Ee 1007 - Eletrônica Ii - 0

OSTENSIVO CIAA-117/078A
MARINHA DO BRASIL
CENTRO DE INSTRUÇÃO ALMIRANTE
ALEXANDRINO
GUIA DE ESTUDO
ELETRÔNICA II
2022
OSTENSIVO 1°REVISÃO
ELETRÔNICA II
MARINHA DO BRASIL
CENTRO DE INSTRUÇÃO ALMIRANTE ALEXANDRINO
2022
FINALIDADE: DIDÁTICA
I
ATO DE APROVAÇÃO
APROVO, para emprego no Centro de Instrução Almirante Alexandrino, para as turmas do Curso de
especialização de Praças do CPA, dos Cursos de Aperfeiçoamento em Eletrônica, Eletricidade e
Comunicações Interiores, a apostila da disciplina ELETRÔNICA II.
Rio de Janeiro, RJ
Em ____ de __________ de _____ .
JOSE AFONSO BARBOZA LOBIANCO

Capitão-de-Fragata (RM-1)
Coordenador de Cursos da Escola de
Eletricidade e Eletrônica
II
ÍNDICE
Páginas
Folha de rosto............................................................................................................................I
Ato de aprovação.......................................................................................................................II
Índice........................................................................................................................................III
Introdução.................................................................................................................................IV
Capítulo 1- Dispositivos especiais.....................................................................................1-1

1.1 – Símbolos de fotodiodo, fototransistor, diodo emissor de luz e fotocélula.............1-1
1.2 – Características elétricas dos dispositivos citados em 1.1.......................................1-1
1.3 – Símbolos dos dispositivos: scr, scs, diac, triac, diodo shocley, diodo gunn,
diodo túnel,varicap e gto.................................................................................................1-8
1.4 – Características elétricas dos dispositivos citados em 1.3.......................................1-9
1.5 – Chave controlada de silício (scs)...........................................................................1-13
1.6 - Diode alternating current switch (diac)..................................................................1-14
1.7 – Triode alternating current switch (triac)................................................................1-16
1.8 – Diodo shockley......................................................................................................1-17
1.9 – Diodo gunn.............................................................................................................1-19
1.10 – Diodo túnel ..........................................................................................................1-20
1.11 – Diodo pin………………………………………………………………………..1-27
Capítulo 2 – Transistor bipolar de porta (gate) isolada (igbt)......................................2-1

2.1 – Transistor bipolar de porta (gate) isolada (igbt)....................................................2-1
2.2 – Transistor de unijunção (UJT)...............................................................................2-4
2.3 – Termistores NTC e PTC………………………………………………………….2-8
Capítulo 3 - Circuitos Especiais........................................................................................3-1

3.1 - Circuitos limitador..................................................................................................3-1
3.2 – Circuitos integrador e diferenciador......................................................................3-8
3.3 – Circuito sujeitador..................................................................................................3-9
3.4 – Circuitos contadores e de coincidência..................................................................3-11
3.5 – Circuito de retardo.................................................................................................3-16
Anexo A – Bibliografia........................................................................................................A-I
III
CAPÍTULO 1
DISPOSITIVOS ESPECIAIS
1.1 – SÍMBOLOS DE FOTODIODO, FOTOTRANSISTOR, DIODO EMISSOR DE LUZ E
FOTOCÉLULA.
a) Fotodiodo b) Fototransistor
c) Diodo emissor de luz d) Fotocélula
Figura 1.1 – Fotodiodo, fototransistor, diodo emissor de luz e fotocélula.
1.2 – CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS DOS DISPOSITIVOS CITADOS EM 1.1

1.2.1 – Fotodiodo (Fig. 1.2)
O fotodiodo tem uma estrutura física semelhante a uma junção PN básica. A junção do diodo é
polarizada inversamente, ou seja, só circula no diodo a corrente de portadores minoritários –
elétrons no cristal P e ou lacunas no cristal N.
Quando incide na região de deplexão um feixe luminoso são quebradas as ligações covalentes,
aumentando a concentração de portadores minoritários e consequentemente aumentando a
corrente de fuga. Esta variação na corrente de fuga atua no circuito associado ao fotodiodo.
Os fotodiodos são instalados em invólucros transparentes de modo que a luz possa incidir na
sua junção. Alguns fotodiodos incluem em sua estrutura lentes para que estas concentrem os
raios luminosos, com isto aumentando a sensibilidade do componente.
Obs. Nº 1: Emissão foto elétrica – É a emissão de elétron de um material, quando sobre o
mesmo incide um feixe luminoso.
1-1
Obs. Nº 2: Teoria corpuscular de Planck – A luz é composta de pequenos corpúsculos
chamados de fótons, que possuem energia determinada.
1.2.2 – Simbologias do fotodiodo
/
Figura 1.2 – Fotodiodo
1.2.3 – Constituição física
Figura 1.3 – Fotodiodo
1.2.4 – Polarização (Fig 1.4)

O circuito composto pelo fotodiodo e resistor de carga RL está polarizado reversamente e de
acordo com a incidência da luz sobre o mesmo, haverá maior ou menor condução do
fotodiodo.
A intensidade da corrente “l” é função da luz incidente sobre o fotodiodo.
Figura 1.4 – Polarização do fotodiodo

1-2
1.2.5 – A aplicação do fotodiodo

a) Sistema de alarme;
b) Circuitos de ligação automática de sistema de iluminação;
c) Fotômetros;
d) Leitura de cartão perfurado; e
e) Contagem de objetos de uma linha de montagem.
1.2.6 – Fototransistor (Fig. 1.5)

O fototransistor tem uma estrutura semelhante a do transistor de junção bipolar (TJB), exceto
pelo fato da junção base-coletor ser fotossensível. Eles são confeccionados com uma lente na
sua parte superior, que concentra os raios de luz sobre a junção. Ao receber os raios luminosos
na base, há um aumento dos portadores de carga, o que resulta em uma maior corrente de
coletor.
A vantagem que o fototransistor apresenta sobre o fotodiodo é o ganho de corrente (ganho β),
característico do transistor bipolar.
1.2.7 – Simbologias do fototransistor
a) NPN b) PNP
Figura 1.5 – Fototransistor
1.2.8 – Estrutura do fototransistor
Figura 1.6 – Estrutura física do fototransistor NPN
1-3
Figura 1.7 – Estrutura física do fototransistor PNP
OBS: A maioria dos fototransistores confeccionados atualmente é do tipo NPN.
1.2.9 – Polarização do foto transistor

O foto transistor é polarizado de maneira semelhante ao TJB: isto é:
Junção base-emissor: polarização direta.
Junção base-coletor: polarizada reversa.
1.2.10 – Aplicação do fototransistor

a) foto acopladores
b) circuito de leitura ótica de dados de computação;
c) circuito de ligação automática em sistema de iluminação; e
d) contagem de objetos em uma linha de montagem.
1.2.11 – Diodo emissor de luz (LED)

Em um diodo comum, com polarização direta, os elétrons livres atravessam a junção e
combinam-se com as lacunas, circulando uma corrente atravessa do diodo. A circulação de
corrente provoca uma liberação de energia sob a forma de calor, luz (fótons), ou ambos, e é
causada pela recombinação de elétrons e buracos.
Os diodos emissores de luz (LED) são confeccionados com substâncias tais como o
arsênio, o gálio e o fósforo. Estas substâncias apresentam a propriedade de irradiar tanto
energia infravermelho quanto energia luminosa, quando submetido a um campo elétrico.
Um LED em operação normal deve ser polarizado diretamente para que uma intensa corrente
possa circular, provocando a emissão de luz. O LED pode produzir luz na cor vermelha,
amarela, azul, verde, laranja ou infravermelho. Os que produzem radiação visível são úteis em
instrumentos, calculadoras etc. Os LEDs infravermelhos encontram aplicação em sistemas de
alarmes contra roubos e outras áreas que exijam radiação invisível.
1-4
1.2.12 – Simbologias do LED (Fig. 1.8)
Figura 1.8 – Diodo emissor de luz (LED)
1.2.13 – Curva característica do LED

Vz – Tensão de ruptura. Se esta tensão for ultrapassada, o LED provavelmente se danificará.
Vx – Tensão direta na qual a corrente passa a ser significativa, ou seja, o LED passa a emitir
luminosidade. Esta tensão varia de 1,5 a 2,5v, para correntes entre 10 e 50mA.
A queda de tensão exata depende da corrente, da cor e da tolerância do LED. A menos
que seja feita uma recomendação em contrário, usa-se uma queda nominal de 2V quando
estiver verificando defeito ou analisando circuitos com LEDs.
Figura 1.9 – Curva característica do diodo emissor de luz (LED)
Figura 1.10 – Circuito com diodo emissor de luz (LED).

