(Ortiz) Eletrônica de Potência (2000)

Apresentao ii
Eletrnica de Potncia Andrs Ortiz Salazar / Leonardo Wayland Torres Silva

Apresentao

Este texto foi elaborado como referncia para a disciplina Eletrnica de
Potncia ministrada no curso de graduao em Engenharia Eltrica da
Universidade Federal do Rio Grande do Norte. Foi empregada uma anlise
simples e concisa dos fundamentos da Eletrnica de Potncia, observando
tambm suas evolues e novas tendncias.

Inicialmente, feita uma introduo ao contedo, trazendo conceitos,
definies, termos, dispositivos, esquemas, formulaes e grficos, que sero
empregados no decorrer do assunto, sendo, tambm, considerados uma breve
evoluo histrica e aplicaes prticas da Eletrnica de Potncia, a fim de
situ-la no seu contexto atual. Alm disso, realizado um estudo sucinto da
Fsica envolvida nos dispositivos semicondutores de potncia.

Em seguida, so abordados os dispositivos semicondutores de potncia
mais comumente utilizados, observando suas camadas semicondutoras
(dopagem), modelos equivalentes, curvas caractersticas, propriedades de
disparo e chaveamento, tipos, ligaes e aplicaes.

Posteriormente, so analisados os circuitos conversores empregados, em
Eletrnica de Potncia, para controlar ou condicionar a energia eltrica, atravs
da converso de potncia eltrica. Dentre estes circuitos, so analisados os
retificadores controlados e no-controlados, os choppers e os inversores, cada
qual tratado em um captulo, de forma a permitir uma anlise mais simples e
detalhada destes conversores.

Por fim, tem-se os Apndices, que visam permitir um maior
aprofundamento do contedo, atravs de tpicos mais especficos e detalhados,
os quais foram omitidos, durante o desenvolvimento dos captulos, com o
propsito de tornar o estudo mais claro e objetivo.

As referncias bibliogrficas, tratadas ao final, oferecem condies de um
maior desenvolvimento em assuntos de carter especfico, a cerca daqueles
apresentados. Ainda, vale a pena salientar que este trabalho uma coletnea de
assuntos fundamentais relacionados Eletrnica de Potncia, sendo alguns
desenvolvidos, acrescentados e aperfeioados, para fornecer melhor nfase e
didtica ao contedo, e outros transcritos da bibliografia citada, para no
perder em qualidade e no descaracterizar a escrita do autor.

Alm disso, este material deve sofrer freqentes atualizaes e possveis
correes, em virtude da constante evoluo tecnolgica observada no campo
da Eletrnica de Potncia e de eventuais erros cometidos no prprio texto, pelos
quais, desde j, pedimos a colaborao de todos os leitores, informando sobre as
falhas detectadas.
ndice iii
Eletrnica de Potncia Andrs Ortiz Salazar
ndice

Captulo 1 Introduo Eletrnica de Potncia .....................................1
1.1. Introduo..............................................................................................................1
1.2. Evoluo Histrica................................................................................................2
1.3. Fsica dos Semicondutores ..................................................................................3
1.4. Dispositivos Semicondutores de Potncia ........................................................5
1.5. Efeitos da Converso de Potncia ....................................................................12
1.6. Tipos de Circuitos ...............................................................................................13
1.7. Aplicaes ............................................................................................................16
1.8. Projetos de Equipamentos .................................................................................17

Captulo 2 Dispositivos Semicondutores de Potncia ......................18
2.1. Introduo............................................................................................................18
2.2. Diodos de Potncia .............................................................................................18
2.2.1. Generalidades.......................................................................................................18
2.2.2. Aspectos Contrutivos ............................................................................................19
2.2.3. Caractersticas de Operao ...................................................................................19
2.2.4. Tipos ....................................................................................................................25
2.2.5. Ligaes ...............................................................................................................26
2.3. Tiristores...............................................................................................................28
2.4. Transistores..........................................................................................................34
2.4.1. Transistor de Juno Bipolar ..................................................................................35
2.4.2. Mosfet de Potncia ................................................................................................39

Captulo 3 Retificadores No-Controlados ............................................43
3.1. Introduo............................................................................................................43
3.2. Circuitos Bsicos ................................................................................................. 43
3.3. Anlises de Retificadores...................................................................................45
3.3.1. Retificador Monofsico de Meia-Onda com Carga Resistiva .....................................45
3.3.2. Retificador Monofsico de Meia-Onda com Carga RL..............................................48
3.3.3. Retificador Monofsico com Carga RL e Fora Eletromotriz .....................................53
3.3.4. Retificador Monofsico de Meia-Onda com Carga RC..............................................56
3.3.5. Retificador Monofsico de Meia-Onda com Carga LC..............................................57
3.3.6. Circuito Inversor de Carga do Capacitor .................................................................57
3.3.7. Retificador Monofsico de Onda Completa Tipo Ponte ............................................58
ndice iv
3.3.8. Retificador Multifsico ..........................................................................................59
3.3.7. Retificador Trifsico Tipo Ponte .............................................................................59

Captulo 4 Retificadores Controlados.......................................................61
4.1. Introduo............................................................................................................61
4.2. Princpio de Operao........................................................................................61
4.3. Retificadores Controlados Monofsicos .......................................................... 63
4.3.1. Retificador Semicontrolado....................................................................................63
4.3.2. Retificador Totalmente Controlado.........................................................................64
4.3.3. Retificador Duplamente Controlado .......................................................................65
4.3.4. Retificadores Controlados Monofsicos em Srie .....................................................66
4.4. Retificadores Controlados Monofsicos .......................................................... 69
4.4.1. Retificador Semicontrolado....................................................................................69
4.4.2. Retificador Totalmente Controlado.........................................................................70
4.4.3. Retificador Duplamente Controlado .......................................................................71
4.5. Consideraes Sobre Projetos de Retificadores .............................................71

Captulo 5 Choppers..........................................................................................73
5.1. Introduo............................................................................................................73
5.3. Conversor Buck (Redutor de Tenso ou Step-Down) ................................... 74
5.4. Conversor Boost (Elevador de Tenso ou Step-Up) ......................................76
5.5. Conversor Buck-Boost (Fly-back).....................................................................78
5.6. Conversor Cuk ....................................................................................................80
5.7. Conversor Tipo Ponte ........................................................................................ 81

Captulo 6 Inversores ........................................................................................84
6.1. Introduo............................................................................................................84
6.3. Inversor Monofsico em Ponte .........................................................................87
6.4. Inversor Trifsico ................................................................................................88
6.5. Inversor Trifsico em Ponte ..............................................................................89
6.6. Inversor de Fonte de Corrente (IFC) ................................................................91
6.7. Controle de Tenso de Inversores Monofsicos.............................................93

CAPITULO 7 APLICAO A FONTE DE ALIMENTAO...98
7.1. Introduo........................................................................................................... 98
7.2. Fontes Chaveadas vs Fontes Lineares ............................................................. 99
ndice v
7.3. Conversor CC-CC com ISOLAMENTO ELETRICO..................................... 99
7.4. CONVERSOR FLYBACK..................................................................................99
7.5. CONVERSOR FORWARD (derivado do step-down) ................................ 100
7.6. CONVERSORES CC-CC BIDIRECCIONAIS .............................................. 103
7.7. CONTROLE DE UMA FONTE CHAVEADA CC. .........................................105
7.8 FONTES DE ALIMENTAO C.A..................................................................107
Captulo 1 Introduo Eletrnica de Potncia 1
Captulo 1 Introduo Eletrnica de Potncia

1.1. Introduo

A Eletrnica de Potncia pode ser definida como a rea da Tcnica onde os
dispositivos semicondutores so usados em: converso, controle, chaveamento
e processamento da energia eltrica. Desta maneira, a tarefa da Eletrnica de
Potncia oferecer o tratamento adequado ao fluxo de potncia eltrica, atravs
da modelagem das fontes de energia eltrica e dos circuitos conversores,
usando dispositivos semicondutores de potncia.

Basicamente, existem trs reas que interagem nas aplicaes da Eletrnica
de Potncia, a saber: Equipamentos de potncia, estticos ou rotativos;
Eletrnica, com dispositivos e/ ou circuitos; Controle, analgico ou digital
(Figura 1-1). Assim, o projeto de circuitos de Eletrnica de Potncia requer o
desenvolvimento dos circuitos de potncia e de controle, sendo este ltimo de
vital importncia, visto que, alm de definir e monitorar a converso, tambm
reduz as tenses e correntes harmnicas geradas pelos conversores de energia.

Figura 1-1 reas que interagem em aplicaes da Eletrnica de Potncia.

O potencial de aplicaes da Eletrnica de Potncia torna-se cada vez mais
amplo, medida que so desenvolvidas novas tecnologias, para dispositivos
semicondutores de potncia e circuitos integrados. Dispositivos de potncia,
para chaveamento rpido, so desenvolvidos com limites de tenso e corrente
cada vez maiores. Tais dispositivos, juntamente com a aplicao de
microprocessadores modernos, na sintetizao da estratgia de controle, esto
permitindo alcanar maiores especificaes de converso. Alm disso, outro
fator importante, para essa crescente evoluo, a disponibilidade comercial de
um grande nmero destes dispositivos semicondutores de potncia.
1.2. Evoluo Histrica

Ocorreram grandes avanos nos dispositivos semicondutores de potncia,
desde o primeiro tiristor. At 1970, os tiristores convencionais eram usados
apenas no controle de potncia de aplicaes industriais. A partir da, vrios
tipos de dispositivos semicondutores de potncia foram desenvolvidos e
disponibilizados comercialmente. Toda esta evoluo histrica da Eletrnica de
Potncia (mostrada cronologicamente na Figura 1-2) teve incio em 1900, com o
retificador a arco de mercrio e continuou, gradativamente, com a introduo
de vrios outros dispositivos, tais como: o retificador de tanque metlico, o
retificador em tubo a vcuo de grade controlada, o ignitron e o tiratron.

Figura 1-2 Evoluo histrica da Eletrnica de Potncia.

Com inveno do transistor de silcio, em 1948, por Bardeen, Brattain e
Schockley da Bell Telephone Laboratories, aconteceu a primeira revoluo da
Eletrnica. Fato este que deu origem maioria das tecnologias da Eletrnica
avanada de hoje. A evoluo da Microeletrnica moderna se deu a partir da
destes semicondutores de silcio. Em 1956, foi realizada, tambm pela Bell
Telephone Laboratories, a prxima grande descoberta, a inveno do transistor
disparvel PNPN, denominado de tiristor ou retificador controlado de silcio
(do ingls silicon-controlled rectifier SCR).

O desenvolvimento do tiristor comercial, em 1958, pela General Electric
Company, deu incio a segunda revoluo da Eletrnica, o que originou
diferentes tipos de dispositivos semicondutores de potncia e tcnicas de
converso, possibilitando a capacidade de determinar e controlar a forma de
enormes quantidades de potncia, de maneira eficaz, revolucionando a
Eletrnica de Potncia. Esta evoluo permitiu, tambm, a revoluo da
Microinformtica, atravs do desenvolvimento do processamento de
informaes, em grandes quantidades e velocidades.
Neste contexto, houve uma unio entre os ramos da Eletrnica de Potncia
e da Microeletrnica, fato que ampliou, de forma significativa, os seus
potenciais de aplicaes. Esta tendncia deve continuar, de maneira que, nos
prximos anos, a energia eltrica, em algum ponto de sua transmisso, estar
sujeita Eletrnica de Potncia.

1.3. Fsica dos Semicondutores

O fluxo de corrente eltrica, em um meio, depende da aplicao de um
campo eltrico e da existncia de portadores livres (usualmente, eltrons), neste
meio. Nos metais, a densidade de portadores livres alta (da ordem de
10
23
/ cm
3
), enquanto, nos materiais isolantes, o valor baixo (em torno de
10
3
/ cm
3
). J, nos semicondutores, h densidades intermedirias (na faixa de 10
8
a 10
19
/ cm
3
). Tais densidades, nos condutores e isolantes, so propriedades dos
materiais, enquanto, nos semicondutores, podem ser variadas pela adio de
outros materiais (impurezas), ou, pela aplicao de campos eltricos.

Isto ocorre pelo fato dos tomos (Carbono, Silcio, Germnio etc.), ou
molculas de mesma propriedade, dos materiais semicondutores possurem
quatro eltrons na ltima camada, permitindo o estabelecimento de ligaes
muito estveis, atravs do compartilhamento dos eltrons externos, por tomos
vizinhos (ligao covalente), criando um arranjo com oito eltrons na camada
de valncia (Figura 1-3).

Figura 1-3 Estrutura cristalina de um material semicondutor.

A ionizao trmica destes materiais, isto , a quebra de ligaes, criando
eltrons livres, ocorre em temperaturas acima do zero absoluto (273 C). O
tomo que perde eltrons se torna positivo. Enquanto isso, eventualmente,
eltrons tambm escapam de outras ligaes e, atrados pela carga positiva do
tomo, preenchem a ligao covalente. Desta forma, h uma movimentao
relativa da carga positiva, denominada de lacuna, devido ao deslocamento dos
eltrons de suas ligaes covalentes, para ocupar outras. Assim, a ionizao
trmica gera o mesmo nmero de eltrons e lacunas (Figura 1-4).

Figura 1-4 Movimentao de eltrons e lacunas no semicondutor.

Assim sendo, quando se faz a dopagem, ou seja, adio de tomos de
materiais, que possuam trs (Alumnio ou Boro) ou cinco (Fsforo) eltrons na
camada de valncia, estrutura dos semicondutores, os tomos vizinhos a estas
impurezas tero suas ligaes covalentes com falta ou excesso de eltrons (Figura
1.5). Neste caso, no h mais equilbrio, existindo excesso de eltrons livres, nos
materiais dopados com elementos de cinco eltrons, na camada de valncia
(semicondutores tipo N), ou de lacunas, caso a dopagem seja com elementos de
trs eltrons (semicondutores tipo P). Contudo, o material permanece
eletricamente neutro, j que a quantidade total de eltrons e prtons a mesma.

Figura 1-5 Dopagem de semicondutores.

A movimentao de lacunas, no material tipo P, ocorre quando uma
destas captura um eltron livre, de modo que as lacunas so denominadas de
portadores majoritrios e os eltrons de portadores minoritrios. J, no material
tipo N, a movimentao do eltron excedente ioniza o tomo e este, ento,
captura outro eltron livre, sendo os eltrons os portadores majoritrios e as
lacunas, os minoritrios.

A dopagem de impurezas (menor ou igual a 10
19
/ cm
3
) feita, tipicamente,
em nveis muito menores que a densidade de tomos do material semicondutor
(10
23
/ cm
3
), de modo que as propriedades de ionizao trmica no sejam
afetadas. Alm disso, a concentrao de impurezas muitas ordens de
grandeza superior densidade de portadores gerados por efeito trmico
(10
10
/ cm
3
, para o Si, temperatura ambiente), tornando as densidades de
lacunas e eltrons (embora diferentes entre si, neste caso) iguais,
respectivamente, s densidades de impurezas aceitadoras e doadoras de eltrons.
Quando um campo eltrico for aplicado a um material semicondutor, as
lacunas se movimentaro no sentido do campo decrescente, enquanto os
eltrons seguiro em sentido oposto. Esta corrente funo de um parmetro
denominado mobilidade, que depende do material, do tipo de portador e, em
geral, diminui com o quadrado do aumento da temperatura. Outro fator
determinante da movimentao de portadores a difuso, que ocorre quando h
regies adjacentes com diferentes concentraes. O movimento aleatrio dos
portadores tende a equalizar essa disperso no meio, atravs da migrao de
portadores das regies mais concentradas, para as mais dispersas.

1.4. Dispositivos Semicondutores de Potncia

Os dispositivos semicondutores de potncia tm sofrido grandes
evolues tecnolgicas e se tornado cada vez mais comuns comercialmente.
Durante a anlise de circuitos, comum considerar estes dispositivos como
sendo ideais, isto , atendendo as seguintes condies:

a. Tm uma queda de tenso nula, no estado de conduo;
b. Suportam tenses infinitas, no estado desligado;
c. Admitem correntes diretas infinitas;
d. Apresentam correntes reversas nulas;
e. Possuem uma velocidade de chaveamento infinita;

A Figura 1-6 mostra a distribuio de valores de tenso de bloqueio, corrente de
conduo e freqncia de comutao, para alguns dispositivos semicondutores.

Figura 1-6 Valores de operao de dispositivos semicondutores de potncia.

Em geral, tais dispositivos podem ser divididos em seis tipos: diodos de
potncia; tiristores; transistores de juno bipolares (BJTs); MOSFETs de
potncia; transistores bipolares de porta isolada (IGBTs); e, transistores de
induo esttica (SITs). Os tiristores ainda podem ser subdivididos em tiristores
de comutao natural (pela rede) ou forada. Os tipos mais comuns de tiristores
so: controlado de silcio (SCR); induo esttica (SITH); desligamento pelo
gatilho (GTO); controlado por MOS (MCT); conduo em ambos os sentidos
(TRIAC); controlado de silcio ativado por luz (LASCR); conduo reversa
(RCT); e, desligamento auxiliado pelo gatilho (GATT). O Quadro 1-1 mostra as
curvas caractersticas e os smbolos de alguns destes dispositivos, os quais so
tratados, de forma sucinta, a seguir, sendo feita uma anlise mais profunda no
Capitulo 2 (Dispositivos Semicondutores de Potncia), deste trabalho.

