Memórias Semicondutoras

Eln. Digital / Tec.Eletrônica-CEFET-PR

MEMÓRIAS

SEMICONDUTORAS

APOSTILA

0 SRAM

A0/2047

10

[PWRDWM]
G1

G2
1,2EN [read]
1C3 [write]

A,3D A,Z4
4

6116

CEFET-PR

Autores: Prof. Bertoldo Schneider Jr.

Prof. Fábio Kurt Schneider
Colab. Valfredo Pila

Autores: Profs. Bertoldo Schneider Jr. e Fábio Kurt Schneider; Col. Valfredo Pila
v.3.0 / 2002
Memórias Semicondutoras
Eln. Digital / Tec.Eletrônica-CEFET-PR
MEMÓRIAS SEMICONDUTORAS

1. Introdução

Com o passar do tempo o Homem desenvolveu novas maneiras de armazenamento de

dados que o auxiliou a usá-los de maneira mais eficiente. Talvez o mais notável, e com
certeza o mais evolutivo meio de armazenamento de dados inventado até hoje tenha sido o
livro impresso. À sua sombra descansam outros titãs como as marcas, inscrições e pinturas
rupestres, o alfabeto, o Dagarreótipo, a fotografia, os filmes, dispositivos magnéticos e
ópticos, para falar pouco.
Hoje em dia, existem várias maneiras de se armazenar dados como, por exemplo,
através de fita magnética (memória do tipo sequencial), através de circuitos biestáveis (flip-
flop tipo D, e.g.), através de cargas elétricas sobre capacitores, através da modificação de
índices ópticos de superfícies e sólidos, através de modificação do estado quântico de uma
molécula ou átomo, etc. Na linha evolutiva das memórias utilizadas em computadores
pode-se citar as fitas K-7, fitas perfuradas de papel, cartões perfurados, memória de
tambor, matrizes de mini-toróides magnéticos, discos magnéticos, mídias ópticas e as
famosas memórias em estado sólido. As memórias em estado sólido (ou semicondutoras)
são conhecidas por este nome pelo fato de não terem partes móveis. Nos idos de 40 e 50
estabeleceu-se o que se conhecia por “lei do transistor”: quanto menor a quantidade de
partes móveis, melhor é a máquina. Com certeza isso foi verdade no caso das memórias de
computador.
A memória semicondutora produzida com componentes de estado sólido, é um dos
tipos de memórias mais utilizados em circuitos digitais atualmente. Este tipo de memória
divide-se, basicamente em 2 tipos: RAM (Random Access Memory) e ROM (Read Only
Memory). Uma memória qualquer tem que ter no mínimo uma via através da qual possa se
se faça um acesso a um dado específico (barramento de endereçamento), uma via por
onde os dados possam entrar e/ou sair (barramento de dados) e uma via através da qual se
possa controlar outros aspectos da memória (barramento de controle). Deste modo,
detalha-se a seguir os três tipos de barramentos das memórias:

- Barramento de dados (Data Bus) → permite a entrada (escrita) e/ou saída

(leitura) dos dados. Em grande parte dos circuitos integrados de memórias uma
mesma linha física é utilizada como entrada e como saída (nunca
simultaneamente, claro), diminuindo pela metade o número de pinos necessários
para a transferência de dados.
- Barramento de endereçamento (Address Bus) → permite que uma posição de
memória seja acessada através da combinação de zeros e uns neste barramento.
- Barramento de Controle (Control Bus) → é um conjunto de linhas que
permitem controles do tipo: habilitação do C.I. para o funcionamento (Chip
Enable), habilitação da operação de escrita (Write Enable), habilitação da função
de leitura (Read Enable, estas duas geralmente num único pino do tipo
Write/read), habilitação do barramento de dados, estado de stand by, estado de
saídas em alta impedância ou tri-state (Output Enable) etc.
A figura (1A) apresenta uma memória com 3 bits de linhas de endereço,
possibilitando a discriminação ou acesso a 2 3 = 8 posiçoes de memória. Cada uma das oito

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posições de memória contém uma palavra de 4 bits. Como exemplo de controles temos
uma linha de controle de escrita/leitura denominada WE – write enable (WE=0 para
escrita, WE=1 para leitura) e uma linha de habilitação do circuito denominada CS – chip
select – habilitada com nível lógico 1.

