Materias piezoelétricos para equipamentos de
ultrassonografia
Marlon Mendonça Pederdsoli de Oliveira
Instituto Nacional de Telecomunicações - Inatel
marlonp@geb.inatel.br
 frequência como os utilizados nos equipamentos de
Resumo—Este artigo aborda a utilização da piezoeletricidade
em transdutores de equipamentos de ultrassonografia,
procurando entender como ela funciona e como pode ser aplicada
para a melhoria dos cristais piezoelétricos presentes no mercado.
Abstract— The aim of this article is to research the use of
piezoelectricity in ultra-sound devices, looking forward to
understand how it Works and how it can be applied to develop
the piezoelectric crystals which are currently being used.
I. INTRODUÇÃO
A ultrassonografia é um método de obtenção de imagens que
tem se solidificado como uma das técnicas mais utilizadas
devida à sua facilidade e poucas contraindicações. Por não
utilizar radiação ionizante como na radiografia ou tomografia,
é um método rápido, seguro e barato, sendo ideal para avaliar
gestantes e entre outros casos tais como: Desordens dos
tecidos ósseos, juntas e músculos, condições traumáticas pós-
contusões, luxações, fraturas, etc. No campo estético o uso do
Ultrasom tem demonstrado ótimos resultados no tratamento
das gorduras localizadas e das celulites, entre outros.
O aparelho de ultrassonografia baseia-se na produção de ondas
sonoras ultrassônicas, por um cristal piezoelétrico, que variam
de 20Khz até 14MHz. Essas ondas atravessam a pele até o
interior do organismo, onde encontram a estrutura a ser
diagnosticada que, por sua vez emite um eco que é capitado
pelo mesmo cristal piezoéletrico e convertido em imagem
através da computação gráfica.
O cristal piezoelétrico se encontra dentro de um transdutor que
é manuseado pelo médico e aplicado sobre a área de analise
desejada com o uso de um gel condutor.
A piezoeletricidade é uma característica inerente de alguns
cristais que, quando comprimidos, geram uma diferença de
potencial elétrico entre as suas faces e quando aplicada uma
diferença de potencial elétrico em suas faces, eles se contraem
ou expandem, o que permite a geração de sons de alta.
Manuscrito recebido e revisado em 09 de abril de 2013.
R.D.T. de Carvalho (rinaldo@inatel.br) e M.M.P. de Oliverira
(marlonp@geb.inatel.br) pertencem ao Instituto Nacional
Telecomunicações - Inatel. Av. João de Camargo, 510 - Santa Rita do Sapucaí
- MG - Brasil - 37540-000.
Rinaldo Duarte Teixeira de Carvalho
Instituto Nacional de Telecomunicações - Inatel
rinaldo@inatel.br
ultrassonografia. Esse efeito foi descoberto a mais de cem
anos pelo casal de cientistas Pierre e Marie Curie que
perceberam que alguns cristais possuíam essa curiosa
característica
II Diagrama de blocos
Tecnologias de imagem por ultra são algumas das tecnologias
de imagem mais simples. Baseia-se na simples propagação de
ondas de som através dos tecidos e utiliza-se da reflexão
natural dessas ondas pelo tecido para formar uma imagem
agregada.
Uma série de transdutores mostradas na parte superior do
diagrama de blocos emitem ondas de som e também agem
como receptores de ecos. Os ecos de dentro dos tecidos são
colocados juntos usando as propriedades de “time shifting” e
“scaling” afim de formar uma imagem composta. Como isso
ocorre exatamente será explicado subsequentemente:
O transdutor consiste de 8 de 512 elementos. Depois que o
transdutor emite ondas de som, o ultrassom imediatamente
muda para o modo de recepção para que possa receber os ecos
de dentro do corpo. Isso é realizado pelos T/R
switches mostrados diretamente depois do transdutor.
Enquanto as ondas de som propagam-se através do corpo, a
força do sinal decresce e porções de onda são refletidas. As
razões fisiológicas para esses acontecimentos serão explicadas
mais tarde. Uma vez que existem limites de quantidade de
energia que pode ser transmitida dentro de um ser humano, em
algum ponto os sinais recebidos serão tão pequenos que
precisarão ser amplificados a fim de serem analisados. Isso é
quando o estágio de amplificação entra em ação. O LNA, ou
amplificador de baixo ruído é o responsável por amplificar
esses sinais baixos. Depois existe o Variable Gain Amplifier
“VGA”, que pe controlado por uma unidade de beamformer
control. O ganho refere-se à profundidade de penetração.
Baixo ganho se refere às áreas que não são muito profundas
de
no corpo, enquanto que o ganho alto se refere às
profundidades onde a amplitude do som é reduzida
significativamente.
Antes de os sinais analógicos serem recebidos do transdutor e
possam ser processados, eles tem que ser filtrados. Isso é
realizado pelo Low Pass Filter antes do Analog to Digital
Converter “ADC”. Ele é usado como um filtro anti-aliasing
para limitar a banda de ruído. O sinal digital é enviado para ser
processado. Na Front End de processamento, o Beamformer
toma controle. Ele é responsável por controlar a transmissão e
