MARINHA DO BRASIL

CENTRO DE INSTRUÇÃO ALMIRANTE ALEXANDRINO

GUIA DE ESTUDO
ELETRÔNICA II
REVISÃO - 2019

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 ELETRÔNICA II

MARINHA DO BRASIL

CENTRO DE INSTRUÇÃO ALMIRANTE ALEXANDRINO

2019

FINALIDADE: DIDÁTICA

1a EDIÇÃO

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 ÍNDICE
PÁGINAS
Capítulo 1 – Dispositivos especiais....................................................................................................4
1.1 – Símbolos de fotodiodo, fototransistor, diodo emissor de luz e fotocélula..................................4
1.2 –Características elétricas dos dispositivos citados em 1.1.............................................................4
1.3 – Símbolos dos dispositivos: scr, scs, diac, triac, diodo shocley, diodogunn, diodo túnel,
Varicap e gto.......................................................................................................................................10
1.4 –Características elétricas dos dispositivos citados em 1.3............................................................11
1.5 –Chave controlada de silício (scs)................................................................................................14
1.6 - Diode alternating current switch (diac)......................................................................................15
1.7 – Triode alternating current switch (triac)....................................................................................16
1.8 –Diodoshockley............................................................................................................................17
1.9 – Diodogunn.................................................................................................................................19
1.10 – Diodotúnel...............................................................................................................................20

Capítulo 2 –Transistor bipolar de porta (gate) isolada (igbt).....................................................23

2.1 – Transistor bipolar de porta (gate) isolada (igbt) ......................................................................23
2.2 –Transistor de unijunção (UJT)....................................................................................................25

Capítulo 3 -circuitos especiais .......................................................................................................29

3.1 - circuitos limitador ....................................................................................................................29
3.2 –circuitos integrador e diferenciador .........................................................................................34
3.3 – circuitosujeitador ....................................................................................................................36
3.4 – circuitos contadores e de coincidência ...................................................................................37
3.5 – circuito de retardo ...................................................................................................................42

Anexo a – bibliografia....................................................................................................................48

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 CAPÍTULO 1

DISPOSITIVOS ESPECIAIS
1.1 – SÍMBOLOS DE FOTODIODO, FOTOTRANSISTOR, DIODO EMISSOR DE LUZ E
FOTOCÉLULA

a) Fotodiodo b) Fototransistor

c) Diodo emissor de luz d) Fotocélula

Figura 1.1 – Fotodiodo, fototransistor, diodo emissor de luz e fotocélula.

1.2 – CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS DOS DISPOSITIVOS CITADOS EM 1.1

1.2.1 – Fotodiodo (Fig. 1.2)
O fotodiodo tem uma estrutura física semelhante a uma junção PN básica. A junção do diodo é
polarizada inversamente, ou seja, só circula no diodo a corrente de portadores minoritários –
elétrons no cristal P e ou lacunas no cristal N.
Quando incide na região de deplexãoum feixe luminoso são quebradas as ligações covalentes,
aumentando a concentração de portadores minoritários e consequentemente aumentando a
corrente de fuga. Esta variação na corrente de fuga atua no circuito associado ao fotodiodo.
Os fotodiodos são instalados em invólucros transparentes de modo que a luz possa incidir na sua
junção. Alguns fotodiodos incluem em sua estrutura lentes, para que estas concentrem os raios
luminosos, com isto aumentando a sensibilidade do componente.
Obs. Nº 1: Emissão foto elétrica – É a emissão de elétron de um material, quando sobre o
mesmo incide um feixe luminoso.
Obs. Nº 2: Teoria corpuscular de Plank – A luz é composta de pequenos corpúsculos
chamados de fótons, que possuem energia determinada.

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1.2.2 – Simbologias do fotodiodo

Figura 1.2 – Fotodiodo

1.2.3 – Constituição física

Figura 1.3 – Fotodiodo

1.2.4 – Polarização (Fig 1.4)

O circuito composto pelo fotodiodo e resistor de carga RL está polarizado reversamente e de
acordo com a incidência da luz sobre o mesmo, haverá maior ou menor condução do fotodiodo.
A intensidade da corrente “l” é função da luz incidente sobre o fotodiodo.

Figura 1.4 – Polarização do fotodiodo

1.2.5 – A aplicação do fotodiodo

a) Circuitos de alarme;

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 b) Circuitos de ligação automática de sistema de iluminação;
c) Fotômetros;
d) Leitura de cartão perfurado; e
e) Contagem de objetos de uma linha de montagem.

1.2.6 – Fototransistor (Fig. 1.5)

O fototransistor tem uma estrutura semelhante a do transistor de junção bipolar (TJB), exceto
pelo fato da junção base-coletor ser fotossensível. Eles são confeccionados com uma lente na sua
parte superior, que concentra os raios de luz sobre a junção. Ao receber os raios luminosos na
base, há um aumento dos portadores de carga, o que resulta em uma maior corrente de coletor.
A vantagem que o fototransistor apresenta sobre o fotodiodo é o ganho de corrente (ganho β),
característico do transistor bipolar.

1.2.7 – Simbologias do fototransistor

a) NPN b) PNP
Figura 1.5 – Fototransistor

1.2.8 – Estrutura do fototransistor

Figura 1.6 – Estrutura física do fototransistor NPN

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 Figura 1.7 – Estrutura física do fototransistor PNP

OBS: A maioria dos fototransistores confeccionados atualmente é do tipo NPN.

1.2.9 – Polarização do foto transistor

O foto transistor é polarizado de maneira semelhante ao TJB: isto é:
Junção base-emissor: polarização direta.
Junção base-coletor: polarizada reversa.

1.2.10 – Aplicação do fototransistor

a) foto acopladores
b) circuito de leitura ótica de dados de computação;
c) circuito de ligação automática em sistema de iluminação; e
d) Contagem de objetos em uma linha de montagem.

1.2.11 – Diodo emissor de luz (LED)

Em um diodo comum, com polarização direta, os elétrons livres atravessam a junção e
combinam-se com as lacunas, circulando uma corrente atravessa do diodo. A circulação de
corrente provoca uma liberação de energia sob a forma de calor (energia infravermelho) que não
é visível.
Os diodos emissores de luz (LED) são confeccionados com substâncias tais como o arsênio, o
gálio e o fósforo. Estas substâncias apresentam a propriedade de irradias tanto energia
infravermelho quanto energia luminosa, quando submetido a um campo elétrico.
Um LED em operação normal deve ser polarizado diretamente para que uma intensa corrente
possa circular, provocando a emissão de luz. O LED pode produzir luz na cor vermelha, amarela,
azul, verde, laranja ou infravermelho. Os que produzem radiação visível são úteis em
instrumentos, calculadoras etc. Os LEDs infravermelhos encontram aplicação em sistemas de
alarmes contra roubos e outras áreas que exijam radiação visível.

