Materias piezoeltricos para equipamentos de

ultrassonografia
Marlon Mendona Pederdsoli de Oliveira
Instituto Nacional de Telecomunicaes - Inatel
marlonp@geb.inatel.br

Rinaldo Duarte Teixeira de Carvalho

Instituto Nacional de Telecomunicaes - Inatel
rinaldo@inatel.br

ResumoEste artigo aborda a utilizao da piezoeletricidade

em transdutores de equipamentos de ultrassonografia,
procurando entender como ela funciona e como pode ser aplicada
para a melhoria dos cristais piezoeltricos presentes no mercado.

frequncia como os utilizados nos equipamentos de

ultrassonografia. Esse efeito foi descoberto a mais de cem
anos pelo casal de cientistas Pierre e Marie Curie que
perceberam que alguns cristais possuam essa curiosa
caracterstica

Abstract The aim of this article is to research the use of

piezoelectricity in ultra-sound devices, looking forward to
understand how it Works and how it can be applied to develop
the piezoelectric crystals which are currently being used.

II Diagrama de blocos

I. INTRODUO
A ultrassonografia um mtodo de obteno de imagens que
tem se solidificado como uma das tcnicas mais utilizadas
devida sua facilidade e poucas contraindicaes. Por no
utilizar radiao ionizante como na radiografia ou tomografia,
um mtodo rpido, seguro e barato, sendo ideal para avaliar
gestantes e entre outros casos tais como: Desordens dos
tecidos sseos, juntas e msculos, condies traumticas pscontuses, luxaes, fraturas, etc. No campo esttico o uso do
Ultrasom tem demonstrado timos resultados no tratamento
das gorduras localizadas e das celulites, entre outros.
O aparelho de ultrassonografia baseia-se na produo de ondas
sonoras ultrassnicas, por um cristal piezoeltrico, que variam
de 20Khz at 14MHz. Essas ondas atravessam a pele at o
interior do organismo, onde encontram a estrutura a ser
diagnosticada que, por sua vez emite um eco que capitado
pelo mesmo cristal piezoletrico e convertido em imagem
atravs da computao grfica.
O cristal piezoeltrico se encontra dentro de um transdutor que
manuseado pelo mdico e aplicado sobre a rea de analise
desejada com o uso de um gel condutor.
A piezoeletricidade uma caracterstica inerente de alguns
cristais que, quando comprimidos, geram uma diferena de
potencial eltrico entre as suas faces e quando aplicada uma
diferena de potencial eltrico em suas faces, eles se contraem
ou expandem, o que permite a gerao de sons de alta.
Manuscrito recebido e revisado em 09 de abril de 2013.
R.D.T. de Carvalho (rinaldo@inatel.br) e M.M.P. de Oliverira
(marlonp@geb.inatel.br)
pertencem
ao
Instituto
Nacional
de
Telecomunicaes - Inatel. Av. Joo de Camargo, 510 - Santa Rita do Sapuca
- MG - Brasil - 37540-000.

Tecnologias de imagem por ultra so algumas das tecnologias

de imagem mais simples. Baseia-se na simples propagao de
ondas de som atravs dos tecidos e utiliza-se da reflexo
natural dessas ondas pelo tecido para formar uma imagem
agregada.
Uma srie de transdutores mostradas na parte superior do
diagrama de blocos emitem ondas de som e tambm agem
como receptores de ecos. Os ecos de dentro dos tecidos so
colocados juntos usando as propriedades de time shifting e
scaling afim de formar uma imagem composta. Como isso
ocorre exatamente ser explicado subsequentemente:
O transdutor consiste de 8 de 512 elementos. Depois que o
transdutor emite ondas de som, o ultrassom imediatamente
muda para o modo de recepo para que possa receber os ecos
de dentro do corpo. Isso realizado pelos T/R
switches mostrados diretamente depois do transdutor.
Enquanto as ondas de som propagam-se atravs do corpo, a
fora do sinal decresce e pores de onda so refletidas. As
razes fisiolgicas para esses acontecimentos sero explicadas
mais tarde. Uma vez que existem limites de quantidade de
energia que pode ser transmitida dentro de um ser humano, em
algum ponto os sinais recebidos sero to pequenos que
precisaro ser amplificados a fim de serem analisados. Isso
quando o estgio de amplificao entra em ao. O LNA, ou
amplificador de baixo rudo o responsvel por amplificar
esses sinais baixos. Depois existe o Variable Gain Amplifier
VGA, que pe controlado por uma unidade de beamformer
control. O ganho refere-se profundidade de penetrao.
Baixo ganho se refere s reas que no so muito profundas
no corpo, enquanto que o ganho alto se refere s
profundidades onde a amplitude do som reduzida
significativamente.