DISPOSITIVOS SMBOLOS CURVAS CARACTERSTICAS
Diodo

SCR

SITH

GTO

MCT

TRIAC

Tiristor
LASCR

BJT

MOSFET

IGBT

SIT

Quadro 1-1 Caractersticas e smbolos de alguns dispositivos semicondutores de potncia.

Os diodos de potncia, mostrados na Figura 1-7, tal qual os diodos de
circuitos eletrnicos de baixa potncia, possuem dois terminais: um catodo e
um anodo. Eles conduzem quando a tenso de anodo for maior que a de
catodo, sendo a queda de tenso direta muito baixa (tipicamente de 0,5 a 1,2 V).
Se a tenso de anodo for menor que a tenso de catodo, o diodo no conduz,
ficando no denominado modo de bloqueio. Os diodos de potncia so divididos
em trs tipos:
a. Genricos, fornecidos com faixas que podem ir at 5 kV, 5 kA e tempo de
recuperao reversa variando entre 0,1 e 5 s;
b. Alta velocidade, com faixas chegando at 3 kV, 1 kA e tempo de
recuperao reversa de 0,1 a 5 s, sendo essenciais no chaveamento, em alta
freqncia, dos conversores de potncia;
c. Schottky, com valores nominais limitados a 40 V, 60A e tempo de
recuperao bastante pequeno, possuindo uma baixa queda de tenso, em
sentido direto, e uma corrente de fuga que aumenta com a faixa de tenso.

Figura 1-7 Configuraes de diodos de potncia.

Os tiristores tm trs terminais: anodo, catodo e gatilho. Estes dispositivos
conduzem quando o potencial do anodo superior ao do catodo e uma
pequena corrente passa do terminal do gatilho para o do catodo, apresentando
uma a queda de tenso direta muito pequena (normalmente de 0,5 e 2 V). Uma
vez no modo de conduo, o circuito do gatilho no tem mais controle sobre o
tiristor, o qual continua a conduzir. Para desligar o tiristor em conduo,
necessrio tornar o potencial do anodo igual ou inferior ao do catodo, sendo o
tempo de desligamento definido como o intervalo entre o instante em que a
corrente principal (de anodo para catodo) diminuda a zero e o instante em
que o tiristor capaz de suportar uma tenso principal especfica, sem ligar
novamente. Os tiristores se dividem em dois tipos:

a. Tiristores de comutao forada: desligados por um circuito extra, chamado
circuito de comutao;
b. Tiristores de comutao natural (ou pela rede): desligados devido
natureza senoidal da tenso de entrada.

Valores nominais fornecidos para os tiristores vo at 5 kV, 5 kA e o tempo de
desligamento de tiristores de bloqueio reverso de alta velocidade chega a ser de
10 a 20 s. A Figura 1-8 apresenta vrias configuraes de tiristores.

Figura 1-8 Configuraes de tiristores.

Os SITHs e os GTOs so tiristores autodesligveis, isto , no necessitam
de circuitos de comutao, mas no dependem, exclusivamente, da rede, para
serem desligados. Estes componentes so comandados pela aplicao, ao
gatilho, de curtos pulsos, positivos, para lig-los, e negativos, para deslig-los.
Os SITHs so fornecidos em at 4 kV, 2,2 kA, sendo usados em conversores de
alta potncia, com freqncias de dezenas de kHz e bem maiores que a faixa de
freqncia dos GTOs, os quais possuem valores nominais de at 4,5 kV, 3 kA,
tambm sendo atrativos para a comutao forada de conversores. Os MCTs
so ligados por um pequeno pulso de tenso negativa, em relao ao anodo, na
porta MOS, e desligados por outro pulso, s que positivo. Possuem um alto
ganho de desligamento e esto disponveis em at 600 V, 60 A.

Os TRIACs so amplamente utilizados em aplicaes de corrente
alternada de baixa potncia, como o controle simples de aquecimento,
iluminao, mquinas eltricas e chaves. As caractersticas dos TRIACs so
semelhantes aquelas de dois tiristores conectados em antiparalelo, tendo apenas
um terminal de gatilho, de maneira que a corrente, que flui atravs do TRIAC,
pode ser controlada em ambos os sentidos.

Para sistemas de potncia em alta tenso, apropriado o uso de tiristores
ativados por luz (LASCRs), encontrados em at 6 kV, 1,5 kA, com velocidades
de chaveamento de 200 a 400 s. Alm dos tipos de tiristores citados no Quadro
1-1, tambm merecem destaque os RCTs e os GATTs, por serem amplamente
usados no chaveamento, em altas velocidades. Os RCTs so similares a um
tiristor e um diodo ligados em antiparalelo, sendo oferecidos em at 2,5 kV, 1
kA, com uma velocidade de chaveamento de 40 s. Os GATTs esto disponveis
em at 1,2 kV, 0,4 kA, com um tempo de chaveamento igual a 8 s.

Normalmente usados em conversores, com freqncias menores que 10
kHz, os transistores bipolares (BJTs) de alta potncia, assim como nos circuitos
eletrnicos de baixa potncia, possuem trs terminais: base, emissor e coletor; e
sua faixa chega at 630 V, 50 A. Em geral, encontrado operando como uma
chave, na configurao emissor comum, onde o transistor NPN permanece ligado
(em conduo), enquanto a juno de coletor para emissor estiver
adequadamente polarizada e a corrente de base (devido base possuir um
potencial maior que o do emissor) for suficiente para manter o transistor na
regio de saturao. Caso seja retirada a tenso de excitao da base, o
transistor ficar desligado (no conduz). Em conduo, um transistor apresenta
uma queda de tenso direta da ordem de 0,5 a 1,5 V. Variadas configuraes de
transistores bipolares so mostradas na Figura 1-9.

Figura 1-9 Configuraes de transistores NPN.

Os MOSFETs de potncia so empregados em conversores de potncia de
alta velocidade, com valores nominais relativamente baixos, em torno de 500 V,
50 A. Sua faixa de freqncia da ordem de vrias dezenas de kHz, sendo
caracterizados por possurem uma velocidade de chaveamento muito rpida. A
Figura 1-10 mostra vrias configuraes de MOSFETs.

Figura 1-10 Configuraes de MOSFETs.
Usados em tenses e correntes elevadas, com freqncias de at 20 kHz, os
IGBTs so fornecidos em at 1,2 kV, 0,4 kA. Em geral, so transistores de
potncia controlados por tenso, com caractersticas de excitao e chaveamento
bastante superiores aquelas dos BJTs comuns, porm menos velozes que os
MOSFETs. Algumas configuraes de IGBTs so apresentadas na Figura 1-11.

Figura 1-11 Configuraes de IGBTs.

Os SITs so dispositivos apropriados para aplicaes de alta potncia e
alta freqncia (amplificadores de udio, VHF/ UHF e microondas); pois, as
caractersticas de normalmente ligado e alta queda de tenso, em conduo,
limitam o seu uso, em geral. Semelhantes aos JFETs, so considerados a verso,
em estado slido, da vlvula triodo a vcuo. Os SITs possuem valores nominais
de at 1,2 kV, 0,3 kA e tempos de disparo e desligamento muito curtos.
Apresentam pequenos valores de rudo e distoro. Tal qual para os SITs,
alguns valores nominais, disponveis comercialmente, dos dispositivos
semicondutores de potncia foram mostrados, anteriormente. Tais valores so
tratados, de modo mais detalhado, na Tabela 1-1.

Especificao
Dispositivo Tipo
Tenso
(V)
Corrente
(A)
Freqncia
Superior
(kHz)
Tempo de
Chaveamento
( s)
Genricos 5000 5000 1 100
Alta Velocidade 3000 1000 10 2-5 Diodo
Schottky 40 60 20 0,23
SCR 5000 5000 1 200
SITH 4000 2200 20 6,5
GTO 4500 3000 10 15
MCT 600 60 20 2,2
TRIAC 1200 300 0,4 200-400
LASCR 6000 1500 0,4 200-400
RCT 2500 1000 5 40
Tiristor
GATT 1200 4000 20 8
Darlington 400 40 20 6
Transistor
Darlington 630 50 25 1,7
MOSFET nico 500 50 100 0,6
IGBT nico 1200 400 20 2,3
SIT Darlington 1200 300 100 0,55

Tabela 1-1 Valores nominais de dispositivos semicondutores de potncia.
Uma utilizao comum dos dispositivos semicondutores de potncia a
sua operao como chave, atravs da aplicao de sinais de controle aos
terminais do gatilho (como nos tiristores) ou da base (como nos transistores).
Com a variao do tempo de conduo destas chaves, a sada desejada obtida.
A Figura 1-12 mostra as tenses de sada e de controle dos dispositivos de
chaveamento de potncia mais usados, onde a queda de tenso, em conduo,
foi considerada desprezvel.

Figura 1-12 Caractersticas de operao dos dispositivos de chaveamento de potncia.

Tais dispositivos de chaveamento de potncia podem ser classificados com
relao a vrios fatores, os quais so relacionados na Tabela 1-2.

Fator Classificao Exemplos
No-controlado Diodo
Disparo
Controlado SCR, SITH, GTO, MCT, BJT, MOSFET, IGBT e SIT
No-controlado Diodo e SCR
Desligamento
Controlado SITH, GTO, MCT, BJT, MOSFET, IGBT e SIT
Contnuo BJT, MOSFET, IGBT e MCT
Sinal no gatilho
Pulso SCR, GTO e MCT
Unipolar GTO, BJT, MOSFET, IGBT e MCT
Tenso
Bipolar SCR e GTO
Unidirecional Diodo, SCR, SITH, GTO, MCT, BJT, MOSFET, IGBT e SIT
Corrente
Bidirecional TRIAC e RCT

Tabela 1-2 Fatores de classificao dos dispositivos de chaveamento de potncia.
Dependendo de sua tipologia, os conversores de potncia podem exigir
dois, quatro ou seis dispositivos, de maneira que os dispositivos de potncia
esto disponveis comercialmente tanto na forma individual, quanto na forma
de mdulos. Estes mdulos consistem em conjuntos de dispositivos, sendo os
tipos mais comuns com dois (configuraes meia-ponte ou dual), quatro (pontes
completas), ou, seis (circuitos trifsicos) dispositivos. Tais mdulos possuem as
seguintes vantagens, em relao aos dispositivos convencionais: a) Menores
perdas, em conduo; b) Chaveamento de altas tenses; c) Corrente e
velocidade maiores; d) Proteo contra transientes
; e) Proteo ao circuito de
excitao da porta ou gatilho
. Algumas configuraes de mdulos so

apresentadas na Figura 1-13.

Figura 1-13 Configuraes de mdulos.

Tambm existem os chamados mdulos inteligentes, cada vez mais usados
em Eletrnica de Potncia, que integram o mdulo de potncia a um circuito
perifrico, cabendo ao usurio apenas conectar a fonte de alimentao. Tal
circuito perifrico consiste em: a) Isolao entre entrada e sada; b) Circuito de
excitao; c) Circuito de diagnstico e proteo (contra excesso de tenso e
corrente, curto-circuito, carga aberta e superaquecimento); d) Controle da fonte
de alimentao; e) Controle por microcomputador.

1.5. Efeitos da Converso de Potncia

A qualidade da energia entregue a cargas sensveis, utilizando a Eletrnica
de Potncia na converso, um desafio a ser resolvido. Neste contexto, a
qualidade de um conversor de potncia pode ser julgada pelas suas formas de
onda de tenso e corrente, na entrada e na sada. Expressando tais formas de
onda atravs da srie de Fourier, possvel encontrar seu contedo harmnico
e, conseqentemente, determinar os fatores, que medem a performance destes
conversores, tais como: a) Distoro harmnica total, do ingls total harmonic
distortion (THD); b) Fator de deslocamento, do ingls displacement factor (HF); c)
Fator de potncia na entrada, tambm do ingls input power factor (IPF).

Disponvel apenas em alguns modelos de mdulos.

Estes problemas, na qualidade da energia fornecida pelos conversores de
potncia, ocorrem, principalmente, pelo fato de sua operao se basear no
chaveamento de dispositivos semicondutores de potncia, o que resulta na
introduo de correntes e tenses harmnicas no sistema de alimentao e na
sada dos conversores (distoro da tenso de sada), alm de poder causar
interferncia nos circuitos de comunicao e sinalizao. Desta forma,
necessrio reduzir o nvel harmnico dos sistemas conversores a amplitudes
aceitveis, atravs, geralmente, da introduo de filtros na entrada e na sada
dos conversores de potncia. Na Figura 1-14, mostrado o diagrama de blocos
de um conversor de potncia generalizado.

Figura 1-14 Diagrama de blocos de um sistema conversor de potncia generalizado.

Alm disso, no diagrama de blocos da Figura 1-14, tambm tratado o
circuito de controle do chaveamento, componente bsico da estratgia de controle
empregada, a qual fundamental na reduo da gerao de harmnicos e da
distoro da forma de onda de sada. Tal circuito de controle pode sofrer
interferncia, em radiofreqncia, devido radiao eletromagntica dos
conversores de potncia, gerando sinais de controle errneos. Esta interferncia
corrigida, atravs do uso de blindagens aterradas.

1.6. Tipos de Circuitos

Os conversores estticos realizam as funes de converso de potncia
eltrica, necessrias ao controle da energia, atravs das caractersticas de
chaveamento dos dispositivos semicondutores, sendo, assim, considerados
matrizes de chaveamento. Esta ao de chaveamento pode ser efetuada por
mais de um dispositivo semicondutor, de maneira que sua escolha funo das
exigncias de tenso, corrente e velocidade da aplicao. Os circuitos utilizados
nos conversores de potncia podem ser classificados em seis tipos, a saber:

a. Retificadores No-Controlados: Os retificadores no-controlados, ou
retificadores com diodo, convertem tenses de corrente alternada (tenses
CA), monofsicas ou trifsicas, na entrada, em tenses de corrente contnua
(tenses CC) fixas, na sada, conforme mostrado no conversor da Figura 1-15.
Pelo fato da tenso CC de sada no ser controlvel, que estes conversores
so chamados de no-controlados.

Figura 1-15 Circuito retificador no-controlado monofsico.

b. Retificadores Controlados: Tambm conhecidos como conversores CA-CC,
os retificadores controlados permitem, a partir de uma tenso de entrada
monofsica ou trifsica, o controle do valor mdio da tenso de sada, atravs
da variao do tempo de conduo dos dispositivos semicondutores de
potncia empregados. Na Figura 1-16, ilustrado um exemplo de retificador
controlado monofsico com dois tiristores, em comutao natural.

Figura 1-16 Circuito retificador controlado monofsico.

c. Controladores de Tenso CA: Os controladores de tenso CA, tambm
chamados de conversores CA-CA, so empregados na obteno de uma
tenso de sada CA varivel, a partir de uma fonte CA fixa. Assim como nos
conversores CA-CC, o controle do valor da tenso de sada feito pelo tempo
de conduo do dispositivo semicondutor usado. Um controlador de tenso
CA monofsico com TRIAC mostrado na Figura 1-17.

Figura 1-17 Circuito controlador de tenso CA monofsico.
d. Choppers: Para uma tenso CC de entrada fixa, os choppers, ou conversores
CC-CC, controlam a tenso CC mdia de sada, pela variao do tempo de
conduo do dispositivo semicondutor de potncia em uso. A Figura 1-18
contem um chopper com transistor.

Figura 1-18 Circuito chopper.

e. Inversores: Os inversores, ou conversores CC-CA, fornecem tenses CA, na
sada, a partir de tenses CC, na entrada, por meio da comutao
(chaveamento) adequada dos dispositivos semicondutores de potncia
utilizados. A Figura 1-19 mostra um inversor monofsico com MOSFETs.

Figura 1-19 Circuito inversor monofsico.

f. Chaves Estticas: Conforme citado anteriormente e observado em boa parte
dos circuitos analisados, os dispositivos semicondutores de potncia so
comumente usados como chaves. Tais chaves estticas CA ou CC tm muitas
vantagens sobre as chaves e rels eletromecnicos convencionais, pois podem
ser interfaceadas a sistemas digitais de controle ou mesmo a computadores.
Uma chave CA monofsica ilustrada na Figura 1-20.

Figura 1-20 Circuito de uma chave CA monofsica.
1.7. Aplicaes

Desde o antigo sistema Ward-Leonard, para obteno de tenses CC
variveis, que o controle da energia eltrica uma necessidade, no acionamento
de mquinas eltricas, nos controles industriais e na converso de potncia
eltrica, em geral. Esta necessidade cada vez maior e, junto com ela, tambm
cresce o desenvolvimento tecnolgico na rea da Eletrnica de Potncia.

Combinando potncia, eletrnica e controle, a Eletrnica de Potncia vem
revolucionando e expandindo os conceitos e a gama de aplicaes existentes,
para a converso de energia eltrica, conforme tambm foi citado na seo 1.1.
Introduo, deste trabalho (ver Figura 1-1). A potncia trata dos equipamentos
estticos e rotativos, empregados na gerao, transmisso e distribuio da
energia. Responsvel pelos circuitos e dispositivos de estado slido, a eletrnica
realiza o processamento de sinais, de modo a atingir os requisitos de controle
desejados. Por fim, o controle cuida das caractersticas dos regimes transitrio e
permanente dos sistemas, em malha fechada.

