“Notas de apoio ao módulo de

MICROSCOPIA ELECTRÓNICA
da disciplina de TCEND”

por Rui Silva

ano 2006/7

ÍNDICE DE ASSUNTOS

1. Introdução
2. Principais tipos de microscópios electrónicos
- Microscópio electrónico de transmissão (TEM)
- Microscópio electrónico de varrimento (SEM)
3. Princípios da microscopia electrónica
4. Vantagem comparativas à microscopia óptica
- Resolução
- Profundidade de campo
- Análise elementar e estrutural
5. Componente básicos de um ME
5.1 Canhão de electrões
Principais tipos
- Filamento de W
- Emissão por efeito de campo
5.2 Sistema de lentes
- Aberrações
5.3 Principais detectores em ME
Detectotrs de electrões
- Detectores de estado sólido
- Detector Everhart-Thornley
‘Detectores’ de radiação X
- Espectrómetros (EDS e WDS)
6. Preparação de amostras
7. Interacções usadas em ME
Introdução
- Elásticas
- Inelásticas
Electrões emitidos em MEV
- Electrões rectrodifundidos (BE)
- Electrões secundários (SE)
Radiação X emitida
- Radiação característica e
- Radiação continua
8. A imagem em MEV
- Imagem SE
- Imagem BE
9. Microanálise elementar
10. Comparação do sem com outras técnicas analíticas

1
MICROSCOPIA ELECTRÓNICA

1. INTRODUÇÃO
A microscopia electrónica (ME) recorre a um feixe de electrões, em oposição à microscopia óptica que recorre a um
feixe de fotões (estes, normalmente na gama do visível). A vantagem mais divulgada da ME é o seu maior poder de
resolução (distância mínima entre 2 pontos que permanecem visivelmente diferenciados). A ME oferece no entanto
outras possibilidades de análise dos objectos em observação.
2. PRINCIPAIS TIPOS DE MICROSCÓPIOS ELECTRÓNICOS:
- TEM, transmission electron microscope (feixe estacionário e trabalha à transmissão)
- SEM, scanning electron microscope (trabalha em varrimento e em ‘reflexão’)
- STEM, scanning transmission electron microscope (trabalha em varrimento e nos dois modos)

SEM TEM

objecto

imagem

3 PRINCÍPIOS DA MICROSCOPIA ELECTRÓNICA

- recorre a um feixe de electrões ‘acelerado’ (E>0,5 kV → λ<0,5 A) (1),
- lentes electromagnéticas: de modo a interagirem com o feixe electrónico (2)
- necessita de alto vácuo (<10-4 mbar) na coluna: de modo a reduzir a dispersão do feixe e a aumentar a quantidade
de electrões emitidos úteis (com energia suficiente para interagir com o material) (3)
- imagem/informação do material: resultante de diferentes fenómenos de interacção electrão/material: electrões
retrodifundidos (abreviadamente, BE ou BSE) e electrões secundários (SE, ‘arrancados do material’), além de
fotões resultantes de fenómenos de relaxação electrónica (radiação X característica) e
- necessita de detectores ou écrans fluorescentes: sensíveis a electrões ou a fotões de alta energia.

4. VANTAGENS COMPARATIVAS RELATIVAMENTE À MICROSCOPIA ÓPTICA

- Maiores resoluções (TEM, idealmente, entre 1 a 10 Å, e SEM entre 10 a 100 Å), o que se traduz em maiores
ampliações úteis médias no TEM, até 1.000.000x e no SEM, até 100.000x: a ampliação útil máxima de um
microscópico óptico é pouco superior a 1000x (resoluções máximas próximas de 0,5 µm)
- Maiores profundidades de campo (SEM);
- Informações de natureza diversa: topográficas (SEM) e em volume (TEM), elementares (SEM e TEM) e estruturais
(em especial o TEM, quando usado na obtenção de figuras de difracção).

(1) comprimentos de onda e energias:

- Luz:
- E= hν=hc/λ
- λ=3000 a 10000 A (∼ 4 a 1 eV)
- λ (visível)= 4500 (violeta) a 7000 A (vermelho) (E=2,8 a 1,8 eV)
- Electrões:
- E =(m-me)c2,
- m/me=(1-(v/c)2)-1/2 (eq. relativística de Lorentz)
- λ=h/p (eq. de Broglie) c/ p=mv (momento)
- Constantes:
- h = 6,626x10-34 Js (constante de Planck), me = 9,109x10-31 kg (massa do electrão em repouso), e = 1,602x10-19 c (carga eléctrica
do electrão), c = 2,998x108 m/s (velocidade da luz no vazio), 1 J=6,242x1018 eV
(2) lentes, estas além da resultante convergência do feixe (lentes convexas), acrescentam uma rotação na imagem do objecto.
(3) Field emission gun: ∼10-10 mbar, muito alto vácuo/ultra alto vácuo.

