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UFERSA
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Desenvolvimento regional
Areia Branca Mossoró
POTENCIAL ECONÔMICO DO RN Alto do Rodrigues Pendências
Carnaubais Porto do Mangue
Grossos Serra do Mel
Guamoré Tibau
Macau
Região salineira
374 Km², ~25.000 habitantes
Condições naturais:
Ordem de precipitação
óxido de ferro(III) > carbonato de
cálcio > sulfato de cálcio > cloreto de
sódio > sulfato de magnésio > cloreto
de magnésio > cloreto de potássio >
brometo de sódio
Outros produtos:
Petróleo e Gás Natural - Maior reserva, em terra, de petróleo e gás natural do Brasil
Melão
Fruticultura Castanha de Cajú
irrigada Melancia
Manga
Energia eólica: 75 usinas produzindo, totalizando 2,02 gigawatts de potência instalada, liderando
Energias nacionalmente
renováveis Energia solar: Incidência de radiação solar variando entre 5.000 e 6.500 Wh/m² dia, 300 dias de sol
por ano
APLICACOES TECNOLÓGICAS DE MATERIAIS REGIONAIS
Uso de novas tecnologias, preferencialmente tecnologias limpas, para processamento de materiais em geral (volume
e superficie), particularmente aqueles oriundos de resíduos e matérias primas regionais e/ou de arranjos produtivos
locais, bem como sua caracterização quimica, térmica, mecânica, estrutural e morfológica.
1. Síntese de óxidos nanoestruturados da indústria cerâmica local: Aplicação como pigmentos, catalisadores,
sensores, etc.
2. Produção e caracterização de adsorventes oriundos de rejeitos agrícolas: adsorventes oriundos de rejeitos
agrícolas visando sua utilização no tratamento de efluentes industriais contendo moléculas orgânicas
3. Uso de novas tecnologias na cadeia produtiva do sal marinho: descarga por barreira dielétrica (DBD) será
utilizada para extracao de metais como Na, Ca, K, Br e Mg, paralelamente ao cloro.
4. Aplicação de materiais regionais na área de telecomunicação: desenvolver materiais para materiais para
aplicação eletro-eletrônicas como antenas de microfita, materiais absorvedores para guias de ondas, capacitores
e sensores, materiais isolantes, entre outros, utilizando tecnologias de processamento como a sol-gel,
processamento a plasma e metalurgia do pó.
SINTESE DE NANOPARTICULAS, BIOPOLIMEROS E MATERIAIS
NANOESTRUTURADOS
Esta linha de pesquisa compreende a sintese, modificação e caracterização de materiais adsorventes para
encapsulamento/incorporação de moleculas e/ou nanoparticulas com funções de separação, imobilização e sequestro de
subststâncias poluentes bem como sistemas de armazenamento e liberação controlada de nutrientes, biomoléculas e fármacos
em geral. Também compreende modelagem computacional de estruturas e processos complexos de interesse na área.
1. Síntese, modificação e caracterização de produtos regionais: desenvolver quitosanas, fibras naturais, compostos a partir da
água do mar, etc., para agregar valor tecnológico e comercial.
2. Síntese e caracterização de filmes compostos de quitosana, argilas e tensoativos: síntese e caracterização de filmes
compostos de quitosana, argilas e tensoativos, com respeito às propriedades de barreira a gases e vapor de água,
propriedades ópticas e mecânicas, visando sua utilização como filmes e revestimento na preservação e conservação de
alimentos
3. Produção e caracterização de pós nanométricos de TiNxOy: produzir compostos com diferentes razoes oxigenio/nitrogenio
usando processamento a plasma. Serao utilizados, como materiais de partida, pos micrometricos e nanometricos de Ti e
TiO2, os quais serao tratados termoquimicamente em plasma com diferentes misturas N2+O2
Ciências dos Materiais
Professores
Clodomiro Alves Junior
José Alzamir Pereira da Costa
Aula 1 14/03/2020
CIÊNCIA DOS MATERIAIS
Número de créditos: 4 Carga Horária: 60h
Professor: Clodomiro Alves Junior
1. Introdução: História e perspectiva; Ciência e Engenharia de Materiais; Porque estudar CEM; Classificação de materiais;
Materiais avançados; Necessidade de novos materiais
2. Estrutura atômica e ligação interatômica: Estrutura atômica; conceitos fundamentais; Elétrons em átomos; A
tabela periódica; Ligação em sólidos; Forças de ligação e energias; Ligações primárias; Ligações secundárias ou de van der Waals
3. Estrutura cristalina: Conceitos fundamentais; Arranjos cristalinos; Rede espacial e Células unitárias; Sistemas
cristalográficos e rede de Bravais; Direções e planos cristalográficos; Sólidos monocristalinos, policristalinos, nanocristalino e
amorfos. Sólidos compósitos.