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1.2.12 – Simbologias do LED (Fig. 1.8)

Figura 1.8 – Diodo emissor de luz (LED)

1.2.13 – Curva característica do LED
Vz – Tensão de ruptura. Se esta tensão for ultrapassada, o LED provavelmente se danificará.
Vx – Tensão direta na qual a corrente passa a ser significativa, ou seja, o LED passa a emitir
luminosidade. Esta tensão varia de 1,5 a 2,5v, para correntes entre 10 e 50mA.
A queda de tensão exata depende da corrente, da cor e da tolerância do LED. A menos que seja
feita uma recomendação em contrário, usa-se uma queda nominal de 2V quando estiver
verificando defeito ou analisando circuitos com LEDs.

Figura 1.9 – Curva característica do diodo emissor de luz (LED)

Figura 1.10 – Circuito com diodo emissor de luz (LED).

Exercício:
Qual a corrente que circula no LED do circuito abaixo?
I = V/R
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 I LED = VFONTE − VLED
_______________
R
I LED = 10V − 2V
680Ω

I LED = 0,0118 A OU 11,8 mA

1.2.14 – Aplicação do LED

a) Indicadores em painéis
b) Display numérico (sete segmentos).

1.2.15 – Fotocélula ou célula fotoelétrica.

Dispositivo semicondutor de dois terminais cuja resistência varia linearmente com a intensidade
da luz incidente. Também conhecido como Dispositivo Fotorresistivo.
Entre os terminais é colocado uma fina camada de material fotorresistivo. Com a incidência da
luz neste material, haverá a maior ou menor liberação de elétrons livres, provocando uma menor
ou maior resistência entre os terminais.
A célula fotorresistiva não possui uma junção como o fotodiodo. Uma fina camada de material
conectado entre os terminais é simplesmente exposta à energia luminosa incidente.

1.2.16 – Simbologia

Figura 1.11 – Fotocélula

1.2.17 – Materiais fotocondutores

a) Sulfeto de Cádmio (CdS)
b) Seleneto de Cádmio (CdSe)

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1.3 – SÍMBOLOS DOS DISPOSITIVOS: SCR, SCS, DIAC, TRIAC, DIODO SHOCLEY, DIODO
GUNN, DIODO TÚNEL, VARICAP E GTO

Figura 1.12 – SCR Figura 1.13 – SCS

Figura 1.14 – DIAC Figura 1.15 – Diodo Gunn

Figura 1.16 – TRIAC Figura 1.17 – Diodo Túnel

Figura 1.18 – Diodo Shockley Figura 1.19 - Diodo Varicap

Figura 1.20 - GTO

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1.4 - CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS DOS DISPOSITIVOS CITADOS EM 1.3

1.4.1 - Retificador controlado de silício SCR (Fig 1.21)

É um dispositivo semicondutor que apresenta a característica de funcionar com um controle
externo, atuando assim como chave eletrônica.
O SCR é formado por quatro camadas de silício, duas do tipo P e duas do tipo N,
alternadamente, formando, portanto três junções.

1.4.2 – Simbologia

Figura 1.21 – SCR

1.4.3 – Estrutura do SCR

Figura 1.22 – Estrutura do SCR

1.4.4 - Circuito equivalente

O SCR equivale a dois transistores um PNP e outro NPN.

Figura 1.23 – Circuito equivalente do SCR

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1.4.5 - Polarização do SCR
O SCR é um dispositivo semicondutor polarizado diretamente e conduzirá no momento em que
for aplicado um disparo externo em seu gatilho.

Figura 1.24 – Polarização do SCR

1.4.6 - Curva característica com o gatilho aberto

Figura 1.25 – Curva característica do SCR

VBO – tensão de disparo IH – corrente de manutenção VBR – tensão de ruptura
A tensão de disparo do SCR pode ser controlada pelo gatilho. Após disparo o SCR só deixará de
conduzir quando a corrente no circuito for menor que a corrente de manutenção.

1.4.7 – Curva característica com controle pelo gatilho

Figura 1.26 – Curva característica do SCR com controle pelo gatilho

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 Quando a corrente de gatilho é nula a tensão aplicada entre o anodo e o catodo deve atingir a
tensão de disparo (VBO). A medida que injetamos uma corrente no gatilho diminuímos o ponto
de disparo do SCR> Após o disparo do SCR pode-se retirar o sinal do gatilho que este continuará
conduzindo.

1.4.8 - Aplicação
a) controle de motores elétricos;
b) Circuito de comutação; e
c) Controle de intensidade de iluminação (DIMMER)

1.4.9 - Considerações sobre o SCR

O retificador controlado de silício (SCR) é um dispositivo semicondutor de quatro camadas,
sendo duas do tipo P e duas do tipo N alternadamente. O SCR apresenta a característica de
funcionar com um controle externo, atuando assim como chave eletrônica..

Figura 1.27 – Curva característica do SCR com sinal positivo à gate (gatilho)

Se aumentarmos a voltagem aplicada entre o anodo e o catodo de um SCR, mantendo o gatilho

aberto circulará uma corrente muito pequena, até atingir um determinado potencial de disparo
(VBO), quando então a corrente através do SCR sobe abruptamente diminuindo a resistência
interna do dispositivo, consequentemente diminuindo a queda de tensão sobre o memo. Isto é
representado no gráfico.
Se aplicarmos um determinado sinal positivo à gate (gatilho), o ponto de disparo do SCR será
antecipado em função da intensidade deste sinal. Isto é representado no gráfico pelos pontos
VB1, VB2, VB3, etc., após a corrente entre o anodo e o catodo atingir um valor abaixo da
corrente de manutenção (IH).
Do exposto até aqui, chegamos à conclusão que para disparar um SCR podemos:

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 a) com o gatilho aberto, aumentarmos a tensão entre o anodo e catodo até atingir o ponto do
disparo VBO;
b) manter um nível constante no gatilho, e aumentar a tensão entre o anoto e o catodo até atingir
um ponto d disparo (VB1, VB2, VB3...) que será menor do que VBO, e
c) manter um nível constante entre o anodo e o catodo e aplicar um pulso no gatilho suficiente
para disparar o SCR.

1.5 - CHAVE CONTROLADA DE SILÍCIO (SCS) (Fig 1.28)

É um dispositivo semicondutor de silício, formado de quatro camadas, duas do tipo P e duas do
tipo N, alternadamente. O SCR possui um gatilho para disparar e um outro para bloquear o
componente.

1.5.1 - Simbologia

Figura 1.28 - SCS

1.5.2 - Estrutura e polarização do SCS

O SCS é um dispositivo semicondutor polarizado diretamente; ele possui duplo gatilho. Um
gatilho efetuará o disparo do SCS e o outro efetuará o bloqueio do SCS.

