Apostila de Eletrnica Analgica/Potncia

Sumrio
1. Dispositivos semicondutores: diodos, tiristores e transistores. Diodos de juno, circuitos com diodos e diodos especiais. ....................................................................................................... 4 1.1 Materiais extrnsecos tipo n e tipo p (Boylestad) ............................................................ 4 1.2 Diodos semicondutores (Boylestad) ................................................................................. 4 1.3 Tiristores (Apostila)................................................................................................................. 6 1.4 Transistores (Boylestad) ........................................................................................................ 7 2 Caractersticas e princpios de operao de dispositivos semicondutores. .................. 10 2.1 Diodos de potncia ........................................................................................................... 10 2.2 Tiristores................................................................................................................................. 11 2.3 GTO Gate turn off thyristor ............................................................................................. 12 2.4 Transistor bipolar de potncia - TBP ............................................................................... 13 2.5 Transistor de efeito de campo MOSFET ....................................................................... 14 2.6 Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT .......................................................................... 14 3 Transistores. Transistores bipolares. Anlise para pequenos sinais. Operao como amplificador. ...................................................................................................................................... 16 3.1 O transistor como amplificador ....................................................................................... 17 3.2 A anlise para pequenos sinais ....................................................................................... 18 4 Transistores de efeito de campo (FET). Transistores MOS. Polarizao, amplificadores e caractersticas de ganho e freqncia. Amplificadores de sinais de potncia................... 21 4.1 Estrutura e operao do MOSFET tipo enriquecimento.............................................. 21 4.2 O MOSFET tipo depleo.................................................................................................. 22 4.3 O MOSFET como amplificador ......................................................................................... 22 4.4 Polarizao de circuitos amplificadores MOSFET......................................................... 24 4.5 Amplificadores MOS de estgio simples ........................................................................ 26 4.6 Resposta em freqncia do amplificador FC............................................................... 28 5 Tipos de comutao. Conversores CC/CC. Conversores CC/CA. Conversores CA/CC. Comutao no dissipativa. Consideraes de projetos: proteo de dispositivos e circuitos de comando. Proteo e comutao de tiristores. .................................................. 30 5.1 Conversores CC/CC .......................................................................................................... 30 5.2 Conversores CC/CA Inversores..................................................................................... 31 5.3 Conversores CA/CC Retificadores............................................................................... 31 5.4 Comutao no dissipativa............................................................................................. 32 5.5 Proteo de dispositivos e circuitos de comando....................................................... 33 6 Retificadores, chaveadores e inversores. Operao em onda quadrada e PWM...... 35 6.1 Conversores CA/CC - Retificadores ............................................................................... 35 6.2 Conversores CC/CA - Inversores ..................................................................................... 36 6.3 Modulao em onda quadrada .................................................................................... 38 6.4 Modulao por largura de pulso PWM ....................................................................... 38 6.5 Conversores CC/CC .......................................................................................................... 39 7 Harmnicos e filtros. Filtros ativos e aspectos frequenciais, filtros butterworth, filtros chebyshev. Implementao de filtros e resposta em freqncia........................................... 41 7.1 Caractersticas dos filtros ativos e seus aspectos relevantes. .................................... 41 7.2 Filtros Butterworth e Chebyshev....................................................................................... 43 7.3 Implementao de Filtros ................................................................................................. 44 8 Caractersticas de amplificadores: ganho, eficincia, distoro, rudo, resposta em freqncia, impedncia de entrada e sada, configuraes e estabilidade. ..................... 48 8.1 Resposta em freqncia, estabilidade, distoro (boylestad 440) .......................... 48 8.2 Saturao ............................................................................................................................ 50

8.3 Eficincia (boylestad 445).............................................................................................. 50 8.4 Rudos.................................................................................................................................... 50 8.5 Modos de configurao do amp-op ............................................................................. 51 8.6 Impedncia de entrada e sada..................................................................................... 51 8.7 Ganho .................................................................................................................................. 52 8.8 Circuitos amp-ops prticos............................................................................................... 53 9 Amplificadores operacionais. Configuraes bsicas. Circuitos com amplificadores operacionais. Amplificadores realimentados e circuitos osciladores. Amplificaes no lineares. ............................................................................................................................................... 55 9.1 Configuraes bsicas...................................................................................................... 55 9.2 Circuitos amp-ops prticos............................................................................................... 56 9.3 Amplificadores realimentados e circuitos osciladores ................................................ 58 9.4 Aplicaes no lineares.................................................................................................... 62 10 Conceitos bsicos de circuitos digitais. Blocos lgicos. lgebra booleana, realizao e minimizao de funes booleanas. Portas lgicas. Circuitos combinacionais. Circuitos seqenciais. Flip-flops e Memria................................................... 66 10.1 lgebra Booleana .............................................................................................................. 66 10.2 Portas lgicas ...................................................................................................................... 66 10.3 Tabela da verdade ............................................................................................................ 67 10.4 Circuitos lgicos .................................................................................................................. 67 10.5 Leis Fundamentais e Propriedades da lgebra Booleana......................................... 68 10.6 Derivao de expresses booleanas ............................................................................. 69 10.7 Mapas de Karnaugh.......................................................................................................... 70 10.8 Circuitos combinacionais.................................................................................................. 72 11 Comparadores, conversores AD/DA, temporizadores, circuitos PLL............................ 77 11.1 Comparadores ................................................................................................................... 77 11.2 Conversores Analgicos/Digitais ..................................................................................... 78 11.3 Temporizadores................................................................................................................... 81 11.4 Malha amarrada por fase PLL....................................................................................... 83 12 FPGA, Dispositivos lgicos programveis. Arquitetura de dispositivos FPGA. Linguagem descritiva de hardware. ............................................................................................. 85 12.1 Arquitetura de dispositivos FPGAs ................................................................................... 85 12.2 Tecnologias de programao......................................................................................... 86 12.3 Arquitetura de blocos lgicos .......................................................................................... 86 12.4 Arquitetura de roteamento .............................................................................................. 86 12.5 Linguagem descritiva de hardware ............................................................................... 87 12.6 Comparao entre VHDL e Verilog................................................................................ 89

1. Dispositivos semicondutores: diodos, tiristores e transistores. Diodos de juno, circuitos com diodos e diodos especiais.
Os semicondutores so slidos cristalinos de condutividade eltrica intermediria entre condutores e isolantes. Este tipo de elemento pode ser tratado quimicamente para transmitir e controlar uma corrente eltrica. Os materiais semicondutores so essenciais na fabricao de dispositivos eletrnicos tais como diodos, tiristores, transistores entre outros. Este texto tem como objetivo apresentar algumas informaes a respeito dos dispositivos semicondutores. Para um melhor entendimento, o texto foi dividido em sees. Na primeira seo apresenta-se uma breve descrio dos materiais extrnsecos. Em seguida, inicia-se a apresentao de alguns dos dispositivos semicondutores mais comuns, bem como sua operao fsica e caractersticas mais relevantes. 1.1 Materiais extrnsecos tipo n e tipo p (Boylestad)

As caractersticas dos materiais semicondutores podem ser alteradas significativamente pela adio de certos tomos de impureza no material. Este processo chamado de dopagem, e aps essa modificao o material semicondutor passa a ser chamado de material extrnseco. Existem dois materiais extrnsecos de importncia fundamental para a fabricao de um dispositivo semicondutor: tipo p e tipo n. Ambos so formados pela adio de um nmero pr determinado de impurezas em uma base de germnio ou silcio. - Material tipo n: criado atravs da introduo de impurezas com cinco eltrons de valncia como antimnio, arsnio e fsforo. Aps as ligaes covalentes, um tomo permanecer desassociado de qualquer ligao covalente e estar livre para mover-se dentro do material tipo n formado. - Material tipo p: formado atravs da dopagem do silcio ou germnio puro com tomos de impureza com 3 eltrons de valncia (boro, glio e ndio). Aps a dopagem existir um nmero insuficiente de eltrons para completar as ligaes covalentes da rede recm formada. A lacuna resultante chamada de buraco e poder aceitar rapidamente um eltron livre. Ambos os materiais p e n so eletricamente neutros.

1.2

Diodos semicondutores (Boylestad) O diodo um dos dispositivos mais simples e formado juntando-se um material tipo n a um material tipo p, conforme apresentado na Fig. 1.

No momento em que os materiais so unidos, os eltrons e buracos na regio de juno se combinam resultando em uma ausncia de portadores nessa regio prxima a juno. Essa regio de ons positivos e negativos no combinados chamada de regio de depleo. A aplicao de uma tenso nos terminais do diodo conduz a 3 possibilidades: nenhuma polarizao (Vd=0), polarizao direta (Vd>0) e polarizao reversa (Vd<0).

Sem polarizao

Reversamente polarizado Fig. 2

Diretamente polarizado

Na ausncia da tenso de polarizao, o fluxo resultante de carga em qualquer direo para um diodo semicondutor zero. Quando um potencial externo Vd conectado ao diodo de forma que o terminal positivo ligado ao material n e o terminal negativo, ao material p, o efeito ser um alongamento na regio de depleo. Em um diodo ideal reversamente polarizado, no h fluxo de corrente e a tenso aplicada aos terminais ir aparecer como uma queda de tenso. Na prtica porm o comportamento do dispositivo diferente. A partir da aplicao de uma tenso reversa Vzk (chamada de tenso de ruptura) o diodo ir conduzir uma corrente Is chamada de corrente de saturao reversa. Finalmente, a polarizao direta estabelecida quando a tenso no anodo maior que a tenso no catodo. Idealmente, nessa condio, passar pelo diodo uma corrente qualquer, e a queda de tenso zero. No componente real existir uma queda de tenso de aproximadamente 0,7 V, que o potencial necessrio para estabelecer um fluxo de corrente no dispositivo. As curvas i-v para um diodo de juno ideal e real so apresentadas na Fig. 3.

Fig. 3 Os diodos so utilizados nas mais diversas aplicaes e para cada uma delas necessrio escolher o dispositivo adequado dentre os diferentes tipos existentes chamados de diodos especiais. Diodo zener: Este tipo de diodo tem as polaridades invertidas em ralao ao diodo convencional, bem como o fluxo de corrente. Varactores: Junes pn reversamente polarizadas exibem um efeito de armazenamento de

cargas que modelado pela capacitncia da camada de depleo Cj (que funo da tenso reversa Vr). Os varcatores so usados em uma srie de aplicaes, como na sintonia automtica de receptores de rdios. Fotodiodos: utilizados para converter sinais luminosos em eltricos. A juno pn reversamente polarizada quando iluminada, sofre uma quebra de ligaes covalentes e, portanto, gera pares de eletrons-lacunas na camada de depleo. O campo eltrico resultante leva a uma corrente reversa atravs da juno. Essa corrente conhecida como fotocorrente proporcional luz incidente. LEDs: O diodo emissor de luz realiza a funo inversa do fotodiodo, ele converte corrente direta em luz. Os diodos so utilizados em diversas aplicaes, entre as principais pode-se citar a retificao de tenso (retificador de meia onda, de onda completa e retificador em ponte) e circuitos limitadores e grampeadores. Abaixo so apresentados dois circuitos, na Fig. 4 o retificador em ponte para onda completa e na Fig. 5 um limitador.

Fig. 4

Fig. 5

1.3 Tiristores (Apostila) Tiristor o nome genrico dado a famlia dos componentes compostos por 4 camadas semicondutoras pnpn. O tiristor SCR (Silicon Controled Rectifier) o mais conhecido e aplicado dos tiristores e funciona analogamente a um diodo, porm possui um terceiro terminal conhecido como gatilho (gate ou porta). Esse terminal responsvel pelo controle da conduo (disparo). Em condies normais de operao, para um SCR conduzir, alm de polarizado adequadamente, deve receber um sinal de corrente no gatilho, geralmente um pulso. Na Fig. 6 so mostradas a simbologia e as camadas e junes de um SCR.

Fig. 6

O SCR ideal se comportaria como uma chave ideal, ou seja, enquanto no recebe um sinal de corrente no gatilho, seria capaz de bloquear tenses de valor infinito, tanto em polarizao direta ou reversa. Bloqueado, o SCR no conduziria. J quando disparado o SCR se comportaria como um diodo ideal. Assim como os diodos, tais caractersticas seriam ideais e no se obtm na prtica. Os SCRs tm portanto, limitaes de bloqueio de tenso direta e reversa e apresentam fuga de corrente quando bloqueados. Quando habilitados tem limitaes de conduo de corrente e queda de tenso na barreira de potencial das junes causando aquecimento do componente.

Fig. 7 Princpio de funcionamento Se entre anodo e catodo tivermos uma tenso positiva, as junes J1 e J3 estaro diretamente polarizadas, enquanto j2 estar inversamente polarizada. No haver conduo de corrente at que Vak se eleve a um valor de ruptura que provoque a ruptura da barreira de potencial em j2. Se Vgk for positiva, circular uma corrente atravs de J3, desta forma, a juno reversamente polarizada tem sua diferena de potencial diminuda e estabelece-se uma corrente entre anodo e catodo, que poder persistir mesmo sem a corrente de porta. Se Vak for negativa, J1 e J3 estaro reversamente polarizadas, enquanto J2 estar diretamente polarizada e o bloqueio do componente mantido. Disparo Existem vrias maneiras de disparar o SCR, sendo que a mais usual o disparo da corrente de porta. Aps entrar em conduo, mesmo com a retirada da corrente de porta, o tiristor permanecer conduzindo (desde que se mantenha a corrente mnima necessria para isso corrente de manuteno). A comutao ou desligamento do SCR pode ser natural (reduo da corrente de anodo a um valor abaixo da corrente de manuteno) ou forada (utilizada em circuitos CC por exemplo). Aplicaes A principal aplicao dos SCRs na converso e controle de grandes quantidades de potencia em circuitos CC e CA, utilizando uma pequena potncia de controle. 1.4 1.4.1 Transistores (Boylestad) Transistor bipolar de juno TBJ O TBJ um dispositivo semicondutor no qual existe uma camada tipo p entre duas camadas

tipo n, ou uma camada tipo n entre duas p. Ambos so mostrados na Fig. 9, sendo que o primeiro denominado npn e o segundo pnp.

Fig. 9 Um terminal conectado a casa uma das trs regies do transistor, sendo denominadas de emissor (E), base (B) e coletor (C). O transistor consiste em duas junes pn, a juno emissor-base JEM e a juno coletor-base (JCB). Dependendo do tipo de polarizao (direta ou reversa) de cada uma das junes, so obtidos diferentes modos de operao do TBJ. Modo Corte Ativo Saturao JEB Reversa Direta Direta JCB Reversa Direta Direta

A polarizao do transistor para que este funcione no modo de operao desejado pode se dar atravs de trs configuraes diferentes: a configurao base-comum, emissor-comum e coletor-comum. Para melhor entender o princpio de operao dos transistores, tomemos como exemplo um tbj pnp na configurao base-comum.

Avaliando o circuito percebe-se que a juno JEB est reversamente polarizada, enquanto JCB est diretamente polarizada. Nessa situao a regio de depleo JEB reduzida em largura devido tenso aplicada, resultando em um fluxo de denso de corrente do material p para o n. J a regio de depleo em JBC aumentada resultando em uma reduo do fluxo de corrente. De acordo com a tabela anterior, pode-se afirmar que o transistor encontra-se na regio ativa e existe no circuito um fluxo de corrente conforme indicado na Fig. 10a.

Fig. 11 Na Fig. 11 apresenta-se o smbolo grfico para os transistores pnp e npn. A seta do smbolo grfico define o sentido da corrente de emissor (fluxo convencional)

atravs do dispositivo. Todos os sentidos de corrente apresentados na Fig. 11 so os sentidos reais, definidos pelo fluxo convencional. 1.4.2 Transistor de efeito de campo (Field Effect Transistor) FET

Assim como para o TBJ, no FET a tenso entre dois terminais controla a corrente que circula no terceiro terminal. A famlia dos dispositivos FET construda de vrios tipos diferentes de transistores, porm o MOSFET (transistor de efeito de campo metal oxido condutor) tornou-se o mais popular. A Fig. 12 mostra a estrutura fsica de um MOSFET tipo enriquecimento canal n. O transistor fabricado sobre um substrato do tipo p, onde so criadas duas regies fortemente dopadas tipo n (fonte S, e dreno D). Uma fina camada de dixido de silcio (isolante) crescida sobre a superfcie do substrato, cobrindo a rea entre as regies de fonte e dreno. So feitos contatos de metal para as regies de fonte, dreno, porta e corpo. A principal caracterstica do mosfet que uma tenso na porta controla o fluxo de corrente entre fonte e dreno. Operao sem tenso de porta Sem uma tenso de polarizao aplicada porta, h dois diodos face a face em srie entre o dreno e a fonte que impedem a circulao de corrente do dreno para a fonte quando aplicada uma tenso vds. Para permitir a circulao de corrente, necessrio aplicar uma tenso positiva na porta. Essa tenso ir atrair os eltrons da regio n+ para a regio do canal, criando uma regio n entre fonte e dreno. Agora se uma tenso vds for aplicada entre dreno e fonte, haver um caminho para a circulao de corrente. O valor de vgs mnimo para a formao de cana chamado de tenso de limiar. A porta o corpo do MOSFET formam um capacitor de placas paralelas. A tenso positiva na porta cria um campo eltrico que atua na vertical e controla a quantidade de cargas no canal e conseqentemente, a corrente que circular por ele quando aplicada uma tenso vds.

Fig. 13

Fig. 14

Caractersticas e princpios de operao de dispositivos semicondutores.