4. Defeitos, Difusão, diagrama de fase: Defeitos pontuais; Vacâncias e sítios intersticiais; Impurezas em sólidos;
Discordâncias; Defeitos interfaciais; Defeitos de volume; Difusão em sólidos; Diagrama de fase; Transformação de fase em metais
5. Propriedades mecânicas: Definições; curva tensão-deformação; Dureza; ensaios de dureza e microdureza; resistência
ao cisalhamento e à torção; Fluência; Resistência ao choque e ao impacto; fadiga
Aulas teóricas e práticas; avaliação através da participação nas aulas práticas, nas soluções dos problemas e seminários
HISTÓRIA E PERSPECTIVA
1982 – IME
1989 – UEPG
ENGENHARIA DE MATERIAIS
Material de
engenharia
Reciclagem
Descarte Material
manufaturado
CIÊNCIA E ENGENHARIA DE MATERIAIS
Aeroespacial Óticos
Substâncias oticamente
Compósito C-C, ligas de
sensíveis
Al, superligas, Zircônia
SiO2, Al2O3, Vidros
MATERIAIS
Estrutural FUNCIONAIS Eletrônico
Materiais de importância em
Aços, ligas de alumínio,
circuitos eletrônicos
concreto, fibra de vidro,
Si, GaAs, BaTiO3, Ge, etc.
fibra de carbono
Magnéticos Energéticos
substâncias ou misturas substâncias ou misturas que
que reagem quimicamente reagem quimicamente para
para libertarem a energia libertarem a energia
necessária à aplicação a necessária à aplicação a que
que se destinam se destinam
Fe, Fe-Si, Fe2O3,Ta UO2, Ni-Cd, Si-amorfo-H,etc
Materiais inteligentes
materiais que possuem uma ou mais propriedades que podem ser alteradas de forma
controlada através de estímulos externos, tais como: stress mecânico, mudanças de
temperatura, de pH, eletricidade, campos magnéticos, etc. que equipados com sensores e
controles, “se comportam” como sistemas biológicos.
i) Materiais piezoelétricos: quando um campo elétrico é aplicado, o material apresenta uma
deformação mecânica; por outro lado, quando o material sofre uma carga mecânica, um potencial
elétrico é gerado
ii) Materiais ferroelétricos: materiais que têm uma alteração de forma devido a uma aplicação de um
campo elétrico
iii) Materiais de memória de forma: capacidade de recuperar uma forma previamente definida a partir
de um processo de carregamento termomecânico apropriado
iv) Materiais magnetoestrictivos: materiais que têm uma alteração de forma devido a uma aplicação de
um campo magnético
v) Materiais termo/foto/eletro - cromáticos
NÍVEIS HIERÁRQUICOS DA ESTRUTURA DOS
MATERIAIS
3. Nível cristalino
5. Nível macroscópico
FORÇA INTERATÔMICA
(Energia
repulsiva)
repulsão r0
br -n
Energia potencial
r0 r
atração
E0
Nêutrons
e Prótons
Carga do próton e do elétron: 1,602 x 10-19 C.
Massa do próton:1,673 x 10-27 kg
Elétrons
Massa do Nêutron: 1,675 x 10 kg.
-27
Átomo
de sódio
H + + +
H C H
+ + +
+ + +
H
Ligações secundárias: Originada devido à formação de dipolos
atômicos ou moleculares
Monocristais
Policristais
Amorfos
Quasi-cristais
Nano-cristais
ARRANJOS ATÔMICOS
FORMAÇÃO DO POLIETILENO
Carbono – 1 s2 – 2s2- 2p2
Etileno
Hidrogênio – 1s1
ESTRUTURA DO POLIETILENO
Ortorrômbica
a≠b≠c; α=β=γ
ESTRUTURA CRISTALINA DOS SÓLIDOS
𝑛
F2
F1 F4 ∑ 𝐹 =0
𝑘 =0
F3
Célula unitária
Pontos de rede
REDES DE BRAVAIS
7 Classes de células
14 redes de Bravais
FORMAS ALOTRÓPICAS DO CARBONO
Diamante
Material duro
σ
σ σ
σ Resistentes à
ruptura sob tração,
ligações sp3 sendo 100 vezes
mais resistentes
que o aço e
Grafite ra n do a ária possuindo apenas
b d
Lubrificante Que o secun 1/6 de sua
ã
ligaç densidade
C
σ
σ
C C σC Muito duro, leve,
π
quase
C
transparente,
excelente condu
tor de calor e
ligações sp3 eletricidade
FORMAS ALOTRÓPICAS DO FERRO
a0=2,93 Å
a0=3,64 Å
a0=2,86 Å
ENERGIA DE LIGAÇÃO E TEMPERATURA DE FUSÃO PARA VÁRIAS
SUBSTÂNCIAS
Tipo de ligação Substância Energia de ligação Temperatura
(kJ/mol) de fusão (K)
Iônica NaCl 640 801
MgO 1000 2800
Covalente Si 450 1410
C (diamante) 713 3550
Hg 68 -39
Metálica Al 324 660
Fe 406 1538
W 849 3410
R
r
30o
R
cos 30o 0,866 0,155
rR
Cos
30 R(1-0,866)=0,866r =0,155
NÚMERO DE COORDENAÇÕES PARA LIGAÇÕES IÔNICA
CONCEITOS IMPORTANTES
Distância
interplanar
Parâmetro
de rede
DISTÂNCIA INTERPLANAR
NÚMERO DE ÁTOMOS POR CÉLULA UNITÁRIA
(1/2x2+1/6x12) at.