recepção de ondas. O caminho de transmissão leva o sinal para
um conversor digital para analógico, através de um filtro passa
baixas e um amplificador de alta voltagem, assim ele pode ser
enviado através do transdutor para o corpo.
O outro caminho que recebe o Beamformer, no qual vaia
través do Mid e do Back End de processamento onde o modo
de processamento Doppler e o modo B convertem-no em um
sinal que é então interpretado por um software de ultrassom.
Uma vez que o software toma conta das informações digitais,
elas são dispersadas em uma grande variedade de formas,
incluindo: Salvas no HD, convertidas me som através de um
amplificador de áudio, ou mais notavelmente, mostradas na
tela para o operador.
Fig. 1. Diagrama de blocos
A. T/R Switchers
O transdutor é excitado por pulsos de alta voltagem,
ele converte energia elétrica em energia mecânica. Após cada
excitação, o transdutor envia ondas ultrassónicas ao meio.
Algumas ondas ultrassónicas são refletidas pelo meio
heterogêneo e recebidas pelo transdutor novamente. Portanto o
transdutor é um dispositivo duplex onde tanto alta quanto
baixa voltagem existem. O transdutor não pode ser conectado
aos estágios de amplificação diretamente, pois senão, o sinal
de alta voltagem poderia destruir os amplificadores
permanentemente. Para isso existem os T/R switches, que se
situam entre o HV pulser e o amplificador de baixo ruído
(LNA). A sua principal função é isolar o LNA do transmissor
de alta voltagem, limitando o pulso de alta voltagem e
deixando os pulsos alcançarem o amplificador. Portanto, um
T/R switch ideal deveria bloquear completamente os sinais de
alta voltagem e manter todas as informações de ecos.
B. Saída Frontal Analógica
A saída frontal analógica direciona aplicações onde a energia e
o nível de integrações são críticos. O dispositivo contém 8
VGAs, cada um seguido por um ADC, para um total de 8
ADCs por dispositivo.
Cada uma das 8 entradas diferentes é bufferizada e seguida
por um VGA que é controlado digitalmente e a curva ganho x
tempo pode ser guardada na memória e integrada dentro do
dispositivo usando a interface serial.
Um filtro seletor de passa baixas também é integrado entre o
VGA e o ADC para cada canal.
C. Estágio de amplificação
O VCA, estágio de amplificação, é um sistema de dois canais
que consiste em dois blocos primários: Um amplificador de
baixos ruídos (LNP) e um amplificador de ganho variável
(VGA), que é conduzido partir do LNP.
O LNP é flexível, tanto ganho quanto impedância de entrada
podem ser programados digitalmente sem componentes
externos. O LNP é acoplado ao VGA através de um
multiplexador para facilitar a interface com um processador de
sinais externos.
O VGA é um amplificador de ganho real varável, alcançando
baixa saída de ruídos a ganho baixo. A saída do amplificador
possui dois ganhos, permitindo maior optimização com
diferentes conversores analógicos/digitais.
A figura mostra um diagrama de blocos simplificado de um
canal de um sistema de dois canais. Ambos o LNP quanto o
VGA podem ser desligados juntos ou separadamente, para
conservar a energia do sistema, se necessário.
D. Pre-Amplificador de Baixos Ruídos (LNP)
O LPN possui uma capacidade diferencial de entrada e saída.
Também possui voltagem e corrente de ruído
excepcionalmente baixas. O LNP pode processar sinais
completamente diferenciais ou sinais únicos em cada canal.
Processamento de sinais diferenciais reduz a distorção do
segundo harmônico e oferece uma rejeição de modo-comum e
ruído de fonte melhorada. O LNP pode ser eletronicamente
programado para possuir um de quatro valores que podem ser
selecionados por uma palavra de 2 bits. O ganho do LNP
quando conduzindo o VGA é aproximadamente 1dB mais alto
por conta da perda de buffer.
O LNP também possui dois resistores de feedback
programáveis que podem ser selecionados por uma palavra de
4 bits para criar 16 valores diferentes a fim de facilitar o uso
do feedback. Coma combinação do ganho programável e
resistores de feedback, cerca de 61 valores diferentes valores
de saída de impedância podem ser criados para oferecer uma,
maior variedade de saída correspondente de resistores.
Com o uso de feedback ativo com essa ampla seleção de
resistores de feedback, o usuário está apto a provir uma
maneira de baixo ruído de acabar com o sinal de entrada,
enquanto recorre-se à somente uma perda de 3dB em taxa de
sinal para ruído (SNR) ao invés de uma perda de 6dB que
normalmente está associada às formas mais convencionais de
acabar com o sinal.
A saída do LNP leva um buffer que em turnos leva a rede de
feedback e fornece o LNP para um multiplexador.
O multiplexador pode configurar a fonte do sinal off-chip para
processamentos adicionais ou pode ser configurado para levar
o VGA interno diretamente do LNP.
E. Amplificador + Filtros
Para o caminho do sinal TGC, cada canal consiste de um
ganho fixo de 20dB de amplificador de baixos ruídos (LNA),
um atenuador de voltagem linear (VCA) e um amplificador de
