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Diodo e Transistores Bipolares
Diodo e Transistores Bipolares
e
Transistores Bipolares:
Teoria e Prticas de
Laboratrio
Diodos e
Transistores Bipolares:
Teoria e Prticas de Laboratrio
IFCE
Fortaleza, 2010
Sumrio
CAPTULO 1 SEMICONDUTORES.....................................................................................................................7
Introduo..............................................................................................................................................................7
1.1 Materiais semicondutores.................................................................................................................................7
1.1.1 O tomo de silcio.....................................................................................................................................8
1.1.2 O tomo de germnio................................................................................................................................9
Exerccios.............................................................................................................................................................10
1.1.3 Semicondutores do tipo P e N.................................................................................................................11
1.1.4 O diodo....................................................................................................................................................12
1.2 Polarizao do diodo......................................................................................................................................13
1.2.1 Polarizao direta....................................................................................................................................14
1.2.2 Polarizao reversa..................................................................................................................................14
Exerccios.............................................................................................................................................................15
1.3 Informaes Prticas......................................................................................................................................16
Exerccios.............................................................................................................................................................18
Experincia no Laboratrio..................................................................................................................................19
CAPTULO 2 TEORIA DOS DIODOS...............................................................................................................21
Introduo............................................................................................................................................................21
2.1 Curva caracterstica do diodo.........................................................................................................................21
2.2 Polarizao Direta..........................................................................................................................................22
2.3 Polarizao Reversa...................................................................................................................................22
2.4 Modelos Do Diodo.........................................................................................................................................22
2.4.1 Diodo Ideal..............................................................................................................................................22
2.4.3 Modelo linearizado..................................................................................................................................24
Exerccios.............................................................................................................................................................24
Experincia no Laboratrio..................................................................................................................................25
CAPTULO 3 CIRCUITOS COM DIODOS........................................................................................................29
Introduo............................................................................................................................................................29
3.1 Tenso Senoidal..............................................................................................................................................29
3.2 Transformador................................................................................................................................................30
3.3 Circuito Retificador de Meia-Onda................................................................................................................31
3.4 Circuito Retificador de Onda Completa.........................................................................................................35
3.5 Retificador Em Ponte.....................................................................................................................................40
3.6 Comparao Entre As Frequncias Dos Circuitos Retificadores...................................................................43
Exerccios.............................................................................................................................................................44
Experincia no Laboratrio..................................................................................................................................47
Capacitor varivel................................................................................................................................................49
CAPTULO 4 - CIRCUITOS RETIFICADORES COM FILTRO..........................................................................50
Introduo............................................................................................................................................................50
4.1 Circuito Retificador de Meia-Onda com Filtro Capacitivo............................................................................50
4.2 Circuito Retificador de Onda Completa com Derivao Central e Filtro Capacitivo....................................53
4.3 Retificador em Ponte com Filtro....................................................................................................................56
Exerccios.............................................................................................................................................................59
Experincia no Laboratrio..................................................................................................................................62
CAPTULO 5 OUTRAS APLICAES PARA O DIODO.................................................................................66
Introduo............................................................................................................................................................66
5.1 Rdio elementar.............................................................................................................................................66
5.2 Diodo nos circuitos de proteo.....................................................................................................................66
5.3 Circuito Tanque..............................................................................................................................................67
5.3.1 Propriedades do indutor..............................................................................................................................67
CAPTULO 1 SEMICONDUTORES
Introduo
Antes de iniciar o estudo sobre materiais semicondutores, vamos compreender a sua
importncia e exemplos de aplicaes dos componentes que ser abordado neste livro.
O homem contemporneo utiliza no seu dia a dia muitos equipamentos eletrnicos, tais
como celular, computador, televiso e vrios outros dispositivos. Todos estes equipamentos,
no qual o homem faz uso constituda a base de materiais semicondutores.
Como ocorreu a descoberta destes materiais?
Na dcada de 1940, um grupo de pesquisadores que trabalham no laboratrio Bell
Telephone, nos Estados Unidos, estudava um dispositivo eletrnico para substituir os rels que
eram utilizados no sistema telefnico. O grupo era formado pelo fsico William Schockey, o
engenheiro eletricista Jonh Bardeen e o fsico Walter Brattain. Este grupo observou que alguns
materiais no se comportavam nem como condutores nem como isolantes, ou seja, ora
conduzia corrente eltrica ora a bloqueava. Aps a descoberta dos materiais semicondutores,
foi possvel a implementao de diodos, transistores, CIs, etc.
Os pases que investiram em materiais semicondutores tiveram um grande avano em
sua economia, uma vez que, constitui em um dos setores mais ativo da indstria.
Com exemplo, podemos citar Taiwan, no qual, antes da dcada de 1970 era uma
economia agrcola, produzia arroz, cana-deacar e abacaxi. A partir da dcada de 1970
investiu em tecnologia, especialmente em semicondutores. A sua estratgica para o
desenvolvimento de uma poltica industrial e tecnolgica foi baseada na experincia de
parques tecnolgicos (vale do silcio).
Na dcada de 2000, a China inspirou-se no modelo de Taiwam e tambm investiu em
semicondutores com o objetivo de tornar a China o lder mundial em semicondutores em
2010.
Compreender a estrutura qumica dos materiais semicondutores de total importncia
para que possamos entender o funcionamento dos principais componentes da eletrnica como
o diodo e o transistor que ser abordado com detalhes neste livro.
Manter
L
K
ncleo
Quanto maior a
energia do eltron,
maior o seu raio.
rbitas
+14
+32
1 rbita 2 eltrons
2 rbita 8 eltrons
3 rbita 18 eltrons
4 rbita 4 eltrons
Exerccios
1. Complete
a) Os semicondutores mais utilizados e mais comuns so o ______________ e o
_____________.
b) O tomo de slicio contm ______________eltrons. Com _______eltrons na camada de
valncia.
c) O tomo de germnio contm_____________eltrons. Com________eltrons na camada
de valncia.
10
Si
Si
Sb
Eltron
livre
Si
Si
A cada tomo pentavalente que adicionado, sobra um eltron, pois apenas 4 eltrons
se ligam aos tomo de silcio, pois o silcio possui 4 eltrons e s necessita de mais 4 eltrons
para conseguir a configurao de gs nobre.
11
Nesse semicondutor temos o chamado material tipo N, pois em toda a sua estrutura, a
quantidade de eltrons livres superior quantidade de lacunas, como indica a Figura 1.6.
Si
Si
Lacuna
Si
Si
Figura 1.7 (a) Estrutura de silcio dopada com boro (B), (b) material tipo P correspondente.
1.1.4 O diodo
Ao unir um semicondutor tipo P com um semicondutor tipo N, temos a formao do
componente eletrnico chamado diodo, como mostra a Figura 1.8. Componente este que ser
de grande importncia para a construo de fontes de alimentao e muitas outras aplicaes
posteriormente discutidas.
12
+
+
+
_
_
_
Juno
PN
Figura 1.8 Diodo formado pela juno dos materiais tipo N e tipo P.
anodo
catodo
13
P
+
+
+
_
_
_
14
P
+
+
+
_
_
_
Exerccios
1. Dado os circuitos, indique qual das lmpadas ir acender.
a)
b)
15
Diodo de germnio
Este tipo de diodo utilizado com correntes muito fracas, mas pode operar em velocidades
muito altas, assim ele utilizado principalmente na deteco de sinais de altas frequncias
(rdio). Tipos conhecidos desta famlia so o 1N34, 1N60, OA79 etc.
Estes diodos so especificados segundo uma codificao: para os diodos de origem
americana temos a sigla 1N, enquanto que para os diodos de origem europia temos a sigla
AO ou ainda BA.
-
16
17
Exerccios
1.Complete
a) Quando tomos pentavalentes so adicionados ao cristal puro, temos a formao de um
semicondutor do tipo __________.
b) Quando tomos trivalentes so adicionados ao cristal puro, temos a formao de um
semicondutor do tipo ___________.
c) No material do tipo P as lacunas so portadores________________________.
d) No material do tipo N as lacunas so portadores_______________________.
e) Na juno PN temos a camada de ___________________.
f) Na camada de depleo origina a barreira de _________________________.
g) Se o diodo for de silcio a barreira de potencial de_______________V.
h) Se o diodo dor de germnio a barreira de potencial de___________V.
j) Na polarizao direta o diodo ideal se comporta como uma_____________________.
k) Na polarizao reversa o diodo ideal se comporta como ________________________.
l) Na polarizao reversa, na prtica temos duas correntes a corrente de
____________________________ e a corrente _________________________.
2.(CHESF 2002) Dispositivos eltricos e eletrnicos so construdos com os mais variados
tipos de materiais eltricos e magnticos. Os diodos e os transistores, sejam os bipolares de
juno ou os de efeito de campo, utilizam materiais semicondutores em sua estrutura. A
respeito de materiais semicondutores e de dispositivos eletrnicos, julgue os itens
subseqentes.
I Ao longo da histria da eletrnica, o germnio e o silcio podem ser citados como
importantes materiais semicondutores.
