Teoria de Semicondutores

1. O cobre um bom condutor. ( X ) Verdadeiro ( ) Falso

2. A orbita de valncia define as propriedades eltricas do tomo. ( X ) Verdadeiro ( ) Falso

3. O ncleo de um tomo composto por todas as rbitas exteriores. ( ) Verdadeiro ( X ) Falso

4. O eltron de valncia denominado de eltron livre. ( X ) Verdadeiro ( ) Falso

5. Um semicondutor um elemento com propriedades eltricas entre as de um condutor e as de um isolante. ( X ) Verdadeiro ( ) Falso

6. Quantos eltrons de valncia existem em um semicondutor de germnio? A. 1 B. 2 C. 4 D. Nenhum

7. Alm de germnio, qual o outro tipo de material semicondutor geralmente usado? A. cobre B. hlio C. alumnio D. silcio 8. Quando os tomos de silcio se combinam para formar um slido, eles se organizam em um padro ordenado chamado A. rbita. B. camada de valncia. C. cristal. D. condutor.

9. O termo usado para descrever o compartilhamento de eltrons de valncia que d uma solidez ao cristal A. ligao covalente. B. on negativo. C. ponto de saturao. D. polarizao reversa. 10. Quantos eltrons esto na rbita de valncia de um cristal de silcio? A. 2 B. 4 C. 8 D. Nenhum 11. A temperatura do ar circundante chamada de A. ambiente. B. envolvente. C. atmosfrica. D. centgrados. 12. Quando a sada de um eltron produz um espao vazio na rbita de valncia, chamado de A. lacuna. B. eltron vago. C. eltron polarizado. D. on negativo. 13. A unio de um eltron livre e uma lacuna denominada de A. fuso. B. combinao. C. restaurao. D. recombinao. 14. O tempo entre a criao e o desaparecimento de um eltron livre chamado de A. ano-luz. B. milissegundo. C. tempo de vida. D. semana de trabalho. 15. Um semicondutor puro tambm chamado de A. dispositivo de sala limpa. B. intrnseco. C. extrnseco. D. transistor. 16. temperatura ambiente, um cristal de silcio se comporta como um isolante.
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( ) Verdadeiro

( X ) Falso

17. Um semicondutor intrnseco tem um nmero diferente de eltrons livres e lacunas. ( ) Verdadeiro ( X ) Falso

18. A energia trmica produz eltrons livres e lacunas em pares. ( X ) Verdadeiro ( ) Falso

19. A dopagem um processo de adio de tomos de impureza em um cristal intrnseco para alterar a sua condutividade eltrica. ( X ) Verdadeiro ( ) Falso

20. Um semicondutor dopado chamado de semicondutor intrnseco. ( ) Verdadeiro ( X ) Falso

21. Que tipos de tomos so adicionados ao silcio fundido, a fim de aumentar o nmero de eltrons livres? A. pentavalente B. trivalente C. covalente D. positivo 22. Que tipo de impureza adicionado ao silcio puro para obter um excesso de lacunas? A. pentavalente B. trivalente C. covalente D. positiva

23. Um tomo trivalente tambm chamado de A. um tomo aceitador. B. um tomo doador. C. cobre. D. on negativo. 24. Qual o material semicondutor mais popular e til? A. prata B. cobre C. alumnio D. silcio

25. O silcio que foi dopado com impureza pentavalente chamado de A. semicondutor tipo p. B. semicondutor tipo n. C. condutor. D. isolante. 26. Em um semicondutor tipo n os eltrons livres so chamados de A. portadores minoritrios. B. portadores majoritrios. C. lacunas. D. ons. 27. O silcio que foi dopado com impureza trivalente chamado de A. semicondutor tipo n. B. semicondutor tipo p. C. juno pn. D. ligao covalente. 28. A fronteira entre uma regio tipo p e uma tipo n em um cristal chamada de A. juno pn. B. borda tipo p. C. margem tipo n. D. Juno p.

