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Eletrônica Teoria de Circuitos - Boylestad - 6a Ed
Eletrônica Teoria de Circuitos - Boylestad - 6a Ed
VDs = VDD- I s D ;autopolarizacion: VcS = -IsS,VDS= VDDID(Rs + R,), Vs = 18,:divisor de voltaje: V, = R2VDDI(RI+ R2), VcS = V, - IDRS, VDS= VDD- ID(RD+ Rj); MOSFET
incremental: I, = k(VGS- Vtis(,,)2, k = ID
id,,,l(VGS~enCCndido,
- VGs(Thl)2;polarizaci6n por retroalimentaci6n: VDS = VCS,
V, = V - I#,;
divisor de voltaje: V, = R2VDD/(RI+ R2). VtiS = VG- IDRS; curva universal: m = I Vp I/ZDSSRS,M = m x
V,l 1 v j , V, = R,VDDI(RI + R2)
9 Analisis a pequeiia sefial del FET g, = gm,(l - VGS13). g," = 21DssilVpl; configuration basica: A, = -g,RD;
resistencia de fuente sin desvio: A" = -gmR,l(l + gmRs); seguldor de fuente: A, = g,Rsl(l + gmRS); COmpueRa comun: A" =
gm(RDllrd)
ECUACIONES IMPORTANTES
1 Diodos semiconductores
W = QV, 1 eV = 1.6 X IO-l9J, ID= I,T(e'V~fl~
- l), R,
ID, 5, = AV,,/lll,, P,= VJD, Tc= AVzIIVz(Tl- To)] % 100%
2 Aplicaciones de diodos
sac
= /,/IE'
I c o . , Ic = IE.VsE = 0.7 V.
= blC/AIB, a = p ( P + I ), p = CLI(1 - a), I, = &,I, =
lcmx
+
IICC-
5 Transistores de efecto de campo IG= 0 A, ID= IDss(l - VGslVp)Z, ID= IS, VGS= VP(I - -1.
(si VGS = Vp/2), ID= IDss12 (si VGs = 0.3Vp), PD= VDslD.ID= k(VGs - V,)Z
ID= IDSS14
Sexta edicidn
Robert L. Boylestad
Louis Nashelsky
TRADUCCION:
REVISION T~CNICA:
Traducido del inglCs de la obra: ELECTRONIC DEVICES AND CIRCUIT THEORY, SIXTH EDITION
All rights reserved. Authorized translation from English language edition published by Prentice-Hall, lnc
A Simon & Schuster Company.
Todos 10s derechos reservados. Traducci6n autorizada de la edici6n en inglCs publicada por Prentince-Hall, Inc.
A Simon & Schuster Company.
All rights reserved. No part of this book may be reproduced or transmitted in any form or by any means,
electronic or mechanical, including photocopying, recording or by any information storage and retrieval system.
without permission in writing from the publisher.
Prohibida la reproducci6n total o parcial de esta obra, por cualquier medio o mttodo sin autorizaci6n por escrito del editor.
Derechos reservados 6 1997 respecto a la cuarta edicion en espaiiol publicada por
Prentice Hall Hispanoamericana, S.A.
Calle 4 Nn 25-ZSpiso Fracc. Ind. Alce Blanco.
Naucalpan de Jusrez, Edo. de Mexico,
C.P. 53370
ISBN 968-880-805-9
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Isom2 IwMX.ccaY: 1901
CON E I N O OEREGISTRO R S W
Dedicado a
Ya
KATRIN, KIRA, LARREN, TOMMY, JUSTIN y PA'ITY
Contenido
PREFACIO
AGRADECIMIENTOS
DIODOS SEMICONDUCTORES
Introducci6n 1
El diodo ideal 1
Materiales semiconductores 3
Niveles de energia 6
Materiales exhinsecos: tipo n y tipo p 7
Diodo semiconductor 10
Niveles de resistencia 17
Circuitos equivalentes para diodos 24
Hojas de especificacionesde diodos 27
Capacitancia de transici6n y difusion 3 1
Tiempo de recuperaci6n inverso 32
Notacion de diodos semiconductores 32
Prueba de diodos 33
Diodos Zener 35
Diodos emisores de luz 38
Arreglos de diodos: circuitos integrados 42
Analisis par computadora 4 4
APLICACIONES DE DIODOS
Introducci6n 53
Anilisis mediate la recta de carga 54
Aproximaciones de diodos 59
Configuraciones de diodos en serie con entradas dc 61
Configuraciones en paralelo y e n serie-paralelo 66
Compuertas AND/OR 69
Entradas senoidales; rectificacidn de media onda 71
Rectificaci6n de onda completa 74
Reconadores 78
Cambiadores de nivel 85
Diodos Zener 89
Circuitos multiplicadores de voltaje 96
Anilisis por computadora 99
Introducci6n 114
Construccidn de transistores 115
Operaci6n del transistor 115
Configuration de base comlin 117
Accidn amplificadora del transistor 121
Configuraci6n de emisor comlin 122
Configuraci6n de colector comSn 129
Limites de operacidn 130
Hoja de especificaciones de transistores 132
Prueba de uansistores 136
Encapsulado de transistores e identificacidn de terminales 138
Analisis por computadora 140
Introduction 144
Punto de operaci6n 145
Circuito de polarizaci6n fija 147
Circuito de polarizaci6n estabilizado en emisor 154
Polarizaci6n por divisor de voltaje 158
Polarizaci6n de dc por retroalimentacidn de voltaje 166
Diversas configuraciones de polarization 169
Operaciones de disetio 175
Redes de conmutaci6n con transistores 181
Ttcnicas para la localizaci6n de fallas 186
Transistores pnp 189
Estabilizacidn de la polarizaci6n 191
AnAfisis por computadora 200
215
Introducci6n 2 15
Consbucci6n y caractensticas de 10s JFET 216
Caractensticas de transferencia 223
Hojas de especificaciones (JFET) 227
Insuumentacion 230
Relaciones importantes 231
MOSFET de tipo decremental 238
MOSFET de tip0 incremental 238
Manejo del MOSFET 246
VMOS 247
CMOS 248
Tabla resumen 250
Anilisis por computadora 251
POLARIZACIONDEL FET
Introducci6n 256
Configuracion de polarizaci6n fija 257
Configuracion de autopolarizacion 261
Polarizaci6n mediante divisor de voltaje 267
MOSFET de tipo decremental 273
MOSFET de tipo incremental 277
Tabla resumen 283
Redes combinadas 285
DiseRo 288
Localizaci6n de fallas 290
FET de canal-p 291
C u ~ universal
a
de polarization para JFET 294
Anilisis por computadora 297
311
Introduction 3 11
Amplificaci6n en el dominio de ac 3 11
Modelaje de transistores BIT 312
Los parametros importantes: Zi,
Z, A", Ai 3 14
El modelo de transistor re 320
El modelo hibrido equivalente 327
Determination grifica de 10s parimetros h 333
Variaciones de 10s parimetros de transistores 337
Anilisis por computadora 339
Contenido
92
93
10
10.1
102
103
Introducci6n 468
Sistemas de dos puertos 468
Efecto de la impedancia de carga (RJ 470
10.4 Efecto de la impedancia de la fuente (RJ 475
105 Efecto combinado de Rsy R, 477
10.6 Redes BIT de CE 479
10.7 Redes emisor-seguidor 484
10.8 Redes CB 487
10.9 Redes FET 489
10.10 Tabla resumen 492
10.11 Sistemas en cascada 496
10.12 Anilisis por computadora 497
11
11.1
113
113
11.4
115
11.6
11.7
11.8
11.9
11.10
11.11
11.12
11.13
RESPUESTA EN FRECUENCIA
DE TRANSISTORES BJT Y JFET
Introducci6n 509
Logaritmos 509
Decibeles 513
Consideraciones generales sobre la frecuencia 5 16
Aniilisis a baia frecuencia.. d ~ c dea Bode 519
Respuesta a baja frecuencia, amplificador a BJT 524
Respuesta a baja frecuencia, amplificador FET 533
Capacitancia de efecto Miller 536
Respuesta a alta frecuencia, amplificador BJT 539
Respuesta a alta frecuencia, amplificador FET 546
Efectos de frecuencia en multietapas 550
Prueba de onda cuadrada 552
Aniilisis por computadora 554
Introducci6n 560
Conexi6n en cascada 560
Conexi6n cascode 565
Conexi6n Darlington 566
Par retroalimentado 571
Circuito CMOS 575
Circuitos de fuente de comente 577
Espejo de corriente 579
Circuito de amplificador diferencial 582
Circuitos de amplificador diferencial BiFET, BiMOS y CMOS 590
Aniilisis por computadora 591
13
TECNICAS DE FABRICACION DE
CIRCUITOS DISCRETOS E INTEGRADOS
Introducci6n 607
Materiales serniconductores,Si, Ge y GaAs 607
Diodos discretos 609
Fabricaci6n de nansistores 611
Circuitos integrados 612
Cucuitos integrados monoliticos 614
El ciclo de producci6n 617
Circuitos integrados de pelicula delgada y pelicula gruesa 626
Circuitos integrados hfbridos 627
607
Introducci6n 628
Operaci6n en modo diferencial y en modo comrin 630
Amplificador operacional basico 634
Circuitos pricticos con amplificadores operacionales 638
Especificaciones, parametros de desvio de dc 644
Especificaciones de parhetros de frecuencia 647
Especificaciones para una unidad de amplificador operacional 65 1
Analisis por computadora 657
15
15.1
152
153
15A
155
15.6
15.7
Introducci6n 741
Operaci6n del comparador 741
Convertidores analbgicos-digitales 748
Operaci6n del CI temporizador 752
Oscilador controlado por voltaje 755
Lazo de seguimiento de fase 758
Circuitos de interfaz 762
Anhlisis por computadora 765
18
18.1
182
773
ALIMENTACION
19 (REGULADORES
DE VOLTAJE)
FUENTES DE
19.1
192
193
19.4
195
19.6
19.7
20
Introducci6n 805
Consideraciones generales de filtros 805
Filtro capacitor 808
Filtro RC 811
Regulaci6n de voltaje con transistores discretos 814
Reguladores de voltaje de CI 821
Anilisis por computadora 826
'
21
21.1
212
213
21A
215
21.6
21.7
21.8
21.9
21.10
21.11
21.12
21.13
21.14
21.15
21.16
DISPOSITIVOS pnpn
Introducci6n 864
Rectificador controlado de silicio 864
Operaci6n bhica del rectificador controlado de silicio 864
Caractensticas y valores nominales del SCR 867
Conswcci6n e identificaci6n de terminales del SCR 869
Aplicaciones del SCR 870
Intemptor controlado de silicio 874
Intemptor controlado en compuerta 876
SCR activado por luz 877
Diodo Shockley 880
DIAC 880
TRIAC 882
Transistor monounion 883
Fototransistores 893
Optoaisladores 895
Transistor monouni6n programable 897
22
OSCILOSCOPIO Y OTROS
INSTRUMENTOS DE MEDICI~N
lntroducci6n 906
Tubo de rayos cat6dicos: teoria y construction 906
Operacion del osciloscopio de rayos catodicos 907
Operacion del barrido de voltaje 908
Sincronizaci6n y disparo 911
Operaci6n en multitrazo 915
MediciQ utilizando las escalas calibradas 915
Caractensticas especiales 920
Generadores de sefiales 921
APENDICE A: PARAMETROSH~BRIDOS:
ECUACIONES PARA CONVERSION
. .
Contenido
(EXACTAS Y APROXIMADAS)
924
APENDICE E: SOL~JCIONES
A LOS PROBLEMAS SELECCIONADOS
CON N ~ E R NON
O
937
Prefacio
Seghn nos acercibamos a1 XXV aniversario del texto, se hizo verdaderamente claro que esta
sexta edici6n debia continuar con el importante trabajo de revisi6n que tuvo la edition. La
creciente utilization de la computadora, 10s circuitos integrados y el expandido rango de cobertura necesaria en 10s cursos basicos que contribuyeron al refinamiento de la pasada edici6n
contin6an siendo 10s factores principales que afectan el contenido de una nueva version. A
traves de 10s ~ o shemos
,
aprendido que el mejoramiento de la lectura se puede obtener a travts
de la apariencia general del texto, de tal forma que nos hemos comprometido a1 formato que
encontrari en la sexta edicion de tal manera que el material del texto parezca mas "amistoso"
para un amplio sector de estudiantes. De la misma manera que en el pasado, continuamos
empetiados en el fuerte sentido pedag6gico del texto, la exactitud y en un amplio rango de
materiales auxiliares que apoyan el proceso educativo.
Sin duda, una de las mejoras mAs importantes que se han retenido de la quinta edici6n es la
manera en la cual el texto se presta para el cornpendio ordinario del curso. La nueva secuencia
de la presentacion de 10s conceptos que afect6 la hltima edicion se ha Conse~adoen la presente. Nuestra experiencia docente con esta presentacidn ha reforzado la creencia de que el material tiene ahora una pedagogia mejorada para apoyar la presentaci6n del instructor y ayudar al
estudiante a constmir 10s fundamentos necesarios para sus futuros estudios. Se ha consemad0
la cantidad de ejemplos, 10s cuales fueron incrementados de modo considerable desde la quinta edicibn. Las declaraciones aisladas en negritas ("balas") identifican aseveraciones y conclusiones importantes. El formato ha sido diseaado para establecer una apariencia amistosa para
el estudiante y para asegurar que el trabajo artistic0 se encuentre tan cercano a la referencia
como sea posible. Se han utilizado pantallas para definir caracteristicas importantes o para aislar cantidades especificas en una red o en una caracteristica. Los iconos, desarrollados para
cada capitulo del texto, facilitan la referencia de un itrea en particular tan rapidamente como
sea posible. Los problemas, 10s cuales han sido desarrollados para cada seccion del texto, van
en progreso a partir de lo mas simple a lo mis complejo. Asirnismo, un asterisco identifica 10s
ejercicios mis dificiles. El titulo en cada seccion tambitn se reproduce en la secci6n de problemas para identificar con claridad 10s ejercicios de inteds para un terna de estudio en particular.
ENFOQUE DE SISTEMAS
Durante varias visitas a otros colegios, institutos ttcnicos, y juntas de varias sociedades, se
mencionaba que deberia desarrollarse un mayor "enfoque de sistemas" para apoyar la necesidad de un estudiante de convertirse en adepto de la aplicacion de paquetes de sistemas. Los
capitulos 8,9 y 10 estin especificamente organizados para desarrollar 10s cimientos del analisis de sistemas en el grado posible en este nivel introductorio. Aunque puede resultar mas ffiiil
considerar 10s efectos de Rs y R, con cada configuration cuando tsta se presenta por primera
vez, 10s efectos de R, y R, tambitn ofrecen una oportunidad para aplicar algunos de 10s conceptos fundamentales del anilisis de sistemas.Los 6ltimos capitulos referentes a amplificadores
operacionales y circuitos integrados desarrollan a6n mas 10s conceptos presentados en 10s
capitulos iniciales.
EXACTITUD
No hay duda que una de las metas primarias de cualquier publicacion es que Bsta se encuentre
libre de errores en lo posible. Ciertamente, la intenci6n no es de retar a1 instructor o a1 estudiante con inconsistencias planeadas. De hecho, no existe algo m b tenso para un autor que el
escuchar sobre errores en su libro. Desputs de una verificaci6n extensiva acerca de la exactitud en la quinta edicion, ahora nos sentimos seguros que este texto gozarA del nivel mas alto de
exactitud que se puede obtener para una publicacion de este tipo.
MODELAJE DE TRANSISTORES
El modelaje del transistor bipolar de uni6n (BIT) es un &rea que se ha enfocado de varias
maneras. Algunas instituciones utilizan exclusivamente el modelo re mientras que otras se
apoyan en el enfoque hibrido o en una combinaci6n de estos dos. La sexta edicion destacari el
modelo re con la suficiente cobertura del modelo hibrido como para permitir una comparacion
entre 10s modelos y la aplicaci6n de arnbos. Se ha dedicado un capitulo completo (capitulo 7)
a la introducci6n de 10s modelos para asegurar un entendimiento claro y correct0 de cada uno
y de las relaciones que existen entre 10s dos.
PSpice Y BASIC
Los recientes atios han visto un crecimiento continuo del contenido de computaci6n en 10s
curses introductorios. No solamente aparece la utilizaci6n de procesadores de texto en el primer semestre, sino que tambitn se presentan las hojas de calculo y el empleo de un paquete de
andisis tal como PSpice en numemsas instituciones educativas.
Se eligi6 PSpice como el paquete que apareceri a travts de este texto debido a que
recientes encuestas sugieren que es el que se emplea con mayor frecuencia. Otros paquetes
posibles incluyen Micro-Cap 111 y Breadboard. La zobertura de PSpice ofrece suficiente
capacidad para permitir la escritura del archivo de captura para la mayoria de las redes
analizadas en este texto. No se supone un conocimiento anterior acerca de paquetes para
computadora.
PSpice en el ambiente WINDOWS permite entrar a1 circuit0 en forma esquemitica, el
t:ual puede ser analizado desputs con resultados de salida similares a PSpice. A6n se incluyen
en el texto algunos programas en BASIC para demostrar las ventajas de conocer un lenguaje
tie computaci6n y de 10s beneficios adicionales que surgen de su utilizaci6n.
SOLUCION DE PROBLEMAS
La solucion de 10s problemas es indudablemente una de las habilidades mas dificiles para
presentar, desarrollar y dernostrar en un texto. Se trata de un arte que debe ser inuoducido
utilizando una variedad de tkcnicas, pero la expenencia y la exposicion son obviamente 10s
elementos clave en el desarrollo de estas habilidades. El contenido es en forma esencial una
revision de situaciones que ocurren con frecuencia dentro del ambiente de laboratorio. Se
presentan algunas ideas sobre como aislar un k e a problemktica asi como una lista de las causas posibles. Esto no pretende sugerir que un estudiante se convertira en un experto en la
solucion de las redes presentadas en este texto, pero al menos el lector tendra algiin entendimiento de lo que esta relacionado con el proceso de la solucidn.
Agradecimientos
Nuestros mas sinceros agradecimientos se deben extender a 10s profesores que han utilizado el
texto y han enviado algunos comentarios, correccionesy sugerencias.Tambien deseamos agradecer a Rex Davidson, editor de Prentice-Hall, por mantener unidos 10s tantos aspectos detallados de producci6n. Nuestro mas sincero agradecimiento a Dave Garza, editor senior, y a
Carol Robison, editor senior de desmollo, de Prentice-Hall,por su apoyo editorial en la sexta
edici6n de este texto.
Deseamos agradecer a aquellas personas que han compartido sus sugerencias y evaluaciones del presente texto a travCs de sus muchas ediciones. Los comentarios de estas personas nos
han permitido presentar Electrhnica: Teorio de Circuitos en esta nueva edicion:
Albert L. Ickstadt
Jeng-Nan Juang
Karen Karger
Kenneth E. Kent
Donald E. King
Charles Lewis
Donna Liverman
George T. Mason
William Maxwell
Abraham Michelen
John MacDougall
Donald E. McMillan
Thomas E. Newman
Dr. Robert Payne
E. F. Rockafellow
Saeed A. Sbaikh
Dr. Noel Shammas
Eric Sung
Donald P. Szymanski
Parker M. Tabor
Peter Tampas
Chuck Tinney
Katherine L. Usik
Domingo Uy
Richard J. Walters
Julian Wilson
Syd R. Wilson
Jean Younes
Charles E. Yunghans
Ulrich E. Zeisler
Diodos
semiconductores
Unas cuantas decadas que han seguido a la introducci6n del transistor, hacia finales de 10s atios,
cuarenta, han sido testigo de un cambio asombroso en la industria de la electronica. La
miniaturizacion que se ha logrado nos deja sorprendidos de sus alcances. Sistemas completes
aparecen ahora sobre una oblea de silicio, miles de veces mas pequeiia que un solo elemento de
las redes iniciales. Las ventajas asociadas con 10s sistemas actuales, comparados con las redes
de bulbos de 10s aiios anteriores, resultan, en su mayor parte, obvias de inmediato: son mas
pequeiios y ligeros, no tienen requerimientos de calentamieuto o disipacion de calor (como en
el caso de 10s bulbos), tienm una construccion mas robusta, son mas eficientes y no requieren
de un period0 de calentamiento.
La miniaturizacion desarrollada en 10s aiios recientes ha dado por resultado sistemas tan
pequefios que ahora el proposito bbico del eucapsulado solo es obtener algunos medios para
manipular el dispositivo y asegurar que las conexiones pennanezcan fijas en fonna adecuada
en la base del semiconductor. Los limites de la miniaturizaci6n dependen de tres factores: la
calidad del material semiconductor, la tCcnica del diseiio de redes y 10s limites de la manufactura y el equipo de procesamiento.
R , = - =VF
IF
0v
2.3, mA,. .., s61o un valor positivo
= 0 L2
(corto circuito)
donde VFes el voltaje de polarizaci6n directa a travis del diodo e I , es la comente a traves del
dido.
Por ranro, el diodo ideal es un circuiro cerrado para la regibn de conduccibn.
Si ahora se considera la regi6n de potencial negativo aplicado (tercer cuadrante) de la
figura I .lb,
V,
RR --=
IR
=m Q
(circuit0 ab'ierto)
OmA
donde VRes el voltaje inverso a travts del diodo e I, es la comente inversa en el diodo.
Por tanto, el diodo ideal es un circuiro abierro en la regibn de no conduccibn.
En resumen, son aplicables las condiciones que se describen en la figura 1.2.
-+
Circuit0 abieno
V~
+
ID= o
(b)
Fwra 1.2 a) Estados de conducci6n y b) no conducci6n del diodo ideal seg6n estd determinado
w
-+
0
+
ID
10
(a)
ID = O
ID
(b)
Como se indic6 antes, el prop6sito inicial de esta seccion es presentar las caractensticas
de un dispositivo ideal para poder compararlas con las caractensticas de la variedad comercial. Segun se avance a travts de las pr6ximas secciones, se deben considerar las siguientes
preguntas:
iQub tan cercana serh la resistencia directa o de "encendido" de un diodoprhctico
comparado con el nivel0-R deseado?
iEs la resistencia inversa parcial lo suficientemenre grande como para permitir una
aproximacibn de circuit0 abierro?
=R.4 = (Q)(cm2)
1
R-cm
(1.1)
cm
IRI
1
= p -=
A
(1 cm)
p --
- I p 1 ohms
(1 cm2)
Este hecho serh de utilidad cuando se comparen 10s niveles de resistividad en 10s anilisis que se
presentan enseguida.
En la tabla 1.I se muestran 10s valores tipicos de resistividad para tres categodas amplias
de materiales.Aunque se pueda estar familiarizado con las propiedades eltctricas del cobre y la
mica, las caractensticas de 10s materiales semiconductores, germanio (Ge) y silicio (Si), pue-
A = icmz
i = I
untdades metricas de
resistividad.
p z 104 R-cm
(cobre)
Sernrconductor
50 a-cm (germanio)
x lo3 R-cm (silicio)
o 5 50
-------
p-
1012 R-crn
(mica)
den ser relativamente nuevas. Como se encontrari en 10s capitulos que signen, ciertamente no
son 10s linicos dos materiales semiconductores; sin embargo, son 10s que mas interesan en el
desarrollo de dispositivos semiconductores. En aiios recientes el cambio ha sido estable con
el silicio, pero no asi con el germanio. cuya production alin es escasa.
Observe en la tabla 1.1 el rango tan grande entre 10s materiales conductores y aislantes para
la longitud de 1 cm (un bea de l-cmz) de material. Dieciocho lugares separan la colocaci6n del
punto decimal de un nlimero a otro. Ge y Si han recibido la atenci6n que tienen por varias razones. Una consideracion mny importante es el hecho de que pueden ser fabricados con un muy
alto nivel de pnreza. De hecho, 10s avances recientes han reducido 10s niveles de impureza en el
material puro a una parte por cada 10 mil milloms (1 : 10 000 000 000). Es posible que alguien
se pregunte si estos niveles de impureza son realmente necesarios. En realidad lo son si se considera que la adici6n de una parte de impureza (del tipa adecuado) por mill6n, en una oblea de
silicio, puede cambiar dicho material de un conductor relativamente pobre a un buen conductor
de electricidad. Como es obvio, se estb manejando nn espectro completamente nuevo de niveles de comparaci6n. cuando se tram con el medio de 10s semiconductores. La capacidad de cambiar las caractensticas del material en forma significativa a traves de este proceso, que se conoce
como "dopado", es otra razon m& por la cual el Ge y el Si han recibido tanta atencion. Otras
razones incluyen el hecho de que sus caractensticas pueden alterarse en forma significativa a
travts de la aplicaci6n de calor o lnz, una consideracion imponante en el desarrollo de dispositivos sensibles al calor o a la luz.
Algunas de las cualidades linicas del Ge y el Si que se observaron antes se deben a su
estructura at6mica. Los itomos de ambos rnateriales forman un patron muy definido que es
periodic0 en naturaleza (esto es que continuamente se repite el mismo). A un patron completo
se le llama cristal, y a1 arreglo periodic0 de 10s atomos, red crisralina. Para el Ge y el Si el
cristal tiene la estructura de diamante de tres dimensiones qne se muestra en la figura 1.5.
Cualquier material compuesto so10 de estructuras repetidas de cristal del mismo tipo se denomina estructura de cristal inico. Para 10s materiales semiconductores de aplicacion prictica en
el camvo de la electronics. esta caractenstica de cristal unico existe v. ademas. la ~eriodicidad
de la estructura no cambia en forma significativa con la adicion de impurezas en el proceso de
dopado.
Ahora, se examinad la estructura del atomo en si y se observara c6mo se pueden afectar
&/'b
/
Atslonte
las caractensticas eltctricas del material. Como se tiene entendido, el dtomo se compone de
tres particulas bbicas: el electrbn, elprotbn y el neutrbn. En la red atomica, 10s neutrones y 10s
protones forman el nlcleo, mientras que 10s electrones se mueven alrededor del nlicleo sobre
una brbira fija. Los modelos de Bohr de 10s semiconductores que se usan con mayor frecuencia, el germanio y el silicio, se muestran en la figura 1.6.
Como se indica en la figura 1.6a, el titorno de germanio tiene 32 electrones en orbita,
mientras que el silicio tiene 14 electrones en varias orbitas. En cada caso, existen cuatro electrones en la orbita exterior (valencia).El potencial @orencia1 de ionizacibn) que se requiere
para movilizar cualquiera de estos cuatro electrones de valencia, es menor que el requerido
por cualquier otro electron dentro de la estructura. En un cristal puro de germanio o de silicio
estos cuatro electrones de valencia se encuentran unidos a cuatro itornos adjnntos, como se
muestra en la figura 1.7 para el silicio. Tanto el Ge como el Si son referidos como atomos
tetravalentes, porque cada uno tiene cnatro electrones de valencia.
Una unwn de lrtomos fortolecida por el com@.miento de electrones se denomina
unibn covalente.
de valencia
(4 para cnda "no)
silicio.
silicio.
Si bien la union covalente generari una union m b fuerte entre 10s electrones de valencia
y su itomo, aiin es posible para 10s electrones de valencia absorber suficiente energia cinttica
por causas naturales, para romper la union covalente y asumir el estado "libre". El tkrmino
"libre" revela que su movimiento es muy sensible a 10s campos el6ctricos aplicados, como 10s
establecidos por las fuentes de voltaje o cualquier diferencia de potencial. Estas causas naturales incluyen efectos como la energia luminica en la forma de fotones y la energia termica del
medio que lo rodea. A temperatura ambiente existen aproximadamente 1.5 x 101 portadores
libres en un centimetro clibico de material inbinseco de silicio.
Los materiales intrinsecos son aquellos semiconductores que han sido
cuidadosamente refinados para reducir las impurezas a un nivel muy bajo,
esencialmente tan puro como se puede obtener a travks de la tecnologia moderna.
A 10s electrones libres localizados en el material que se deben solo a causas naturales, se
les conoce como portadores intrlnsecos. A la misma temperatura, el material intrinseco de
germanio tendri aproximadamente 2.5 x 1013 transmisores libres por centimetro clibico. La
relacion del nllmero de ponadores en el germanio respecto al silicio es mayor de 103 e indica
que el germanio es uu mejor conductor a temperatura ambiente. Esto puede ser cierto, aunque
en el estado inm'nseco ambos ahn son considerados conductores pobres. Observe en la tabla
1.1 como la resistividad tambien difiere por una relacion de aproximadamente 1000 : 1 con el
silicio, teniendo, por tanto, un mayor valor. Por supuesto, Cste debe ser el caso, debido a que la
resistividad y la conductividad son inversamente proporcionales.
Se dice que 10s materiales semiconductores como el Ge y el Si, que mueskran una
reduccibn en resistencia con el incremento en la tempemura, tienen un coefciente
de temperatura negativo.
Quiza el lector recuerde que la resistencia de casi todos 10s conductores se incrementari
con la temperatura. Esto se debe al hecho de que el nivmero de portadores en un conductor no
1.3 Materiales semiconductores
se incrementard significativamentecon la temperatura, pero su patron de vibration con respecto a una localization relativamente fija aumentard la dificultad para que 10s electrones pasen a
travCs de ella. Un increment0 en la temperatura, por tanto, genera un aumento del nivel de
resistencia y un coeficiente positivo de temperatura.
1.4
NIVELES DE ENERG~A
En la estructura atomica aislada existen niveles de energia discretos (individuales) asociados con
cada electron en una orbits, seglin se muestra en la figura 1.8a.Cada material ten&&,de hecbo, su
propio conjunto de niveles de energia permisibles para 10s electrones en su estructura atomica.
Mientras mhs disrante se encuentre el electrbn del nucleo, m y o r es el estado de
energia, y cualquier electrbn que haya dejado a su htomo, tiene un estado de energia
mayor que cualquier electrbn en la estrucrura atbmica.
c:
E~WJOES
Banda de conducci6n
"libre'"
estab'ecerla
conduction
E8>5,V
Elecuoner
de valencia
Ban& de conducci6n
....
Las bandas
se naslapan ,
E = 1 1 eV (Si)
= 0:67 eV (Ge)
;Ei
4
Aislante
1.41 eV (GaAs)
Semiconductor
Conductor
Entre 10s niveles de energia discretos existen bandas vacias, en las cuales no pueden aparecer electrones dentro de la estructura at6mica aislada. Cuando 10s atomos de un material se
unen para formar la estructura de la red cristalina, existe una interacci6n entre 10s itornos que
ocasiona que 10s electrones dentro de una orbita en particular de un atomo tengan ligeras
diferencias en sus niveles de energia, respecto a 10s electrones en la misma 6rbita de un dtomo
adjunto. El resultado net0 es una expansion de la banda de 10s niveles discretos de estados de
energia posibles para 10s electrones de valencia, como se muestra en la figura 1.8b. Observe
que existen niveles y estados de energia miximos en 10s cuales se puede encontrar cualquier
electron, y una regibnprohibida entre la banda de valencia y el nivel de ionization. Recuerde
que la ionizaci6n es el mecanismo mediante el cual un electron puede absorber suficiente
energia para separarse de su estructura at6mica y entrar en la banda de conduccidn. Se observara que la energia asociada con cada electron se mide en electrbn volts (eV). La unidad de
medida es adecuada, porque
segun se deriv6 de la ecuacion definida para el voltaje V = WIQ. Q es la carga asociada con un
unico electr6n.
Sustituyendola carga de un electron y una diferencia de potencial de 1 volt en la ecuacion
(1.2) se tiene uu nivel de energia referido como un electrbn volt. Debido a que la energia
tamb'ikn se mide en joules y que la carga de un electr6n = 1.6 x 10-19 coulomb,
A 0 K o cero absoluto (-273.15 "C), todos 10s electrones de valencia de 10s materiales
semiconductores se encuentran en la capa exterior del atomo con niveles de energia asociados
con la banda de valencia de la figura 1.8b. Sin embargo, a temperatura ambiente (300 K, 25 OC)
un gran numero de electrones de valencia han adquirido suficiente energta para dejar la banda
de valencia, y han atravesado la banda de energia vacia definida por E, en la figura 1.8b y
entrado a la banda de conducci6n. Para el silicio Eg es de 1.1 eV, para el germanio 0.67 eV
y para el arseniuro de galio 1.41 eV. Para el germanio, Es obviamente es menor, y se debe a1
gran numero de portadores en dicho material, comparado al silicio expuesto a temperatura
ambiente. Observe que para el aislante la banda de energia es con frecuencia de 5 eV o mL, lo
cual lirnita drasticamente el numero de electrones que pueden entrar a la banda de conduccion
a temperatura ambiente. El conductor tiene electrones en la banda de conduccion aun a 0 K.
Por tanto, es bastante obvio que a temperatura ambiente existan portadores libres mis que
suficientes para soportar un gran flujo de carga o comente.
En la secci6n 1.5 encontrari que si ciertas impurezas se aiiaden a 10s materiales
semiconductores intrinsecos, ocumran estados de energia en las bandas prohibidas, lo que
causari una reducci6n neta en E, para ambos materiales semiconductores y, por consecuencia, tambiCn una mayor densidad de portadores en la banda de conducci6n a temperatura
ambiente.
Material tipo n
Tanto el material tipo n como el tip0 p se forman mediante la adici6n de un numero predeterminado de atomos de impureza al germanio o al silicio. El tipo n se crea a travis de la innoduccion
de elementos de impureza que poseen cinco electrones de valencia (pentavalentes), como el
antimonio, arsenico y jhsforo. El efecto de estos elementos impuros se indica en la figura 1.9
1.5 NLateriales extrinsecw.tipo n y tipo p
Quinto electr6n
de vaiencla del
[ j
I
( ]
' 1mpur=ra de
anurnonlo (Sb)
Fara
- 1.9 lmpureza de antimonio
en el material tip0 n.
'
(utilizando el antimonio como impurezaen el silicio).Observe que las cuauo uniones covalentes
aiin se encuentran presentes. Existe, sin embargo,un quinto electr6n adicional debido al atomo
de impureza, mismo que se encuentra desasociado de cualquier uni6n covalente en particular.
Este elecnon restante, unido dtbilmente a su Atomo (antimonio), se encuentra relativamente
libre para moverse dentro del recitn formado material tip0 n. Debido a que el itorno de impureza insertado ha donado un electr6n relativamente "libre" a la estructura:
A ins impurezas difundidpr con cinco electrones & valencin se les Uama btoms donores.
Es importante comprender que, aunque un niimero importante de portadores "libres" se
han creado en el material tip0 n, 6ste aun es elCctricamente neutral, debido a que de manera
ideal el ndmero de protones cargados positivamente en 10s nucleos es todavia igual a1 numero
de electrones "libres" cargados negativamente y en 6rbita en la estructura.
El efecto de este proceso de dopado sobre la conductividad relativa se describe mejor a
travks del diagrama de bandas de energia de la figura 1.lo. Observe que un nivel de energia
discreto (Ilamado el nivel del donor) aparece en la banda prohibida con un Eg significativamente
menor que aquel del material inm'nseco. Aquellos electrones "libres" que se deben a la impureza ariadida se sinIan en este nivel de energia, y tienen menor dificultad para absorber la
energia ttrmica suficiente para moverse a la banda de conducci6n a temperatura ambiente. El
resultado es que a temperatura ambiente existe un gran niimero de portadores (electrones) en el
nivel de conducci6n, y la conductividaddel material aumenta en forma significativa. A temperatura ambiente en un material de Si inbinseco existe aproximadamente un electr6n libre por
cada 1012dtomos (uno por cada 109 para Ge). Si el nivel de "dosificaci6n" fuera de 1 en 10
millones (lo7),la proporci6n (10'21107 = 105) indicm'a que la concentraci6n de portadores se
ha incrementado en una proporci6n de 100,000 : 1.
Et =
Eb como antes
0.05 eV (Si),O.OleV(Ge)
Material tip0 p
El material tipop se forma mediante el dopado de un cristal puro de germanio o de silicio con
atomos de impureza que poseen tres electrones de valencia. Los elementos que se utilizan
con mayor frecuencia para este proposito son el boro, galio e indio. El efecto de alguno de
estos elementos, como el boro sobre el silicio, se indica en la figura 1.1 1.
Observe que ahora existe un numero de electrones insuficiente para completar las uniones
covalentes de la red cristalina recien formada. A la vacante que resulte se le llama hueco, y esta
representado por un pequeiio circulo o signo positivo debido a la ausencia de una carga negativa. Por tanto, la vacante resultante uceptarh con facilidad un electron "libre":
A las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se les conoce como atomos
aceptores.
El material resultante tip0 p es elkctricamente neutro, por las mismas razones descritas
para el material tipo n .
Flujo de huecor
Fiujo de electrones
Tipo n
Tip0 p
rninoritar~os
I,,
(sin polarizaci6n)
polarizacion externa.
El simbolo para el diodo se repite en la figura 1.15 con las regiones tip0 n y tip0 p asociadas. Observe que la flecha esta asociada con el componente tipo p y la barra con la regi6n de
tipo n. Como se indic6, para VD= 0 V ,la comente en cualquier direcci6n es 0 mA.
Si un potencial extemo de V volts se aplica a travCs de 1%uni6n p-n de tal forma que la
terminal positiva se encuentre conectada con el material tipo n y la terminal negativa estt
conectada con el material tip0 p como se muestra en la figura 1.16, el numero de iones
positivos en la region de agotamiento del material tipo n se incrementara debido al gran
numero de electrones "libres" atraidos por el potencial positivo del voltaje aplicado. Por
razones similares, el ndmero de iones negatives se incrementara en el material tipo p . El
efecto neto, por tanto, es una ampliacion de la regi6n de agotamiento. Dicha ampliaci6n
establecera una barrera de potencial demasiado grande para ser superada por 10s ponadores
mayoritarios, ademb de una reducci6n efectiva del flujo de 10s portadores mayoritarios a
cero, como se muestra en la figura 1.16.
u
Renion de agotamiento
I
Figom 1.16 Union pn con polarizaci6n
Una condici6n de polarizacibn directa o "encendido" se establece a1 aplicar el potencial positivo al material tipop y el potencial negativo a1 material tipo n, como lo rnuestra lafigura 1.18.
Por tanto, para mayor referencia:
Un diodo semiconductor tienepolnrizacibn dtrecta cuando se ha establecido la
asociacibn tip0 p y positivo y tipo n y negativo.
12
+ I'
"1'
(V)
13
nsticas de la figura 1.19. Observe que la escala vertical de la figura 1.19 esti en miliamperes
(aunque algunos diodos semiconductores tend& una escala vertical en amperes), y la escala
horizontal en la region de polarizaci6n directa tiene un mhimo de 1 V. Por tanto, en general, el
voltaje a traves de un diodo de polarization directa sed de menos de 1 V. Observe tambiin la
rapidez con que se incrementa la coniente despues del punto de inflexi6n de la curva de respuesta.
A travLs del empleo de la fisica del estado dlido se puede demostrar que las caracteristicas generales de un diodo semiconductor se pueden definir mediante la ecuacion siguiente
para las regiones de polarizaci6n directa e inversa:
Para valores positivos de VD,el primer tkrtnino de la ecuacion anterior creced con mayor
rapidez. y superari el efecto del segundo termino. El resultado seri positivo para 10s valores
positivos de VD e I,, y crecera de la misma manera que la funcion y = @,la cud aparece en la
figura 1.20.En VD= 0 V, la ecuacion (1.4) se convierte en I, = I,(eO- 1) = If(l - 1) = 0 mA,como
aparece en la figura 1.19. Para valores negativos de V, el primer termino disminuiri ripidamente debajo de Is, dando como resultado ID=-I,, que es la linea horizontal de la figura 1.19.La mptura
de las caracteristicasen V, = 0 V se debe d l o al cambio drastic0 en la escala de mA a PA.
Observe en la figura 1.19 que la unidad comercial disponible tiene caractensticas que se
encuenuan desplazadas a la derecha por unas cuantas dbcimas de un volt. Esto se debe a la
resistencia intema del "cuerpo" y a la resistencia externa de "contacto" de un diodo. Cada una
contribuye a un voltaje adicional sobre el mismo nivel de coniente, como lo determina la ley
de Ohm (V = IR). Con el tiempo, mientras se mejoran 10s metodos de producci6n, esta diferencia disminuiri y las caracteristicas reales se aproximarh a aquellas de la secci6n (1.4).
Es importante observar el cambio en la escala para 10s ejes vertical y horizontal. Para
10s valores positivos de I,. la escala se encuentra en miliamperes y la escala de la comente
abajo del eje se calcula en microamperes (o posiblemente nanoamperes). Para VD, la escala
para 10s valores positivos esti en dtcimas de volts y para 10s valores negativos la escala es
en decenas de volts.
En un principio, la ecuacidn (1.4) parece algo compleja y es susceptible de generar un
temor injustificado de que tsta se someted a todas las aplicaciones subsecuentes de diodos.
Sin embargo, afortuuadamente en una secci6n posterior se ha16 un n6mero de aproximaciones
que eliminari la necesidad de aplicar la ecuacion (I .4) y ofreceri una soluci6n con un minimo
de dificultad matemdtica.
Antes de dejar el tema del estado de polarizacidn directa, las condiciones para la conduccion
(el estado "encendido") se repiten en la figura 1.21 con 10s requerimientos de polaridad y la
direccidn resultante del flujo de portadores mayoritarios. Observe en particular como la direccion de la conduccion concuerda con la flecha en el simbolo (se&n se revel6 para el diodo ideal).
