ESTI010 Comunicacoes Opticas Aula05

ESTI010 - Comunicações Ópticas
Fontes Ópticas
Universidade Federal do ABC – UFABC
Centro de Engenharia, Modelagem e Ciências Sociais Aplicadas – CECS
Prof. Dr. Anderson Leonardo Sanches
anderson.sanches@ufabc.edu.br
2020 Santo André - SP 1

Agenda
Fontes ópticas
✓ Diodos emissores de luz (LEDs)
Estruturas do LED;
Materiais para fontes de luz;
Perdas por curvaturas;
Perdas no nú cleo e na casca.
✓ Diodos laser
Modos do diodo laser e condiçõ es de limiar;

Fontes ópticas
As duas classes de fontes de luz que sã o amplamente utilizadas na comunicaçã o por fibras
ó pticas sã o os diodos laser estruturados em heterojunçõ es de semicondutores (també m
denominados diodos laser de injeçã o ou DL) e os diodos emissores de luz (LEDs);
A heterojunção consiste na conjugaçã o de dois materiais semicondutores com diferentes

energias de bandgap;
Esses dispositivos sã o adequados para sistemas de transmissã o por fibra, pois eles têm
potência de saída suficiente para uma ampla gama de aplicaçõ es, sua potê ncia ó ptica pode ser
diretamente modulada variando a corrente de entrada no dispositivo, possuem uma
elevada eficiência, e suas dimensões são compatíveis com as da fibra óptica;
A principal diferença entre LEDs e diodos laser é que a saída óptica de um LED é
incoerente, enquanto a do diodo laser é coerente.

Fontes ópticas
Em uma fonte coerente, a energia óptica é produzida em uma cavidade ressonante ó ptica;
A energia ó ptica liberada a partir dessa cavidade tem coerência espacial e temporal, o que
significa que é altamente monocromática e que o feixe de saída é muito direcional;
Em uma fonte incoerente de LED, nã o existe cavidade ó ptica para a seletividade de
comprimento de onda;
A radiaçã o de saída tem uma largura de espectro ampla, uma vez que as energias de fó tons
emitidos variam ao longo da distribuiçã o de energia dos elé trons e buracos que se recombinam;
Alé m disso, a energia óptica incoerente é emitida em uma ampla regiã o elíptica de acordo com
uma distribuição cossenoidal de potência e, portanto, tem uma grande divergência do
feixe.

Fontes ópticas
Na escolha de uma fonte óptica compatível com o guia de onda ó ptica, vá rias características
da fibra, como a sua geometria, sua atenuação em funçã o do comprimento de onda, a
distorção de atraso de grupo (largura de banda) e suas características modais, devem ser
levadas em conta;
A interação desses fatores com a fonte de energia óptica, a largura espectral, o padrão de
radiação e a capacidade para modulação precisa ser considerada;
A saída ó ptica espacialmente coerente e dirigida de um diodo laser pode ser acoplada tanto em
fibras monomodo como multimodo;
Em geral, os LEDs sã o utilizados em fibras multimodo, uma vez que, normalmente, é apenas
nessas fibras que a potência óptica incoerente do LED pode ser acoplada em quantidades
suficientes para ser útil;
Contudo, os LEDs tê m sido empregados em aplicaçõ es locais de alta velocidade de á rea local
aplicaçõ es em que se deseja transmitir vá rios comprimentos de onda na mesma fibra.
Diodos emissores de luz (LEDs)
Para sistemas de comunicações ópticas que exigem taxas de bits inferiores a
aproximadamente 100-200 Mb/s em conjunto com potência ó ptica acoplada com fibras
multimodos de dezenas de microwatts, os diodos semicondutores emissores de luz (LEDs) sã o
geralmente a melhor opçã o de fonte de luz;
Esses LEDs necessitam de circuitos de acionamento menos complexos do que os diodos

laser, pois nã o sã o necessá rios circuitos de estabilizaçã o té rmica ou ó ptica, e podem ser
fabricados com menores custos e rendimentos mais elevados;

✓ Estruturas do LED
Para ser ú til em aplicaçõ es de transmissã o por fibra ó ptica, um LED deve ter alta radiância de
saída, um rápido tempo de resposta de emissã o e uma eficiência quântica elevada;
Sua radiância (ou brilho) é uma medida, em watts, da potência ó ptica irradiada para uma uni
dade de ângulo só lido por unidade de á rea da superfície emissora;
Altas radiâncias sã o necessá rias para acoplar níveis suficientemente elevados de potência
ó ptica em uma fibra;
O tempo de resposta da emissão é o atraso de tempo entre a aplicaçã o de um impulso de

corrente e o início da emissã o ó ptica;
Esse intervalo de tempo é o fator que limita a largura de banda com a qual a fonte pode ser
modulada diretamente pela variaçã o da corrente injetada;
A eficiência quântica está relacionada à fração de pares elétron-buraco injetados que
recombinam radiativamente;
Para alcançar uma alta radiância e uma elevada eficiência quântica, a estrutura do LED tem de
fornecer um meio de confinar os portadores de carga e a emissão óptica estimulada na
região ativa da junção pn, onde a recombinaçã o radiativa ocorre;
O confinamento de portadores é utilizado para atingir um alto nível de recombinação

radiativa na regiã o ativa do dispositivo, o que produz uma elevada eficiência quântica. O
confinamento ó ptico é de grande importância para a prevenção da absorção da radiação
emitida pelo material ao redor da junçã o pn;
Para obter um confinamento ó ptico e de portadores, configuraçõ es de LED como homojunçõ es

e heterojunçõ es simples e duplas foram amplamente investigadas

A estrutura mais eficaz é a configuração mostrada na Figura 1, denominada dispositivo de
dupla heteroestrutura (ou heterojunçã o) devido à s duas camadas de ligas diferentes em cada
lado da regiã o ativa;
Por meio dessa estrutura de sanduíche de camadas compostas por ligas diferentes, os
portadores e o campo óptico são confinados na camada central ativa;
As diferenças de bandgap das camadas adjacentes confinam os portadores de carga

(Figura 1b), enquanto as diferenças entre os índices de refração das camadas adjacentes
confinam o campo óptico para a camada central ativa (Figura 1c);
Esse confinamento duplo leva à eficiência elevada e alta radiância;

Figura 1. (a) Desenho em corte transversal

(semescala) de um típico emissor de luz de
dupla heteroestrutura de GaAIAs. Nessa
estrutura, x > y para providenciar tanto
confinamento para os portadores como
guia de orientaçã o ó ptica;
(b) diagrama de banda de energia que
mostra a regiã o ativa, e as barreiras de
elé trons e buracos que confinam os
portadores de carga para a camada ativa;
(c) variaçõ es no índice de refraçã o; o
menor índice de refraçã o do material nas
regiõ es 1 e 5 cria uma barreira ó ptica em
torno da regiã o de guia de ondas.

As duas configurações básicas de LED utilizadas para as fibras ó pticas sã o os emissores de
superfície (també m chamados emissores de Burrus ou frontais) e os de emissão lateral;
No emissor de superfície, o plano da região ativa de emissã o de luz é orientado

perpendicularmente ao eixo da fibra como na Figura 2;
Nessa configuraçã o, um poço é gravado através do substrato do dispositivo, no qual uma

fibra é então colada a fim de coletar a luz emitida;
A á rea ativa circular dos emissores de superfície reais é nominalmente de 50 μm de diâmetro e

até 2,5 μm de espessura;
O padrão de emissão é essencialmente isotrópico com uma largura de feixe de meia

potência de 120°.

Esse padrã o isotró pico de um emissor de superfície é chamado de padrão lambertiano;
Nesse padrã o, o brilho da fonte é igual quando visto de qualquer direção, mas a potência
diminui como 𝒄𝒐𝒔 𝜽, onde θ é o ângulo entre a direçã o do observador e a normal à superfície
(isto é , porque a á rea projetada que vemos diminui como cos 𝜃);
Assim, a potência diminui para 50% de seu pico quando 𝜃 = 60°, de modo que a largura total
de meia potência do feixe é de 120°;

Figura 2. Esquema (sem escala) de um LED de emissã o de superfície de alta radiância.

A regiã o ativa é limitada a uma seçã o circular com uma á rea compatível com a face da extremidade do nú cleo da
2020 Santofibra.
André - SP 13
O LED de emissão lateral representado na Figura 3 é composto de uma região de junção
ativa, que é a fonte de luz incoerente, e de duas camadas de orientação;
Ambas as camadas de orientação têm um índice de refração mais baixo do que o da região
ativa, mas mais elevado do que o índice do material ao redor;
Essa estrutura forma um canal de guia de onda que dirige a radiaçã o ó ptica para o nú cleo da
fibra;
Para coincidir com os típicos diâmetros dos nú cleos das fibras (50-100 μm), as listras de
contato do emissor de borda possuem largura de 50-70 μm;
Os comprimentos das regiõ es ativas geralmente variam de 100-150 μm;
O padrã o de emissã o lateral é mais direcional do que o de um emissor de superfície, como

ilustra a Figura 3.
Figura 3. Esquema (sem escala) de um LED de emissã o lateral de dupla heterojunçã o;

O feixe de saída é lambertiano no plano da junçã o pn (𝜃| | = 120°) e altamente direcional perpendicular à junçã o pn.
No plano paralelo ao da junçã o, em que nã o existe um efeito de guia de onda, o feixe emitido é
lambertiano (variando conforme cos θ) com uma largura de meia potência de 𝜃|| = 120°;
No plano perpendicular ao da junçã o, o feixe de meia potência 𝜃⊥ foi feito tã o pequeno quanto
25-35° por uma escolha apropriada da espessura do guia de ondas.