MEMO
0
Imputs
I0
I1
O0
O1 Outputs
2
} A0/7
Entradas Saídas
I2 O2 EN
I3 O3 C1

A0 A,1D
Address
Endereços A1 A,1D
A2
A,1D
A,1D

WE CS (A)
MEMO
0
Data D0
D1 2
}A0/7
Entrada/SAída D2 EN
D3
de dados C1

A0 A,1D
Address
Endereços A1 A,1D
A2
A,1D
A,1D

WE CS (B)
Figura 1

A figura (B) apresenta uma memória com as mesmas características mas que utiliza
uma mesma linha física (um pino do C. I.) como entrada e saída de dados (D0 a D3) que
também podem ser referenciadas como I/O0 a I/O3 (entrada/saída 0 a 3).

Prefixos utilizados desde dezembro de 1998 (IEC) para multiplos binários:

Fator Nome Símbolo Origem 2n Valor Derivação

210 kibi Ki kilobinary (210)1 1.024 kilo (103)1
220 mebi Mi megabinary (210)2 1,05e6 mega (103)2
230 gibi Gi gigabinary (210)3 1,07e9 giga (103)3
240 tebi Ti terabinary (210)4 1,10e12 tera (103)4
250 pebi Pi petabinary (210)5 1,13e15 peta (103)5
260 exbi Ei exabinary (210)6 1,15e18 exa (103)6

Doravante, então, ter-se-ão as seguintes denominações:

Um kibibit vale 1024 bits enquanto que um kilobit vale 1000 bits;
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Um GiB vale 1.073.741.824 Bytes enquanto um GB vale 1.000.000.000 Bytes.

Ainda, para comparação, tem-se as seguintes unidades SI:

Fator Nome Símbolo

yocto y 10-24
zepto z 10-21
atto a 10-18
femto f 10-15
pico p 10-12
nano n 10-9
micro µ 10-6
mili m 10-3
centi c 10-2
deci d 10-1
deka da 101
hecto h 102
kilo k 103
mega M 106
giga G 109
tera T 1012
peta P 1015
exa E 1018
zetta Z 1021
yotta Y 1024

Algumas Definições:

Tempo de acesso: tempo necessário para se acessar o dado desde o instante em que a
busca começa até o instante em que os dados estão estáveis no barramento e podem ser
lidos.
Taxa de transferência.- velocidade com que os dados podem ser transferidos de ou para
um dispositivo de amazenamento de dados.
Confiabilidade: A confiabilidade é maior quanto menor for a taxa de falhas típica.
Capacidade de memória: é o número total de bits que o dispositivo pode armazenar. Pode
ser expresso de várias formas: ex.- 2048 bits; 2kb ou 256 Bytes.
Organização de memória: é a maneira com que os bits estão organizados na memória.
Geralmente é fornecido como sendo o número-de-posições-de-memória versus o-
número-de-bits-por-posição, como por exemplo 2kB, ou seja, 2x1024 Bytes ou 2048x8
bits.
Memórias voláteis: São memórias que perdem o conteúdo retido quando deixam de ser
alimentadas (RAM’s).
Memórias não voláteis: São memórias que retêm a informação mesmo quando não estão
alimentadas (ROM’s). Dentre as memórias não voláteis, sobresai-se as memórias
permanentes de computadores, que retêm programas de BIOS, SETUP e DIAGNÓSTICO
fabricadas pelos AWARD, PHOENIX, AMI etc.
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Terminologia em organização de memórias:

1k x 4 → Diz respeito à organização, ou seja, existem (1k em informática, antes da
norma IEC, era igual a 210 ou 1024) 1024 posições com uma palavra de 4 bits em cada uma
(capacidade de 4096 bits). O termo correto agora seria 1kibi x 4, ou um kibinybble
(quibinii’bôu).

