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Elta02 Aula 01 Jfet e Mosfet
Elta02 Aula 01 Jfet e Mosfet
Elta02 Aula 01 Jfet e Mosfet
JFET
Transistor de Junção por
Efeito de Campo
CONSTRUÇÃO DO JFET
CANAL N
OPERAÇÃO DO JFET
• Se VGS = 0 V e VDS
aumenta continuamente,
um ponto é alcançado
onde a região de depleção
fica tão grande que
“estrangula” o canal.
CARACTERÍSTICAS DO JFET:
SATURAÇÃO
• No ponto do pinch-off:
CARACTERÍSTICAS DE OPERAÇÃO DO
JFET: VDS < 0 V
• Como a junção p-n está
reversamente polarizada a
corrente de gate é zero.
• À medida que VGS se torna
mais negativa, a região de
depleção aumenta.
• O transistor atinge a
saturação com níveis
menores de VDS e com
valores menores de IDSS
CARACTERÍSTICAS DE OPERAÇÃO DO
JFET: VDS < 0 V
ID cai, por fim, a 0 A.
O valor de VGS que faz
com que isso ocorra é
denominado VGS(off).
VGS(off) = VP (para VGS = 0V)
!$
!" = +
'()
1−
'*
JFET CANAL P
• O JFET de canal p se
comporta da mesma
forma que o JFET de
canal n. A diferenças são
que as polaridadades de
tensão e as direções das
correntes são reversas.
JFET CANAL P
SÍMBOLOS DO JFET
CARACTERÍSTICAS DE TRANSFERÊNCIA
DO JFET
!" = $!%
Saída Constante
Saída Constantes
Prof. Robson Bauwelz Gonzatti 17
UNIVERSIDADE FEDERAL DE ITAJUBÁ
MOSFET
Transistor de Efeito de
Campo de Metal-óxido-
semicondutor
OPERAÇÃO NO MODO
INTENSIFICAÇÃO (D-MOSFET)
• Para VGS > 0 V, ID aumenta além da IDSS (ID > IDSS)
CURVA DE TRANSFERÊNCIA DO
MOSFET TIPO INTENSIFICAÇÃO
Para determinar a ID dada a VGS:
*
!" = $ %&' − %)
Onde:
VT = a tensão limiar do E-MOSFET
k, uma constante, pode ser determinada com a
utilização de valores de um ponto específico e a
fórmula:
!" +,
$= *
%&'(+,) − %)
CURVA DE TRANSFERÊNCIA DO
MOSFET TIPO INTENSIFICAÇÃO
SÍMBOLOS MOSFET
Manuseio de MOSFETs
Dispositivos CMOS
Dispositivos CMOS
Vantagens
• Útil em designs de circuito lógico.
• Maior impedância de entrada.
• Maiores velocidades de deslocamento.
• Menores níveis de potência de operação.
Resumo
REFERÊNCIAS