✓ Materiais para fontes de luz
O material semicondutor que é usado para a camada ativa de uma fonte ó ptica deve ter um
bandgap direto;
Em um semicondutor de bandgap direto, elétrons e buracos podem recombinar

diretamente atravé s do bandgap sem precisar de uma terceira partícula para conservar
momento;
Apenas em materiais de bandgap direto, a recombinação radiativa é suficientemente

elevada para produzir um nível adequado de emissão óptica;
Apesar de nenhum dos semicondutores normais de um ú nico elemento ser material de gap
direto, muitos compostos biná rios sã o;
Os mais importantes desses compostos sã o feitos de materiais III-V. Isto é , os compostos
consistem em seleçõ es a partir de um elemento de grupo III (por exemplo, Al, Ga, ou In) e um
elemento do grupo V (por exemplo, P, As, ou Sb).

Vá rias combinaçõ es terná rias e quaterná rias de compostos biná rios desses elementos també m
sã o materiais de gap direto e candidatos adequados para fontes ó pticas;
Para operação no espectro de 800-900 nm, o principal material usado é uma liga ternária
de 𝐆𝐚𝟏–𝒙 𝐀𝐥𝒙 𝐀𝐬;
A razão x de arseneto de alumínio para o arseneto de gálio determina o bandgap da liga e,

correspondentemente, o comprimento de onda do pico da radiação emitida;
O valor de x para o material da á rea ativa é normalmente escolhido para ter um comprimento
de onda de emissã o entre 800 e 850 nm;
Um exemplo do espectro de emissã o de um LED de 𝐆𝐚𝟏–𝒙 𝐀𝐥𝒙 𝐀𝐬 com x = 0,08 é mostrado na

Figura 4;

Figura 4. Padrã o de emissã o espectral de um LED representativo de Ga1–𝑥 Al𝑥 As com x = 0,08;
A largura do padrã o espectral no seu ponto de meia potência é de 36 nm.
As ligas de GaAlAs e InGaAsP sã o escolhidas para fazer fontes de luz semicondutoras, porque é
possível casar os parâmetros de rede das interfaces das heteroestruturas usando uma
combinaçã o apropriada de materiais biná rios, terná rios e quaterná rios;
Um casamento muito próximo entre os parâmetros de rede cristalina de duas

heterojunçõ es adjacentes é necessá rio para reduzir os defeitos de interface e minimizar as
tensões no dispositivo com a variaçã o de temperatura;
Esses fatores afetam diretamente a eficiência radiativa e a vida ú til de uma fonte de luz;
Usando a relaçã o fundamental da mecânica quântica entre energia 𝐸 e frequência 𝜈,
ℎ𝑐 (1)
𝐸 = ℎ𝑣 =
𝜆

o comprimento de onda do pico de emissã o 𝜆 em micrômetros pode ser expresso como uma
funçã o da energia de bandgap 𝐸𝑔 em elé tron-volts pela equaçã o
1,240 (2)
𝜆 𝜇m =
𝐸𝑔 eV
As larguras espectrais 𝐅𝐖𝐇𝐌 de LEDs na regiã o de 800 nm sã o de aproximadamente 35 nm,

mas elas aumentam em materiais de comprimentos de onda mais longos;
Para os dispositivos que operam na regiã o de 1.300-1.600 nm, as larguras espectrais variam de
70-180 nm;
A Figura 5 apresenta um exemplo de dispositivos que emitem em 1.300 nm.

Figura 5. Típicos padrõ es espectrais para LEDs de emissã o lateral e de superfície em 1.310nm.
Os padrõ es se alargam com o aumento do comprimento de onda e sã o mais largos para as emissõ es de superfície..
A Tabela 1 lista as características típicas LEDs emissores de superfície (SLED) e LEDs
emissores de borda (ELED);
Os materiais utilizados nesses exemplos sã o dispositivos de GaAlAs para funcionamento em

850 nm e InGaAsP para 1.310 nm;
A potência acoplada à fibra é a quantidade de luz que pode ser captada por uma fibra
multimodo com nú cleo de diâmetro de 50 μm.
Diodos laser
Lasers possuem diversas formas com dimensõ es que vã o desde o tamanho de um grã o de sal
até um que ocupa uma sala inteira;
O meio do laser pode ser um gá s, um líquido, um cristal isolante (estado só lido) ou um
semicondutor;
Para sistemas de fibra óptica, as fontes de laser usadas sã o quase exclusivamente diodos
laser semicondutores;
Eles sã o semelhantes aos outros lasers, como os convencionais lasers de estado só lido e de gá s,
nos quais a radiação emitida tem coerência espacial e temporal, isto é , a radiaçã o de saída é
altamente monocromática, e o feixe de luz, muito direcional;
Apesar das diferenças, o princípio bá sico de funcionamento é o mesmo para cada tipo de laser.

Diodos laser
A açã o laser é o resultado de três processos fundamentais: absorção de fótons, emissão
espontânea e emissão estimulada;
Esses três processos sã o representados pelos simples diagramas de dois níveis de energia da
Figura 6, onde 𝐸1 é a energia do estado fundamental, e 𝐸2 , a energia do estado excitado.
Figura 6. Os três principais processos de transiçã o envolvidos na açã o do laser.

O círculo aberto representa o estado inicial do elé tron, e o ponto cheio, o estado final;
os fó tons incidentes sã o mostrados no lado esquerdo de cada diagrama,e os fó tons emitidos no lado direito.
Diodos laser
De acordo com a lei de Planck, uma transição entre esses dois estados envolve a absorção
ou emissão de um fóton de energia ℎ𝜈12 = 𝐸2 – 𝐸1 ;
Normalmente, o sistema está no estado fundamental;
Quando um fóton de energia ℎ𝜈12 interage com o sistema, um elétron no estado 𝐸1 pode
absorver a energia do fóton e ser excitado para o estado 𝐸2 , como na Figura 6a;
Uma vez que este é um estado instável, o elétron rapidamente retorna ao estado
fundamental, emitindo assim um fó ton de energia ℎ𝜈12 ;
Isso ocorre sem qualquer estímulo externo e é chamado de emissão espontânea;
Essas emissões são isotrópicas e de fase aleatória e, assim, aparecem como uma saída de
banda gaussiana estreita.

Diodos laser
O elétron pode também ser induzido a fazer uma transição a partir do nível excitado
para o nível do estado fundamental por um estímulo externo;
Como mostrado na Figura 6c, se um fóton de energia ℎ𝜈12 incide sobre o sistema, enquanto o
elétron ainda está em seu estado excitado, o elétron é imediatamente estimulado a cair
para o estado fundamental e emite um fóton de energia ℎ𝜈12 ;
Esse fóton emitido está em fase com o fóton incidente, e a emissã o resultante é conhecida
como emissão estimulada;
Em equilíbrio térmico, a densidade de elétrons excitados é muito pequena;
Logo, mais fótons incidentes no sistema são absorvidos de modo que a emissão estimulada
é essencialmente insignificante;

Diodos laser
A emissão estimulada excederá a absorção somente se a população dos estados excitados
for maior do que a do estado fundamental;
Essa condiçã o é conhecida como inversão de população;
Uma vez que nã o se trata de uma condiçã o de equilíbrio, a inversã o de populaçã o é alcançada
por várias técnicas de “bombeamento”;
Em um laser semicondutor, a inversã o de populaçã o é realizada pela injeção de elétrons

dentro do material pelos contatos do dispositivo ou por meio de um mé todo de absorçã o
ó ptica por meio de fó tons injetados externamente;

Diodos laser
✓ Modos do diodo laser e condições de limiar
Para os sistemas de comunicaçõ es de fibra ó ptica que necessitam de larguras de banda

superiores a 200 MHz, o diodo laser de injeçã o semicondutor é preferido em relaçã o ao LED;
Os diodos laser normalmente têm tempos de resposta inferiores a 1 ns, podem ter larguras
espectrais de 2 nm ou menos e sã o capazes de acoplar de dezenas a centenas de miliwatts de
energia luminescente ú til para fibras ó pticas com nú cleos pequenos e pequenos diâmetros de
campo modal;
A radiação em um tipo de configuraçã o de diodo laser é gerada no interior de uma cavidade

ressonante de Fabry-Perot mostrada na Figura 7, como na maioria dos outros tipos de lasers;
Aqui, a cavidade é de cerca de 250-500 μm de comprimento, 5-15 μm de largura e 0,1-0,2 μm de

espessura. Essas dimensõ es sã o comumente denominadas dimensõ es longitudinal, lateral e
transversal da cavidade, respectivamente.

Figura 7. Cavidade ressonante de Fabry-Perot para um diodo laser.