Os semicondutores so slidos cristalinos de condutividade eltrica intermediria entre condutores e isolantes. Este tipo de elemento pode ser tratado quimicamente para transmitir e controlar uma corrente eltrica. Os materiais semicondutores so essenciais na fabricao de dispositivos eletrnicos tais como diodos, tiristores, transistores entre outros. Este texto tem como objetivo apresentar as caractersticas e princpios de operao de alguns dispositivos semicondutores de potencia. Para um melhor entendimento, o texto foi dividido em Sees. 2.1 Diodos de potncia Um diodo semicondutor uma estrutura pn que dentro de seus limites de tenso e de corrente, permite a passagem de corrente em um nico sentido. A Fig. 1 mostra simplificadamente, a estrutura interna de um diodo.

Fig. 1 Um diodo de potencia, no entanto, tem sua estrutura interna um pouco diferente da apresentada na Fig. 1. Nestes componentes, existe uma regio n intermediaria, com baixa dopagem. O papel dessa regio permitir ao componente suportar tenses mais elevadas. Essa regio de pequena densidade de dopante dar ao diodo uma significativa caracterstica resistiva quando em conduo. J no estado bloqueado, pode-se analisar a regio de transio como um capacitor cuja carga aquela presente na prpria regio de transio. Na conduo no existe tal carga, no entanto, medida que cresce a corrente cria-se uma carga espacial no catodo, a qual ter que ser removida para permitir a passagem para o estado bloqueado do diodo. O comportamento dinmico do diodo de potencia na verdade muito diferente de uma chave ideal. Na Fig. 3 ilustrada a caracterstica dinmica de um diodo de potencia. Na entrada em conduo (1), o diodo pode ser considerado um interruptor ideal, pois ele comuta rapidamente. No bloqueio (2), a corrente do diodo torna-se negativa por um tempo, chamado de tempo de recuperao reversa. Durante esse perodo, so removidos os portadores de carga armazenados na juno durante a conduo direta. Tipos de diodos de potencia - Diodos convencionais trr no especificado, 50 ou 60Hz. - Diodos rpidos e ultra rpidos: trr e carga armazenada na capacitncia de juno especificados pelo fabricante. Operao em mdias e altas freqncias. - Diodos Schottky praticamente no existe tempo de recuperao (carga armazenada praticamente nula).

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Fig. 3 Tiristores Tiristor o nome genrico dado a famlia dos componentes compostos por 4 camadas semicondutoras pnpn. O tiristor SCR (Silicon Controled Rectifier) o mais conhecido e aplicado dos tiristores e funciona analogamente a um diodo, porm possui um terceiro terminal conhecido como gatilho (gate ou porta). Esse terminal responsvel pelo controle da conduo (disparo). Em condies normais de operao, para um SCR conduzir, alm de polarizado adequadamente, deve receber um sinal de corrente no gatilho, geralmente um pulso. Na Fig. 4 so mostradas a simbologia e as camadas e junes de um SCR. 2.2

Fig. 4 O SCR ideal se comportaria como uma chave ideal, ou seja, enquanto no recebe um sinal de corrente no gatilho, seria capaz de bloquear tenses de valor infinito, tanto em polarizao direta ou reversa. Bloqueado, o SCR no conduziria. J quando disparado o SCR se comportaria como um diodo ideal. Assim como os diodos, tais caractersticas seriam ideais e no se obtm na prtica. Os SCRs tm portanto, limitaes de bloqueio de tenso direta e reversa e apresentam fuga de corrente quando bloqueados. Quando habilitados tem limitaes de conduo de corrente e queda de tenso na barreira de potencial das junes causando aquecimento do componente.

Fig. 5

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Princpio de funcionamento Se entre anodo e catodo tivermos uma tenso positiva, as junes J1 e J3 estaro diretamente polarizadas, enquanto j2 estar inversamente polarizada. No haver conduo de corrente at que Vak se eleve a um valor de ruptura que provoque a ruptura da barreira de potencial em j2. Se Vgk for positiva, circular uma corrente atravs de J3, desta forma, a juno reversamente polarizada tem sua diferena de potencial diminuda e estabelece-se uma corrente entre anodo e catodo, que poder persistir mesmo sem a corrente de porta. Se Vak for negativa, J1 e J3 estaro reversamente polarizadas, enquanto J2 estar diretamente polarizada e o bloqueio do componente mantido. Disparo Existem vrias maneiras de disparar o SCR, sendo que a mais usual o disparo da corrente de porta. Aps entrar em conduo, mesmo com a retirada da corrente de porta, o tiristor permanecer conduzindo (desde que se mantenha a corrente mnima necessria para isso corrente de manuteno). A comutao ou desligamento do SCR pode ser natural (reduo da corrente de anodo a um valor abaixo da corrente de manuteno) ou forada (utilizada em circuitos CC por exemplo). Aplicaes A principal aplicao dos SCRs na converso e controle de grandes quantidades de potencia em circuitos CC e CA, utilizando uma pequena potncia de controle. 2.3 GTO Gate turn off thyristor

O GTO possui uma estrutura de 4 camadas tpica dos componentes da famlia dos tiristores . Sua caracterstica principal sua capacidade de entrar em conduo e bloquear atravs de comandos adequados no terminal do gate. O mecanismo de disparo semelhante ao SCR: supondo-o diretamente polarizado, quando a corrente do gate injetada, iniciada a circulao da corrente andica. Se esta corrente se manter acima da corrente de manuteno, o dispositivos no necessita de sinal de gate para manter-se conduzindo. A Fig. 7 mostra o smbolo do GTO e uma representao simplificada dos processos de entrada e sada de conduo do componente. A aplicao de uma polarizao reversa na juno gate-catodo pode levar ao desligamento do GTO. Aparentemente seria possvel tal comportamento tambm nos SCRs, as diferenas no entanto, esto no nvel da construo do componente. A curva caracterstica i-v para um GTO apresentada na Fig. 8.

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Fig. 8 2.4 Transistor bipolar de potncia - TBP

Embora seja um dispositivo tecnologicamente ultrapassado, os TBPs representaram um importante passo no desenvolvimento de componentes de mdia potncia atingindo tenses de bloqueio da ordem de 1000 V, conduzindo correntes de 500 A. A Fig. 9 mostra a estrutura bsica de um transistor bipolar de juno.

Fig. 9 A operao normal de um transistor npn feita com a juno J1 (BE) diretamente polarizada, e com J2 (BC) reversamente polarizada. O controle da tenso vbe determina a corrente de base que por sua vez se relaciona com Ic pelo ganho de corrente do dispositivo. A estrutura dos TBPs diferente, para suportar tenses elevadas, existe uma camada intermediria do coletor, com baixa dopagem , a qual define a tenso de bloqueio do componente. A Fig. 10 mostra uma estrutura tpica de um transistor bipolar de potencia.

Fig. 10 recomendvel que o TBP trabalhe sempre na rea de operao segura (AOS) para que ele no se danifique . O uso preferencial de TBP tipo NPN se deve s menores perdas em relao

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aos PNP, o que ocorre por causa da maior mobilidade dos eltrons em relao s lacunas, reduzindo, principalmente, os tempos de comutao do componente. Transistor de efeito de campo MOSFET O MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor) um semiconductor totalmente controlado, atravs de uma tenso aplicada entre gate e fonte. Atualmente no existem transistores MOSFET para aplicaes em potncias mais elevadas. Os componentes disponveis tem caractersticas tpicas na faixa de: 1000V/20A ou 100V/200A. Sua principal vantagem a facilidade de acionamento, feita em tenso, e a elevada velocidade de chaveamento, tornando-o indicado para as aplicaes de freqncia elevada (centenas de kHz). Para permitir a circulao de corrente no MOSFET necessrio aplicar uma tenso positiva na porta. Essa tenso ir atrair os eltrons da regio n+ para a regio do canal criando uma regio n entre fonte e dreno. Agora, se uma tenso vds for aplicada entre o dreno e a fonte haver um caminho para a circulao de corrente. 2.5

O valor de vgs mnimo para a formao do canal chamado de tenso de limiar. A caracterstica esttica do MODFET ilustrada na Fig. 12. A largura do canal depende da tenso vgs-vds. A medida que aumenta-se vds, o canal se torna mais estreito e sua resistncia aumenta correspondentemente.

Estes transistores, em geral, so de canal N por apresentarem menores perdas e maior velocidade de comutao, devido maior mobilidade dos eltrons em relao s lacunas. A mxima tenso Vds determinada pela ruptura do diodo reverso. Os MOSFETs no apresentam segunda ruptura uma vez que a resistncia do canal aumenta com o crescimento de Id. Este fato facilita a associao em paralelo destes componentes. A tenso Vgs limitada a algumas dezenas de volts, por causa da capacidade de isolao da camada de SiO2. Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT O IGBT alia a facilidade de acionamento dos MOSFET com as pequenas perdas em conduo dos TBP. Sua velocidade de chaveamento superior dos transistores bipolares. Os limites atuais de tenso e corrente em dispositivos nicos esto em torno de 2kV e 1000A, o que indica que tal componente pode ser utilizado (quando associado em srie ou em paralelo) em aplicaes de mdia potncia. 2.6

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A estrutura do IGBT similar do MOSFET, mas com a incluso de uma camada P+ que forma o coletor do IGBT, como se v na Fig. 13.

Fig. 13 O controle de componente anlogo ao do MOSFET, ou seja, pela aplicao de uma polarizao entre gate e emissor. Tambm para o IGBT o acionamento feito por tenso. A mxima tenso suportvel determinada pela juno J2 (polarizao direta) e por J1 (polarizao reversa). Como J1 divide 2 regies muito dopadas, conclui-se que um IGBT no suporta tenses elevadas quando polarizado reversamente. Os IGBTs apresentam um tiristor parasita. A construo do dispositivo deve ser tal que evite o acionamento deste tiristor, especialmente devido s capacitncias associadas regio P, a qual relaciona-se regio do gate do tiristor parasita. Os modernos componentes no apresentam problemas relativos a este elemento indesejado. A entrada em conduo similar ao MOSFET, sendo um pouco mais lenta a queda da tenso Vce, uma vez que isto depende da chegada dos portadores vindos da regio P+. A curva caracterstica i-v apresentada na Fig. 14.

Fig. 14 Concluso Neste texto buscou-se fazer um breve relato a respeito dos dispositivos semicondutores de potencia, suas caractersticas e princpios de operao. Estes componentes so de fundamental importncia em aplicaes de eletrnica de potencia, uma cincia que aborda a converso e controle de fluxo de energia eltrica entre dois ou mais sistemas distintos.

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3 Transistores. Transistores bipolares. Anlise para pequenos sinais. Operao como amplificador.
O transistor bipolar de juno TBJ um dispositivo semicondutor de trs terminais : a base, o coletor e o emissor. Em suma, a tenso de base controla o fluxo de corrente entre o coletor e o emissor. Ao longo deste texto ser apresentada a estrutura bsica do dispositivo, o princpio de funcionamento, alm da anlise para pequenos sinais e a operao como amplificador. Para um melhor entendimento o texto foi dividido em tpicos como segue. Estrutura do transistor e suas caractersticas O transistor um dispositivo semicondutor no qual existe uma camada tipo p entre duas tipo n ou uma camada tipo n entre duas tipo p. O primeiro tipo o npn e o ultimo o pnp. Os dois tipos de transistores bipolares so mostrados na Fig. 1

Fig. 1 A polarizao DC adequada se faz necessria para estabelecer a regio ideal de operao para a amplificao AC como ser mostrado mais a frente. Os terminais so normalmente indicados pelas letras maisculas E emissor, C coletor e B base. O fluxo de corrente nesses dispositivos ocorre do emissor para o coletor nos transistores pnp e do coletor para o emissor nos npn. Em funo dessa caracterstica, tem-se o smbolo usado para representar os transistores vistos na Fig.1, onde a seta no desenho indica o sentido do fluxo da corrente.

Para os dois transistores, a corrente que circula no emissor a soma da corrente na base mais a corrente no coletor. Ie=Ic+Ib Polarizao As formas como so polarizadas as junes emissor-base e coletor-base, direta ou reversa, so utilizadas para obter o modo de operao dos transistores. Modo Corte Ativo Saturao JEB Reversa Direta Direta JCB Reversa Direta Direta

O modo ativo aquele em que o transistor usado para operar como amplificador. As aplicaes de chaveamento utilizam os modos de corte e saturao. As conexes entre os terminais do transistor podem ser feitas em 3 configuraes: base comum, coletor comum e emissor comum, sendo que a ultima a mais freqentemente utilizada.

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3.1

O transistor como amplificador Para operar como amplificador, um transistor deve ser polarizado na regio ativa. O objetivo da polarizao estabelecer uma corrente CC constante no emissor (ou no coletor). Essa corrente deve ser previsvel e insensvel a variaes na temperatura. A necessidade de manter uma corrente constante no coletor provem do fato de que a operao do transistor como amplificador altamente influenciada pelo valor de polarizao da corrente. Para entender o funcionamento do transistor como amplificador, considere o circuito idealizado na Fig. 3. No circuito, a juno emissor-base est diretamente polarizada pela bateria VBE. A polarizao reversa da juno coletor-base estabelecida pela conexo da fonte DC de alimentao VCC atravs do resistor RC. O sinal de entrada a ser amplificado est representado pela fonte de tenso vbe. Para que o circuito opere no modo ativo, a tenso no coletor (VC) deve ser maior que a tenso na base (VB) por um valor que permita oscilaes com amplitude razoveis no sinal de coletor e ainda mantenha o transistor na regio ativa o tempo todo. Corrente de coletor e transcondutncia Quando o sinal vbe aplicado conforme indicado na Fig. 3, a tenso emissor-base instantnea total vBE torna-se: Se vbe << Vt feita a aproximao para pequenos sinais e a corrente no coletor (ic) pode ser escrita como:

Ic=corrente de polarizao Vt =tenso de limiar vbe=sinal aplicado Ic/Vt=Gm=transcondutncia Nos TBJs a transcondutncia diretamente proporcional a corrente de polarizao do coletor Ic. Logo, para obter um valor previsvel e constante para Gm, necessita-se um valor previsvel e constante de Ic. Uma interpretao grfica de Gm apresentada na Fig. 4.

Fig. 4

17

Na Fig. 4 ilustra-se a operao linear do transistor na condio de pequenos sinais: um sinal pequeno vbe com forma de onda triangular sobreposto q tenso CC VBE. Ela d origem ao sinal de corrente de coletor ic com forma de onda tambm triangular, sobreposta a corrente CC Ic.ic=Gm.vbe. A aproximao para pequenos sinais implica manter a amplitude do sinal suficientemente pequena de modo que a operao fique restrita ao seguimento linear da curva exponencial da Fig.4. Aumentar a amplitude do sinal resultar em uma corrente de coletor com componentes no-lineares. Conclui-se que para vbe<<Vt, o transistor se comporta como uma fonte de corrente controlada por tenso. Corrente de base e resistncia de entrada A resistncia de entrada para pequenos sinais entre base e emissor e a corrente de base, olhando para o terminal da base dado por:

Corrente de emissor e resistncia de entrada no emissor

A relao entre r e re dada por:

Ganho de tenso A excitao de um transistor por um sinal vbe na base-emissor faz com que uma corrente proporcional a gm .vbe circule pelo terminal de coletor em uma alta impedncia. Desse modo o transistor age como uma fonte de corrente controlada por tenso. Para obter um sinal de tenso na sada, deve-se forar a corrente a circular por um resistor, conforme ilustra a Fig. 3. O ganho de tenso desse amplificador :

Onde: vc=-ic.Rc=-gm.vbe.Rc A anlise para pequenos sinais Enquanto o transistor permanecer em operao para pequenos sinais possvel fazer a sua analise atravs de modelos equivalentes para pequenos sinais. Esses modelos so obtidos pelo teorema da superposio considerando apenas os efeitos das pequenas variaes de tenso e corrente. Na anlise em pequenos sinais, as fontes de tenso CC sero distribudas por curtos-circuitos, enquanto as fontes de corrente por circuitos abertos. So apresentados a seguir os modelos equivalentes para pequenos sinais, o modelo e o modelo T (so deduzidos para o transistor npn mas os conceitos valem para o pnp tambm). Modelo hbrido Esse modelo representa o TBJ como uma fonte de corrente controlada por tenso. Este o modelo mais utilizado para o TBJ. Um modelo equivalente ligeiramente diferente pode ser obtido expressando se a corrente da fonte controlada em termos da corrente de base. 3.2

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Modelo T Embora o modelo seja satisfatrio para a maior parte das anlises, h algumas situaes em que o modelo T mais apropriado. Assim como para o modelo , no modelo T, o TBJ pode ser representado por uma fonte de corrente controlada por tenso ou por uma fonte de corrente controlada por corrente.

Diferente do modelo -hibrido, o modelo T mostra explicitamente a resistncia de emissor re, enquanto o -hibrido mostra a resistncia de base r. Tanto o modelo -hibrido, quanto o modelo T rendem bons resultados, porm se maior preciso for requerida aconselhvel o uso do modelo -hibrido expandido. Nesse modelo considera-se a presena do Efeito Early. Este efeito faz com que a corrente de coletor dependa no apenas de vBE, mas tambm de vCE. A dependncia de vCE pode ser modelada atribuindo-se uma resistncia finita na sada da fonte de corrente controlada do modelo -hibrido. Modelo -hibrido expandido (sedra antigo)

Va tenso Early Ic corrente de polarizao CC O modelo -hibrido para altas freqncias Quando o transistor trabalha em altas freqncias necessrio considerar os efeitos capacitivos do modelo. Especificamente, h duas capacitncias: a de emissor-base (c) e a de coletor-base (C). O circuito do modelo -hibrido para altas freqncias apresentado na Fig. 8.

