FGA0100 – Prática de Física dos Dispositivos Eletrônicos

RELATÓRIO

EXPERIMENTO 09

Autor Matricula
Matheus Ramos Carneiro 14/0047905
 LED e Fotodiodo
Objetivo: Introdução ao comportamento geral dos LEDs e dos Fotodiodos. Caracterização
elétrica de LEDs, com a obtenção das curvas I-V características. Diferenciação dos modos:
Fotocondutivo e Fotovoltaico.

Material:

- Multímetro Digital - Modelo: Minipa ET-1110A;

- Fonte DC (x2) – Modelo: Minipa MPL-1303M;

- Resistores: 1 kΩ: 0,996 k +/- 0,0005 k [Ω] (1/2 W)

1 MΩ: 0,99 +/- 0,005 M[Ω]

- LEDs: Branco e Vermelho (10mm)

- Osciloscópio Digital
- Trimpot Multivoltas (10MΩ)

Parte-I: Construa o circuito do optoacoplador, da Figura-A. Use VDC1 = 0 a 25V, e VDC2 = 12V.
Preencha a tabela a partir das medidas de tensão realizadas no circuito do LED1 (Branco,
Emissor de Luz) e no circuito do LED2 (Vermelho, Receptor) operando como Fotodiodo no
Modo Fotocondutivo. Plote os pontos PLED2 vs. PLED1. Proponha um modelo, ajustando a
curva aos pontos experimentais pelo Método dos Mínimos Quadrados. Observe que a
potência PLED2 é positiva, em razão da dissipação de energia no LED2.

A Tabela 01, abaixo, expõe os valores de tensão e corrente (VLED e ILED) com base no
circuito da figura 01, também abaixo.
Para obter os valores das quatro colunas em branco da tabela dada no experimento,
deve-se calcular a queda de tensão sobre o LED e a primeira lei de OHM. Tais equações
estão demonstradas abaixo:

1) VLEDi = VDCi – Vi

𝑉𝑖
2) ILEDi = 𝑅𝑖

VDC1 V1 V2 VLED1 ILED1 VLED2 ILED2

0 0 0 0 0 12 0
5,01 2,20 67,5m 2,80 2,20m 11,95 0,070μ
9,99 7,11 211m 2,90 7,15m 11,85 0,215μ
14,98 12,11 345m 2,85 12,15m 11,60 0,350μ
19,73 16,84 453m 2,90 16,90m 11,60 0,460μ
25,0 22,1 561m 2,92 22,2m 11,50 0,565μ
Figura 01 – Figura A; Tabela 01 – Parte-I;

Prática de Física dos Dispositivos Eletrônicos — RELATÓRIO — 2/8

 Para plotar os pontos PLED2 vs. PLED1, adotou-se um modelo na configuração
fotocondutiva, ajustando a curva aos pontos experimentais pelo Método dos Mínimos
Quadrados, mas para este ser plotado devemos observar os diferentes valores para VDC1 e
calcular as respectivas potências sobre estes LEDs, utilizando a equação abaixo:

PLEDi = VLEDi x ILEDi

Tabela 2 obtida a partir da equação 3 para plotar o gráfico solicitado:

PLED1 [W] PLED2 [W]

0 0
6,21m 0,814μ
20,56m 2,51μ
34,89m 4,06μ
48,86m 5,28μ
64,34m 6,48μ
Tabela 02 – Resultados para PLEDi;

Gráfico 01 – Gráfico PLED2 x PLED1

Os valores em vermelho são os valores obtidos de acordo com a equação 3, constantes

na tabela 02 e, a reta em azul é um modelo linear obtido através de um ajuste
computacional, no entanto, é perceptível que esteja modelo não se adequa aos pontos
experimentais em decorrência da perda de potência do LED1 por conta do Efeito Joule, no
qual o aumento da corrente e temperatura são diretamente proporcionais, prejudicando
então a formação dos fótons.