1-5
Exercício:
Qual a corrente que circula no LED do circuito abaixo?
I = V/R
I LED = VFONTE − VLED
_______________
R
I LED = 10V − 2V
680Ω
I LED = 0,0118 A OU 11,8 mA
1.2.14 – Aplicação do LED

a) Indicadores em painéis
b) Display numérico (sete segmentos).
1.2.15 – Fotocélula ou célula fotoelétrica (Fig 1.11)

Dispositivo semicondutor de dois terminais cuja resistência varia quase linearmente com a
intensidade da luz incidente. Também conhecido como Dispositivo Fotorresistivo.
Entre os terminais é colocado uma fina camada de material fotorresistivo. Com a incidência da
luz neste material, haverá a maior ou menor liberação de elétrons livres, provocando uma
menor ou maior resistência entre os terminais.
Figura 1.11 – Fotocélula
1-6
1.2.16 – Resistor Dependente de Luz (Light Depend Resistor – LDR)
O LDR nada mais é que um resistor que varia sua resistência com a variação da intensidade de luz que
recebe. Quanto mais luz recebe, menor a resistência e vice-versa. A curva característica do LDR é uma
exponencial negativa
A equação da curva característica do LDR é:
Rf=A⋅E− α
Onde: E é a energia luminosa em Lux, Rf é a

resistência; A e α são constantes que dependem do
material.
1.2.17 – Materiais fotocondutores

a) Sulfeto de Cádmio (CdS)
b) Seleneto de Cádmio (CdSe)
1.3 – SÍMBOLOS DOS DISPOSITIVOS: SCR, SCS, DIAC, TRIAC, DIODO SHOCLEY, DIODO
GUNN, DIODO TÚNEL, VARICAP E GTO
Figura 1.12 – SCR Figura 1.13 – SCS
Figura 1.14 - DIAC
1-7
Figura 1.15 – Diodo Gunn
Figura 1.16 – TRIAC Figura 1.17 – Diodo Túnel
Figura 1.18 – Diodo Shockley Figura 1.19 - Diodo Varicap
Figura 1.20 - GTO
1-8
1.4 - CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS DOS DISPOSITIVOS CITADOS EM 1.3

1.4.1 - Retificador controlado de silício SCR (Fig 1.21)
É um dispositivo semicondutor que apresenta a característica de funcionar com um controle
externo, atuando assim como chave eletrônica.
O SCR é formado por quatro camadas de silício, duas do tipo P e duas do tipo N,
alternadamente, formando, portanto três junções.
1.4.2 – Simbologia
Figura 1.21 – SCR
1.4.3 – Estrutura do SCR
Figura 1.22 – Estrutura do SCR

1.4.4 - Circuito equivalente
O SCR equivale a dois transistores um PNP e outro NPN.
P
N
N
P P
Figura 1.23 – Circuito equivalente do SCR
1-9
1.4.5 - Polarização do SCR

O SCR é um dispositivo semicondutor polarizado diretamente e conduzirá no momento em que
for aplicado um disparo externo em seu gatilho.
Figura 1.24 – Polarização do SCR
1.4.6 - Curva característica com o gatilho aberto
Figura 1.25 – Curva característica do SCR

VBO – tensão de disparo
IH – corrente de manutenção
VBR – tensão de ruptura
A tensão de disparo do SCR pode ser controlada pelo gatilho. Após disparo, o SCR só deixará
de conduzir quando a corrente no circuito for menor que a corrente de manutenção.
1.4.7 – Curva característica com controle pelo gatilho
Figura 1.26 – Curva característica do SCR com controle pelo gatilho
1-10
Quando a corrente de gatilho é nula a tensão aplicada entre o anodo e o catodo deve atingir a
tensão de disparo (VBO). A medida que injetamos uma corrente no gatilho diminuímos o ponto
de disparo do SCR> Após o disparo do SCR pode-se retirar o sinal do gatilho que este
continuará conduzindo.
1.4.8 - Aplicação
a) controle de motores elétricos;
b) Circuito de comutação; e
c) Controle de intensidade de iluminação (DIMMER)
1.4.9 - Considerações sobre o SCR

O retificador controlado de silício (SCR) é um dispositivo semicondutor de quatro camadas, sendo duas
do tipo P e duas do tipo N alternadamente. O SCR apresenta a característica de funcionar com um
controle externo, atuando assim como chave eletrônica..
Figura 1.27 – Curva característica do SCR com sinal positivo à gate (gatilho)
Se aumentarmos a voltagem aplicada entre o anodo e o catodo de um SCR, mantendo o gatilho

aberto circulará uma corrente muito pequena, até atingir um determinado potencial de disparo
(VBO), quando então a corrente através do SCR sobe abruptamente diminuindo a resistência
interna do dispositivo, consequentemente diminuindo a queda de tensão sobre o memo. Isto é
representado no gráfico.
Se aplicarmos um determinado sinal positivo à gate (gatilho), o ponto de disparo do SCR será
antecipado em função da intensidade deste sinal. Isto é representado no gráfico pelos pontos
VB1, VB2, VB3, etc., após a corrente entre o anodo e o catodo atingir um valor abaixo da
corrente de manutenção (IH).
1-11
Do exposto até aqui, chegamos à conclusão que para disparar um SCR podemos:
a) com o gatilho aberto, aumentarmos a tensão entre o anodo e catodo até atingir o ponto do
disparo VBO;
b) manter um nível constante no gatilho, e aumentar a tensão entre o anoto e o catodo até atingir
um ponto d disparo (VB1, VB2, VB3...) que será menor do que VBO, e
c) manter um nível constante entre o anodo e o catodo e aplicar um pulso no gatilho suficiente
para disparar o SCR.
1.5 - CHAVE CONTROLADA DE SILÍCIO (SCS) (Fig 1.28)

É um dispositivo semicondutor de silício, formado de quatro camadas, duas do tipo P e duas do
tipo N, alternadamente. O SCS possui um gatilho para disparar e um outro para bloquear o
componente.
1.5.1 - Simbologia
Figura 1.28 - SCS
1.5.2 - Estrutura e polarização do SCS

O SCS é um dispositivo semicondutor polarizado diretamente; ele possui duplo gatilho. Um
gatilho efetuará o disparo do SCS e o outro efetuará o bloqueio do SCS.
Figura 1.29 – Estrutura do SCS
1-12
1.5.3 – Circuito equivalente
Figura 1.30 – Circuito equivalente do SCS
Obs: As vantagens do SCS em relação ao SCR é o tempo de comutação menor (1a10µs) e melhor
sensibilidade;
Já a desvantagem é que a sua utilização restringe-se a aplicações em baixa potência.
1.6 - DIODE ALTERNATING CURRENT SWITCH (DIAC) (Fig. 1.31)

