ENGENHARIA ELETRICA

PLANO DE ENSINO DE DISCIPLINA

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A) I D E N T I F I C A C A O
= = = = = = = = = = = = =

CURSO: ENGENHARIA ELETRICA - MODALIDADE ELETRONICA

DISCIPLINA: ELETRONICA APLICADA I
ANO.SEMESTRE: 2o. SEMESTRE DE 2007
SIGLA: E622
PERIODO: 6o.
CREDITOS: 6
CARGA HORARIA:
SEMANAL - TEORICA: 4h TOTAL - TEORICA: 60h
PRATICA: 2h PRATICA: 30h
DOCENCIA:
TEORICA: Prof. Dr. Luciano Leonel Mendes
PRATICA: INSTRUTOR SOB A RESPONSABILIDADE DO PROFESSOR

B) D E S C R I C A O
= = = = = = = = =

EMENTA:

Comportamento dos componentes eletronicos em RF. Amplificadores

de RF em pequenos sinais. Amplificadores de potencia em RF. Fontes
controladas nao lineares: modelos nao-lineares de transistores bipo -
lares e de efeito de campo, par diferencial e varicap. Aplicacoes em
circuitos limitadores, multiplicadores de frequencia e amplificadores
de ganho controlado. Osciladores de RF: analise e projeto de oscila -
dores LC, a cristal e VCO.

FINALIDADES:

a) Analise de circuitos eletronicos em alta frequencia, apresentando-

lhe as caracteristicas a peculiaridades do comportamento dos com-
ponentes nesse dominio;
b) Identificacao e manuseio dos componentes e instrumentos eletroni -
cos de medidas especificas em RF, com montagens de circuitos onde
efetuara medidas das principais grandezas eletricas concernentes;
c) Complemento da formacao basica em circuitos eletronicos, agora
especificamente em RF, um dominio onde as reatancias existentes
nao podem ser desprezadas;
d) Conhecimentos dos circuitos basicos de processamento em RF dos
sinais empregados na radiotransmissao e recepcao.

OBJETIVOS GERAIS:

Ser capaz de projetar e analisar dispositivos lineares e nao lineares

em RF.
Utilizar instrumentos eletronicos de medida em RF, relacionando com
desenvoltura os valores obtidos com os modelos teoricos estabelecidos
em sala de aula.
RELACIONAMENTO COM OUTRAS DISCIPLINAS:

Complementa a formacao basica anterior em eletronica analogica e

prepara para a integracao oferecida na disciplina seguinte, a E723,
Eletronica Aplicada II. Constitui-se em um dos pre-requisitos de
todas as demais disciplinas do curso onde sao trabalhados circuitos
eletro-eletronicos aplicados a equipamentos usados em telecomunica -
coes e areas afins. Tem especial importancia em projetos de circuitos
e equipamentos e, ainda, na pesquisa e localizacao de defeitos.

RELACIONAMENTO COM A VIDA PROFISSIONAL:

Contribui para o desenvolvimento da capacidade de analise e sin-

tese do aluno, melhorando seu desempenho na resolucao de problemas
complexos e multidisciplinares. Adicionalmente ajuda o aluno a sedi -
mentar sua base sobre os fenomenos eletricos regidos pelas leis fun -
damentais da fisica, no campo da eletricidade, permitindo-lhe compre-
ender o como e o porque do comportamento apresentado pelos equipamen-
tos de comunicacoes.

PRIORIDADES NO CONTEUDO E PRINCIPAL METODOLOGIA APLICADA:

Entender com clareza as grandezas e os fenomenos f!sicos que regem o

comportamento dos componentes e dos circuitos eletronicos em RF. Para
tal, o ensino da disciplina e baseado na seguinte metodologia:

a) Exposicao e discussao em sala de aula;

b) Discussao dirigida e trabalhar em grupo em sala de aula, buscando-
se desenvolver modelos de aplicacao;
c) Atividades de pesquisa bibliografica e extra-classe para com-
plementar o conteudo programatico;
d) Realizacao de experiencias praticas em laboratorio envolvendo o
uso de componentes e equipamentos especificos. Efetuando medicoes
e associando os principios fisicos envolvidos, busca-se comprovar
os modelos matematicos concebidos em sala de aula.