Prática de Física dos Dispositivos Eletrônicos — RELATÓRIO — 3/8

Parte-II: Monte o circuito do optoacoplador da Figura-B. Use VDC1 = 0 a 25V. Preencha a
tabela a partir das medidas de tensão realizadas no circuito do LED1 (Branco, Emissor de
Luz) e no circuito do LED2 (Vermelho, Receptor) operando como Fotodiodo no Modo
Fotovoltaico. Plote os pontos PLED2 vs. PLED1. Proponha um modelo, ajustando a curva aos
pontos experimentais pelo Método dos Mínimos Quadrados. Observe que a potência PLED2
é negativa, em razão da geração fotovoltaica de energia no LED2.

Para a parte-II, deve-se seguir os mesmos passos da parte-I.

A Tabela 03, abaixo, expõe os valores de tensão e corrente (VLED e ILED) com base no
circuito da figura 02, também abaixo.
Para obter os valores das quatro colunas em branco da tabela dada no experimento,
deve-se calcular a queda de tensão sobre o LED e a primeira lei de OHM. Tais equações
estão demonstradas abaixo:

1) VLEDi = VDCi – Vi

𝑉𝑖
2) ILEDi = 𝑅𝑖

VDC1 V1 V2 VLED1 ILED1 VLED2 ILED2

0 0 0 0 0 11,90 0
5,06 2,22 -52,6m 2,85 2,25m 12,00 -0,055μ
10,00 7,03 -166,0m 2,95 7,1m 12,25 -0,170μ
15,00 11,97 -270m 3,00 12m 12,30 -0,275μ
20,0 16,98 -364m 3,05 17m 12,45 -0,380μ
25,0 21,9 -447m 3,10 22m 12,50 -0,455μ
Figura 02 – Figura B; Tabela 03 – Parte-II;

Para plotar os pontos PLED2 vs. PLED1, adotou-se um modelo na configuração fotovoltaico,
ajustando a curva aos pontos experimentais pelo Método dos Mínimos Quadrados, mas
para este ser plotado devemos observar os diferentes valores para VDC1 e calcular as
respectivas potências sobre estes LEDs, utilizando a equação abaixo:

3) PLEDi = VLEDi x ILEDi

Tabela 4 obtida a partir da equação 3 para plotar o gráfico solicitado:

PLED1 [W] PLED2 [W]

0 0
6,33m -0,65μ
20,96m -2,05μ
36,41m -3,40μ
51,59m -4,55μ
68,16m -5,75μ
Tabela 04 – Resultados para PLEDi;

Prática de Física dos Dispositivos Eletrônicos — RELATÓRIO — 4/8

 Gráfico 02 – Gráfico PLED2 x PLED1

Este gráfico representa a potência consumida pelo LED1 e a potência gerada, pelo LED2.
Os pontos em vermelho são os resultados para PLEDi , e a reta azul é um modelo
computacional linearmente aproximado, o qual também não se ajusta de forma ideal aos
pontos experimentais por conta da mesma causa no gráfico 1, a qual é que a eficiência na
geração de fótons do LED1 é reduzida devido ao aumento do Efeito Joule com o aumento
da corrente, que é diretamente proporcional.

Parte-III: Monte o circuito do optoacoplador da Figura-C. Use VDC1 = 25V para alimentar o
LED1 (Branco, Emissor de Luz), e uma resistência variável com valor ajustável R = 0 a 5 M.
(Trimpot Multivoltas). Preencha a tabela calculando os valores da corrente no LED2
(Vermelho, Receptor) operando como Fotodiodo no Modo Fotovoltaico, a partir das
medidas da resistência e da tensão no circuito. Plote o gráfico dos pontos I LED2 vs. VLED2,
rebatidos para o primeiro quadrante, com a troca do sinal da corrente.

Figura 03 – Figura C;
Considerando o circuito proposto na Figura 03, devemos não só levar em consideração
a resistência variável de até 5 [MΩ], como também a impedância interna do voltímetro.
Devemos utilizar a equação 1, nesta terceira parte, abaixo, para encontrar a corrente que
flui pela malha do LED2, a fim de completarmos a terceira coluna da tabela 05.