Regi6n Zener
Figura 1.21 Condiciones de
polarization directa para un diodo
semiconductor.
14
Aunque la escala de la figura 1.19 se encuenua en multiplos de diez volts en la region negativa,
existe un punto en el cual la aplicacion de un voltaje demasiado negativo d a ~por
i resultado un
agudo cambio en las caracteristicas, como lo muestra la figura 1.22. La coniente se incrementa
Capitdo 1 Diodos semiconductores
"0
a una velocidad muy rapida en una direccion opuesta a aquella de la regi6n de voltaje positivo.
El potencial de polarization inversa que da como resultado este cambio muy drastic0 de las
caracteristicas se le llamaporencial Zener y se le da el simbolo V,.
Mientras el voltaje a traves del diodo se increments en la region de polarizaci6n inversa, la
velocidad de 10s ponadores minoritarios responsables de la corriente de saturation inversa 1%
tambien se incrementaran. Eventualmente. su velocidad y energia cinitica asociada (Wx=
:m
v') sera suficiente para liberar portadores adicionales por medio de colisiones con otras
estructuras atomicas estables. Esto es, se genera6 un proceso de ionizacibn por medio del cual
10s electrones de valencia absorben suficiente energia para dejar su itomo. Dichos portadores
adicionales pueden luego ayudar a1 proceso de ionizacion, hasta el punto en el cual se establecr una gran corriente de avalancha que determina la region de ruptura de avalancha.
La region de avalancha (V,) se puede acercar al eje vertical a1 incrementar 10s niveles de:
dopado en 10s matenales tipo p y tipo n. Sin embargo, mientras VZ disminuye a niveles muy
bajos. como -5 V, otro mecanismo llamado ruptura Zener contribuiri con un cambio agudo en
la caractenstica. Esto ocurre debido a que existe un fuene campo elictrico en la regi6n de la
union que puede superar las fuerzas de union dentro del dtomo y "generar" ponadores. Aunque el.
mecanismo de ruptura Zener es un contribuyente si,&icativo s610 en 10s niveles mas bajos de V,,
este cambio ripido en la caracteristicaa cualquier nivel se denomina regibn Zener, y 10s diodos que:
utilizan esta porci6n unica de la caracteristica de una uni6n p-n son 10s diodos Zener. Estos
diodos se describen en la secci6n 1.14.
La region Zener del diodo semiconductor descrito se debe evitar si la respuesta de un
sistema no dehe ser alterada completamente por el severo cambio en las caractensticas de esta
regi6n de voltaje inverso.
El mirrimo potencial de polarizacibn inversa que puede ser aplicado antes de entrar a
la region Zener se conoce como voltaje pico inverso (referido simplemente como el
valor PZV,por las iniciales en ingl6s de: Peak Inverse Voltage) o PRV, por las
iniciales en ing1i.s de: Peak Reverse Voltage).
Si una aplicaci6n requiere de un valor PIV mayor que el de una sola unidad, se deberl
conectar en sene un numero de diodos de la misma caracteristica. Los diodos tambikn se
conectan de manera paralela para aumentar la capacidad de transpone de comente.
para alcanzar la regi6n de conducci6n. este suele ser del orden de 0.7 V de magnitud para 10s
diodos de silicio disponibles en el mercado, y 0.3 V para diodos de germanio cuando se redondea a la siguiente dtcima. La mayor variation para el silicio se debe, basicamente, al factor q
en la secci6n (1.4). Este factor toma pane en la determination de la forma de la curva so10 en
niveles de coniente muy bajos. Una vez que la curva empieza su crecimiento vertical, el factor
q cae a 1 (el valor continuo del germanio). Esto es evidente por las similitudes en las curvas
una vez que el potencial de conduccion se ha alcanzado. El potencial por el cual ocurre este
crecimiento se conoce comopotencial de conduccibn de umbral o de encendido. Con frecuencia, la primera letra de un termino que describe una cantidad en particular se usa en la notaci6n
para dicha cantidad. Sin embargo, para asegurar un rninimo de confusion con otros ttrminos,
como el voltaje de salida (V,, por las iniciales en inglts de: output) y el voltaje de polarization
duecta (VF, por la inicial en ingMs de:forward), la notacion VTha sido adaptada para este libro
por la palabra "umbral" (por la inicial en inglts de: threshold).
En resumen:
Obviamente, mientras m8s cercana al eje vertical es la excursion, m b cerca de lo "ideal" esta
el dispositivo. Sin embargo. las otras caracteristicasdel silicio comparadas con el germanio lo
hacen ser el elegido en la mayor parte de las unidades disponibles en el mercado.
Efectos de la temperatura
La temperatura puede tener un marcado efecto sobre las caracteristicas de un diodo
semiconductor de silicio, segdn se comprob6 mediante un diodo de silicio tipico en la figura
1.24. A pmir de mliltiples experimentos se encontro que:
La corriente de saturacibn inversa serir casi igual a1 doble en magnitudpor cada
10 'C de increment0 en la temperatura.
Cuando el punto de operation de un diodo se mueve desde una region a otra, la resistencia del
diodo tambitn carnbiari debido a la forma no lineal de la curva caractenstica. En 10s siguientes
p h a f o s se demostrar6 como el tipo de voltaje o setial aplicado definira el nivel de la resistencia de interts. Se presentah tres niveles diferemes en esta section, pero aparecerh de nuevo
cuando se analicen otros dispositivos. Por tanto, es muy importante que su determinacion se
comprenda con ciaridad.
1.7 Niveles de resistencia
Resistencia en dc o estiitica
La aplicacion de un voltaje dc a un circuit0 que contiene un diodo semiconductor tendri par
resultado un punto de operacion sobre la curva caracteristica que no c a m b i d con el tiempo. La
resistencia del diodo en el punto de operacibn puede encontrarse con so10 localizar 10s niveles
correspondientes de VDe ID coma se muestra en la figura 1.25 y aplicando la siguiente ecuacion:
Los niveles de resistencia en dc en el punto de inflexion y hacia abajo seran mayores que
10s niveles de resistencia que se obtienen para la seccion de crecimiento vertical de las caractm'sticas. Coma es natural, 10s niveles de resistencia en la region de polarizacion inversa serin
muy altos. Debido a que, par lo regular, 10s ohmetros utilizan una fuente de comente relativamente constante, la resistencia deteminada seri en el nivel de corriente predeteminado (casi
siempre unos cuantos miliamperes).
EJEMPLO I .I
I
a)
VD
0.8V
1,
20 mA
R D --- = - C)
- 40Q
VD
l0V
1,
1 PA
R D --- = - =
10 MQ
Es obvio que se sustentan algunos de 10s comentarios anteriores con respecto a 10s niveles de
resistencia dc de un diodo.
Resistencia en ac o dintmica
A partir de la ecuacion 1.5 y en el ejemplo 1.1 resulta obvio que la resistencia en dc de un diodo
es independiente de la forma de la caractenstica en la region que rodea el punto de interis. Si
se aplica una entrada senoidal en lugar de una entrada de dc, la situation cambiari por completo. La entrada variante desplazara de manera instanthea el punto de operation hacia arriba y
abajo en una region de las caractensticas y, por tanto, define un cambio especifico en coniente
y voltaje, como lo muestra la figura 1.27. Sin tenet una sefial con variacion aplicada, el punto
de operation sena el punto Q que aparece en la figura 1.27, determinado por 10s niveles de dc
aplicados. La designacion del punto Q se deriva de la palabra estable (por la inicial en inglCs
de: quiescent), que significa "estable o sin variacion".
-..
...............
Linea langente
...............
: h", Q
(operaci6n dc)
.........
F m 1.27 Definicibn de la
resistencia d i n h i c a o en ac.
Una linea recta dibujada tangencialmente a la c w a a traves del punto Q, como se muestra en
la figura 1.28,definiri un cambio en particular en el voltaje, asi como en la coniente que pueden
ser utilizados para deterrninar la resistencia en ac o dihmica para esta region en las caracteristicas del diodo. Se debe hacer un esfuerzo para mantener tan pequefio y equidistante como sea
posible el cambio en ei voltaje y en la comente a cualquier lado del punto Q. En forma de ecuacion,
donde A significa un cambio finito en la cantidad.
(1.6)
Mienuas mayor sea la pendiente, menor sera el valor de AVd para el mismo cambio en Aid y
menor sera la resistencia. La resistencia ac en la region
- de crecimiento vertical de la caracteristics es, por tanto, muy pequefia,mientras que la resistencia ac es mucho m b alta en 10s niveles
de coniente bajos.
1.7 Niveles de resistencia
i 1.28~ Determinacibn
a
de la
resistencia en ac en un punt0 Q.
19
--
EJEMPLO 1.2
~~
~-~
30 -
1I
>,-----___--__-_---_--,
}.,',
I
20 -
'b,
15
I0
5~
* -- - - - - - - - - - - - - I
I
1
i
i
v,,iv,
AV,,
a) Para I,, = 2 mA; la lfnea tangente en I,, = 2 mA se dibujo como se muestra en la figura y se
eligi6 una excursi6n de 2 mA aniba y abajo de la comente del diodo especificada. En ID =
4 mA; V D= 0.76 V, y en ID = 0 mA; V D= 0.65 V. Los cambios que resultan en la comente
y el voltaje son
AI, = 4mA
Y
y la resistencia en ac:
AV, = 0.76V
0 mA = 4mA
- 0.65V
= 0.11 V
0.78 V = 0.02 V
dl,
k
= -(ID + Is)
~ V D TK
siguiendo algunas maniobras biisicas de ciilculo diferencial. En general,ID> Isen la secci6n de
pendiente vertical de las caractensticas y
y a temperatura ambiente
k
11,600
-s 38.93
T~
298
= 0.026
dl,
ID
rd =
(1.7)
GcSi
El significado de la ecuacibn (I .7) debe comprenderse con claridad. fiste implica que la resistencia dinarnica se puede encontrar mediante la sustituci6n del valor de la comente en el punto
de operation del diodo en la ecuaci6n. No hay necesidad de tener las caractensticas disponibles o de preocuparse por trazar lineas tangenciales corno se defini6 en la ecuacion (1.6). Sin
embargo, es imponante considerar que la ecuacion (1.7) es exacta s61o para valores de I, en la
secci6n de crecimiento vertical de la curva. Para valores menores de ID, .rl = 2 (silicio) y el
valor obtenido de rd se debe multiplicar por un factor de 2. Para 10s valores pequeiios de IDpor
abajo del punto de inflexidn de la curva, la ecuacion (1.7) resulta inadecuada.
Todos 10s niveles de resistencia que se han deteminado hasta ahora han sido definidos
para la union p-n y no incluyen la resistencia del material semiconductor en si (Ilamada resistencia del cuerpo). y la resistencia que presentan la conexi6n entre el material del semiconductor
y el conductor met6lico exterior (Ilamada resistencia del contacto). Estos niveles de resistencia
adicionales pueden incluirse en la ecuacidn (1.7) a1 afiadir la resistencia denotada por r, como
aparece en la ecuaci6n (1 2).Por tanto, la resistencia r, incluye la resistencia dinamica definida por la ecuaci6n 1.7 y la resistencia r, que reciCn se present6.
ohms
(1 .-3)
El factor rBpuede tener un rango tipico desde 0.1 R para 10s dispositivos de alta potencia
a 2 52 para algunos diodos de baja potencia y prop6sitos generales. Para el ejemplo 1.2 la
resistencia ac en 25 mA se calcul6 como 2 Q. Utilizando la ecuaci6n (1.7) se obtiene
Resistencia en ac promedio
Si la seiial de entrada es lo suficientemente grande para producir una g a n excursi6n tal como
lo indica la figwa 1.30, a la resistencia asociada con el dispositivo para esta regi6n se le llama
resistencia en ac promedio. La resistencia ac promedio es, por definicidn, la resistencia deterCapiNlo 1 Diodos semiconductores
minada por una linea recta dibujada entre dos intersecciones establecidas por unos valores
maximos y minimos del voltaje de entrada. En forma de ecuaci6n (obdrvese la figura 1.301,
Tabla resumen
La tabla 1.2 se desarroll6 con objeto de reforzar las importantes conclusiones de las ultimas
paginas y de hacer enfasis en las diferencias entre 10s diversos niveles de resistencia. Como se
indic6 antes, el contenido de esta seccion es el fundamento para gran cantidad de cAlculos de
resistencia que se efectuaran en secciones y capitulos posteriores.
1.7 Niveles de resistencia
Ecuacibn
DC
o
"D
R, = -
XC
AV,
' d = - -
dioimica
ac
pmmedio
Ad'
T , = 1-
26mV
-ID
Avd
A'd
pun~08~u~~o
Caracteristicas
especiales
Delerminacidn
grafica
travCs del dispositivo, y se generara una condicdn de polarizaci6n inversa en el estado de circuito abierto para el dispositivo. Debido a que un diodo semiconductor de silicio no alcanza el
estado de conducci6n hasta que VD alcanza 0.7 V con una polarizaci6u directa (se@n se muestra
en la figura 1.31), debe aparecer una bateria V, que se opone a la conducci6n en el circuito
equivalente segun se muestra en la figura 1.32. La bateria so10 especifica que el voltaje a traves
del dispositivo debe ser mayor que el umbral del voltaje de la bateria antes que pueda establecerse la conduccion a travQ del dispositivo en la direccian que dicta el diodo ideal. Cuando se
establezca la conduccidn, la resistencia del diodo sera el valor especificado de r,,.
Sin embargo, tenga en cuenta que VTenel circuit0 equivalente no es una fuente de voltaje
independiente. Si se coloca nn voltimetro a travis de un diodo aislado encima de una mesa de
laboratorio, no se obtendra una lectura de 0.7 V. La baterfa s610 represents el defasamiento
horizontal de las caracterkticas que deben excederse para establecer la conducci6n.
Por lo regular, el nivel aproximado de ray puede determinarse a partir de un punto de
operaci6n en la hoja de especificaciones (la cual se analizarri en la seccion 1.9).Por ejemplo,
para un diodo semiconductor de silicio, si I, = 10 mA (una comente de conducci6n directa en
el diodo) a VD = 0.8 V, se sabe que para el silicio se requiere un cambio de 0.7 V antes que haya
conduccion y
VT=0.7V VD
equivalente es la misma que aparece en las caracteristicas del diodo, tal como se muestra en la
figura 1.33. Desde luego, esta aproximacion se emplea con frecuencia en el analisis de circuitos semiconductores segrin se demuestra en el capitulo 2. El circuito equivalente reducido
e
que un diodo de silicio con polarization directa en
aparece en la misma figura. ~ s t establece
un sistema electr6nico bajo condiciones de dc tiene una caida de 0.7 V a travCs de 61, en el
estado de conduction a cualquier nivel de coniente del diodo (desde luego, dentro de 10s
valores nominales).
Tabla resumen
Por claridad, 10s modelos de diodos que se utilizan para el rango de parimetros y aplicaciones
de circuito se presentan en la tabla 1.3, con todas sus caracteristicas en segmentos lineales.
Cada uno se investigarz4 con mayor detalle en el capitulo 2. Siempre existen excepciones a la
regla general, pero es muy cierto que el modelo equivalente simplificado se utilizari con mucha frecuencia en el anilisis de sistemas electr6nicos, rnientras que el diodo ideal es aplicado
con mayor regularidad en el anilisis de 10s sistemas de fuente de alimentaci6n donde se localizan 10s mayores voltajes.
Capitulo 1 Diodos semiconductores
Condiciones
Modelo
Corocteristicos
Modelo de segmentos
lineales
Dispositivo
ideal
Rrrd "rrr
v,
Si se aplica el modelo simplificado para una aplicacidn en particular (un caso frecuente), se puede sustituir VD= V, = 0.7 V para un diodo de silicio en la ecuaci6n (1.10), y
determinar la disipacion de potencia resultante para compararla contra el valor de maxima
potencia. Es decir,
DIFL~SIONPLANAR DE SILICIO
BV
BV
ENCAPSULADO DO-35
Ternperaturns
Rango de ternperanria de almaeenamienlo
Temperaura mixima de operaci6o de la mi60
Temperaura de la cooexi6n
-65C a +WOQC
c175OC
+26OeC
'
i,
3.33 mWIDC
% O N
BAY73
BA129
IOOV
18OV
200 mA
nJ,
~
~
OD>, 1 0 5 i i i
mm.4
600 mA
IOA
-D ~ A
",119101*1
---- Dl*
0"0,1JI>
NOTAS
concxxoncs dc .ccm cubicno de cobrc
C~nexlonrsdorrdnr dlrponibler
Encapsviado dc vmdrlo rellrdo herm$thcmeno
PEIOdel P ~ ~ Y F IdcO
C
I 4 grsmor
40A
CARACTERISTICAS ELI
S~MBOLO
E
CARAC'
v~
Voltaje dir
IR
Comiente I
Bv
Volraje de
Capaciranc
In
-Tiempo dc
R, = 1.0 a 100 kR
I
NOTAS
I Estor son vrlores limner robre o r cuale, el Cunczonamscn!~del dlcdo pvsdc urdsdado.
2 Eslaa son lim~tesde enado cral~lcs.Lnfibrics d e b rcr~onrvluderohrc ipbcacioner qus lnvolucnn pulror u operncidn con siclo dc t r a b ~ obajo.
Una copia exacta de 10s datos proporcionados por Fairchild Camera and Instrument
Corporation para sus diodos de alto voltaje y baja fuga BAY73 y BA 129 aparece en las figuras
1.35 y 1.36.Este ejemplo representaria la lista extensa de datos y caracteristicas. El tkrmino
recrijicador se aplica a un diodo cuando se emplea con frecuencia en un proceso de rectijicacibn.
mismo que se describiri en el capitulo 2.
CURVAS CARACTERISTICASELECTRICAS T~PICAS
a 25 "C temperatura ambiente a menos que se observe lo contrario
CAPACITANCIACONTRA
VOLTAJE INVERSO
V,
CORRIENTE INVERSACONTRA
COEFICIENTE DE TEMPERATURA
IMPEDANCIA DIKAMICA
CONTRA CORRIENTE DIRECTA
7, - Temperaruia ambienre - *C
RD - lmpedancia dinarnica - I2
CORRIENTE RECTIFICADA
PROMEDIO Y C8ORRIENTE DIRECTA
CONTRA TEMPISRATURA AMBIENTE
500
400
2
2
-"-
300
:P
200
:.3 zoo
.-ma.
300
1 100
loo
0
0
Figura 1.36 Caracteristicas tBrmicas d e 10s diodos d e alto voltaje Fairchild BAY73
BA 129. (Cortesia d e Fairchild Camera and Instrument Corporation.)
Las Areas especificas de las hojas de datos se resaltaron en gris con una letra de identificacion comspondiente a la descripci6n siguiente:
Los voltajes minimos de polarizacidn inversa (PIV) para cada diodo a una comente
de saturaci6n inversa especificada.
B: Caracterfsticas de temperatura segun se indican. Observe el empleo de la escala Celsius
y un amplio rango de utilizaci6n [recuerde que 32 "F = 0 "C = congelamiento (H,O)
y 212 "F = 100 O C = ebullici6n (H,O)].
C: Nivel de disipaci6n de potencia mrixima P, = VDI, = 500 mW. El valor de potencia
mkima disminuye a una proportion de 3.33 mW por grado de increment0 en la
temperatura arriba de la temperatura ambiente (25 "C), segun se indica con claridad
en la curva de phrdida de disipacion de potencia en la figura 1.36.
D: Comente diiecta continua mixima
= 500 mA (observe I, en funcion de la
temperatura en la figura 1.36).
E: El rango de valores de VF en 1, = 200 mA. Observe que excede VT= 0.7 V para ambos dispositivos.
F: El rango de valores de VFen I, = 1.0 mA. En este caso, observe como 10s limites superiores se encuentran alrededor de 0.7 V.
G : En VR= 20 V y una temperatura de operacion tipica 1, = 500 nA = 0.5 pA,mientras
que a un voltaje inverso mayor I, cae a 5 nA = 0.005 MuA.
El
nivel de capacitancia entre las terminales es aproximadamente de 8 pF para el
H:
diodo BAY73 en VR = V, = 0 V (sin polarizaci6n) y con una frecuencia aplicada de
1 MHz.
I:
El tiempo de recuperation inverso es 3 ps para la lista de condiciones de operacion
A:
. .
Mientras m h se esta en contact0 con las hojas de especificaciones, &as se volverin mas
"amistosas", en particular cuando el impacto de cada partimetro se comprende con mayor
claridad para la aplicacion que se este investigando.
de la capacitancia de transiciirn
ode difusion en el diodo
semiconductor.
'dimcu
I I/
,:,,;.
-.
Fwra 1.39 Definici6n del tiempo
de recuperaci6n inverso.
Fwra 1.41 Varios tipos de diodos de union. [a) Cortesia de Motorola Inc.; y
b) y c) Cortesia de International Rectiiier Corporation.]
0.67 V
(bl
"D
~ e r m i n a mja
l
,.*I
1 1
Terminal negra
Terminal negra
,COMl
-
Terminal roja
U
Trazador de curvas
Figura 1.44 Verificacion de un
diodo rnediaa!e un 6hrnetro.
El trazador de curvas de la figura 1.45 puede desplegar las caractensticas de una gran cantidad
de dispositivos, incluyendo el diodo semiconductor. A1 conectar el diodo en forma adecuada a1
tablero de pruebas en la pane central e inferior de la unidad y ajnstando 10s controles, se puede
0
P 0 s,,,
por dlvlrlbn
obtener una imagen en la pantalla como la de la figura 1.46. Observe que la escala vertical
es de 1 d l d i v , lo que da por resultado 10s niveles indicados. Para el eje horizontal, la escala es
de 100 mvldiv, lo que da por resultado 10s niveles de voltaje que se indican. Para un nivel de
2-mA, como se defini6 para un DDM,el voltaje resultante seria de 625 mV = 0.625 V. Aunque,
en principio, el instrumento parece ser muy complejo, el manual de instmcciones y algunos
momentos de contact0 revelariin que 10s resultados deseados por lo general se pueden obtener
sin mucho esfuerzo y tiempo. El mismo instrumento apareceri en mas de una ocasi6n en 10s
capitulos subsecuentes, a medida que se investigan las caracteristicas de diversos dispositivos.
"
,
~
i 1.47g ~ e ~v i ~de
~i 6la ~regi6n
~
Zener
35
diodo semiconductor
Esta region de caracteristicas unicas se utiliza en el disefio de 10s diodos Zener, 10s cuales
rienen el simbolo grafico que aparece en la figura 1.48a. Tamo el diodo semiconductor como
el diodo Zener se presentan uno a1 lado de otro en la figura 1.48 con objeto de asegurar que la
direction de la conduccion se comprenda con todo detalle junto con la polarizaci6n requerida
del voltaje aplicado. El diodo semiconductor, en el estado "encendido", soportara una comenre en la direccion de la flecha en el simbolo. Para el diodo Zener la direction de la conduccion es
ilpuesta a lade la flecha sobre el simbolo, de acuerdo con el comentario en la introducci6n de
esta seccion. Observe, a su vez, que la polarization de V, y de VZ son iguales. como si se
hubieran obtenido en caso de que cada uno hubiera sido un elemento resistive.
La localizacion de la region Zener puede controlarse mediante la variation de 10s niveles de
dopado. Un increment0 en el dopado, que produzca un aumento en el ndmero de impurezas
agregadas, disminuira el potencial Zener. Los diodos Zener se encuentran disponibles con potenciales Zener desde 1.8 hasta 200 V, con rangos de potencia desde hasta 50 W. Debido a su
capacidad para soportar mayor temperatura y comente. por lo general en la manufactura de 10s
diodos Zener se prefiere silicio. El circuito equivalente completo del diodo Zener en la regi6n
Zener, incluye una pequeea resistencia dinimica y una bateria igual al potencial Zener, como se
muestra en la figura 1.49. Sin embargo, para todas las aplicaciones siguientes se debera suponer
como primera aproximacion que las resistencias son de magnitudes mucho mayores que la resistencia Zener equivalente, y que el circuito equivalente es el que se indica en la figura 1.49b.
En la figura 1.50 se muestra un dibujo mas grande de la region Zener con objeto de pemitir una descnpci6n de 10s datos con el nombre Zener que aparecen en la tabla 1.4 para un diodo
Fairchild IN961 de 500-mW y 20%. El termino "nominal" asociado con VZindica que se trata
de un valor tipico promedio. Dehido a que se trata de un diodo de 20%, se puede esperar que el
Iz, = 32 mA
TABLA 1.4 Caracte~Ssticaselkchicas (25'C de temperatura ambiente, a meuos que se observe lo contrario)
-
Voifa/e
Zener
nominai,
36
lmpedancio
C~mrriente
dinhica
de pmeba,
m&ima
'zr
ZZT0 'm
~ipo
Jedec
Or)
(mA)
IN961
I0
12.5
"I
8.5
Impedancia
m6xima de
punfo de inflexi6n
2 ~ x 1,0
Corrienfe
inuersa
m&ima
IR 0 VR
@I(mA)
0'4
orI
(mA)
(%IoC)
0.25
10
7 .2
32
1-0.072
700
Volfaje
de prueba
"R
Conienfe
reguladora
m&ima
'm
Coeficienfe
de temperaturn
tipico
donde AVZes el cambio que resulta en el potencial Zener debido a la variacion de la temperatura. Observe en la figura 1.5 1 que el coeficiente de temperatura puede ser positivo, negativo,
o incluso hasta cero para diferentes niveles Zener. Un valor positivo reflejana un incremento
en VZcon un aumento en la temperatura, mientras que un valor negativo daria como resultado
la disminuci6n en el valor con un incremento en la temperatura. Los niveles de 24 V, 6.8 V. y
3.6 V se refieren a tres diodos Zener que tienen estos valores nominales dentro de la misma
familia Zener como el IN961. Naturalmente. la curva para el IN961 de 10 V caeria entre las
curvas de 10s dispositivos de 6.8 V y 24 V. Regresando a la ecuaci6n (1.12), T, es la temperatura a la cual se ofrece V , (por lo regular la temperatura ambiente. 25 "C), y T , es el nuevo
nivel. El ejemplo 1.3 demostrari el empleo de la ecuaci6n (1.12).
Coefieiente de temperatura contra
corilente Zener
Irnpedancia dinsmica
contra forriente Zener
"..0.01 0.05 0 1
0.5 I
5 10
50 100
I 2
10 20
50
100
Figura 1.51
Deteminar el voltaje nominal para un diodo Zener Fairchild IN961 de la tabla 1.4 a una
temperatura de 100 OC.
1.14
--
Diodos Zener
EJEMPLO 1 3
S. debido a1 coeficiente de temperatura positivo, un nuevo potencial Zener, definido por V;, es
V ; = V,
+ 0.54V
= 1054 V
en la familia de 10s dispositivos de union p-n, se estudiara en este capitulo y algunas de sus
redes se estudiaran en 10s capitulos siguientes. La pantalla LCD se describe en el capitulo 20.
Como su nombre lo indica, el diodo emisor de luz (LED) es un diodo que emite luz visible
cuando se energiza. En cualquier uni6np-n con polarizacion directa existe, dentro de la estructura y en fotma primaria cerca de la union. una recombinacion de huecos y electrones. Esta
recombinacion requiere que la energia que posee un electron libre se transfiera a otro estado
En todas las uniones p-n de semiconductor, pane de esta energia se emite como calor y otra
pane en forma de fotones. En el silicio y el germanio el mayor porcentaje se genera en forma
de calor y la luz emitida es insignificante. En otros materiales. como el fosfuro arseniuro de
galio (GaAsP) o fosfuro de galio (Gap). el numero de fotones de energia de luz emitida es
suficiente para crew una fuente de luz muy visible.
Alproceso de emision de luz mediante la aplicacibn de una fuente de energia
eli.ctricu se le llama electroluminiscencia.
Como se muestra en la figura 1.54 con su simbolo grifico, la superticie conductora conectada at material p es mucho mas pequeiia, con objeto de permitir la emision de un numero
miximo de fotones de energia luminica. Observe en la figura que la recornbinacion de 10s
portadores inyectados debido a la union con polarizacion d'directa genera luz, que se emite en el
lugar en que se da la recombinaci6n. Puede haber, desde luego, alguna absorci6n de 10s paquetes de energia de 10s fotones en la superficie misma, per0 un gran porcentaje se encuenua
disponible para salir, segun se muestra en la figura.
electroluminiscenciaen el LED;
b) simbolo grafico.
La apariencia y caractensticas de una limpara subminiatura de estado s6lido de gran eficiencia que fabrica Hewlett-Packard aparece en la figura 1.55. Observe, en la figura 1.55(b).
que la comente pic0 directa es de 60 mA con 20 mA de comente directa promedio tipica. Sin
embargo, las condiciones de prueba que se enumeran en la figura 1.55(c) corresponden a una
comente directa de 10 mA. El nivel de V, bajo condiciones de polarizaci6n directa se indica
como V, y se extiende de 2.2 a 3 V. En ouas palabras, se puede esperar una comente de
operaci6n tipica de aproximadamente 10 mA a 2.5 V para una buena emisi6n de luz.
Aparecen dos cantidades que aun no se han identificado bajo el encabezado de caractensticas eltctricas lopticas a T, = 25 O C . Estas son la intensidad luminica axial (Iv) y la eficiencia
Iuminica (q,).La intensidad de la luz se mide en candelas. Una candela emite un flujo de luz
de 4rrlfimenes y establece una iluminaci6n de 1 candela pie en un irea de 1 pie cuadrado a 1
pie de la fuente de luz. Aunque esta description quizi no ofrezca una comprension clara de la
candela como unidad de medida, su nivel bien puede compararse entre dispositivos similares.
El t6rmino eficncia es, por definicion, una medida de la capacidad de un dispositivo para
generar un efecto deseado. Para el LED, este es el cociente del numero de lumenes generados
por watt aplicado de energia electrica. Esta eficiencia relativa esti definida por la intensidad
luminica por unidad de corriente, seghn se muestra en la figura 1.552. La intensidad relativa de
cada color contra la longitud de onda se muestra en la figura 1.55d.
Debido a que el LED es un dispositivo de unionp-n, tendra una caracteristica en polarizaci6n
directa (figura 1.55e) similar alas curvas de respuesta del diodo. Observe el increment0 casi
lineal en la intensidad luminica relativa con corriente directa (figura 1.550. La figura 1.55h
revela que mientras m L larga es la duraci6n del pulso a una frecuencia en particular, menor
sera la coniente pico permitida (despues de pasar el valor de mptura de $1. La fi,eura 1.55i
muestra que la intensidad es mayor a 0" (de cabeza) y la menor a 90" (cuando el dispositivo se
obsewa desde un lado).
Poriimetrur
Disipacidn de potencia
Cornenre dircctn promedm
Corrienie directa pico
Rango de temperatura de operaci6n
y alma~enamiento
Tcmperatura de soldadurzi de la conerid*
11.6 mm (0.063pule) del cuerpo
L'nidudei
120
20;1
60
-55'C a 100C
?30C duran~e3 segundos
Simbolo
I,,
28,,>
io
T,
C
8,c
Deicripo'hn
Intensidad luminlca
axial
lncluyendo el Anpulo
enrre lor puntos de la
mitad dc intensidad
luminlca
Mbximo
Minimo
Tipico
1 .0
50
mcd
80
deg.
635
628
90
II
120
nm
nm
Unidndei
2.2
50
147
Nora 1
Medida en el pico
Nola 2
ns
PF
'CM'
1
Voltvje d>recl.o
Volrale de nrptura inverso
Eficacia luminica
Condiciancs de prurbu
3.0
v
lm/w
V , = 0:f = I Mhz
Uni6n a la
conexidn citodo a
079 mm (031 pule)
desde el cuerpo
I, = 10 mA
I, = lCil&A
Xota 5
L. L. I! $4
1x:i JL.< I < i l .udI :i
intCnl.JdJ 1cninl:~es1 2 n i l c d L l a ~nte!.~~ddJ
.uminlcl ~ 1 ~ ~ 1
.~ni.:.J JC unl: donljn~nLe )i, .c J r . r # >
del~ J . Z ~ : = CJr.
~ Acrorna~;~;~.: Clt \ rcprc.scnl2la . ~ r ~ c Jc
u J ,nz: d r : c I q - c
define el color del disporitivo.
1 La intensidad radmnte. I*. en wartriestereorradianei.se puede encontrar a pmir de laecuaci6n I,, = I,,Iq,,dondelven
la
intensldad luminica en canclelar y q3 es la eficacia lurninica en llimenesiwatt.
I 6
.' L:
Fwra 1.55 LBmpara subminiatura roja de estado solido de alta eficiencia de HewlettPackard:
a) apariencia: b) valores nominales rnhimos absolutes: c>caracteristicas elCctricasIboticas:
. .
d) intensidad relativa contra longitud de onda: e) corrientedirecta contra voltaje directo: f ) intensidad
g) eficiencia relativa contra corriente oico: h) corriente
luminica relativa contra corriente directa; -.
pic0 mixima contra duracibn del pulso; I) intensidad luminica relativa contra desplazamiento angular
(Cortesia de Hewlett-Packard Corporation.)
Hoy en dia, las pantallas de visualization LED se encuentran disponibles en muchos tamaiios y formas diferentes. La region de emision de luz esta disponible en longitudes desde 0.1
a 1 pulgada. Los numeros pueden crease por segmentos como 10s que se ejemplifican en la
figura 1.56. Al aplicar una polarizacion directa al segment0 apropiado de material tip0 p, se
puede desplegar cualquier nfimero del 0 al 9.
Un arreglo posible aparece en la figura 1.58. Observe que 10s ocho diodos son intemos en
el arreglo de diodos Fairchild FSA1410M. Esto es, en el encapsulado mostrado en la figura
1.59 existe un arreglo de diodos en una placa unica de silicio que tiene todos 10s inodos conectados a la terminal 1 y 10s citodos de cada uno alas terminales 2 a1 9. Observe. en la misma
figura, que la terminal 1 puede determinarse como la que esti del lado izquierdo de la pequefia
proyecci6n o ceja del encapsulado si se mira desde abajo hacia el encapsulado. Los otros
ndmeros siguen despues en secuencia. Si solo se utiliza un diodo, solamente se utilizarian las
terminales I y 2 (o cualquier otro nlimero del3 a1 9).
I
-55C a +20OSC
+150DC
+260C
CARACTERIST~CA
Bv
"r
Volwje dlrec~o(Now 3)
60
CONDICIONES DE PRUEBA
1,=10bA
5.0
4.0
PF
V
40
ns
10
ns
mV
1
1.5
Capacirancia
ln
V
V
15
I, = 500 mA
I, = 200rnA
v,=o.~=IMH~
I, = 5MlmA.r,< l 0 n r
1,, = 500mA.t,< 10 ns
1, = Ir= 10 - 200 d
R , = IOORRec. aO.1 I.
1
I
1'.
AV,
v~
UNIDADES
~AX~MO
M~NIMO
1.1
55 V
lr
400 mW
600 mW
3.2 mWI"C
4.8 mWPC
D I ~ G R A M ADE C O N E X ~ ~ N
FSA I ? IOM
NOTAS.
I ~ r t o rvrlomr wn vrlore~limltcsrob=
cun~cr
I=widr eel d r r e m ~ n orslrb.tanos pvodcn icr drnvdvr
2 Estor ion limitcs cnablr, dc lo3 esrado,. LZ frbrrcrdcbc rcr ron,ulmdz para nplicaciones quc involucren op.mcm6n con pulra o un crcla dr rrrbajo bijo
3 YFsc mxde ulih>anda un pulw h 8 rns
F@ra 1.58 Arreglo monolitico de diodos. (Cortesia de Fairchild Camera and Instrument
Corporation.)
1.16 Arreglos de diodos: circuit05 integrados
1, = IUmA
--
I1
dimensiones se encuentran en
pulgadas. (Cortesia de Fairchild
Camera and instrument
Corporation.)
Plano de moniaie
!u!uu[1![~
La farma dei
airlador de
separaci6n
puede v&ar
Vidno
mi".
Notas:
Conexiones de Kovar. baiiadai en oro
Encaprulado ieiiado hermCr~carnente
Peso dei encapsulado: 1.32 gramor
Los diodos restantes se quedm'an "colgando" y no afectarian la red a la cual so10 estm'an
conectadas las terminales 1 y 2.
Ouo arreglo de diodos aparece en la figura 1.60. En este caso el encapsulado es diferente,
per0 la secuencia de numeraci6n aparece en el diagrama de base. La terminal 1 es la que esta
directamente arriba de la pequefia muesca cuando el dispositivo se observa con las terminales
hacia abajo.
TO-I 16-2Desc"pc16n
-1
0.785"-
Diaorarnar de base
FSA2500M
Noros:
Aieaci6n 42. lerminales erranadas
Terminales baiiadar en or" dispanibiei
Encaosulado de ceramlca sellado
Figura 1.60 Arreglo monolitico de diodos. Todas las dimensiones se encuentran en pulgadas,
1.17 A N ~ I S I POR
S
COMPUTADORA
La computadora se ha convertido en una pane integral de la industria electrdnica, de tal manera que las capacidades de esta "herramienta" de uabajo se deben presentar en la primera oportunidad posible. Para aquellos estudiantes sin experiencia previa en computaci6n, existe a1
principio un temor muy comun hacia este poderoso sistema que parece complicado. Tomando
esto en cuenta, el analisis por computadora de este libro fue disefiado para hacer que el sistema
por computadora resulte mas "amistoso", mediante la revelaci6n de la relativa facilidad con
que se puede aplicar para llevar a cab0 algunas tareas muy utiles y especiales con una cantidad
minima de tiempo y un alto grado de exactitud. El contenido se escribio suponiendo que el
lector no tiene experiencia previa en computation ni tampoco contact0 con la terminologia que
se utilizar8. Tampoco existe sugerencia alguna en cuanto a que el contenido de este libro sea
suficiente para permitir una comprension completa de 10s "c6mos" y 10s "porquts" que surgir6n. El proposito aqui es meramente presentar algo de la terminologia, analizar algunas de sus
capacidades, revelar las posibilidades disponibles, tocar algunas de las limitaciones y demostrar su versatilidad con un numero de ejemplos cuidadosamente seleccionados.
En general, el anasis por computadora de 10s sistemas electr6nicos puede tomar uno de
dos mttodos: utilizando un lenguaje tal como el BASIC, Fortran, Pascal, o C, o utilizando un
paquete de programacibn como PSpice, MicroCap 11,Breadboard, o Circuit Master, por nombrar unos cuantos. Un lenguaje, a Eaves de su notacion simb6lica, construye un puente entre el
Capihllo 1 Diodos semicooductores
usuario y la computadora, el cual permite un diiilogo entre 10s dos con el fin de establecer las
operaciones que deben llevarse a cabo.
El lenguaje que se usa en este libro es el BASIC, y se eligio debido a que emplea una
cantidad de palabras y frases famihares de la lengua inglesa que revelan, por si mismas, la
operacion que se desarrollara. Cuando se utiliza un lenguaje para analizar un sistema, se desarrolla unprograma que define, en forma secuencial, las operaciones que se llevaran a cabo, en
su mayor pane, siguiendo el mismo orden con que se realiza el mismo anilisis efectuando 10s
cilculos a rnano. Al igual que ocurre con el mitodo de calcular a mano, un paso incorrect0 y el
resultado que se obtiene careceri por completo de significado. Obviamente, 10s programas que
se desanollan con tiempo y aplicacion son medios m b eficaces para obtener una soluci6n.
Una vez que se establecen en su "mejor" forma, se pueden catalog= y utilizar posteriormente.
La ventaja m L importante del mktodo de 10s lenguajes radica en que el programa puede adaptarse con objeto de satisfacer todas las necesidades especiales del usuario. Permite que este
liltimo haga "movimientos" especiales que daran por resultado la obtencion de datos en forma
impresa, de manera informativa e interesante.
El mdtodo altemo que se describio antes utiliza un paquete de computadora para llevar a
cab0 la investigation deseada. Un paquete de programacion es un programa escrito y probado
durante cierto tiempo, que se diseiia para realizar un tipo de anilisis o sintesis en particular de
manera eficiente y con un alto nivel de exactitud.
El paquete en si no puede ser alterado por el usuario y su aplicacion esti limitada alas operaciones que se integan al sistema. Un usuan'o debe ajustar su deseo de informacion de salida al
rango de posibilidades que ofrece el paquete. Ademis, el usuario debe capnuar informacion, tal y
como lo exige eel paquete, o de lo contrario 10s datos pueden ser malinterpretados.El paquete de
pro,pmacion que se eligi6 para este libro es PSpice.* En la actualidad, PSpice se encuentra disponible en dos formas: DOS y Wmdows. El formato DOS fue el primer0 que se inuodujo y es el m&
popular boy en dfa. Sin embargo, la version Windows cobra cada vez in& aceptacion conforme 10s
usuarios conocen sus capacidades. Es como todo: una vez que se logra dominarun mktodo que hara
el trabajo por nosotros, se genera menos entusiasmo por tomar el tiempo para aprender otro metodo
del que se obtendrrin resultados similms. Sin embargo, 10s autores confiman que conforme se
conoce m& la version Wmdows, 6sta ofrece algunas caractensticas interesantes que bien vale la
pena investigar. La versi6n de DOS que se usa en este texto es la 6.0 y la de Windows es la 6.1. En
M i c m S i , ubicada en irvme, California, se encuenuan disponibles copias para evaluaci6n. En la
f i , 1.61
~ aparece una fotografia de un paquete de Cenuo de Diseiio completo con la version CDROM 6.2.TambiCn se encuenua disponible en discos flexibles de 35".