Diodos laser
Como ilustra a Figura 8, dois espelhos planos parcialmente refletores sã o direcionados um
para o outro para fechar a cavidade Fabry-Perot;
Na construçã o das facetas do espelho, devem-se fazer duas fendas paralelas ao longo de planos
de clivagem natural do cristal semicondutor;
A finalidade dos espelhos é estabelecer uma forte realimentação óptica na direção

longitudinal;
Esse mecanismo de realimentação converte o dispositivo em um oscilador (e, portanto,

um emissor de luz) com um mecanismo de ganho que compensa as perdas ópticas no
interior da cavidade em certas frequências ó pticas ressonantes;
Os lados da cavidade sã o simplesmente formados por desbaste das bordas do dispositivo para
reduzir as emissõ es indesejadas nas direções laterais;

Figura 8. Duas superfícies espelhadas paralelas refletoras de luz definem uma cavidade ressonante de Fabry-Perot..
Diodos laser
Como a luz reflete para trá s e para dentro da cavidade Fabry-Perot, os campos elétricos da luz
interferem-se nas sucessivas idas;
Esses comprimentos de onda, que sã o múltiplos inteiros do comprimento da cavidade,

interferem construtivamente de forma que suas amplitudes se somam quando eles saem
do dispositivo atravé s da faceta do lado direito;
Todos os outros comprimentos de onda interferem destrutivamente e assim se cancelam

fora;
As frequências ópticas em que a interferência construtiva ocorre sã o as frequências de

ressonância da cavidade;
Consequentemente, os fótons emitidos espontaneamente que têm comprimentos de onda

nessas frequências ressonantes reforçam-se depois de vá rias viagens atravé s da cavidade,
de modo que seu campo óptico se torna muito intenso;
Diodos laser
Os comprimentos de onda ressonantes são chamados de modos longitudinais da
cavidade porque ressoam ao longo do comprimento da cavidade;
A Figura 9 ilustra o comportamento dos comprimentos de onda de ressonância para três

valores de refletividade do espelho;
Os grá ficos dã o a intensidade relativa em funçã o do comprimento de onda relativo ao

comprimento da cavidade;
Como pode ser visto pela Figura 9, a largura das ressonâncias depende do valor da
refletividade;
Isto é , as ressonâncias tornam-se mais acentuadas conforme a refletividade aumenta.

Figura 9. Comportamento dos comprimentos de onda ressonantes em uma

cavidade de Fabry-Perot para três valores de refletividade do espelho.
2020 . - SP
Santo André 35
Diodos laser
Em outro tipo de diodo laser, normalmente referido como laser de realimentação
distribuída (DFB), nã o sã o necessá rias facetas clivadas para a realimentaçã o ó ptica;
Uma configuraçã o típica de laser DFB é mostrada na Figura 9;
A fabricaçã o desse dispositivo é semelhante aos tipos de Fabry-Perot, com exceçã o de que a
ação de laser é obtida a partir de refletores de Bragg (ou grades) ou variaçõ es perió dicas no
índice de refraçã o (chamadas de ondulaçõ es de realimentaçã o distribuídas), que sã o
incorporados na estrutura de mú ltiplas camadas ao longo do comprimento do diodo;

Diodos laser
Figura 10. Estrutura de um diodo laser de realimentaçã o distribuída (DFB).

.
Diodos laser
A radiação óptica no interior da cavidade de ressonância de um diodo laser estabelece um
padrã o de linhas de campo elé trico e magné tico chamado de modos da cavidade;
Esses modos podem ser convenientemente separados em dois conjuntos independentes de

modos transversal elétrico (TE) e transversal magnético (TM);
Cada conjunto de modos pode ser descrito em termos das variaçõ es dos campos
eletromagnéticos longitudinais, laterais e transversais semissenoidais ao longo dos eixos
principais da cavidade;
Os modos longitudinais estão relacionados com o comprimento 𝑳 da cavidade e

determinam a estrutura principal do espectro de frequência da radiaçã o ó ptica emitida;
Uma vez que 𝐿 é muito maior do que o comprimento de onda do laser de cerca de 1 μm, muitos
modos longitudinais podem existir.

Diodos laser
Os modos transversais estão associados com o campo eletromagnético e perfil do feixe na
direçã o perpendicular ao plano da junçã o pn;
Esses modos sã o de grande importância, uma vez que determinam, em grande parte, as
características do laser, como o padrão de radiação (a distribuiçã o transversal angular da
potência ó ptica de saída) e a densidade de corrente de limiar;
Para determinar as condiçõ es de laser e as frequências de ressonância, expressamos a

propagaçã o de ondas eletromagnéticas na direção longitudinal (ao longo do eixo normal
aos espelhos) em termos do fasor campo elé trico
𝐸 𝑧, 𝑡 = 𝐼 𝑧 𝑒 𝑗 𝜔𝑡−𝛽𝑧 (3)
onde 𝐼(𝑧) é a intensidade do campo ó ptico; 𝜔, a frequência ó ptica angular; e 𝛽, a constante de

propagaçã o.

Diodos laser
Lasing é a condição em que a amplificação de luz torna-se possível no diodo laser;
O requisito para o efeito laser é que uma inversão de população seja alcançada;
Essa condiçã o pode ser compreendida considerando a relaçã o fundamental entre a intensidade
do campo ó ptico 𝐼, o coeficiente de absorçã o 𝛼𝜆 e o coeficiente de ganho 𝑔 no interior da
cavidade de Fabry-Perot;
A taxa de emissão estimulada para um dado modo é proporcional à intensidade da

radiação em tal modo. A intensidade de radiaçã o para um fó ton de energia ℎ𝜈 varia
exponencialmente com a distância 𝑧 que atravessa ao longo da cavidade na condiçã o de laser,
de acordo com a relaçã o
𝐼 𝑧 = 𝐼 0 𝑒𝑥𝑝 Γ𝑔 ℎ𝑣 − 𝛼ത ℎ𝑣 𝑧 (4)
onde 𝛼ത é o coeficiente de absorçã o efetivo do material no trajeto ó ptico, e Γ, o fator de

confinamento do campo ó ptico, isto é , a fraçã o de potência ó ptica na camada ativa.
Diodos laser
A amplificação óptica dos modos selecionados é fornecida pelo mecanismo de retorno da
cavidade óptica;
Nas repetidas passagens entre os dois espelhos paralelos parcialmente refletores, uma parte
da radiação associada com os modos que possuem o mais elevado coeficiente de ganho ó ptico
é mantida e amplificada durante cada viagem através da cavidade;
O efeito laser ocorre quando o ganho de um ou de vários modos guiados é suficiente para
exceder a perda óptica durante uma ida e volta através da cavidade, isto é , z = 2L;
Durante esse trajeto, apenas as fraçõ es 𝑅1 e 𝑅2 da radiaçã o ó ptica sã o refletidas a partir das
duas extremidades do laser 1 e 2, respectivamente, onde R1 e R2 sã o as refletividades do
espelho ou coeficientes de reflexã o de Fresnel, que sã o dados por
𝑛1 − 𝑛2
2 (5)
𝑅=
𝑛1 + 𝑛2
Diodos laser
A partir dessa condiçã o de lasing, a Equaçã o (4) torna-se
𝐼 2𝐿 = 𝐼 0 𝑅1 𝑅2 𝑒𝑥𝑝 2𝐿 Γ𝑔 ℎ𝑣 − 𝛼ത ℎ𝑣 (6)
No limiar do efeito laser, uma oscilação no estado estacionário se inicia, e a magnitude e a

fase da onda sã o iguais à s da onda original. Isso leva à s condiçõ es
𝐼 2𝐿 = 𝐼 0 (7)
para a amplitude e
𝑒 −𝑗2𝛽𝐿 = 1 (8)
para a fase.

Diodos laser
A condição de apenas atingir o limiar do efeito laser é o ponto em que o ganho óptico é
igual à perda total 𝛼𝑡 no interior da cavidade. Da Equaçã o (7), essa condiçã o é
1 1 (9)
𝑔𝑡ℎ = 𝛼𝑡 = 𝛼ത + ln = 𝛼ത + 𝛼end
2𝐿 𝑅1 𝑅2
onde 𝛼end é a perda no espelho na cavidade laser;
Assim, para o efeito laser ocorrer, devemos ter o ganho 𝒈 ≥ 𝒈𝒕𝒉 ;
Isso significa que a fonte de bombeio que mantém a inversão de população tem de ser
suficientemente forte para suportar ou ultrapassar todos os mecanismos que consomem
energia no interior da cavidade laser.
O modo que satisfaz a Equaçã o (9) chega ao limiar primeiro

Diodos laser
Teoricamente, no início dessa condiçã o, toda a energia adicional introduzida no laser deve
ampliar o crescimento desse modo particular;
Na prática, vários fenômenos conduzem à excitação de mais de um modo.
A relaçã o entre a potência de saída ó ptica e a corrente de deriva do diodo é apresentada na

Figura 9;
Em correntes de diodo baixas, apenas a radiação espontânea é emitida;
Tanto o intervalo espectral como a largura lateral do feixe dessa emissã o sã o largos como os de
um LED;
Um aumento drástico e bem definido na saída de energia ocorre no limiar do efeito laser;

Diodos laser
Assim que esse ponto é atingido, a faixa espectral e a largura do feixe tornam-se estreitas
com o aumento da corrente de deriva;
A largura espectral final de cerca de 1 nm e a largura lateral do feixe totalmente estreitado de

nominais 5°-10° sã o alcançadas justamente apó s passarem o ponto de limiar;
A corrente de limiar 𝐼𝑡ℎ é convencionalmente definida pela extrapolaçã o da regiã o de laser da

curva de potência versus corrente, como se mostra na Figura 9;
Em potências elevadas, a inclinaçã o da curva diminui por causa do aquecimento de junçã o.