Os DIACs, também chamados dispositivos de disparo bidirecional são dispositivos
semicondutores de silício que possuem em sua estrutura três ou cinco camadas de material
semicondutor e apenas dois terminais externos.
O DIAC permite o disparo (condução) em todos os sentidos após um determinado valor de tensão.
1.6.1 - Simbologias
Figura 1.31 – DIAC

1.6.2 - Curva característica
Figura 1.32 – Curva característica do DIAC

1-13
O DIAC é disparado em ambos os sentidos. Após disparo o DIAC só deixará de conduzir
quando a corrente no circuito for menor que a corrente de manutenção IH.
1.6.3 - Aplicação
a) Controle de disparo
b) Circuito de proteção a sobre tensões
Exemplo: O capacitor C se carregará em função do resistor R. Quando houver o disparo do
DIAC a queda de tensão sobre o resistor R alimentará o circuito a ser comandado.
Fig 1.33 – Circuito com DIAC

1.7 - TRIODE ALTERNATING CURRENT SWITCH (TRIAC) (Fig 1.34)
Assim como o SCR, o TRIAC é um dispositivo semicondutor que apresenta a característica de
funcionar com um disparo externo.
A diferença básica existente entre o TRIAC e o SCR é que este último só conduz corrente em um
único sentido, enquanto o TRIAC pode conduzir em ambos os sentidos. Isto quer dizer que o
TRIAC pode ser usado com eficiência em circuitos alimentados por CA.
7.1 - Simbologia
Figura 1.34 – TRIAC
1-14
O TRIAC equivale a dois (2) SCRs em paralelo e ligados em oposição.
Figura 1.35 – Circuito equivalente ao TRIAC

Quando a corrente de gatilho é nula a tensão aplicada entre o anodo e o catodo deve atingir a
tensão de disparo (VBO). À medida que injetamos uma corrente no gatilho diminuímos o ponto
de disparo dos SCR. Após o disparo dos SCR pode-se retirar o sinal do gatilho que estes
continuarão conduzindo.
Figura 1.36 – Curva característica do TRIAC
1.7.4 - Aplicação
a) Controle de potência
b) Controle de intensidade de iluminação
1-15
1.8 - DIODO SHOCKLEY (Fig. 1.37)
Diodo SHOCKLEY é um diodo PNPN de quatro camadas com apenas dois terminais externos.
1.8.1 - Simbologia
Figura 1.37 – Diodo Shockley

1.8.2 - Estrutura do diodo Shockley
Devido às suas quatro regiões dopadas, ele é muitas vezes chamado diodo PNPN. A forma mais
simples de entender como ele funciona é imaginar esse dispositivo separado em duas metades.
Figura 1.38 - Estrutura do Diodo Shockley
Figura 1.39 – Circuito equivalente ao diodo Shockley
1-16
1.8.4 - Características
As características do diodo Shockley são as mesmas do SCR com corrente de gatilho IG = 0.
Ele só será ligado após atingir a tensão de avalanche (representação de curto circuito).
O disparo deste diodo ocorre quando o potencial do anodo fica positivo em relação ao do
catodo.
1.8.5 - Aplicação
Pode ser aplicado como circuito de disparo para um SCR
Exemplo: Quando o circuito é energizado a tensão nos terminais do capacitor começa a variar
em direção à fonte. Em certo momento ela será suficientemente alta para primeiro
ligar o diodo Shockley e então o SCR.
Figura 1.40 – Circuito com o diodo Shockley
1.9 - DIODO GUNN (Fig. 1.41)

É um diodo especial utilizado em osciladores de altíssima frequência. É considerado a fonte mais
simples, econômica e compacta para geração de microondas. Este diodo vem atualmente
substituindo a válvula KLYSTRON no oscilador local do receptor do radar.
1.9.1 - Simbologias
Figura 1.41 – Diodo Gunn
1-17
1.9.2 - Constituição
O diodo Gunn é feito de arsenieto de gálio em forma cristalina que constitui o substrato
(corpo). Em seguida dopa-se uma região N na estrutura cristalina.
1.9.3 - Princípio de funcionamento
O princípio de funcionamento deste diodo baseia-se na propriedade que possui o arsenieto de
gálio de gerar frequências de microondas quando devidamente polarizado por nível DC. Para
este diodo funcionar como oscilador basta circundá-lo com cavidades ressonantes, na
frequência adequada, podendo gerar frequências na faixa de 1 GHz a 100 GHz.
1.10 - DIODO TÚNEL (1.42)

Diodo Túnel ou Diodo de Esaki é uma junção PN dopada com maior quantidade de impurezas
que o diodo comum. Em consequência desta maior dopagem haverá uma diminuição da região
de deplexão, a qual permite que os elétrons estabeleçam um túnel através dela. (Mecânica
Quântica).
1.10.1 - Simbologias
Figura 1.42 – Diodo Túnel

Figura 1.43 – Curva característica do DIODO Túnel
VP – Voltagem de pico
VV – Voltagem de vale
IP – Corrente de Pico
IV – Corrente de vale
1-18
Para baixos níveis de polarização direta o diodo túnel comporta-se como resistor de baixo valor, isto é,
flui uma apreciável corrente através do diodo atingindo rapidamente o seu valor de pico (IP), como
pode ser observado no intervalo entre VO e VP.
A partir do valor VP, se aumentar a voltagem sobre o diodo, haverá uma diminuição da corrente. Por
essa razão a região compreendida entre VP e VV é conhecida como região de resistência negativa. É
nesta região que o diodo túnel é mais utilizado.
A partir do valor VV o diodo passa a se comportar de modo comum, isto é, um aumento na voltagem
resulta em um aumento da corrente.
1.10.3 - Aplicações do Diodo Túnel

a) Circuitos osciladores
b) Circuitos multivibradores
c) Circuitos digitais – Chave eletrônica - funções lógicas de alta velocidade (nanosegundos).
Nota: aproveitando a sua característica de possuir um determinado valor de corrente para
três níveis de tensão diferentes, o Diodo Túnel é aplicado em circuitos digitais.
1.10.4 - Varicap (Fig. 1.44)

Diodo Varicap, também conhecido como Varactor, Ericap e Diodo de sintonia, é também
chamado de capacitância variável com a tensão. São diodos semicondutores que substituem os
capacitores variáveis em circuitos de alta frequência em virtude da capacidade de junção PN
quando polarizada inversamente. Um aumento da tensão inversa aplicada ao diodo faz com
que haja um aumento da largura da barreira de potencial e consequentemente uma diminuição
da capacidade da junção. O varactor age como um capacitor variável em função da voltagem
aplicada.
Figura 1.44 – Diodo Varicap
1-19
Nota: Quando o Varicap for polarizado, teremos capacitância de difusão e quando for
polarizado inversamente teremos capacitância de transição.
1.10.6 - Curva da variação da capacitância com tensão inversa aplicada
Figura 1.45 – Curva da variação da capacitância com tensão inversa aplicada

NOTA: Quanto maior for a tensão inversa aplicada, menor será a capacitância encontrada no
Varactor. (XC= 2πfc)
1.10.7 - Aplicação
a) Moduladores e sintonizadores de FM;
b) Controle automático de frequência (CAF);
c) Seletores de canais de televisores; e
d) Equipamentos de comunicação.
Nota: O Varicap possui como limitação que a tensão máxima inversa não deve atingir a região
zener.
1.10.8 - Chave com interrupção pela porta (GTO) (Fig. 1.46)