ganho programável (PGA) assim como um estágio de
compressão e um filtro passa baixas.
Enquanto que o LNA e desenhado para ser guiado de uma
fonte única, o caminho do sinal do TGC interno é desenhado
para sápidas diferencias para maximizar o alcance dinâmico.
F. ADC
O ADC opera através de voltagens de referência geradas
internamente que são aparadas para garantir a correspondência
através de múltiplos dispositivos em uma placa. Isso elimina a
necessidade de roteações externas de linhas de referências e
ainda melhora a correspondência de ganho através dos
dispositivos.
A saída do ADC vai para um serializador que opera através
de um clock 12x generado pelo PLL. As informações de
12bits de cada canal são serializadas e enviadas para o LSB
primeiro. Em adição a serialização das informações, o
serializador também gera um clock 1x e um 6x. Esses clocks
são gerados da mesma forma que as informações do
serializador são geradas, então esses clocks mantém
sincronização perfeita com as informações. As informações e
as sápidas de clock do serializador são bufferizadas
externamente usando buffers LVDS, que transmitem as
informações externamente. Isso cria múltiplas vantagens como
reduzir o número de pinos de saída, diminuir o consumo de
energia e reduzir os efetiso de ruído digital acoplando-se com
o circuito analógico dentro do ADC.
G. ADC de alta velocidade
Consiste em um CMOS (semicondutor metal-óxido
complementar) ADC de 4 canais. Baseado em um circuito de
amostra e espera na entrada, seguido por um ADC de 12 bits.
Os 12 bits dados por cada canal são serializados e enviados
para um par de pinos no formato LVDS (Low voltage
diferencial signaling). Todos os 4 canais do ADC operam em
um único clock referido como ADCLK. O Clock da
amostragem para cada um dos canais é gerado de um clock de
entrada utilizando de uma árvore de buffer de clock
cuidadosamente combinada. O clock 12x requerido para o
serializador é gerado internamente de um ADCLK usando
uma faze lock loop (PLL). Um clock de 6x e 1x também são
saídas no formado LVDS com as informações para habilitar a
captura fácil de informações. O ADC opera de referencias de
voltagem formadas internamente que são aparados para
assegurar a combinação de vários dispositivos múltiplos na
placa.
Essa característica elimina a necessidade de roteamento
externo de linhas de referencia e ainda aumenta a combinação
de ganho entre os dispositivos.
O ADC emprega o uso da arquitetura conversor pipeline que
consiste da combinação de estágios de múltiplos bits e um
único bit. Cada estagio alimenta suas informações dentro de
um corretor de erros lógico, assegurando uma excelente
linearidade diferencial e perda de códigos no nível de 12 bits.
A arquitetura pipeline resulta numa latência de informações de
6,5 clocks.
A saída do ADC vai para um serializador que opera de um
clock de 12x gerado pelo PLL. A informação de 12 bits de
cada canal são serializados e enviados para o LSB em
primeiro lugar. Em adição à serialização de informações, o
serializado também gera um clock de 1x e 6x. Esses clock são
gerados da mesma forma que a informação serializada é
gerada, então esses clock mantém perfeita sincronização com
as informações. A saída das informações e do clock do
serializador são bufferizadas externamente usando buffers
LVDS. Usar buffers LVDS para transmitir informações
externamente possui muitas vantagens, como diminuir o
número de pinos de saída, diminuir consumo de energia e
reduzia os efeitos de ruído digital.
H. Controle de Ganho de Tempo/Amplificadores de alta
velocidade
Constituído de um amplificador de feedback de voltagem de
alta velocidade , O estágio de entrada suporta voltagens abaixo
do terra e dentro de 1,7V da fonte positiva. A saída
complementar da etapa do emissor comum provê um
balanceamento de saída entre 25mV e o terra. Ele é
compensado para provir uma operação estável com alto
alcance de cargas resistivas.
I. DAC
Esta arquitetura utiliza a atual técnica de direcionamento para
habilitar a mudança rápida e alta taxa de atualização. O
elemento no núcleo dentro do monolítico DAC é uma matriz
de fontes segmentadas de corrente, as quais são designadas à
entregar uma saída de escala completa até 20mA.
Um decodificador interno endereça as trocas de correntes
diferencias cada vez que o DAC é atualizado e uma saída
correspondente é formada direcionando todas as correntes para
os nodos de resumo. As saídas complementares entregam uma
saída diferencial de sinais que melhora a performance
dinâmica através da redução de harmônicos de ordem impar,
sinais de modo comum (ruídos) e sanais de pico a pico duplos
, comparados balanceados por um fator de dois, comparados
com a operação de única saída.
A arquitetura segmentada resulta em uma significante redução
da energia de glitch e aumenta a performance dinâmica SFDR
e DNL. A corrente de saída mantém uma impedância muito
alta de saída, maior que 200K ohms.
