Apostil Eletronica Compress

Eletrônica
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Eletrônica ............................................................................................................................... 4
Capitulo 1 – Bandas de Energia ............................................................................................. 4
Capitulo 2 – Materiais Semicondutores Intrínsecos ............................................................... 9
2.2 - Condução Elétrica nos Semicondutores ................................................................... 10
2.3 - Semicondutores Tipo N e P...................................................................................... 10
Capitulo 3 – Diodo semicondutor......................................................................................... 14
3.2 – Polarização da junção PN ........................................................................................ 17
3.3 - Conceito de Reta de Carga ....................................................................................... 20
3.4 – Modelos de diodos ................................................................................................... 21
3.5 – Teste de diodos ........................................................................................................ 25
Capitulo 4 – Circuitos com diodos ....................................................................................... 33
4.1 – SINAL SENOIDAL ................................................................................................ 33
4.2 – Circuitos retificadores ............................................................................................. 36
4.2.1 – Transformadores ............................................................................................... 36
4.22 –Retificador de meia onda .................................................................................... 38
4.23 –Retificador de onda completa com derivação central ......................................... 41
4.24 –Retificador de onda completa em Ponte ............................................................. 45
4.25 –Filtro capacitivo .................................................................................................. 49
Capitulo 5 – Diodos Especiais .............................................................................................. 54
5.1 Zener ........................................................................................................................... 54
5.2 Diodo zener como regulador de tensão ................................................................ 56
5.3 Circuito regulador de tensão com carga ............................................................... 61
5.31 Carga fixa e tensão de entrada constante .............................................................. 63
5.32 Carga variável e tensão de entrada constante ....................................................... 64
5.33 Carga fixa e tensão de entrada com ripple ............................................................ 66
5.34 Carga variável e tensão de entrada com ripple ..................................................... 68
5.4 LED (Diodo Emissor de Luz)..................................................................................... 70
5.5 Fotodiodo e Optoacoplador ........................................................................................ 71
5.51- Fotodiodo ............................................................................................................ 71
5.52- Optoacoplador ..................................................................................................... 72
Capitulo 6 – Transistores Bipolares...................................................................................... 79
6.1 – Funcionamento dos transistores NPN e PNP .......................................................... 80
6.2 – Efeito de Amplificação ............................................................................................ 82
6.3 – Configurações básicas ............................................................................................. 83
6.31-Configuração base comum (BC) .......................................................................... 84
6.32- Configuração emissor comum (EC) .................................................................... 89
6.33- Ganho de corrente EC versus ganho de corrente BC .......................................... 91
6.34- Configuração coletor comum (CC) ..................................................................... 93
6.35- Os limites dos transistores ................................................................................... 93
Capitulo 7 – Polarização dos transistores bipolares ............................................................. 99
7.1 – Ponto quiescente ...................................................................................................... 99
7.2 – Reta de carga ......................................................................................................... 100
7.3 – Circuito de polarização em base comum ............................................................... 100
7.31 – Determinação da reta de carga......................................................................... 101
7.32 – Circuito de polarização em base comum com uma fonte de alimentação. ...... 103
7.4 – Circuito de polarização em emissor comum.......................................................... 104
7.41 – Circuito de polarização em emissor comum com corrente de base constante. 105
2
7.42 – Influência da temperatura no comportamento dos transistores ....................... 106
7.43 – Circuito de polarização EC com corrente de emissor constante ..................... 108
7.44– Circuito de polarização EC com divisor de tensão e base ................................ 110
7.441– Determinação da reta de carga........................................................................ 111
7.5 – Circuito de polarização em Coletor comum .......................................................... 113
Capitulo 8– Transistor com chave ...................................................................................... 124
Capitulo 9– Fundamentos de amplificadores ..................................................................... 129
9.1 – Parâmetros de um amplificador ............................................................................. 129
9.11 – Ganhos de corrente, tensão, potência e defasagem ......................................... 129
9.12 – Capacitores de acoplamento ............................................................................ 131
9.13 – Amplificadores em cascata .............................................................................. 132
9.14 – Impedância de entrada e saída ......................................................................... 132
9.15 – Curva de resposta em freqüência ..................................................................... 133
9.16 – Decibel ............................................................................................................. 134
9.17 – Tipos de amplificadores................................................................................... 137
3
Eletrônica
Capitulo 1 – Bandas de Energia

Um átomo e formado por elétrons que giram ao redor de um núcleo composto por
prótons e nêutrons, sendo que o número de elétrons, prótons e nêutrons são diferentes para
cada tipo de elemento químico.
Os elétrons giram em órbitas ou níveis bem definidos, conhecidos como K, L, M, N,
O, P e Q, como mostra a figura 1.1.
Figura 1.1 - Modelo atômico de Bohr.

Quanto maior a energia do elétron, maior é o raio de sua órbita. Assim, um elétron
da órbita Q tem mais energia que um elétron da órbita P. Este por sua vez, tem mais energia
que um elétron da órbita O e assim por diante.
A energia de cada um das órbitas pode ser esquematizada como mostra à figura 1.2.
Figura 1.2 – Níveis de energia de um átomo.
A mecânica quântica estuda de forma profunda esta relação entre os raios das
órbitas possíveis, os níveis de energia correspondentes e o numero máximo de elétrons
permitido em cada órbita.
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No entanto, para o estudo de materiais semicondutores é necessário, apenas,
entender que um elétron precisa estar a uma determinada distância (órbita) do núcleo e com
uma determinada velocidade (energia cinética) para que a força centrífuga Fc, orientada
radialmente e para fora do átomo, equilibre-se com a força eletrostática Fe, entre ele e o
núcleo, tornando-o estável, como mostra a figura 1.3.
Figura 1.3 – Estabilidade de um elétron numa determinada órbita.
Estas condições de estabilidade dos elétrons em determinadas órbitas fazem com

que em cada uma delas seja possível um número máximo de elétrons, como mostra a figura
1.4.
Figura 1.4 – Número máximo de elétrons em casa órbita.
A ultima órbita de um átomo define sua valência, ou seja, a quantidade de elétrons

desta órbita que pode se libertar do átomo através do bombardeio de energia externa (calor,
luz, etc) ou se ligar a outro átomo através de ligações covalentes (compartilhamento dos
elétrons da ultima órbita de um átomo com os elétrons da ultima órbita de outro átomo).
Esta órbita mais externa recebe o nome de órbita de valência ou banda de valência.
Os elétrons da banda de valência são os que têm mais facilidade de sair do átomo.
Em primeiro lugar, porque ele tem uma energia maior e em segundo lugar, por estarem a
uma distância maior em relação ao núcleo do átomo, a força de atração eletrostática e
menor. Com isso, uma pequena quantidade de energia recebida faz com que eles se tornem
livres, formando uma banda de condução e sendo assim capazes de se movimentar pelo
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material. São estes elétrons livres que, sob a ação de um campo elétrico(DDP, Tensão
elétrica), formam a corrente elétrica. Como mostra a figura 1.5.
Figura 1.5 – Elétrons livres, banda de condução e corrente elétrica.
Da mesma forma, caso a banda de valência não possua o número máximo de

elétrons permitido, é ela a responsável pelas ligações covalentes com outros átomos de
forma a torna a ligação atômica estável.
O fato de essas órbitas estarem a distâncias bem definidas em relação ao núcleo do
átomo, faz com que entre uma órbita e outra exista uma região onde não é possível existir
elétrons, denominada banda proibida.
O tamanho dessa banda proibida na ultima camada de elétrons define o
comportamento elétrico do material, como na figura 1.6, onde três situações diferentes são
representadas.
Figura 1.6 – Isolantes, Condutores e semicondutores.
A figura 1.6 mostra que em cada um dos casos a banda proibida tem um tamanho
diferente.
No primeiro caso, um elétron, para se liberar do átomo, tem que dar um salto de
energia muito grande. Desta forma, pouquíssimos elétrons têm energia suficiente para sair
da banda de valência e atingir a banda de condução, fazendo com que a corrente elétrica
nesse material seja sempre muito pequena. Esses materiais são chamados isolantes.
No segundo caso, um elétron pode passar facilmente da banda de valência para a
banda de condução sem precisar de muita energia. Isso acontece principalmente nos
materiais metálicos, onde a própria temperatura ambiente é suficiente para o surgimento de
uma grande quantidade de elétrons livres. Esses materiais são os condutores.
O terceiro e ultimo caso é um intermediário entre os dois outros tipos de materiais.
Um elétron precisa dar um salto para sair da banda de valência e atingir a banda de
condução, mas o salto é pequeno. Esses materiais são chamados semicondutores.
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Estas diferenças entre os diversos materiais podem ser explicadas em função de
vários fatores:
• Composição química – caracteriza os elementos químicos que forma o
material;
• Ligação química – caracteriza o tipo de ligação que une os elementos
químicos desse material;
• Forma de organização estrutural – caracteriza a forma como os átomos
desses elementos se organizam entre si (estrutura amorfa, quando estão
desorganizados; estrutura cristalina, quando estão organizados).
Todos esses fatores determinam o número de órbitas e a intensidade das forças de

atração e repulsão das cargas elétricas presentes nos átomos.
EXERCÍCIOS:
1. O que faz com que os elétrons permaneçam estáveis em órbitas bem determinadas?
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2. Qual é a órbita de valência de um átomo?

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3. O que é e como é formada a banda de condução de um átomo?

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4. O que é banda proibida?

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5. O que define o comportamento elétrico dos materiais isolantes, condutores e

semicondutores?Justifique.
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Capitulo 2 – Materiais Semicondutores Intrínsecos
Existem vários tipos de matérias semicondutores. Os mais comuns e mais utilizados
são o silício (Si) e o germânio (Ge).
Estes dois elementos caracterizam-se por serem tetravalentes, ou seja, por
possuírem quatro elétrons na camada de valência, como mostra a figura 2.1.
Figura 2.1 – Átomos de silício e germânio

Por serem tetravalentes, cada um de seus átomos pode realizar quatro ligações
covalentes com outros quatro átomos.
Por uma questão de simplicidade e para que se possa compreender melhor, vamos
observar as ligações covalentes em representações planas, como a figura 2.2.
Figura 2.2 – Representação plana dos semicondutores.

Existem matérias (Si, Ge, GaAs e Inp) são chamados de semicondutores, intrínsecos
ou puros, pois se encontram em seu estado natural.
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Hoje em dia, o silício é o material mais utilizado já que é bastante abundante na
natureza (pode ser obtido a partir do quartzo que é encontrado na areia da praia e na terra),
portanto é mais barato.
Por causa disso, e também pela sua larga utilização na fabricação de dispositivos,
que daqui para frente, o semicondutor de referência será o Silício.
2.2 - Condução Elétrica nos Semicondutores

Uma tarefa importante é a compreensão de como e possível à condução elétrica nos
semicondutores.
A figura 2.3 mostra um elétron que se libertou do átomo por ter recebido energia
suficiente, tornando-se livre. O átomo fica, então, com uma ligação incompleta e, como ele
perdeu um elétron, esta ionizada positivamente.
Figura 2.3 – Formação de um íon positivo
Após um determinado tempo, observando-se novamente a estrutura deste

semicondutor, pode-se constatar que aquele íon positivo “andou”, como mostra a figura 2.4.
Figura 2.4 – Movimento do íon positivo
2.3 - Semicondutores Tipo N e P
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Quando num cristal de silício é acrescentada uma quantidade de átomos de uma
material pentavalente (com cinco elétrons na camada de valência) como, por exemplo, o
arsênio (As), o antimônio (Sb) e o fósforo (P), estes elementos estranhos, também
chamados de impurezas, assumem a mesma estrutura do cristal de silício fazendo, cada
impureza, quatro ligações covalentes com seus átomos vizinhos mais próximos, como
mostra a figura 2.5.
Figura 2.5 – Cristal de silício com impurezas pentavalentes.

Por serem pentavalentes, um dos elétrons da camada de valência de cada átomo fica
sem participar das ligações, tornando-se livre.
Por isso, as impurezas pentavalentes são chamadas de impurezas tipo N.
Desta forma, o número de elétrons livres é maior que o número de lacunas (geradas
pelo calor a temperatura ambiente), ou seja, neste semicondutor os elétrons livres são os
portadores majoritários, e as lacunas são portadores minoritários, como mostra a figura 2.6.
Figura 2.6 – Semicondutor Tipo N.
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Como os elétrons livres são cargas elétricas negativas, este semicondutor é chamado de tipo
N.
Da mesma maneira, se as impurezas acrescentadas são de átomos de um material
trivalente (com três elétrons na camada de valência) como, por exemplo, o alumínio (Al), o
boro (B) e o gálio (Ga), as ligações covalentes formação lacunas como mostra a figura 2.7.
Figura 2.7 - Cristal de silício com impureza trivalente.
Por isso, as impurezas trivalentes são chamadas de impurezas tipo P.

Desta forma, o número de lacunas é maior que o número de elétrons livres (gerados
pelo calor a temperatura ambiente), ou seja, neste semicondutor as lacunas são portadores
majoritários e os elétrons livres são portadores minoritários, como mostra a figura 2.8.
Figura 2.8 – Semicondutor Tipo P.
Como as lacunas podem ser consideradas cargas elétricas positivas, este

semicondutor é chamado tipo P.
Os cristais semicondutores N ou P, por conterem impurezas são também
denominados semicondutores extrínsecos.
A técnica de se acrescentar impurezas ao semicondutor para aumentar tanto o
número de elétrons livres quanto o número de lacunas é chamada de dopagem e, por isso, a
impureza também é chamada de dopante.
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No caso dos semicondutores III-V (GaAs e InP), não existe um processo de
dopagem propriamente dito. Os semicondutores tipo N e P, no caso do GaAs, são obtidos
através do aumento da dose de Ga (para tipo N) e de As (para tipo P).
EXERCÍCIOS:
1. O que é um semicondutor intrínseco e extrínseco?

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2. O que uma material pentavalente e Trivalente?

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3. Quando se faz uma dopagem com um material pentavalente se introduz que tipo de
portador?
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4. O que é dopagem?
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5. Na dopagem trivalente o material fica sendo chamado de P ou N? Porque?

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Capitulo 3 – Diodo semicondutor
A partir dos semicondutores tipo N e tipo P, são possíveis construir diversos
dispositivos, entre eles o diodo semicondutor, com aplicações extremamente importantes
para o projeto de sistemas eletrônicos.
O diodo semicondutor é constituído basicamente por uma junção PN, ou seja, pela
união física de um material tipo P (cujos portadores majoritários são lacunas) com um tipo
N (cujo portador majoritários são elétrons), como mostra a figura 3.1.
Figura 3.1 – Junção PN
Efetuando-se esta união, o excesso de elétrons do material tipo N tende a migrar

para o material tipo P, visando tanto o equilíbrio eletrônico – equilíbrio das densidades de
elétrons nos dois materiais – como a estabilidade química – cada átomo do material tipo N
que perde um elétron fica com oito elétrons na sua camada de valência, o mesmo
acontecendo com cada átomo do material tipo P que tem a sua lacuna ocupada por este
elétron.
Este fenômeno da ocupação de uma lacuna por um elétron e chamado de
recombinação, como mostra a figura 3.2.
Figura 3.2 – Recombinação elétron – lacuna.

Como o processo de recombinação ocorre inicialmente na região próxima à junção,
um fenômeno interessante acontece: a formação de uma camada de depleção.
Depleção significa diminuição ou ausência e, neste caso, esta palavra corresponde à
ausência de portadores majoritários na região próxima à junção PN.
Este fenômeno acontece à medida que os átomos do material tipo P próximos a
junção recebem os primeiros elétrons preenchendo suas lacunas, no lado N forma-se uma
região de íons positivos (falta de elétrons) e no lado P uma região com íons negativos
(excesso de elétrons), dificultando ainda mais a passagem de elétrons do material tipo N
para o material tipo P.
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Assim, a partir de um certo momento, este fluxo de elétrons cessa e esta região
ionizada (camada de depleção) fica com ausência de elétrons e lacunas, que são os
responsáveis pele corrente elétrica, como mostra a figura 3.3.
Figura 3.3 – Camada de depleção.

Como a camada de depleção fica ionizada, cria-se uma diferença de potencial na
junção chamada de barreira de potencial, cujo símbolo e Vγ, como a figura 3.4.
Figura 3.4 - Barreira de potencial.
Esta diferença de potencial Vγ, a 25ºC é de aproximadamente 0,7V para os diodos

silício e 0,3 v para os diodos de germânio.
A figura 3.5, a seguir, mostra duas propriedades da junção PN.
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Figura 3.5 – Gráficos: carga e portadores versus junção.
O gráfico 3.5a indica a situação da carga elétrica ao longo da junção, no qual

observa-se que a camada de depleção tem carga negativa no lado P e positiva no lado N.
O gráfico 3.5b mostra a quantidade de portadores majoritários e minoritários
presentes em cada parte da junção.
Cada lado do diodo semicondutor recebe um nome: o lado P chama-se ânodo (A) e
o lado N chama-se cátodo (K). O nome ânodo vem do ânion e cátodo vem do cátion.
Figura 3.6 - Símbolo elétrico do diodo semicondutor.
Na análise feita até aqui, não se levou em consideração a quantidade de impurezas

que cada material recebe. Normalmente, é acrescentado cerca de um átomo de impureza
para cada cem mil átomos de semicondutor. Essa quantidade pode variar de um dispositivo
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para outro e, num mesmo dispositivo, o lado N pode ter uma concentração de impurezas
diferente em relação ao lado P.
3.2 – Polarização da junção PN

Aplicando-se uma tensão nos terminais do diodo, a camada de depleção se
modifica, alterando também as características da barreira de potencial. Estas modificacões
dependem do sentido da polarização do diodo.
POLARIZAÇÃO DIRETA
A polarização direta ocorre quando o potencial positivo da fonte se se encontra
ligado no lado P e o potencial negativo no lado N, como mostra a figura 3.7.
Figura 3.7 – Polarização Direta.
Com VCC > Vγ , os elétrons do lado N ganham mais energia porque são repelidos
pelo terminal negativo da fonte, rompem a barreira de potencial Vγ e são atraídos para o
lado P, atravessando, assim a junção.
No lado P, eles recombinam-se com as lacunas, tornando-se elétrons de valência,
mas continuam deslocando-se de lacuna em lacuna, pois são atraídos pelo terminal positivo
da fonte, formando-se uma corrente elétrica de alta intensidade (Ip ou If), fazendo com que
o diodo semicondutor se comporte como um condutor ou uma resistência direta RD
muitíssimo pequena como mostra a figura 3.8.
Figura 3.8 – Comportamento do diodo na polarização direta.
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POLARIZAÇÃO REVERSA
A polarização reversa ocorre quando o potencial negativo da fonte se se encontra
ligado no lado P e o potencial positivo no lado N, como mostra a figura 3.9.
Figura 3.9 – Polarização reversa.
Por causa da polarização reversa, os elétrons do lado N são atraídos para o terminal
positivo e as lacunas para o terminal negativo da fonte. Com isso, formam-se mais íons
positivos no lado N e os íons negativos no lado P, aumentando, assim, a camada de
depleção e, conseqüentemente, a barreira de potencial.
A barreira de potencial aumenta até que sua diferença de potencial se iguale à tensão
da fonte de alimentação (VCC). Portanto, quanto maior a tensão de fonte, maior a barreira
de potencial.
Por outro lado, existe uma corrente muito pequena formada pelos portadores
minoritários (elétrons no lado P e lacunas no lado N); muitos deles criados continuamente
pela energia térmica a temperatura ambiente.
Essa pequena corrente elétrica é chamada corrente reversa (Ir) estando limitada aos
portadores minoritários, ou seja, ela não aumenta proporcionalmente à tensão reversa
aplicada ao diodo, sedo considerada desprezível na grande maioria dos casos. Assim o
diodo se comporta como se fosse um circuito aberto ou uma resistência reversa Rr
altíssima. Como mostra a figura 3.10.
Figura 3.10 – Comportamento do diodo na polarização reversa.