Figura 11. Relaçã o entre a potência ó ptica de saída e a corrente de deriva de um diodo laser.
Abaixo do limiar do efeito laser, a saída ó ptica é uma emissã o espontânea como no LED.
Diodos laser
Para as estruturas laser que possuem forte confinamento de portadores, a densidade de
corrente de limiar 𝐽𝑡ℎ para a emissã o estimulada pode, em uma boa aproximaçã o, estar
relacionada com o limiar de ganho ó ptico do laser por
𝑔𝑡ℎ = 𝛽𝐽ҧ 𝑡ℎ (10)
onde o fator de ganho 𝛽ҧ é uma constante que depende da construçã o específica do dispositivo.

Exercicios
1. A distância entre os picos adjacentes dos comprimentos de onda ressonantes em uma
cavidade de Fabry-Perot, mostrados na Figura (9), é chamada de faixa espectral livre (FSR).
Se D é a distância entre os espelhos que refletem em um dispositivo de índice de refraçã o n,
entã o, em um comprimento de onda de pico λ, a FSR é dada pela expressã o
𝜆2 (E1)
FSR =
2𝑛𝐷
Qual é a FSR em um comprimento de onda de 850 nm para uma cavidade de Fabry-Perot de
GaAs de comprimento 0,8 mm com índice de refraçã o de 3,5?
Resp: FSR = 0,129 nm
2. Considere que o espelho clivado nas extremidades de um laser de GaAs nã o é revestido e
que o meio externo é o ar. Qual é a refletividade para a incidência normal de uma onda
plana sobre a interface de GaAs-ar se o índice de refraçã o do GaAs é de 3,6?
Resp: 𝑅1 = 𝑅2 = 0,32

Exercicios
3. Suponha que, para GaAs, 𝑅1 = 𝑅2 = 𝑅 = 0,32 para facetas nã o revestidas (isto é , 32% da
radiaçã o é refletida em uma faceta) e 𝛼 ≈ 10 𝑐𝑚−1 . Qual é o ganho no limiar para um diodo
laser de 500 μm de comprimento?
Resp: 𝑔𝑡ℎ = 33 cm−1
3. Um dado laser de GaAlAs tem comprimento de cavidade ó ptica de 300 μm e uma largura de
100 μm. Em uma temperatura de funcionamento normal, o fator de ganho
𝛽ҧ = 21 × 10−3 A ⋅cm3 e o coeficiente de perda 𝛼ത ≈ 10 𝑐𝑚−1 .
Assuma a refletividade𝑅1 = 𝑅2 = 𝑅 para cada 12 extremidade. Encontre (a) a densidade de
corrente de limiar e (b) a corrente de limiar para esse dispositivo.
Resp: 𝑎) Jth = 21 × 10−3 𝐴Τ𝑐𝑚2 b) Jth = 684 mA

Agenda
Fontes ópticas
✓ Diodos laser
Equaçõ es de taxa no diodo Laser;
Eficiência quântica externa;
Frequências ressonantes;
Estruturas de diodo Laser e padrõ es de radiaçã o;
Lasers monomodo;
Modulaçã o de diodos Laser;
Largura de linha do Laser;
Modulaçã o externa;
Efeito da temperatura.

Diodos Laser
✓ Equações de taxa no diodo Laser
A relação entre a potência de saída óptica e a corrente de deriva de diodo pode ser deter-
minada examinando as equações de taxa que regulam a interação de fótons e elétrons na
região ativa;
Conforme observado anteriormente, a população total de portadores é determinada pela

injeção de portadores, recombinação espontânea e emissão estimulada;
Para uma junçã o pn com uma regiã o de confinamento de portadores de profundidade 𝑑, as

equaçõ es de taxa sã o dadas por
𝑑Φ Φ (11)
= 𝐶𝑛Φ + 𝑅𝑠𝑝 −
𝑑𝑡 𝜏fot
= emissão estimulada + emissão espontânea + perda de fótons

Diodos Laser
que rege o nú mero de fó tons Φ, e
𝑑𝑛 𝐽 𝑛 (12)
= − − 𝐶𝑛Φ
𝑑𝑡 𝑞𝑑 𝜏sp
= injeção + recombinação espontânea + emissão estimulada.
que rege o nú mero de elé trons 𝑛;
Aqui, 𝐶 é um coeficiente que descreve a força das interaçõ es ó pticas de absorçã o e emissã o; 𝑅𝑠𝑝 ,
a taxa de emissã o espontânea no modo de laser (que é muito menor do que a taxa de emissã o
espontânea total); 𝜏fot , o tempo de vida dos fó tons; 𝜏sp , o tempo de vida de recombinaçã o
espontânea; e 𝐽, a densidade de corrente de injeçã o;
As Equaçõ es (11) e (12) podem ser balanceadas considerando todos os fatores que afetam o
nú mero de portadores na cavidade laser.
Diodos Laser
A resoluçã o dessas duas equaçõ es para uma condição de estado estacionário produzirá uma
expressã o para a potência de saída;
O estado estacioná rio é caracterizado pelos lados esquerdos das Equaçõ es (11) e (12), sendo
iguais a zero;
Primeiro, a partir da Equaçã o (11), assumindo que 𝑹𝒔𝒑 é desprezível e notando que
𝒅𝚽/𝒅𝒕 deve ser positiva quando Φ é pequeno, temos
1 (13)
𝐶𝑛 − ≥0
𝜏fot
Isso mostra que 𝒏 deve exceder um valor de limiar 𝒏𝒕𝒉 para aumentar 𝚽.

Diodos Laser
Usando a Equaçã o (12), esse valor de limiar pode ser expresso em termos da corrente de limiar
𝐽𝑡ℎ necessá ria para manter uma inversã o de nível 𝑛 = 𝑛𝑡ℎ no estado estacioná rio quando o
nú mero de fó tons Φ = 0:
𝑛𝑡ℎ 𝐽𝑡ℎ (14)
=
𝜏sp 𝑞𝑑
Essa expressã o define a corrente necessária para manter uma densidade de elétrons em
excesso no laser quando a emissão espontânea é o ú nico mecanismo de decaimento.
Em seguida, consideremos as equaçõ es de taxa de fó tons e elé trons na condiçã o de estado
estacioná rio no limiar do efeito laser.

Diodos Laser
As Equaçõ es (11) e (12) tornam-se, respectivamente,
Φ𝑠 (15)
0 = 𝐶𝑛𝑡ℎ Φ𝑠 + 𝑅sp − ≥0
𝜏fot
e
𝐽 𝑛𝑡ℎ (16)
0= − − 𝐶𝑛𝑡ℎ Φ𝑠
𝑞𝑑 𝜏sp
onde Φ𝑠 é a densidade de fó tons no estado estacioná rio;
Adicionando as Equaçõ es (15) e (16), usando a Equaçã o (14) para o 𝑛𝑡ℎ /𝜏sp e resolvendo para
Φ𝑠 , obtemos o número de fótons por unidade de volume:
𝜏fot (17)
Φ𝑠 = 𝐽 − 𝐽𝑡ℎ + 𝜏fot 𝑅sp
𝑞𝑑

Diodos Laser
O primeiro termo na Equaçã o (17) é o nú mero de fótons resultantes da emissão
estimulada;
A potência desses fó tons concentra-se geralmente em um ou alguns modos;
O segundo termo nos dá os fótons gerados espontaneamente;
A energia resultante desses fó tons nã o é seletiva por modo, mas estende-se por todos os modos
possíveis do volume, que sã o da ordem de 108 modos.

Diodos Laser
✓ Eficiência quântica externa
A eficiência quântica externa diferencial 𝒏𝐞𝐱𝐭 é definida como o número de fótons emitidos
por recombinação radiativa do par elétron-lacuna acima do limiar;
Assumindo que acima do limiar o coeficiente de ganho permanece fixo em 𝒈𝐭𝐡 , 𝑛ext é dada
por
𝑛i 𝑔𝑡ℎ − 𝛼ത (18)
𝑛ext =
𝑔𝑡ℎ
Aqui, 𝑛i é a eficiência interna quântica, que nã o é uma quantidade bem definida em diodos
laser, mas a maioria das mediçõ es mostra que𝑛i ≈ 0,6 − 0,7 em temperatura ambiente.

Diodos Laser
Experimentalmente, 𝒏𝐞𝐱𝐭 é calculada a partir da região linear da curva potência óptica
emitida 𝑃 pela corrente de deriva 𝐼 ilustrada na Figura (11), o que dá
𝑞 𝑑𝑃 𝑑𝑃 m𝑊 (19)
𝑛ext = = 0,8065𝜆 𝜇𝑚
𝐸𝑔 𝑑𝐼 𝑑𝐼 m𝐴
onde 𝐸𝑔 é a energia de bandgap em elé tron-volts; 𝑑𝑃, a variaçã o incremental na potência ó ptica
emitida, em miliwatts, por um incremento 𝑑𝐼 na unidade de corrente (em miliamperes); e 𝜆, o
comprimento de onda de emissã o em micrômetros;
Para lasers semicondutores padrã o, é comum um valor de 15 − 20% por faceta para as
eficiências quânticas externas diferenciais;
Os dispositivos de alta qualidade têm eficiências quânticas diferenciais de 30% − 40%.