Possui características semelhantes as do SCR e SCS. Sua vantagem é que pode ser comutado
ou desligado com um pulso na sua porta (gate), sem o terminal de porta anodo e os circuitos a
ela associados. Em consequência, a corrente, de disparo é maior. O SCR dispara com
correntes da ordem de 20μA e o GTO a corrente de disparo é de 20 mA. A corrente para a
descomutação é um pouco maior. A capacidade de dissipação de potência é de 20W.
1-20
Figura 1.46 – GTO
Figura 1.47 – Estrutura física do GTO
1.10.11 - Vantagem
Uma vantagem do GTO é que o tempo de disparo é praticamente igual ao tempo de
descomutação 1μS, que comparado ao SCR é muito menor pois no SCR os tempos são de 5 a
30μS; este fato faz com que se possa usar o GTO em circuitos de alta velocidade de
comutação. A maioria das aplicações dos GTOS são encontradas em circuitos contadores,
geradores de pulsos, multivibradores, reguladores de tensão e vários outros.
Nota: Tiristores são dispositivos semicondutores que apresentam na sua estrutura quatro ou
mais camadas de materiais semicondutores. Sua característica principal é funcionar
como uma chave eletrônica. apresentando dois estados bem definidos que são o corte
e a saturação.
Entre os tiristores mais comuns encontramos os SCR, SCS, TRIAC e GTO. Os
DIACS, embora não se enquadrem como tiristores, são estudados em conjunto com
estes devido às suas características.
1-21
1.11 – DIODO PIN
No diodo pin existe uma terceira camada entre a junção PN, essa camada de material
intrínseco é inserida usando um material sem portadores de carga. Este tipo de diodo é
empregado em circuitos atenuadores, fotodetectores e em circuitos de alta potência,
entretanto, não é adequado para a função básica de retificação.
1.11.1 – Simbologi
1.11.2 – Aplicações
a) Interruptor RF;
b) Retificador de Alta Tensão; e
c) Fotodetector.
1-22
CAPÍTULO 2
2.1 – TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA (GATE) ISOLADA (IGBT)
O nome IGBT, é uma sigla de origem na Língua Inglesa e significa Insulated Gate
Bipolar Transistor ou, em Português Transistor Bipolar de Porta Isolada. O IGBT é um
semicondutor de potência que alia as características de chaveamento dos transistores bipolares
com a alta impedância dos MOSFETs apresentando baixa tensão de saturação e alta capacidade
de corrente. O IGBT destaca-se por possuir alta eficiência e rápido chaveamento.
2.1.1 – Estrutura do IGBT
Abaixo da região da porta (Gate), uma camada de inversão pode ser formada a partir
da aplicação de certa tensão entre a porta e o emissor, tal como é feito em um MOSFET
para fazê-lo entrar em condução.
A principal diferença entre essa estrutura do IGBT e a de um MOSFET é a inclusão de
um substrato p+ onde é conectado o terminal de coletor. Esta mudança tem como efeito a
inclusão de características bipolares ao dispositivo. Esta camada p+ tem como objetivo a
inclusão de lacunas na região de arrastamento (Drift region) como é feito em um
transistor bipolar do tipo PNP.
Na estrutura do IGBT, é importante notar que o terminal de porta está conectado a duas
regiões isoladas do material semicondutor através de uma camada isolante de óxido de silício
(SiO2) ao invés de ser apenas uma região como costumamos ver em MOSFET’s. Assim,
como veremos, o IGBT apresenta formação de dois canais ao invés de apenas um.
Figura 2.1 – Estrutura básica do IGBT
2-1
2.1.2 – Circuito equivalente
Figura 2.2 – Circuito equivalente do IGBT
2.1.3 – Simbologia
Figura 2.2 – Símbolo do IGBT
2.1.4 – Funcionamento
O IGBT é frequentemente utilizado como uma chave, alternando os estados de condução

(On-state) e corte (Off-state) os quais são controlados pela tensão de gate, como em um
MOSFET.
A entrada em condução é similar ao MOSFET, sendo um pouco mais lenta a queda da
tensão VCE, uma vez que isto depende da chegada dos portadores vindos da região P+. Para
o desligamento estes portadores devem ser retirados. Nos transistores bipolares de potência
isto se dá pela drenagem dos portadores via base, porém os IGBT possuem acionamento
isolado, não tornando isso possível. Então, em sua estrutura, as lacunas presentes em N+
recombinam-se com rapidez fazendo com que as lacunas existentes na região N- refluam,
apressando a extinção da carga acumulada na região N-, possibilitando o restabelecimento
da barreira de potencial e o bloqueio do componente. Isso quer dizer que se aplicarmos
uma pequena tensão de porta em relação ao emissor, a junção N+ ficará reversamente
polarizada e nenhuma corrente irá circular nessa junção. Porém, se aplicarmos uma tensão
2-2
positiva no terminal de porta fará com que se forme um campo elétrico na região de óxido
de silício responsável pela repulsão das lacunas pertencentes. Enquanto não houver
condução de corrente na região abaixo dos terminais de porta, não haverá condução de
corrente entre o emissor e o coletor porque a junção p estará reversamente polarizada. A
única corrente que poderá fluir entre o coletor e o emissor será a corrente de escape
(leakage).
2.1.5 – Aspecto da curva característica

O valor da tensão de saturação coletor-emissor VCEsat deve ser o menor possível,
minimizando as perdas, então deve-se aplicar uma tensão gate-emissor elevada na faixa de
12V a 15V. Alguns fabricantes recomendam aplicar-se uma tensão de 15V e uma
resistência RG(on) em série com o gate.
Figura 2.3 – Curva Característica
2.1.6 – Aplicações
• Controle no disparo e bloqueio de circuitos;

• No uso de sinais contínuos;
• Quando há necessidade da capacidade de bloqueio unipolar;
• Comutadores em inversores de frequência;
• Inversores em geral.
2.2 - Transistor de Unijunção (UJT)

O UJT é constituído por uma barra de silício de dimensões reduzidas, levemente dopada com
material do tipo N. Nesta barra são feitos dois contatos ôhmicos (bases B1 e B2). Sobre a barra
de silício do tipo N serão difundidas, aproximadamente na região central, impurezas do tipo P,
originando o terminal denominado emissor.
2-3
2.2.1 - Circuito equivalente ao UJT
Figura 2.4 – Circuito equivalente ao UJT
Ex: Qual o valor da tensão de disparo (ve) de um UJT, que possui η=65 e VBB= 6v?
R: 4,5v
RBB = RB1 + RB2 (resistência interbases)
VBB = tensão aplicada entre bases.
VE = tensão aplicada entre o emissor e à base 1
VD = tensão de barreira do diodo, aproximadamente = 0,7V.
a) Relação intrínseca ou relação de corte intrínseca

É um número, fornecido pelo fabricante, que determina a proporção em que é dividida a
voltagem VBB entre o divisor de voltagem formado por RB2 e RB1. Este número varia de
0,5 a 0,75 e quando multiplicado por VBB representa a queda de tensão em RB1.
ERB1 = VBB (RB1/(RB1+RB2))