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Fig. 8 Conhecidos os modelos equivalentes para pequenos sinais, sua aplicao para a anlise do TBJ em operao com pequenos sinais faz da analise de circuitos amplificadores com transistores um processo sistemtico. O processo consiste nos seguintes passos. 1 Determinar o ponto de operao CC do TBJ e em particular o valor de Ic. 2 Calcular os parmetros gm, r e re. 3 Eliminar as fontes CC substituindo: a fonte de tenso CC por curto e a fonte de corrente CC por circuito aberto. 4 Substituir o TBJ pelo modelo equivalente mais adequado. 5 Anlise do circuito resultante para determinar as grandezas de interesse.

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4 Transistores de efeito de campo (FET). Transistores MOS. Polarizao, amplificadores e caractersticas de ganho e freqncia. Amplificadores de sinais de potncia.
O transistor de efeito de campo FET (Field Effect Transistor), um dispositivo de trs terminais. Assim como o TBJ (transistor bipolar de juno) a tenso entre dois terminais do FET controla a corrente que circula no terceiro terminal. Correspondentemente, o FET pode ser usado tanto como amplificador quanto como chave. Um tipo particular de FET, o transistor de Efeito de campo tipo metal oxido semicondutor(MOSFET) tornou-se extremamente popular. Comparado aos TBJs os transistores MOS podem ser feitos com dimenses muito pequenas e seu processo de fabricao relativamente simples. Devido a esses fatores entre outros, atualmente a tecnologia MOS tem sido aplicada extensivamente ao projeto de circuitos integrados analgicos e digitais. Estrutura e operao do MOSFET tipo enriquecimento A Fig. 1 mostra a estrutura fsica de um MOSFET tipo enriquecimento canal n. O transistor fabricado sobre um substrato tipo p, onde so criadas duas regies fortemente dopadas tipo n (fonte S e dreno D). Uma fina camada de dixido de silcio (isolante) crescida sobre a superfcie do substrato, cobrindo a rea entre as regies de fonte e dreno. So feitos contatos de metal para as regies de fonte, dreno, porta e corpo. A principal caracterstica do MOSFET que uma tenso na porta controla o fluxo de corrente entre a fonte e o dreno. Na ausncia de uma tenso de porta, h dois diodos face a face em srie entre fonte e dreno que impedem a circulao de corrente do dreno para a fonte quando aplicada uma tenso vds. Para permitir a circulao de corrente, necessrio aplicar uma tenso positiva na porta. Essa tenso ir atrair os eltrons da regio n+ para a regio do canal, criando uma regio n entre fonte e dreno. Agora, se uma tenso vds for aplicada entre dreno e fonte, haver um caminho para a circulao de corrente (Fig. 2). 4.1

Fig. 2 O valor de vgs mnimo para a formao de canal chamado de tenso de limiar (Threshold) e representado por Vt. Para um FET canal n, Vt positivo e tipicamente est dentro de uma faixa de 1 a 3 V. A porta e o corpo do MOSFET formam um capacitor de placas paralelas com a camada de xido agindo como dieltrico do capacitor. A tenso positiva na porta faz com que cargas positivas se acumulem na parte de cima da placa do capacitor. A carga negativa corresponde placa de baixo e formada pelos eltrons do canal induzido. Portanto, um campo eltrico est atuando na direo vertical. esse campo que controla a quantidade de carga no canal. Logo, ele determina a condutividade e, por sua vez a corrente que circular pelo canal quando vgs for aplicada.

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Aumento de vds Mantendo-se vgs constante, com um valor maior que Vt e aumentando-se vds observa-se que o canal induzido sofre um estreitamento e sua resistncia aumente correspondentemente. Se vds continuar aumentando a profundidade do canal no final do dreno diminui at prximo de zero e dizemos que o canal est estrangulado (Fig. 3).

Fig. 3 O grfico da Fig. 3 apresenta o comportamento de iD versus vds. Na curva so identificadas duas regies: triodo e saturao.Se no houver a formao de canal, diz-se que o transistor est em corte. O MOSFET tipo depleo Sua estrutura similar a do MOSFET tipo enriquecimento, com uma diferena importante,: ele possui um canal implantado fisicamente. Portanto, se a tenso vds for aplicada entre dreno e fonte, circular corrente iD com vgs=0. Em outras palavras, no h necessidade de induzir um canal. A profundidade do canal e portanto sua condutividade podem ser controladas por vgs, exatamente do mesmo modo para o dispositivo tipo enriquecimento. O MOSFET como amplificador Para entender o funcionamento do MOSFET como amplificador consideramos o circuito amplificador conceitual da Fig. 4. Ele utiliza um MOSFET tipo enriquecimento polarizado por uma tenso VGS, com o sinal de entrada a ser amplificado vgs, superposto VGS. A tenso de sada tomada no dreno. 4.3 4.2

Fig. 4 Para que o MOSFET possa operar como amplificador, inicialmente ele deve ser polarizado em um ponto dentro da regio de saturao. Ponto de polarizao CC Fazendo vgs=0 encontra-se a corrente de dreno atravs de:

22

A tenso CC no dreno, VDS ou simplesmente VD (j que S aterrado), ser:

Para garantir a operao na regio de saturao devemos ter:

Sinal de corrente no terminal do dreno Considerando o sinal vgs aplicado, a tenso instantnea porta-fonte ser:

por:

Na condio de pequenos sinais, a corrente de dreno instantnea total iD pode ser expressa

Onde id dado por:

O parmetro que relaciona id com vgs a transcondutncia gm dada por:

A Fig. 6 apresenta uma representao grfica da operao em pequenos sinais para o amplificador MOSFET tipo enriquecimento.

Fig. 6

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Ganho de tenso O ganho de tenso no amplificador dado por:

Para o amplificador da Fig. 4 apresenta-se as tenses instantneas vgs e VD. A fim de garantir a operao linear, necessrio que o sinal de entrada vgs tenha amplitude menor que 2(VGS-Vt) que a condio para pequenos sinais. Para operar na regio de saturao o tempo todo, o valor mnimo de Vd no deve ser menor do que o valor correspondente de vG acima de Vt. Alm disso, o valor mximo de vD deve ser menor que VDD.

Fig. 7 Quando o MOSFET opera na regio de saturao, tambm atua como fonte de corrente controlada por tenso: mudanas na tenso porta-fonte vGS do lugar a correspondentes mudanas na corrente de dreno iD. Conseqentemente, o MOSFET saturado pode ser utilizado para implementar um amplificador de transcondutncia. Para obter uma amplificao linear a partir de um dispositivo no linear que o transistor, utiliza-se a polarizao em CC do MOSFET. Para operar em certo vGS apropriado e um correspondente ID , e ento superpor o sinal de tenso a ser amplificado vgs sobre a tenso de polarizao CC VGS. Polarizao de circuitos amplificadores MOSFET A polarizao consiste no estabelecimento de um ponto de operao CC apropriado. Este ponto caracterizado por uma corrente de dreno ID previsvel e estvel e uma tenso de CC de dreno-fonte que determine a operao no modo de saturao quaisquer que sejam os nveis de sinal de entrada esperados. Polarizao de amplificadores discretos A Fig. 8 mostra um arranjo de polarizao muito empregado quando o circuito 4.4

24

alimentado com uma nica fonte de alimentao. O divisor de tenso (RG1 e RG2) estabelece uma tenso fixa na porta e o resistor de antipolarizao RS est conectado fonte. RD deve ser o menor possvel para se obter elevado ganho, mas pequeno suficiente para permitir uma larga excurso do sinal de dreno mantendo o MOSFET na saturao.

Fig. 8

Fig. 9

Quando duas fontes de alimentao so disponveis a montagem de polarizao apresentadas na Fig. 9 pode ser empregada. O circuito tem o mesmo princpio de funcionamento do circuito da Fig. 8. RG estabelece um terra CC na porta e ao mesmo tempo resistncia de entrada para uma possvel fonte de sinal capacitivamente acoplado a porta. Na Fig. 10 so apresentadas outras duas configuraes. Em Fig. 10a uma fonte de corrente constante I conectada ao terminal de fonte e estabelece I=ID. J o circuito da Fig. 10b emprega um circuito de realimentao RG que fora a tenso CC na porta a ser igual a do dreno.

Fig. 10a

Fig. 10b

Polarizao de amplificadores em CIs Os circuitos mostrados anteriormente no so adequados para a polarizao de amplificadores MOS em CIs, devido ao fato de fazerem extensivo uso de resistores. Diante desses fatores, o circuito conhecido como espelho de corrente amplamente utilizado para a polarizao de amplificadores MOS em CIs. Quando dois transistores do circuito so idnticos, a corrente de referencia replicada no terminal de sada (Iref=Io). O ganho de corrente ou razo de transferncia descrito pela equao abaixo (I=ID2).

25

4.5

Amplificadores MOS de estgio simples

Amplificador Fonte comum a mais amplamente utilizada de todos os circuitos amplificadores de MOSFET. Para fixar a fonte um terra para sinal ou um terra CA, utilizado um capacitor de alto valor Cs, entre fonte e terra. Esse capacitor necessrio para prover uma impedncia muito baixa em todas as freqncias de interesse. O amplificador FC tambm pode vir acompanhado de uma resistncia de fonte Rs. Essa resistncia pode ser utilizada para controlar a amplitude do sinal vgs. Ambas as configuraes so apresentadas a seguir:

Fonte comum Rin=RG Av=-gm.(ro||RD||RL) Rout=ro||RD

Fonte comum com resistncia Rout=RD

Modelo para pequenos sinais. Caracterstica inversora Amplificador porta comum Se estabelecermos um terra para sinal no terminal de porta do MOSFET obtida a configurao porta-comum.

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Rin=1/gm Av=gm.(RD||RL) Rout=RD

No inversor. Rin baixa. Atua como amplificador de corrente com ganho unitrio. Modelo T. Desconsiderar ro. Amplificador dreno comum O terra para sinal estabelecido no dreno. Conhecido popularmente como seguidor de fonte. Conhecido popularmente como seguidor de fonte. O amplificador seguidor de fonte apresenta uma resistncia de entrada muito alta, resistncia de sada baixa e ganho de tenso menor, mas muito prximo da unidade. Utilizado normalmente como um amplificador casador de tenso com ganho unitrio.

Rout=RO||1/gm1/gm

Tabela resumo:

27

4.6

Resposta em freqncia do amplificador FC O ganho do amplificado FC dependente da freqncia do sinal de entrada. Um esboo da resposta em freqncia para o amplificador mostrado na Fig. 15. Para o amplificador FC, o ganho praticamente constante na faixa de freqncias mdias. A queda do ganho na faixa de baixas freqncias decorrente do fato que, embora Cc1, Cc2 e Cs sejam capacitores elevador, medida que a freqncia do sinal reduzida, as impedncias dos capacitores aumentam e eles deixam de funcionar como curtos-circuitos. Por outro lado, a queda no ganho na faixa de altas freqncias deve-se ao fato de que, embora Cgs e Cgd (capacitncias internas do MOSFET) sejam pequenas, suas impedncias diminuem substancialmente em altas freqncias e no podem mais ser considerados circuitos abertos. Obviamente, a faixa de freqncias mdias a faixa til de operao do amplificador. fL e fH so as freqncias em que o ganho cai 3dB abaixo de seu valor na faixa de freqncias mdias. A faixa de passagem definida por: BW=fH-fL

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29

5 Tipos de comutao. Conversores CC/CC. Conversores CC/CA. Conversores CA/CC. Comutao no dissipativa. Consideraes de projetos: proteo de dispositivos e circuitos de comando. Proteo e comutao de tiristores.
A Eletrnica de potencia a cincia que se ocupa do processamento da energia eltrica visando obter maior eficincia e qualidade. Os mtodos empregados na eletrnica de potencia baseiam-se na utilizao de dispositivos semicondutores operados em regime de chaveamento para realizar o controle de fluxo de energia e a converso de formas de onda de tenses e correntes entre fontes e cargas. O condicionamento de energia eltrica feito por meio de circuitos eletrnicos chamados de conversores estticos que permitem converter a energia eltrica em corrente alternada para corrente continua e vice-versa. O presente texto tem como objetivo fazer um breve relato respeito dos conversores estticos de potencia, bem como algumas consideraes de projeto como a proteo e circuitos de comando de dispositivos semicondutores. A Fig. 1 mostra um esquema onde so identificados os principais tipos de conversores estticos.

Fig. 1 5.1 Conversores CC/CC Este tipo de conversor aplicado em situaes onde a fonte de alimentao disponvel em corrente continua e a carga necessita de uma tenso CC varivel. A tenso fixa convertida em uma tenso CC varivel atravs de tcnicas de modulao por freqncia ou por largura de pulso (mais utilizada). Os conversores CC-CC podem ser comparados a um transformador CA com relao de espiras continuamente varivel, permitindo assim, elevar ou abaixar a tenso que aplicada na carga.

Os conversores CC-CC podem ser classificados em abaixadores e/ou elevadores de tenso. Entre as vrias topologias de conversores CC-CC (Buck, Boost, Buck-boost, Forward, Flyback, etc.) apresenta-se como exemplo o conversor Buck ilustrado na Fig. 2

Fig. 2 O conversor Buck um abaixador de tenso muito utilizado devido as boas caractersticas obtidas. Seu funcionamento baseia-se, no armazenamento de energia em um indutor sob forma

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de corrente (a mesma corrente que circula pela carga) e com tenso de sada dependente da largura dos pulsos da chave S. Conversores CC/CA Inversores O conversor CC/CA tem como objetivo converter a tenso continua (CC) em uma tenso alternada (CA) com freqncia e amplitude desejada. Os inversores tem ampla aplicao no controle de motores de corrente alternada, aquecimento indutivo, sistemas no-break e sistemas de potencia. Podem aparecer em duas topologias, meia ponte e ponte completa. A Fig. 3 mostra o circuito simplificado de um conversor CC/CA monofsico de ponte completa. 5.2

Fig.2 O funcionamento do conversor CC/CA baseia-se no chaveamento dos IGBTs vrias vezes por ciclo gerando um trem de pulsos. Imagine que o circuito de lgica de controle que aciona os IGBTs, ligue-os de 2 a 2 na seguinte ordem: - Primeiro tempo: T1 e T4 ligados, T3 e T2 desligados . Nessa situao, T1 e T4 conduzem, e a tenso VCC aplicada carga. A corrente circula do ponto B para o ponto A. O resultado dos chaveamentos uma onda quadrada de magnitude VCC na carga. VAB=VAO-VBO Caso aumente-se a freqncia de chaveamento dos IGBTs, tambm aumenta a freqncia da tenso alternada na carga. Como os transistores operam como chaves (corte ou saturao) a forma de sada do inversor senoidal e contem certas harmnicas. Na prtica, o uso da modulao por largura de pulso (PWM) torna a tenso de sada mais prxima da senoidal. A estrutura para um conversor CC/CA trifsico pode ser obtida pelo acrscimo de mais uma perna no inversor da Fig. 3. Conversores CA/CC Retificadores O fornecimento de energia eltrica feito essencialmente a partir de uma rede de distribuio em corrente alternada, no entanto, em algumas aplicaes, a carga exige uma tenso continua. A converso CA/CC realizada por conversores chamados retificadores. 5.3

Os retificadores so classificados segundo a sua capacidade de ajustar o valor da tenso

31

de sada (controlado X no controlado); de acordo com o nmero de fases da tenso alternada de entrada; e em funo do tipo de conexo dos elementos retificadores (meia ponte X ponte completa). Os retificadores no controlados so aqueles que utilizam diodos como elemento de retificao, enquanto os controlados usam tiristores ou transistores. A titulo de exemplo, apresenta-se na Fig. 5, uma ponte retificadora tiristorizada monofsica alimentando uma carga resistiva. No primeiro semi-ciclo da tenso Vin, os tiristores T1 e T4 estaro diretamente polarizados aguardando que o sinal de disparo seja aplicado no gate. Aps o ngulo de disparo , os tiristores entram em corte e a corrente para de fluir pelos dispositivos. Nesse instante, T2 e T3 so polarizados diretamente possibilitando a entrada em conduo. Na Fig. 5(b) so apresentadas as formas de onda Vin e Vo. Comutao no dissipativa Os conversores apresentados as sees anteriores tem o principio de funcionamento baseado na utilizao de dispositivos semicondutores operando em regime de chaveamento. Nas topologias em que as chaves semicondutoras comutam a corrente total da carga a cada ciclo, elas ficam sujeitas a picos de potencia que colaboram para o stress do componente, reduzindo a vida til do mesmo. Quando se aumenta a freqncia de chaveamento buscando reduzir o tamanho dos elementos de filtragem e dos transformadores, as perdas de comutao se tornam mais significativas, sendo em ultima anlise , as responsveis pela freqncia mxima de operao dos conversores. Por outro lado, caso a mudana de estado das chaves ocorra quando tenso e/ou corrente por elas for nula, o chaveamento se faz sem dissipao de potencia. Algumas topologias bsicas possibilitam a comutao no dissipativa. Nos conversores ressonantes a carga vista pelo conversor formada por um circuito ressonante e uma fonte de tenso e corrente. O dimensionamento adequado do par L/C faz com que a corrente e/ou a tenso se invertam, permitindo o chaveamento dos interruptores em situao de corrente e/ou tenso nulas, eliminando as perdas de comutao. Um exemplo de conversor ressonante com carga em srie (SRL) apresentado na Fig.6. 5.4

Fig. 6 Nos conversores quase ressonantes procura-se associar as tcnicas de comutao suave presentes nos conversores ressonantes s topologias usualmente empregadas em fontes (Buck, boost, cuk, etc). Os conversores quase ressonantes associam as chaves semicondutoras a um circuito ressonante (composto por um indutor e um capacitor) de modo que as mudanas de estado das chaves ocorram sempre sem dissipao de potncia, seja pela anulao da corrente (ZCS: zero current switch), seja pela anulao da tenso (ZVS: zero voltage switch). A Fig. 6 mostra estruturas das chaves ressonantes, as quais, substituindo os interruptores nas topologias bsicas, permitem oper-los sempre em comutao suave.