2. Características de Memórias

2.1. Endereçamento
Para cada posição de memória deve haver uma linha de habilitação para possibilitar a
escrita ou a leitura. Isto significa que se nenhum artifício fosse utilizado para fazer o
endereçamento de uma memória com 64 posições, só para endereçamento seriam
necessários 64 pinos. Para minimizar a estrutura externa de um C. I. de memória utiliza-se
um decodificador interno que possibilita a habilitação de até 2 n posições a partir de n pinos
(linhas) externos para endereçamento. Na figura 2 (estrutura de uma RAM) pode-se
observar a decodificação.
Somente um registrador (ou conjunto de registradores) estará habilitado por vez e
consequentemente, somente uma única posição poderá. A cada instante, ser acessada para
se efetuar a escrita ou a leitura de um dado ou conjunto de dados.

*
registrador registrador registrador registrador
& EN & EN & EN & EN

registrador registrador registrador registrador

& EN & EN & EN & EN
A0
A1 DEC

registrador registrador registrador registrador

& EN & EN & EN & EN

registrador registrador registrador registrador

& EN & EN & EN & EN

A2
A3 DEC

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2.2. Operações de leitura e escrita
Para qualquer uma dessas operações primeiro deve -se colocar na linha de
endereçamento a combinação de 0's e 1's que determina a posição em que se deseja
escrever (ou de onde se deseja ler) um dado e em seguida habilitar a operação de escrita
(ou leitura).

3. RAM
-RAM (Random Access Memory) → memória de acesso aleatório (acesso direto
seria mais apropriado), isto é, a escrita ou leitura de um dado não precisa ser feita de
maneira sequencial. Memórias tipo RAM são utilizadas para escrita e leitura de dados e são
voláteis, ou seja, ao ser desenergizada perde a informação armazenada (pode ser
contornado utilizando-se de um uninterruptable power supply (UPS) junto a mesma). É
aplicada em sistemas digitais como memória de trabalho (como é o caso da memória RAM
utilizada em microcomputadores onde será carregado programas executáveis, dados a
serem computados, etc).

3.1. Memórias RAM Estáticas e Dinâmicas

As memórias do tipo RAM podem ser estáticas (SRAM) ou dinâmicas (DRAM).
Nas memórias estáticas as células de armazenamento são flip-flops do tipo D ou elementos
biestáveis e uma vez escrito um dado, este permanece estável até que um outro dado seja
escrito ou a alimentação seja retirada (por isso a denominação estática). Nas memórias do
tipo dinâmica as células são microcapacitores (intrínsecos) que armazenam a informação
em forma de carga capacitiva, isto é, se o capacitor estiver carregado tem-se nível lógico 1,
se estiver descarregado tem-se nível lógico 0. Este tipo de memória exige um processo
chamado refresh (recarga ou refrescamento de memória) em função do fato de que um
capacitor dentro de um circuito integrado perder sua carga através de acoplamentos
resistivos e capacitivos com os substratos ao seu redor. O processo de refresh consiste na
verificação periódica da carga do capacitor (tipicamente umas 67000 vezes por segundo),
caso esteja acima de um nível (limiar de nível 1) o capacitor é recarregado, caso esteja
abaixo de um nível menor que o anterior (limiar de nível 0) não é refeita a carga, isto é,
assume-se que a informação que estava armazenada era um "0".
As RAMs estáticas são usadas como CACHE porque são mais rápidas, com tempos de
acesso típicos de 8 a 15 ns, enquanto nas DRAMs tem-se tempos de 50 a 60 ns. As DRAMs
podem ser integradas em grande escala e são muito mais baratas, razões pelas quais são
estas as usadas para a memória de trabalho do micro-computador.

3.1.1. Padrões de encapsulamento

SIMM, Single Inline Memory Module

8bits 30 pinos 16MB máximo
16bits 72 pinos 64MB máximos

DIMM Dual Inline Memory Module

64 bits 168 pinos 512MB máximos

3.1.2. Memórias Cache

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As memórias Cache são do tipo DRAM e podem ser internas (nível 1) ou externas
(nivel 2). A principal diferença e que a interna trabalha com o clock interno do
microprocessador e a externa trabalha com o clock externo. Por exemplo, um K6-II 450
MHz tem clock interno de 450 MHz e externo de 100 MHz, com fator multiplicativo de
4,5. A Cache externa trabalha 4,5 vezes mais lentamente que a interna, neste caso.