2
 Esquema de um microscópio SEM

5. COMPONENTES BÁSICOS DE UM ME
- canhão de electrões (fonte de electrões de alta energia)
- lentes condensadoras: controlam o diâmetro mínimo do feixe (‘spot size’)
- diafragma(s) (reduzem o diâmetro útil do feixe: resultando num aumento da resolução, mas com perda de
brilho1/contraste);
- SEM: bobine electromagnética de deflexão (controlam a frequência e amplitude do varrimento: nos sistemas SEM e
STEM) e lente objectiva (focagem);
- TEM: lentes objectivas (controlam a focagem para a primeira imagem)+lentes intermédias (ampliam e controlam a
focagem da 2ª imagem formada)+ lentes de projecção (controlam a ampliação final);
- detectores de electrões e raios X (em especial, nos sistemas SEM e STEM), recurso a écran fluorescente (em
especial, nos sistemas TEM — detectores qualitativos).

5.1 Canhão de electrões (electron gun)

• Principais tipos:
- filamento de W (convencional gun)
- emissão por efeito de campo (field emission gun)
• Filamento de W
- Composto por : filamento de tungsténio, cilindro Wehnelt e ânodo.
- Os electrões são gerados por efeito termoiónico no filamento (ionização dos átomos de W a altas temperaturas,
∼2500 ºC, com emissão electrónica). O aquecimento do filamento resulta da aplicação de uma corrente
eléctrica (o calor é gerado por efeito de Joule)
- O cilindro Wehnelt (a um potencial de -0 a -500 V, relativamente ao filamento), com uma apertura no apex do
filamento, serve para dirigir o feixe na direcção do ânodo e controlar a quantidade de electrões emitidos..

1
intensidade

3
 - O ânodo situado sob o cilindro Wehnelt (a um potencial de 0,5 a 50kV nos SEMs e até 200kV nos TEMs), tem
como principal função acelerar os electrões emitidos.

• Emissão por efeito de campo (FE-SEM)

- Composto por: ‘ponta’ de tungsténio, primeiro e segundo ânodo.
- Os electrões são gerados por efeito de emissão de campo (arranque de electrões devido a elevados gradientes
de potencial eléctrico > 109 V/m) só possíveis em pontas aguçadas (tip).
- O primeiro ânodo, muito próximo do tip, e a um potencial menor que +2 kV, cria o gradiente de potencial
necessário para que haja a emissão.
- O segundo ânodo, a um potencial < +100 kV, condiciona a convergência do feixe e a aceleração dos electrões
emitidos.
Em comparação a emissão por efeito de campo resulta, para baixas correntes de emissão, em diâmetros de feixe que
podem ir, idealmente, até aos 10 Å; enquanto o diâmetro mínimo do feixe em microscópios a filamento de tungsténio é
cerca de 100 Å. Os baixos valores de emissão, para as condições óptimas de funcionamento do canhão a emissão por
campo, obriga a vácuos mais altos (sistemas de ultra alto vácuo).

Canhão por efeito termoiónico (filamento de W)

Canhão por emissão por efeito de campo (‘tip’ de W)

4
5.2 O sistema de lentes
A principal função das lentes (c/ excepção das lentes intermédias e lentes de projecção nos microscópios TEM) é de
criar um feixe, dirigido e convergente para o objecto, com uma secção (diâmetro transversal ou ‘spot size’) mínimo.
Todas as lentes apresentam aberrações (o foco nunca é pontual, mas sim uma ‘mancha’ tridimensional).
As principais aberrações são:
- a esférica (a distância focal varia com o ângulo de incidência),
- a cromática (a distância focal varia com o comprimento de onda),
- a de difracção (dada a componente ondulatória do feixe) e
- a astigmática (devido a assimetrias existentes nas lentes).
As aberrações condicionam a resolução mínima do sistema. É impossível evitar as aberrações por difracção. Por outro
lado, os microscópios electrónicos vêm munidos de um componente, situado ao nível das objectivas, que permite
reduzir as aberrações de natureza astigmática.

Principais aberrações em lentes.