PLANEJAMENTO DA AVALIACAO:

A avaliacao sera feita por meio de duas provas com peso 10, uma
em cada bimestre letivo, envolvendo os assuntos tratados em sala de
aula.

A Nota Parcial de Aproveitamento (NPA) sera obtida da seguinte forma:

NPA = (N1 + N2) / 2

Se NPA < 70 e NPA > 30

entao NFA = (NPA + Exame Final) / 2

e NFA > 50 para aprovacao

Se NPA > 70, entao NFA = NPA

 e o aluno e aprovado

Atividade Substitutiva do Teste para Avaliacao:

==============================================

Ao aluno que nao comparecer a uma das provas bimestrais sera da-
do uma prova substitutiva envolvendo toda a materia lecionada no se -
mestre. Sera aplicada no final do respectivo semestre letivo, em data
previamente estabelecida. So podera realizar a prova substitutiva o
aluno que, simultaneamente:

a) Solicita-la via quioske ou via internet, em ate 02 dias uteis apos

a realizacao da prova por ele perdida, segundo os procedimentos
padronizados pela escola;

b) Apresentar requerimento onde exponha o motivo que o levou a perder

a prova, devidamente justificado. So serao atendidos os casos de
forca maior (algumas doencas especificas e convocacoes/intimacoes
judiciais ou militares) amparados em lei que rege a materia (D.L.
1044 de 21/10/69).
Tal requerimento devera ser entregue pelo aluno na recepcao da SRA
ate 2 (dois) dias uteis apos a data de realizacao da prova que
perdeu.
Caso algum aluno venha a requerer alegando qualquer outro motivo,
seu pedido sera considerado automaticamente indeferido, da mesma
forma que os casos com amparo legal serao considerados automatica-
mente deferidos.

c) O aluno que perder as duas provas regulares nao podera fazer a

prova substitutiva.

C) B I B L I O G R A F I A
= = = = = = = = = = = =

REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS PARA A DISCIPLINA:

01. ABRIE, P.L.D. - Design of and Microwave Amplifiers and

Oscillators. Boston: Artech House, 2000.
02. RADMANESH, M.W. - Radio Frequency and Microwave Electronics.Upper
Side River: Prentice-Hall, 2001.

OUTRAS REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS:

01. MAAS, S.A. Microwave Mixers. Boston: Artech House, 1986.

02. LUDWIG, R. e BRETCHKO, P. RF Circuit Design - Theory and Appli -
cations. Upper Side River: Prentice-Hall, 2000.
03. DAVIS, W.A. e AGARWAL, K.K. - Radio Frequency Circuit Design. New
York: Wiley, 2001.
04. YOUNG, P.H. Electric Communication Techniques. 4a. ed. Upper Side
River: Prentice-Hall, 1994.
05. GONZALES, G. - Microwave Transistor Amplifiers.2a. Ed. Upper Side
River: Prentice-Hall, 1997. (Cap. 6).
06. CARSON, R.S. High-Frequency Amplifiers. New York: Wiley, 1982.
(Cap. 2).
07. CLARKE, K.K. e HESS, D.T. - Communication Circuits: Analysis and
Design. Reading: Addison-Wesley, 1971.
 PERIODICOS
==========

RF Design
2104 Harvell Circle
Bellevue, NE 68005
rdcs@pbsub.com

D) D E S C R I C A O D A S U N I D A D E S
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NUMERO: 1 TITULO: Comportamento dos Componentes Eletronicos em Rf.

PRE-REQUISITOS:

Conhecimento da teoria geral de circuitos eletricos, eletronica basi-

ca e nocoes gerais de eletromagnetismo.

OBJETIVOS ESPECIFICOS:

- Explicar o comportamento dos componentes eletronicos de RF e a me -

dida das grandezas eletricas pertinentes de acordo com o sistema
internacional e normas atuais vigentes.
- Identificar os instrumentos usuais de medidas para ensaios em com -
ponentes eletronicos de RF, com suas especificacoes minimas quanto
a caracteristicas qualitativas.

DETALHAMENTO:

--------------------------------------------------------------------------------
| ITEM | DESCRICAO | T | P | T+P | TA |
--------------------------------------------------------------------------------
|1.1 |Consideracoes sobre o projeto em RF | 2| - | 2| 2|
|1.2 |Comportamento de componentes passivos em RF. | | | | |
| |Ensaios de caracterizacao em laboratorio. | 2| - | 2| 4|
|1.3 |Dispositivos semicondutores em RF. Modelos com pa-| | | | |
| |rametros concentrados e caracterizacao com matri -| | | | |
| |zes de quadripolos. | 2| 4| 6| 10|
--------------------------------------------------------------------------------

NUMERO: 2 TITULO: Amplificadores de RF em Pequenos Sinais.

