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CURSO TCNICO INTEGRADO DE MECATRNICA

ELETRNICA I
TEORIA DOS SEMICONDUTORES
Professor Jnatas Roschild

SUMRIO
Objetivos Histrico Teoria

do estudo;

dos Semicondutores

Estrutura Atmica Materiais

Condutores e Isolantes Materiais Semicondutores Correntes nos Semicondutores Dopagem Materiais do Tipo P e do Tipo N Juno PN Polarizaes Polarizao Direta Polarizao Reversa
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OBJETIVOS DO ESTUDO
Conceituar

e analisar os materiais Semicondutores Analisar as caractersticas fsicas e eltricas da juno PN Analisar as caractersticas fsicas e eltricas da juno PN Polarizada

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HISTRICO
Antes

dos Semicondutores

Vlvula

ENIAC
1943 - 17.000 Vlvulas

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HISTRICO
O

princpio

Transistores
discretos

1 Transistor
1947

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HISTRICO

1 CI (Circuito Integrado) 1958

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ESTRUTURA ATMICA
O

tomo eletricamente neutro A ltima rbita chamada de rbita de valncia

Um

tomo estvel quando sua rbita de valncia contm 8 eltrons


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ESTRUTURA ATMICA
O

tomo tende a se unir para se tornar estvel


eletrovalentes

Ligaes

Ligaes

covalentes

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MATERIAIS CONDUTORES E ISOLANTES
Materiais

Condutores (menos que 4 eltrons na camada de valncia)

Cobre 29

Prata 47

Ouro 79
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MATERIAIS CONDUTORES E ISOLANTES
Materiais

Isolantes (mais que 4 eltrons na camada de valncia)


Neon 10

10

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MATERIAIS SEMICONDUTORES
Materiais

Semicondutores (4 eltrons na camada de valncia, chamados de tetravalentes)

Material intrnseco = cristal de silcio puro


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CORRENTE NOS SEMICONDUTORES
Todo

fluxo eletrnico energtico

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CORRENTE NOS SEMICONDUTORES
Par

eltron-lacuna:

Cada

eltron livre que surge deixa um vazio em seu lugar. A esse vazio damos o nome de lacuna. A lacuna pode ser considerada uma carga positiva. O eltron uma carga negativa. Num cristal semicondutor, existe uma constante gerao de pares eltrons-lacunas e sucessivas recombinaes. Ainda assim o cristal semicondutor eletricamente neutro. Com a aplicao de uma diferena de potencial pode haver circulao de corrente eltrica atravs dos pares eltronslacunas.
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DOPAGEM
Atravs

da dopagem se altera as caractersticas fsicas e eltricas dos cristais semicondutores. A dopagem consiste em substituir tomos tetravalentes por trivalentes e pentavalentes. Esses tomos so denominados impurezas. O semicondutor dopado denominado impuro (extrnseco). O processo de dopagem aumenta o grau de condutibilidade do cristal, reduzindo sua resistncia eltrica.
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MATERIAL DO TIPO P
O

material semicondutor do Tipo P dopado atravs da substituio de tomos de silcio por trivalentes (Boro, Alumnio, Glio)

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MATERIAL DO TIPO P
O

nmero de lacunas muito maior que de eltrons Lacunas so portadores majoritrios de carga Eltrons so portadores minoritrios de carga ons receptores so os tomos de impureza

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MATERIAL DO TIPO N
O

material semicondutor do Tipo N dopado atravs da substituio de tomos de silcio por pentavalentes (Fsforo, Antimnio)

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MATERIAL DO TIPO N
O

nmero de eltrons muito maior que de lacunas Eltrons so portadores majoritrios de carga Lacunas so portadores minoritrios de carga ons doadores so os tomos de impureza

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JUNO PN Na juno dos materiais acontece o processo de difuso Difuso a recombinao do excesso de eltrons na borda do material do tipo N com o excesso de lacunas na borda do material do tipo P.

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JUNO PN
Na

regio de depleo no h portadores por causa das recombinaes Nesta regio surge um campo eltrico que impede a passagem de eltrons do lado N para o lado P Esse impedimento chamado barreira de potencial No silcio em torno de 0,6 V a 0,7 V

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POLARIZAO DA JUNO PN
Polarizao

Reversa (VD < 0 V)

O plo positivo da fonte atrai os eltrons do lado N, gerando mais ons positivos, e o plo negativo da fonte fornece eltrons para se recombinarem com as lacunas do lado P, gerando mais on negativos

O excedente de ons aumenta a regio de depleo, portanto aumentando a barreira de potencial proporcionalmente tenso reversa da fonte

A juno PN comporta-se como uma elevada resistncia, isto , praticamente como um circuito aberto

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POLARIZAO DA JUNO PN
Polarizao

Direta (VD > 0,7 V)

A aplicao da polarizao direta forar os eltrons do material do tipo N e as lacunas do material do tipo P a se recombinarem com os ons prximos da fronteira, de forma a diminuir a regio de depleo

Com a diminuio da regio de depleo comea um fluxo intenso de eltrons do lado do tipo N em direo ao plo positivo da fonte, portanto, de lacunas do lado do tipo P para o plo negativo da fonte

A juno PN comporta-se como uma baixa resistncia, isto , praticamente como um curto-circuito

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BIBLIOGRAFIA
Boylestad, Nashelsky. Dispositivos Eletrnicos e Teoria de circuitos. Prentice Hall. Malvino, Albert Paul. Eletrnica. Vol1, Prentice Hall. Markus, Otvio. Ensino Modular: Sistemas analgicos circuitos com Diodos e Transistores. rica.

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