II Cristal semicondutor do tipo n tem as lacunas como principais portadores mveis de carga.
III Cristal semicondutor extrnseco aquele dopado com elementos denominados impurezas.
IV Um transistor bipolar de juno basicamente caracteriza-se por possuir trs junes pn.
V O diodo semicondutor apresenta uma juno pn.
Esto certos apenas os itens
A I, II e IV.
B I, II e V.
C I, III e V.
D II, III e IV.
E III, IV e V.
18
a.
b.
c.
cortado;
d.
conduzindo;
e.
cortados.
Experincia no Laboratrio
Experincia 1 Compreendendo a polarizao em um diodo
Neste circuito, devem-se identificar os terminais anodo e catodo em um diodo com o
auxlio de um multmetro digital. Posteriormente, deve-se montar um circuito simples para
compreender a polarizao em um diodo.
Material necessrio:
- 1 diodo 1N4001 (ou equivalente);
- 1 led;
- 1 resistor de 470; w
- 1 Fonte de alimentao de 6V;
- 1 multmetro digital.
Procedimento 1: Identificao dos terminais anodo e catodo
1. Coloque a chave seletora do multmetro na indicao do diodo.
2. Segure uma ponta de prova do multmetro em perna do diodo.
3. Observe que:
Se o valor que aparecer no display for de 600mV, significa que voc est polarizando
diodo diretamente, logo, onde est ponta de prova vermelha refere-se ao anodo e a ponta de
prova preta ao catodo.
Se o valor que aparece no display se refere o infinito, significa que voc est polarizando
diodo reversamente, logo, onde est ponta de prova vermelha refere-se ao catodo e a ponta
de prova preta ao anodo.
Procedimento 2: Compreendendo a polarizao direta e reversa em um diodo
1. Monte o circuito da figura 1.12
19
20
Uma das principais aplicaes do diodo, no qual, iremos estudar servir para a
montagem de uma fonte de alimentao.
Polarizao
direta
ruptura
21
22
POLARIZAO REVERSA
23
0.7V
POLARIZAO REVERSA
Na figura 2.8(a), temos o circuito em que o diodo est polarizado reversamente e a figura
2.8(b), o circuito equivalente para a polarizao reversa.
Figura 2.8(a) Polarizao reversa (b) Circuito polarizao reversa para o segundo modelo do
diodo
Exerccios
1. Considere o segundo modelo para o diodo, calcule a corrente que passa no
ampermetro (Figura 2.9).
5,6K
2.
3.
4.
5V
3,9K
Figura 2.9
24
2. Considerando o segundo modelo para o diodo, calcule a tenso que o voltmetro deve
indicar (Figura 2.10).
Figura 2.10
Figura 2.11
Experincia no Laboratrio
Experincia 1- A curva do Diodo
Nesta experincia, vamos montar o circuito bsico com o diodo e polarizar diretamente
e reversamente para que possamos medir a tenso e a corrente e, consequentemente desenhar a
curva caracterstica do diodo.
Material necessrio:
- 1 Fonte de alimentao cc varivel de 0 a 10V;
- 1 diodo 1N4001 (ou equivalente);
- 1 resistor de 10K, 0,25W;
- 1 multmetro (analgico ou digital);
25
Procedimento:
1- Monte o circuito abaixo (Figura 2.12):
Figura 2.12
26
Figura 2.13
27
Figura 2.14
28
Vp
T(s)
T/2
-Vp
Vp
Wt = (rd)
2
-Vp
Onde:
Vp tenso de pico (amplitude mxima positiva ou negativa, que a tenso senoidal
pode atingir).
Vpp Tenso de pico a pico (amplitude total, entre os valores mximos positivo e
negativo).
29
V() = Vp sent
Onde:
V(t) = V() = valor da tenso no instante t ou para o ngulo (em V)
3.2 Transformador
O transformador um dispositivo que permite modificar a amplitude de uma tenso
alternada, aumentando ou diminuindo-a. Pode-se tambm utilizar para isolar o circuito do lado
do primrio, do circuito do lado do secundrio, neste caso, a amplitude no ser alterada.
Ele consiste em duas bobinas isoladas eletricamente, montadas em um mesmo ncleo
de ferro (usado para concentrar as linhas de campo).
Voc sabe o que flybacks?
Vp
Vs
Os
flybacks
so
transformadores de alta
tenso
presentes
nos
televisores comuns de todos
os tipos e tambm nos
monitores de vdeo de
computadores.
30
Ps = Pp
Pp = Vp.Ip
Logo:
Vp.Ip = Vs.Is
Vp/Vs = Np/Ns
Is/Ip = Np/Ns
Valor eficaz
Para sinais senoidais, existe um conceito muito importante denominado valor eficaz ou
rms.
O valor eficaz Vef ou Vrms de uma tenso alternada a tenso que equivale a uma
tenso contnua, de tal forma que, ao aplicar uma tenso contnua a uma resistncia faria com
que ela dissipasse a mesma potncia mdia caso fosse aplicado essa tenso alternada.
Vp =
Veficaz
Funcionamento
No semiciclo positivo, o diodo conduz (polarizao direta) e a tenso no resistor a
mesma do secundrio do transformador. Observe as Figuras 3.5(a) e3.5(b).
31
Figura 3.5 (a)Circuito retificador de meia-onda, (b) Forma de onda no resistor no semiciclo
positivo.
Observe que a onda na qual era alternada no secundrio do transformar ao passar pelo
diodo fica contnua, mais precisamente contnua pulsante.
A finalidade deste circuito transformar a tenso que era alternada(primrio do
transformador) em contnua( sinal na carga).
Qual valor o multmetro indicar ao ler a tenso no resistor, j que a tenso pulsante.?
O multmetro indicar o valor mdio, calculado da seguinte forma:
Vmed
1
T
onde
f(t) = Vp sen
f t dt
no intervalo de 0 a e o perodo de 2
32
Logo:
1
2
Vdc
Vpsenwtdt
Wt =
dwt d
dt
dt
logo: dt
Vdc
1
Vpsend
2w 0
Vdc
Vp
cos I 0
2
Vdc
Vp
cos cos 0
2
Vdc =
d
w
2
,
T
e T = 2, logo w = 1
Vp
Exemplo:
1) Em um circuito retificador de meia-onda, a tenso no secundrio do transformador 12V.
Calcule a tenso no resistor.
Soluo:
Vst refere-se a tenso no secundrio do transformador
Vp =
Vst
Vp =
. 12 = 16,97V
Vdc = Vp
Vdc = 16,97
Vdc = 5,4V
ESPECIFICAES DO DIODO
33
34
A quantidade de corrente que passa no diodo igual a quantidade de corrente que passa
no resistor. Logo: Idc = Vdc/R
Exemplo:
1)Em um circuito retificador de meia-onda a tenso no secundrio do transformador 9V.
Calcule as especificaes do diodo. Dado: R= 3.9K
Soluo:
Vp =
Vst
Vp =
. 9 = 12,72V
Vdc = Vp
Vdc = 12,72
Vdc = 4,05V
PIV = 12,72V
Io = Idc = Vdc
R
Io = 4,05 = 1,03mA
3,9K
Rl
35
Ex:
9V
18V
9V
Funcionamento do circuito
No semiciclo positivo D1 conduz e D2 abre, como mostram as Figura 3.8(a) e 3.8(b).
Vst
Vdc
T
Figura 3.10 (a) Circuito retificador de onda completa com derivao central, (b) Forma de onda no
resistor no semiciclo positivo.
Vst
+
Vdc
T
36
Figura 3.11(a) Circuito retificador de onda completa com derivao central, (b) Forma de onda no
resistor no semiciclo negativo
1
T
f t dt
onde:
f(t) = Vp sen para o intervalo de 0 a e Vp sen para o intervalo de a 2
Devemos integrar o sinal at 2, logo W = 2 f = 1
Vdc
1
2
Vdc
Vp
2 2
2
Vpsen
Vpsen
logo: Vdc 2
Vp
OBS: Como apenas a metade da tenso no secundrio ir para o resistor temos que:
. Vst
37
Vp =
2
Exemplo;
1) Em um circuito retificador de onda completa com derivao central a tenso no secundrio
do transformador 16V. Calcule a tenso no resistor de 5,6K.
Soluo:
Vp =
. Vst
. 16
Vp = 11,31V
Vdc = 2.(11,31)/ = 7,2V
ESPECIFICAES DO DIODO
PIV Quando D1 est aberto D2 est conduzindo e a tenso que fica em D1 a tenso total
do secundrio do transformador.
+
Figura 3.12 Circuito equivalente do circuito retificador de onda completa com derivao central no
semiciclo positivo
PIV = Vpst
38
Exemplo:
1) Em um circuito retificador de onda completa com derivao central , a tenso no
secundrio do transformador 12V . Calcule as especificaes do diodo para um resistor de
2,7 K.