Portanto, o diodo semicondutor é um dispositivo que conduz apenas quando está
polarizado diretamente.
Para facilitar a compreensão do funcionamento do diodo semicondutor, pode-se
descrever graficamente o seu comportamento elétrico através de uma curva característica
que mostra a corrente em função da tensão aplicada, como se vê na figura 3.11.
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Figura 3.11 – Curva característica do diodo semicondutor.
Este gráfico mostra que para tensões negativas (polarização reversa) a corrente é
praticamente nula, caracterizando uma resistência elétrica muito alta, sendo esta tensão
limitada por VBR (tensão de ruptura ou breakdown voltage).
Para tensões positivas (polarização direta), até Vγ a corrente é baixa, mais acima de
Vγ, ela passa a ser bastante alta, caracterizando uma resistência elétrica muito baixa, sendo
esta corrente elétrica limitada por IDM ou IFM.
Esta curva também mostra que, como todo dispositivo elétrico e eletrônico, o diodo
semicondutor tem determinadas características e limitações que são especificações dadas
pelos fabricantes.
Principais especificações do diodo semicondutor:
• Como a junção PN possuir uma barreira de potencial natural (Vγ), na
polarização direta só existe corrente elétrica se a tensão aplicada ao diodo
VD for: VD ≥ Vγ
• Na polarização direta, existe uma corrente máxima que o diodo pode
conduzir (IDM ou IFM) e uma potência máxima de dissipação (PDM ou PFM),
cuja relação é:
PDM = VD . IDM
• Na polarização reversa, existe uma tensão reversa máxima que pode ser
aplicada ao diodo chamada tensão de ruptura ou breakdown voltage (VBR).
• Na polarização reversa, existe uma corrente muito pequena denominada
corrente reversa (IR).
Exemplo:
O diodo de código 1N4001 tem as seguintes especificações dadas pelos fabricantes:
Corrente Direta Máxima IDM 1A

Corrente de Fuga IR 10µA
Tensão de Ruptura VBR 50V
Potência Máxima PDM 1W
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3.3 - Conceito de Reta de Carga
A ligação de um diodo a uma fonte de alimentação deve ser feita sempre se
utilizando um resistor limitador em série, para protege-lo contra a corrente máxima, como
mostra a figura 3.12, no qual o resistor limitador é o próprio resistor de carga RL [ R-
resistor; L – Load (Carga em Inglês)].
Figura 3.12 – Diodo ligado com resistor de carga (polarização direta).

Denomina-se ponto de trabalho ou ponto quiescente(Q) do diodo os valores de
tensão VD e corrente ID aos quais ele esta sendo submetido num circuito.
O ponto Q pode ser obtido através da curva característica do diodo, na qual traça-se
uma reta de carga.
Figura 3.13 – Reta de carga e ponto quiescente do diodo.
Para traçar a reta de carga, faz-se:

• Determina-se a tensão de corte VC (tensão no diodo quando ele esta aberto);
VC = VCC
• Determina-se a corrente de saturação IS (corrente no diodo quando ele esta
em aberto);
V
I S = CC
RL
• Traça-se a reta de carga sobre a curva característica do diodo;
• O ponto quiescente (VD e ID) corresponde exatamente às coordenadas do
ponto Q, onde a reta de carga intercopta a curva característica do diodo.
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• Pode-se, também, calcular a potência de dissipação do diodo pela equação:
PD = V D xI D
Exemplo:
Dada a curva característica de um diodo, mostrada abaixo, determinar o seu ponto
quiescente e sua potência de dissipação, sabendo-se que ele esta ligado em série com um
resistor de 50 Ω e alimentado por uma fonte de 2,2V.
Primeiramente, deve –se determinar a reta de carga:

VC = VCC = 2,2V
VCC 2,2
IS = = = 44mA
RL 50
Traça-se agora a reta de carga sobre a curva característica do diodo:
Assim, o ponto quiescente resultante é:

VD = 1,2 V e ID = 20 mA
Finalmente, a potência dissipada pelo diodo vale:
PD = VD × I D = 1,2 × 20 × 10 −3 = 24mW
3.4 – Modelos de diodos

Idealmente, o diodo é um dispositivo que bloqueia toda a passagem de corrente num
sentido e permite a passagem no outro.
Sempre que o valor da tensão presente no circuito for muito maior que Vγ, pode-se
considerar o diodo como um elemento ideal.
21
Porém, quando o valor de Vγ não for desprezível, é necessária a utilização de um
modelo para o diodo, ou seja, a sua substituição por um circuito equivalente para que os
cálculos relativos aquela circuito possam ser realizados com maior precisão.
A vantagem de se utilizar um modelo esta no fato de que este facilita os cálculos em
circuito mais complexos, tornando-os mais simples do que o trabalho feito a partir da curva
característica e reta de carga.
Existem basicamente três modelos para o diodo, que devem ser utilizados de acordo
com as características do circuito e precisão desejada para os cálculos.
MODELO 1 – DIODO IDEAL
Este modelo considera o diodo comportando-se com um condutor na polarização

direta e com um circuito aberto na polarização reversa, como mostra a figura 3.14.
Figura 3.14 – Modelo-1: Diodo ideal
MODELO 2 – DIODO COM Vγ
Este modelo considera o diodo comportando-se como um condutor em série com

uma bateria de valor Vγ na polarização direta, e como um circuito aberto na polarização
reversa, como mostra a figura 3.15.
Figura 3.15 – Modelo-2: Diodo com Vγ.
22
MODELO 3 – DIODO COM Vγ e RD (modelo linear)
Este modelo é o mais próximo do real e considera o diodo comportando-se como

um condutor em série com uma bateria de valor Vγ e uma resistência RD correspondente à
inclinação de sua curva característica na polarização direta, e como um circuito aberto na
polarização reversa, como mostra a figura 3.16.
Figura 3.16 – Modelo-3: Diodo com Vγ e RD
Exemplos:
Para efeito de comparação, estes exemplos mostram os resultados dos cálculos das
correntes num diodo, utilizando-se os três modelos em duas condições diferentes de
circuitos:
CIRCUITO-1:
MODELO-1:
23
MODELO-2:
MODELO-3:
Neste caso, percebe-se que as diferenças entre os resultados obtidos são pequenas
em relação à ordem de grandeza da corrente no diodo e, portando, qualquer modelo pode
ser adotado, dependendo apenas da precisão desejada.
CIRCUITO-2:
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MODELO-1:
MODELO-2:
MODELO-3:
Neste caso, percebe-se que as diferenças entre os resultados obtidos na corrente no

diodo são quase da mesma ordem e, portanto, o modelo-3 deve ser o preferido, pois a
corrente resultante e certamente a próxima do valor real.
3.5 – Teste de diodos

A condição de um diodo semicondutor pod3e ser rapidamente determinada
utilizando-se (1) um multímetro digital com função de teste de diodos, (2) função
ohmímetro de um multímetro.
(1) FUNÇÃO DE TESTE DE DIODOS (multímetro digital)
Um multímetro digital com a opção de teste de diodo é mostrado na figura 3.17.
Observe o pequeno símbolo de diodo com opção abaixo do seletor de função/escala.
Quando colocado nessa posição e conectado da forma mostrada na figura 3.18a, o diodo
deve estar no estado “ligado” (on) e o display fornecerá uma indicação de tensão de
polarização direta, como por exemplo: 0,67V (para o Silício).
O medidor tem uma fonte de corrente constante interna (em torno de 2 mA) que
proporciona um valor de tensão, conforme mostra a figura 3.18b. Uma indicação 1 ou OL
25
obtida realizando-se as conexões mostradas na figura 3.18a revela um diodo aberto
(defeituoso). Se as pontas de prova do medidor forem invertidas, deverá ocorrer uma
indicação 1 ou OL, devido à equivalência de circuito aberto para o diodo. Portanto, em
geral, uma indicação OL em ambas as direções indica um diodo aberto ou defeituoso.
Figura 3.17 - multímetro digital com capacidade de verificar o estado do diodo.
Figura 3.18 – Verificando um diodo no estado de polarização direta
26
(2) FUNÇÃO DE TESTE DE DIODOS (multímetro analógico)
Na seção 3.4 vimos nos modelos de diodos que os diodos apresentam uma certa
resistência em polarização direta, e essa resistência é bem baixa em polarização direta
comparada ao valor encontrado em polarização reversa. Portanto, se medirmos a resistência
de um diodo utilizando as conexões indicadas na figura 3.19a, poderemos esperar um valor
relativamente baixo. A indicação resultante do ohmímetro será uma função da corrente
estabelecida através do diodo pela bateria interna (geralmente 1,5V ou 9V) do medidor.
Quanto maior a corrente, menor o valor da resistência. Para a situação de polarização
reversa, o valor lido deve ser bem alto, exigindo uma escala para a medida de alta
resistência no medidor, conforme mostra a figura 3.19b. Uma leitura de resistência elevada,
obtida com ambas as polaridades, obviamente indica um comportamento de circuito aberto
(dispositivo defeituoso), enquanto uma leitura de resistência muito baixa, obtida com
ambas as polaridades, indica que o dispositivo será provavelmente em curto-circuito.
Figura 3.19 – Testando um diodo com um ohmímetro
27
EXERCÍCIOS:
1-) O que é recombinação e porque ela ocorre?

_________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________
2-) O que é Camada de depleção e como ela se forma?

_________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________
3-) O que é barreira de potencial e qual o seu valor para os diodos de silício e germânio?
_________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________
4-) O que acontece com os portadores majoritários na polarização direta?

_________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________
5-) Porque os portadores majoritários não circulam pelo diodo na polarização reversa?
_________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________
6-) O que é Corrente reversa?

_________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________
28
_________________________________________________________________________
7-) Explique quais são as principais especificações do diodo semicondutor. Desenhe a

curva característica sem escala e coloque essas especificações na curva.
_________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________
8-) Determine a reta de carga, o ponto quiescente e a potencia dissipada para os circuitos a
seguir, dada à curva característica abaixo.
CURVA CARACTERÍSTICA: CIRCUITO-1:
CIRCUITO-2:
CIRCUITO-1
29
CIRCUITO-2:
9-) Esquematize os três modelos dos diodos dos circuitos-1 e circuito-2 para o exercício 8,
calculando, inclusive, o valor de RD e determine os pontos quiescentes resultantes com uma
análise dos resultados (Quer dizer, qual o melhor modelo a ser utilizado, sem dificultar
muito os cálculos).
10-) O circuito abaixo apresenta um problema, identifique-o, propondo uma solução.
30
11-) No circuito abaixo, admitindo que a tensão para acender uma lâmpada é 10 V, qual
delas vai acender, leve em consideração o modelo-1 de diodos.
Condições: 0 até 10V não acende.
10 até 12 V acende.
12V até ∝(infinito) queima.
12-) Utilizando o mesmo circuito acima, se trocarmos as lâmpadas de 10V para lâmpadas
de 5V, Quais lâmpadas acenderão para o Modelo-2 de diodos?
condições: 0 até 5V não acende.
5 até 6 V acende.
6V até ∝(infinito) queima.
13-) Ainda para circuito acima, trocando as lâmpadas para uma lâmpada de 6V e 120mW,
qual delas vai acender, utilize o modelo-3 de diodos. RD = 10·
condições: 0 até 5,9V não acende.
6 até 8 V acende.
8,1V até ∝(infinito) queima.
31
PESQUISAS:
Para entregar na próxima semana:

• Especificações elétricas dos diodos 1N4004 e 1N914;
• Especificações elétricas de qualquer diodo de Germânio.
32
Capitulo 4 – Circuitos com diodos
Agora que estamos familiarizados com o diodo semicondutor, podemos passar às
suas aplicações.
O diodo semicondutor tem suas principais aplicações em circuitos de corrente
alternada, por esse motivo vamos estudar um pouco sobre os sinais senoidais e principais
características uma abordagem mais profunda sobre o assunto será dada no curso de
eletricidade.
4.1 – SINAL SENOIDAL

Um dos sinais alternados mais comuns é o senoidal, encontrado nas tomadas
convencionais de sua residência. Esse sinal senoidal pode ser representado
matematicamente por:
V = Vpico × sen θ
Sendo:
V: o valor instantâneo da tensão;
Vpico: o valor máximo da função senoidal, que no gráfico e representado pelo ponto XP, -
XP;
sen θ: função matemática seno que precisa de um ângulo (teta) para calcular o valor.
Na figura 4.1 vemos a função senoidal num gráfico de x versos θ, sendo XP o valor
de pico da função.
Figura 4.1 – Função senoidal no domínio angular.

Alguns conceitos são necessários, para entender melhor o funcionamento da função
senoidal.
Forma de onda: Gráfico de uma grandeza, como a tensão na figura 4.2, em função
de uma variável como o tempo, posição, graus, radianos, temperatura, entre outras.
Valor instantâneo: Amplitude de uma forma de onda em um instante de tempo
qualquer. E esta representada na figura 4.2 por letras minúsculas (e1 e e2).
33
Amplitude de pico: Valor máximo de uma forma de onde em relação ao valor
médio. É representado por letras maiúsculas na figura 4.2 (Em), para fontes de tensão é
Vpico.
Valor de pico: Valor máximo de uma função medido a partir do nível zero. No caso
da forma de onda vista na figura 4.2, a amplitude de pico é o valor de pico.
Valor de pico a pico: Diferença entre os valores dos picos positivos e negativos,
isto é, a soma dos módulos das amplitudes positiva e negativa, VPP = 2 × Vpico .
Valor RMS: As ondas senoidas não apresentam alterações de período e freqüência,
porém podem oscilar a amplitude, entre o valor máximo (Valor de pico) e um valor
mínimo. Para calcular quanto de energia realmente é entregue aos equipamentos que serão
ligados a essa fonte de energia, usa-se um método matemático chamado RMS (R- Raiz, M-
média, S-quadrada). Para os sinais senoidais, podemos calcular o valor VRMS através da
fórmula:
Vpico
VRMS =
2
Podendo ainda se calcular o valor de pico usando a fórmula inversa:
Vpico = VRMS × 2
Forma de onda periódica: Forma de onda que se repete continuamente após um
certo intervalo de tempo constante. A forma de onda vista na figura 4.2 é periódica.
Período (T): Intervalo de tempo entre repetições sucessivas de uma forma de onda
periódica (T1 = T2 = T3 na figura 4.2), enquanto pontos similares sucessivos podem ser
usados para determinas o período T.
Ciclo: Parte de uma forma de onda contida em um intervalo de tempo igual a um
período. Os ciclos definidos por T1, T2 e T3 na figura 4.2 podem parecer diferences na
figura 4.3, mas como estão todos contidos em um período, satisfazem a definição de ciclo.
Freqüência (F): O número de ciclos que ocorrem em 1 segundo. A freqüência da
forma de onda vista na figura 4.4a é 1 ciclo por segundo, e a figura 4.4b 2,5 ciclos por
segundo. No caso de uma forma de onda cujo período é 0,5 segundos (veja figura 4.4c), a
freqüência é 2 ciclos por segundo.
A unidade de freqüência é o HERTZ(Hz), onde:
1 Hertz (Hz) = 1 ciclo por segundo (c/s)
Temos ainda a relação entre a freqüência e o Período, já que o período e o tempo
que o ciclo demora a acontecer:
1 1
F= ou T =
T F
34
Figura 4.2 – Parâmetros importantes de uma tensão senoidal.
Figura 4.3 – Definições de ciclo e período de uma forma de onda senoidal.
Figura 4.4 – Ilustração do efeito d mudança de freqüência sobre o período de uma

forma de onda senoidal
No domínio do temporal, temos que transformar o θ em tempo, para isso temos a

velocidade angular, isto é, quantos ângulos se têm em unidade de tempo:
θ
ω=
t
onde:
θ = ângulo da função senoidal (radianos)
ω = velocidade senoidal (radianos/segundo – rad/s)
t = tempo (segundos – s)
Assim para transformar θ em tempo, inverte-se a formula acima da seguinte forma:
θ = ω ×t
E a forma de onda que era:
35
V = Vpico × sen θ
Fica:
V = Vpico × sen(ω × t )
É necessário aprendermos a representação senoidal em função do tempo porque é

essa função que vamos trabalhar no osciloscópio (aparelho de medidas de forma de onda
em função de tempo).
4.2 – Circuitos retificadores

A geração e distribuição de energia elétrica são feitas na forma de tensões senoidais,
porém muitos aparelhos eletrônicos são alimentados por tensões contínuas. Sendo assim,
necessitam de circuitos que transformam tensões alternadas em tensões contínuas. Estes
circuitos são denominados retificadores.
Outro parâmetro importante a ser observado é que os circuitos têm tensões mais
baixas do que as tensões oferecidas pela tomada, assim antes de ser ligado a um retificador
as tensões tem que ser abaixadas, esse trabalho e realizado pelo transformador.
Utilizado o retificador é necessário eliminar as variações da tensão contínua para
que a mesma se torne efetivamente constante, o que é feito através de filtros ou circuito
reguladores de tensão.
A este conjunto de circuitos dá-se o nome e fonte de tensão ou fonte de alimentação
contínua, como mostrado na figura 4.5:
Figura 4.5 – Diagrama de blocos de uma fonte de alimentação.

Portando, este tópico será iniciado com uma breve análise dos transformadores, em
seguida serão estudados os circuitos retificadores e terminará com o estudo dos filtros
capacitivos, o que será suficiente para o projeto de pequenas fontes de alimentação. Já, no
capítulo seguinte, estudaremos um dispositivo derivado do diodo semicondutor chamado
diodo zener que, como será visto, será utilizado para o projeto de reguladores de tensão
bastante simples melhorando o desempenho da fonte de alimentação.
4.2.1 – Transformadores
Os transformadores, como o próprio nome diz, transformam a energia, podendo
abaixar ou aumentar a amplitude do sinal, nos nossos estudos estaremos utilizando o sinal
senoidal.
O transformador utiliza o efeito magnético criado na bobina (enrolamento de fios)
do primário, que é canalizado no entreferro excitando a bobina do secundário, fazendo com
que surja uma tensão nos terminais do enrolamento.
36
Esse efeito magnético será estudado com detalhes no curso de eletricidade.
Existem vários tipos de transformadores, porém para o estudo dos retificadores,
apenas dois interessam:
• Transformador abaixador de tensão
Transformador esse que entrando uma tensão alta no primário sairá uma tensão
baixa no secundário.
Abaixo vemos o símbolo elétrico do transformador e onde se encontra:
o Tensão do primário(V1);
o Corrente do primário(I1) ;
o Quantidade de voltas de fios no primário(N1);
o Tensão do secundário(V2);
o Corrente do secundário(I2) ;
o Quantidade de voltas de fios no secundário(N2);
Figura 4.6- Transformador abaixador de tensão

A relação de tensão que entra no primário e sai do secundário é calculada através da
fórmula abaixo que relaciona, a quantidade de energia e a quantidade de voltas de fios
enrolados em cada lado do transformador.
V 1 N1
= para tensão
V 2 N2
I 2 N1
= para corrente
I1 N 2
Ainda podemos fazer uma relação de potência para o transformador IDEAL (sem
perdas por aquecimento e desconsiderando a resistência do primário).
P1 = P 2 , como P = V × I podemos escrever: V 1 × I1 = V 2 × I 2
Exemplo:
Determinar o número de espiras do secundário de um transformador projetado para

reduzir a tensão da rede de 110V para 12V RMS, sabendo-se que ele possui 1000 voltas de
fio no enrolamento primário(N1).
37
V1= 100V
V2=12V
N1= 1000 voltas
Portanto:
V 1 N1 110 1000 1000 × 12
= = N2 = N 2 = 109voltas
V2 N2 12 N2 110
• Transformador com derivação central no secundário.
Este transformador funciona como se tivesse dois secundários e, portanto, as relações

entre tensões, correntes e número de espiras são as mesmas que as do transformador
visto anteriormente. Porém, os terminais centrais dos dois enrolamentos secundários
são interligados, fazendo com que as suas tensões sejam defasadas de 180º, como
mostram as formas de onda V2a e V2b na figura 4.7.
Figura 4.7 – Transformador com derivação central no secundário.
4.22 –Retificador de meia onda

O mais simples dos retificadores é o retificador de meia onda. A sua constituição
básica é um diodo em série com uma carga RL, como mostra a figura 4.8.
Figura 4.8 – Retificador de meia onda.