Figura 1.29 – Estrutura do SCS

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1.5.3 – Circuito equivalente

Figura 1.30 – Circuito equivalente do SCS

Obs: a desvantagem do SCS em relação ao SCR é que a sua utilização restringe-se a aplicações
em baixa potência.

1.6 - DIODE ALTERNATING CURRENT SWITCH (DIAC) (Fig. 1.31)

Os DIACs, também chamados dispositivos de disparo bidirecional são dispositivos
semicondutores de silício que possuem em sua estrutura três camadas de material semicondutor e
apenas dois terminais externos.
O DAC permite o disparo (condução) em todos os sentidos após um determinado valor de
tensão.

1.6.1 – Simbologias 1.6.2 - Curva característica

Figura 1.31 – DIAC Figura 1.32 – Curva característica do DIAC

O DIAC é disparado em ambos os sentidos. Após disparo o DIAC só deixará de conduzir quando
a corrente no circuito for menor que a corrente de manutenção IH.
1.6.3 - Aplicação
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 a) Controle de disparo
b) Circuito de proteção À sobre tensões
Exemplo: O capacitor C se carregará em função do resistor R. Quando houver o disparo do
DIAC a queda de tensão sobre o resistor R alimentará o circuito a ser comandado.

Fig 1.33 – Circuito com DIAC

1.7 - TRIODE ALTERNATING CURRENT SWITCH (TRIAC)

Assim como o SCR, o TRIAC é um dispositivo semicondutor que apresenta a característica de
funcionar com um disparo externo.
A diferença básica existente entre o TRIAC e o SCR é que este último só conduz corrente em um
único sentido, enquanto o TRIAC pode conduzir em ambos os sentidos. Isto quer dizer que o
TRIAC pode ser usado com eficiência em circuitos alimentados por CA.

1.7.1 - Simbologia

Figura 1.34 – TRIAC

1.7.2 - Circuito equivalente
O TRIAC equivale a dois (2) SCRs em paralelo e ligados em oposição.

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 Figura 1.35 – Circuito equivalente ao TRIAC
1.7.3 - Curva característica
Quando a corrente de gatilho é nula a tensão aplicada entre o anodo e o catodo deve atingir a
tensão de disparo (VBO). À medida que injetamos uma corrente no gatilho diminuímos o ponto
de disparo dos SCR. Após o disparo dos SCR pode-se retirar o sinal do gatilho que estes
continuarão conduzindo.

Figura 1.36 – Curva característica do TRIAC

1.7.4 - Aplicação
a) Controle de potência
b) Controle de intensidade de iluminação

1.8 - DIODO SHOCKLEY

Diodo SHOCKLEY é um diodo PNPN de quatro camadas com apenas dois terminais externos.

1.8.1 - Simbologia

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 Figura 1.37 – Diodo Shockley

1.8.2 - Estrutura do diodo Shockley

Devido às suas quatro regiões dopadas, ele é muitas vezes chamado diodo PNPN. A forma mais
simples de entender como ele funciona é imaginar esse dispositivo separado em duas metades.

Figura 1.38 - Estrutura do Diodo Shockley

1.8.3 - Circuito equivalente

Figura 1.39 – Circuito equivalente ao diodo Shockley

1.8.4 - Características
As característica do diodo Shockley são as mesmas do SCR com corrente de gatilho IG = 0. Ele
só será ligado após atingir a tensão de avalanche (representação de curto circuito).
O disparo deste diodo ocorre quando o potencial do anodo fica positivo em relação ao do catodo.

1.8.5 - Aplicação
Pode ser aplicado como circuito de disparo para um SCR
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 Exemplo: Quando o circuito é energizado a tensão nos terminais do capacitor começa a variar
em direção à fonte. Em certo momento ela será suficientemente alta para primeiro ligar o diodo
Shockley e então o SCR.

Figura 1.40 – Circuito com o diodo Shockley

1.9 - DIODO GUNN (Fig. 1.41)

É um diodo especial utilizado em osciladores de altíssima freqüência (microondas). É
considerado a fonte mais simples, econômica e compacta para geração de microondas. Este
diodo vem atualmente substituindo a válvula KLYSTRON no oscilador local do receptor do
radar.

1.9.1 - Simbologias

Figura 1.41 – Diodo Gunn

1.9.2 - Constituição
O diodo Gunn é feito de arsenieto de gálio em forma cristalina que constitui o substrato (corpo).
Em seguida dopa-se uma região N na estrutura cristalina.

1.9.3 - Princípio de funcionamento

O princípio de funcionamento deste diodo baseia-se na propriedade que possui o arsenieto de
gálio de gerar frequências de microondas quando devidamente polarizado por nível DC. Para
este diodo funcionar como oscilador basta circundá-lo com cavidades ressonantes, na freqüência
adequada, podendo gerar frequências na faixa de 5 GHz a 40 GHz.

1.10 - DIODO TÚNEL (1.42)

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 Diodo Túnel ou Diodo de Esaki é uma junção PN dopada com maior quantidade de impurezas
que o diodo comum. Em conseqüência desta maior dopagem haverá uma diminuição da região
de deplexão, a qual permite que os elétrons estabeleçam um túnel através dela.

1.10.1 - Simbologias

Figura 1.42 – Diodo Túnel

1.10.2 - Curva característica

Figura 1.43 – Curva característica do DIODO Túnel

VP – Voltagem de pico VV – Voltagem de vale IP – Corrente de Pico IV – Corrente de vale

Para baixos níveis de polarização direta o diodo túnel comporta-se como resistor de baixo valor,
isto é, flui uma apreciável corrente através do diodo atingindo rapidamente o seu valor de pico
(IP), como pode ser observado no intervalo entre VO e VP.
A partir do valor VP, se aumentar a voltagem sobre o diodo, haverá uma diminuição da corrente.
Por essa razão a região compreendida entre VP e VV é conhecida como região de resistência
negativa. É nesta região que o diodo túnel é mais utilizado.
A partir do valor VV o diodo passa a se comportar de modo comum, isto é, um aumento na
voltagem resulta em um aumento da corrente.

1.10.3 - Aplicações do DiodoTúnel

a) Circuitos osciladores
b) Circuitos multivibradores
c) Circuitos digitais
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 Nota: aproveitando a sua característica de possuir um determinado valor de corrente para três
níveis de tensão diferentes, o Diodo Túnel é aplicado em circuitos digitais.

1.10.4 - Varicap (Fig. 1.44)

Diodo Varicap, também conhecido como Varactor, Ericap e Diodo de sintonia, é também
chamado de capacitância variável com a tensão. São diodos semicondutores que substituem os
capacitores variáveis em circuitos de alta freqüência em virtude da capacidade de junção PN
quando polarizada inversamente. Um aumento da tensão inversa aplicada ao diodo faz com que
haja um aumento da largura da barreira de potencial e consequentemente uma diminuição da
capacidade da junção. O varactor age como um capacitor variável em função da voltagem
aplicada.