Antes de os sinais analgicos serem recebidos do transdutor e

possam ser processados, eles tem que ser filtrados. Isso
realizado pelo Low Pass Filter antes do Analog to Digital
Converter ADC. Ele usado como um filtro anti-aliasing
para limitar a banda de rudo. O sinal digital enviado para ser
processado. Na Front End de processamento, o Beamformer
toma controle. Ele responsvel por controlar a transmisso e
recepo de ondas. O caminho de transmisso leva o sinal para
um conversor digital para analgico, atravs de um filtro passa
baixas e um amplificador de alta voltagem, assim ele pode ser
enviado atravs do transdutor para o corpo.
O outro caminho que recebe o Beamformer, no qual vaia
travs do Mid e do Back End de processamento onde o modo
de processamento Doppler e o modo B convertem-no em um
sinal que ento interpretado por um software de ultrassom.
Uma vez que o software toma conta das informaes digitais,
elas so dispersadas em uma grande variedade de formas,
incluindo: Salvas no HD, convertidas me som atravs de um
amplificador de udio, ou mais notavelmente, mostradas na
tela para o operador.

T/R switch ideal deveria bloquear completamente os sinais de

alta voltagem e manter todas as informaes de ecos.

B. Sada Frontal Analgica

A sada frontal analgica direciona aplicaes onde a energia e
o nvel de integraes so crticos. O dispositivo contm 8
VGAs, cada um seguido por um ADC, para um total de 8
ADCs por dispositivo.
Cada uma das 8 entradas diferentes bufferizada e seguida
por um VGA que controlado digitalmente e a curva ganho x
tempo pode ser guardada na memria e integrada dentro do
dispositivo usando a interface serial.
Um filtro seletor de passa baixas tambm integrado entre o
VGA e o ADC para cada canal.
C. Estgio de amplificao
O VCA, estgio de amplificao, um sistema de dois canais
que consiste em dois blocos primrios: Um amplificador de
baixos rudos (LNP) e um amplificador de ganho varivel
(VGA), que conduzido partir do LNP.
O LNP flexvel, tanto ganho quanto impedncia de entrada
podem ser programados digitalmente sem componentes
externos. O LNP acoplado ao VGA atravs de um
multiplexador para facilitar a interface com um processador de
sinais externos.
O VGA um amplificador de ganho real varvel, alcanando
baixa sada de rudos a ganho baixo. A sada do amplificador
possui dois ganhos, permitindo maior optimizao com
diferentes conversores analgicos/digitais.
A figura mostra um diagrama de blocos simplificado de um
canal de um sistema de dois canais. Ambos o LNP quanto o
VGA podem ser desligados juntos ou separadamente, para
conservar a energia do sistema, se necessrio.

Fig. 1. Diagrama de blocos

D. Pre-Amplificador de Baixos Rudos (LNP)

A. T/R Switchers
O transdutor excitado por pulsos de alta voltagem,
ele converte energia eltrica em energia mecnica. Aps cada
excitao, o transdutor envia ondas ultrassnicas ao meio.
Algumas ondas ultrassnicas so refletidas pelo meio
heterogneo e recebidas pelo transdutor novamente. Portanto o
transdutor um dispositivo duplex onde tanto alta quanto
baixa voltagem existem. O transdutor no pode ser conectado
aos estgios de amplificao diretamente, pois seno, o sinal
de alta voltagem poderia destruir os amplificadores
permanentemente. Para isso existem os T/R switches, que se
situam entre o HV pulser e o amplificador de baixo rudo
(LNA). A sua principal funo isolar o LNA do transmissor
de alta voltagem, limitando o pulso de alta voltagem e
deixando os pulsos alcanarem o amplificador. Portanto, um

O LPN possui uma capacidade diferencial de entrada e sada.

Tambm possui
voltagem e corrente de rudo
excepcionalmente baixas. O LNP pode processar sinais
completamente diferenciais ou sinais nicos em cada canal.
Processamento de sinais diferenciais reduz a distoro do
segundo harmnico e oferece uma rejeio de modo-comum e
rudo de fonte melhorada. O LNP pode ser eletronicamente
programado para possuir um de quatro valores que podem ser
selecionados por uma palavra de 2 bits. O ganho do LNP
quando conduzindo o VGA aproximadamente 1dB mais alto
por conta da perda de buffer.
O LNP tambm possui dois resistores de feedback
programveis que podem ser selecionados por uma palavra de
4 bits para criar 16 valores diferentes a fim de facilitar o uso
do feedback. Coma combinao do ganho programvel e
resistores de feedback, cerca de 61 valores diferentes valores