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Fig. 7 Se os interruptores so implementos de forma que seja possvel a passagem da corrente apenas num sentido, ele dito de meia onda. Se a corrente poder circular com ambas as polaridades, tem-se o interruptor de onda completa. Na Fig. 7 apresenta-se os circuitos do conversor Buck convertido para operar com ZCS e ZVS. Note que a nica alterao a substituio do interruptor simples pelos interruptores descritos anteriormente.

Fig.8 Proteo de dispositivos e circuitos de comando Os circuitos de comando devem proporcionar aos semicondutores o sinal adequados e no instante desejado para que esses componentes entrem em conduo corretamente. Para os tiristores entrem, por exemplo, existem requisitos fundamentais para o projeto do circuito de comando e disparo. - O sinal do gatilho deve ter amplitude adequada e tempo de subida curto. - A largura do pulso de gatilho deve ser maior que o tempo necessrio para a corrente anodo-catodo passar o valor da corrente de reteno. - O sinal de gatilho deve ser removido aps o disparo (evitar perdas). - Quando reversamente polarizado desaconselhvel haver sinal de gatilho. - Em circuitos 3 garantir a defasagem de 120 nos sinais. Basicamente, existem 3 tipos de sinais de disparo: sinais AC, sinais CC e sinais pulsados. A partir de uma avaliao do tipo de circuito decide por um dos 3 mtodos. Proteo Em circuitos tiristorizados existem diferentes tenses em diversos pontos. O circuito de potencia que o tiristor controla submetido a tenses elevadas, j o circuito do controle do disparo alimentado com baixas tenses. Portanto, necessrio um circuito que isole eletricamente o tiristor e seu circuito de controle e os mantenha acoplados. A isolao e o acoplamento podem ser feitos por: Acopladores magnticos: transformadores de pulso Acopladores pticos: opto acopladores 5.5

33

Os circuitos de disparo e os acopladores devem ser conectados aos gatilhos dos tiristores atravs de um ou mais componentes de proteo. A fig. 8 apresenta um circuito com os componentes de proteo do gatilho do SCR.

Fig. 8 Rgk: reduz tempo de desligamento e aumenta correntes de reteno e manuteno. Dgk: proteger o gatilho contra tenses negativas. Cgk: remove componentes de rudos de alta freqncia R1: limita a corrente de gatilho D1: garante a unidirecionalidade da corrente de disparo.

34

6 Retificadores, chaveadores e inversores. Operao em onda quadrada e PWM

A Eletrnica de potencia a cincia que se ocupa do processamento da energia eltrica visando obter maior eficincia e qualidade. Os mtodos empregados na eletrnica de potencia baseiam-se na utilizao de dispositivos semicondutores operados em regime de chaveamento para realizar o controle de fluxo de energia e a converso de formas de onda de tenses e correntes entre fontes e cargas. O condicionamento de energia eltrica feito por meio de circuitos eletrnicos chamados de conversores estticos que permitem converter a energia eltrica em corrente alternada para corrente continua e vice-versa. Este texto tem como objetivo fazer um breve relato a respeito dos conversores estticos de potencia e sua operao em onda quadrada e pwm. A Fig. 1 mostra um esquema onde so identificados os principais tipos de conversores estticos.

Fig. 1 Conversores CA/CC - Retificadores O fornecimento de energia eltrica feito essencialmente a partir de uma rede de distribuio em corrente alternada, no entanto, em algumas aplicaes, a carga exige uma tenso continua. A converso CA/CC realizada por conversores chamados retificadores. Os retificadores so classificados segundo a sua capacidade de ajustar o valor da tenso de sada (controlado X no controlado); de acordo com o nmero de fases da tenso alternada de entrada (monofsico, trifsico, hexafsico, etc); e em funo do tipo de conexo dos elementos retificadores (meia ponte X ponte completa). Os retificadores no controlados so aqueles que utilizam diodos como elemento de retificao, enquanto os controlados usam tiristores ou transistores. Usualmente topologias em meia ponte no so aplicadas. A principal razo que, nesta conexo, a corrente mdia da entrada apresenta um nvel mdia diferente de zero. Topologias de ponte completa absorvem uma corrente mdia nula da rede, no afetando assim elementos eletromagnticos. A Fig. 2 mostra um retificador monofsico no controlado de ponte completa. 6.1

Fig. 2

35

Durante os semi-ciclos positivos da tenso de entrada, Vsin positivo e a corrente conduzida por D1, o resistor R e diodo D4. Enquanto isso D2 e D3 esto em estaro reversamente polarizados. No semi-ciclo negativo, ocorrer a situao inversa, D2 e D3 conduziro enquanto D1 e D4 estaro em corte. No retificador no controlado a amplitude da tenso de sada CC determinada pela amplitude da tenso de alimentao CA. Como pode observar-se na Fig. 2, a sada CC no pura e contm componentes CA significativas, as quais recebem o nome de ondulao. Para elimin-la costuma-se inserir um filtro depois do retificador. Quando necessria a obteno de uma tenso de sada CC varivel preciso substituir os diodos por SCRs. Com essa substituio obtm-se o retificador controlado ou retificador controlado por fase. Este circuito produz uma tenso CC varivel cuja amplitude obtida por meio de controle de fase, isto , com o domnio do perodo de conduo, variando o ponto no qual um sinal na porta aplicado ao SCR. Ao contrrio do diodo, o SCR no conduz automaticamente quando diretamente polarizado, para tanto, um pulso dever ser aplicado porta. Se o tempo de retardo do pulso na porta for ajustado, e esse processo for executado repetidamente, ento, a sada do retificador poder ser controlada. Um retificador de onda completa em ponte apresentado na Fig. 3.

Fig. 3 Os SCRs disparam aos pares, com um ngulo de retardo igual a . A estrutura para um retificador trifsico pode ser obtido pelo acrscimo de mais uma perna no retificador. Os retificadores controlados fornecem potencia CC para vrias aplicaes, como controle de velocidade para motores CC, carregadores de bateria e transmisso CC em alta tenso. 6.2 Conversores CC/CA - Inversores Os inversores so circuitos estticos (isto , no tem partes mveis) que convertem potencia CC em potencia CA com freqncia e tenso ou corrente de sada desejada. A tenso de sada tem uma forma de onda peridica que, embora no senoidal, pode, com uma boa aproximao chegar a tal. H vrios tipos de inversores, classificados de acordo com o numero de fases, com a utilizao de semicondutores de potencia, com os princpios de comutao e com as formas de onda da sada. Esses dispositivos so usados em muitas aplicaes industriais, incluindo controles de velocidade para motores sncronos e de induo, aquecimento por induo, fontes de alimentao de funcionamento continuo (UPS) e transmisso em alta tenso. O funcionamento de um inversor bsico pode ser entendido atravs do circuito em meia ponte mostrado na Fig. 4.

36

Fig. 4 As chaves S1 e S2 ligam e desligam a fonte CC carga de modo alternado, o que produz uma forma de onda retangular CA.

Estado 1 2 3 4

S1 + +

S2 + +

Tenso de sada +E 0 -E 0

Os inversores de fonte de tenso VSI so os mais usados. Neles, a tenso da fonte de entrada CC essencialmente constante e independente da corrente puxada pela carga. A tenso de entrada CC pode vir de uma fonte independente, como uma bateria, ou pode ser a sada de um retificador controlado. Um capacitor de valor grande colado em paralelo com a entrada da linha CC para o inversor. O capacitor garante que os eventos de chaveamento no alterem de modo significativo a tenso CC. Ele carrega e descarrega, de acordo com a necessidade de fornecimento de uma sada estvel. O inversor converte a tenso de entrada CC em uma onda quadrada CA na sada da fonte. Um VSI em ponte completa apresentado na Fig. 5. As chaves so passadas para os estados ligado e desligado por pares em diagonal. Assim, ou as chaves S1 e S4 ou S2 e S3 vo para o estado ligado em um semi-ciclo (T/2). Portanto, a fonte CC fica ligada de maneira alternada carga, em direes opostas. A freqncia de sada controlada pelo abrir e fechar das chaves.

37

Estado 1 2 3 4 6.3

S1 On Off On Off

S2 Off On Off On

S3 Off On Off On

S4 On Off On Off

Tenso de sada +E -E +E -E

Modulao em onda quadrada As leis de modulao so numerosas, a mais simples talvez seja a que produz uma onda retangular, numa freqncia constante (eventualmente at zero sinal CC), porm ajustvel. Uma tenso positiva aplicada carga quando S1 e S4 conduzirem. A tenso negativa obtida complementarmente. O papel dos diodos associados s chaves garantir um caminho para a corrente caso a carga apresente caracterstica indutiva. Este tipo de modulao no permite o controle da amplitude nem o valor eficaz da tenso de sada, a qual poderia ser variada apenas se a tenso de entrada E fosse ajustvel. Uma alternativa para ajustar o valor eficaz da tenso de sada e eliminar algumas harmnicas a chamada onda quase quadrada, na qual se mantm um nvel de tenso nulo sobre a carga durante certo perodo (Fig. 5b). Modulao por largura de pulso PWM Outra forma de obter sinal alternado em baixa freqncia atravs de uma modulao em alta freqncia. De maneira anloga, possvel obter esse tipo de modulao ao se comparar uma tenso de referencia (que seja imagem da tenso de sada buscada), com um sinal triangular simtrico, cuja freqncia determine a freqncia de chaveamento. A freqncia da onda triangular (chamada portadora) deve ser, no mnimo 10 vezes superior mxima freqncia da onda de referencia, para que se obtenha uma reproduo aceitvel do sinal de referencia, agora modulado, na forma de onda sobre a carga, aps efetuada a adequada filtragem. A largura do pulso de sada do modulador varia de acordo com a amplitude relativa da referencia em relao com a portadora (triangular). Tem-se, assim, uma modulao por largura de pulso , denominada, em ingls como Pulse Width Modulation (PWM). A tenso de sada que aplicada a carga formada por uma sucesso de ondas retangulares de amplitude igual a tenso de alimentao CC e durao varivel (Fig. 6). 6.4

Fig. 6 possvel ainda, obter uma modulao a 3 nveis (positivo, negativo e zero). Este tipo de modulao apresenta menor contedo harmnico. A gerao de um sinal de 3 nveis feita de acordo com a seguinte seqncia. - Durante o semi-ciclo positivo, S1 permanece sempre ligado; - O sinal PWM enviado a S4 e o mesmo sinal barrado enviado a S2. - No semi-ciclo negativo, que permanece conduzindo S3. - O sinal PWM enviado a S2 e o sinal barrado vai para S4.

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Fig. 7 Conversores CC/CC Este tipo de conversor aplicado em situaes onde a fonte de alimentao disponvel em corrente continua e a carga necessita de uma tenso CC varivel. A tenso fixa convertida em uma tenso CC varivel atravs de tcnicas de modulao por freqncia ou por largura de pulso (mais utilizada). Os conversores CC-CC podem ser comparados a um transformador CA com relao de espiras continuamente varivel, permitindo assim, elevar ou abaixar a tenso que aplicada na carga. O valor mdio da tenso de sada varia quando se altera a proporo do tempo no qual a sada fica ligada entrada. Essa converso pode ser obtida pela combinao de um indutor e/ou capacitor e um dispositivo de estado slido que opere no modo de chaveamento em alta freqncia. H duas espcies fundamentais de conversores CC/CC: step-down ou Buck e step-up ou boost. O Buck fornece uma tenso de sada menos ou igual a tenso de entrada; o boost fornece tenso de sada maior ou igual a entrada. As aplicaes tpicas para os conversores CC/CC incluem controle de motores CC para trao eltrica., chaveamento de alimentadores de potencia eltrica e equipamentos operados por bateria. 6.5 Conversor Buck

Fig. 8 Com a chave conduzindo (diodo cortado), transfere-se energia da fonte para o indutor e para o capacitor. Quando S desliga, o diodo conduz, dando continuidade corrente no indutor. A energia armazenada em L entregue ao capacitor e a carga. Enquanto o valor instantneo da corrente pelo indutor for maior que a corrente na carga, a diferena carrega o capacitor. Quando a corrente for menor, o capacitor se descarrega suprindo a diferena a fim de manter constante a corrente na carga. Se a corrente pelo indutor no vai a zero durante a conduo do diodo diz-se que o circuito opera no modo de conduo contnuo. Caso contrrio tem-se o modo descontnuo. O conversor Buck um abaixador de tenso muito utilizado devido as boas caractersticas obtidas. Conversor Boost Quando S ligada, a tenso E aplicada ao indutor. O diodo fica reversamente polarizado (pois Vo>E). Acumula-se energia em L, a qual ser enviada ao capacitor e carga quando S desligar. Tambm neste caso, tem-se a operao no modo continuo e descontinuo.

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Fig. 9 Tanto o conversor Buck quanto o boost, tem a tenso de sada dependente da largura dos pulsos na chave S. A tcnica de chaveamento mais utilizada a PWM e feita de forma similar apresentada para o conversor CC/CA. A diferena que para os conversores CC/CC a onda de referencia uma onda CC. Um circuito simplificado para o controle da tenso de sada de um conversor Buck atravs da modulao por largura de pulso apresentado na Fig. 10 Fig. 10

40

7 Harmnicos e filtros. Filtros ativos e aspectos frequenciais, filtros butterworth, filtros chebyshev. Implementao de filtros e resposta em freqncia.
Os filtros separam sinais desejados de sinais indesejados, bloqueiam sinais de interferncia, fortalecem sinais de voz e vdeo e alteram sinais para outras evolues. Um filtro deixa passar uma banda de freqncias e rejeita outra. Caractersticas dos filtros ativos e seus aspectos relevantes. A tecnologia mais antiga para a execuo de filtros, faz uso de indutores e capacitores e os circuitos resultantes so chamados de filtros passivos LC. Esses filtros funcionam bem em altas freqncias, porm, em aplicaes de baixas freqncias (at 100 kHz), os indutores necessrios so volumosos e suas caractersticas no so ideais. Alm disso, esses indutores no podem ser produzidos na forma monoltica (em CIs) e so incompatveis com quaisquer tcnicas modernas de montagem de sistemas eletrnicos. Portanto, o interesse em obter filtros que no necessitam de indutores considervel. Dos vrios tipos possveis de filtros sem indutores, iremos ver com detalhes os filtros ativos RC e os filtros com capacitores chaveados. Os filtros ativos RC utilizam amp ops junto com resistores e capacitores e so fabricados usando a tecnologia discreta, a tecnologia hbrida de filmes espessos ou a tecnologia hbrida de filmes finos. Contudo, para a produo em alta escala, essas tecnologias no so to econmicas quanto as obtidas pela fabricao monoltica. Em contrapartida, uma excelente alternativa para as aplicaes que necessitam de um baixo custo, o mtodo de capacitores chaveados. Essa topologia utiliza apenas capacitores, de forma a reproduzir o comportamento de resistores, tornando a partilha de circuito integrado menor. Os filtros, de uma forma geral, so utilizados com o intuito de selecionar certas freqncias, que so as freqncias de interesse para uma determinada aplicao, e esto dentro da faixa especificada do espectro de freqncias. 7.1.1 Transmisso e funo de transferncia de filtros 7.1

A funo de transferncia do filtro dada por:

A transmisso do filtro representada em termos de seu mdulo e fase por:

O mdulo da amplitude sempre expresso em dB em termos da funo de ganho: Ou alternativamente pela funo de atenuao:

7.1.2

Tipos de filtros e caractersticas ideais Cada filtro tem idealmente uma faixa de freqncia (ou faixas) na qual o mdulo da amplitude unitrio (faixa de passagem) e a faixa de freqncias (ou faixas) na qual o mdulo da transmisso zero (faixa de bloqueio). Na Fig. 1, temos uma representao dos quatro tipos principais de filtros: passa-baixas (PB), passa-altas (PA), passa-faixa (PF) e rejeita-faixas (RF).

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Essas caractersticas idealizadas, em virtude de suas bordas verticais, so conhecidas como respostas tipo barreira. Especificao de um filtro As respostas ideais apresentadas anteriormente so impossveis de realizar em circuits prticos. A especificao de um filtro deve ser feita com base em parmetros que determinam uma transmisso aceitvel para o filtro, que pode aproximar-se mais ou menos do caso ideal. No entanto, quanto mais se pretender um filtro prximo do ideal, mais complexo ser o circuito eletrnico respectivo. A transmisso de um filtro passa-baixo por exemplo especificada com 4 parametros: 1 borda da faixa de passagem, wp 2 variao mxima permitida na transmisso da faixa de passagem, Amax 3 borda da faixa de bloqueio, ws 4 atenuao mnima necessria para a faixa de bloqueio. 7.1.3

As especificaes para os outros tipos de filtros so feitas com base em parmetros

42

anlogos. Como na prtica, um circuito fsico no pode mudar abruptamente na faixa de passagem, as especificaes da Fig. anterior apresentam uma faixa de freqncias na qual a atenuao aumenta de cerca de 0dB a Amin. Essa faixa de transio se estende de wp a ws. A razo de ws/wp usada como medida da nitidez do filtro passa-baixas e chamada de fator de seletividade. Quanto mais rigorosa for a especificao de um filtro, mais prxima ser a resposta desse filtro da ideal. Porm, o circuito do filtro resultante, dever ser de ordem mais alta e, portanto, mais complexo e de maior custo. 7.2 Filtros Butterworth e Chebyshev Duas funes so normalmente usadas na aproximao das caractersticas de transmisso dos filtros, so elas a aproximao de Butterworth e a aproximao de Chebyshev. A seguir sero apresentadas as aproximaes Butterworth e Chebyshev para um filtro passa-baixas mas as funes de aproximao podem ser utilizadas para o projeto de outros filtros pelo uso das transformaes de freqncia. Filtro Butterworth A Fig. 3 mostra um esboo da resposta em freqncia de um filtro butterworth . Esse filtro, que um passa-baixas, exibe uma diminuio monotnica na transmisso com todos os zeros de transmisso em w=, tornando-o um filtro somente de plos. A funo de mdulo para um filtro Butterworth de n-sima ordem, com a borda da faixa de passagem (wp), dada por: 7.2.1

O parmetro determina a variao mxima da transmisso na faixa de passagem (AMAX), de acordo com:

Observe que, na resposta do filtro Butterworth, o desvio mximo da transmisso na faixa de passagem ocorre apenas na borda dessa faixa de passagem. Quanto maior for a ordem N do filtro, mais plana ser a sua resposta e mais prximo do ideal a resposta se aproximar. 7.2.2 Filtro Chebyshev

A Fig. 11.12 mostra funes de transmisso representativas para os filtros Chebyshev de ordens par e mpar.