1.10.5 - Simbologias

Figura 1.44 – Diodo Varicap

Nota: Quando o Varicap for polarizado, teremos capacitância de difusão e quando for
polarizado inversamente teremos capacitância de transição.

1.10.6 - Curva da variação da capacitância com tensão inversa aplicada

Figura 1.45 – Curva da variação da capacitância com tensão inversa aplicada

NOTA: Quanto maior for a tensão inversa aplicada, menor será a capacitância encontrada no
Varactor.
1.10.7 - Aplicação
a) Moduladores e sintonizadores de FM;
21
 b) Controle automático de freqüência (CAF);
c) Seletores de canais de televisores; e
d) Equipamentos de comunicação.
Nota: O Varicap possui como limitação que a tensão máxima inversa não deve atingir a região
zener.

1.10.8 - Chave com interrupção pela porta (GTO) (Fig. 1.46)

Possui características semelhantes as do SCR e SCS. Sua vantagem é que pode ser comutado ou
desligado com um pulso na sua porta (gate), sem o terminal de porta anodo e os circuitos a ela
associados. Em conseqüência, a corrente, de disparo é maior. O SCR dispara com correntes da
ordem de 20μA e o GTO a corrente de disparo é de 20 mA. A corrente para a descomutação é
um pouco maior. A capacidade de dissipação de potência é de 20W.

1.10.9 - Simbologias

Figura 1.46 – GTO Figura 1.47 – Estrutura física do GTO

1.10.11 - Vantagem
Uma vantagem do GTO é que o tempo de disparo é praticamente igual ao tempo de
descomutação 1μS, que comparado ao SCR é muito menor pois no SCR os tempos são de 5 a
30μS; este fato faz com que se possa usar o GTO em circuitos de alta velocidade de comutação.
A maioria das aplicações dos GTOS são encontradas em circuitos contadores, geradores de
pulsos, multivibradores, reguladores de tensão e vários outros.
Nota: Tiristoressão dispositivos semicondutores que apresentam na sua estrutura quatro ou mais
camadas de materiais semicondutores. Sua característica principal é funcionar como uma chave
eletrônica. apresentando dois estados bem definidos que são o corte e a saturação.
Entre os tiristores mais comuns encontramos os SCR, SCS, TRIAC e GTO. Os DIACS, embora
não se enquadrem como tiristores, são estudados em conjunto com estes devido às suas
características.

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 CAPÍTULO 2

2.1 – TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA (GATE) ISOLADA (IGBT)

O nome IGBT, é uma sigla de origem na Língua Inglesa e significa Insulated Gate Bipolar
Transistor ou, em Português Transistor Bipolar de Porta Isolada. O IGBT é um
semicondutor de potência que alia as características de chaveamento dos transistores bipolares
com a alta impedância dos MOSFETs apresentando baixa tensão de saturação e alta capacidade
de corrente. O IGBT destaca-se por possuir alta eficiência e rápido chaveamento.

2.1.1 – Estrutura do IGBT

Abaixo da região da porta (Gate), uma camada de inversão pode ser formada a partir da
aplicação de certa tensão entre a porta e o emissor, tal como é feito em um MOSFET para fazê-lo
entrar em condução.
A principal diferença entre essa estrutura do IGBT e a de um MOSFET é a inclusão de um
substrato p+ onde é conectado o terminal de coletor. Esta mudança tem como efeito a inclusão de
características bipolares ao dispositivo. Esta camada p+tem como objetivo a inclusão de lacunas
na região de arrastamento (Driftregion) como é feito em um transistor bipolar do tipo pnp.
Na estrutura do IGBT, é importante notar que o terminal de porta está conectado a duas
regiões isoladas do material semicondutor através de uma camada isolante de óxido de silício
(SiO2) ao invés de ser apenas uma região como costumamos ver em MOSFET’s. Assim, como
veremos, o IGBT apresenta formação de dois canais ao invés de apenas um.

Figura 2.1 – Estrutura básica do IGBT

23
2.1.2 – Circuito equivalente

Figura 2.2 – Circuito equivalente do IGBT

2.1.3 – Simbologia

Figura 2.2 – Símbolo do IGBT

2.1.4 – Funcionamento

O IGBT é frequentemente utilizado como uma chave, alternando os estados de condução (On-
state) e corte (Off-state) os quais são controlados pela tensão de gate, como em um MOSFET.
A entrada em condução é similar ao MOSFET, sendo um pouco mais lenta a queda da tensão
VCE, uma vez que isto depende da chegada dos portadores vindos da região P+. Para o
desligamento estes portadores devem ser retirados. Nos transistores bipolares de potência isto se
dá pela drenagem dos portadores via base, porém os IGBT possuem acionamento isolado, não
tornando isso possível. Então, em sua estrutura, as lacunas presentes em N+ recombinam-se com
rapidez fazendo com que as lacunas existentes na região N- refluam, apressando a extinção da
carga acumulada na região N-, possibilitando o restabelecimento da barreira de potencial e o
bloqueio do componente. Isso quer dizer que se aplicarmos uma pequena tensão de porta em
relação ao emissor, a junção N+ ficará reversamente polarizada e nenhuma corrente irá circular
nessa junção. Porém, se aplicarmos uma tensão positiva no terminal de porta fará com que se

24
 forme um campo elétrico na região de óxido de silício responsável pela repulsão das lacunas
pertencentes. Enquanto não houver condução de corrente na região abaixo dos terminais de
porta, não haverá condução de corrente entre o emissor e o coletor porque a junção p estará
reversamente polarizada. A única corrente que poderá fluir entre o coletor e o emissor será a
corrente de escape (leakage).

2.1.5 – Aspecto da curva característica

O valor da tensão de saturação coletor-emissor VCEsat deve ser o menor possível, minimizando
as perdas, então deve-se aplicar uma tensão gate-emissor elevada na faixa de 12V a 15V.
Alguns fabricantes recomendam aplicar-se uma tensão de 15V e uma resistência RG(on) em série
com o gate.

Figura 2.3 – Curva Característica

2.1.6 – Aplicações

Controle no disparo e bloqueio de circuitos;

No uso de sinais contínuos;
Quando há necessidade da capacidade de bloqueio unipolar;
Comutadores em inversores de frequência; Inversores em geral.

2.2 - Transistor de unijunção (UJT)

O UJT é constituído por uma barra de silício de dimensões reduzidas, levemente dopada com
material do tipo N. Nesta barra são feitos dois contactos ôhmicos (bases B1 e B2). Sobre a barra
de silício do tipo N serão difundidas, aproximadamente na região central, impurezas do tipo P,
originando o terminal denominado emissor.