de sada de impedncia podem ser criados para oferecer uma,

maior variedade de sada correspondente de resistores.
Com o uso de feedback ativo com essa ampla seleo de
resistores de feedback, o usurio est apto a provir uma
maneira de baixo rudo de acabar com o sinal de entrada,
enquanto recorre-se somente uma perda de 3dB em taxa de
sinal para rudo (SNR) ao invs de uma perda de 6dB que
normalmente est associada s formas mais convencionais de
acabar com o sinal.
A sada do LNP leva um buffer que em turnos leva a rede de
feedback e fornece o LNP para um multiplexador.
O multiplexador pode configurar a fonte do sinal off-chip para
processamentos adicionais ou pode ser configurado para levar
o VGA interno diretamente do LNP.

Os 12 bits dados por cada canal so serializados e enviados

para um par de pinos no formato LVDS (Low voltage
diferencial signaling). Todos os 4 canais do ADC operam em
um nico clock referido como ADCLK. O Clock da
amostragem para cada um dos canais gerado de um clock de
entrada utilizando de uma rvore de buffer de clock
cuidadosamente combinada. O clock 12x requerido para o
serializador gerado internamente de um ADCLK usando
uma faze lock loop (PLL). Um clock de 6x e 1x tambm so
sadas no formado LVDS com as informaes para habilitar a
captura fcil de informaes. O ADC opera de referencias de
voltagem formadas internamente que so aparados para
assegurar a combinao de vrios dispositivos mltiplos na
placa.
Essa caracterstica elimina a necessidade de roteamento
externo de linhas de referencia e ainda aumenta a combinao
de ganho entre os dispositivos.

E. Amplificador + Filtros
Para o caminho do sinal TGC, cada canal consiste de um
ganho fixo de 20dB de amplificador de baixos rudos (LNA),
um atenuador de voltagem linear (VCA) e um amplificador de
ganho programvel (PGA) assim como um estgio de
compresso e um filtro passa baixas.
Enquanto que o LNA e desenhado para ser guiado de uma
fonte nica, o caminho do sinal do TGC interno desenhado
para spidas diferencias para maximizar o alcance dinmico.

F. ADC
O ADC opera atravs de voltagens de referncia geradas
internamente que so aparadas para garantir a correspondncia
atravs de mltiplos dispositivos em uma placa. Isso elimina a
necessidade de roteaes externas de linhas de referncias e
ainda melhora a correspondncia de ganho atravs dos
dispositivos.
A sada do ADC vai para um serializador que opera atravs
de um clock 12x generado pelo PLL. As informaes de
12bits de cada canal so serializadas e enviadas para o LSB
primeiro. Em adio a serializao das informaes, o
serializador tambm gera um clock 1x e um 6x. Esses clocks
so gerados da mesma forma que as informaes do
serializador so geradas, ento esses clocks mantm
sincronizao perfeita com as informaes. As informaes e
as spidas de clock do serializador so bufferizadas
externamente usando buffers LVDS, que transmitem as
informaes externamente. Isso cria mltiplas vantagens como
reduzir o nmero de pinos de sada, diminuir o consumo de
energia e reduzir os efetiso de rudo digital acoplando-se com
o circuito analgico dentro do ADC.
G. ADC de alta velocidade
Consiste em um CMOS (semicondutor metal-xido
complementar) ADC de 4 canais. Baseado em um circuito de
amostra e espera na entrada, seguido por um ADC de 12 bits.

O ADC emprega o uso da arquitetura conversor pipeline que

consiste da combinao de estgios de mltiplos bits e um
nico bit. Cada estagio alimenta suas informaes dentro de
um corretor de erros lgico, assegurando uma excelente
linearidade diferencial e perda de cdigos no nvel de 12 bits.
A arquitetura pipeline resulta numa latncia de informaes de
6,5 clocks.
A sada do ADC vai para um serializador que opera de um
clock de 12x gerado pelo PLL. A informao de 12 bits de
cada canal so serializados e enviados para o LSB em
primeiro lugar. Em adio serializao de informaes, o
serializado tambm gera um clock de 1x e 6x. Esses clock so
gerados da mesma forma que a informao serializada
gerada, ento esses clock mantm perfeita sincronizao com
as informaes. A sada das informaes e do clock do
serializador so bufferizadas externamente usando buffers
LVDS. Usar buffers LVDS para transmitir informaes
externamente
possui muitas vantagens, como diminuir o
nmero de pinos de sada, diminuir consumo de energia e
reduzia os efeitos de rudo digital.
H. Controle de Ganho de Tempo/Amplificadores de alta
velocidade
Constitudo de um amplificador de feedback de voltagem de
alta velocidade , O estgio de entrada suporta voltagens abaixo
do terra e dentro de 1,7V da fonte positiva. A sada
complementar da etapa do emissor comum prov um
balanceamento de sada entre 25mV e o terra. Ele
compensado para provir uma operao estvel com alto
alcance de cargas resistivas.
I. DAC
Esta arquitetura utiliza a atual tcnica de direcionamento para
habilitar a mudana rpida e alta taxa de atualizao. O
elemento no ncleo dentro do monoltico DAC uma matriz
de fontes segmentadas de corrente, as quais so designadas
entregar uma sada de escala completa at 20mA.