Pelo circuito do retificador de meia onda, vê-se que durante o semiciclo positivo de V2, o
diodo conduz (polarização direta), fazendo com que a tensão de saída seja igual à de
38
entrada, menos a tensão Vγ, que é a tensão de condução do diodo, sendo VγSi=0,7V e
VγGe=0,3V. Porém, no semiciclo negativo, o diodo corta (polarização reversa), fazendo
com que a tensão de saída seja nula e a tensão de entrada caia toda em cima do diodo, como
Figura 4.9 – Formas de onda num retificador de meia onda, lembrando que a tensão na
saída perde sempre a tensão do diodo Vγ.
Como a forma de onda na carga não é mais senoidal, o seu valor médio deixa de ser
nulo, embora a freqüência seja a mesma da tensão de entrada, podendo ser calculado por:
V 2 pico
Diodo ideal, modelo 1: Vmedio = ;
π
(V 2 pico − Vγ )
Diodo com Vγ, modelo 2: Vmedio =
π
Assim, pode-se calcular a corrente média na carga (igual à corrente média no diodo)
da seguinte forma:
Vmedio
Im edio =
RL
39
Onde Vmedio é a tensão media da carga, Imedio é a corrente média da carga e o RL
é a resistência da carga ( L – Load carga).
Então, para que o diodo não queime, ele deve suportar tanto esta corrente média,
quanto à tensão de pico reversa, ou seja:
Idiodo ≥ Im edio e Vpicoreversa ≥ V 2 pico
Exemplo:
A figura 4.10 mostra um transformador com tensão no secundário de 12VRMS
ligado a um retificador de meia onda (diodo de silício) com uma carga de 10Ω.
Considerando o valor de Vγ do diodo (modelo 2), determinar:
a) Tensão média da carga;
b) Corrente média na carga;
c) Especificações do diodo;
d) Formas de onda na carga e no diodo.
Figura 4.10 - Retificador de meia onda.

a) A tensão de pico na saída do transformador vale:
V 2 pico
V 2 RMS = V 2 pico = 12 × 2 V 2 pico = 17V
2
Considerando Vγ, a tensão média na carga vale:
(V 2 pico − Vγ ) (17 − 0,7)
Vmédio = Vmédio = Vmédio = 5,2V
π π
Vmédio 5,2
b) Im édio = Im édio = Im édio = 520mA
RL 10
c) Como a corrente no diodo é igual à da carga e com no semiciclo negativo toda a

tensão do transformador cai sobre o diodo, suas especificações devem ser as
seguintes: Idiodo ≥ 520mA e Vpicoreversa ≥ 17V
40
d)
4.23 –Retificador de onda completa com derivação central

O retificador de onda completa faz com que tanto o semiciclo positivo quanto o
negativo caiam sobre a carga sempre com a mesma polaridade.
Usando um transformador com derivação central, isto é possível através do circuito
mostrado na figura 4.11.
Figura 4.11 – Retificador de onda completa com derivação central.

Durante o semiciclo positivo, o diodo D1 conduz e o diodo D2 corta, fazendo com
que a tensão na carga seja positiva e igual à tensão na carga seja positiva e igual à tensão no
secundário superior do transformador (V2a), como mostra a figura 4.12(a).
Durante o semiciclo negativo, o diodo D1 corta e o diodo D2 conduz, fazendo com
que a tensão na carga tenha a mesma polaridade que a da situação anterior e a mesma
amplitude, como mostra a figura 4.12(b).
41
Figura 4.12 – Comportamento do retificador de onde completa com derivação
central.
Assim, as formas de onda na carga e nos diodos ficam como mostra a figura 4.13.
Figura 4.13 – Formas de onda no retificador onda completa com derivação central
42
Neste caso, a freqüência da tensão de saída dobra de valor e, portanto, a tensão média na
carga também dobra. Por outro lado, como a tensão de pico utilizada é a tensão entre o
terminal mais externo e o terminal central de derivação, isto é, V2picoa ou V2picob.
2 × (V 2 picoa − (2 × Vγ ))
Diodo com Vγ : Vmédia =
π
(2 × V 2 picoa)
Diodo ideal: Vmédia =
π
A vantagem deste retificador esta na especificação do diodo e na qualidade da

retificação.
Com a tensão média na carga pode-se calcular também a corrente média:
Vmédia
Im édia =
RL
Em relação às especificações dos diodos, tem-se uma grande vantagem neste
circuito. Como cada diodo conduz corrente somente em um semiciclo, a corrente que eles
devem suportar e metade da corrente média da carga. Por outro lado, a tensão de pico
reversa que os diodos devem suportar é a tensão total de pico do secundário, já que as suas
duas metades somam-se sobre os diodos quando estes estão cortados, Assim:
Im édia
Idiodo ≥ ,
2
Vpicoreversa ≥ 2 × V 2 picoa ,
ou Vpicoreversa ≥ 2 × V 2 picob ,
ou ainda Vpicoreversa ≥ V 2 pi cot otal
Exemplo:
A figura 4.14 mostra um transformador com derivação central e tensão total no
secundário de 4VRMS ligado a um retificador de onda completa (diodos de Silício) com
uma carga de 10Ω. Considerando o valor de Vγ do diodo (modelo2), determinar:
a)Tensão média na carga;

b)Corrente média na carga;
c)Especificações do diodo;
43
Figura 4.14 – Retificador de onda completa com derivação central
V 2 pico = V 2 RMS × 2 = 4 × 2 V 2 pico = 5,66V
Como o valor de pico utilizado na fórmula é metade do valor de pico calculado

acima:
V 2 pico 5,66
V 2 picoa = = V 2 picoa = 2,83V
2 2
Considerando Vγ = 0,7 V do silício, a tensão média na carga vale:
2 × (V 2 picoa − (2 × vγ )) 2 × (2,83 − (2 × 0,7))

Vmédia = = Vmédia = 0,91V
π π
b)
Vmédio 0,91
Im édio = = = 91,04mA
RL 10
c)
Im édio
Idiodo ≥ Idiodo ≥ 45,51mA
2
Vpicoreversa ≥ V 2 pi cot otal Vpicoreversa ≥ 5,66V
44
4.24 –Retificador de onda completa em Ponte
A figura 4.15 mostra o circuito do retificador de onda completa em ponte, assim

chamado por utilizar uma ponte de diodos, tendo algumas vantagens em relação aos
anteriores.
Figura 4.15 – Retificador de onda completa em ponte
Durante o semiciclo positivo, os diodos D1 e D3 conduzem e os diodos D2 e D4

cortam, transferindo, assim, toda a tensão de entrada para a carga, como mostra a figura
4.16.
Figura 4.16 - Comportamento do retificador de onda completa em ponte no ciclo

positivo.
Durante o semiciclo negativo, os diodos D2 e D4 conduzem e os diodos D1 e D3

cortam, fazendo com que toda a tensão de entrada caia sobre a carga com a mesma
polaridade que a do semiciclo positivo, como mostra a figura 4.17.
45
Figura 4.17 - Comportamento do retificador de onda completa em ponte no ciclo
negativo.
Assim as formas de onda na carga e nos diodos ficam como mostra a figura 4.18.
Figura 4.18 – Formas de onda no retificador de onda completa em ponte
46
Como neste caso a freqüência da tensão de saída dobra de valor, a tensão média na
carga também dobra, ou seja:
2 × V 2 pico
Diodo ideal: Vmédia =
π
2 × (V 2 pico − (2 × Vγ ))
Diodo com Vγ: Vmédia =
π
Neste circuito, a tensão de pico na carga corresponde à tensão de pico da saída do

transformador e, portanto, a tensão média final é o dobro da tensão média obtida pelos
retificadores anteriores caso o mesmo transformador seja utilizado.
Em relação ao retificador que utiliza o transformador com derivação central, para
obter o mesmo rendimento em termos de tensão média, este transformador teria que
fornecer no secundário, o dobro da tensão fornecida pelo transformador utilizado pelo
retificador em ponte, resultando num custo muito maior do que utilizando dois diodos a
mais pelo retificador em ponte. Além disso, devido à grande utilização das pontes de
diodos, estas podem ser encontradas comercialmente num único encapsulamento,
reduzindo o tamanho do circuito e facilitando o projeto.
Com a tensão média na carga pode-se calcular também a sua corrente média:
Vmédia
Im edia =
RL
Em relação às especificações dos diodos, como cada diodo conduz corrente somente
num semiciclo, a corrente que eles devem suportar corresponde à metade da corrente média
na carga. Quanto à tensão reversa, os diodos devem suportar a tensão de pico do
secundário. Assim:
Im édia
Idiodo ≥ e Vpicoreversa ≥ V 2 pico
2
Exemplo:
A figura 4.19 mostra um transformador com tensão no secundário de 25VRMS
ligado a um retificador de onda completa em ponte (diodos de silício) com uma carga de
10Ω. Determine:
a)Tensão média na carga;
b)Corrente média na carga;
c)Especificações do diodo;
47
Figura 4.19 – Retificado de onda completa em ponte.
V 2 pico = VRMS × 2 = 25 × 2 = 34,5V
Assim, a tensão média na carga vale:
2 × (V 2 pico − (2 × Vγ )) 2 × (35,4 − (2 × 0,7))

Vmédia = = = 21,65V
π π
b)
Vmédia 21,64
Im édia = = = 2,16 A
RL 10
c)
Im édia 2,16
Idiodo ≥ Idiodo ≥ Idiodo ≥ 1,08 A
2 2
Vpicoreversa ≥ V 2 pico Vpicoreversa ≥ 35,4V
48
4.25 –Filtro capacitivo
Para que a fonte de alimentação fique completa, falta ainda fazer a filtragem do
sinal retificado para que o mesmo se aproxime o máximo possível de uma tensão contínua e
constante.
A utilização de um filtro capacitivo é muito comum nas fontes de alimentação que
não necessitam de boa regulação, ou seja, que pode ter pequenas oscilações na tensão de
saída. Um exemplo é o eliminador de bateria, cujo o circuito bem todo montado na caixinha
que vai ligada à rede elétrica.
A figura 4.20 representa uma fonte de alimentação formada por um transformador
ligado a um retificador de onda completa em ponte, com capacitor de filtro de saída em
paralelo com a carga.
Figura 4.20 – Fonte de alimentação.
A filtragem do sinal retificado pode ser explicada, analisando-0se o gráfico da

figura 4.21.
Figura 4.21 – Forma de onda na saída da fonte de alimentação.
Com o primeiro semiciclo do sinal retificado, o capacitor carrega-se através dos

diodos D1 e D3 até o valor de pico. Quando a tensão retificada diminui, os diodos que
estavam conduzindo ficam reversamente polarizados fazendo com que o capacitor se
descarregue lentamente pela carga RL.
49
Quando, no segundo semiciclo, a tensão retificada fica maior que a tensão no
capacitor, os diodos D2 e D4 passam a conduzir carregando novamente o capacitor até o
valor de pico, e assim sucessivamente, formando uma ondulação denominada ripple.
A descarga do capacitor é lenta devido à constante de tempo RL x C, ou seja,
quanto maior o capacitor ou a resistência de carga, maior a constante de tempo e menor o
ripple.
Porém, mesmo com o ripple, percebe-se que a filtragem aumenta o valor médio da
tensão de saída, que será chamada de Vmediafiltrada.
O valor de pico a pico do ripple pode ser calculado pela equação abaixo:
Vmediafiltrada
Vripple =
f × RL × C
Onde:
o Vmediafiltrada = tensão média na carga após a filtragem;
o F = freqüência da ondulação (depende do tipo de retificador);
o RL = Resistência na Carga;
o C = Capacitor do filtro.
Assim, para o projeto de uma fonte de alimentação deve-se antes, estipular a tensão
média de saída e o ripple desejados para, em seguida, calcular o capacitor necessário para a
filtragem, as especificações dos diodos e as especificações do transformador.
Exemplo de aplicação: Projeto de uma fonte de alimentação

Projetas uma fonte com tensão de entrada e 110VRMS, 60Hz e tensão média de
saída de 5 V com ripple de 0,1V, para alimentar um circuito que tem uma resistência de
entrada equivalente a 1KΩ. Utilizar o retificador de onda completa em ponte.
O valor do capacitor do filtro pode ser calculado pela equação:
Vmédiafiltrada 5
Vripple = = = 417 µF
f × RL × C 120 × 1000 × 0,1
Neste caso, será utilizado um capacitor eletrolítico comercial de 470µF, o que
acarretará numa pequena redução do ripple, melhorando o desempenho da fonte.
Para definir as especificações (Idiodo e Vpicoreversa) dos diodos, é preciso calcular
a corrente média na carga e a tensão de pico no secundário do transformador. Assim, a
corrente média na carga vale:
Vmédia 5
Im édia = = = 5mA
RL 1000
O valor da tensão de pico na carga pode ser aproximado para:
Vripple 0,1
Vpiconac arg a = Vmédiafiltada + =5+ = 5,05V
2 2
50
Como a tensão de pico na carga é pequena, devemos considerar as perdas no diodo
Vγ, e como a carga tem uma resistência muito maior que a resistência do diodo RD, esta
pode ser desprezada. Assim o modelo 2 para os diodos é perfeitamente adequado para os
cálculos neste projeto.
No retificador em ponte, deve-se considerar, então, uma queda de tensão de 2 x Vγ
(dois diodos). Assim, a tensão de pico no secundário do transformador deverá ser de:
V 2 pico = Vpiconac arg a + 2 × Vγ V 2 pico = 5,05 + 2 × 0,7 V 2 pico = 6,45V
Portanto, as especificações dos diodos deverão respeitar as seguintes condições:
Im édia 5 × 10 −3
Idiodo ≥ Idiodo ≥ Idiodo ≥ 2,5mA
2 2
Vpicoreversa ≥ V 2 pico Vpi cov ersa ≥ 6,45V
Finalmente, é necessário determinar as características do transformador.

A tensão RMS no secundário é:
V 2 pico 6,45
V 2 RMS = = = 4,56V
2 2
O transformador tem que ser dimensionado para uma potência maior que a de
trabalho.
Como a corrente na carga e praticamente constante já que o ripple é pequeno, a
potência de trabalho do transformador pode ser estimada por:
Ptrafo = V 2 pico × Im édiafiltrada Ptrafo = 6,45 × 5 × 10 −3 = 32,25mW
Portanto, o transformador utilizado deve ter as seguintes especificações:
V 1RMS = 110V
V 2 RMS = 4,6V
Ptrafo ≥ 32,25mW
Assim o circuito da nossa fonte de alimentação fica como mostra a figura 4.22.
51
Figura 4.22 – Fonte de alimentação projetada.
Exercícios propostos:
4.1 A figura abaixo mostra um transformador com relação de espiras N1/N2 = 55 e

com tensão no primário de 110VRMS ligado a um retificador de meia onda (diodo de
Germânio) com uma carga de 40Ω. Considerando o valor de Vγ do diodo (modelo 2),
determine:
a) As formas de onda das tensões na carga e no diodo com suas respectivas
amplitudes;
b) A tensão média na carga;
c) A corrente média na carga;
d) As especificações do diodo.
4.2 A figura abaixo mostra um transformador com tensão no secundário de

30VRMS ligado a um retificador de onda completa com derivação central (diodo de silício)
com uma carga de 300Ω. Utilizando o modelo 1 para os diodos, determine:
a) As formas de onda das tensões na carga e nos diodos com suas respectivas
amplitudes;
b) A tensão média na carga;
c) A corrente média na carga;
d) As especificações do diodo.
4.3 Refaça os cálculos dos exemplos 41-42 e 45-46, utilizando o modelo 1 para os
diodos. Compare e analise os resultados obtidos.
4.4 Refaça o exercício proposto 4.2, utilizando um retificador de onda completa em
ponte.
52
4.5 Analise o circuito abaixo e determine a forma de onda no capacitor C2.
Projetos:
o Projetar uma fonte com tensão de entrada de 110VRMS 60Hz e tensão

média de saída de 15V com ripple de 0,5V, para alimentar um circuito que
tem resistência de entrada equivalente de 500Ω. Utilizar o retificador de
onda completa com derivação central.
o Redimencionar os dispositivos do exemplo de aplicação da página 48-49,
utilizando um retificador de meia onda.
o Projetar uma fonte de alimentação que substitua a bateria de um aparelho
eletrônico formada por duas pilhas de 1,5V e que tem um consumo de
potência máximo de 7,5mW. O ripple deve ser de no máximo 0,15V.
Utilizar o retificador de sua escolha.
53
Capitulo 5 – Diodos Especiais
No capítulo anterior, vimos algumas das diversas aplicações do diodo semicondutor.
Porém, em todas elas for explorada apenas a sua propriedade de conduzir corrente elétrica
num único sentido, ou seja, quando ele está polarizado diretamente.
Mas o diodo possui outras propriedades que, com pequenas alterações nas suas
características físicas, podem ser aproveitadas para outros tipos de aplicações.
5.1 Zener
O diodo zener é um dispositivo semicondutor que tem quase as mesmas
características que o diodo normal. A diferença esta na forma como ele se comporta quando
polarizado reversamente.
No diodo normal, quando polarizado reversamente, se a tensão reversa é muito
grande, os portadores minoritários são acelerados pelo campo elétrico até atingirem uma
velocidade tão alta que, colidindo com outros átomos, sua energia e suficiente para gerar
novos pares elétron-lacuna que, por sua vez, são também acelerados gerando outros pares
elétron-lacuna e assim sucessivamente.
Este fenômeno, denominado efeito avalanche ou efeito zener, consiste, portanto,
num aumento repentino da corrente reversa, dissipando uma potência suficiente para causar
a ruptura da junção PN, danificando o diodo. A tensão na qual o efeito zener ocorre é
chamada tensão de ruptura ou de Breakdown voltage (Vbreakdown), como mostra a figura
5.1.
Figura 5.1 - Efeito Zener no diodo normal
O diodo zener é construído com uma para de dissipação de potência suficiente para
suportar o efeito avalanche. Assim, a tensão na qual este efeito ocorre é denominada tensão
zener (Vz) e pode variar em função do tamanho e do nível de dopagem da junção PC.
Comercialmente, são encontrados diodos zener com Vz de 2V até 200V.
A figura 5.2 mostra o símbolo do diodo zener e a sua curva característica.
54
Figura 5.2 – Símbolo e curva característica do diodo zener.
Pela curva característica do diodo zener, observa-se que a tensão reversa Vz
mantém-se praticamente constante quando a corrente reversa esta entra Izm (corrente zener
mínima) e Izm (corrente de zener máxima).
Nesta região, o diodo zener dissipa uma potência Pz que pode ser calculada por:
Pz = Vz × Iz
Especificações do diodo zener
As principais especificações do diodo zener são:

1)Vγ - tensão de condução na polarização direta (Vγ = 0,7V para o silício, e
Vγ=0,3V para o germânio).
2) Vz – tensão zener (dada pelo fabricante).
Como Vz sofre uma pequena variação em função de Iz, o fabricante fornece um
valor obtido por uma corrente de teste Izt.
3)Izmax – corrente de zener máxima (dada pelo fabricante).
4)Izmin – corrente de zener mínima.
Caso não seja dado o valor de Izmin, considera-se como sendo 10% de Izmax, ou
seja:
Iz min = 0,1 × Iz max
5)Pzmax – potência zener máxima (dada pelo fabricante).
O diodo zener dissipa esta potência quando sua corrente atinge o valor Izmax, ou
seja:
Pz max = Vz × Iz max
6)Rz – resistência zener (dada pelo fabricante).
Esta resistência reflete a pequena variação de Vz em função de Iz e pode ser
calculada por:
Vz
Rz = na região linear
Iz
Mas, qual a utilidade do diodo zener? Como Vz permanece praticamente constante

na polarização reversa, a grande aplicação do diodo zener é de, nesta região, pode atuar
como regulador de tensão.
55
5.2 Diodo zener como regulador de tensão
Considerando-se o circuito da figura 5.3, no qual o diodo zener encontra-se polarizado
reversamente por uma fonte de tensão de entrada VE e uma resistência limitadora de
corrente Rs, pode-se determinar a tensão Vz e a corrente Iz no diodo zener
analiticamente através da segunda lei de kirchhoff:
Figura 5.3 – Diodo zener polarizado reversamente e equação do circuito utilizando a 2º

lei de kirchhoff.
Modelos para o diodo zener

A equação mostrada na figura 5.3, considera a tensão zener constante para corrente
entre Izmin e Izmax, ou seja, adota um modelo ideal para o diodo zener, como mostra a
figura 5.4.
Figura 5.4 – Modelo ideal do diodo zener.