Ocupando uma posio importante na tecnologia de ponta, a Eletrnica
de Potncia possui uma ampla faixa de aplicaes. Algumas destas aplicaes
so mostradas a seguir, deixando claro como a Eletrnica de Potncia
utilizada no dia-a-dia:

Aceleradores de partculas;
Alarmes;
Alta tenso CC (HVDC);
Amplificadores de udio;
Bombas e compressores;
Brinquedos;
Caldeiras;
Carregadores de bateria;
Circuitos defletores de televisores;
Compensao de potncia reativa;
Computadores;
Condicionadores de ar;
Contatores de estado slido;
Controle de aquecimento;
Controle de iluminao;
Controle de mquinas eltricas;
Controle de sinais de trnsito;
Dimmers;
Eletrodomsticos;
Eletroms;
Exaustores;
Ferramentas manuais;
Fontes de alimentao;
Fornos;
Fotocpias;
Gravaes magnticas;
Guindastes e elevadores de cargas;
Ignio eletrnica;
Jogos;
Mquinas de lavar;
Minerao;
Projetores de filmes;
Refrigeradores;
Reguladores de tenso;
Rels estticos;
Secadores eltricos;
Servomecanismos;
Sistemas de segurana;
Solda;
Trens;
Veculos;
Ventiladores.
A Figura 1-21 apresenta uma relao entre as aplicaes e a faixa de
freqncia dos dispositivos semicondutores de potncia.

Figura 1-21 Aplicaes e faixas de freqncia dos dispositivos semicondutores de potncia.

1.8. Projetos de Equipamentos

Conforme citado anteriormente, na seo 1.4. Dispositivos Semicondutores de
Potncia, estes dispositivos, geralmente, so considerados ideais, para efeito de
anlise. Alm disso, o comportamento de fontes, cabos, conectores etc., tambm
idealizado, desprezando os efeitos destas impedncias adicionais ao circuito.
Desta forma, estes procedimentos sero adotados nas anlises realizadas, em
captulos subseqentes, deste trabalho, a menos que seja informado o contrrio.

No estgio inicial dos projetos, esta anlise simplificada bastante til,
permitindo a compreenso dos circuitos e o desenvolvimento de uma estratgia
de controle. Entretanto, na prtica, os dispositivos e circuitos diferem dessas
condies ideais, de modo que os projetos tambm devero sofrer diferenas,
em suas anlises finais. De um modo geral, os projetos de equipamentos,
usados na Eletrnica de Potncia, podem ser divididos nas seguintes etapas:

1. Elaborar o projeto dos circuitos de potncia;
2. Determinar a proteo dos dispositivos semicondutores de potncia;
3. Criar uma estratgia de controle;
4. Desenvolver o projeto da lgica e dos circuitos de controle;
5. Investigar os efeitos dos parmetros do circuito e dos dispositivos;
6. Construir um prottipo;
7. Realizar baterias de testes;
8. Estimar, mais precisamente, os parmetros do circuito e dos dispositivos;
9. Verificar a validade do projeto;
10. Modificar o projeto, caso necessrio.
Captulo 2 Dispositivos Semicondutores de Potncia 18
Captulo 2

Dispositivos Semicondutores de Potncia

2.1. Introduo

Os dispositivos semicondutores de potncia tm passado por constantes
evolues tecnolgicas e se tornado cada vez mais comuns comercialmente, de
maneira que extremamente importante entender o comportamento de suas
camadas semicondutoras (dopagem), modelos, tipos, caractersticas de disparo
e chaveamento, circuitos equivalentes, cargas e ligaes. Na Figura 1-5 do
Captulo 1, pode ser observada uma distribuio de valores prticos para a
tenso de bloqueio, a corrente de conduo e a freqncia de comutao de
alguns dispositivos semicondutores de potncia.

Em geral, tais dispositivos so divididos em seis tipos: diodos de potncia;
tiristores; transistores de juno bipolares (BJTs); MOSFETs de potncia;
transistores bipolares de porta isolada (IGBTs); transistores de induo esttica
(SITs). Os tiristores ainda podem ser subdivididos em vrios tipos, tais como:
controlado de silcio (SCR); induo esttica (SITH); desligamento pelo gatilho
(GTO); controlado por MOS (MCT); conduo em ambos os sentidos (TRIAC);
controlado de silcio ativado por luz (LASCR); conduo reversa (RCT);
desligamento auxiliado pelo gatilho (GATT); controlados por FET (FET-CTHs).

2.2. Diodos de Potncia

2.2.1. Generalidades

Os diodos semicondutores de potncia (Ver Figura 1-6) atuam como
chaves, nas aplicaes da Eletrnica de Potncia, desenvolvendo vrios tipos de
funes, tais como:

a. Chaveamento nos retificadores;
b. Comutao em reguladores chaveados (Free-Wheeling);
c. Inverso de carga de capacitores;
d. Isolao de tenses;
e. Transferncia de energia entre componentes do circuito;
f. Recuperao de energia da carga para a fonte.

Apesar de considerados como chaves ideais, na maioria destas aplicaes,
os diodos de potncia reais tm certas caractersticas diferentes das ideais,
possuindo limitaes prticas. Com relao aos diodos de sinais, os diodos de
potncia guardam algumas semelhanas. Contudo, possuem maiores
capacidades de potncia e velocidades de chaveamento bem menores.
2.2.2. Aspectos Construtivos

Os diodos semicondutores de potncia so dispositivos de dois terminais
com uma juno pn, formada, comumente, por fuso, difuso e crescimento
epitaxial, que, dentro de seus limites de tenso e corrente, permitem a passagem
de corrente eltrica em um nico sentido de conduo. Em geral, detalhes de
funcionamento desprezados para os diodos de sinal, podem ser significativos
nos diodos de potncia. A Figura 2-1 mostra um modelo simplificado da
estrutura interna e o smbolo de um diodo de potncia.

Figura 2-1 Estrutura interna e smbolo de um diodo de potncia.

Devido maior concentrao de portadores, a resistncia da regio de
transio (juno) do semicondutor bem maior que a do restante do
dispositivo. Desta maneira, ao aplicar uma tenso entre as regies P e N, a
diferena de potencial aparecer atravs da juno. Na verdade, a estrutura
interna de um diodo de potncia um pouco diferente da apresentada,
existindo uma regio N intermediria de baixa dopagem, cuja funo permitir
tenses mais elevadas, atravs do alargamento da regio de juno, que
mantm o equilbrio da carga, diminuindo o campo eltrico. J, as camadas dos
contatos externos dos diodos de potncia so altamente dopadas, tornando os
contatos com caractersticas hmicas e no semicondutoras. H tambm um
contorno arredondado, entre as regies de anodo e catodo, com a funo de
eliminar o efeito de pontas, criando campos eltricos mais suaves.

2.2.3. Caractersticas de Operao

Quando o potencial do catodo positivo, em relao ao do anodo, diz-se
que o diodo est reversamente polarizado e, nestas condies, mais portadores
positivos (lacunas) migram para o lado N e vice-versa, aumentando a largura
da juno. Por difuso ou efeito trmico, uma dada quantidade de portadores
minoritrios penetra na juno, sendo acelerados, pelo campo eltrico, at a
outra regio do componente. Esta pequena corrente reversa, tambm chamada
de corrente de fuga, aumenta com a temperatura e com a amplitude da tenso
reversa, at atingir a tenso Zener ou de avalanche. Nesta tenso, h um campo
eltrico muito intenso, fazendo os portadores em atingir grandes velocidades,
de modo que, ao se chocarem com tomos da estrutura, estes portadores
produziro outros, que, tambm acelerados, daro origem ao chamado efeito
avalanche. Com isso, a corrente aumenta sem reduo significativa da tenso na
juno, produzindo um pico de potncia que destri o dispositivo.
O diodo est diretamente polarizado, quando o potencial do anodo
positivo, em relao ao do catodo. Nesta situao, ocorre um estreitamento da
regio de transio e, se a tenso aplicada superar o valor natural para a
conduo, chamado de barreira de potencial ou tenso de limiar (V

), os
portadores negativos do lado N sero atrados pelo potencial positivo do anodo
e vice-versa, levando o componente conduo. Conduzindo, o diodo possui
uma queda de tenso (V

), no sentido direto, relativamente pequena, cuja
amplitude, em torno de 1V, depende da fabricao e da temperatura da juno.
O diodo pode ser modelado por diversos circuitos equivalentes, sendo, o mais
comum, aquele que o representa pela associao em srie de um diodo ideal,
uma fonte de tenso (V

) e um resistor (RD). A Figura 2-2 apresenta este modelo
e as curvas caractersticas v-i, ideal e real, para um diodo de potncia.

Figura 2-2 Modelos e curvas caractersticas v-i, ideais e reais, de um diodo de potncia.

No modelo equivalente do diodo, a fonte responsvel pela barreira de
potencial conduo e pela queda de tenso direta, quando j conduzindo, e o
resistor representa a resistncia hmica do dispositivo, dissipando calor, por
efeito joule. J, o diodo ideal funciona apenas como chave, dando o sentido de
conduo da corrente eltrica. A curva real ou prtica do diodo, mostrada na
Figura 2-2 pode ser expressa pela equao do diodo Schockley, apresentada na
Equao 2-1, onde: ID e VD so a corrente e a tenso no diodo, Is a corrente de
fuga, n o coeficiente de emisso e VT a tenso trmica, sendo k a constante
de Boltzmann, T a temperatura absoluta e q a carga do eltron.

( (( ( ) )) ) 1 e I I
T D
V /n V
s D
= == =

,
q
T k
V
T

= == = [2-1]

comum dividir a curva real do diodo em trs regies, a saber:

Regio de polarizao direta: Nesta regio, a tenso sobre o diodo (VD)
positiva. Caso VD seja menor que V

, a corrente no diodo (ID) ser muito
pequena. O diodo s conduzir plenamente se VD for maior que V

.

Regio de polarizao reversa: Aqui, VD negativa. Para VD negativo e com
mdulo bem maior que VT, ID ser constante, no sentido reverso e igual a Is.
Regio de ruptura reversa: Nesta regio, a tenso reversa muito alta,
excedendo uma tenso especfica, denominada tenso de ruptura reversa
(VBR). Com isso, a corrente reversa aumenta rapidamente, para pequenas
variaes na tenso reversa. A operao na regio de ruptura reversa no
ser destrutiva, se a potncia dissipada for limitada, pelo controle da corrente
reversa, dentro dos nveis especificados nas folhas de dados dos fabricantes.

No caso real, no estado de bloqueio, a juno do diodo pode ser analisada
como um capacitor, cuja carga aquela presente na prpria a regio da juno.
J, no estado de conduo, no existe tal carga. Todavia, devido alta dopagem
da camada P, existe uma penetrao de lacunas na regio N por difuso. Alm
disso, medida que cresce a corrente, mais lacunas so injetadas na regio N
intermediria, que possui baixa densidade, atraindo eltrons da extremidade da
regio N de maior concentrao, para manter a neutralidade da carga. Desta
forma, cria-se uma carga espacial no catodo, que ter de ser removida, por
recombinao, para permitir a passagem para o estado de bloqueio.

Na realidade, o comportamento dinmico de um diodo de potncia bem
diferente daquele de uma chave ideal, conforme se pode observar na Figura 2-3,
onde uma tenso degrau de entrada (vi) aplicada a uma carga resistiva,
atravs de um diodo (outros tipos de cargas podem alterar as formas de onda).

Figura 2-3 Curvas caractersticas de chaveamento de um diodo de potncia.
A corrente, na regio da juno diretamente polarizada, devida aos
portadores majoritrios e minoritrios. Durante o intervalo de tempo t1,
remove-se a carga acumulada na juno. Neste momento, ainda no houve
injeo significativa de portadores, de maneira que a resistncia da parte
intermediria da regio N elevada, produzindo um pico de tenso direta
(Vpd). Indutncias parasitas do componente e das conexes tambm colaboram
com esta sobretenso. Durante t2, tem-se a chegada dos portadores e a tenso
reduz bastante, para cerca de 1V (Von).

Uma vez que o diodo esteja em conduo e sua corrente seja reduzida a
zero, em funo de um comportamento do prprio circuito ou pela aplicao de
uma tenso reversa, o diodo continuar conduzindo, devido aos portadores
minoritrios, que permanecem armazenados nos semicondutores e na juno. A
reduo de Von se deve diminuio da queda hmica. O bloqueio do diodo
iniciado quando a corrente reversa atinge seu pico negativo (Irr), causado pela
retirada do excesso de portadores. A taxa de variao da corrente, associada s
indutncias do circuito, provoca uma sobretenso negativa (Vpr).

Desta forma, no desligamento, antes de reiniciar a formao da barreira de
potencial da juno, a carga espacial presente deve ser removida, pela
neutralizao dos portadores minoritrios, atravs da sua recombinao com as
cargas opostas. Este processo requer um certo tempo, denominado tempo de
recuperao reversa (trr), medido a partir do cruzamento inicial da corrente do
diodo com o zero (modo de conduo para modo de bloqueio), at 25% da
corrente reversa mxima e dependente da temperatura da juno, da taxa de
decaimento da corrente direta e do valor desta corrente, antes do chaveamento.
O trr formado por dois componentes, a saber: t4 o tempo entre o cruzamento
com o zero e o Irr, sendo originado pelo armazenamento de cargas na regio da
juno; t5 o tempo corrido de Irr a 0,25 Irr, causado pelo armazenamento de
cargas no material semicondutor.

A soma, que representa o trr, dada por:

5 4 rr
t t t + ++ + = == = [2-2]

A relao entre t5 e t4 conhecida como fator de suavidade, a saber:

5
4
t
t
S = == = [2-3]

Observando a taxa de variao da corrente reversa, na Figura 2-3, tem-se:

r a rr
i
dt
d
t I = == = [2-4]
Das Equaes 2-2, 2-3 e 2-4, observa-se:

r
rr
rr
i
dt
d
1 S
t
I

+ ++ +
= == = [2-5]

A carga de recuperao reversa armazenada (Qrr) a quantidade de
portadores de cargas que fluem pelo diodo, no sentido reverso, devido
mudana do modo de conduo para o modo de bloqueio, sendo dada pela rea
abrangida pela corrente de recuperao (regio cinza na Figura 2-3):

2
rr rr
rr
I t
Q

[2-6]

Substituindo a Equao 2-5 na Equao 2-6, obtm-se:

( (( ( ) )) )
r
2
rr
rr
i
dt
d
1 S 2
t
Q

+ ++ +
= == = [2-7]

Na prtica, necessrio conhecer as expresses de trr e Irr, de modo que,
usando as Equaes 2-5 e 2-7, tem-se:

( (( ( ) )) )
r
rr
rr
i
dt
d
S 1 Q 2
t
+ ++ +
= == = [2-8]

1 S
i
dt
d
Q 2
I
r rr
rr
+ ++ +

= == = [2-9]

A partir das Equaes 2-8 e 2-9, nota-se que o tempo de recuperao
reversa (trr) e o pico de corrente de recuperao reversa (trr) dependem da carga
armazenada (Qrr) e da taxa de variao da corrente reversa (dir/dt). J a carga
armazenada depende da temperatura da juno e da corrente direta do diodo
(Id), antes do chaveamento (mais especificamente, da taxa de decaimento da
corrente direta (did/dt) e do valor desta corrente). Parmetros como Irr, Qrr e S
so de grande importncia nos projetos, sendo, normalmente, includos nas
folhas de dados dos diodos. Alm disso, deve-se notar que, se um diodo estiver
no modo reverso, a aplicao de uma tenso direta foraria uma corrente no
sentido direto. Todavia, preciso um certo tempo, denominado tempo de
recuperao direta (trf) ou tempo limite de religamento, antes que os portadores
majoritrios, distribudos na juno, possam contribuir no fluxo de corrente.
Caso a taxa de crescimento desta corrente direta seja elevada, o diodo pode
falhar. Assim, o tempo de recuperao direta limita a velocidade de
chaveamento dos diodos.
Os tempos de recuperao reversa e direta so extremamente importantes,
visto que determinam o comportamento dos diodos de potncia e,
conseqentemente, os circuitos e aplicaes, em que so empregados. Um
exemplo claro da influncia destes tempos, sobre o funcionamento dos circuitos
com diodos, mostrado na Figura 2-4, a qual destaca as formas de onda
observadas, durante a operao de liga/ desliga da chave (CH), considerando,
ou no, o uso do indutor de limitao (LS).

Figura 2-4 Efeitos dos tempos de recuperao, nos circuitos com diodos.

Inicialmente (t = 0), a chave ligada, por um tempo suficiente, para
estabelecer um regime permanente, no circuito. Com isso, a corrente nominal
(IN = VS / R) flui, atravs da carga, e o diodo de comutao ou Free-Wheeling
(Dm) reversamente polarizado. Em seguida (t = t1), chave desligada e Dm
conduzir IN; pois, devido ao comportamento indutivo da carga e aos intervalos
de tempo considerados serem muito curtos, a corrente da carga pode ser
considerada constante (fonte de corrente). Por fim (t = t2), a chave novamente
ligada e Dm, que estava em conduo, se comporta como um curto-circuito.

Caso LS no seja utilizado, as taxas de crescimento, para D1, e decaimento,
para Dm, da corrente direta seriam bastante elevadas, tendendo ao infinito.
Assim, de acordo com a Equao 2-9, o pico da corrente reversa (Irr) de Dm seria
muito alto, podendo danificar os dois diodos. Este problema pode ser resolvido
usando LS. Na prtica, tambm deve ser considerado o tempo de recuperao
direta dos diodos, controlando a taxa de variao da corrente direta.