Um decodificador interno enderea as trocas de correntes

diferencias cada vez que o DAC atualizado e uma sada
correspondente formada direcionando todas as correntes para
os nodos de resumo. As sadas complementares entregam uma
sada diferencial de sinais que melhora a performance
dinmica atravs da reduo de harmnicos de ordem impar,
sinais de modo comum (rudos) e sanais de pico a pico duplos
, comparados balanceados por um fator de dois, comparados
com a operao de nica sada.
A arquitetura segmentada resulta em uma significante reduo
da energia de glitch e aumenta a performance dinmica SFDR
e DNL. A corrente de sada mantm uma impedncia muito
alta de sada, maior que 200K ohms.
A escala completa da corrente de sada determinada pela
taxa da voltagem interna de referencia e um resistor externo. A
corrente resultante internamente multiplicada por um fator
de 32 para produzir uma sada de corrente DAC efetiva que
pode ir de 2mA pata 20mA, dependendo do valor da
resistncia.
O DAC separado em uma poro digital e em uma poro
analgica, cada qual alimentada atravs de seu prprio pino
de voltagem. A seo digital inclui um flip-flop edgetriggered latch de entrada e um decodificador lgico, enquanto
que a seo analgica compreende a matriz de fonte de
corrente com seues sewitchers e e circuitos de referncia.
J. CW Analgico
Consiste em um AFE (Analog Front-End) especialmente
projetado para sistemas de ultrassom no qual alta performance
e tamanho pequeno so necessrios. Ele integra um caminho
de formao de imagem de controle de ganho e tempo (TGC
/Time gain control) e um caminho de onda contnua de
Doppler (CWD). O AFE contem oito canais, cada qual inclui
um Low Gain mMplifier (LNA), um atenuador de voltagem
controlada (VCAT), um amplificador de ganho programvel
(PGA), um filtro passa-baixas (LPF) um conversor de
analgico para digital de 12 bits e um misturador CW.
Alm disso, recursos mltiplos esto disponveis para
aplicaes de ultrassonografia, assim como terminao ativa,
controle de canal individual, resposta rpida de subida e
descida de energia, controle de corte programvel de
voltagem, recuperao de sobrecarga consistente e rpida e
etc.

Com uma performance de mais de 7200 milhes de instrues

por segundo (MIPS) com uma taxa de clock de 900Mhz, o
processador C64x core oferece uma soluo para desafios de
programao de DSP de alta performance. Os processadores
de ncleo DSP possuem uma flexibilidade de controladores de
alta velocidade e capacidade de processamento de
processadores array.
O processador C64x + DSP possui 64 propsitos gerais,
registadores de palavras de 32 bits e oito unidades funcionais.
2 multiplicadores para um resultado de 32 bits e 6 unidades de
logica aritmtica (ALUs). As oito unidades funcionais incluem
instrues para acelerar a performance em processamento de
vdeo e imagem; O ncleo DSP pode produzir quatro MACs
por ciclo para mais de 3600 MACs por segundo (MMACS) oi
oito MACs de 8 bits por segundo em at 88-- MMACS
M. Regulador inversor
Baseia-se em um conversor dc-dc que gera uma voltagem de
sada negativa de cerca de -15V com uma corrente de sada de
cerca de 360mA, dependendo da voltagem de entrada para a
taxa de voltagem de sada. Com uma eficincia total de 84%, o
dispositivo ideal para equipamentos de bateria . O alcance de
voltagem de entrada de 2,7 5,5 V permite que o TPS63700
seja energizado diretamente por uma bateria de ltio de 3
clulas NiMh/NiCd de uma fonte de 3,3 5v.
O inversor opera com uma frequncia fixa PWM de topologia
de controle, possui um limite de corrente interna, proteo
contra sobrevoltagem e desligamento automtico trmico.
N. LDO de Canal nico
Esses reguladores lineares incluem um pino de habilitao de
nvel logico CMOS compatvel e um capacitor programvel
que permitem esquemas de gesto de energia. Outras
caractersticas disponveis incluem desligamento automtico
por temperatura e limitadores de corrente.
Esse dispositivo desenhado usando a tecnologia bipolar que
ideal para instrumentao para aplicaes de alta preciso
onde linhas de voltagem limpas so essenciais para maximizar
a performance do sistema. O desenho o faz uma escolha
excelente para amplificadores operacionais, conversores
analgico-digitais, digitais-analgicos e outros circuitos de
alta performance
O. Step Downl Regulator