2.2.1 - Circuito equivalente ao UJT

RBB = RB1 + RB2 (resistência interbases)
25
VBB = tensão aplicada entre bases.
VE = tensão aplicada entre o emissor e à base 1
VD = tensão de barreira do diodo, aproximadamente = 0,7V.

Figura 2.4 – Circuito equivalente ao UJT

a) Relação intrínseca ou relação de corte intrínseca

É um número, fornecido pelo fabricante, que determina a proporção em que é dividida a
voltagem VBB entre o divisor de voltagem formado por RB2 e RB1. Este número varia de 0,5 a
0,75 e quando multiplicado por VBB representa a queda de tensão em RB1.
ERB1 = VBB (RB1/RB1+RB2)
RB1/RB1 + RB2 = η
ERB1 = VBBη

b) Condição para disparar o UJT

Para o UJT conduzir, o diodo de emissor deve estar polarizado diretamente e isto acontece
quando.
VE = ERB1 + VD
Como ERB1 = VBBη, teremos:
VE = VBBη + VD, QUE É A CONDIÇÃO PARA DISPARAR O UJT.

c) Gerador Dente de Serra com UJT

Figura 2.5 – Gerador de dente de serra com UJT

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 Figura 2.6 – Sinais de saídas do gerador de dente de serra com UJT

d) Operação
Este circuito pode ser utilizado para produzir sinais do tipo dente de serra, pulsos positivos e
pulsos com orientação negativa. No instante em que é alimentado o circuito a voltagem de
emissor é zero volt (voltagem sobre C1). A partir daí o capacitor C1começa a se carregar
exponencialmente tendendo para o valor da fonte + VBB, e esta variação estará presente no
emissor do transistor. A voltagem sobre o capacitor crescerá até atingir o ponto de condução do
UJT (VE = ηVBB + Vd), quando então o transistor conduzirá e o capacitor C1 se descarregará
rapidamente através da junção emissor base 1 e de R4, que tem baixo valor de resistência. A
descarga de C1 continua até o ponto de corte do transistor, quando então terá início um novo
ciclo de carga de C1. Devido ao exposto acima, o sinal gerado no emissor (eo1) será uma forma
de onda tipo dente de serra. O potenciômetro R1 serve para ajustar a constante de tempo de carga
do capacitor, conseqüentemente alterando o período e a freqüência do sinal gerado. Se
desejarmos pulsos positivos, devemos tirar o sinal na base B1 (eo3). Durante a carga de C1 o
transistor está no corte e a voltagem sobre R4 tem um valor muito pequeno. Quando a voltagem
sobre C1 atingir o ponto de condução e o transistor conduzir aparecerá na base 1 um pulso
positivo de curta duração, pois existirá apenas durante a descarga de C1 que é rápida. Se
desejarmos pulsos com orientação negativa devemos tirar na base 2 (eo2). Durante a carga de C1
o transistor está no corte e a voltagem na base 2 tem um nível alto, muito próximo de VBB.
Quando a voltagem sobre C1 atinge o ponto de condução do UJT e este conduz, a voltagem na
base 2 cai rapidamente durante a descarga de C1 e logo volta a ter um nível alto, pois o transistor
foi novamente ao corte. Isto resulta em um pulso com orientação negativa na base 2 (eo2).

27
2.2.2 - Gerador Dente de Serra controlado por um GTO

Figura 2.7 – Gerador de dente de serra com GTO

Quando a fonte for ligada, o GTO é disparado; C1 começa a carregar em direção ao valor de
tensão da fonte. A tensão de C1 chegará até um valor maior que a tensão de condução do Zener,
tornando a porta negativa em relação ao catodo, provocando o corte do GTO. C1 descarrega-se
através de R3, até iniciar um novo ciclo para o GTO. Para que a onda de saída tome a forma de
um dente de serra é necessário ajustar-se os valores de C1 e R3 para que a constante de tempo
RC satisfaça as condições de operação desta onda.

a) Forma de Onda do Gerador Dente de Serra controlado por um GTO

Figura 2.8 – Forma de onda do gerador dente de serra controlado por GTO

28
 CAPÍTULO 3
CIRCUITOS ESPECIAIS
3.1 - CIRCUITOS LIMITADOR

3.1.1 - Limitador
Limitador é um circuito que tem a finalidade de eliminar uma parte do sinal que lhe é aplicado.
Podemos implementar um circuito limitador de diversas maneiras com válvulas, transistores ou
circuitos integrados, porém o limitador mais comum e simples é o que utiliza o diodo como elemento
limitador.
a) Limitador em série com a carga
I) Limitação positiva

Figura 3.1 – Limitador positivo

Figura 3.2 – Sinais de entrada e saída no limitador positivo

Durante os pulsos negativos do sinal de entrada o diodo estará polarizado diretamente e conduzirá,
aparecendo sobre a carga (RL) o sinal de entrada, pulsos negativos, que serão o sinal de
saí[Link] os pulsos positivos do sinal de entrada o diodo não conduzirá, pois está polarizado
reversamente, conseqüentemente não haverá pulsos positivos no sinal de saída. Como o circuito
limita a parte positiva do sinal dizemos que é uma limitação positiva.

29
II) Limitação negativa

Figura 3.3 – Limitador negativo

Figura 3.4 – Sinais de entrada e saída no limitador negativo

Durante os pulsos positivos do sinal de entrada o diodo estará polarizado diretamente e conduzirá,
aparecendo sobre a carga (RL) o sinal de entrada o diodo não conduzirá, pois está polarizado
reversamente, consequentemente não haverá pulsos negativos no sinal de saída. Como o circuito
limita a parte negativa do sinal dizemos que é uma limitação negativa.

b) Limitador em paralelo com a carga

I) Limitação negativa

Figura 3.5 – limitador negativo em paralelo com a carga

30
 Figura 3.6 – Sinais de entrada e saída no limitador negativo em paralelo com a carga

Durante os semiciclos positivos do sinal de entrada o diodo estará polarizado reversamente e não
conduzirá, consequentemente o sinal de entrada aparecerá sobre a carga. O resistor R tem valor
Ôhmico muito mento que RL, por conseguinte, praticamente todo o sinal de entrada estará presente
na saída.
Durante os semiciclos negativos do sinal de entrada o diodo conduzirá pois está polarizado
diretamente. Nesta situação o sinal de entrada não aparecerá sobre a carga pois se desenvolverá
através de R e do diodo.
A função do resistor R é evitar que a fonte de “Ei” fique em curto, quando o diodo estiver
conduzindo.

II) Limitação positiva

Figura 3.7 – limitador positivo em paralelo com a carga

Figura 3.8 – Sinais de entrada e saída no limitador positivo em paralelo com a carga
31
Durante os semiciclos negativos do sinal de entrada o diodo estará polarizado reversamente e não
conduzirá, consequentemente o sinal de entrada aparecerá sobre a carga. O resistor R tem valor
Ôhmico muito menor que RL, por conseguinte todo praticamente todo o sinal de entrada estará
presente na saída.
Durante os semiciclos positivos do sinal de entrada o diodo conduzirá, pois está polarizado
diretamente. Nesta situação o sinal de entrada não aparecerá sobre a carga, pois se desenvolverá
através de R e do diodo.
A função do resistor R é evitar que a fonte de “Ei” fique em curto, quando o diodo estiver
conduzindo.