1/8x8 at.
Hexagonal compacta(HC)
(1/2x6+1/8x8) at.
CFC
HC
2 2
( 4 𝑟 ) =2 𝑎 0
2 2
16
𝑟 =2 𝑎 0
𝑎
0= √ 8 𝑟 =2 √ 2𝑟 𝑎
0=2 r
CCC
( 4 𝑟 )2=3 𝑎20
𝑎
0=4/ √ 3 𝑟
FATOR DE EMPACOTAMENTO
Fração do volume de uma célula unitária preenchido por esferas sólidas, assumindo
o modelo da esfera atômica rígida.
CCC (Fe, Nb, Cr) CFC (Al, Cu, Au, Ag) HC (Ti, Mg, Zn)
2 ×4 / 3 𝛱 𝑟 3 4
𝐹𝐸= =0,68 3
6𝑥 𝛱𝑟
3
64 𝑟
3 4 𝑥 16 √ 2 𝑟 3
𝐹𝐸= 3
=0.74 𝐹𝐸= =0,74
3 √3 16 √2 𝑟 24 √ 2 𝑟
3
DENSIDADE TEÓRICA
Ferro
Estrutura – CCC; a0 – 2,866Å; M.atômica – 55,86 g/mol
=
DIREÇÕES CRISTALOGRÁFICAS
Direções mais compactas possuem maior módulo de elasticidade; planos mais compactos possuem maior facilidade de
deslizamento; planos de hábito para crescimento de precipitados; etc.
Indices de Miller-Bravais
1. a1 = –½, a2 = 1, a3 = –½, c
=0
2. Elimina frações (reduz ao
menor inteiro)
3. A notação da direção [1210]
Conversão de índices de Miller para Miller-Bravais
[u’v’w’] [uvtw]
Alguns aspectos sobre o uso dos índices de Miller para direções
1. Como as direções são vetores, uma direção e sua negativa não são idênticas; elas representam a mesma linha, mas
possuem sentidos opostos.
- Exemplo: [100 ] ≠ [100 ]
2. Direções proporcionais são idênticas; por este motivo é que se devem reduzir os índices para menores inteiros.
- Exemplo: [100] = [200] = [300] = ...
3. Direções de certos conjuntos são equivalentes; elas possuem índices específicos em virtude da maneira como o sistema
de coordenadas foi construído.
EXEMPLOS:
PLANOS CRISTALOGRÁFICAS
Os metais deformam-se ao longo de planos de átomos que apresentam compacidade mais alta (planos mais densos).
Procedimento básico para determinar os índices de Miller de planos em um cristal cúbico
deve seguir a seguinte orientação:
1. Identificar os pontos nos quais o plano intercepta os eixos x, y e z em termos do número de
parâmetros de rede; deve ser observado que se o plano passa na origem, essa deve ser movida (ou
utiliza-se um plano paralelo que não passe pela origem);
2. Obter os inversos das interseções;
3. Eliminar os índices fracionários, mas não reduzi-los ao menor inteiro;
4. Colocar os índices entre parênteses, observando que, se algum deles for negativo, deve ser
representado com uma barra sobre ele.
Genericamente, as letras h, k e l entre parêntese são usadas para indicar os índices de Miller de um
plano, ou seja, (hkl).
Alguns aspectos com relação ao uso dos índices de Miller para planos
Para maximizar a ligação, átomos em metais se arranjam de maneira mais próxima possível.
De acordo com Bravais, várias estruturas são possíveis. As propriedades dos metais são muito
dependentes de sua estrutura cristalina, podendo ser modificada por processamentos
térmicos, químicos e/ou mecânicos.