3.1.3. Memórias Tag

São memórias (Chips de memória) cuja função é a de servirem de diretória para uma
memória Cache ou para um pente de memória.

3.2. Estrutura básica de uma memória RAM

A figura abaixo apresenta a estrutura básica de uma memória RAM com 16 células
de armazenamento e com buffers para os dados de saída. Como exercício, desenhar um
sistema de endereçamento para a) 2x8;

D Q D Q D Q D Q
EN EN EN EN
C C C C

D Q D Q D Q D Q
EN EN EN EN
C C C C

D Q D Q D Q D Q
EN EN EN EN
C C C C

D Q D Q D Q D Q
EN EN EN EN
C C C C

b) 4x4 e
D Q D Q D Q D Q
EN EN EN EN
C C C C

D Q D Q D Q D Q
EN EN EN EN
C C C C

D Q D Q D Q D Q
EN EN EN EN
C C C C

D Q D Q D Q D Q
EN EN EN EN
C C C C

c) 8x2.

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D Q D Q D Q D Q
EN EN EN EN
C C C C

D Q D Q D Q D Q
EN EN EN EN
C C C C

D Q D Q D Q D Q
EN EN EN EN
C C C C

D Q D Q D Q D Q
EN EN EN EN
C C C C

0 SRAM

A0/2047

A0
SRAM 6116
10 . 2K X 8
I/O0
[PWRDWM] .
G1 .
G2

1,2EN [read] A10

1C3 [write]
PWRDWN/CS
A,3D A,Z4 OE I/O7
4
R/W

RAM estática 6116.

3. ROM, PROM, EPROM, EEPROM e FLASH

-ROM (Read Only Memory) → memória somente para leitura. Este tipo de
memória não é volátil (pode-se dezenergizá-la sem perder a informação armazenada), e é
utilizada para o armazenamento de programas e dados que serão utilizados continuamente
em um sistema sem a necessidade de alteração, como é o caso do programa BIOS (Basic
Input Output System) de um computador. O programa armazenado não necessita ser
carregado toda vez que se liga o sistema. A evolução deste tipo de memória deu origem às
memórias dos tipos PROM, EPROM, EEPROM e FLASH, discutidas mais adiante.

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3.1. ROM programada por máscara

ROM "programada" pelo fabricante. Quando se deseja uma ROM, estabelece-se o

programa interno e encomenda-se o dispositivo ao fabricante. O fabricante criará então
uma máscara que determinará as conexões elétricas de uma matriz de elementos
semicondutores (diodos fusíveis) para produzir o chip encomendado. Este processo é caro,
sendo viável somente para construção em larga escala.

3.2. ROM programável (PROM)

A PROM é uma ROM programável uma única vez, pelo usuário. Este tipo de
memória é comprada virgem e o usuário efetua a gravação através de um gravador de
PROMs. A memória é uma matriz de diodos e a gravação mantém ou queima um "diodo-
fusível" desta matriz padrão, conforme se queira o 1 ou o 0 numa determinada posição..
Exemplos Comerciais: 74186 (64x8) → tempo de acesso ≈ 50 ns;
TMS27C256 (32kx8) → tempo de acesso ≈ 120 a 250 ns;

+5V +5V +5V +5V

A0 +5V +5V +5V +5V

A1

+5V +5V +5V +5V

+5V +5V +5V +5V

D3 D2 D1 D0

3.3. ROM programável Apagável (EPROM)

A EPROM é o tipo de ROM mais utilizada. Igualmente à PROM, é uma matriz

virgem que pode ser gravada. A diferença é que ela pode ser “apagada” (ou recondicionada
ao seu estado “virgem”) através de radiação ultravioleta (UV). Esta memória tem uma
janela de quartzo, transparente ao UV, para este fim. Num dia ensolarado de verão, com Sol
do meio dia, pode-se apagar uma EPROM em uns vinte minutos, se esta for colocada sob os
raios do Sol. Normalmente são utilizadas lâmpadas fluorescentes sem a camada de cristais
de fósforo para apagar EPROMS. O tempo típico de apagamento através de um dispositivo
apagador de EPROMs é de 15 a 20 minutos.