Diodos Laser
✓ Frequências ressonantes
Agora vamos retornar à Equaçã o (8) para examinar as frequências ressonantes do laser. A
condiçã o da Equaçã o (8) é vá lida quando
2𝛽𝐿 = 2𝜋𝑚 (20)

onde 𝑚 é um nú mero inteiro;
Usando 𝛽 = 2𝜋𝑛/𝜆 para a constante de propagaçã o da Equaçã o (8), temos

𝐿 2𝐿𝑛 (21)
𝑚= = 𝑣
𝜆Τ2𝑛 𝑐
onde 𝑐 = 𝜈𝜆.
Isso indica que a cavidade ressoa (isto é , existe um padrã o de onda estacioná ria dentro dela)
quando um número inteiro 𝒎 de meio comprimento de onda abrange a região entre os
espelhos.

Diodos Laser
Uma vez que, em todos os lasers, o ganho é em função da frequência (ou o comprimento de
onda, uma vez que 𝑐 = 𝜈𝜆), haverá um intervalo de frequências (ou comprimentos de onda)
para os quais a Equação (21) vale;
Cada uma dessas frequências corresponde a um modo de oscilação do laser;
Dependendo da estrutura do laser, qualquer nú mero de frequências pode satisfazer as

Equaçõ es (7) e (8). Assim, haverá lasers a monomodo e a multimodo;
A relação entre o ganho e a frequência pode ser considerada como tendo a forma gaussiana
𝜆 − 𝜆0 2 (22)
𝑔 𝜆 = 𝑔 0 exp −
2𝜎 2
onde 𝜆0 é o comprimento de onda no centro do espectro, 𝜎 é a largura espectral do ganho, e o
ganho má ximo 𝑔(0) é proporcional à inversã o de populaçã o.

Diodos Laser
Vamos agora estudar o espaçamento de frequências, ou comprimentos de onda, entre os
modos de um laser multimodo;
Aqui, consideramos apenas os modos longitudinais;
Note, contudo, que, para cada modo longitudinal, pode haver vários modos transversais que
surgem a partir de uma ou mais reflexões durante a propagação da onda nos lados da
cavidade;
Para determinar o espaçamento das frequências, consideremos dois modos sucessivos de

frequências 𝒗𝒎−𝟏 e 𝒗𝒎 representados pela inteiros 𝑚 – 1 e 𝑚;
Pela Equaçã o (21), temos

2𝐿𝑛 (23)
𝑚−1= 𝑣𝑚−1
𝑐
Diodos Laser
e
2𝐿𝑛 (24)
𝑚= 𝑣𝑚
𝑐
Subtraindo essas duas equaçõ es, temos
2𝐿𝑛 2𝐿𝑛 (25)
1= 𝑣𝑚 − 𝑣𝑚−1 = Δ𝑣
𝑐 𝑐
a partir da qual temos o espaçamento das frequências
𝑐 (26)
Δ𝑣 =
2𝐿𝑛
Podemos relacionar esse resultado com o espaçamento de comprimentos de onda Δλ por
meio da relaçã o Δν/ν = Δλ/λ, dando origem a
𝜆2 (27)
Δ𝜆 =
2𝐿𝑛
Diodos Laser
Figura 12. Espectro típico de um diodo laser de Fabry-Perot de GaAlAs/GaAs.

Diodos Laser
✓ Estruturas de diodo laser e padrões de radiação
Um requisito bá sico para a operaçã o eficiente dos diodos de laser é que, além do
confinamento óptico transversal e do confinamento de portadores entre as camadas de
heterojunção, o fluxo de corrente deve ser limitado lateralmente a uma faixa estreita ao
longo do comprimento do laser;
Numerosos novos mé todos de atingir esse objetivo, com variados graus de sucesso, têm sido
propostos, mas todos lutam para os mesmos objetivos de limitar o número de modos
laterais, de modo que o fenômeno laser se limite que um ú nico filamento estabilize o ganho
lateral e assegure uma corrente de limiar relativamente baixa;
A Figura 13 apresenta os três tipos básicos de métodos de confinamento óptico utilizados

para a delimitaçã o da luz laser na direçã o lateral.

Diodos Laser
Figura 13. Três estruturas fundamentais para confinar as ondas ó pticas na direçã o lateral: (a) guia de ganho
induzido; (b) guia de onda de índice positivo; (c) guia de ondas de índice negativo.
Diodos Laser
Na primeira estrutura, uma faixa estreita de eletrodo (menos de 8 μm de largura) corre ao
longo do comprimento do diodo;
A injeção de elétrons e buracos no dispositivo altera o índice de refração da camada ativa

diretamente abaixo da faixa;
O perfil desses portadores injetados cria um guia de ondas fraco e complexo que confina a luz
lateralmente;
Esse tipo de dispositivo é geralmente chamado de laser de ganho guiado;
Embora esses lasers possam emitir potências ópticas superiores a 100 mW, eles possuem
fortes instabilidades e podem ter alto astigmatismo com feixes de dois picos, como
mostrado na Figura 13a.

Diodos Laser
As estruturas mais estáveis utilizam as configuraçõ es representadas nas Figuras 13b e 13c;
Aqui, guias de onda dielétricos sã o fabricados na direçã o lateral;
As variações do índice de refração real dos vários materiais nessas estruturas controlam
os modos laterais no laser;
Assim, esses dispositivos sã o chamados lasers guiados por índice;
Se um determinado laser guiado por índice suporta apenas os modos fundamentais

transversal e longitudinal, ele é conhecido como um laser monomodo;
Tal dispositivo emite um único feixe de luz bem colimado que tem um perfil de intensidade
que é uma curva gaussiana em forma de sino.

Diodos Laser
Os lasers guiados por índice podem ter estruturas de confinamento de onda com índice
positivo ou negativo;
Em um guia de ondas de índice positivo, a região central tem um índice de refração mais
elevado do que nas regiões exteriores;
Assim, toda a luz guiada é refletida na fronteira dielé trica, como na interface nú cleo-casca de
uma fibra ó ptica;
Por meio de uma escolha apropriada da mudança no índice de refração e da largura da

região de maior índice, pode-se criar um dispositivo que suporta apenas o modo
fundamental lateral;
Em um guia de ondas de índice negativo, a região central da camada ativa tem um índice
de refração menor do que nas regiões exteriores.

Diodos Laser
Nas fronteiras dielé tricas, parte da luz é refletida, e o restante é refratado para o material
circundante e é, portanto, perdido;
Essa perda de radiação aparece no diagrama de radiaçã o de campo-distante como lóbulos

laterais estreitos em relação ao feixe principal, como mostrado na Figura 13c;
Uma vez que o modo fundamental nesse dispositivo tem uma menor perda de radiação do
que qualquer outro modo, ele é o primeiro ter a condiçã o de laser;
O laser de índice positivo é o mais popular dessas duas estruturas.

Diodos Laser
✓ Lasers monomodo
Para comunicaçõ es de longa distância em alta velocidade, sã o necessá rios lasers monomodo
que devem conter apenas um único modo longitudinal e um único modo transversal;
Dessa maneira, a largura espectral da emissão óptica será muito estreita;
Uma forma de limitar um laser para ter apenas um modo longitudinal é reduzir o
comprimento 𝑳 da cavidade até o ponto em que a separação de frequências 𝚫𝝂 dos modos
adjacentes apresentados na Equaçã o (22) seja maior do que a largura de linha da transição
do laser;
Em outras palavras, apenas um ú nico modo longitudinal cabe dentro da largura de banda de
ganho do dispositivo.

Diodos Laser
Por exemplo, para uma cavidade de Fabry-Perot, todos os modos longitudinais têm perdas
quase iguais e sã o espaçados por aproximadamente 1 nm em uma cavidade de 250 μm de
comprimento em 1.300 nm;
Quando se reduz 𝐿 de 250 μm a 25 μm, o espaçamento dos modos aumenta de 1 nm para 10

nm;
Contudo, esses comprimentos tornam o dispositivo difícil de manusear, e eles sã o limitados a
potências de saída ó ptica de apenas uns poucos miliwatts;
Alguns dispositivos alternativos foram assim desenvolvidos;
Entre eles, estã o os lasers de emissão superficial em cavidade vertical (VCSEL), estruturas
que têm uma grade construída internamente que possui seletividade de frequência.

Diodos Laser
A característica especial de um VCSEL é que a emissão de luz é perpendicular à superfície do
semicondutor, conforme ilustra a Figura 14.
Esse recurso facilita a integração de múltiplos lasers em um único chip, em matrizes de

uma ou duas dimensõ es, que os torna atraentes para aplicaçõ es em multiplexaçã o por divisã o
em comprimento de onda;
O volume da regiã o ativa desses dispositivos é muito pequeno, o que leva a correntes de limiar
muito baixas (< 100 μA);
Alé m disso, para uma potência de saída equivalente em comparaçã o a lasers de emissã o lateral,
as larguras de banda da modulação são muito maiores, uma vez que as densidades mais
altas de fó tons reduzem o tempo de vida radiativo;

Diodos Laser
Figura 14. Arquitetura bá sica de um laser de emissã o superficial em cavidade vertical (VCSEL)

Diodos Laser
Três tipos de configurações de laser utilizando um refletor embutido seletivo em
frequência sã o mostrados na Figura 15;
Em cada caso, o refletor seletivo em frequência é uma grade ondulada que forma uma
camada de um guia de ondas passivo adjacente à regiã o ativa;
A onda óptica propaga-se paralelamente a essa grade;
A operaçã o desses tipos de laser é baseada na reflexão distribuída por grades de Bragg;
A grade de Bragg é essencialmente uma região de variação periódica do índice de

refração que faz duas ondas que se propagam em sentidos opostos se acoplarem;

Diodos Laser
Figura 15a. laser de realimentaçã o distribuída (DFB)

Diodos Laser
Figura 15b. laser com refletores de Bragg distribuídos (DBR)

Diodos Laser
Figura 15c. laser de refletores distribuídos (DR)

Diodos Laser
O acoplamento é máximo para comprimentos de onda pró ximos ao comprimento de onda
Bragg 𝝀𝑩 , que está relacionada com o período Λ das ondulaçõ es por
2𝑛𝑒 Λ (28)
𝜆𝐵 =
𝑘
onde 𝑛𝑒 é o índice de refraçã o efetivo do modo, e 𝑘 é , ordem da grade;
Grades de primeira ordem (𝒌 = 𝟏) proporcionam o acoplamento mais forte, mas à s vezes

grades de segunda ordem sã o usadas porque períodos maiores de ondulaçã o sã o mais fá ceis de
serem fabricados;
Os lasers baseados nessa arquitetura exibem um bom funcionamento monomodo longitudinal

com baixa sensibilidade a variações da corrente de deriva e da temperatura.