Una version m% compleja,
que se denomina SPICE, esti encontrando una amplia gama de aplicaciones en la industria.
Por tanto. en general, un paquete de programaci6n esti "empacado" para realizar una serie
de cdculos y operaciones, y para ofrecer 10s resulrados en un fonnato definido. Un lenguaje
-- -
- --
permite un mayor nivel de flexibilidad, pero tambitn omite 10s beneficios que brindan las
numerosas pruebas y la investigacion exhaustiva que se suelen realizar para desarrollar un
paquete "confiable". El usuario debe definir cuil mCtodo satisface mejor sus necesidades
del momento. Obviamente, si existe un paquete para el anilisis o sintesis que se desea realizar, debe considerarse antes de optar por las muchas horas de trabajo que se requieren para
desarrollar un programa confiable y eficiente. Ademis, es posible adquirir 10s datos que se
necesitan para un anilisis en particular de un paquete de programacidn y luego buscar un
lenguaje para definir el formato de salida. En muchos aspectos, 10s dos mttodos van de la
mano. Si alguien continuamente tiene que depender del anilisis por computadora, es necesario que conozca el uso y las limitaciones tanto de 10s lenguajes como de 10s paquetes. La
decision en cuanto a con qui lenguaje o paquete conviene familiarizarse es, basicarnente,
una funcion del irea de investigacion. Sin embargo, por fortuna, el conocimiento fluid0 de
un lenguaje o un paquete especffico ayudari a1 usuario a familiarizarse con otros lenguajes y
paquetes. Existen similitudes en propositos y procedimientos que facilitan la transicion de
un mttodo a otro.
En cada capitulo se h a r h algunos comentarios respecto a1 anilisis por computadora. En
algunos casos aparecera un programa BASIC y una aplicacion PSpice, mientras que en otras
situaciones solo se aplicari uno de 10s dos. Conforme surja la necesidad de entrar en detalles,
se proporcionari la infomaci6n necesaria para permitir cuando menos una comprensi6n superficial del anilisis.
DI
2
0
(+I
U
'
I
(-1
figura 1.62 ~
t
i de pspice
~
~
para la captura de diodos en la
descripcibn de una red.
Este capitulo aborda las caractensticas del diodo semiconductoren particular. En el capitulo 2
el diodo se investiga utilizando el paquete PSpice. Como un primer paso dirigido bacia tal
anilisis, se presenta ahora el "modelo" para el diodo semiconductor. La descripcion en el
manual PSpice incluye un total de 14 parametros para definir sus caractensticas terminales.
Estos incluyen la comente de saturation, la resistencia en sene, la capacitancia de la conexion,
el voltaje de ruptura inverso, la corriente de tuptura inversa, y muchos otros factores que en
caso necesario pueden especificarse para el disefio o andisis que vaya a realizarse.
La especificaci6n de un diodo en una red tiene dos componentes. El primer0 especifica la
ubicacion y nombre del modelo, el otro incluye 10s parimetros que se mencionan antes. El
~ formato
t
~ para
~ definir la ubicacion y el nombre del modelo del diodo es el siguiente para el
diodo de la figura 1.62:
nombre
nodo
3
w
DI
nodo
nombre
del modelo
Observe que el diodo se especifica mediante la literal D al principio del renglon seguida
por la identificacion que se asigna al diodo en el esquema. La secuencia de 10s nodos (puntos
de conexion para 10s diodos) define el potencial en cada nodo y la direction de la conducci6n
para el diodo de la figura 1.62. En otras palabras, la conducci6n se especifica a partir del nodo
positivo y hacia el nodo negativo. El nombre del modelo es el nombre que se asigna a la
descripcion del parametro que sigue. El mismo nombre de modelo puede aplicarse a cualquier
numero de diodos en la red, como D2, D3, y asi sucesivamente.
Los parametros se especifican cuando se usa una instruccibn MODEL que tiene el formato
siguiente para un diodo:
MODEL
DI
nombre
del modelo
- 15)
-+
D(IS = 2E
especificaciones
de parametro
La especificacion se inicia con 10s datos MODEL seguido por el nombre del modelo
segun se especificd en la descripci6n de la ubicaci6n y la literal D para especificar un diodo.
Las especificaciones del parimetro aparecen en partntesis y deben utilizar la notaci6n que se
especifica en el manual PSpice. La coniente de saturation inversa se encuentra listada como
IS y se le asigna un valor de 2 x 10-15 A . Se eligi6 este valor debido a que, por lo general,
resulta en un voltaje de diodo de cerca de 0.7 V para niveles de coniente de diodo que con
frecuencia se encuentran en las aplicaciones que se analizan en el capitulo 2. De esta manera,
del analisis manual y par computadora se obtendrin resultados relativamente cercanos en cuanto
a magnitud. Si bien en el listado anterior se especific6 un parimetro, la lista puede incluir 10s
10 parametros que aparecen en el manual. Para 10s dos enunciados anteriores, es en particular
importante seguir el formato segun se definio. La ausencia de un punto antes de MODEL o la
omision de la letra D en el mismo rengl6n invalidaran por completo el registro.
sitivo o a un sistema.
2. Describa. con sus propias palabras, las caracte"sticas del diodo ideal y c6mo se detenninan 10s
estados "encendido" y "apagado" del dispositivo. Es decir, describa por quC son adecuados 10s equivalentes de circuito cerrado y circuito abieno.
3. iCuil es la diferencia m8s importante enue las caractehticas de un simple intenuptor y aquellas
de un diodo ideal?
PROBLEMAS
6. Dibuje laesmcturaat6mica del cobre y analice par que es un buen conductor y como su estructura
es diferente del gemanio y del silicio.
7. Defina, con sus propias palabras. un material intnnseco, un coeficiente de temperatura negativo y
una union covalente.
8. Consulte su biblioteca de referencia y mencione Ires matenales que tengan un coeficiente de temperatura negativo y Ires que tengan un coeficiente de temperatura positivo.
9. ;Cu*nta energia en joules se necesita para mover una carga de 6 C a traves de una diferencia en
potencial de 3 V'?
10. Si se requieren 48 eV deenergia paramover unacarza atraves de una diferenciade potencial de 12
V, determine la carga involucrada.
11. Consulte su biblioteca de referencia y precise el nivel de Eg para Gap y ZnS, dos matenales
semiconductores de valor practice. Ademas. determine el nombre escrito para cada material.
15. Dibuje la esmctura at6mica del silicio e insene una impureza de arsenic0 como se mostr6 para el
silicio en la figura 1.9.
16. Repita el problema 15, pero insene una impureza de indio.
17. Consulte su biblioteca de referencia y localice otra explicacion para el flujo de huecos contra el de
electrones. Utilizando ambas descripciones,sefiale con sus propias palabras,el pmceso de iaconduccion de huecos.
20. Utilizando la ecuacion (I A), precise la comente del diodo a 20 'C para un diodo de silicio con Is
= 50 nA y una polarizaci6n directa aplicada de 0.6 V.
21. Repitaelproblema20 para T = 100 "C (punto de ebullici6n del agua). S ~ p o n g a q u ese
I ~increment0
a 5.0 M.
22. a) Utilizando la ecuacion (1.4), determine la corriente del diodo a 20 'C para un diodo de silicio
con I> = 0.1 p4 a un potencial de pola1izaci6n inversa de -10 V.
b) iEl resultado es el esperado? 'Par qut?
23. a) Grafique la funci6n y = ex para x desde 0 hasta 5.
b) cud es el valor de y = ex para x = O?
c) Basbdose en 10s resultados del inciso b, ipor qu6 es importante el factor-l en la ecuaci6n ( I A)?
24. En la region de polarizaci6n inversa la corriente de saturaci6n de un diodo de silicio es de
aproximadamente 0.1 pA (T = 20 'C). Determine su valor aproximado si la temperatura se
increments 40 OC.
25. Compare las caractensticas de un diodo de silicio y uno de germanio y determine cuil preferiria
utilizar para la mayor pane de las aplicaciones pricticas. Proporcione algunos detalles. Refierase
a caracteristicas de fabricante y compare las caracteristicas de un diodo de germanio y uno de
silicio de valores miximos similares.
26. Determine la caida de voltaje direct0 a travh del diodo cuyas caracteristicas aparecen en la figura
1.24 a temperaturas de -75 "C, 25 'C, 100 'C y 2W 'C y una coniente de 10 mA. Para cada
temperatura precise el nivel de la coniente de saturacion. Compare 10s extremos de cada una y
haga un comentario sobre la relacion de ambos.
28. Repita el problema 26 con una corriente directa de 15 mA y compare 10s resultados.
29. Determine la resistencia estitica o dc del diodo disponible en el mercado de la figura 1 .I9 con un
voltaje inverso de -10 V.;C6mo se compara con el valor determinado para un voltaje inverso de
-30 V?
30. a) Determine la resistencia dinamica (ac) del diodo de la figura 1.29 con una corriente directa de
31. Calcule las resistencias dc y ac para el diodo de la figura 1.29 con una corriente directa de 10 mA
y compare sus magnitudes.
32. Utilizando la ecuacion ( I .6).determine la resistencia ?c con una corriente de 1 mA y 15 mA para
el diodo de la figura 1.29. Compare las soluciones y desarrolle una conclusi6n general respecto a
la resistencia ac y a 10s crecientes niveles de comente del diodo.
33. Utilizando la ecuaci6n (1.7). determine la resistencia ac con una corriente de 1 mA y 15 mA para
el diodo de la figura 1.19. Modifique la ecuacion cuando sea necesario para 10s niveles bajos de
corriente de diodo. Compare con las soluciones que obtuvo en el problema 32.
34. Determine la resistencia ac promedio para el diodo de la figura 1.19 para la region entre 0.6 y
0.9 V.
35. Determine la resistencia ac para el diodo de la figura 1.19 a 0.75 V y compare con la resistencia ac
promedio obtenida en el problema 34.
segment0 de lfnea recta que interseque el eje horizontal en 0.7 V y que mejor se aproxima a la
curva para la regi6n mayor a 0.7 V.
37. Repita el problema 36 para el diodo de la figura 1.29
5
* 38.
Grafique IF contra VFutilizando escalas lineales para el diodo Fairchild de la figura 1.36. Observe
que ia grifica que se presenta utiliza una escala logaritmica para el eje vertical (las escalas
logm'tmicas se cubren en las secciones 11.2 y 11.3).
* 41.
Detennine para el diodo de la figura 1.36 el nivel de IR a temperatura ambiente (25 "C) y en el
punto de ebullici6n del agua (100 ' C ) , iEs significativo el cambio? iCasi se duplica el nivel por
cada increment0 de 10 'C en la temperatura?
42. Para el diodo de la figura 1.36 determine la resistencia en ac m&xima (dinarnica) con una coniente
diiecta de 0.1 mA, 1.5 mA y 20 mA. Compare 10s niveles y comente silos resultados respddan las
conclusiones derivadas en las primeras secciones de este capitulo.
43. Utilizando las caractensticas de la figura 1.36, determine 10s niveles mAximos de disipacidn de
potencia para el diodo a temperatura ambiente (25 'C) y 100 'C. Suponiendo que V,permanece
fijo a 0.7 V, jcomo ha cambiado el nivel miximo de I, enue 10s dos niveles de temperatura?
44. Haciendo uso de las caractensticas de la figura 1.36, determine la temperatura en la cud la co-
mente del diodo seri del50'0 de su valor a temperatura ambiente (25 'C).
Problemas
~-
* 45.
47. Describa, con sus propias palabras,como difieren las capacitancias de difusion y de transicion
48. Determine la reactancia ofrecida por un diodo descrito con las caracteristicas de la figura 1.37, a
un potencial directo de 0 2 V y a un potencial inverso de -20 V si la frecuencia que se aplica es de
6 MHz.
49. Dibuje la forma de la onda para i en la red de la figura 1.63 si rI = 2rr y el tiempo total de recuperacion inverso es de 9 ns.
* 51
i A qut temperatura tendra el diodo Zener IN961 10 V Fairchild un voltaje nominal de 10.75 V?
(Sugerencia: Observe 10s datos de la tabla I A)
52. Determine el coeficiente de temperatura de un diodo Zener de 5 V (caracterizado a 25 'C) si el
voltaje nominal cae a 4.8 V a una temperatura de 100 'C
53. Utilizando las curvas de la figura 1.51a. iqui nivel de coeficiente de temperatura esperariapara un
diodo de 20 V? Repita para un diodo de 5 V. Suponga una escala lineal entre 10s niveles de voltaje
nominal y un nivel de comente de 0.1 mA.
54. Determine la impedancia d i n h i c a p a n el d i d o de 24 V a 1, = 10 mA para la figura 1.51h.
Observe que se trata de una escala logan'tmica.
* 55.
Compare 10s niveles de impedancia dinarnica para el diodo de 24 V de lafigura 1.51b a 10s niveles
de comente de 0.2 m.4, 1 mA, y 10 mA. iC6mo se relacionan 10s resultados a la forma de las
caracteristicas en esta region?
56. Refiindose a la figura 1.55e. jcua parecena ser un valor apropiado de VTpara este dispositivo?
iComo se compan con el valor de VTpara el silicio y el germanio?
57. Utilizando la informacidn que se proporciona en la figura 1.55, determine el voltaje directo a
traves del diodo si la intensidad luminica relativa es de 1.5.
* 58.
* 59.
Aplicaciones de
diodos
Normalmente, la carga aplicada tendri un impact0 importante en el punto o regi6n de operaci6n del dispositivo. Si el analisis se debe llevar a cab0 de manera grafica, se pnede dibujar una
linea recta sobre las caracteristicas del dispositivo que represente la carga aplicada. La
intersecci6n de la recta de carga con las caracteristicas determinari el punto de operation del
sistema. Par razones obvias, a este analisis se le llama analisis mediante la recta de carga.
Aunque la mayor pane de las redes de diodos que se analizan en este capitulo no utilizan el
sistema de la recta de carga, la ttcnica se usa de manera frecuente en 10s capitulos siguientes,
y esta introduccidn ofrece la aplicacion mas simplificada del mhodo. Permite de igual forma
una validation de la aproximacion de la ttcnica descrita a lo largo del resto del capitulo.
Considere la red de la figura 2.1 que ntiliza un diodo, el cual tiene las caractensticas de la
figura 2.lb. ObsCrvese en la figura 2.1 a que la "presi6nS que proporciona la bateria tiene como
objetivo establecer una comente a travCs del circuit0 en serie, de acuerdo con el sentido de las
manecillas del reloj. El hecho de que esta comente y la direcci6n de conducci6n definida del
diodo sean "semejantes", indica qne el diodo esta en estado "encendido" y que se establece la
conduccion. La polaridad resnltante a travts del diodo sera coma se seaala, y el primer cuadrante (VD e IDpositivos) de la figura 2.lb sera la region de inter&, es decir, la regi6n de
polarization directa.
A1 aplicarla ley de voltaje de Kirchhoff a1 circuito en sene de la figura 2.la dari par resultado
Las dos variables en la ecuaci6n (2.1) (VDe ID)son las mismas que las variables de 10s ejes
del diodo de la figura 2.lb. Esta sirnilitud permite una graficacion de la ecuaci6n (2.1) sobre
las mismas caractensticas de la figura 2.lb.
Las intersecciones de la recta de carga sobre las caracteristicas pueden determinarse con
facilidad si se considera que en cnalquier lugar del eje horizontal ID= 0 A y que en cualquier
lugar del eje vertical VD 'D 0 V.
Si se establece VD= 0 V en la ecuacion (2.1) y se resuelve para ID,se tiene una magnitud
de IDsobre el eje vertical. Par tanto, con VD = 0 V la ecuaci6n (2.1) se convierte en
coma lo indica la figura 2.2. Si se esrablece I - 0 A en la ecuaci6n (2.1) y se resuelve para VD,
4se tiene la magnitud de VD sobre el eje vertical. Par tanto, con ID= 0 A la ecuaci6n (2.1) se
convierte en
E = VD + I$
como lo se~ialala figura 2.2. Una linea recta dibujada entre 10s dos puntos definiri una recta de
carga como la descrita en la figura 2.2. Si se cambia el nivel de R (la carga). cambiari la
interseccion sobre el eje vertical. El resultado sera un cambio en la pendiente de la recta de
carga, y en un punto de interseccion diferente entre la recta de carga y las caracteristicas del
dispositivo.
Ahora se tiene una recta de carga definida par la red y nna curva de caractensticas definida par el dispositivo. El punto de interseccion entre las dos es el punto de operation para este
Capitulo 2 Aplicaciones de diodos
Punlo Q
,
Recta dr c a r p (red)
Figurn 2.2
circuito. Mediante el sencillo dibujo de una linea recta hacia abajo hasta el eje horizontal puede
determinarse el voltaje del d i d o VD ,mientras que una lhea horizontal a paRir del punto de intersecci6n y hasta el eje venical dax%eliivel de ID .La coniente ID es en realidad la comente a travts
de toda la config&aci6n en serie de la figura f . l a . En general, al punto de operaci6n se le llama
punto estable (abreviado "Q-pt", par las palabras en inglks de: Quiescent P o i n n y refleja sus
cualidades de "estable y sin movimiento" segdn se definio para una red de dc.
La soluci6n que se obtiene por la intersecci6n de las dos curvas es la misma que podria
conseguirse mediante la soluci6n matematica de las ecuaciones simultheas (2.1) y (1.4) [ID =
I , ( e K V a i T ~ - I)]. Puesto que la curva para un diodo tiene caracteristicas no lineales,
las matemsticas involucradas requeridan del uso de tknicas no lineales que es6n fuera de las
necesidades y objetivo de este libro. El analisis de la recta de carga descrito antes ofrece una
soluci6n con un minimo de esfuerzo, y una description "pictorica" de la razdn par la cual se
. Los siguientes dos ejemplos demostrarin las
obtuvieron 10s niveles de soluci6n para VDQe IDQ
tecnicas que se presentaron, las cuales ofrecen una facilidad relativa con la que puede dibujarse
la recta de caqa utilizando las ecuaciones (2.2) y (2.3).
Determinar para la configuracion de diodos en serie de la figura 2.3a usando las caractensticas
de diodo de la fizura 2.3b:
la)
(b)
EJEMPLO 2.1
a) La ecuacidn (2.2): ID =
lov
v,=ov
10 rnA
1kR
El nivel de VDes una estimacidn y la exactitud de 1, esti limitada par la escala elegida. Un
grado mas alto de exactitud requeriria de una grifica mucho mis grande.
b)
V,=E-VD=lOV-0.78V=932V
La diferencia en 10s resultados se debe a la exactitud con la cual se pueda leer la grafica. Es
ideal cuando 10s resultados que se obtienen de una u otra manera son 10s mismos.
EJEMPLO 2 2
Solucion
La ecuaci6n (2.3): VD = E 1 I , o A = 10 V
La recta de carga resultante aparece en la figura 2.5. Obsirvese la pendiente reducida y 10s niveles
de corriente del diodo para las cargas crecientes. El punto Q resultante esti definido par
= 0.7 V
z 4.6 mA
'DQ
b) VR = IRR = I R = (4.6 mA)(2 kR) = 9 2 V
De
con VR = E - VD = 10 V - 0.7 V = 9 3 V
V
DQ -
La diferencia en 10s niveles se debe, una vez m b , a la exactitud con la cual se pueda leer la
a-ca.
Es cierto que 10s resultados ofrecen una magnitud esperada para el voltaje VR.
VDoz 0.7 V
(El
Como se observa en 10s ejernplos anteriores, la recta de carga esta determinada solo por la
red aplicada, mientras las caractensticas estin definidas para el dispositivo elegido. Si se recurre
al modelo aproximado para el diodo y no se cambia la red, la recta de carga seri exactamente la
misma que se obtuvo en 10s ejemplos anteriores. De hecho, 10s siguientes dos ejemplos repiten
el analisis de 10s ejemplos 2.1 y 2.2 mediante el empleo del modelo aproximado para permitir
una comparaci6n de 10s resultados
Repetir el ejemplo 2.1 usando el modelo equivalente aproximado para el diodo semiconductor'
de silicio.
Se dibuja de nuevo la recta de carga segdn se muestraen lafigura 2.6, con la mismainterseccion
como se defini6 en el ejemplo 2.1. Las caracterkticas del circuit0 equivalente aproximado para
el diodo tambiin se han trazado en la misma grifica. El punto Q resultante:
Figura 2.6
EJEMPLO 2 3
Los resultados que se obtienen en el ejemplo 2.3 son muy interesantes, porque el nivel de
I es exactamente el mismo que el del ejemplo 2.1 empleando una curva de caractensticas
De
que resulta mucho m h ficil dibujar que la que aparece en la figura 2.4. El nivel de VD = 0.7 V
contra 0.78 V del ejemplo 2.1 tiene una diferencia en magnitud del orden de las cent&imas,
pero es cierto que estin en la misma vecindad, si se comparan sus magnitudes con las de 10s
otros voltajes en la red.
EJEMPLO 2.4
Repetir el ejemplo 2.2 usando el modelo equivalente aproximado para el d'iodo semiconductor
de silicio.
La recta de carga se dibuja de nuevo como lo indica la figura 2.7, con la misma intersecci6n
definida en el ejemplo 2.2. Las caractedsticas del circuit0 equivalente aproximado para el
diodo tambiCn se dibujaron en la misma grrifica. El punto Q resultante:
niv
VDoz 0 . 7 V
En el ejemplo 2.4 10s resultados que se obtienen tanto para VD como para IDQ son 10s
mismos que 10s que resultaron empleando las caractensticas compfetas en el ejemplo 2.2.
Los ejemplos anteriores demuestran que 10s niveles de comente y voltaje que se obtuvieron a1
utilizar el modelo aproximado, son muy cercanos a 10s que resultaron a1 utilizar las caracteristicas completas. Esto sugiere, como se verri al aplicarlo en las proximas secciones. que el uso
de las aproximaciones adecuadas puede dar como resultado la obtenci6n de soluciones que son
muy cercanas a la respuesta real con un nivel reducido de incertidumbre acerca de la reproducci6n adecuada de las caractensticas, eligiendo a su vez una escala lo suficiente grande. Los
resultados indicarh las cond'iciones que deben ser satisfechas para poder aplicar el equivalente ideal de forma adecuada.
EJEMPLO 2 5
En la figura 2.8 se mostro c6mo la recta de carga continha siendo la misma, per0 ahora las
caracterfsticas ideales se intersecan con la recta de carga en el eje vertical. Por tanto, el punto
Q estri definido por
v = 0v
= 10 mA
Recta de carsa
v,o~ov
ngum 2.8 Soluci6n al ejernplo 2.1 usando el modelo del diodo ideal.
Los resultados son lo suficientemente diferentes para las soluciones del ejemplo 2.1 como
para causar una incertidumbre acerca de su exactitud. ES cierto que ofrecen alguna indicacidn
acerca del nivel de voltaje y comente que deben esperarse para ouos niveles de voltaje de la
red, pero el esfuerzo adicional de incluir el equivalente de 0.7 V, muestra que el metodo del
ejemplo 2.3 es mas apropiado.
Por tanto, el uso del modelo del diodo ideal debe reservarse para aquellas ocasiones cuando
la funcion de un diodo sea mas importante, que 10s niveles de voltaje que pueden variar en
dkcimas de un volt, y en las situaciones donde 10s voltajes aplicados son de manera considerable
mas grandes que el voltaje de umbral V,. En las siguientes secciones se usara en foma casi
exclusiva el modelo aproximado, ya que 10s niveles de voltaje que resulten s e r h sensibles alas
variaciones que se aproximan a V,. TambiCn en secciones posteriores se us& el modelo ideal con
mayor frecuencia debido a que 10s voltajes aplicados Serb un poco m h altos que V ,y 10s autores
desean asegurarse que la funci6n del diodo quede comprendida en forma correcta y clara.
En las siguientes secciones se demostrari el impact0 de 10s modelos de la tabla 2.1 sobre
el analisis de las configuraciones.de 10s diodos. Para las situaciones en que se emplee el circuito equivalente aproximado. el simbolo del diodo apareceri como lo seriala la figura 2.93 para
10s diodos de silicio y de germanio. Si las condiciones son las que podrian usarse en el modelo
del diodo ideal. el simbolo del diodo aparecerii como lo indica la figura 2.9b.
2.4
En esta secci6n se usara el modelo aproximado para investigar una variedad de configuraciones de diodos en serie con entradas de dc. Dicho contenido establece 10s fundamentos en el
analisis de diodos que se aplicarin en las secciones y capitulos siguientes. El procedimiento
descrito podri aplicarse a redes con cualquier numero de diodos y en una variedad de configuraciones.
Primero, paracada configuration debe determinarse el estado de cada diodo. iCua1es diodos
se encuentran en "encendido" y cuales en "apagado"? Una vez que esto se hace. se puede
sustituir el equivalente adecuado como se defini6 en la section 2.3 y detenninar 10s parametros
restantes de la red determinada.
En general, un diodo esta en estado "encendido" si la com'ente establecidapor las
fuentes aplicadas es tal que su direccibn concuerda con Iaflecha del simbolo del
diodo, y V D2 0.7 V p a r a el silicio y V D2 0 3 V para el germanio.
Para cada configuracidn, se reemplazarin mentalmenre 10s diodos por elementos resistivos
y se observani la direccion resultante de la corriente, de acuerdo como se establece debido a 10s
voltajes aplicados ("presion"). Si la direccion resultante es "similar" a la flecha del simbolo del
diodo. ocurrira la conduccion a traves del diodo y el dispositivo estari en estado "encendido".
La descripci6n anterior depende de que la fuente suministre un voltaje mayor que el voltaje de
"encendido" (VT) de cada diodo.
Si un diodo esti en estado "encendido", se puede colocar una caida de 0.7-V a trav6s del
elemento. o dibujar de nuevo la red con el circuito equivalente VTcomo se definio en la tabla
2.1. Con el tiempo, probablemente se preferiri incluir la caida de 0.7-V a traves de cada diodo
en "encendido" y dibujar una linea a usves de cada diodo en estado "apagado" o abierto.
Inicialmente el metodo de sustitucion se utilizara con el fin de asegurar que se detenninen el
voltaje y 10s niveles de corriente adecuados.
El circuito en serie de la figura 2.10, descrito brevemente en la seccion 2.2. se necesitari
para demostrar la aproximacion descrita en 10s parrafos anteriores. Primero, el estado del diodo
se determina de forma mental a1 reemplazar el diodo con un elemento resistivo, como lo indica
la fizura 2.1 1. La direccion resultante de I coincide con la flecha en el simbolo del diodo, y
dado que E > V, el diodo se encuentra en estado "encendido". Se dibuja de nuevo la red como
lo sefiala la figura 2.12 con el modelo equivalente apropiado para el diodo de silicio con
polarizaci6n directa. Observese para una futura referencia, que la polaridad de V, es la misma
que la que resultaria si de hecho el diodo fuera un elemento resistivo. El voltaje resultante y 10s
niveles de comente son 10s siguientes:
de la iigura2.10.
En la figura 2.13 el diodo de la figura 2.10 se invirti6. El reernplazo mental del diodo por
un elemento resistive se$n la figura 2.14 indicari que la direccion resultante de la corriente
no coincide con la flecha del simbolo del diodo. El diodo esti en estado "apagado", lo que
genera el circuito equivalente de la figura 2.15. Debido al circuito abierto, la comente del
diodo es de 0 A y el voltaje a trav6S de la resistencia R es la siguiente:
El hecho de que VR= 0 V estableceri E volts a travis del circuito abierto, como se definio por
la ley de voltaje de Kuchhoff. Siernpre se tomari en cuenta que bajo cualesquiera circunstancias,valores instantheos de dc,ac,pulsos,etc.,debera satisfacerselaley de voltaje de Kichhoff.
. .
EJEMPLO 2.6
"D
Debido a que el voltaje establece una comente en la direccion de las manecillas del reloj para
coincidir con la flecha del simbolo y que el diodo esti en estado "encendido",
+l'
'T
v:
2.2 1in
+
v,,
VD = 0.7 V
VR = E - V, = 8 V - 0.7V = 7 3 V
EJEMPLO 2.7
Repetir el ejemplo 2.6 con el diodo invertido
Soluci6n
7 1 * = O A
+
E
2.2
A1 eliminar el diodo, resulta que la direcci6n de Ies opuesta a la flecha en el simbolo del diodo,
kn v,, y que el equivalente del diodo es el circuit0 abierto sin importar que modelo se utilice. Debido
- a1 circuito abierto, el resultado es la red de la figura 2.17, donde ID = 0 A.Esto es porque VR=
18,VR= (0)R = 0 V .Aplicando la ley de voltaje de Kircbhoff alrededor del lazo cerrado genera
E-V..-V.=O
62
ObsCwese en el ejemplo 2.7 el alto voltaje a travts del diodo a pesar de que se encuentra
en estado "apagado". La comente es cero, per0 el voltaje es significative. Con el fin de repasar,
debe recordarse el analisis siguiente:
1. Un circuito abierto puede tener cualquier voltaje a traves de sus terminales, pero la
comente siempre sera igual a 0 A.
2. Un circuito cerrado tiene una caida de 0 V a travis de sus terminales, per0 la corriente
estara limitada por la red que la rodea.
En el siguiente ejemplo es imponante la notaci6n de lafigura 2.18 para el voltaje aplicado.
Se trata de una notacion comun en la industria, con la que el lector debe familiarizarse. Dicha
notaci6n y otros niveles definidos de voltaje se trataran con mayor profundidad en el capitulo 4.
Para la configuraci6nde diodo en sene de la figura 2.19, determinar V,, VRe I,.
A pesar de que la "presi6nVestablece una comente con la misma direccion que el simbolo de la
flecha, el nivel del voltaje aplicado resulta insuficiente para "encender" el diodo de silicio. El
punto de operaci6n sobre las caractensticas se seiiala en la figura 2.20, y establece el equivalente del circuito abierto como la aproximacion adecuada. El voltaje resultante y 10s niveles de
coniente son por tanto 10s siguientes:
I, = OA
V, = I$
= I$
= (OA) 1.2kQ = OV
V, = E = 0 5 V
EJEMPLO 2.8
~-
~~p
EJEMPLO29
Un enfoque similar que se aplico en la figura 2.6 revelara que la corriente resultante tiene la
misma direccion que las flechas de 10s simbolos de ambos diodos, y que la red de la figura 2.22
es el resultado, porque E = 12 V > (0.7 V + 0.3 V) = 1 V. N6tese la fuente redibujada de 12 V
y la polaridad de Vo a traves de la resistencia de 5.6 kQ. El voltaje resultante
'I""
5.6 kR
Ve
EJEMPLO 2.10
Solucion
I=O
i-
\,,\,,\\-,~,,~,,\~
+
E
25,6kC2V0
t
12 V
5.6
m v,,
La pregunta que pemanece es: iqui sustituir en lugar del diodo de silicio? Para el anilisis
que seguiri y para 10s capitulos subsecuentes, s610 debe recordarse que para el diodo practico
real ID = 0 A, VD= 0 V (y viceversa), como se describi6 para la situacibn sin polarizaci6n en el
capitulo 1. Las condiciones descritas por I, = 0 A y V,, = 0 V se indican en la figura 2.26.
v,
=0 V
i=OA
' 5
r,,
'~1
5.6 kn V-
paracantidades
ias
Rgura
el 2.26
circuit0
Determinaci6n
desconocidas
del ejempio 2.10.
de
E-V
Dl
-V
D1
-V0 = O
VDi = E - V D , - V , = 1 2 V - 0
con
Vo = OV
-o=
1 2 ~
- -
E, = -5 V
EJEMPLO 2.11
adicional en la figura. Esto elimina la necesidad de dibujar de nuevo la red y evita cualquier
confusion que pueda generarse por la aparicion de otra fuente. Como se se1ial6 en la inuoducci6n de esta seccion, es probable que esta sea la ruta y notacion que se tomari, una vez que se
establece un nivel de confiabilidad en el anilisis de las configuraciones de 10s diodos. Con el
tiempo, el anilisis completo se desarrollari so10 refiritndose a la red original. Recuerde que
puede indicarse un diodo con polarization inversa. solo con una linea a travts del dispositivo.
La comente resultante a travts del circuit0 es.
Vo = V, - E, = 4.55 V
5 V = -0.45 V
El signo de menos indica que Votiene una polaridad opuesta a la que aparece en la figura 2.27.
EJEMPLO 2.12
Determinar V,,, I,, I D ,e I,? para la configuration de diodos en paralelo de la figura 2.30.
F
2.30 Red para el
ejemplo 2.12.
Para el voltaje aplicado, la "presion" de la fuente es para establecer una comente a travks de
cada diodo en la misma direccion que se muestra en la figura 2.31. Debido a que la direction
de la comente resultante es igual a la de la flecha en cada simbolo de diodo, y que el voltaje
aplicado es mayor que 0.7 V, ambos diodos estin en estado "encendido". El voltaje a traves de
10s elementos en paralelo es siempre el mismo y
0-
La comente
El ejemplo 2.12 demostr6 una razon para colocar diodos en paralelo. Si la comente nominal de 10s diodos de la figura 2.30 es s610 de 20 mA, una comente de 28.18 mA daiiaria el
dispositivo si apareciera s610 en la figura 2.30. A1 colocar dos en paralelo, la comente esta
limitada a un valor seguro de 14.09 mA con el mismo voltaje terminal.
~~
EJEMPLO 2.13
SI
U
I
!
+
E , = 20 V
2.2 kn
Dl
D:
E, = 4 V
Si
A1 dibujar de nuevo la red como lo indica la figura 2.33, se seiiala que la direccion de la
corriente resultante es como para encender el diodo D,y apagar el diodo D,.La comente
resultante I es entonces
,fl~{
I
R =2.2 LR
E,l-Tv
214V
EJEMPLO 2.14
~-
Inicialmente, pareceria que el voltaje aplicado "encenders" ambos diodos: sin embargo. si
ambos estAn en "encendido", la caida de 0.7-V a traves del diodo de silicio no seri igual a 10s
0.3 V a traves del diodo de germanio como se requiere, por el hecho de que el voltaje a traves
de elementos paralelos debe ser el mismo. La accion resultante se puede explicar solo con
notar que cuando la fuente se enciende incrementara de 0 V a 12 V en un periodo, aunque quizri
se podria medir en milisegundos. Durante el increment0 en que se establece 0.3 V a travis del
diodo de germanio. Cste "prender? y mantendri un nivel de 0.3 V. El diodo de silicio nunca
tend16 la oportunidad de capturar su 0.7 V requerido, y por tanto permaneceri en su estado de
circuit0 abierto como lo indica la fizura 2.35. El resultado:
si
i
1
2.2 kc2
vo
EJEMPLO 2.15
R,
Figura 2.36
Red para el
ejemplo 2.15.
------
_ - _ _ _ _ _ _ i a
5.6 kn
- Vi +
"
ID:
+ 1, = I,
= I,- - I, = 3.32 mA
0.212 mA = 3.108 mA
;;I
Si
(I)
E='O
v+
ov
" ",
D:
RfkQ
w
EJEMPLO 2.1 6
Compuertas AND/OR
compuena OR. Un anilisis de la misma red con dos entradas de 10-V dari par resultado que
ambos diodos esten en estado "encendido" y con una salida de 9.3 V. Una entrada de 0-V en ambas entradas, no proporcionari el 0.7 V requerido para encender 10s diodos y la salida seri de
0 debido a1 nivel de salida de 0-V. Para la red de la figura 2.40 el nivel de comente se encuentra
determinado par
--
EJEMPLO 2.1 7
-- -
Determinar el nivel de salida para la compuerta Iogica AND positiva de la figura 2.41
Solucian
Observese en este caso que la fuente independiente aparece en la terminal conectada a tierra de
la red. Debido a razones que pronto serin obvias, se elige el mismo nivel que el nivel logico de la
entrada. La red esti dibujada en la figura 2.42 con las suposiciones iniciales respecto a
10s estados de 10s diodos. Con 10 V del lado del catodo de Dl se asume que D, se encuentra en
estado "apagado", aunque exista una fuente de 10-V conectada a1 dnodo de D, a travts de la
resistencia. Sin embargo, recuerde que se mencion6 en la introducci6n de esta seccion que el
empleo del modelo aproximado servirh de ayuda para el analisis. Para D l ide d6nde vendri
el 0.7 V, si 10s voltajes de entrada y fuente se encuenuan en el mismo nivel y creando "presiones" opuestas? Se supone que D,se encuentra en estado "encendido" debido a1 bajo voltaje del
lado del citodo y la disponibilidad de la fuente de 10-V a travts de la resistencia de 1-kR.
Para la red de la figura 2.42 el voltaje en V,, es de 0.7 V, debido a que el d i d o D, esti
polarizado directameute. Con 0.7 V en el h a d o de Dl y 10 V en el citodo, D, est6 definitivamente en estado "apagado". La comente I tendri la direction que se indica en la figura
2.42 y una magnitud igual a
Vdc
0.318vm
]medm onda
T
Defasamienm dcbido s Vi
'
natural el nivel resultante de voltaje dc. Para las situaciones donde V, >> V,, la ecuacion 2.8
puede aplicarse para deteminar el valor promedio con un alto nivel de exactitud.
Si vm es suficientemente mas grande que VT,la ecuaci6n 2.7 es a menudo aplicada como
una primera aproximacion de V,,.
a) Dibujar la salida vo y deteminar el nivel dc de la salida de la red de la fisura 2.48
b) Repetir el inciso a si el diodo ideal es reemplazado por un diodo de silicio.
c) Repetir 10s incisos a y b si V,,, se increments a 200 V, y comparar las soluciones utilizando
las ecuaciones (2.7) y (2.8).
EJEMPLO 2.18
Solucion
a)
En esta situation el diodo conducira durante la parte negativa de la entrada segfin se muestra en la figura 2.49, y vo aparecera como se sefiala en la misma figura. Para el periodo
completo, el nivel dc es
Flgura 2.49
vn
la que es una diferencia que, en efecto, puede ignorarse para la mayor parte de las aplicaciones.
Para el inciso c el desvio y la caida en la amplitud debido a V, no seria discernible en un
osciloscopio tipico si se despliega el patron completo.
1 '
ZOV- 0 . 7 V = 1 9 3 V
73
El valor del voltaje pico inverso (PIV, por las iniciales en ingMs de: Peak Inverse Voltage) (o
PRV, par las iniciales en inglts de: Peak Reverse Voltage) del diodo es muy imponante en el
disetio de sistemas de rectification. Recuerde que se trata del valor del voltaje que no debe
excederse en la region de polarizacion inversa, pues de otra forma el diodo entrara en la region
de avalancha Zener. El valor PIV requerido para el rectificador de media onda puede determinarse
a partir de la figura 2.5 1, la cual muestra el diodo de lafigura 2:43 con polarizacion inversa con
un voltaje mAximo aplicado. Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff, parece muy obvio que el
valor PIV del diodo debe ser igual o mayor a1 valor del pico del voltaje aplicado. Par tanto,
(2.9)
V(PIV)
onda completa
74
Debido a que el Area arriba del eje para un ciclo completo es ahora doble, en comparacidn
con la obtenida para un sistema de media onda, el nivel de dc tarnbiin ha sido duplicado y
Si se emplea diodos de silicio en lugar de 10s ideales coma se indica en la figura 2.57, una
aplicacion de la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la trayectoria de conduccidn resultaria
vI - v T- v
V"
= vi
- V T -- 0
- 2VT
Para las situaciones donde Vm>> 2VT,puede aplicane la ecuacion (2.1 1) para el valor promedio
con un nivel relativamente alto de precisidn.
-2
la configuration puente.
Si Vm es lo suficiente m& grande que 2V,, entonces la ecuacion (2.10) a menudo se aplica
como una primera aproximaci6n para V,,.
2.8 Rectification de onda completa
A.
?\
PIV
El PIV que se requiere para cada diodo (ideal) puede determinarse a pmir de la figura
2.58 que se obtuvo en el pic0 de la region positiva de la sefial de entrada. Parala malla indicada
el voltaje maximo a traves de R es Vmy el valor PIV se define por
configuraci6n puente.
Durante la porci6n negativa de la entrada, la red aparece como lo indica la figura 2.61,
invirtiendo 10s papeles d= 10s diodos, pero manteniendo la misma polaridad para el voltaje a
uavCs de la resistencia de carga R. El efecto neto es una salida igual a la que aparece en la
figura 2.56 con 10s mismos niveles de dc.
PIV
La red de la figura 2.62 ayudara a determim el PIV neto paracada diodo de este rectificador
de onda completa. La insertion del voltaje mhimo del voltaje secundario y el Vm de acuerdo
con lo establecido para la red adjunta dara por resultado
'IV = Vsecundano 8'
= v, + vm
+
;:
".
2:
-.
V,
(2,13)
EJEMPLO 2.19
Determinar la forma de onda de salida para la red de la figura 2.63 y calcular el nivel dc de
salida y el PIV que se requiere para cada diodo.
La red aparecera como en la figura 2.64 para la regi6n positiva del voltaje de enuada. El redibujo
de la red generarfi la configuraciirn de la figura 2.65, donde vo = jvi o VOme= $Vimll= $(lo V) =
5 V, como lo indica la figura 2.65. Para la parte negativa de la enuada la funci6n de 10s diodos
seri intercambiada y vo aparecerA seglin la figura 2.66.