Soluo:
Vp =
. Vst
. 12
Vp = 8,48V
Vdc = 2.(8,48)/ = 5,4V
PIV =
Io = Idc
2
. 12 = 16,97V
Idc = 5,4/2,7K = 2mA
Io = 2m/2 = 1mA
39
D1
D2
D3
D4
Rl
Figura 3.14 (a)Circuito retificador em ponte, (b) Forma de onda no semiciclo positivo
40
Figura 3.15 (a) Circuito retificador em ponte, (b) Forma de onda no semiciclo negativo
Vdc = 2Vp
. 12 = 16,97V
41
ESPECIFICAES DO DIODO
So duas as especificaes do diodo: Tenso mxima de pico que fica no diodo quando
o mesmo est inversamente polarizado, denominado PIV(Tenso de pico inversa) e o valor
mdio a corrente no diodo quando o mesmo est diretamente polarizado, denominado Io.
PIV- No semiciclo positivo D1 est funcionando como uma chave aberta e D3 est
conduzindo, observe na Figura 3.12, que a tenso em D1 igual a tenso total do secundrio
do transformador.
PIV = Vpst
Io Durante o semiciclo positivo a corrente no passa sobre D1, mas tem corrente no resistor.
No semiciclo negativo tem corrente no diodo e tambm tem corrente no resistor, logo:
Io = Idc
2
Exemplo
1)Em um circuito retificador em ponte, a tenso no secundrio do transformador 9V. Calcule
as especificaes do diodo sabendo que o resistor de 2,7K.
Soluo:
Vdc = 2VP/
Vp =
. 9 = 12,72V
Io = 3m/2 = 1,5mA
42
Vst
Vdc
Figura 3.16 Comparao entre o perodo da onda no secundrio do transformador e na carga no circuito
retificador de meia onda.
43
Vst
Vdc
T
Figura 3.17 Comparao entre o perodo da onda no secundrio do transformador e na carga no circuito
retificador de onda-completa.
Exerccios
1. Preencha os espaos em branco.
A . Em um circuito retificador de meia-onda a tenso no resistor ser calculado pela seguinte
equao: Vdc =___________
B . Em um circuito retificador de meia-onda PIV = _____________ e Io = __________
C . Em um circuito retificador de onda completa com derivao central a tenso no resistor
ser calculado pela seguinte equao: Vdc =__________, onde Vp = _________ da tenso no
secundrio do transformador.
D . Em um circuito retificador de onda completa com derivao central temos: PIV =
___________ e Io = ______________.
E . Em um circuito retificador em ponte a tenso no resistor ser calculado pela seguinte
equao: Vdc = ______________
F . Em um circuito retificador em ponte temos: PIV = ___________ e Io = ___________
G . Se a frequencia da linha for de 50Hz, em um circuito retificador de meia-onda a frequncia
ser de _____________ no circuito retificador de onda completa com derivao central a
frequncia ser de _________e no circuito retificador em ponte a frequncia ser de
___________.
44
Figura 3.18
6. Dado o circuito(Figura 3.19) determine a tenso V1. Dado: Vst = 25V, R1 = 10k, R2 =
15k e R3 = 22K.
Figura 3.19
45
V1
Figura 3.20
Figura 3.21
Figura 3.22
46
Experincia no Laboratrio
Experincia 2 Circuito retificador de meia-onda
Neste circuito, deve-se montar um circuito retificador de meia-onda, para observar o
sinal do resistor com o uso do osciloscpio e medir a tenso Vdc.
Material necessrio:
- 1 transformador, 110V/220V 9V, 500mA
- 1 diodo 1N4001 (ou equivalente);
- 1 resistor de 10K, 0,25W;
- 1 multmetro (analgico ou digital);
- 1 Osciloscpio.
Procedimento:
1- Monte o circuito da Figura 3.23:
Figura 3.23
2345-
47
Rl
Figura 3.24
2.
3.
4.
5.
48
Procedimento:
1.Monte o circuito da Figura 3.25:
D1
D2
D3
D4
Rl
Figura 3.25
Figura 3.26
49
50
Vst
T
Vdc
T
Vdc = Vp - Vond
2
Vond =
I
FC
De: I = C dV
dt
dV = Vond
Onde:
I = Corrente no resistor, no entanto iremos aproximar a Vp/R
F = frequncia da forma de onda no resistor
C = Capacitncia
Obs: Quanto maior = RC, menor ser a tenso de ondulao, logo maior ser a tenso Vdc e
mais contnua ser a forma de onda no resistor.
51
ESPECIFICAES DO DIODO
So duas as especificaes do diodo: Tenso mxima de pico que fica no diodo quando
o mesmo est inversamente polarizado, denominado PIV(Tenso de pico inversa) e o valor
mdio a corrente no diodo quando o mesmo est diretamente polarizado, denominado Io.
PIV
A tenso no diodo ter o maior valor, quando em um circuito o capacitor tiver um
valor muito elevado no tendo tempo para descarregar e a tenso no secundrio do
transformador estiver no semiciclo negativo como mostra Figura 4.3.
Figura 4.3 Circuito retificador de meia onda com filtro capacitivo no semiciclo negativo
PIV= 2Vps
Io
A quantidade de corrente que passa no diodo ser a maior possvel quando em um
circuito o valor da resistncia e o valor do capacitor forrem muito baixo, de tal forma que o
capacitor de descarrega quase que totalmente, ficando a forma de onda muito parecida com a
do circuito retificador de meia-onda.
Io = Idc
Exemplo:
1)Dado o circuito, calcule a tenso Vdc e as especificaes do diodo. Dado: Vst = 12V e
Flinha = 60Hz
52
Soluo:
Vdc = Vp - Vond
onde : Vond = I
FC
. 12 = 16,97V
= 0,5V
60.100
53
D1
C
Rl
D2
Figura 4.5 Circuito retificador de onda completa com derivao central e filtro capacitivo
Vst
T
Vdc
T
54
Logo:
Vdc = Vp - Vond
2
PIV = Vpst
Io = Idc
2
Exemplo:
1) Dado o circuito, calcule a tenso Vdc e as especificaes do diodo. Dado: Vst = 12V
Flinha = 60Hz
D1
D2
5,6K
100F
Figura 4.7
55
Soluo:
2
Vp =
. Vst
. 12
Vp = 8,48V
I = Vp/R = 8,48/5,6K = 1,51mA
Vond =
1,51m
= 0,12V
120.100
Io = Idc/2
. 12 = 16,97V
Idc = Vdc/R = 8,41/5,6K = 1,5mA
Io = 1,5m/2 = 0,75mA
D1
D2
D3
D4
Rl
Vdc
T
Logo:
Vdc = Vp - Vond
2
57
ESPECIFICAES DO DIODO
So duas as especificaes do diodo: Tenso mxima de pico que fica no diodo quando
o mesmo est inversamente polarizado, denominado PIV(Tenso de pico inversa) e o valor
mdio a corrente no diodo quando o mesmo est diretamente polarizado, denominado Io.
PIV = Vpst
Io = Idc
2
Exemplo:
1)Dado o circuito, calcule a tenso Vdc e as especificaes do diodo. Dado: Vst = 12V
Flinha = 60Hz
D2
D1
D3
D4
5,6K
100F
Figura 4.10
Soluo:
Vp =
. Vst
. 12
Vp = 16,97V
I = Vp/R = 16,97/5,6K = 3 mA
58
Vond =
3m
= 0,25V
120.100
. 12 = 16,97V
Io = Idc/2
Io = 3m/2 = 1,5mA
Exerccios
1. Preencha os espaos em branco.
A . Em todos os circuitos retificadores com filtro, observa-se que a forma de onda a mesma
sendo calculado a tenso Vdc pela seguinte equao_________________________
Onde Vond = ________________
B . O que difere os circuitos retificadores com filtro como o circuito retificador de meia-onda
do circuito retificador de onda completa a __________________________
C. Em um circuito retificador de meia-onda com filtro se a frequncia da linha for de 60Hz, a
frequncia ser_________ e no circuito retificador de onda completa a frequncia
ser__________________.
D. O PIV para o circuito retificador de meia-onda com filtro ser igual a ______________
E . O PIV para os circuito retificadores de onda completa com filtro ser igual a__________
F. O Io para o circuito retificador de meia-onda com filtro igual a____________
G.O Io dos circuitos retificadores de onda completa com filtro ser igual a ___________
2. Dado os circuitos das Figura 4.11, 4.12 e 4.12, calcule a tenso Vdc e as especificaes do
diodo. Dado: Vst = 18V e Flinha = 60Hz
a)
2,7
47F
Figura 4.11
59
b)
D1
2,7K
D2
47F
Figura 4.12
c)
D1
D2
c)
D3
D4
2,7K
47F
Figura 4.13
3. Dado o circuito da Figura 4.14, determine Vdc. Dado: Vst= 24sen100t, Rl = 15K e C=
1F
Figura 4.14
4. Dado
Figura 4.15
5. A Figura 4.16, mostra dois circuitos retificadores de onda completa com carga RL idnticas,
alimentados por fontes de tenso senoidal V(t), com mesmas especificaes e utilizando
diodos considerados ideais. Medidas de tenso e freqncias foram efetuadas nas sadas dos
circuitos em cima das cargas Rl, obtendo:
V1 e f1 para C1
V2 e f2 para C2
Com relao s medidas obtidas, correto afirmar que:
a) V2 = 2V1 e f2 = f1
b) V2 = 2V1 e f2 = 2f1
c) V2 = 0,5 e f2 = f1
d) V2 = 0,5 e f2 = 0,5f1
e) V2 = V1 e f2 = f1
Figura 4.16
61
Experincia no Laboratrio
Experincia 5 Circuito retificador de meia-onda com filtro capacitivo
Neste circuito, deve-se montar um circuito retificador de meia-onda com filtro
capacitivo, no qual, ser observado como a tenso de sada ser influenciada de acordo com o
valor do capacitor.