5.3 Principais detectores em ME

Detectores de electrões
- usados na contagem de electrões retrodifundidos, BE
(de alta energia, tipicamente 0,8-0,9 E0). Detectores
de estado sólido (semicondutor de Si: a colisão de
electrões energéticos conduz a pares
electrões/lacunas no Si, que geram uma corrente
mensurável). Estes detectores podem ter
relativamente grandes dimensões (diâmetros>25 mm
de diâmetro).
- usados na contagem de electrões secundários, SE (de
baixa energia, tipicamente 3-5 eV). É famoso o
detector Everhart-Thornley. Este recorre a um

5
 cintilador: a colisão de electrões resulta na emissão
de fotões, estes são conduzidos a um fotomultipli-
cador que gera electrões em cascata. Para ser
sensível aos electrões secundários (de baixa
energia) o cintilador é mantido a um potencial de
12kV. Para evitar a deflexão do feixe electrónico o
detector é envolvido numa gaiola de Faraday, a um
potencial regulável de –50 V a +250 V. A
eficiência da captação de electrões secundários
cresce para os potenciais mais positivos da gaiola.
Para o potencial mínimo (-50 eV), a eficiência na
detecção de electrões SE é praticamente nula. O
detector passa a funcionar, exclusivamente, como
detector de electrões BE. O detector E-T,
normalmente posicionado lateralmente à superfície
do objecto em observação, irá contribuir para um contraste topográfico (semelhante a um efeito de sombra).
- medidores da corrente absorvida (electrões não emergentes da amostra).
Detectores de radiação X
- Espectómetros de cristal ou ‘wavelength dispersive spectrometer’ (WDS): avaliam o comprimento de onda da
radiação recorrendo a fenómenos de difracção radiação/cristal (de acordo com a lei de Bragg). Exemplos de
cristais:
- α-quartzo e LiF
- detectores de estado sólido ou ‘energy dispersive spectrometer’ (EDS): avaliam a energia da radiação recorrendo
aos pulsos de carga eléctrica gerados no semicondutor (a radiação resulta na formação de pares electrão-lacuna). O
detector usual é o
- Si(Li): semicondutor de Si
- Os espectómetros de cristal apresentam melhores resoluções de detecção, para além de uma melhor razão
pico/ruído e uma menor resolução lateral. Os detectores de estado sólido têm a vantagem de apresentarem maiores
velocidades de processamento (processam simultaneamente a radiação emitida pelos diferentes elementos). Em
termos médios a resolução atómica de um espectómetro WDS é cerca de 0,01% e a de um espectómetro EDS
próxima de 0,1%. Os detectores EDS são os normalmente encontrados nos microscópios electrónicos.

6. PREPARAÇÃO DE AMOSTRAS
- TEM: necessidade de preparação de amostras muito finas, “lâminas finas”;
- SEM: necessidade de preparação de amostras superficialmente condutoras (eléctrica e termicamente). A observação
de amostras não condutoras (poliméricas, cerâmicas, vítreas), ou mesmo semicondutoras, obrigam ao seu prévio
revestimento ou, a recorrer a feixes de electrões com, relativamente, baixa energia (<1keV).
- Revestimentos mais frequentes:
- Au ou Au-Pd (relativamente alto coeficiente de absorção, com uma elevada taxa de emissão de electrões
secundários: revestimentos utilizados para obtenção de imagens em amostras não condutoras e melhoria de
imagem nas amostras em geral).
- C (baixo coeficiente de absorção ou seja maior a quantidade de electrões transmitidos para o substrato:
vocacionado para permitir uma melhor microanálise de raios X em amostras não condutoras).

7. INTERACÇÕES USADAS EM ME
Na sua maioria os electrões primários (gerados no canhão de electrões, E0=1 keV a 50keV em SEM), ao penetrar no
material, sofrem um série de interacções. Essas interacções sucessivas resultam em perdas importantes na energia
cinética dos electrões. Assim, ao fim de um determinado percurso, grande parte dos electrões primários acabam por
ficar retidos no material. Para evitar que o material fique carregado electricamente é necessário que este permaneça
ligado à terra.
As interacções dos electrões primários podem classificar-se como:
- interacções elásticas (com significativa mudança de direcção do electrão primário, mas pouca perda de energia);
- interacções inelásticas (com significativa perda de energia do electrão, mas pequenos desvios na sua trajectória).
Uma fracção importante de electrões primários sofre predominantemente, no seu percurso pelo material, interacções
maioritáriamente elásticas. Assim é possível que alguns electrões primários, possam afluir à superfície do material com
energia suficiente para lhe escaparem. Esses electrões são chamados de electrões retrodifundidos (backscattering
electron, BE), caso sejam emitidos pela superfície de incidência do feixe primário, ou de electrões transmitidos, caso