El efecto de remover dos diodos de la confi,waci6n puente fue, por tanto, reducir el nivel
de dc disponible a1 siguiente:
1"'
"I
T
-
77
Existe una variedad de redes de diodos que se llaman recortadores y tienen la capacidad de
"reconar" una porcidn de la serial de entrada sin distorsionar la pane restante de la forma
de onda altema. El rectificador de media onda de la secci6n 2.7 es un ejemplo de la forma mas
simple de un reconador de diodo, una resistencia y un diodo. Dependiendo de la orientation
del diodo, la region positiva o negativa de la serial de entrada es "reconadz".
Existen dos categorias generales de reconadores: en serie y enparalelo. La configuracion
en serie es donde el diodo est6 en serie con la carga, mientras que en paralelo tiene un diodo en
una trayectoria paralela a la carga.
En serie
La respuesta de la configuraci6n en serie de la figura 2.67a a una variedad de fomas de onda
altemas se ilustra en la figura 2.67b.Aunque se present6 al principio como un rectificador de
media onda (para fomas de onda senoidales), no existen limitaciones sobre el tip0 de seiiales
que pueden aplicarse a un reconador. La adicion de una fuente de dc como la que se muestra en
la figura 2.68 puede tener un efecto pronunciado sobre la salida de un reconador. El anilisis
inicial se limitari a 10s diodos ideales, y se reservara el efecto de V , a un ejemplo posterior.
(b)
te dc.
No existe un procedimiento general para el ansisis de las redes como las del tipo que se
presenta en la figura 2.68, per0 existen cienas ideas que deberin considerme mientras se trabaja en la solution.
I . Hacer un dibujo mental de la respuesta de la red basandose en la direccibn del
diodo y en 10s niveles de voltaje aplicados.
Para la red de la figura 2.68, la diiecci6n del diodo sugiere que la seiial v, debe ser positiva
para encenderlo. La fuente dc requiere mas a6n que el voltaje v, sea mayor que V volts para
encender el diodo. La regi6n negativa de la serial de enuada estA "presionando" al diodo hacia
Capitulo 2 Aplicadones de diodos
el estado "apagado", soportado mas atin por la fuente dc. En general, se puede estar muy seguro que el diodo esta en circuito abierto (estado "apagado") para la region negativa de la sefial de
entrada.
2. Determinar el voltaje aplicado (voltaje de transicion) que causara un cambia en el
estado del diodo.
Para el diodo ideal. latransicion entre 10s estados ocunird en el punto sobre las caracteristicas donde v, = 0 V e id = 0 A. A1 aplicar la condition id = 0 y v, = 0 a la red de la figura 2.68
se genera la configuraci6n de la figura 2.69, donde se reconoce que el nivel de vi que causara
una transicion en el estado es
-,
,.
Para un voltaje de entrada mayor que V volts el diodo esta en estado de corto circuito, mientras
que para 10s voltajes de entrada menores que Vvolts esta en estado de circuito abierto o "apagado".
.JtR;
Posteriormente, es posible dibujar 10s voltajes de salida a partir de 10s puntos de datos
resultantes de vo, como se demostro en la figura 2.71. Tenga en cuenta que a un valor instantaneo de vi la entrada puede ser tratada coma una fuente dc de dicho valor y el valor de dc
correspondiente (el valor instantaneo) de la salida determinada. Par ejemplo, para el caso v, =
VnZen la figura 2.68, se analizarila red que aparece en lafigura 2.72. Para Vm> V el diodo esti
en estado de corto circuito y para vo = Vm- V, como en la figura 2.71.
Para vi = Vlos diodos cambian de estado y para vi = -V,, v, = OV, y la curva completa para
vo puede dibujarse como se muestra en la figura 2.73.
.,
1;;" I"/ 1 +
1,
",
I A".
..
u, =
, Y I
1
1
,
1
'
1
I
1
'
"1
niveles de v,
2.9
Recortadores
79
EJEMPLO 220
La expenencia anterior sugiere que el diodo estarli en estado "encendido" para la region positiva de v,, especialmente cuando se obsema el efecto de ayuda de V = 5 V. La red aparecera
como lo seiiala la figura 2.75 y vo = v j+ 5 V. Sustituyendoid = 0 para vd = 0 para 10s niveles de
transicion, se obtiene la red de la figura 2.76 y v, = -5 V.
1
Fira 2.75 v, con diodo
en estado "encendido".
5V
",
id=O A
v0=vn=;$
=ip = ( O ) R = O V
Para 10s valores de vi mas negativos que -5 V, el diodo entrarli en estado de circuito
abierto, mientras que para 10s voltajes mas positivos de -5 V el diodo estarri en estado de corto
circuito. Los voltajes de entrada y de salida aparecen en la figura 2.77.
El analisis de las redes de reconadores con las entradas de onda cuadrada es en realidad
mlis ficil que las redes con entradas senoidales, debido a que solo deben considerarse dos
niveles. En otras palabras, la red puede analizarse como si tuviera dos entradas de nivel dc con
la salida resultante vo graficada en el marco adecuado de tiempo.
Capitulo 2 Aplicaciones de diodos
EJEMPLO 221
-10
ejemplo 2.21.
Para v, = 20 V (0 -+ Tl2) generara la red de la figura 2.79. El diodo esta en estado de corto
circuit0 y vo = 20 V + 5 V = 25 V. Para vl = -10 V dari como resultado la figura 2.80, colocando
el diodo en estado "apagado" y vo = i,R = (0)R= 0 V. El voltaje resultante de salida aparece en
la figura 2.81.
F w r a 2.79
v, a v , = +20 V.
La red de la figura 2.82 es la mis sencilla de las configuraciones de diodos, en paralelo con la
salida para las mismas entradas de la figura 2.67. El an4lisis de las configuraciones en paralelo
es muy similar a la que se aplica a las configuracioaes en sene, como se demostrari en el
siguiente ejemplo.
2.9 Recortadores
EJEMPLO 222
'
La polaridad de la fuente dc y la diieccion del diodo sugieren que el diodo esta en estado "encendido" para la regi6n negativa de la sefial de entrada. Para esta region la red aparecera como lo
sefiala la figura 2.84, donde las terminales definidas para vo requieren que vo = V = 4 V.
+
.c
4v
",
4 "
v ~ 4 v z
FiguIa 2.87 Dibujo de v, para el
ejemplo 2.22.
Para examinar 10s efectos de V, sobre el voltaje de salida, el siguiente ejemplo especificara un diodo de silicio, en lugar del equivalente del diodo ideal.
82
EJEMPLO 2 2 3
vTF0.7"
VI
-4v
Para 10s voltajes de entrada mayores que 3.3 V, el diodo estari en circuit0 abieno y vo = v,.
Para 10s voltajes de entrada menores que 3.3 V, el diodo estari en estado "encendido" y resultari la red de la figura 2.89, donde
2.89 Determinaci6n de vo
para el diodo de la fiqura 2.83 en
estado "encendido".
fig-
La forma de onda resultante de salida aparece en la figura 2.90. Notese que el hnico efecto da
VTfue disminuir el nivel de transition desde 3.3 V a 4 V.
No hay duda de que incluir 10s efec:os de VTccmplicaranel analisis un poco, per0 una vez
que el ansisis se comprende con el diodo ideal, el procedimiento, incluyendo 10s efectos de V,,
no ser4n tan dificiles.
Resumen
Una variedad de recottadores en serie y en paralelo con 10s resultados de salida para las entradas senoidales se presentan en la figura 2.91. Obdmese en particular la respuesta de la hltima
configuraci6n. con su capacidad de recortar una seccion positiva o negativa como se determi:ne
por la magnitud de sus fuentes de dc.
2.9 Recortadores
pKd
pu +TTT
+.,
.?
,.
.f,."
,.
-vm
"0
,,\"'
,a,.".
.".
-e
-v
Durante el intervalo 0 -t TI2 la red aparecera como lo indica la figura 2.93; con el diodo en
estado "encendido" efectivamente hace corto circuito el efecto de la resistenciaR. La constante
de tiempo RC resultante es tan pequeiia ( R se determina por la resistencia inherente de la red)
que el capacitor se cargara a V volts ripidaniente. Durante este intervalo el voltaje de salida
esta directamente a traves del "corto circuito" y vo = 0 V .
Cuando la entrada cambia a1 estado -V, la red aparecera como lo indica la figura 2.94, con
el equivalente de circuito abierto para el diodo determinado por la sefial aplicada y el voltaje
almacenado a traves del capacitor, ambos "presionando" la comente a traves del diodo desde el
citodo hacia el inodo. Ahora que R se encuentra de regreso en la red, la constante de tiempo
determinada por el producto RC es lo suficiente grande para establecer un periodo de descarga
5 ~ m u c h omayor que el periodo TI2 + T, y puede asumirse sobre una base aproximada que el
capacitor mantiene toda su carga y, por tanto, el voltaje (debido a que V = QIC) durante este
periodo.
Debido a que vo esti en paralelo con el diodo y la resistencia. tambitn puede dibujarse en
la posicion altema que se indica en la figura 2.94. La aplicacion de la ley de voltaje de Kirchhoff
alrededor del lazo de entrada dari por resultado
El signo negativo se debe a que la polaridad de 2Ves opuesta a la polaridad definida por v,,. La
forma de onda de salida que resulta aparece en la figura 2.95 junto con la seiial de entrada.
La seiial de salida "cambia de nivel" a 0 V durante el intervalo de 0 a Tl2, per0 mantiene la
misma excursion de voltaje total (2V) que la entrada.
Para una red de cambio de nivel:
La excursibn de voltaje total de la seiial de salida es igual a la excursibn de voltaje
total de la seiial de entrada.
Este hecho es una excelente herramienta para verificar el resultado que se obtiene.
En general, 10s siguientes pasos pueden ser iitiles cuando se analizan redes cambiadoras
de nivel.
I . Iniciar el analisis de las redes cambiadoras de nivel medianre la consideracibn de
la parre de la seRal de enrrada que dara polarizacibn direcra a1 diodo.
2.10 Cambiadores de nivel
85
EJEMPLO 2 2 4
Determinar v,, para la red de la figura 2.96 para la entrada que se indica.
Fi*
KVL
86
v,, = 35 V
v , y vo para el
cambiador de nivel de la figura
Figura 2.99
2.96.
EJEMPLO 2 2 5
Para el estado de corto circuit0 la red toma ahora la apariencia de la figura 2.100, y vo puede
determinarse por la ley de voltaje de Kirchhoff en la secci6n de salida.
+ 5 V - 0.7V - v = 0
"encendido".
Ahora, para el periodo r, + r, la red aparecerri como la figura 2.101, siendo el dnico
cambio el voltaje a travts del capacitor. La aplicacion de la ley de voltaje de Kirchhoff genera
Determinaci6n de
diodo en estado abierto.
Figura 2.101
ve con el
2.10
Cambiadores de nivel
La salida resultante aparece en la figura 2.102, cornprobindose el enunciado de que las excursiones de voltaje de entrada y salida son iguales.
1,
I,
ij
i,
Figurn 2.103 Circuitos cambiadores de nivel con diodos ideales (57. 5RC> Ti2).
"encendida"
"apsgado"
(a)
(bl
F w 2.105 Equivalentes de
diodo Zener para 10s estados
a) "encendido"y b) "apagado".
Viy R fijas
Las redes mas simples del diodo Zener aparecen en la figura 2.106. El voltaje de dc aplicado
es fijo, asi como la resistencia de carga. El anilisis puede hacerse fundamentalmente en dos
pasos.
I . Determinar el estado del diodo Zener mediante su eliminaci6n de la red y
calculando el voltaje a tmvks del circuito abierto resultante.
La aplicacion del paso 1 a la red de la figura 2.106 generari la red de la figura 2.107, donde
una aplicacion de la regla del divisor del voltaje resultara
Si I/ 2 V,, el diodo Zener esta en estado "encendido" y se puede sustituir el modelo equivalente de la figura 2.105a. Si V < V,, el diodo esta en "apagado" y se sustituye la equivalencia de
circuito abierto de la figura 2.105b.
2.11
Diodos Zener
89
[R
T I I..
T
*
J T ~ Para la red de la figura 2.106 el estado "encendido" dara por resultado la red equivalente
1:
RL
P..
v,
de la figura 2.108. Puesto que 10s voltajes a travCs de 10s elementos paralelos deben ser 10s
mismos, se encuentra que
La coniente del diodo Zener debe determinarse por la aplicacion de la ley de comente de
Kirchhoff. Esto es
IR = Iz
donde
1 ---4
L -
e I
RL
+ IL
v,
--=
v;
- VL
EJEMPLO 2 2 6
+
1.2 kn
P,
= 30 m W
a)
V'
Siguiendo el procedimiento sugerido, la red se redibuja como lo indica la figura 2.1 10.
Determinacibn de V
para el regulador de la figura 2.109.
Rgura 2.110
Dado que V = 8.73 V es menor que V , = 10 V, el diodo esta en estado "apagado", como se
muestra en las caractensticas de la figura 2.1 11. Sustituyendo el equivalente de circuit0 abierto
resultara la misma red queen la figura 2.110, donde se encuentra que
VL = V = 8.73 V
8.73 V
VR = Vi - VL = 16 V - 8.73 V = 727 V
I, = O A
P, =
vg,
Punto de operacibn
resultante para la red de la figura
:1.109.
I3gura 2.1 11
= V , (0 A) = 0 W
= 6 mA
- 3.33
m.4
= 2.67 m A
La potencia disipada
P, = V g , = (10 V)(2.67 mA) = 26.7 m W
--
Red de la figura
2.109 en estado "encendido".
Figura 2.112
Vifijo, R, variable
Debido a1 voltaje VZ,existe un rango de valores de resistencias (y por tanto, de corriente de
carga) que asegurari que el dispositivo Zener esti en estado "encendido". Una resistencia de carga RL muy pequefia generari un voltaje VLa travCs de la resistencia de carga menor que VZy el
dispositivo Zener estari en estado "apagado".
Para determinar la resistencia de carga minima de la figura 2.106 que encenderi el diodo
Zener, simplemente se calcula el valor de R, y dara como resultado un voltaje de carga V L= Vz
Esto es,
Cualquier valor de resistencia de carga mayor que el RL que se obtiene de la ecuacion (2.20)
asegurari que el diodo Zener esti en estado "encendido" y que el diodo puede ser reemplazado
por su fuente equivalente V,.
La condition d e f ~ d por
a la ecuacion (2.20) establece el R, minimo, pero a su vez especifica
el I, miximo como
Una vez que el diodo estd en estado "encendido", el voltaje a travCs de R permanece constante en
e 1, permanece fija en
La coniente Zener
..
Solucion
a) Para determinar el valor de R, que encenderi el diodo Zener, se aplica la ecuacion (2.20):
= I,
Iz,, = 40 n1A
- 32 mA = 8 mA
EJEMPLO 2 2 7
RLfija, Vivariable
Para 10s valores fijos de RLen la figura 2.106, el voltaje V, debe ser lo suficientemente grande
para encender el diodo Zener. El voltaje de encendido minima V )= V, mln esta determinado por
(2.28)
Debido a que 1, esti fijo en VJRL y que I,,
define par
y , --R' ,
2'
(2.29)
EJEMPLO 2.28
Solucion
Ecuacion (2.28):
zov - -
---mi
. ,(<*; Z,'.'+t
, g; ..+r-.
Ecuacion (2.29):
$,.,,:$:$.
;.,&!~$:JI
,(.&,
IRd, = I,,
I, = 60 mA
= IRmhR
16.67 mA
Vz
?,&,*
",
= 16.87 V
20 V
Figura61'.'
de I/,
para el regulador de la ligura
2.115.
94
Los resultados del ejemplo 2.28 revelan que para la red de la figura 2.115 con una RL fija,
el voltaje de salida permanecera fijo en 20 V para un rango de voltaje de entrada que se extiende desde 23.67 V hasta 36.87 V.
La entrada podn'a aparecer como lo indica la figura 2.1 17 y la salida permaneceria constante en 20 V, como aparece en la figura 2.1 16. La forma de onda en la figura 2.1 17 se obtiene
alfiltrar una salida de media onda o de onda completa rectificada, proceso descrito con mayor
detalle en un capitulo postelior. Sin embargo, el efecto net0 es el de establecer un voltaje de dc
estable (para un rango definido de V;)como se sefiala en la figura 2.1 16 de una fuente senoidal
con un valor promedio de 0.
rectificadafiltrada.
Pueden establecerse dos o mas niveles de referencia a1 colocardiodos Zener en sene como
lo indica la figura 2.1 18. Mienuas Vi sea mayor que la suma deV,, y V,,, ambos diodos se
encontrarin en estado "encendido" y estarh disponibles tres voltajes de referencia.
Tambien pueden utilizarse dos diodos Zener conectados en sus citodos (espalda con espalda) como un regulador de ac, como lo indica la figura 2.1 19a. Para la sefial senoidal vi, el
circuito aparecera como en la figura 2.1 19b en el instante vi = 10 V. La regi6n de operaci6n de
cada diodo se indica en la figuraadjunta. Obdwese queZ, esta en una regi6n de bajaimpedancia,
mientras que la impedancia de 2, es muy grande, la que corresponde a la representacidn de
circuito abierto. El resultado es vo = v, cuando vi = 10 V. La entrada y salida continuaran duplicandose mutuamente hasta que vi alcance 20 V. Entonces Z, se encendera (como un diodo
20-v
Zener
-22
n g u n 2.119
+o
Zener), mientras que 2, estA en una region de conduccion con un nivel de resistencia lo suficiente pequeiio comparado con la resistencia de 5-W2 en serie para considerarlo como un
circuito cerrado. La salida resultante para el rango completo de vise indica en la figura 2.1 19(a).
Obsewese que la forma de onda no es purarnente senoidal, per0 su valor rms es menor que el
asociado con una seiial pico completa de 22-V. La red esti limitando en forma efectiva el valor
m s del voltaje disponible. La red de la figura 2.119a puede arnpliarse a la de un generador
simple de onda cuadrada (debido a la accion de recorte) si la serial de vi se incrementa a quiza
50-V pico con Zener de 10-V, como lo se6ala la figura 2.120 con la forma de onda de salida
resultante.
10-v
Zener
Doblador de voltaje
La red de la figura 2.121 es un doblador de voltaje de media onda. Durante el medio ciclo de
voltaje positivo a travCs del transformador, el diodo del secundario D lconduce (y el diodo
D, esti en corte), cargando el capacitor C , hasta el voltaje pico rectificado (V,,,). El diodo D,
es idealmente un circuito cerrado durante este medio ciclo, y el voltaje de entrada carga a1
capacitor C, hasta Vmcon la polaridad mostrada en la figura 2.122a. Durante el medio ciclo
negativo del voltaje del secundario, el diodo D lesta en corte y el diodo D, conduce carga al
capacitor C 2 .Dado que el diodo D, actlia como un corto circuito durante el medio ciclo
negativo (y el diodo D,abierto), S e d e n sumarse 10s voltajes alrededor del lazo externo
(vease la figura 2.122b):
de la cual
Durante el medio ciclo negativo (vCase la figura 2.124b) el diodo D2 conduce carga a1
capacitor C2,en tanto que el diodo D , no esta conduciendo. Si no hay consumo de comente en
la carga del circuito, el voltaje a travOs de 10s capacitores C , y C , es 2VmSi hay consumo de
coniente de carga en el circuito, el voltaje en 10s capacitores C , y C2 es el mismo que a traves
de un capacitor alimentado por un circuito rectificador de onda completa. Una diferencia es la
capacitancia efectiva de C , y C? en sene, que es menor a la capacitancia de C, y C, solos. El
valor menor del capacitor ofreceri una acci6n de filtrado m h pobre que el circuito de filtrado
con un solo capacitor.
El voltaje pico inverso a travCs de cada diodo es 2Vmasi como Lo es para el circuito de
filtro con capacitor. En resumen, 10s circuitos dobladores de voltaje de media onda y de onda
completa ofrecen el doble del voltaje pico del secundario del transfonnador, y no se requiere
un transformador con derivaci6n central sino linicarnente un valor PIV de 2Vmpara 10s diodos.
Triplieador @V,)
2.13 A N ~ S I POR
S
COMPUTADORA
PSpice (version DOS)
El analisis por computadora de este capitulo empezara por determinar las cantidades desconocidas para la red de la figura 2.27 (ejemplo 2.11) utilizando la version DOS de PSpice. El
primer paso consiste en dibujar de nuevo la red como lo indica la figura 2.126, identificar 10s
nodos y etiquetarlos en un orden lirgico. La tierra se elige como el nivel de referencia y se le
asigna la etiqueta 0. El diodo de silicio esti especificado entre 10s nodos 2 y 3. El voltaje de
salida del ejemplo 2.1 1 esta del nodo 3 a tierra. El voltaje V, se localiza entre 10s nodos 1 y 2 y
V, entre 10s nodos 3 y 4.
r'
'i+
Aichivo de entrada
Dereripi6n
1
L__1
Insoueeioaes
para an6lisis
E I
Iastrucci6nEND
V(3!4)
V(2,3)
La siguiente entrada en el archivo es un elemento resistivo que requiere una literal R para
empezar el rengl6n seguido por el nombre elegido (en este caso so10 el ndmero 1 para referir el
subindice en la red de la figura 2.126). La "presi6nmde la fuente de 10-V sugiere que la corriente resultante harri a1 nodo 1 positivo respecto al nodo 2, de ahi el orden de 10s nodos en el archive de entrada. La magnitud de la resistencia se especific6 como de 4.7 kn.
El formato para la entrada del diodo se present6 en el capitulo 1. ObsC~esela entrada en
el rengldn 3 de la descripcion de la red y la del modelo del diodo en el rengl6n 6. Recuerde que
comparado con el 0.7 V y utilizado en el ejemplo 2.1 1. Del capitulo 1 recuerde que el voltaje
del diodo es una funci6n de una variedad de parametros, como la corriente de saturaci6n inversa, el nivel de corriente, la temperarura. y asi sucesivamente; pero no puede especificarse solo
como 0.7 V a menos que se elimine el uso de todo el modelo.
En general, 10s resultados son exactos con 10s que se obtuvieron en el ejemplo 2.1 1. como
deben ser si se aplica el cuidado adecuado para ambos mitodos. El primer contacto con cualquier tecnica nueva, como el analisis PSpice que se presenta en esta secci6n. es natural que
dejarh preguntas y dudas acerca de su aplicaci6n. Sin embargo, se debe estar consciente que la
intenci6n de este libro es presentar a1 lector \,arias metoaos de computacior~,y no necesariamente el detalle que se requiere para desarrollar el anilisis por su propia cuenta para una variedad de configuraciones. Esto no quiere decir que la descripcion anterior no sea suficiente para
intentar varias configuraciones de diodos. sino solo que pueden surgir preguntas que requieran
un curso sobre el tema o por lo menos la disponibilidad del manual PSpice. Lo anterior es el
tipo de anilisis PSpice que se presentari a lo largo de este libro. Debe tenerse presente que
PSpice es uno de 10s paquetes aplicados con mayor frecuencia en la comunidad educational, y
que cualquier conocimienro acerca de su aplicacion sera valioso en cualquier sistema de analisis por computadora que se pueda elegir.
Los elementos ahora necesitan ser conectados a1 elegir Draw y luego Wire (cable). Aparecera entonces un lapiz que puede dibujar las lineas deseadas de la siguiente manera. Se mueve el lapiz a1 principio de la linea y se oprime el b o t h izqnierdo del mouse. Luego se dibuja la
linea y se hace "click" una vez mas a1 boton izquierdo al final de la linea. Si so10 se debe dibujar
una linea, el proceso puede teminarse al oprimir el boton derecho del mouse. Si deben dibujarse
lineas adicionales, so10 se presiona la barra espaciadora desputs de terminar una linea y se
dibuja la siguiente linea.
EGND
El sistema debe tener tierra para actuar como punto de referencia para 10s voltajes de 10s
nodos. La tiema (EGND, por las palabras en inglCs de: Earth GrouND) es parre de la biblioteca
portslb y puede colocarse de la misma manera que 10s otros elementos de la red.
VIEWPOINT
Los voltajes de 10s nodos pueden desplegarse sobre el diagrama desputs de la simulaci6n
utilizando VIEWPOINTS (puntos de vista) que estan en la biblioteca specialslb de la caja de
diilogo Get Part. So10 se coloca la flecha del simbolo VIEWPOINT en el punto donde se
desea el voltaje respecto a la tierra. Puede colocarse un VIEWPOINT en cada nodo de la red si
es necesario. Ahora, la red esta completa como lo indica la figura 2.130.
EL
i-
10V
E2
-T
i
-- 5"
T+
ASIGNACION DE NODOS
Cuando 10s elementos son capturados como en la p m e anterior, la probabilidad es que
10s nodos asociados con cada elemento no concuerden con las referencias de 10s nodos asignadas de la figura 2.126. Sin embargo, esto pnede cambiarse al oprimir el Examine Netlist
(examinar la lista neta) bajo el encabezado Analysis (anilisis). El resultado es un listado de
10s elementos de la red y el valor numkrico asignado a cada nodo. Esta lista puede cambiarse
para igualar la de la figura 2.126 con una simple secuencia de inserci6niborrado para cada
referencia de 10s nodos. Para este analisis las referencias de 10s nodos se cambiaron para
igualarlas a la figura 2.126.
Ahora, la red esta lista para el anilisis. Para acelerar el proceso, se oprime Analysis (anih i s ) y se elige Probe Setup (inicializacion de la prueba). Se elige Do Not Auto-Run R o b e
(no autoejecutar la pmeba) debido a que Probe no es apropiada para este analisis. Es una
opcion que se presentari en un capitulo posterior cuando se manejen las cantidades que cambian con el tiempo, la frecuencia o cualquier otra variable importante. Desputs se procede con
OK-AnalysisSimulate (Ok, analisis, sirnulacion) para llevar a cab0 el anaisis. Si se desarroIla correctamente, una caja de diilogo de PSpice aparecera indicando que el anaisis en dc se
termin6. Se sale de la caja y el diagrama tendra la corriente y el voltaje de 10s nodos como en la
figura 2.130. La coniente del circuit0 de 2.07 mA concuerda con la solucion en DOS, y el
voltaje de 10s nodos en -0.46 V es muy cercano a la soluci6n DOS de -0.45 V.
2.13 Anfdisis por computadora
El archivo de salida puede observarse con la secuencia Analysis-Examine Output (analisis, examinar salida). Varias de las partes importantes del archivo de salida aparecen en la
figura 2.131. Obstrvese que las asignaciones de 10s nodos del Schematics Netlist (lista esquemitica neta) concuerda con las referencias de 10s nodos de la fizura 2.126. Los parametros de
***'
CIRCUrr DEsmPlTON
......................**......**......1....,........*.....*.....~........'..
'S*Wrt~
.............
.....
Ow**
m T U R E = 2 7 . W DEG C
...............*....*..*..,....*.............1..L..........."
NODE VOLTAGE
VOLTAGe
VOLTAGE SOUIlCECURRENTS
NAME
CURRBNT
v-El
v-F.2
-2-.
2.ossE-03
2.ossE-cG
v-V6
TOTAL~DLSSIPATION3.IQEMW
****
O P B U W G POINT 3NR)PMATION
NAME
MODa
A '
TEMPF.RANRE
2 7 . W DEG C
D-DI
DlN4148-X
2.01~3
119fal
Rgura 2.131 Archivo de salida para el analisis PSpice (Windows) del circuit0 de la figura2.126
10s diodos se repiten bajo el listado Diode MODEL PARAMETERS (parametros de modelos
de diodos). La SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION (soluci6n de pequefia seiial de polarization)
incluye todos 10s voltajes de 10s nodos con la comente listada a continuaciirn como las VOLTAGE
SOURCE CURRENTS (comentes de las fuentes de voltaje). La OPERATING POINT
INFORMATION (infonnaci6n del punto de operacidn) revela que I, es de 2.07 mA y que el
voltaje a travts del diodo es de 0.749 V en lugar de10.7 V utilizado en la solucion manual, una
posible razon para la ligera diferencia en el voltaje de 10s nodos listado aniba.
PROBLEMAS
1. a) Utilizando las caracteristicas de la fifura 2:132b. determine I,. V, y V,. para el circuito de la
fiyura 2.132a.
b) Repita el incisc u usando el modelo aproximado para el diodo y compare 10s resultados.
c) Repita el inaso u utilizando el modelo ideal para el diodo y compare 10s resultados.
VD
5,
Id)
2. a) Usando las caracteristicas de la figura 2.132b. determine I," y V", para el circuito de la figura
2.133.
b) Repita el inciso a con R = 0.47 kQ.
c) Repita el inciso a con R = 0.18 kR.
3. Determine el valor de R para el circuito de la f i p a 2.133 que resultara para una coniente del
diodo de 10 mA si E = 7 V. Utilice las caracteristicas de la figura 2.132b para el diodo.
4. a) Usando las caractensticas aproximadas para el diodo de Si, determine el valor de V,.l, y V R ,
para el circuito de la figura 2.1?4.
b) Desarrolle el mismo analisis del inciso o utilizando el modelo ideal para el diodo.
c) ~Sugieren10s resultados que se obtuvieron en 10s incisos a y b que el modelo ideal
puede ofrecer una buena aproximacion para la respuesta real bajo alsunas condiciones?
Problemas
+ V,
E i c l
+-
2.2 LR 1,
105
2.4
5. Determine la corriente I para cads una de las configuraciones de la figura 2.135 utilizando el
modelo equivalente aproximado para el diodo.
n g u m 2.135 Problema 5
6. Determine V, e ID para las redes de la figura 2.136.
(a)
(bl
7. Determine el nivel de V,, para cada una de las redes de la fizura 2.137.
ngura 2.139
":
Problema 9.
C*)
* 11.
(a)
(b)
Problemas
* 13.
*
Figura 2.144 Problema 18.
d -5 v
F w r a 2.146 Problema 20.
22. Suponiendo un diodo ideal, dibuje v;, v, e L para el rectificador de media onda de la figura 2.148.
La entrada tiene una forma de onda senoidal con una frecuencia de 60 Hz.
* 23.
* 24.
Repita el problema 22 con una carga aplicada de 6.8 kQ como lo indica la fisura 2.149.
Dibuje v, e i,.
25. Para la red de la figura 2.150, dibuje vo y determine Vdc.
F w r a 2.149
Problema 24.
* 26.
* 27.
a) Dado Pm_ = 14 mW para cada diodo de la figura 2.152, determine el valor mdximo de corrienre de cada diodo (utilizando el modelo equivalente aproximado).
b) Determine lms,para V ,msx= 160 V,
c) Determine la comente a travCs de cada diodo para V,ma,utilizando 10s resultados del inciso b.
d) iEs laconiente determinadaenel inciso c menor queel valor miximo determinadoenel inciso a?
e) Si s61o estuviera presente un diodo, determine la coniente del diodo y cornpirela con el valor
miximo.
* 30.
-c
Figun 2.154
* 31.
Problema 30.
2.9
Recortadores
32. Dibuje vo para cada red de la figura 2.156 para la entrada que se indica
33. Dibuje vo para cada red de la figura 2.157 para la entrada que se indica.
(a)
Figun 2.157
Problema 33.
* 34.
Dibuje v<,para cada red de la figura 2.1 58 para la entrada que se indica
* 35.
Dibuje
i.,,
2.10
M i a d o r e s de nivel
37. Dibuje vo para cada red de la figura 2.161 para la entrada que se indica
v'
+
(
=
Ideal
Problemas
--
38. Dibuje vo para cada red de la figura 2.162 para la entrada que se indica. 'Serfa una buena aproximaci6n considerar que se trata de un diodo ideal para ambas configuraciones? ~ P o que?
r
la)
lb)
* 39.
b:
. .
-10
f = 1 kHz
* 40.
Problema 39
Diseiiar un circuit0 cambiador de nivel para llevar a cabo la funcion que se seiiala en la figura 2.164.
2 0
* 41.
Diseiiar un cucuito cambiador de nivel para llevar a cabo la funcion que se indica en la figura 2.165.
* 42.
;
* 43.
* 44.
a) DiseRe la red de la figura 2.167 para rnantener VLen 12 V para una variaci6n en la carga (I,)
desde 0 hasta 200 mA. Esto es, determine R y VZ.
b) Determine P,msLpara
el diodo Zener del inciso a.
Para la red de la figura 2.168, determine el rango de V, que rnantendri VLen 8 V y no excedera el
valor mBximo de potencia del diodo Zener.
45. Disefiar un regulador de voltaje que mantendrd un voltaje de salida de 20 V a travCs de una carsa
de 1 kR con una entrada que tendri una variaci6n entre 30 y 50 V. Esto es. determine el valor
adecuado de Rsy la comente maxima IZ,.
46. Dibuje la salida de la red de la figura 2.120 si la entrada es una onda cuadrada de 50 V. Repita para
una onda cuadrada de 5-V.
49. Escriba el archivo de entrada para PSpice (DOS) para determinar las comentes I,, I? e lD2de la
figura 2.36 (ejemplo 2.15).
50. Utilizando PSpice (DOS), escriba el archivo de entrada para determinar Vopara la red de la figura
2.38.
51. Escriba el archivo de entrada PSpice (DOS), para determinar Vo para la red de la figura 2.137b.
52. Desarrolle un anrilisis para la red de la figura 2.136b utilizando PSpice (Windows).
53. Desarrolle un anaisis para la red de la figura 2.140b usando PSpice (Windows).
54. Desarrolle un andisis para la red de la figura 2.143 utilizando PSpice (Windows).
55. Desarrolle un anaisis general de la red Zener de la figura 2.168 usando PSpice (Windows).
56. Repita el problema 49 utilizando BASIC.
57. Repita el problema 50 usando BASIC.
+ +
Figura 2.168 Problemas 44.55.
Transistores bipolares
de union
Durante el periodo de 1904 a 1947, el bulbo fue, sin duda, el dispositivo electr6nico miis
interesante y tambiCn el que mas se desarrollo. El diodo de bulbo fue introducido por J. A .
Fleming en 1904. Poco tiempo despues,en 1906, Lee De Forest le aiiadio un tercer elemento a1
diodo a1 vacio, denominado rejilla dr control, lo cual dio por resultado el rriodo, primer
amplificador de su genero. En 10s aiios subsecuentes. la radio y la television ofrecieron un gran
estimulo a la industria de 10s bulbos. La production se incrementode cerca de un millon de
bulbos en 1922 a cien millones aproximadamente en 1937. A principio de 10s aiios treinta el
tub0 de vacio de cuatro y cinco elementos cobro gran imponancia en la industria de 10s tubos
electronicos a1 vacio. En 10s aiios siguientes la industria se convinio en una de las rnis
imponantes y se lograron rapidos avances en el disefio, ticnicas de manufactura, aplicaciones
de alta potencia y alta frecuencia y la miniaturization.
Sin embargo, el 23 de diciembre de 1947, la industria de la electrdnica registr6 la aparicion de un nuevo campo de inter& y desarrollo. Fue esa tarde cuando Walter H. Brattain y
Joseph Bardeen demostraron la acci6n amplificadora del primer transistor en la compaiiia Bell
Telephone Laboratories. El transistor original (un transistor de punto de contacto) se muestra
en la figura 3.1. Las ventajas de este dispositivo de estado s6lido de tres terminales respecto a1
bulbo se manifestaron de inmediato: era m b pequeiio y ligero, no tenia requerimientos de
Wisconsin. 1908
PhD Princeton. 1936
Naci4 en: Arnoy. China.
1902
PhD Universidad de
Minnesota. 1928
114
--
calentamiento o disipacion de calor, su constmccidn era resistente y era mis eficiente debido a que el mismo dispositivo consumia menos potencia, estaba disponible parautilizarse de
inmediato, no requeria de un period0 de calentamiento y era posible utilizar voltajes de operacion mis bajos. N6tese que, a partir del anilisis anterior, en este capitulo se aborda por
primera vez el anilisis de dispositivos con tres o mas terminales. El lector encontrari que
todos 10s amplificadores (dispositivos que incrementan el voltaje, la corriente o nivel de
potencia) tendran por lo menos tres terminales, donde una controla de flujo de las otras dos
terminales
0.150 in.
0.001 in.
t-,+1
0.150 in.
O.001 in.
Para 10s transistores de proposito general, I, se mide en miliamperes, mientras que Ico se
mide en microamperes o nanoamperes. lo. a1 igual que I, para un diodo con pola~izacion
inversa, es sensible a la temperatura y debe analizarse con cuidado cuando se consideren rangos amplios de temperatura. Si lo anterior no se considera de manera adecuada, es susceptible
de afectar de manera severa la estabilidad de un sistemz a una temperatura alta. Las mejoras en
las tkcnicas de construccion han generado niveles significativamente mis bajos de I,, a tal
grado que casi siempre es posible omitir sus efectos.
Todas las direcciones de comente que aparecen en la figura 3.6 son las direcciones reales.
definidas par media de la eleccion del flujo convencional. Notese. en cada caso, que I, = I, +
I,. Observese tambiin que las polaridades aplicadas (fuentes de alimentacion) son tales que
permiten establecer una corriente en la direccion que se indica en cada rama. Es decir, se
compara la direccion de I, con la polaridad de VE,para cada configuraci6n y la direction de Ic
con la polaridad de Vcc.
Para describir en su totalidad el componamiento de un dispositivo de tres tenninales.
como 10s amplificadores de base com6n de la figura 3.6. se requiere de dos conjuntos de
caractensticas, uno para el punto de excitacihn o parametros de enrrada y el otro para el lado
de la salida. Como se muestra en la figura 3.7. el conjunto de entrada para el amplificador de
base comlin relacionara la corriente de entrada (I,) con un voltaje de entrada (V,,) para varios
n~velesde voltaje de salida (VCB).
El conjunto de salida relacionari la corriente de salida (I,) con un voltaje de salida (VcB)
para varios niveles de comente de entrada (I,). seydn se muestra en la figura 3.8. El conjunto
de caracteristicas de la salida o colrcror tiene tres regiones basicas de interis, como se indica
:o
7_
6 mA
-z
5 - E ! ,
5 mA
o r
-0 Y
mA
- :o
; - M
;
M
3 rnA
y
<
2m
mA
A
Li= I mA
r
I
-1
0'
I
5
I
10
I
15
I,=OmA
1
1
T
20
*
(v)
vvce
,, (V)
Region de cone
en la figura 3.8: las regiones activa, de corte y de saturacibn. La region activa es la que suele
utilizarse para 10s amplificadores lineales (sin distorsion). En paaicular:
to---.
lr = o
'a0 =
'co
o r
abieno
Coiector a base
Como se infiere por su propio nombre, la region de corte se define como la region en la que la
comente del colector es 0 A, seglin indica la figura 3.8. Asi tambiCn:
n
V8, = 0.7 V
(3.4)
En otras palabras. el efecto de las variaciones debidas a V,, y a la pendiente de las caracteristicas de entrada se omitir6n en tanto sea posible analizar las redes de transistores de tal manera
que ofrezcan una buena aproximacion a la respuesta real. sin involucrarse demasiado en las
variaciones de 10s parametros de menor imponancia.
Figura 3.10 Desarrallo del modelo equivalente para ser utilizado para la regi6n base-emisor
de un ampliiicador en modo de dc.
EJEMPLO 3.1
Utilizando las caractensticas de la figura 3.8, determine la comente resultante del colector
cuando I, = 3 mA y V, = 10 V.
b) Empleando las caractensticas de la figura 3.8, determine la comente resultante del colector si IEpermanece en 3 m.4 per0 V, se reduce a 2 V.
C) Usando las caracteristicas de la figuras 3.7 y 3.8, determine V, cuando I, = 4 mA y
v,, = 20 v.
Repita
el inciso c utilizando las caracten'stiias de las figuras 3.8 y 3.10~.
d)
a)
Alfa (a)
En el modo de dc 10s niveles de I, e 1, debidos a 10s portadores mayoritarios se encuentran
relacionados por una cantidad llamada a@ y definida por la siguiente ecuacion:
donde I, e 1, son 10s niveles de comente en el punto de operaci6n. Si bien las caractensticas de
la figura 3.8 podrfan sugerir que a = I para 10s dispositivos practicos, el nivel de alfa suele
extenderse de 0.90 a 0.998, donde la mayoria se aproxima al extremo alto del rango. Debido a
que alfa so10 puede definirse para 10s portadores mayoritarios, la ecuacion (3.2) se convierte en
Para las caractensticas de la figura 3.8 cuando I, = 0 mA, I, es por consiguiente igual a
I,,;
no obstante, como se menciono antes, el nivel de I,, es con frecuencia tan pequefio que
practicamente no es posible detectarlo en la graficica de la figura 3.8. En otras palabras, cuando
I, = 0 mA, en la figura 3.8, 1, tambiin parece ser de 0 mA para el rango de valores de V,,.
Para las situaciones de ac donde el punto de operation se desplaza sobre la curva de
caractenstica, un alfa en ac se define mediante
En titminos formales, alfa de ac se denomina como de base comkn, corro circuit0 o facror de
amplification por razones que resultarb mas obvias cuando se analicen 10s circuitos equivalentes para transistores en el capitulo 7. Por el momento, se debe reconocer que la ecuaci6n
(3.7) especifica que un cambio relativamente bajo en la comente del colector se divide entre el
cambio correspondiente en 1, cuando se mantiene constante el voltaje del colector a la base. En
la mayor parte de las situaciones,las magnitudes de a, y a son rnuy cercanas, lo cud permite
dC ,
utilizar la magnitud de una para la otra. El uso de una ecuaclon como la (3.7) se demostrar.4 en
la secci6n 3.6.
