Física Dos Semicondutores: Prof. Dr. Daniel Flores Cortez

Física dos Semicondutores
Prof. Dr. Daniel Flores Cortez (danielcortez@utfpr.edu.br)
25 de Fevereiro de 2016
ET74C – Eletrônica 1
Objetivo da Aula
 Conhecer as características gerais dos materiais

semicondutores, compreender a condução de
corrente usando a teoria de elétrons e lacunas,
conhecer os materiais do tipo n e p.
ET74C – Eletrônica 1 2
Conteúdo Programático
 Modelo Atômico de Bohr;
 Ligação covalente;
 Estrutura cristalina;
 Semicondutores intrínsecos e extrínsecos.
Construção de Conhecimento
esperado
 Adquirir conhecimentos sobre as características

fundamentais dos semicondutores aplicados a
construção de dispositivos eletrônicos.
Física dos semicondutores
Classificação dos materiais
 Condutores: material capaz de sustentar um fluxo de
cargas elétrica quando submetido a uma diferença de
potencial;
 Isolante: material capaz de oferecer resistência ao
fluxo de cargas elétrica quando submetido a uma
diferença de potencial;
 Semicondutor: material que possui nível de

condutividade entre os extremos de um isolante.
Estrutura Atômica
 Modelo Atômico de Bohr
• Elétrons orbitam o núcleo;

• Órbitas bem definidas.
Estrutura Atômica
Distinção atômica entre condutores e semicondutores
Átomo de cobre
A camada mais importante para

condução é a última camada
(chamada de camada de Valencia). O
+29 cobre é um bom condutor pode ele
Pode ceder facilmente este.
• Mat. condutores possuem

de 1 a 3 elétrons na
camada de Valencia (Ex:
cobre, prata, alumínio);
Estrutura Atômica
Distinção atômica entre condutores e semicondutores
Átomo de cobre Átomo de Silício
+29 +14
• Mat. condutores possuem • Mat. semicondutores

de 1 a 3 elétrons na possuem de 4 elétrons na
camada de Valencia (Ex: camada de Valencia (Ex:
cobre, prata, alumínio); silício, germânio, carbono)
(Átomos tetravalentes);
Estrutura Atômica
Distinção atômica de isolantes
Átomo de Argônio
(gás nobre)
+18
• Mat. isolates possuem de 5

a 8 elétrons na camada de
Valencia (Ex: borracha,
vidro, mica);
Estrutura Atômica
Átomo de Silício Átomo de Germânio
+14 +32
Estrutura Atômica
Átomo de Silício Átomo de Germânio
Si Ge
Representados somente pela última camada
Semicondutor intrínseco
Cristal de silício puro
Si
Para formar uma estrutura estável é necessário

ter 8 elétrons na última camada
Cristal de silício
Si
Si Si
Si
O que acontece quando

juntamos átomos de
Si
silício?
Cristal de silício
Si
Si Si Si
Ocorre o compartilhamento de Si
elétrons (ligações covalentes)
para formar 8 elétrons na última
camada
Cristal de silício
Si
Si Si Si
Ocorre o compartilhamento de Si
elétrons (ligações covalentes)
para formar 8 elétrons na última
camada
Cristal de silício
Si
Si Si Si
Si
Nessa condição o cristal passa
a ser um mau condutor a
temperatura ambiente e isolante
em baixas temperaturas
16
Cristal de silício puro
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
Estrutura cristalina do Si à
temperatura de 0 ºK (–273 ºC)
com o aumento da temperatura, a energia térmica fornecida
ao cristal provoca a “quebra” algumas ligações covalentes,
liberando, assim, elétrons livre. Os espaços vazios deixados
por causa de tais rompimentos se comportam como cargas
elétricas positivas, denominadas lacunas ou buracos
Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si
Agitação
térmica Lacuna
Elétron livre O número de elétrons livres é igual