Existem vários e baratos dispositivos no mercado capazes de gravarem os mais

variados tipos de EPROM. Esta memória é por definição somente para leitura e sua
gravação inicial é efetuada através de tensões bem acima de sua tensão nominal de
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funcionamento (5V). É muito importante saber a tensão exata de gravação de uma memória.
Tipicamente a tensão tem passos de 0,5 volts e vai de 8 a 28 volts. Atualmente esta tensão
tende a ficar num valor padronizado pela maioria dos fabricantes, mas ainda existem muitos
problemas de diferenças de tensões de gravação.

3.4.1. ROM programável apagável eletricamente (EEPROM=E2PROM)

É idêntica à EPROM, com a vantagem adicional poder ser apagada ou reprogramada

eletricamente. Muito utilizada em sistemas de BIOS juntamente com as RAMs-não-
voláteis.

3.4.2. FLASH

São memórias permanentes utilizadas geralmente em computadores e no interior de

microcontroladores, cuja função é a de guardar os programas principais das máquinas. Ao
contrário das outras ROM’s, esta pode funcionar com tensão de gravação de 5,0 volts.

3.5. Aplicações:
a) FirmWare; b) BootStrap; c) Tabela de Dados; d) Conversores de Dados; e) Geradores de
caracteres; f) Geradores de funções etc.

3.6. Memórias: algumas definições e comentários:

Acessar uma memória em estado sólido é mais rápido do que acessar um disco
rígido. O comum é passar arquivos muito acessados para memória em estado sólido e
deixar outros arquivos em disco (CDs etc). Um índice é um bom exemplo de um arquivo
muito acessado.
Por exemplo, um processamento de vídeo com 30 frames por segundo requer
aproximadamente 27MB/s; alta resolução (1280x1024) aproximadamente 120 MB/s e alta
definição, cerca de 190 MB/s.

As DRAMs representam 50-80% do custo total de um sistema de memória. A

capacidade da DRAM tem se quadruplicado a cada 3 anos. Neste passo, em 2002 uma
simples DRAM terá capacidade de 1Gbit. O preco por bit está caindo 30% a cada ano.
A RAM pode ser comparada com a memória de curto termo dos humanos e o HD a
memória de longo termo

Comparar capacidades atuais de HD e MEMÓRIAS

início dos anos 90 50USD/1MB
out/2000 66USD/64MB
dez/2001 33USD/128MB
ou seja, em uma década as memórias de massa ficaram quase 200 vezes mais baratas.

Comumente um computador tem uns 64 MB de RAM mas pode-se acrescentar mais,

conforme o desejo do usuário e a capacidade da placa. Quando se tem mais memória, o
sistema precisa executar menos vezes as operações de busca de dados no HD, atividade

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muito mais lenta que o acesso à memória. Por este motivo é que os programas são
transferidos para a RAM para serem processados.

O termo memória de acesso direto seria mais apropriado do que acesso aleatório. A própria
IBM prefere o primeiro ao segundo.

As memórias do tipo ROM, PROM, EPROM são mais caras e, por isso, existem em menor
quantidade no computador. Num computador existe somente a quantidade de ROM (não é
volátil) suficiente para conter um programa que faça o sistema operacional ser carregado
(do disco) para a RAM, toda vez que o computador é ligado.