A escala completa da corrente de saída é determinada pela
taxa da voltagem interna de referencia e um resistor externo. A
corrente resultante é internamente multiplicada por um fator
de 32 para produzir uma saída de corrente DAC efetiva que
pode ir de 2mA pata 20mA, dependendo do valor da
resistência.
O DAC é separado em uma porção digital e em uma porção
analógica, cada qual é alimentada através de seu próprio pino
de voltagem. A seção digital inclui um flip-flop edge-
triggered latch de entrada e um decodificador lógico, enquanto
que a seção analógica compreende a matriz de fonte de
corrente com seues sewitchers e e circuitos de referência.
J. CW Analógico
Consiste em um AFE (Analog Front-End) especialmente
projetado para sistemas de ultrassom no qual alta performance
e tamanho pequeno são necessários. Ele integra um caminho
de formação de imagem de controle de ganho e tempo (TGC
/Time gain control) e um caminho de onda contínua de
Doppler (CWD). O AFE contem oito canais, cada qual inclui
um Low Gain mMplifier (LNA), um atenuador de voltagem
controlada (VCAT), um amplificador de ganho programável
(PGA), um filtro passa-baixas (LPF) um conversor de
analógico para digital de 12 bits e um misturador CW.
Além disso, recursos múltiplos estão disponíveis para
aplicações de ultrassonografia, assim como terminação ativa,
controle de canal individual, resposta rápida de subida e
descida de energia, controle de corte programável de
voltagem, recuperação de sobrecarga consistente e rápida e
etc.
K. Arm-Cortex
O processador AM3517/05 é um microprocessador ARM
Cortex-A8 de alta performance com velocidades acima de
600Mhz. O dispositivo oferece aceleração gráfica 3D,
enquanto também suporta numerosos periféricos, incluindo
DDR2, CAN, EMAC, USB OTG PHY que também são todos
utilizáveis em aplicações industriais
L. Plataforma de processamento
Com uma performance de mais de 7200 milhões de instruções
por segundo (MIPS) com uma taxa de clock de 900Mhz, o
processador C64x core oferece uma solução para desafios de
programação de DSP de alta performance. Os processadores
de núcleo DSP possuem uma flexibilidade de controladores de
alta velocidade e capacidade de processamento de
processadores array.
O processador C64x + DSP possui 64 propósitos gerais,
registadores de palavras de 32 bits e oito unidades funcionais.
2 multiplicadores para um resultado de 32 bits e 6 unidades de
logica aritmética (ALUs). As oito unidades funcionais incluem
instruções para acelerar a performance em processamento de
vídeo e imagem; O núcleo DSP pode produzir quatro MACs
por ciclo para mais de 3600 MACs por segundo (MMACS) oi
oito MACs de 8 bits por segundo em até 88-- MMACS
M. Regulador inversor
Baseia-se em um conversor dc-dc que gera uma voltagem de
saída negativa de cerca de -15V com uma corrente de saída de
cerca de 360mA, dependendo da voltagem de entrada para a
taxa de voltagem de saída. Com uma eficiência total de 84%, o
dispositivo é ideal para equipamentos de bateria . O alcance de
voltagem de entrada de 2,7 à 5,5 V permite que o TPS63700
seja energizado diretamente por uma bateria de lítio de 3
células NiMh/NiCd de uma fonte de 3,3 à 5v.
O inversor opera com uma frequência fixa PWM de topologia
de controle, possui um limite de corrente interna, proteção
contra sobrevoltagem e desligamento automático térmico.
N. LDO de Canal único
Esses reguladores lineares incluem um pino de habilitação de
nível logico CMOS compatível e um capacitor programável
que permitem esquemas de gestão de energia. Outras
características disponíveis incluem desligamento automático
por temperatura e limitadores de corrente.
Esse dispositivo é desenhado usando a tecnologia bipolar que
é ideal para instrumentação para aplicações de alta precisão
onde linhas de voltagem limpas são essenciais para maximizar
a performance do sistema. O desenho o faz uma escolha
excelente para amplificadores operacionais, conversores
analógico-digitais, digitais-analógicos e outros circuitos de
alta performance
O. Step Downl Regulator
Constitui-se de um dispositivo regulador de 60V e 0,5 A com
um MOSFET integrado.
O modo de controle de corrente prove uma compensação
externa simples e uma seleção flexível de componentes. Um
modo de desvio de pulsos de ripple baixos reduz a carga e
regula a fonte de saída à 116mA. Usando o pino de habilitação
a corrente de desligamento é reduzida para 1.3mA, quando o
pino de habilitação está baixo.
P. Sensor de regulação de temperatura:
São monitores remotos de temperatura de transistores
conectados por diodos, q são geralmente de baixo custo. Os
transistores do tipo NPN ou PNP ou diodos que são parte
integral dos microcontroladores ou microprocessadores.
A precisão remota é de +-1C para múltiplos fabricantes, sem
calibração necessária. A interface de dois fios aceita comandos
de byte de escrita SMBus, byte de leitura, envio e
recebimento para configurar o dispositivo.