RB1/RB1 + RB2 = η
ERB1 = VBBη
b) Condição para disparar o UJT
Para o UJT conduzir, o diodo de emissor deve estar polarizado diretamente e isto acontece
quando.
VE = ERB1 + VD
Como ERB1 = VBBη, teremos:
VE = VBBη + VD, QUE É A CONDIÇÃO PARA DISPARAR O UJT.
2-4
c) Gerador Dente de Serra com UJT
Figura 2.5 – Gerador de dente de serra com UJT
Figura 2.6 – Sinais de saídas do gerador dente de serra com UJT

d) Operação
Este circuito pode ser utilizado para produzir sinais do tipo dente de serra, pulsos positivos e
pulsos com orientação negativa. No instante em que é alimentado o circuito a voltagem de
emissor é zero volt (voltagem sobre C1). A partir daí o capacitor C1começa a se carregar
exponencialmente tendendo para o valor da fonte + VBB, e esta variação estará presente no
emissor do transistor. A voltagem sobre o capacitor crescerá até atingir o ponto de condução
do UJT (VE = ηVBB + Vd), quando então o transistor conduzirá e o capacitor C1 se
descarregará rapidamente através da junção emissor base 1 e de R4, que tem baixo valor de
resistência. A descarga de C1 continua até o ponto de corte do transistor, quando então terá
início um novo ciclo de carga de C1. Devido ao exposto acima, o sinal gerado no emissor
(eo1) será uma forma de onda tipo dente de serra. O potenciômetro R1 serve para ajustar a
constante de tempo de carga do capacitor, consequentemente alterando o período e a
frequência do sinal gerado. Se desejarmos pulsos positivos, devemos tirar o sinal na base B1
(eo3). Durante a carga de C1 o transistor está no corte e a voltagem sobre R4 tem um valor
muito pequeno. Quando a voltagem sobre C1 atingir o ponto de condução e o transistor
2-5
conduzir aparecerá na base 1 um pulso positivo de curta duração, pois existirá apenas durante
a descarga de C1 que é rápida. Se desejarmos pulsos com orientação negativa devemos tirar
na base 2 (eo2). Durante a carga de C1 o transistor está no corte e a voltagem na base 2 tem
um nível alto, muito próximo de VBB. Quando a voltagem sobre C1 atinge o ponto de
condução do UJT e este conduz, a voltagem na base 2 cai rapidamente durante a descarga de
C1 e logo volta a ter um nível alto, pois o transistor foi novamente ao corte. Isto resulta em
um pulso com orientação negativa na base 2 (eo2).
2.2.2 - Gerador Dente de Serra controlado por um GTO
Figura 2.7 – Gerador dente de serra com GTO
Quando a fonte for ligada, o GTO é disparado; C1 começa a carregar em direção ao valor de
tensão da fonte. A tensão de C1 chegará até um valor maior que a tensão de condução do Zener,
tornando a porta negativa em relação ao catodo, provocando o corte do GTO. C1 descarrega-se
através de R3, até iniciar um novo ciclo para o GTO. Para que a onda de saída tome a forma de
um dente de serra é necessário ajustar-se os valores de C1 e R3 para que a constante de tempo
RC satisfaça as condições de operação desta onda.
a) Forma de Onda do Gerador Dente de Serra controlado por um GTO
Figura 2.8 – Forma de onda do gerador dente de serra controlado por GTO
2-6
2.3 – Termistores NTC e PTC

Os termistores do tipo NTC ou PTC são semicondutores que podem ter a varição de
resistência de forma diretamente proporcional para os termistores do tipo PTC (positeve
temperature coeficient), onde a resistência elétrica irá se elevar a medida que se eleva a
temperatura e inversamente proporcional para os termistores do tipo NTC (negative
temperature coeficient) onde a resistência elétrica irá diminuir a medida que se eleva a
temperatura.
Os sensores do tipo NTC são mais usados pois existe uma maior facilidade em fabricá-los e
possuem uma incrível sensibilidade ao aumento de temperatura, esta característica
infelizmente também traz uma desvantagem, devido a alta sensibilidade a curva de
temperatura do sensor tipo NTC não é linear, apresentando um comportamento exponencial.
Esta desvantagem causa uma necessidade de um circuito que aproxime a curva exponencial
de uma curva linear com fatores de correção.
2-7
CAPÍTULO 3
CIRCUITOS ESPECIAIS
3.1 - CIRCUITOS LIMITADOR
3.1.1 - Limitador
Limitador é um circuito que tem a finalidade de eliminar uma parte do sinal que lhe é aplicado.
Podemos implementar um circuito limitador de diversas maneiras com válvulas, transistores ou
circuitos integrados, porém o limitador mais comum e simples é o que utiliza o diodo como
elemento limitador.
a) Limitador em série com a carga
I) Limitação positiva
Figura 3.1 – Limitador positivo
Figura 3.2 – Sinais de entrada e saída no limitador positivo
Funcionamento: Durante os pulsos negativos do sinal de entrada o diodo estará polarizado

diretamente e conduzirá, aparecendo sobre a carga (RL) o sinal de entrada, pulsos negativos,
que serão o sinal de saída. Durante os pulsos positivos do sinal de entrada o diodo não
conduzirá, pois está polarizado reversamente, consequentemente não haverá pulsos positivos
no sinal de saída. Como o circuito limita a parte positiva do sinal dizemos que é uma limitação
positiva
3-1
OSTENSIVO 1° REVISÃO
II) Limitação negativa
Figura 3.3 – Limitador negativo
Figura 3.4 – Sinais de entrada e saída no limitador negativo
Funcionamento: Durante os pulsos positivos do sinal de entrada o diodo estará polarizado

diretamente e conduzirá, aparecendo sobre a carga (RL) o sinal de entrada o diodo não
conduzirá, pois está polarizado reversa mente, consequentemente não haverá pulsos negativos
no sinal de saída. Como o circuito limita a parte negativa do sinal dizemos que é uma limitação
negativa.
b) Limitador em paralelo com a carga
I) Limitação negativa
Figura 3.5 – limitador negativo em paralelo com a carga
3-2
ENTRADA
SAÍDA
Figura 3.6 – Sinais de entrada e saída no limitador negativo em paralelo com a carga
Durante os semiciclos positivos do sinal de entrada o diodo estará polarizado reversamente e
não conduzirá, consequentemente o sinal de entrada aparecerá sobre a carga. O resistor R tem
valor Ôhmico muito menor que RL, por conseguinte, praticamente todo o sinal de entrada
estará presente na saída.
Durante os semiciclos negativos do sinal de entrada o diodo conduzirá pois está polarizado
diretamente. Nesta situação o sinal de entrada não aparecerá sobre a carga pois se
desenvolverá através de R e do diodo.
A função do resistor R é evitar que a fonte de “Ei” fique em curto, quando o diodo
estiver conduzindo.
II) Limitação positiva
Figura 3.7 – limitador positivo em paralelo com a carga
Figura 3.8 – Sinais de entrada e saída no limitador positivo em paralelo com a carga
3-3
Durante os semiciclos negativos do sinal de entrada o diodo estará polarizado reversamente e

não conduzirá, consequentemente o sinal de entrada aparecerá sobre a carga. O resistor R tem
valor Ôhmico muito menor que RL, por conseguinte todo praticamente todo o sinal de entrada
estará presente na saída.
Durante os semiciclos positivos do sinal de entrada o diodo conduzirá, pois está polarizado
diretamente. Nesta situação o sinal de entrada não aparecerá sobre a carga, pois se
desenvolverá através de R e do diodo.
A função do resistor R é evitar que a fonte de “Ei” fique em curto, quando o diodo estiver
conduzindo.
Exercício:
1) Determine o tipo de limitação da figura abaixo.
Figura 3.9 – Limitador
Figura 3.10 – Sinal de entrada e saída no limitador
3-4
III) Limitação de parte do semiciclo positivo
Figura 3.11 - Limitador
Figura 3.12 – Sinal de entrada e saída no limitador
A condição para o circuito funcionar como limitador é