K. Arm-Cortex
O processador AM3517/05 um microprocessador ARM
Cortex-A8 de alta performance com velocidades acima de
600Mhz. O dispositivo oferece acelerao grfica 3D,
enquanto tambm suporta numerosos perifricos, incluindo
DDR2, CAN, EMAC, USB OTG PHY que tambm so todos
utilizveis em aplicaes industriais

Constitui-se de um dispositivo regulador de 60V e 0,5 A com

um MOSFET integrado.
O modo de controle de corrente prove uma compensao
externa simples e uma seleo flexvel de componentes. Um
modo de desvio de pulsos de ripple baixos reduz a carga e
regula a fonte de sada 116mA. Usando o pino de habilitao
a corrente de desligamento reduzida para 1.3mA, quando o
pino de habilitao est baixo.

L. Plataforma de processamento
P. Sensor de regulao de temperatura:

So monitores remotos de temperatura de transistores

conectados por diodos, q so geralmente de baixo custo. Os
transistores do tipo NPN ou PNP ou diodos que so parte
integral dos microcontroladores ou microprocessadores.
A preciso remota de +-1C para mltiplos fabricantes, sem
calibrao necessria. A interface de dois fios aceita comandos
de
byte de escrita SMBus, byte de leitura, envio e
recebimento para configurar o dispositivo.

III.FSICA DA PIEZOELETRICIDADE
O efeito Piezoeltrico foi descoberto por Pierre e Jacques
Currie em 1880 e se resume variao das dimenses fsicas
de certos materiais quando sujeitos a campos eltricos. O
efeito oposto (efeito piezoeltrico reverso), que trata da
aplicao de presso que causa uma diferena de potencial
eltrico no material, tambm de suma importncia para a
ultrassonografia
As ondas ultrassnicas utilizadas em aparelhos de
ultrassonografia so geradas por um transdutor, que nada mais
, do que um dispositivo que converte energia eltrica
(corrente eltrica) em energia mecnica (ondas mecnicas) e
vice-versa.
Para que um cristal possa ser usado como transdutor, ele deve
ser cortado de tal forma que um campo eltrico alternado
produza variaes em suas espessura, causando um
movimento nas faces do cristal em altssima frequncia,
gerando as ondas ultrassnicas.

Fig. 2. Molculas de um material piezoeltrico

Portanto, quando um cristal est sob a influncia de

um estmulo externo, ele se deforma. Tal deformao depende
da simetria do cristal e da direo na qual o estmulo
aplicado, enquanto que a magnitude dessa deformao
depende da constante piezoeltrica do material.
Quando um material piezoeltrico tensionado, ele
passa a apresentar uma polarizao eltrica Pi, tal que:
(1)
Onde i, l e m variam de 1 3 e lm a tenso aplicada. Este
o efeito piezoeltrico direto e o coeficiente lm relaciona a
tenso com a mudana de polarizao.
Com base na equao 1 podemos esperar que a a
aplicao de um campo eltrico Ei em um material
piezoeltrico ir criar uma deformao lm, dada por:

A. Fsica da Piezoeletricidade
Para que um cristal seja piezoeltrico, ele no deve
possuir simetria, uma vez que a piezoeletricidade originada
da anisotropia do cristal, ou seja, o fato da resposta do cristal
uma presso externa no ser a mesma em todas as direes.
Quando recebe uma presso, o material ir se
polarizar eletricamente ou sofrer uma mudana de
polarizao, caso o matria no tenha uma polarizao
espontnea nula.
Em uma molcula neutra, antes de submeter o
material uma presso os centros eltricos das cargas
positivas e negativas coincidem (figura a), ento os efeitos
externos das cargas so anulados, criando molculas neutras.
Ao se submeter o material uma presso, sua estrutura
reticular pode ser definida de tal forma, que acontea a
separao dos centros eltricos das cargas positivas e
negativas das molculas, criando dipolos (Figura b). As cargas
internas do plo se cancelam e a distribuio de cargas
aparece na superfcie do material (figura c) polarizando-o
ento. Essa polarizao cria um campo eltrico que pode ser
usado para transformar energia mecnica em eltrica.