43

O filtro Chebyshev exibe uma resposta de equiondulao na faixa de passagem e uma diminuio monotnica da transmisso na faixa de bloqueio. Enquanto o filtro de ordem mpar possuir |T(0)|=1, o filtro de ordem par exibir seu desvio mximo de mdulo em w=0. Em ambos os casos, o nmero total de valores mximos e mnimos da faixa de passagem igual ordem N do filtro. Todos os zeros de transmisso dos filtros Chebyshev so em w=, fazendo com que ele se torne um filtro somente de plos. O mdulo da amplitude da funo de transferncia de um filtro Chebyshev de nsima ordem com uma borda da faixa de passagem wp dado por:

O parmetro determina a variao mxima da transmisso na faixa de passagem (AMAX), de acordo com:

O filtro Chebyshev proporciona uma aproximao mais eficiente do que o filtro Butterworth. Logo, para a mesma ordem e para o mesmo Amx, o filtro Chebyshev proporciona uma maior atenuao para a faixa de bloqueio do que o filtro Butterworth. 7.3 Implementao de Filtros

Os filtros de primeira e segunda ordem podem ser ligados em cascata para obter filtros de ordens mais altas. O projeto em cascata realmente, um dos mtodos mais populares para o projeto de filtros ativos que utilizam circuitos RC e amp-ops Abaixo apresenta-se alguns tipos de filtros e sua implementao atravs de circuitos RC amp op

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Tipo de filtro Passa-baixas

Curva de bode

Implementao

Passa-altas

Genrico

O filtro passa-todas mostrado abaixo. Embora sua transmisso seja idealmente constante em todas as freqncias, sua fase mostra uma seletividade em freqncia. Este tipo de filtro usado como deslocadores de fases.

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Passa todas

Um dos problemas existentes para a produo na forma de CIs dos filtros ativos RC, a necessidade de capacitores de altos valores (o que difcil de obter nos circuitos integrados) e de constantes de tempo RC precisas (j que devido ao processo de fabricao dos CIs, nem sempre consegue-se controlar totalmente os processos. A sada natural a esses problemas foi procurar uma alternativa que no dependesse desses fatores, foi ento que surgiu a tcnica de filtro ativos com capacitores chaveados. A tcnica de filtros com capacitores chaveados est baseada na hiptese de que um capacitor chaveado entre dois ns de um circuito, operando a uma taxa suficientemente alta, equivalente conexo de um resistor entre esses dois ns. Ou seja, o chaveamento do capacitor no circuito simula o comportamento de um resistor. Para permitir uma melhor compreenso do seu funcionamento, considere o integrador RC ativo mostrado na Fig. 5, que o integrador Miller. Na mesma figura temos esse integrador implementado apenas com capacitores e dois transistores MOS funcionando como chaves.

As duas chaves MOS so acionadas por um clock de duas fases no-superpostas. Na primeira fase o capacitor C1 est conectado entrada, fazendo com que ele se carregue. J na segunda etapa, o segundo transistor ir conectar o capacitor ao amp op, fazendo com que a carga armazenada aparea na sada. A constante que relaciona o capacitor com uma resistncia equivalente (Req) dada pela seguinte relao. Onde Tc o perodo de chaveamento.

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A preciso das razes dos capacitores na tecnologia MOS pode ser controlada at em uma faixa de 0,1%. Como os capacitores ocupam tipicamente reas relativamente grandes de pastilha do CI, importante observar que essas precises so obtidas com capacitores de valores to baixos quanto 0,2pF.

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8 Caractersticas de amplificadores: ganho, eficincia, distoro, rudo, resposta em freqncia, impedncia de entrada e sada, configuraes e estabilidade.
Os amplificadores operacionais so circuitos que realizam operaes matemticas como soma, subtrao, integrao e derivao do ponto de vista do sinal. O amplificador operacional um dispositivo de 3 terminais sendo duas entradas (inversora e no inversora) e uma sada. Alm destes 3 terminais, existem ainda dois terminais que so conectados fonte de alimentao (geralmente simtrica). O smbolo do componente e a forma como se conecta fonte vista na Fig. 1.

Fig. 1 O ponto de referencia aterrado nos circuitos dos amp-ops justamente o terminal comum da fonte simtrica, isto , no h nenhum terminal do encapsulamento do amp-op fisicamente acoplado ao terra. O amp-op projetado para operar com um sensor da diferena entre os sinais de tenso aplicados em seus terminais de entrada, multiplicando-se ente vetor por um nmero A (que o ganho diferencial do amplificador), que resulta na tenso de sada: vo=A(v2-v1). Em um amp-op ideal suposto que nenhuma corrente de entrada drenada, isto , a corrente do sinal no terminal 1 e 2 so ambas iguais a zero. Ou seja, a impedncia de entrada do amp-op supostamente infinita. O terminal 3 suposto como se fosse o terminal de uma fonte de tenso ideal. Isto , a tenso entre o terminal 3 e o terra sempre igual a A(v2-v1) e ser independente da corrente que possa ser drenada do terminal 3 por uma impedncia da carga. Ou seja, a impedncia de sada do amp-op ideal supostamente igual a zero. Resposta em freqncia, estabilidade, distoro (boylestad 440) Um amp-op ideal projetado para ser um amplificador de alto ganho, com ampla bandapassante. Esta operao tende a ser instvel (oscilar) devido aos efeitos de realimentao positiva. Para que seja assegurada uma operao estvel, os amp-ops so construdos com circuitos de compensao interna que podem reduzir o ganho em malha aberta com o aumento da freqncia. Essa reduo no ganho chamada de roll-off. Em muitos amp-ops o roll-off ocorre numa taxa de -20dB por dcada. Embora as especificaes do amp-op listem o ganho de tenso em malha aberta, o usurio conecta, normalmente utiliza resistores de realimentao para reduzir o ganho do circuito a um valor muito menor. Vrios benefcios so obtidos com a reduo do ganho: O ganho de tenso do amplificador mais estvel e preciso quando estabelecido por resistores externos. A impedncia de entrada do circuito assume um valor maior que do amp-op isolado. A impedncia de sada do circuito assume um valor menor do que do amp-op isolado. A resposta em freqncia do circuito ocupa uma faixa maior que do amp-op isolado. 8.1.1 Ganho Banda passante Devido aos circuitos de compensao interna existentes em um amp-op, o ganho de tenso cai com o aumento da freqncia. A Fig. 2 mostra uma curva do ganho versus freqncia para um amp-op tpico. 8.1

48

Em baixas freqncias, prximo a operao dc, o ganho dado por AVD (ganho de tenso diferencial) e tipicamente um valor muito grande. Quando a freqncia do sinal de entrada aumenta, o ganho de malha aberta cai, at finalmente atingir o valor unitrio. A freqncia neste valor de ganho especificada pelo fabricante como banda passante de ganho unitrio, B1. Embora esse valor seja associado a uma freqncia na qual o ganho torna-se 1, pode ser considerada tambm uma largura de faixa, pois representa a banda de freqncias de 0Hz at a freqncia que proporciona o ganho unitrio (f1).

Fig. 2 Outra freqncia de interesse esta representada na Fig. 3 a freqncia em que o ganho cai 3 dB (ou para 0,707 do ganho AVD), sendo esta a freqncia de corte do amp-op, fc. A freqncia de ganho unitrio e a freqncia de corte esto relacionadas por:

8.1.2

Taxa de subida Parmetro que reflete a capacidade do amp-op de operar com sinais variantes.

Se ao amp-op for aplicado um sinal com taxa de variao de tenso maior que a taxa de subida, a sada no ser capaz de variar suficientemente rpido, e no cobrir a faixa completa esperada, resultando em um sinal ceifado ou distorcido. A sada no ser uma verso amplificada do sinal de entrada se a taxa de subida no for respeitada. 8.1.3 Mxima freqncia do sinal A mxima freqncia de sinal em que um amp-op pode operar depende da banda passante(B) e da taxa de subida (TS). Para um sinal senoidal da forma: Para evitar distoro na sada, a taxa de variao deve ser menor que a taxa de subida, isto : 2fKTS wKTS Tal que:

49

8.2

Saturao

Dizemos que o amp-op est saturado quando o sinal de sada no pode mais variar sua amplitude. Na prtica o nvel de saturao da ordem de 90 do valor de Vcc. Assim, por exemplo, se o amp-op alimentado com 15V, a sada alcanar uma saturao positiva de aproximadamente 13,5 V, e uma saturao negativa de aproximadamente -13,5 V. As Figs. abaixo representam graficamente este efeito.

8.3

Eficincia (boylestad 445) Os fabricantes fornecem um grande nmero de grficos para descrever o desempenho do amp-op. A Fig. 2 inclui algumas curvas de desempenho tpicas comparando vrias caractersticas em funo da fonte de tenso. O ganho de tenso em malha aberta aumenta a medida que aumenta o valor da fonte de tenso.

Fig. 4 Uma outra curva de desempenho mostra como o consumo de potencia varia em funo da fonte de tenso. O consumo de potencia aumenta com valores maiores de fontes de tenso. Por exemplo, enquanto a dissipao de potencia cerca de 50mW com Vcc=15V, ela cai para 5mV com Vcc=5V. As duas outras curvas mostram como as resistncias de entrada e sada so afetadas pela freqncia. 8.4 Rudos

Chama-se de rudo os sinais eltricos indesejveis que podem aparecer nos terminais de qualquer dispositivo eletro-

50

eletrnico. Motores eltricos, linhas de transmisso, descargas atmosfricas, radiaes eletromagnticas, etc, so as principais fontes de rudos. Um mtodo prtico para diminuir (paliar) os efeitos dos rudos consiste em melhorar o terra do circuito e dos equipamentos envolvidos.

Utilizando circuitos integrados se obtem uma boa proteo contra os rudos conectando um capacitor de ordem de 0,1F entre o + Vcc e o - Vcc do Amp-op e a terra. O capacitor deriva as correntes parasitas, normalmente de alta freqncia, que se produzem nos condutores que alimentam o circuito. Quando os amp-ops utilizam a realimentao negativa, a possibilidade de penetrao de rudo pelas entradas de sinal, assim como os que podem aparecer na sada bastante reduzida.

8.5 8.5.1

Modos de configurao do amp-op Sem alimentao

Ou configurao em malha aberta. O ganho do amp-op vem determinado pelo fabricante, por tanto no se tem controle sobre ele. Este tipo de configurao muito til em circuitos comparadores.

8.5.2

Com realimentao positiva (configurao no-inversora)

Configurao em malha fechada. Tem o incoveniente de desestabilizar o circuito. Uma aplicao prtica se d nos circuitos osciladores.

8.5.3

Com realimentao negativa (configurao inversora)

Modo de configurao mais importante em circuitos com amplificadores operacionais. Suas aplicaes so numerosas: somador, diferenciador, integrador, etc.

8.6 8.6.1

Impedncia de entrada e sada Impedncia de entrada

A impedncia de entrada aumenta consideravelmente com a configurao inversora conforme indica a equao:

Onde: Zif a impedncia de entrada do circuito; B o ganho de realimentao 51

A o ganho em malha aberta (definido pelo fabricante)

8.6.2 Impedncia de entrada

A impedncia de sada diminui consideravelmente conforme indica a equao:

8.7 8.7.1

Ganho

Configurao Inversora Os sinais a serem aplicados s entradas do amplificador operacional podem ser conectados de duas formas: na entrada inversora e no-inversora. Um circuito onde o sinal de entrada conectado a entrada inversora mostrado na Fig. 2.

Fig. 2 Para analisar este circuito preciso lembrar que devido ao ganho A ser muito alto, a tenso que aparece no terminal positivo ser praticamente igual ao que aparece no terminal negativo (v2v1). Dizemos ento que existe um curto-circuito virtual entre os terminais de entrada. Isso nos permite que para o circuito analisado a tenso zero presente no terminal positivo aparecer no terminal negativo. A partir dessa considerao e lembrando que a impedncia de entrada do amp-op infinita, garantindo que nenhuma corrente entre no dispositivo, poderemos calcular o valor do ganho em malha fechada.

v+ = 0

i1 = i2

i1 =

v1 R1

v0 = 0 i2 .R2 =

v1 .R2 R1

Sendo assim, podemos calcular o ganho vo/vi que ser:

v 0 = vi .

v R2 R 0 = 2 R1 vi R1

O ganho em malha fechada simplesmente a razo das duas resistncias R2 e R1. O sinal menos significa que o ganho em malha fechada provoca uma inverso no sinal de sada com relao ao sinal de entrada. A dependncia dos componentes passivos externos R1 e R2 significa que podemos fazer o ganho em malha fechada to preciso quanto a preciso dos componentes passivos selecionados. Isso significa tambm que o ganho em malha fechada idealmente independente do ganho do amp-op. O amplificador tem um ganho A muito elevado, e pela aplicao de uma realimentao negativa obtivemos um ganho em malha fechada R2/R1 que menor que A, porm estvel e preciso. Isto , negociamos o ganho pela preciso. Na prtica porm para que a dependncia entre o ganho em malha fechada G, e o ganho em malha aberta seja reduzido necessrio fazer:

52

8.7.2

Configurao no -inversora Se o sinal de entrada for aplicado no terminal da entrada no inversora como mostra a Fig. 3, pode-se utilizar as mesmas condies da anlise anterior. O sinal vi ir aparecer no terminal de entrada inversora, onde iniciaremos nossa anlise.

i1 =
Sendo assim: v0 = vi +

vi R1

v0 = vi + i2 .R2

i1 = i2

v1 .R2 R1

vo R2 R2 v 0 = vi v = 1+ R 1 + R 1 i 1
Ou seja, o valor do ganho em malha fechada igual a 1 mas a razo R2/R1 que o ganho positivo.

Fig. 3 8.8 Circuitos amp-ops prticos O amp-op pode ser conectado a uma grande variedade de circuitos estabelecendo vrias possibilidades operacionais. Circuito seguidor de tenso O circuito seguidor de tenso mostrado na Fig. 4 fornece um ganho unitrio sem inverso de polaridade ou fase.

Fig. 4 A propriedade de alta impedncia de entrada na configurao no inversora uma caracterstica muito desejvel. Ela permite a utilizao do circuito como um amplificador isolador (Buffer) para conectar um estgio com uma alta impedncia de sada a uma baixa impedncia. Circuito somador

53

No circuito somador, a tenso de sada a soma ponderada dos sinais de entrada v1, v2, v3, ..., vn.

Fig. 5 Circuito integrador inversor O circuito de um integrador inversor apresentado na Fig. 6. Nesse circuito coloca-se um capacitor no caminho de realimentao.

Fig. 6 O circuito da Fig. 6 realiza a operao matemtica de integrao. Este circuito inversor e tambm conhecido como integrado Miller. Os integradores podem ser empregados para gerar ondas triangulares em resposta a ondas quadradas aplicadas na entrada. O circuito diferenciador inversor Intercambiar a posio do capacitor com a do resistor no circuito integrador, resulta no circuito da Fig. 7, que realiza a funo matemtica de diferenciao.

Fig. 7 A resposta em freqncia do circuito diferenciador pode ser entendida como um filtro passa-altas com constante de tempo simples e freqncia de corte infinita. O circuito diferenciador, por sua prpria caracterstica de funcionamento, faz com que ele seja um diferenciador de rudos, o que o torna pouco utilizado.

54

9 Amplificadores operacionais. Configuraes bsicas. Circuitos com amplificadores operacionais. Amplificadores realimentados e circuitos osciladores. Amplificaes no lineares.
Os amplificadores operacionais so circuitos que realizam operaes matemticas como soma, subtrao, integrao e derivao do ponto de vista do sinal. O amplificador operacional um dispositivo de 3 terminais sendo duas entradas (inversora e no inversora) e uma sada. Alm destes 3 terminais, existem ainda dois terminais que so conectados fonte de alimentao (geralmente simtrica). O smbolo do componente e a forma como se conecta fonte vista na Fig. 1.