Ei > VR
Inicialmente o diodo D1 está polarizado reversamente pela fonte Vr, consequentemente esta
voltagem não aparecerá sobre a carga.
Durante o ciclo positivo, do sinal aplicado, inicialmente o diodo D1 não conduzirá, logo o sinal
de entrada aparecerá sobre a carga. Quando o sinal “Ei” ultrapassar o valor VR o diodo
conduzirá; D1 conduzindo, o sinal “Ei” se desenvolverá pela malha formada por R, D1 e VR.
O sinal VR se desenvolverá por D1 e aparecerá sobre a carga.
Durante o semiciclo negativo de “Ei” o diodo D1 estará no corte. Logo este sinal aparecerá na
carga.
Exercício
3-5
1) Determine o tipo de limitação da figura abaixo.
Figura 3.13 – Limitador em paralelo
Figura 3.14 - Sinal de entrada e saída no limitador em paralelo
1) Determine o tipo de limitação da figura abaixo
10V
5,7V
-10V
Figura 3.15 – Limitador em paralelo
-5,7V
-5,7V
Figura 3.16 – Sinal de entrada e saída no Limitador em paralelo
3-6
3.2 - CIRCUITO INTEGRADOR E DIFERENCIADOR

3.2.1 - Circuito diferenciador e integrador
É um divisor de voltagem RC projetado para distorcer um sinal complexo de entrada.
A quantidade de distorção depende da constante de tempo do circuito e do período do sinal de
entrada. O sinal senoidal puro não sofre distorção ao passar por este circuito.
3.2.2 - Circuito diferenciador

É um divisor de voltagem RC cujo sinal é retirado no resistor. Normalmente o circuito possui
uma pequena constante de tempo CT em relação ao período do sinal de entrada.
0,1µF
1,38KHZ 1K
Figura 3.17 – Circuito diferenciador

Obs: o período do sinal de entrada é aproximadamente dez vezes maior que a constante de
tempo RC.
a) Aplicação
I Circuitos de televisores
II) Circuitos de sonares
III) Circuitos de radares e repetidoras
3.2.3 - Circuito integrador
É um divisor de voltagem RC cujo sinal é retirado do capacitor. Normalmente o
circuito possui uma grande CT em relação ao período do sinal de entrada.
1K
1,38KHZ
0,1µF
Figura 3.18 – Circuito integrador
Obs: o período do sinal de entrada é aproximadamente dez vezes menor que a

constante de tempo RC.
3-7
a) Aplicação
I) geradores de varreduras.
3.3 - Circuito sujeitador

3.3.1 - Circuito sujeitador
É um circuito que tem a finalidade de manter a amplitude de um sinal de entrada em um
determinado nível de referência. Este nível pode ser nulo, positivo ou negativo.
Este circuito também é conhecido como fixador e clamp.
Figura 3.19 – C
a) Fixação com diodo
É um sistema de acoplcmento resistivo-capacitivo (RC) de grande constante de tempo (CT),
comparado com o período do sinal de entrada. Depois que o capacitor se carrega com o nível
médio do sinal de entrada, toda variação será em torno deste nível.
I) Fixação positiva
Figura 3.20 – Circuito fixador positivo
Figura 3.21 – Sinal de entrada e saída de um fixador positivo
3-8
Durante o semiciclo negativo do sinal Ei o diodo estará polarizado diretamente e

conduzirá, carregando o capacitor com este sinal. Neste instante nada aparecerá
sobre a carga..
No semiciclo positivo do sinal Ei o diodo estará no corte. Nesta situação
aparecerá sobre a carga o sinal resultante de Ei mais a carga acumulada por C1,
consequentemente Eo será 2VP de Ei.
II) Fixação negativa
10µF
100K
Figura 3.22 – Circuito fixador negativo
Figura 3.23 – Sinal de entrada e saída de um fixador negativo

A operação deste circuito é idêntica à operação do fixador positivo. a única diferença é que o
diodo conduzirá durante o semiciclo positivo de sinal Ei.
3.4 - CIRCUITOS CONTADORES E DE COINCIDÊNCIA

3.4.1 - Contadores
São circuitos responsáveis em produzir um sinal de saída proporcional à frequência de
repetições de impulsos (FRI) do sinal aplicado. O circuito é sensível à variação na amplitude
do sinal que lhe é aplicado. Por conseguinte, é normalmente precedido de circuitos limitadores
ou ceifadores.
3-9
Os circuitos contadores básicos podem ser modificados para utilização com osciladores de
bloqueio, a fim de produzir pulsos de disparo que sejam submúltiplos da frequência de
repetição de impulso (FRI) do sinal de entrada. Os circuitos contadores podem trabalhar
associados a circuitos que contenham pulsos positivos ou negativos.
a) Contadores por armazenamento
Figura 3.24 – Circuito Contador
Obs: C2>>C1
I) Princípios de operação
Assumindo-se que a carga inicial dos capacitores C1 e C2 é igual a zero volt o primeiro pulso
aplicado ao circuito carrega o capacitor C1 através do diodo D1. A constante de tempo de carga
de C1 é o produto de C1 vezes a resistência do gerador mais a resistência do diodo. Esta
constante de tempo é muito pequena comparada com a duração do pulso e o capacitor C1 se
carrega totalmente com o valor da voltagem do sinal aplicado (vi = V), com a polaridade
indicada no circuito. Durante o tempo de carga de C1, D1 está conduzindo e a voltagem através
de C2 é zero volt. Ao término do pulso de entrada o capacitor C1 estará carregado com a
voltagem do pulso aplicado, o diodo D1 estará no corte e a voltagem de C1 se desenvolverá
através da associação série formada por D2 e C2. O capacitor C1 se descarrega, através de D2 e
a carga do capacitor C2 se equilibra à carga de C1. A constante de tempo de transferência de
carga é muito pequena em comparação com o intervalo entre pulsos, o que permite a total
transferência de carga entre os capacitores. O valor do capacitor C2 é grande em relação a C1.
Consequentemente a voltagem através de C2 é pequena em comparação com a voltagem de C1
(vi = V).
3-10
O pulso seguinte repõe a carga de C1 e ao final do pulso, C1 se descarrega em C2. A carga em

C2 será então a soma da carga inicial mais a carga agora transferia; consequentemente, será
maior do que a primeira.
Após sucessivos pulsos de entrada haverá um progressivo aumento por “steps” na voltagem de
saída, que se aproxima progressivamente da voltagem vo = V.
Figura 3.25 – Pulsos do circuito contador
Na figura observa-se que a voltagem plotada é função do número de pulsos e não do tempo. Se
o espaçamento no tempo da forma de onda de entrada for de forma regular, produzirá a forma
de onda representada na figura. Observa-se que os “steps” de voltagem ocorrem na borda
posterior do pulso de entrada.
Para o circuito se tornar útil adiciona-se em paralelo com C2 um circuito de chaveamento.
II) Circuitos de chaveamento
a) Oscilador de bloqueio
Figura 3.26 – Oscilador de bloqueio como circuito de chaveamento
3-11
O circuito de chaveamento está normalmente aberto devido a polarização empregada.

O emissor do transistor do oscilador de bloqueio é mantido com uma voltagem de referência
positiva que garante o seu estado de corte.
O circuito atua quando a voltagem através de C2 atinge um valor determinado que ultrapassa a
polarização de emissor. Neste instante o transistor sai do estado de corte.
O capacitor C2 se descarrega rapidamente através da junção base-emissor e do resistor R2.
Durante a condução do transistor será produzido um pulso de saída. Este circuito pode ser
usado como comparador ou como divisor de frequência.
1) Aplicações do contador por step ou armazenamento
I) Divisor de frequência
Para (n) pulsos de entrada aplicados ao contador será produzido um pulso a saída, desde que o
circuito contador esteja acoplado a um outro circuito sensível à amplitude do sinal.
II) Gerador de voltagem em degrau.
III) Medidor de frequência.
Podemos acoplar à saída de C2 um filtro RC proporcionando um nível DC que será
proporcional à FRI do sinal aplicado. Este nível será acoplado a um circuito que determinará a
frequência de repetição de impulso (FRI) do sinal.
IV) Medição de capacitância.
V) Repetidoras Radar.
Para produzir, por exemplo, uma varredura de cursor para cada varredura radar.
b) Contador com diodo
O contador de pulsos tem um princípio de funcionamento similar ao contador por steps. A
única diferença é a substituição do capacitor C2 por um resistor R.
Este circuito pode ser modificado invertendo-se as posições dos diodos para que possa contar
pulsos negativos ou positivos.
I) Contador de pulsos positivos
Figura 3.27 – Circuito contador de pulsos positivos
3-12
Quando se aplicam pulsos positivos ao circuito o diodo D1 conduzirá, carregando o capacitor