Considerando que a taxa de crescimento da corrente de D1 igual de
decaimento de Dm, observando a malha fechada VS-CH-D1-Dm, tem-se:

Dm
S
S
D1 S Dm S S
i
dt
d
L
V
i
dt
d
L i
dt
d
L V = == = = == = = == = [2-10]
Como trr o tempo de recuperao reversa do diodo Dm e observando a
Equao 2-10, tem-se que sua corrente de pico reversa (Irr) :

S
S rr
Dm rr rr
L
V t
i
dt
d
t I

= == = = == = [2-11]

A corrente de pico (IP), atravs do indutor de limitao (LS), :

S
S rr
N P rr N P
L
V t
I I I I I

+ ++ + = == = + ++ + = == = [2-12]

Considerando uma recuperao abrupta de Dm, ele desligado
subitamente, ao ser atingido o valor de pico (IP) da corrente i1, interrompendo o
fluxo de corrente. No entanto, a corrente de carga no muda instantaneamente
de IN para IP, devido ao carter indutivo da carga empregada. Com isso, ocorre
um excesso de energia armazenada em LS, que induz uma elevada tenso
reversa em Dm, a qual pode danific-lo. Esta energia excedente dada por:

( (( ( ) )) ) [ [[ [ ] ]] ]
2
N
2
rr N S R
I I I L
2
1
W + ++ + = == = [2-13]

Este excesso de energia pode ser drenado pelo ramo do circuito disposto
paralelamente a Dm, que contm um capacitor (CS) em srie com um resistor
(RS). A funo de RS amortecer eventuais oscilaes transitrias. Sendo Vadm a
tenso reversa admissvel do diodo e desconsiderando os efeitos de LS e RS, nos
perodos transitrios, o valor de CS pode ser obtido, aproximadamente, por:

2
adm
R
S
2
adm S R
V
W 2
C V C
2
1
W

= == = = == = [2-14]

2.2.4. Tipos

Em muitas aplicaes, a forma de recuperao e as tcnicas de fabricao
dos diodos de potncia determinam se diodos mais baratos podem ser
utilizados. Assim, de acordo com as caractersticas de operao e as limitaes
prticas, os diodos de potncia podem ser classificados em trs tipos, a saber:

a. Genricos: Estes diodos so, geralmente, fabricados por difuso, sendo
fornecidos com faixas que podem ir de menos de 1 A at 5 kA e de 50 V a 5
kA, alm de um tempo de recuperao reversa elevado, da ordem de 100 s.
Sendo assim, so utilizados em aplicaes de baixa velocidade, onde o tempo
de chaveamento no crtico, tais como: retificadores e conversores com
freqncia de entrada de at 1 kHz e conversores comutados pela rede.
b. Alta velocidade: Seu tempo de recuperao baixo, 0,1 a 5 s, sendo, por
isso, chamados, tambm, de diodos de recuperao rpida. Possuem faixas
de menos de 1 A at 1 kA e de 50 V a 3 kV. So essenciais no chaveamento de
conversores CC-CC e CC-CA. Em especificaes acima de 400 V, estes
dispositivos so feitos por difuso. J, abaixo de 400 V, so fabricados diodos
epitaxiais, com velocidades de chaveamento bem superiores.

c. Schottky: Nestes componentes, o problema do armazenamento de carga na
juno PN eliminado simulando o comportamento da juno por uma
barreira de potencial, criada pelo contato de uma camada metlica (anodo)
depositada em uma fina camada epitaxial de silcio tipo N (catodo). A
retificao depende apenas dos portadores majoritrios, no havendo
recombinao do excesso de minoritrios. Assim, a carga recuperada bem
menor, pois a recuperao devida, somente, capacitncia prpria da
juno semicondutora, sendo independente da taxa de corrente reversa. Os
valores nominais so limitados a 100 V, 60A, o tempo de recuperao
bastante pequeno e h uma baixa queda de tenso, em sentido direto, sendo
que a corrente de fuga aumenta com a faixa de tenso e vice-versa. So
comuns em fontes CC de altas correntes e baixas tenses.

2.2.5. Ligaes

De acordo com as aplicaes, pode ser necessrio aumentar a capacidade
de operao dos diodos de potncia, tanto com relao tenso, quanto no que
se refere corrente. Esta maior capacidade de operao dos diodos obtida
atravs de ligaes, srie ou paralelo, destes componentes, no circuito.

Em aplicaes de alta tenso, como HVDC, diodos comerciais podem no
atender as especificaes de tenso de bloqueio reverso, sendo preciso conect-
los em srie, de modo a dividir sobre eles a tenso reversa aplicada. Todavia,
esta ligao no pode ser efetuada somente pela conexo de diodos, como na
Figura 2-5, pois, na prtica, mesmo que os diodos sejam de um s tipo, as suas
curvas v-i (Figura 2-5) sero diferentes, em virtude das tolerncias de
fabricao. Assim, polarizados diretamente, os diodos conduzem a mesma
corrente e possuem uma queda de tenso direta, praticamente, idntica; j,
reversamente polarizados, como tm de conduzir a mesma corrente de fuga
(IS), apresentam tenses reversas (VD1 e VD2) bastante distintas.

Figura 2-5 Diodos ligados em srie e suas curvas caractersticas v-i.
Uma forma simples de solucionar esse problema inserir uma rede de
resistores, ao circuito da Figura 2-5, de maneira que haja uma mesma tenso
(VD1 = VD2 = VS / 2), sobre os diodos, o que d origem a diferentes correntes de
fuga (Figura 2-6). A corrente de fuga total (IST) dividida por um diodo e seu
resistor. Devido a eventuais desconformidades, nas curvas v-i dos diodos
empregados, a tenses sobre os mesmos podem ser um pouco diferentes.
Observando a lei de Ohm para a corrente de cada resistor (IRX = VDX / RX) e
considerando valores iguais para os resistores (R1 = R2 = R), tais tenses sobre
os diodos so encontradas a partir do sistema de equaes abaixo:

S D2 D1
V V V = == = + ++ + [2-15]

) I (I R V V
S1 S2 D2 D1
= == = [2-16]

importante observar que o a rede resistiva, inserida ao circuito dos
diodos em srie, responsvel apenas pela diviso de tenso em regime
permanente. Sob condies dinmicas, como em chaveamento de cargas, alm
dos resistores da rede, necessrio conectar, tambm em paralelo com os
diodos, uma associao srie de um capacitor (CS) com um resistor (RS),
conforme indica a parte tracejada do circuito da Figura 2-6.

Figura 2-6 Diodos ligados em srie com rede de diviso de tenso.

Em alta potncia, os diodos necessitam de uma maior capacidade de
conduo de corrente, de modo que so conectados em paralelo. Com isso, a
corrente se divide de acordo com a queda de tenso direta (V

) sobre cada
diodo, sendo comum empregar diodos de mesmo tipo ou que possuam um
mesmo V

. Para obter uma diviso de corrente uniforme, tambm so utilizados
indutores e/ ou resistores, conectados em srie com os diodos. Os resistores no
so muito aconselhveis, devido s perdas de potncia que introduzem.

Assim como no caso dos diodos ligados em srie, o uso de resistores s
responsvel pelo regime permanente. Sob condies transitrias, so utilizados
indutores acoplados, dispostos em srie com os resistores e diodos de cada ramo
(Figura 2-7). Aumentando a corrente sobre D1, a tenso sobre L1 (L1di/ dt)
tambm aumenta, induzindo outra tenso, mas de polaridade oposta, em L2.
Isto acarreta uma baixa impedncia no ramo de D2, deslocando a corrente para
este ramo. O grande problema deste tipo de arranjo o fato dos indutores
gerarem picos de tenso, que os tornam grandes e caros.

Figura 2-7 Diodos ligados em paralelo com rede de diviso de corrente.

2.3. Tiristores

Usado em baixas freqncias (< 1khz) e alta potncia (> 10MVA).

Caractersticas do tiristor:

Figura 2-8 Estrutura do tiristor

Figura 2-9 Curva de resposta esttica do tiristor.
Modelo do tiristor com dois transistores:

Figura 2-10 Modelo do tiristor com dois transistores
Ganho de corrente do transistores:
1
1
1
E
C
i
i
= == = ;
2
2
2
E
C
i
i
= == =
Ico a corrente de fuga, gerada termicamente.

Corrente que passa pelo SCR: iA = iC1 + iC2 + ICO = iE1+ iE2 +ICO

Mas: iA = iE1 = iE2
iA = ( 1 + 2)iA + ICO
( (( ( ) )) )
2 1
1 + ++ +
= == =
CO
A
I
i

Existem vrias formas de fazer com que 1 + 2 1, a saber:

2.3.1 Formas de disparo do tiristor:

1. Disparo devido tenso VAK:

Figura 2-11 Curva de resposta do DIAC.
2. Disparo devido taxa de variao de tenso (dV/ dt):

Figura 2-12 Efeito de disparo do capacitor interno do tiristor

Se a tenso Anodo-Catodo variar a corrente no capacitor ser:

dt
dV
C i
AK
C
= == =

A capacidade da juno J2 funo da tenso aplicada, isto :

dt
dC
V
dt
dV
C i
AC
AK
C
+ ++ + = == =

Para que VAC aumente, dC/ dt tem de ser negativo. Mas, se dVAK/ dt for muito
grande, pode ser que se produza uma corrente tal que 1 + 2 1.

Proteo contra disparo por dV/ dt:

a) RC entre gate-catodo;
b) Circuito Snubber - RC entre Anodo-catodo.

3. Disparo por temperatura:

O aumento muito acentuado da temperatura faz crescer ICO, e muda o
ponto de operao, como tambm se faz 1 + 2 1. Deve-se usar proteo
utilizando os dissipadores trmicos.

4. Disparo por injeo de corrente de base (Gate):

o mtodo mais eficaz de disparo. A injeo de corrente no gate fora o
1 + 2 1.

Figura 2-13 Famlia de curvas do tiristor para diferentes correntes de gate.

Onde: IH = corrente mnima, em que o tiristor mantm o estado de conduo.

Caractersticas de TURN-ON:

Figura 2-14 Resposta dinmica do disparo do tiristor.

Consideraes no projeto do circuito do Gate:
O sinal do gate deve ser removido depois que o ton;
Enquanto VAK < 0, iG = 0, pois, se iG 0, a corrente de fuga aumenta;
A largura do pulso do gate tG > ton.

5. Disparo por luz ou laser:

LAS (Light Activated Switch)
LASCR ( Light Activated Controller Rectifier)

Figura 2-15 Disparo do tiristor por efeito luminoso.
2.3.2 Limitao de di/dt:

Figura 2-16 Efeito de limitaes de di/ dt.
2.3.4 Proteo contra dV/dt:

Figura 2-17 Efeito de dv/ dt por maniobra.
dV/ dt devido tenso aplicada.
Ex.: v = Vw
dt
dV
wt
MAX
2 sen 2 = == =

dV/ dt devido manobra.
Existem duas formas de proteo contra dV/ dt:

a) Sem a utilizao do SNUBBER:

Figura 2-18 Formas de proteo contra dv/ dt.
b) Com a utilizao do SNUBBER:

Figura 2-19 Exemplo de disparo por maniobra.

Resolvendo o circuito:

= == =

t
AK
e V V 1 2 , onde:
AK
R
L
= == =

t
AK AK
Ve
L
R
dt
dV

= == = 2 , sendo:
MAX
AK
dt
dV
, em t = 0, igual a:
V
L
R
dt
dV
AK
MAX
AK
2 = == =
Para os valores dados: s V
dt
dV
MAX
AK
/ 10 4 , 2 400
10 5
10 30
6
6
3
= == =

= == =

Com o aumento de L: mH L s V
dt
dV
tpi
40 / 300
cos
= == = = == =

Outra possibilidade diminuir RAK, no transitrio, colocando um
capacitor no circuito SNUBBER:

Figura 2-20 Circuito de proteo Snubber.
2.3.5 Circuito de disparo do tiristor:

Figura 2-21 Famlia de curvas para diferentes temperaturas

Figura 2-22 Circuito de disparo de gate.
Circuito de acoplamento:

Figura 2-23 Diferentes alternativas de disparo de tiristores.
2.4. Transistores

Os transistores em geral podem ser classificados em:

Transistor de Juno Bipolar;
Transistor de Efeito de Campo;
IGBT.

2.4.1. Transistor de Juno Bipolar

Transistor NPN.

Transistor PNP.

Figura 2-24 Circuito de Polarizao.

Figura 2-25 - Regioes de trabalho do transistor bipolar

Das Figuras acima, temos:

IE = IC + IB

= hFE = IC/IB

IC = IB + ICEO

IE = IB (1 + ) + ICEO, onde: ICEO 0

IE (1 + ) IB

1
I
1
1 I I
C C E
+ ++ +
= == =

+ ++ +

C E
I I = == =

Modelo do transistor NPN, para grandes sinais em operao CC:

Figura 2-26 - Modelo do transistor NPN
Usando o circuito em emissor comum:

B
BE B
B
R
V V
I

= == =

( (( ( ) )) )
BE B
B
C
CC C C CC CE C
V V
R
R
V R I V V V = == = = == = = == =

Com o transistor es na regio ativa, tem-se:

BE CE
V V

Quando VCB = 0 e VBE = VCE, a mxima corrente de coletor acontece:

C
BE CC
C
CE CC
CM
R
V V
R
V V
I

= == =

= == =

I
I
CM
BM
= == =

BE CE CE C BE BM B
V V ; V ; I ; V I I < << < >> >> >> >>

O transistor satura quando VCE = 0,4 a 0,5 V, ento:

C
CE(sat) CC
CS
R
V V
I

= == =

IBS = ICS/

O fator de saturao (FS) dado por:

FS = IB / IBS

A potncia de perda do transistor (PT):

PT = VBE IB + VCE IC

Caractersticas de chaveamento:

Figura 2-27 Modelo dinmico do transistor

Figura 2-28 Diagrama de tempos da resposta de um transistor a um pulso.
Dos grficos acima, tem-se:

td: Tempo de retardo ou de carga do capacitor de juno BE;
tr: Tempo de subida ou necessrio para ic em atingir ICS;
ts: Tempo de estocagem ou necessrio para IB retirar as cargas da juno BE;
tf: Tempo de queda ou decorrido at IC cair de ICS para zero.

ton = td+tr

toff = ts+tf

O controle da corrente de base pode ser feito aumentando a velocidade de
chaveamento (diminuindo o ton e toff):

Figura 2-29 Alternativa de melhorar a resposta do transistor.
1 1
2 1
1 2 1
1
2 1
BE 1
BS
1
BE 1
B1
5 t
R R
C R R
R R
V V
I
R
V V
I
+ ++ +
= == =
+ ++ +

= == =

= == =

2 2 2 2 2
5 t C R = == =

A freqncia mxima de chaveamento :

2 1 2 1
s

0.2
t t
1
T
1
f
+ ++ +
= == =
+ ++ +
= == = = == =

Controle de anti-saturao:

Figura 2-30 Forma de evitar a saturao do transistor.
B L C
B
BE D1 B
1 B
I I I
R
V V V
I I = == = = == =

= == = = == =

Assim que D2 passa ao estado on, tem-se:

VCE = VBE - VD1 - VD2

C
D2 D1 BE CC
C
CE CC
L
R
V V V V
R
V V
I
+ ++ +
= == =

= == =

IC = IB = (I1 - IC + IL)

( (( ( ) )) )
L 1 C
I I
1
I + ++ +
+ ++ +
= == =
2.4.2. Mosfet de Potncia

um dispositivo controlado por tenso, com baixo tempo de comutao
(da ordem de nanossegundos) e utilizado em aplicaes de baixa potncia e
altas freqncias.

Mosfet tipo depleo (Canal N):

Mosfet tipo Enhancement (Canal N):

Figura 2-31 Tipos de transistores Mosfets
Caractersticas de estado esttico:

Figura 2-32 Caractersticas de estado esttico
As regies de operao, mostradas na figura anterior, so:

Corte: Vgs < Vt;
Ativa: Vds Vgs Vt;
Saturao ou hmica: VDS VGS VT.
Modelo do mosfet:

Figura 2-33 Modelo esttico do transistor mosfet.
Considerando VDS constante:

GS
m
V
I
g = == =

O valor de ro :

D
DS
o
I
V
r = == =

Onde:

ro M na regio de corte;
ro m na regio de saturao.

Caractersticas de chaveamento:

Figura 2-34 Modelo dinmico do mosfets.

Figura 2-35 Resposta dinmica do transistor ao chavemento
Projeto do circuito atuador de gate do transistor mosfet:

Figura 2-36 Circuito acionamento com comparador
um circuito atuador para baixas freqncias (velocidades de chaveamento);
R1 e projetado para limitar a corrente do coletor do LM311;
A resposta da chave depende de R1 (R1 grande, resposta lenta).

Atuador de gate com sada na configurao TOTEM POLE:

Figura 2-36 Atuador de gate com sada na configurao TOTEM POLE
Circuito de gate com isolamento eltrico:


Figura 2-37 Circuito de gate com isolamento eltrico:

Isolamento usando um simples transformador (para 0<D<0.5):

Figura 2-38 Isolamento usando um simples transformador
Para ciclo de trabalho D arbitrrio:

Figura 2-39 Para ciclo de trabalho D arbitrrio:


High voltage bridge driver (ir2110):

Figura 2-40 Driver de 500V para dois
transistores
Caractersticas:

Trabalha at 500v;
2 A de pico de sada por canal;
25 ns de tempo de chaveamento;
Freqncia mxima de 1 Mhz;
Entrada de controle CMOS e
comparadores Schmitt Triggres;
Fonte de polarizao 10-20 V;
Consumo de 15 mA para 15 V.

Captulo 3 Retificadores No-Controlados 43

3. Retificadores No-Controlados

3.1. Introduo

Fig.3.1 Definio de retificador
3.2. Circuitos Bsicos

Os retificadores no-controlados envolvem, necessariamente, o uso de
diodos de potncia. Assim, a seguir, esto mostrados os principais tipos de
circuitos envolvendo diodos e suas respectivas formas de onda. Estes circuitos
sero mais bem estudados nas sees seguintes, sendo muito importantes em
anlises futuras.