Exercício:
1) Determine o tipo de limitação da figura abaixo.

Figura 3.9 – Limitador

Figura 3.10 – Sinal de entrada e saída no limitador

32
III) Limitação de parte do semiciclo positivo

Figura 3.11 - Limitador

Figura 3.12 – Sinal de entrada e saída no limitador

A condição para o circuito funcionar como limitador é Ei > VR

Inicialmente o diodo D1 está polarizado reversamente pela fonte Vr, consequentemente esta
voltagem não aparecerá sobre a carga.
Durante o ciclo positivo, do sinal aplicado, inicialmente o diodo D1 não conduzirá, logo o sinal de
entrada aparecerá sobre a carga. Quando o sinal “Ei” ultrapassar o valor VR o diodo conduzirá; D1
conduzindo, o sinal “Ei” se desenvolverá pela malha formada por R, D1 e VR. O sinal VR se
desenvolverá por D1 e aparecerá sobre a carga.
Durante o semiciclo negativo de “Ei” o diodo D1 estará no corte. Logo este sinal aparecerá na carga.

Exercício: Determine o tipo de limitação da figura abaixo.

Figura 3.13 – Limitador em paralelo

33
 Figura 3.14 - Sinal de entrada e saída no limitador em paralelo

1) Determine o tipo de limitação da figura abaixo

Figura 3.15 – Limitador em paralelo

Figura 3.16 – Sinal de entrada e saída no Limitador em paralelo

3.2 - CIRCUITO INTEGRADOR E DIFERENCIADOR

3.2.1 - Circuito diferenciador e integrador

È um divisor de voltagem RC projetado para distorcer um sinal complexo de entrada.
A quantidade de distorção depende da constante de tempo do circuito e do período do sinal de
entrada.O sinal senoidal puro não sofre distorção ao passar por este circuito.
34
3.2.2 - Circuito diferenciador
È um divisor de voltagem RC cujo sinal é retirado no resistor. Normalmente o circuito possui uma
pequena constante de tempo CT em relação ao período do sinal de entrada.

Figura 3.17 – Circuito diferenciador

Obs: o período do sinal de entrada é aproximadamente dez vezes maior que o período do sinal de
saída.

a) Aplicação:
I Circuitos de televisores
II) Circuitos de sonares
III) Circuitos de radares e repetidoras

3.2.3 - Circuito integrador

É um divisor de voltagem RC cujo sinal é retirado do capacitor. Normalmente o circuito possui uma
grande CT em relação ao período do sinal de entrada.

Figura 3.18 – Circuito integrador

Obs: o período do sinal de entrada é aproximadamente dez vezes menor que o período do sinal de
saída.
a) Aplicação:
I) geradores de varreduras.

35
3.3 - Circuito sujeitador
3.3.1 - Circuito sujeitador
É um circuito que tem a finalidade de manter a amplitude de um sinal de entrada em um determinado
nível de referência. Este nível pode ser nulo, positivo ou negativo.
Este circuito também é conhecido como fixador e clamp.

Figura 3.19 – Circuito sujeitador

a) Fixação com diodo
É um sistema de acoplcmento resistivo-capacitivo (RC) de grande constante de tempo (CT),
comparado com o período do sinal de entrada. Depois que o capacitor se carrega com o nível médio
do sinal de entrada, toda variação será em torno deste nível.
I) Fixação positiva

Figura 3.20 – Circuito fixador positivo

Figura 3.21 – Sinal de entrada e saída de um fixador positivo

Durante o semiciclo negativo do sinal Ei o diodo estará polarizado diretamente e conduzirá,

carregando o capacitor com este sinal. Neste instante nada aparecerá sobre a carga..
36
 No semiciclo positivo do sinal Ei o diodo estará no corte. Nesta situação aparecerá sobre a carga o
sinal resultante de Ei mais a carga acumulada por C1, consequentemente Eo será 2VP de Ei.
II) Fixação negativa

Figura 3.22 – Circuito fixador negativo

Figura 3.23 – Sinal de entrada e saída de um fixador negativo

A operação deste circuito é idêntica à operação do fixador positivo. a única diferença é que o diodo
conduzirá durante o semiciclo positivo de sinal Ei.

3.4 - CIRCUITOS CONTADORES E DE COINCIDÊNCIA

3.4.1 - Contadores
São circuitos responsáveis em produzir um sinal de saída proporcional à freqüência de repetições de
impulsos (FRI) do sinal aplicado. O circuito é sensível à variação na amplitude do sinal que lhe é
aplicado. Por conseguinte, é normalmente precedido de circuitos limitadores ou ceifadores.
Os circuitos contadores básicos podem ser modificados para utilização com osciladores de bloqueio,
a fim de produzir pulsos de disparo que sejam submúltiplos da freqüência de repetição de impulso
(FRI) do sinal de entrada. Os circuitos contadores podem ligar-se para que contem pulsos positivos
ou negativos.

37
a) Contadores por armazenamento

Figura 3.24 – Circuito Contador

Obs: C2>>C1
I) Princípios de operação
Assumindo-se que a carga inicial dos capacitores C1 e C2 é igual a zero volt o primeiro pulso
aplicado ao circuito carrega o capacitor C1 através do diodo D1. A constante de tempo de carga de
C1 é o produto de C1 vezes a resistência do gerador mais a resistência do diodo. Esta constante de
tempo é muito pequena comparada com a duração do pulso e o capacitor C1 se carrega totalmente
com o valor da voltagem do sinal aplicado (vi = V), com a polaridade indicada no circuito. Durante o
tempo de carga de C1, D1 está conduzindo e a voltagem através de C2 é zero volt. Ao término do
pulso de entrada o capacitor C1 estará carregado com a voltagem do pulso aplicado, o diodo D1
estará no corte e a voltagem de C1 se desenvolverá através da associação série formada por D2 e C2.
O capacitor C1 se descarrega, através de D2 e a carga do capacitor C2 se equilibra à carga de C1. A
constante de tempo de transferência de carga é muito pequena em comparação com o intervalo entre
pulsos, o que permite a total transferência de carga entre os capacitores.O valor do capacitor C2 é
grande em relação a C1. Consequentemente a voltagem através de C2 é pequena em comparação com
a voltagem de C1 (vi = V).
O pulso seguinte repõe a carga de C1 e ao final do pulso, C1 se descarrega em C2. A carga em C2
será então a soma da carga inicial mais a carga agora transferia; consequentemente, será maior do que
a primeira.
Após sucessivos pulsos de entrada haverá um progressivo aumento por “esteps” na voltagem de
saída, que se aproxima progressivamente da voltagem vo = V.

