A dopagem eletrônica consiste na adição controlada de impurezas químicas em semicondutores para torná-los mais condutores. Há dois tipos de dopagem: tipo N adiciona fósforo ou arsênico e gera elétrons livres; tipo P adiciona boro ou gálio e gera lacunas de elétrons. A junção PN é a estrutura fundamental de dispositivos como diodos e transistores, permitindo a condução elétrica em uma direção.
A dopagem eletrônica consiste na adição controlada de impurezas químicas em semicondutores para torná-los mais condutores. Há dois tipos de dopagem: tipo N adiciona fósforo ou arsênico e gera elétrons livres; tipo P adiciona boro ou gálio e gera lacunas de elétrons. A junção PN é a estrutura fundamental de dispositivos como diodos e transistores, permitindo a condução elétrica em uma direção.
A dopagem eletrônica consiste na adição controlada de impurezas químicas em semicondutores para torná-los mais condutores. Há dois tipos de dopagem: tipo N adiciona fósforo ou arsênico e gera elétrons livres; tipo P adiciona boro ou gálio e gera lacunas de elétrons. A junção PN é a estrutura fundamental de dispositivos como diodos e transistores, permitindo a condução elétrica em uma direção.
Dopagem eletrnica consiste num procedimento de adio de impurezas qumicas a um
elemento semicondutor para transform-lo num elemento mais condutor, porm, de forma controlada. O conceito de semicondutor intrnseco est relacionado ao cristal que, no-intencionalmente, possui no mais de um tomo de elemento qumico estranho para cada um bilho de tomos do material escolhido. O teor de impureza, neste caso, chamado 1 ppb, ou uma parte por bilho. A interferncia da impureza no suficiente par interferir na estabilidade do material, sendo o cristal, portanto, estvel. Por outro lado, o semicondutor dopado possui, intencionalmente, cerca de um tomo de elemento qumico desejado (ao contrrio do estranho) para cada um milho de tomos do material escolhido. O teor da impureza , no semicondutor dopado, 1 ppm, ou uma parte por milho. Os semicondutores dopados possuem, aproximadamente, mil vezes mais impurezas do que os semicondutores intrnsecos. Trs elementos comuns na dopagem eletrnica so o carbono, o silcio e o germnio. Todos possuem quatro eltrons nacamada de valncia, o que possibilita que formem cristais j que compartilham seus eltrons com os tomos vizinhos, formando estruturas reticuladas ou cristalinas. Existem dois tipos de impurezas usadas: N: ocorre com a adio de fsforo ou arsnico ao silcio. Tanto o arsnico quanto o fsforo possuem cinco eltrons na camada de valncia. Ocorrem ligaes covalentes entre quatro eltrons e um deles fica livre, ou seja, o chamado eltron livre, que ganha movimento e gera corrente eltrica. O nome N provm da negatividade gerada da carga negativa existente. P: nesta dopagem, h adio de boro ou glio ao silcio. Ambos possuem trs eltrons na camada de valncia. Quando so adicionados ao silcio criam lacunas, que conduzem corrente e a ausncia de um eltron cria uma carga positiva (por isso o nome P).
O nome semicondutor se justifica, uma vez que uma pequena quantidade de dopagem N ou P conduzem de forma razovel, mas no excelente. O diodo o semicondutor mais simples e possibilita que uma corrente flua apenas em uma direo. A juno PN a estrutura fundamental de semicondutores, especialmente diodos e transistores, geralmente formada com Silcio e Germnio e so utilizadas na dopagem eletrnica de metais puros. A polarizao direta PN do Diodo dever ser realizada com a conexo do plo positivo da bateria ao anodo (P) do diodo e o plo negativo ao catodo (N). Na polarizao direta, eltrons livres so cedidos zona N e eltrons da camada de valncia da zona P so atrados. O diodo polarizado conduz eletricidade. A polarizao inversa PN ocorre se polo negativo da bateria for conectado P e o plo positivo N. Embora na polarizao inversa no devesse haver conduo de corrente pelo diodo, a temperatura produzida pela lacuna gera a corrente inversa de saturao. Alm dessa, h uma corrente presente na superfcie do diodo. gerada, portanto, a corrente necessria. O transistor formado com trs camadas (o diodo, como o prprio nome diz, formado por duas camadas) usando combinaes PNP e NPN.