Retificador
monofsico de meia-
onda com
carga resistiva.

Retificador
monofsico de
meia-onda com
carga RL.


Retificador
monofsico de
meia-onda com
carga RL e fora
eletromotriz.

Retificador
monofsico de
meia-onda com
carga RC.

Retificador monofsico
de meia-onda com carga
LC, ou, circuito
duplicador de tenso.

Circuito inversor de
carga do capacitor.

Retificador monofsico de
onda completa tipo ponte,
com filtro capacitivo.


Circuito equivalente do retificador
monofsico de onda completa, com
filtro capacitivo.

Formas de onda do
retificador monofsico
de onda completa, com
filtro capacitivo.
Figura 3.2 Diferentes tipos de retificadores
3.3. Anlises de Retificadores

3.3.1. Retificador Monofsico de Meia-Onda com Carga Resistiva

Figura 3.3 Retificador monofsico com carga resistiva.
ngulo de incio da conduo do diodo: = 0.

ngulo de parada da conduo do diodo: = .

ngulo de conduo do diodo: = = .
Corrente do circuito:

i = vo / R, para 0 < t < ;

i = 0, para < t < 2;

Considerando um caso geral e utilizando a teoria de Fourier, temos:

+ ++ + + ++ +
1 n 1 n
n n 0 0
cosnwt sennwt
b a V v

Onde o valor contnuo (Vo) e os coeficientes (an e bn), que compem o
ripple, so dados pelas expresses abaixo:

2
0

0 0 0
dwt
2
1
dwt
2
1
v v V

( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) )

0

0 0 n
dwt nwt sen
1
dwt nwt sen
1
v v a

( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) )

0

0 0 n
dwt nwt cos
1
dwt nwt cos
1
v v b

O valor eficaz do ensimo harmnico da tenso dado por:

[ [[ [ ] ]] ]
2
1
2
n
2
n
nR b a
2
1
V + ++ +

O valor eficaz ou rms da tenso de sada :

[ [[ [ ] ]] ]
2
1

+ ++ +
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

v V
2
nR
0
2
1
2
0
R
v dwt v
2
1

A tenso de ripple vale:

[ [[ [ ] ]] ]
2
1
V V V V
2
0
2
R
2
1
1 n
2
nR R1

1 11 1
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

O fator de Ripple definido por:

V
V
K
0
R1
v

A srie de Fourier da corrente (i) pode ser escrita como:

( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) )

+ ++ + + ++ +
1 n 1 n
n
n
n
n 0

d
c I
nwt cos nwt sen i

Onde:

!
R
V
I
0
0
;
!
Z
a
c
n
n
n
;
!
Z
b
d
n
n
n
;
!
R
nwL
tan
1
, se a carga for RL;

! Zn = Impedncia da carga para a freqncia nw.

O valor rms do ensimo harmnico da corrente :

[ [[ [ ] ]] ]
2
1
2
n
2
n nR
d c I
2
1
+ ++ +

O valor rms do ripple da corrente:

[ [[ [ ] ]] ]
2
1
I I I I
2
0
2
R
2
1
1 n
2
nR R1

1 11 1
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

O fator do ripple da corrente:

I
I
K
0
R1
i

Assim, teremos o seguinte, para o circuito retificador de meia onda:

Tenso contnua:

0
0

V 2
Vsenwtdwt 2
2
1
V

Valor rms de v0:
2
2
v
wtdwt sen 2v
2
1
v
0
2
1
0
2 2

1 11 1
] ]] ]
1 11 1

Contribuio de harmnicos: [ [[ [ ] ]] ]
0
2
1
2
0
2
1
2
0
2
R RI
1.211V 1
4
V V V V
1 11 1
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

O fator ripple da tenso: 1.211
V
V
K
0
R1
v

3.3.2. Retificador Monofsico de Meia-Onda com Carga RL

Figura 3.3 Retificador monofsico com carga indutiva
Do circuito, temos: Vsenwt 2 Ri
dt
di
L v v v v
o R L
+ ++ + + ++ +

Soluo forada:
( (( ( ) )) )
( (( ( ) )) ) [ [[ [ ] ]] ]
2
1
2 2
F
wL R
wt Vsen 2
i
+ ++ +

e
R
wL
tg
1

Soluo natural:
t
L
R
N
Ae i

, ,, ,
_ __ _

Soluo geral:
( (( ( ) )) )
t
L
R
N F
Ae wt sen
Z
V 2
i i i

, ,, ,
_ __ _

+ ++ + + ++ +
, onde: ( (( ( ) )) ) [ [[ [ ] ]] ]
2
1
2 2
wL R Z + ++ +

Para t = 0, temos: i = 0. Para o intervalo de 0 < wt < , temos:

sen
Z
V 2
A ; ( (( ( ) )) )
1 11 1
1 11 1
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

+ ++ +

, ,, ,
_ __ _

sen e wt sen
Z
V 2
i
t
L
R

Por fim, i = 0, no intervalo de < wt < 2.

O valor de pode ser calculado para i = 0, em = wt, ou seja:

( (( ( ) )) ) 0 sen e sen
wL
R
+ ++ +

, ,, ,
_ __ _

Clculo da corrente mdia:

0 Ri
dt
di
L V
dwt
di
R
wL
senwt
R
V 2
dt
di
R
L
R
V
i

Integrando a equao anterior:

( (( ( ) )) ) cos 1
r 2
V 2
I
dwt
dwt
di
R
wL
senwt
R
V 2
2
1
idwt
2
1
I
0
0

0
0

1 11 1
] ]] ]
1 11 1

Assim, a tenso mdia de sada :

( (( ( ) )) )V cos 1
2
V 2
I R V
0 0

Obteno de dados do ckt utilizando curvas normalizadas de corrente:

i
V 2
Z
i
N

Obteno das correntes contnua e eficaz:

Eficaz: ( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) )
2
1
0
2
t
L
R
RN
wt d sen e wt sen
2
1
I
1 11 1
1 11 1
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

1 11 1
1 11 1
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

, ,, ,
_ __ _

Contnua: ( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) )
1 11 1
1 11 1
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

1 11 1
1 11 1
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

, ,, ,
_ __ _

0
t
L
R
N
wt d sen e wt sen
2
1
I

Se R << wL ( (( ( ) )) ) coswt 1
wL
V 2
i

Figura 3.4 Retificador monofsico com carga indutiva muito grande.
O valor mdio de i ser:

wL
V 2
I
0

A corrente harmnica eficaz:

2
I
wL
V
I
0
1R

A corrente harmnica:

[ [[ [ ] ]] ] I 1.225 I I I
2
1
2
1R
2
0 R
+ ++ +

A tenso sobre a carga : VL = v, e o valor mdio : Vo = 0.

0
1R
V
V
V
K ; 0.707
I
I
K
0
1R
i

Carga RL com diodo free-wheeling:

Figura 3.5 Retificador monofsico com carga indutiva e diodo de retorno.
No primeiro ciclo (0 < wt < ):

( (( ( ) )) )

; ;; ;

' '' '

+ ++ +

sen e wt sen
Z
V
2 i
t
L
R
0

No segundo ciclo ( < wt < 2 ou 0 < wt < ):

t
L
R
0 D 0
e I i i

, onde: wt = wt -

0 wt' wt
0
i i I

No final, temos wt = 2, ento:

, ,, ,
_ __ _

, ,, ,
_ __ _

w
L
R
0 02
e I I

Depois de vrios perodos, I0
e I02
se estabilizaro.

A soluo de i0, para o 2
o
ciclo, :

( (( ( ) )) )
( (( ( ) )) )t
L
R
0
Ae t senw
Z
V 2
i i

+ ++ +

Soluo inicial:

i0 t= 0 = I02

Substituindo a soluo inicial na equao anterior:

( (( ( ) )) )
t
L
R
02 0
e sen
Z
V 2
I t senw
Z
V 2
i

, ,, ,
_ __ _

, ,, ,
_ __ _

+ ++ + + ++ +

Para wt = , D2 conduz:

( (( ( ) )) )
w
L
R
02 0
w
t
0
e sen
Z
V 2
I sen
Z
V 2
I i

, ,, ,
_ __ _

+ ++ + + ++ + (*)

No semiciclo seguinte, vo = 0 e iD circula:

i0 = iD = I0
e
- (R/L)(t-

/w)

Em wt= 2:

i0 = I0
e
- (R/L)(

/w)
= I02
(**)

Das equaes (*) e (**), obtemos outra, com duas incgnitas:

( (( ( ) )) )
( (( ( ) )) )( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) )( (( ( ) )) ) w
L
R
w
L
R
L
R
02
e e
e 1 sen
Z
V 2
I
w

, ,, ,
_ __ _

1 11 1
1 11 1
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

+ ++ +

( (( ( ) )) )( (( ( ) )) )
w
L R
02 o
e I I

Este problema pode ser analisado usando-se anlise de Fourier. A
expanso de Vo, em srie de Fourier, a seguinte:

; ;; ;

' '' '

+ ++ + + ++ + K cos6wt
35
1
cos4wt
15
1
cos2wt
3
1
senwt
4
2
1
V
2 2
V
0

O valor da tenso mdia vale:

V 2
V
0

O valor rms de Vo vale:

[ [[ [ ] ]] ]
2
V
dwt Vsenwt 2
2
1
V
2
1
0
2
R

1 11 1
] ]] ]
1 11 1

A tenso de ripple:

0.545V
2V
2
V
V
2
1
2
2 2
RI

1 11 1
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

O fator de ripple de tenso:

1.21
2
0.545
V
V
K
0
R1
V

A corrente io dada por:

( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) )
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

+ ++ + K
4
4
2
2
1
1
0
4wt cos
15Z
1
2wt cos
3Z
1
wt sen
4Z
2R
1
V
2 2
i

Onde:

( (( ( ) )) ) [ [[ [ ] ]] ]
2
1
2 2
n
nwL R Z + ++ + ;

R
nwL
tan
1
n

;

R
V 2
R
V
I
0
0
.

3.3.3. Retificador Monofsico com Carga RL e Fora Eletromotriz

Figura 3.6 Retificador monofsico com carga R-L-E.
A componente de i, devido a v, :

( (( ( ) )) ) wt sen
Z
V 2
i
SF

( (( ( ) )) ) [ [[ [ ] ]] ]
R
wL
tan ; wL R Z
1 2
1
2 2
+ ++ +

A componente devido a vc = Vc:

R
V
i
c
CF

A soluo natural:

( (( ( ) )) )t
L
R
N
Ae i

A corrente total:

( (( ( ) )) )
( (( ( ) )) )t
L
R
c
Ae
R
V
wt sen
Z
V 2
i

+ ++ + , < wt < ( + = )

sen
V 2
V
m
c

Em wt = e i = 0:

( (( ( ) )) )
( (( ( ) )) )( (( ( ) )) )
Zcos R
e sen
Z
V 2
R
V
A
w
L
R
c

1 11 1
] ]] ]
1 11 1

Aplicando-se as trs ltimas equaes na da corrente total tem-se:

( (( ( ) )) )
( (( ( ) )) )
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

t
L
R
Be
cos
m
wt sen i
V 2
Z
, < wt < +

Onde:

( (( ( ) )) )
( (( ( ) )) )( (( ( ) )) )
w
L
R
e sen
cos
m
B
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

Para determinar , basta fazer i = 0, para wt = + . Das duas ltimas
equaes:

( (( ( ) )) )
( (( ( ) )) )

, ,, ,
_ __ _

, ,, ,
_ __ _

+ ++ +

, ,, ,
_ __ _

tg
e
sen
cos
m
sen
cos
m

Tenso na indutncia:

dt
d
V
L
, onde:

w
2
0
L
0 dt v

Tenso no resistor:

[ [[ [ ] ]] ] ( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) )

+ ++ +
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

0
2
0 RES
sen m cos 1 m 1
2
V 2
dwt V Vsenwt 2
2
1
V

Zcos
V
R
V
I
RES RES
0

( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) )
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

sen m cos 1 m 1
2cos
1
I
V 2
Z
I
2
0 N

V0 = RI0 + Vc

( (( ( ) )) )

; ;; ;

' '' '

1 11 1
] ]] ]
1 11 1

+ ++ +

+ ++ + + ++ +
+ ++ +
2
1

2

2
c
2
R
dwt V dwt Vsenwt 2
2
1
V

A tenso de ripple :

[ [[ [ ] ]] ]
2
1
2
0
2
R RI
V V V

0
R1
V
V
V
K
2
1

2
RN
dwt i
V 2
Z
2
1
I
1 11 1
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

1 11 1
] ]] ]
1 11 1

+ ++ +

RN R
I
Z
V 2
I

0
RI
i
I
I
K
3.3.4. Retificador Monofsico de Meia-Onda com Carga RC

Figura 3.7 Retificador monofsico com carga R-C.
Quando o diodo D conduz:

( (( ( ) )) )

+ ++ + + ++ + + ++ +
t
0
c o R c
Vsenwt 2 Ri 0 v idt
C
1
v v v v

A soluo forada :

( (( ( ) )) ) + ++ + wt sen
Z
V 2
i
F
;
wCR
1
tan
1

( (( ( ) )) )
2
1
1 11 1
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

+ ++ +
2
2
wC
1
R Z

A soluo natural :

RC
t
N
Ae i

( (( ( ) )) )
RC
t
Ae wt sen
Z
V 2
i

+ ++ + + ++ +

Assumindo t = 0, vc = 0 e i = 0 temos:

( (( ( ) )) )
1 11 1
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

+ ++ +

sen e wt sen
Z
V 2
i
RC
t

O ngulo pode ser determinado fazendo-se i = 0, wt = e resolvendo:

( (( ( ) )) ) 0 sen e sen
wRC
+ ++ +

3.3.5. Retificador Monofsico de Meia-Onda com Carga LC

Este tipo de circuito tambm chamado de duplicador de tenso:

Figura 3.7 Retificador monofsico com carga LC.
Analisando o circuito, durante a conduo, temos:

+ ++ + + ++ +
C S
V idt
C
1
dt
di
L V (t = 0)

Observando as condies iniciais: i (t = 0) = 0 e VC (t = 0) = 0, temos:

( (( ( ) )) ) senwt
L
C
V t i
S
e ( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) )

t
0
S C
coswt 1 V idt
C
1
t V , onde:
LC
1
w

O circuito se estabiliza no tempo t1, de modo que:

LC t
1

S C
2V V

3.3.6. Circuito Inversor de Carga do Capacitor

Figura 3.7 Retificador monofsico com carga LC sem fonte CC.
Analisando o circuito, durante a conduo, temos:

( (( ( ) )) )

+ ++ + + ++ + 0 0 t V idt
C
1
dt
di
L
c

Observando as condies iniciais: i (t = 0) = 0 e VC (t = 0) = V0, temos:

( (( ( ) )) ) senwt
L
C
V t i
0

( (( ( ) )) )

coswt V V idt
C
1
t V
0 0 C

3.3.7. Retificador Monofsico de Onda Completa Tipo Ponte

O retificador monofsico de onda completa tipo ponte, com filtro
capacitivo, mostrado a seguir.

Figura 3.7 Retificador monofsico tipo ponte completa.
Este retificador pode ser representado pelo circuito equivalente abaixo,
que bastante similar ao circuito de um retificador de meia-onda, com exceo
ao fato dos dois semiciclos da tenso de alimentao terem a mesma polaridade,
o que modifica um pouco as expresses j analisadas, para o caso de meia-onda.

Figura 3.8 Modelo do Retificador monofsico tipo ponte completa.
As formas de onda so apresentadas abaixo.

Figura 3.9 Formas de onda do retificador monofsico tipo ponte completa.

3.3.8. Retificador Multifsico

usado em potncias maiores que
15 W, diminuindo o nvel de harmnicas e
o tamanho do filtro. Sua freqncia
fundamental f1 = qf e o tempo de
conduo de cada diodo igual a 2/q.
Figura 3.10 Retificador trifsico de media onda.
As formas de onda so dadas a seguir:

Figura 3.11 Tenso de sada de um retificador trifsico de media onda.
Os valores mdio e eficaz da tenso e o valor eficaz da corrente so:

( (( ( ) )) )

q
0
m m dc
q
sen
q
V wt coswtd V
q 2
2
V

( (( ( ) )) )
2
1
m
2
1
q
0
2 2
m rms
q
2
sen
2
1
q
2
q
V wt wtd cos V
q 2
2
V
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

, ,, ,
_ __ _

+ ++ +
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

( (( ( ) )) )
2
1
m
2
1
q
0
2 2
m s
q
2
sen
2
1
q
2
1
I wt wtd cos I
2
2
I
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

, ,, ,
_ __ _

+ ++ +
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

3.3.9. Retificador Trifsico Tipo Ponte

O circuito do retificador trifsico tipo ponte mostrado abaixo.

Figura 3.12 Retificador trifsico ponte completa.
A sua forma de onda dada a seguir.

Figura 3.13 Formas de onda de um retificador trifsico ponte completa.
A tenso de sada :

6
0
m m m o
1.6542V V
3 3
coswtdwt V 3
6 2
2
V
m m
2
1
2
1
6
0
2
m rms
1.6554V V
4
3 9
2
3
wtdwt cos 3V
6
1
V

, ,, ,
_ __ _

+ ++ +
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

Corrente no diodo:
m
2
1
m
2
1
6
0
2 2
m d
0.5518V
6
2
sen
2
1
6
1
I wtdwt cos I
2
4
I
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

, ,, ,
_ __ _

+ ++ +
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

O valor rms da corrente do secundrio:

m
2 1
m
2 1
6
0
2 2
m s
0.78V
6
2
sen
2
1
6
2
I wtdwt cos I
2
8
I
, ,, ,
_ __ _

+ ++ +
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

O efeito de fontes e cargas indutivas mostrado em seguida.

