SEMICONDUTORES

A matéria, segundo o modelo atômico de Rutherford / Bohr, é constituída por átomos. Os

átomos são formados por um núcleo, contendo prótons e nêutrons e por uma eletrosfera,
com elétrons.

Os vários elementos químicos conhecidos na natureza possuem características próprias

quanto a formação da eletrosfera.

A última camada da eletrosfera, chamada de camada de valência define grande parte das
características de um elemento, determinando inclusive sua condição de Condutor ou
Isolante. Existem quatro elementos básicas:

.05 metais,
.05 ametais.,
gases nobres;
hidrogênio.

Os semicondutores são materiais caracterizados basicamente por apresentarem

propriedades elétricas entre os materiais condutores e os isolantes.

A resistividade característica de um Semicondutor está situado entre 10² (0,01) a 10⁶

(1.000.000) ohms/cm².

Os materiais semicondutores classificam-se quanto ao tipo de cristal em:

GERMÂNIO (Ge) SILÍCIO (Si)

Os materiais semicondutores utilizados na fabricação de componentes (Ge e Si) possuem

quatro elétrons na camada de valência. Para que a estabilidade seja alcançada (8 elétrons
na última camada) há a necessidade da formação de uma estrutura cristalina.

* Ligações covalentes da estrutura cristalina

A estrutura cristalina só é absolutamente estável na temperatura de zero absoluto (-273°C),

onde não existe o fenômeno da agitação térmica.
Na temperatura ambiente, devido à ocorrência do fenômeno da agitação térmica, há a
liberação de elétrons de algumas ligações covalentes. Esses elétrons livres circulam de
forma desordenada na estrutura cristalina. A falha na ligação covalente provocada pelo
escape do elétron se comporta de forma semelhante ao elétron livre, porém com carga
elétrica contrária(+).

Essa "pseudo-partícula" é chamada de lacuna ou buraco Frequentemente no interior da

estrutura cristalina, um elétron livre ocupa uma lacuna, reconstituindo a ligação covalente. A
esse fato dá-se o nome de recombinação.

O material semicondutor, mesmo com elétrons livres e lacunas, é eticamente neutro

(Cargas positivas = cargas negativas). Isso ocorre porque para cada ligação covalente
quebrada surge um elétron livre e uma lacuna, mantendo assim o equilíbrio.

DOPAGEM DE MATERIAIS SEMICONDUTORES

O material Semicondutor na sua forma intrínseca (natural), não possui materiais estranhos
fazendo parte de sua estrutura cristalina.

As propriedades físicas do material semicondutor puro não atendem às necessidades de

fabricação da grande maioria dos componentes eletrônicos. Dessa forma, conforme a
necessidade tecnológica, são introduzidas alterações na estrutura cristalina do
semicondutor.

Dopagem de material Semicondutor e a inserção de elementos estranhos no interior da

estrutura cristalina de forma a provocar alterações nas suas características físicas.
Os elementos estranhos são chamados de impurezas
A dopagem pode ser classificada segundo ao tipo da impureza

TIPO DESCRIÇÃO EXEMPLO

 É caracterizada por Fósforo (P)
elementos possuindo (5) Antimônio (56)
N elétrons na sua camada de Arsênio (As)
Valência.

É caracterizada por Alumínio (AL)

elementos possuindo (3) Índio (In)
P elétrons na sua camada de Gálio (Ga)
Valência. Boro (B)

DOPAGEM TIPO N

Obtém-se um cristal semicondutor dopado Tipo N inserindo átomos com impurezas

pentavalentes (5 elétrons na camada de Valência) no interior da estrutura Cristalino.

A estabilidade da estrutura é obtida com apenas oito elétrons. Dessa forma o quinto elétron
da camada de valência da impureza dará origem a um elétron livre. Os elétrons livres
resultantes da introdução da impureza, mais os elétrons livres devido a quebra das ligações,
covalentes irão formar uma nuvem desordenada de cargas negativas.

DOPAGEM TIPO P

Obtém-se um cristal semicondutor dopado tipo P inserindo átomos com impurezas

trivalentes (3 elétrons na camada de valêncio no interior da estrutura cristalina). A dopagem
com impurezas trivalentes aumenta o número de lacunas, possibilitando o surgimento de
corrente pela aplicação de um campo elétrico. Os elétrons livres e as lacunas são
chamados portadores de cargas elétricas. O semicondutor, mesmo com elétrons livres e
lacunas, é neutro (cargas positivas = cargas negativas). Isso ocorre a cada ligação
covalente quebrada surge um elétron livre, mantendo assim o equilíbrio.
JUNÇÃO PN

O material semicondutor, dopado com impurezas tipo P e N, apresenta portadores de

cargas movimentando-se livremente através da estrutura e íons fortemente ligados à rede
cristalina. Chama-se junção PN, o contato físico entre dois cristais Semicondutores dopados
com impurezas, um tipo N e outro tipo P.

Estrutura:

O contato entre os cristais provoca a recombinação elétron-lacuna na região da junção,

dando origem aos íons negativos na região P e íons positivos na região N.

Os íons nas proximidades da junção formam a barreira de potência, impedindo que ocorra
novas recombinações. A região é chamada de região de transição. A barreira de potencial
vale: O,6volts para Silício, 0,2 volts Germânio