III.FÍSICA DA PIEZOELETRICIDADE

O efeito Piezoelétrico foi descoberto por Pierre e Jacques
Currie em 1880 e se resume à variação das dimensões físicas
de certos materiais quando sujeitos a campos elétricos. O
efeito oposto (efeito piezoelétrico reverso), que trata da
aplicação de pressão que causa uma diferença de potencial
elétrico no material, também é de suma importância para a
ultrassonografia
Fig. 2. Moléculas de um material piezoelétrico
Portanto, quando um cristal está sob a influência de
um estímulo externo, ele se deforma. Tal deformação depende
da simetria do cristal e da direção na qual o estímulo é
aplicado, enquanto que a magnitude dessa deformação
depende da constante piezoelétrica do material.

As ondas ultrassônicas utilizadas em aparelhos de Quando um material piezoelétrico é tensionado, ele

ultrassonografia são geradas por um transdutor, que nada mais passa a apresentar uma polarização elétrica Pi, tal que:
é, do que um dispositivo que converte energia elétrica
(corrente elétrica) em energia mecânica (ondas mecânicas) e
(1)
vice-versa.
Onde i, l e m variam de 1 à 3 e σlm é a tensão aplicada. Este é
Para que um cristal possa ser usado como transdutor, ele deve
o efeito piezoelétrico direto e o coeficiente σlm relaciona a
ser cortado de tal forma que um campo elétrico alternado
tensão com a mudança de polarização.
produza variações em suas espessura, causando um
Com base na equação 1 podemos esperar que a a
movimento nas faces do cristal em altíssima frequência,
aplicação de um campo elétrico Ei em um material
gerando as ondas ultrassônicas.
piezoelétrico irá criar uma deformação εlm, dada por:
A. Física da Piezoeletricidade

Para que um cristal seja piezoelétrico, ele não deve (2)

possuir simetria, uma vez que a piezoeletricidade é originada
da anisotropia do cristal, ou seja, o fato da resposta do cristal Eis o efeito piezoelétrico inverso, pelas equações podemos
à uma pressão externa não ser a mesma em todas as direções. observar que ele é linear.
Quando recebe uma pressão, o material irá se
polarizar eletricamente ou sofrerá uma mudança de Um material vibra em três modos diferentes: Transversal,
polarização, caso o matéria não tenha uma polarização longitudinal e detorção. Para cada vibração temos uma
espontânea nula. constante elástica que é obtida pelas fórmulas abaixo:
Em uma molécula neutra, antes de submeter o
material à uma pressão os centros elétricos das cargas
positivas e negativas coincidem (figura a), então os efeitos
(3)
externos das cargas são anulados, criando moléculas neutras.
Ao se submeter o material à uma pressão, sua estrutura
Onde Et é módulo de Young determinado pelo modo
reticular pode ser definida de tal forma, que aconteça a
transverso, l, d e M
separação dos centros elétricos das cargas positivas e
comprimento, diâmetro e massa do material, e T, um fator de
negativas das moléculas, criando dipolos (Figura b). As cargas
correção
internas do pólo se cancelam e a distribuição de cargas
geométrico. Para ξ = 3,011, n é frequência de ressonância
aparece na superfície do material (figura c) polarizando-o
transversal. Para modo
então. Essa polarização cria um campo elétrico que pode ser
longitudinal:
usado para transformar energia mecânica em elétrica.