La polarizaci6n correcta de la configuration de base comhn en la regi6n activa se puede determinar con rapidez, si se utiliza la aproximaci6n I,z I,, y suponiendo, por el momento, que I,
Capitulo 3 Transistores bipolares de union
La amplificacion de voltaje es
resistor
-t
transistor
b) transistor pnp.
Las corrientes del emisor, colector y base se muestran en su direccidn convencional para
la comente. Si bien cambi6 la configuraci6n del transistor, aun se puede aplicar las relaciones
de comente que se desarrollaron antes para la configuracion de base comun. Es decir, IE= IC+
I, e I, = od;.
Para la configuraci6n de ernisor comun, las caractensticas de salida son una grifica de la
comente de salida (Ic) en funci6n del voltaje de salida (V,,) para un rango de valores de comente de entrada (I,). Las caracteristicas de entrada son una grifica de la corriente de entrada (I,)
en funci6n del voltaje de entrada (V,,) para un rango de valores de voltaje de salida (V,,).
Capitulo 3 Transistoresbipolares de union
It-
"
10
(CEO
15
~-*
20 VcI(Vl
u d i L L L +
G
(Regi6n de cone)
Jcoo
1, =
a', +- ICE,
--I - a
1 - a
(3.8)
0.6
0.8
L0
'JOE (V)
I"'
0.004
2501,,,
Si I,,, fuera 1 PA. la coniente resultante del colector con I, = 0 A sena 250(1 pA) = 0.25 mA,
segun se refleja en las caractensticas de la figura 3.14.
Como referencia futura, a la corriente del colector definida con la condicion I, = 0 pA se
le asignari la notation que indica la ecuacion (3.9).
En la figura 3.15 se demuestran las condiciones para esta comente recien definida con su
direction asignada de referencia.
Parapropbsitos de amplificacibn lineal (la menor distorsion), el corte para la
configuracibn de emisor comiin se definirir medionte Ic =.,I
En otras palabras, la region por abajo de I, =OpA debe evitarse si se requiere una sefial de
salida sin distorsion.
Cuando se utiliza como intemptor en el circuit0 logico de una computadora, un transistor
tendri dos puntos de operation interesantes: uno en la region de corte y ouo en la regi6n de
saturation. La condici6n ideal de cone debe ser 1, = 0 mA para el voltaje elegido V,. Debido
a que loosuele ser hajo en magnitud para 10s materiales de silicio, el ccrte existirh parafines
de conmutacibn cuando I, = 0 p.4 o Ic = I,,,,. per0 sblo para 10s transistores de silicio. Sin
embargo, para 10s transistores de germanio, el corre parafines de conrnuzacibn se definirh
mediante las condiciones que existan cuando Ic = IcBo.Dicha condicion se puede obtener, por
lo regular, para 10s transistores de germanio mediante la polarizaci6n inversa de la uni6n baseemisor, con unas cuantas dCcimas de volt.
Recuerde que para la configuraci6n de base comun se hizo una aproximacion a1 conjunto
de caracteristicas de entrada mediante un equivalente de segmentos lineales, que dio como
resultado V, = 0.7 V para cualquier nivel de 1, mayor que 0 mA. Para la configuration de
emisor comun se puede recumr a1 misrno mitodo, lo cual da por resultado el equivalente
aproximado de la figura 3.16. El resultado da sustento a la conclusi6n anterior respecto a que
para un transistor "encendido" o activo, el voltaje de la hase-emisor es de 0.7 V. En este caso,
el voltaje esta fijo para cualquier nivel de comente de base.
.%,
7:
=
Bsse abiena
Colector a emisor
124
10
0
1 1 1 1
0.2 0.4 0.6
08
i
1
0.7 V
VBs(V)
Beta CO)
En el modo de dc, 10s niveles de Ice I8 se relacionan mediante una cantidad a la que llamaremas bera y se definen mediante la ecuacion siguiente:
El nombre formal para Pa, es factor de amplificacibn de corrienre directa de emisor cornin.
Debido a que, por lo general, la comente del colector es la comente de salida para una configuracion de emisor comun, y la corriente de base es la corriente de entrada, el ttrmino amplificacibn se incluye en la nomenclatura anterior.
La ecuaci6n (3.1 1) es similar en cuanto a formato a la ecuaci6n para a,, en la secci6n 3.4.
El procedimiento para obtener as<
a partir de las curvas de caractensticas no se explico debido
a la dificultad para medir realmente 10s cambios de % e 1, sobre las caractensticas. Sin embargo, la ecuacion (3.11) puede describirse con cierta claridad, y de hecho el resultado se puede
utilizar para encontrar cl,empieando una ecuacion que se obtendrd mhs adelante.
Por lo regular, en las hojas de especificaciones P,, se indica como hfe. ObsCrvese que la
finica diferencia entre la notacihn que se utiliza para la beta dc, especificamente Pdc= hFE,
radica en el tipo de literal que se emplea para cada cantidad sefialada como subindice. La literal
h continda haciendo referencia a1 circuito equivalente hfhrido que se describira en el capitulo 7
y la fe a la ganancia de corriente directa (por las sigJas en ingles de, forward) en la configuraci6n de emisor comun.
El uso de la ecuacion (3.11) se describe mejor rnediante un ejemplo numeric0 utilizando
un conjunto real de caractensticas. como las que aparecen en la figura 3.14a y se repiten en la
3.17. Determine P, para una region de las caractensticas definidas por un punto de operacion
de 1, = 25 PA y V,, = 7.5 V, como se indica en la figura 3.17. La restricci6n de VcE= constante
requiere que se dibuje una linea vertical a travCs del punto de operaci6n en VCE= 7.5 V . En
cualqnier lugar de esta linea vertical el voltaje Vo es 7.5 V , una constante. El cambio en I,
EJEMPLO 3 2
Figura 3.17 Determinacibn de P,, y DdCa partir de las caracteristicas del colector.
( A l , ) como aparece en la ecuaci6n (3.1 1) se define entonces a1 elegir dos puntos en cada lado
del punto Q a lo largo del eje vertical, y adistancias aproximadamente similares a cada lado del
punto Q. Para esta situacidn, las curvas de I, = 20 pA y de 30 pA cumplen el requisito sin
extenderse muy lejos del punto Q. Tambien definen 10s niveles de I, que se definen con facilidad
en lugar de tener que interpolar el nivel de 1, entre las curvas. Es pertinente mencionar que la
mejor deteminaci6n suele hacerse manteniendo la A18 que se seleccion6 tan pequeiia como
sea posible. En las dos intersecciones de I, y el eje vertical, 10s dos niveles de I, pueden
deteminarse trazando una lfnea horizontal sobre el eje vertical y leyendo 10s valores resultantes
de I,. El P,, resultante para la regidn se puede determinar mediante
La solucion anterior revela que para una entrada de ac en la base. la comente del colector seri
de aproximadamente 100 veces la magnitud de la comente base.
Si se deterrnina la beta de dc en el punto Q:
Aunque no son exactamente iguales, 10s niveles de PaCy de P,, se encuentran razonablemente cercanos y a menudo se pueden utilizar indistintamente. Esto es. si se conoce el nivel de
pat, se supone que es de la misma magnitud aproximadamente que pdc,y viceversa. Tome
tambien en cuenta que dentro del mismo lote. el valor de P_ variari en alguna medida entre un
transistor y el siguiente. aunque cada uno tenga el mismo nlimero de codigo. Es probable que
la variacien no sea significativa para la mayor pane de las aplicaciones: por consiguiente, es
suficiente validar el sistema aproximado anterior. Casi siempre, mientras mas bajo sea el nivel
de loo.mis cercanas seran las magnitudes de las dos betas. Debido a que la tendencia
se dirige hacia niveles mas y mis bajos de lo,, la validation de la aproximacion anterior se
sustenta aun mas.
Si las caracteristicas tuvieran la apariencia de aquellas que se encuentran en la figura 3.18,
el nivel de
seria el mismo en todas las regiones de las caracteristicas. Obsirvese que el paso
o increment0 en I, se ha fijado en 10 PA, y el espaciamiento vertical entre las curvas es el
mismo en cada punto de las caractensticas. es decir. 2 mA. El cBlculo de 4, en el punto Q
indicado dari por resultado
lo cual revela que si las caracteristicas tienen la apariencia de la figura 3.18, la magnitud de
.. y de PAP
.
. seru la misma en cada punto de las caracteristicas. Es importante observar que
I,=OfiA.
Aunque un conjunto de caracteristicas de an transistor real nunca tendrri la apariencia de
la figura 3.18. ofrecemos un conjunto de caractensticas con el objeto de compararlas con las
que se obtienen con un trazador de curvas (que se describira enseguida).
Es posible establecer una relacion entre fi y a utilizando las relaciones basicas que se han
presentado hasta ahora. Al utilizar P = Ic/lB se tiene que I, = IclP, y a partir de a = IcllE se
tiene que I, = Icla.Al sustituir en
IE = Ic
l8
se tiene
o bien
P = ap + a = (P +
1)a
en consecuencia
o bien
A su vez, recuerde que
[CEO
Icso
l - a
---
- -1
- p + 1
l - a
derivado de lo anterior, se encuentra que
'CEO
= (p
l)rCBO
o bien
seglin se indica en la figura 3.14a. Beta es un parametro en particular importante porque ofrece
un vinculo directo entre 10s niveles de corriente de 10s circuitos de entrada y 10s de salida
para una configuracion de emisor comun. Es decir,
y dado que
se tiene
Las dos ecuaciones anteriores desempeiian un papel muy importante en el analisis que se realiza
en el capitulo 4.
figura 3.19 Determinaci6n del arreglo polarizaci6n apropiada para una configuracidn
de transistor
npn en
emisor com"n.
+ I,
(bl
En la figura 3.21 se muestra una configuracion de circuito de colector comlin con la resistencia de carga conectada del emisor a la tierra. ObsCrvese que el colector se encuentra conectad0 a la tierra aunque el transistor este conectado de manera similar a la configuracion del
emisor com6n. Desde un punto de vista de disefio. no se requiere de un conjunto de caracteristicas de colector comlin para elegir 10s parametros del circuito de la fisura 3.21. Puede disefiarse utilizando las caractensticas de emisor comun de la secci6n 3.6. Para todos 10s propositos
pricticos, las caracteristicas de salida para la confixuracih de colector comun son las mismas
que para la confi_euracionde emisor comun. Para la configuracijn de colector comun, las
caracteristicas de salida son una grifica de I, en funcion de VECpara un rango de valores de I,.
Por tanto. la coniente de entrada es la misma tanto para las caractensticas del emisor cornlin
como para las del colector cornun. El eje horizontal del voltaje para la configuracion del colector comun se obtiene con solo cambiar el signo del voltaje del colector al emisor de las caractensticas del emisor cornlin. Por ultimo, existe un cambio casi imperceptible en la escala vertical de
I , de las caracteristicas de emisor comun, si Ic se reemplaza por % para las caracteristicas
de colector comBn (debido a que a G 1). Para el circuito de entrada de la configuracion de
colector comun las caracteristicas bisicas de emisor comun son suficientes para obtener la
information que se requiere.
Para cada transistor hay una region de operacion sobre las caracteristicas. las cuales asegurarin que no se rebasen 10s valores mriximos y que la sefial de salida exhiba una distorsion
minima. Esta region se defini6 para las caractensticas del transistor de la figura 3.22. Todos 10s
limites de operacion para un transistor se definen en la hoja de especificaciones que se describiri en la seccion 3.9.
Algunos de 10s limites de operacion se explican por sisolos, tales como la coniente miximade1 colector (a la que por lo regular se hace mencion normalmente en la hoja de especificaciones como coniente continua del colector) y voltaje maximo del colector al emisor (que a
menudo se abrevia como VCEoo VcBR)CEO
en la hoja de especiiicaciones). Para el transistor de
la figura 3.22, Icm6,se especific6 corno 50 mA y VcE0 como 20 V.La linea vertical relativa a
'
"c6 ~ a L
R e ~ i 6 n& cane
'CEO
"cE,.,
las caracterist~casque se define como VCE..,especifica el VCEminim0 que puede aplicarse sin
caer en la region no lineal denominada como region de saturacibn. El nivel de Vo\,, suele
encontrarse en las proximidades de 10s 0.3 V que se especifican para este transistor.
El nivel maxim0 de disipacion se define mediante la ecuacion siguiente:
o bien
En cualquier punto de las caracteristicas el producto de V e lc debe ser igual a 300 mW.
C"
Si se elige que I , tenga un valor maximo de 50 mA y se sustltuye en la relacion anterior, se
obtiene
Para las caractensticas de base comhn, la curva de potencia maxima se define mediante el
siguiente product0 de cantidades de salida:
Limites de operacibn
7.5 pA 5 Ic S 200 m.4
0.3 V S VcE 6 30 V
VcElc L 650 mW
En las caracteristicas de pequeiia sefial se proporciona el nivel de hfe (Ps,) junto con una
grifica de la forma en que vm'a con la coniente del colector en la figura 3.23f. En la figura
3.23j se demuesua el efecto de la temperatura y la corriente del colector en el nivel de h ,
(P,) A temperatura amhiente (25 "C) obskrvese que h, (PdC)
tiene un valor maxim0 de I en el
irea cercana a 8 mA aproximadamente. Conforme I, se incrementa por arriba de este nivel,
h disminuye a la mitad del valor cuando Ices igual a 50 mA. TambiCn puede disminuir a este
fE
nlvel si Ic disminuye a1 nivel bajo de 0.15 mA. Como se trata de una curva normalizada, si se
tiene un transistor con pdc= hFE= 50 a temperatura ambiente, el valor miximo a 8 mA es 50.
Cuando Ic = 50 mA ha disminuido a 5012 = 25. En otras palabras, la normalizaci6n revela que
CapLtulo 3 Transistores bipolares de unibn
2N4123
C~RICTER~STICAS
T!?RMICAS
Caracterirths
Rrs>sanc$rlcm#cn." n i b r cncnprulldo
RcrlilcnclnI.mlci.unidn
armblcnlc
Simbolo
MPxirno
Unidad
Rmc
S? 3
OC W
R.
2UO
OC W
TRANSISTOR DE PROPI~SITO
GENERAL
NPX SILlClO
50
25
"BE.,,
0.95
IWMH2I
10
,
~
0.1
20
30 40
1.0
2.0
3.0
5.0
10
20 30 50
I,. Con~enrede colector (mA)
100
200
(C)
RUIDO
10
8
Rrristencha de la fuente = I kR
0.1
0.2
0.4
1.0
2.0
4.0
10
R,. 8.csiiUe~~a
dt L'o fuente (\in)
134
20
40
IW
--
;r
<= 2.0
1.0
0.1
0.2
0.5
1.0
q
2.0
5.0
10
10
--
1.0
0.1
0.2
05
1.0
2.0
5.0
CARACTER~STICASESTATICAS
Figura 9 - Ganancia de corriente en DC
-E
--- .:
-- ,
z
5q--
20
0
a
,? 5
1.0
0.7
0.5
.-0 e
0.3
0.2
0.1
0.1
0.2 0.5
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50
70 100
ti)
Flgura 3.23 Continuacibn.
200
10
Trazador de curvas
El trazador de curvas de la figura 1.45 generari una imagen igual a la pantalla de la figura 3.24
una vez que todos 10s controles se ajusten de manera adecuada. Las pantallas mas pequefias a
la derecha indican la escala que debe aplicarse a las caracterfsticas. La sensibilidad vertical es
de 2 mA Idiv, lo que da por resultado la escala que se ilustra a la izquierda del monitor. La
sensibilidad horizontal es de 1 V Idiv, lo que da por resultado la escala que se muestra abajo de
las caractensticas. La funcion de paso indica que las curvas estan separadas por una diferencia
de 10 p4,empezando en 0 pA para la curva de la pane inferior. El hltimo factor de escala que
se proporciona se puede utilizar para determinar con rapidez la
para cualquier region de las
caractensticas. S610 multiplique el factor que aparece en pantalla por el nhmero de divisiones
entre las curvas I8 en la region de interis. Por ejemplo, determine Pa, para un punto Q de Ic =
7 mA y Vc, = 5 V.En esta region de la pantalla. la distancia entre las curvas I, es de& de una
division, como se indica en la figura 3.25. Si se usa el factor especificado, se encuentra que
P ac
9
= - div
10
(GI
= 180
diviii6n
0
Horizanrai por
divisi6n
[Z]
Por paso
D o om par
divisi6n
2M)
OmAi
npn 2N3904.
, ,
137
R baja
Lrrd
Un ohmetro o las escalas de resistencia de un DMM pueden utilizarse para verificar el estado
de un transistor. Recuerde que para un transistor en la region activa, la union base-emisor tiene
polarizacidn directa y la unidn base-colector polarizacion inversa. Por tanto, en esencia. la
union con polarizaci6n directa debe registrar una resistencia relativamente baja, mientras que
la unidn con ~olarizacioninversa muestra una resistencia mucho mayor. Para un transistor
npn, la union con polarizaci6n directa (pdarizada por la fuente intema en el modo de resistencia) base-emisor debe verificarse como se indica en la figura 3.27, y da por resultado una
lectura que, por lo regular, caera en el rango de 100 Q a unos cuantos kilohms. La union con
polarizaci6n inversa base-colector (una vez mas polarizada inversamente por la fuente interna)
debe verificarse segun se muestra en la figura 3.28 con una lectura que suele exceder 10s
100 kR. Para un transistor pnp las terminales se invierten para cada uni6n. Es obvio que una
resistencia grande o pequefia en ambas direcciones (invirtiendo 10s contactos) para cada union
de un transistor npn o pnp indica un dispositivo daado.
Si ambas uniones de un transistor dan por resultado las lecturas esperadas, el tip0 de
transistor tambien puede detetminarse con s610 obsewar la polaridad de las puntas de p ~ e b a
cuando se aplican a la union base-emisor. Si la punta de pmeba positiva (+) se conecta a la base
y la negativa (-) a1 emisor, una lectura de baja resistencia indicm'a un transistor npn. A su vez,
una lectura de alta resistencia indicm'a un transistor pnp. Aunque tamhikn puede utilizarse un
ohmetro para determinar las tenninales (base, colector y emisor) de un transistor, se supone
que esta determinacion puede hacerse con so10 observar la orientacidn de 10s contactos en el
encapsulado.
Figura 3.29 Varios tipos de transistores. a) Cortesia de General Electric Company; b) y c) cortesia
de Motorola. Inc.; d) cortesia de International Rectifier Corporation.
Inyeccibn dr campuesro de
moldeo axivl
Encapsuiado de epbxro
Len,ouetar de cirrre
!p7Mm!
1
C
PSpice (version D O 9
El enunciado de PSpice para la introducci6n de 10s elementos de un transistor tiene el formato
siguiente:
nombre
QN
i
J
\
/
nombre tipo
del modelo
Como se indica, el enunciado debe comenzar con .MODEL y seguido por el nombre del modelo del transistor como se especific6 en el enunciado anterior. Desputs, se indica el tipo de
transistor y 10s valores de 10s parhetros que se especificaran que se incluyen dentro del parkntesis. La lista de parimetros, coma aparece en el manual PSpice, es muy extensa y de hecho
incluye 40 terminos. Para las necesidades actuales s610 es necesario especificar dos parimetros.
Entre estos se incluyen el valor de beta, que se sefiala como BF, y la corriente de saturaci6n
inversa IS a un nivel que de por resultado un voltaje base-emisor de aproximadamente 0.7 V
cuando el dispositivo esta "encendido".
Los dos enunciados que se mencionaron antes aparecerrin en la secci6n de analisis par
computadora que se incluye en el capitulo 4. Serin 10s 6nicos enunciados diferentes de 10s que
aparecen en el anilisis de diodos del capitulo 2. En ouas palabras, 10s elementos nuevos pueden
Capltulo 3 Transistores bipolares de union
3.2
PROBLEMAS
Construcci6n de transistores
1. jQue nombres se asignan a 10s dos tipos de transistores BJT? Dibuje la construcci6n bhica de
cada uno e identifique 10s diversos portadores minoritarios y mayoritarias en cada ono. Dibuje el
simbolo g u ~ c junto
o
a cadauno. jSe altera alghn elemento de esta infomacibn a1 cambiarde una
base de silicio a una de genanio?
2. iCual es la diferencia mas importante entre un dispositivo bipolar y uno unipolar?
10. De memoria, dibuje el simbolo del transistor para un transistorpnp y npn. e insene la direcci6n
conventional del flujo para cada coniente.
11. Utilizando las caracterlsticas de la figura 3.7, especifique VBEaI, = 5 mA para VCB= 1 V, 10 V y
20 V. iEs razonable suponer, con base en una aproximaci6n, que Vc, tiene s61o un pequefio efecto
en la relaci6n entre V, e I,?
12. a) Determine la resistencia prornedio en ac para las caracteristicas de la figura 3.10b.
b) Para has redes en la$ cuales la mapitud de 10s elementos resistivos se encuentra en kiiohms,
ies vaida la aproximaci6n de la figura 3 . 1 0 ~(basbdose en 10s resultados del inciso a)?
13. a) Usando las caracteristicas de la figura 3.8, determine la corriente resultante del colector siI, =
4.5 mA V, = 4 V.
b) Repita el inciso a para IE= 4.5 mA V, = 16 V.
C)
iC6rno han afectado 10s cambios de VC8 el nivel resultante de I,?
d) Respecto a una base a~roxirnada,jcbmo se relacionan I, e I, bashdose en 10s resultados
antenores?
Problemas
14. a)
b)
c)
d)
e)
Empleando las caractensticas de las figuras 3.7 y 3.8, determine 1, si Vc, = 10 V V, = 800 mV.
Determine V, si lc= 5 mA y V, = 10 V.
Repita el inciso b utilizando las caractensticas de la figura 310b.
Repita el inciso b utilizando las caractensticas de la figura 3 . 1 0 ~ .
Compare las soluciones para V, para los incisos b. c . y d. jSe puede ignorx la diferencia si
normalmente se encuentran niveles de voltaje mayores a unos cuantos volts?
17. Calcule la gananciade voltaje (A>= V,I V,) para la red de lafigura 3.12 si V, = 500 mV y R = 1 kR.
(Los otro5 valores del c~rcultopermanecen iguales.)
18. Calcule la ganancia de voltaje (A, = V, I V,) para la red de la figura 3.12 si la fuente tiene una
resistencia intema de I00 R en sene con V2.
19. Definal,,,
e ICE,.&Enq u t son diferentes? jC6mo estan relacionados? jPor lo regular sus magnitudes son cercanas?
27. Dibuje de memoria la configuraci6n de transistor en emisor comun (para npn y pnp) e inseRe el
meglo correcto de la polarizacion con las direcciones de comente resultantes para I,, I, e I,.
3.7
28. Se aplica un voltaje de 2 V rms (medidos de la base a tierra) a1 circuito de la figura 3.21. Suponiendo que el voltaje del emisor siga exactamente el voltaje debase y que V,, (nns) = 0.1 V, calcnle la
amplification de voltaje del circuito (A, = V,, I V8)y la comente del emisor para RE = 1 kR.
29. Para un transistor que tenga las caractensticas de la figura 3.14. dibuje las caracteristicas de entrad a y de salida de la configuracion de colector comun.
33. Utilizando la information que se proporciona en la figura 3.23 con respecto a PD ma, VCEmlx.
ICmb.
y Vo,
dibuje 10s limites de operaci6n para el dispositivo.
34. Con base en los datos de la figura 3.23, jcuil es el valor esperado de lCEO
utilizando el valor
promedio de ,7d7,,?
35. ~ C d m ose comparael rango de h,(figura 3.23j. nomalizadaapa~tirde h,=
hfi (figura 3.230 para el rango de Ic desde 0.1 mA a 10 mA?
100)con el rango de
* 37.
Utilizando las caractensticas de la figura 3.23f. determine cutlnto ha cambiado el nivel de he desde
su valor en 1 mA a su valor en 10 mA. ObsCrvese que la escala vertical es una escala logan'unica
que puede referirse a la seccion 11.2. jEs este cambio tal que deba considerarse en una situaci6n
de diseco?
* 38.
Utilizando las caractensticas de la figura 3.23j. determine el nivel de P,, en I,= 10 mA en 10s tres
niveles de temperatura que aparecen en la figura. jEs significative el cambio para el rango de
temperatura especificado? jSe trata de un elemento que deba considerarse en el proceso de disetio?
Problemas
--
.- .- -
Una vez que esten analizadas las primeras redes, la soluci6n de las siguientes se tomari
mas clara. En la mayoria de 10s casos la coniente base I, es la primera cantidad que debe
determinarse. Una vez qne I, se conoce, las relaciones de las ecuaciones (4.1) a (4.3) pueden
aplicarse para encontrar las cantidades de inter& restantes. Las similitudes en el analisis sedn
inmediatamente obvias segdn vaya avanzando en este capitulo. Las ecuaciones para I, son tan
familiares para una cantidad de configuraciones que una ecuaci6n puede derivarse de otra s610
con eliminar o afiadir uno o dos terminos. La principal funci6n de este capitulo es desarrollar
un nivel de familiaridad con el transistor BJT, el cual podria permitir un an&isis en dc de
cualquier sistema que pueda utilizar el amplificador a BJT.
El t&rminopolariz~cibn
que aparece en el titulo de este capitulo es un tknnino que comprende
todo lo relacionado para la aplicacion de voltajes de dc, que ayudan a establecer un nivel fijo
de coniente y voltaje. Para 10s amplificadores a transistores el voltaje y comente de dc resultantes
establecen unpuntn de operacibn sobre las caractensticas que definen una regi6n que se utilizad
para la amplification de la seiial aplicada. Debido a que el punto de operacion es un punto fijo
sobre las caractensticas, tambiCn se le llamapunro de reposo (abreviado punto Q, por la sigla
en inglbs de, quiercentpoinr). La figura 4.1 muestra una caractenstica general de salida de un
dispositivo con cuatro puntos de operation indicados. El circuit0 de pola1izaci6n puede disefiarse
para establecer la operacion del dispositivo en cualquiera de estos puntos o de otros dentro de
la regibn acriva. Los valores mAximos estAn indicados en las caractensticas de la figura 4.1
mediante una linea horizontal para la comente maxima del colector IcdX,y una linea vertical
cuando sea el voltaje maximo del colector-emisor VCE,,, .La restricci6n de maxima potencia se
define por la curva PC_ en la misma figura. En el extremo inferior de las escalas se encuentra
la regibn de corte, definida por Ig 5 0 PA, y la regibn de saruracibn, definida por VCE5 VCE,>!.
El dispositivo BIT puede estar en polarizaci6n para operar fuera de estos lim~tesmanmos, pero el resultado de tal operacion podna ser un recone considerable de la vida del dispositivo, o bien la destruction del dispositivo. Cuando se confina la region activa pueden
seleccionarse muchas Areas o puntos de operation diferentes. El punto Q que se elige a menudo
depende del empleo del circuito. De cualquier manera, se pueden considerar algunas diferen-
Fmra 4.1 Varios puntos de operaci6n dentro de 10s limites de operaci6n de un transistor.
..
--
../
,
'..
.~
-,.?
cias entre 10s diversos puntos mostrados en la figura 4.1 para presentar algunas ideas bbicas
acerca del punto de operaci6n y, por tanto, del circuito de polarizacion.
Si no se utilizara la polarizaci6n, el dispositivo estaria a1 principio cornpletamente apagado, dando por resultado un punto Q en A, es decir, cero comente a travCs del dispositivo (y cero
voltaje a travts de 61). Debido a que es necesario polarizar un dispositivo de forma que pueda
responder al rango completo de la sefial de entrada, el punto A no seriaprecisamente el adecuado. Para el punto B, si la sefial se aplica al circuito, el dispositivo tendra una variation en
comente y voltaje desde el punto de operacidn, permitiendo al dispositivo reaccionar (y posiblemente amplificar) tanto ante las excursiones positivas como negativas de la seiial de entrada. Si la seiial de entrada se elige correctamente, el voltaje y la comente del dispositivo tendran variation, per0 no la suficiente como para llevar al dispositivo hacia el rorte o a la
saturacibn. El punto Cpermitiria cierta variation positiva y negativa de la seiial de salida, per0
el valor pico a pico estada limitado por la proximidad de VcE= 0 Vile = 0 mA. La operaci6n en
el punto C tambiCn acarrea inquietud acerca de las no linealidades presentadas por el hecho de
que hay un cambio rapid0 en las curvas de IBen esta regi6n. En general, es preferible operar
donde la ganancia del dispositivo es muy constante (a lineal) para asegurar que la amplificaci6n a travts de la excursi6n completa de la seiial de entrada es la misrna. El punto B es una
regi6n de espaciamiento m b lineal y, por tanto, de operaci6n mis lineal, segun se muestra en
la figura 4.1. El punto D establece el sitio de operacidn del dispositivo cerca del nivel de
voltaje y potencia maxima. La excursion del voltaje de salida en la direcci6n positiva se encuentra entonces limitada para no exceder el voltaje rnsimo. Por tanto, el punto B parece ser
el mejor punto de operaci6n en ttrminos de ganancia lineal y la excursion mas grande posible
de voltaje y comente. 6sta es por lo general la condici6n deseada para 10s amplificadores de
peqnefia sefial (capitulo 8),per0 no necesariamente es el caso para 10s amplificadores de potencia, 10s cuales sedn considerados en el capitulo 16. En este anaisis, nos concentramos bbicamente en la polarizacion del transistor para la operaci6n de amplification enpequeiia seital.
Existe otro factor para la polarizacion muy importante que todavia debemos considerar.
Una vez que seleccionamos y polarizamos el BJT en un punto de operaci6n, tambien debe
tomarse en cuenta el efecto de la temperatura.Este factor ocasiona que cambien 10s parametros,
como la ganancia en comente del transistor (B,) y la corriente de fuga del transistor (IcEo).
Las mayores temperaturas dan como resultado rnayores comentes de fuga en el dispositivo,
causando un cambio en la condici6n de operaci6n establecida por la red de polarizacion. El
resultado es que el diseiio de la red debe ofrecer tambien un ggrdo de estabilidad en temperatura, de tal forma que dichos cambios ocasionen la menor cantidad de modificaciones en el
punto de operation. La estabilidad del punto de operaci6n puede especificarse mediante un
factor de estabilidad S, el cual indica el grado de cambio en el punto de operaci6n debido a una
variaci6n en la temperatura. Es mejor un circuito de gran estabilidad; comparada con la estabilidad de varios circuitos polarizados.
Para que el BJT estt polarizado en su region lineal o de operaci6n activa, 10s siguientes
puntos deben resultar exactos:
1. La uni6n base-emisor debe tener una polarizaci6n directa (voltaje de laregi6np mAspositivo)
con un voltaje de polarizacion directa resultante de aproximadamente 0.6 a 0.7 V.
2. La uni6n base-colector debe tener una polarizaci6n inversa (voltaje de la regi6n n mas
positive) con un voltaje de polarizaci6n inversa resultante de cualquier valor dentro de 10s
limites maximos del dispositivo.
[ObsC~eseque para la polarizaci6n diiecta el voltaje a travts de la union p-n es p-positiva,
mienhas que para la polarizaci6n inversa es opuesto (inverso) con n-positiva. Este Cnfasis sobre
la letra inicial debe ofrecer un medio para ayudar a memorizar la polaridad necesaria de voltaje.]
La operaci6n en las regiones de corte, saturation y lineal de las caractensticas del BJT se
ofrecen de la siguiente manera:
1.
2.
i F w 4.3 Equivalente de dc de
ia figura 4.2.
- 18, -
VBE= 0
(4.4)
Es verdad que la ecuaci6n (4.4) no es dificil de recordar si se toma en cuenta que la
comente debase es la comente a travCs de RB :y de acuerdo con la ley de Ohm dicha comente
es el voltaje a traves de R, dividido entre la reslsteucia R,. El voltaje a travCs de R, es el voltaje
Vcc aplicado en un extremo menos la caida a travCs de la union base-emisor (VBE).Debido a
4.3 Circuito de polarizacibn fija
,fee
i
i-
I'igura 4.4
k-
Malla base-emisor.
147
que el voltaje Vcc y el voltaje base-emisor son constantes RB, fija el nivel de la comente de
base para el punto de operation.
Rc
Malla colectoremisor
I*,La
Es interesante observar que debido a que la comente de base esti controlada por el nivel
de RB y que I, esta relacionada a 1, por la constante p, la magnitud de I, no es una funci6n de
la resistencia R,. El cambio de R, hacia cualquier nivel no afectara el nivel de IB o de I,
mientras se permanezca en la region activa del dispositivo. Sin embargo, como se verh mas
adelante, el nivel de Rc determinara la magnitud de VcE,el cual es un parimetro importante.
La aplicacion de la ley de voltaje de Kuchhoff en la diuecci6n del sentido de las manecillas
del reloj alrededor de la malla cerrada indicada en la figura 4.5 dari por resultado lo siguiente:
(4.7)
donde VcE es el voltaje colector-ernisor y Vc y V Eson 10s voltajes del colector y del emisor a
tierra, respectivamente. Pero en esre caso, debido a que V, = 0 V, se tiene que
(4.8)
Ademis, ya que
1-
(4.9)
y que
vE= 0 V, entonces
(4.10)
Fmra 4.6
Medici6n de V , y V,
Tenga presente que 10s niveles de voltaje como VCEson determinados mediante la colocacion de la punta de pmeba roja (positiva) del voltimetro en la terminal del colector y la punta
de prueba negra (negativa), a la terminal del emisor se@n se muestra en la figura 4.6. V , es el
voltaje del colector a la tierra y se mide seg6n la misma figura. En este caso las dos lecturas son
idtnticas, per0 en las redes que siguen las dos pueden ser muy diferentes. Comprender la
diferencia entre ambas medidas puede ser muy impoaante para la localizaci6n de fallas en las
redes de transistores.
EJEMPLO 4.1
b'
'cE,'
d)
VBc.
0 v, y V,.
Capitulo 4 Polarization en dc-BJT
IOuF
Ecuaci6n (4.5):
b) Ecuacion (4.6):
IcQ =
P la0 =
C) VB = VBE= 0.7 V
Vc = V,, = 6.83 V
d) La utilization de la notaci6n del subindice doble da por resultado
y el signo negativo revela que la union tiene polarizacion inversa. como debe ser para la
amplificacidn lineal.
R,,
Vc, o v = OR
-'c
Ic <",
4.3 Circuito de polarizaci6n fija
Il.
c' ,.
j{
Ra
+
VCE= ov
Determinacibn de
para
la configuraci6n de polarization fija.
Figura 4.10
I
Una vez que I,_ se conoce puede tenerse idea de la comente maxima posible del colectorpara el
diseiio escogido, y el nivel bajo el cual debe permanecer si se espera una amplificaci6n lineal.
EJEMPLO 4 2
El diseiio del ejemplo 4.1 dio por resultado IcQ = 2.35 mA, el cual se localiza lejos del
punto de saturation y aproximadamente a la mitad del valor miximo del diseiio.
Las caracterkticas de salida del transistor tarnbikn relacionan las dos variables lc y VCEcomo
se muestra en la figura 4.11b.
En esencia, se tiene una ecuacion de redes y un conjunto de caracteristicas que utilizan las
mismas variables. La soluci6n cornun de las dos sucede donde se satisfacen las restricciones
establecidas por cada una de manera simultanea. Esto es similar a encontrar la soluci6n para
dos ecuaciones simuhaneas: una establecida por la red y la otra por las caracteristicas del
dispositivo.
Las caracteristicas del dispositivo de Ic en funci6n de VcE se ofrecen en la figura 4.11h.
Ahora, se debe superponer la linea recta definida pot la ecuacidn (4.12) sobre las caracteristicas.
El mCtodo mis direct0 para graficar la ecuacion (4.12) sohre las caracteristicas de salida es
rnediante el hecho de que una linea recta se encuentra definida par dos puntos. Si se elige que
lc sea 0 mA, entonces se especifica el eje horizontal como la linea sohre la cual esti localizado
un punto. A1 sustituir Ic = 0 mAen la ecuacion (4.12), se encuentra que
Ahora, si se elige que VcE sea 0 V, lo que establece al eje vertical como la linea sobre la
cud estaradefinido el segundo punto, se tiene que 1,esta determinado por la siguiente ecuacion:
0 =
vcc - I&
"cc
"cr
Dada la recta de carga de la figura 4.16 y el punto Q definido, calcule 10s valores requeridos de
Vcc, R, y R, para la configuration de polarization fija.
Soluci6n
A partir de la figura 4.16
4.3
EJEMPLO 4 3
ESTABILIZADO EN EMISOR
La red de pola~izacidnde dc de la figura 4.17 contiene un resistor en el emisor para mejorar el
nivel de estabilidad respecto al de la configuraciirn de polarizaci6n fija. La mejor estabilidad se
demostrari a travis de un ejemplo numerico que veremos postenomente en esta seccidn. El
anilisis se llevari a cab0 cuando examinemos en primer lugar la malla base-emisor. y
posteriotmente utilizando 10s resultados para investigar la malla colector-emisor.
Malla emisor-base
La malla emisor-base de la red de la figura 4.17 puede dibujarse de nuevo igual como se indica
en la figura 4.18. La ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla indicada en el sentido de
las manecillas del reloj darh por resultado la siguiente ecuacion:
+Vc, - I#,
V,,
=0
I$,
(4.15)
1, = (P + 1)1,
(P
l)RE)
Vcc
=0
VBE = 0
VBE = 0
con
(B +
l)RE) - VcC
vBE
y resolviendo para I, da
+c
Notese quela unica diferencia entre esta ecuacibn para I, y la que se obtuvo parala configuraci6n de polaIizaci6n fija es el t6tmino (P + l)RE.
Existe un resultado interesante que puede derivarse a partir de la ecuacidn (4.17), si la
ecuacion se utiliza para dibujar una red en sene que pudiera resultar en la misma ecuacion, que
La ecuacion 4.18 puede ser de utilidad en el anilisis que seguiri a continuaci6n. Ofrece
una forma relativamente sencilla para recordar la ecuaci6n (4.17). Utilizando la ley de Ohm, se
sabe que lacomente a traves de un sistema es el voltaje dividido entre la resistencia del circuito.
Para el circuito de la base a1 emisor, el voltaje neto es Vcc - V,,. Los niveles de resistencia son
R, mas RE reflejado por (P + 1). El resultado es la ecuacion (4.17).
Malla colector-emisor
La malla colector-emisor esti dibujada de nuevo en lafigura 4.21.La ley de voltaje de Kirchhoff
para la malla indicada en la direction de las manecillas del reloj dari por resultado
vc - VE
Y
o
(4.22)
v, v*, + v,
I
=
(4.24)
EJEMPLO 4.4
n v,.
9 v,,.
430 !4
v2
= -1327 V
Prepare una tabla y compare las comentes y voltajes de polarizaci6n de 10s circuitos de la
figura 4.7 y la figura 4.22, para el valor dado de = 50 y para un nuevo valor de P = 100.
Compare tambien 10s cambios en lc y VcEpara el mismo incremento en P.
EJEMPLO 4 5
Solucion
Si se utilizan 10s resultados calculados en el ejemplo 4.1 y se repiten para un valor de P = 100,
se genera lo siguiente:
Se aprecia un cambio del 100% en la comente del colector de BIT debido a1 cambio del 100%
en el valor de p. I,es el mismo y VcEdisminuye 76%.
Utilizando 10s resultados del ejemplo 4.4 y despuCs repiti6ndolos para un valor de 0 =
100,da lo siguiente:
Ahora, la coniente del colector del BJT se increments aproximadamente 81% debido al 100%
de incremento en P. Notese como I, disminuye, y ayuda a mantener el valor de Ic, o por lo
menos reduce el cambio total en 1, debido a1 cambio en P. El cambio en VCEha caido cerca del
35%. La red de la figura 4.22 es, por tanto, m b estable que la de la figura 4.7 para el mismo
cambio en p.
Nivel de saturaci6n
El nivel de sa~raci6ndel colector o la comente m k i m a del colector para un disefio de
polarizacion en emisor puede determinarse si se utiliza el mismo mktodo aplicado para la
configuration de polarizaci6n fija: se aplica un con0 circuito enhe las terminales del colectoremisor como se muestra en la figura 4.23, y luego se calcula la comente del colector resultante. Para la figura 4.23:
La adici6n del resistor de emisor reduce el nivel de saturaci6n del colector, abajo del que se
obtuvo con una configuracibn de polarizaci6n fija utilizando el mismo resistor del colector.
4.4 Circuito de polarizacion estabilizado en emisor
EJEMPLO 4.6
que es mis o menos el doble del nivel de IcO para el ejemplo 4.4.
La selection de I, = 0 mA da
(4.26)
segun se obtiene para la configuration de polarizaci6n fija. La elecci6n de VcE = 0 V da
como se muestra en la figura 4.24. Los diferentes niveles de I, 0 desplazarin, desde luego, el
punto Q hacia aniba o hacia abajo de la recta de carga.
4.5
circuito que fuera menos dependiente 0, de becho, independiente de la beta del transistor. La
red a la que nos referimos es configuration de polan'zacion par divisor de voltaje de la figura
4.25. Si se analiza sobre una base exacta la sensibilidad a 10s cambios en beta, resulta ser muy
pequeiia. Si 10s parrimenos del circuito se eligen adecuadamente, 10s niveles resultantes de
ICQ
y de VcEp pueden ser casi totalmenre independientes de beta. Recuerde que en anilisis
antenores el punto Q estaba definido por un nivel fijo de IcQ y de V,,. coma se muestra en la
figura 4.26.El nivel de I cambiari con el cambia en beta, pero el ?unto de operaci6n definido
Bc2
sobre las caractensticas par Icpy VcEo puede permanecer fijo si se utilizan 10s parimetros
adecuados del circuito.