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consigam atravessar todo a espessura do material, escapando pela superfície oposta. Na sua maioria a energia dos
electrões rectrodifundidos situa-se no intervalo de 0,8-0,9 E0.

electrões
primários
hυ SE

BSE

A interacção inelástica de um electrão primário pode resultar na:

- Excitação do plasmon: excitação colectiva, e de baixa energia dos electrões de valência (transferências de energia
do electrão primário, da ordem dos 15 eV);
- Excitação de fonões (transferências de energia muito baixas): quanta de vibrações da rede, resultando na dissipação
de calor;
- Radiação X contínua (fotões com energias de 0 a E0), resultante da desaceleração dos electrões primários ao
penetrarem no campo eléctrico dos átomos
- Ionização dos níveis electrónicos interiores – inner shell ionisation: este tipo de interacção dá origem à emissão de
um electrão interno de baixa energia (com reduzida probabilidade de escapar do material). A relaxação subsequente
deste estado excitado poderá conduzir à emissão de radiação X característica ou, alternativamente, mas com
significativamente menor probabilidade, à emissão de um electrão de Auger (com energias específicas e da ordem
dos 50 eV a 2 keV) por reabsorção da radiação X característica produzida;
- Ionização dos níveis electrónicos exteriores – outer shell ionisation: este tipo de interacção resulta num emissão
significativa de electrões, os electrões secundários (secondary electron, SE). Embora se trate de electrões lentos
(E<50eV, na sua maioria os SE têm energias <10 eV, tipicamente de 3 a 5 eV), devido à grande quantidade gerada
de electrões secundários, uma pequena fracção destes acaba, normalmente, por escapar do material. Um só electrão
primário pode gerar, no seu percurso pelo material, mais de 1 milhar de electrões secundários, embora só uma
pequena fracção escape do material. (ver gráfico de taxas de emissão mais adiante) Por outro lado, dado a
possibilidade de alguns detectores (polarizados positivamente) conseguirem atrair para si grande parte destes
electrões, faz com que os SE sejam uma das emissões mais importantes em SEM.

radiação
característica
(raios X)

radiação
contínua
(raios X)

SE

7
 Figura - Distribuição relativa de energias (E/E0; E0 = energia do feixe incidente) dos electrões emitidos e captados de uma dada
superfície por incidência de um feixe electrónico. O pico (1) é o pico elástico, porção de electrões BEs que não perderam
energia na colisão com a amostra. O ligeiro baixamento da quantidade de electrões, próximo do pico anterior, resulta da perda
significativa de energia nessa gama por excitação do plasmon (2). Os outros electrões BEs (3) estão distribuídos por toda a
região energética de 0 eV até às energias do feixe incidente. O pico característico dos electrões Auger (4) é usualmente um
pequeno pico sobreposto à curva dos electrões retrodifundidos. A emissão de SEs da amostra é responsável pelo pico mais
elevado na região das baixas energias (5).

O efeito combinado das interacções elásticas e inelásticas limita a profundidade de penetração do feixe primário. Por
outro lado, as interacções traduzirão, pela sua probabilidade de escaparem ao material (esta, proporcional à respectiva
energia da emissão e às quantidades geradas), informações provenientes de diferentes profundidades do material
(embora de carácter relativamente superficial, salvo no TEM onde são utilizados feixes de muita alta energia sobre
amostras finas). Assim, por exemplo os electrões Auger emitidos, escassos e relativamente pouco energéticos, são
provenientes de regiões muito superficiais do material (profundidades inferiores a 10 Å). Dada a qualidade do vácuo
em ME ser insuficiente para se evitar contaminações significativas da superfície da amostra, são poucos os micros-
cópios electrónicos que recorrem à análise desta emissão. A radiação X característica, relativamente abundante e
energética, é proveniente de regiões com uma fronteira mais profunda (da ordem de 1 µm). Por esse motivo a
microanálise em ME tem uma resolução lateral limitada a esse valor.

Figura - Volumes de interacção de proveniência das

principais emissões usadas em ME.