ao número de lacunas
Movimento relativo de lacunas (Recombinação)
+ -
+ -
+ Si Si Si -
+ -
+ -
+ -
+ Si -
Si Si
+ -
+ -
+ -
-
Elétron livre
Placa carregada Placa carregada
Campo elétrico
Movimento relativo de lacunas
+ -
+ -
+ Si Si Si -
+ -
+ -
+ -
+ Si -
Si Si
+ -
+ -
+ -
-
Elétron livre
Campo elétrico
+ -
+ -
+ Si Si Si -
+ -
+ -
+ -
+ Si -
Si Si
+ -
+ -
+ -
Elétron livre -
Campo elétrico
+ -
+ -
+ Si Si Si -
+ -
+ -
+ -
+ Si -
Si Si
+ -
+ -
+ -
Elétron livre -
Campo elétrico
+ -
+ -
+ Si Si Si -
+ -
+ -
+ -
+ Si -
Si Si
+ -
+ -
+ -
Elétron livre -
Campo elétrico
+ -
+ -
+ Si Si Si -
+ -
+ -
+ -
+ Si -
Si Si
+ -
+ -
+ -
Elétron livre -
Campo elétrico
+ -
+ -
+ Si Si Si -
+ -
+ -
+ -
+ Si -
Si Si
+ -
+ -
+ -
Elétron livre -
Campo elétrico
+ -
+ -
+ Si Si Si -
+ -
+ -
+ -
+ Si -
Si Si
+ -
+ -
+ -
Elétron livre -
Campo elétrico
+ -
+ -
+ Si Si Si -
+ -
+ -
+ -
+ Si -
Si Si
+ -
+ -
+ -
Elétron livre -
Campo elétrico
Elétrons e lacunas movem em sentidos opostos
Semicondutor Extrínseco
• Em condições normais o cristal de
silício é um isolante com pouca
Si Si Si utilidade elétrica.
• A fim de alterar as características

elétricas são adicionas impurezas
no cristal. Esse processo é
Si Si Si
chamado de dopagem
Si Si Si
Material do tipo N
São adicionados átomos

Si
pentavalentes (cinco elétrons
Si Si
na última camada). Ex:
Arsênio, Antimônio e
Fósforo
Si Si Si
P
Si Si Si
Material do tipo N

Si
Si Si
Elétron livre Arsênio, Antimônio e
Fósforo
Si P
Si Si
Si Si Si
Material do tipo N

Si
Si Si
Elétron livre Arsênio, Antimônio e
Fósforo
Si P
Si Si
O importante dessa situação é
que não foi gerada nenhuma
lacuna
Si Si Si
Material do tipo N
Si Si Si Si Si
Elétron livre Elétron livre
Si P
Si Si P
Si P
Si
lacuna*
Si Si Si Si Si
Os elétrons livres são chamados de portadores majoritários;
As lacunas são chamadas de portadores minoritários.

ET74C – Eletrônica 1 * Gerada por agitação térmica
ET74C – Eletrônica 1 * Gerada por agitação térmica

Material do tipo P

trivalentes (três elétrons na
Si Si Si última camada). Ex: Boro,
Alumínio
Si Si Si
B
Si Si Si
Material do tipo P

trivalentes (três elétrons na
Si Si Si última camada). Ex: Boro,
Alumínio
Lacuna
Si B
Si Si
Si Si Si
Material do tipo P
Si Si Si Si Si
Lacuna Lacuna Lacuna
Si B
Si Si B
Si B
Si
Elétron livre*
Lacuna
Si Si Si Si Si
Os lacunas são chamados de portadores majoritários;
As elétrons livres são chamadas de portadores minoritários.

ET74C – Eletrônica 1 * Gerado por agitação térmica
Formação da junção PN
 As lacunas no material tipo P serão representadas pelo

sinal +. Os elétrons livres serão representados pelo sinal -
 Os elétrons livres no material tipo N serão representadas

pelo sinal -. As lacunas serão representadas pelo sinal +
Tipo P + _
Tipo N - +
Material tipo P Material tipo N

Portadores minoritários Portadores minoritários
_ + + -
_ - + -
+ +
+ -
+ -
+ -
+
+ + -
_ -
+ _ + + -
Portadores majoritários Portadores majoritários

O que acontece quando os dois materiais são unidos?
_ + - + -
_ -
+ + + +
-
-
+ + - -
+
+
+ + - + -
_
+ _ + - + -
As lacunas nas bordas do material tipo P tendem a serem

preenchidas pelos elétrons livres da material tipo N
Si Si
B
Si P
Si
_ + - -
_ -
+ + + -
Si - Si
+ + - -
+
+ + - + -
_
+ _ + - + -
As lacunas nas bordas do material tipo P tendem a serem

preenchidas pelos elétrons livres da material tipo N
Processo de recombinação Si Si

B
Si P
Si
+ - -
+ + -
+ -
Si - Si
+ + - -
+
+ + - -
+ + - -
Consequência: forma-se uma região estável (isolante, 8

elétrons na última camada) na junção.
0,7 V - Si
Camada de depleção
0,3 V - Ge
_ + - + -
_
+ + + + -
-
+ + - - -
+
+
+ + - + -
_
+ _ + - + -
A junção PN é chamada de diodo, componente

fundamental da eletrônica
O processo de deslocamento das cargas é chamado de
DIFISÃO
Polarização do diodo
Polarização reversa
Tipo P Tipo N
_ + - + -
_
+ + + + -
-
- +
+ + - - -
+
+
+ + - + -
_
+ _ + - + -
+
E
Tipo P Tipo N
_ + - + -
_
+ + + + -
-
- +
+ + - - -
+
+
+ + - + -
_
+ _ + - + -
- +
E
Tipo P Tipo N
+ _ + - + -
+ -
+ _ + - +
- - +
_ + - +
+
-
+ _ + - +
-
+ + - -
E is
- +
Suje uma pequena corrente devido ao fluxo de portadores minoritário,