,
dos mitodos que pueden aplicarse para analizar la confiComo antes se o b s e ~ 6existen
guracion del divisor de voltaje. El motivo principal para elegir 10s nombres en esta configuraci6n sera mas obvio en el anilisis que sigue. El primer0 que varnos a demostrar es el m2todo
exacto que puede aplicarse en cualquier configuraci6n de divisor de voltaje. A1 segundo se le
llama mktodo aproximado y puede introducirse s61o si son satisfechas las condiciones especificas. El mktodo aproximado permite un analisis mris direct0 con un mayor a h o l ~ en
o tiempo y
en energia. Tambien es mas util en el modo de diseiio que sera descrito en una seccion posterior. En conjunto, el mitodo aproximado puede aplicarse a la mayoria de las situaciones y, par
tanto, debe ser examinado con el mismo inter& que el mttodo exacto.
Anaisis exacto
El lado de entrada de la red de la figura 4.25 puede volver a dibujarse segun se muestra en la
figura 4.27 para el anilisis en dc. La red equivalente Thivenin a la izquierda de la terminal de
la base puede encontrarse de la siguiente manera:
Thevenin
RTh: La fuente de voltaje se reemplaza por uri con0 circuito equivalente como se indica
en la figura 4.28.
--
~~
(4.28)
T
figura
4,28 ~
~de R,.
E,,: La fuente de voltaje VCC regresa a1 circuito y el voltaje de circuito abieno Thtvenin
de~la figura 4.29
de la siguiente
~ se calcula ~
~ manera: ~
~
~
~
La aplicacion de la regla del divisor de voltaje:
DespuCs se vuelve a dibujar la red Thtvenin como se muestra en la figura 4.30 e IBQ
puede calcularse a1 aplicar primer0 la ley de voltaje de Kirchhoff en la duecci6n de las manecillas
del reloj para la malla que se indica:
F w r a 4.29
E T ~- IBRT~-
Deterrninacion de E,,
"BE -
I E ~ E= 0
Aunque la ecuacion (4.30) aparece al principio diferente de las que se desarrollaron antes,
obsimese que el numerador es, una vez mas, una diferencia de dos niveles de voltaje y que el
denominador es la resistencia de la base mas el resistor de emisor reflejado por ( p + 1), cienamente muy similar a la ecuaci6n (4.17).
Una vez que IB se conoce, las cantidades restantes de la red pueden establecerse de la
misma manera como fueron desarrolladas para la configuracion de polarization en emisor.
Esto es,
(4.31)
I
ngura
4.30
~del circuito
~
equivalente de ThCvenin.
EJEMPLO 4.7
la misma
que
(4.19).Las ecuaciones restantes para
~que es exactamente
~
~
i
b la ecuaci6n
~
VE,V , y VB
son las mismas que se obtuvieron para la configuraci6n de polarizaci6n en emisor.
1 I
F w r a 4.31
base, puede calcularse mediante el uso de la regla del divisor de voltaje (de ahi el nombre para
la configuracion). Esto es,
Debido a que R8= (P + ~)R,E PR,, la condicion que definir6,en caso que pueda aplicarse
a la aproximaci6n, ser6 la siguiente:
En otras palabras, si beta a veces es el valor de RE es por lo menos 10 veces el valor de R,, la
aproximacidn podri aplicarse con un alto grado de precision.
Una vez determinado VB,el nivel de VEpuede calcularse a partir de
'CC
- IC~C
EJEMPLO 4.8
Repita el an6lisis de la figura 4.31 utilizando la ttcnica aproximada y compare las soluciones
Para ICp y Para
'
Soluci6n
Probando:
Obdmese que el nivel de V , es el misrno que para EThcalculado en el ejemplo 4.7. Por
tanto, esencialmente laprincipal diferencia entre las tkcnicas aproximada y exacta es el efecto
de RThen el anilisis exacto que separa E,, y V,.
1.5 kR)
v - 9.97 v
= 12.03V
contra 12.22 V obtenido en el ejemplo 4.7.
Sin duda, 10s resultados para IcO y para VcE, se encuentran cercanos, y si se toma en cuenta
la variation real en 10s valores de 10s parametros, puede considerarse tanto a uno como a1 otro.
Mientras m h grande es el nivel de Ricomparado con R2,mis cercana seri la solucion aproximada sobre la exacta. El ejemplb 4.10 hace una comparacion sobre las soluciones a nn nivel
muy por debajo de la condici6n establecida por la ecuacion (4.33).
Repita el analisis exacto del ejemplo 4.7 si /I se reduce a 70 y compare las soluciones para Ic, y
para ' C E Q '
Este ejemplo no trata de la comparacion de 10s mktodos exactos en funci6n de uno aproximado, sino de probar cuinto se moveri el punto Q si el nivel de P se corta por la mitad. R,, y ETh
son 10s mismos:
~--
EJEMPLO 4.9
Los resultados muestran claramente la relativa insensibilidad del circuit0 hacia el cambio en P.
Aunque fi se cone drbticamente a la mitad, de 140 a 70,los niveles de IcQy de VcEQ son en
esencia 10s mismos.
EJEMPLO 4.10
Determine 10s niveles de Ica y de VcEQpara la configuration del divisor de voltaje de la figura
4.33, utilizando las tCcnicas exacta y aproximada para comparar las soluciones. En este caso
las condiciones de la ecuaci6n (4.33) no serin satisfechas, per0 10s resultados revelarin la
diferencia de la soluci6n si se ignora el criterio de la ecuaci6n (4.33).
Anilisis exacto:
La ecuaci6n (4.33):
PRE t 10R2
= R , l l ~ ,= 82 kR1122 kR = 17.35 kR
En -
IB=
R,,
v~~
+ (fi + l)RE
3.81 V - 0.7 V
17.35 kR + (51)(1.2 kR)
3.11 V
78.55 kR
Analisis aproximado:
Exacta
Aproximada
C"
"CEO
1.98 mA
4.54 V
2.59 mA
3.88 V
Los resultados revelan la diferencia entre las soluciones exacta y aproximada. I es aproximaCQ
damente 30% mas grande con la soluci6n aproximada; mientras que VCE es mas o menos 10%
menor. Los resultados son notablemente diferentes en cuanto a magnitul, per0 aunque PREes
solo tres veces mas grande que R,,los resultados son todavia cercanos uno del otro. Sin embargo, para el fnturo el anilisis ser6 dictado por la ecuacion (4.33) para asegurar una similitud
entre las soluciones exacta y aproximada.
El nivel de I, desde luego se determina mediante una ecuaci6n diferente para las configuraciones de polarizaciOn por divisor de voltaje y de polarizaci6n en emisor.
4.5
4.6
Un nivel mejorado de estabilidad tambiCn se obtiene mediante la introduction de una trayectoria de retroalimentaci6n desde el colector a la base, como se muesua en la figura 4.34. Aunque
el punto Q no es totalmente independiente de beta (aun bajo condiciones aproximadas), la
sensibilidad a 10s cambios en beta o alas variaciones en temperatura son normalmente menores que las encontradas en la configuracion de polarizaci6n fija ode polarizaci6n en emisor. De
nuevo, el analisis se bara examinando en primer lugar la malla emisor-base y aplicando 10s
resultados a la malla colector-emisor.
Malla baseemisor
La figura 4.35 muestra la malla base-emisor para la configuracion de retroalimentacion de
voltaje. La aplicaci6n de la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla en el sentido de las
manecillas del reloj dari por resultado
Vcc - I;Rc - I#, - V,, - I P E = 0
+
Eigura 4.34
Eigura 4.35
PIPC
Si se arreglan 10s t&rminos,se tiene
'CC
Vcc - V,,
y resolviendo para I, dara
- ' B E - P1$B
- PIB(Rc
=O
+ RE) - 1 8 , = 0
El resultado es muy interesante en cuanto a que el formato es muy similar alas ecuaciones
para I, obtenidas para configuraciones anteriores. El numerador es de nuevo la diferencia
entre 10s niveles disponibles de voltaje, mientras que el denominador es la resistencia de la
base mas 10s resistores del colector y del emisor reflejados por beta. Por tanto, la trayectoria
de retroalimentaci6n da por resultado un reflejo de la resistencia Rc de regreso a1 circuit0 de
entrada, muy similar al reflejo de RE.
En general, la ecuacion para 1, ha tenido el siguiente formato:
I, =
V'
R,
PR'
con la ausencia de R' para la configuraci6n de polarizaci6n fija, R' = RE para la configuracion
de polarization en ernisor (con (P + I ) s B), y R' = Rc + RE para la configuraci6n de retroalimentacion del colector. El voltaje V'es la diferencia entre 10s dos niveles de voltaje.
En general. mientras m k grande sea PR' comparado con R,, menor sera la sensibilidad de lc
R
a las variaciones en beta. Obviamente, si PR'
R, y R, + PR's PR', entonces
e JcR es independiente al valor de beta. Debido a que R' nomalmente es mayor para la configuracion de retroalimentaci6n de voltaje que para la configuraci6n de polarizaci6n en emisor,
la sensibilidad a las variaciones en beta seri menor. Desde luego, R' es cero ohms para la
configuracion de polarizacion fija y por tanto bastante sensible alas variaciones en beta.
/:I
Malla colectoremisor
La malla colector-emisor parala red de la figura4.34 se presenta en lafigura4.36. La aplicacion
de la ley de voltaie de Kirchhoff para la malla indicada en la direcci6n de las manecillas del
reloj dara por resultado
JERE + VcE + I i R , - Vcc = 0
EJEMPLO 4.11
Determinar 10s niveles de reposo de JcQ y de VmQ para la red de la figura 4.37
Ecuacion (4.41):
I, =
'CC - 'BE
R, + P(Rc + RE)
10 V - 0.7 V
250
'c,
k.Q
rQ fl
8 =90
= 1.07 mA
- (1.07
mA)(4.7 k n
+ 1.2
1.2kQ
kC2)
= 1OV - 6.31 V
= 3.69 V
EJEMPLO 4.12
Repetir el ejemplo 4.11 utilizando una beta de 135 (50% mas que en el ejemplo 4.11).
con
- I,(R, + RE)
V - (1.2 mA)(4.7 kR +
VcEQ = Vcc
= 10
1.2 kR)
EJEMPLO 4.13
+ +
En este caso la resistencia de la base para el andisis en dc est4 compuesto de dos resistores con
un capacitor conectado a partir de la union con tierra. Para el modo de dc, el capacitor es
equivalente a un circnito abierto y RE = R ,+ R2.
Resolviendo para 1, se obtiene
Condiciones de saturation
Utilice la aproximaci6n de 1; = I, que es una ecuacion para la comente de saturacion, y resulta
ser la misma que se obtuvo para las configuraciones del divisor de voltaje y de polarizacion en
emisor. Esto es
circuito de salida pueden elegirse pricticamente en forma directa. Pero esto no implica que
todas las soluciones tomar& la misma trayectoria, per0 si sugiere una ruta a seguir si se encuentra una nueva configuracian.
El primer ejemplo explica c6mo el resistor de emisor se elimina de la configuraci6n de
retroalimentacian de voltaje de la figura 4.34. El anitlisis es muy similar, per0 requiere de la
eliminaci6n de RE de la ecuaci6n aplicada.
EJEMPLO 4.14
Soluci6n
a)
Vcc - VBE
RE
BRc
20 V
680 kR
0.7 V
(120)(4.7 kn)
19.3 V
1.244 MR
= 15.51 pA
IcQ = PI, = (120)(15.51 pA)
= 1.86 mA
I$c
= 20 V - (1.86 mA)(4.7 W2)
=
'CC
= 11.26 V
V, = V,, = 0.7 V
V, = VcE = 11.26 V
V,=OV
V,, = V, - Vc = 0.7 V - 11.26 V
= -1056 V
Solucib
La aplicacion de la ley de voltaje de Kirchhoff en la direction de las manecillas del reloj para
la malla base-emisor darri por resultado
La sustitucion genera
EJEMPLO 4.15
EJEMPLO 4.16
Solucib
La aplicaci6n de la ley de voltaje de Kirchhoff a1 circuito de entrada dara por resultado
-IBRB - VBE- I P E
pero
Y
CB +
1, =
v,,
con
lY#,
VEERB +
VEE= 0
l)IB
v,, - (P +
IB =
= 0
"BE
( B + l)R,
1, =
(P +
IERE + VCE= 0
111,
- (B + l ) I $ E
= 20 V - (91)(45.73pA)(2
VCEy= VEE
= 11.68 V
I, = 4.16 mA
kn)
Hasta ahora todos 10s ejemplos usan una configuracion de emisor comfin o de colector
comun. En el siguiente ejemplo se investiga la configuracion de base comun. En dicha situacion el circuito de entrada se utilizari para determinar IE en lugar de 18. Despuks la comente
del colector queda disponible para realizar un anilisis del circuito de salida.
-vcB +
vcB =
I$,
- vcc = 0
= 10 V
- (2.75
--
mA)(2A k!2)
El ejemplo 4.18 utiliza una fuente doble y requiere de la aplicacion del teorerna de Thtvenin
para determinar las incognitas deseadas.
EJEMPLO 4.17
EJEMPLO 4.18
Rgura 4.43
Ejemplo 4.18.
Solucian
La resistencia y voltaje Thkenin se calculan para la red a la izquierda de la terminal de la base,
como se muestra en las figuras 4.44 y 4.45.
Rgura 4.44
Determinacibn de R,,.
Flgura 4.45
Determinaciirn de E,,.
R,.,,:
I =
v~~ + v~~ -4
20
v+
8.2 kS1
20
2.2 kR
40 V
10.4 kQ
Luego la red puede ser redibujada segiin se muestra en la figura 4.46, donde la aplicacion
de la ley de voltaje de Kirchhoff da por resultado
V,
= -2OV
Es obvio que la secuencia de diseiio es sensible a 10s componentes que ya se han especificad0 y a 10s elementos que deben determinarse. Si se han especificado tanto el transistor como
las fuentes, el proceso de diseiio simplemente deteminara 10s resistores que se requieren para
un diseiio en particular. Una vez que se han decidido 10s valores te6ricos de 10s resistores,
normalmente se escogen 10s valores estandares comerciales mas cercanos, y se aceptan
cualesquiera de las variaciones debidas a la no utilizacibn de 10s resistores de 10s valores exactos.
Es cierto que se trata de una aproximaci6n viiida,considerandolas tolerancias que con frecuencia
se asocian a 10s elernentos resisdvos y a 10s parhetros de 10s transistores.
Si se deben determinar valores resistivos, una de las ecuaciones mas poderosas es
simplemente la ley de Ohm, de la siguiente manera:
EJEMPLO 4.19
--
Dadas las caractensticas del dispositivo de la figura 4.47a, determinar Vcc, RB y R, para la
configuraci6n de polarizaci6n fija de la figura 4.47b.
-(a)
De la recta de carga
con
(b)
= 470 W2
La ecuaci6n (4.44):
con
-- VR, = vcc Ic
Vc = VcE
Vc
Ic
V, = 10 V
+ 2.4
V = 12.4 V
EJEMPLO 420
EJEMPLO 4.21
La configuracion de polarizacion en emisor de la figura4.49 tiene las siguientes especificaciones: IcQ = y c S s Ic,,
i =8mA,Vc=18VyP=110.DeterminarRc,REyRB.
Y
con
El analisis que sigue presenta una tecnica para el diseiio de un circuito complete, pensado
para operar en un punto de polarizacion especifico. A menudo. las hojas de especificaciones
del fabricante ofrecen informaci6n sobre un punto de operacion sugerido (o regi6n de operaci6n)
para un transistor en particular.Ademk, 10s otros componentes del sistema conectados a una
etapa de amplificaci6n dada pueden definir tambitn la excursion de la comente, la excursion
del voltaje, el valor del voltaje de la fuente comun, y asi sucesivamente para el diseiio.
En la prictica real, muchos otros factores deben considerarse, porque pueden afectar la
selection del punto de operaci6n que se desea obtener. Sin embargo, por el momento nos
concentraremos en la determination de 10s valores de 10s componentes para encontrar un punto
de operaci6n especifico. El analisis estara limitado a las configuraciones de polarizaci6n en
emisor y a la de polarizacion por divisor de voltaje, aunque el mismo procedimiento puede
aplicarse a una variedad de otros circuitos de transistores.
* *
50 pF
Figura 4.50
Circuito de poiarizacion
con estabilizacion en emisor
para consideration de diseho.
que el voltaje del emisor hacia tierra es por lo general de un cuarto a un dCcimo del voltaje de
la fuente. Elegir un caso conservador de un d6cimo permitirk calcular el resistor de emisor RE
y el resistor Rc de una manera parecida a 10s ejemplos recien completados. En el siguiente
ejemplo se desmolla un diseiio completo de la red de la figura 4.49 utilizando el criterio que
presentamos antes para el voltaje de emisor.
EJEMPLO 4-22
Determine 10s valores de 10s resistores para la red de la figura 4.50 para el punto de operacion
y el voltaje de la fuente de alimentacion.
3
Determine 10s niveles de R,,R,,R,
indicado.
R,=--
" R ~
Ic
V,
VcE -
V,
20 V - 8 V - 2 V
'c
10 mA
=-
10 V
10 mA
V,, = 2.7 V =
(1.6 kR)(20
V)
EJEMPLO 423
El diseiio ideal para el proceso de inversi6n requiere que el punto de operaci6n conmute
de cone a la saturation, pero a lo largo de la recta de carga descrita en la figura 4.52b. Para
estos prop6sitos se asurnid que Ic = IcEo = 0 mA cuando I, = 0 p A (una excelente aproximaci6n
de acuerdo con las mejoras de las tkcnicas de fabricaci6n1, como se muestra en la figura 4.52b.
Ademis, se asumirri que Vc, = VcEsa,= 0 V en lugar del nivel tipico de 0.1 a 0.3 V.
Cuando Vi= 5 V, el transistor se encontrari "encendido" y el diseiio debe asegurar que la
red est&saturada totalmente por un nivel de IB mayor asociado con la curva I B , que aparece
cerca del nivel de saturaci6n. La figura 4.52b requiere que IB > 50 pA. El nivel de saturaci6n
para la comente del colector y para el circuit0 de la figura 4.52a estA definido por
Los resultados del nivel de I, en la region activa justo antes de la saturation pueden aproximarse mediante la siguiente ecuaci6n:
Por lo mismo, para el nivel de saturacion se debe asegurar que la siguiente condicion se
satisfaga:
la cual es satisfecha. Es cierto que cualquier nivel de I, mayor que 60 pA pasara a travCs del
punto Q sobre la recta de carga, que se encuentra muy cerca del eje vertical.
Para V,= 0 V, I, = 0 pA,y dado que se esta suponiendo que Ic = lo = 0 mA.el voltaje cae
a travks de Rc como lo determino VRc = I$, = 0 V ,dando por resultado Vc = +5 V para la
respuesta indicada en la figura 4.52a.
Ademis de su contribution en 10s circuitos logicos de las computadoras, el transistor se
puede utilizar como un intemptor, si se emplean 10s extremos de la recta de carga. En la
saturacion la coniente Ic es muy alta y el voltaje VCEmuy bajo. El resultado es un nivel de
resistencia entre las dos terminales determinado por
lc,,,
f~ - - n
ngura 4.54 Condiciones de corte
y la resistencia resultante de la
terminal
Para Vi= 0 V como lo vemos en la figura 4.54, la condici6n de corte ocasionari un nivel de
resistencia de la siguiente magnitud:
EJEMPLO 1 2 4
Solucion
En la saturaci6n:
"cc
'c,~,= Rc
asi que
1, = 62 pA > ------- - 40
@
,
4'
Existen transistores que se les denomina rransisrores de conrnuracibn debido a la velocidad con que cambian de un nivel de voltaje a otro. En la figura 3 . 2 3 ~10s periodos de tiempo
definidos como I,>.I,. I, y r/se proporcionan en funcion de la comente de colector. Su impact0
sobre la velocidad de respuesra de la salida del colector se define por larespuesta de la comente
de colector de la figura 4.56. El tiempo total necesario para que el transistor cambie del estado
"apagado" a1 "encenciido" esti desiznado como tencendidoy definido por
Transistor '%pasado"
J.
J.
ngura 4.56 Deiinici6n de 10s intervalos de tiempo de una formade onda de pulso.
El tiempo total que requiere un trarsistor para cambiar del estado "encendido" a1 "apagado" se le conoce como laparado
y se define asi
(4.48)
donde r, es el tiempo de alrnacenamiento y rfes el tiempo de bajada del90 a1 10% del valor
inicial.
4.9 Redes de conmutacion de transistores
t,
td
- r,
t l = 120 ns
rencendlda =
asi que
Y
tapdpadad
= 13 ns + 25 ns = 38 ns
12 ns 13211s
Al comparar 10s valores anteriores con 10s siguientes parametros de un transistor de conmutacion
BSV52L, se observa una de las razones para elegir un transistor de conmutacidn cuando surge
la necesidad de este.
El arte de la localization de fallas es un tema tan amplio. que no puede ser cubieno un rango
tan lleno de posibilidades y de tecnicas en unas cuantas secciones de un libro. Sin embargo, un
practicante debe estar enterado de unas cuantas maniohras y medidas que pueden aislar el irea
de problema, y posiblemente encontrar una solucidn.
Es muy obvio que el primer paso para poder resolver un problema en una red es entender
el ~om~ortarniento
de la misma y teneralguna idea de 10s niveles de voltaje y coniente esperados.
Para el transistor que esti en la regidn activa el nivel dc mesurable mas importante es el voltaje
emisor-base.
Para un transistor "encendido" el voltaje V,, debe estar en la vecindad de 0.7 V.
~07vsi
-0.3 v c;e
E
"lit
dc de VBE
Las conexiones adecuadas para medir V, aparecen en la figura 4.57. ObsCrvese que
la punta de prueba roja (positiva) se encuentra conectada a La base para un transistor npn y la
negra (negativa) a1 emisor. Cualquier lectura totalmente diferente del nivel esperado de m i s o
menos 0.7 V, como 0 V, 4 V o 12 V, o si es negativo el valor se debe sospechar de 61; por lo
mismo, es mejor verificar las conexiones del dispositivo o la red. Para un transistorpnp pueden
usarse las mismas conexiones, pero debe esperarse una lectura negativa.
Un nivel de voltaje de igual importancia es el voltaje del colector al emisor. Recuerde las
caractensticas generales de un BJT,con 10s niveles de VcEen lavecindad de 0.3 V que sugieren
un dispositivo saturado, una condiciivn que no debe existir a menos que se este usando como
intemptor. Sin embargo:
Para el amplificador fpico a transistor que estir en la regibn aetiva, VCEesta por lo
general entre el 25 y el 75% de Vcc.
Para Vcc = 20 V una lectura de V, entre 1 y 2 V o entre 18 y 20 V como se mide en la
figura 4.58, es cieno que es un resultado fuera de lo comlin, y a menos que se conozca otro
disefio para esta respuesta, deben investigarse tanto el disefio como la operaci6n. Si VcE= 20 V
(con Vcc = 20 V) existen por lo menos dos posibilidades: o bien el dispositivo (BJT) estrl
91'
.,
0.3 V = saeraci6n
O V = estado de -no c i ~ u i t o
ode conexi6n ~ o b r e
Normalmentc unos cuanior volts
o mar
dafiado y tiene las caracteristicas de un circuit0 abierto entre las terminales del colector y
del emisor. o bien una conexion en la malla del circuito del colector-emisor o base-emisor
esta abiena como en la figura 4.59, haciendo I, 0 mA y VRc = 0 V.En la fisura 4.59 la
punta de p ~ e b negra
a
del volmetro esta conectada a la tierra comun de la fuente y la roja a
la terminal inferior del resistor. La ausencia de una corriente del colector y de la caida de
voltaje resultante a traves de Rc Clara" por resultado una lectura de 20 V. Si el medidor esti
conectado a la terminal del colector del BJT, la lectura serii de 0 V, porque V,, esta bloqueado del dispositivo activo por un circuito abierto. Uno de 10s errores m i s comunes en
la experiencia de laboratorio es el uso del valor err6neo de la resistencia para un disefio
dado. Imagine el impact0 del uso de un resistor de 680 R para R, en lugar del valor de
disefio de 680 kR. Para Vcc = 20 V y una configuration de polarizacion fija. la corriente
de base resultante seria
IB =
20 V
0.7 V
v,,
= 20 v
::T
/
I
= 28.4 mA
680 R
dailado.
"CC
187
EJEMPLO 425
Es importante basarse en las lecturas ofrecidas en la figura 4.61 para detenninar si la red esti
operando adecuadamente, y si no lo esti, encontrar la posible causa.
&
Por tanto, el resultado es que el transistor esta daiiado en una condicidn de corto circuito entre
la base y el emisor.
EJEMPLO 426
Basindose en las lecturas que aparecen en la figura 4.62, determinar si el transistor se encuentra"encend'idon y si la red esta operando de manera corrects.
4.1 1
TRANSISTORES PNP
Hasta ahora. el analisis se ha limitado totalmente a 10s transistores npn para asegurar que el
anilisis inicial de las configuraciones basicas sean lo mis claras posible y simplificadas para
no intercambiar entre 10s tipos de transistores. Por fortuna. el analisis de 10s transistores pnp
sigue el mismo patron que se establecio para 10s transistores npn. Primero se calcula el nivel de
I,, sexuido por la aplicacion de las relaciones adecuadas de 10s transistores para determinar la
lista de las cantidades que se ignoran. La unica diferencia entre las ecuaciones resultantes para
una red en la que se reemplazo un transistor npn por un transistor pnp es la seiial asociada con
las cantidades en particular.
Como se observa en la figura 4.63. la nolacion de doble subindice continiia de manera
normal. como ya se menciono. Sin embargo. las direcciones de las corrientes se invirtieron
para reflejar las direcciones reales de conduccion. En caso de que se utilicen las polaridades
definidas de la figura 4.63, tanto V,, como VcEseran cantidades negativas.
La aplicacion de la ley de voltaje de Kirchhoff a la malla base-emisor darli por resultado la
siguiente ecudci6n para la red de la figura 4.63:
La ecuacion resultante es la misma que la ecuacion (4.17) except0 por el signo para VBE.
Sin embargo, en este caso VBE= -0.7 V y la sustituci6n de 10s valores resultara el mismo signo
para cada termino de la ecuacion (4.49) y la ecuacion (4.17). Considere que la direction de I ,
ahora se definio como opuesta para un transistor npn, segin la figura 4.63.
Para Vc, la ley de voltaje de Kirchhoff se aplica a la malla colector-emisor, dando por
resultado la siguiente ecuacion:
Sustituyendo I, r Ic da
La ecuacion resultante tiene el mismo formato que la ecuacion (4.19). per0 el signo antes
de cada tennino en el miembro de la derecha ha cambiado. Debido a que Vcc sera mayor que
la magnitud dei ttrmino subsiguiente, el voltaje VcE tendra un signo negative, como se pudo
observar anteriormente.
4.1 1 Transistores pnp
estabilizacion en emisor.
-<
EJEMPLO 427
Calcule VcE para la configuracion de polarizaci6n por divisor de voltaje de la figura 4.64.
Solucion
Probando la condition
PRE 2 IOR,
da pot resultado
Obdmese la similitud en el formato de la ecuaci6n con el voltaje resultante negativo para V,.
La aplicacion de la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla base-emisor genera
+VB - VBE - VE = 0
v,
v,
- V,,
N6tese c6mo en la ecuacion anterior se utiliza la notacion de subindice sencillo y doble. Para
un transistor npn la ecuaci6n VE = V, - VBEseria exactamente la misma; la unica diferencia
aparece cuando se sustituyen 10s valores.
La coniente
Sustituyendo I,
vcE = -vcc
+ Ic(Rc + RE)
(2.24 mA)(2.4 kQ
= -18 V
7.84 V
1.1 kR)
= -10.16 V
La estabilidad de un sistema es una medida de la sensibilidad de una red bacia las vaiaciones
en sus parametros. En cualquier amplificador que utiliza un transistor, la corriente del colector
I, es sensible a cada uno de los siguientes parimetros:
p: se incrementa con el aumento en h temperatura
El efecto de 10s cambios en la corriente de fuga (I,,) y la ganancia de comente (fg sobre el punto
de polarizacion de dc se demuestra par las caractensticasde colector para emisor-comh de las-,if
4.65a y 4.65b. La fi,wa 4.65 muestra la foima como cambian las caractensticas de colector del
transistor desde una tempetawade 25 "C a una tempetawade 100 'C. Obsirvese que el incremento
si-acativo en la comente de fuga no solamente causa que las curvas se eleven sino que tambikn
existe un incremento en la beta, s e g n se observa a travCs del mayor espaciamiento enhr: las curvas.
Se puede especificar un punto de operacion mediante el dibujo de la recta de carga de dc
del circuito sobre la grifica de las caractensticas de colector, y notando la intersection de la
recta de carsa y la comente de base de dc establecida por el circuito de entrada. Se marca un
punto de forma arbitraria en la tigura 4.6% en 1, = 30 pA. Debido a que el circuito de polarizacion
fija proporciona una comente debase cuyo valor depende aproximadamente del voltaje de la
fuente de alimentacion y el resistor de la base, ninguno se ve afectado por la temperatura o el
cambio en la comente de fuga o en la beta, pero existira la misma magnitud de la comente de
base a altas temperaturas, segun se indica en la grifica de la figura 4.65b. Como lo muestra la
figura, dari por resultado el cambio del punto de polarizacion de dc a una mayor coniente de
colector y a un menor volraje colector-emisor en el punto de operaci6n. En el extremo, el
transistor no podria llevarse a saturacion. En cualquier caso, el nuevo punto de operacion
puede no ser satisfactorio y ocasionar una distorsion considerable debido al cambio del punto
de polarizaci6n. Un mejor circuito de polarizaci6n es el que estabilizari o mantendri la polari4.12 Estabilizacion de la polarizacion
dad de dc establecida inicialmente, de forma que el amplificador puede utilizarse en un ambiente de temperatura variable.
S(V& y Sm
Se definio un factor de estabilidad S para cada uno de 10s parametros que afectan la estabilidad
de la polaridad. segun se lista a continuacion:
En cada caso el simbolo delta (A) significa un cambio en dicha cantidad. El numerador de cada
ecuacion es el cambio en la corriente del colector, segun se establecio mediante el cambio de
la cantidad en el denominador. Para una configuraci6n en particular, si un cambio en lco
no puede producir un cambio significative en I,, el factor de estabilidad definido por S(l,,) =
Al, IAI,, sera muy pequeiio. En otras palabras:
Las redes que son rnuy estables y relativamente insensibles a las variaciones en la
temperatura tienen bajos factores de estabilidad.
Pareceria mas apropiado en algunas ocasiones considerar las cantidades definidas por las
ecuaciones (4.51 a 4.53) como 10s factores de sensibilidad porque:
Mientras mas alto es el factor de estabilidad, mayor sensibilidad tendrir la red a Ins
variaciones de dicho parametro.
El estuaio de 10s factores de estabilidad requiere de: conocimiento del c.dlculo diferencial.
Sin embargo, el proposito aqui es revisar 10s resultados del anilisis matemitico y realizar una
evaluaci6n total de 10s factores de estabilidad para las configuraciones de polarizaci6n m i s
comunes. Gran cantidad de literatura referente a este tema esti disponible. y si el tiempo lo
permite se le propone leer mas acerca del tema.
S(1cJ:
CONHGURACIONDE POLARIZACION EN EMISOR
En anilisis de la red para la configuraci6n de polarizacion en emisor darli por resultado
(4.54)
Para R,/ R, 9 (p+ I). la ecuacion (4.54) se reducira a la siguiente:
ernisor
Para R, / R Ee I , la ecuacion (4.54) se aproximara al siguiente nivel (segun se muestra en
la figura 4.66):
revelando que el factor de estabilidad se acercara a su nivel mas bajo mientras RE se vuelve lo
suficientemente grande. Sin embargo, considere que un buen control de la polarizaci6n normalmente requiere que R B sea mayor que R,. Por tanto, el resultado es una situaci6n donde 10s
mejores niveles de estabilidad estin asociados con un criterio pobre de disefio. Obviamente,
debe existir un cornpromiso que satisfaga tanto a la estabilidad como alas especificaciones de
polarizacion. Es importante observar en la figura 4.66 que el valor mas bajo de S(l& es 1,
revelando que Ic siempre se incrementara a un ritmo igual o mayor que I,,.
Para el rango donde R,/R, fluctua entre 1 y (P + I), el factor de estabilidad se encontrar5
determinado por
segdn se muestra en la figura 4.66. Los resultados revelan que la configuration de polarizaci6n
en emisor es muy estable cuando la relaci6n de R, 1 RE es tan pequeiia como sea posible, y es
menos estable cuando dicha relaci6n se acerca a (P+ 1).
1
EJEMPLO 428
Calcular el factor de estabilidad y el cambio en Ic desde 25 "C hasta 100 % para el transistor
definido por la tabla 4.1 para los siguientes arreglos de polarizaci6n en emisor.
a) R, I RE = 250 (R, = 250RE).
b) R, I RE = 10 (R, = ]OR,).
c) R,lRE=O.Ol(RE=lOORB).
Solucion
1
51
250
25 1
+ 250
301
4253
+ 1 = 51
= 1.01
la cual se encuentra muy cercana al nivel de 1 del pronostico si R,IRE
<I
El ejemplo 4.28 revela como 10s niveles m b bajos de Ico para el transistor BJT modemo
mejoraron el nivel de estabilidad de las confi,waciones de polarizaci6n bisicas. Aun cuando el
cambio en lces considerablementediferente en un circuit0 con una estabilidad ideal (S = l), de uno
con un factor de estabilidad de 42.53.el cambio en I, de una comente en dc que se fij6,por ejemplo,
en 2 mA, seria de 2 mA a 2.085 mA en el peor caso, lo cual es obviamente lo suficientemente
pequeiio como para que lo ignoren la mayoria de las aplicaciones.Alpnos transistores de potencia
exhiben mayores comentes de fuga, per0 para la mayor parie de 10s circuitos amplificadores 10s
niveles m b bajos de Icohan tenido un impact0 muy positivo sobre la cuesti6n de la estabilidad.
Para la configuraci6n de polanzaci6n fija, si se multiplican el numerador y el denominador de la ecuacion (4.54) por RE y se hace a RE = 0 R . resultara la siguiente ecuacion:
(4.58)
Notense las similitudes con la ecuaci6n (4.54), donde se determino que XIm) tenia su
nivel mb bajo y la red tenia su mayor estabilidad cuando RE > R,. Para la ecuacion (4.59), la
condicion correspondiente es RE > RTho bien, R,,IRE debe ser tan pequeiio como sea posible.
Para la configuracion de polarizaci6n por divisor de voltaje_RTh
puede ser mucho menor que la
correspondiente Rg en la configuraci6n de polarizaci6n en emisor y aun asi tener un disefio
efectivo.
Debido a que la ecuaci6n es similar en formato a la que se obtuvo para las configuraciones de
polarizaci6n en emisor y de polarizacion por divisor de voltaje_tambiin aqui pueden aplicarse
las mismas conclusiones respecto a la relacion de RB lRc.
Impacto fisico
El tipo de ecuaciones que se desarrollaron aniba, a menudo fallan en cuanto a proporcionar un
sentido fisico para el motivo, por el cual las redes se comportan de la forma en que lo hacen.
Ahora se sabe de 10s niveles relativos de estabilidad y coma la eleccion de 10s parimetros
puede afectar la sensibilidad de la red, pero sin estas ecuaciones quiza resulte dificil explicar
con palabras par qui una red es mas estable que oua. Los pirrafos siguientes intentan llenar
este vacio auavis ciel uso de alsunas de las relaciones basicas asociadas con cada confi~uraci6n.
Para la configuracion de polarizacion fija de la figura 4.68a, la ecuaci6n para la corriente
de base es la siguiente:
Ic =
PI,
(P
+ I)Ic,
(4.61)
ee
(a1
Una caida en I.0 tendri el efecto de reducir el nivel de I,L a travCs de la acci6n del transistor.
y por 10 rnismo compensa la tendencia de I, a incrementarse por un aurnento en la ternperatura.
En total, la configuracion es tal que existe una reaccion hacia un increment0 en I,, que tendera
a oponerse a1 carnbio en las condiciones de polarizaci6n.
La confi,waci6n de retroalirnentacion de la figura 4 . 6 8 ~opera de la misrna forma que la
confi,wci6n de polarizaci6n en emisor cuando llegaa 10s niveles de estabilidad.Si 1, se incrementa
dehido al aumento en la ternperahua, el nivel de VRcse elevarA en la siguiente ecuaci6n:
S(VB3:
El factor de estabilidad definido por
Sustituyendo la condicion (P + 1)
revela que mientras mas zrande sea la resistencia RE.menor serd el factor de estabilidad y mas
estable el sistema.
Determine el factor de estabilidad S(V,,) y el cambio en lc desde 25 "C basta 100 "C para el
transistor seaahdo en la tabla 4.1 para 10s siguientes arreglos de polarizacion.
a) Polarizacion fija con R, = 240 kR y B = 100.
b) Polarizacion en emisor con R, = 240 kR, RE = 1 kR y P = 100.
c) Polarizacion en emisor con R, = 47 kR, RE = 4.7 kR y B= 100.
a)
La ecuacion (4.65):
S(VBE) =
R*
b) En este caso, (p + 1) = 101 y Rg i RE = 240. La condicion (P + 1) RBiREno esti satisfecha. y no permite el uso de la ecuacion (4.67) y requiere del uso de la ecuacion (4.64).
La ecuacion (4.64):
-B
S(VBE) =
R,
(B + 1) RE
la cual es aproximadamente 30% menor que el valor de polarizaci6n fija debido al tbrmino
adicional ( p + l)RE en el denominador de la ecuaci6n S(V,,).
C)
En este caso,
(p
1) = 101
+ 2 = -=
RE
10 (satisfecha)
4.7 kR
4.12 Estabilizaci6n de la polarizacion
EJEMPLO 4 2 9
La ecuacion (4.67):
S(VBE) =
-RE
IcQ= 2 mA
70.9 PA
= 2.0709 mA
un incremento de 3.5%.
Para la configuracion por divisor de voltaje el nivel de RBse cambiari aR,, en la ecuacion
(4.64) (segun se definio en la figura 4.67). En el ejemplo 4.29, a1 utilizar una de R - 47 kQ
8resulta ser un diseiio cuestionable. Sin embargo, sera R,, para la configuracion del dlvisor de
voltaje; sin embargo, puede ser de este nivel o uno menor y todavia mantener buenas
caractensticas de diseiio. La ecuaci6n resultante para S(VBE)para la red de retroalimentacion
serii similar a la de la ecuaci6n (4.64) con RE reemplazada por Rc.
so:
El ultimo factor de estabilidad que se investigara es el de S(P). El desarrollo matemstico
es mis complejo que el que se enconuo para S(ICO)y para S(VBE),como lo da a entender la
siguiente ecuacion para la configuracion de polanzacion en emisor:
La notacion I,, y PI se utiliza para definir sus valores bajo un conjunto de condiciones de
red, mienuas que la notaci6n p, se usa paradescribir un nuevo valor de beta como lo establecen
causas como un cambio en temperatura,la variation d e b del rnismo transistor o un cambio de
transistores.
--
EJEMPLO 430
La configuracion de polarizaci6n fija esta definida por S(P) = I,, ID, y la RE de la ecuaci6n
(4.68) puede reemplazarse par R1., para la configuracion del divisor de voltaje.
Para la configuracidn de retroalimentacion en colector con RE = 0 Q,
Resumen
Ahora que se presentaron tres factores de estabilidad imponantes, el efecto total sobre la corriente del colector puede calcularse utilizando la siguiente ecuacion:
uc=
(4.70)
Al principio, la ecuacion puede parecer muy compleja, pero tome en cuenta que cada
componente so10 es un factor de estabilidad para la configuracion multiplicado por el cambio
resultante en un parimetro entre 10s limites de inter& de temperatura. Ademas, la Mc que debe
determinarse simplemente es el cambio en Ic a partir del nivel a una temperatura ambiente.
Par ejemplo. si se examina la configuracion de polarizacion fija, la ecuacidn (4.70) se
conviene en la siguiente:
despues de sustituir 10s factores de estabilidad como se derivo en esta seccibn. Ahora, se usara
la tabla 4.1 para encontrarel cambia en la comente del colector para un cambio de temperatura
desde 25 C
' (temperatura ambiente) a 100 "C (el punto de ebullici6n del agua). Para este rango
la tabla revela que
iU,, = 20 nA
AV,,
- 0.1 nA = 19.9 nA
Empezando con una comente de colector de 2 mA con una RE de 240 kR, el cambio
resultante en 1, debido a un increment0 en la temperatura de 75 "C es el siguiente:
4.12
Estabilizacion de la polarizacion
Aunque el analisis anterior puede resultar confuso porque las ecuaciones son muy complejas para algunas de las sensibilidades, el prop6sito es desarrollar un alto grado de precauci6n sobre 10s factores que se involucran en un buen diseiio y para estar mas cerca de 10s
parametros de 10s transistores y el impact0 que ejercen sobre el funcionamiento de la red. El
anhlisis de las secciones anteriores fue para las situaciones idealizadas con valores invariables
de parimetros. Ahora, se debe estar consciente de c6mo puede variar la respuesta en dc del
disetio con las variaciones de 10s parimetros de un transistor.