C1 carregará com a voltagem +V, com a polaridade indicada no circuito. Quando cessa o pulso
positivo de entrada o diodo D2 conduzirá descarregando o capacitor C1 através do resistor R.
Este ciclo se repete a cada vez que se aplica um pulso positivo aos terminais de entrada. Em
cada ocasião que D2 conduz, circula uma corrente através do resistor R e produz uma queda de
tensão sobre seus terminais, com a polaridade indicada.
A corrente média através do resistor aumenta ou diminui em função da FRI do pulso aplicado
em uma razão direta, ou seja, aumentando-se a FRI aumenta-se a corrente média, diminuindo a
FRI diminui-se a corrente média.
As variações na queda de tensão sobre o resistor R, devido às variações da
corrente, podem ser suavizadas com um filtro convencional RC.
A tensão proporcional à FRI do sinal aplicado pode então ser aplicada a um amplificador
controlando a sua operação
Figura 3.28 – Circuito contador de pulsos positivos com filtro e amplificador
A queda de tensão em R1 que é proporcional à FRI aplicado, após ser filtrada, será aplicada à
base do transistor, controlando a sua condução. A corrente de emissor do transistor deflexionará
o miliamperímetro. Então as indicações de corrente no instrumento são proporcionais à FRI
dos pulsos aplicados a entrada do circuito.
3-13
3.4.2 - Circuito de coincidência
Figura 3.29 – Circuito de coincidência
Figura 3.30 – Sinal de entrada e saída do circuito de coincidência

Um circuito de coincidência é aquele que produz uma saída quando um número específico de
entradas ou uma combinação de duas ou mais entradas são recebidas simultaneamente com
intervalo de tempo determinada.
Os resistores R1 e R2 são de baixo valor ôhmico em relação a R3 e as quedas de tensão nos
diodos podem ser consideradas desprezíveis.
Se aplicarmos simultaneamente pulsos a ambos os diodos, os mesmos deixam de conduzir e a
voltagem de anodo aumenta produzindo um pulso positivo na saída.
Nestes circuitos podemos ligar quantos diodos forem necessários. Cada diodo corresponderá a
uma entrada.
3.5 - CIRCUITO DE RETARDO

3.5.1 - Considerações sobre linha de transmissão
a) Impedância característica (ZO)
Pode ser definida como a relação existente entre a tensão e a corrente em uma linha de
transmissão de comprimento infinito.
3-14
A impedância característica de uma linha de transmissão é corrente, independente do seu

comprimento físico ou da amplitude do sinal aplicado e pode ser definida através da seguinte
fórmula:
b) Tempo para transferência de energia em uma linha de transmissão
O tempo de transferência de energia em uma linha de transmissão ou seção da linha

de transmissão, pode ser calculada se for conhecida a capacitância e a indutância da
linha ou seção através da seguinte fórmula:
Exercícios:
1) Em uma linha de transmissão de 1000 metros de comprimento em que uma seção
de 100 metros é medida, são obtidos os valores: 0,25 mH de indutância 1 nF
decapacitância. Determine a impedância característica ZO e o retardo total da LT.
Retardo total na linha de 1000 metros (10 x 100) = 10 x 0,5 = 5 μs.
3-15
3.5.2 - Definição de circuitos de retardo

Os circuitos de retardo são sistemas especiais de controle que são utilizados em diversos
dispositivos eletrônicos, particularmente em sistemas de radar. Estes circuitos são empregados
para retardar uma forma de onda, que por sua vez produz uma ação retardar uma forma de
onda, que por sua vez produz uma ação retardada. Os tipos mais comuns de circuitos de retardo
são o RC, o Fantastron e as Linhas Artificiais de Retardo.
a) Analisar circuitos de retardamento
I) Circuito resistivo-capacitivo (RC) de retardo
Figura 3.31 – Circuito RC de retardo
A) Condição inicial ou condição quiescente

O transistor Q1 é mantido conduzindo na saturação através da polarização positiva, proveniente
da fonte + Vcc, aplicada a sua base através do divisor de voltagem formado pelos resistores R1
e R2. Nesta situação a sua voltagem de coletor é muito baixa, consequentemente a carga do
capacitor C2 é praticamente nula.
O transistor Q2, que com componentes associados forma um oscilador de bloqueio disparado, é
mantido no corte pela polarização negativa, proveniente da fonte + Vbb, através do divisor de
voltagem formado por R4 e R5, aplicado à sua base.
B) Pulso sendo aplicado
Um pulso negativo sendo aplicado ao circuito através do capacitor C1 chega à base do
transistor Q1, levando este transistor ao corte. A voltagem de coletor de Q1 não aumenta
instantaneamente devido ao tempo requerido para carregar o capacitor C2. Devido ao corte de
Q1, a voltagem sobre C2 cresce exponencialmente. Esta variação será acoplada através de C3 à
base do transistor Q2. Quando esta variação ultrapassa a polarização negativa aplicada à base
de Q2, este transistor conduzirá.
3-16
O retardo na condução de Q2 é função na polarização aplicada à sua base e da constante de

tempo formada por R3 e C2.
Quando o transistor Q2 começa a conduzir, circula corrente de coleto. Esta corrente ao circular
pelo primário do transformador TI terminais (1 e 2), induzirá no secundário uma tensão
(realimentação positiva), que levará o transistor Q2 rapidamente à saturação. Quando esta
corrente de coletor se torna constante e deixa de haver indução no transformador T1, pela ação
do oscilador de bloqueio, será produzido no coletor de Q2 um pulso negativo de saída que
estará retardado em relação ao pulso de entrada.
Ao término do pulso de entrada o transistor Q1 conduzirá novamente, descarregado o capacitor
C2, fazendo com que o transistor Q2 vá ao corte.
C1
Q2
Figura 3.32 – Sinal de entrada e saída do circuito RC de retardo
3.5.3 - Linha casada

Quando os terminais de saída de uma LT estão ligados a uma carga (RL) cuja impedância é
igual a sua impedância característica (ZL=Zo) a transferência de energias é máxima e dizemos
que é casada.
3.5.4 - Linha descasada

Quando os terminais de saída de uma LT estão ligadas a uma carga diferente de Zo (ZL
deferente de Zo), parte da energia transmitida pela linha é absorvida pela carga e o restante é
refletida ao longo da linha no sentido dos terminais de entrada. Neste caso dizemos que a linha
está descasada com a carga (ou ressoante).
3-17
3.5.5 - Linha artificial de retardo

O fato de que é necessário um certo tempo para que a energia percorra uma linha de
transmissão encontra importantes aplicações em circuitos eletrônicos. Frequentemente deseja-
se, por exemplo, retardar por um determinado tempo, a chegada de um sinal a um ponto de
circuito.
Entretanto para se conseguir um retardo de alguns microssegundos com uma linha de
transmissão real é necessário uma linha de comprimento físico muito extenso, o que torna este
processo não muito prático.
A linha artificial de retardo é uma rede constituída de indutores e capacitores. Esta linha possui
todas as características elétricas da linha de transmissão real, diferindo apenas no comprimento
físico e no volume. Devido a sua aplicação como circuito de retardo, a linha artificial é
largamente empregada em radar, IFF, repetidora e outros equipamentos que trabalham com
frequências elevadas.
3.5.6 - Aspecto geral de uma linha de transmissão