Material necessrio:
- 1 transformador, 110V/220V 9V, 500mA
- 1 diodo 1N4001 (ou equivalente);
- 1 resistor de 10K, 0,25W;
- 3 Capacitores; 1F,10F,47F;
- 1 multmetro (analgico ou digital);
- 1 Osciloscpio.
Procedimento:
1.Monte o circuito da Figura 4.17, primeiramente, utilize o capacitor de 1F.
Figura 4.17
62
Experincia 6 Circuito retificador de onda completa com derivao central com filtro
capacitivo
Neste circuito, deve-se montar um circuito retificador de onda completa com derivao
central, para observar o sinal do resistor com o uso do osciloscpio e medir a tenso Vdc.
Material necessrio:
- 1 transformador com derivao central, 110V/220V 12V+12V, 500mA
- 2 diodos 1N4001 (ou equivalente);
- 1 resistor de 10K, 0,25W;
- 3 Capacitores; 1F,10F,47F;
- 1 multmetro (analgico ou digital);
- 1 Osciloscpio.
Procedimento:
1.Monte o circuito da Figura 4.18.
Figura 4.18
63
D2
D3
D4
Rl
Figura 4.19
64
Material necessrio:
1- Alternador ( pode ser um dnamo para bicicleta);
1- capacitor eletroltico de 220F,16V;
1- resistor 470, 1/8W;
1 led;
4- diodos 1N4001 ou equivalente.
Figura 4.20
Neste circuito, a energia elica fornecida pelo ventilador, servir para mover um
alternador e desta forma gerar energia eltrica. Como a tenso gerada pelo dnamo uma
tenso alternada de baixo valor (aproximadamente 6V), ao passar pelo circuito retificador em
ponte com filtro capacitivo, a tenso servir para acender um led.
65
Diodo detector
CV
filtro
fone
A antena capta os sinais emitidos pela estao, havendo ento a induo de uma
corrente de alta frequncia, que deve circular em direo terra passando pela bobina e
capacitor que formam o circuito de sintonia:
Este circuito se caracteriza por impedir a passagem dos sinais de uma nica frequncia,
ou seja, da estao sintonizada, que so desviados para o diodo. O diodo funciona como
retificador de alta frequncia, deixando passar apenas os semiciclos positivos do sinal, ou seja,
fazendo sua deteco. Este sinal que composto de duas partes, uma de alta frequncia que a
portadora, e outra baixa que a modulada, pode ser levado a um processo de separao.
O capacitor depois do diodo filtra o sinal, desviando para a terra a componente de alta
frequncia e deixando apenas a envolvente, ou seja, a modulada, que corresponde justamente
ao som que captado nos microfones da emissora ou obtido de um toca-disco ou toca-fitas.
Aplicando este sinal de baixa frequncia a um fone de ouvido ou ento a um
amplificador, podemos ouvir os sons transmitidos pela estao de rdio.
66
(+)
Carga indutiva
Diodo de
proteo
Circuito de
comutao
Leitura Complementar
5.3 Circuito Tanque
O estudo do circuito tanque ser de grande importncia para que possamos
compreender os circuitos utilizados para a sintonia de rdio, alm de alguns circuitos
osciladores e outras aplicaes no qual se faz o uso de um circuito indutor capacitor.
Iniciamos fazendo uma reviso sobre as propriedades do indutor.
67
De acordo com a expresso 1, ao abrir o circuito, ocorre uma variao bastante alta da
corrente em pouqussimo tempo (abertura da chave).
v L
i
t
(1)
= 4e
0,0004
3,33
= 3,999A
Logo:
i = 4-3,999=1mA
t = 0,00004s
A tenso auto-induzida ser:
v
Li
= -250V
t
68
1/(2FrC) = 2FrL
Fr = 1/(2LC)1/2
69
Das milhares de ondas senoidais de diferentes estaes de rdio que chegam antena, a
onda senoidal que corresponde freqncia de ressonncia ser amplificada, sendo as demais
desviadas para o terra.
Em um rdio, o circuito tanque possui um capacitor varivel, no qual, ao girar o boto
que altera o valor do capacitor, muda a freqncia de ressonncia e, portanto, muda a
freqncia da onda senoidal que o ressonador amplifica. desta forma que este circuito
sintoniza as diferentes estaes no rdio.
70
Exerccios
1. (ELETRONORTE 2006) A rede abaixo(Figura 5.8):
Figura 5.8
Experincia no Laboratrio
Experincia 8 Rdio elementar ou rdio Galena
Neste circuito, vamos montar um rdio bastante simples.
O rdio um dos meios de comunicaes mais utilizado pelo homem moderno.
Compreender o funcionamento de um simples rdio ajudar a compreenso dos rdios mais
complexos e mais bem elaborado.
O rdio Galena foi o primeiro rdio inventado pelo homem. Foi implementado na
Frana por Radiguet e Massiot. O rdio Galena bastante simples, os resultados obtidos na
prtica no so muito satisfatrios, pois no apresenta uma etapa para a amplificao do sinal
captado pela antena.
A idia fundamental em um rdio Galena captar ondas eletromagnticas por um
receptor eltrico simples e reproduzir em um fone de ouvido.
De onde vm estas ondas eletromagnticas?
As estaes de rdio produzem uma quantidade bastante elevadas de ondas
eletromagnticas em diversas freqncias.
Material necessrio
1 Diodo de Germnio ( qualquer tipo de diodo de Germnio);
1 Fone de cristal;
1 capacitor varivel;
1 indutor 10mH;
1 antena.
71
Procedimento:
1.Monte o circuito da Figura 5.9.
Figura 5.9
72
Figura 5.10
A seta que est ligada na bobina deve ser mvel e percorrer toda a bobina para
sintonizar em uma determinada frequncia.
73
Vent
+Vp
Rl
Vsada
-Vp
Vsada
-Vp
Figura 6.1 (a) Circuito limitador positivo, (b) Forma de onda na carga
74
Na Figura 6.2(a), temos um outro limitador positivo, no qual foi inserida uma fonte de
tenso em serie com o diodo. A limitao da tenso ser para tenses acima de V como mostra
a Figura 6.2(b).
Vent
Vp
Vent
V
Rl
Vsada
T
-Vp
Vsada
V
-Vp
Figura 6.2 (a) Circuito limitador positivo polarizado, (b) Forma de onda na carga
75
Vent
Vp
T
Vent
Rl
Vsada
-Vp
Vsada
T
Figura 6.3 (a) Circuito limitador negativo, (b) Forma de onda na carga
Vent
+Vp
Vent
Rl
Vsada
T
-Vp
Vsada
T
Figura 6.4 (a) Circuito limitador positivo, (b) Forma de onda na carga
76
Vent
+Vp
T
Vent
Rl
Vsada
-V
-Vp
T
-V
- Vp -V
Figura 6.5 (a) Circuito limitador positivo polarizado, (b) Forma de onda na carga
Vent
+Vp
T
Vent
Rl
Vsada
-Vp
Vsada
-V+Vp
-V
Figura 6.6 (a) Circuito limitador negativo polarizado, (b) Forma de onda na carga
77
Vent
+Vp
T
Vent
Rl
Vsada
-Vp
Vsada
T
+V-Vp
Figura 6.7 (a) Circuito limitador positivo polarizado, (b) Forma de onda na carga
Vent
+Vp
T
Vent
Rl
Vsada
-Vp
Vsada
+Vp
T
Figura 6.8 (a) Circuito limitador negativo, (b) Forma de onda na carga
78
Vent
+Vp
T
Vent
Rl
Vsada
-Vp
Vsada
+Vp
Figura 6.9 (a) Circuito limitador polarizado, (b) Forma de onda na carga
Vent
+Vp
T
Vent
V1
V2
Rl
Vsada
-Vp
Vsada
V2
T
V1
79
Vent
+Vp
C
T
Vent
Rl
Vsada
-Vp
Vsada
+2Vp
T
Figura 6.11 (a) Circuito grampeador positivo, (b) Forma de onda na carga
80
Vp
-
Vent
Rl
Vsada
No semiciclo negativo:
Vsada = Vc Vent
Quando Vent diminui, Vsada diminui
Quando Vent = - Vp , Vsada = 0
Quando Vent aumenta, Vsada tambm aumenta.
Outros Circuitos grampeadores
Vent
+Vp
Nas Figuras 6.13, 6.14, 6.15, 6.16 e 6.17, temos mais exemplos de Tcircuitos
grampeadores e as suas respectivas formas de onda na carga. A anlise semelhante as
anlises j realizadas.