4.13
ANALISISPOR COMPUTADORA
Esta seccion contiene un anilisis de la red del divisor de voltaje del ejemplo 4.7 y se necesita
recumr tanto a BASIC como a PSpice. Ademb, proporciona una excelente oportunidad para
comparar las ventajas relativas de cada uno.
F G4.69~
La red del ejemplo 4.7 se ha redibujado en la figurz 4.69 con 10s nodos esco,oidos para el
anilisis PSpice. El archivo de entrada aparece en la figura 4.70. Notese que todos 10s parimetros
se definieron entre 10s nodos indicados, asumiendo a1 primer nodo como el de mayor potencial.
El formato del enunciado del transistor es su entrada .MODEL como lo setialamos en el capitulo
3. Si las cantidades especificas como I ( R C ) = IRc = Ic y V(3.4) = Vc.se requieren en lugar de
un simple listado de todos 10s voltajes nodales. debe aiiadirse un enunciado de control .DC
como se indica. En el enunciado .DC se especifica la fuente a1 nivel necesario. Si se repiten 10s
22 V como en este caso, el anilisis linicamente se hari en este nivel. Si el segundo nivel es
distinto, el paquete desarrollara el anilisis a cada nivel en y entre 10s dos niveles utilizando un
increment0 definido como la entrada siguiente, en este caso 1 V. Sin embargo, debido a que 10s
22 V se repiten en este enunciado de control .DC, se requiere el 1 V para completar el formato
200
DC Biasing of BJT
Fig.
VCC 2 0 22v
Rl 2 1 39K
R2 1 0 3.9K
RC 2 3 10K
RE 4 0 1.SK
CE 4 0 SOUF
Q l 3 1 4 W
.HODEL QN NPN(BF-140 IS.MI vcc 22 22 1
.PRINT DC I(RC) V ( 3 , 4 )
.OPTIONS NOPAGE
.END
oc
B i a s i n g of 87T
.*.*
- Pig.
.,------ .
..--..c~~.,..':':.;.,o:
.
. ..
~.
..*
4.69
, .
c r y O~cnrpnow
".
..
. >,...
: _ - .,
.,.
,
,
.,.,
,-
...
> .
. . ,.,..>
.- : ., .. . ,
~
+*+*.*w*u+****r++*r~***b***::*er*****..t*t*~t~*tltm~$u-~~,.
WX: 2 0 2 2 v
R1 2
R2 1
RC 2
RE 4
CB 4
139R
0 3.9s
3 10K
0 1.S
0 50UP
Q l 3 1 4 Q N
.UODE% QN RPII(BPs140 15-2SI5)
.DC VCC 22 22 1
.PRXWT DC I(=) V ( 3 . 4 )
.ORIMIS YOpnoE
.EIR)
I*..
Fwra 4.71 Archivo de salida para el analisis con PSpice de la red de la figura 4.69
vcc
_tL
22v2
02h2222
1.2588
desde la biblioteca specialslb. Cada VIEWPOINT se coloca con solo primir el b o t h izquierdo del dispositivo apuntador. Para terminar el proceso oprima el botfon derecho del apuntador. La comente del colector sera recogida por la opcion IPROBE de la biblioteca specialslb,
como se muestra en la rama del colector de la red. Tome en cuenta que la comente que debe
captarse se situe en el circulo mas cercano a la curva intema. porque tsta significa la escala de
medicion.
En la figura 4.69 la beta del transistor es 140 y la coniente de saturation se ha inicializado
en 2E-15A. Una vez en el esquema, al oprimir el simbolo del transistor (solo una vez) y tecleando Edit, en la b m a de menli, apareceri una lista de opciones donde Model es una de
ellas. Se elige Model y apareceri una caja de dialogo Edit Model. Como hnicamente estamos
interesados en cambia la beta y establecer Is para esta red, se escoge Edit Instance Model
(elegir modelo ejemplo). Entonces se proporciona una lista para el transistor Q2N2222 y pueden
cambiarse Is (e Ise) a 2E-15 y Bf a 140. Una vez cambiados. se oprime OK y 10s parimetros de
la red han sido modificados.
Es muy probable que lamayoriade 10s usuanos de Windows coloquen primer0 10s resistores,
seguidos por el capacitor, transistor y la fuente de voltaje dc. Las lineas se captoran por lo general
al final para completar la red. Sin embargo, el resultado de dicha secuencia es que 10s nodos
tengan asignados valores numericos de acuerdo con la secuencia en que 10s elementos fueron
capturados, y las probabilidades serin que no concuerden con el valor numCrico asignado a cada
nodo en la figura 4.69. Sin embargo, las referencias de 10s nodos pueden cambiarse si se elige
Analysis y luego Examine Netlist (examinar lista). Lo mejor seria prever que la inhoducci6n de
un IPROBE requeriri de la introducci6n de un nodo adicional entre Vcc y la terminal del colector
del transistor. En este caso el nodo adicional(5) fue asignado para asegurar que las referencias de
10s nodos Sean las mismas que la figura 4.69. Los nlimcros asignados podrin cambiarse con una
secuencia insertldelete (insenariborrar) y registrar cuando se abandone la caja de dialogo.
Antes de simular el progama. debe estar seguro de que Probe Setup (inicializacion de la
prueba) bajo Analysis no esti inicializada para ejecutar automaticamente Probe aesputs de
la simulacion. Esto le ahormi tener que involucme con la respuesta de Probe antes de ver el
archivo de salida. La respuesta de Probe se examinaxi en el capitulo 8 cuando se analice un sistema
enac.lasimulac%n& lareddaraporresu1tade el archivo de salidade lafigura4.73 .El archivo de
la figum 4.73 es una version cortada y pegada para permit3 una concentraci6n de 10s elementos mas
importantes del archivo. ObsCrvese que la lista neta esquematica (Schematics Netlit) tiene las
mismas referencias de nodos que la figura 4.69 para cada elemento, y que el transistor se encuenna
hstado en la secuencia3-1-4 (colector,base,emisor) como lo requiere la version DOS. Los pwimebos
del modelo BJT (BJT MODELPARAMETERS) es un listado de 10s parimenos m& importantes
que definen a1 transistor Q2N2222. Notese que IS es 2E-15 y BF (beta) es 140.
Se puede encontrar una description de todos 10s parametros listados en THE DESIGN
CENTER Circuit Analysis Reference Manual (manual de referencia del anilisis de circuitos
del Cenno de Diseiio) de MicroSim Colporation. Los niveles dc para 10s diferentes nodos
(respecto a la tierra) son pane de la soluci6n de polarizaci6n en pequeiia seiial (Small Signal
Bias Solution). El voltaje VcEdel transistor es de 13.7580 V - 1.2588 V 12.5 V, que es casi
igual a la soluci6n DOS. El siguiente listado incluye 10s distintos niveles de comente y voltaje
de la red y sus parimetros como se definieron mediante el punto de operation resultante.
ObsCmese que Ic es 0.824 mA comparado con 0.85 1 mA para el anilisis en DOS y que VBEes
0.688 V o aproximadamente 0.7 V como se desea. La beta dc es ahora 55 en lugar del 140
capturado y la beta de ac es 65, la cual sera utilizada para la respuesta en ac. El cambio no
sucedi6 en la version DOS porque se pudo seleccionar un transistor npn sin tener que escoger
un modelo en panicular. que tuviera todos sus parsmetros de definicion. En la version de
evaluaci6n de PSpice para Windows uno debe elegir un transistor de la lista proporcionada y
simplemente modificar 10s parimetros de definicion lo mejor posible. Los cambios adicionales
se pudieron haber hecho para crear una similitud mis cercana, pero el detalle que se requiere
va m h alla de las necesidades de este texto.
Obs6mese en el esquema de la figura 4.72 como 10s VIEWPORT e IPROBE reflejan 10s
mismos resultados impresos en el arcnivo de salida. El uso adecuado de VIEWPORT e IPROBE
eliminan la necesidad de estar preocupados acerca de las referencias nodales, porque 10s voltajes
y las conientes pueden obsemarse diiectamente sobre el esquema despues de la simulaci6n.
Capitulo 4 Polarization en dc-&n
....
.........................................................................
.....
CIRCUIT DESCRIPTION
'SchmuksNltlin'
R-R?
0 Slri_OWI 3.9k
R-RI
SN_OWIIN-%XU 39k
R-RC
".'
.....
BJT MODU P A U M E T W
...................I...........*.*.........*.,........,.*,*...*.**.......
Q2NZW-x
UDU
-~
W F 1.7
1TF
TR 46.91MOOE-09
XI5 1.5
.........................................................................
.....
TEMPUIANRE
NODE VOLTAGE
VOLTAGE
NODE VOLTAGE
NODE VOLTAGE
2 7 . W DEG C
NODE
VOLTAGE SOURCE C U R R h m
N&*
CURRWI
V-VCt
"_v2
-1.338E-03
8242W
''"BIWLARmCTION TRANSISTORS
VBC
VCE
-1.l8EtOl
1.25ElOl
BETADC 5.SOE41
GM
3.18E-02
RPI
ZMEU))
RO
CBE
C K
CBX
I.MEIOI
1.ME45
5mE-11
239E-12
O.WE+OO
Rx
---
203
BASIC
El programa que se desarrollari con BASIC llevara a cab0 el mismo analidis que el otro listado, ira un paso adelante y permitira cambia la configuracion mediante la especificacion de un
circuito abierto o un corto circuito para 10s pardmetros. Por ejemplo, si R, se hace igual a 1E30
ohms, se trata en esencia de un circuito abierto y que da por resultado una configuracion de
polarizaci6n en emisor. Si RE se queda en cero ohms con R2 en 1E30 ohms, dari por resultado
una configuracion de polarizacion fija. De esta manera. el rango de aplicaciones se expande y
limita la biblioteca de programas necesarios para hacer el analisis en un area en particular.
En la tabla 4.2 aparece un resumen de las ecuaciones utilizadas junto con un resumen de
las variables en la tabla 4.3. Un modulo de programa que empieza en la linea 10000 esta escrito
en BASIC para realizar 10s calculos necesarios para el analisis en dc de la red de la figura 4.69.
La linea 10010 calcula la resistencia de base equivalente de Thevenin de R, en paralelo con
R,. La linea 10020 calcula el voltaje equivalente de Thevenin en la base. Luego se determina I,
en la linea 10030 utilizando un voltaje base-emisor de 0.7 V. La linea 10040 pmeba para una
condicion de carte, la que ocune si el valor de VTes menor que V, = 0.7 V, en cuyo caso I,
toma el valor de cero; de otra forma, I, permanece como se calcul6 en la linea 10030. Las
lineas 10060 y 10070 calculan I, e IE.respectivamente.
ETh - 0.7
la =
R,
(0
I
,=
IC = BETA
(0 +
I)!,
Vc = V,,
0.7
- IcR,
VcA = 'Jc - VE
+ (BETA
I)
RE)
VB = VE
BE
1B
RE
VT
IB
IB
IE = ( B E T A + I ) '
VE = 1E
V s = IERE
V, = V ,
CC
IB = (VT - 07)I(RT
+ l)R,
Ic
= 61,
Variable en el pmgramo
RE
0.7
VC = CC - IC
BETA
IC
RC
CE = VC - VE
1E
VE
La linea 10090 p ~ e b la
a condicion de saturacion de un circuito, y establece Ic (e IE) con
el valor de saturacion. De otra manera, los valores de % e I, permanecen como se calcularon
previamente. Por tanto las lineas 10100 a 10120 calculan VE, V, y Vc, respectivamente. La
linea 10130 calcula VcE y luego el m6dulo de programa regresa al programa principal.
El programa principal solicita la entrada de todos 10s datos adecuados del circuito, como
el modulo 10000 para hacer 10s cilculos de polarizaci6n de dc. l o s pasos del programa principal
para imprimir 10s resnltados se proporcionan en la figura 4.74. Una vez m b , obstwese la
correspondencia que esta cerca de 10s resultados obtenidos antes para lCu y para VCEo.
Capitulo 4 Polarizacion en dc-BJT
10 R M
20 REM
30 R W
40 REM
50 REH
r t a . * * * % * * * * * r * * r * * s t t * * * * * * * * l * + r * * r * * * *
60 REH
100 PRINT 'This program calculates the dc bias*
I l a PRINT "for a standard circuit as Shown in Eiaure 4.69."
190
200
210
220
INPUT 'VCC=":CC
PRINT
INPUT "Transistor beta=";BETA
PRINT
230 RPI Now do circuit calculations
240 GOSUa
- -. 10000
250 PRINT "The results of ic bias calculations are:"
260 PRINT
270 PRINT "Circuit currents:"
280 PRINT "IB=";IB*1000000! ;"uA"
290 PRINT "IC=";IC~lOOO;"~h"
300 PRINT "IE=*;IE*1000;"mA"
310 PRINT
320 PRINT "Circuit voltages:"
330 PRINT "VB=";VB;"valtsn
340 PRINT "VE="-VE-"
, , volts"
350 PRINT "VC=";VC;"vo:tsm
360 PRINT "VCE=";CE;"voltsn
370 PRINT :PRINT
380 END
10000 R M Module to calculate dc bias of BJT circuit
10010 RT-Rl*(R2/(Rl+R2))
10020 VT;.CC'(RZ
- ,I (Rl hR> l
10030 IB-(VT-. 7) 1 ( R T + ( B ~ T A + ~+RE)
)
10040 REM Test for cutoff condition
10050 IF VTc=.7 TREN IB=O
10060 IC=BETA*IB
10070 IES(BETA+l) *IB
10080 REM Test,for saturation condition
10090 IF IC* (RC+RE)=CC ntEN IC=CC/ (RE+RC) :IE-IC
10100 VE=IE*RE
10110 VBcVEc.7
10120 vcscc-IC*RC
10130 CE-VC-VE
10140 RETURN
~
RUN
This prcgram calculates the dc bias
for a standard circuit as shown in Figure 4.69.
p~
PROBLEMAS
I
1
lJlE=4
I
4. Encuenee la corriente de saturaci6n (Icu,) para la configuration de polarizacihn fija de la figura 4.75.
* 5.
2.4 kR
510kR
p=
v c
loo
'$0
R-.
L
R,.
R,.
vc,.
V,.
2.7 kn
_" 10.
%
pola1izaci6n
Usando las caractensticas
en emisor si sededefine
la figura
un punto
4.78,Qdetermine
en Ice= 4lomA
siguiente
y VcE, =
para
10 V.
una configuration de 2
a)
b)
c)
d)
RcsiVcc=24VyRE=I.2kR.
p e n el punto de operaci6n.
R,.
La potencia disipada por el transistor.
el La potencia disipada por el resistor Rc.
'
~ 2.1 \r.
0.68 kR
n g u n 4.81 Problema 8.
Problemas
207
* 11.
g) En cada una de las ecuaciones anteriores. la mamitud de 0 se increment6 en "11 50%. Compare
el porcentaje de cambio en I, y Vo para cada configuraci6n y comente sobre cuil parece ser
menos sensible a los cambios en P.
12. Para la configuraci6n de polaizaci6n par divisor de voltaje de la figura 4.82. determine:
a) 1 , ~ .
208
16. Determine para la siguiente configuracih de divisor de voltaje de la figura 4.85 utilizando la
aproximacih. si se satisface la condici6n establecida por la ecuacion (4.33).
a) lc.
b) VcL.
c) I,.
d) V,.
e) v,.
* 17. Repita el problema 16 empleando el sistema exacto (ThCvenin) y compare las soluciones. B a s h dose en los resultados. Les el sistema aproximado una tecnica vrilida de analisis si la ecuaci6n
(4.33) esrd sarisfecha?
18. a) Determine I,<, , VcEQe I,, para la red del problema 12 (figura 4.82) con el metodo aproximado
aunque la condici6n establecida por la ecuacidn (4.33) no este satisfecha.
b) Determine I,,,. VcEee I, utilizando el metodo exacto.
c) Compare las Soluciones ;comeme sobre si la diferencia es lo suficientemente grande como
para requerir el respaldo de la ecuaci6n (4.33) cuando se determine que metodo debe utilizarse.
* 19. a) Con las caracterkticas de la figura 4.78. determine Rc y RE para La red del divisor de voltaje
que tiene un punto Q de Ice = 5 mA y VcEo= 8 V. Utilice Vcc = 24 V y Rc = 3R,.
b) Encuentre V,.
C) Determine VB.
d) Encuenve R? si R, = 24 kR suponiendo que PR, > IOR,.
e) Calcule P e n el punto Q.
n Pmebe la ecuacion (4.33) y observese si la suposicion del inciso d es corrects.
* 20. a) Determine lc y VcE para la red de la figura 4.82.
b) Cambie P a 120 (50% de incremento) y determine los nuevos valores de lc y Vo para la red de
la figura 4.82.
c) Determine lamag~ituddelporcentaje de cambioen lcy VcEutilizando las sigientes ecuaciones:
Figura 4.85
Problemas 16.17.21
d) Compare la soluci6n del inciso c con las soluciones que se obtuvieron para c y f del
problema 11. Si no se llevo a cabo, observense las soluciones proporcionadas en el
apendice E.
e) Basandose en 10s resultados del inciso d, jcual configuration es menos sensible a las
vaiaciones en pl
* 21. I Repita 10s incisos a a e del problema 20 para la red de la figwa 4.85. Cambie P a 180 en el
inciso b.
conclusiones generales se pueden hacer respecto alas redes en las cuales se satisface la
I1
condici6n PRE > ]ORz y las canudades I, y VCEdeben resolverse en respuesta a un carnbio en fl
0.51 m
6.2 kCL
p= 1w
Problemas
* 24.
d) Compare los resultados del inciso c con las soluciones de 10s problemas I I c. 11 f y 20 c.
iC6mo se compara la red de retroalimentaci6n del colector en funcih de las otras configuraciones respecto a la sensibilidad a los cambios en
25. Determine el rango de posibles valores para Vc para la red de la figura 4.89 empletndo el
potenci6metro de I-MQ.
* 26.
n p.
*
F W r a 4.88 Problema 24.
d -12"
210
p c16V
* 29.
0 v,.
"CE'
* 30.
* 31.
I
-18\
Figura 4.93 Problema 29.
b-6v
lob
32. Calcule R, y R, para una configuraci6n de polanzaci6n fija si V,, = 12 V. P = 80 e Ice = 2.5 mA
con Vo = 6 V . Utilice valores estandar.
33. Diserie una red con estabilizacion en emisor a Ice = +I,,, y V,," = iV,,. Utilice V,, = 20 V .
I<,, = 10 mA. p= 120 y R, = 4R,. Utilice 10s valores estandar.
34. Diserie una red de polarizaci6n par divisor de voltaje utilizando una fuente de 24 V, un transistor
con una beta de 110, y un punto de operacion de I,', = 4 mA y VEC,= 8 V Elija VE= $V,,. Utilice
valores estandar.
* 35. Con las caracteristicas de la fisura 4.78. diserie una configuration de divisor de voltaje que tenga
un nivel de saturacion de 10 mA.y un punto Q a la mitad entre el coney la saturacion. La fuente
que esti disponible es de 28 V y V, y debe ser un quinto de Vc,. La condicion establecida par la
ecuaci6n (4.33) tambitn debe cumplirse para ofrecer un alto factor de estabilidad. Utilice los
valores estandar.
* 36.
Con las caracteristicas de la figura 4.78, determine la apanencia de la forma de onda de salidapara
la red de la figura 4.96. Incluya 10s efectos de V,. y determine I, I#-,, e %,, cuando V, = 10 V .
Derennine la resistencia colector a emisor en saturaci6n y en cone.
* 37. Diseiie el inversor a transistor de la figura 4.97 para operar con una corriente de saturacion de
8 mA empleando un transistor con una beta de 100. Utilice un nivel de I, igual a1 120% de I, y
valores estindar de resistores.
1,
m,,
p iov
t..
'1
2.4 kR
,
figurn4.96 Problema 36.
5v
ov
F q n 4.97
.
Problema 37.
Problemas
qv
b= loo
y bnpadO
para una comente de
2 rnA. ObsCrvese c6mo se utilizan las escalas logaritmicas y la posible necesidad de referirse a la secci6n 11.2.
b) Repita el inciso a para una comente de 10 mA. iC6mo han cambiado fcnCcndidoy fapapado con
el increment0 de comente del colector?
C) Dibuje para 10s incisos a y b la forma de onda del pulso de la figura 4.56 y c&pare 10s
resultados.
* 39.
Todas las mediciones de lafigura4.98 revelan que la red no est* funcionando de manera adecuada.
Enliste las posibles razones para las mediciones que se obtuvieron.
+
.
(a)
* 40.
Las rnediciones que aparecen en la figura 4.99 revelan que las redes no e s t h operando adecuadamente. Sea especifico al describir por q u t 10s niveles reflejan un problema en el comportamiento
esperado de la red. En otras palabras, 10s niveles obtenidos seiialan un problema muy especifico en
cada caso.
b=5kR
figura 4.100
Problerna 41.
a)
b)
C)
d)
e)
43. Conteste las siguientes preguntas acerca del circuito de la tigura 4.102.
a) iQu6 le sucede al voltaje Vc si el resistor R, se abre?
b) ~ Q u le
e pasa al voltaje Vo si p se increments debido a la temperatura?
c) iC6mo se vetd afectado V, cuando se reemplace el resistor de colector con uno cuya resistencia
esta en el extrerno inferior del ranpo de tolerancia?
d) Si !a conexion del colector del transistor se abre, iquC le pasara a VE?
e) iQuC puede rnotivar que VcE tome el valor de cerca de 18 V?
+
Figun 4.102 Problema 43.
4.11 Transistorespnp
iFlgura4.103 Problema44.
F i n 4.104
"c
Problema 45.
Problemas
* 48.
* 49.
b) S(VBE):
c) S(P) utlllzando TI como la temperatura en la que 10s valores de 10s parametros estin especificados y P(T2) como el 25% mayor que P(T,).
d) Determine el cambio neto en I, si resulta un cambio en las condiciones de operaci6n con un
incremento de I, de 0.2 pA a 10 pA, una caida de V, de 0.7 V a 0.5 V y un incremento de P
del25%.
* 50.
* 51.
Compare 10s valores relatives de la estabilidad para 10s problemas 47 a1 50. LC: resultados para 10s
ejercicios 47 y 49 pueden encontrarse en el ap4ndice E. iSe pueden derivar algunas conclusiones
generales a partir de 10s resultados?
* 52.
a) Compare 10s niveles de estabilidad para la configuration de polarizaci6n fija del problema 47
b) Compare 10s niveles de estabilidad para la configuraci6n de divisor de voltaje del problema 49.
c) ~ C u a l e factores
s
de 10s inciso a y b parecen tener mayor influencia sobre la estabilidad del
sistema, o no existe un patr6n general sobre 10s resultados?
Transistores
de efecto de campo
El transistor de efecto de campo (FET) (por las siglas en inglb de Field Effect Transistor) es
un dispositivo de tres terminales que se utiliza para aplicaciones diversas que se asemejan, en
una gran proporcion. a las del transistor BJT descrito en 10s capitulos 3 y 4. Aunque enisten
importantes diferencias entre los dos tipos de dispositivos, tarnbiines cierto que tienen muchas
similitudes que se presentaran a continuacion.
La diferencia bisica entre los dos tipos de transistores es el hecho de que el transistor BJT
es un dispositivo controlado por corrienre como se describe en la figura 5.1 a. mientras que el
transistor JFET es un dispositivo controladopor voltaje como se muestra en la figura 5 .lb. En
otras palabras. la coniente lc de la figura 5.la es una funcion directa del nivel de 1,. Para el
FET la comente I,, sera una funcih del voltaje VG, aplicado al circuito de entrada corno se
muestra en la figura 5.lb. En cada caso, la coniente del circuito de salida esta controlado par
un parametro del circuito de entrada, en un caso se trata de un nivel de comente y en el otro
de un voltaje aplicado.
!
(a)
-1
F i n 5.1 Amplificadores
(b)
De la misma manera que existen transistores bipolares npn y pnp, hay transistores de
efecto de campo de canal-n y canal-p. Sin embargo, es importante considerar que el transistor
BJT es un dispositivo bipolar; el prefijo bi indica que el nivel de conduccion es una funcian de
dos ponadores de carga, 10s electrones y 10s huecos. El FET es un dispositivo unipolar que
depende linicamente de la conduccion o bien, de electrones (canal-n) o de huecos (canal-p).
El tinnino "efecto de campo" en el nornbre seleccionado merece cierta explicacian. Toda
la gente conoce la capacidad de un iman permanente para atraer limaduras de metal hacia el
iman sin la necesidad de un contact0 real. El campo magnitico del iman permanente envuelve
las limaduras y las atrae a1 imin por media de un esfuerzo par p m e de las lineas de flujo
magnetic0 con objeto de que sean lo mas conas posibles. Para el FET un campo el2ctrico se
Southport,lnglaterra
PhD Gonville and
Caius College,
Cambridge University
Presidente ernerito de
AT&T Bell Labs
Socio de IEEE.
Miembro de la
National Science Board
Presidente del National
Advisory Committee
on Semiconductors
G. C. Dacey
El doctor Dacey nacio en
Chicago, Illinois
PhD CaliforniaInstitute of
Technology
Director de Solid State
Elertronncs
Research d?
-~
........
-Bell Labs
Vicepresidente de
Investigation en Sandia
Corporation
~~
~~~~~~
establece mediante las cargas presentes que controlarin la trayectoria de conducci6n del circuito de salida, sin la necesidad de un contacto directo entre las cantidades controladoras y
controladas.
Existe una tendencia natural cuando se presenta un segundo dispositivo con un rango de
aplicaciones similar a uno que se dio a conocer previamente, para comparar algunas
de las
.
caractensticas generales de cada uno. Uno de 10s rasgos mas importantes del FET es una gran
impedancia de entrada. A un nivel desde 1 a varios cientos de megaohms e x c e e por mucho
10s niveles tipicos de resistencia de entrada de las configuraciones con transistor BJT, un punto
muy importante en el disefio de amplificadores lineales de ac. Por otro lado, el transistor BIT
tiene una sensibilidad mucho m i s alta a 10s cambios en la seiial aplicada; es decir, la variation
en la comente de salida es obviamente mucho mayor para el BJT, que la que produce en el FET
para el mismo cambio de voltaje aplicado. Poresta razon, las ganancias normales de voltaje en
ac para 10s amplificadores a BIT son mucho mayores que para 10s FET. En general, 10s FET
son m h estables a la temperatura que 10s BIT, y 10s primeros son por lo general mas pequeiios
en constmcci6n que 10s BJT,lo cuallos hace mucho mas utiles en 10s circuitos inzegrados (IC)
(por las siglas en inglis de, Integrated Circuits). Sin embargo, las caractensticas de consuucci6n de algunos FET 10s pueden hacer miis sensibles a1 manejo que 10s BJT.
En este capitulo se presentaran dos tipos de FET: el transistor de efecto de campo de unibn
(JFET) (por las siglas en ingles de, Junction Field Effecr Transistor) y el transistor de efecto de
campo metal-bxido-semiconductor(MOSFET) (por las siglas en inglks de Meral-Oxideemi icon duct or Field Effect Transistor). La categoria MOS%T se desglosa despues en 10s
tipos decremental e incremental, 10s mismos que describiremos. El transistor MOSFET se ha
convertido en uno de 10s dispositivos m b importantes en el diseiio y consuuccion de 10s circuitos integrados paralas computadoras digitales. Su estabilidad termica y otras caractensticas
generales lo hacen rnuy popular en el diseiio de circuitos para computadoras. Sin embargo,
como elemento discreto en un encapsulado tipico de sombrero alto, se debe manipular con
cuidado (tema que se analizara en una seccion posterior).
Una vez que se hayan presentado la construcci6n y las caractensticas del FET. 10s arreglos
de polarizaci6n se cubriran en el capitulo 6. El analisis que se desarroll6 en el capitulo 4
utilizandotransistores BJT sera muy 6til para derivar las ecuaciones importantes y para el
entendimiento de 10s resultados obtenidos para 10s circuitos a FET.
Como se indic6 anterionnente, el JFET es un dispositivo de tres terminales, con una terminal
capaz de controlar la comente de las otras dos. En el analisis del transistor BJT se utilizo el
transistor npn a traves de la mayor parte de las secciones de anilisis y disefio; tambien se
dedicd so10 una secci6n al impacto del uso del transistorpnp. Para el transistor J E T , el dispositivo de canal-n apareceri como el dispositivo importante y se dedican p h a f o s y secciones a1
imoacto del uso de un JFET de canal-o.
La consuuccion bisica del JFET de canal-n se muestra en la figura 5.2. Observese que la
mayor parte de la estructura es del material de tipo-n que forma el canal entre las capas interiores del material de tipo p. La parte superior del canal de tipo n se encuentra conectada por
rnedio de un contact0 dhmico a la terminal referida como el drenaje (D), mientras que el
extremo inferior del mismo material se conecta por medio de un contacto 6hmico a una terminal referida como lafuente (S)(por su sigla en ingles, Source). Los dos materiales de tipo p se
encuentran conectados entre si y tambikn a una terminal de compuerta (G) (por la sigla en
inglts de, Gate). Por tanto, el drenaje y la fuente se hallan conectadas a 10s extremos del canal
de tipo n y la entrada a las dos capas de material tipo p . Durante la ausencia de cualesquiera
potenciales aplicados el JFET tiene dos uniones p-n bajo condiciones sin polarizacion. El resultado es una regi6n de agotamiento en cada union, como se mUeSha en la figura 5.2, la cual
se asemeja a la region de un diodo sin polarizaci6n. Recuerde tambien que la region de
agotamiento es aquella que no presenta portadores libres y es, por tanto, incapaz de soportar la
conduction a travis de la region.
Capitulo 5 Transistores de efecto de campo
Fucntc (5)
En raras ocasiones son perfectas las analogias y a veces pueden causar confusiones; sin
embargo. la analofia del azua de la figura 5.3 proporciona cierto sentido sobre el control del
JFET a t18.visde la terminal de compuerta y acerca de lo adecuado de la terminologia aplicada
a las terminales del dispositivo. La fuente de la presion del agua se parece a1 voltaje aplicado
desde el drenaje a la fuente que estableceri un flujo de agua (electrones). a travis de la llave
(fuente). La "compuerta", mediante una seiial aplicada (potencial). controla el flujo de agua
(carga) hacia el "drenaje" . Las terminales del drenaje y de la fuente se encuentran en 10s extremos opuestos del canal-n como en la figura 5.2 porque la terminologia esta definida para el
flujo de electrones.
Fuente
Compue"d
v,,>ov.
+$
- I 5 V
+
0
P- I \ ! +
I<, = 0 .A
- 0.5
IV
,) -- - ,
0.5 \.
ili
ov
I,
Esrrechamienro
vo3= V p
+
vGs=OV
"S
Rcrisrcncrn dsi c ~ r a l - i i
218
Mientras VDsse incremente mas alli de V,. la region del encuentro cercano entre las dos
regiones de agotamiento increments su longitud a lo largo del canal, pero el nivel de IDpermanece esencialmente constante. Por tanto, una vez que VD,> V,, el JFET tiene ias caractensticas
de una fuente de comente. Como se muestra en la figura 5.8, la comente esta fija en ID = IDss,
per0 el voltaje VDs(para aquellos niveles > V,) esta determinado por la carga aplicada.
La elecci6n de !a notacion lDssse deriva del hecho de que es la corriente del Drenaje a la
fuente (por la sigla en inglis de. Source) con una conexion de con0 circuit0 (por la sigla en
inglis de, %on) de la entrada a la fuente. Mientras continua la investigation de las caracteristicas del dispositivo. tenemos que:
IDS, es la corriente maxima de drenaje para un JFET y esta definida mediante las
condicionas VGS= 0 V y VDS> 1, V P1 .
Obsemese en la figura 5.6 que V,, = 0 V para toda la curva. Los siguientes pirrafos
describen la manera en que las caractensticas de la figura 5.6 resultan afectadas por 10s cambios en el nivel de VGs.
El voltaje de la compuena a la fuente denotado por VGSes el voltaje que controla a1 JFET. Asi
como se establecieron varias curvas para Ic en funcion de V,, para diferentes niveles de I, y
para el transistor BJT. se pueden desarrollar curvas de I D en funcion de Vm para varios niveles
de VGSpara el JFET. Para el dispositivo de canal-n el voltaje de control VGSse hace mas y mas
negativo a partir de su nivel VGS= 0 V . ES decir, la terminal de la compuerta se hace a niveles
de potencial m8s y mas bajos en comparacion con la fuente.
En la figura 5.9 se aplica un voltaje negativo de -I V entre las terminales de la compuerta
y la fuente para un nivel bajo de VD,. El efecto del VGs aplicado de polaridad negativa es el de
establecer regiones de agotamiento similares a !as que se obtuvieron con VGS= 0 V. per0 a
niveles menores de VD,. Por tanto, el resultado de aplicar una polarization negativa en la
compuerta es alcanzar un nivel de saturacion a un nivel menor de Vos como se muestra en la figura 5.10 para V,, = -1 V.El nivel resultante de saturacion para I, se ha reducido y de hecho
e
en la
continuara reduciendose mientras V,, se hace todavfa mas negativo. O b d ~ e s tambien
figura 5.10 la manera en que el voltaje de estrechamiento continua cayendo en una trayectoria
parabolica conforme VGSse hace mas negativo. Eventualmente. cuando VGS=-Vp, V sera lo
cs
suficientemente negativo como para establecer un nivel de saturacion que sera en esencla 0 mA,
por otro lado. para todos los propositos practices el dispositivo ha sido "apagado". En resumen:
ID = f ~ s ,
V o ~.
+
Caiga
L
Figura 5.8 Fuente de corriente
equivalente para V, = OV, V, > V ,
ID (ImA)
+
Reqi6n
Regi"n de saruracidn
- - .-. --.
.
....
"P
10
IS
v,>,= ' V I
?0
V , (para V,, = 0 V )
8 mA y V p= -4 V.
Las direcciones de comente definidas estan invertidas, como las polaridades reales para 10s
voltajes V,, y VDs.Para el dispositivo de canal-p, Cste sera estrechado mediante voltajes crecientes positivos de la compuerta a la fuente. y la notacion de doble subindice para VDS,por
tanto. dara como resultado voltajes negativos para VDs sobre las caractensticas de la figura
5.12. la cual tiene una iDss de 6 mA y un voltaje de estrechamiento de VGS= +6 V.NO se debe
confundir por el signo de menos para V,;. 6ste simplemente indica que la fuente se encuentra
a un potencial mayor que el drenaje.
= 6 mA y Vp = +6 V
Se observa en 10s niveles altos de VDsque las curvas suben repentinamente a niveles que
parecen ilimitados. El crecimiento vertical es una indication de que ha sucedido una ruptura y
que la comente a traves del canal (en la misma direcci6n en que normalmente se encuentra)
ahora esti limitada linicamente por el circuit0 extemo. Aunque no aparece en la figura 5.10
para el dispositivo de canal-n, sucede para el canal-n cuando se aplica suficiente voltaje. Esta
de las hojas de especificaciones, y el disefio es tal,
region puede evitarse si el nivel de VDS,n,,i.
que en nivel real de VDses menor que el valor maxim0 para todos 10s valores de Vcs.
5.2 Construction y caractensticas de 10s JFEI
Simbolos
Los simbolos graficos para 10s JFET de canal-n y de canal-p se presentan en la figura 5.13.
Obs6mese que la flecha se encuenua apuntando hacia adentro para el d i s p o v o de canal-n de
la figura 5.13a, con objeto de representar la direcci611 en la cual fluina I, si la union p-n tuviera
polarizaci6n directa. La unica diferencia en el simbolo es la direccion de la flecha para el
dispositivo de canal-p (figura 5.13b).
(b)
Resumen
Una cantidad importante de parimetros y relaciones se presentaron en esta seccion. Otros,
cuya referencia sera frecuente en el analisis de este capitulo, as<como en el siguiente para 10s
JFET de canal-n, se describen a coutinuacion:
La corriente mbrima se encuentra definida coma I,, y ocurre clrando Vm = 0 V y
VDs2 1 V p1 como se muestra en lafigura 5.14~.
Para 10s voltajes de la compueaa a lafuente VGSmenores que (mhs negativos que) el
nivel de estrechamiento, la corriente de drenaje es igual a 0 A (ID= 0 A), como
aparece en lafigura 5.14b.
v~
(C)
1
;, b) corte (I, =FA)
vGSi s
menor que el nivel de
estrechamiento; c) I, se
encuentra entre 0 A efDs
cuando Vpc
es menor o ieual
- a0
"2
V y mayor que el nivel de
estrechamiento.
CARACTER~STICASDE TRANSFERENCIA
Para el transistor BJT la corriente de salida 1, y la corriente decontrol I, fueron relacionadas
por beta. considerada como constante para el analisis que fue desarrollado. En forma de ecuacion.
-variable
de control
constante
En la ecuacidn (5.2) existe una relacion lineal entre I, e I,. Si se duplica el nivel de I, e I ( , se
incrernentara tambiin por un factor de 2
Desafonunadamente. esta relacibn lineal no existe entre las cantidades de salida y de
entrada de un JFET. La relacion entre 1, y V,, se encuenua definida por la ecuaci6tz de Shockle~:
variable de control
(5.3)
constantes
El tirmino cuadratico de la ecuacion dari por resultado una relacion no lineal entre I, y VGs.
produciendo una curva que crece exponencialmente con las magnitudes decrecientes de VGS.
Para el andlisis en dc que sera desarrollado en el capitulo 6 . un sistema grafico rnis que
maternatico serfi, en general, mas direct0 y facil de aplicarse. Sin embargo. la aproximacion
grafica requeririi de una grafica de la ecuacion i5.3) con objeto de representar el dispositivo. y
una grifica de la ecuacion de red que relacione las misrnas variables. La solucion estd definida
por el punto de interseccion de las dos curvas. Es imponante considerar a1 aplicar la aproximacion grafica que las caractensticas del dispositivo no seran afecradas por la red en la cual se
utilice el dispositivo. La ecuacion de la red puede cambiar con la interseccion de las dos curvas, pero la curva de transferencia definida por la ecuacion (5.3) pennanece sin resultar afectada. Por tanto:
F~gura5.15 Obtencion de la
223
con la escala vertical en miliamperes para cada grafica. Una es una grifica de I, en funcion
V,,, mientras que la otra es de IDen funcion VGS.Con las caracteristicas de drenaje a la derecha
del eje "y" es posible dibujar una linea horizontal desde la region de saturacion de la curva
denotada VGS= 0 V a1 eje I,. El nivel resultante de corriente para ambas graficas es I,,,. El
punto de intersection en la curva IDen funcion VGSsera el que se mostro antes. ya que el eje
vertical esti definido como VGS= 0 V.
En resumen:
-~
Antes de continuar, es importante comprender que las caracteristicas de drenaje relacionan una cantidad de salida (o drenaje) a otra cantidad de salida (o drenaje); ambos ejes estan
definidos por variables en la misma region de las caracteristicas del dispositivo. Las caracteristicas de transferencia son una grifica de una corriente de salida (o drenaje) en funcion una
cantidad controladora de entrada. Por tanto, existe una "transferencia" directa de las variables
de entrada a las de salida, utilizando la curva a la izquierda de la figura 5.15. Si la relacion
fuera lineal, la grafica de IDen funcion VGSsend una linea recta entre I,, y V,. Sin embarzo,
la curva que resulta es parabolica, porque el espaciamiento vertical entre 10s pasos de V,
sobre las caracteristicas del drenaje de la figura 5.15 decrece notoriamente mientras VGSse
hace mas y rnh negativo. Compare el espaciamiento entre VG, = 0 V y VGS = -1 V con aquel
entce V,, = -3 V y el estrecharniento. El cambio en VGSes el mismo, pero el cambio resultantr
en I, es bastante diferente.
Si se dibuja una linea horizontal desde V, = -1 V hacia el eje IDy luego se extiende hacia
el otro eje, se puede localizar otro punto sobre la cun'a de transferencia. Observese que en V, =
-1 V la curva de transferencia tiene un valor de I, = 4.5 mA. Notese queen la definicion de ID
cuando VGS= 0 V y -1 V que se utiliza 10s niveles de saturacion de I, y la region ohmica se
ignora. Segnlmos con VGS= -2 V y -3 V se puede completar la curva de transferencia. Precisamente es la curva de 1, en funcion VGSla que recibir6 un amplio uso en el analisis del
capitulo 6, y no precisamente las caractensticas de drenaje de la fixura 5.15. Los siguientes
p h a f o s presentan un mitodo rapido y eficiente para graficar I, en funcion VGs usando unicamente 10s niveles de ID, y Vp y la ecuacion de Shockley.
Sustituyendo Vcs = V, da
como se muestra en la figura 5.15. Obsirvese el cuidado que se necesita tomar con 10s signos
negativos de V, y Vp en 10s calculos anteriores. La perdida de un signo daria un resultado
totalmente erroneo.