38
 Figura 3.25 – Pulsos do circuito contador

Na figura observa-se que a voltagem plotada é função do número de pulsos e não do tempo. Se o
espaçamento no tempo da forma de onda de entrada for de forma regular, produzirá a forma de onda
representada na figura. Observa-se que os “steps” de voltagem ocorrem na borda posterior do pulso
de entrada.
Para o circuito se tornar útil adiciona-se em paralelo com C2 um circuito de chaveamento.

II) Circuitos de chaveamento

a) Oscilador de bloqueio

Figura 3.26 – Oscilador de bloqueio como circuito de chaveamento

O circuito de chaveamento está normalmente aberto devido a polarização empregada.

O emissor do transistor do oscilador de bloqueio é mantido com uma voltagem de referência positiva
que garante o seu estado de corte.
O circuito atua quando a voltagem através de C2 atinge um valor determinado que ultrapassa a
polarização de emissor. Neste instante o transistor sai do estado de corte.
O capacitor C2 se descarrega rapidamente através da junção base-emissor e do resistor R2. Durante a
condução do transistor será produzido um pulso de saída. Este circuito pode ser usado como
comparador ou como divisor de frequência.

39
1) Aplicações do contador por step ou armazenamento
I) Divisor de freqüência
Para (n) pulsos de entrada aplicados ao contador será produzido um pulso a saída, desde que o
circuito contador esteja acoplado a um outro circuito sensível à amplitude do sinal.
II) Gerador de voltagem em degrau.
III) Medidor de freqüência.
Podemos acoplar à saída de C2 um filtro RC proporcionando um nível DC que será proporcional à
FRI do sinal [Link] nível será acoplado a um circuito que determinará a freqüência de
repetição de impulso (FRI) do sinal.
IV) Medição de capacitância.
V) Repetidoras Radar.
Para produzir, por exemplo, uma varredura de cursor para cada varredura radar.
b) Contador com diodo
O contador de pulsos tem um princípio de funcionamento similar ao contador por steps. A única
diferença é a substituição do capacitor C2 por um resistor R.
Este circuito pode ser modificado invertendo-se as posições dos diodos para que possa contar pulsos
negativos ou positivos.
I) Contador de pulsos positivos

Figura 3.27 – Circuito contador de pulsos positivos

Quando se aplicam pulsos positivos ao circuito o diodo D1 conduzirá, carregando o capacitor C1

carregará com a voltagem +V, com a polaridade indicada no circuito. Quando cessa o pulso positivo
de entrada o diodo D2 conduzirá descarregando o capacitor C1 através do resistor R. Este ciclo se
repete a cada vez que se aplica um pulso positivo aos terminais de entrada. Em cada ocasião que D2
conduz, circula uma corrente através do resistor R e produz uma queda de tensão sobre seus
terminais, com a polaridade indicada.
A corrente média através do resistor aumenta ou diminui em função da FRI do pulso aplicado em
uma razão direta, ou seja, aumentando-se a FRI aumenta-se a corrente média, diminuindo a FRI
diminui-se a corrente média.

40
 As variações na queda de tensão sobre o resistor R, devido às variações da
corrente, podem ser suavizadas com um filtro convencional RC.
A tensão proporcional à FRI do sinal aplicado pode então ser aplicada a um amplificador controlando
a sua operação

Figura 3.28 – Circuito contador de pulsos positivos com filtro e amplificador

A queda de tensão em R1 que é proporcional à FRI aplicado, após ser filtrada, será aplicada à base do
transistor, controlando a sua condução. A corrente de emissor do transistor deflexionará o
miliamperímetro. Então as indicações de corrente no instrumento são proporcionais à FRI dos pulsos
aplicados a entrada do circuito.

3.4.2 - Circuito de coincidência

Figura 3.29 – Circuito de coincidência

Figura 3.30 – Sinal de entrada e saída do circuito de coincidência

41
 Um circuito de coincidência é aquele que produz uma saída quando um número especifico de
entradas ou uma combinação de duas ou mais entradas são recebidas simultaneamente com intervalo
de tempo determinada.
Os resistores R1 e R2 são de baixo valor ôhmico em relação a R3 e as quedas de tensão nos diodos
podem ser consideradas desprezíveis.
Se aplicarmos simultâneamente pulsos a ambos os diodos, os mesmos deixam de conduzir e a
voltagem de anodo aumenta produzindo um pulso positivo na saída.
Nestes circuitos podemos ligar quantos diodos forem necessários. Cada diodo corresponderá a uma
entrada.

3.5 - CIRCUITO DE RETARDO

3.5.1 -
Considerações sobre linha de transmissão
a)Impedância característica (ZO)
Pode ser definida como a relação existente entre a tensão e a corrente em uma linha de transmissão
de comprimento infinito.
A impedância característica de uma linha de transmissão é corrente, independente do seu
comprimento físico ou da amplitude do sinal aplicado e pode ser definida através da seguinte
fórmula:

b) Tempo para transferência de energia em uma linha de transmissão

O tempo de transferência de energia em uma linha de transmissão ou seção da linha de
transmissão, pode ser calculada se for conhecida a capacitância e a indutância da linha ou seção
através da seguinte fórmula:

Exercícios:
1) Em uma linha de transmissão de 1000 metros de comprimento em que uma seção de 100 metros é
medida, são obtidos os valores: 0,25 mH de indutância 1 nF de capacitância. Determine a impedância
característica ZO e o retardo total da LT.

42
 Retardo total na linha de 1000 metros (10 x 100) = 10 x 0,5 = 5 μs.

3.5.2 - Definição de circuitos de retardo

Os circuitos de retardo são sistemas especiais de controle que são utilizados em diversos dispositivos
eletrônicos, particularmente em sistemas de radar. Estes circuitos são empregados para retardar uma
forma de onda, que por sua vez produz uma ação retardar uma forma de onda, que por sua vez produz
uma ação retardada. Os tipos mais comuns de circuitos de retardo são o RC, o Fantastron e as Linhas
Artificiais de Retardo.
a) Analisar circuitos de retardamento
I) Circuito resistivo-capacitivo (RC) de retardo

Figura 3.31 – Circuito RC de retardo

A) Condição inicial ou condição quiescente

O transistor Q1 é mantido conduzindo na saturação através da polarização positiva, proveniente da
fonte + Vcc, aplicada a sua base através do divisor de voltagem formado pelos resistores R1 e R2.

