Quanto condutividade eltrica, os materiais so divididos em trs tipos: isolantes,

semicondutores e condutores. Como os nomes j sugerem, os condutores trazem

uma maior facilidade passagem da corrente eltrica e os isolantes dificultam o
mesmo fenmeno. Entretanto, analisaremos aqui as propriedades dos
semicondutores, que so uma espcie de meio-termo em relao aos outros dois.

Em 1906 descobriu-se que determinados cristais, em contato com uma ponta

metlica, tinham a propriedade de conduzir corrente eltrica somente numa direo
e criava-se ento, o diodo slido. Com o desenvolvimento da teoria atmica, os
cientistas aperfeioaram o diodo slido at que durante a Segunda Grande Guerra,
em 1948 os cientistas W. Shockley, J. Bardeen e W. H Brattain apresentaram um
pequeno dispositivo construdo com cristal de germnio, que tinha a capacidade de
controlar e amplificar a corrente eltrica. Este dispositivo que foi chamado de
transistor foi aperfeioado e seu desenvolvimento deu origem ao aparecimento de
muitos outros dispositivos.

Em 1958, os semicondutores passaram a ser construdos de silcio, em larga escala,

devido abundncia dessa matria-prima na natureza e sua caracterstica de ter
propriedades isolantes muito boas. Dessa forma, Jack Kilby construiu o primeiro
Circuito Integrado em 1960.

Nos dias de hoje um chip de 2cm x 2cm apresenta cerca de 64 bilhes de bits de
memria, por exemplo, o que mostra o crescente desenvolvimento da cincia em
relao nanotecnologia.

Dos materiais semicondutores existentes o germnio e o silcio so atualmente os

mais empregados. Esses tomos ao se unirem entre si formam uma estrutura do tipo
cristalina, isto , bem definida (sempre em forma de cristais).
Cada eltron de valncia (pontos pretos da figura acima) est preso a dois tomos e,
portanto, no existem eltrons livres. Fato essa que concede a rede cristalina uma
propriedade isolante que, no entanto, s ocorre se o material estiver a uma
temperatura de zero absoluto (escala Kelvin). Contudo, temperatura de 25C, suas
estruturas apresentam milhares de rompimentos (devido energia trmica fornecida
s molculas do material) entre as ligaes covalentes que possuem, criando
milhares de portadores positivos e negativos, lacunas e eltrons respectivamente.
Nesta situao tanto o germnio quanto o silcio tem caractersticas de
semicondutores intrnsecos, isto possuem caractersticas prprias. Na temperatura
ambiente de 250C, um cristal puro de silcio apresenta aproximadamente 1010
lacunas e 1010 eltrons por cm e uma resistividade de 2,4 x 104 ohms/ cm. Para a
mesma temperatura, um cristal puro de germnio apresenta, aproximadamente,
1013 lacunas e 1013 eltrons por cm e uma resistividade de 47 ohms/cm.

Os semicondutores dopados possuem, aproximadamente, mil vezes mais

impurezas do que os semicondutores intrnsecos.

Trs elementos comuns na dopagem eletrnica so o carbono, o silcio e

o germnio. Todos possuem quatro eltrons na camada de valncia, o que
possibilita que formem cristais j que compartilham seus eltrons com os tomos
vizinhos, formando estruturas reticuladas ou cristalinas.

Existem dois tipos de impurezas usadas:

N: ocorre com a adio de fsforo ou arsnico ao silcio. Tanto o arsnico quanto o

fsforo possuem cinco eltrons na camada de valncia. Ocorrem ligaes
covalentes entre quatro eltrons e um deles fica livre, ou seja, o chamado eltron
livre, que ganha movimento e gera corrente eltrica. O nome N provm da
negatividade gerada da carga negativa existente.

P: nesta dopagem, h adio de boro ou glio ao silcio. Ambos possuem trs

eltrons na camada de valncia. Quando so adicionados ao silcio criam lacunas,
que conduzem corrente e a ausncia de um eltron cria uma carga positiva (por isso
o nome P).