29. Qual o outro nome dado a um cristal pn? A. diodo de juno B. bipolar transistor C. dipolo D. dispositivo de efeito de campo 30. Quando um eltron livre entra na regio p de um diodo de juno, torna-se A. um portador majoritrio. B. um portador minoritrio. C. uma lacuna. D. um portador de depleo. 31. Cada vez que um eltron difundido em uma juno pn, cria-se um par de ons. ( ) Verdadeiro ( ) Falso

32. Cada par de ons positivos e negativos na juno pn chamada de dipolo.

( X ) Verdadeiro

( ) Falso

33. Conforme os dipolos so formados, a regio prxima juno pn livre de cargas chamada de camada de restaurao. ( ) Verdadeiro ( X ) Falso

34. A polarizao reversa ocorre quando o terminal negativo da fonte est conectado ao material tipo n, e o terminal positivo est conectado ao material tipo-p. ( ) Verdadeiro ( X ) Falso

35. A corrente circula facilmente em um diodo polarizado diretamente. ( X ) Verdadeiro ( ) Falso

36. Um diodo de silcio permitir a passagem de uma corrente contnua no sentido direto se a tenso da fonte for A. maior do que 0,7V. B. igual a 7,7V. C. menos de 0.7V. D. zero. 37. Qual o resultado quando o terminal negativo da bateria conectado ao lado p de uma juno pn, e o terminal positivo conectado ao lado n? A. polarizao B. polarizao reversa C. ruptura por avalanche D. um curto-circuito 38. Quando a polarizao reversa aumentada A. aumenta a corrente direta. B. a camada de depleo aumenta. C. a camada de depleo se torna menor. D. o diodo fica polarizado. 39. Qual o nvel de corrente aproximado de um diodo polarizado reversamente? A. 0,7 mA B. 0,7 A C. 1,7 A D. zero

40. O limite de tenso reversa que um diodo pode suportar antes de ser destrudo chamado de A. polarizao direta. B. polarizao reversa. C. corrente de ruptura. D. tenso de ruptura. 41. Em um diodo emissor de luz (LED), o que eleva os eltrons para nveis de energia mais altos? A. uma fonte de corrente constante B. uma tenso aplicada C. os eltrons valncia D. a luz 42. Em um semicondutor, a energia trmica produz eltrons livres que vo para a prxima banda de energia mais alta chamada de A. banda de radiao. B. banda de conduo. C. banda de eltrons. D. banda de valncia. 43. A camada de depleo no existe A. em diodos de juno pn. B. quando um diodo vendido pela primeira vez. C. quando um diodo formado. D. at que as lacunas sejam injetados. 44. Que tipo de polarizao d aos eltrons livres mais energia? A. reversa B. direta C. negativa D. positiva 45. Quando os eltrons passam da banda de conduo para a banda de valncia, o excesso de energia A. irradiado na forma de calor e luz. B. perdido devido aos eltrons de valncia. C. irradiada em forma de som. D. adquirida devido ao fluxo de lacunas. 46. Qual o termo para a temperatura interna de um diodo, logo na juno pn? A. temperatura ambiente B. temperatura do diodo C. temperatura pn D. temperatura da juno

47. Quando a tenso reversa aumenta, lacunas e eltrons A. recombinam-se. B. afastam-se da juno. C. Movem-se em direo a juno. D. permanecem estacionrios. 48. Em um tomo de silcio, qual o nome dado a distncia entre a banda de valncia e a banda de conduo? A. gap de energia B. camada de depleo C. juno pn D. intrnseco 49. Qual a desvantagem de um dispositivo de germnio que evita que ele seja usado em computadores modernos, aparelhos eletrnicos e circuitos de comunicao? A. custo B. peso C. corrente reversa excessiva D. corrente direta excessiva 50. Qual o termo relativo corrente reversa na superfcie de um cristal? A. corrente de cristal B. corrente reversa C. corrente de fuga de superfcie D. corrente de ruptura por avalanche