Porém, se a precisão desejada para os cálculos de Vz e Iz for maior, pode-se utilizar
o modelo linear que leva em consideração a resistência zener Rz, ficando a equação da
seguinte forma:
Figura 5.5 – Modelo linear do diodo zener e equação do circuito.

Como a variação da tensão zener é muito pequena, normalmente ela é
desconsiderada nos cálculos.
Por outro lado, como é possível determinar Vz e Iz graficamente naturalmente os
resultados obtidos levam em consideração estas variações, e isto pode ser feito pela reta
de carga, traçada a partir dos seguintes pontos:
56
o Tensão de corte Vzenercorte (para Iz = 0):
Venercorte = VE
o Corrente de saturação Izenersaturação (Para Vz=0):

VE
Izenersaturaçao =
RS
Na figura 5.6, tem-se, assim, a reta de carga traçada sobre a curva característica do
diodo zener na região reversa.
Figura 5.6 – Curva característica e reta de carga do diodo zener.

OBSERVAÇÃO:
• Notar que a curva característica, os pontos da reta de carga são negativos, pois o
diodo esta trabalhando na região reversa.
Desta forma, o ponto quiescente Q do diodo zener pode ser determinado pela
intersecção da curva característica com a reta de carga, correspondendo aos valores da
tensão Vz sobre o diodo zener e a corrente Iz que passa por ele.
Supondo-se que a tensão de entrada aumente para um valor VE’ ou a resistência
diminua para um valor Rs’, isto acarretará um deslocamento do ponto quiescente,
denominado agora Q, como mostrado na figura 5.7.
Figura 5.7 – Deslocamento do ponto quiescente.
57
Assim, pode-se perceber que para ambos os gráficos, mesmo que a corrente no diodo
zener tenha aumentado para Iz’, a tensão sobre ele permanece praticamente constante, já
que Vz =Vz’.
Por isso o diodo zener é chamado de regulador de tensão.
Mas, pelas especificações do diodo zener analisadas anteriormente, existem limites
máximos e mínimos para a tensão de entrada VE e para a resistência limitadora de corrente
Rs, dentro das quais o diodo zener mantém a tensão de saída constante e não corre o risco
de se danificar.
Limites de VE e Rs, para se determinar estes limites, duas considerações devem ser
feitas:
1) O diodo zener não regula caso a corrente que passa por ele seja menor que a
corrente zener mínima Izmin. Esta condição limita o valor mínimo da tensão de
entrada (VEmin) e o valor máximo da resistência limitadora de corrente (Rsmax),
ou seja:
VE min = Rs max× Iz min + Vz
2) O diodo zener se danifica caso a corrente que passa por ele seja maior que a
corrente zener máxima Izmax, ou caso a potência dissipada por ele seja maior
que a potência zener máxima Pzmax. Esta condição limita o valor máximo da
tensão de entrada (Vemax) e o valor mínimo da resistência limitadora de corrente
(Rsmin), ou seja:
VE max = Rsmim × Iz max + Vz
Observação
Como apenas os valores relativos ao diodo zener são dados pelos fabricantes, os valores
máximo e mínimo de tensão de entrada são obtidos fixando-se Rs e os valores máximo
e mínimo da resistência limitadora de corrente são obtidos fixando-se VE.
Exemplos:
a)Dados o circuito abaixo e a curva característica do diodo zener, determinar o seu
ponto quiescente e a potência dissipada por ele no circuito.
Figura 5.8 – Circuito com diodo zener, curva característica e reta de carga.
58
Determinação da reta de carga:
Vzenercorte = VE = 15V
VE 15
Izenersaturação = = = 30mA
Rs 500
Graficamente, determina-se o ponto quiescente do diodo zener:
Vz = 5V Iz = 20mA
Assim, a potência dissipada pelo diodo zener no circuito é de:
Pz = Vz × Iz = 5 × 20 × 10 −3 = 100mW
b)O que acontece se a fonte de alimentação do exemplo anterior diminuir para 10V?
Primeiramente, é necessário determinar a nova reta de carga:

Vzenercorte = VE = 10V
VE 10
Izenersaturação = = = 20mA
Rs 500
Graficamente, determina-se o novo ponto quiescente do diodo zener:
Figura 5.9 – Circuito com diodo zener, curva característica e reta de carga.
Assim:
Vz = 5V Iz = 10mA
Desta forma, a potência dissipada pelo diodo zener no circuito passa a ser de:
Pz = Vz × Iz = 5 × 10 × 10 −3 = 50mW
Conclusão: o diodo continua regulando em 5V, mas dissipa metade da potência já que
sua corrente é metade da obtida no circuito do exemplo anterior.
c)Determinar analiticamente os pontos quiescentes do diodo zener e a potência

dissipada por ele nos circuitos dos exemplos a e b.
Pelo circuito do exemplo a, tem-se que:

Vz = 5V
59
(15 − 5)
VE = Rs × Iz + Vz 15 = 500 × Iz + 5 Iz = = 20mA
500
Pz = Vz × Iz = 5 × 20 × 10 −3 = 100mW
Pelo circuito do exemplo b, tem-se que:
Vz = 5V
(10 − 5)
VE = Rs × Iz + Vz 10 = 500 × Iz + 5 Iz = = 10mA
500
Pz = Vz × Iz = 5 × 10 × 10 −3 = 50mW
d) Dados o circuito abaixo e as especificações do diodo zener determinar os valores

máximo e mínimo da tensão de entrada para que o diodo zener funcione como um
regulador de tensão:
Figura 5.10 – Circuito com diodo zener e suas especificações
Primeiramente, é necessário determinar as especificações de corrente do diodo zener:

Pz max 1
Iz max = = = 161,26mA
Vz 6,2
Iz min = 20mA
Assim, as tensões máxima e mínima de entrada são:

VE min = Rs × Iz min + Vz = 120 × 20 × 10 −3 + 6,2 = 8,6V
VE max = Rs × Iz max + Vz = 120 × 161,29 × 10 −3 + 6,2 = 25,55V
Conclusão:
Para Rs =120Ω 8,6V ≤ VE ≤ 25,55V
e) Dados o circuito abaixo e as especificações do diodo zener, determinar os valores

máximo e mínimo da resistência limitadora de corrente para que o diodo zener funcione
como um regulador de tensão:
60
Figura 5.11 – Circuito com diodo zener e suas especificações.
Primeiramente, é necessário determinar as especificações de corrente do diodo zener:
Pz max 1,5
Iz max = = = 164,84mA
Vz 9,1
Como Izmin não foi fornecida, adota-se:
Iz min = 0,1 × Iz max = 0,1 × 164,84 × 10 −3 = 16,48mA
Assim, os valores máximo e mínimo da resistência limitadora são:
(VE − Vz ) (25 − 9,1)

VE = Rs max× Iz min + Vz Rs max = = = 965Ω
Izmim 16,48 × 10 −3
(VE − Vz ) (25 − 9,1)

VE = Rs min× Iz max + Vz Rs min = = = 96,5Ω
Iz max 164,84 × 10 −3
Conclusão: Para VE=25V 96,5Ω ≤ Rs ≤ 965Ω
5.3 Circuito regulador de tensão com carga

As aplicações do circuito regulador de tensão são, principalmente:
• Estabilizar uma tensão de saída para uma carga fixa a partir de uma tensão de
entrada constante;
• Estabilizar uma tensão de saída para uma carga variável a partir de uma tensão de
entrada constante;
• Estabilizar uma tensão de saída para uma carga fixa a partir de uma tensão de
entrada com ripple;
• Estabilizar uma tensão de saída para uma carga variável a partir de uma tensão de
entrada com ripple.
As duas primeiras aplicações visam, principalmente, a estabilização num valor menor

da tensão de uma bateria ou de uma fonte de alimentação já estabilizada, e as duas
61
ultimam aplicações visam, principalmente, a estabilização de fontes de alimentação
com ripple, como aquela, projetada no final o capítulo 4.
Ainda, pelas características de última aplicação acima, pode-se afirmar que se trata
do caso mais geral, pois tanto a tensão de entrada quanto à carga são variáveis.
Figura 5.12 – Fonte de alimentação estabilizada com carga variável.

Assim, faz-se necessária uma análise mais detalhada do circuito regulador de tensão
quando neste é ligada uma carga.
Basicamente, o projeto de um regulador de tensão com carga consiste no cálculo da
resistência limitadora de corrente Rs, conhecendo-se as demais variáveis do circuito, a
saber: características da tensão de entrada (constante ou com ripple), características da
carga (fixa ou variável), tensão de saída (valor desejado) e especificações do diodo
zener.
Figura 5.13 – Circuito regulador de tensão com carga.

Este circuito possui três equações fundamentais:
Equação da corrente de entrada:

Isaida = Iz + IRL
Equação de tensão de saída:

Vz = VRL = RL × IRL
Equação de regulação:
VE = Rs × Isaida + Vz
A partir destas equações, é possível projetar reguladores de tensão para as quatro

aplicações citadas anteriormente.
62
5.31 Carga fixa e tensão de entrada constante
A figura 5.14 mostra um circuito regulador de tensão com carga fixa e tensão de
entrada constante.
Figura 5.14 – Circuito regulador com carga fixa e tensão de entrada constante.
O valor do resistor Rs deve satisfazer as condições dadas pelas especificações do

diodo zener.
Corrente zener mínima Izmin:
Como RL e Vz são constantes, tem-se um valor mínimo para Isaida.
Isaida min = Iz min + IRL
Esta condição limita RS a um valor máximo Rsmax.

(VE − Vz )
VE = Rs max× ( Is min + IRL) + Vz Rs max =
( Iz min + IRL )
Corrente zener máxima Izmax:

Neste caso, tem-se um valor máximo para Isaida.
Isaida max = Iz max + IRL
Esta condição limita RS a um valor mínimo Rsmin.

(VE − Vz )
VE = Rs min× ( Is max + IRL) + Vz Rs min =
( Iz max + IRL)
Assim, tem-se que Rs deve ser: Rs min ≤ Rs ≤ Rs max
Exemplo de aplicação: Redução da tensão de uma fonte para uma carga fixa.
Determinar Rs do regulador de tensão utilizado para que uma fonte de 12V possa
ser ligada em um circuito que represente uma carga de 1KΩ e cuja tensão de alimentação
seja de 5,6V.
63
Figura 5.15 – Redutor de tensão com carga fixa.
Condição de Izmin:
Iz min = 0,1 × Iz max = 0,1 × 100 × 10 −3 = 10mA
Vz 5,6
IRL = = = 5,6mA
RL 1000
(VE − Vz ) (12 − 5,6)
Rs max = = = 410Ω
( Iz min + IRL) (10 × 10 −3 × 5,6 × 10 −3 )
Condição de Izmax:
(VE − Vz ) (12 − 5,6)
Rs min = = = 61Ω
( Is max + IRL ) (100 × 10 −3 × 5,6 × 10 −3 )
Portanto, Rs deve ser: 61Ω ≤ Rs ≤ 410Ω
Valor comercial escolhido: Rs=330Ω

Fixado o valor de Rs, pode-se calcular a potência dissipada por ele no circuito:
Vrs 2 (VE − Vz ) 2 (12 − 5,6) 2
Pr s = = = = 124mW
Rs Rs 330
Portanto, Rs pode ser um resistor de 1/2W.
5.32 Carga variável e tensão de entrada constante

A figura 5.16 mostra um circuito regulador de tensão com carga variável e tensão de
entrada constante.
Figura 5.16 – Circuito regulador com carga variável e tensão de entrada constante.
64
O valor do resistor Rs deve satisfazer as condições dadas pela variação desejada
para a carga e pelas especificações do diodo zener.

Como Rs é variável e Vz é constante, esta condição é mais crítica no caso de RL
assume seu valor mínimo RLmin, ou seja, quando a corrente na carga é máxima IRLmax e
a corrente Isaida é mínima.
Isaida min = Iz min + IRL max
Esta condição limita Rs a um valor máximo Rsmax:

(VE − Vz )
VE = Rs max× ( Iz min + IRL max) + Vz Rs max =
( Izmim + IRL max)

Neste caso, esta condição é mais crítica no caso em que RL assume seu valor
máximo RLmax, ou seja, quando a corrente na carga é mínima IRLmim e a corrente Isaida
e máxima.
Isaida max = Iz max + IRL min

(VE − Vz )
VE = Rs min× ( Iz max + IRL min) + Vz Rs min =
( Iz max + IRL min)
Exemplo de aplicação: Redução da tensão de uma fonte para uma carga variável.
Para a mesma fonte do exemplo de aplicação anterior e utilizando o mesmo diodo
zener, determinar Rs do regulador de tensão para um circuito cuja tensão de alimentação
seja de 5,6V, mas que represente uma carga variável entre 100Ω e 20KΩ.
Figura 5.17 – Redutor de tensão com carga variável.

Vz 5,6
IRL max = = = 56mA
RL min 100
(VE − Vz ) (12 − 5,6)
Rs max = = = 97Ω
( Iz min + IRL max) (10 × 10 −3 × 56 × 10 −3 )
65
Vz 5,6
IRL min = = = 0,28mA
RL max 20 × 10 −3
(VE − Vz ) (12 − 5,6)

Rs min = = = 64Ω
( Is max + IRL min) (100 × 10 −3 × 0,28 × 10 −3 )
Valor comercial escolhido: Rs=82Ω

Fixado o valor de Rs, pode-se calcular a potência dissipada por ele no circuito:
Vrs 2 (VE − Vz ) 2 (12 − 5,6) 2
Pr s = = = = 499,5mW
Rs Rs 82
Portanto, Rs pode ser um resistor de 1W.
5.33 Carga fixa e tensão de entrada com ripple
A figura 5.18 mostra um circuito regulador de tensão com carga fica e tensão de
entrada com ripple.
Figura 5.18 – circuito regulador com carga fixa e tensão de entrada com ripple.
O valor do resistor Rs deve satisfazer as condições dadas pela variação existente na

tensão de entrada (ripple) e pelas especificações do diodo zener.

Como RL e Vz são constantes, estas condições é mais crítica no caso que VE
assume seu valor mínimo VEmin, ou seja, quando a corrente Isaida é mínima:
Isaida min = Iz min + IRL

(VE min − Vz )
VE min = Rs max× ( Iz min + IRL) + Vz Rs max =
( Iz min + IRL )
66
Neste caso, esta condição é mais crítica no caso em que VE assume seu valor
máximo Vemax, ou seja, quando a corrente Isaida é máxima:
Isaida max = Iz max + IRL
Porém, esta condição limita Rs a um valor mínimo Rsmin.

(VE max − Vz )
VE max = Rs min× ( Iz max + IRL ) + Vz Rs min =
( Iz max + IRL )
Exemplo de aplicação: Eliminação do ripple de uma fonte de alimentação para uma carga
fixa.
Uma fonte de alimentação foi projetada para alimentar uma carga de 560Ω com
tensão de 15V. Porém, o sinal de saída do filtro capacitivo corresponde a uma tensão de
22V com ripple de 5V. Determine Rs do regulador de tensão que elimina o ripple desta
fonte e estabilizada sua tensão em 15V.
Figura 5.19 – Eliminação do ripple de uma fonte para uma carga fixa.
Vz 15
IRL = = = 26,79mA
RL 560
Vripple 5
VE min = VE − = 22 − = 19,5V
2 2
(VE min − Vz ) (19,5 − 15)
Rs max = = = 108Ω
( Iz min + IRL ) (15 × 10 −3 × 26,79 × 10 −3 )
Vripple 5
VE max = VE + = 22 + = 24,5V
2 2
(VE max − Vz ) (24,5 − 15)
Rs min = = = 18Ω
( Iz max + IRL ) (500 × 10 −3 × 26,79 × 10 −3 )
67
Valor comercial escolhido: Rs =47Ω
Fixado o valor de Rs, pode-se calcular a potência dissipada por ele no circuito no pior caso,
ou seja, quando a tensão VE é máxima.
VRS max 2 (VE max − Vz ) 2 (24,5 − 15) 2
PRS = = = = 1,92W
Rs Rs 47
5.34 Carga variável e tensão de entrada com ripple

A figura 5.20 mostra um circuito regulador de tensão com carga variável e tensão de
entrada com ripple.
Figura 5.20 – Circuito regulador com carga variável e tensão de entrada com ripple.
O valor do resistor Rs deve satisfazer as condições dadas pela variação existente na
tensão de entrada (ripple), pela variação desejada para a carga e pelas especificações do
diodo zener.
Como RL e Vê são variáveis e Vz é constante, esta condição é mais crítica no caso
em que VE assume seu valor mínimo VEmin e IRL seu valor máximo IRLmax, ou seja,
quando a corrente Isaida é mínima:
Isaida min = Iz min + IRL max
Esta condição limita RS a um valor máximo Rsmax:

(VE min − Vz )
VE min = Rs max× ( Iz min + IRL max) + Vz Rs max =
( Iz min + IRL max)
Neste caso, esta condição é mais crítica no caso em que VE assume seu valor
máximo Vemax e IRL seu valor mínimo IRLmin, ou seja, quando a corrente Isaida é
máxima.
Isaida max = Iz max + IRL min
Porém, esta condição limita Rs a um valor mínimo Rsmin:
(VE max − Vz )
VE max = Rs min× ( Iz max + IRL min) + Vz Rs min =
( Iz max + IRL min)
68
Exemplo de aplicação: Eliminação do ripple de uma fonte de alimentação para uma carga
variável.
Uma fonte de alimentação possui uma tensão média de saída de 30V com ripple de
3V. Determinar Rs do regulador de tensão que elimina o ripple desta fonte e estabiliza sua
tensão em 15V, sabendo-se que ela será utilizada para alimentar cargas de 50Ω até 100KΩ
e que o diodo zener do circuito tem as especificações dadas abaixo.
Figura 5.21 – Eliminação do ripple de uma fonte para uma carga variável.
Vz 15
IRL max = = = 300mA
RL min 50
Vripple 3
VE min = VE − = 30 − = 28,5V
2 2
(VE min − Vz ) (28,5 − 15)
Rs max = = 42Ω
( Iz min + IRL max) (23 × 10 −3 × 300 × 10 −3 )
Vz 15
IRL min = = = 150µA
RL max 100 × 10 3
Vripple 3
VE max = VE + = 30 + = 31,5V
2 2
(VE max − Vz ) (31,5 − 15)
Rs min = = 66Ω
( Iz max + IRL min) (250 × 10 −3 × 150 × 10 −6 )
Pelos resultados obtidos, pode-se verificar que este regulador pe impossível de ser
montado, pois a resistência mínima é maior que a resistência máxima exigidas pelas
condições do projeto.
Isto aconteceu pelo fato de o projeto prever uma variação muito grande para a carga,
enquanto que o diodo zener escolhido tem um faixa estreita de variação de corrente reversa.
Uma forma de contornar este problema é escolher um diodo zener de maior potÊncia, ou
seja, que permite variação maior de corrente reversa.
Será adotado, então o diodo com as especificações abaixo:
69
Vz = 15V
Izmax = 700mA
Izmin = 30mA
(VE min − Vz ) (28,5 − 15)
Rs max = = 41Ω
( Iz min + IRL max) (30 × 10 −3 × 300 × 10 −3 )
(VE max − Vz ) (31,5 − 15)

Rs min = = 24Ω
( Iz max + IRL min) (700 × 10 −3 × 150 × 10 −6 )
Agora, pode-se observar que o regulador é possível de ser implementado.