8
8. A IMAGEM EM MEV
A imagem no SEM é normalmente construída recorrendo às emissões relativamente abundantes, quer de electrões SE
quer de BE. As imagens em modo BE, devido a serem resultantes de electrões mais energéticos e, por isso, em grande
parte provenientes de regiões mais profundas ou volumosas, terão consequentemente um poder de resolução menor. Em
modo SE o poder de resolução é superior, não só devido à maior superficialidade dos electrões SE, mas também devido
a uma razoável taxa de emissão (elevado brilho, logo possibilitando a utilização de diafragmas com menores aberturas
e, por isso, maiores resoluções finais). No entanto, uma vez que a densidade emitida de electrões BE é função do
número atómico médio (átomos mais leves resultam numa maior penetrabilidade do feixe, com consequente menor
emissão BE’s), esta será útil para a construção de imagens envolvendo um maior efeito de contraste de número atómico.
Assim, em modo BE as regiões mais escuras (correspondendo a menores emissões) traduzirão regiões com número
atómico médio mais baixo.
nSE
0,6 α=
n0
0,5 β
nBSE
0,4 β=
n0
α, β

0,3

0,2 α
0,1

0
0 20 40 60 80 100

número atómico

Figura - Sendo α e β, a razão de emissão de electrões secundários e retrodifundidos

produzidos por electrão primário, respectivamente, verifica-se que a taxa de emissão de
electrões retrodifundidos é, ao contrário dos electrões secundários, fortemente dependente do
número atómico do material em observação.

Em modo SE, por recurso a um detector E-T (se posicionado lateralmente relativamente à superfície da amostra) o
contraste será essencialmente topográfico.

8. MICROANÁLISE ELEMENTAR
A microanálise em SEM (EDX ou WDX, consoante se recorre a detectores EDS ou WDS, respectivamente)
resulta da quantificação da radiação característica. As transições electrónicas correspondendo à relaxação de ionizações
em níveis internos, traduz-se em grande parte na emissão de radiação X. Essa radiação é característica dos elementos
presentes (emissão de fotões com energias ou comprimentos de onda específicos), ou seja as energias envolvidas e
libertadas nessas transições são diferentes de elemento para elemento. A análise do espectro obtido permite reconhecer
os elementos presentes no material. Os níveis electrónicos, são aqui designados por letras (K, L, M ou N,
para n=1, 2, 3 ou 4). A radiação devida a uma transição de L para K é denominada de Kα, uma transição de M para K,
menos provável e por isso menos intensa, é denominada de Kβ. (as letras gregas são usadas de acordo com as
intensidades relativas da radiação característica). Assim a radiação característica designada de Mα, está associada à
transição electrónica, para o nível M, com maior probabilidade de ocorrência. Quanto mais elevado o número atómico
do elemento maior a energia associada a determinada transição e, para um mesmo elemento, a radiação K será a mais
energética (sendo a energia da radiação de Kβ superior a Kα). O conhecimento das energias dessas transições para os
diferentes elementos atómicos e as intensidades esperadas para o elemento no estado puro (nas mesmas condições de
excitação) permite estimar, pela razão com a intensidade observada, o teor do material em determinado elemento.
Seleccionando uma radiação característica de determinando elemento é possível, em determinados equipamentos SEM,
construir uma imagem reveladora da distribuição do elemento em questão (mapeamento por raios X ou X-ray mapping).

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 Kα1, keV Kβ1, keV Lα1, keV Mα1, keV
12 C 0.277 - - - Ke=0,284
14 Si 1,740 1,836 <0,2 - Ke=1,840
26 Fe 6,404 7,058 0,705 <0,2 Le=7,111
79 Au (66,4) (77,3) 9,713 2,123 Le=11.92
Exemplos de algumas energias de radiação X característica.

10. COMPARAÇÃO DO SEM COM OUTRAS TÉCNICAS ANALÍTICAS

10
ANEXO A
Ilustrações representativas do efeito da distância de trabalho (‘WD’, distância objectiva/objecto) no diâmetro final do
feixe e na profundidade de campo para o SEM.

- O aumento de WD resulta numa diminuição do poder de resolução (devido ao aumento do ‘spot size’, d), mas com
um ganho na profundidade de campo (diminuição do angulo de convergência).
- Para um mesmo WD é possível conseguir maiores profundidades de campo recorrendo a diafragmas de menor
abertura, mas com uma diminuição do brilho (menor quantidade de electrões incidente no objecto).

d0 d0

di di

lentes objectivas

WD
d
WD

Superfície da amostra
(coincidente c/ o plano
focal)
d

11