Figura 3.14 Retificador trifsico ponte completa com efeito da indutncia de linha Ls.
Captulo 4 Retificadores Controlados 61
4 Retificadores Controlados

4.1. Introduo

uma aplicao tpica dos tiristores, onde o tiristor conduz somente aps
a aplicao de um pulso no gatilho e pra de conduzir por comutao natural
ou de linha. Se a carga for muito indutiva o tiristor precisar de comutao
forada. Estes retificadores so simples e tm uma eficincia de 95%. Os
mesmos tambm podem ser chamados de conversores CA-CC, sendo usados
para controlar a velocidade em mquinas CC de poucos HP at MW. Tanto no
caso monofsico quanto no trifsico, estes conversores podem ser do tipo
semicontrolado, totalmente controlado ou duplamente controlado.

4.2. Princpio de Operao

Figura 4.1 Retificador monofsico de media onda.
Este retificador no muito utilizado industrialmente, pois contm muitas
harmnicas. Sua tenso mdia de sada :
( (( ( ) )) ) [ [[ [ ] ]] ] ( (( ( ) )) )

+ ++ +

m
m DC
cos 1
2
V
coswt
2
V
wt senwtd V
2
1
V
A tenso eficaz de sada dada por:
( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) )
2
1
2
m
2
1
2 2
m RMS
dwt cos2wt 1
4
V
wt wtd sen V
2
1
V
1 11 1
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

1 11 1
] ]] ]
1 11 1

2
1
m
RMS
2
sen2

1
2
V
V
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

, ,, ,
_ __ _

+ ++ +
O circuito de disparo sincronizado na freqncia de linha, conforme
mostrado na figura 4.2:

Figura 4.2 Alternativa de sincronismo para o retificador monofsico de onda completa.
A seguir, mostrado o caso do retificador trifsico de meia onda
controlado:

Figura 4.3 Retificador trifsico de media onda.
Os valores mdio, mdio normalizado e eficaz da tenso de sada so
mostrados abaixo:

+ ++ +
+ ++ +

6 5
m m DC
cos V
2
3 3
senwtdwt V
2
3
V

cos V
N

( (( ( ) )) )
2
1

, ,, ,
_ __ _

+ ++ +
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

1 11 1
] ]] ]
1 11 1

+ ++ +
+ ++ +
cos2
8
3
6
1
V 3 wt wtd sen V
2
3
V
m
2
1
6 5
6
2 2
m RMS

4.3. Retificadores Controlados Monofsicos

4.3.1. Retificador Semicontrolado

Figura 4.4 Retificador monofsico hibrido.
A tenso mdia de sada dada por:

[ [[ [ ] ]] ] ( (( ( ) )) )

+ ++ +

m
m DC
cos 1
V
coswt
2
2V
senwtdwt V
2
2
V

O valor normalizado da tenso mdia :

( (( ( ) )) ) cos 1 0.5
V
V
V
DCmax
DC
N
+ ++ +

O valor da tenso eficaz de sada :

( (( ( ) )) )
2
1
2
m
2
1
2 2
m RMS
dwt cos2wt 1
2
V
wtdwt sen V
2
2
V
1 11 1
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

1 11 1
] ]] ]
1 11 1

2
1
m
RMS
2
sen2

1
2
V
V
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

, ,, ,
_ __ _

+ ++ +

4.3.2. Retificador Totalmente Controlado

aplicado para potncias de at 15 kW, sendo os tiristores comutados pela
tenso da linha de forma natural.

Figura 4.4 Retificador monofsico ponte completa totalmente controlado.
Do grfico, temos:

Modo Retificador: Intervalo [, ]; v, i > 0; potncia > 0; Fonte Carga.

Modo Inversor: Intervalo [, + ]; v < 0; i > 0; potncia < 0; Carga Fonte.


[ [[ [ ] ]] ]

+ ++ +
+ ++ +

m
m DC
cos
2V
coswt
2
2V
senwtdwt V
2
2
V

O valor normalizado da tenso mdia :

( (( ( ) )) ) cos V
2V
V
N
m
DCmax

O valor da tenso eficaz de sada :

( (( ( ) )) )
2
1

2
m
2
1

2 2
m RMS
dwt cos2wt 1
2
V
wtdwt sen V
2
2
V
1 11 1
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

1 11 1
] ]] ]
1 11 1

+ ++ + + ++ +

2
V
V
m
RMS

4.3.3. Retificador Duplamente Controlado

Figura 4.5 Retificador monofsico duplamente controlado.

2
M
DC2 1
M
DC1
cos
2V
V e cos
2V
V

( (( ( ) )) )
1 2

1 1 2 DC2 DC1
- cos -cos cos V V
O indutor L r serve para limitar a corrente que circula pela fonte.

( (( ( ) )) )

wt
wt
o2 o1
r
r
r
r
1 1
dwt v v
wL
1
dwt v
wL
1
i

( (( ( ) )) )
1
r
m
wt
wt
r
m
r
cos coswt
wL
2V
senwtdwt senwtdwt
wL
V
i
1 1

1 11 1
] ]] ]
1 11 1

4.3.4. Retificadores Controlados Monofsicos em Srie

Usados em aplicaes de alta tenso e melhoramento do fator de potncia.

Figura 4.6 Retificador monofsico ligados em serie.

( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) )
2
m
DC2 1
m
DC1
cos 1
V
V e cos 1
V
V + ++ + + ++ +

( (( ( ) )) )
2 1
m
DC2 DC1 DC
cos cos 2
V
V V V + ++ + + ++ + + ++ +
O valor mximo da tenso mdia, VDCmax, obtido em 1 = 2 = 0, sendo
igual a 4Vm/ . O valor normalizado da tenso mdia dado por intervalos
abaixo:

Para 0 1 e 2 = :
( (( ( ) )) )
1
m
DC2 DC1 DC
cos 1
V
V V V + ++ + + ++ +

( (( ( ) )) )
1
DCmax
DC
DCN
cos 1 0.25
V
V
V + ++ +
Para 1 = 0 e 0 2 :
( (( ( ) )) )
2
m
DC2 DC1 DC
cos 3
V
V V V + ++ + + ++ +

( (( ( ) )) )
2
DCmax
DC
DCN
cos 3 0.25
V
V
V + ++ +

Outro exemplo de retificador ligado em srie mostrado a seguir:

Figura 4.6 Retificadores totalmente controlados monofsico ligados em serie.


Figura 4.6 Retificadores totalmente controlados monofsico ligados em serie.Exemplo-2.

4.4. Retificadores Controlados Trifsicos
Retificador Semicontrolado

Figura 4.7 Retificador trifsico hbrido controlado
senwt V v
m an

, ,, ,
_ __ _

6
wt sen V 3 v v v
m cn an ac

, ,, ,
_ __ _

3
2
wt sen V v
m bn

, ,, ,
_ __ _

6
5
wt sen V 3 v v v
m an bn ba

, ,, ,
_ __ _

+ ++ +
3
2
wt sen V v
m cn

, ,, ,
_ __ _

+ ++ +
2
wt sen V 3 v v v
m bn cn cb

Para / 3, os valores mdio e eficaz da tenso de sada so:

( (( ( ) )) ) cos 1
2
V 3 3
dwt
6
wt sen V 3
2
3
dwt v
2
3
V
6 7
6
6 7
6
m
m ac DC
+ ++ +
, ,, ,
_ __ _

+ ++ + + ++ +

2
1
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

, ,, ,
_ __ _

+ ++ +
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

, ,, ,
_ __ _

+ ++ +
sen2
2
1

4
3
V 3 dwt
6
wt sen 3V
2
3
V
m
2
1
6 7
6
2 2
m RMS

4.4.1. Retificador Totalmente Controlado

Figura 4.8 Retificadores totalmente controlados monofsico ligados em serie.
senwt V v
m an

, ,, ,
_ __ _

+ ++ +
6
wt sen V 3 v v v
m bn an ab

, ,, ,
_ __ _

3
2
wt sen V v
m bn

, ,, ,
_ __ _

2
wt sen V 3 v v v
m cn bn bc

, ,, ,
_ __ _

+ ++ +
3
2
wt sen V v
m cn

, ,, ,
_ __ _

+ ++ +
6
5
wt sen V 3 v v v
m an cn ca

Os valores mdio, mdio normalizado e eficaz da tenso de sada so:

+ ++ +
+ ++ +
+ ++ +
+ ++ +

, ,, ,
_ __ _

+ ++ +
2
6
2
6
m
m ab DC
cos
V 3 3
dwt
6
wt sen V 3
3
dwt V
3
V

cos V
N

2
1
m
2
1
2
6
2 2
m RMS
cos2
8
3 3
4
1
V 6 dwt
6
wt sen 3V
3
V

, ,, ,
_ __ _

+ ++ +
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

, ,, ,
_ __ _

+ ++ +

+ ++ +
+ ++ +

4.4.2. Retificador Duplamente controlado

Figura 4.9 Retificador Dual.
4.5. Consideraes Sobre Projetos de Retificadores

Os tiristores e diodos devem ser especificados, para uso nos retificadores
controlados, devem sempre considerar o pior caso ( = 0). Deve-se determinar o
IDC, IRMS, IP, Vpico reverso. Eis alguns parmetros de comportamento dos
retificadores:

Tenso mdia de sada: VDC;

Corrente mdia de sada: IDC;

Potncia mdia de sada: PDC = VDC IDC;

Tenso eficaz de sada: VRMS;

Corrente eficaz de sada: IRMS;

Potncia de sada AC: PAC = VRMS IRMS (contnua + harmnicos);

Eficincia ou taxa de retificao:
AC
DC
P
P
;

O valor RMS efetivo:
2
DC
2
RMS AC
V V V ;

Fator de forma:
DC
RMS
V
V
FF ;

Fator de Ripple: 1 FF 1
V
V
V
V
FR
2
2
DC
RMS
DC
AC

, ,, ,
_ __ _

;

Fator de utilizao do transformador:
S S
DC
I V
P
TUF , sendo VS e IS valores
eficazes da tenso e corrente no secundrio do transformador;

ngulo de deslocamento: (ngulo entre a tenso de entrada e a harmnica
fundamental da corrente de entrada);

Fator de deslocamento: FD = cos ;

Fator harmnico da corrente de entrada:
2
1
2
1
S
2
1
2
1
2
1
2
S
1
I
I
I
I I
FH
1 11 1
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

, ,, ,
_ __ _

, ,, ,
_ __ _

,
onde I1 o valor eficaz da componente fundamental e IS o valor eficaz da
corrente do secundrio do transformador;

Fator de potncia: cos
I
I
I V
cos I V
FP
S
1
S S
1 S
.
Captulo 5 Choppers 73
5 Choppers

5.1. Introduo

Para uma tenso CC de entrada fixa, os choppers, ou conversores CC-CC,
controlam a tenso CC mdia de sada, pela variao do tempo de conduo do
dispositivo semicondutor de potncia em uso. aplicado na regulao de
tenso de fontes chaveadas e no controle de mquinas.

Figura 5.1 Representao de Chopper a nvel de bloco.
A figura-1 mostra um chopper com transistor, onde, para fins de anlise,
considera-se ideais a fonte de entrada e as chaves, alm do circuito em regime
permanente.

Figura 5.2 Representao de Chopper redutor a transistor.

O controle de um conversor CC-CC feito pelo valor mdio e/ ou pela
freqncia do sinal aplicado, ao gatilho, da chave de operao do circuito
conversor. O mais comum controlar o valor mdio, deste sinal, atravs da
variao do tempo de conduo (ton) e do tempo de desligamento (toff) da chave,
para um perodo de chaveamento (Ts = ton + toff) fixo. Assim, este controle,
conhecido como PWM (Pulse-Width Modulation), controla o ciclo de trabalho
(D) da chave, definido por: D = ton / Ts.


Figura 5.3 tecnica PWM para chopper.
O diagrama de blocos do circuito de controle e suas principais formas de
onda so mostrados na figura a seguir, onde: D = Vcontrol / Vst.

Figura 5.4 Diagrama de bloco de um CI PWM
5.3. Conversor Buck (Redutor de Tenso ou Step-Down)

Figura 5.5 Chopper redutor ou step down
Os circuitos equivalentes, para ton e toff, e as formas de onda so mostrados
a seguir, para o modo de conduo contnuo, onde a corrente do indutor nunca
menor que zero (iL(t) 0).

Figura 5.6 Tenso sobre o indutor de um choopper redutor.
Pela conservao de energia, sabe-se que as reas A e B so iguais, assim:
( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) ) D
T
t
V
V
t T V t V V dt V dt V
s
on
d
o
on s o on o d
T
t
L
t
0
L
s
on
on
+ ++ +

0 0

Considerando que as perdas no chopper sejam nulas, tem-se:
D
V
V
I
I
I V I V P P
d
o
o
d
o o d d out in

O ripple da tenso de sada de um conversor Buck pode ser observado nas
formas de onda da figura abaixo:

Figura 5.7 Ripple na sada de um choopper redutor.
Considerando a expresso fsica, que relaciona tenso e corrente no
indutor, e que o indutor possui tenso (VL), somente em toff, tem-se:

( (( ( ) )) )
s
o
L off
o
L
off
L
o
L
L
L
L
T D 1
L
V
I t
L
V
I
t
I
L V
t
I
L V
dt
dI
L v

Matematicamente, o tringulo, cuja rea Q, possui uma altura igual a
IL/ 2 e uma base igual a Ts/ 2, de modo que:

C 8
I T
V
2
I
2
T
2
1
C
1
V
C
Q
V
C
Q
V
L s
o
L s
o o

( (( ( ) )) )
( (( ( ) )) )
o
2
s
o s
o s
o
V
C L 8
T D 1
V T D 1
L
V
C 8
T
V

1 11 1
] ]] ]
1 11 1

Sabendo que fc (= 1/ 2(LC)) a freqncia natural e fs (= 1/ Ts) a
freqncia de chaveamento, tem-se que o ripple percentual :

( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) )
2
s
c
2
o
o
2
s
o
o
f
f
2
D 1
V
V
C L 8
T D 1
V
V

, ,, ,
_ __ _

5.4. Conversor Boost (Elevador de Tenso ou Step-Up)

Figura 5.8 Chopper elevador de tenso.
Os circuitos equivalentes, para ton e toff, e as formas de onda do conversor
Boost so mostrados a seguir, com a comparao entre os ganhos (Vo/ Vd) ideal
(tende ao infinito) e real (satura por efeito de elementos parasitas) do conversor.

Figura 5.9 Modos de trabalho em um chopper elevador.

Figura 5.10 Tenso no indutor e funo de transferencia do conversor.

( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) ) 0 0 + ++ + + ++ +

on s o d on d
T
t
L
t
0
L
t T V V t V dt V dt V
s
on
on

D 1
1
V
V
D 1
T
t T
V
V
0 T V t V T V
d
o
s
on s
o
d
s o on o s d

+ ++ +


D - 1
1
V
V
I
I
I V I V P P
d
o
o
d
o o d d out in

O ripple da tenso de sada de um conversor Boost pode ser observado
nas formas de onda da figura abaixo:

Figura 5.101Corrente no capacitor e tenso de sada.
Como a carga lquida do capacitor, num perodo (Ts), igual a zero, tem-se
que as reas azul e vermelha, na figura acima, so iguais, sendo dadas por:
( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) )
s
o
s o
T D
R
V
Q T D I Q

Sabendo que (= RC) constante de tempo do circuito e utilizando a
expresso da carga do capacitor, tem-se que o ripple percentual :

( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) )
T D
V
V
C
T D
R
V
V
C
T D I
C
Q
V
C
Q
V
s
o
o s o
o
s o
o

5.5. Conversor Buck-Boost (Fly-Back)

Figura 5.11 Chopper Flyback.
As formas de onda do conversor Buck-Boost so mostradas a seguir,
incluindo a comparao entre os ganhos (Vo/ Vd) ideal (tende ao infinito) e real
(satura em 1, devido ao efeito de elementos parasitas) do conversor.

Figura 5.11 Tenso sobre o indutor e funo de transferencia.

0 t V t V 0 dt V dt V
off o on d
T
t
L
t
0
L
s
on
on
+ ++ +

( (( ( ) )) )
D 1
D
V
V
T D 1 V T D V
d
o
s o s d


D - 1
D
V
V
I
I
I V I V P P
d
o
o
d
o o d d out in

O ripple da tenso de sada de um conversor Buck-Boost pode ser
observado nas formas de onda da figura abaixo:

Figura 5.12 Corrente sobre o copacitor e ripple de sada.
Como a carga lquida do capacitor, num perodo (Ts), igual a zero, tem-se
que as reas azul e vermelha, na figura acima, so iguais, sendo dadas por:

( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) )
s
o
s o
T D
R
V
Q T D I Q

Sabendo que (= RC) constante de tempo do circuito e utilizando a
expresso da carga do capacitor, tem-se que o ripple percentual :

( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) )
T D
V
V
C
T D
R
V
V
C
T D I
C
Q
V
C
Q
V
s
o
o s o
o
s o
o

Uma maneira empregada para isolar a entrada da sada do conversor
utilizar um transformador, desempenhando o papel do indutor:

Figura 5.12 Circuito Fly Back com acoplamento de transformador
5.6. Conversor Cuk

Figura 5.13 Chopper tipo Cuk.
Os circuitos equivalentes, para ton e toff, e as formas de onda do conversor
Cuk so mostrados abaixo.