Valor comercial escolhido: Rs = 33Ω
Fixado o valor de Rs, pode-se calcular a potência dissipada por ele no circuito no
pior caso, ou seja, quando a tensão VE é máxima:
VRS max 2 (VE max − Vz ) 2 (31,5 − 15) 2

PRS = = = = 8,25W
Rs Rs 33
5.4 LED (Diodo Emissor de Luz)

Num diodo, quando, polarizado diretamente uma grande quantidade de portadores
atravessa a região de depleção na qual, alguns deles, recombinam-se com átomos ionizados.
Neste processo, os elétrons perdem energia na forma de radiação. Nos diodos de silício e
germânio, essa radiação é liberada principalmente na forma de calor mas, em compostos de
arseneto de Gálio (GaAs), existe a liberação de energia na forma de luz.
Esses diodos são chamados de diodos emissores de luz ou, simplesmente LED (do
inglês Light Emitting Diode) e podem emitir luz visível, infravermelho (freqüência menor
ou comprimento de onda maior que a faixa de luz visível) ou ultravioleta (freqüência maior
ou comprimento de onda menor que a faixa de luz visível).
Figura 5.22 – LED e seu símbolo elétrico
70
Este fenômeno ocorre principalmente quando o tamanho da banda proibida é igual
ao comprimento das ondas luz, favorecendo a emissão de fótons (partículas de luz).
Os principais LEDs de luz visível são feitos a partir de GaAs acrescidos de fósforo que,
dependendo da quantidade, pode irradiar luzes vermelha, laranja, amarela, verde ou azul e
são muito utilizados como sinalizadores em instrumentos eletrônicos ou na fabricação de
displays (indicadores numéricos de sete segmentos onde cada segmento é um LED).
Para a emissão de luz infravermelha, pode-se utilizar InSb (antimoneto de índio)
com aplicações em alarmes, transmissão de dados por fibras óticas e outras que exijam
radiação invisível ou GaAs acrescida de alumínio que são muito utilizados em aparelhos de
disco-laser. Para radiação ultravioleta, o mais utilizado é o diodo à base de sulfato de zinco
(ZnS).
Os Leds têm as mesmas características dos diodos comuns, ou seja, só conduzem
quando polarizados diretamente com tensão maior ou igual a Vγ. Comercialmente, eles
trabalham normalmente com correntes na faixa de 10mA a 50mA e tensões na faixa de
1,5V a 2,5V.
Assim, para polarizar u m LED, deve-se utilizar um resistor limitador de corrente
para que o mesmo não se danifique.
Exemplo: Determinar Rs para que o LED do circuito abaixo fique polarizador no seu ponto
quiescente (VD=2V e ID=15mA), sendo VCC=10V.
Figura 5.23 - Polarização do LED
Utilizando a 2º lei de kirchhoff no circuito acima temos:

(10 − 2)
VCC = Rs × ID + VD 10 = Rs × 15 × 10 −3 + 2 Rs = = 533Ω
15 × 10 −3
Assim, pode-se utilizar um resistor comercial de 560Ω.
5.5 Fotodiodo e Optoacoplador
5.51- Fotodiodo
Como já foi visto anteriormente, num diodo comum polarizado reversamente, existe
uma corrente reversa formada por portadores minoritários mantidos pela energia térmica a
temperatura ambiente. Assim, se houver incidência de luz sobre a junção PN, essa energia
também pode gerar portadores contribuindo para aumentar a corrente reversa.
71
Um fotodiodo é, portanto, um diodo com uma janelas sobre a junção PN que
permite a entrada de luz. Essa luz produz elétrons livres e lacunas, aumentando a
quantidade de portadores minoritários e, conseqüentemente, controlando a corrente reversa.
Figura 5.24 – Fotodiodo e seu símbolo elétrico.
Desta forma, quanto maior a incidência de luz, maior a corrente no fotodiodo

polarizado reversamente, como mostra a sua curva característica corrente reversa (IR) x
intensidade luminosa (L) da figura 5.25.
Figura 5.25 – Fotodiodo polarizador reversamente e suas curvas características.

Portanto, quando o fotodiodo esta trabalhando na região linear de sua curva
característica, a corrente reversa tem a mesma forma de onda da amplitude da intensidade
luminosa incidente.
Normalmente, os fotodiodos produzem corrente reversa da ordem de dezenas de
microamperes, mais devem ser sempre ligados em série com um resistor limitador de
corrente, para não danifica-los quando os mesmo ficam polarizados diretamente.
Outra característica importante do fotodiodo é sua curva de resposta de corrente
reversa (IR) x comprimento de onda (λ) da luz incidente, mostrada na figura 5.25, que deve
ser levada em consideração dependendo da aplicação do dispositivo.
Os fotodiodos são muito utilizados como detectores de luz, medidores de
intensidade luminosa ou de comprimento de onda da luz incidente, alarmes, etc.
5.52- Optoacoplador
Um optoacoplador (ou acoplador óptico), como mostra a figura 5.26 nada mais é do
que um LED associado a um fotodiodo num mesmo invólucro, tendo ambos as mesmas
características em relação ao comprimento de onda da luz.
72
Figura 5.26 – Optoacoplador
Quando o LED é polarizado diretamente, ele emite uma luz que atinge o fotodiodo,
fazendo com que a sua corrente reversa seja proporcional à intensidade luminosa da luz
emitida ou à corrente de polarização do LED.
Isto significa que a corrente de saída (fotodiodo) depende da corrente de entrada
(LED) mesmo fazendo isolação térmica entra os dispositivos, já que o único contato entre
eles é o feixe de luz. Por isso o nome de optoacoplador (isolador acoplado opticamente).
Esta isolação elétrica, na faixa de gigaohms (milhares de megaohms), faz com que o
optoacoplador seja muito utilizado quando se deseja acoplar um circuito que trabalha com
alta tensão a outra de baixa tensão. Outra aplicação muito comum é a leitura de sinais
codificados, por exemplo, através de cartões perfurados que cortam ou não o feixe de luz
entre o LED e o fotodiodo.
EXERCÍCIOS:
1) Explique o efeito avalanche no diodo e justifique por que no diodo zener não ocorre
à ruptura na junção PN, quando polarizado reversamente.
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______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
2) Dados o circuito abaixo e a curva característica do diodo zener trace a reta de carga,
determine o ponto quiescente e calcule a potência pelo diodo zener.
73
3)O que acontece quando a resistência limitadora de corrente do circuito do exercício 2
dobra de valor?
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
4)Determine analiticamente o ponto quiescente e a potência dissipada pelo diodo zener
do circuito a seguir.
5)Qual o problema apresentado pelo circuito abaixo e que solução é mais adequada?
74
6)Determine os valores máximo e mínimo da resistência limitadora de corrente para que
o diodo zener funcione corretamente:
7)Determine Rs dos reguladores de tensão a seguir, escolhendo um valor comercial e

calculando sua potência.
a)
b)
75
c)
d)
8)Determine os valores máximos e mínimos da tensão de entrada do circuito abaixo para o

que o diodo zener funcione corretamente.
76
9) Determine Rs para que o LED do circuito abaixo fique polarizado no seu ponto
quiescente (VD=2,2V e ID=12mA).
10) Como funciona um fotodiodo e um optoacoplador?

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_________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________
PROJETOS:
1)Um circuito eletrônico tem que ser alimentado por uma tensão de 12V. Tem-se
disponível uma fonte de alimentação de 20V. Projetar um regulador de tensão usando o
diodo zener especificado abaixo, sabendo-se que o circuito a ser alimentado representa uma
carga de 2KΩ.
Especificações do diodo zener:
Vz = 12V
Pzmax = 1,5W
2)Que alteração poderia ser feita no projeto 1, para que a fonte de 12 V pudesse alimentar
cargas entre 200Ω e 200KΩ.
3)Um circuito eletrônico tem que ser alimentado por um tensão de 9V. Tem-se disponível
uma fonte de alimentação de 15V com ripple de 4V. Projetar um regulador de tensão
usando o diodo zener especificado abaixo, sabendo-se que o circuito a ser alimentado
representa uma carga de 820Ω.
Vz = 9V
Pzmax = 1W
77
4)Uma fonte de alimentação possui uma tensão média de saída de 10V com ripple 3V.
Projetar um regulador de tensão que elimine o ripple desta fonte e estabilize sua tensão em
6,8V, sabendo-se ela será utilizada para alimentar cargas de 80Ω até 10KΩ e que o diodo
zener do circuito tem especificações dadas a seguir.
Vz = 6,8V
Pzmax = 800mW
Izmin = 8mA
PESQUISA:
1)Pesquisar as especificações de um diodo zener comercial de 5,1V
2)Pesquisar as características elétricas e ópticas de um LED vermelho e de um verde
comerciais.
3)Pesquisar as características elétricas e ópticas de um fotodiodo e de um optoacoplador
comerciais.
78
Capitulo 6 – Transistores Bipolares
O principio do transistor é também poder controlar a corrente. Ele é montado numa
estrutura de cristais semicondutores, de modo a formar duas camadas de cristais do mesmo
tipo intercaladas por uma camada de cristal do tipo aposto, que controla a passagem de
corrente entre as outras duas. Cada uma dessas camadas recebe um nome em relação à sua
função na operação do transistor. As extremidades são chamadas de emissor e coletor, e a
camada central é chamada base. Os aspectos construtivos simplificados e os símbolos
elétricos dos transistores são mostrados na figura 6.1. Observa-se que existem duas
possibilidades de implementação.
Figura 6.1 –Aspectos construtivos e símbolos dos transistores.
O transistor da figura 6.1a é chamado de transistor NPN e o da figura 6.1b de

transistor PNP.
O transistor é hermeticamente fechado em um encapsulamento plástico ou metálico.
Na figura 6.2, tem-se alguns exemplos de transistores e o código padronizado para os
encapsulamentos.
Figura 6.2 – Aspecto físico dos transistores.
79
Pela figura 6.3, percebe-se que o emissor é fortemente dopado, e tem com função
emitir portadores de carga para a base (elétrons no transistor NPN e lacunas no PNP).
Figura 6.3 – Portadores nos transistores.

A base tem uma dopagem média e é muito fina. Assim, a maioria dos portadores
lançados do emissor para a base, consegue atravessa-la, dirigindo-se ao coletor.
O coletor é levemente dopado e, como seu nome diz, coleta (recolhe) os portadores
que vêm da base. Ele é muito maior que as outras camadas, pois é nele que se dissipa a
maior parte da potência gerada pelos transistorizados.
Relembrando que os portadores majoritários do material tipo N são os elétrons
livres e do material tipo P são as lacunas, pode-se observar o seguinte:
Figura 6.4 – Barreiras de potencias nos transistores.

Da mesma forma que na junção PN dos diodos, nas duas junções J1 e J2 dos
transistores surgem, devido à recombinação dos portadores, barreiras de potenciais, cujos
valores, a 25ºC, são: Vγ = 0,7V para semicondutores de silício e Vγ = 0,3V para
semicondutores de germânio.
O comportamento básico dos transistores em circuitos eletrônicos é fazer o controle
de passagem de corrente entre o emissor e o coletor através da base. Isto é conseguido,
polarizando-se adequadamente suas duas junções, como será visto a seguir.
6.1 – Funcionamento dos transistores NPN e PNP

Para se entender como funcionam os transistores, cada junção será polarizada
separadamente, sendo depois unidas para a análise do comportamento do dispositivo como
um todo.
“Não se esqueça de que a corrente convencional tem sentido contrário ao do fluxo de
elétrons e mesmo sentido que o do fluxo de lacunas”.
Polarizando-se a junção emissor-base diretamente com VBE (NPN) e VEB (PNP),
obtém-se o que mostra a figura 6.5.
80
Figura 6.5 – Polarização direta da junção emissor-base.
Neste caso, a junção emissor-base funciona como um diodo polarizado diretamente,

ou seja, circula por ela um grande corrente IB de portadores majoritários (elétrons livres no
transistor NPN e lacunas PNP).
Observa-se também, que existe um pequena corrente em sentido contrário devido
aos portadores minoritários. Esta corrente é chamada de corrente de fuga.
Agora, polarizando-se a outra junção base-coletor reversamente, com VCB>VBE
(NPN) e VBC>VEB (PNP), tem-se o seguinte fenômeno, mostrado na figura 6.6.
Figura 6.6 –Polarização reversa da junção base-coletor.

Neste caso, a barreira de potencial aumenta, diminuindo drasticamente o fluxo de
corrente dos portadores majoritários. Porém, os portadores minoritários atravessam a
barreira com facilidade no sentido contrário, fazendo circular uma corrente reversa, ainda
menor e praticamente desprezível, pois tais portadores são em pequeno número.
Reunindo-se as duas polarizações anteriores, obtém-se o que se mostra na figura
6.7.
Figura 6.7 – Polarização completa.
81
Observa-se que o fluxo de portadores majoritários na junção emissor-base, que
antes se dirigia ao terminal da base, agora, devido à atração maior exercida pelo coletor,
dirige-se quase que totalmente para ele, atravessando a outra junção base-coletor sem
encontrar dificuldades.
Para explicar por que a corrente se dirige menos à base e mais para o coletor; basta
lembrar que a base é mais estreita que o emissor e o coletor e menos dopada que o emissor.
Assim, os portadores que vêm do emissor saturam a base rapidamente através das
recombinações, fazendo com que eles se dividam da seguinte maneira: uma pequena parte
saindo pelo terminal da base e a maior parte saindo pelo terminal de coletor, atraídos por
sua tensão.
Tensões e correntes nos transistores NPN e PNP, de acordo com o sentido
convencional e mostrado na figura 6.8.
Figura 6.8 – Tensões e correntes nos transistores.

Aplicando-se a primeira lei de kirchhoff paras as correntes e a segunda lei de
kirchhoff para as tensões em ambos os transistores, obtém-se as seguintes equações:
NPN ou PNP: IE = IC + IB
NPN: VCE = VBE + VCB
PNP: VEC = VEB + VBC
6.2 – Efeito de Amplificação

Analisando o fenômeno que ocorre com a polarização completa do transistor NPN
sob o aspecto da variação das correntes, tem-se o seguinte:
• Um aumento na corrente de base IB provoca um número maior de
recombinações, aumentado a corrente de coletor IC. Da mesma forma, a
diminuição na corrente de base provoca a diminuição na corrente do coletor.
Isto significa que a corrente de base controla a corrente entre emissor e
coletor.
• A corrente de base, sendo bem menor que a corrente de coletor, faz com que
uma pequena variação ∆IB provoque uma grande variação de ∆IC. Isto
82
significa que a variação da corrente de coletor é um reflexo amplificado da
variação da corrente ocorrida na base.
• O fato de o transistor possibilitar a amplificação de um sinal faz com que ele
seja considerado um dispositivo ativo.
Figura 6.9 – Efeito de amplificação no transistor NPN.
Este efeito amplificação, denominado ganho de corrente, pode ser expresso

matematicamente pela relação entre a variação da corrente de coletor ∆IC e a variação da
corrente de base ∆IB, isto é:
∆IC
Ganhodecorrente =
∆IB
Este efeito amplificação ocorre também no transistor PNP, só que as correntes

fluem no sentido contrário.
6.3 – Configurações básicas

Os transistores podem ser utilizados em três configurações básicas: base comum
(BC), emissor comum (EC) e coletor comum (CC), onde o termo comum significa que o
terminal à entrada e à saída do circuito, como mostra a figura 6.10.
Figura 6.10 – Configurações básicas dos transistores
83
Cada uma destas configurações tem características especificas e, portanto,
aplicações diferentes.
Para facilitar o cálculo da polarização dos transistores, os fabricantes podem
fornecer duas funções na forma gráfica. Uma relacionada com a característica de entrada e
outra com a característica de saída de cada configuração. Em geral, os fabricantes fornecem
as curvas características da configuração EC, sendo que a partir dessa, é possível obter os
parâmetros para as outras configurações.
A característica de entrada mostra a relação entre a corrente e a tensão de entrada
para vários valores constantes de tensão de saída, formando um grupo de curvas, uma para
cada tensão de saída.
Na característica de saída, tem-se a relação entre a corrente e a tensão de saída para
vários valores constantes de corrente de entrada, formando um grupo de curvas, uma para
cada corrente de entrada.
6.31-Configuração base comum (BC)
Nesta configuração, o emissor é o terminal de entrada de corrente e o coletor é o

terminal de saída de corrente do circuito, sendo que o terminal de base é comum às tensões
de entrada e saída, como mostra a figura 6.11, para transistores NPN e PNP.
Figura 6.11 – Configuração base comum (BC)
6.311-Curva característica de entrada (BC)

Para cada valor constante de tensão de saída VCB, variando-se a tensão de entrada
VBE, obtém-se uma corrente de entrada IE, resultando num gráfico com o seguinte
aspecto:
84
Figura 6.12 – curva característica de entrada BC
Observa-se que a característica de entrada, ou característica de emissor, é
semelhante à curva característica de um diodo, pois a junção emissor-base funciona como
um diodo polarizado diretamente. Ou seja, a partir do momento em que a tensão de entrada
faz os portadores vencerem a barreira de potencial (Vγ = 0,3V para o germânio), a corrente
através da junção dispara. Assim, nesta região da curva, pequenas variações de VBE
causam grandes variações de IE.
6.312-Curva característica de saída (BC)

Para cada valor constante de corrente de entrada IE, variando-se a tensão de saída
VCB, obtém-se um corrente de saída IC, cujo gráfico tem o seguinte aspecto:
Figura 6.13 – Curva característica de saída BC

A característica de saída, ou de coletor, pode ser dividida em três regiões distintas,
pois em cada uma delas o transistor tem um comportamento específico.
85
Figura 6.14 – As três regiões de trabalho de um transistor NPN
Na região de corte, as duas junções estão polarizadas reversamente, fazendo com

que a corrente de coletor (saída) seja praticamente nula (IC = 0). Portanto, o transistor esta
cortado. È como se o transistor estivesse desconectado do circuito.
Na região de saturação, as duas junções estão polarizadas diretamente, fazendo com
que uma pequena variação da tensão VCB (saída) resulte numa enorme variação da
corrente de coletor (saída). Neste caso, o transistor está saturado. È como se seus terminais
estivessem em curto-circuito (VCB = 0).
Na região ativa, a junção emissor-base esta polarizada diretamente e a junção base-
coletor reversamente. Esta é a região central do gráfico de saída, onde as curvas são
lineares. Portanto, é esta a região utilizada na maioria das aplicações, principalmente na
amplificação de sinais, para que a distorção seja mínima.
Por outro lado, trabalhando nas regiões de corte e saturação, o transistor comporta-
se como uma chave eletrônica, isto é, chave aberta quando ele esta cortado e chave fechada
quando ele esta saturado.
Figura 6.15 – Analogia de um transistor com uma chave
86
6.313-Ganho de corrente na configuração base comum
O ganho de corrente de um circuito qualquer é a relação entre a variação da corrente
de saída e a variação da corrente de entrada, para tensão de saída constante. Na
configuração BC, o ganho de corrente é chamado de α (alfa), sendo definido
matematicamente por:
∆IC
α= , para VCB constante.
∆IE
Porém como se pode observar na figura 6.13, na região ativa, as curvas de IE são
praticamente paralelas ao eixo de VCB. Assim, pode-se reescrever a relação acima da
seguinte forma:
IC
α=
IE
Lembrando que IE=IC+IB, conclui-se que o ganho de corrente α é sempre menor

que 1. Na maioria dos transistores, esse valor esta entre 0,90 a 0,998, ou seja, é próximo de
1. Fisicamente, isto se explica pelo fato de a corrente base, formada a partir da corrente de
emissor, ser muito pequena, como havia sido mostrada na figura 6.7 (polarização completa
do transistor) e, graficamente, isto pode ser visualizado pelo pouca inclinação das curvas de
IE na característica de saída.
EXEMPLO: Dadas as curvas características de entrada e saída de um transistor NPN,

determinar:
a)A tensão de entrada aproximada, a partir da qual a corrente de entrada começa a
fluir de forma intensa;
b)De qual material semicondutor é feito este transistor;
c)A corrente de entrada, quando a tensão de entrada vale 1V;
d)A corrente de saída, nas condições do item c;
e)A corrente na base, nas condições do item d;
f)O ganho de corrente, nas condições do item d.
87
Figura 6.16 – Curvas características do transistor
a) Pela curva característica de entrada, tem –se que a corrente de entrada IE começa a
crescer quando a tensão de entrada VBE = 0,7V.
b) Pelo valor de VBE de condução, o transistor é de silício.
c) Para VBE = 1V, tem-se que IE = 30 mA.
d) A curva característica de entrada foi obtida para a tensão de saída constante de