Debe resultar obvio a partir de lo anterior que dados V, y V, (como normalmente se
proporciona en las hojas de especificaciones) el nivel de I, se puede encontrar para cualquier
nivel de VGS.Reciprocamente, utilizando algebra bbica se puede obtener [a partir de la ecuacion
(5.3)] una ecuacion para el nive1,resultante de VGSpara un nivel dado de I,. La derivation es
bastante directa y dari como resultado
(5.6)
Puede probarse la ecuacion (5.6) si se localiza el nivel de V, que dara por resultado una
comente de drenaje de 4.5 mA para el dispositivo con las caracteristicas de la figura 5.15.
Ahora es importante estar consciente de que la ecuaci6n (5.7) noes para un &el de V , en
particular, sino es una ecuacion general para cualquier nivel de V pmientras que VGS= V p / 2 .El
resultado especifica que la comente de drenaje siempre sera de una cuarta parte del valor de
saturaci6n IDss,mientras el voltaje-fuente sea de la mitad del valor de estrechamiento. Observese el nivel de I, para V,, = V , 12 = -4 V12 = -2 V en la figura 5.15.
Si se elige I, = I,,/2
y se sustituye en la ecuaci6n (5.6), se encuentra que
--
EJEMPLO 5.1
12 I D = I D S S = 1 2 m A
-6 -5 - 4 -3 - 2 -1
V,
Para 10s dispositivos de canal-p, la ecuacion (5.3) de Shockley puede todavia aplicarse
exactamente como aparece. En este caso, tanto Vp como VGSserin positivos, y la curva tendrii
la imasen en espejo de la curva de transferencia que se obtuvo para un dispositivo de canal-n
y 10s mismos valores limitantes.
Trazar la curva de transferencia para un dispositivo de canal-p con ID,, = 4 mA y V, = 3 V.
EJEMPLO 5 2
diseiio intentara evitar estos niveles con un buen marsen de seguridad. El tCrmino inverso en
V,
define el voltaje maximo con la fuente positiva respecto a la compuerta (como si estuviera
polarizada normalmente para un dispositivo de canal-n) antes de que ocurra la ruptura. En
al~unashojas de especificaciones es referido BV,ss, el voltaje de ruptura con el drenaje y la
fuente en corto circuito (V,, = 0 V) se encuentran refendas como BVD,,. Normalmente esta
disefiado con objeto de operar con I, = 0 A. pero si se fuerza a aceptar una corriente de la
entrada podria soportar 10 mA antes de que suceda cualquier dafio. La disipacion total del
dispositivo a 25 OC (temperatura ambiente) es la maxima potencia que el dispositivo puede disipar bajo condiciones normales de operacion y esti definida por
(5.9)
N6tese la similitud en formato con la ecuaci6n de disipacion maxima de potencia para el transistor BIT.
El factor de pirdida de disipacion se analiza con detalle en el capitulo 3, pero por el
momenta reconocemos que el valor de 2.82 mWIoC revela que el valor de disipacion decrece
en 2.82 mW por cada incremento en la temperatura de I OC arriba de 25 OC.
Caractensticas electricas
Las caracteristicas e1Cctricas incluyen el nivel de Vp en las CARACTERISTICAS DE APAGAD0 e I,,, en las CARACTERISTICAS DE ENCENDIDO. En este caso V, = VGS,upuzado,
tiene un rango entre 4 . 5 a -6.0 e I,,, enue 1 y 5 mA. El hecho de que ambos tengan una
variation de dispositivo a dispositivo del mismo tipo, se debe al proceso de fabncaci6n. Las
otras cantidades estan definidas bajo las condiciones que aparecen entre parintesis. Las caractensticas de pequeiia sefial se discuten en el capitulo 9.
2N2844
CAPSULA 22-03.ESTlLO I 2
TO-18 (T0~206AAI
3 Drenaje
(encapsuladol
14
Cornpuena
1 Fuenre
,;
-I
JFET DE U S 0 GENERAL
Region de operacion
CANAL-P
La hoja de especificaciones y la curva definida par 10s niveles dgestrechamiento a cada nivel
de VGS definen la region de operation para la amplification lineal sobre las caracteristicas de
drenaje como se muesua en la figura 5.20. La region 6hmica define 10s valores maximos
permisibles de VDsen cada nivel de V,, y V, m,r especifica el valor miximo para este p&eWo.
";s,.,"
canal-p.
mejor election. Tambien es importante revisar que el control del paso se ajusta para una pantalla de cinco pasos limitando las curvas mostradas a V, = 0 V, -0.5 V, -1 V, -1.5 V y -2 V. Si
el control del paso se increments a 10. el voltaje por paso se puede reducir a 250 mV = 0.25 V,
y la curva para Vm = -2.25 V se hubiera podido incluir, asi como una curva adicional entre
cada paso de la fi,oura 5.21. La curva VGs = -2.25 V hubiera indicado la rapidez con que las
curvas se estin cerrando una sobre la otra para el mismo paso de voltaje. Por fonuna, el nivel
de V, se puede estimdr con un grado razonable de exactitud simplemente aplicando la condicion
que aparece en la tabla 5.1. Esto es, cuando I, = IDsS12.luego VGs=0.3Vp. Para las caracteristicas de la fisura 5.21.1, = IDSs/2= 9 mAl2 = 4.5 mA. y es tan visible en la figura 5.21 que el
nivel correspondiente de V, es de aproximadamente -0.9 V. Con esta information se encuentra que V,, = VGs/0.3 = -0.9 V10.3 = -3 V, el cual sera nuestra selection para este dispositivo.
Con este valor encontramos que en V,, = -2 V.
z lmA
como se fundamenta en la figura 5.21
En V,,= -2.5 V la ecuacion de Shockley dari par resultado ID= 0.25 mA, con V, = -3 V
lo cual revela con claridad cuan rapido las curvas se contraen cerca de V,. La importancia del
parametro gin y la f o m a en que se detemiina a panir de las caracterist~casde la figura 5.21 se
descnben en el capitulo 8 cuando se exarninen las condiciones de ac en pequefia sefial.
(b)
JFET
+)
2
ID = IDSS6
-
ID = Is
I, r OA
BJT
fc = PIB
u Ic = IE
u V,, z 0.7 V
5.6
Relaciones importantes
Entender bien el impact0 de cada una de las ecuaciones anteriores es suficiente antecedente para atacar las configuraciones de dc mis complejas. Recuerde que V, = 0.7 V a menudo se
torno como clave para inicializar un analisis de una configuracion a BIT. De forma parecida. la
condici6n Ic = 0 A es a menudo el punto de inicio para el anilisis de una configuracion a JFET.
Para la configuracion BJT, I, pqr lo general es el primer parrimetro que debe determinarse. Para
el JFET normalmente es VGS.La cantidad de similitudes entre las configuraciones de dc
para BIT y JFET se podri apreciar mejor en el capitulo 6.
S
(Fuentc)
\ Regiones
dopadar-n
de aislante conocido como dielkctrico que ocasiona campos elktricos opuestos (como se indica por el prefijo di) dentro del dielectric0 cuando se expone a un campo extemamente aplicado. El hecho de que la capa SiO, es una capa aislante revela el siguiente hecho:
No existe conexibn eli!ctrica directa entre la terminal de la compuerta y el canal de
un MOSFET.
Adicionalmente:
Se debe a la capa aislnnte de SiO, del MOSFET explica la alta impedancia, muy
deseable, de entrada del dispositi;o.
De hecho. la resistencia de entrada de un MOSFET es a menudo igual a la del JFET
normal, aun cuando la impedancia de entrada de la mayoria de 10s JFET es lo suficientemente
alta para la mayoria de las aplicaciones. La muy alta impedancia de entrada continia soportando totalmente el hecho de que la corriente de la entrada ( I G ) es en esencia de cero amperes para
las confiyuraciones de polarization de dc.
El motivo de la etiqueta FET de metal-6xido-semiconductores ahora mucho mas obvia:
metal por las conexiones del drenaje, fuente y compuerta alas superficies adecuadas en particular. la terminal de la compuerta y el control que ofrece el area de la superficie de contacto,el
bxido por la capa aislante de dioxido de silicio y el semiconductor por la estmctura bisica
sobre la cual las regiones de tipo n y p se difunden. La capa aislante entre la compuerta y el
canal ha dado por resultado otro nombre para el dispositivo: FET de compuerra aislada o
IGFET (por las siglas en inglis de, Insulated Gate), aunque este nombre es cada vez menos
utilizado en la literatura actual.
0V
Y un voltaje aplicado Vm
canal-n.
En la figura 5.26, VGStiene un voltaje negativo tal como -1 V. El potencial negativo en la
entrada tendera a presionar a 10s electrones hacia el substrato de tipo p (cargas similares se
repelen) y atrae huecos del substrato de tipo p (cargas opuestas se atraen) como se muestra en
la figura 5.26. Dependiendo de la magnitud de la polarizaci6n negativa que aplica VG,, sucedera un nivel de recombination entre 10s electrones y 10s huecos que reducira el n6mero de
electrones libres disponibles para la conduction en el canal-n. Mientras mas negativa sea la
polarizaci6n. mis alta seri la tasa de recombinaci6n. El nivel resultante de comente de drenaje
es, por tanto, reducida con la polarizaci6n negativa creciente de VGScomo se muestra en la
figura 5.25 para VGS= -1 V, -2 V, y asi sucesivamente, hasta el nivel de estrechamiento de
-6 V. Los niveles resultantes de coniente de drenaje y la grrifica de la curva de transferencia se
conduce exactamente igual a la descrita para el JFET.
recombinaci6n
HU~COS
arraidos a1
potencial negativo
\
Electrones repelidor por
el porencial negativo en
la cornpuerta
F m 5.26 Reduction de
portadores libres en el canal
debido a un patencial negativo
en la terminal de la compuerta.
Para 10s valores positivos de V,, la entrada positiva atraera electrones adicionales (portadores libres) desde el substrato de tipop debido a la corriente de fuga inversa, y creara nuevos
portadores mediante la colision resultante entre las particulas en aceleracion. Mientras el voltaje compuerta-fuente sigue aumentando en la direcci6n positiva, la figura 5.25 indica que la
comente de drenaje se incrementari de manera acelerada debido alas razones listadas aniba.
Capitulo 5 Transistores de efecto de campo
EJEMPLO 53
Trace las caractensticas de transferencia para un MOSFET de tip0 decremental de canal-n con
I,=
10mAy V P = - 4 V .
En VGs = 0 V.
V,,
ID = lDSS
= 10 mA
= V, = 4 V .
I, = 0 mA
= 10 mA(1
+ 0.25)'
11
= 10 mA(1.5625)
15.63mA
VP
,,"
transferencia para
MOSFET de
tipo decremental de canal-n con
I,,s = I0 mA y V, = -4 V
235
V,,=+?
v,
v,
(b)
v
= +3
= +4 v
(c)
6 mA y V, = +6 V.
con valores negativos de VDS ID positiva como se indica (debido a que la direccion definida
ahora esta invertida) y VGScon las polatidades opuestas como se muestra en la figura 5 . 2 8 ~La
.
inversion en Vcs traera como resultado una imagen de espejo (con respecto al eje I,) para las
caractensticas de uansferencia como lo muestra la figura 5.28b. En otras palabras, la comente
de drenaje aumenta desde el cone en Vcs = V pen la region positiva de VtiS a IDss, y despues
cont,inua su crecimiento para valores negativos mayores de VGS.La ecuacion de Shockley
todavia se aplica, pero necesita s61o colocar el signo correct0 tanto para VGScomo para V , en
la ecuaci6n.
canal-n
canal-p
bs
(b)
14
I fucnuc
yosFETEEDE
BAJA
CANAL-N -AGOTAMIENTO
CARACTER~STICASELECTRICAS (T,= 25 "C a menoaque i e cipeclfique locontratio)
Cararteristica
Simbolo
Minimo
Tipo
11-
MA=-
CARACTERISTICAS "APAGADO"
Volraje de ruprura drenaje-fuente
(VGr= 7 . 0 V. ID = 5.0 @A)
Cornenre inreria de la campuena (1)
(V', = -10 V. V,, = 0)
20
'cis
25
(VGs=-10V.VD~=0.TA=150DC)
Vdc
",BRIDSX
2x3797
V~~i2prgldoi
2N3797
'oiio
2041
-5.0
.
2.0
2.9
-7 .O
I (I
CARACTERiSTICAS "ENCENDIDO"
lms
2N3797
14cnundidoi
= 10 V. VGSC + 3 5 V)
2N3797
9.0
14
18
CARACTERISTICASEN PEQUERA S E ~ A L
Admirancia de transferencia dlrecra
(V,, = 10 V. V,, r 0 . f = 1.0 kHz)
(V,, = 10 \'.VGl
r O.f
2N3797
1500
2N3797
1500
3$j
2300
= 1.0 kHz!
1 Yss 1
Admilancia de selida
(I,, = 10 V ,V, = 0 , f = 1.0 MHz)
233797
Capacimcla de ~ n t i a d a
~V,,=IO\i,V,,=O.f=l.OMHz)
Cm,s
2K3797
pmhos
yLI
cr*h
gmhmhor
60
27
8.0
6.0
0.5
38
0.8
CARACTERISTICAS FUNCIONALES
KF
Da~ordel w d o
(VDi = 10 V. V,, = 0, f = 1.0 kHz. R, = 3 rnrgohmi!
1 I) EICCvalor en ir conicn~c
lncjvlc
sondlcioncr rlcanrndar.
figura 5.30
lacorncnsc
di iunn
ilcz ET
-m
ir c~rricntedc fugr rlarlndr <on sl contasrodc prusba y susconer~oncssurnda rc mldc brjo 18s rncjores
MOSFET de t i p o d e c r e m e n t a l d e c a n a l - n
2N3797 d e M o t o r o l a .
ticas normales de "encendido" y "apagado". Ademas, ya que ID se puede extender mas alla del
normalmente se proporciona otro punto que refleja un valor tipico de 1, para
nivel de .,I
algun voltaje positivo (para un dispositivo de canal-n). Para la unidad de la figura 5.30,1Desta
= 9 mA dc con VD,= 10 V y VGs= 3.5 V.
especificado como ID,encendido)
La construcci6n basica del MOSFET de tipa incremental de canal-n se ofrece en la figura 5.3 1.
Una placa de material tipop se forma a partir de una base de silicio y una vez m b se le conoce
como substrato. De la misma forma que con el MOSFET de tipo decremental, el substrato
algunas veces se conecta a la terminal de la fuente, mientras que en otros casos hay disponible
una cuarta terminal para el control extemo de su nivel de potencial. Las terminales de la fuente
y drenaje se conectan una vez mas por medio de contactos metilicos a regiones dopadas n,
per0 se observa en la figura 5.31 la ausencia de un canal entre las dos regiones dopadas n. Esta
es la diferencia primaria entre la construcci6n de 10s MOSFET de tipo decremental y 10s de
tipo incremental: la ausencia de un canal como un componente constmido del dispositivo. La
capa de SiO, alin esta presente para aislar la plataforma metalica de la compuerta de la regi6n
entre el drenBje y la fuente, per0 ahora esta simplemente separada de una secci6n de material
de tip0 p. Por tanto, la constmccion de un MOSFET de tip0 incremental es bastante similar
a lade un MOSFET de tipo decremental,excepto por la ausencia de un canal enee las terminales
del drenaje y la fuente.
SiO,
D
P
hS
Re~i6n
dopadu-n
'
Re&&
dopada-n
Cdpa aislante
5.8
Cuando V se incrementa mis all2 del nivel de umbral, la densidad de 10s portadores
GS.
libre en el canal lnducido se incrementan, dando por resultado un nivel mayor de comente de
drenaje. Sin embargo, si se mantiene VGSconstante y s61o se aumenta el nivel de V,,, la col~ientede drenaje eventualmente alcanzara un nivel de saturacivn asi como ocurri6 al JFET y
al MOSFET de tipo decremental. La saturacivn de I, se debe a un proceso de estrechamiento
descrito por un canal mas angosto a1 final del drenaje del canal inducido. como se muestw en
la figura 5.33. A1 aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff a 10s voltajes de las terminales del
MOSFET de la figura 5.33, se encuentra que
Esrrechamiento (princlpioj
SiO,
Re~16n
dc a~a.orarnw.nto
de VGS.
Por tanto. es obvio que para un valor tijo de V T ,mientras mayor sea el nivel de V,,, mayor sera
el nivel de saturaci6n para V,,, como se muestra en la figura 5.33 por la localization de 10s
niveles de saturaci6n.
Capitulo 5 Transistores de efecto de c a m p
Una vez mas, es el ttrmino cuadritico que resulta de la relaci6n no lineal (curva) entre ID y
V,,. El tCnnino k es una constante que, a su vez, es una funci6n de la fahricaci6n del dispositivo. El valor de k se puede calcular a partir de la siguiente ecuaci6n [derivada de la ecuaci6n
(5.13)] donde ID ,ncend,o,
y V,,(cnccn",eu, son 10s valores de cada uno en un punto en particular
sobre las caractensticas del dispositivo.
La curva de transferencia de la figura 5.35 es bastante diferente de aquellas otras obtenidas. Ahora, el dispositivo de canal-n (inducido) esta totalmente en la regi6n de VGspositiva y
no aumenta hasta que VGS= VT.Surge entonces la pregunta sobre c6mo graficar las caracteristicas de transferenciadados 10s niveles de k y de V,, asicomo se incluye abajo para un MOSFET
en panicular:
I', = 0.5 x 10-j(V,,
-4
V)?
Lvcs
v.,
y se obtiene un punto en el plano, corno se muestra en la figura 5.36b. Por liltimo se eligen
niveles adicionales de VG, y se obtienen 10s niveles resultantes de I,. En particular, para
VGs = 6 V, 7 V y 8 Vel nivel de I D es 2 mA, 4.5 mA y 8 rnA respectivamente, como se
muestra en el diagrama resultante de la figura 5.36 c.
(a)
ic)
(b)
1O4A'V2.
canal-n
canal-p
(b)
VALORES ZOMINALES M ~ X I M O S
"(BRIUS).
'DIS
loss
2i
pAdc
k 0
pAdc
CARACTERISTICAS"ENCENDIDO'.
Voltair de umbra1 de ir cornpuena
(V,=
IOV.I,= lo*)
"os~T~,
V~s,~nccmd,d,,,
~ o m ~ e nde
t e drenqe
(V,,=
en encendido
10V.VDs= IOV)
1.0
L ~ , ~ ~ ~ ~ a ~ 3.0
e ~ , ,
.
CARACTERISTICAS EN PEQUEfiA SEII'AL
Admltancla de transferencia direcra
(V,, = 10 V. I,= 2.0 mA. i = 1.0 kHz)
Y . ~ :
1000
Caprcltnncla de enrrada
(V,,= i0V.V,,=O.f=
c , ~ ~
C , ~ ~
I40kHz)
,,,
c d ( w
Resirfencia drenajr-fuenle
(V,, = I0 V. I, r 0. f = 1.0 kHz)
.
r~Ilrnr.nilrdDl
'
ilil
1
7
I.;
300
CARACTERISTICAS DE COX~IUTACION
Retardo de encendhdo (tiguru 5)
Id8
(V,, = I0 \'dc)
If
'dl
t!
.
.
-
5.8
I00
ohma
EJEMPLO 5.4
a) Laecuacion (5.14):
k =
'~(encmdido)
(V~~(encendido)
- "GS(Th))'
3 mA
3mA
=-(IOV-3V)'
(7Vy
b)
La ecuacion (5.13):
1, = k(VGs
= 0.061 x
3xlk3
--
AIV'
49
V,)'
10-'(V,. - 3 V)'
Para VGS= 5 V,
conducci6n a travis de ella. Por tanto, es muy importante que se deje el papel de embarque (o
anillo) de cono circuito (o condueci6n) porque interconecta las terminales hasta que el dispositivo se va a insertar en el sistema. El anillo para corto circuito evita la posibilidad de aplicar
un ptencial a t m v b de dos tenninales cualquiera del dispositivo. Con el anillo la diferencia de potencial se mantiene en 0 V entre dos terminales cualquiera. POI lo menos, siempre se debe
hacer tierra para permitir la descarga de la estitica acumulada antes de manejar el dispositivo,
y siempre levantar el transistor por el encapsulado.
A menudo existen ciertos transitorios (cambios bmscos en el voltaje o la comente) en una
red cuando 10s elementos son retirados o insertados cuando se encuentra encendido. Los niveles
de transitorios con frecuencia pueden ser mayores de 10s que puede soportar el dispositivo; por
tanto, siempre se debe mantener apagado el sistema cuando se haga cualquier cambio en la red.
Normalmente se proporciona el voltaje compuena-fuente miximo en la lista de valores
nominales maximos del dispositivo. Un mitodo para asegurar que no se exceda este voltaje
(debido quiri a efectos transitorios) para cualquier polarizaciirn es mediante la introducci6n de
dos diodos Zener, como se muestra en la figura 5.41. Los diodos Zener estin situados uno
junto al otro para asegurar proteccion para cualquier polarizacion. Si ambos diodos Zener son
de 30 V y aparece un transitorio positivo de 40 V. el Zener inferior se "disparari" a 30 V y el
superior se encendera con una caida de cero volts (de forma ideal, para la region de "encendido" positiva de un diodo semiconductor) a waves del otro diodo. El resultado es un voltaje
maxim0 de 30 V de la compuena a la fuente. Una desventaja que se presenta con la proteccion
Zener consiste en que la resistencia de "apagado" de un diodo Zener es menor que la impedancia
de entrada'que se estableci6 por medio de la capa de SiO,. El resultado es una reduction de la
resistencia de entrada, per0 aun asi es lo suficientementeilta para la mayoria de las aplicaciones. La mayor pane de 10s dispositivos discretos tienen en la actualidad la protecci6n Zener de
tal forma que 10s cuidados anteriores no resultan tan problemiticos. Sin embarso, todavia es
mejor manejar con cautela 10s dispositivos MOSFET discretos.
5.10 VMOS
Una de las desventajas del MOSFET tipico consiste en 10s reducidos niveles de manejo de
potencia (por lo general, menos de 1 W) comparado con 10s transistores BIT. Se puede superar
esta carencia de un dispositivo con tantas caracteristicas positivas mediante un cambio en la
forma de construirlo de una naturaleza planar como la que se muestra en la figura 5.23, a una
con una estructura vertical como la que se seRala en la figura 5.42. Todos 10s elementos del
MOSFET planar estin presentes en el FET vertical de metal-6xido-silicio (VMOS) (por las iniciales en inglis de Verrical Meral-Oxide-Silicon),la conexion de la superficie metilica a las
terminales del dispositivo, la capa de SiO, entre la compuerta y la regi6n de t i p p que se
encuentra entre el drenaje y la fuente con ei objeto de crear el canal-n inducido (operaci6n en
Terminales de la fucnte
coneciadas de forma.extemu
- Lonsiiud efecriva
dei canal
+
D
0
[qi
I
I
I
i---
modo incremental). El ttrmino vertical se debe bbsicamente a1 hecho de que el canal se encuentra ahora formado en la direcci6n vertical, en vez de la direction horizontal para el dispositivo planar. Sin embargo, el canal de la figura 5.42 tambiin tiene la apariencia de un cone en
V en la base del semiconductor, que se destaca como caracteristica para la memorization
mental del nombre del dispositivo. La construccion de la fizura 5.42 es muy simple en naturaleza al eliminar algunos de 10s niveles de transition de dopado. per0 a su vez permite una
descripci6n de las facetas mas importantes de su operacion. .
La aplicaci6n de un voltaje positivo sobre el drenaje y de un voltaje negativo sobre la
fuente con la compuena en 0 V o en algun nivel positi~ode "encendida" tfpico, como el que se
muestra en la figura 5.42, dari por resultado el canal-n inducido en la region angosta de tip0 p
del dispositivo. Por tanto, se define la longitud del canal mediante la altura vertical de la regi6n
p , que puede ser mucho menor que el de un canal de construccion plano. Sobre un plano
horizontal, la longitud del canal esta limitada de 1 a 2 micrometros (pm) (1 pm = 10-6 m). Se
pueden controlar las capas de difusi6n (de la misma forma que la regi6np de la figura 5.42) en
pequefias fracciones de un micrometro. Dado que las longitudes decrecientes de canal dan
como resultado niveles reducidos de resistencia, el nivel de disipaci6n de potencia del dispositivo (potencia disipada en forma de calor) se reducira en 10s niveles de operacidn de corriente.
Ademas, el Area de contact0 entre la region n+ se incrementa mucho debido a la constmcci6n
vertical, lo que contribuye a una reduccidn mayor en el nivel de resistencia y a una Area mayor
para comente entre las capas dopadas. Tambiin existen dos trayectorias de conducci6n entre el
drenaje y la fuente para contrihuir a un mayor valor de coniente, como lo muestra la figura
5.42. El resultado net0 es un dispositivo con conientes de drenaje que pueden alcanzar niveles
de amperes con niveles de potencia que exceden 10s 10 W.
Por lo general:
5.1 1
CMOS
MOSFET dc canal*
MOSFET de canal-"
Como muestra la figura 5.44. un inversor es un arreglo complementario de uso muy efectivo. De la misma mailera que se present0 para 10s transistores de conmutacion, un inversor es
un elemento logic0 que "invierte" la sefial aplicada. Esto es, si 10s niveles Iogicos de operacion
son 0 V (estado 0) y 5 V (estado 11, un nivel de entrada de 0 V dari por resultado un nivel de 5 V
y viceversa. Se obsema en la figura 5.44 que ambas entradas estin conectadas a la sefial de
entrada y 10s dos drenajes a la salida Vo.La fuente del MOSFET de canal-p (Q,) esti conectada
directamente al voltaje aplicado Vss,mientras que la fuente del MOSFET de canal-n (Q,) esti
conectada a tierra. Para 10s niveles 16gicos definidos arriba, la aplicacion de 5 V en la entrada
deben dar por resultado una salida aproximada de 0 V. Con 5 V en Vi (respecto a la tierra). VGS
= V jy Q, esta "encendido", dando por resultado una resistencia muy baja entre el drenaje y la
fuente, como se muestra en la figura 5.45. Ya que V , y Vss estan en 5 V. VcS2= 0 V, lo cual es
menor que el V , necesario para el dispositivo y da poi resultado un estado "apagado". El nivel
de resistencia resultante entre el drenaje y la fuente es muy alto para Qz, como se muestra en la
figura 5 45. Una aplicacion simpie de la regla del divisor de voltaje indicari que Vo se encuentra muy cerca de 0 V o en el estado 0. estableciendo el procesc de inversi6n deseado. Para
un voltaje aplicado V j de 0 V (estado 0). Vo, = 0 V y Q, estari apagado con VSS.= -5 V.
encendiendo el MOSFET de canal-p. El resultado consiste en que Q, presentad unpequeiio
nivel de resistencia y Q, una gran resistencia y Vo = Vss = 5 V (el estado 1). Debido a que la
corriente de drenaje que fluye en cada caso e s t limitada por el transistor "apagado" en el valor
de fuga. la potencia que disipa el dispositivo en cada caso es muy bajo. En el capitulo 17 se
presentan mis comentarios sobre la aplicacion de 16gica CMOS.
p{
MOSFET
de canal-p
Q2
R2 (alto)
V,, =
(ertado 01
R , "55
---R, + R2
0 V (estado 0)
(estado 1 )
de canat-n
V, = 5
5.11 CMOS
250
J1
Y
nombre
JN
El formato es muy similar a1 que se usa para el transistor BJT. El nombre consiste de la
literal J, que es un designador para JFET, junto con el nlimero 1. Los nodos a 10s cuales se
conectan las terminales estan listados en el orden en que aparecen en el ejemplo anterior. Por
liltimo, se debe introducir el nombre del modelo con objeto de proporcionar una ubicacion que
definiri 10s parametros del JFET.
El siguiente es el formato para la description del modelo:
.MODEL
-A
Z D D S ~
PROBLEMAS
VGs= 0 V .
VGj=-I V .
VGj= -1.5 v.
V,, = -1.8 V .
VGs= 4 V .
V,,=4V.
8. En general, comente acercade lapolarizaci6n de 10s varios voltajes y la direccion de las comentes
para un JFET de canal-n contra un JFET de canal-p.
9 5.3
Caracteristicas de transferencia
= 6 mA y V , = 4 . 5 V :
a) Calcule I, cuando VGs= -2 V y -3.6 V.
b) Determine VG.cuando 1, = 3 mA y 5.5 mA.
15. Dado un punto Q en I,<> = 3 mA y V,, = -3 V. determine IDS, si V p= -6 V .
11. Dados I,
9 5.4
16. Defina la region de operacion del JFET 2N5457 de la figura 5.18 utilizando el rango proporcionado de I,, y V,. Esto es, dibuje la curva de transferencia definida por el IusS y V p mixirnos y la
curva de transferencia definida por el IDSS y V pminimos. Sefiale despues el Brea resultante entre las
dos curvas.
17. Defina la regi6n de operacion del JFET de la figura 5.46 si V,,m,,x = 25 V y Puma"= 120 mW.
18. Con el uso de las caracteristicas de la figura 5.2 I , determine 1, cuando VGS= -0.7 V y VDS= 10 V .
19. Al referirse a la figura 5.21, jse encuentran 10s valores de estrechamiento definidos por la rexi6n
v,,< v P = 3 V ?
20. Determine V ppara las caracteristicas de la figura 5.21 utilizando I,, e I, en algrin valor de V,,.
Esto es. solo sustituya en la ecuacibn de Shockley y resuelva para V p .Compare el resultado con el
valor supuesto de -3 V de las caracteristicas.
Problemas
21. Utilizando lD,,= 9 mAy V p= -3 V para las caracte"sticas de la figura 5.21, calcule I, cuando Vo =
-1 V usando la ecuacion de Shockley y comphela con el nivel que aparece en la figura 5.21.
22. a) Calcule la resistencia asociada con el JFET de la figura 5.21a para V,, = 0 V desde 1, = 0 mA
hasta 4 mA.
b) Repita el inciso a para V,, = 4 . 5 V desde ID = 0 mA hasta 3 mA.
c) Al asignar el nombre r,, al resultado del inciso a y r,, al resultado del inciso b. utilice la
ecuacion (5.1) para determinar rd y comp&elo con el resultado del inciso b .
3 5.8
GI
38. iAumenta laconiente de un MOSFET de tipo incremental en la misma proporcion que un MOSFET
de tipo decremental en la region de conduccih? Revise con cuidado el formato general de las
ecuaciones, y si sus conocimientos en matematicas abarcan el cilculo diferencial, calcule dl,/
dCiGs y compare sus magnitudes.
39. Trace las caracteristicas de transferencia de un MOSFET de tipo incremental de canal-p si VT=
-5 V y k = 0.45 x 10-3 AIV2.
40. Dibuje la curva de I,= 0.5 x 10-3 ( P C &el, = 0.5 x
(VcS-4)?para VGSdesde0 a 10 V. iTiene
un impact0 significative V,.= 4 V sobre el nivel de I, en esta regibn?
5.10
VMOS
41. a) Describa con sus propias palabras por quC el FET VMOS resiste unos valores mayores de
comente y potencia que la ttcnica estandar de consm~cci6n.
b) ~ P oqut
r 10s FET VMOS tienen niveles reducidos de resistencia del canal?
c) iPor quC se desea un coeficiente positivo de tempaatura?
5.11
CMOS
* 42.
a) Describa con sus propias palabras la operation de la red de la figura 5.44 con V; = 0 V.
b) Si el MOSFET "encendido" de la figura 5.44 (con V, = 0 V) tiene una comente de drenaje de
4 mA con VDs = 0.1 V, icuil es el nivel aproximado de resistencia dei dispositivo? Si I , =
0.5 &4 para el transistor "apagado", jcud es la resistencia aproximada del dispositivo? iSugieren 10s niveles de resistencia que suceded el nivel deseado de voltaje de salida?
43. Investigue en su biblioteca escolar la l6gicaCMOS y describa el rango de operaciones y de ventajas basicas de esta tecnologia.
--
--
- --
* L Oastenscas
~
indican problemas mas dificiles.
Problemas
En el capitulo 5 se estudi6 que para una configuration de transistor de silicio se pueden obtener 10s niveles de polarizacion al utilizar las ecuaciones caractensticas V,, = 0.7 V, I , = p,, e
I, z I,. La relacion entre las variables de entrada y de salida la proporciona p. la cual asumi6
una magnitud fija para el anilisis que se llev6 a cabo. El hecho de que beta sea una constante
establece una relacion lineal entre I c e I,. El duplicar el valor de I B duplicari el nivel de I,. y
as<sucesivamente.
Para el transistor de efecto de campo la relaci6n entre las cantidades de entrada y de salida
es no lineal, debido a1 ttrmino cuadritico en la ecuaci6n de Shockley. Las relaciones lineales
resultan en lineas rectas cuando se dibujan en una grifica de una variable en funcion de la otra,
mientras que las relaciones no lineales dan por resultado curvas como las que se obtuvieron
para las caractensticas de transferencia de un J F E T La relacion no lineal entre ID y Vm puede
complicar el mitodo matematico del milisis de dc de las configuraciones a FET. Una soluci6n
grafica limita las soluciones a una precision de dicimas. per0 resulta un metodo mBs rapido
para la mayoria de 10s amplificadores. Debido a que el sistema grBfico es por lo general el mas
comun, el analisis de este capitulo tendri una orientacion m i s grifica en vez de ticnicas matematicas directas.
Otra diferencia distintiva entre el anilisis de los transistores BJT y FET es que la variable
de entrada que controla un transistor BJT es el nivel de la corriente, mientras que para el FET
la variable de control es un voltaje. Sin embargo, en ambos casos la variable de salida controlada es un nivel de corriente que tambien define 10s niveles importantes de voltaje del circuit0
de salida.
Las relaciones generales que pueden aplicarse al anilisis en dc de todos los amplificadores
a FET son
La caida de cero volts a traves de RG permite reemplazar V, por un corto circuit0 equivalente,
como el que aparece en la red de la figura 6.2 redibujado de manera especifica para el anilisis
en dc.
en dc.
257
v,,
m
=
-v,
Debido a que VGG,?suna fuente fija de dc, el voltaje V es de una magnitud fija, lo que da por
6s
resultado la notacion "configuraci6n de polarizaci6n fija".
Ahora, el nivel resultante de coniente de drenaje I, lo controla la ecuacidn de Shockley:
Ya que VGSresulta una cantidad fija para esta configuracidn, su magnitud y signo pueden
sustituirse con facilidad en la ecuacion de Shockley, ademas de calcular el nivel resultante de
V,. Este es uno de 10s pocos casos en que una solucion matematica es muy directa para una
configuracion a FET.
En la figura 6.3 se rnuestra un anilisis grafico que huhiera requerido una grafica de la
ecuacidn de Shockley. Es importante recordar que la elecci6n de VGs = V, 12 dara por resultado una coniente de drenaje de IDss 14 cuando se grafique la ecuacidn. Para el analisis de este
capitulo seran suficientes 10s tres puntos definidos por I,,, Vp y la interseccidn reciCu descrita
con objeto de graficar la curva.
"P
-
"P
"m
de Shockiey
En la figura 6.4 se ha sobrepuesto el nivel fijo de V,, como una linea vertical en V, =
-V,,.
En cualquier punto de la linea vertical el nivel de VGSes de -VFG; el nivel de I, simplemente debe estar determinado en esta linea vertical. El punto donde se intersecan ambas curvas
II
"P
El voltaje del drenaje a la fuente de la secci6n de salida puede calcularse si se aplica la ley
de voltaje de Kirchhoff de la siguiente manera:
Recuerde que 10s voltajes de un solo subindice se refieren a1 voltaje en un punto respecto a la
tierra. Para la configuration de la fipura 6.2.
Ademas,
v,,
VG = VGS + Vs = VGS + 0 v
v, - v,
El hecho de que VD= VDSy que VG= VGSparece obvio a partir del hecho de que V - 0 V,
s,per0 tambiin se incluyeron las derivaciones anteriores con objeto de enfatizar la relaclon que
existe entre la notaci6n de doble subindice y de un solo subindice. Ya que la configuraci6n
necesitap dos fuentes de dc, su empleo esta limitado, y no podra incluirse en la siguiente lista
de configuhaciones FET m b comunes.
6.2 Configuracibn de polarizaci6n fija
--
EJEMPLO 6.1
- - --
Metodo matematico:
a) VGSp= -VGG = -2 V
b) I,, o =
IDssc 2)'
-
= I0 mA(-
G)'
Metodo grafico: La curva de Shockley resultante y la linea vertical en V,, = -2 V se proporcionan en la figura 6.7. Es verdad que es dificil leer m i s allh del segundo decimal sin aumentar
vp=-8v
vp
= -4 v
2
vcs, = -vGG
-2
= -2 V
= 5.6 mA
= VDI1- IDRD= 1 6 V - ( 5 . 6 m ~ ) ( Z k R j
= 16V - 11.2V = 4 S V
V , = V,, = 4 S V
VG = VGS = -2 V
b)
I,
C)
V;
dj
e)
-I/GG
n vs = o v
Los resultados confirman con claridad el hecho de que 10s sistemas matematico y grafico
generan solucionesmuy cercanas.
~~~~
~~~~
rqs
-
c%
Para el anaisis en dc 10s capacitores pueden reemplazarse una vez m8s por "circuitos
abiertos", y el resistor RG puede carnbiarse por un con0 circuit0 equivalente dado que IG = 0 A.
El resultado es la red de la figura 6.9 para el analisis en dc.
La comente a traves de Rs es la coniente de la fuente Is, pero IS = ID y
'R,
-vGS y
VRS= 0
'6s =
-'RS
En este caso podemos ver que VGSes una funcion de la comente de salida ID, y no fija en
magnitud, como ocumo para la configuraci6n de polarization fija.
A1 desarrollar el tkrmino cuadratico que se indica y al reorganizar 10s terminos, puede lograrse
una ecuaci6n de la siguiente forma:
"A;
- - - -
"'s=;",l
'
G
I
D = O A (" c s = - l $ s ~
luego
El resultado es un segundo punto con el objeto de dibujar la linea recta como se muesua en la
figura 6.11. Luego se dibuja la linea recta por medio de la ecuaci6n (6.10) y se obtiene el punto
Capitulo 6 Polarizacibn del FET
' ~ ~ 8 s
%=-I
estable en la interseccidn de la linea recta y la c w a caractenstica del dispositivo. Los valores estables de I, y de VcS pueden determinarse y utilizarse para encontrar las otras cantidades de
interes.
Puede calcularse el valor de Vm si aplicamos la ley de voltaje de Kirchhoff a1 circuit0 de
salida, lo que da por resultado
---
EJEMPLO 62
a)
-I$s
-7
',.
0 V. l o = 0 mA
-8
-7
-6 -5 -4
-3 -2 -1
10
VmCV)
b) En el punto estable:
IDc = 2.6 mA
C)
3.3 ki2)
= 8.82 V
d) Laecuacion (6.12):
Vr = l,Jis
= (2.6 mA)(1 k R )
= 2.6 V
e) La ecuacion (6.13):
f) La ecuaci6n (6.11):
o
VG = 0 V
Vo = VDs + Vs = 8.82 V + 2.6 V = 11.42 V
'J, = V, - I,R, = 20 V - (2.6 mA)(3.3 kR) = 11.42V
a)
En el eje de I,.
De la ecuacion (6.10).
VGso
= -0.64
h) En el eje de VGS
VGso G 4 . 6 V
De la ecuacion (6.10).
Podemos observar como 10s niveles mas bajos de R, acercan la recta de carg-a de la red
hacia el eje I,, mientras que 10s niveles m b altos de Rs acercan la recta de carga de la red hacia
el eje VGs
6.3 Configuraci611de autopolarizacion
EJEMPLO 6 3
EJEMPLO 6.4
F i p 6.17
Ejemplo 6.4.
equivale te de dc de la red
delaarg!if
6.17.
VP
VcsQ'
-2.6 V
-2.6 V
b) De la figura 6.19.
6.4
267
lentes con objeto de pemitir una separation mayor de las regiones de entrada y salida de la
red. Debido a que I, = 0 A, la ley de comente de Kirchhoff requiere que IR, = IR, y que el circuito equivalente en sene que aparece a la izquierda de la figura pueda utilizarse para encontrar el nivel de VG. El voltaje VG, igual que el voltaje a travis de R,,puede encontrarse si se
utiliza la regla del divisor de voltaje de la siguiente manera:
El resultado es una ecuacion que todavia incluye las mismas dos variables que aparecen
en la ecuacion de Shockley: VGs e I,. Las cantidades V , y Rsestan fijas par la constmcci6n de
la red. La ecuacion (6.16) es aun la ecuaci6n para una linea recta, per0 el origen ya no es un
punto de la recta. No es dificil el procedimiento para dibujar la ecuaci6n (6.16) si se procede
como se indica a continuaci6n. Debido a que cualquier linea recta requiere la definici6n de dos
puntos, primer0 esti el hecho de que en cualquier punro a lo largo del eje horizontal de la
figura 6.22 la comente ID = 0 mA. Entonces, si se selecciona ID para ser igual a 0 mA, en
esencia se est6 estableciendo en algdn lugar sobre el eje horizontal. Puede calcularse la localizacion exacta mediante la simple sustitucion de ID = 0 mA en la ecuaci6n (6.16) y encantrando
el valor resultante de V,, de la siguiente manera:
El resultado especifica que siempre que se grafique la ecuacion (6.16). en caso de haber seleccionado ID = 0 mA, el valor de VGxpara el dibujo sera de V , volts. El punto que se acaba de
determinar aparece en la figura 6.22.
figura 6.22 Trazo de la ecuaci6n de la red para la configuration mediante divisor de voltaje