Diodos Laser
No laser de realimentação distribuída (DFB), a grade seletora de comprimento de onda é
formada por toda a regiã o ativa;
Como mostra a Figura 16, em um laser DFB ideal, os modos longitudinais estão espaçados
simetricamente em torno de 𝝀𝑩 , em comprimentos de onda dados por
𝜆2𝐵 1 (29)
𝜆 = 𝜆𝐵 ± 𝑚+
2𝑛𝑒 𝐿𝑒 2
onde 𝑚 = 0, 1, 2, … é a ordem do modo, e 𝐿𝑒 , o comprimento efetivo da grade;
As amplitudes dos modos sucessivos de ordem mais elevada de laser sã o muito reduzidas
em comparaçã o à amplitude de ordem zero; por exemplo, o modo de primeira ordem (𝑚 = 1)
está geralmente mais que 30 dB abaixo da amplitude de ordem zero (𝑚 = 0).

Diodos Laser
Figura 16. Espectro de saída de um diodo laser de realimentaçã o distribuída idealizado (DFB)
Diodos Laser
Teoricamente, em um laser DFB que possui ambas as extremidades com revestimento
antirreflexão, os dois modos de ordem zero em cada lado do comprimento de onda de Bragg
devem experimentar o mesmo limiar de ganho mais baixo e formar um laser simultaneamente
em uma estrutura idealizada simé trica;
No entanto, na prática, como o processo de clivagem é aleatório, ele levanta a

degenerescência do ganho modal, resultando em um funcionamento monomodo;
Essa faceta assimétrica pode ser ainda aumentada pela deposiçã o de um revestimento de
alta reflexão em uma extremidade e um revestimento de baixa reflexão sobre o outro,
por exemplo, cerca de 2% na faceta frontal e de 30% na faceta traseira;
As variaçõ es de projeto de DFB têm sido a introdução de um deslocador de fase óptico de

π/2 (isto é , um quarto de comprimento de onda) na ondulação central da cavidade óptica
para fazer o laser oscilar próximo ao comprimento de onda de Bragg, pois as reflexõ es
ocorrem mais eficazes nesse comprimento de onda.
Diodos Laser
Para o laser refletor de Bragg distribuído (DBR), as grades estã o localizadas nas
extremidades da camada ativa normal do laser para substituir os espelhos clivados na
extremidade utilizados no ressonador ó ptico de Fabry-Perot (Figura 16b);
O laser de refletores distribuídos consiste em vários refletores ativos e passivos

distribuídos (Figura 16c);
Essa estrutura melhora as propriedades de laser dos convencionais lasers DFB e DBR e
tem uma elevada eficiência e capacidade de saída.

Diodos Laser
✓ Modulação de diodos laser
O processo de colocar as informações em uma onda luminosa é chamado de modulação;
Para taxas de dados menores do que 10 Gb/s (geralmente 2,5 Gb/s), o processo de impor
informaçã o sobre um fluxo de luz emitido por um laser pode ser realizado por meio de
modulação direta;
Isso envolve diretamente a variação da corrente de deriva do laser com o fluxo de

informação formatado eletricamente para produzir uma potência de saída óptica
correspondente;
Para maiores taxas de dados, é preciso usar um dispositivo chamado modulador externo
para modificar temporariamente o nível de potência ó ptica estacioná ria emitida pelo laser.

Diodos Laser
A limitação básica sobre a taxa de modulação direta de diodos laser depende do tempo de
vida dos portadores nas emissões espontânea e estimulada e do tempo de vida dos
fótons;
O tempo de vida de recombinaçã o espontânea dos portadores 𝜏sp é uma funçã o da estrutura de
bandas do semicondutor e da concentraçã o de portadores;
Em temperatura ambiente, esse tempo de vida é de cerca de 1 ns em materiais à base de GaAs

para concentraçõ es de dopante na ordem de 1019 cm–3;
O tempo de vida de recombinaçã o estimulada dos portadores 𝜏st depende da densidade ó ptica
no interior da cavidade de laser e é da ordem de 10 ps;
O tempo de vida do fó ton 𝜏fot é o tempo mé dio que o fó ton reside na cavidade de laser antes de
ser perdido ou por absorçã o ou por emissã o atravé s das facetas.
Diodos Laser
Em uma cavidade de Fabry-Perot, o tempo de vida dos fótons é
−1 𝑐 1 1 𝑐 (30)
𝜏fot = 𝛼ത 𝑙𝑛 = 𝑔𝑡ℎ
𝑛 2𝐿 𝑅1 𝑅2 𝑛
Para um valor típico de 𝑔𝑡ℎ = 50 cm–1 e um índice de refraçã o do material do laser de n = 3,5, o
tempo de vida dos fó tons é de aproximadamente 𝜏fot = 2 ps;
Esse valor define o limite superior para a capacidade de modulação direta do diodo laser;
Um diodo laser pode ser facilmente modulado por pulso, pois o tempo de vida dos fó tons é
muito menor do que o tempo de vida dos portadores;
Se o laser é completamente desligado apó s cada pulso, o tempo de vida de emissã o espontânea
dos portadores irá limitar a taxa de modulaçã o.

Diodos Laser
Isso ocorre porque, no início de um pulso de corrente de amplitude 𝐼𝑝 , um período de tempo
dado por
𝐼𝑝 (31)
𝑡𝑑 = 𝜏ln
𝐼𝑝 + 𝐼𝐵 − 𝐼𝑡ℎ
é necessário para alcançar a inversão de população necessária para produzir um ganho

que é suficiente para vencer as perdas ópticas no interior da cavidade do laser;
Na Equaçã o (31), o parâmetro 𝐼𝐵 é a corrente de polarizaçã o, que é uma corrente contínua fixa
aplicada ao laser;
O parâmetro τ é o tempo mé dio de vida dos portadores na regiã o de recombinaçã o quando a
corrente total 𝐼 = 𝐼𝑝 + 𝐼𝐵 está perto da corrente de limiar 𝐼𝑡ℎ .

Diodos Laser
A Equaçã o (31) mostra que o atraso de tempo pode ser eliminado pela alimentação
contínua do diodo laser na corrente de limiar;
A modulação do pulso é , entã o, realizada pela modulação do laser apenas na região de

operação acima do limiar;
Nessa regiã o, o tempo de vida dos portadores está agora reduzido para o tempo de vida da
emissão estimulada, de modo que permite elevar as taxas de modulação;
Quando se utiliza um diodo laser modulado diretamente para os sistemas de transmissã o de

alta velocidade, a frequência de modulação pode não ser maior do que a frequência das
oscilações de relaxamento do campo laser;
A oscilação de relaxamento depende tanto do tempo de vida de recombinação espontânea

como do tempo de vida dos fótons.

Diodos Laser
Teoricamente, assumindo uma dependência linear do ganho ó ptico com relaçã o à densidade de
portadores, a oscilação de relaxamento ocorre aproximadamente em
1 1 𝐼 (32)
𝑓= 1Τ2
−1
2𝜋 𝜏 𝜏 𝐼𝑡ℎ
sp fot
Uma vez que 𝜏sp está ao redor de 1 𝑛𝑠 e 𝜏fot é da ordem de 2ps para um laser de 300 𝜇𝑚 de
comprimento, quando a corrente de injeçã o é de cerca de duas vezes a corrente de limiar, a
frequência de modulaçã o má xima é de poucos gigahertz;
Um exemplo de um laser que tem um pico de oscilaçã o de relaxamento em 3 GHz é mostrado na

Figura 17.

Diodos Laser
Figura 17. Exemplo de pico de oscilaçã o de relaxamento de um diodo laser

Diodos Laser
✓ Largura de linha do Laser
Em lasers nã o baseados em semicondutores, como no caso de lasers de estado só lido, pode-se
demonstrar que o ruído resultante de efeitos de emissão espontânea resulta em uma
largura espectral finita ou largura de linha Δν na saída do laser;
Entretanto, um laser de semicondutor tem uma largura de linha significativamente maior do

que o que é previsto por essa simples teoria;
Em um material semicondutor, tanto o ganho óptico como o índice de refração dependem

da densidade real de portadores no meio;
Essa relaçã o conduz a um mecanismo de acoplamento índice-ganho, isto é , dá origem a uma
interação entre o ruído de fase e a intensidade da luz.