VCB=4V (detalhe no gráfico). Entrando com esse valor na curva característica de
saída, juntamente com a corrente de entrada IE obtida no item c, tem-se que a
corrente de saída IC = 28mA.
88
e) Para o cálculo de IB, tem –se que:
IE = IB + IC 30 = IB + 28 IB = 30m − 28m = 2mA
f) Com os valores de IC e IE obtidos nos itens anteriores, tem-se que o ganho de

corrente do transistor, nesta condições, vale:
IC 28 × 10 −3
α= = = 0,93
IE 30 × 10 −3
6.32- Configuração emissor comum (EC)

Esta configuração é a mais utilizada em circuitos transistorizados. Por isso, os
diversos parâmetros dos transistores fornecidos pelos manuais técnicos têm como
referência à configuração emissor comum.
Nesta configuração, a base é o terminal de entrada de corrente e o coletor é o
terminal e saída de corrente do circuito, sendo que o terminal de emissor é comum às
tensões de entrada e saída, como mostra a figura 6.17, para transistores NPN e PNP.
Figura 6.17 – Configuração emissor comum (EC)
6.321- Curva característica de entrada (EC)

Para cada valor constante de tensão de saída VCE, variando-se a tensão de entrada
VBE, obtém-se uma corrente de entrada IB, resultando num gráfico com o seguinte
aspecto:
Figura 6.18 – Curva característica de entrada EC
89
A curva característica de entrada, ou característica de base, é semelhante à da
configuração BC, pois se tem também a junção polarizada diretamente.
Observa-se, portanto, que é possível controlar a corrente de base, variando-se a
tensão entre base e emissor.
Figura 6.19 – Curva característica de saída EC

A característica de saída, ou de coletor, é também muito parecida com a da
configuração BC. Mas observa-se que a inclinação das curvas de IB constante, na região
ativa, é muito maior.
Nesta curva, distinguem-se também as três regiões de trabalho do transistor:
• Corte - IC = 0;
• Saturação – VCE = 0;
• Ativa – região entre corte e saturação (IB é linear).
6.322 – Ganho de corrente na configuração emissor comum

Para esta configuração, a relação entre a corrente de saída e a corrente de entrada,
ou seja, a relação entre IC e IB, determina o ganho de corrente denominado de β (Beta) ou
hfe (forward current transfer ratio), como segue:
IC
hfe = β =
IB
Sendo IC muito maior que IB, o ganho de corrente β é sempre muito maior que 1,
ou seja, na configuração emissor comum, o transistor funciona como um amplificador de
corrente.
Por outro lado, como a inclinação das curvas varia para cada valor de IB, o ganho
de corrente β não é constante. Valores típicos de β são de 50 a 900.
90
6.33- Ganho de corrente EC versus ganho de corrente BC
A partir do ganho de corrente β, da configuração EC, pode-se obter o ganho de
corrente α, da configuração base comum e vice versa.
β α
α= β=
(1 + β ) (1 − α )
EXEMPLO: Dadas as curvas característica de entrada e saída de um transistor NPN,

determinar:
a)A corrente na base para VBE = 0,8V;
b)O ganho de corrente nas condições do item a;
c)O ganho de corrente na configuração BC;
d)O novo ganho de corrente, caso IB dobre o valor, mantida a tensão VCE;
e)O novo ganho de corrente na configuração BC.
Figura 6.20 – Curvas características do transistor
a) Para VBE=0,8V, tem-se que IB = 300µA.
91
b)A curva característica de entrada foi obtida para VCE = 5V. Entrando com esse
valor na curva característica de saída, juntamente com a corrente de entrada IB obtida no
item a, tem-se que a corrente de saída IC = 110mA.
Com os valores de IC e IB, tem-se que o ganho de corrente do transistor, nestas

condições, vale:
IC 110 × 10 −3
β= = = 367
IB 300 × 10 −3
c) Na configuração BC, o ganho de corrente vale:
β 367
α= = = 0,9973
(1 + β ) (1 + 367)
d) Se a corrente de base dobrar de valor, tem –se IB1 = 600µA.
Pela curva característica de saída (mostrada anteriormente), chega-se ao novo valor

da corrente de coletor:
IC1 = 280µA
Assim:
IC1 280 × 10 −3
β1 = = = 467
IB1 600 × 10 − 6
e) Na configuração BC, o ganho de corrente vale:
β1 467
α1 = = 0,9979
(1 + β 1) (1 + 467)
92
6.34- Configuração coletor comum (CC)
Nesta configuração, a base é o terminal de entrada de corrente e o emissor é o
terminal de saída de corrente do circuito, sendo que o terminal de coletor é comum às
tensões de entrada e saída, como mostra a figura 6.21, para transistores NPN e PNP.
Figura 6.21 – Configuração coletor comum CC

Para a configuração de coletor comum não são necessárias curvas específicas de
entrada e saída. Pode-se utilizar as mesmas características da configuração EC.
Isto se justifica pelo fato de sua característica de entrada relacionar IB, VBE e VCE,
e sua característica de saída relacionar IE, VCE e IB, como na configuração EC, sendo IE
praticamente igual à IC (α = 1).
6.35- Os limites dos transistores

Os transistores, como quaisquer outros dispositivos, têm suas limitações (valores
máximos de alguns parâmetros), que devem ser respeitadas, para evitar que os mesmos se
danifiquem. Os manuais técnicos fornecem pelo menos quatro parâmetros que possuem
valores máximos:
• Tensão máxima de coletor – VCEmax
• Corrente máxima de coletor – Icmax
• Potência máxima de coletor – Pcmax
Onde:
Configuração EC e CC:
PC max = VCE max× IC max
Configuração BC:
PC max = VCB max× IC max
• Tensão de ruptura das junções (BV – breakdown voltage):

BVCBO – Tensão de ruptura entre coletor e base, com emissor aberto.
BVCEO – Tensão de ruptura entre coletor e emissor, com base aberta.
BVCES – Tensão de ruptura entre coletor e emissor, com base e emissor curto-
circuitado.
As limitações de tensão, corrente e potência podem ser vista na curva característica
de saída do transistor, como mostra a figura 6.22.
93
Figura 6.22 – Limitações do transistor.
Exemplos:
Exercícios:
1) Quais são as relações entre as dopagens e as dimensões no emissor, base e coletor

de um transistor bipolar?
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2) Para funcionamento de um transistor, como devem estar polarizadas as junções?
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______________________________________________________________________
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______________________________________________________________________
3) Relacione todos os fluxos de cargas (portadores majoritários e minoritários)

existentes os transistores NPN e PNP, quando estão polarizados.
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______________________________________________________________________
4) Quais a relações entre as correntes e as tensões num transistor NPN e PNP?

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______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
5) De que forma a corrente de base controla a corrente entre emissor e coletor?

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______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
6) Explique o efeito e amplificação.

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______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
7) Faça um esboço das curvas características de entrada para os transistores NPN e

PNP na configuração BC.
95
8) Faça um esboço das curvas características de saída para os transistores NPN e PNP
na configuração BC.
9) Por que o ganho de corrente na configuração BC é um pouco menor que 1?

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______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
10) Faça um esboço das curvas características de saída para os transistores NPN e PNP
na configuração EC
11) Faça um esboço das curvas características de entrada para os transistores NPN e
PNP na configuração EC.
12) Por que o ganho de corrente na configuração EC é muito maior que 1?

______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
96
13) Relacione as três regiões e trabalho do transistor, identificando de que forma suas
junções estão polarizadas.
14) Um transistor na configuração BC tem curvas características:
Completar a tabela a seguir (com valores aproximados) para cada uma das situações:
Situação VCB(V) VBE(V) VCE(V) IE(mA) IC(mA) IB(µA) α β

I 5,0 0,8
II 5,0 6,0
II 5,0 20
IV 5,0 12
97
15) Um transistor na configuração EC tem curvas características:
a)Completar a tabela a seguir (com valores aproximados) para cada uma das situações:

I 0,8 6,0
II 5,3 6,0
II 6,0 40
IV 6,0 8
b)Completar a tabela a seguir (com valores aproximados) para cada uma das situações:

I 0,64 5,0
II 5,0
II 4,32 5,0 20
98
Capitulo 7 – Polarização dos transistores bipolares
Os transistores são utilizados, principalmente, como elementos de amplificação de
corrente e tensão, ou como elementos de controle on-off (liga-desliga). Tanto para estas,
como para outras aplicações, o transistor deve estar polarizado.
7.1 – Ponto quiescente

Polarizar um transistor é fixa-ló num ponto de operação em corrente continua,
dentro das suas curvas características. Isto é, escolher valores de correntes e tensões
adequados para o circuito da qual o transistor faz parte.
Por isso, a polarização é também chamada de polarização DC, pois fixa, através de
resistores externos, valores de correntes e tensões contínuas no transistor. Este ponto de
trabalho do transistor, determinado pela polarização, é chamado de ponto de operação
estática ou ponto quiescente (Q), cujo conceito já foi visto no estudo da polarização dos
diodos.
A escolha do ponto quiescente é feita em função da aplicação que se deseja para o
transistor, ou seja, ele pode estar localizado nas regiões de corte, saturação ou ativa da
curva característica de saída.
Na figura 7.1, tem –se um exemplo de curva característica de saída de um transistor
na configuração EC, na qual estão marcadas as diversas regiões do transistor. Nesta figura,
temos três pontos quiescentes: QA, QB e QC.
Figura 7.1 – Pontos quiescentes de um transistor

O ponto QA encontra-se no centro da região ativa, permitindo grandes variações
dna corrente de entrada - IB, na corrente de saída - IC e na tensão de saída – VCE.
O ponto QB encontra-se na região de saturação, permitindo apenas variações
negativas de IB e IC, e variações positivas de VCE.
O ponto QC encontra-se na região de corte, permitindo apenas variações positivas
de IB e IC, e variações negativas de VCE.
Portanto, se numa determinada aplicação deseja-se que o sinal do circuito varie
tanto positiva como negativamente em relação ao ponto de operação, o ponto QA é o mais
indicado.
99
7.2 – Reta de carga
A reta de carga é lugar geométrico de todos os pontos quiescentes possíveis para
uma determinada polarização, como mostra a figura 7.2.
Figura 7.2 – Reta de carga de um transistor

Por ser uma reta, ela necessita de apenas dois pontos de operação conhecidos para a
sua determinação.
Além disso, a reta de carga depende da configuração adotada para o transistor, como
será visto a seguir.
7.3 – Circuito de polarização em base comum

Na configuração BC, a junção base-emissor deve estar polarizada diretamente e a
base-coletor reversamente. Um circuito que realiza essa polarização no transistor pode ser
visto na figura 7.3.
Figura 7.3 – Circuito de polarização em base comum

A seguir, será analisada apenas a polarização do transistor NPN, pois a do transistor
PNP é análoga.
As fontes VEE e VCC, e o resistores RE e RC, são utilizados para fixar o ponto
quiescente. Mas, os resistores tem também a função de limitar as correntes no transistor, de
forma que elas não ultrapassem os valores máximos permitidos.
100
Para calcular os resistores, a análise do circuito é feita em duas etapas análise da
malha de entrada e da malha de saída, através da segunda lei de kirchhoff.
Do circuito de polarização da figura 7.3a, tem-se:
Malha de entrada: RE × IE + VBE = VEE
Portanto, a equação de RE é:
(VEE − VBE )
RE =
IE
VBE é a tensão de polarização direta da junção base-emissor, e vale 0,7V (para

transistor de silício) ou 0,3V (para transistor de germânio).
Malha de saída: RC × IC + VCB = VCC
Portanto, a equação de RC é:
(VCC − VCB )
RC =
IC
7.31 – Determinação da reta de carga

Para esta configuração, determina-se a reta de carga da seguinte forma:
Ponto de saturação:
Na saturação, VCBsat = 0. Assim, pela equação da malha de saída, tem-se:
(VCC − VCBsat ) (VCC − 0) VCC
RC = ICsat = ICsat =
ICsat RC RC
Ponto de corte:
No corte, Iccorte = 0. Assim, pela equação da malha de saída, tem-se:
(VCC − VCBcorte)
RC = VCBcorte = VCC − RC × ICcorte
ICcorte
VCBcorte = VCC − RC × 0 VCBcorte = VCC
Com esses dois pontos traça-se a reta de carga sobre a curva característica de saída
da configuração BC, como mostra a figura 7.4.
Figura 7.4 – Reta de carga na configuração BC
101
Determinada a reta de carga, limitam-se as possibilidades de operação do transistor,
pois o ponto quiescente estará, obrigatoriamente, sobre ela.
Fixado o ponto quiescente (Icq e VCBq) através dos resistores RE e RC, qualquer
variação de tensão ou corrente no transistor corresponderá a um deslocamento deste ponto
sobre a reta de carga.
Figura 7.5 – Deslocamento do ponto quiescente
Exemplo: polarização na configuração BC

Polarizar e traçar a reta e carga de um transistor com β = 150, sabendo-se que o
mesmo deve operar no meio da região ativa, no ponto quiescente formado por VCBq =
10V, ICq = 2mA e VBEq = 0,7V.
Dados do circuito VEE = 5V e VCC = 20V
Cálculo de RC:
(VCC − VCBq ) (20 − 10)

RC = = = 5000Ω
ICq 2 × 10 −3
102
Cálculo de RE:
β 150
α= = = 0,9934
(1 + β ) (1 + 150)
ICq 2 × 10 −3
IEq = = = 2,013mA
α 0,9934
(VEE − VBEq ) (5 − 0,7)

RE = = = 2136Ω
IEq 2,013 × 10 −3
Uma vez calculados os resistores de polarização, é possível traçar sua reta de carga
sobre a curva característica de saída do transistor:
VCC 20
Para VCBsat = 0 ICsat = = = 4mA
RC 5000
Para Iccorte = 0 VCBcorte = VCC = 20V
Note o ponto Q acima da curva de IE = 2mA, já que IEq=2.013mA.

De posse desses dados, é possível calcular também, a corrente de base quiescente e
a potência dissipada pelo coletor do transistor:
IBq = IEq − ICq = 2,013 − 2 = 13µA
PC = VCEq × ICq = (0,7 + 10) × 2 × 10 −3 = 21,4mW
7.32 – Circuito de polarização em base comum com uma fonte de

alimentação.
Na prática, não é interessante utilizar mais de uma fonte de alimentação para
alimentar um circuito, a não ser em casos muito especiais.
103
Uma forma de solucionar este problema no circuito de polarização BC é colocar um
divisor de tensão na base e alimenta-lo com uma única fonte V’CC, de modo que a tensão
em RB2 faça o papel de VEE’ e a tensão em RB1 faça o papel de VCC do circuito de
polarização anterior, como mostra a figura 7.6, para transistores NPN e PNP.
Figura 7.6 – Polarização BC com uma fonte de alimentação
7.4 – Circuito de polarização em emissor comum

Nesta configuração, a junção base-emissor é polarizada diretamente a junção base-
coletor reversamente. Para isso, utilizam-se duas baterias e dois resistores para limitar as
correntes e fixar o ponto quiescente do circuito.
Figura 7.7 – Circuito de polarização em emissor comum
Considerando apenas o transistor NPN, pode-se fazer a análise das malhas de

entrada e saída.
Malha de entrada: RB × IB + VBE = VBB
Portanto, a equação de RB é:
(VBB − VBE )
RB =
IB
Malha de saída: RC × IC + VCE = VCC

Portanto, a equação de Rc é:
(VCC − VCE )
RC =
IC
104
Existem várias formas de simplificar este circuito, eliminando-se uma das fontes de
alimentação, como serão vistas a seguir.
7.41 – Circuito de polarização em emissor comum com corrente de

base constante
Para eliminar a fonte de alimentação da base VBB, pode-se fazer um divisor de
tensão entre o resistor de base RB e a junção base-emissor, utilizando apenas a fonte VCC,
como mostra a figura 7.8.
Figura 7.8 – Polarização EC com corrente de base constante

Para garantir a polarização direta da junção base-emissor, e reserva da junção base-
coletor, RB deve ser maior que RC.
Reescrevendo-se as equações das malhas e saída, tem-se:
Malha de entrada: RB × IB + VBE = VCC
(VCC − VBE )
RB =
IB
Malha de saída: RC × IC + VCE = VCC

(VCC − VCE )
RC =
IC
Neste circuito, como VCC e RB são valores constantes e VBE praticamente não
varia, a variação da corrente de polarização da base é desprezível. Por isso, este circuito é
chamado de polarização EC com corrente de base constante.
Exemplo: Polarização EC com corrente de base constante

Dado um transistor com β = 200 e uma fonte de alimentação de 12V, determinar os
VCC
resistores de polarização (valores comercias) para o ponto quiescente: VCEq = ,
2
ICq=15mA e VBEq = 0,7V.
105
Cálculo de RC:
(VCC − VCEq ) (12 − 6)

RC = = = 400Ω
ICq 15 × 10 −3
Valor comercial adotado: RC = 470Ω
Potência de RC:
PRC = RC × ICq 2 = 470 × (15 × 10 −3 ) 2 = 106mW

Valor comercial adotado: PRC = 1/4W
Cálculo de RB:
ICq 15 × 10−3
IBq = = = 75µA
β 200
(VCC − VBEq ) (12 − 0,7)

RB = = = 150667Ω
IBq 75 × 10 −6
Valor comercial adotado: RB 150KΩ
Potência de RB:
PRB = RB × IBq 2 = 150 × 10 3 × (75 × 10 −6 ) 2 = 0,84mW

Valor comercial adotado: PRC = 1/8W
OBS:- Ao adotarmos valores comerciais para os resistores de polarização, impõe-se um

pequeno deslocamento no ponto quiescente. Porém, este erro não é relevante, dado que
todos os parâmetros do transistor são, também, valores estimados pelos fabricantes, sem
contar a tolerância dos resistores de polarização.
O circuito de polarização EC com corrente de base constante tem o inconveniente

de ser muito sensível a variações de temperatura, para tentarmos minimizar esse aspecto,
temos alguns artifícios a seguir:
7.42 – Influência da temp eratura no comportamento dos transistores
O cristal semicondutor é um material sensível à temperatura, isto é, seu aumento

pode fornecer energia suficiente aos átomos do cristal, gerando novos portadores.
Assim sendo, os diodos e transistores sofrem influência da temperatura. No caso dos
transistores, a variação da temperatura altera principalmente o parâmetro β, VBE e corrente
e fuga.
Na figura 7.9, esta esboçada graficamente a influência da temperatura para o
parâmetro β, VBE.
106
Figura 7.9 – Influência da temperatura no transistor
A variação de VBE com a temperatura é desprezível (por exemplo: o aumento a

temperatura de 25ºC para 50ºC causa uma diminuição aproximada de 0,05V em VBE).
Porém, a corrente de fuga e o β podem ter variações acentuadas (no caso de β, a mesma
variação de temperatura pode dobra-lo). Isto ocasiona uma grande variação na corrente e
coletor, sem que haja variação na corrente de base, deixando o circuito instável.
Com a determinação do ponto quiescente, o que se deseja é fixar a corrente e a
tensão de saída do circuito. No caso do circuito de polarização na configuração EC,
reproduzido agora na figura 7.10, o ponto quiescente deve fixar os valores de ICq e VCEq.
Figura 7.10 – variação do ponto Q por influência da temperatura
Analisando a malha de saída, formada por VCC, RC e VCE, observa-se que o

aumento da temperatura faz com que a corrente de coletor ICq aumente (aumento da
corrente quiescente), aumentando a tensão VRC. Sendo VCC constante, esse aumento de
VRC tem que ser compensado pela diminuição de VCEq (diminuição da tensão
quiescente). A diminuição de VCEq provoca novo aumento de ICq, resultando numa
realimentação positiva, ou seja, numa instabilidade do circuito.
Portanto, uma forma de contornar este problema, é forçar uma realimentação
negativa, sempre que houver uma tendência de instabilidade no circuito.
A solução para isto é colocar em série com o emissor um resistor RE.
107
7.43 – Circuito de polarização EC com corrente de emissor constante
Neste circuito de polarização, é inserido um resistor RE entre o emissor e a fonte de
alimentação, como mostra a figura 7.11; para transistores NPN e PNP.
Figura 7.11 – Polarização EC com corrente de emissor constante
Analisando o circuito de polarização do transistor NPN, percebe-se que, se ocorrer

um aumento na corrente de coletor devido ao aumento da temperatura, a corrente de
emissor também aumenta. Conseqüentemente, aumentam VRC e VRE. Isto provocaria uma
diminuição de VCEq, dando início à realimentação positiva (instabilidade).
Porém, o aumento de VRE causa uma diminuição de VRB na malha de entrada, já
que VBEq mantém-se praticamente constante.
A diminuição de VRB, por sua vez, provoca a diminuição de Ibq e,
conseqüentemente, de ICq, compensando o seu aumento inicial.
A resposta dada por RE para o aumento de ICq, chama-se realimentação negativa, e
garante a estabilidade do circuito e do ponto quiescente.
Como a realimentação negativa faz ICq voltar ao seu valor original, o mesmo
acontece com IEq, que mantém-se, portanto, constante. Por isso, esse circuito de
polarização é conhecido por polarização EC com corrente de emissor constante.
Equacionando o circuito de polarização NPN, tem-se:
Malha de entrada:
RB × IB + VBE + RE × IE = VCC ou RB × IB + VBE + VRE = VCC
(VCC − VBE − RE × IE ) (VCC − VBE − VRE )
RB = ou RB =
IB IB
Malha de saída:
RC × IC + VCE + RE × IE = VCC ou RC × IC + VCE + VRE = VCC
(VCC − VCE − RE × IE ) (VCC − VCE − VRE )
RC = ou RC =
IC IC
Neste caso, tem-se duas equações para três incógnitas: RB, RC e RE.
Na prática, este problema e resolvido, adotando-se um dos seguintes critérios:
1º) Adota-se um valor de RE compatível com as tensões e correntes do circuito;
108
2º) Adota-se uma tensão para VRE de valor pequeno em relação ao VCC para que o
resto da tensão possa ser utilizada para determinar a tensão e a corrente de saída
quiescentes, respectivamente, VCEq e ICq (esta última, através de VRC). Normalmente,
VCC
utiliza-se VRE = .
10
Exemplo: Polarização EC com corrente de emissor constante

resistores de polarização (valores comerciais) para o ponto quiescente: VCEq = VCC/2,
ICq = 100mA e VBEq = 0,7V.
Cálculo de RC:
Adotando-se VRE = VCC/10 = 2V:
(VCC − VCEq − VRE ) (20 − 10 − 2)