(2)
Eis o efeito piezoeltrico inverso, pelas equaes podemos
observar que ele linear.
Um material vibra em trs modos diferentes: Transversal,
longitudinal e detoro. Para cada vibrao temos uma
constante elstica que obtida pelas frmulas abaixo:

(3)
Onde Et mdulo de Young determinado pelo modo
transverso, l, d e M
comprimento, dimetro e massa do material, e T, um fator de
correo
geomtrico. Para = 3,011, n frequncia de ressonncia
transversal. Para modo
longitudinal:

(4)

Onde Et mdulo de young determinado pelo modo

longitudinal. Para
= 1, m a frequncia de ressonncia longitudinal. Para o
modo de torso:

(10)
Que possui sua mxima em harmnicos impares da
ressonncia fundamental
C. Impedncia do transdutor

(5)
Onde G mdulo de toro. Para = 1, s a frequncia
fundamental de Toro.
B. Bases do transdutor

Devido s foras geradas nos lados do transdutor,

impedncia eltrica do ponto de vista dos terminais
voltagem afetada. Atravs dos cabos conectados
vista em adio
transdutor, uma impedncia
capacitncia reativa, ento a impedncia eltrica total de:

a
de
ao

(11)
Considere o transistor como sendo um pedao retangular de
material piezoeltrico com eletrodos em cada lado.
Cada lado possui uma rea transversal A, com um topo e base
muito maiores (>10x) do que a sua espessura D. Pelo fato de o
material piezoeltrico ser um dieltrico, ele pode ser modelado
como um capacitor de capacitncia:

Do circuito equivalente do transdutor,

a impedncia no
e
so suas partes reais e imaginarias.
pode ser
qual
passando atravs do
encontrado da potencia eltrica total e
transdutor por uma voltagem aplicada V uma corrente I
(12)

(6)
Onde a constante dieltrica em condio de deformao
zero. Pelo cristal ser um slido e no um lquido, ondas
elsticas so criadas internamente. A contra parte elstica da
presso o estresse, ou fora por unidade de rea,
representada pelo smbolo T. Outra varivel elstica
importante a compresso, S, relativa a mudana de
comprimento do cristal dividida pelo seu tamanho original.
Tanto estresse quanto deformao variam com a direo em
um material piezoeltrico, mas em uma nica direo de
propagao de onda, possvel relacionar o estresse com a
compresso como:
(7)
No qual h a constante piezoeltrica. Essa equao
conhecida como a lei modificada de Hookie na qual o
primeiro termo relaciona estresse com a compresso e o
segundo relaciona estresse com campos eltricos aplicados. A
constante elstica de rigidez, , obtida dentro de um
deslocamento dieltrico constante, D, e E o campo eltrico.

e a carga. A energia
Onde a corrente
total irradiada dos dois lados do transdutor em um meio
prximo de uma impedncia acstica especifica,
(13)
Igualando a energia da equao anterior com a equao
chegamos em:

(14)
No qual a constante eletro acstica

. Note

inversamente proporcional rea de capacitncia e

que
a rea do transdutor diretamente proporcional ao quadrado
de sua grossura d. Tambm note que em ressonncia:
(15)

(8)
Quando um impulso de voltagem aplicado atravs dos
eletrodo, o efeito piezoeltrico cria foras de impulsos nos
lados do transdutor, dadas por:
(9)
Quando o meio em cima e em baixo tem a mesma impedncia
acstica, Zc, que o transdutor, a velocidade do som entre os
e representa o impulso.
eletrodos dada por
Uma vez que se pode criar ondas acsticas, o cristal pode ser
considerado como um capacitor cantor com a sua nica voz ou
caractersticas espectrais e frequncia de ressonncia. Para
obter o espectro de resposta, usa-se a transformada de furrier
da equao anterior

A teoria de redes requer que a parte imaginaria da impedncia

esteja relacionada parte real atravs da transformada de
Hilbert, ento a reatncia irradiada pode ser encontrada como:

(16)
Um modelo simples descreve as caractersticas essenciais de
um transdutor piezoeltrico. A impedncia eltrica possui um
mximo de resistncia real irradiada na frequncia ressonante.
A fora do espectro tambm pega na frequncia de
ressonncia e possui uma forma determinada.

Se a capacitncia sintonizada por uma srie de indutor

e
, ento em ressonncia:
(21)

Fig. 3. Circuito equivalente do transdutor

D. Resposta da frequncia no transdutor

O desenho de um transdutor se preocupa com a alterao de
forma do espectro afim de alcanar a banda desejada em uma
resposta de impulso. Outro objetivo de desenho melhorar a
eficincia eletroacstica do transdutor. Uma medida dessa
eficincia a perda do transdutor, a frequncia media da taxa
de energia alcanando o meio desejado, usualmente um tecido
dividido pelo poder de energia mximo disponvel em
uma fonte de energia .