Fig. 1 O ponto de referencia aterrado nos circuitos dos amp-ops justamente o terminal comum da fonte simtrica, isto , no h nenhum terminal do encapsulamento do amp-op fisicamente acoplado ao terra. O amp-op projetado para operar com um sensor da diferena entre os sinais de tenso aplicados em seus terminais de entrada, multiplicando-se ente vetor por um nmero A (que o ganho diferencial do amplificador), que resulta na tenso de sada: vo=A(v2-v1). Em um amp-op ideal suposto que nenhuma corrente de entrada drenada, isto , a corrente do sinal no terminal 1 e 2 so ambas iguais a zero. Ou seja, a impedncia de entrada do amp-op supostamente infinita. O terminal 3 suposto como se fosse o terminal de uma fonte de tenso ideal. Isto , a tenso entre o terminal 3 e o terra sempre igual a A(v2-v1) e ser independente da corrente que possa ser drenada do terminal 3 por uma impedncia da carga. Ou seja, a impedncia de sada do amp-op idealmente igual a zero. Configuraes bsicas Os sinais a serem aplicados s entradas do amplificador operacional podem ser conectados de duas formas: na entrada inversora e no-inversora. Um circuito onde o sinal de entrada conectado a entrada inversora mostrado na Fig. 2. 9.1

Fig. 2 Para analisar este circuito preciso lembrar que devido ao ganho A ser muito alto, a tenso que aparece no terminal positivo ser praticamente igual ao que aparece no terminal negativo (v2v1). Dizemos ento que existe um curto-circuito virtual entre os terminais de entrada. Isso nos permite que para o circuito analisado a tenso zero presente no terminal positivo aparecer no terminal negativo. A partir dessa considerao e lembrando que a impedncia de entrada do amp-op

55

infinita, garantindo que nenhuma corrente entre no dispositivo, poderemos calcular o valor do ganho em malha fechada.

v+ = 0

i1 = i2

i1 =

v1 R1

v0 = 0 i2 .R2 =

v1 .R2 R1

Sendo assim, podemos calcular o ganho vo/vi que ser:

v 0 = vi .

v R2 R 0 = 2 R1 vi R1

Ou seja, o ganho em malha fechada para uma configurao inversora a razo entre as resistncias R1 e R2. Se o sinal de entrada for aplicado no terminal da entrada no inversora como mostra a Fig. 3, pode-se utilizar as mesmas condies da anlise anterior.

Fig. 3 O sinal vi ir aparecer no terminal de entrada inversora, onde iniciaremos nossa anlise.

i1 =
Sendo assim: v0 = vi +

vi R1

v0 = vi + i2 .R2

i1 = i2

v1 .R2 R1

vo R2 R2 v 0 = vi 1 = 1 + + R1 vi R1
Ou seja, o valor do ganho em malha fechada igual a 1 mas a razo R2/R1 que o ganho positivo. Circuitos amp-ops prticos O amp-op pode ser conectado a uma grande variedade de circuitos estabelecendo vrias possibilidades operacionais. Circuito seguidor de tenso O circuito seguidor de tenso mostrado na Fig. 4 fornece um ganho unitrio sem inverso de polaridade ou fase. 9.2

Fig. 4

56

A propriedade de alta impedncia de entrada na configurao no inversora uma caracterstica muito desejvel. Ela permite a utilizao do circuito como um amplificador isolador (Buffer) para conectar um estgio com uma alta impedncia de sada a uma baixa impedncia. Circuito somador No circuito somador, a tenso de sada a soma ponderada dos sinais de entrada v1, v2, v3, ..., vn.

Fig. 5 Circuito integrador inversor O circuito de um integrador inversor apresentado na Fig. 6. Nesse circuito coloca-se um capacitor no caminho de realimentao.

Fig. 6 O circuito da Fig. 6 realiza a operao matemtica de integrao. Este circuito inversor e tambm conhecido como integrado Miller. Os integradores podem ser empregados para gerar ondas triangulares em resposta a ondas quadradas aplicadas na entrada. O circuito diferenciador inversor Intercambiar a posio do capacitor com a do resistor no circuito integrador, resulta no circuito da Fig. 7, que realiza a funo matemtica de diferenciao.

Fig. 7 A resposta em freqncia do circuito diferenciador pode ser entendida como um filtro passa-altas com constante de tempo simples e freqncia de corte infinita. O circuito diferenciador, por sua prpria caracterstica de funcionamento, faz com que ele seja um diferenciador de rudos, o que o torna pouco utilizado.

57

9.3

Amplificadores realimentados e circuitos osciladores A tcnica de realimentao bastante utilizada em circuitos com amplificadores operacionais. Dependendo da polaridade relativa do sinal que realimentado no circuito, podemos ter realimentao positiva ou negativa. A realimentao negativa produz uma reduo no ganho de tenso, trazendo vrias vantagens alguns circuitos. Realimentao positiva leva o circuito a oscilar, produzindo vrios tipos de circuitos osciladores. Uma conexo tpica de realimentao est exposta na Fig. 8.

Fig. 8 Se o sinal de realimentao tiver polaridade oposta ao sinal de entrada, conforme a Fig. 8, a realimentao negativa. H reduo do ganho de tenso total, mas vrias melhorias so obtidas, entre as quais pode-se citar. 1 Impedncia de entrada mais alta; 2 Ganho de tenso mais estvel; 3 Resposta em freqncia melhorada; 4 Impedncia de sada mais baixa; 5 Rudo reduzido; 6 Operao mais linear. Tipos de conexo de realimentao H quatro maneiras bsicas de se realizar a realimentao. Tanto a tenso como a corrente podem ser realimentadas para a entrada em srie ou em paralelo. O ganho sem realimentao, A, corresponde ao estgio amplificador. Com realimentao, , o ganho total do circuito reduzido por um fator de (1+A). - Realimentao de tenso em srie Uma parte da tenso de sada realimentada em srie com o sinal de entrada, resultando em reduo do ganho total. Se Vf=0 (no houver realimentao)

Se um sinal de realimentao Vf for conectado em srie com uma tenso de sada, ento: Vi=Vs-Vf Assim:

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- Realimentao de tenso em paralelo De forma anloga ao anterior chega-se a:

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- Realimentao de corrente em srie

- Realimentao de corrente em paralelo

Osciladores A realimentao positiva resulta em um amplificador com realimentao apresentando um ganho de malha fechada |Af| maior que 1, e satisfaz as condies de fase para que o circuito atue como um oscilador. O circuito fornece ento um sinal de sada variante no tempo. Se o sinal variar de forma senoidal, o circuito chamado de oscilador senoidal. Se o sinal se alterna abruptamente entre dois nveis de tenso o circuito chamado de oscilador de onda quadrada ou de pulso. Na Fig. 11 apresenta-se um circuito de realimentao empregado como oscilador.

Fig.11 Se existe uma tenso fictcia Vi na entrada do amplificador, a tenso de sada do amplificador ser Vo=A.Vi e depois da realimentao Vf=.A.Vi. Se o circuito fornece .A com amplitude ee fase corretas Vf=Vi. Ento, quando a chave fechada e a tenso fictcia Vi removida, o circuito continuar operando uma vez que a tenso de realimentao suficiente para ativar o amplificador e os circuitos de realimentao. A forma de onda na sada continuar aps o fechamento da chave se a condio .A=1 critrio de Barkhausen for atendida. No necessrio um sinal de entrada para oscilao. Uma vez satisfeita a condio .A=1, a oscilao se auto-sustenta. Na prtica .A feito pouco maior que 1, e o sistema comea a oscilar pela amplificao da tenso de rudo sempre presente. Esse fato pode ser comprovado atravs da anlise da equao de realimentao:

Quando .A=-1 (1 de amplitude e fase de 180), o denominador se anula e o ganho torna-se infinito.

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Fig. 12 Oscilador de deslocamento de fase Condies: .A maior que a unidade e desvio de fase no circuito de realimentao de 180. Devemos dispor de apenas um amp-op para obermos um circuito amplificador com ganho estabilizado, e alm disso promover algum meio de realimentar o sinal para produzir um circuito oscilador. Um oscilador com deslocamento de fase mostrado abaixo:

Fig. 13 A sada do amp-op alimenta um circuito RC de 3 estgios, que realiza o deslocamento de 180 necessrio na fase do sinal (com alto fator de atenuao 1/29). Se o amp-op produz um ganho (dado por Ri e Rf) maior que 29, o ganho de malha resultante maior que 1 e o circuito atua como um oscilador de freqncia:

f0 = v

1 2 L.Ceq

Os osciladores com amp-ops podem ser configurados de diferentes maneiras. Como exemplo pode-se citar os osciladores com entrada e sada sintonizada: o Colpitts e o oscilador a cristal. Colpitts

Fig.14

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Oscilador a cristal Ooscilador a cristal basicamente um oscilador sintonizado utilizando um cristal piezoeltrico como circuito tanque ressonante. Esses osciladores so usados sempre que necessria uma grande estabilidade de freqncia. Abaixo, um oscilador a cristal com amplificador. O circuito proporciona um alto ganho, tal que o sinal resultante uma onda quadrada. Conecta-se um par zener na sada de forma que a amplitude do sinal seja exatamente a tenso zener.

Fig. 15 9.4 Aplicaes no lineares Em malha aberta, a sada do amplificador varia linearmente com a entrada (para valores entre -0,1mV e 0,1 mV). Fora deste intervalo o amplificador satura. Comparador de zero no-inversor O circuito da Fig. 16 muitas vezes chamado de comparador de zero ou detector de zero no inversor porque quando a tenso de entrada passar por zero a sada muda de +VSat para VSat ou viceversa.

Fig. 16 Comparador de zero inversor semelhante ao no inversor, porm o sinal aplicado na entrada inversora.

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Fig. 17 Comparador de zero inversor com histerese Por causa do alto ganho, os circuitos comparadores anteriores so sensveis rudos. Quando a entrada est passando por zero, se aparecer um rudo na entrada a sada oscilar entre +VSat e Vsat at que o sinal supere o rudo. O circuito ligado na sada entender que o sinal na entrada do comparador passou varias vezes por zero, quando na realidade foi o rudo que provocou as mudanas na sada. Para evitar isso deve ser colocada uma imunidade contra rudo chamada de histerese.

Fig. 18 A realimentao positiva faz com que a mudana de +VSat para -VSat ou vice versa seja mais rpida (s limitada pelo slew rate do AO). Os valores das tenses que provocam a mudana da sada so calculados por:

Para mudar de +VSat para -VSat a amplitude do sinal deve ser maior do que V1 e para mudar de Vsat para + VSat a amplitude do sinal deve ser menor do que - VSat. Comparador de nvel inversor

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Num comparador de nvel a tenso de entrada comparada com uma tenso de referencia VR, ao invs do terra.

Fig. 19 Monoestvel Um monoestvel um circuito que tem um estado estvel e um estado instvel . Na Fig. 20 se a chave estiver aberta a tenso na entrada no inversora ser uma parcela da tenso de sada, que vamos admitir que + VCC, como o capacitor C se carregou atravs de R o diodo estar conduzindo limitando a tenso em C em aproximadamente 0,7V. Se a tenso realimentada para a entrada no inversora for maior do que 0,7V esta ser uma condio estvel, isto , a sada permanece em + VCC indefinidamente.

Fig. 20 Se a chave CH for pressionada momentaneamente, na entrada + aplicada uma tenso negativa forando a sada para - VCC, o que faz com que seja realimentado agora para a entrada + uma tenso negativa o que mantm a sada em - VCC. O capacitor C comea a se carregar com polaridade contrria, o que corta o diodo D. Quando a tenso em C for mais negativa que a tenso na entrada + a sada voltar para + VCC. O capacitor C voltar a se carregar com valor positivo fazendo o diodo conduzir grampeando a tenso em C em 0,7V, e o circuito voltar para a condio estvel novamente. Astvel A sada VS oscilar entre +VCC e - VCC em funo da comparao entre V+ e V- . Se V+ > V- a sada ser igual a + VCC caso contrario ser - VCC. Se a sada for +VCC, o capacitor se carregar atravs de R, tendendo para + VCC, quando:

Nesse instante a sada mudar para - VCC e o capacitor comear a se carregar atravs de R tendendo a tenso agora para - VCC. Quando a tenso no capacitor for mais negativa que a tenso na entrada V+ a sada voltar para +VCC e assim sucessivamente.

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Fig. 21

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10 Conceitos bsicos de circuitos digitais. Blocos lgicos. lgebra booleana, realizao e minimizao de funes booleanas. Portas lgicas. Circuitos combinacionais. Circuitos seqenciais. Flip-flops e Memria.
No incio da era eletrnica, todos os problemas eram resolvidos por sistemas analgicos, tambm conhecidos por sistemas lineares, onde uma quantidade representada por um sinal eltrico proporcional ao valor da grandeza medida. Com o avano da tecnologia, esses mesmos problemas comearam a ser solucionados atravs da eletrnica digital, onde uma quantidade representada por um arranjo de smbolos chamados dgitos. Um circuito digital emprega um conjunto de funes lgicas, onde funo a relao existente entre as variveis independentes e as variveis dependentes. Nos sistemas lgicos as variveis independentes so conhecidas como variveis lgicas e as funes, como funes lgicas. Uma varivel lgica A pode assumir um valor verdadeiro (A=V) ou o valor falso (A=F). Em geral, usa-se uma faixa de tenso em volts compatvel com os circuitos digitais utilizados para representar o valor falso ou verdadeiro de uma varivel lgica. Lgica Positiva: A tenso mais positiva representa o valor V (1) e a mais negativa o valor F(0). Lgica Negativa: O valor V representado pela tenso mais negativa (1) e F pela tenso mais positiva (0). Lgica Mista: No mesmo sistema, usam-se as lgicas positiva e negativa. 10.1 lgebra Booleana lgebra Booleana pode ser definida com um conjunto de operadores e um conjunto de axiomas, que so assumidos verdadeiros sem necessidade de prova. Diferentemente da lgebra ordinria dos reais, onde as variveis podem assumir valores no intervalo (-;+), as variveis Booleanas s podem assumir um nmero finito de valores. Em particular, na lgebra Booleana cada varivel pode assumir um dentre dois valores possveis, os quais podem ser denotados por [F,V] (falso ou verdadeiro), [H,L] (high and low) ou ainda [0,1]. 10.1.1 Operaes bsicas Na lgebra Booleana, existem trs operaes ou funes bsicas. So elas, operao OU, operao E e complementao. Todas as funes Booleanas podem ser representadas em termos destas operaes bsicas. Operao OU adio lgica A operao OU resulta 1 se pelo menos uma das variveis de entrada vale 1. O smbolo usado para representar a operao OU +. Porm, como estamos trabalhando com variveis Booleanas, sabemos que no se trata da adio algbrica, mas sim da adio lgica. Operao E multiplicao lgica A operao E resulta 0 se pelo menos uma das variveis de entrada vale 0. O smbolo usualmente utilizado na operao E . Operao complementao (ou negao, ou inverso) A operao complementao dispensa uma definio. a operao cujo resultado simplesmente o valor complementar ao que a varivel apresenta. Os smbolos utilizados para representar a operao complementao sobre uma varivel Booleana A so A , ~A e A' (l-se A negado). 10.2 Portas lgicas Uma funo Booleana pode ser representada por uma equao ou de forma grfica, onde cada operador est associado a um smbolo especfico, permitindo o imediato reconhecimento visual. Tais smbolos so conhecidos por portas lgicas. Na realidade, mais do que smbolos de

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operadores lgicos, as portas lgicas representam recursos fsicos, isto , circuitos eletrnicos, capazes de realizar as operaes lgicas. Ao conjunto de portas lgicas e respectivas conexes que simbolizam uma equao Booleana, denominaremos circuito lgico. Porta OU O smbolo da porta OU pode ser visto na figura 3. As entradas so colocadas esquerda e a sada, direita. Deve haver no mnimo duas entradas, mas h somente uma sada. O funcionamento da porta E segue a definio da operao E, dada anteriormente.

Fig. 3 Porta E O smbolo da porta E mostrado na figura 4. esquerda esto dispostas as entradas (no mnimo duas, obviamente) e direita, a sada (nica). As linhas que conduzem as variveis de entrada e sada podem ser interpretadas como fios que transportam os sinais eltricos associados s variveis. O comportamento da porta E segue extritamente a definio apresentada anteriormente.

Fig. 4 Inversor A porta que simboliza a operao complementao conhecida como inversor. Como a operao complementao s pode ser realizada sobre uma varivel por vez (ou sobre o resultado de uma subexpresso), o inversor s possui uma entrada e, obviamente, uma sada. O smbolo do inversor mostrado na figura 5.

10.3 Tabela da verdade Uma forma de representar o comportamento das funes booleanas ou portas lgicas a construo de tabelas da verdade. Nela so listadas todas as combinaes de valores que as variveis de entrada podem assumir e os correspondentes valores da funo (sadas). Abaixo, so listados exemplos de tabelas verdade para as portas E e OU de duas variveis e para a funo de negao. OU E NO

10.4 Circuitos lgicos Dada uma equao Booleana qualquer, possvel desenhar-se o circuito lgico que a implementa. O circuito lgico composto das portas lgicas relacionadas s operaes que

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so realizadas sobre as variveis de entrada. Os resultados das operaes so conduzidos por fios, os quais, no desenho, so representados por linhas simples. A construo dos circuitos lgicos a partir das equaes booleanas feita seguindo a seqncia: 1- parntesis (dos mais internos para os mais externos); 2- operaes E; 3- operaes OU. ( z .Y) + X

Para obter a expresso booleana para um dado circuito lgico, comece pelas entradas mais esquerda, e percorrendo o circuito at o final, escreva a expresso para cada porta lgica.