Vent
Vsada
-Vp
Vsada
T
81
-2Vp
Figura 6.13 (a) Circuito grampeador negativo, (b) Forma de onda na carga
Vent
C
+Vp
T
Vent
V
Vsada
-Vp
Vsada
V
T
-2Vp+V
Figura 6.14 (a) Circuito grampeador negativo polarizado, (b) Forma de onda na carga
Vent
C
+Vp
T
Vent
Vsada
-Vp
Vsada
+2Vp+V
Figura 6.15 (a) Circuito grampeador positivo polarizado, (b) Forma de onda na carga
Vent
+Vp
C
Vent
Vsada
-Vp
Vsada
-V
Vent
-V-2Vp
Vp
Figura 6.16 (a) Circuito grampeador negativo polarizado, (b) Forma de onda na carga
Vent
V
Vsada
Vsada
+ 2Vp -V
T
83
-V
Figura 6.17 (a) Circuito grampeador positivo polarizado, (b) Forma de onda na carga
Exerccios
1- Dado
30V
Vent
4V
Rl
Vsada
T
-30V
7V
Vsada
T
Figura 6.18
2- Dado
84
Figura 6.19
Experincia no Laboratrio
Experincia 9 Circuito Grampeador
Neste circuito, deve-se montar um circuito grampeador, com o objetivo de analisar e
observar o sinal do resistor com o uso do osciloscpio.
Material necessrio:
- 1 gerador de udio
- 1 diodo 1N4001 (ou equivalente);
- 1 resistor de 1M, 0,25W;
- 1 capacitor 470F;
- 1 multmetro (analgico ou digital);
- 1 Osciloscpio.
Procedimento:
1. Monte o circuito da Figura 6.20, no qual vent corresponde o sinal do gerador de udio em
1KHz e amplitude de 5V.
85
Vent
Vsada
Figura 6.20
2. Com o uso do osciloscpio observe a forma de onda do resistor e analise o que acontece
com o sinal se o valor do capacitor ou do resistor diminuir.
86
Figura 6.21
87
anodo
catodo
Na figura 7.2, temos o grfico que relaciona a corrente e a tenso para o diodo zener,
ou seja, este grfica representa o funcionamento do diodo zener.
Polarizao
reversa
Polarizao
direta
I
Ruptura
ou Vz
v
Iz(mn)
Iz(mx)
88
Quando se polariza diretamente o diodo zener, ele se comporta da mesma forma que
um diodo retificador, ou seja, conduz a partir do momento em que vence a barreira de
potencial.
Na polarizao reversa, enquanto a tenso que est sendo aplicada for menor do que a
tenso de zener , ele funciona como uma chave aberta.
Quando a tenso que est sendo aplicado ao diodo zener for maior do que a tenso de
zener, ele passa a conduzir, observando que a tenso nele permanece a mesma aumentando
apenas a corrente que passa por ele, e existe a corrente mxima que o diodo zener suporta,
maior do que esta corrente o diodo zener ser danificado.
CIRCUITO BSICO
O menor circuito para a montagem com o diodo zener apresentado na Figura
7.3, constituindo de uma fonte de alimentao e um resistor
Rs
Ve = RsIs +Vz
Ve
Vz
Figura 7.3
Exemplo:
Se montssemos o circuito da Figura 7.4, e medssemos a tenso no diodo zener
e a corrente que passa por ele ao aplicar a tenso V, montaramos a tabela 7.1. Esta tabela
importante para que possamos compreender o funcionamento do diodo zener.
Tabela 7.1
1K
Ve
Figura 7.4
5V6
Vz
Quando Ve = 1V
Quando Ve = 2V
Quando Ve = 3V
Quando Ve = 4V
Quando Ve = 5V
Quando Ve = 6V
Quando Ve = 7V
Quando Ve = 8V
Quando Ve = 9V
Quando Ve = 10V
Vz = 1V e Is = 0
Vz = 2V e Is = 0
Vz = 3V e Is = 0
Vz = 4V e Is = 0
Vz = 5V e Is = 0
Vz = 5,6V e Is = 0,4m A
Vz = 5,6V e Is = 1,4mA
Vz = 5,6V e Is = 2,4mA
Vz = 5,6V e Is = 3,4mA
Vz = 5,6V e Is = 4,4mA
89
Is = Ve- Vz
Rs
Is
Rs
Ve
Vz
Iz
Rl
Il
Vl
R1
.Ve
Rl + Rs
Logo:
Is = Il + Iz
Onde:
Il = Vl
Vl = Vz
Rl
Is = Ve - Vz
Rs
Is
2,7K
15V
3V2
Iz
5,6K
Il
Figura 7.6
Soluo:
Vth =
R1
Rl + Rs
Vth = 10V
.Ve
Vth =
5,6K
5,6K+2,7K
. 15
Il = 3,2/5,6K = 0,57mA
Is = 15 3,2
Is = 4,3mA
2,7K
Is = Il + Iz
91
Rs
D2
D3
D4
Vz
Rl
Exemplo:
1)Se a tenso no capacitor oscilada de 5,6V 6,3V e o diodo zener de 3,2V, considerando
que a queda em Rs seja de 0,8V ou seja a tenso que chega no diodo zener 4,8 5,5V, ento
a tenso depois que passa pelo diodo zener ser constante em 3,2V.
anodo
catodo
Figura 7.8
92
Polarizao
direta
v
1,5 a 2,5V
Figura 7.9
CIRCUITO BSICO:
O menor circuito que podemos construir com um led apresentado na Figura
7.9. No se deve ligar um led em paralelo com uma fonte de alimentao, pois danifica
facilemnte, uma vez que a resistncia da fonte desprezvel e a corrente que passar no led
ter valor elevado.
93
Rs
Is
Ve
Is = Ve - Vled
Rs
Figura 7.9
Is
6V
Figura 7.10
Soluo:
Rs
= Ve
Vled
Is
Rs = 6 2
20m
Rs = 200
94
Este fato implica que, se este componente estiver polarizado em uma determinada
regio de sua curva caracterstica, se aumentarmos a tenso entre seus terminais, a corrente
que atravessa diminuir.
Ele foi desenvolvido pelo Dr. Leo Esaki em 1958 e , as vezes chamado de diodo
Esaki, em homenagem ao seu descobridor.
SIMBOLOGIAS
Vv
Figura 7.12
95
Figura 7.15
96
Reviso
1. Dado o circuito da Figura 7.16, calcule as correntes Is, Iz e Il.
Is
3,9K
20V
5V6
Iz
10K
Il
Figura 7.16
5. No circuito da Figura 7.18, V1 = 15V e no LED D1, Imin = 1mA, Imx = 25mA e
Vled = 2V.
Figura 7.18
97
6. A Figura 7.19, ilustra um circuito alimentado por uma fonte de tenso senoidal da forma
Ve(t) = 20sen(wt), onde Z1 um diodo zener de 15V e D1 um diodo ideal. O sinal de sada
Vs(t) dever ser, aproximadamente, da forma:
Figura 7.19
7. A Figura 7.120, ilustra um circuito alimentado por uma fonte de tenso senoidal, cujo valor
de pico superior tenso de diodo zener Z1, que pode ser considerado ideal. O sinal de
tenso Vs(t) dever ter, aproximadamente, a forma:
98
Figura 7.20
Figura 7.21
99
Experincia no Laboratrio
Experincia 10 O diodo Zener
Neste circuito, deve-se montar um circuito bsico com o diodo zener para compreender
o seu funcionamento.
Material necessrio:
- 1 Fonte de alimentao varivel (0-15V)
- 1 diodo zener 5V6, 0,5W;
- 1 resistor de 1K, 0,25W;
- 1 multmetro (analgico ou digital);
Procedimento:
1.Monte o circuito da Figura 7.22.
Figura 7.22
Vz
100
Figura 7.23
101
Figura 7.24
Figura 7.25
102
Figura 7.26
Quando a tenso diminuir, abaixo de 12V, pode-se considerar que a corrente que passa
no diodo zener ser zero, logo, a tenso no resistor de 1K ser zero e o transistor funcionar
como uma chave aberta. Toda a corrente passar pelo led e acender.
Neste circuito quando a tenso cair abaixo de 12V o led acende, no entanto, se a tenso
voltar a aumentar o led apaga.
Descrevemos a seguir um circuito no qual, quando a tenso baixar e voltar a aumentar
uma lmpada ficar acesa.
Material necessrio
-1 fonte de tenso varivel;
- 1 diodo 1N4004;
- 1 lmpada de 12V;
- 1 diodo zener 12V, 0,5w;
- 1 resistor 2,2K, 10K;
- 2 resistores 1K;
- 1 transistor BC338;
- 1 capacitor 1F, 16V
- 1 SCR ( TIC106D);
-1 rel 12V.
Circuito 2 (Figura 7.27)
103
Figura 7.27
Neste circuito, figura , foi utilizado um SRC, no qual, quando a tenso cair abaixo de
12V, o transistor funciona como uma chave aberta e toda a corrente desvia para o circuito do
capacitor que dispara o SCR. A bobina do rel acionada e o contato normalmente aberto do
rel fechado, a lmpada acesa.