A determinao da perda acstica uma funo de frequncia

mais complicada, mas simples determinar o seu valor em
ressonncia. Em um modelo simples de transdutor, uma
suposio para simplificao feita para que a carga acstica
nos dois lados do cristal piezoeltrico fosse a mesma
impedncia acstica do cristal, entretanto, esse no o caso
geral. No topo da figuro o material piezoeltrico carregado
por um material posicionado atrs e abaixo das lentes. O
centro do cristal mostrado como sendo considerado o fim do
transdutor, onde as ondas que seguem para frente se propagam
ao longo do eixo z que est direcionado para baixo. As ondas
na direo oposta so suprimidas ou absorvidas pelo material
que ajuda na ampliao do espectro do transdutor.

(17)
E definido em dB como:
(18)
A perda do transdutor pode ser quebrada em um fator de perda
eltrico,

e em um fator de perda acstica

(19)
O problema de melhorar a transferncia de energia em
acima de uma
radiao de resistncia a de maximizar o
banda desejada. A figura abaixo mostra os parmetros
relevantes envolvidos. O transdutor de impedncia eltrica
est conectado atravs de um indutor fonte de voltagem com
uma Impedncia . Uma expresso para a perda eltrica para
essa situao :

Fig. 5. Diagrama do transdutor

Se a impedncia do ponto de vista esquerda do cristal , e

a do lado direito , no caso mostrado esquerda da
(impedncia da parte de traz) e
figura,
impedncia da agua. A perda acstica no caso em ressonncia
pode ser encontrada de:
(26)
O significado fsico da equao que a fora eltrica
encontrando a resistncia irradiada convertida em fora
acstica irradiada das duas faces dos eletrodos, a proporo de
energia na direo positiva de z representada pela taxa na
equao anterior.
A construo de um transdutor de um nico cristal mostrada
na figura anterior, as partes chaves so a parte de trs, o cristal
piezoeltrico revestido com os eletrodos para contato eltrico,
as camadas combinadas e as lentes com uma impedncia
acstica perto do da agua.

Fig. 4. Parametros do Indutor

(20)

IV. CARACTERSTICAS DA
PIEZOELETRICIDADE
Em slidos ordinrios, o deslocamento eltrico pode ser
considerado uma funo exclusiva do vetor campo eltrico (E)

e das constantes dieltricas (); e a deformao mecnica (S)

uma funo exclusiva das tenses mecnicas (T) e constantes
elsticas (s), como apresentado em notao matricial pelas
equaes:

As constantes dieltricas so importantes porque determinam a

capacitncia da cermica piezoeltrica, que por sua vez
determinante no clculo e projeto dos circuitos casadores de
impedncia.

Nos materiais piezoeltricos ocorre o acoplamento das

variveis mecnicas e eltricas: Ao mesmo tempo em que a
deformao depende das tenses mecnicas, ela tambm
depende do campo eltrico, e ao mesmo tempo em que o
deslocamento eltrico depende do campo, ele tambm
depende da deformao mecnica. Podemos visualizar melhor
este acoplamento na equao (tambm escrita em notao
matricial) :

D. Constantes piezoeltricas g
Definidas como a razo entre as constantes d e ,
correlacionam a resposta em tenso eltrica do material a uma
tenso mecnica aplicada (possui dimenso de Vm/N), sendo
especialmente relevantes no projeto de sensores.

Existe um conjunto de coeficientes (e e d) que so utilizados

para caracterizar os materiais piezoeltricos, e particularmente
nos casos de interesse recorrentes, as cermicas piezoeltricas.
Atravs destes coeficientes e constantes podemos ter uma
ideia do desempenho piezoeltrico e que aplicaes este ou
aquele material mais adequado.

E. Constantes elsticas s
As constantes elsticas s estabelecem uma proporcionalidade
entre a deformao e a tenso aplicada. So as constantes de
mola do material. A partir das constantes elsticas, definidas
na forma diferencial como apresentado na equao 5, podemos
calcular a velocidade de propagao de ondas acsticas no
material piezoelctrico em qualquer direo e polaridade, e
estimar variaes dimensionais em funo de presses
estticas.