Diodos Laser
O resultado calculado teoricamente é
𝑅sp (33)
∆𝑣 = 1 + 𝛼2
4𝜋𝐼
Onde 𝐼 é o nú mero mé dio de fó tons no interior da cavidade de laser; 𝑅sp , a taxa de emissã o
espontânea [ver Equaçã o (11)]; e o parâmetro 𝛼, o fator de intensificaçã o da largura de linha;
Basicamente isso mostra que, em lasers semicondutores, a largura de linha é aumentada por
um fator de (𝟏 + 𝜶𝟐 );
A expressão da largura de linha na Equaçã o (33) pode ser reescrita em termos de potência de
saída ó ptica 𝑃sai como
𝑉𝑔2 ℎ𝑣𝑔th 𝑛sp 𝛼t (34)
∆𝑣 = 1 + 𝛼2
8𝜋𝑃sai

Diodos Laser
A Equaçã o (34) mostra que certo nú mero de variá veis influencia a magnitude da largura de
linha do laser;
Por exemplo, geralmente Δν diminui à medida que se aumenta a potência de saída do

laser. O valor do fator-𝛼 també m influencia a largura de linha;
Valores comuns do fator-𝛼 adimensional encontra-se no intervalo de 2,0 − 6,0 com nú meros
calculados estando em boa concordância com os dados experimentais;
Alé m disso, a construção do laser pode influenciar a largura de linha, uma vez que os
valores do fator 𝜶 são diferentes, dependendo do tipo de material e da estrutura do diodo
laser;
Para os lasers DFB, as larguras de linha estã o na faixa de 5 − 10 MHz (ou, de forma equivalente,
em torno de 10– 4 nm).

Diodos Laser
A largura espectral de um laser também pode aumentar de forma significativa quando a
modulação direta é usada para variar o nível de saída de luz. Esse alargamento da linha é
chamado de efeito de gorjeio (chirping effect).

Diodos Laser
✓ Modulação externa
Quando a modulaçã o direta é utilizada em um transmissor de laser, o processo de tornar o laser

ligado e desligado com um acionamento elé trico de corrente produz uma ampliaçã o da largura
de linha do laser;
Esse fenômeno é conhecido como gorjeio e faz os lasers modulados diretamente indesejá veis
para o funcionamento em velocidades maiores que 2,5 Gb/s;
Para essas aplicações de alta taxa, é preferível usar um modulador externo, como
mostrado na Figura 18;
Em tal configuraçã o, a fonte óptica emite um sinal de luz de amplitude constante que
penetra no modulador externo;
Nesse caso, em vez de variar a amplitude da luz que sai do laser, o sinal elétrico muda
dinamicamente o nível de potência óptica que sai do modulador externo.
Diodos Laser
Figura 18. Conceito operacional de um modulador externo gené rico.

Diodos Laser
O modulador de fase eletro-óptico (EO) (també m chamado de modulador de Mach-Zehnder
ou MZM) é feito em geral de niobato de lítio (LiNbO3);
Figura 19. Conceito operacional de um modulador externo eletro-ó ptico de niobato de lítio.

Diodos Laser
Em um modulador EO, o feixe de luz é dividido ao meio e, em seguida, enviado atravé s de dois
caminhos separados, como mostra a Figura 19;
Um sinal elétrico de alta velocidade, em seguida, muda a fase do sinal de luz de um dos
caminhos;
Isso é feito de tal maneira que, quando as duas metades do sinal se encontrarem
novamente na saída do dispositivo, elas se recombinarão construtiva ou destrutivamente;
A recombinação construtiva produz um sinal luminoso e corresponde a um pulso 1;
Por sua vez, a recombinação destrutiva resulta em duas metades do sinal que se cancelam
mutuamente, de modo que nã o há luz na saída do combina- dor de feixe;
Isso corresponde a um pulso 0;

Diodos Laser
O modulador de eletroabsorção (EAM) é geralmente construído a partir de fosfeto de índio
(InP);
Ele funciona tendo um sinal elétrico que altera as propriedades de transmissão do

material no percurso da luz para torná -lo transparente durante um pulso 1 ou opaco
durante um pulso 0;
Como o InP é utilizado como material para um EAM, ele pode ser integrado sobre o mesmo
substrato, como um chip de diodo laser DFB;
O mó dulo completo de laser mais modulador pode ser colocado em um pacote padrã o, redu-
zindo assim a tensã o da unidade, a potência e os requisitos de espaço em comparaçã o ao pacote
separado de laser e modulador de LiNbO3.

Diodos Laser
✓ Efeitos de temperatura
Um fator importante a ser considerado na aplicaçã o de diodos laser é a dependência com a

temperatura da corrente de limiar de 𝐼th 𝑇 ;
Esse parâmetro aumenta com a temperatura em todos os tipos de lasers semicondutores em

razã o de vá rios fatores dependentes da temperatura;
A complexidade desses fatores impede a formulaçã o de uma ú nica equaçã o vá lida para todos os
dispositivos e intervalos de temperatura;
No entanto, a variação de temperatura de 𝑰𝐭𝐡 pode ser aproximada pela expressão

empírica
𝐼th 𝑇 = 𝐼𝑧 𝑒 𝑇Τ𝑇0 (34)
onde 𝑇0 é uma medida do coeficiente de temperatura de limiar, e 𝐼𝑧 , uma constante.

Diodos Laser
Para uma geometria convencional de tira para um diodo laser de GaAlAs, 𝑇0 é geralmente 120-
165 °C na vizinhança da temperatura ambiente;
Um exemplo de um diodo laser com 𝑇0 = 135 °C e 𝐼𝑧 = 52 𝑚𝐴 é mostrado na Figura 20;
A variaçã o da temperatura com 𝐼th é de 0,8% por °C, como mostra a Figura 21.

Diodos Laser
Figura 20. Comportamento da potência ó ptica de saída dependente da temperatura em funçã o da corrente de
polarizaçã o para um diodo laser particular com 𝑇0 = 135 oC e 𝐼𝑧 = 52 mA
Diodos Laser
Figura 21. Variaçã o com a temperatura da corrente de limiar Ith para dois tipos de diodos laser.
Diodos Laser
O nível de potência óptica de saída deve ser mantido constante com relação a mudanças
de temperatura ou com a idade do laser, é necessário ajustar o nível de alimentação de
corrente cc;
Um método possível para a atingir esse objetivo automaticamente é por meio de um

esquema de realimentação óptico;
A realimentaçã o ó ptica pode ser realizada por meio de um fotodetector, para detectar a
variação na potência óptica emitida a partir da faceta traseira do laser ou para separar e
controlar uma pequena parte da energia emitida no acoplamento com a fibra a partir da faceta
frontal;
O fotodetector compara a saída de potência óptica com um nível de referência e ajusta o

nível de corrente cc automaticamente para manter um pico de luz na saída constante em
relação ao da referência;

Diodos Laser
O fotodetector utilizado deve ter uma resposta está vel em longo prazo que se mantenha
constante ao longo de um amplo intervalo de temperaturas;
Para a operaçã o na regiã o de 800-900 nm, um fotodiodo PIN de silício geralmente exibe essas
características

Diodos Laser
Figura 21. Construçã o de um transmissor de laser que utiliza um fotodiodo na faceta traseira
para controle de saída e um refrigerador termoelé trico para a estabilizaçã o da temperatura.
Exercícios
1. Usando a expressã o 𝐸 = ℎ𝑐/𝜆, mostre por que a largura FWHM da potência espectral de
LEDs torna-se maior em comprimentos de onda maiores.
Resp: Diferenciando a expressão para E em função de 𝜆, temos

𝑑𝐸 ℎ𝑐 Δ𝐸 ℎ𝑐
=− 2 ou =− 2
𝑑𝜆 𝜆 Δ𝜆 𝜆
Para a mesma energia Δ𝐸 , a largura espectral Δ𝜆 é proporcional ao quadrado do
comprimento de onda de acordo com a seguinte relação
𝜆2
Δ𝜆 = − Δ𝐸
ℎ𝑐
Adotando dois comprimentos de onda, tais como 1550 nm e 1310 nm, como referência
2
Δ𝜆1550nm 1550
= 2 = 1.40
Δ𝜆1310nm 1310
Exercícios
2. a) Um diodo laser de GaAlAs possui uma cavidade de 500 μm de comprimento, que tem um
–1
coeficiente de absorçã o efetivo de 10 cm . Para facetas nã o revestidas, as refletividades sã o
de 0,32 em cada extremidade. Qual é o ganho ó ptico no limiar do efeito laser?
Resp: Utilizando a Equação (XX), temos

1 1 −1
1 1
𝑔th = 𝛼ത + ln = 10 + 𝑙𝑛 = 55.6 cm−1
2𝐿 𝑅1 𝑅2 0.05 0,32 × 0,32
b) Se uma extremidade do laser é revestida com um refletor dielé trico de forma que agora
sua refletividade seja de 90%, qual é o ganho ó ptico no limiar do efeito laser?
Resp: Utilizando agora os valores 𝑅1 = 0,9 e 𝑅2 = 0,32 e na Equação anterior, obtemos