A SRAM é mais cara, 4 vezes mais volumosa, não precisa de refresh, seu acesso é no pior
caso em 25ns e a DRAM é de 60 ns (atualmente as velocidades absolutas mudam muito
mais rapidamente do que a relação de velocidades. A memória PC 133 já funciona com
tempos de acesso da ordem de 7,5 ns). A DRAM é mais barata e por isso mais utilizada nos
computadores, mesmo sendo quase três vezes mais lenta.
A SRAM é usada principalmente para caches de nível 1 (embarcada no chip do
microprocessador) e 2 (primeiro nível da memória RAM externa), onde o
microprocessador olha antes de procurar na DRAM
Burst or SynchBurst SRAM (sincronizada com o sistema de clock) facilita a sincronização
com os dispositivos que a acessam
Fast page mode DRAM (FPM DRAM). Page mode DRAM essencialmente acessa uma
fileira (linha ou conjunto) de RAM acessando-a sem ter que continuamente ficar
reespecificando esta linha. Ou fileira. Row access strobe (RAS) do conjunto fica ativo
enquanto o column access strobe (CAS) é acionado para captura do dado. Isto reduz o
tempo de acesso e a potência requerida
Enhanced DRAM (EDRAM) (uma combinação de DRAM e SRAM usada para cache (nivel
2) Neste caso, o processador procura primeiro no banco estático (tipicamente 256B) e se
não acha lá vai procurar na parte dinâmica, 3 vezes mais lenta.
Extended Data Output RAM ou DRAM (EDO RAM ou EDO DRAM)
Cerca de 25% mais rápida que a DRAM normal, reduz a necessidade de memórias (de nivel
2) cache.
Burst Extended Data Output DRAM (BEDO DRAM) um pouco mais lenta no acesso da
fileira que a FPM DRAM, mas mais rápida depois, na hora do acesso a dados da mesma
fileira. Não é muito usada.
Ram não volátil (NVRAM) alimentada por uma bateria do computador ou internada no
encapsulamento.
Synchronous DRAM (SDRAM) nome genérico dado a DRAMs que estão sincronizadas
com o mesmo clock que o processador está usando externamente. Isto aumenta o número
de instruções que o processador pode efetuar num dado tempo. Neste tipo, era comum
falar-se de RAMs de 83 MHz no lugar das de 12 ns, pois a frequência externa do
processador era a informação mais relevante.
Double data rate SDRAM teoricamente aumenta a velocidade de uma PC100 para
200MHz. Seria acionada tanto pela borda de subida quanto pela de descida do clock,
dobrando assim sua velocidade.

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Video RAM: RAM utilizada para armazenar dados de imagem do monitor de vídeo.
(VRAM). Todos os tipos de VRAM são arranjos especiais de DRAM. É, de fato, um buffer
entre o processador e o monitor, chamado de frame buffer. O processador primeiramente
lê os dados de imagem da RAM principal e passa pra a VRAM e daí os dados são
processados pela RAM DAC (veja abaixo) e passados para o monitor de video. Da VRAM,
os dados são convertidos por uma RAM digital-to-analog converter (RAMDAC) que são
enviados para o tubo de raios catódicos. Usualmente vêm em forma de 1 ou 2 MBytes. A
maioria da VRAM são dual-ported (podem ser acessadas por dois sistemas separados de
endereçamento), enquanto o processador está escrevendo uma nova imagem na VRAM, o
sistema de display está lendo do vídeo para efetuar um refresh no conteúdo atual do display.
O design dual-port é a principal diferença entre VRAM e a RAM.
Digital-to-Analogic Converter RAMDAC é um microchip que transforma imagem digital
em informação analógica necessária ao sistema de display. Combina uma pequena SRAM
contendo uma tabela de cores com três conversores D/A (DACs) (red, green, blue) cujas
saídas analógicas excitam o tubo de imagem.
Syncronous Graphics RAM (SGRAM) usada para memória de video.
Flash RAM. Tipo de RAM não volátil, como uma EEPROM. Geralmente usado para
guardar códigos como o Basic Input-Output System (BIOS), usadas também em celulares,
câmeras digitais, PC cards para notebooks etc.

Texto:
Bertoldo Schneider Jr.
Fábio Kurt Schneider
Colaborador: material coletado:Valfredo Pila.

Autores: Profs. Bertoldo Schneider Jr. e Fábio Kurt Schneider; Col. Valfredo Pila
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