Prática de Física dos Dispositivos Eletrônicos — RELATÓRIO — 5/8

 1
4) 𝐼𝑙𝑒𝑑2 = 1 1
( )+( )
𝑅 𝑍

 Z = impedância interna do voltímetro;

 R = resistência variável do trimpot multivoltas.

R[Ω] VLED2 [V] ILED2 [A]

19.55k -9.8m -0,5μ
0.502M -242m -0,5μ
1.006M -456m 0,5μ
1.507M -647m 0,5μ
1.98M -819m 0,5μ
2.46M -971m -0,4μ
2.97M -1084m -0,4μ
3.45M -1144m -0,4μ
3.95M -1174m -0,4μ
4.44M -1191m -0,3μ
4.95M -1202m -0,3μ
20M -1258m -0,1μ
Tabela 05 – Parte-III;

Obs: Considere como as suas medidas de tensão são afetadas pela impedância finita de
entrada do multímetro (modo voltímetro). Utilize um capacitor de 1F, em paralelo com o
resistor de 1 M, para cancelar o ruído nas medidas, se necessário.
Com estes valores, obteve-se o gráfico abaixo:

Gráfico 03 – Gráfico dos pontos ILED2 vs. VLED2 (Fotovoltaico);

O gráfico 03, de acordo com a variação resistiva do trimpot, relaciona os valores de tensão
e corrente sobre o LED2 (Fotovoltaico), o qual está associado em paralelo

Prática de Física dos Dispositivos Eletrônicos — RELATÓRIO — 6/8

Parte-IV – Responda:

a) Por que algumas junções PN de materiais semicondutores, aplicada uma corrente,

emitem fótons em diferentes comprimentos de onda?

Elétrons e buracos são criados e aniquilados, seja por injeção ou excitação óptica, o
decaimento dos portadores em excesso, geralmente segue uma lei exponencial com o
tempo padrão e o tempo de vida do portador em excesso. Um elétron da banda de
condução, perde energia da ordem do gap em recombinações banda-banda, e cai sobre
uma vacância na banda de valência, anulando um par elétron-buraco, a energia é emitida
na forma de fótons e a recombinação é chamada radiativa.
Em materiais de gap direto, a recombinação banda-banda leva à emissão de luz, a
corrente de injeção obedece a mesma relação que a obtida para a junção pn, e o
comprimento de onda da luz emitida depende do gap do semicondutor, da sua propriedade
de aceitar dopantes para se construir um diodo de junção pn.
Para junção pn feita com GaAs dopado com Si, o pico de emissão ocorre entre 910 e 1020
nm, o que caracteriza emissão nas ondas do infravermelho.

b) Qual a relação entre a tensão característica do LED (observada no primeiro

quadrante), o comprimento de onda dominante na emissão, e a Largura da Banda
de Energia (Eg) do material semicondutor usado na fabricação?

A relação é que a tensão do LED é diretamente proporcional à Energia de gap. e

inversamente proporcional a carga elétrica, de acordo com a equação abaixo:

𝐸𝑔⁄ ℎ𝑐
𝑉𝑙𝑒𝑑 = 𝑒 = ⁄𝑒λ

Prática de Física dos Dispositivos Eletrônicos — RELATÓRIO — 7/8

 2. Referências

[1]. BATISTUTA, Marcus V.; PIZO, Gerardo A. I. Laboratório 9 – LED e Fotodiodo. Prática de
Física dos Dispositivos Eletrônicos. 2/2020. Acesso em: 24 de abril 2021;

[2]. HALLIDAY, David and RESNICK, Robert. Fundamentos de Física. 8a ed., Vol. 3. Livros
Técnicos e científicos, Rio de Janeiro, 2008;

[3]. OLIVEIRA,R.M.de. Propriedades elétricas e ópticas de junções p-i-n de materiais

semicondutores III-V sobre substratos de GaAs orientados nas direções [311]A e [211]A.
Instituto de física de são carlos, USP, 2003, páginas: 24-34. Disponível em:
<https://teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-12032004-
144417/publico/dissrodrigo.pdf>. Acesso em: 24 de abril 2021;

Prática de Física dos Dispositivos Eletrônicos — RELATÓRIO — 8/8