Uma linha de transmissão é um condutor ou grupo de condutores usados para transmitir
energia elétrica de uma fonte a uma carga, com um mínimo de perda.
3.5.7 - Retardo de uma linha artificial (RT)

Cada seção LC da linha artificial é na realidade um filtro passa-baixa. Quando se projeta uma
linha artificial com uma determinada finalidade, escolhe-se os valores de L e de C, de tal forma
que todas as frequências passem ao longo da linha, até a maior frequência que é necessária para
manter o aspecto da forma de onda de entrada, pois ela também passa ao longo da linha.
O retardo de uma seção da linha artificial pode ser obtido de maneira análoga ao da LT, ou seja:
Consegue-se determinar o retardo total da linha artificial multiplicando-se o retardo de cada

seção pelo número de seção da linha.
Onde: RT = retardo total em segundos , η = nº de seções da linha , L = indutância em Henry

e C = Capacitância em Faraday
3-18
3.5.8 - Impedância Característica (Zo)

Como a impedância característica de uma linha de transmissão (LT) independe do seu
comprimento físico, a impedância característica de uma linha artificial também independe do
número de seções da mesma. Assim sendo, a impedância característica da linha artificial pode
ser calculada em função de apenas uma única seção de uma linha de transmissão (LT).
3.5.9 - Linha artificial

Pode-se construir uma linha de transmissão artificial com base nos princípios de uma linha de
transmissão real.
Uma linha típica é constituída por vários capacitores e indutores ligados de maneira semelhante
ao circuito equivalente da linha de transmissão (LT).
Figura 3.33 – Circuito linha de retardo artificial

Na linha artificial o elemento resistivo não aparece no circuito, embora ele exista, pois cada
indutor mostrado apresenta uma resistência em seu enrolamento. Entretanto, este elemento de
resistência é tão pequeno que, na prática, pode ser desprezado.
a) Aplicações da linha Artificial
Usa-se a linha artificial como retardo para obtenção de dois resultados diferentes.
Um sinal aplicado aos terminais de entrada é retirado nos terminais de saída T microssegundos
depois. Consegue-se isto casando-se a carga com a linha, ou seja,
ZL = Zo.
Um sinal aplicado aos terminais de entrada pode provocar o aparecimento de um segundo sinal
nos terminais de entrada 2T microssegundos depois (onda refletida).
Consegue-se isto com a aplicação de uma carga descasada a terminação da linha, ou seja, ZL
diferente de Zo. Os dois valores de carga usados normalmente são a resistência zero (curto
circuito) e a resistência infinita (circuito aberto), isto é: ZL = 0 e ZL = ∞

Impedância Característica (Zo) = √L/C
3-19
Exercício:
1) Determine o retardo total e a impedância característica de uma linha artificial de retardo de
20 seções em que cada seção possui um capacitor de 50pF e um indutor de 50mH:
L
Zo = C
zzz0Z
50 x 10-3
Zo = 50 x 10-12
1 x 10-3 x 1012
Zo =
Zo = 109
108 x 10
Zo =
10
Zo = 104
Zo = 1000 x 3,1622
Zo = 31622 ohms
L.C
RT = η
50 x 10-3 x 50 x 10-12
RT = 20
3-20
2500 x 10-15
RT = 20
2,5 x 103 x 10-15

RT = 20
2,5 x 10-12
RT = 20
RT = 20
2,5 x 10-6 segundos
2,5
RT = 20 microssegundos
RT = 31,62 microssegundos.
3-21
OSTENSIVO CIAA-117/078
ANEXO A
BIBLIOGRAFIA
1. EUA. US NAVY. Curso Completo de Eletrônica / Basic Electronics. HEMUS, São

Paulo, 1980.
2. MALVINO, Albert Paul. Eletrônica. Makron Books, 4ª edição. Vol. I e II. 1997.
3. BOYLESTAD, Robert L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos. Prentice-Hall
do Brasil Ltda. 8ª edição, 2005.
OSTENSIVO A- 1 ORIGINAL

Ee 1007 - Eletrônica Ii - 0

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OSTENSIVO CIAA-117/078A

CENTRO DE INSTRUÇÃO ALMIRANTE ALEXANDRINO

JOSE AFONSO BARBOZA LOBIANCO

Capítulo 1- Dispositivos especiais.....................................................................................1-1

Capítulo 2 – Transistor bipolar de porta (gate) isolada (igbt)......................................2-1

Capítulo 3 - Circuitos Especiais........................................................................................3-1

c) Diodo emissor de luz d) Fotocélula

Figura 1.1 – Fotodiodo, fototransistor, diodo emissor de luz e fotocélula.

1.2 – CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS DOS DISPOSITIVOS CITADOS EM 1.1

1.2.2 – Simbologias do fotodiodo

1.2.3 – Constituição física

Figura 1.3 – Fotodiodo

1.2.4 – Polarização (Fig 1.4)

Figura 1.4 – Polarização do fotodiodo

1.2.5 – A aplicação do fotodiodo

1.2.6 – Fototransistor (Fig. 1.5)

1.2.7 – Simbologias do fototransistor

1.2.8 – Estrutura do fototransistor

Figura 1.6 – Estrutura física do fototransistor NPN

Figura 1.7 – Estrutura física do fototransistor PNP

OBS: A maioria dos fototransistores confeccionados atualmente é do tipo NPN.

1.2.9 – Polarização do foto transistor

1.2.10 – Aplicação do fototransistor

1.2.11 – Diodo emissor de luz (LED)

1.2.12 – Simbologias do LED (Fig. 1.8)

Figura 1.8 – Diodo emissor de luz (LED)

1.2.13 – Curva característica do LED

Figura 1.9 – Curva característica do diodo emissor de luz (LED)

Figura 1.10 – Circuito com diodo emissor de luz (LED).

I LED = 0,0118 A OU 11,8 mA

1.2.14 – Aplicação do LED

1.2.15 – Fotocélula ou célula fotoelétrica (Fig 1.11)

Figura 1.11 – Fotocélula

A equação da curva característica do LDR é:

Onde: E é a energia luminosa em Lux, Rf é a

1.2.17 – Materiais fotocondutores

Figura 1.12 – SCR Figura 1.13 – SCS

Figura 1.14 - DIAC

Figura 1.15 – Diodo Gunn

Figura 1.16 – TRIAC Figura 1.17 – Diodo Túnel

Figura 1.18 – Diodo Shockley Figura 1.19 - Diodo Varicap

Figura 1.20 - GTO

1.4 - CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS DOS DISPOSITIVOS CITADOS EM 1.3

Figura 1.21 – SCR

1.4.3 – Estrutura do SCR

Figura 1.22 – Estrutura do SCR

O SCR equivale a dois transistores um PNP e outro NPN.

Figura 1.23 – Circuito equivalente do SCR

1.4.5 - Polarização do SCR

Figura 1.24 – Polarização do SCR

1.4.6 - Curva característica com o gatilho aberto

Figura 1.25 – Curva característica do SCR

Figura 1.26 – Curva característica do SCR com controle pelo gatilho

1.4.9 - Considerações sobre o SCR

Se aumentarmos a voltagem aplicada entre o anodo e o catodo de um SCR, mantendo o gatilho

1.5 - CHAVE CONTROLADA DE SILÍCIO (SCS) (Fig 1.28)

Figura 1.28 - SCS

1.5.2 - Estrutura e polarização do SCS

Figura 1.29 – Estrutura do SCS

1.5.3 – Circuito equivalente

Figura 1.30 – Circuito equivalente do SCS

1.6 - DIODE ALTERNATING CURRENT SWITCH (DIAC) (Fig. 1.31)