104
Base
Emissor
Fluxo de
lacunas
Fluxo de eltrons
105
.
Na Figura 8.2, o transistor foi redesenhado fixar o que foi dito. Comparando as trs
camadas do transistor, elas no possui tamanhos iguais, nem apresentam a mesma dopagem.
O emissor o mais dopado dos trs, o que significa que, na formao do materal do tipo N, a
quantidade de impurezas (tomos pentavelentes) superior a quantidade de impurezas do
coletor. Portanto, no emissor temos uma maior quantidade de eltrons livres do que no coletor.
A base levemente dopada e o coletor o mais extenso dos trs.
coletor
coletor
base
base
emissor
emissor
106
Pela Figura 8.5, observa-se que tenso aplicada no emissor para a base (Veb) e a tenso
aplicada do coletor para a base (Vcb) polarizam o transistor reversamente. Uma forma de
visualizar este tipo de polarizao considerar entre o emissor e a base um diodo em que o
catodo est no emissor e o anodo na base. A tenso positiva externa atrae o eltrons do emissor
para a extremidade do transistor e o negativo da fonte externa aplicada na base atrae as
lacunas, com isto aumenta a camada de depleo. Entre o coletor e base acontece o mesmo
procedimento. O positivo da fonte externa atrae os eltrons do coletor e o negativo que est
ligado na base atrae as lacunas, aumentando desta forma a barreira de potencial at se igualar a
fonte Vcb. Neste tipo de polarizao no haver circulao de corrente se desprezar as
corrente de fuga de superfcie e a corrente produzido termicamente.
- Polarizao emissor base diretamente e coletor- base diretamente
.
Figura 8.6 Polarizao emissor base diretamente e coletor- base diretamente
107
Na Figura 8.6, a tenso aplicada no emissor para a base(Veb) e a tenso aplicada do coletor
para a base(Vcb) polarizam o transistor diretamente. Neste caso, haver uma grande circulao
de corrente circulando pela base do transistor.
Este tipo de polarizao o mais utilizado dos trs. A fonte de tenso externa aplicada
entre o emissor e a base polariza o transistor diretamente e a tenso aplicada do coletor para a
base polariza o transistor reversamente, como mostra a Figura 8.7. A tenso Vcb faz com que
aumente a camada de depleo entre a base e o coletor. A tenso Veb ao polarizar o transistor
diretamente, faz o menos da fonte repelir os eltrons do emissor. Se a tenso Veb for maior do
que a barreira de potencial , os eltrons passam do emissor para a base. Ao chegar na base
ocorre o inesperado, a maior parte dos eltrons passam para o coletor , sendo atrado pelos
ons positivo. Estes eltrons terminam indo para o positivo da fonte Vcb. Apenas uma pequena
parcela desce pela base. Pode-se dizer que, na maioria das vezes aproximadamente de 95% a
99% dos eltrons que passaram do emissor para a base vo para o coletor e apenas 5% a 1%
desce pela base. Neste tipo de polarizao verifica-se que o nome coletor est indicando que
ele coleta os eltrons e o emissor tem como funo emitir eltrons. O emissor o mais dopado
ele tem com funo emitir eltrons.
108
109
Nesta configurao na entrada temos ib, na sada Ic. Ie comum ao sinal de entrada e de
sada.
Ganho de corrente
O ganho de corrente relaciona a corrente de sada com relao a corrente de entrada.
O ganho de corrente para este tipo de configurao Ic/Ib
Como esta configurao a mais utilizada, os manuais dos fabricantes mostram este
ganho de corrente, pelo qual simbolizado pela letra beta cc.
Logo: = Ic/Ib
Embora este ganho de corrente tenha sido definido para a configurao emissor
comum, este parmetro serve tambm para o clculo dos resistores de polarizao para as
outras configuraes.
Devido a configurao emissor comum ser a mais utilizada, entraremos com mais
detalhes estudando as curvas caractersticas de entrada e de sada.
110
Entre o emissor e a base existe uma barreira de potencial. Para que os eltrons do
emissor passem para a base, deve-se vencer esta barreira. Com o transistor construdo com
tomos de silcio o valor da barreira de potencial de 0,7V.
O que observamos que quando uma fonte de tenso contnua aplicada entre o
emissor e a base, o funcionamento semelhante a de um diodo.
Como a corrente que flui para o coletor depende tambm da quantidade de eltrons que
flui do emissor para base, ou seja, da corrente da base, o grfico construdo para os vrios
valores da corrente da base.
111
Observamos que, se a tenso entre o emissor e a base for zero, mesmo que a tenso
entre o coletor e o emissor seja um valor elevado, como no h corrente na base, tambm no
haver corrente no coletor. O fato que, a tenso entre o coletor e base, polariza o coletor e a
base reversamente, aumentando a camada de depleo. Quando uma tenso entre o emissor e a
base for suficiente para vencer a barreira de potencial e assim a base ter corrente, a maior parte
dos eltrons atrada pelo coletor devido aos ctions da camada de depleo. Quanto maior
for a corrente que passa para a base, maior ser a corrente que tambm passa para o coletor.
Logo, a corrente do coletor no depende somente da tenso Vce, mas tambm da corrente Ib.
8.3.2 Configurao Base comum
Nesta configurao, a base est na entrada e na sada do circuito, ou seja, a base o
eletrodo comum. (Figura 8.13).
Definimos como entrada a tenso Vbe e a corrente Ie. Na sada est a tenso Vcb e a
corrente Ic.
Ganho de corrente
= Ic/Ie
Definimos o ganho de corrente para este tipo de configurao, pois ser til para
anlise de circuitos para outras configuraes.
Polarizao da base
A Figura 8.15, mostra o circuito polarizao da base
112
Malha de entrada
-Vbb + RbIb + Vbe = 0
Adotaremos Vbe sempre igual a 0,7V, qaunto a tenso Vbb for maior do que 0,7V, pois, entre
a base e o emissor o transistor comporta-se como um diodo para uma tenso contnua.
Logo:
Vbb = RbIb + 0,7
Malha de sada
- Vce + RcIc + Vce = 0
Exerccio Resolvido
Dado o circuito (Figura 8.15). determine Vce e Ic. Dado: Vbb = 6V, Rb = 220K, Rc = 3,3K,
Vcc = 12V e o ganho de corrente igual a 100.
Figura 8.15
Soluo:
113
- Malha de entrada
6 = 220KIb + 0,7
Ib = 0,024mA
Ic = Ib
Malha de sada
12 = Rc.2,4m +Vce
12 = 3,3K. 2,4m + Vce
Vce = 4,08V
Reta de carga cc
Para saber os pontos de operao do transistor, faz-se necessrio esboar uma reta na
curva caracterstica de sada do transistor na configurao emissor comum, que intercepte
todos os possveis pontos de operao do transistor. Esta reta definida como reta de carga cc.
(Figura 8.16).
Regio de corte
A regio de corte definida como a regio no qual a corrente da base zero
(idealmente) consequentemente, Ic tambm zero. Neste caso, o transistor funciona como
uma chave aberta.
114
Exemplo:
1) Dado o circuito (Figura 8.17), determine Ic e Vce. Dado: Vbb = 0,3V, Rb = 10K, Vcc =
10V, Rc = 2,2K e = 100.
Figura 8.17
Soluo:
Malha de entrada
Vbb = RbIb + 0,7. onde a tenso Vbb no suficiente para vencer a barreira de potencial, pois
entre a base e o emissor, o transistor funciona como um diodo. Logo Ib = 0
Como Ic = Ib e Ib = 0, Ic = 0, mesmo tendo um valor de tenso Vcc. Vce = Vcc = 10V
Neste caso, o transistor funciona como uma chave aberta e est operando na regio de corte.
Imagina-se o circuito da Figura 8.18.
Figura 8.18
Regio de saturao
Um transistor est operando na regio de saturao, quando a corrente Ib for um valor
to elevado que o transistor sature funcionando como uma chave fechada.
Exemplo
- Dado o circuito (Figura 8.19), determine Ic e Vce. Dado: Vbb = 12V, Rb = 3,3K, Vcc = 15V,
Rc = 2,2K e = 100.
115
Figura 8.19
Soluo:
Malha de entrada
Vbb = RbIb + 0,7.
12 = 3,3KIb +0,7
Ib = 3,42mA
Vce = - 737,4V
Como um transistor no gera tenso. A nica tenso que temos na malha de sada de
15V para ser divida pelo resistor e transistor.
O que temos neste caso, que a corrente da base um valor bastante elevado, sendo
suficiente para saturar o transistor. O transistor neste caso funciona como uma chave fechada
como mostra a Figura 8.20.
Figura 8.20
A corrente Ic ser igual a Vcc/Rc, j que o transistor funciona como uma chave fechada
e desta forma a tenso Vce ser zero. Observe que a corrente que circula no coletor o maior
valor possvel para este circuito.