V.COEFICINTES PIEZOELTRICOS
A. Coeficientes de acoplamento k
Podendo ser definidos e calculados de diversas formas, os
coeficientes de acoplamento k podem ser interpretados como o
rendimento do material em absorver a energia eltrica
fornecida pela fonte de excitao.
B. Constantes piezoeltricas d
As constantes piezoeltricas d estabelecem uma
proporcionalidade entre a gerao de cargas e as tenses
mecnicas aplicadas (efeito piezoeltrico direto) e entre a
deformao em funo de um campo eltrico aplicado (efeito
piezoeltrico inverso). Nas equaes 3-A e 3-B temos a
definio diferencial das constantes d a temperatura e campo
eltrico constante. Podemos comparar o carter piezoeltrico
de diferentes materiais atravs das constantes d, sendo
especialmente relevantes no projeto de atuadores e
posicionadores.

C. Constantes dieltricas K
As constantes dieltricas estabelecem uma proporcionalidade
entre o deslocamento eltrico e o campo eltrico aplicado. Na
equao 4 temos a definio diferencial da permissividade
dieltrica a temperatura e campo eltrico constante,
sendo K=/ 0.

F. Constantes de frequncia N
Em geometrias em que temos um modo de vibrao
desacoplado, a constante de frequncia definida como o
produto da frequncia de ressonncia pela dimenso em
questo, podendo ser esta um comprimento, dimetro ou
espessura. A partir da constante de frequncia podemos
estimar a frequncia ressonncia para a mesma geometria com
dimenses diferentes. As constantes de frequncia so muito
teis no projeto de transdutores ultrassnicos para a estimativa
da frequncia de operao. Tambm podemos estimar as
velocidades de propagao do somem um material atravs das
constantes de frequncia, duplicando-as.
G. Fator de qualidade mecnico Qm e fator de dissipao
dieltrico tan
O fator de Qualidade mecnico e o fator de dissipao
dieltrico so umas das constantes mais importantes na
definio das possveis aplicaes dinmicas do material, por
determinarem quais sero as perdas de energia do processo de
transduo. a partir deles que se determina, por exemplo, se
o material em questo adequado para aplicaes de potncia
tais como os sistemas de limpeza por ultrassom.
H. Temperatura de Curie
a temperatura crtica onde a estrutura cristalina do material
sofre a transio de fase da simetria tetragonal para cbica.
Uma cermica policristalina que submetida a uma
temperatura superior ou iguala temperatura de Curie, quando
resfriada recupera suas caractersticas piezoelctricas

microscpicas, mas no as macroscpicas, por perder a

orientao preferencial dos domnios gerada pelo processo
depolarizao, que possibilita a utilizao prtica do material
como transdutor eletromecnico.
I. Limite de trao dinmico
o limite mximo de trao a que o material pode ser
submetido dinamicamente sem se
romper/quebrar. Este limite deve ser levado em considerao
principalmente no projeto de transdutores de potncia, onde as
cermicas piezoeltricas so submetidas a altos campos
eltricos que promovem tanto a contrao (compresso)
quanto expanso (trao) do material.
Taxa de envelhecimento
a taxa com que as propriedades piezoeltricas do material se
alteram no tempo medida que a
orientao dos domnios de dipolos, realizada pelo processo de
polarizao, se esvaece.

J. Matrias comercializados e aplicaes

Os principais materiais piezoeltricos comerciais e as
respectivas propriedades esto listados na Tabela 1
apresentada na pgina seguinte.
O PZT-4 utilizado normalmente em sistemas de limpeza por
ultrassom e fisioterapia, o PZT-8em sistema de solda por
ultrassom, o PZT-5A em sensores e transdutores para ensaios
no destrutivos, oPZT-5J e 5H para geradores de fasca por
impacto (detonadores e magic clicks) e posicionadores
respectivamente.

VI. CONCLUSO
O equipamento de ultrassonografia um dispositivo
amplamente utilizado em diagnstico de imagem por seu
baixssimo custo. O elemento do aparelho que focado neste
estudo o transistor, ele composto por um cristal
piezoeltrico com eletrodos acoplados em suas laterais, nesses
eletrodos so induzidas correntes eltricas alternadas de
altssima frequncia, causando uma deformao no cristal que
produz ondas ultrassnicas, o que chamado de efeito
piezoeltrico reverso. Os materiais piezoeltricos para
possurem tal propriedade no devem possuir simetria em suas
molculas, uma vez que esse efeito causado pela anisotropia
do cristal, o que permite que quando uma presso seja
exercida sobre o material as suas cargas eltricas no sejam
distribudas homogeneamente, criando ento uma diferena de
potencial eltrico entre as duas faces do material. Existem
diversos coeficientes piezoeltricos utilizados para determinar
o melhor material piezoeltrico para cada aplicao, que
devero ser estudadas em um estudo futuro.

VI. BIBLIOGRAFIA

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http://www.ifi.unicamp.br/~lunazzi/F530_F590_F6
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http://www.biosono.com/#Grmt