Figura 5.14 Modos de trabalho e formas de onda sobre os indutores.
Em regime, tem-se que:

C1 o d L2 L1
V V V 0 V e 0 V + ++ +

Pela conservao de energia, tem-se:

L1:

( (( ( ) )) ) 0 t V t V V 0 dt V dt V
on d off C1 d
T
t
L1
t
0
L1
s
on
on
+ ++ + + ++ +

( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) )
D 1
V
V 0 T D V T D 1 V V
d
C1 s d s C1 d

+ ++ +

L2:

( (( ( ) )) ) 0 t V V t V 0 dt V dt V
on o C1 off o
T
t
L2
t
0
L2
s
on
on
+ ++ + + ++ +

( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) )
D
V
V 0 T D V V T D 1 V
o
C1 s o C1 s o
+ ++ +

Igualando as expresses obtidas, para VC1, tem-se:

D 1
D
V
V
D
V
D 1
V
V
d
o o d
C1


D - 1
D
V
V
I
I
I V I V P P
d
o
o
d
o o d d out in

5.7. Conversor Tipo Ponte

Figura 5.15 Chopper tipo ponte
A tenso e a corrente de carga so tanto positivas quanto negativas, sendo
chamado, tambm, de chopper classe E ou chopper de quatro quadrantes. Suas
formas de onda so mostradas na Figura abaixo.

Figura 5.15 Formas de onda para uma ponte tipo ponte.
As chaves TA
+
e TB
ficam no estado on, enquanto as chaves TA
e TB
+

ficam no estado off e vice-versa. As expresses do sinal de controle (Vcont)
escolhido e do tempo de conduo (ton), determinado pelo sinal de controle,
esto abaixo:

2
T
2t t e V
4 t
t
v
s
1 on tri
s
1
cont
+ ++ +

Utilizando estas expresses, possvel expressar o ciclo de trabalho, com a
chave ativa (D1), em funo das tenses de controle (Vcont) e de pico da onda
triangular (
tri
V
):

, ,, ,
_ __ _

+ ++ +
tri
cont
s
on
1
V
v
1
2
1
T
t
D

Da forma de onda de VAN VBN e sabendo que D2 o ciclo de trabalho,
para a chave est desativada (D2 = toff/ Ts = 1 D1), tem-se que:

( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) )
d 1 o d 2 d 1 d off d on
s
o
V 1 D 2 V V D V D V t V t
T
1
V

Usando a relao entre D1 e as tenses Vcont e
tri
V
, tem-se que o valor

mdio (Vo) de VAN VBN dado por:

cont
tri
d
o
V
V
V
V

Outra forma de obter o mesmo valor mdio da tenso de sada (Vo),
porm, sendo esta tenso unipolar, mostrada nas formas de onda abaixo, onde
a corrente de sada (io) passa a ser bipolar.

Figura 5.16 Formas de onda para uma ponte tipo ponte com modulao unipolar.
Captulo 6 Inversores 84
6 Inversores

6.1. Introduo

Os inversores, ou conversores CC-CA, fornecem tenses CA, na sada, a
partir de tenses CC, na entrada, por meio da comutao (chaveamento)
adequada dos dispositivos semicondutores de potncia utilizados. Possuem
dois tipos, monofsico e trifsico. Suas entradas podem ser baterias, clulas
solares etc. e suas sadas tpicas dependem do tipo, isto :

Monofsicas: 220 V, 50Hz; 120 V, 60Hz; 115 V, 400Hz.
Trifsicas: 220/ 380 V, 50Hz; 120/ 208 V, 60Hz; 115/ 200 V, 400Hz.

Figura 6.1 Definio de inversor.
aplicado em fontes de potncia ininterruptas ou de emergncia,
atuadores de mquinas CA, fornos de induo etc.. A figura abaixo mostra um
inversor monofsico com MOSFETs.

Figura 6.2 Inversor monofsico tipo ponte.
Alm da classificao em monofsico e trifsico, os inversores tambm so
divididos de acordo com:

Tcnica de comutao utilizada:

! Inversor com modulao de largura de pulso;
! Inversor ressonante;
! Inversor com comutao auxiliar;
! Inversor com comutao complementar.

Tipo de fonte de entrada:

! Inversor de Fonte de Tenso, do ingls Voltage Source Inverter (VSI);
! Inversor de Fonte de Corrente, do ingls Current Source Inverter (CSI).


O princpio de operao do inversor pode ser entendido, atravs da figura
abaixo, que consiste em um inversor de meia-ponte, formado por dois
choppers, devendo ser notado que a tenso sobre um transistor, no estado off,
igual a duas vezes a tenso da fonte.

Figura 6.3 Inversor monofsico de media ponte
Somente o transistor Q1 conduz, durante To/2, sendo a tenso instantnea,
sobre a carga, igual tenso de uma das fontes CC (vo = Vss). Para uma carga
indutiva, a corrente no muda imediatamente, com a tenso de sada, isto ,
quando Q1 cortado, em t = To/2, a corrente da carga continua fluindo, atravs
de D2, da carga e da fonte superior, at cair a zero. Um processo semelhante
ocorre para Q2 e D1, no intervalo de tempo t = To/2 at t = To, sendo a tenso
instantnea, na carga, igual tenso da fonte, porm, negativa (vo = Vss).
Quando os diodos conduzem, a energia est sendo devolvida fonte CC. A
figura acima tambm mostra as formas de onda da tenso e da corrente, numa
carga puramente indutiva, onde cada transistor conduz somente 90
o
; contudo,
dependendo do fator de potncia da carga, este perodo de conduo pode
variar desde 90 at 180
o
.
A tenso de sada dada por:

Instantnea:

( (( ( ) )) )
( (( ( ) )) )

1,3,5,... n
ss
o
t n sen
n
2V 2
v

RMS:

ss o
1/2
T
0
2
ss
o
o
V V dt V
T
1
V
o

, ,, ,
_ __ _

As estruturas bsicas do atuador de controle e do circuito de potncia do
inversor so mostradas na figura a seguir, sabendo que o circuito lgico
projetado de maneira que Q1 e Q2 no conduzam simultaneamente.

Figura 6.4 Inversor com realimentao de corrente.
Os parmetros de performance dos inversores so citados a seguir, onde Vn
o valor eficaz (RMS) do ensimo harmnico:

Fator Harmnico:

1
n
V
V
FH

Distoro Harmnica Total:

1/2
2,3,... n
2
n
1
V
V
1
DHT

, ,, ,
_ __ _

Fator de Distoro:

1/2
2,3,... n
2
2
n
1
n
V
V
1
FD
1 11 1
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

, ,, ,
_ __ _


Fator de Distoro Individual:

2
1
n
n
n V
V
FD

6.3. Inversor Monofsico em Ponte

Figura 6.5 Inversor monofsico tipo ponte.
Aps explicar o princpio de funcionamento dos inversores, atravs de um
inversor monofsico meia-ponte, a figura acima mostra o inversor monofsico
tipo ponte e suas formas de onda. Pode-se dizer que este tipo de inversor
formado por quatro choppers, onde os semicondutores conduzem aos pares
(D1D2, Q1Q2, D3D4, Q3Q4).

A tenso de sada dada por:

Instantnea:

( (( ( ) )) )

1,3,5,... n
s
o
t n sen
n
4V
v

Componente fundamental (n = 1):

s 1
s
1
0,9V V
2
4V
V

RMS:

s o
1/2
/2 T
0
2
s
o
o
V V dt V
T
2
V
o

, ,, ,
_ __ _

6.4. Inversor Trifsico


Figura 6.5 Inversor trifsico com trs ponte monofsicas.
Geralmente, os inversores trifsicos so utilizados em aplicaes de
potncia elevada. Na figura acima, trs inversores monofsicos de meia-ponte
ou ponte completa so conectados em paralelo, para formar a configurao de
um inversor trifsico. Para que as tenses trifsicas fundamentais obtidas sejam
equilibradas, necessrio que os sinais de comando dos inversores monofsicos
sejam adiantados ou atrasados de 120
o
, um em relao ao outro. Os
enrolamentos primrios dos transformadores devem ser isolados, uns dos
outros, j os secundrios podem ser conectados em estrela ou em tringulo,
sendo mais empregada a ligao em estrela, por eliminar os harmnicos triplos
(n = 3, 6, 9, ...) das tenses de sada. Se as tenses de sada dos inversores
monofsicos no forem perfeitamente equilibradas, em amplitude e fase, as
tenses de sada trifsicas sero desequilibradas.

6.5. Inversor Trifsico em Ponte

Figura 6.6 Inversor trifsico.
Uma sada trifsica tambm pode ser obtida por uma configurao com
seis transistores e seis diodos, como na figura acima, onde podem ser
empregados dois tipos de sinais de controle, nos transistores, um de 180
o
de
conduo e outro de 120
o
. Neste trabalho, somente ser tratado o controle por
conduo de 180
o
, na qual, conforme sugere seu nome, cada transistor conduz
por 180
o
, de maneira que trs transistores permanecem conduzindo em
qualquer instante de tempo. Os sinais de comando so mostrados na figura
acima, onde esto defasados 60
o
uns dos outros, para que as tenses trifsicas
fundamentais de sada sejam equilibradas.

Desta forma, quando Q1 conduz, o terminal a conectado ao positivo da
fonte CC. Ao entrar Q4, o terminal a levado ao negativo da fonte CC. Assim,
existem seis modos de operao de 60
o
, em cada ciclo. Os transistores so
numerados de acordo com sua seqncia de comando, por exemplo: 123, 234,
345, 456, 561 e 612.
A carga pode ser ligada em tringulo, onde as correntes podem ser
diretamente determinadas das tenses de linha, ou estrela, onde as tenses
entre fase e neutro tm de ser encontradas, a fim de determinar as correntes.
Este procedimento pode ser feito considerando que, em cada semiciclo, existem
trs modos de conduo, mostrados na figura abaixo (carga em estrela), onde
tambm pode ser observada a forma de onda, entre a fase a e o neutro, com os
valores da tenso j calculados, para cada modo citado.

Figura 6.7 Modos de trabalho do inversor trifsico.
Tenso de linha de sada dada por:

Instantnea:

, ,, ,
_ __ _

+ ++ +
, ,, ,
_ __ _

1,5,7,... n
s
ab
6
t sen
6
n
cos
n
4V
v

, ,, ,
_ __ _

, ,, ,
_ __ _

1,5,7,... n
s
bc
2
t sen
6
n
cos
n
4V
v

, ,, ,
_ __ _

, ,, ,
_ __ _

1,5,7,... n
s
ca
6
7
t sen
6
n
cos
n
4V
v

Componente de linha fundamental (n = 1):

s 1
s
L1
V 0,7797 V
2
cos30 4V
V

RMS:

( (( ( ) )) )
s o
1/2
2/
0
2
s L
V
3
2
V t d V
2
2
V
, ,, ,
_ __ _

A tenso eficaz de sada, entre fase e neutro, dada por:

s F
s L
F
V 0,4714 V
3
V 2
3
V
V

Com cargas resistivas, os diodos em paralelo com os transistores no tm
funo. Caso a carga fosse indutiva, a corrente, em cada ramo do inversor, seria
atrasada, em relao a sua tenso. Assim, quando o transistor Q4 cortar, o nico
caminho para a corrente negativa de linha seria atravs de D1. Com isso, o
terminal a da carga seria conectado fonte CC, atravs do diodo D1, at a
corrente inverter sua polaridade. Durante este perodo de tampo, Q1 no
conduz. Como o tempo de conduo varia com o fator de potncia da carga, os
transistores tm de ser continuamente excitados.

6.6. Inversor de Fonte de Corrente (IFC)

Figura 6.8 Inversor de corrente monofsico.
Nos casos anteriores, os inversores so alimentados por uma fonte de
tenso e a corrente de carga forada a variar entre o positivo e o negativo e
vice-versa; sendo empregados chaves de potncia, com diodos de comutao,
no caso de cargas indutivas. J no inversor de fonte de corrente (IFC), a entrada
comporta-se como uma fonte de corrente, enquanto a corrente de sada
mantida constante, independentemente da carga, e a tenso de sada forada a
variar. O diagrama do IFC monofsico transistorizado e a forma de onda da
corrente de sada so mostrados na figura acima. Como a fonte exige um fluxo
contnuo de corrente, duas chaves sempre conduziro, uma na parte superior e
outra na inferior, sendo a seqncia de operao dada por: 12, 23, 34 e 41. Os
diodos em srie bloqueiam tenses reversas nos transistores.

Figura 6.9 Inversor de corrente a tiristores.
Conforme mostra a figura acima, no IFC tiristorizado, a comutao feita
apenas utilizando capacitores. A figura abaixo ilustra a operao do circuito,
durante um semiciclo, assim como suas formas de onda. Para fins de anlise,
considera-se que T1 e T2 esto conduzindo e os capacitores C1 e C2 esto
carregados com a polaridade mostrada. Ento, o disparo de T3 e T4 polariza
reversamente T1 e T2, que so desligados, atravs de comutao por impulso.
Agora, a corrente circula atravs de T3-C1-D1, carga e D2-C2-T4. Assim, os
capacitores C1 e C2 so descarregados e recarregados, em uma taxa constante,
determinada pela corrente de carga. Quando C1 e C2 so carregados, para a
tenso de carga, e suas correntes caem a zero, a corrente de carga transferida
de D1 para D3 e de D2 para D4. D1 e D2 so desligados quando a corrente de
carga for completamente invertida. Neste momento, os capacitores esto
prontos para desligar T3 e T4, se T1 e T2 forem disparados no prximo semiciclo.
O tempo de comutao depende da amplitude da corrente e da tenso da carga.
As expresses das formas de onda so mostradas a seguir.

Figura 6.10 Forma de trabalho do inversor de corrente a tiristores.
( (( ( ) )) )
2
i I
i i I i i i i
o L
c c L o d o c
+ ++ +
+ ++ + + ++ +

C 2R t
L c
o
e I i

C 2R
i I
dt
di
0
dt
di
R
2C
i I
0 i R dt
C
i
L
o L o o
o
o L
o L
c
+ ++ +
+ ++ +
+ ++ +
+ ++ +

L
C 2R t
L o
I e 2I i
o

A figura abaixo ilustra um inversor trifsico corrente-tenso, com carga
indutiva, assim como, os perodos de conduo de cada semicondutor, as
tenses de fase e a corrente da fase A.

Figura 6.11 Inversor de corrente a tiristores.
6.7. Controle de Tenso de Inversores Monofsicos

H vrias tcnicas de controle do ganho e, conseqentemente, da tenso
de sada, de um inversor, sendo o controle por modulao da largura de pulso
(PWM) o mais eficiente. Os objetivos do controle de tenso, nos inversores em
geral, so:

Manter a tenso de sada independente de variaes na tenso de entrada;
Manter a tenso de sada independente da carga (regulao);
Manter constante a relao entre a tenso e a freqncia de sada.

As tcnicas mais comumente utilizadas so tratadas a seguir:

Modulao por Largura de Pulso nico: Existe somente um pulso por
semiciclo e a sua largura variada, para controlar a tenso de sada do inversor.
A figura abaixo mostra os sinais de comando e a tenso de sada do inversor
monofsico em ponte completa. Os sinais de comando so gerados por
comparao, entre um sinal de referncia retangular de amplitude Ar e uma
onda portadora triangular de amplitude Ac. A freqncia do sinal de referncia
determina a freqncia fundamental da tenso de sada. Pela variao de Ar,
desde 0 at Ac, a largura do pulso () pode ser variada de 0 at 180
o
. A relao
entre Ar e Ac a varivel controlada, sendo definida como ndice de modulao:
(M). A figura abaixo tambm mostra o perfil de harmnicos com a variao de
M, onde o harmnico dominante o terceiro e fator de distoro aumenta
bastante, para baixas tenses de sada. As expresses do ndice de modulao
(M), da tenso eficaz de sada (Vo), da srie de Fourier da tenso de sada (vo) e
da largura de pulso () so mostradas abaixo.

Figura 6.11 Tcnica de modulao por largura de pulso.
c
r
A
A
M

( (( ( ) )) )
( (( ( ) )) )
( (( ( ) )) )
V wt d V
2
2
V
s
2 1
2
2
2
s o

1 11 1
1 11 1
] ]] ]
1 11 1

+ ++ +

( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) )

K 1,3,5, n
s
o
nwt sen
2
n
sen
n
4V
t v

M
Modulao por Largura de Pulsos Mlt iplos: O uso de muitos pulsos, em
cada semiciclo da tenso de sada, pode reduzir o contedo harmnico. A
figura abaixo mostra a gerao dos sinais de comando dos transistores e a
tenso de sada, para inversores monofsicos. Esta gerao permite ligar e
desligar os transistores, sendo feita por comparao por comparao de um
sinal de referncia com uma portadora triangular. A freqncia do sinal de
referncia estabelece a freqncia de sada (fo) e a freqncia da portadora (fc)
determina o nmero de pulsos, por semiciclo (p). O ndice de modulao (M)
controla a tenso de sada e sua variao de 0 at 1 varia largura de pulso de 0
at /p e a tenso de sada de 0 at Vs. A figura a seguir tambm possui o perfil
de harmnicos pela variao de modulao, para cinco pulsos por semiciclo,
onde o fator de distoro bem menor que aquele da modulao por pulso
nico; porm, devido ao maior nmero de processos de chaveamento dos
transistores, aumenta as perdas. As expresses do nmero de pulsos por
semiciclo (p), da tenso eficaz de sada (Vo), da srie de Fourier da tenso de
sada (vo, onde o valor de Bn pode ser encontrado por um par de pulsos, com
durao de , sendo que o positivo comea em t = , enquanto o negativo
comea em t = +) e da largura de pulso () so mostradas abaixo.