chamado de corrente reversa ou saturação (is), ordem de nA a uA.
Polarização direta
Tipo P Tipo N
+ + - -
+ + - -
+ -
+ -
+ -
-
+ + -
-
+
+ + - -
E<0,7V
+ -
Os portadores majoritários não possuem energia suficiente para
atravessar a camada de depleção
Polarização direta
+ + - -
_
+
+ + - -
+ _ -
+ - +
+ -
_ -
+ +
+ -
_ -
+ +
+ + - -
id>0
E>0,7V
+ -
Os portadores majoritários adquirem energia suficiente para atravessar a camada
de depleção, permitindo o fluxo de corrente
Recapitulando....
 A corrente circula facilmente num diodo de silício com
polarização direta. Em outras palavras, se a fonte de tensão
for maior que 0,7 V (Si),um diodo de silício produz uma
corrente incessante no sentido direto.
 A corrente reversa total num diodo consiste de uma

corrente de portadores minoritários (muito pequena e que
depende da temperatura). Em muitas aplicações, a corrente
reversa num diodo de silício é aproximadamente zero;
 Portanto, o diodo somente permite (idealmente) o

fluxo de corrente em apenas um sentido.
Símbolo do diodo
Anodo Catodo
P K
Anodo Catodo
 Ânion: átomo que recebe elétrons e fica carregado

negativamente
 Cátion: átomo que perde elétrons e adquire carga positiva
Símbolo do diodo
Anodo Catodo
P K
Anodo Catodo
Referências Utilizadas
 BOYLESTAD, Robert L.; NASHELSKY, Louis. Dispositivos eletrônicos e
teoria de circuitos. 11. ed. São Paulo: Pearson education do Brasil, 2013.
 Pinto, L. F. Teixeira; Albuquerque R. O. Eletrônica: Eletrônica analógica.

São Paulo: Fundação Padre Anchieta, 2011, Vol. 2.
 MALVINO, Albert Paul. Eletrônica. 4. ed. São Paulo: Makron, c1997. 2v.
 Callister Jr., William D.; Ciência e Engenharia de Materiais: Uma

introdução. 5ed. Rio de Janeiro: Editora LTC, 2002.
 https://www.youtube.com/watch?v=JBtEckh3L9Q
Obrigado pela Atenção!
Prof. Dr. Daniel Flores Cortez
Departamento Acadêmico de Eletrotécnica – DAELT – (41)3310-4626
Av. Sete de Setembro, 3165 - Bloco D – Rebouças - CEP 80230-901
Curitiba - PR - Brasil

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 Conhecer as características gerais dos materiais

 Semicondutores intrínsecos e extrínsecos.

 Adquirir conhecimentos sobre as características

 Semicondutor: material que possui nível de

• Elétrons orbitam o núcleo;

A camada mais importante para

• Mat. condutores possuem

• Mat. condutores possuem • Mat. semicondutores

• Mat. isolates possuem de 5

Representados somente pela última camada

Para formar uma estrutura estável é necessário

O que acontece quando

Elétron livre O número de elétrons livres é igual

• A fim de alterar as características

São adicionados átomos

São adicionados átomos

São adicionados átomos

Os elétrons livres são chamados de portadores majoritários;

As lacunas são chamadas de portadores minoritários.

ET74C – Eletrônica 1 * Gerada por agitação térmica

São adicionados átomos

São adicionados átomos

Os lacunas são chamados de portadores majoritários;

As elétrons livres são chamadas de portadores minoritários.

 As lacunas no material tipo P serão representadas pelo

 Os elétrons livres no material tipo N serão representadas

Material tipo P Material tipo N

Portadores majoritários Portadores majoritários

Material tipo P Material tipo N

As lacunas nas bordas do material tipo P tendem a serem

As lacunas nas bordas do material tipo P tendem a serem

Material tipo P Material tipo N

Consequência: forma-se uma região estável (isolante, 8

A junção PN é chamada de diodo, componente

Suje uma pequena corrente devido ao fluxo de portadores minoritário,

 A corrente reversa total num diodo consiste de uma

 Portanto, o diodo somente permite (idealmente) o

 Ânion: átomo que recebe elétrons e fica carregado

 Cátion: átomo que perde elétrons e adquire carga positiva

 Pinto, L. F. Teixeira; Albuquerque R. O. Eletrônica: Eletrônica analógica.

 Callister Jr., William D.; Ciência e Engenharia de Materiais: Uma

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