Regio ativa
A regio ativa a regio intermediria entre a regio de corte e saturao. Na regio de
corte a corrente Ic igual a zero e a tenso Vce o valor mximo possvel. Na saturao a
tenso Vce igual a zero e a corrente Ic o valor mximo possvel para o circuito. Na regio
ativa, existe um valor de corrente Ic e tenso Vce que no so zero e tambm no possui o
mximo valor possvel para o circuito.
116
Exemplo
1) Dado o circuito (Figura 8.21).determine Ic e Vce. Dado: Vbb = 10V, Rb = 330K, Vcc =
15V, Rc = 2,2K e = 100.
Figura 8.21
Soluo:
Malha de entrada
Vbb = RbIb + 0,7.
10 = 330KIb + 0,7
Ib = 0.028mA
Ic = 2,8mA
Malha de sada
15 = 2.2K Ic + Vce
Vce = 8,84V
Observe que, temos um valor positivo de corrente Ic e tenso Vce, que no so zero
nem o mximo, logo, o transistor est operando na regio ativa.
O transistor operando na regio ativa ser til na construo de circuitos para
amplificar um sinal, ou seja, na construo de amplificadores.
117
Figura 8.22
Para determinar a reta de carga, deve-se calcular dois pontos. Iremos calcular na regio
de corte e na regio de saturao.
Na regio de corte:
Ic = 0
Vce = Vcc
Na regio de saturao
Vce= 0
Fechando a malha temos:
Vcc = Rc i c + Vce
Logo: Vcc = Rc Ic
Icsat = Vcc/Rcc
Figura 8.23
Soluo:
Na regio de corte
118
Ic = 0
Vce = 15V
Na regio de Saturao
Icsat = 15/3,3K = 4,54mA
Vce = 0
Figura 8.24
Polarizao da base
O circuito polarizao da base apresentado na Figura 8.25.
Na segunda malha:
Vcc = Rc ic + Vce
Para que o transistor opere na regio ativa, o ideal que ele opere no meio da reta de
carga cc. Para isto deve-se colocar Vce = 0,5Vcc.
Com o aumento da temperatura o ganho de corrente aumenta e consequentemente ic
tambm aumenta, uma vez que, ic = ib.
Da segunda malha como Vcc e Rc so valores fixo, ou seja, no sofrem influncia com
a alterao da temperatura ambiente. Para que a equao continue vlida, Vce diminui. Vce
diminuindo o ponto quiescente na reta de carga cc deve subir, ou seja, o transistor tende a
saturao.
Para polarizar o transistor na regio ativa, foram implementados vrios circuitos, at
conseguir o circuito mais utilizado, que o circuito polarizao por divisor de tenso. Iremos
analisar a evoluo dos circuitos.
120
Malha I Temos:
Vbb = Rb ib + Vbe + Re Ie
Malha II temos
Vcc = Rc ic + Vce + Re ie
Exerccio resolvido
Dado o circuito (Figura 8.28), determine Ib, Ie, Ic e Vce.
Vcc= 12V, Vbb = 6V, Rb = 470K, Rc = 2,7K e Re = 800, = 120.
Figura 8.28
121
Soluo:
Vbb = RbIb + Vbe
6 = 470K ib + 0,7
Ib = 0,0112mA
Ic = Ib
Ie = Ic + Ib
Ic = 1,34mA
Ie = 1,34m + 0,011m
Ie = 1,35mA
Rth
R1.R 2
R1 R 2
122
Vth
R2
Vcc
R1 R 2
Malha I Temos:
VTh = RTh ib + Vbe + Re Ie
Malha II temos
Vcc = Rc ic + Vce + Re ie
Exerccios resolvidos
1.Dado o circuito (Figura 8.31), determine Vce e Ic. O ganho de corrente igual a 100
123
Figura 8.31
Soluo:
33K .3,3K
3,3K
12 1,09V
33K 3,3K
logo:
0,39 = 184,8K ib
ib = 0,002mA
Malha 2
12= 3,3Kic + Vce + 1,8K ie
12 = 3,3K (0,02m) + Vce + 1,8K (0,213m)
Vce = 11,55V
124
Observando a Figura 8.34, verificamos que na base existe uma tenso de 3V. Esta
tenso faz com que fixe a tenso no emissor de 3- 0,7. ou seja, a base amarra a tenso do
emissor.
Neste circuito, o transistor est funcionando como fonte de corrente, pois mesmo
alterando a queda de tenso nos leds a corrente permanece a mesma.
126
Leitura Complementar
Modelagem do transistor para anlise CA
O transistor em um circuito eltrico substitudo pela combinao de elementos
apropriadamente escolhidos, que se aproximam melhor do funcionamento real, tendo-se o que
denominado modelagem do transistor. O objetivo de modelar o transistor facilitar a anlise
para sinais alternados em funo das tenses, correntes e freqncias envolvidas.
H vrios modelos para representar o transistor em um circuito eltrico. Os mais
utilizados so o modelo de Erbers Moll e o modelo hbrido (MALVINO, 1995).
8 3 Modelo de Erbers Moll
coletor
base
base
re`
emissor
Figura 35 - Transistor NPN
emissor
Figura 36 - Modelo Erbers Moll
127
Onde:
re = resistncia a passagem do sinal alternado no emissor, pode ser deduzida
como segue:
A equao da juno PN retangular deduzida por Shockley (substituda pela
resistncia re no modelo) :
Onde:
I Is
q .V
k .T
(1)
128
re = 25mV/Ie
5.4 Modelo Hbrido
No modelo hbrido (MARQUES et al, 1996), o transistor substitudo por um
nico dispositivo denominado quadripolo, de tal forma que ele possa ser modelado
matematicamente:
Variveis:
v1 = tenso de entrada
v2 = tenso de sada
i1 = corrente de entrada
i2 = corrente de sada
Conveno:
Tenso positiva para cima
Corrente positiva para dentro
i1
+
v1
_
i2
Circuito
Eltrico
+
v2
_
Essas quatro grandezas envolvidas podem ser relacionadas entre si por meio de
funes lineares, fixando-se duas variveis dependentes e duas independentes.
De acordo com essa escolha, tem-se modelo matemtico de quadripolos. Para o
modelamento do transistor, a forma adotada fixar v1 e i2 como variveis dependentes e i1 e v2
como variveis independentes (CUTLER,1997).
5.4.1 Modelamento matemtico do quadripolo
v1 = f1 (i1,v2)
i2 = f2 (i1, v2)
Este tipo de modelo que fixa a tenso de entrada v 1 e a corrente de sada i2 como
variveis dependentes, e a corrente de entrada i1 e a tenso de sada v2 como variveis
independentes, denominado modelo hbrido, exatamente por misturar tenso e corrente como
variveis dependentes e independentes (BADHERT, 1995).
129
Para relacionar essas tenses e correntes, o quadripolo deve ser formado por
quatro parmetros h internos e constantes, denominados h 11, h12, h21 e h22, definindo as duas
funes lineares f1 e f2 da seguinte forma :
v1= h11.i1 + h12.v2
i2 = h21.i1 + h22.v2
Assim, os parmetros h e seus significados fsicos podem ser obtidos fixando-se o
valor de uma das variveis independentes, como segue:
h11 e h21
Para v2 = 0. As equaes se reduzem a:
v1 =h11.i1
e
i2 = h21.i1
Logo:
h11= v1/i1 (sada em curto)
h11 (hi) a impedncia de entrada quando a sada est em curto.
h21 =i2/i1 (sada em curto)
h21 (hf) o ganho de corrente quando a sada est em curto.
h12 e h22
Para i1 = 0. As equaes se reduzem a
v1 = h12.v2
-
e
i2 = h22.v2
Logo:
h12=v1/v2 (entrada aberta)
h12 (hr) Ganho de tenso reverso com entrada aberta
h22 = i2/v2 (entrada aberta)
h22 (ho) Admitncia de sada com entrada aberta
Conhecidos os parmetros h do quadripolo, seu modelo eltrico fica determinado
como segue.
i1
hi
i2
+
v1
hr v2
hf i1
h0
v2
_
_
Figura 37 Modelo hbrido para o transistor
130
Exerccios
1. Dado o circuito da Figura 8.38, determine a reta de carga cc e indique o ponto quiescente.
Dado: R1= 10K, R2 = 3,9K, R3 = 2,2K , R4 = 820 , Vcc = 12V e beta = 100.
Figura 8.38
2. Dado o circuito da Figura 8.39, determine a reta de carga cc e indique o ponto quiescente.
Dado: Rc = 3,7K; Rb = 330K; Re = 820; Vcc = +12V; Vee = -5V e ganho de corrente de
120
131
Figura 8.39
3. Considere o circuito da Figura 8.40. O beta na regio ativa de 100. Determine a reta de
carga cc , indique o ponto quiescente na reta e determine Vc.
Figura 9.40
figura 8.41
132
Figura 8.42
Figura 8.43
Sabendo-se, no Transistor Tr1, Beta = 40 e Vbe = 0,6V, qual a corrente, em Amperes, exibida
pelo Ampermetro A1, para temperatura de 50C no RTD?