( z .Y) + X 10.5 Leis Fundamentais e Propriedades da lgebra Booleana As leis da lgebra Booleana dizem respeito ao espao Booleano (isto ., valores que uma varivel pode assumir) e operaes elementares deste espao. J as propriedades podem ser deduzidas a partir das definies das operaes. Sejam A e B duas variveis Booleanas. Ento, o espao Booleano definido: se x0, ento x=1; se x1, ento x=0. 10.5.1 Teoremas da lgebra booleana Os teoremas booleanos podem ser utilizados para simplificar expresses e circuitos lgicos. O primeiro grupo de teoremas mostrado abaixo: Multiplicao lgica x.0=0 x.1=x x.x=x x. x =0 Adio lgica x+0=x x+x=x x+1=1 x+ x =1 Negao

x =x
Teoremas com mais de uma varivel

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Comutatividade: a ordem das operaes OR e AND no importante x+y=y+x (9) x.y=y.x (10) Associatividade: pode-se agrupar as variveis de expresses AND e OR do modo que desejarmos x+(y+z)=(x+y)+z=x+y+z (11) x.(y.z)=(x.y).z=x.y.z (12) Distributividade: uma expresso pode ser expandida multiplicando-se a termo Pode-se tambm fatorar as variveis. x(y+z)=xy+xz (13) (w+x).(y+z)=w.y+x.y+w.z+x.z (14) x.y.z + w.y = y.(x.z + w) Abaixo, os teoremas que no possuem correspondentes na algebra comum. Podem ser demonstrados substituindo x e y na expresso por todos os diferentes casos possveis. x+x.y=x (15) x y =x+y (16) Teoremas de Morgan

Quando uma soma OR est invertida, esta igual ao produto AND das variveis invertidas. Quando o produto AND de duas variveis est invertido, este igual ao uma soma OR das variveis invertidas. 10.5.2 Simplificao usando a lgebra booleana. Uma expresso booleana simplificada usa a menor quantidade de portas possvel para implementar uma dada expresso. Ex: simplifique a expresso: AB+A(B+C)+B(B+C) 1 lei distributiva: AB+AB+AC+BB+BC 2 (3, x.x=x): AB+AB+AC+B+BC 3 (7, x+x=x): AB+AC+B+BC 4 (15, x+xy=x): AB+AC+B 5 (15, x+xy=x): B+AC Os circuitos abaixo representam a simplificao e so equivalentes.
2

1 3

B
2 1 3 2 3 4 1

1 3 2

B+AC
AB+A(B+C)+B(B+C)

B C

1 3 2 2 1 3

2 1 3

Circuitos equivalentes 10.6 Derivao de expresses booleanas H basicamente duas maneiras de se definir (ou descrever) uma funo Booleana: descrevendo-se todas as situaes das variveis de entrada para as quais a funo

=>

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vale 1 ou, alternativamente, todas as situaes em que a funo vale 0. O primeiro mtodo conhecido por soma de produtos (SdP), enquanto que o segundo chamado produto de somas (PdS). 10.6.1 Derivao de Expresses usando Soma de Produtos (SdP) Dada uma funo Booleana de n variveis (ou seja, n entradas), haver 2n combinaes possveis de valores. A cada combinao de entradas podemos associar um termo produto, no qual todas as variveis da funo esto presentes, e que construdo da seguinte forma: se a varivel correspondente vale 0, ela deve aparecer negada; se a varivel vale 1, ela deve aparecer no negada. A tabela a seguir lista os termos produto associados a cada combinao de entradas para uma funo Booleana de trs variveis (A, B e C, por exemplo). Cada termo produto construdo conforme a regra anteriormente descrita denominado mintermo (ou minitermo). Para um dado mintermo, se substituirmos os valores das variveis associadas, obteremos 1. Porm, se substituirmos nesse mesmo mintermo quaisquer outras combinaes de valores, obteremos 0. Dessa forma, se quisermos encontrar a equao para uma funo a partir de sua tabela verdade, basta montarmos um OU entre os mintermos associados aos uns (1) da funo (tambm chamados mintermos 1 ). 10.6.2 Derivao de Expresses usando Produto de Somas O mtodo de derivao usando produto de somas o dual (isto , o oposto) do mtodo de derivao em soma de produtos. A cada combinao das variveis de entrada de uma funo podemos associar um termo soma, no qual todas as variveis da funo esto presentes, e que construdo da seguinte forma: se a varivel correspondente vale 1, ela deve aparecer negada; se a varivel vale 0, ela deve aparecer no negada. A tabela a seguir lista os termos soma associados a cada combinao de entradas para uma funo Booleana de trs variveis (A, B e C, por exemplo). Cada termo soma construdo conforme a regra anteriormente descrita denominado maxtermo (ou maxitermo). Para um dado maxtermo, se substituirmos os valores das variveis associadas, obteremos 0. Porm, se substituirmos nesse mesmo maxtermo quaisquer outras combinaes de valores, obteremos 1. Dessa forma, se quisermos encontrar a equao para uma funo a partir de sua tabela verdade, basta montarmos um E entre os maxtermos associados aos 0s da funo (tambm chamados maxtermos 0). 10.7 Mapas de Karnaugh O mapa de Karnaugh similar a uma tabela da verdade porque todos os valores possveis das variveis de entrada e sada resultante para cada valor esto presentes no mapa.

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O mtodo utiliza a tabela verdade de uma funo booleana como base para as simplificaes. Um mapa de Karnaugh uma ajuda excelente para simplificao de funes de at 6 variveis. Para funes de mais de 6 variveis a simplificao mais complexa pois torna-se uma tarefa rdua identificar as clulas adjacentes no mapa. Para funes de mais de 6 variveis devem ser utilizadas solues algortmicas computacionais. Exemplo: Considere a seguinte funo: f(A, B, C, D) = E(6, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14) Esta funo tem a tabela verdade:

Os valores dentro de E nos dizem quais linhas possuem sada igual a 1(mintermos). As variveis de entrada podem ser combinadas em 16 diferentes formas, ento o mapa de Karnaugh ter 16 posies. O arranjo mais conveniente em uma matriz 4x4.

Os bits no mapa representam a sada da funo para uma dada combinao de entradas. Aps o mapa de Karnaugh ter sido construdo a prxima tarefa encontrar os termos mnimos a usar na expresso final. Estes termos so encontrados agrupando conjuntos de 1s adjacentes no mapa. O agrupamento deve ser retangular e deve ter uma rea igual a uma potncia de 2 (i.e. 2, 4, 8, ). Os retngulos devem ser os maiores possveis, sem conter nenhum 0. O agrupamento timo na figura est marcado com linhas coloridas (verde, vermelha e azul). Para cada um dos grupos encontramos as variveis que no mudam de valor dentro do agrupamento. Note que neste nosso exemplo as posies (1,4) e (2,4) (o grupo marrom) da matriz faz parte do grupo verde e faz parte do grupo vermelho, lembre-se que temos que montar os maiores blocos possveis de 1s com reas iguais a potncias de 2 (1,2,4,8,16,...). Para o grupo vermelho encontramos que: A varivel A mantm o mesmo valor (1) em todo o agrupamento, ento ela deve ser includa no termo correspondente ao grupo vermelho.

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A varivel B no mantm o mesmo estado (alterna entre 1 e 0), ento deve ser excluda. C no muda, mas tem o valor (0), portanto deve ser incluido na forma negada. D muda. Ento o primeiro termo da expresso booleana AC. No grupo verde, A eB mantm o mesmo estado, mas C e D mudam. B 0 e deve ser includa na forma negada. Ento o segundo termo AB'. Da mesma forma, o retngulo azul d o termo BCD e a expresso completa : AC + AB+ BCD. A matriz conectada como um toride, o que significa que a borda da direita considerada adjacente borda da esquerda, bem como a borda inferior considerada adjacente borda superior. Por exemplo, AD um termo vlido, embora no tenha sido includo no conjunto mnimo. Note que, se movermos a primeira linha para baixo da ltima linha ou a primeira coluna para a direita da ultima coluna, a propriedade de mudar o estado de apenas uma varivel se mantm. A funo inversa pode ser resolvida da mesma forma, agrupando os zeros em vez de 1s. Quando h uma profuso de 1s na matriz (isto , a matriz densa - a funo f verdadeira pra maior parte dos valores de entrada) pode ser mais rpido desenvolver f no mapa e ento encontrar f = f analiticamente. 10.8 Circuitos combinacionais Os circuitos lgicos dos sistemas digitais podem ser de dois tipos: circuitos combinacionais ou circuitos seqenciais. Um circuito combinacional constitudo por um conjunto de portas lgicas as quais determinam os valores das sadas diretamente a partir dos valores atuais das entradas. Pode-se dizer que um circuito combinacional realiza uma operao de processamento de informao a qual pode ser especificada por meio de um conjunto de equaes Booleanas. No caso, cada combinao de valores de entrada pode ser vista como uma informao diferente e cada conjunto de valores de sada representa o resultado da operao. A figura abaixo mostra o diagrama de blocos genrico de um circuito combinacional.

Como exemplo de circuitos combinacionais pode-se citar os somadores, subtratores, multiplexadores e demultiplexadores, etc. 10.8.1 Circuito meio somador O meio somador realiza a soma de dois bits. O circuito possui duas entradas e duas sadas, sendo que uma delas o carry out (bit do vai um).

10.8.2 Circuito somador O circuito somador completo realiza a soma de trs bits. Normalmente so somados dois bits mais o bit veio um (carry in) de uma soma anterior. Possui trs entradas (A e B que so os bits a serem somados) e Ci - veio um (carry in) e duas sadas S - resultado da soma e Co - bit do vai um (carry out).

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10.8.3 Associao de somadores Associando-se os blocos do meio somador e do somador completo em srie podemos obter somadores de vrios bits. Para obtermos um somador de 3 bits, devemos utilizar um meio-somador para os bits menos significativos e dois somadores completos para os demais bits.

10.8.4 Circuito meio subtrator Do mesmo modo como feita a soma, podemos fazer a subtrao, porm, na subtrao, no usado um bit de vai-um, e sim um bit de vem-um (borrow out). O bit do vem-um o "tomar emprestado" que utilizamos na hora de subtrair, do mesmo modo que na subtrao decimal.

10.8.5 Circuito subtrator O circuito subtrator completo realiza a subtrao de trs bits. Normalmente so subtrados dois bits e o bit foi um (borrow in) de uma subtrao anterior.

10.8.6 Associao de subtratores Associando-se os blocos do meio subtrator e do subtrator completo em srie podemos obter

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subtratores de vrios bits.

10.8.7 Multiplexador O multiplexador ou MUX um circuito combinacional que tem a finalidade de selecionar, atravs das variveis de seleo, uma de suas entradas, conectando-a eletronicamente sua nica sada. Esta operao denominada multiplex ou multiplexao que significa seleo e, tanto suas entradas como sua sada, so denominadas tambm, canais de entrada e sada. Para facilitar a compreenso deste circuito, pode-se fazer, ainda, uma analogia com uma chave de seleo de vrias entradas e uma sada.

Como trata-se de um circuito digital, o nmero de entradas est logicamente relacionado com o nmero de variveis de seleo, ou seja: n = 2m onde: n nmero de canais de entrada m nmero de variveis de seleo Por exemplo, um MUX com trs variveis de seleo (m=3) pode ser codificado de oito modos diferentes (000- 001-010-011-100-101-110-111) e, portanto, ele possui oito canais de entrada (n=23=8). Assim como para os circuitos somadores e subtratores, os multiplexadores podem ser associados. A associao srie de multiplexadores serve para ampliar a capacidade de canais de entrada. Para isto, basta multiplexar os MUX de entrada atravs de um MUX de sada. 10.8.8 Demultiplexador O demultiplexador ou DEMUX um circuito combinacional que tem a finalidade de selecionar, atravs das variveis de seleo, qual de suas sadas deve receber a informao presente em sua nica entrada. Ele faz, portanto, a operao inversa da realizada pelo MUX.

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10.8.9 Circuitos sequenciais Vimos anteriormente o funcionamento de uma lgica combinacional, ou ainda, uma lgica para a qual a sada pr-determinada de forma unvoca pelas entradas. Estes circuitos apresentam um grave problema, que a ausncia de memria sobre os estados anteriores. Existem distintos tipos de memria, porm, a lgica de todas elas est associada a circuitos oscilantes, chamados de flip-flop, que podem alternar sua sada em funo dos parmetros de entrada e do tempo decorrido. O conceito de tempo est associado a pulsos de um relgio (clock), que vai alternar estados entre 0 e 1, com uma freqncia pr-determinada, e ser utilizado na propagao temporal da informao. Uma memria de um bit o elemento fundamental para desenvolver qualquer outra memria. Estas memrias de um bit podem "guardar" estados "1" (Q=1) ou estados "0" (Q=0). Flip-flop RS bsico No arranjo da Figura abaixo, duas portas NO E so interligadas por uma realimentao. Essa realimentao faz a sada depender dos valores das entradas e do valor ela que tinha antes da aplicao desses valores nas entradas. A tabela da verdade de um flip-flop RS bsico apresentada abaixo:
S 0 0 1 1 R 0 1 0 1 Q Qa 0 1 *

A entrada S denominada Set, pois quando acionada (nvel 1), passa a sada para 1, e a entrada R denominada Reset, pois quando acionada passa a sada para zero. Este circuito ir mudar de estado apenas no instante em que mudam as variveis de entrada. Flip-flop RS com entrada Clock Circuitos seqenciais recebem em geral informaes que mudam com o tempo. Portanto, conveniente uma forma de controlar o recebimento desses dados. Na Figura 01, duas portas E foram inseridas nas entradas do flip-flop do circuito anterior, formando uma entrada de clock.

Se a entrada de clock for 0, ocorre sempre g=0 e h=0, independente dos valores de S e R. Se a entrada de clock for 1, ocorre g=S e h=R e o circuito se comporta como o do tpico anterior, com a mesma tabela de verdade e o mesmo estado impossvel. Assim, a entrada de clock comanda a operao do bloco. Na Figura 02 foram adicionadas as entradas preset (PR) e clear (CL). Se ambas forem iguais a 1, o flip-flop opera sem qualquer alterao. Estando a entrada clock em zero, a sada Q

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assume valor 1 se preset for 0 e 0 se clear for 0. Ou seja, essas entradas permitem definir um valor da sada de forma independente das demais, o que pode ser til em muitos circuitos. Os valores de PR e CL no podem ser simultaneamente nulos, pois seria uma condio invlida (Q s pode ter um valor).

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11 Comparadores, conversores AD/DA, temporizadores, circuitos PLL.

Embora haja uma grande quantidade de CIs que contem somente circuitos digitais, e muitos outros que contem apenas circuitos lineares, h uma variedade de unidades que contem ambos (circuitos lineares e digitais). Dentre os CIs lineares/digitais, podemos destacar os circuitos comparadores, osconversores digital /analgicos, circuitos de interface, circuitos temporizadores, osciladores e malhas armadas por fase (Phase locked loops - PLL). Comparadores Um circuito comparador aquele no qual a tenso linear de entrada comparada a uma outra tenso de referencia, e a saida um estado digital representando se a tenso de entrada excedeu ou no a referencia de tenso. Um circuito comparador bsico pode ser representado na Fig. 1. 11.1

Fig.1 Enquanto Vi menor que zero, a sada permanece em nvel baixo de tenso (perto de -10V). Quando a entrada vai acima de zero, a saida rapidamente chaveia para um nvel alto de tenso (perto de +10V). A Fig. 2 mostra um circuito comparador com amp-op. Nesse circuito, uma tenso de referencia positiva conectada a entrada menos, e a sada conectada a um LED indicador. Se o sinal Vi for conectado na entrada inversora, o LED ligar quando o sinal de entrada for menor que +6V.

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11.1.1 Unidades de CI comparadoras Embora os amp-ops possam ser utilizados como circuitos comparadores, algumas unidades especialmente projetadas para esse fim se mostram mais adequadas para algumas aplicaes. Dentre as possveis melhorias que podem ser includas em um CI comparador, destacam-se: chaveamento mais rpido entre os nveis de sada, imunidade ao rudo e sadas capazes de acionar diretamente uma variedade de cargas. Alguns CIs comparadores so apresentados a seguir.

Comparador 311: pode operar com duas fontes de referencia 15V ou com uma nica fonte de +5V. A sada pode fornecer uma tenso em qualquer um de dois nveis distintos ou pode ser usada para acionar uma lmpada ou rel. A sada tomada de um transistor bipolar para permitir acionar uma variedade de cargas.

Comparador 339: um comparador qudruplo contendo quatro circuitos comparadores de tenso independentes, conectados a pinos externos. A fonte tenso aplicada a um par de pinos alimenta todos os quatro comparadores.

de

11.2 Conversores Analgicos/Digitais Muitas tenses e correntes em eletrnica variam continuamente ao longo de uma faixa de valores. Em circuitos digitais, os sinais esto em 1 de dois nveis, representando os valores binrios de 1 ou zero. Um conversor analgico-digital (CAD) produz uma tenso digital a partir de uma tenso analgica de entrada, enquanto um conversor digital-analgico (CDA) converte uma tenso digital em analgica. 11.2.1 Converso Digital-analgica A converso digital-analgica pode ser conseguida usando vrios mtodos diferentes. Um esquema popular usa um circuito de resistores chamado de circuito em escada. Um circuito em escada aceita como entrada de valores binrios em, tipicamente, 0 V ou Vref, e fornece uma tenso de sada proporcional ao valor binrio de entrada. A Fig. 5 apresenta um circuito em escada, onde a tenso de sada proporcional ao valor de entrada digital dada pela relao:

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Fig. 5 Exemplo:

A funo do circuito converter os 16 valores binrios possveis de 0000 a 1111 para um nvel de tenso correspondente, mltiplos de Vref/16. Utilizando-se mais sees no circuito, torna-se possvel aceitar mais entradas binrias e diminuir a diferena entre os nveis de tenso. Quanto maior o numero de estgios, maior a resoluo de tenso. Em geral, a resoluo de tenso para n estgios em escada :

A Fig. 6 mostra o diagrama de blocos de um CDA tpico usando um circuito em escada. O circuito em escada, referenciado no diagrama como um escada R-2R, intercalado entre a fonte de corrente de referencia e as chaves de corrente, conectadas a cada entrada binria. A corrente de sada resultante proporcional ao valor binrio de entrada. A entrada binria seleciona alguns ramos do circuito em escada, produzindo uma corrente de sada que resultado de uma soma ponderada da corrente de referencia. Conectando a corrente atravs de um resistor, ser produzida uma tenso analgica, se desejado.