43
 Nesta situação a sua voltagem de coletor é muito baixa, consequentemente a carga do capacitor C2 é
praticamente nula.
O transistor Q2, que com componentes associados forma um oscilador de bloqueio disparado, é
mantido no corte pela polarização negativa, proveniente da fonte + Vbb, através do divisor de
voltagem formado por R4 e R5, aplicado à sua base.
B) Pulso sendo aplicado
Um pulso negativo sendo aplicado ao circuito através do capacitor C1 chega à base do transistor Q1,
levando este transistor ao corte. A voltagem de coletor de Q1 não aumenta instantaneamente devido
ao tempo requerido para carregar o capacitor C2. Devido ao corte de Q1, a voltagem sobre C2 cresce
exponencialmente. Esta variação será acoplada através de C3 à base do transistor Q2. Quando esta
variação ultrapassa a polarização negativa aplicada à base de Q2, este transistor conduzirá.
O retardo na condução de Q2 é função na polarização aplicada à sua base e da constante de tempo
formada por R3 e C2.
Quando o transistor Q2 começa a conduzir, circula corrente de coleto. Esta corrente ao circular pelo
primário do transformador TI 9terminais 1 e 2), induzirá no secundário uma tensão (realimentação
positiva), que levará o transistor Q2 rapidamente à saturação. Quando estão a corrente de coletor se
torna constante e deixa de haver indução no transformador T1, pela ação do oscilador de bloqueio,
será produzido no coletor de Q2 um pulso negativo de saída que estará retardado em relação ao pulso
de entrada.
Ao término do pulso de entrada o transistor Q1 conduzirá novamente, descarregado o capacitor C2,
fazendo com que o transistor Q2 vá ao corte.

Figura 3.32 – Sinal de entrada e saída do circuito RC de retardo

3.5.3 - Linha casada

Quando os terminais de saída de uma LT estão ligados a uma carga (RL) cuja impedância é igual a
sua impedância característica (ZL=Zo) a transferência de energias é máxima e dizemos que é
descasada.
44
3.5.4 - Linha descasada
Quando os terminais de saída de uma LT estão ligadas a uma carga diferente deZO (ZL deferente de
Zo), parte da energia transmitida pela linha é absorvida pelça carga e o restante é refletida ao longo
da linha no sentido dos terminais de entrada. Neste caso dizemos que a linha está descasada com a
carga.
3.5.5 - Linha artificial de retardo
O fato de que é necessário um certo tempo para que a energia percorra uma linha de transmissão
encontra importantes aplicações em circuitos eletrônicos. Frequentemente deseja-se, por exemplo,
retardar por um determinado tempo, a chegada de um sinal a um ponto de circuito.
Entretanto para se conseguir um retardo de alguns microssegundos com uma linha de transmissão
real é necessário uma linha de comprimento físico muito extenso, o que torna este processo não
muito prático.
A linha artificial de retardo é uma rede constituída de indutores e capacitores. Esta linha possui todas
as características elétricas da linha de transmissão real, diferindo apenas no comprimento físico e no
volume. Devido a sua aplicação como circuito de retardo, a linha artificial é largamente empregada
em radar, IFF, repetidora e outros equipamentos que trabalham com freqüências elevadas.
3.5.6 - Aspecto geral de uma linha de transmissão
Uma linha de transmissão é um condutor ou grupo de condutores usados para transmitir energia
elétrica de uma fonte a uma carga, com um mínimo de perda.
3.5.7 - Retardo de uma linha artificial (RT)
Cada seção LC da linha artificial é na realidade um filtro passa-baixa. Quando se projeta uma linha
artificial com uma determinada finalidade, escolhe-se os valores de L e de C, de tal forma que todas
as freqüências passem ao longo da linha, até a maior freqüência que é necessária para manter o
aspecto da forma de onda de entrada, pois ela também passa ao longo da linha.
O retardo de uma seção da linha artificial pode ser obtido de maneira análoga ao da LT, ou seja:

Consegue-se determinar o retardo total da linha artificial multiplicando-se o retardo de cada seção
pelo número de seção da linha.

Onde: RT = retardo total em segundos

η = nº de seções da linha
L = indutância em Henry

45
 C = Capacitância em Faraday
3.5.8 - Impedância Característica (Zo)
Como a impedância característica de uma linha de transmissão (LT) independe do seu comprimento
físico, a impedância característica de uma linha artificial também independe do número de seções da
mesma. Assim sendo, a impedância característica da linha artificial pode ser calculada em função de
apenas uma única seção de uma linha de transmissão (LT).
3.5.9 - Linha artificial
Pode-se construir uma linha de transmissão artificial com base nos princípios de uma linha de
transmissão real.
Uma linha típica é constituída por vários capacitores e indutores ligados de maneira semelhante ao
circuito equivalente da linha de transmissão (LT).

Figura 3.33 – Circuito linha de retardo artificial

Na linha artificial o elemento resistivo não aparece no circuito, embora ele exista, pois cada indutor
mostrado apresenta uma resistência em seu enrolamento. Entretanto, este elemento de resistência é
tão pequeno que, na prática, pode ser desprezado.
a) Aplicações da linha Artificial
Usa-se a linha artificial como retardo para obtenção de dois resultados diferentes.
Um sinal aplicado aos terminais de entrada é retirado nos terminais de saída T microssegundos
depois. Consegue-se isto casando-se a carga com alinha, ou seja,
ZL = Zo.
Um sinal aplicado aos terminais de entrada pode provocar o aparecimento de um segundo sinal nos
terminais de entrada 2T microssegundos depois (onda refletida).
Consegue-se isto com a aplicação de uma carga descasada a terminação da linha, ou seja, ZL
diferente de Zo. Os dois valores de carga usados com mais freqüência são a resistência zero (curto

circuito) e a resistência infinita (circuito aberto), isto é: ZL = 0 e ZL = ∞

Impedância Característica (Zo) =

46
Exercício:
1) Determine o retardo total e a impedância característica de uma linha artificial de retardo de 20
seções em que cada seção possui um capacitor de 50pF e um indutor de 50mH:

L 2,5 x 10-12
Zo = RT= 20
C

50 x 10-3
Zo = RT= 20 2,5 x 10-6 segundos
50 x 10-12

1 x 10-3x 1012
Zo = RT= 20 2,5 microsegundos

Zo = 109 RT= 31,62 microssegundos

Zo = 108x 10

Zo = 104 10

Zo = 1000 x 3,1622
Zo = 31622 ohms

RT = η L.C

50x 10-3x 50 x 10-12

RT = 20

RT = 20 2500x 10-15

2,5 x 103 x 10-15

RT = 20
47
 ANEXO A
BIBLIOGRAFIA

1. EUA. US NAVY. Curso Completo de Eletrônica / Basic Electronics. HEMUS, São Paulo,
1980.
2. MALVINO, Albert Paul. Eletrônica. Makron Books, 4ª edição. Vol. I e II. 1997.
3. BOYLESTAD, Robert L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos. Prentice-Hall do Brasil
Ltda. 6ª edição, 1998.

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