1 1
𝑔th = 10−1 + 𝑙𝑛 = 34.9 cm−1
0.05 0,9 × 0,32
Exercícios
c) Se a eficiência quântica interna é 0,65, qual é a eficiência quântica externa nos casos (a) e
(b)?
Resp: Para o caso a)
A partir da Equação (YY), podemos escrever
𝜂i 𝑔th − 𝛼ത 0.65 55.6 − 10

𝜂ext = = = 0.53
𝑔th 55.6
Para o caso b)
0.65 34.9 − 10
𝜂ext = = 0.46
34.9

Exercícios
3. Um laser de GaAs emitindo em 800 nm tem uma cavidade de comprimento 400 μm com
índice de refraçã o 𝑛 = 3,6. Se o ganho g exceder a perda total 𝛼𝑡 por meio do intervalo
750 𝑛𝑚 < 𝜆 < 850 𝑛𝑚, quantos modos podem existir nesse laser?
Resp: Considerendo a Equação (27), o espaçamento entre os modos é
𝜆2 800 nm 2
Δ𝜆 = = = 0,22 nm
2𝐿𝑛 2 × 400 nm × 3,6
Consequentemente, o número de modos existentes 𝑀 na faixa entre 750 nm e 850 nm é
850 nm − 750 nm
𝑀= = 455
0,22 nm

Exercícios
4. Para estruturas de laser que possuem um forte confinamento de portadores, a densidade de
corrente de limiar para uma emissã o estimulada 𝐽th pode ser relacionada, em boa
aproximaçã o, com o ganho ó ptico no limiar do efeito laser 𝑔th por 𝑔th = 𝛽𝐽ҧ th , onde 𝛽ҧ é uma
constante que depende das condições específicas de construçã o do dispositivo. Considere
um laser de GaAs com uma cavidade ó ptica de comprimento 250 μm e largura 100 μm. Na
3
temperatura normal de funcionamento, o fator de ganho é 𝛽 = 21 × 10 A/cm , e o
ҧ −3
–1
coeficiente de absorçã o efetivo é 𝛼ത = 10 cm .
a) Se o índice de refraçã o for 3,6, encontre a densidade de corrente de limiar e a corrente de

limiar 𝐼th . Assuma que as extremidades do laser nã o sã o revestidas e que a corrente é
restrita à cavidade ó ptica
Resp: A reflectividade na interface na interface GaAs-ar é

2 2
𝑛−1 3,6 − 1
𝑅1 = 𝑅2 = = = 0,32
𝑛+1 3,6 + 1
Exercícios
Uma vez conhecidas as reflectividades, podemos encontrar a densidade de corrente de
limiar para uma emissã o estimulada 𝐽th por meio da seguinte equação
𝑔th 1 1 1
𝐽th = = 𝛼ത + 𝑙𝑛
𝛽ҧ 𝛽ҧ 2𝐿 𝑅1 𝑅2
1 1 1
= 10 + 𝑙𝑛 = 2,65 × 10−3 AΤcm2
21 × 10 −3 2 × 0,025 0,322
Portanto, a corrente de limiar 𝐼th pode ser determinada da seguinte forma
𝐼th = 𝐽th × 𝑙 × 𝑤 = 2,65 × 10−3 × 250 × 10−4 × 100 × 10−4 = 663 mA
b) Realizando o procedimento análogo ao realizando no item anterior

𝐼th = 𝐽th × 𝑙 × 𝑤 = 2,65 × 10−3 × 250 × 10−4 × 100 × 10−4 = 663 mA

Exercícios
b) Qual é a corrente de limiar se a largura da cavidade laser é reduzida para 10 μm?
Resp: Realizando um procedimento análogo ao realizando no item anterior
𝐼th = 𝐽th × 𝑙 × 𝑤 = 2,65 × 10−3 × 250 × 10−4 × 10 × 10−4 = 66,3 mA

Exercícios
5. Um laser emitindo em 𝜆 = 850 nm tem uma largura de ganho espectral de 𝜎 = 32 nm e
–1
um pico de ganho de 𝑔(0) = 50 cm . Faça o grá fico de 𝑔(𝜆) a partir da Equaçã o (22). Se
–1
𝛼𝑡 = 32,2 cm , mostre que a regiã o onde o efeito laser ocorre. Se o laser possui
comprimento de 400 μm e 𝑛 = 3,6, quantos modos serã o excitados nele?
6. Um laser de realimentaçã o distribuída tem um comprimento de onda de Bragg de 1.570 nm,

uma grade de segunda ordem com Λ = 460 nm e uma cavidade de comprimento 300 μm.
Assumindo um laser DFB perfeitamente simé trico, encontre os comprimentos de onda de
ordens zero, primeira e segunda até dé cimos de nanômetro. Esboce um grá fico da
amplitude relativa versus comprimento de onda.

Material Auxiliar
Princípio de funcionamento de LASERs
https://www.youtube.com/watch?v=R_QOWbkc7UI
https://www.youtube.com/watch?v=NpePZjTXqRw
https://www.youtube.com/watch?v=WgzynezPiyc
https://www.youtube.com/watch?v=_JOchLyNO_w
Modulação Externa por meio de interferômetro Mach–Zehnder
https://www.youtube.com/watch?v=pZyS0oj7QQM

ESTI010 Comunicacoes Opticas Aula05

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ESTI010 - Comunicações Ópticas

2020 Santo André - SP 1

2020 Santo André - SP 2

A heterojunção consiste na conjugaçã o de dois materiais semicondutores com diferentes

2020 Santo André - SP 3

2020 Santo André - SP 4

Esses LEDs necessitam de circuitos de acionamento menos complexos do que os diodos

2020 Santo André - SP 6

O tempo de resposta da emissão é o atraso de tempo entre a aplicaçã o de um impulso de

O confinamento de portadores é utilizado para atingir um alto nível de recombinação

Para obter um confinamento ó ptico e de portadores, configuraçõ es de LED como homojunçõ es

2020 Santo André - SP 8

As diferenças de bandgap das camadas adjacentes confinam os portadores de carga

Esse confinamento duplo leva à eficiência elevada e alta radiância;

2020 Santo André - SP 9

Figura 1. (a) Desenho em corte transversal

2020 Santo André - SP 10

No emissor de superfície, o plano da região ativa de emissã o de luz é orientado

Nessa configuraçã o, um poço é gravado através do substrato do dispositivo, no qual uma

A á rea ativa circular dos emissores de superfície reais é nominalmente de 50 μm de diâmetro e

O padrão de emissão é essencialmente isotrópico com uma largura de feixe de meia

2020 Santo André - SP 11

2020 Santo André - SP 12

Figura 2. Esquema (sem escala) de um LED de emissã o de superfície de alta radiância.

Os comprimentos das regiõ es ativas geralmente variam de 100-150 μm;

O padrã o de emissã o lateral é mais direcional do que o de um emissor de superfície, como

Figura 3. Esquema (sem escala) de um LED de emissã o lateral de dupla heterojunçã o;

2020 Santo André - SP 16

Em um semicondutor de bandgap direto, elétrons e buracos podem recombinar

Apenas em materiais de bandgap direto, a recombinação radiativa é suficientemente

2020 Santo André - SP 17

A razão x de arseneto de alumínio para o arseneto de gálio determina o bandgap da liga e,

Um exemplo do espectro de emissã o de um LED de 𝐆𝐚𝟏–𝒙 𝐀𝐥𝒙 𝐀𝐬 com x = 0,08 é mostrado na

2020 Santo André - SP 18

Um casamento muito próximo entre os parâmetros de rede cristalina de duas

Usando a relaçã o fundamental da mecânica quântica entre energia 𝐸 e frequência 𝜈,

2020 Santo André - SP 20

As larguras espectrais 𝐅𝐖𝐇𝐌 de LEDs na regiã o de 800 nm sã o de aproximadamente 35 nm,

A Figura 5 apresenta um exemplo de dispositivos que emitem em 1.300 nm.

2020 Santo André - SP 21

Os materiais utilizados nesses exemplos sã o dispositivos de GaAlAs para funcionamento em

2020 Santo André - SP 24

Figura 6. Os três principais processos de transiçã o envolvidos na açã o do laser.

Normalmente, o sistema está no estado fundamental;

Isso ocorre sem qualquer estímulo externo e é chamado de emissão espontânea;

2020 Santo André - SP 26

Em equilíbrio térmico, a densidade de elétrons excitados é muito pequena;

2020 Santo André - SP 27

Essa condiçã o é conhecida como inversão de população;

Em um laser semicondutor, a inversã o de populaçã o é realizada pela injeção de elétrons

2020 Santo André - SP 28

Para os sistemas de comunicaçõ es de fibra ó ptica que necessitam de larguras de banda

A radiação em um tipo de configuraçã o de diodo laser é gerada no interior de uma cavidade

Aqui, a cavidade é de cerca de 250-500 μm de comprimento, 5-15 μm de largura e 0,1-0,2 μm de

2020 Santo André - SP 29

Figura 7. Cavidade ressonante de Fabry-Perot para um diodo laser.

A finalidade dos espelhos é estabelecer uma forte realimentação óptica na direção

Esse mecanismo de realimentação converte o dispositivo em um oscilador (e, portanto,

2020 Santo André - SP 31

Esses comprimentos de onda, que sã o múltiplos inteiros do comprimento da cavidade,

Todos os outros comprimentos de onda interferem destrutivamente e assim se cancelam

As frequências ópticas em que a interferência construtiva ocorre sã o as frequências de

Consequentemente, os fótons emitidos espontaneamente que têm comprimentos de onda