6. A Figura 8.55, mostra um circuito transistorizado operando na regio ativa com Vbe = 0,7V
e as curvas caractersticas do transistor com a reta de carga correspondente. Determine:
a) O ganho de corrente (cc).
b) Considerando que o circuito apresenta R1 = 110K, R2 = 40K e Re = 340,. Determine
os valores aproximadamente de Rc em , e Ib, em A.
Figura 8.44
Figura 8.45
Figura 8.46
134
Figura 8.47
Figura 8.48
11. O circuito da figura 8.49, mostra um conversor DC/DC que utiliza um diodo Zener de
tenso nominal de 8,2V e um transistor com = 100 e Vbe = 0,7V. Determine, os valores de
tenso de sada Vo, em volts, e da corrente Iz no Zener, em mA.
Figura 8.49
12. Dado o circuito(Figura 8.50), determine a tabela da verdade e indique qual porta lgica o
circuito est representando.
135
Figura 8.50
Dado o circuito (Figura 8.51), calcule o valor do resistor da base, para que a corrente que
circule no motor seja de 1mA quando o sensor for ativado.
13-
OBS. O ganho de corrente do transistor de 100 e o sensor uma chave reed switch. Existem
chaves reed swich normalmente aberta e normalmente fechada. No circuito foi utilizada uma
chave normalmente aberta que funciona da seguinte forma: Normalmente est aberta e ao
aproximar do im a chave fecha.
Figura 8.51
14- Projete o circuito para que o transistor funcione como chave. No circuito foi utilizado um
LDR, no qual com a incidncia de luz a resistncia de 400 e na ausncia de luz a
resistncia de 1M. Para o circuito deseja que com a incidncia de luz o rel seja
energizado. A resistncia do rel de 100. (Figura 8.52).
136
Figura 8.52
15. Um
motor CC opera com tenso de 5V e corrente de 100mA. Ele deve ser acionado por um
circuito de controle que fornece 12V de tenso na sada, conforme o esquema abaixo. Usando
a mesma tenso de alimentao do circuito de controle e o transistor Darlington, especifique
os resistores Rb eRc. (Figura 8.53).
Parmetros do transistor Darlington
Ganho de corrente 1500
Ic mx = 150mA
Vbe sat = 1.4V
Vce sat= 1V
Figura 8.53
Experincia no Laboratrio
Experincia 12 Transistor como chave
Neste circuito, deve-se montar o circuito, no qual o transistor ir operar como chave.
Material necessrio:
- 1 Fonte de alimentao 10V;
- 1 transistor NPN (BC338);
- 1 resistor de 5,6K, 560 (0,25W);
137
- 1 led;
- 1 multmetro (analgico ou digital);
Procedimento:
1.Monte o circuito da Figura 8.54.
Figura 8.54
138
Figura 8.55
139
Figura 8.56
Figura 8.57
Alarme de passagem
Neste circuito, uma fonte de luz deve sempre estar inserindo no fototransistor, ao
bloquear esta emisso de luz, uma lmpada ser acesa.
Material necessrio
140
-1 bateria de 12V;
- 1 diodo 1N4004;
- 1 lmpada de 12V;
- 1 resistores de 68K, 1/4W;
- 2 resistores 1K; 1/4W;
- 1 transistor BC338;
- 1 capacitor 100F, 16V;
- 1 capacitor 0,01F, 16V;
- 1 fototransistor (qualquer um serve);
- 1 CI 555;
- 1 rel 12V.
Circuito
Figura 8.58
Neste circuito (Figura 8.58), uma fonte de luz deve estar inserindo luz no
fototransistor, pode ser uma lanterna, e o fototransistor est funcionando como uma chave
fechada. A tenso de 12V est sobre o resistor de 1K. No pino 2 do CI 555, tem-se uma
alimentao de 12V. A sada (pino 3)fica em 0V.
Quando ocorre o bloqueio da luz sobre o fototransistor, este entra na regio de corte e
entra 0V, sobre o pino 2. A sada do CI555(pino 3) sai aproximadamente 12V(na prtica sai
uma tenso menor devido as perdas no CI) e o transistor entra na regio de saturao. O rel
acionado e a lmpada de 12V acesa.
O tempo em que a lmpada permanece acesa calculado pela seguinte expresso:
T = 1,1 RC = 1,1x68Kx100 = 7,48s.
Aps este tempo a lmpada apaga.
141
B2
B2
E
Basto de
alumnio
B1
Silcio tipo n
B1
(a)
(b)
9.1.1 Funcionamento
Pela Figura 9.2 (a), vemos que se a tenso VE do emissor for menor que 0,7 + VRB1 o
diodo se encontrar inversamente polarizado, IE ser praticamente nula e corrente que circula
pelo componente ser dada pela tenso de alimentao divida pela resistncia interbase R BB. O
valor de RBB fica normalmente entre 4 k e 9 k.
Nessa situao, quando IE = 0, a tenso VRB1 calculada por:
RB1
VRB1
VBB VBB .
RB1 RB 2
142
B2
RB2
VBB
IE
RBB = RB1 + RB2
(IE = 0)
VE
RB1
VBB
B1
(a)
(b)
O valor (eta) a razo intrnseca do TUJ, isto , a razo entre R B1 e RBB. O valor de
pode variar, tipicamente, entre 0,55 e 0,85. Quando a tenso VE se aproxima de VRB1 mais a
tenso de polarizao do diodo do emissor, ocorre uma reduo drstica no valor de R B1 e
passa a circular uma corrente maior pelo TUJ.
9.1.2 Aplicao tpica: oscilador de relaxao
Na Figura 9.2 (b) temos uma aplicao tpica para o TUJ. Nesse circuito, o capacitor
vai se carregando atravs do resistor R1. Quando a tenso do capacitor atinge o valor crtico
para a conduo, isto , quando VE > VD + VRB1, ocorre uma injeo de lacunas na regio N
correspondente a RB1 e a tenso do emissor cai rapidamente. Isso faz com que o capacitor se
descarregue rapidamente atravs do resistor Rb1. A frequncia desse oscilador
aproximadamente dada por:
f
1
1 .
R1C1 ln
1
143
(a)
(c)
(b)
Figura 9.3 (a) Diodo Schockley (diodo de quatro camadas), (b) representao das quatro
camadas PNPN, (c) Diodo Schottly (diodo de duas camadas).
9.2.1 Funcionamento
Para entender o funcionamento do diodo Schockley devemos analisar o funcionamento
do circuito conhecido como trava ideal, indicado na Figura 9.4.
(a)
(b)
(c)
Figura 9.4 (a) Dispositivo de quatro camadas, (b) modelo de estudo para a trava ideal, (c)
trava formada por dois transistores.
144
145
(a)
(b)
(c)
Figura 9.6 (a) Camadas e junes do SCR, (b) smbolo do componente, (c) exemplo de
encapsulamento (TO220).
Figura 9.7 SCR polarizado diretamente, mas com corrente de porta nula.
146
Bloqueio por capacitor. Para o circuito mostrado na Figura 9.9, a analise de funcionamento
leve em conta os seguintes passos:
a) com as chaves Ch1 e Ch2 abertas;
b) fechando a chave Ch1;
147
9.4 Diac
O diodo de quatro camadas bilateral (DIAC = Diode AC) um dispositivo de quatro
camadas que pode conduzir nos dois sentidos quando a tenso aplicada, com qualquer
polaridade, ultrapassar um determinado valor chamado de tenso de breakover (UBO), voltando
a cortar quando a tenso (corrente) cair abaixo de um valor chamado de tenso (corrente) de
manuteno, UH (IH). O smbolo do diac e a sua estrutura interna so mostrados na Figura 9.10.
J a Figura 9.11 mostra a sua curva caracterstica.
(a)
(b)
148
9.5 Triac
Quando necessrio controlar a potncia em uma carga AC, com corrente nos dois
sentidos, pode ser usado o circuito visto com dois SCRs em antiparalelo, como mostra a
Figura 9.12, ou usar um TRIAC, tambm mostrado na Figura 9.12. O TRIAC, desta forma,
pode ser entendido como sendo equivalente a dois SCRs ligados em antiparalelo.
Figura 9.12. (a) Hipottico circuito de controle de carga AC usando dois SCRs, (b) smbolo do TRIAC.
O TRIAC tambm pode ser entendido como um DIAC no qual foi adicionado um
terminal de controle permitindo disparar o dispositivo com diferentes valores de tenso. Como
o TRIAC dispara com tenso positiva ou negativa no tem mais sentido em falar em anodo
(terminal +) e catodo (terminal - ), ao invs disso os dois terminais so chamados de terminal
principal 1 (T1) e terminal principal 2 (T2).
149
150
151
152
Exerccios
Ex1: Dado o circuito determine a corrente no diodo. Considere a tenso de interrupo do
diodo de 12V e a queda tenso de 1,2V; R = 1,2 k.
a) Para Vf = 8V
b) Para Vf = 20V
Ex2: Dado o circuito determine o valor da tenso de alimentao que produz o desligamento
do diodo por baixa corrente. Considere a corrente de manuteno no diodo de 6mA e a queda
de tenso de 0,6V no ponto de desligamento. R= 2,2K.
153
BIBLIOGRAFIA CONSULTADA
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