(4)
Onde Et é módulo de young determinado pelo modo
longitudinal. Para (10)
ξ = 1, m é a frequência de ressonância longitudinal. Para o Que possui sua máxima em harmônicos impares da
modo de torsão: ressonância fundamental

C. Impedância do transdutor
(5)
Devido às forças geradas nos lados do transdutor, a
Onde G é módulo de torção. Para η = 1, s é a frequência
impedância elétrica do ponto de vista dos terminais de
fundamental de Torção.
voltagem é afetada. Através dos cabos conectados ao
transdutor, uma impedância é vista em adição à
B. Bases do transdutor capacitância reativa, então a impedância elétrica total é de:

(11)
Considere o transistor como sendo um pedaço retangular de
material piezoelétrico com eletrodos em cada lado. Do circuito equivalente do transdutor, é a impedância no
Cada lado possui uma área transversal A, com um topo e base qual e são suas partes reais e imaginarias. pode ser
muito maiores (>10x) do que a sua espessura D. Pelo fato de o encontrado da potencia elétrica total e passando através do
material piezoelétrico ser um dielétrico, ele pode ser modelado transdutor por uma voltagem aplicada V uma corrente I
como um capacitor de capacitância:
(12)
(6)
Onde é a constante dielétrica em condição de deformação Onde a corrente é e é a carga. A energia
zero. Pelo cristal ser um sólido e não um líquido, ondas total irradiada dos dois lados do transdutor em um meio
elásticas são criadas internamente. A contra parte elástica da próximo de uma impedância acústica especifica,
pressão é o estresse, ou força por unidade de área,
representada pelo símbolo T. Outra variável elástica (13)
importante é a compressão, S, relativa a mudança de
comprimento do cristal dividida pelo seu tamanho original. Igualando a energia da equação anterior com a equação
Tanto estresse quanto deformação variam com a direção em chegamos em:
um material piezoelétrico, mas em uma única direção de
propagação de onda, é possível relacionar o estresse com a
compressão como:
(14)
(7)
No qual h é a constante piezoelétrica. Essa equação é No qual a constante eletro acústica é e . Note
conhecida como a lei modificada de Hookie na qual o que é inversamente proporcional à área de capacitância e
primeiro termo relaciona estresse com a compressão e o a área do transdutor é diretamente proporcional ao quadrado
segundo relaciona estresse com campos elétricos aplicados. A de sua grossura d. Também note que em ressonância:
constante elástica de rigidez, , é obtida dentro de um
deslocamento dielétrico constante, D, e E é o campo elétrico.
(15)
(8)
Quando um impulso de voltagem é aplicado através dos A teoria de redes requer que a parte imaginaria da impedância
eletrodo, o efeito piezoelétrico cria forças de impulsos nos esteja relacionada à parte real através da transformada de
lados do transdutor, dadas por: Hilbert, então a reatância irradiada pode ser encontrada como:

(9)
(16)
Quando o meio em cima e em baixo tem a mesma impedância
acústica, Zc, que o transdutor, a velocidade do som entre os Um modelo simples descreve as características essenciais de
um transdutor piezoelétrico. A impedância elétrica possui um
eletrodos é dada por e representa o impulso. máximo de resistência real irradiada na frequência ressonante.
Uma vez que se pode criar ondas acústicas, o cristal pode ser A força do espectro também pega na frequência de
considerado como um capacitor cantor com a sua única voz ou ressonância e possui uma forma determinada.
características espectrais e frequência de ressonância. Para
obter o espectro de resposta, usa-se a transformada de furrier
da equação anterior