PRE-REQUISITOS:

Unidade 1.

OBJETIVOS ESPECIFICOS:

- Projetar analiticamente amplificadores de RF em pequenos sinais;

- Simular numericamente para verificar a coerencia dos calculos;
 - Analisar prototipos, observando regras de lay-out adequadas;
- Medir o desempenho e ajust -lo as especificacoes desejadas, obser -
vando procedimentos baseados em metodologia cientifica;
- Identificar os instrumentos necessarios aos ensaios, manipula-los
com seguranca, observando suas especificacoes, coerencia nos resul-
tados obtidos e na precisao das medidas.

DETALHAMENTO:

--------------------------------------------------------------------------------
| ITEM | DESCRICAO | T | P | T+P | TA |
--------------------------------------------------------------------------------
|2.1 |Adaptacao de impedancias em quadripolos lineares. | 1| 0| 1| 11|
|2.2 |Estruturas de adaptacao em L, Pi e T. Estruturas | | | | |
| |magneticamente acopladas. | 3| 4| 7| 18|
|2.3 |Fluxo de potencia em quadripolos lineares. Defini-| | | | |
| |coes de ganho de potencia. Conceito de estabilida-| | | | |
| |de. Fatores de estabilidade. | 2| 0| 2| 20|
|2.4 |Otimizacao do ganho de potencia em amplificadores | | | | |
| |de RF. | 4| 0| 4| 24|
|2.5 |Neutralizacao e unilateralizacao. Projeto de um| | | | |
| |estagio. | 2| 4| 6| 30|
|2.6 |Projeto de estagio em cascata. Outras associacoes.| 2| 0| 2| 32|
|2.7 |Consideracoes sobre ruido. Projeto com baixo ruido| | | | |
| |(LNA) | 4| 0| 4| 36|
|2.8 |Projeto com parametros espalhamento. | 4| 4| 8| 44|
--------------------------------------------------------------------------------

NUMERO: 3 TITULO: Amplificadores de Potencia em RF.

PRE-REQUISITOS:

Unidade 2.

OBJETIVOS ESPECIFICOS:

- Projetar analiticamente amplificadores de potencia de RF;

- Simular numericamente para verificar a coerencia dos calculos;
- Analisar prototipos, observando regras de lay-out adequadas;
- Medir o desempenho e ajusta-lo as especificacoes desejadas, obser -
vando procedimentos baseados em metodologia cientifica;
- Identificar os instrumentos necessarios aos ensaios, manipula-los
com seguranca, observando sua especificacoes, coerencia nos resul -
tados obtidos e na precisao das medidas.

DETALHAMENTO:

--------------------------------------------------------------------------------
| ITEM | DESCRICAO | T | P | T+P | TA |
--------------------------------------------------------------------------------
|3.1 |Caracteristicas do projeto em grandes sinais. | | | | |
| |Classes de amplificacao. Efeitos nao-lineare. | 2| - | 2| 46|
|3.2 |Parametros de caracterizacao dos amplificadores de| | | | |
| |potencia em RF. Ponto de compressao de i dB de in-| | | | |
| |terceptacao de 3a. ordem. | 2| 2| 4| 50|
|3.3 |Estruturas de acoplamento em faixa larga.Transfor-| | | | |
| |madores com ferrites. | 2| - | 2| 52|
|3.4 |Projeto de amplificadores de potencia. | 2| 2| 4| 56|
|3.5 |Tecnicas de linearizacao de amplificadores de po -| | | | |
| |tencia. | 2| - | 2| 58|
--------------------------------------------------------------------------------

NUMERO: 4 TITULO: Fontes controladas nao lineares: modelos nao-line-

ares de transistores bipolares e de efeito de cam-
po, par diferencial e varicap.

PRE-REQUISITOS:

Unidade 2.