Fig. 6 11.2.2 Converso Analgica- Digital Existem vrias configuraes de circuitos para realizar a converso analgica-digital (conversor A/D comparador paralelo,circuito em escada, rampa tipo contador, aproximao sucessiva, etc.) Converso de circuito em escada Um mtodo popular de converso analgica-digital usa um circuito em escada junto com circuitos contadores e comparadores.

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Um contador digital avana zero enquanto um circuito de escada fornece, atravs das sadas do contador, uma tenso em escada, a qual aumenta por um incremento de tenso em cada passo de contagem. Um comparador, recebendo tenses em escada e a tenso de entrada analgica, fornece um sinal para parar a contagem quando a tenso da escada se eleva acima da tenso de entrada. O valor do contador nesse instante a sada digital desejada.

O incremento de tenso no sinal de escada depende do numero de bits de contagem utilizado. Um contador de 12 estgios operando um circuito em escada de 12 estgios usando uma referencia de 10 V, apresenta um incremento de tenso igual a:

O que resulta em uma resoluo de converso de 2,4 mV.

Conversor A/D rampa tipo contador Na figura abaixo apresentado o diagrama de blocos de um conversor rampa tipo contador. A linha "clear" utilizada para inicializar o contador com 0 (zero). O contador grava na forma binria o nmero de pulsos provenientes do "clock".

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Visto que o nmero destes pulsos contados aumentam linearmente com o tempo, a palavra binria representando a contagem, utilizada como entrada do conversor D/A cuja sada analgica mostrada no grfico abaixo. Enquanto a relao Ve > Vd for verdadeira, a sada do comparador alta, habilitando a entrada dos pulsos de relgio (clock) at o contador. Quando Vd > Ve a sada do comparador se torna baixa, e a porta E desabilitada. Assim a contagem interrompida no exato instante que Ve = Vd. Neste instante pode ser lida sada do contador, uma palavra digital representando a voltagem recebida na entrada do conversor. Para um sistema de N bits o tempo de converso , no pior caso, de 2N pulsos. 11.3 Temporizadores O circuito integrado analgico-digital 555 um temporizador muito popular. O CI feito basicamente de uma combinao de comparadores lineares e flip-flops digitais. A Fig. 11 apresenta detalhes da estrutura interna do CI que possui 8 pinos. Existe no CI uma conexo srie de 3 resistores que determina os nveis da tenso de referencia para os dois comparadores em 2Vcc/3 e Vcc/3. A sada do flip-flop aplicada a um estgio amplificador de sada e tambm opera um transistor cujo coletor tem a funo de descarregar o capacitor de temporizao.

Fig. 11 11.3.1 Operao Astvel Uma utilizao popular do 555 como um multivibrador astvel ou circuito de clock. A Fig. 12 apresenta um circuito astvel com um resistor externo e um capacitor para fixar o intervalo de temporizao do sinal de sada. O capacitor C carrega-se at Vcc atravs dos resistores externos RA e RB. A tenso do capacitor aumenta at ultrapassar 2Vcc/3. Esta a tenso de limiar no pino 6, na qual o comparador 1 altera o estado do flip-flop, produzindo uma sada de nvel baixo (pino 3). Por sua vez, o transistor de descarga forado a ligar, provocando o descarregamento do capacitor no pino 7 atravs de RB. A tenso do capacitor diminui, at cair abaixo do nvel de disparo (Vcc/3). O flip-flop disparado, colocando novamente a sada em nvel alto, o transistor de descarga cortado e o capacitor novamente carregado.

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Fig. 12 11.3.2 Operao Monoestvel O temporizador 555 tambm pode ser utilizado com um circuito multivibrador monoestvel ou de um nico disparo como mostrado na Fig. 13. Quando o sinal de entrada de disparo torna-se negativo, a sada no pino 3 vai para o nvel alto e a permanece durante o perodo de tempo:

A borda negativa de entrada faz o comparador 2 disparar o flip-flop, produzindo uma tenso de sada em nvel alto. O capacitor C carrega-se at Vcc atravs de RA. Durante o intervalo de carga, a sada permanece alta. Quando a tenso atravs de C atinge o nvel de limiar de 2Vcc/3, o comparador 1 dispara o flip-flop produzindo uma tenso em nvel baixo. O transistor de descarga tambm vai para baixo, fazendo o capacitor permanece prximo de 0 at ser novamente disparado.

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11.4 Malha amarrada por fase PLL A malha amarrada por fase (phase locked loop, PLL) um circuito eletrnico que contem um detector de fase, um filtro passa-baixa, e um oscilador controlado por tenso conectados da forma mostrada na Fig. 14.

Fig. 14

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Um sinal de entrada Vi e o de um VCO (oscilador controlado por tenso) so comparados por um comparador de fase fornecendo uma tenso de sada Ve, que representa a diferena de fase entre os dois sinais. Esta tenso ento aplicada a um filtro passa-baixa que fornece uma tenso de sada amplificada (se necessrio), que pode ser tomada como a tenso de sada de um PLL. Essa tenso realimentada para modular a freqncia do VCO. A operao de malha fechada do circuito mantm a freqncia do VCO amarrada freqncia do sinal de entrada. As aplicaes do PLL incluem: Sintetizadores de freqncia que fornecem mltiplos da freqncia de um sinal de referencia [por exemplo, na gerao da freqncia de portadora para os mltiplos canais de um transmissor operando na faixa do cidado, ou transmissores de rdio mltiplos] Circuitos de demodulao de FM para operao em FM com excelente linearidade entre a freqncia do sinal de entrada e a tenso de sada do PLL. Demodulao de transmisses de dados digitais modulados em FSK Aplicaes incluindo modems, receptores de telemetria e transmissores, decodificadores de tom, detetores AM e filtros de rastreio. 11.4.1 Operao PLL bsica Operao em malha amarrada ( a freqncia do sinal de entrada e a freqncia do VCO so iguais). Quando a freqncia do sinal de entrada igual do VCO, a tenso Vd mantm o VCO amarrado com o sinal de entrada. O VCO gera ento, um sinal de onda quadrada com amplitude fixa. Uma diferena de fase fixa entre os dois sinais, para o comparador, resulta numa tenso DC fixa para o VCO. Mudanas na freqncia de entrada do sinal resultam em mudanas na tenso DC do VCO. Dentro da faixa de captura e amarrao de freqncia, a tenso DC forar a freqncia do VCO a casar com a entrada. Durante a amarrao, o comprador de fase produz um sinal de sada que tem componentes de freqncia relativas soma e diferena dos sinais comparados. O filtro PB deixa passar somente as componentes de freqncia inferiores do sinal, possibilitando a amarrao entre o sinal de entrada e do VCO. H duas faixas de freqncia importantes para os circuitos PLL. A faixa de captura (faixa sobre a qual a malha pode adquirir a amarrao com o sinal de entrada) e a faixa de amarrao (faixa em que se mantm amarrado ao sinal).

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12 FPGA, Dispositivos lgicos programveis. Arquitetura de dispositivos FPGA. Linguagem descritiva de hardware.
FPGA (Field Programable Gate Array) so circuitos integrados que contem um grande numero (na ordem de milhares) de unidades lgicas idnticas. Estas unidades lgicas podem ser vistas como componentes padres que podem ser configurados independentemente e interconectados a partir de uma matriz de trilhas condutoras e chaves programveis. Um arquivo binrio gerado para a configurao da FPGA a partir de ferramentas de software seguindo um determinado fluxo de projeto. Esse arquivo binrio contm as informaes necessrias para especificar a funo de cada unidade lgica e para seletivamente fechar as chaves da matriz de interconexes, que podem ser programados pelo usurio, formam a estrutura bsica da FPGA para a especificao de circuitos integrados complexos. A tecnologia FPGA tem evoludo em direo aos mais altos ndices de desempenho, elevados nveis de densidade e menores custos de fabricao. Este fato, tendem a se acentuar nos prximos anos, tornando cada vez menor a distancia entre os FPGAs e os chips diretamente implementados no silcio. Isto tem possibilitado o emprego desta tecnologia na implementao de arquiteturas cada vez mas complexas. Alm desses avanos, os fabricantes de FPGA tem introduzido no decorrer dos anos cada vez mais recursos de reconfigurabilidade em tais dispositivos. Reconfigurabilidade a capacidade que alguns FPGAs tem de serem configurados e reconfigurados vrias vezes. Alguns FPGAs podem ser reconfigurados parcialmente, ou seja, setores do dispositivosso reconfigurados enquanto outros mantem sua configurao. 12.1 Arquitetura de dispositivos FPGAs O FPGA um dispositivo lgico programvel que suporta a implementao de circuitos lgicos relativamente grandes. A estrutura do FPGA formada por um grande arranjo de clulas configurveis ou blocos lgicos conforme ilustra a Fig. 1.

Fig. 1 Um FPGA possui 3 tipos principais de recursos: blocos lgicos, blocos de entrada e sada (I/O), e chaves de interconexo. Os blocos lgicos formam um arranjo bi-direcional, e as chaves de interconexo so organizadas como canais de roteamento horizontal e vertical entre linhas e colunas de blocos lgicos. Estes canais de roteamento possuem chaves programveis que permitem conectar os blocos lgicos de maneira conveniente, em funo das necessidades de cada projeto.

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O bloco lgico mais comumente utilizado o Lookup table (LUT). Este tipo de bloco lgico contem clulas de armazenamento que so utilizadas para implementar pequenas funes lgicas. A Fig. 2 mostra a estrutura de um LUT com duas entradas e uma sada. As variveis de entrada so usadas como chaves seletoras para 3 multiplexadores 2x1 que em conjunto selecionaro uma das 4 clulas de armazenamento como sada do LUT.

Fig. 2 As clulas de armazenamento dos LUTS de um FPGA so volteis, o que implica na perda do contedo armazenado no caso de falta de alimentao eltrica. Desta forma o FPGA deve ser programado toda vez que for energizado. Geralmente um pequeno chip de memria PROM includo nas placas de circuito impresso que contem FPGAs. As clulas de armazenamento so automaticamente carregadas a partir dos PROMs toda vez que uma tenso eltrica aplicada a estes chips. 12.2 Tecnologias de programao Basicamente existem 3 tipos de tecnologias de programao para um FPGA, so elas: - SRAM (Static Randon Acess Memory), onde o comutador um transistor de passagem controlado por um bit de SRAM. - Antifuse originalmente um circuito aberto que quando programado, forma um caminho de baixa resistncia. - Gate flutuante: o comutador um transistor com gate flutuante. A escolha da tecnologia de programao juntamente com algumas propriedades dos comutadores dos FPGAs afetam diretamente o desempenho e definem caractersticas como a volaticidade e a capacidade de programao. 12.3 Arquitetura de blocos lgicos Os blocos lgicos dos FPGAs variam muito de tamanho e capacidade de implementao lgica. Os blocos lgicos dos FPGAs comerciais so baseados em um ou mais dos seguintes componentes: - Pares de transistores - Portas lgicas tipo E ou OU EXCLUSIVO de duas entradas - Look-up tables (LUT) - Estruturas E-OU de mltiplas entradas A fim de classificar os FPGAs quanto ao tipo de blocos lgicos que empregam, foram criadas duas categorias. Estas categorias foram denominadas de granulosidade fina e granulosidade grossa, sendo a primeira a designante para blocos simples e pequenos e a segunda para os blocos maiores e mais complexos. Um exemplo de bloco de granulosidade fina, por exemplo um bloco contendo alguns transistores interconectveis ou portas lgicas bsicas. Os blocos de granulosidade grossa so geralmente baseados em multiplexadores e look-up tables (LUTS). 12.4 Arquitetura de roteamento A arquitetura de roteamento a maneira pela qual os comutadores programveis e segmentos de trilha so posicionados para permitir a interconexo entre as clulas lgicas.

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A arquitetura geral de roteamento de um FPGA apresentada na Fig. 3.

Fig. 3 Quanto maior o nmero de comutadores, mais fcil alcanar o roteamento completo e maior densidade lgica. 12.5 Linguagem descritiva de hardware Uma etapa importante do projeto de circuitos FPGA consiste na especificao ou gerao do Netlist, que uma descrio compacta, ou mesmo textual, do circuito para as ferramentas de verificao e de implementao de circuitos. O Netlist basicamente uma listagem de componentes do circuito e de como eles esto conectados, incluindo ainda os nomes dos pinos I/O do chip FPGA utilizado. A gerao do Netlist pode ser feita atravs da captura de esquemtico ou de sntese de cdigo HDL. O esquemtico pode ser visto com uma representao grfica de um Netlist, deste modo, a gerao do Netlist a partir da captura do esquemtico imediata. A desvantagem em se trabalhar com esquemticos a portabilidade, uma vez concebido para uma famlia de dispositivos, para um fabricante, a migrao para outro dispositivo pode significar o reinicio de todo o projeto a partir do zero. Por causa da dificuldade de migrao, a especificao do projeto evoluiu para uma representao comportamental e funcional do circuito atravs de uma linguagem de programao HDL (Hardware description language), como o VHDL e o Verilog. VHDL Very Hight Speed Integrated Circuit Hardware Description Language Linguagem de descrio de hardwares com enfase em circuitos integrados de altssima velocidade. A linguagem VHDL tem uma sintaxe similar as linguagens Pascal e ADA. A estrutura de um programa VHDL, baseia-se em alguns blocos: Package: Usado quando precisa-se usar um comando que no est nas bibliotecas padro. Para usa a Package necessrio usar duas declaraes: LYBRARY USE. O package mais

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conhecido o STD_LOGIC_1164 da IEEE por conter a maioria dos comandos adicionais utilizados na linguagem. Exemplo: LYBRARY IEEE; USE IEEE _LOGIC_1164.ALL; Entity: a parte principal do projeto. a interface do sistema que descreve entradas e sadas. Architecture: o corpo do sistema, onde so feitas as atribuies, operaes, etc. Podem existir vrias ARCHITECTURE na mesma ENTITY. Process: diretiva usada quando se quer fazer uma lista de operaes a serem executadas. implementada dentro de ARCHITECTURE. A titulo de exemplo apresenta-se abaixo a estrutura de um programa escrito em VHDL. Porta AND de 3 entradas: Lybrary IEEE; Use IEEE.STD_LOGIC_1164.ALL; Entity portaand_3 is Port (a, b, c: in bit; Y: out bit); End portaand_3 Architecture logica of portaand_3 is Begin Y<=a and b and c; End logica; Package (biblioteca)

Entity (Pinos de I/O)

Architecture (Arquitetura)

A descrio de um sistema em VHDL apresenta inmeras vantagens, tais como: - Intercambio de projetos entre grupos de pesquisa sem a necessidade de alterao. - Permite ao projetista considerar no seu projeto os delays comuns aos circuitos digitais. - A linguagem independe da tecnologia atual, ou seja, voc pode desenvolver um sistema hoje e implementa-lo depois. - Os projetos so fceis de serem modificados. - O custo de produo de um circuito dedicado elevado, enquanto que usando o VHDL e dispositivos lgicos programveis, o custo bem menor. - Reduz consideravelmente o tempo de projeto e implementao. Verilog O Verilog uma linguagem, como VHDL, largamente usada para descrever sistemas digitais, utilizada universalmente. A linguagem Verilog descreve um sistema digital como um conjunto dos mdulos. Cada um destes mdulos tem uma relao com outros mdulos que descreve como esto ligados. Normalmente coloca-se um mdulo por ficheiro mas apenas conveno e no obrigatrio. Os mdulos podem funcionar simultaneamente, mas normalmente especifica-se um mdulo do nvel superior que especifica um sistema fechado contendo dados de teste bom como modelos de hardware. A este mdulo chamaremos mdulo de topo. O mdulo de topo invoca instncias de outros mdulos. Os mdulos podem representar as partes de hardware que podem ir desde portas simples at sistemas complexos como microprocessadores. Os mdulos podem ser especificados por comportamento ou estruturalmente (ou uma combinao dos dois). Uma especificao por comportamento define o comportamento de um sistema digital (mdulo) que usa as construes tradicionais duma linguagem de programao, e. g., ifs, instrues de atribuio. Uma especificao estrutural expressa o comportamento de um sistema digital (mdulo) como uma interconexo hierrquica dos mdulos secundrios. No fundo da hierarquia os componentes devem ser primitivas ou especificados por comportamento. As primitivas de Verilog incluem portas, e.g., nand, bem como transstores de passagem (switches).

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A estrutura de um mdulo a seguinte: module <nome_mdulo> (<lista_portas>); <declaraes> <elementos_mdulo> Endmodule nome_mdulo: um identificador que descreve univocamente o mdulo. lista_portas: uma lista das portas de input, de inout e de output que so usados na ligao a outros mdulos. declaraes: especifica estruturas de dados como registros ou memrias bem outras construes executveis como funes. elementos_mdulo: podem ser blocos initial, blocos always ,atribuies contnuas ou instncias de mdulos. A ttulo de exemplo, apresenta-se abaixo a descrio de uma porta AND de 3 entradas em Verilog. module AND(in1, in2,in3, out); input in1, in2,in3; output out; assign out = (in1 & in2 & in3); endmodule 12.6 Comparao entre VHDL e Verilog Capacidade de modelao Semelhante para modelos estruturais VHDL oferece melhor suporte para modelos abstratos e modelos de atrasos Verilog te melhores construes para modelar ao nvel lgico e primitivas de bibliotecas ASICS e FPGAs. Tipos de dados VHDL suporta tipos de dados abstratos criados pelo utilizador Em Verilog os tipos so muito simples e mais prximos do hardware Aprendizagem VHDL fortemente tipada, menos intuitiva, mais verbosa (baseada em ADA) Verilog mais simples e menos verbosa (baseada em C) Parametrizao VHDL tem construes para parametrizar nmeros de bits, replicar estruturas e configurar modelos. Verilog suporta apenas modelos com parmetros, instanciao com definio de parmetros.

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