RC = = = 80Ω
ICq 100 × 10 −3
Valor comercial adotado: RC =82Ω
Potência de RC:
PRC = RC × ICq 2 = 82 × (100 × 10 −3 ) 2 = 0,82W
Valor comercial adotado: PRC =1,5W
Cálculo de RB:
ICq 100 × 10 −3
IBq = = = 400µA
β 250
(VCC − VBEq − VRE ) (20 − 0,4 − 2)
RB = = = 43250Ω
IBq 400 × 10 −6
Valor comercial adotado: RB=47KΩ
Potência de RB:
PRB = RB × IBq 2 = 47 × 10 3 × (400 × 10 −6 ) 2 = 7,52mW
Valor comercial adotado: PRC =1/8W
Cálculo de RE:
IEq = ICq + IBq = 100 × 10 −3 + 400 × 10 −6 = 100,4mA
VRE 2
RE = = = 19,92Ω
IEq 100,4 × 10 −3
valor comercial adotado: RE=22Ω
Potência de RE:
PRE = RE × IEq 2 = 22 × (100,4 × 10 −3 ) 2 = 222mW
Valor comercial adotado: PRE =1/2W
109
7.44– Circuito de polarização EC com divisor de tensão e base
Outra forma de solucionar o problema de instabilidade com a temperatura é o
circuito de polarização mostrado na figura 7.12, conhecido como polarização por divisor de
tensão na base.
Figura 7.12 – Polarização EC com divisor de tensão na base

A análise feita a seguir refere-se ao transistor NPN.
O circuito de polarização por divisor de tensão na base é projetado de forma a fixar
o valor de VRB2.
Da malha de entrada, tem-se:
VRB2 = VBE+VRE
Fixado o valor de VRB2, como VBE é praticamente constante com a temperatura,
VRE também permanece constante. Isto garante a estabilização de IEq e ICq, independente
da variação de β.
O valor de RB2 pode ser fixado a partir da sua corrente, adotando-se o seguinte
critério:
IB 2 = 10 × IB
Equacionando este circuito, tem-se:
Malhas de entrada:
RB 2 × IB 2 = VBE + VRE ou RB 2 × IB 2 = VBE + RE × IE
RB1 × IB1 + VBE + VRE = VCC ou RB1 × IB1 + VBE + RE × IE = VCC
Portanto, as equações de RB2 e RB1:
(VBE + VRE ) (VCC − VBE − VRE )

RB 2 = RB1 =
IB 2 IB1
Malhas de saída:
RC × IC + VCE + RE × IE = VCC ou RC × IC + VCE + VRE = VCC
(VCC − VCE − VRE )

RC =
IC
110
Para este tipo de polarização, devido ao número de incógnitas, vale também o
seguinte critério prático:
VCC
VRE =
10
7.441– Determinação da reta de carga

Ponto de saturação: VCEsat = 0
Pela equação da malha de saída, tem-se:
RC × ICsat + VCEsat + RE × IEsat = VCC RC × ICsat + RE × IEsat = VCC

Mas, IC=IE, portanto:
VCC
( RC + RE ) × ICsat = VCC ICsat =
( RC + RE )
Ponto de corte: ICcorte = IEcorte = 0

Pela equação da malha de saída, tem-se:
RC × ICcorte + VCEcorte + RE × IEcorte = VCC VCEcorte = VCC
Com esses dois pontos, traça-se a reta de carga sobre a curva característica de saída
da configuração EC, onde se localizará o ponto quiescente, como mostra a figura 7.13.
Figura 7.13 – Reta de carga na configuração EC
Exemplo: Polarização EC com divisor de tensão na base

resistores de polarização (valores comerciais) para o ponto quiescente: VCEq = VCC/2,
ICq = 20mA e VBEq = 0,65V e traçar a sua reta de carga.
111
Cálculo de RC:
Adotando-se VRE=VCC/10 = 0.9V:
(VCC − VCEq − VRE ) (9 − 4,5 − 0,9)

RC = = = 180Ω
ICq 20 × 10 −3
Valor comercial adotado: RC = 180 Ω
Potência de RC:
PRC = RC × ICq 2 = 180 × (20 × 10 −3 ) 2 = 72mW
Valor comercial adotado: PRC = 1/8 W
Cálculo de RB1 e RB2:

ICq 20 × 10 −3
IBq = = = 80µA
β 250
IB 2 = 10 × IBq = 10 × 80 × 10 −6 = 800µA
IB1 = IBq + IB 2 = 80 × 10 −6 + 800 × 10 −6 = 880µA
Da malha inferior de entrada, tem-se:

(VBE + VRE ) (0,65 + 0,9)
RB 2 = = = 1937Ω
IB 2 800 × 10 −6
Valor comercial adotado: RB2=2K2Ω
Potência de RB2:
PRB 2 = RB 2 × IB 2 2 = 2,2 × 10 3 × (800 × 10 −6 ) 2 = 1,41mW
Valor comercial adotado: PRB2=1/8W
Da malha formada por VCC, RB1, VBE e VRE, tem-se:

(VCC − VBE − VRE ) (9 − 065 − 0,9)
RB1 = = = 8466Ω
IB1 880 × 10 −6
Valor comercial adotado: RB1=8K2Ω
112
Potência de RB1:
PRB1 = RB1 × IB12 = 8,2 × 10 3 × (880 × 10 −6 ) 2 = 6,35mW
Cálculo de RE:
IEq = ICq + IBq = 20 × 10 −3 + 80 × 10 −6 = 20,08mA
VRE 0,9
RE = = = 44,8Ω
IEq 20,08 × 10 −3
Valor comercial adotado: RE=47Ω
Potência de RE:
PRE = RE × IE 2 = 47 × (20,08 × 10 −3 ) 2 = 19mW
Determinação da reta de carga:

VCC 9
Para VCEsat = 0 ICsat = = = 40mA
( RC + RE ) (180 + 47)
Para Iccorte = 0 VCEcorte = VCC = 9V
A reta de carga e o respectivo ponto quiescente ficam:
7.5 – Circuito de polarização em Coletor comum

Para a polarização da configuração coletor comum, uma aplicação merece destaque.
È o circuito seguidor de emissor mostrado na figura 7.14.
113
Figura 7.14 – Circuito seguidor de emissor
Observa-se que, como não existe resistor de coletor, este terminal fica ligado
diretamente ao pólo positivo da fonte de alimentação.
Porém, para sinais alternados, uma fonte de tensão constante é considerada um
curto.
Neste caso, é como se o coletor estivesse conectado ao terra da fonte de
alimentação, ou seja, para sinais alternados, o coletor é comum às tensões de entrada VE e
saída VS.
Analisando o circuito, tem-se a equação que relaciona as tensões de entrada e saída:
VS = VE − VBE
Este circuito é chamado de seguidor de emissor porque a tensão de saída (tensão de

emissor) segue as variações da tensão de entrada (tensão da base).
Isto acontece, pois, sendo VBE praticamente constante, a tensão de saída será
sempre igual à tensão de entrada, subtraindo-se VBE.
Por exemplo, sendo VBE = 0,7V, se a tensão de entrada variar de 2V para 4V
(∆VE = 2V), a tensão de saída variará de 1,3V para 3,3V (∆VS = 2V). Isto mostra que a
tensão de saída esta em fase com a tensão de entrada e que este circuito é linear.
Outra característica deste circuito é que ele tem uma alta impedância de entrada e
baixa impedância de saída, sendo muito utilizado para fazer casamento de impedâncias
entre circuitos.
O cálculo dos resistores de polarização pode ser feito através das equações das
malhas de saída e entrada, como seguem:
Malha de saída:
VCE + RE × IE = VCC
Portanto, RE, vale:
(VCC − VCE )
RE =
IE
Malha de entrada:
RB × IB + VBE + RE × IE = VCC ou RB × IB + VBE + VRE = VCC
114
Portanto, RB, vale:
(VCC − VBE − RE × IE ) (VCC − VBE − VRE )
RB = ou RB =
IB IB
Exemplo: Polarização CC (seguidor de emissor)

Dado um transistor com β = 250 e um fonte de alimentação de 10V, determinar os
resistores de polarização (valores comerciais) para o ponto quiescente: VCEq=VCC/2,
ICq=20mA e VBEq=0,7V.
Cálculo de RE:
β 150
α= = 0,9934
(1 + β ) (1 + 150)
ICq 20 × 10 −3
IEq = = = 20,133mA
α 09934
(Vcc − VCEq ) (10 − 5)

RE = = = 248,35Ω
IEq 20,133 × 10 −3
Valor comercial adotado: RE = 220 Ω
Potência de RE:
PRE = RE × IEq 2 = 220 × (20,133 × 10 −3 ) 2 = 89mW
Valor comercial adotado: PRE = 1/8W
Cálculo de RB:
IBq = IEq − ICq = 20,133 × 10 −3 − 20 × 10 −3 = 133µA
(VCC − VBE − RE × IEq) (10 − 0,7 − (220 × 20,133 × 10 −3 ))

RB = = = 36622Ω
IBq 133 × 10 −6
Valor comercial adotado: RB = 39KΩ
Potência de RB:
PRB = RB × IB 2 = 39 × 10 3 × (133 × 10 −6 ) 2 = 0,7 mW
Valor comercial adotado: PRB = 1/8W
Pelos valores obtidos, pode-se perceber que este circuito apresenta alta impedância
de entrada (ordem e grandeza de RB) e baixa impedância de saída (ordem de grandeza de
RE).
Assim, uma aplicação para ele seria a de servir como circuito de acoplamento
(casador de impedâncias) entre um circuito de alta impedância de saída e um circuito de
baixa impedância de entrada, garantindo a máxima transferência de potência, como mostra
a figura 7.15.
115
Figura 7.15 – Casamento de impedâncias
Por isso é importante, também, a linearidade do circuito seguidor de emissor, pois

isso garante que o mesmo não irá distorcer o sinal de saída do circuito I.
Do ponto de vista prático, conhecendo-se as impedâncias dos circuitos a serem
acoplados, tem-se os resistores de polarização do circuito seguidor de emissor, devendo ser
escolhido um transistor adequado em termos de corrente, tensão e β.
Exercícios:
1) Qual a relação entre a reta de carga e os possíveis pontos quiescentes de um
circuito?
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2) Polarize o transistor (β = 150) do circuito a seguir no ponto quiescente:

VCBq=15V, ICq=100mA e VBEq = 0,65V.
116
3) Determine ICq e mostre em que região da curva característica de saída encontra-se
o ponto quiescente do transistor (β = 120) do circuito a seguir:
4) Como fazer para que o transistor do exercício anterior fique polarizado na região
ativa?
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______________________________________________________________________
5) Polarize o transistor (β = 150) do circuito a seguir no ponto quiescente: VCEq = 7V,
ICq=50mA, VBEq=0,7V.
117
6) Explique o efeito da realimentação positiva no circuito de polarização EC com
corrente de base constante.
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______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
______________________________________________________________________
7) Determine RB e os demais valores do ponto quiescente do transistor do circuito a
seguir, de forma que a tensão entre coletor e emissor seja metade da tensão de
alimentação.
8) O potenciômetro RB foi ajustado para que o amperímetro e o voltímetro marquem,

respectivamente, 320µA e 4V. Determine:
a. Reta de carga para VCEq = VCC/2;
b. Corrente de saturação;
c. β e α do transistor.
118
9) Mostre na curva característica de saída do exercício anterior, o que acontece com o
ponto quiescente, quando o transistor impõe as correntes de base de 400µA e de
160µA.
10) Polarize o transistor (β = 180) do circuito a seguir no ponto quiescente
VCEq=VCC/2, ICq=40mA e VBEq=0,68V. Utilize os valores comerciais mais
próximos para os resistores.
119
11) Polarize o transistor PNP (β = 220) do circuito a seguir no ponto quiescente
VECq=VCC/4, IEq=55ma e VEBq=0,7V. Utilize os valores comerciais mais
próximos para os resistores.
12) Determine os resistores de polarização do transistor (β = 120) do circuito a seguir

no ponto quiescente VCEq=VCC/3, ICq=18mA e VBEq=0,7V. Utilize os valores
comerciais mais próximos para os resistores.
120
13) Um transistor tem a curva característica de saída mostrada a seguir. Deseja-se
polariza-lo com Ibq=20µA e VBEq=0,7V. Determine:
a. VCEq, ICq, IEq;
b. β e α do transistor;
c. Relação entre RB1 e RB2.
14) Polarize um transistor num circuito com divisor de tensão na base, sendo:
VCC=12V, VCEq=VCC/2, ICq=150mA, VBEq=0,7V e β =200. Adote
VRE=VCC/10.
121
15) Determine Re e RB (valores comerciais) para que um transistor (β = 120) de um
circuito seguidor emissor (com VCC=15V) tenha VCEq=VCC/2, ICq=40mA e
VBEq=0,7V.
16) Um microfone tem impedância de saída de 10KΩ e deve ser ligado a um

amplificador com impedância de entrada de 330Ω. Sabendo-se que a alimentação
do amplificador é de 18V, determine o β de um transistor que, usado num circuito
seguidor emissor, possa fazer esse casamento de impedâncias, sendo
VCEq=VCC/2.
Considerar que as impedâncias de entrada e saída do circuito seguidor emissor
sejam equivalentes, respectivamente, a RB e RE.
122
123
Capitulo 8– Transistor com chave
Um transistor operando na região de saturação e de corte funciona como uma chave,
ou seja, como um elemento de controle ON-OFF, conduzindo corrente ou não.
Figura 8.1 – Analogia transistor-chave
O circuito de polarização nesta aplicação é o de corrente de base constante com duas

fontes de alimentação, sendo que a fonte de polarização da base é, na realidade, o sinal de
entrada que controla o transistor, cortando-o (chave aberta) ou saturando-o (chave fechada).
Figura 8.2 – Transistor operando como chave
Para que o transistor opere na região de corte Q1, é necessário que a tensão de
entrada VE seja menor que VBE de condução. Nesta situação, não circula corrente pelo
coletor (Icorte = 0) e a tensão de saída é máxima (VS = VCEcorte = VCC).
Para que o transistor opere na região de saturação Q2, é necessário que a tensão de
entrada VE, seja maior que VBE de condução. Nesta situação, a corrente de coletor é
máxima (Icsat), dentro de um limite imposto pela polarização, e a tensão de saída é mínima.
Para dimensionar RC e RB, utiliza-se a análise das malhas de entrada e de saída.
Malha de entrada: VRB = VE − VBE
Malha de saída: VRC = VCC − VCE
Assim, tem-se:
124
(VE − VBE ) (VCC − VCE )
RB = RC =
IB IC
Como o corte do transistor depende apenas da tensão de entrada VE, o cálculo dos
resistores de polarização é feito baseando-se apenas nos parâmetros de saturação.
Um transistor comum, quando saturado, apresenta um VCEsat de aproximadamente
0,3V e um determinado valor mínimo de β (entre 10 e 50), para garantir a saturação. A
corrente de coletor de saturação ICsat depende da resistência acoplada ao coletor ou da
corrente imposta pelo projeto. Assim, as equações ficam:
(VE − VBE ) (VCC − VCEsat )

RB = RC =
IBsat ICsat
Exemplo: Transistor como chave

1) No circuito a seguir, deseja-se que o LED seja acionado quando a chave estiver na
posição ON e desacionado quando a chave estiver na posição OFF.
Os resistores de polarização do transistor devem ser calculados considerando a

região de saturação, ou seja, quando a chave estiver na posição ON.
Malha de saída:
VRC = VCC − VCEsat − VD
ICsat = ID
Assim, RC pode ser calculado da seguinte forma:

(VCC − VCEsat − VD) (9 − 0,3 − 1,5)
RC = = = 288Ω
ICsat 25 × 10 −3
Potência de RC:
125
PRC = RC × ICsat 2 = 270 × (25 × 10 −3 ) 2 = 168,75mW
Valor comercial adotado: 1/4W
Malha de entrada:
VRB = VE − VBEsat
Calculando RB:
ICsat 25 × 10 −3
IBsat = = = 1,25mA
β 20
(VE − VBEsat ) (9 − 0,7)
RB = = = 6640Ω
IBsat 1,25 × 10 −3
Valor comercial adotado: RB = 6K8Ω
Potência de RB:
PRB = RB × IBsat 2 = 6,8 × 10 3 × (1,25 × 10 −3 ) 2 = 10,625mW
Valor comercial adotado: PRB=1/8W
2) Um circuito digital (TTL) foi projetado para acionar um motor de 110V/60Hz sob
determinadas condições. Para tanto, é necessário que um transistor como chave atue
sobre um relé, já que nem um circuito digital, nem um transistor podem acionar este
motor. O circuito utilizando para este fim pode ser visto seguir:
Neste circuito, em série com RC coloca-se a bobina do relé. Esta bobina,

normalmente, apresenta uma resistência DC da ordem de algumas dezenas de ohms. Por ser
tão baixa, o resistor RC tem função de limitar a corrente do transistor, para não danifica-lo.
O diodo em paralelo com a bobina serva para evitar que o transistor se danifique devido à
corrente reversa gerada por ela no chaveamento do relé.
Parâmetros do transistor 2N2222:

VBEsat = 0,7V
126
VCEsat = 0,3V
Bsat = 10
Icmax = 500mA
VCEmax = 100V
Parâmetros do Relé
Rrele = 80Ω
Irele = 50mA
Cálculo de RC:
(VCC − Rrele × Irele − VCEsat ) (5 − (80 × 50 × 10 −3 ) − 0,3)
RC = = = 14Ω
Irele 50 × 10 −3
Potência de RC:
PRC = RC × ICsat 2 = 15 × (50 × 10 −3 ) 2 = 37,5mW
Valor comercial adotado: PRC=1/8W
Cálculo de RB:
ICsat 50 × 10 −3
IBsat = = = 5mA
βsat 10
Considerando que a tensão de saída nível alto TTL atinge 5V, tem-se:
(VE − VBEsat ) (5 − 0,7)
RB = = = 860Ω
IBsat 5 × 10 −3
Valor comercial adotado: RB = 820Ω
Potência de RB:
PRB = RB × IBsat 2 = 820 × (5 × 10 −3 ) 2 = 20,5mW
Valor comercial adotado: PRC=1/8W
Exercícios:
1) Utilizando um transistor BD137, calcule seus resistores de polarização para que ele
comande o acionamento de um motor DC de 3V e de potência de 750mW, a partir de um
circuito digital TTL.
127
Pesquisa:
1)Faça uma pesquisa sobre as características elétricas dos seguintes circuitos integrados
reguladores e tensão: 7805, 7905, 7812 e 7912. mostrar dois exemplos práticos: uma fonte
de tensão positiva e uma fonte de tensão simétrica empregando estes dispositivos
128
Capitulo 9– Fundamentos de amplificadores
Neste capítulo vamos estudar alguns conceitos utilizados nos transistores quando estão num
circuito amplificador.
9.1 – Parâmetros de um amplificador

Tomando-se como referência inicial um transistor polarizado na configuração
emissor comum, cujo ponto quiescente está no meio da região ativa, uma pequena variação
na tensão VBE (tensão de entrada) provoca uma variação semelhando na corrente de base
IB (corrente de entrada). Esta variação na corrente IB faz com que a corrente de coletor IC
(corrente de saída) e a tensão VCE (tensão de saída) também variem, acompanhando a
mesma forma de onda de entrada, como mostra a curva característica de saída do transistor
na figura 9.1.
Figura 9.1 – Variações de tensão e corrente no transistor
Se tais variações estiverem restrita à parte linear da curva característica de entrada e

não atingirem os pontos de corte e saturação na curva característica de saída, elas podem
ser consideradas lineares.
A partir desta análise inicial, será definida uma série de parâmetros importantes para
a análise e o projeto de circuitos amplificadores.
9.11 – Ganhos de corrente, tensão, potência e defasagem

Como a ordem de grandeza das variações da corrente de coletor ∆IC (em geral, mA)
é maior que a ordem de grandeza das variações da corrente de base ∆IB (em geral, µA),
significa que as variações da corrente de entrada foram amplificadas de um fator Ai,
denominado ganho de corrente:
129
∆IC
Ai =
∆IB
Da mesma forma, como a ordem de grandeza das variações da tensão de saída

∆VCE (em geral, V) é maior que a ordem de grandeza das variações da tensão de entrada
∆VBE (em geral, mV), significa que as variações da tensão de entrada foram amplificadas
de um fator Av, denominado ganho de tensão:
∆VCE
Av =
∆VBE
No caso do ganho de tensão, para este circuito de referência, seu resultado é

negativo, pois uma variação positiva na tensão de entrada causa uma variação negativa na
tensão de saída. Isto significa que o amplificador defasa a saída em 180º.
Já o ganho de corrente tem um resultado positivo, significando que o amplificador
mantém a corrente de saída em fase com a corrente de entrada, ou que a defasagem é nula.
Figura 9.2 – Sinais variáveis no amplificador

Defasagem, ganho de corrente e ganho de tensão são os três primeiros parâmetros
importantes num amplificador, sendo que os dois últimos dão origem a um parâmetro
complementar, denominado ganho de potência Ap:
Ap = Av × Ai
130
O ganho de potência é calculado em módulo, pois não faz sentido levar-se em conta
um eventual sinal negativo, já que o mesmo refere-se à defasagem entre variações de
entrada e saída.
Um amplificador genérico pode ser representado pelo símbolo mostrado na figura
9.3, sendo A o ganho de corrente, tensão ou potência, em função do parâmetro que se
deseja enfatizar.
Figura 9.3 – Símbolo do amplificador
9.12 – Capacitores de acoplamento

Como já foi dito anteriormente, para que os transistores possam operar de forma
linear como amplificadores, eles devem estar polarizados na região ativa, cujas tensões e
corrente quiescentes são valores contínuos (níveis DC – Direct Current) impostos pelos
resistores e pela fonte de tensão contínua VCC que alimenta o circuito.
Porém, se o sinal variável de entrada possui também um nível DC (por exemplo:
positivo), este soma-se à tensão VBEq que, por sua vez, provoca um aumento em Ibq, que
aumenta ICq e diminui VCEq, deslocando o ponto quiescente na reta de carga para
próximo da região de saturação, como mostra a figura 9.4.
Figura 9.4 – Distorção pelo descolamento do ponto Q

Com isso, o sinal de entrada, ao atingir o limite máximo, distorce o sinal de saída.
Analogamente, se o sinal de entrada tiver uma componente DC negativa, o ponto
quiescente se desloca para o sentido contrário, provocando uma distorção no sinal de saída
devido à sua proximidade com a região de corte.
131
Para evitar este problema, entre o circuito gerador do sinal e a entrada do
amplificador, é colocado um capacitor de acoplamento de entrada AC (Alternate Current),
que bloqueia o nível DC, deixando passar apenas a componente AC. Para isso, este
capacitor (C1) deve ter um valor tal que represente uma baixa impedância para a freqüência
do sinal alternado, como mostra a figura a seguir:
Figura 9.5 – Uso dos capacitores de acoplamento
Algo semelhante acontece quando a saída do amplificador é ligada a uma carga ou a

outro circuito. Para não haver alteração no ponto quiescente; eles são ligados através de um
capacitor de acoplamento de saída AC, ao mesmo tempo em que este capacitor (C2) evita
que o nível DC do amplificador interfira também na carga ou no circuito de saída.
9.13 – Amplificadores em cascata
Dependendo do ganho desejado para corrente, tensão e potência, um amplificador

pode ser formado pela associação de vários amplificadores ligados em cascata, como na
figura 9.6. Neste caso, os ganhos totais de corrente, tensão e potência são:
Figura 9.6 – Amplificadores ligados em cascata
9.14 – Impedância de entrada e saída

Considerando o caso da ligação de amplificadores em cascata, para que cada
amplificador desempenhe sua função com o máximo rendimento possível, ou seja, para que
haja a máxima transferência de potência de um amplificador para outro, é necessário que a
impedância de saída de cada estágio amplificador seja igual à impedância de entrada do
estágio amplificador seguinte.
132
Portanto, a impedância de entrada ZE e a impedância de saída ZS são dois outros
parâmetros importantes de um amplificador, sendo essa igualdade entre eles denominada
casamento de impedâncias.
Figura 9.7 – Casamento de impedâncias

Da mesma forma, o primeiro estágio amplificador deve estar casado com o circuito
ou dispositivo que gera o sinal de entrada (gerador de áudio, microfone, cápsula magnética
de toca-discos, cabeçote magnético de toca-fitas, leitor óptico de um toca-disco laser, etc).
Também, o último estágio amplificador deve estar casado com o circuito ou dispositivo
ligado à sua saída (alto-falante, entrada de áudio de um gravador, entrada de um
amplificador de potência, etc).
9.15 – Curva de resposta em freqüência

Em eletrônica, os sinais alternados podem ser classificados em várias categorias, de
acordo com a sua faixa de freqüência:
A faixa de freqüência de áudio (sinais audíveis ou sonoros) está compreendida entre

20Hz e 20KHz, ou seja, começa abaixo da faixa VLF e termina dentro desta faixa.
Entre 20KHz e 3MHz esta a faixa denominada de ultra-som, compreendendo parte
da faixa VLF e totalmente as faixas LF e MF.
As freqüências denominadas microondas ocupam a faixa entre 3GHz e 300GHz, ou
seja, SHF e EHF.
Finalmente, acima de EHF, estão as freqüências ópticas e os raios, na seguinte
seqüência: infravermelho, luz visível, ultravioleta, raio X e raios gama.
133
Assim, na prática, são necessários amplificadores para operarem nas mais diversas
faixas de freqüências de sinais elétricos.
Por outro lado, os transistores têm limitações que os impedem de trabalhar em todas
as faixas, principalmente pelas capacitâncias parasitas que surgem em suas junções, como
será visto mais adiante, além dos próprios capacitores de acoplamento utilizados nos
circuitos amplificadores.
Desta limitação dos transistores, surge um outro parâmetro importante, que deve ser
levado em consideração no estudo dos amplificadores: é a sua curva de resposta em
freqüência, que corresponde à faixa de freqüências que o amplificador opera com um nível
mínimo de atenuação (inverso do ganho), sendo limitada por uma freqüência de corte
inferior Fci e uma freqüência de corte superior Fcs, como mostra a figura 9.8.
Figura 9.8 – Curva de resposta em freqüência
9.16 – Decibel
O Bel (B) é uma unidade de medida natural, pois está baseado nos nossos sentidos,
particularmente na audição.
A qualquer estímulo auditivo (potência sonora), o ouvido humano não responde de
forma linear, mas logarítmica. Assim, para que uma sensação sonora tenha o dobro da
potência, é necessário que a potência sonora seja dez vezes maior, e não o dobro.
Por isso, o Bel é uma unidade que mede a relação entre grandezas de forma
logarítmica, ou seja:
 X2
A = log  , em B.
 X1 
onde: X2 e X1 são a mesma grandeza física;
X2/X1 é sempre positivo;
A e a relação entre as grandezas, dada em Bel.
Porém, para adequar a ordem de grandeza dessa unidade aos fenômenos físicos,
particularmente aos elétricos, a unidade de medida mais prática é o Decibel (dB), ficando a
relação entre potências da seguinte forma:
 P2 
Ap = 10 × log  , em dB.
 P1 
134
Esta é, então um outra forma de apresentar o ganho de potência de um circuito
amplificador, tomando-se como referência a potência em uma carga RL na saída, como
Figura 9.9 – Ganho de potência de um amplificador em dB.
V2
Considerando que P =
R
  VL2  
 
  RL  
2
 VL2 × ZE   VL   ZE 
Ap = 10 × log  = 10 × log 
 2

 = 10 × log   + 10 × log  
  VG  
2
 VG × RL   VG   RL 
  ZE  
 
 VL   ZE   ZE 
Ap = 20 × log  + 10 × log  = 20 × log Av + 10 × log 
 VG   RL   RL 
Logo, as expressões de ganhos de potência e tensão ficam respectivamente:
PL
Ap = ou Ap (dB) = 10 × log Ap
PG
VL
Av = ou Av (dB) = 20 × log Av
VG
Exemplo:
Um gerador fornece uma potência de 2mW a um amplificador, que por sua vez
entrega à carga o dobro da potência.
a) Qual o ganho de potência em dB?
 PL  4
Ap = 10 × log  = 10 × log  = 3dB
 PG  2
Isto significa que a potência de saída esta 3dB acima da potência de entrada.
b) Qual seria o ganho de potência em dB, se a potência de saída fosse a metade da

entrada?
135
1
Ap = 10 × log  = −3dB
2
Neste caso, a potência de saída estaria 3dB abaixo da potência de entrada, ou sofreia
uma atenuação de 3dB.
c) Qual seria o ganho de potência em dB, se a potência de saída fosse dez vezes
maior que a potência de entrada?
 20 
Ap = 10 × log  = 10dB
 2 
Neste caso, a potência de saída estaria 10dB acima da potência de entrada.
Portanto, pode-se concluir que quando a potência dobra ou cai pela metade, a
variação correspondente são, respectivamente, +3dB e –3dB, e quando a potência é
multiplicada ou dividida por dez, as variações correspondentes são, respectivamente,
+10dB e –10dB. Além disso, quando o ganho em dB é positivo, significa que houve
amplificação, e quando é negativo, significa que houve atenuação.
No caso de amplificadores ligados em cascata, o cálculo do ganho total em dB é
muito mais simples. Supondo, por exemplo, dois amplificadores com ganhos Ap1 e Ap2, o
ganho total é dado por:
ATp = Ap1 × Ap 2 ou ATp (dB) = Ap1(dB) × Ap 2(dB)
Essas relações entre potências e suas respectivas variações em dB são muito
utilizadas na prática, principalmente na parte de audioamplificadores.
No caso da curva de resposta em freqüência, considera-se como freqüência de corte
inferior e superior, aquelas em que a potência de saída cai para sua metade, ou seja, sofre
uma atenuação de 3dB. Isto significa que a curva de resposta toma a própria potência de
saída como referência.
Porém, o mais comum é representar a curva de resposta em freqüência tendo com
referência a tensão de saída, sendo necessário, portanto determinar qual a correspondência
entre a queda de tensão na saída e atenuação de 50% ou de 3dB na potência de saída.
Assim na região plana da curva de resposta em freqüência, tem-se com referência
uma tensão de saída VLR e um potência de saída PLr (tensão e potência de referencias na
carga).
Nas freqüências de corte inferior e superior, como a potência de saída PL cai à
metade de PLR, tem-se:
  VL2  
   
PL 1   RL   1 VL 1
=   = = = 0,707
PLR 2  VLR 2
 2 VLR 2

  RL  
 
136
Isto significa que, quando a potência de saída cai pela metade, a tensão de saída cai
VLR
para VL = ou VL = 0,707 × VLR , isto é, tem uma queda de –3dB.
2
A curva de resposta em freqüência, assim representada, é denominada curva de
resposta em freqüência normalizada. A figura 9.10 mostra as várias possibilidades de se
representar uma curva de resposta em freqüência, tendo tensões ou ganhos de tensão em
função da freqüência do sinal.
Figura 9.10 – Representações da curva de resposta em freqüência
9.17 – Tipos de amplificadores
Enfim, os amplificadores podem ser divididos em várias categorias:

Quando à amplitude dos sinais:
o Amplificadores de pequeno sinal ou baixa potência, cujos sinais de entrada
são da ordem de unidades de µV a dezenas de mV, ou correntes de coletor
da ordem de unidades a centenas de mA, ou potências de coletor de centenas
de mW;
o Amplificadores de média potência, cujos sinais de entrada são da ordem de
centenas de mV, ou correntes de coletor da ordem de centenas de mA a
unidades de Amperes, ou potências de coletor da ordem de centenas de mW
a unidade de Watt;
o Amplificador de potência, cujos sinais de entrada são da ordem de centenas
de mW, ou correntes de coletor da ordem de unidades a dezenas de Ampere,
ou potências de coletor da ordem de unidades a centenas de Watt.
Quanto à freqüência dos sinais:
o Amplificadores de baixa freqüência, que operam com freqüência entre

0,1Hz a 30KHz (abaixo da faixa de áudio até VLF);
137
o Amplificadores de média freqüência, que operam com freqüência na faixa
de LF;
o Amplificadores de alta freqüência, que operam com freqüências acima de
LF (sendo classificados conforme a faixa de operação: VHF, UHF,
microondas, etc).
Obviamente, o principal determinante da faixa de operação de potência e de

freqüência de um amplificador é o transistor utilizado, sendo fabricados especialmente para
cada uma delas.
Porém, para efeito de estudo dos amplificadores, eles podem ser divididos apenas
em três categorias: amplificadores de baixa potência e freqüência, amplificadores de
potência e amplificadores de alta freqüência, uma vez que tais categorias englobam todos
os conceitos de amplificadores.
Como se viu, para análise e o projeto de circuitos amplificadores, todos esses
parâmetros devem ser levados em consideração: ganhos de corrente, tensão e potência,
defasagens, impedâncias de entrada e saída e curva de resposta em freqüência.
Exercícios:
1) Quais são os sete parâmetros principais de um amplificador:
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
2) Qual a função dos capacitores C1, C2 e C3 no esquema abaixo?
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
138
3) Como é feito e qual a importância do casamento de impedâncias entre uma fonte
de sinal AC e um amplificador?
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
___________________________________________________________________
__________________________________________________________________
4) A figura a seguir, representa um amplificador. Determine VL, I1, IL, Ap(dB) e

Ai.
5) Faça o esboço das quatro formas usuais de curvas de resposta em freqüência do

amplificador do exercício 9.4.
6) Classifique os amplificadores A1, A2, A3 quanto à amplitude e freqüência dos
sinais, baseando-se nos seguintes dados:
a. A1 : VBE = 2mV; IC = 50mA; VCE = 5V; F = 10kHz
b. A2: Pc = 20W; F = 500MHz
c. A3: IC = 2A; F = 120KHz
139

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Eletrônica

Capitulo 1 – Bandas de Energia

Figura 1.1 - Modelo atômico de Bohr.

Figura 1.2 – Níveis de energia de um átomo.

Figura 1.3 – Estabilidade de um elétron numa determinada órbita.

Estas condições de estabilidade dos elétrons em determinadas órbitas fazem com

Figura 1.4 – Número máximo de elétrons em casa órbita.

A ultima órbita de um átomo define sua valência, ou seja, a quantidade de elétrons

Figura 1.5 – Elétrons livres, banda de condução e corrente elétrica.

Da mesma forma, caso a banda de valência não possua o número máximo de

Figura 1.6 – Isolantes, Condutores e semicondutores.

Todos esses fatores determinam o número de órbitas e a intensidade das forças de

2. Qual é a órbita de valência de um átomo?

3. O que é e como é formada a banda de condução de um átomo?

4. O que é banda proibida?

5. O que define o comportamento elétrico dos materiais isolantes, condutores e

Figura 2.1 – Átomos de silício e germânio

Figura 2.2 – Representação plana dos semicondutores.

2.2 - Condução Elétrica nos Semicondutores

Figura 2.3 – Formação de um íon positivo

Após um determinado tempo, observando-se novamente a estrutura deste

Figura 2.4 – Movimento do íon positivo

2.3 - Semicondutores Tipo N e P

Figura 2.5 – Cristal de silício com impurezas pentavalentes.

Figura 2.6 – Semicondutor Tipo N.

Figura 2.7 - Cristal de silício com impureza trivalente.

Por isso, as impurezas trivalentes são chamadas de impurezas tipo P.

Figura 2.8 – Semicondutor Tipo P.

Como as lacunas podem ser consideradas cargas elétricas positivas, este

1. O que é um semicondutor intrínseco e extrínseco?

2. O que uma material pentavalente e Trivalente?

5. Na dopagem trivalente o material fica sendo chamado de P ou N? Porque?

Figura 3.1 – Junção PN

Efetuando-se esta união, o excesso de elétrons do material tipo N tende a migrar

Figura 3.2 – Recombinação elétron – lacuna.

Figura 3.3 – Camada de depleção.

Figura 3.4 - Barreira de potencial.

Esta diferença de potencial Vγ, a 25ºC é de aproximadamente 0,7V para os diodos

O gráfico 3.5a indica a situação da carga elétrica ao longo da junção, no qual

Figura 3.6 - Símbolo elétrico do diodo semicondutor.

Na análise feita até aqui, não se levou em consideração a quantidade de impurezas

3.2 – Polarização da junção PN

Figura 3.7 – Polarização Direta.

Figura 3.8 – Comportamento do diodo na polarização direta.

Figura 3.9 – Polarização reversa.

Figura 3.10 – Comportamento do diodo na polarização reversa.

Corrente Direta Máxima IDM 1A

Figura 3.12 – Diodo ligado com resistor de carga (polarização direta).

Figura 3.13 – Reta de carga e ponto quiescente do diodo.

Para traçar a reta de carga, faz-se:

Primeiramente, deve –se determinar a reta de carga:

Assim, o ponto quiescente resultante é:

3.4 – Modelos de diodos

MODELO 1 – DIODO IDEAL

Este modelo considera o diodo comportando-se com um condutor na polarização

Figura 3.14 – Modelo-1: Diodo ideal

MODELO 2 – DIODO COM Vγ

Este modelo considera o diodo comportando-se como um condutor em série com

Figura 3.15 – Modelo-2: Diodo com Vγ.

Este modelo é o mais próximo do real e considera o diodo comportando-se como

Figura 3.16 – Modelo-3: Diodo com Vγ e RD

Neste caso, percebe-se que as diferenças entre os resultados obtidos na corrente no

3.5 – Teste de diodos

Figura 3.17 - multímetro digital com capacidade de verificar o estado do diodo.