OBJETIVOS ESPECIFICOS:

- Explicar o comportamento das fontes controladas nao-lineares;

- Dimensionar os parametros de projeto e simular numericamente esse
comportamento;
- Medir o desempenho de dispositivos que funcionam dentro dessas ca -
racteristicas;
- Identificar os instrumentos usuais de medidas para ensaios em com -
ponentes eletronicos de RF, com suas especificacoes minimas quanto
a caracteristicas qualitativas.

DETALHAMENTO:

--------------------------------------------------------------------------------
| ITEM | DESCRICAO | T | P | T+P | TA |
--------------------------------------------------------------------------------
|4.1 |Limites de operacao linear em componentes semi- | | | | |
| |condutores ativos bipolares e de efeito de campo. | 1| - | 1| 59|
|4.2 |Fontes controladas nao lineare de comportamento | | | | |
| |exponencial. | 1| - | 1| 60|
|4.3 |Fontes controladas nao lineares de comportamento | | | | |
| |exponencial. | 1| - | 1| 61|
|4.4 |Fontes controladas nao lineares acopladas em con -| | | | |
| |figuracao diferencial. | 1| - | 1| 62|
|4.5 |Acao do capacitor de acoplamento no efeito nao- | | | | |
| |linear em grandes sinais. | 2| - | 2| 64|
--------------------------------------------------------------------------------

NUMERO: 5 TITULO: Aplicacoes em circuitos limitadores, multiplicado-

res de frequencia e amplificadores de ganho con -
trolado.

PRE-REQUISITOS:

Conhecimento da teoria geral de circuitos eletricos, eletronica basi-

ca e nocoes gerais de eletromagnetismo.
 OBJETIVOS ESPECIFICOS:

- Explicar o comportamento das aplicacoes mais comuns das fontes con-

troladas nao-lineares;
- Dimensionar os parametros de projeto;
- Medir o desempenho de dispositivos que funcionam dentro dessas ca-
racteristicas;
- Identificar os instrumentos usuais de medidas para ensaios em com-
ponentes eletronicos de RF, com suas especificacoes minimas quanto
a caracteristicas qualitativas.

DETALHAMENTO:

--------------------------------------------------------------------------------
| ITEM | DESCRICAO | T | P | T+P | TA |
--------------------------------------------------------------------------------
|5.1 |Multiplicadores de frequencia limitadores de nivel| | | | |
| |e amplificadores com ganho controlado. | 2| - | 2| 66|
|5.2 |Limitadores de nivel. | 2| 2| 4| 70|
|5.3 |Amplificadores com ganho controlado. | 2| 2| 4| 74|
--------------------------------------------------------------------------------

NUMERO: 6 TITULO: Osciladores de RF: analise e projeto de oscilado -

res LC, a cristal e VCO.

PRE-REQUISITOS:

Conhecimento da teoria geral de circuitos eletricos, eletronica basi-

ca e nocoes gerais de eletromagnetismo.

OBJETIVOS ESPECIFICOS:

- Explicar o comportamento dos osciladores senoidais em RF e projeta-

los;
- Dimensionar os parametros de projeto e simular numericamente esse
comportamento;
- Medir o desempenho desses dispositivos de acordo com as normas atu-
ais e com o sistema internacional de unidades;
- Identificar os instrumentos usuais de medidas para ensaios em com -
ponentes eletronicos de RF, com suas especificacoes minimas quanto
a caracterisitcas qualitativas.

DETALHAMENTO:

--------------------------------------------------------------------------------
| ITEM | DESCRICAO | T | P | T+P | TA |
--------------------------------------------------------------------------------
|6.1 |Estruturas realimentadas. Criterio de Barhausen. | | | | |
| |Osciladores classicos: deslocamento de fase e em | | | | |
| |ponte de Wien e Meacham. | 2| - | 2| 76|
|6.2 |Osciladores com realimentacao por tres reatancias:| | | | |
| |Hartley, Colpitts e estruturas derivadas. | 2| 2| 4| 80|
|6.3 |Osciladores com resistencia negativa. Osciladores | | | | |
| |a cristal. | 2| 2| 4| 84|
|6.4 |Projeto de osciladores. Medidas de caracterizacao.| 2| - | 2| 86|
|6.5 |VCO analogico e digital. | 2| 2| 4| 90|
--------------------------------------------------------------------------------

A P R O V A C O E S E A S S I N A T U R A S
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Pelo Conselho de Curso : 18/07/07

Coordenador do Curso : ________________________________________

Docente : __________________________________________________________________