Figura 6.12 Tcnica de modulao por mutipulso
2
m
f 2
f
p
f
o
c

, onde mf = fc/fo a razo da freqncia de modulao.

( (( ( ) )) )
( (( ( ) )) )
( (( ( ) )) )
P
V wt d V
2
2P
V
s
2 1
2 P
2 P
2
s o

1 11 1
] ]] ]
1 11 1

+ ++ +

( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) )

K 1,3,5, n
n o
nwt sen B t v

M
P

Modulao por Largura de Pulsos Senoidal: A largura de cada pulso
variada, em proporo amplitude de uma onda senoidal, analisada no centro
do mesmo pulso. O fator de distoro e os harmnicos de mais baixa ordem so
reduzidos de maneira significativa. A figura abaixo mostra a tenso instantnea
de sada (considerando que dois transistores do mesmo ramo no podem
conduzir ao mesmo tempo). Alm disso, a figura tambm mostra os sinais de
comando, os quais so gerados atravs da comparao de um sinal de
referncia senoidal com uma portadora triangular de freqncia fc. A
freqncia do sinal de referncia (fr) determina a freqncia de sada do
inversor (fo) e sua amplitude mxima (Ar) controla o ndice de modulao (M),
que, por sua vez, controla a tenso eficaz de sada (Vo). O nmero de pulsos por
semiciclo depende da freqncia da portadora. Na figura a seguir, tambm
pode ser observado que os mesmos sinais de comando podem ser gerados via
uma onda portadora triangular unidirecional. Alm disso, a figura mostra o
perfil de harmnicos da modulao senoidal, para cinco pulsos por semiciclo,
sendo o fator de distoro bastante reduzido, quando comparado quele da
modulao por pulsos mltiplos. As expresses da tenso eficaz de sada (Vo,
estendida da expresso do valor mdio, para modulao por pulsos mltiplos),
e da srie de Fourier da tenso de sada (vo, semelhante ao caso anterior).

Figura 6.13 Tcnica de modulao modulao senoidal

2 1
P
1 n
m
s o
V V

, ,, ,
_ __ _

( (( ( ) )) ) ( (( ( ) )) )

K 1,3,5, n
n o
nwt sen B t v

Outros tipos de tcnicas de controle de tenso bastante difundidas so a
Modulao por Largura de Pulsos Senoidal Modificada
Captulo 7 Aplicaes em fontes de alimentao
ELETRNICA DE POTNCIA Prof. Andrs Ortiz Salazar

98
7 - APLICAES A FONTES DE ALIMENTAO
========================================================
7.1 Introduo

Figura 7.1 Esquema de uma fonte de alimentao CC chaveada ( 70% < < 60%)

Figura 7.2 Fonte de Alimentao CC Linear ( 30% < < 60%) recomendvel para
potncias < 25W

99

7.2 Fontes Chaveadas vs Fontes Lineares

Fonte chaveada altamente eficiente de 70 a 90 %
Tamanho e peso das fontes so menores devido a trabalhar a freqncias altas.
Fontes chaveadas so mas complexas e geram interferncias
electromagnticas.

7.3 Conversor CC-CC com ISOLAMENTO ELETRICO

Classificao:

UNIDIRECIONAL
FLYBACK
BUCK ou Strep Down

BIDIRECIONAL

Push-Pull
Half-Brige(media ponte)
Full-Brige(ponte completa)

7.4 CONVERSOR FLYBACK

CHAVE ON CHAVE OFF

100
Figura 7.3 Chopper tipo Flyback

(a) Com dois Transistores (b) Conversor paralelo a Flyback
Figura 7.4 Outras configuraes fly back

7.5 CONVERSOR FORWARD (derivado do step-down)

Figura 7.5 Chopper Forward
( )
( )
v
N
N
v v t t
v v t t T
V
V
N
N
D
L d o on
L o on s
o
d
< <
< <
'
2
1
2
1
0


101

Fig.7.6 CONVERSOR FORDWARD PRATICO


102
OUTRAS TOPOLOGIAS

(a) COM DUAS CHAVES

(b) CONFIGURAO PARALELA

Fig.7.7 Outras configuraes


103
7.6 CONVERSORES CC-CC BIDIRECCIONAIS
CONVERSOR PUSH PULL

Fig.7.8 Conversor Push Pull
( )
( )
( )
v
N
N
v v t t
v v t t T
V
V
N
N
D D
L d o on
L o on s
o
d
< <
< <
'
< <
2
1
2
1
0
2 0 05 ,

( )
( )
( )
v
N
N
v v t t
v v t t T
V
V
N
N
D D
L d o on
L o on s
o
d
< <
< <
'
< <
2
1
2
1
0
0 05 ,


104
CONVERSOR TIPO PONTE

Fig.7.9 Conversor tipo Ponte
( )
( )
v
N
N
v v t t
v v t t
t
T
V
V
N
N
D onde D
t
T
L d o on
L o on
on
s
o
d
on
s
< <
< <
+
_
,
'
2
1
2
1
0
2
2
; ....

Comparando fontes de media ponte e ponte completa, com tenses de
entrada e sada, e potncias similares obtm-se:

( ) ( )
N
N
N
N
I I
P P
CHAVE
P
CHAVE
P
2
1
1 2
2
1
1 2
2
2
_
,
_
,
/
/


105

7.7 CONTROLE DE UMA FONTE CHAVEADA CC

A variao de Vo < t tt t

Fig.7.10 Diagrama de blocos do sistema de controle

7.8 FONTES DE ALIMENTAO C.A
UPS (Uninterruptiple Power Supplies)

Usado para alimentar cargas criticas como:
Computadores controlando processos importantes
Equipamentos mdicos
Caractersticas de tenso de sadia:
freqncia de sada devera ser de 60 Hz.
Puramente senoidal distoro menor de 1%
Para um sistema 3 as trs sinais deveram ter a mesma amplitude e estar
desfasadas 120.
PROBLEMAS TPICOS:
SOBRE TENSO
SUB TENSO
SAIDA DO SISTEMA
PICOS TRANSITORIOS DE TENSO (SPIKES)
FORMAS DE TENSO RECORTADA

106

HARMONICOS

EMI

Fig.7.11 TIPICA TOLERANCIA DE TENSO DE SISTEMAS COMPUTARIZADOS (
STD.446)
RECOMENDAO PRATICA PARA SISTEMAS DE POTENCIA DE EMERGENCIA PARA APLICAES
INDUSTRIAES E COMENCIAES.


107
7.9 NO-BREAKS - PARA QUE SERVEM?
Em alguns setores da populao os apages provocaram mudanas no da a da. Para qum no
sabe fazem j 20 anos que os no-breaks (aparelhos que armazenam energia eltrica em
baterias). E que hoje a causa de todos estes problemas, adquiriram seu verdadeiro valor perante
este problema. Por estas horas nem fabricantes nem lojistas conseguem dar conta dos pedidos
do setor informatizado em indstrias, hospitis, lojas, escolas, etc...etc...
Estes equipamentos ajudam a continuar os trabalhos em desenvolvimento e protegem o
hardware do sistema quando a rede eltrica fica instvel ou diretamente quando a energa falta.
Existem no-breaks para uso domstico , e outros para uso corporativo. Os primeiros de 400 a
600 VA (Volt-Ampre) e os segundos de at160 kVA (kiloVolt-Ampre). Porm existem
alguns fabricantes que podem fornecer no-breaks de at 1.000 kVA".
A autonoma destes equipamentos de 15 a 20 minutos, o que permitira encerrar os trabalhos
que esto sendo feitos, e ainda alguns deles possem circuitos inteligentes que, fazem com que
a mquina guarde o trabalho em disco e o feche se o usurio estiver longe no momento do
apago. Tambem podem incorporar-se mdulos externos de bateria ao no-break se ste for
expansivel e obviamente no caso de aqueles usurios que necessitem mais tempo de autonoma.
Para se ter uma idia de preos, um no-break de 650 VA (suficientes para o micro, monitor,
impressora e scanner), custa R$ 280 para uma autonomia de 30 minutos e aceita bateria externa
para 370 minutos (por R$ 250).
Clientes corporativos vo gastar um pouco mais: possvel manter o no-break no ar por at 24
horas, mas isso encarece o equipamento. "Um no-break de 3 kVA, que suporta 15 micros por
15 minutos, custa em torno de RS 6 mil. Se o cliente quiser uma autonomia de 2 horas, vai
gastar mais R$ 8 mil em baterias".
Para garantir que a atividade profissional seja mantida em caso de blecautes (e agora tambm
durante o racionamento), muitas empresas usam geradores. Eles demoram alguns minutos para
entrar em funcionamento. O ideal que um no-break faa a transio.
Alm dos equipamentos de informtica, os outros eletrodomsticos tambm precisam de
proteo. Filtros de linha e estabilizadores ajudam nessa tarefa. Mesmo sem blecaute, a rede
eltrica instvel. Na volta de um eventual apago, a energia produz um pico que pode
danificar tevs, rdios, geladeiras....
De uma forma geral, os sistemas ininterruptos de energia, conhecidos popularmente no Brasil
como No-Breaks, possuem como funo principal fornecer carga crtica energia condicionada
(estabilizada e filtrada) e sem interrupo, mesmo durante uma falha da rede comercial.
Ao receber a energia eltrica da concessionria, o No-Break transforma esta energia no
condicionada, isto ; abundante em flutuaes, transitrios de tenso e de freqncia, em
energia condicionada, onde as caractersticas de tenso e freqncia so rigorosamente
controladas. Desta forma oferece parmetros ideais, o que fundamental para o bom
desempenho das cargas crticas (sensveis).

Figura 9.12 - Sistema No-Break alimentando carga crtica

108
Transitrios e deformaes da forma de onda de tenso, variaes de freqncia e mini-
interrupes (durao de at 0,1 segundo) dependem de uma srie de fatores, tais como:
proximidades de cargas reativas ou no lineares (retificadores controlados), comutao de
cargas na rede, descargas atmosfricas, rudos, etc.
Estes fenmenos perturbam a operao e comprometem a confiabilidade dos sistemas
computacionais. De acordo com sua magnitude podem afetar at o hardware pela danificao
de semicondutores, discos rgidos, cabeas de gravao, entre outros.
Composio do Sistema
Um sistema No-Break composto por circuito retificador/carregador de baterias, banco de
baterias, circuito inversor de tenso e chave esttica ou bypass automtico (item opcional).
Circuito Retificador/Carregador- converte tenso alternada em contnua, mantendo o banco de
baterias carregado e alimentando o inversor (ver No-Break On-Line);
Banco de Baterias- armazena energia para alimentar a carga durante falhas da rede eltrica e
atua como filtro (ver No-Break On-Line);
Circuito Inversor- converte tenso contnua (proveniente do banco de baterias) em tenso
alternada para alimentar a carga;
Chave Esttica- transfere a carga para a rede em caso de falha no sistema.
Topologias Principais:
Em funo da disposio dos circuitos, so geradas diferentes arquiteturas (topologias) com
caractersticas bem distintas. Os sistemas No-Breaks podem ser divididos em ON-LINE e OFF-
LINE.
No-Break Off-Line
Na figura 9.13 mostrado o diagrama em blocos da topologia off-line. Nesta topologia existem
duas condies de operao, definidas pela situao da rede de alimentao:
Rede Presente- a chave CH mantida fechada. A carga alimentada pela rede eltrica (em
alguns casos passando por um circuito estabilizador de tenso).
Falha na Rede- a chave CH aberta. A carga passa a ser alimentada pelo banco de baterias
atravs do inversor.

Figura 9.13 - Diagrama em blocos do No-Break Off-Line

Nos equipamentos onde h um circuito carregador do banco de baterias especfico o inversor
permanece inoperante (estado passivo) enquanto a rede estiver presente, passando a alimentar a
carga somente em uma falha da rede. Estes equipamentos so tipicamente denominados como
No-Breaks Stand-By.

109
Nesta mesma linha se encontram os Short-Breaks, diferenciando-se dos No-Breaks Off-Line,
basicamente, por: maior tempo de interrupo nas transferncias, inexistncia de circuito
estabilizador (via rede), inversor alimenta a carga com onda quadrada no estabilizada, etc.
Existem equipamentos, denominados como Bidirecionais ou Tri-Port, onde o inversor atua
tambm como carregador do banco de baterias.
Nesta configurao (Off-Line) existem, portanto, duas fontes de alimentao da carga; rede e
inversor, existindo desta forma transferncia da carga de uma fonte para outra em funo da
situao da rede. Estas transferncias so pontos muito crticos, submetendo a carga a
transitrios de sub ou sobretenso e, em alguns casos, interrupes no fornecimento de energia.
Neste caso, principalmente, o seu computador pode ter desde perda de dados at danificaes
no hardware.
O circuito retificador nesta topologia limita-se exclusivamente a carregar o banco de baterias.
Normalmente possuem pequena capacidade de corrente de carga e, portanto, no so
recomendados para as aplicaes que necessitam de longo tempo de autonomia (acima de uma
hora).

No-Break On-Line
O diagrama em blocos desta configurao apresentado na figura 9.14. Nos equipamentos
desta topologia sempre existe dupla converso de energia: no primeiro estgio o retificador
opera como conversor de tenso alternada (rede) em contnua (banco de baterias) e no segundo
estgio o inversor converte tenso contnua (baterias) em alternada (sada).

Figura 9.14 - Diagrama em blocos do No-Break On-Line

Na figura 9.15 mostrado o fluxo de potncia com rede presente. O circuito retificador
alimenta inversor e carrega o banco de baterias. A carga continuamente alimentada pelo
inversor, no dependendo da situao da rede. Alm de manter a rede comercial eletricamente
isolada da carga, a principal vantagem dos sistemas On-Line em relao aos sistemas Off-Line
que no h tempo de transferncia e/ou transitrios da tenso de sada nos eventos de falha ou
retorno da rede comercial.

Figura 9.15 - Diagrama em blocos do No-Break On-Line/Rede presente

Devido dupla converso de energia, os sistemas On-Line, normalmente, apresentam maior
custo de fabricao e possuem rendimento global inferior aos sistemas Off-Line. Em outros

110
itens como: regulao esttica, regulao dinmica (variao da carga e/ou da tenso da rede
comercial), estabilidade da frequncia e taxa de distoro harmnica da tenso de sada os
sistemas On-Line apresentam melhor desempenho.
Durante uma falha na rede comercial, a energia armazenada no banco de baterias utilizada
pelo inversor para alimentar a carga. Este modo de operao est representado na figura 9.16.

Figura 9.16 - Diagrama em blocos do No-Break On-Line/Rede presente

Os sistemas On-Line operam com tenso mais elevada no barramento de tenso contnua
(utilizam maior nmero de baterias). Este fator faz com que o rendimento do circuito inversor
seja superior nos sistemas On-Line.
Na figura 9.17 mostrado o diagrama em blocos do No-Break On-Line com chave esttica.
Esta configurao apresenta extrema confiabilidade, operando normalmente pelo inversor e em
caso de falha do inversor, sobrecarga ou outro evento que prejudique o fornecimento, a chave
esttica transfere a carga para a rede. Aps a normalizao da situao a chave esttica retorna a
carga para o inversor. Por esta razo a maior parte dos fabricantes de No-Breaks, nacionais e
internacionais, nas potncias acima de 10kVA, tipicamente, utilizam esta topologia.

Figura 9.17 - No-Break On-Line com chave esttica


111

Os problemas de alimentao elctrica, podem provocar a perda da informao que circula
numa rede de dados ou simplesmente de um PC. O risco que corre tanto maior quanto mais
importante for a informao com que trabalha no seu PC. A Back-UPS PRO da APC, alimenta,
em caso de emergncia, o seu computador atravs da bateria permitindo-lhe trabalhar durante
breves falhas de energia ou desligar o seu sistema no caso de uma falha de rede prolongada. A
Back-UPS Pro da APC, utiliza o PowerChute plus (software de gesto) com WorkSafe para
guardar ficheiros e para desligar o seu computador de forma segura e ordeira em caso de falha
de rede. O seu elevado desempenho contra problemas de sobretenso, protege o seu
computador dos danos provocados pelo rudo elctrico, picos de tenso e descargas
atmosfricas. Para informaes complementares consulte a tabela de autonomias da Back-UPS
Pro.

Si t e para pesqui sa:

ht t p: / / www. i nst rut ec. com. br/ represen/ MCM/ nobreakbst ec. ht ml

ht t p: / / www. adi - sa. com. ar/ upset I I . ht m

ht t p: / / www. qrs. pt / i ndex. ht ml ?t arget = UPSzi Uni dzode_Energi a_I net zozj . ht ml

ht t p: / / www. emersonenergy. com. br/ ups. ht m

(Ortiz) Eletrônica de Potência (2000)

Enviado por

Dados do documento

Título original

Direitos autorais

Formatos disponíveis

Compartilhar este documento

Compartilhar ou incorporar documento

Opções de compartilhamento

Você considera este documento útil?

Este conteúdo é inapropriado?

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

(Ortiz) Eletrônica de Potência (2000)

Enviado por

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

Apresentao ii

Eletrnica de Potncia Andrs Ortiz Salazar / Leonardo Wayland Torres Silva

. Algumas configuraes de mdulos so

Disponvel apenas em alguns modelos de mdulos.

ficam no estado on, enquanto as chaves TA

, tem-se que o valor

Você também pode gostar