Fig. 3. Circuito equivalente do transdutor
D. Resposta da frequência no transdutor
O desenho de um transdutor se preocupa com a alteração de
forma do espectro afim de alcançar a banda desejada em uma
resposta de impulso. Outro objetivo de desenho é melhorar a
eficiência eletroacústica do transdutor. Uma medida dessa
eficiência é a perda do transdutor, a frequência media da taxa
de energia alcançando o meio desejado, usualmente um tecido
dividido pelo poder de energia máximo disponível em
uma fonte de energia .
(17)
E definido em dB como:
(18)
A perda do transdutor pode ser quebrada em um fator de perda
elétrico, e em um fator de perda acústica
(19)
O problema de melhorar a transferência de energia em
radiação de resistência é a de maximizar o acima de uma
banda desejada. A figura abaixo mostra os parâmetros
relevantes envolvidos. O transdutor de impedância elétrica
está conectado através de um indutor à fonte de voltagem com
uma Impedância . Uma expressão para a perda elétrica para
essa situação é:
Fig. 4. Parametros do Indutor
(20)
Se a capacitância é sintonizada por uma série de indutor
e , então em ressonância:
(21)
A determinação da perda acústica é uma função de frequência
mais complicada, mas é simples determinar o seu valor em
ressonância. Em um modelo simples de transdutor, uma
suposição para simplificação é feita para que a carga acústica
nos dois lados do cristal piezoelétrico fosse a mesma
impedância acústica do cristal, entretanto, esse não é o caso
geral. No topo da figuro o material piezoelétrico é carregado
por um material posicionado atrás e abaixo das lentes. O
centro do cristal é mostrado como sendo considerado o fim do
transdutor, onde as ondas que seguem para frente se propagam
ao longo do eixo z que está direcionado para baixo. As ondas
na direção oposta são suprimidas ou absorvidas pelo material
que ajuda na ampliação do espectro do transdutor.
: Fig. 5. Diagrama do transdutor
Se a impedância do ponto de vista à esquerda do cristal é , e
a do lado direito é , no caso mostrado à esquerda da
figura, (impedância da parte de traz) e
impedância da agua. A perda acústica no caso em ressonância
pode ser encontrada de:
(26)
O significado físico da equação é que a força elétrica
encontrando a resistência irradiada é convertida em força
acústica irradiada das duas faces dos eletrodos, a proporção de
energia na direção positiva de z é representada pela taxa na
equação anterior.
A construção de um transdutor de um único cristal é mostrada
na figura anterior, as partes chaves são a parte de trás, o cristal
piezoelétrico revestido com os eletrodos para contato elétrico,
as camadas combinadas e as lentes com uma impedância
acústica perto do da agua.
IV. CARACTERÍSTICAS DA
PIEZOELETRICIDADE
Em sólidos ordinários, o deslocamento elétrico pode ser
considerado uma função exclusiva do vetor campo elétrico (E)
e das constantes dielétricas (ε); e a deformação mecânica (S)
uma função exclusiva das tensões mecânicas (T) e constantes
elásticas (s), como apresentado em notação matricial pelas
equações:
Nos materiais piezoelétricos ocorre o acoplamento das
variáveis mecânicas e elétricas: Ao mesmo tempo em que a
deformação depende das tensões mecânicas, ela também
depende do campo elétrico, e ao mesmo tempo em que o
deslocamento elétrico depende do campo, ele também
depende da deformação mecânica. Podemos visualizar melhor
este acoplamento na equação (também escrita em notação
matricial) :
Existe um conjunto de coeficientes (e e d) que são utilizados
para caracterizar os materiais piezoelétricos, e particularmente
nos casos de interesse recorrentes, as cerâmicas piezoelétricas.
Através destes coeficientes e constantes podemos ter uma
ideia do desempenho piezoelétrico e à que aplicações este ou
aquele material é mais adequado.
V.COEFICIÊNTES PIEZOELÉTRICOS
A. Coeficientes de acoplamento k
Podendo ser definidos e calculados de diversas formas, os
coeficientes de acoplamento k podem ser interpretados como o
rendimento do material em absorver a energia elétrica
fornecida pela fonte de excitação.
B. Constantes piezoelétricas d
As constantes piezoelétricas d estabelecem uma
proporcionalidade entre a geração de cargas e as tensões
mecânicas aplicadas (efeito piezoelétrico direto) e entre a
deformação em função de um campo elétrico aplicado (efeito
piezoelétrico inverso). Nas equações 3-A e 3-B temos a
definição diferencial das constantes d a temperatura e campo
elétrico constante. Podemos comparar o caráter piezoelétrico
de diferentes materiais através das constantes d, sendo
especialmente relevantes no projeto de atuadores e
posicionadores.
C. Constantes dielétricas K
As constantes dielétricas estabelecem uma proporcionalidade
entre o deslocamento elétrico e o campo elétrico aplicado. Na
equação 4 temos a definição diferencial da permissividade
dielétrica ε a temperatura e campo elétrico constante,
sendo K=ε/ ε0.
As constantes dielétricas são importantes porque determinam a
capacitância da cerâmica piezoelétrica, que por sua vez é
determinante no cálculo e projeto dos circuitos casadores de
impedância.
D. Constantes piezoelétricas g
Definidas como a razão entre as constantes d e ε,
correlacionam a resposta em tensão elétrica do material a uma
tensão mecânica aplicada (possui dimensão de Vm/N), sendo
especialmente relevantes no projeto de sensores.
E. Constantes elásticas s
As constantes elásticas s estabelecem uma proporcionalidade
entre a deformação e a tensão aplicada. São as “constantes de
mola” do material. A partir das constantes elásticas, definidas
na forma diferencial como apresentado na equação 5, podemos
calcular a velocidade de propagação de ondas acústicas no
material piezoeléctrico em qualquer direção e polaridade, e
estimar variações dimensionais em função de pressões
estáticas.
F. Constantes de frequência N
Em geometrias em que temos um modo de vibração
desacoplado, a constante de frequência é definida como o
produto da frequência de ressonância pela dimensão em
questão, podendo ser esta um comprimento, diâmetro ou
espessura. A partir da constante de frequência podemos
estimar a frequência ressonância para a mesma geometria com
dimensões diferentes. As constantes de frequência são muito
úteis no projeto de transdutores ultrassônicos para a estimativa
da frequência de operação. Também podemos estimar as
velocidades de propagação do somem um material através das
constantes de frequência, duplicando-as.
G. Fator de qualidade mecânico Qm e fator de dissipação
dielétrico tanδ
O fator de Qualidade mecânico e o fator de dissipação
dielétrico são umas das constantes mais importantes na
definição das possíveis aplicações dinâmicas do material, por
determinarem quais serão as perdas de energia do processo de
transdução. É a partir deles que se determina, por exemplo, se
o material em questão é adequado para aplicações de potência
tais como os sistemas de limpeza por ultrassom.
H. Temperatura de Curie
É a temperatura crítica onde a estrutura cristalina do material
sofre a transição de fase da simetria tetragonal para cúbica.
Uma cerâmica policristalina que é submetida a uma
temperatura superior ou iguala à temperatura de Curie, quando
resfriada recupera suas características piezoeléctricas
microscópicas, mas não as macroscópicas, por perder a
orientação preferencial dos domínios gerada pelo processo
depolarização, que possibilita a utilização prática do material
como transdutor eletromecânico.

