COMPOSTA POR VEIOS DE GRAFITA SOBRE UMA MATRIZ PERLTICA.

CADA GRO DE PERLITA, POR SUA VEZ, CONSTITUDO POR LAMELAS ALTERNADAS DE
DUAS FASES: FERRITA (OU FERRO-A) E CEMENTITA (OU CARBONETO DE FERRO).
68
microestrutura da liga Al-Si-Cu + Mg mostrando diversas fases
precipitadas

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Micrografia da Liga
Al-3,5%Cu no Estado Bruto de Fuso

70