I. Limite de tração dinâmico

É o limite máximo de tração a que o material pode ser
submetido dinamicamente sem se
romper/quebrar. Este limite deve ser levado em consideração
principalmente no projeto de transdutores de potência, onde as
cerâmicas piezoelétricas são submetidas a altos campos
elétricos que promovem tanto a contração (compressão)
quanto à expansão (tração) do material.

Taxa de envelhecimento
É a taxa com que as propriedades piezoelétricas do material se
alteram no tempo à medida que a
orientação dos domínios de dipolos, realizada pelo processo de
polarização, se esvaece.

J. Matérias comercializados e aplicações

Os principais materiais piezoelétricos comerciais e as
respectivas propriedades estão listados na Tabela 1
apresentada na página seguinte.
O PZT-4 é utilizado normalmente em sistemas de limpeza por
ultrassom e fisioterapia, o PZT-8em sistema de solda por
ultrassom, o PZT-5A em sensores e transdutores para ensaios
não destrutivos, oPZT-5J e 5H para geradores de faísca por
impacto (detonadores e magic clicks) e posicionadores
respectivamente.
VI. CONCLUSÃO
O equipamento de ultrassonografia é um dispositivo
amplamente utilizado em diagnóstico de imagem por seu
baixíssimo custo. O elemento do aparelho que é focado neste
estudo é o transistor, ele é composto por um cristal
piezoelétrico com eletrodos acoplados em suas laterais, nesses
eletrodos são induzidas correntes elétricas alternadas de
altíssima frequência, causando uma deformação no cristal que
produz ondas ultrassônicas, o que é chamado de efeito
piezoelétrico reverso. Os materiais piezoelétricos para
possuírem tal propriedade não devem possuir simetria em suas
moléculas, uma vez que esse efeito é causado pela anisotropia
do cristal, o que permite que quando uma pressão seja
exercida sobre o material as suas cargas elétricas não sejam
distribuídas homogeneamente, criando então uma diferença de
potencial elétrico entre as duas faces do material. Existem
diversos coeficientes piezoelétricos utilizados para determinar
o melhor material piezoelétrico para cada aplicação, que
deverão ser estudadas em um estudo futuro.

VI. BIBLIOGRAFIA

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http://www.ifi.unicamp.br/~lunazzi/F530_F590_F6
90_F809_F895/F809/F809_sem1_2007/GeovannaL
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http://www.atcp.com.br/imagens/produtos/ceramicas/artigos/R
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http://www.kld.com.br/imagens/artigo_revista%20up%
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http://www.scielo.br/pdf/cr/v38n3/a47v38n3.pdf
http://www.incor.usp.br/spdweb/cursos/downloads/ptc5
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http://www.biosono.com/#Grmt